CN117355925A - 基片处理系统和维护方法 - Google Patents

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CN117355925A CN202280036003.3A CN202280036003A CN117355925A CN 117355925 A CN117355925 A CN 117355925A CN 202280036003 A CN202280036003 A CN 202280036003A CN 117355925 A CN117355925 A CN 117355925A
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Abstract

一种基片处理系统，具有基片处理装置、真空输送室、输送机构、吸引机构和控制部。基片处理装置具有对基片执行真空处理的真空处理室。真空输送室与真空处理室连接，具有能够与真空处理室连通的输送口。输送机构配置在真空输送室，经输送口输送基片。吸引机构与输送机构相邻地配置在真空输送室，经输送口吸引真空处理室内的部件的附着物。控制部控制输送机构和吸引机构。

Description

基片处理系统和维护方法
技术领域
本发明涉及基片处理系统和维护方法。
背景技术
存在将半导体晶片(以下称为“晶片”。)等基片配置在真空状态的真空处理室内，实施用于加工基片的各种处理的基片处理装置。在该基片处理装置中，当在真空处理室内实施各种处理时，在真空处理室内作为附着物累积附着反应生成物、微粒等。因此，真空处理室要定期地开放空气并清扫。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004-14969号公报
发明内容
发明所要解决的问题
本发明提供能够不开放空气地高效进行真空处理室内的清扫的技术。
用于解决问题的方式
本发明的一个方式的基片处理系统具有基片处理装置、真空输送室、输送机构、吸引机构和控制部。基片处理装置具有对基片执行真空处理的真空处理室。真空输送室与真空处理室连接，具有能够与真空处理室连通的输送口。输送机构配置在真空输送室，经输送口输送基片。吸引机构与输送机构相邻地配置在真空输送室，经输送口吸引真空处理室内的部件的附着物。控制部控制输送机构和吸引机构。
发明的效果
根据本发明，能够获得能够不开放空气地高效进行真空处理室内的清扫的效果。
附图说明
图1是实施方式所涉及的基片处理系统的概略结构图。
图2是示意地表示实施方式所涉及的基片处理系统具有的工艺模块的一个例子的图。
图3是表示实施方式所涉及的真空输送室的内部结构的一个例子的纵截面图。
图4是表示实施方式所涉及的吸引机构的详细情况的图。
图5是表示实施方式所涉及的吸引口、供给口、照射部和摄像部的配置的一个例子的图。
图6是表示实施方式所涉及的吸引口、供给口、照射部和摄像部的配置的另一个例子的图。
图7是表示实施方式的变形例所涉及的头部的结构的图。
图8是表示实施方式所涉及的基片处理系统的处理动作的一个例子的流程图。
图9A是用于说明从处理容器送出边缘环，清扫载置台时的动作的一个例子的图。
图9B是用于说明从处理容器送出边缘环，清扫载置台时的动作的一个例子的图。
图10是表示清扫载置台的处理的一个例子的流程图。
图11A是用于说明向处理容器内送入边缘环时的动作的一个例子的图。
图11B是用于说明向处理容器内送入边缘环时的动作的一个例子的图。
图11C是用于说明向处理容器内送入边缘环时的动作的一个例子的图。
图11D是用于说明向处理容器内送入边缘环时的动作的一个例子的图。
图12是表示校正送入后的边缘环的位置的处理的一个例子的流程图。
图13是表示摄像部的摄像位置的一个例子的图。
图14是表示清扫负载锁定模块内的台时的动作的一个例子的图。
图15是表示清扫真空输送室的底面时的动作的一个例子的图。
具体实施方式
以下，对参照附图本申请公开的基片处理系统和维护方法的实施方式详细说明。另外，对各图中相同或相当的部分标注相同的附图标记。此外，所公开的处理装置并不限定于本实施方式。
但是，在基片处理装置中，存在由于对真空处理室开放空气进行清扫，产生真空处理的停止时间(停工时间)，生产率下降的问题。因此期待不开放空气地高效进行真空处理室内的清扫。
(实施方式所涉及的基片处理系统的结构例)
图1是实施方式所涉及的基片处理系统1的概略结构图。
基片处理系统1具有多个工艺模块PM(PM1～PM5)、保管室ST、真空输送室11和多个负载锁定模块(负载锁定室)LLM(LLM1，LLM2)。此外，基片处理系统1具有常压输送室12、多个装载端口LP(LP1～LP4)和控制部10。
另外，在图1的例子中表示5个工艺模块PM1～PM5、2个负载锁定模块LLM1，LLM2和4个装载端口LP1～LP4。其中，基片处理系统1的工艺模块PM、负载锁定模块LLM、装载端口LP并不限定于图示的数量。以下，在不需要特意进行区别的情况下，将5个工艺模块PM1～PM5总称为工艺模块PM。同样，将2个负载锁定模块LLM1，LLM2总称为负载锁定模块LLM。并同样将4个装载端口LP1～LP4总称为装载端口LP。
工艺模块PM真空气氛执行半导体基片，即，晶片W的处理。工艺模块PM是真空处理装置的一个例子。工艺模块PM例如执行蚀刻、成膜等处理。工艺模块PM具有支承晶片W的载置台和在该载置台上以包围晶片W的方式配置的边缘环ER。
工艺模块PM经可开闭的闸阀G与真空输送室11连接。闸阀G在工艺模块PM内执行晶片W的处理的期间，成为关闭的状态。闸阀G在从工艺模块PM送出处理过的晶片W时以及向工艺模块PM送入未处理的晶片W时打开。此外，闸阀G在从工艺模块PM将边缘环ER送出送入时也打开。在工艺模块PM，设置有用于供给规定的气体的气体供给部和能够抽真空的排气部。工艺模块PM的详细情况再后述。
保管室ST保管边缘环ER。在保管室ST的内部，在上下方向上空出规定的间隔地设置有多级的支承台。多级的支承台中，配置在上级侧的支承台是用于载置交换用的边缘环ER的台。另外，交换用的边缘环ER例如是未使用的新边缘环。此外，交换用的边缘环ER是使用过的旧边缘环，不过也可以是消耗量比较少的边缘环。多级的支承台中，配置在下级侧的支承台是用于载置使用过的边缘环ER、临时后退的边缘环ER的台。下级侧的支承台是空的。此外，保管室ST包括排气机构，例如真空泵和放气阀，能够在大气(常压)气氛与真空(减压)气氛之间切换保管室ST内的气氛。保管室ST能够经用于边缘环ER的送入和送出的输送口与真空输送室11连通地构成。在输送口设置有可开闭的闸阀G。
真空输送室11具有未图示的气体供给部和能够抽真空的排气部，内部能够维持为真空气氛。真空输送室11与工艺模块PM及负载锁定模块LLM连接。真空输送室11能够经用于晶片W和边缘环ER的送入和送出的输送口与工艺模块PM及负载锁定模块LLM连通地构成。在输送口设置有可开闭的闸阀G。
在真空输送室11，配置有用于输送晶片W和边缘环ER(以下，还称为输送物)的输送机构15。输送机构15在工艺模块PM1～PM5和负载锁定模块LLM1，LLM2之间晶输送片W。例如，在从负载锁定模块LLM向工艺模块PM输送晶片W而在工艺模块PM对晶片W实施真空处理的情况下，输送机构15从负载锁定模块LLM取出晶片W。然后，输送机构15将从负载锁定模块LLM取出的晶片W经输送口从真空输送室11送入工艺模块PM内。此外，例如在将在工艺模块PM处理后的晶片W向负载锁定模块LLM输送的情况下，输送机构15经输送口从工艺模块PM送出晶片W。然后，输送机构15将从工艺模块PM送出的晶片W从真空输送室11经输送口向负载锁定模块LLM输送。此外，输送机构15在工艺模块PM1～PM5和保管室ST之间输送边缘环ER。例如，在从工艺模块PM向保管室ST输送边缘环ER而在保管室ST保管边缘环的情况下，输送机构15经输送口从工艺模块PM送出边缘环ER。然后，输送机构15将从工艺模块PM送出的边缘环ER从真空输送室11经输送口输送至保管室ST。此外，例如在将从工艺模块PM临时送出、后退至保管室ST的支承台的边缘环ER再次输送而载置在工艺模块PM内的载置台上的情况下，或者，从保管室ST向工艺模块PM输送交换用的边缘环ER载置在工艺模块PM内的载置台上的情况下，输送机构15将边缘环ER从保管室ST经输送口取出。然后，输送机构15将从保管室ST取出的边缘环ER经输送口从真空输送室11送入至工艺模块PM内。
此外，在真空输送室11配置有吸引机构110。吸引机构110经真空输送室11的输送口吸引工艺模块PM的真空处理室(后述的处理容器30)内的载置台的附着物。吸引机构110的详细情况再后述。
负载锁定模块LLM沿未配置工艺模块PM和保管室ST的真空输送室11的二个边并列配置。负载锁定模块LLM与真空输送室11能够经闸阀G内部连通地构成。负载锁定模块LLM具有载置晶片W的台和使晶片W升降的支承销。支承销的结构与工艺模块PM内的第1升降销和第2升降销的结构相同即可。负载锁定模块LLM包括排气机构，例如真空泵和放气阀，负载锁定模块LLM能够在大气(常压)气氛与真空(减压)气氛之间切换负载锁定模块LLM的气氛。
负载锁定模块LLM在与真空输送室11连接一侧相反侧，与常压输送室12连接。负载锁定模块LLM与常压输送室12能够经闸阀G内部连通地构成。
常压输送室12维持在大气(常压)气氛。在图1的例子中，常压输送室12在顶视中为大致矩形形状。沿常压输送室12的一个长边并列设置有多个负载锁定模块LLM。此外，沿常压输送室12的另一个长边并列设置有多个装载端口LP。各装载端口LP具有收纳晶片W的承载器。常压输送室12臂部件等输送机构，输送机构在负载锁定模块LLM与装载端口LP之间输送晶片W。
另外，在图1中，以保管室ST能够与真空输送室11连通地构成的情况为例进行了说明，而保管室ST的位置并不限定于此，例如也可以与常压输送室12相邻地设置。在这种情况下，边缘环ER经由常压输送室12、负载锁定模块LLM和真空输送室11对工艺模块PM送出送入。
如上述那样构成的基片处理系统1通过控制部10，统筹地控制动作。控制部10例如是具备程序、存储器、CPU等的计算机，控制基片处理系统1的各部。
(工艺模块PM的结构例)
图2是概略地表示实施方式所涉及的基片处理系统1具有的工艺模块PM的一个例子的图。图2所示的工艺模块PM是平行平板型的等离子体处理装置。
工艺模块PM气密地构成，具有设为电接地电位的处理容器30。处理容器30是真空处理室的一个例子。处理容器30为圆筒状，例如由在表面形成有阳极氧化被膜的铝等构成。处理容器30界定生成等离子体的处理空间。在处理容器30内收纳有水平地支承晶片W的载置台31。
载置台31呈在上下方向上朝向底面的大致圆柱状，上侧的面为载置面36d。载置台31的载置面36d为比晶片W小若干的尺寸。载置台31包含基台33和静电吸盘36。
基台33由导电性的金属，例如铝等构成。基台33作为下部电极发挥作用。基台33被绝缘体的支承台34支承，支承台34设置在处理容器30的底部。
静电吸盘36在其上侧中央部形成有凸状的基片载置部，该基片载置部的上表面为载置晶片W的载置面36d。静电吸盘36在俯视中设置在载置台31的中央。静电吸盘36是载置基片的第1载置部的一个例子。静电吸盘36具有电极36a和绝缘体36b。电极36a设置在绝缘体36b的内部，在电极36a连接有直流电源42。静电吸盘36通过从直流电源42向电极36a施加直流电压而利用库仑力吸附晶片W。此外，静电吸盘36在绝缘体36b的内部设置有加热器36c。加热器36c通过后述的供电机构供给电力，控制晶片W的温度。
此外，在载置台31的载置面36d的周围，设置有由绝缘体36b形成，比载置面36d低的外周部(第2载置部的一个例子)，该外周部的上表面为载置边缘环ER的ER载置面36f。在载置台31的ER载置面36f上，以包围载置在载置面36d的晶片W的方式配置有边缘环ER。边缘环ER例如由单晶硅形成。静电吸盘36在与边缘环ER在上表面視中重叠的位置具有一对电极36g，36h。一对电极36g，36h设置在绝缘体36b的内部。静电吸盘36通过从未图示的直流电源向一对电极36g，36h施加直流电压而利用库仑力吸附边缘环ER。另外，在图1的例子中说明了在静电吸盘36内设置有一对电极36g，36h的情况，而也可以在与静电吸盘36分体设置的环状的电介质内设置一对电极36g，36h。此外，在图1的例子中说明了一对电极36g，36h构成双极型电极的情况，而也可以取代一对电极36g，36h使用单极型电极。进一步，以包围载置台31和支承台34的周围的方式，例如设置有由石英等构成的圆筒状的内壁部件37。
此外，在载置台31，未图示的第1升降销可从载置面36d升降地设置，并且未图示的第2升降销可从载置台31的外周部的上表面升降地设置。通过第1升降销上升，晶片W从载置面36d被提起。通过第2升降销上升，边缘环ER从载置台31的外周部的上表面被提起。
在基台33连接有供电棒50。在供电棒50，经第一整合器41a连接有第一RF电源40a，此外，经第二整合器41b连接有第二RF电源40b。第一RF电源40a是等离子体发生用的电源，从该第一RF电源40a向载置台31的基台33供给规定的频率的高频电力。此外，第二RF电源40b是离子注入用(偏压用)的电源，从该第二RF电源40b向载置台31的基台33供给比第一RF电源40a低的规定频率的高频电力。
在基台33的内部形成有流路33d。流路33d在一个端部连接有传热流体入口配管33b，在另一个端部连接有传热流体出口配管33c。工艺模块PM采用通过能够在流路33d中使传热流体，例如高绝缘性而粘度低的氟类不活泼液体、纯水等循环来控制载置台31的温度的结构。另外，工艺模块PM也可以采用能够与分别载置晶片W和边缘环ER的区域对应地在基台33的内部另外设置流路，个别地控制晶片W和边缘环ER的温度的结构。此外，工艺模块PM也可以采用能够向晶片W、边缘环ER的背面侧供给传热气体而个别地控制温度的结构。例如，也可以以贯通载置台31等的方式，设置用于向晶片W的背面供给氦气等传热气体(背面气体)的气体供给管。气体供给管与气体供给源连接。通过这些结构，将通过静电吸盘36吸附保持于载置台31的上表面的晶片W控制为规定的温度。
另一方面，在载置台31的上方，以与载置台31平行地面对面的方式，设置有具有作为上部电极的功能的喷淋头46。喷淋头46和载置台31作为一对电极(上部电极和下部电极)发挥作用。
喷淋头46设置在处理容器30的顶壁部分。喷淋头46包括主体部46a和形成电极板的上部顶板46b，隔着绝缘性部件47被支承于处理容器30的上部。主体部46a由导电性材料，例如在表面形成有阳极氧化被膜的铝等构成，能够在其下部可拆装地支承上部顶板46b。
在主体部46a的内部设置有气体扩散室46c，以位于该气体扩散室46c的下部的方式，在主体部46a的底部形成有大量气体通流孔46d。此外，在上部顶板46b，以在厚度方向上贯通该上部顶板46b的方式，与上述的气体通流孔46d重叠地设置有气体导入孔46e。通过这样的结构，供给至气体扩散室46c的处理气体经气体通流孔46d及气体导入孔46e呈喷淋状分散地供给至处理容器30内。
在主体部46a，形成有用于向气体扩散室46c导入处理气体的气体导入口46g。在该气体导入口46g连接有气体供给配管45a的一端。在该气体供给配管45a的另一端连接供给处理气体的处理气体供给源45。在气体供给配管45a，从上游侧起依次设置有质量流量控制器(MFC)45b和开闭阀V2。而且，从处理气体供给源45，用于等离子体蚀刻的处理气体经气体供给配管45a气体供给至扩散室46c，并从该气体扩散室46c，经气体通流孔46d和气体导入孔46e呈喷淋状分散地供给处理容器30内。
在上述的作为上部电极的喷淋头46，经低通滤波器(LPF)48a电连接有可变直流电源48b。该可变直流电源48b能够通过导通/断开开关48c进行供电的导通/断开地构成。可变直流电源48b的电流/电压以及导通/断开开关48c的导通/断开由后述的控制部10控制。另外，如后所述，从第一RF电源40a、第二RF电源40b对载置台31施加高频而在处理空间产生等离子体时，根据需要通过控制部10使得导通/断开开关48c导通，对作为上部电极的喷淋头46施加规定的直流电压。
此外，以从处理容器30的侧壁延伸至喷淋头46的高度位置更上方的方式设置有圆筒状的接地导体30a。该圆筒状的接地导体30a在其上部具有顶壁。
在处理容器30的底部形成有排气口81，在该排气口81，经排气管82连接有排气装置83。排气装置83具有真空泵，能够通过使该真空泵启动而将处理容器30内减压至规定的真空度。
另一方面，在处理容器30内的侧壁设置有晶片W的送出送入中使用的闸门84。在闸门84设置有开闭该闸门84的闸阀G。如图1所示，闸门84经闸阀G与真空输送室11的输送口保持气密性地连接，能够从保持真空气氛的状态不变地从真空输送室11晶片W的送出送入。
在处理容器30的侧部内侧，沿内壁面设置有沉积物屏蔽体86。沉积物屏蔽体86防止处理容器30中通过使用等离子体的蚀刻处理产生的反应生成物(沉积物)附着。沉积物屏蔽体86可拆装地构成。
上述结构的工艺模块PM与基片处理系统1的控制部10连接。控制部10控制工艺模块PM的各部。
但是，在工艺模块PM，当在作为真空处理室的处理容器30内实施各种处理时，反应生成物、微粒等作为附着物在处理容器30内累积附着，因此要定期进行处理容器30内的清扫。在工艺模块PM，将处理容器30开放空气进行清扫的情况下，不仅需要用于开放空气的时间、清扫时间，而且处理容器30的抽真空开始后，用于处理容器30内的残留水分减少的抽真空时间、处理容器30内的温度调节时间等，至再次开始对晶片W的蚀刻处理为止需要相当的时间(停工时间)要。其结果是，存在工艺模块PM的生产率下降的风险。因此，从削减停工时间的观点出发，优选不开放空气地进行处理容器30内的清扫。
因此，实施方式所涉及的基片处理系统1如图1和图2所示那样，在与工艺模块PM内的处理容器30连接的真空输送室11，与向处理容器30输送晶片W的输送机构15相邻地，配置有处理容器30内的清扫用的吸引机构110。吸引机构110经利用输送机构15的晶片W的送入和送出中使用的输送口，吸引处理容器30内的对象物的附着物。由此，能够从向处理容器30输送晶片W的输送系统侧吸引处理容器30内的对象物的附着物，由此能够不开放空气地对处理容器30内进行高效清扫。
(吸引机构110的结构例)
接着，参照图1和图3，说明吸引机构110的结构的详细情况。图3是表示实施方式所涉及的真空输送室11的内部结构的一个例子的纵截面图。在图3表示真空输送室11与工艺模块PM的连接部(连结部)附近的截面。另外，在以下的各图中，简化地表示工艺模块PM。此外，以下沿作为处理容器30内的对象物清扫载置台31的流程，适当地说明吸引机构110的结构。
真空输送室11具有输送口11a，能够经输送口11a与工艺模块PM(处理容器30)连通地构成。输送口11a在设置于工艺模块PM的闸门84的闸阀G打开的情况下，与处理容器30连通。在图3的例子中，工艺模块PM的闸阀G关闭。
在真空输送室11内配置有输送机构15。输送机构15具有能够利用关节将多个臂要素可旋转地连接的臂部15a和设置在臂部15a的前端的叉部15b。臂部15a由支承部15c支承。支承部15c能够沿配置在真空输送室11的底面的导轨15d(参照图1，在图3中省略)能够在水平方向上移动且能够在上下方向上升降地构成。叉部15b保持输送物，即晶片W和边缘环ER。输送机构15能够通过弯曲关节而使臂部15a在水平方向上伸缩。输送机构15能够通过利用支承部15c使臂部15a升降，使臂部15a的前端的叉部15b在上下方向上移动。输送机构15在利用叉部15b保持输送物，工艺模块PM的闸阀G打开的情况下，使臂部15a伸缩，经输送口11a介从真空输送室11向处理容器30输送(送入)输送物。此外，输送机构15使臂部15a伸缩，经输送口11a从处理容器30向真空输送室11输送(送出)输送物。输送机构15的动作通过控制部10统筹控制。
此外，真空输送室11具有输送口11b，能够经输送口11b与负载锁定模块LLM连通地构成。输送口11b在负载锁定模块LLM的闸阀G打开的情况下与负载锁定模块LLM连通。在图3的例子中，负载锁定模块LLM的闸阀G关闭。
输送机构15在负载锁定模块LLM的闸阀G打开的情况下使臂部15a伸缩，经输送口11b从负载锁定模块LLM向真空输送室11输送(送出)输送物。此外，输送机构15使臂部15a伸缩，经输送口11b从真空输送室11向负载锁定模块LLM输送(送入)输送物。
在真空输送室11内，与输送机构15相邻地配置有吸引处理容器30内的载置台31的附着物的吸引机构110。在图1的例子中，配置有2个吸引机构110。在图3的例子中，省略2个吸引机构110中一个吸引结构的图示。另外，吸引机构110的各数并不限定于2个，不过也可以为2个以上，还可以为1个。此外，吸引机构110也可以设置在配置于真空输送室11的底面的导轨(未图示)上，能够在该导轨上移动地构成。
图4是表示实施方式所涉及的吸引机构110的详细情况的图。吸引机构110具有机械臂111以及设置在机械臂111的前端的吸引口112、供给口113、照射部114和摄像部115。
机械臂111由能够利用关节将多个臂要素可旋转地连接的臂部121、支承臂部121的支承部122和设置在臂部121的前端的头部123构成。支承部122能够在水平方向上移动且能够在上下方向上升降地构成。机械臂111能够通过使关节弯曲而使臂部121在水平方向上伸缩。机械臂111能够通过利用支承部122使臂部121升降，使臂部121的前端的头部123在上下方向上移动。机械臂111在工艺模块PM的闸阀G打开的情况下使臂部121伸长，经输送口11a使头部123接近载置台31。机械臂111的动作由控制部10统筹控制。
在头部123的下表面设置有吸引口112、供给口113、照射部114和摄像部115。关于吸引口112、供给口113、照射部114和摄像部115的配置位置，在之后说明。
吸引口112通过头部123接近载置台31而吸引载置台31的附着物。即，吸引口112经贯通机械臂111的排气管131A与排气装置131连接，在排气管131A设置有可开闭的阀门131B。吸引口112通过打开阀门131B而通过排气装置131的排气动作吸引载置台31的附着物。
供给口113通过头部123接近载置台31而对载置台31供给不活泼气体。从供给口113供给的气体是不活泼气体、与附着物反应而使载置台31的附着物的吸引容易化的气体或与附着物反应而使附着物气体化的气体。作为不活泼气体，例如使用Ar、N2或干空气等。在使用不活泼气体的情况下，以将附着在载置台31的附着物吹走的方式，适当地设定气体流量。作为与附着物反应而使来自载置台31的附着物的吸引容易化的气体或者与附着物反应而使附着物气体化的气体，例如能够列举三氟化氮气体(NF3)、氟气(F2)等。吸引口112与从供给口113供给的气体一起吸引附着物。供给口113经贯通机械臂111的配管与未图示的气体供给源连接，将从气体供给源供给的气体对载置台31供给。
照射部114通过头部123接近载置台31而对载置台31照射等离子体，从载置台31除去附着物。照射部114能够通过使等离子体中的离子、自由基与附着物反应，降低附着物的附着力或者将附着物气体化。附着力降低了的附着物或气体化了的附着物脱离载置台31，从吸引口112被吸引。照射部114例如将对O2、O2/Ar、含氟气体(CF4等)等气体施加高频电力而获得的等离子体对载置台31照射。另外，照射部114既可以对载置台31照射激光，也可以对载置台31照射等离子体和激光。激光是对附着物加热，使附着物的附着力降低的激光即可。激光也可以是使附着物气体化的波长的激光。例如也可以使用波长为808nm、激光光斑区域为0.5至3mm、激光功率为200W的半导体激光器。此外，照射部114也可以在存在具有使附着物的附着力降低的作用、使附着物气体化的作用的气体(例如臭氧气体等)的环境下，对载置台31照射激光。
摄像部115例如是图像传感器，通过头部123接近载置台31而对载置台31进行摄像。另外，摄像部115根据需要也可以一边照射光一边对载置台31摄像。摄像部115通过控制部10统筹地控制动作。摄像部115将拍摄载置台31得到的拍摄图像向控制部10输出。控制部10从拍摄图像检测载置台31上的附着物的有无。控制部10在从拍摄图像检测到附着物的情况下，控制阀门131B，开始从吸引口112吸引附着物。
此外，在排气管131A设置有计测仪器132。计测仪器132计测在排气管131A内流动的微粒的直径和数量，并控制部10输出向每种规定的粒径划分的数量的信息和总微粒数的信息。控制部10在从吸引口112进行吸引时，对由计测仪器132获得的每种规定的粒径划分的数量和总微粒数是否成为预先确定的阈值以下进行监视。控制部10在每种规定的粒径划分的数量和总微粒数成为预先确定的阈值以下的情况下，控制阀门131B，停止从吸引口112的吸引。
图5是表示实施方式所涉及的吸引口112、供给口113、照射部114和摄像部115的配置的一个例子的图。在图5中表示从下侧看机械臂111的头部123时的图。头部123呈以在俯视中一对短边夹着臂部121的方式配置的矩形形成。吸引口112在头部123的一对短边的内侧的位置，沿各短边设置。供给口113设置在与2个吸引口112的一的一个吸引口相邻的位置，照射部114设置在与2个吸引口112的另一个吸引口相邻的位置。摄像部115设置在头部123的下表面的中央。
另外，图5所示的吸引口112、供给口113、照射部114和摄像部115的配置位置只是一个例子，并不限定于此。例如，也可以如图6所示那样，吸引口112设置在头部123的一对短边的内侧的位置且为包围供给口113和照射部114各自的外周的位置。图6是表示实施方式所涉及的吸引口112、供给口113、照射部114和摄像部115的配置的另一个例子的图。此外，在图5和图6中，摄像部115和吸引口112、供给口113及照射部114一样设置在头部123的下表面，不过也可以设置在头部123的侧面。
此外，在图5中表示了吸引口112、供给口113、照射部114和摄像部115配置在头部123的下表面的例子，不过在机械臂111的前端的其它面还可以配置吸引口112、供给口113、照射部114和摄像部115。例如在机械臂111的前端的侧面、上表面还可以配置吸引口112、供给口113、照射部114和摄像部115。由此，能够大范围地对处理容器30内进行清扫。
此外，也可以能够使头部123在上下方向、水平方向上转动地构成。例如也可以如图7所示那样，将头部123在臂部121的前端能够通过转动轴123a在上下方向上转动地固定，使得能够通过变更头部123的朝向来变更吸引口112、供给口113、照射部114和摄像部115的朝向的方式。图7是表示实施方式的变形例所涉及的头部123的结构的图。在图7表示在头部123的侧面设置有吸引口112、供给口113、照射部114和摄像部115的状态。例如，机械臂111通过从图7所示的状态使头部123通过转动轴123a向上方向转动而将吸引口112、供给口113、照射部114和摄像部115的朝向变更为上方向。此外，例如，机械臂111通过从图7所示的状态向头部123通过转动轴123a向下方向转动而将吸引口112、供给口113、照射部114和摄像部115的朝向变更为下方向。通过这样的结构，能够进行处理容器30内的上部、侧部、下部等所有部位的清扫。另外，在图7中吸引口112、供给口113、照射部114和摄像部115配置在头部123侧面的上下方向上，不过并不限定于此，能够采用各种配置。此外，清扫也并不限定于处理容器30内，在负载锁定模块LLM内、真空输送室11内也能够实施。
接着，参照图8，说明基片处理系统1的具体的处理动作。图8是表示实施方式所涉及的基片处理系统1的处理动作的一个例子的流程图。图8所示的处理动作主要按照控制部10的控制执行。
首先，在于边缘环ER载置的载置台31上状态进行对处理容器30的干洗(步骤S101)。
干洗完成时，通过输送机构15此处处理容器30送出边缘环ER(步骤S102)。
然后，通过吸引机构110清扫处理容器30内的载置台31(步骤S103)。
清扫完成时，向处理容器30内送入交换用的边缘环ER(步骤S104)。
之后，校正边缘环ER的位置(步骤S105)。
接着，参照图9A、图9B及图10，说明从处理容器30送出边缘环ER，清扫载置台31时的动作的一个例子。图9A和图9B是用于说明从处理容器30送出边缘环ER，清扫载置台31时的动作的一个例子的图。图10是表示清扫载置台31的处理的一个例子的流程图。另外，图10相当于图8中的步骤S103的处理。
在从处理容器30送出边缘环ER的情况下，工艺模块PM的闸阀G打开。由此，真空输送室11与工艺模块PM(处理容器30)通过输送口11a及闸门84连通。当真空输送室11与处理容器30连通时，第2升降销从载置台31突出，将边缘环ER配置在载置台31的上方。输送机构15通过支承部15c使臂部15a的前端的叉部15b移动至与闸门84对应的高度。输送机构15使臂部15a向输送口11a侧伸长，经输送口11a使叉部15b移动至边缘环ER的下方。当第2升降销下降时，输送机构15如图9A所示那样，利用支叉部15b接收承于第2升降销上的边缘环ER。输送机构15以保持着边缘环ER的状态使臂部15a收缩，从处理容器30将边缘环ER送出。
接着，输送机构15使保持着边缘环ER的叉部15b移动至与保管室ST的空着的下级侧的支承台对应的高度。输送机构15使臂部15a向保管室ST侧旋转，使边缘环ER移动至空着的下级侧的支承台的上方。输送机构15使臂部15a下降，将边缘环ER保存在空着的下级侧的支承台。
接着，机械臂111通过支承部122使臂部121的前端的头部123移动至与闸门84对应的高度。机械臂111如图9B所示那样，使臂部121向输送口11a侧伸长，经输送口11a使头部123接近载置台31。如图10所示，摄像部115从上方拍摄载置台31，并将所获得的拍摄图像向控制部10输出(步骤S111)。即，摄像部115将拍摄静电吸盘36的载置面36d、外周面36e及ER载置面36f等获得的拍摄图像向控制部输出。控制部10通过对拍摄图像与预先拍摄清扫过或新的载置台31获得的基准图像进行比较，检测载置台31上的附着物的有无(步骤S112)。控制部10在从拍摄图像检测到附着物的情况下(步骤S113：Yes(是))，使吸引口112移动至附着物的位置，并控制阀门131B，利用吸引口112开始进行吸引。由此，载置台31上的附着物(即，在静电吸盘36的载置面36d、外周面36e及ER载置面36f等残留的附着物)通过吸引口112被吸引(步骤S114)。例如，在边缘环ER载置于载置台31上的状态实施了干洗的情况下，在静电吸盘36的外周面反应生成物不被完全除去而作为附着物残留。在这种情况下，控制部10例如从吸引口112吸引残留于静电吸盘36的外周面的附着物。
另外，吸引口112也可以以从喷淋头46以保持处理容器30内和真空输送室11内部的压力的方式向处理容器30内供给了不活泼气体的状态，吸引载置台31上的附着物。作为不活泼气体，例如使用Ar、N2或干空气等。另外，不活泼气体的供给来源并不限定于喷淋头46，例如也可以是在将处理容器30内开放空气时供给气体的吹扫孔(未图示)。此外，吸引口112也可以以从真空输送室11的气体供给部向真空输送室11内供给了不活泼气体的状态，吸引载置台31上的附着物。进一步，吸引口112还可以以向处理容器30内和真空输送室11内双方供给了不活泼气体的状态，吸引载置台31上的附着物。
控制部10在从吸引口112进行吸引时，对从计测仪器132获得的每种规定的粒径划分的微粒的数量和总微粒数是否成为预先确定的阈值以下进行监视。控制部10在微粒的数量成为预先确定的阈值以下的情况下，控制阀门131B，停止从吸引口112的吸引。
当从吸引口112进行的吸引停止时，摄像部115从上方再次对载置台31进行拍摄，并将所获得的拍摄图像向控制部10输出(步骤S115)。控制部10通过对拍摄图像与预先拍摄清扫更或新的载置台31而获得的基准图像进行比较，检测载置台31上的附着物的有无(步骤S116)。控制部10在再次从拍摄图像检测到附着物的情况下(步骤S117：Yes)，控制阀门131B，开始通过吸引口112进行吸引。此时，供给口113对载置台31供给气体(步骤S118)。吸引口112与从供给口113供给的气体一起吸引附着物。控制部10在从计测仪器132获得的每种规定的粒径划分的微粒的数量和总微粒数成为阈值以下的情况下，控制阀门131B，停止从吸引口112的吸引。
当从吸引口112进行的吸引停止时，摄像部115从上方再次对载置台31进行拍摄，并将所获得的拍摄图像向控制部10输出(步骤S119)。控制部10通过对拍摄图像与预先拍摄清扫过或新的载置台31而获得的基准图像进行比较，检测载置台31上的附着物的有无(步骤S120)。控制部10在从拍摄图像再次检测到附着物的情况下(步骤S121：Yes)，控制阀门131B，开始通过吸引口112进行吸引。此时，照射部114对载置台31照射等离子体、激光或同时照射等离子体和激光，从载置台31除去附着物(步骤S122)。吸引口112吸引从载置台31除去的附着物。另外，控制部10也可以在利用照射部114对载置台31照射等离子体和激光的一者或两者之后，通过吸引口112吸引附着物。控制部10在从计测仪器132获得的微粒的数量成为阈值以下的情况下，控制阀门131B，停止从吸引口112的吸引。
当从吸引口112的吸引停止时，摄像部115从上方再次对载置台31进行拍摄，并将所获得的拍摄图像向控制部输出(步骤S123)。控制部10通过对拍摄图像与预先拍摄清扫过或新的载置台31而获得的基准图像进行比较，检测载置台31上的附着物的有无(步骤S124)。控制部10在从拍摄图像再次检测到附着物的情况下(步骤S125：Yes)，向基片处理系统1的操作员发出警报通知(步骤S126)。接收到警报通知的操作员将处理容器30开放空气，进行包含载置台31的清扫作业在内的维护。
此外，在从拍摄图像未检测到附着物的情况下(步骤S113：No(否)，步骤S117：No，步骤S121：No，步骤S125：No)，控制部10使清扫载置台31的处理结束。如此清扫载置台31。
机械臂111在载置台31的清扫结束时使臂部121收缩，使吸引口112、供给口113、照射部114和摄像部115回到真空输送室11内的原来的位置。
接着，参照图11A～图11D，说明向处理容器30内送入交换用的边缘环ER时的动作的一个例子。图11A～图11D是用于说明向处理容器30内送入边缘环ER时的动作的一个例子的图。图12是表示对送入后的边缘环ER的位置进行校正的处理的一个例子的流程图。另外，图12相当于图8中的步骤S105的处理。
在向处理容器30内送入交换用的边缘环ER的情况下，输送机构15使叉部15b移动至与保管室ST的载置有交换用的边缘环ER的上级侧的支承台对应的高度。输送机构15使臂部15a向交换用的边缘环ER侧旋转，用叉部15b保持交换用的边缘环ER。输送机构15使臂部15a以保持着交换用的边缘环ER的状态向闸门84侧旋转。
接着，输送机构15使叉部15b移动至与闸门84对应的高度。输送机构15如图11A的虚线所示那样，使臂部15a向输送口11a侧伸长，经输送口11a和闸门84将交换用的边缘环ER运至载置台31的上方。
当保持交换用的边缘环ER的叉部15b到达载置台31的上方时，未图示的第2升降销从载置台31突出，从叉部15b向第2升降销交接交换用的边缘环ER。当交换用的边缘环ER从叉部15b交接到第2升降销时，输送机构15使臂部15a收缩，使叉部15b回到真空输送室11的原来的位置。支承交换用的边缘环ER的第2升降销下降，交换用的边缘环ER载置于载置台31的外周部上。
接着，如图11B所示那样，机械臂111使头部123移动至与闸门84对应的高度。机械臂111使臂部121向输送口11a侧伸长，经输送口11a和闸门84使头部123接近载置台31。如图12所示那样，摄像部115对于周向的多个位置分别拍摄交换用的边缘环ER与载置台31的静电吸盘36之间的间隙(步骤S131)。例如，摄像部115在载置台31的圆周方向上按均等的间隔设定的多个摄像位置，依次拍摄交换用的边缘环ER与载置台31的静电吸盘36之间的间隙。
图13是表示摄像部115的摄像位置的一个例子的图。图13相当于从上方看交换用的边缘环ER和载置台31的静电吸盘36时的上表面图。在图13以圆板状表示载置台31的载置面36d，且在载置面36d的周围以环状表示交换用的边缘环ER。摄像部115的摄像位置P在载置台31的圆周方向上每相差90度的角度地、按均等的间隔设定4个。另外，摄像位置也可以相对于载置台31的圆周方向设定3个以下，还可以设定5个以上。此外，摄像部115也可以对交换用的边缘环ER与载置台31的静电吸盘36之间的间隙进行合并拍摄。
返回图11B。摄像部115将对于周向的多个位置分别拍摄交换用的边缘环ER与载置台31的静电吸盘36之间的间隙而获得的拍摄图像向控制部10输出。如图12所示，控制部10对拍摄图像与预先拍摄没有偏差的状态下的边缘环ER而获得的校正用基准图像进行比较(步骤S132)，对于周向的多个位置分别计算间隙的宽度与基准宽度的偏差量(步骤S133)。基准宽度例如是在交换用的边缘环ER的中心与静电吸盘36的中心一致时预先测量得到的、间隙的宽度。
接着，控制部10判断计算出的偏差量是否在容许值内(步骤S134)。控制部10在计算出的偏差量处于容许值外的情况下(步骤S134：No)，控制输送机构15将交换用的边缘环ER的位置按计算出的偏差量进行校正(步骤S135)。即，当未图示的第2升降销从载置台31突出，将交换用的边缘环ER配置在载置台31的上方时，输送机构15使叉部15b移动至与闸门84对应的高度。然后，输送机构140使臂部15a向输送口11a侧伸长，经输送口11a使叉部15b移动至交换用的边缘环ER的下方。当第2升降销下降时，输送机构15如图11C所示那样，以叉部15b接收支承于第2升降销上的交换用的边缘环ER。输送机构15以使得计算出的偏差量成为0的方式，使臂部15a以保持着交换用的边缘环ER的状态在水平方向上移动。当交换用的边缘环ER移动使得偏差量成为0时，第2升降销从载置台31突出，交换用的边缘环ER从叉部15b向第2升降销交接。当交换用的边缘环ER从叉部15b交接至第2升降销时，输送机构15使臂部15a收缩，使叉部15b回到真空输送室11内的原来的位置。支承交换用的边缘环ER的第2升降销下降，交换用的边缘环ER载置至载置台31的外周部上。将偏差量校正后，控制部10也可以使处理返回步骤S131，通过摄像部115对交换用的边缘环ER与载置台31的静电吸盘36之间的间隙进行拍摄，确认偏差量处于容许值内(步骤S131～S134)。此外，控制部10在量处于容许值外的情况下，也可以再次如上述那样以使得交换用的边缘环ER的偏差量成为0的方式进行校正(步骤S135)。
此外，控制部10在计算出的偏差量处于容许值内的情况下(步骤S134：Yes)，结束处理。由此，完成向处理容器30内的交换用的边缘环ER的送入。
信息处理容器30内的边缘环ER的送入完成时，机械臂111通过支承部122使臂部121的前端的头部123移动至与闸门84对应的高度。如图11D所示，机械臂111使臂部121向输送口11a侧伸长，经输送口11a使头部123接近闸门84。之后，机械臂111、吸引口112、供给口113、照射部114和摄像部115按与清扫载置台31时同样的顺序动作，清扫闸门84。
以上，对向处理容器30内送入交换用的边缘环ER时的动作进行了说明，不过并不限定于交换用的边缘环ER，将从工艺模块PM临时送出后退至保管室ST的支承台的边缘环ER向再度处理容器30内送入时的动作也一样。
(变形例)
在上述实施方式中，作为处理容器30内的对象物对清扫载置台31的情况进行了说明，不过基片处理系统1也可以清扫负载锁定模块LLM内的对象物。负载锁定模块LLM内的对象物例如也可以为载置晶片W的台。图14是表示清扫负载锁定模块LLM内的台时的动作的一个例子的图。负载锁定模块LLM具有与真空输送室11连通的开口151a和与常压输送室12连通的开口151b。在与真空输送室11连通的开口151a和与常压输送室12连通的开口151b分别安装有闸阀G。在负载锁定模块LLM内设置有载置晶片W的台150。在清扫负载锁定模块LLM内的台150的情况下，真空输送室11侧的闸阀G和常压输送室12侧的闸阀G双方都关闭，并且负载锁定模块LLM被真空排气。在负载锁定模块LLM成为规定的真空度的状态下，换言之，在负载锁定模块LLM的气氛切换为真空气氛的状态下，真空输送室11侧的闸阀G打开。如图14所示，真空输送室11的输送口11b通过真空输送室11侧的闸阀G打开而与负载锁定模块LLM连通。吸引机构110经输送口11b，吸引负载锁定模块LLM内的台150的附着物。即，吸引机构110的机械臂111、吸引口112、供给口113、照射部114和摄像部115按与清扫载置台31时同样的顺序动作，清扫负载锁定模块LLM内的台150。
此外，基片处理系统1也可以清扫真空输送室11的底面。图15是表示清扫真空输送室11的底面11c时的动作的一个例子的图。真空输送室11具有从真空输送室11的底面11c凹陷的凹陷部11d。吸引机构110配置在凹陷部11d，吸引真空输送室11的底面11c的附着物。即，吸引机构110的机械臂111如图15所示那样，使头部123移动至与真空输送室11的底面11c对应的高度。之后，机械臂111、吸引口112、供给口113、照射部114和摄像部115按与清扫载置台31时同样的顺序动作，清扫真空输送室11的底面11c。
这样，实施方式所涉及的基片处理系统(例如，基片处理系统1)具有基片处理装置(例如，工艺模块PM)、真空输送室(例如，真空输送室11)、输送机构(例如，输送机构15)、吸引机构(例如，吸引机构110)和控制部(例如，控制部10)。基片处理装置具有对基片(例如，晶片W)执行真空处理的真空处理室(例如，处理容器30)。真空输送室具有与真空处理室连接，能够与真空处理室连通的输送口(例如，输送口11a)。输送机构配置在真空输送室，经输送口输送基片。吸引机构配置在真空输送室，经输送口吸引真空处理室内的部件(例如，载置台31)的附着物。控制部控制输送机构和吸引机构。由此，基片处理系统能够不开放空气地高效进行真空输送室内的清扫。
此外，控制部以使吸引机构经输送口进入真空处理室，通过吸引机构吸引真空处理室内的部件的附着物的方式进行控制。由此，基片处理系统能够不开放空气地高效进行真空输送室内的清扫。
此外，吸引机构具有臂部件(例如，机械臂111)和设置在臂部件的前端的吸引口(例如，吸引口112)。控制部以使设置在臂部件的前端的所述吸引口经所述输送口进入所述真空处理室，通过所述吸引口吸引所述真空处理室内的部件(零件)的附着物的方式进行控制。由此，能够在真空处理室内的对象物附近利用吸引口吸引附着物。
此外，控制部以在吸引附着物时，向真空处理室内和真空输送室内的一个或双方的室内供给不活泼气体的方式进行控制。由此，能够通过吸引口与不活泼气体一起吸引附着物。
此外，吸引机构还具有设置在臂部件的前端的供给口(例如，供给口113)。供给口向真空处理室内的部件供给气体。由此，能够利用不活泼气体从真空处理室内的对象物吹走附着物，并且通过吸引口与不活泼气体一起吸引附着物。
此外，吸引机构还具有设置在臂部件的前端的照射部(例如，照射部114)。照射部向真空处理室内的部件照射等离子体和激光的一者或双方。由此，能够通过吸引口吸引从真空处理室内的对象物除去的附着物。
此外，吸引机构还具有设置在臂部件的前端的摄像部(例如，摄像部115)。摄像部对真空处理室内的部件进行拍摄。由此，能够获得用于附着物的有无的检测的拍摄图像。
此外，基片处理系统还具有设置在连接吸引口与排气装置(例如，排气装置131)的排气管(例如，排气管131A)的阀门(例如，阀门131B)和计测在排气管内流动的微粒的数量的计测仪器(例如，计测仪器132)。控制部在由计测仪器计测的微粒的数量成为预先确定的阈值以下的情况下，控制阀门，停止从吸引口的吸引。由此，能够在适当的时间停止从吸引口的吸引。
此外，部件(零件)是具有载置基片的第1载置部(例如，静电吸盘36)和呈环状设置在所述第1载置部的外侧凹部、载置边缘环(例如，边缘环ER)的第2载置部(例如，外周部)的载置台(例如，载置台31)。控制部以在由输送机构送出基片的状态下吸引载置台的第1载置部的附着物的方式进行控制。由此，能够清扫伴随基片的送出而露出的、载置台的载置部。
此外，控制部以在由输送机构送出边缘环的状态下至少吸引载置台的第2载置部的附着物的方式进行控制。由此，能够清扫伴随边缘环的送出而露出的、载置台的载置部的外周面。
此外，控制部在输送机构经输送口向真空处理室内送入边缘环、载置在载置台的第2载置部后，通过设置在臂部件的前端的摄像部(例如，摄像部115)对于周向的多个位置拍摄边缘环与载置台的第1载置部之间的间隙。由此，能够获得载置在载置台的第2载置部的、用于校正交换用的边缘环的位置的拍摄图像。
此外，控制部10基于拍摄得到的拍摄图像对于周向的多个位置分别计算间隙的宽度与基准宽度的偏差量，并基于偏差量控制输送机构。由此，能够校正交换用的边缘环的位置。
此外，基片处理系统还具有与真空输送室连接，在真空气氛与常压气氛之间切换气氛的负载锁定室(例如，负载锁定模块LLM)。真空输送室具有能够与负载锁定室连通的输送口(例如，输送口11b)。控制部以使吸引机构在负载锁定室的气氛切换为真空气氛的状态经输送口进入负载锁定室，吸引负载锁定室内的至少载置基片的台的附着物的方式进行控制。由此，基片处理系统能够不开放空气地高效进行负载锁定室内的清扫。
此外，真空输送室具有从真空输送室的底面(例如，底面11c)凹陷的凹陷部(例如，凹陷部11d)，吸引机构配置在凹陷部，控制部吸引真空输送室的底面的附着物。由此，基片处理系统能够不开放空气地高效进行真空输送室的底面的清扫。
(其它事项)
在上述实施方式中，作为处理容器30内的对象物以清扫载置台31的情况为例进行了说明，而本申请技术并不限定于此。对基片处理系统1而言，只要是位于处理容器30内的部件，也可以清扫载置台31以外的部件。此外，控制部10也可以对由摄像部115拍摄处理容器30内的部件得到的拍摄图像与拍摄新的部件得到的拍摄图像进行比较，基于表面状态、形状及尺寸的至少1者，判断处理容器30内的部件的异常。此外，控制部10在判断为处理容器30内的部件发生了异常的情况下，也可以输出部件交换指示。
此外，在上述实施方式中，作为消耗部件以交换边缘环ER的情况为例进行了说明，而本申请技术并不限定于此。交换对象的消耗部件除边缘环ER以外，还可以是配置在边缘环ER的外周侧的罩环(未图示)等，还可以是能够通过机械臂等输送机构向处理容器30内送入和从处理容器30送出的任意的部件。
此外，在上述实施方式中，摄像部115也可以能够取得立体图像地构成。作为这样的摄像部115，例如也可以使用3D扫描仪等。此外，摄像部115也可以通过对所取得的立体图像与基准图像进行比较来检测附着物。
此外，在上述实施方式中，吸引口112和供给口113也可以以使得从供给口113供给的气体在载置台31反射的方向与通过吸引口112吸引附着物的方向一致的方式，设置在头部123的下表面。
此外，在上述实施方式中，供给口113也可以取代气体或者和气体一起供给干冰。在这样的情况下，载置台31的附着物通过与干冰的碰撞除去，并且由吸引口112吸引。
此外，在上述实施方式中，供给口113也可以取代气体或者和气体一起供给药液。在这样的情况下，载置台31的附着物被药液溶解并且由吸引口112与药液吸引。作为药液，例如能够使用乙醇。
此外，在上述实施方式中，吸引口112、供给口113、照射部114和摄像部115也可以对头部123的下表面可拆装地构成。
此外，在上述实施方式中，吸引口112、供给口113、照射部114和摄像部115的配置位置也可以能够替换。
此外，在上述实施方式中，也可以在使真空输送室11与处理容器30连通进行清扫时，以使得处理容器30内的处理气体不向真空输送室11侧漏出的方式，调节真空输送室11内的压力和处理容器30内的压力。例如，也可以使真空输送室11内的压力高于处理容器30内的压力。
此外，在上述实施方式中，也可以在真空输送室11内设置自走式清扫机器人。自走式清扫机器人既可以清扫真空输送室11内，也可以使搭载了清扫设备的臂部件从能够自走的主体部进入处理容器30内，使用清扫设备进行处理容器30内的清扫。
另外，本次公开的实施方式在所有方面均为例示而不应认为是限制性。上述的实施方式在不脱离所附的权利请求的范围及其主旨的情况下能够以各种各样的方式省略、替换、改变。
附图标记的说明
1基片处理系统
10控制部
11真空输送室
11a，11b输送口
11c底面
11d凹陷部
15输送机构(搬送装置)
30处理容器
31载置台
36静电吸盘(静电卡盘)
84闸门(门阀)
110吸引机构
111机械臂
112吸引口
113供给口
114照射部
115摄像部
131排气装置
131A排气管
132计测仪器(计测器)
ER边缘环
LLM负载锁定模块
PM工艺模块(处理模块)
W晶片。

Claims (15)

1.一种基片处理系统，其特征在于，包括：
具有对基片执行处理的真空处理室的基片处理装置；
与所述真空处理室连接，具有能够与所述真空处理室连通的输送口的真空输送室；
配置在所述真空输送室，经所述输送口至少输送基片的输送机构；
配置在所述真空输送室，经所述输送口吸引所述真空处理室内的部件的附着物的吸引机构；和
控制所述输送机构和所述吸引机构的控制部。
2.如权利要求1所述的基片处理系统，其特征在于：
所述控制部以使所述吸引机构经所述输送口进入所述真空处理室，通过所述吸引机构吸引所述真空处理室内的部件的附着物的方式进行控制。
3.如权利要求1或2所述的基片处理系统，其特征在于：
所述吸引机构包括臂部件和设置在所述臂部件的前端的吸引口，
所述控制部以使设置在所述臂部件的前端的所述吸引口经所述输送口进入所述真空处理室，通过所述吸引口吸引所述真空处理室内的部件的附着物的方式进行控制。
4.如权利要求3所述的基片处理系统，其特征在于：
所述控制部以在吸引所述附着物时，向所述真空处理室内和所述真空输送室内的一者或双方供给不活泼气体的方式进行控制。
5.如权利要求3所述的基片处理系统，其特征在于：
所述吸引机构还包括设置在所述臂部件的前端的供给口，
所述控制部以在通过所述吸引口吸引所述真空处理室内的部件的附着物时，由所述供给口向所述真空处理室内的部件供给气体的方式进行控制。
6.如权利要求3所述的基片处理系统，其特征在于：
所述吸引机构还包括设置在所述臂部件的前端的照射部，
所述控制部以在通过所述吸引口吸引所述真空处理室内的部件的附着物时，由所述照射部向所述真空处理室内的部件照射等离子体和激光的一者或双方的方式进行控制。
7.如权利要求3所述的基片处理系统，其特征在于：
所述吸引机构还包括设置在所述臂部件的前端的摄像部，
所述控制部以使所述摄像部拍摄所述真空处理室内的部件的方式进行控制，并以基于摄像结果通过所述吸引口来吸引部件的附着物的方式进行控制。
8.如权利要求3所述的基片处理系统，其特征在于，还包括：
设置在连接所述吸引口与排气装置的排气管的阀门；和
计测在所述排气管内流动的微粒的数量的计测仪器，
所述控制部以在由所述计测仪器所计测的微粒的数量成为预先确定的阈值以下的情况下停止从所述吸引口的吸引的方式，控制所述阀门。
9.如权利要求3所述的基片处理系统，其特征在于：
所述部件是具有载置基片的第1载置部，和呈环状设置在所述第1载置部的外侧凹部、载置边缘环的第2载置部的载置台，
所述控制部以在通过所述输送机构送出所述基片的状态下吸引所述载置台的第1载置部的附着物的方式进行控制。
10.如权利要求9所述的基片处理系统，其特征在于：
所述控制部以在通过所述输送机构送出所述边缘环的状态下，至少吸引所述载置台的第2载置部的附着物的方式进行控制。
11.如权利要求10所述的基片处理系统，其特征在于：
所述控制部以在所述输送机构经所述输送口向所述真空处理室内送入边缘环而载置在所述载置台的第2载置部后，通过设置在所述臂部件的前端的摄像部对于周向的多个位置分别拍摄所述边缘环与所述载置台的第1载置部之间的间隙的方式进行控制。
12.如权利要求11所述的基片处理系统，其特征在于：
所述控制部基于拍摄得到的拍摄图像，对于周向的多个位置分别计算所述间隙的宽度与基准宽度的偏差量，基于所述偏差量控制所述输送机构。
13.如权利要求1所述的基片处理系统，其特征在于：
还包括与所述真空输送室连接，在真空气氛与常压气氛之间切换气氛的负载锁定室，
所述真空输送室具有能够与所述负载锁定室连通的输送口，
所述控制部以使所述吸引机构在所述负载锁定室的气氛切换为真空气氛的状态下、经所述输送口进入所述负载锁定室，吸引所述负载锁定室内的至少载置基片的台的附着物的方式进行控制。
14.如权利要求1所述的基片处理系统，其特征在于：
所述真空输送室具有从所述真空输送室的底面凹陷的凹陷部，
所述吸引机构配置在所述凹陷部，
所述控制部以吸引所述真空输送室的底面的附着物的方式进行控制。
15.一种基片处理系统的维护方法，该基片处理系统包括：
具有对基片执行处理的真空处理室的基片处理装置；
与所述真空处理室连接，具有能够与所述真空处理室连通的输送口的真空输送室；
配置在所述真空输送室，经所述输送口送入和送出基片的输送机构；和
配置在所述真空输送室，经所述输送口吸引所述真空处理室内的部件的附着物的吸引机构，
该维护方法的特征在于，包括：
使所述吸引机构经所述输送口进入所述真空处理室的工序；和
通过所述吸引机构来吸引所述真空处理室内的部件的附着物的工序。
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