JP2005093850A - プラズマ処理装置および真空容器の清掃方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 プラズマを用いた処理装置で内部に堆積した物質の清掃時間を短縮する。
【解決手段】 プラズマを発生させる真空容器103に吸引型の清掃機109を設置し、かつ容器内部の圧力をほぼ1気圧一定に保つようにガス導入管114から容器に不活性ガスを導入しながら、内部を吸引清掃する。
【選択図】 図1
【解決手段】 プラズマを発生させる真空容器103に吸引型の清掃機109を設置し、かつ容器内部の圧力をほぼ1気圧一定に保つようにガス導入管114から容器に不活性ガスを導入しながら、内部を吸引清掃する。
【選択図】 図1
Description
本発明はプラズマ処理装置および真空容器の清掃方法に係り、特に、プラズマを用いて半導体ウエハ等の試料をエッチング処理あるいは試料に膜を堆積させる装置において、真空容器内を清掃する装置及び清掃方法に関するものである。
本発明は、半導体素子の製造に用いられているプラズマを利用した処理装置に適用する。ここではECR(電子サイクロトロン共鳴)方式と呼ばれるプラズマ処理装置を例に、従来技術を説明する。この方式では、外部より磁場を印加した真空容器中でマイクロ波によりプラズマを発生する。磁場により電子はサイクロトロン運動し、この周波数とマイクロ波の周波数を共鳴させることで効率良くプラズマを発生できる。
このプラズマ処理装置で試料をエッチングする場合には、プラズマとなるガスには塩素やフッ素などのハロゲンガスが用いられる。また、試料に入射するイオンを加速するために、試料には高周波電圧が印加される。この構成で半導体素子製造に必要な、試料に垂直なエッチングができる。以後、試料に印加する電力をバイアスと呼ぶ。また、試料上に膜の堆積を行う場合は、SiH4などの原料ガスを用いて試料上に多結晶Si膜を堆積できる。
このプラズマ処理装置では、ある程度の処理時間が経つと真空容器内に原料ガスや反応生成物の堆積が生じる。堆積物が生じるとプラズマの状態が変化して、エッチング特性の経時変化が生じたり、あるいは堆積物が剥がれて試料上に落ちて異物となり歩留まり低下の原因となる。したがって、ある期間経過すると真空容器内壁の清掃が必要となる。
従来から真空容器を清掃する方法としては、例えば、特許文献1と特許文献2には、Alを含む堆積物をBCl3とCl2あるいはBCl3とHClのプラズマを用いて除去する方法が述べられている。また特許文献3には、Alを含む堆積物をH2O、Cl2、O2のプラズマを順に用いて除去する方法が述べられている。他にもSiを含む堆積物はSF6やCF4などのFを含むプラズマで除去する方法が知られている。この方法は真空容器を大気に戻すことが無いので、短時間で処理が済むことが大きな利点である。また、例えば数千枚処理した後は真空を大気に戻して内部を水や酸などをもちいて湿式に清掃する。
近年、半導体素子の多様化に伴い、試料の材料あるいはプラズマプロセスで用いるガスも多様化してきた。すると従来のプラズマを用いた清掃では除去しにくい堆積物が生じることがわかってきた。例えば、塩素系ガスとフッ素系ガスを混合あるいは切り替えて用いると真空容器の材料として広く用いられているアルミ/アルマイトあるいはアルミナと反応して弗化アルミニウム(AlF3)が生じる。弗化アルミニウムは非常に安定でかつ蒸気圧が低く、プラズマクリーニングでは除去が困難である。
これまでは、例えば弗化アルミニウムのようなプラズマクリーニングで除去できない堆積物は、真空容器を大気開放して湿式でふき取る清掃が用いられてきた。しかし、この方法は、真空容器を再びウエハ処理できる状態まで真空度を復帰させるのに時間を要するという問題がある。
本発明の目的は、プラズマ処理装置にておいて真空容器を清掃後に短時間で製品の作成を開始できるプラズマ処理装置および清掃方法を提供することである。
上記目的を達成するために、本発明は、真空容器に不活性ガスを大気圧程度あるいは大気圧よりやや低めに充填して、さらに真空容器に常備設置、あるいは外部から取り付ける真空吸引装置で容器内部を清掃する。通常に吸引したのでは、真空容器内部が減圧されて清掃できない難点がある。そこで真空容器内部の圧力を監視しながら内部に不活性ガスを充填することで解決する。
本発明の他の特徴として、真空容器の内部を吸引清掃する清掃機構の先端ノズルは磁性体部品を含んでおり、真空容器外部から磁石により先端ノズルを操作可能に構成されている。
本発明の他の特徴として、真空容器の内部を吸引清掃する清掃機構の先端ノズルは磁性体部品を含んでおり、真空容器外部から磁石により先端ノズルを操作可能に構成されている。
本発明の他の特徴として、真空容器のアースが真空容器の電力導入窓以外の内壁表面全体を被う構造となっている。
また、不活性ガスの導入は真空容器内部の異物を吹き上げないよう、ガス導入管は水平あるいは上向きになるよう方向を調節した。
また、不活性ガスの導入は真空容器内部の異物を吹き上げないよう、ガス導入管は水平あるいは上向きになるよう方向を調節した。
本発明によれば、ウエハをプラズマ処理する処理装置の真空容器内部を大気に曝すことなく清掃できるので、清掃が短時間で終了すると共に、プラズマ処理装置を真空に引いて再びウエハを処理できる状態に復帰するまでの時間を短縮できる。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
〔実施例1〕
まず、本発明の第1の実施例を図1により説明する。図1は、プラズマエッチング装置の全体構成図である。プラズマエッチング装置は真空容器103を備えており、マイクロ波電源101から導波管102と導入窓113を介して真空容器103内にマイクロ波が導入される。真空容器103の材質は金属であり、内面に絶縁コーティングしてある。導入窓113の材質は石英、セラミックなど電磁波を透過する物質である。真空容器103中にはガスが導入される。電磁石104の磁場強度はマイクロ波の周波数と共鳴を起こすように設定されて、たとえば周波数が2.45GHzならば磁場強度は875Gaussである。この磁場強度でプラズマ中の電子のサイクロトロン運動が電磁波の周波数と共鳴するために、効率よく電磁波のエネルギーがプラズマに供給され高密度のプラズマができる。試料106は、試料台107の上に設置される。試料に入射するイオンを加速するために、バイアス電源105が試料台107に接続されている。バイアス電源の周波数に特に制限はないが、通常バイアス電源の周波数は200kHzから20MHzの範囲が実用的である。
〔実施例1〕
まず、本発明の第1の実施例を図1により説明する。図1は、プラズマエッチング装置の全体構成図である。プラズマエッチング装置は真空容器103を備えており、マイクロ波電源101から導波管102と導入窓113を介して真空容器103内にマイクロ波が導入される。真空容器103の材質は金属であり、内面に絶縁コーティングしてある。導入窓113の材質は石英、セラミックなど電磁波を透過する物質である。真空容器103中にはガスが導入される。電磁石104の磁場強度はマイクロ波の周波数と共鳴を起こすように設定されて、たとえば周波数が2.45GHzならば磁場強度は875Gaussである。この磁場強度でプラズマ中の電子のサイクロトロン運動が電磁波の周波数と共鳴するために、効率よく電磁波のエネルギーがプラズマに供給され高密度のプラズマができる。試料106は、試料台107の上に設置される。試料に入射するイオンを加速するために、バイアス電源105が試料台107に接続されている。バイアス電源の周波数に特に制限はないが、通常バイアス電源の周波数は200kHzから20MHzの範囲が実用的である。
この真空容器103には、本発明に従い吸引型清掃機109が中間室112を介して着脱自在に取り付けられている。吸引型清掃機109は常時設置している必要はなく、必要時に取り付ける構造となっている。吸引型清掃機109は内部チューブ108と外部チューブ110により真空容器103の内壁を吸引できるようになっている。外部チューブ110には内部チューブ108の先端を動かせるようにハンドル111がついている。
また、真空容器103には、清掃時の圧力を一定に保つように不活性ガス導入管114がついている。内部チューブ108は図1では導入窓113を清掃する位置にきているが、通常の試料処理時には試料台107の下部でウエハ処理の障害とならない位置に収納されている。
図2は、図1の清掃機構部の拡大図である。吸引型清掃機109は2個のゲートバルブ202と203を介して真空容器103の下部側方に取り付けられる。ゲートバルブ203は常時真空容器側についているが、ゲートバルブ202と中間室112は吸引型清掃機109側についている。
次に、真空容器内部の清掃の手順を説明する。
ウエハをある程度の枚数処理して真空容器103内壁の堆積物の量が多くなったら、吸引型清掃機109をゲートバルブ203に取り付ける。この時点で中間室112は大気圧、真空容器103は真空となっている。次に、吸引型清掃機109を動作させ、ゲートバルブ202を開く。これにより中間室112が減圧される。次に、不活性ガス導入管114から真空容器内に窒素あるいはアルゴンなどのガスを導入する。このガスは水分を抜いたドライ空気でもよい。真空容器内の圧力は1気圧程度で、減圧の場合は0.9気圧以上が良い。加圧の場合は容器を破損する恐れがあるので、1気圧以下で使う方が望ましい。
ウエハをある程度の枚数処理して真空容器103内壁の堆積物の量が多くなったら、吸引型清掃機109をゲートバルブ203に取り付ける。この時点で中間室112は大気圧、真空容器103は真空となっている。次に、吸引型清掃機109を動作させ、ゲートバルブ202を開く。これにより中間室112が減圧される。次に、不活性ガス導入管114から真空容器内に窒素あるいはアルゴンなどのガスを導入する。このガスは水分を抜いたドライ空気でもよい。真空容器内の圧力は1気圧程度で、減圧の場合は0.9気圧以上が良い。加圧の場合は容器を破損する恐れがあるので、1気圧以下で使う方が望ましい。
この状態で、ゲートバルブ203を開いて、真空容器103内部の吸引清掃を開始する。清掃時は内部の圧力をモニタして、絶えず規定の圧力になるようにガス導入管114から不活性ガスを導入する。内部チューブ108により内壁を清掃するためには駆動機構が必要であり、ここでは内部にハンドル111とつながったフレキシブル棒201が入っており、先端のノズル204を手動で動かせるようになっている。このような構成の内部チューブ108で真空容器内部の堆積物を吸引清掃していく。
清掃が終了したら、ハンドル111を引き内部チューブ108を縮ませてすなわち外部チューブ110を伸ばして、試料台107の下邪魔にならない位置まで戻す。次に、ゲートバルブ203を閉じて、真空容器103内を真空に引くとともに、吸引型清掃機109をゲートバルブ203から取り外す。以上の清掃中には、試料台107にはダミーウエハ106を置いておき、清掃後はウエハを交換する。
以上述べた手順による清掃によれば、従来のように真空容器内部を大気の水分にさらすことが無い。そのため、清掃が短時間で終了すると共に、ウエハを再び処理できる状態にプラズマエッチング装置を短時間で復帰できる。
また、そこで真空容器内部の圧力を監視しながら内部に不活性ガスを導入充填するので、真空容器内部が減圧されて清掃できなくなるということも無く、連続して清掃可能である。この清掃方法では、不活性ガスの導入方法も重要である。すなわち、下にある堆積物などの異物を巻き上げないように、不活性ガス導入管1は水平あるいは上向きになるよう方向を調節する。また、清掃中の圧力を一定に保つために多量のガスを導入するので、管径も通常のプロセスガスを導入する管よりも太くする必要がある。またデフューザ等を用いてガスを分散させても良い。
また、内部を清掃中に真空容器内に電力が供給されると危険である。これを防ぐために、真空容器に吸引清掃機を取り付けるとマイクロ波電源101とrf電源105がオンにならないようなセンサとインターロックを付ける必要がある。
ノズル204を操作する方法は、フレキシブル棒201を用いる変わりにマジックハンドを用いても良い。あるいは内部を2重構造にして人間の手を入れて操作するようにしても良い。
また、操作方法としてはハンドルとフレキシブル棒によるものでだけでなく、ノズルに磁性体を付けておき真空容器103外部から磁石によりノズルを操作して内部を掃引してもよい。また、ノズルの先に機械的に回転するブラシなどをつけても良い。またノズル先端にラジオコントロールできる小型の移動機構を設けて、外部から操作しても良い。磁石などで壁を移動できる遠隔操作可能な機構を設ける場合、小型の吸引機構と一体化して吸引物を内部に取りこめるようにした吸引ロボット的な構造でも良い。
〔実施例2〕
次に、本発明の第2の実施例を図3により説明する。この実施例は先の実施例1の変形であり、清掃用のチューブも取り外しできるようにてある。
図3は、真空容器103のゲートバルブと吸引型清掃機109近傍の拡大図である。内部チューブ108と外部チューブ110は共に清掃機側についており、取り外しできる。
次に、本発明の第2の実施例を図3により説明する。この実施例は先の実施例1の変形であり、清掃用のチューブも取り外しできるようにてある。
図3は、真空容器103のゲートバルブと吸引型清掃機109近傍の拡大図である。内部チューブ108と外部チューブ110は共に清掃機側についており、取り外しできる。
この第2の実施例になる構造の清掃手順を説明する。まず、真空容器103のゲートバルブ203に清掃機の取り付けフランジ301を接続する。このとき内部チューブ108は中間室302の中に縮めておく。次に、吸引型清掃機を動作させて中間室302内を減圧する。次に、真空容器103内に不活性ガスを導入して圧力を1気圧程度にする。次に、ゲートバルブ203を開けて、ハンドルを操作することで内部チューブ108を伸ばして真空容器内を吸引清掃する。
本実施例によれば、ウエハをプラズマ処理する処理装置の真空容器内部を大気に曝すことなく清掃できるので、プラズマ処理装置を真空に引いて再びウエハを処理できる状態に復帰するまでの時間を短縮できる。また、この実施例では、チューブも取り外しできるので、チューブ自身を容器から取り外して清掃できる、チューブ先端のノズル204をいろいろな形の物に交換できる利点がある。例えば、試料台107上を清掃するときは鍵型に曲がったノズルに交換して清掃する。
〔実施例3〕
次に、実施例3として、真空容器の形状を清掃し安い構造に変えた例を、図4で説明する。既に述べた実施例では、真空容器の形状が複雑な場合、ノズルが届かない場所ができて、内部を隈なく清掃することが難しくなることも考えられる。そこで、図4に示した本実施例では、真空容器のアース405が真空容器の電力導入窓113以外の内壁表面全体を被う構造とした。アース405はアルミ上に厚さ約200nm以下のアルマイトを形成して、rf電源105の電流が流れるようにしてある。電流が流れるとイオンによるスパッタが大きくなるために堆積物が生じにくくなる。すると堆積物は主に天井の電磁波導入窓113に堆積するために、この部分のみ清掃すれば良く、全体として清掃部分が少なくなり、より短時間で清掃が終了する。清掃の手順は実施例1あるいは2と同じである。また、この実施例3の装置では、プラズマを発生する電磁波を450MHzとしている。UHF電源401に整合機402を介してアンテナ404が接続されている。UHF波は導入窓113から真空容器103内に放出されて、プラズマが発生する。なお、マイクロ波を用いた図1の装置で、アースを側壁全面被うようにしても差し支えない。
次に、実施例3として、真空容器の形状を清掃し安い構造に変えた例を、図4で説明する。既に述べた実施例では、真空容器の形状が複雑な場合、ノズルが届かない場所ができて、内部を隈なく清掃することが難しくなることも考えられる。そこで、図4に示した本実施例では、真空容器のアース405が真空容器の電力導入窓113以外の内壁表面全体を被う構造とした。アース405はアルミ上に厚さ約200nm以下のアルマイトを形成して、rf電源105の電流が流れるようにしてある。電流が流れるとイオンによるスパッタが大きくなるために堆積物が生じにくくなる。すると堆積物は主に天井の電磁波導入窓113に堆積するために、この部分のみ清掃すれば良く、全体として清掃部分が少なくなり、より短時間で清掃が終了する。清掃の手順は実施例1あるいは2と同じである。また、この実施例3の装置では、プラズマを発生する電磁波を450MHzとしている。UHF電源401に整合機402を介してアンテナ404が接続されている。UHF波は導入窓113から真空容器103内に放出されて、プラズマが発生する。なお、マイクロ波を用いた図1の装置で、アースを側壁全面被うようにしても差し支えない。
またこの実施例では、真空掃除機を取り付けるフランジ203を複数個設けて、いろいろな角度から内部の清掃ができるようにしている。
〔実施例4〕
図5は別の実施例であり、吸引型清掃機と高圧ガス噴射器を組み合わせた装置である。外部チューブ110にバルブ502を介して、高圧ガス噴出器501が取り付けてある。また内部チューブ108には切り替えバルブ503が取り付けてある。本装置による清掃手順を以下に説明する。
〔実施例4〕
図5は別の実施例であり、吸引型清掃機と高圧ガス噴射器を組み合わせた装置である。外部チューブ110にバルブ502を介して、高圧ガス噴出器501が取り付けてある。また内部チューブ108には切り替えバルブ503が取り付けてある。本装置による清掃手順を以下に説明する。
まず、本清掃機全体を真空容器103に取り付けて、真空容器内部を吸引清掃する。この手順は実施例2と同様である。吸引清掃時には切り替えバルブ503を開け、バルブ502を閉じておく。次に、切り替えバルブ503を閉じて、バルブ502を開ける。真空容器内を荒引きしながら高圧ガス噴出器から不活性ガスを噴出して、真空容器103内壁に吹き付ける。高圧ガスは吸引でとりきれなかった残留物がもしあったら、それを吹き落とす効果がある。堆積物を十分落とした後に、バルブ502を閉じ、切り替えバルブ503を開けて、再び落ちた堆積物を吸引除去する。必要ならば、本手順を繰り返してもよい。また堆積物を全て下に落とすことにより、清掃が容易になる利点がある。高圧ガスを吹き付ける代わりに、粒状のドライアイス(固形2酸化炭素)を吹き付けても良い。粒状ドライアイスは固体なのでより強力な堆積物除去効果があり、かつ短時間で気化して容易に排気できる。
〔実施例5〕
図6は、さらに別の実施例であり、ノズル204の先端にカメラ601が取り付けられている。カメラ601の映像は外部のモニタに映し出されるようになっており、この映像から真空容器内部が観察でき、清掃の様子がわかるようになっている。また、カメラ601で清掃前と後の内部の写真を撮り、清掃終了の判定に使うことができる。この判定は画像処理技術を用いて、自動で行うこともできる。またノズル204のカメラ601のレンズ部分付近に孔を空けておき、実施例4で述べたガスを吹き付ける動作でカメラのレンズを同時に清掃することもできる。
図6は、さらに別の実施例であり、ノズル204の先端にカメラ601が取り付けられている。カメラ601の映像は外部のモニタに映し出されるようになっており、この映像から真空容器内部が観察でき、清掃の様子がわかるようになっている。また、カメラ601で清掃前と後の内部の写真を撮り、清掃終了の判定に使うことができる。この判定は画像処理技術を用いて、自動で行うこともできる。またノズル204のカメラ601のレンズ部分付近に孔を空けておき、実施例4で述べたガスを吹き付ける動作でカメラのレンズを同時に清掃することもできる。
101…マイクロ波電源、102…導波管、103…真空容器、104…電磁石、105…rf電源、106…ウエハ、107…試料台、108…内部チューブ、109…吸引型清掃機、110…外部チューブ、111…ハンドル、112…中間室、113…電磁波導入窓、114…ガス導入管、115…アース、201…フレキシブル棒、202、203…ゲートバルブ、204…ノズル、301…中間室、401…UHF電源、402…整合機、403…アンテナ、404…アース、501…高圧ガス噴出器、502…バルブ、503…切り替えバルブ、601…カメラ。
Claims (10)
- 真空容器内にプラズマを発生させるとともに前記真空容器内に設けられた試料台に配置された試料を処理するプラズマ処理装置において、
清掃時に該真空容器内に不活性ガスを供給して該真空容器内の圧力を高めるガス供給手段と、該真空容器の内部を吸引排気することで前記真空容器の内壁を清掃する清掃機構とを設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1において、前記真空容器の内部を吸引清掃する清掃機構は、ゲートバルブを介して該真空容器に着脱自在となっていることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項1または2において、前記真空容器の内部を吸引清掃する清掃機構の先端ノズルは磁性体部品を含んでおり、前記真空容器外部から磁石により前記先端ノズルを操作可能に構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項1から3のいずれかにおいて、前記清掃機構を前記真空容器に取り付けると、前記プラズマを発生させる電源および前記試料に高周波を印加する電源が共にオンにならないようなインターロックを備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項1から4のいずれかにおいて、前記清掃機構のノズル先端には外部のモニタに接続されたカメラが設置されており前記真空容器内部をモニタできるようになっていることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項1から5のいずれかにおいて、前記真空容器のアースが前記真空容器の電力導入窓以外の内壁を被う構造となっていることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 真空容器内にプラズマを発生させるとともに前記真空容器内に設けられた試料台に配置された試料を処理するプラズマ処理装置における前記真空容器の清掃方法であって、該真空容器内に不活性ガスを供給して圧力を高めながら該真空容器の内部を吸引排気することにより、該容器内壁を清掃することを特徴とする真空容器の清掃方法。
- 請求項7において、不活性ガスの圧力を0.9気圧以上、1気圧未満一定に保ちながら、真空容器内を吸引清掃することを特徴とする真空容器の清掃方法。
- 請求項7または8において、前記ガス導入管が水平あるいは上向きになるようにして真空容器に不活性ガスを導入することを特徴とする真空容器の清掃方法。
- 請求項7から9のいずれかにおいて、前記真空容器の内部を吸引清掃すると共に高圧の不可性ガスあるいは粒子状ドライアイスを前記真空容器内壁に噴射することを特徴とする真空容器の清掃方法。
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WO2022250014A1 (ja) * | 2021-05-26 | 2022-12-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及びメンテナンス方法 |
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2003
- 2003-09-19 JP JP2003327293A patent/JP2005093850A/ja active Pending
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