TW202311269A - 有機電子材料、油墨組成物、有機層、有機電子元件、有機電致發光元件、顯示元件、照明裝置、及顯示裝置 - Google Patents

Abstract

一實施方式是有關於一種有機電子材料，其含有離子性化合物和電荷傳輸性化合物，所述離子性化合物包含具有至少兩個三(氟芳基)硼烷結構的陰離子（A1）以及銨陽離子，所述電荷傳輸性化合物具有至少一個聚合性官能基。

Description

有機電子材料和有機電子元件

本揭示是有關於一種有機電子材料、油墨組成物、有機層、有機電子元件、有機電致發光元件（有機EL元件）、顯示元件、照明裝置、及顯示裝置。

有機電子元件是使用有機物來進行電氣運作的元件，期待可發揮節能、價格低、柔軟性等特長。作為有機電子元件的例子，可列舉有機電致發光（electroluminescence，EL）元件、有機光電轉換元件、有機電晶體等。

該些有機電子元件理想的是進一步改善各種元件特性。例如，作為有機EL元件的高性能化的手段之一，嘗試將有機層多層化，將各層的功能分離。於藉由濕式製程進行多層化時，要求下層對成膜上層時所使用的塗佈液的溶媒的耐溶劑性。

為了使有機層多層化，例如研究有利用具有至少一個聚合性基的化合物的方法（例如參照專利文獻1）。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2006-279007號公報

[發明所欲解決之課題] 本揭示提供一種可形成耐溶劑性優異的有機層的有機電子材料和油墨組成物。另外，本揭示提供一種耐溶劑性優異的有機層、以及包括所述有機層的有機電子元件、有機EL元件、顯示元件、照明裝置和顯示裝置。 [解決課題之手段]

本揭示中包括本發明的各種實施方式。以下列舉實施方式的例子。本發明並不限定於以下的實施方式。

一實施方式是有關於一種有機電子材料，含有：離子性化合物，包含具有至少兩個三(氟芳基)硼烷結構的陰離子（A1）以及銨陽離子；以及電荷傳輸性化合物，具有至少一個聚合性官能基。 另一實施方式是有關於一種有機電子材料，含有：離子性化合物，包含陰離子（A2）以及陽離子，所述陰離子（A2）具有至少兩個三(氟芳基)硼烷結構以及至少一個雜環，並且所述雜環具有一個以上的次氮基以及一個以上的雜原子；以及電荷傳輸性化合物，具有至少一個聚合性官能基。 另一實施方式是有關於一種油墨組成物，含有所述任一有機電子材料以及溶媒。 另一實施方式是有關於一種有機層，是使用所述任一有機電子材料或所述油墨組成物形成。 另一實施方式是有關於一種有機電子元件，具有所述有機層。 另一實施方式是有關於一種有機電致發光元件，具有所述有機層。 另一實施方式是有關於一種具有所述有機電致發光元件的顯示元件；一種具有所述有機電致發光元件的照明裝置；以及一種具有所述照明裝置以及作為顯示構件的液晶元件的顯示裝置。 [發明的效果]

根據本揭示，可獲得可形成耐溶劑性優異的有機層的有機電子材料和油墨組成物。另外，根據本揭示，可獲得耐溶劑性優異的有機層、以及包括所述有機層的有機電子元件、有機EL元件、顯示元件、照明裝置和顯示裝置。

對本發明的實施方式進行說明。本發明並不限定於以下的實施方式。以下的實施方式能夠單獨或組合實施。多個實施方式的組合亦包含於本發明中。 於本揭示中，使用「～」表示的數值範圍表示包括「～」的前後記載的數值分別作為最小值和最大值的範圍。於本揭示中階段性記載的數值範圍中，某一階段的數值範圍的上限值或下限值可與另一階段的數值範圍的上限值或下限值任意組合。 只要無特別說明，則本揭示中所例示的材料可單獨使用一種或組合使用兩種以上。於本揭示中，於組成物中存在多種與各成分相當的物質的情況下，只要無特別說明，則組成物中各成分的含量是指組成物中存在的所述多種物質的合計量。 於本揭示中「層」包括連續的層以及不連續的層。「層」的厚度可均勻亦可不均勻。「層」的面方向上的外緣及厚度方向上的外緣分別可能存在明確的情況以及不明確的情況。對於「膜」亦同樣。

＜有機電子材料＞ 有機電子材料含有離子性化合物以及電荷傳輸性化合物。離子性化合物包含陰離子以及陽離子。電荷傳輸性化合物於分子內具有至少一個聚合性官能基。

[離子性化合物] 離子性化合物包含至少一種陰離子以及至少一種陽離子。離子性化合物通常以陰離子以及陽離子的電荷均衡的方式包含陰離子以及陽離子。

（陰離子） 於若干實施方式中，離子性化合物包含具有至少兩個三(氟芳基)硼烷結構的陰離子（A1）（以下有時簡稱為「陰離子（A1）」）。陰離子（A1）可更包含連結基。至少兩個三(氟芳基)硼烷結構分別可與連結基鍵結，至少兩個三(氟芳基)硼烷結構各自所含的硼原子可與連結基鍵結。

於若干實施方式中，離子性化合物包含陰離子（A2）（以下有時簡稱為「陰離子（A2）」），所述陰離子（A2）具有至少兩個三(氟芳基)硼烷結構以及至少一個雜環，所述雜環具有一個以上的次氮基以及一個以上的雜原子。至少兩個三(氟芳基)硼烷結構分別可與雜環鍵結，至少兩個三(氟芳基)硼烷結構各自所含的硼原子可與雜環所含的次氮基或雜原子鍵結。陰離子（A2）包含於陰離子（A1）的實施方式中。

陰離子（A1）或陰離子（A2）所具有的至少兩個三(氟芳基)硼烷結構可彼此相同亦可不同。三(氟芳基)硼烷結構可為包含硼原子以及與硼原子鍵結的三個「經取代或未經取代的氟芳基」的結構。三個「經取代或未經取代的氟芳基」可彼此相同亦可不同。氟芳基是由至少一個氟基進行了取代的芳基。氟芳基可為全氟芳基。經取代的氟芳基為由至少一個氟基以及至少一個氟基以外的取代基進行了取代的芳基。未經取代的氟芳基為僅由至少一個氟基進行了取代的芳基。經取代或未經取代的氟芳基中的芳基的碳數例如為6～60、6～40、6～25、6～18或6～12。

芳基為自芳香族烴中去除一個氫原子而得的原子團。此處的芳香族烴選自由單環、稠環、以及選自單環和稠環的兩個以上藉由化學鍵鍵結而成的多環所組成的群組中。芳香族烴例如選自由苯、萘、蒽、稠四苯、芴、菲、9,10-二氫菲、三伸苯、芘、䓛、苝、三伸苯、稠五苯和苯並芘所組成的群組中。芳香族烴可為苯、萘、芴、蒽或菲，可為苯或萘，可為苯。

經取代的氟芳基可具有的「取代基」例如包含選自由烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、芳基烷基、雜芳基烷基、烷基芳基、烷基雜芳基、鹵素基（其中，氟基除外）、硝基、氰基、胺基、矽烷基、磺基、羥基、巰基、甲醯基、羧基、烷氧基、芳氧基、雜芳氧基、烷硫基、芳硫基、雜芳硫基、醯基、醯氧基和烷氧基羰基所組成的群組中的至少一種。該些「取代基」可為經取代或未經取代的「取代基」，經取代的「取代基」可具有的『取代基』例如包含選自所述群組中的至少一種，於所述群組中鹵素基可包含氟基。於本揭示中，作為鹵素基的例子，可列舉氟基、氯基、溴基、碘基等。

烷基可為直鏈烷基、分支烷基或環狀烷基。烷基的碳數例如為1～24、1～20、1～18、1～16或1～12。烷基例如包含選自由甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、異丙基、異丁基、第二丁基、第三丁基、2-乙基己基、3,7-二甲基辛基、環己基、環庚基和環辛基所組成的群組中的至少一種。

烯基可為直鏈烯基、分支烯基或環狀烯基。烯基的碳數例如為1～24、1～20、1～18、1～16或1～12。烯基例如包含選自由乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、1-己烯基、2-己烯基和1-辛烯基所組成的群組中的至少一種。

炔基可為直鏈炔基、分支炔基或環狀炔基。炔基的碳數例如為1～24、1～20、1～18、1～16或1～12。烯基例如包含選自由乙炔基和2-丙炔基所組成的群組中的至少一種。

芳基如上所述。芳基的碳數例如為6～60、6～40、6～25、6～18或6～12。

雜芳基為自芳香族雜環化合物中去除一個氫原子而得的原子團。雜芳基的碳數例如為2～60、2～40、2～25、2～18或2～12。此處的芳香族雜環化合物選自由單環、稠環、以及選自單環和稠環的兩個以上藉由化學鍵鍵結而成的多環所組成的群組中。芳香族雜環化合物例如包含選自由吡啶、吡嗪、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啉、呋喃、吡咯、噻吩、咔唑、噁唑、噁二唑、噻二唑、三唑、苯並噁唑、苯並噁二唑、苯並噻二唑、苯並三唑和苯並噻吩所組成的群組中的至少一種。

芳基烷基為由芳基進行了取代的烷基。芳基烷基的碳數例如為7～60、7～40、7～25、7～18或7～12。作為芳基，可例示所述芳基，作為烷基，可例示所述烷基。芳基烷基例如包含選自由苄基、苯乙基、萘甲基、萘乙基和二苯基甲基所組成的群組中的至少一種。

烷基芳基為由烷基進行了取代的芳基。烷基芳基的碳數例如為7～60、7～40、7～25、7～18或7～12。作為烷基，可例示所述烷基，作為芳基，可例示所述芳基。烷基芳基例如包含選自由甲基苯基、乙基苯基、甲基萘基、乙基萘基和二甲基苯基所組成的群組中的至少一種。

於雜芳基烷基、烷基雜芳基、烷氧基、芳氧基、雜芳氧基、烷硫基、芳硫基、雜芳硫基、醯基、醯氧基或烷氧基羰基中，烷基、芳基和雜芳基如上所述。

所述各基的說明及例示亦可適用於本揭示中的以下記載中。

三(氟芳基)硼烷結構可為下述式（b）所表示的結構。

[化4]

式中，Ar ^F分別獨立地表示經取代或未經取代的氟芳基。於本揭示中，「*」表示與其他原子的鍵結部位。

作為三(氟芳基)硼烷結構的具體例，可列舉三(五氟苯基)硼烷結構、三(五氟萘基)硼烷結構等。較佳為三(氟芳基)硼烷結構包含三(五氟苯基)硼烷結構。

陰離子（A1）可包含至少兩個三(氟芳基)硼烷結構，進而可包含連結基。連結基可為帶正電荷的基。連結基例如為包含選自由伸烷基、亞胺基（-NH-）、氧基（-O-）、硫基（-S-）、-CN ⁺-、芳香環和雜環所組成的群組中的至少一種。連結基可為包含具有一個以上的次氮基的雜環的基、包含具有一個以上的雜原子的雜環的基、或包含具有一個以上的次氮基以及一個以上的雜原子的雜環的基。

陰離子（A2）包含至少兩個三(氟芳基)硼烷結構以及至少一個雜環，所述雜環包含一個以上的次氮基以及一個以上的雜原子。

於陰離子（A1）和陰離子（A2）中，一個以上的雜原子例如包含選自由氮原子、氧原子和硫原子所組成的群組中的至少一種原子。於陰離子（A1）和陰離子（A2）中，雜環所具有的「雜原子」中不包括次氮基中所含的氮原子。即，「雜原子」是指次氮基中所含的氮原子以外的雜原子。

於本揭示中，次氮基是由下述式表示的基。

[化5]

作為具有一個以上的次氮基以及一個以上的雜原子的雜環的例子，可列舉咪唑環、吡唑環、苯並咪唑環、苯並吡唑環、嘌呤環、呸啶環、啡噻嗪環和啡噁嗪環。雜環較佳為包含選自由咪唑環、吡唑環、苯並咪唑環和苯並吡唑環所組成的群組中的至少一種，較佳為包含咪唑環。

於若干實施方式中，陰離子（A1）可包含下述式（a1）所表示的陰離子。

[化6]

式中，X1表示連結基，n可為0或1，Ar ^F分別獨立地表示經取代或未經取代的氟芳基。

於若干實施方式中，陰離子（A2）可包含下述式（a2）所表示的陰離子。下述式（a2）所表示的陰離子包含於式（a1）所表示的陰離子的實施方式中。 [化7]

式中，X2表示具有一個以上的次氮基和一個以上的雜原子的雜環，Ar ^F分別獨立地表示經取代或未經取代的氟芳基。

式（a1）和式（a2）中，例如Ar ^F可分別獨立地為下述式（Ar1）所表示的基。 [化8]

式中，R分別獨立地表示氫原子或取代基，至少一個R為氟基。作為氟基以外的取代基的例子，可列舉所述經取代的氟芳基可具有的「取代基」。

式（a1）中，於n為0的情況下，陰離子（A1）為二價的陰離子，於n為1的情況下，陰離子（A1）為一價的陰離子。例如，X1可為選自由伸烷基、亞胺基（-NH-）、氧基（-O-）、硫基（-S-）、-CN ⁺-、芳香環和雜環所組成的群組中的至少一種。式（a1）中，於Ar ^F為式（Ar1）所表示的基的情況下，例如，R可全部為氟基。

式（a2）中，例如，X2可為咪唑環、吡唑環、苯並咪唑環、苯並吡唑環、嘌呤環、呸啶環、啡噻嗪環或啡噁嗪環，可為咪唑環、吡唑環、苯並咪唑環或苯並吡唑環，可為咪唑環。式（a2）中，於Ar ^F為式（Ar1）所表示的基的情況下，例如，R可全部為氟基。

（陽離子） 於若干實施方式中，離子性化合物包含選自由屬於國際純粹與應用化學聯合會（International Union of Pure and Applied Chemistry，IUPAC）的元素週期表的第一族和第二族的元素的陽離子、以及式（c1）所表示的陽離子～式（c3）所表示的陽離子所組成的群組中的至少一種陽離子。於本揭示中，「IUPAC的元素週期表」是指「IUPAC 元素週期表（Periodic Table of the Elements）（日期2018年12月1日（dated 1 Dec 2018））」。陽離子例如可包含選自由式（c1）所表示的陽離子～式（c3）所表示的陽離子所組成的群組中的至少一種陽離子。

作為屬於IUPAC的元素週期表的第一族的元素，可列舉鋰、鈉、鉀等。

作為屬於IUPAC的元素週期表的第二族的元素，可列舉鈹、鎂、鈣等。

以下示出式（c1）所表示的陽離子～式（c3）所表示的陽離子。 [化9a]

式中，A ¹表示屬於IUPAC的元素週期表的第十七族的元素，A ²表示屬於IUPAC的元素週期表的第十四族或第十六族的元素，A ³表示屬於IUPAC的元素週期表的第十五族的元素，R ¹～R ⁹分別獨立地表示氫原子或有機基（選自R ¹和R ²、R ³～R ⁵中的至少兩個基、以及選自R ⁶～R ⁹中的至少兩個基可分別彼此鍵結）。

R ¹～R ⁹分別獨立地表示氫原子或有機基。就離子性化合物的穩定性、於溶媒中的溶解性等觀點而言，R ¹～R ⁹可分別獨立地為氫原子、經取代或未經取代的烷基、經取代或未經取代的烯基、經取代或未經取代的炔基、經取代或未經取代的芳基烷基、經取代或未經取代的芳基、或經取代或未經取代的雜芳基。該些基亦可具有取代基。選自R ¹和R ²的至少一個基、選自R ³～R ⁵的至少一個基、以及選自R ⁶～R ⁹的至少一個基較佳為有機基。

作為經取代或未經取代的烷基、經取代或未經取代的烯基、經取代或未經取代的炔基、經取代或未經取代的芳基烷基、經取代或未經取代的芳基、和經取代或未經取代的雜芳基可具有的「取代基」的例子，可列舉烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、芳基烷基、雜芳基烷基、烷基芳基、烷基雜芳基、鹵素基、硝基、氰基、胺基、矽烷基、磺基、羥基、巰基、甲醯基、羧基、烷氧基、芳氧基、雜芳氧基、烷硫基、芳硫基、雜芳硫基、醯基、醯氧基和烷氧基羰基等。該些取代基的說明如上所述。

就離子性化合物的穩定性以及合成和精製的容易性而言，例如，式（c1）中的A ¹可為氯原子、溴原子或碘原子，式（c2）中的A ²可為碳原子、氧原子、硫原子或硒原子，式（c3）中的A ³可為氮原子、磷原子、砷原子、銻原子或鉍原子。

作為式（c1）所表示的陽離子～式（c3）所表示的陽離子的例子，可列舉氯鎓（chloronium）、溴鎓（bromonium）、錪鎓（iodonium）、碳鎓（carbenium）、氧鎓（oxonium）、鋶鎓（sulfonium）、硒鎓（selenium）、銨鎓、鏻鎓、砷鎓（arsonium）、銻鎓（stibonium）、鉍鎓（bismuthonium）等。

於若干實施方式中，離子性化合物可包含銨陽離子。

銨陽離子可包含所述式（c3）所表示的陽離子（其中，A ³為氮原子）。 銨陽離子可包含下述式（c4）所表示的陽離子。

[化9b]

式中，R ^a～R ^c分別獨立地表示氫原子、烷基、芳基烷基或芳基。

烷基、芳基烷基和芳基如上所述。烷基、芳基烷基和芳基可未經取代。

R ^a～R ^c例如可全部為烷基。R ^a～R ^c中例如可兩個為烷基，一個為芳基。

作為陽離子的具體例，可列舉N,N-二異丙基乙基銨、N,N-二異丙基苯胺、三乙基銨等。

（離子性化合物的例子） 於若干實施方式中，離子性化合物包含陰離子（A1）以及銨陽離子。離子性化合物可包含式（a1）所表示的陰離子以及銨陽離子；可包含由式（a1）表示的離子且X1為雜環的陰離子以及銨陽離子。根據該些實施方式，可形成耐溶劑性優異的有機層。

於若干實施方式中，離子性化合物包含陰離子（A2）以及陽離子。離子性化合物可包含式（a2）所表示的陰離子以及陽離子；可包含式（a2）所表示的陰離子以及銨陽離子；可包含陰離子（A2）以及銨陽離子；可包含由式（a2）表示的離子且X2為咪唑環的陰離子以及銨陽離子。根據該些實施方式，可形成耐溶劑性優異的有機層。

＜電荷傳輸性化合物＞ 電荷傳輸性化合物可為電荷傳輸性聚合物或亦可為電荷傳輸性低分子化合物。電荷傳輸性化合物較佳為具有至少一個聚合性官能基。

[聚合性官能基] 聚合性官能基為藉由施加熱、光或熱與光此兩者而可形成彼此鍵結的官能基。電荷傳輸性化合物藉由包含聚合性官能基而顯示硬化性。藉由使含有電荷傳輸性化合物的塗佈膜硬化而形成有機層，而可對有機層賦予利用濕式製程積層上層所需的耐溶劑性。於本揭示中，有時將使用有機電子材料形成的含有電荷傳輸性化合物以及離子性化合物的硬化前的層稱為塗佈膜。

例如，於電洞傳輸層的形成中使用具有聚合性官能基的電荷傳輸性化合物的情況下，電洞傳輸層成為具有耐溶劑性的層。藉此，能夠於防止電洞傳輸層的溶解的同時使用油墨組成物等形成作為電洞傳輸層的上層的發光層。一般而言，發光層多數情況下利用芳香族烴系溶媒塗佈。因此，於本例中，具有聚合性官能基的電荷傳輸性化合物較佳為即使浸漬於甲苯等芳香族烴系溶媒中亦可形成難以溶解的電荷傳輸層的電荷傳輸性化合物。

作為聚合性官能基，可列舉具有碳-碳多重鍵的基（例如乙烯基、烯丙基、丁烯基、乙炔基、丙烯醯基、丙烯醯氧基、丙烯醯基胺基、甲基丙烯醯基、甲基丙烯醯氧基、甲基丙烯醯基胺基、乙烯基氧基、乙烯基胺基等）、具有小員環的基（例如環丙基、環丁基等環狀烷基；環氧基（氧雜環丙基（oxiranyl group））、氧雜環丁烷基（oxetane group）（氧雜環丁基（oxetanyl group））等環狀醚基；環硫基等環狀硫醚基；雙乙酮烯（diketene）基、內酯基等環狀酯基；內醯胺基等環狀醯胺基）、雜環基（例如呋喃-基、吡咯-基、噻吩-基、噻咯-基）等。

聚合性官能基可為經取代或未經取代的聚合性官能基，作為聚合性官能基可具有的取代基，例如可列舉甲基、乙基等碳數1～6的烷基。

於若干實施方式中，聚合性官能基較佳為包含選自由具有碳-碳多重鍵的基、具有小員環的基和雜環基所組成的群組中的一種以上，更佳為包含選自由具有碳-碳雙鍵的基、環狀醚基和雜環基所組成的群組中的一種以上。具體而言，作為聚合性官能基，較佳為選自由乙烯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、環氧基、氧雜環丁烷基、吡咯-基和噻吩-基所組成的群組中的至少一種，就電荷傳輸性化合物的溶解性和硬化性的觀點而言，更佳為選自由乙烯基、氧雜環丁烷基和噻吩-基所組成的群組中的至少一種。

於若干實施方式中，聚合性官能基較佳為包含具有小員環的基，更佳為包含環狀醚基。具體而言，作為聚合性官能基，較佳為包含選自由環氧基和氧雜環丁烷基所組成的群組中的一種以上，就電荷傳輸性化合物的溶解性和硬化性的觀點而言，更佳為包含氧雜環丁烷基。

[結構單元] 電荷傳輸性化合物較佳為包含含有選自由芳香族胺結構、咔唑結構、噻吩結構、苯結構、吡咯結構、呋喃結構和芴結構所組成的群組中的至少一種結構的結構單元。藉由包含該些中的任一種結構，電荷傳輸性、特別是電洞傳輸性提高。於較佳的實施方式中，電荷傳輸性化合物包含含有芳香族胺結構的結構單元。

於若干實施方式中，包含芳香族胺結構的結構單元包含選自由下述式（1）所表示的結構單元、下述式（2-1）所表示的結構單元和下述式（2-2）所表示的結構單元所組成的群組中的至少一種結構單元。於本揭示中，有時將「式（1）所表示的結構單元」稱為「結構單元（1）」。有時將「選自由式（2-1）所表示的結構單元和式（2-2）所表示的結構單元所組成的群組中的至少一種結構單元」稱為「結構單元（2）」。

[化10]

式中，Ar分別獨立地表示經取代或未經取代的芳香族烴基。至少一個Ar可為具有取代基的芳香族烴基，所述取代基包含選自由氟基和氟烷基所組成的群組中的至少一個。

關於芳香族烴基中的芳香族烴，可應用有關於所述離子性化合物中的芳香族烴的說明。

Ar較佳為分別獨立地為經取代或未經取代的苯基、經取代或未經取代的萘基、或者經取代或未經取代的蒽基，更佳為經取代或未經取代的苯基、或者經取代或未經取代的萘基。

芳香族烴基亦可具有取代基。作為取代基，例如可列舉選自由-R ¹、-OR ²、-SR ³、-OCOR ⁴、-COOR ⁵、-SiR ⁶R ⁷R ⁸、和鹵素基所組成的群組中的取代基（以下有時記為「取代基Ra」）。

R ¹例如選自由烷基、芳基和雜芳基所組成的群組中。R ²～R ⁸例如分別獨立地選自由氫原子、烷基、芳基和雜芳基所組成的群組中。關於烷基、芳基和雜芳基，如上所述。

烷基、芳基和雜芳基亦可具有取代基。作為烷基、芳基和雜芳基具有取代基的情況下的取代基的例子，可列舉所述取代基Ra，較佳為-R ¹。作為具有取代基的烷基的例子，可列舉芳基烷基、雜芳基烷基、氟烷基等。作為具有取代基的芳基的例子，可列舉烷基芳基、氟芳基等。作為具有取代基的雜芳基的例子，可列舉烷基雜芳基等。

於結構單元（1）中，至少一個Ar可為具有取代基的芳香族烴基，所述取代基包含選自由氟基和氟烷基所組成的群組中的至少一個。氟烷基的碳數可為1～4，較佳為1或2。氟烷基較佳為全氟烷基。

例如，就兼具深的最高佔據分子軌域（highest occupied molecular orbital，HOMO）能階以及HOMO-最低未佔據分子軌域（lowest unoccupied molecular orbital，LUMO）間的大的能隙的觀點而言，於結構單元（1）中，至少一個Ar可為具有氟基的芳香族烴基，且全部Ar可為不具有氟烷基的芳香族烴基。

例如，就獲得更深的HOMO能階的觀點而言，於結構單元（1）中，至少一個Ar可為具有氟烷基的芳香族烴基。

結構單元（1）中所含的氟基或氟烷基的合計個數例如為一個～八個、一個～六個、一個～四個或一個～三個。於為所述個數的情況下，有容易獲得加深HOMO能階的效果的傾向。於為所述個數的情況下，有容易防止電荷傳輸性聚合物的溶解性過低的傾向。

結構單元（1）例如包含下述式（1a）所表示的結構單元。

[化11]

式中，R分別獨立地表示氫原子或取代基，至少一個R為氟基或氟烷基。

氟烷基的碳數例如為1～4，較佳為1或2。氟烷基較佳為全氟烷基。式中，為氟基或氟烷基的R的個數例如為一個～八個、一個～六個、一個～四個或一個～三個。

不為氟基或氟烷基的R為氫原子或取代基。作為取代基的例子，可列舉所述取代基Ra（其中，此處將氟基及氟烷基除外）。就抑制取代基所產生的影響的觀點而言，亦可為不為氟基或氟烷基的R全部為氫原子。

[化12]

式中，Ar分別獨立地表示經取代或未經取代的芳香族烴基。至少一個Ar可為具有取代基的芳香族烴基，所述取代基包含選自由氟基和氟烷基所組成的群組中的至少一個。

[化13]

式中，Ar分別獨立地表示經取代或未經取代的芳香族烴基。至少一個Ar可為具有取代基的芳香族烴基，所述取代基包含選自由氟基和氟烷基所組成的群組中的至少一個。

對於經取代或未經取代的芳香族烴基，可應用有關於所述結構單元（1）中的經取代或未經取代的芳香族烴基的說明。Ar較佳為未經取代的芳香族烴基。

結構單元（2-1）中，Ar較佳為分別獨立地為經取代或未經取代的苯基、經取代或未經取代的萘基、或者經取代或未經取代的蒽基，更佳為經取代或未經取代的苯基、或者經取代或未經取代的萘基，進而佳為經取代或未經取代的苯基。

結構單元（2-2）中，Ar較佳為分別獨立地為經取代或未經取代的苯基、經取代或未經取代的萘基、或者經取代或未經取代的蒽基，更佳為經取代或未經取代的苯基、或者經取代或未經取代的萘基，進而佳為經取代或未經取代的苯基。

結構單元（2）例如包含選自由下述式（2-1a）所表示的結構單元和下述式（2-2a）所表示的結構單元所組成的群組中的至少一種結構單元。

[化14]

式中，R分別獨立地表示氫原子或取代基。作為取代基的例子，可列舉所述取代基Ra。

[化15]

式中，R分別獨立地表示氫原子或取代基。作為取代基的例子，可列舉所述取代基Ra。

[包含聚合性官能基的末端基P] 電荷傳輸性化合物可具有包含聚合性官能基的末端基P。末端基P除了聚合性官能基以外亦可包含任意的基。作為末端基P的例子，可列舉「聚合性官能基」、「由包含聚合性官能基的基取代的芳香環基」等。

「芳香環基」例如為碳數2～30的芳香環基。芳香環的例子中包括芳香族烴和芳香族雜環化合物。芳香環的例子中包括單環、縮合多環式芳香族烴和縮合多環式芳香族雜環化合物。芳香族烴和芳香族雜環化合物如上所述。芳香環亦可為選自獨立的單環或稠環中的兩個以上鍵結而成的結構。作為該結構，可列舉聯苯、聯三苯、三苯基苯、聯噻吩等。芳香環基亦可具有取代基，作為取代基的例子，可列舉取代基Ra。

就用於導入末端基P的單體的商業獲取的容易性和合成的容易性的觀點而言，芳香環較佳為芳香族烴，更佳為苯。

作為末端基P的例子，可列舉下述式（P）所表示的末端基。

[化16]

式中，Ar表示經取代或未經取代的芳香環基，PGG表示包含聚合性官能基的基。a表示0或1，z表示1以上的整數。

z的上限由Ar的結構決定。例如，於Ar為苯環的情況下，z為5以下，可為2以下。

作為末端基P的例子，可列舉下述式（P1）所表示的末端基。就獲得良好的耐熱性的觀點而言，式（P1）所表示的末端基是較佳的基。

[化17]

式中，Ar表示經取代或未經取代的芳香環基，L表示連結基，PG表示經取代或未經取代的聚合性官能基。a和x分別獨立地表示0或1，y表示1以上的整數。

作為式（P1）所表示的末端基的例子，可列舉下述式（P2）所表示的末端基。就獲得良好的耐熱性的觀點而言，式（P2）所表示的末端基是較佳的基。

[化18]

式中，Ar表示經取代或未經取代的碳數2～30的芳香環基，X表示下述式（X1）～式（X10）中的任一者所表示的二價基，Y表示碳數1～10的伸烷基，PG表示經取代或未經取代的聚合性官能基。a～c分別獨立地表示0或1，d表示1或2。其中，當d為2時，a為1。

[化19]

式中，R分別獨立地表示氫原子、碳數1～22的直鏈狀、環狀或者分支狀的烷基、或碳數2～30的芳基或者雜芳基。

[電荷傳輸性聚合物] 於若干實施方式中，電荷傳輸性化合物包含電荷傳輸性聚合物。電荷傳輸性聚合物於分子內包含兩個以上的結構單元。於本揭示中，「聚合物」中亦包括結構單元的數量小的所謂的「寡聚物」。

電荷傳輸性聚合物可為直鏈狀聚合物或亦可為具有分支結構的分支狀聚合物。電荷傳輸性聚合物例如可至少包含具有電荷傳輸性的二價結構單元L以及一價結構單元T，可進而包含分支部中所含的三價以上的結構單元B。電荷傳輸性聚合物例如可至少包含具有電荷傳輸性且包含於分支部中的三價以上的結構單元B以及一價結構單元T，可進而包含二價結構單元。分子鏈具有包含選自由二價結構單元和三價結構單元所組成的群組中的至少一種的鏈狀結構。分支狀的電荷傳輸性聚合物由於耐熱性優異、進而可導入大量的末端基，因此顯示出良好的溶解性和硬化性。關於各結構單元，電荷傳輸性聚合物中可分別僅含有一種，或者亦可分別含有多種。於電荷傳輸性聚合物中，各結構單元於一個～三個以上的鍵結部位彼此鍵結。

電荷傳輸性聚合物例如於結構單元L、結構單元B或結構單元L與結構單元B此兩者中包含含有選自由芳香族胺結構、咔唑結構、噻吩結構、苯結構、吡咯結構、呋喃結構和芴結構所組成的群組中的至少一種結構的結構單元。

於若干實施方式中，電荷傳輸性聚合物包括至少具有一個結構單元B以及與該一個結構單元B鍵結的三個以上的結構單元L的分支結構。例如，電荷傳輸性聚合物包括多重分支結構，所述多重分支結構具有一個結構單元B以及與該一個結構單元B鍵結的三個以上的結構單元L，進而對於所述三個以上的結構單元L中的每一個，至少具有與該結構單元L鍵結的另外一個結構單元B以及與該另外一個結構單元B鍵結的另外兩個以上的結構單元L。

作為電荷傳輸性聚合物中所含的多重分支結構的例子，可列舉以下結構。結構中，「L」表示二價的結構單元，「B」表示三價以上的結構單元，「T」表示一價的結構單元。以下的結構中，多個L可為彼此相同的結構單元，亦可為彼此不同的結構單元。多個B可為彼此相同的結構單元，亦可為彼此不同的結構單元。多個T可為彼此相同的結構單元，亦可為彼此不同的結構單元。再者，電荷傳輸性聚合物並不限定於具有以下結構的聚合物。

[化20]

（結構單元L） 結構單元L是具有電荷傳輸性的二價結構單元。結構單元L只要包含具有傳輸電荷的能力的原子團即可，並無特別限定。例如，結構單元L選自經取代或未經取代的芳香族胺結構、咔唑結構、噻吩結構、聯噻吩結構、芴結構、苯結構、伸聯苯結構、伸聯三苯結構、萘結構、蒽結構、稠四苯結構、菲結構、二氫菲結構、吡啶結構、吡嗪結構、喹啉結構、異喹啉結構、喹噁啉結構、吖啶結構、二氮雜菲結構、呋喃結構、吡咯結構、噁唑結構、噁二唑結構、噻唑結構、噻二唑結構、三唑結構、苯並噻吩結構、苯並噁唑結構、苯並噁二唑結構、苯並噻唑結構、苯並噻二唑結構、苯並三唑結構、N-芳基啡噁嗪結構和包含該些的一種或兩種以上的結構中。芳香族胺結構較佳為三芳基胺結構，更佳為三苯基胺結構。作為包含芳香族胺結構的結構單元L的例子，可列舉所述結構單元（1）。

於若干實施方式中，就獲得優異的電洞傳輸性的觀點而言，結構單元L較佳為包含選自由經取代或未經取代的芳香族胺結構、咔唑結構、噻吩結構、苯結構、吡咯結構、呋喃結構和芴結構所組成的群組中的一種以上的結構，更佳為包含經取代或未經取代的芳香族胺結構、咔唑結構、噻吩結構、呋喃結構和芴結構所組成的群組中的一種以上的結構，更佳為包含選自由經取代或未經取代的芳香族胺結構和咔唑結構所組成的群組中的一種以上的結構。於另一實施方式中，就獲得優異的電子傳輸性的觀點而言，結構單元L較佳為包含選自由經取代或未經取代的芴結構、苯結構、菲結構、吡啶結構和喹啉結構所組成的群組中的一種以上的結構。

（結構單元B） 結構單元B為於電荷傳輸性聚合物具有分支結構的情況下包含於分支部中的三價以上的結構單元。就提高有機電子元件的耐久性的觀點而言，結構單元B例如為六價以下，較佳為三價或四價。結構單元B可為具有電荷傳輸性的單元。例如，就提高有機電子元件的耐久性的觀點而言，結構單元B選自經取代或未經取代的芳香族胺結構、咔唑結構、縮合多環式芳香族烴結構和含有該些的一種或兩種以上的結構中。例如，結構單元B選自經取代或未經取代的芳香族胺結構、咔唑結構、縮合多環式芳香族烴結構和含有該些的一種或兩種以上的結構中。作為包含芳香族胺結構的結構單元B的例子，可列舉所述結構單元（2）。

（結構單元T） 結構單元T是電荷傳輸性聚合物的末端部中所含的一價結構單元，且是包含末端基的結構單元。結構單元T可至少包含含有末端基P的結構單元TP以及與結構單元TP不同的任意的結構單元TO。結構單元TO不含末端基P。

結構單元TP是包含末端基P的結構單元。上述中所說明的末端基P亦可為結構單元TP，作為結構單元TP的例子，可列舉式（P1）所表示的基。

結構單元TO並無特別限定，例如選自包含經取代或未經取代的芳香族烴結構、芳香族雜環結構和包含該些的一種或兩種以上的結構中。於一實施方式中，就賦予耐久性而不降低電荷的傳輸性的觀點而言，結構單元TO較佳為經取代或未經取代的芳香族烴結構，更佳為經取代或未經取代的苯結構。除了價數以外，結構單元TO可具有與結構單元L相同的結構。於一實施方式中，就賦予耐久性而不降低電荷的傳輸性的觀點而言，結構單元T較佳為經取代或未經取代的芳香族烴結構，更佳為經取代或未經取代的苯結構。

作為結構單元TO的具體例，可列舉下述式（3）所表示的結構單元。結構單元TO並不限定於以下。

[化21]

R分別獨立地表示氫原子或取代基。例如，R分別獨立地選自由-R ¹、-OR ²、-SR ³、-OCOR ⁴、-COOR ⁵、-SiR ⁶R ⁷R ⁸、和鹵素基所組成的群組中。R ¹～R ⁸如結構單元（1）中所說明般。

結構單元TO例如包含選自由下述式（3-1）所表示的結構單元和下述式（3-2）所表示的結構單元所組成的群組中的至少一種結構單元。

[化22]

式中，n和m分別獨立地表示1～4的整數。n以及m可彼此相同亦可不同，較佳為相同。

[化23]

式中，n表示4～20的整數。n例如為4～16，較佳為4～12。

於電荷傳輸性聚合物中，較佳為聚合性官能基至少導入至電荷傳輸性聚合物的末端部（即，結構單元T）。聚合性官能基可導入至末端以外的部分（即，結構單元L或結構單元B），亦可導入至末端部與末端以外的部分此兩者。就兼顧硬化性與電荷傳輸性的觀點而言，較佳為僅導入至末端部。於電荷傳輸性聚合物具有分支結構的情況下，聚合性官能基可導入至電荷傳輸性聚合物的主鏈，亦可導入至側鏈，亦可導入至主鏈與側鏈此兩者。

例如，就獲得充分的溶解度的變化的觀點而言，電荷傳輸性聚合物每一分子的聚合性官能基數可為兩個以上、三個以上、五個以上、十個以上或二十個以上。就保持電荷傳輸性的觀點而言，聚合性官能基數可為1,000個以下、800個以下、700個以下、600個以下或500個以下。

於電荷傳輸性聚合物於末端具有聚合性官能基的情況下，就獲得良好的硬化性的觀點而言，結構單元TP的比率以末端的結構單元的合計為基準，例如可為5莫耳%以上、10莫耳%以上、20莫耳%以上、30莫耳%以上或40莫耳%以上。就獲得良好的電荷傳輸性的觀點而言，結構單元TP的比率例如以末端的結構單元的合計為基準，可為85莫耳%以下、80莫耳%以下、75莫耳%以下、65莫耳%以下或60莫耳%以下。

電荷傳輸性聚合物每一分子的聚合性官能基的含量和比率可使用為了合成電荷傳輸性聚合物而使用的、聚合性官能基的裝入量（例如具有聚合性官能基的單體的裝入量×每個該單體的聚合性官能基數）、各結構單元所對應的單體的裝入量、電荷傳輸性聚合物的質量平均分子量等，作為平均值而求出。聚合性官能基的含量可利用電荷傳輸性聚合物的 ¹H核磁共振（nuclear magnetic resonance，NMR）光譜中的源自聚合性官能基的訊號的積分值與所有光譜的積分值的比、電荷傳輸性聚合物的質量平均分子量等，作為平均值而算出。就簡便而言，於裝入量明確的情況下，較佳為採用使用裝入量而求出的值。

（數量平均分子量） 於直鏈狀的電荷傳輸性聚合物的情況下，電荷傳輸性聚合物的數量平均分子量可考慮溶媒中的溶解性、成膜性等而適當調整。就電荷傳輸性優異的觀點而言，數量平均分子量例如可為500以上、1,000以上、2,000以上或3,000以上。就保持溶媒中的良好溶解性、使油墨組成物的製備容易的觀點而言，數量平均分子量例如可為200,000以下、100,000以下、50,000以下或20,000以下。

於分支狀的電荷傳輸性聚合物的情況下，電荷傳輸性聚合物的數量平均分子量可考慮溶媒中的溶解性、成膜性等而適當調整。就電荷傳輸性優異的觀點而言，數量平均分子量例如可為500以上、1,000以上、2,000以上或5,000以上。就保持溶媒中的良好溶解性、使油墨組成物的製備容易的觀點而言，數量平均分子量例如可為1,000,000以下、100,000以下、50,000以下或30,000以下。

（質量平均分子量） 於直鏈狀的電荷傳輸性聚合物的情況下，電荷傳輸性聚合物的質量平均分子量可考慮溶媒中的溶解性、成膜性等而適當調整。就電荷傳輸性優異的觀點而言，質量平均分子量例如可為1,000以上、3,000以上、5,000以上或10,000以上。就保持溶媒中的良好溶解性、使油墨組成物的製備容易的觀點而言，質量平均分子量例如可為500,000以下、300,000以下、150,000以下、100,000以下或50,000以下。

於分支狀的電荷傳輸性聚合物的情況下，電荷傳輸性聚合物的質量平均分子量可考慮溶媒中的溶解性、成膜性等而適當調整。就電荷傳輸性優異的觀點而言，質量平均分子量例如可為1,000以上、5,000以上、10,000以上或30,000以上。就保持溶媒中的良好溶解性、使油墨組成物的製備容易的觀點而言，質量平均分子量例如可為1,000,000以下、700,000以下、400,000以下、200,000以下或100,000以下。

數量平均分子量和質量平均分子量可藉由凝膠滲透層析法（Gel Permeation Chromatography，GPC），使用標準聚苯乙烯的校準曲線而求出。

（結構單元的比率） 於電荷傳輸性聚合物包含結構單元L的情況下，就獲得充分的電荷傳輸性的觀點而言，以所有結構單元為基準，結構單元L的比率例如可為10莫耳%以上、20莫耳%以上或30莫耳%以上。若考慮結構單元T和視需要導入的結構單元B，則結構單元L的比率例如可為97莫耳%以下、92莫耳%以下或85莫耳%以下。

就溶解性及硬化性的觀點而言，以所有結構單元為基準，電荷傳輸性聚合物中所含的結構單元T的比率例如可為3莫耳%以上、8莫耳%以上或15莫耳%以上。就有機電子元件的特性提高的觀點或抑制黏度的上升、良好地進行電荷傳輸性聚合物的合成的觀點而言，所述範圍亦為較佳的範圍。就獲得充分的電荷傳輸性的觀點而言，結構單元T的比率例如可為60莫耳%以下、55莫耳%以下或50莫耳%以下。

於電荷傳輸性聚合物包含結構單元B的情況下，就有機電子元件的耐久性提高的觀點而言，以所有結構單元為基準，結構單元B的比率例如可為1莫耳%以上、5莫耳%以上或10莫耳%以上。就抑制黏度的上升、良好地進行電荷傳輸性聚合物的合成的觀點或獲得充分的電荷傳輸性的觀點而言，結構單元B的比率例如可為50莫耳%以下、40莫耳%以下或30莫耳%以下。

若考慮電荷傳輸性、耐久性、生產性等的平衡，則結構單元L和結構單元T的比率（莫耳比）例如可為L：T=100：1～70、100：3～50或100：5～30。於電荷傳輸性聚合物包含結構單元B的情況下，結構單元L、結構單元T和結構單元B的比率（莫耳比）例如可為L：T：B=100：10～200：10～100、100：20～180：20～90或100：40～160：30～80。

結構單元的比率可使用為了合成電荷傳輸性聚合物而使用的、各結構單元所對應的單體的裝入量而求出。結構單元的比率可利用電荷傳輸性聚合物的 ¹H NMR光譜中的源自各結構單元的光譜的積分值，作為平均值而算出。就簡便而言，於裝入量明確的情況下，較佳為採用使用裝入量而求出的值。與所述末端基相關的比率亦可藉由利用裝入量或 ¹H NMR光譜的方法而求出。

就使塗佈膜的膜質穩定化的觀點而言，電荷傳輸性聚合物的聚合度（結構單元的單元數）例如可為5以上、10以上或20以上。就溶媒中的溶解性的觀點而言，聚合度例如可為1,000以下、700以下或500以下。

聚合度可利用電荷傳輸性聚合物的質量平均分子量、結構單元的分子量和結構單元的比率，作為平均值而求出。

電荷傳輸性化合物較佳為含有300℃加熱時的熱質量減少相對於加熱前的質量而為5質量%以下的電荷傳輸性化合物。熱質量減少可為4.5質量%以下、4.3質量%以下、4.1質量%以下或3.5質量%以下。電荷傳輸性化合物於300℃加熱時的熱質量減少比率是指將測定對象化合物於空氣中以5℃/分鐘的升溫條件加熱至300℃時的熱質量減少（質量%）（熱質量減少比率（質量%）=（[測定對象化合物的加熱前的質量-測定對象化合物的加熱後的質量）/測定對象化合物的加熱前的質量]×100）。具體而言，可使用測定化合物10 mg並使用熱重-差熱分析（thermogravimetric-differential thermal analysis，TG-DTA）裝置進行測定。

（製造方法） 電荷傳輸性聚合物可藉由各種合成方法來製造，並無特別限定。例如可使用鈴木偶合、根岸偶合、薗頭偶合（Sonogashira coupling）、施蒂勒（Stille）偶合、布赫瓦爾德-哈特維希（Buchwald-Hartwig）偶合等公知的偶合反應。鈴木偶合於芳香族硼酸衍生物與芳香族鹵化物之間引起使用Pd觸媒的交叉偶合反應。根據鈴木偶合，可藉由使所期望的芳香環彼此鍵結而簡便地製造電荷傳輸性聚合物。

偶合反應中，作為觸媒，例如使用Pd（0）化合物、Pd（II）化合物、Ni化合物等。亦可使用藉由將三(二亞苄基丙酮)二鈀（0）、乙酸鈀（II）等作為前驅物並與膦配位體混合而產生的觸媒種類。關於電荷傳輸性聚合物的合成方法，例如可參照國際公開第2010/140553號的記載。

[電荷傳輸性低分子化合物] 於若干實施方式中，電荷傳輸性化合物包含電荷傳輸性低分子化合物。電荷傳輸性低分子化合物可為於分子內包含一個結構單元的化合物。作為結構單元的例子，可列舉所述的結構單元（1）、結構單元（2）、結構單元L和結構單元B。電荷傳輸性低分子化合物例如包含含有選自由芳香胺結構、咔唑結構、噻吩結構、苯結構、吡咯結構、呋喃結構和芴結構所組成的群組中的至少一種結構的結構單元。

[任意成分] 有機電子材料亦可更含有所述離子性化合物和所述電荷傳輸性化合物以外的摻雜劑、聚合起始劑、電荷傳輸性化合物、添加劑等任意成分。作為添加劑，例如可列舉：聚合抑制劑、穩定劑、增稠劑、凝膠化劑、阻燃劑、抗氧化劑、還原防止劑、氧化劑、還原劑、表面改質劑、乳化劑、消泡劑、分散劑、界面活性劑等。

[含量] 就提高有機電子材料的硬化性的觀點而言，相對於電荷傳輸性化合物，離子性化合物的含量例如可為1質量%以上、10質量%以上或20質量%以上。就良好地保持成膜性的觀點而言，相對於電荷傳輸性化合物，例如可為10質量%以下、5質量%以下或3質量%以下。

就獲得良好的電荷傳輸性的觀點而言，相對於有機電子材料的質量，電荷傳輸性化合物的含量例如可為50質量%以上、70質量%以上或80質量%以上。相對於有機電子材料的質量，電荷傳輸性化合物與離子性化合物的合計的含量亦能夠設為100質量%。

＜油墨組成物＞ 油墨組成物含有所述有機電子材料以及可溶解或分散該材料的溶媒。藉由使用油墨組成物，可藉由塗佈法等簡便的方法容易地形成有機層。

[溶媒] 作為溶媒，可使用水、有機溶媒、或該些的混合溶媒。作為有機溶媒，可列舉：甲醇、乙醇、異丙醇等醇；戊烷、己烷、辛烷等烷烴；環己烷等環狀烷烴；苯、甲苯、二甲苯、均三甲苯、四氫萘、苯基環己烷、二苯基甲烷等芳香族烴；乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、丙二醇-1-單甲醚乙酸酯等脂肪族醚；1,2-二甲氧基苯、1,3-二甲氧基苯、苯甲醚、苯乙醚、2-甲氧基甲苯、3-甲氧基甲苯、4-甲氧基甲苯、2,3-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚、3-苯氧基甲苯等芳香族醚；乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乳酸乙酯、乳酸正丁酯等脂肪族酯；乙酸苯酯、丙酸苯酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丙酯、苯甲酸正丁酯等芳香族酯；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等醯胺系溶媒；二甲基亞碸、四氫呋喃、丙酮、氯仿、二氯甲烷等。較佳為芳香族烴、脂肪族酯、芳香族酯、脂肪族醚及芳香族醚，更佳為芳香族烴、芳香族醚和芳香族酯，進而佳為芳香族烴。

[添加劑] 油墨組成物可更含有添加劑作為任意成分。作為添加劑，例如可列舉：聚合抑制劑、穩定劑、增稠劑、凝膠化劑、阻燃劑、抗氧化劑、還原防止劑、氧化劑、還原劑、表面改質劑、乳化劑、消泡劑、分散劑、界面活性劑等。

[含量] 油墨組成物中的溶媒的含量可考慮於各種塗佈方法中的應用來確定。例如，溶媒的含量可為電荷傳輸性聚合物相對於溶媒的含量例如成為0.1質量%以上的量、電荷傳輸性聚合物相對於溶媒的含量例如成為0.2質量%以上的量或電荷傳輸性聚合物相對於溶媒的含量例如成為0.5質量%以上的量。溶媒的含量可為電荷傳輸性聚合物相對於溶媒的含量例如成為20質量%以下的量、電荷傳輸性聚合物相對於溶媒的含量例如成為15質量%以下的量或電荷傳輸性聚合物相對於溶媒的含量例如成為10質量%以下的量。

＜有機層＞ 有機層為使用所述有機電子材料或所述油墨組成物而形成的層，且包含所述電荷傳輸性聚合物的硬化物。藉由使用油墨組成物，可藉由塗佈法而良好地形成有機層。作為塗佈方法，例如可列舉：旋塗法；流延法；浸漬法；凸版印刷、凹版印刷、膠版印刷、平版印刷、凸版反轉膠版印刷、網版印刷、凹版（gravure）印刷等有版印刷法；噴墨法等無版印刷法等公知的方法。於藉由塗佈法來形成有機層的情況下，可使用加熱板或烘箱來使塗佈後所獲得的硬化前的塗佈膜乾燥，將溶媒除去。

可藉由對塗佈膜施加光照射、加熱處理等處理來進行電荷傳輸性聚合物的聚合反應，改變塗佈膜的溶解度。藉由在改變後獲得的已硬化的有機層（硬化膜）上積層其他層，能夠容易地實現有機電子元件的多層化。關於有機層的形成方法，例如可參照國際公開第2010/140553號的記載。塗佈膜的加熱處理可於大氣環境下或氮氣環境下進行。就提高電荷傳輸性的觀點而言，較佳為於氮氣環境下對塗佈膜進行加熱處理。關於所述離子性化合物，於氮氣環境下對塗佈膜進行加熱處理的情況下，尤其可提高有機層的耐溶劑性。

就提高電荷傳輸的效率的觀點而言，硬化後的有機層的厚度例如為0.1 nm以上、1 nm以上或3 nm以上。就減小電阻的觀點而言，有機層的厚度例如為300 nm以下、200 nm以下或100 nm以下。

＜有機電子元件＞ 有機電子元件至少具有所述有機層。作為有機電子元件，例如可列舉有機發光二極體（organic light emitting diode，OLED）等有機EL元件、有機光電轉換元件、有機電晶體等。有機電子元件較佳為具有在至少一對電極之間配置有有機層的結構。

[有機EL元件] 有機EL元件至少具有所述有機層。有機EL元件通常包括發光層、陽極、陰極及基板，視需要而包括電洞注入層、電子注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層等功能層。各層可藉由蒸鍍法形成，亦可藉由塗佈法形成。各層的形成可使用公知的材料。關於公知的材料，例如可參照國際公開第2010/140553號的記載。有機EL元件較佳為具有有機層作為發光層或功能層，更佳為具有有機層作為功能層，進而佳為具有有機層作為電洞注入層及電洞傳輸層的至少一者。關於有機EL的結構及製造方法，例如可參照國際公開第2010/140553號的記載。

較佳為將使用所述有機電子材料形成的有機層作為電洞注入層及電洞傳輸層的至少一者來使用，更佳為至少作為電洞注入層來使用。如上所述，藉由使用包含有機電子材料的油墨組成物，可容易地形成該些層。

於有機EL元件具有使用所述有機電子材料形成的有機層作為電洞傳輸層且進而具有電洞注入層的情況下，電洞注入層可使用公知的材料。於有機EL元件具有使用所述有機電子材料形成的有機層作為電洞注入層且進而具有電洞傳輸層的情況下，電洞傳輸層可使用公知的材料。亦較佳為將有機電子材料用於電洞注入層與電洞傳輸層此兩者。

＜顯示元件、照明裝置、顯示裝置＞ 顯示元件包括所述有機EL元件。例如，藉由使用有機EL元件作為對應於紅、綠和藍（red green blue，RGB）各畫素的元件，可獲得彩色的顯示元件。圖像的形成方法有：單純矩陣型，其利用呈矩陣狀配置的電極直接驅動平板上所排列的各個有機EL元件；以及主動矩陣型，其對各元件配置薄膜電晶體來進行驅動。

照明裝置包括所述有機EL元件。顯示裝置包括照明裝置、及作為顯示構件的液晶元件。例如，顯示裝置可為使用所述照明裝置作為背光、使用公知的液晶元件作為顯示構件的顯示裝置即液晶顯示裝置。

＜實施方式的例子＞ 以下列舉實施方式的例子。本發明並不限定於以下的實施方式。 [1]一種有機電子材料，含有： 離子性化合物，包含具有至少兩個三(氟芳基)硼烷結構的陰離子（A1）以及銨陽離子；以及 電荷傳輸性化合物，具有至少一個聚合性官能基。 [2]一種有機電子材料，含有： 離子性化合物，包含陰離子（A2）以及陽離子，所述陰離子（A2）具有至少兩個三(氟芳基)硼烷結構以及至少一個雜環，並且所述雜環具有一個以上的次氮基以及一個以上的雜原子；以及 電荷傳輸性化合物，具有至少一個聚合性官能基。 [3]如所述[1]或[2]所述的有機電子材料，含有： 離子性化合物，包含陰離子（A2）以及銨陽離子，所述陰離子（A2）具有至少兩個三(氟芳基)硼烷結構以及至少一個雜環，並且所述雜環具有一個以上的次氮基以及一個以上的雜原子；以及 電荷傳輸性化合物，具有至少一個聚合性官能基。 [4]如所述[1]所述的有機電子材料，其中所述陰離子（A1）包含下述式（a1）所表示的陰離子。 [化1]

（式中，X1表示連結基，n可為0或1，Ar ^F分別獨立地表示經取代或未經取代的氟芳基） [5]如所述[2]或[3]所述的有機電子材料，其中所述陰離子（A2）包含下述式（a2）所表示的陰離子。 [化2]

（式中，X2表示具有一個以上的次氮基以及一個以上的雜原子的雜環，Ar ^F分別獨立地表示經取代或未經取代的氟芳基） [6]如所述[4]或[5]所述的有機電子材料，其中所述ArF包含下述式（Ar1）所表示的基。 [化3]

（式中，R分別獨立地表示氫原子或取代基，至少一個R為氟基） [7]如所述[1]至[6]中任一項所述的有機電子材料，其中所述聚合性官能基包含選自由具有碳-碳多重鍵的基、具有小員環的基及雜環基所組成的群組中的至少一種。 [8]如所述[1]至[7]中任一項所述的有機電子材料，其中所述聚合性官能基包含具有小員環的基，所述具有小員環的基包含環狀醚基。 [9]如所述[1]至[8]中任一項所述的有機電子材料，其中所述電荷傳輸性化合物具有包含選自由芳香族胺結構、咔唑結構、噻吩結構、苯結構、吡咯結構、呋喃結構和芴結構所組成的群組中的至少一種結構的結構單元。 [10]如所述[1]至[9]中任一項所述的有機電子材料，其中所述電荷傳輸性化合物包含電荷傳輸性聚合物。 [11]如所述[1]至[10]中任一項所述的有機電子材料，其中所述電荷傳輸性聚合物包含分支聚合物。 [12]如所述[1]至[11]中任一項所述的有機電子材料，其中所述分支聚合物具有三價以上的結構單元。 [13]一種油墨組成物，含有如所述[1]至[12]中任一項所述的有機電子材料以及溶媒。 [14]一種有機層，是使用如所述[1]至[12]中任一項所述的有機電子材料或如[13]所述的油墨組成物形成。 [15]一種有機電子元件，具有如所述[14]所述的有機層。 [16]一種有機電致發光元件，具有如所述[14]所述的有機層。 [17]一種顯示元件，具有如所述[16]所述的有機電致發光元件。 [18]一種照明裝置，具有如所述[16]所述的有機電致發光元件。 [19]一種顯示裝置，具有如所述[16]所述的有機電致發光元件。 [20]一種顯示裝置，具有如所述[18]所述的照明裝置以及作為顯示構件的液晶元件。 [實施例]

藉由實施例對本發明的實施方式進行更具體的說明。本發明的實施方式並不限定於以下的實施例。

＜離子性化合物的合成＞ （離子性化合物1的合成） 於氮氣環境下，向50 mL雙口茄形燒瓶中放入三(五氟苯基)硼烷1.000 g（1.953 mmol）、咪唑0.067 g（0.977 mmol）和甲苯10.5 mL，於室溫下攪拌30分鐘，獲得反應液。將N,N-二異丙基乙基胺0.126 g（0.977 mmol）溶解於3 mL的甲苯中，並添加至反應液中，結果產生白色沈澱。將包含白色沈澱的反應液於室溫下攪拌整夜後，將溶媒減壓餾去直至達到三分之一左右的溶媒量，加入己烷10 mL。對析出物進行過濾，並利用己烷進行清洗。將析出物利用包含四氫呋喃（tetrahydrofuran，THF）和己烷的混合溶媒進行再結晶，藉此獲得離子性化合物1。以下示出離子性化合物1的化學結構。

[化24]

（離子性化合物2的合成） 於氮氣環境下，向50 mL雙口茄形燒瓶中放入三(五氟苯基)硼烷1.000 g（1.953 mmol）、咪唑0.067 g（0.977 mmol）和甲苯10.5 mL，於室溫下攪拌30分鐘，獲得反應液。將N,N-二異丙基苯胺0.179 g（0.977 mmol）溶解於3 mL的甲苯中，並添加至反應液中。將反應液於50℃下攪拌4小時後，將溶媒減壓餾去直至達到三分之一左右的溶媒量，加入己烷10 mL。對析出物進行過濾，並利用己烷進行清洗。將析出物利用包含THF和己烷的混合溶媒進行再結晶，藉此獲得離子性化合物2。以下示出離子性化合物2的化學結構。

[化25]

（離子性化合物3的合成） 於氮氣環境下，向50 mL雙口茄形燒瓶中放入三(五氟苯基)硼烷1.000 g（1.953 mmol）、咪唑0.067 g（0.977 mmol）和甲苯17 mL，於室溫下攪拌30分鐘，獲得反應液。將三乙基胺0.099 g（0.977 mmol）溶解於3 mL的甲苯中，並添加至反應液中，結果產生白色沈澱。將反應液於室溫下攪拌整夜後，將溶媒減壓餾去直至達到三分之一左右的溶媒量，加入己烷10 mL。對析出物進行過濾，並利用己烷進行清洗。將析出物利用包含THF和己烷的混合溶媒進行再結晶，藉此獲得離子性化合物3。以下示出離子性化合物3的化學結構。

[化26]

（離子性化合物4的合成） 向N,N-二異丙基乙基胺3.877 g（30 mmol）中加入丙酮75 g以及純水15 g並進行攪拌，獲得包含N,N-二異丙基乙基胺的液體。向所獲得的液體中緩緩滴加10質量%氯化氫水溶液11.0 g，滴加結束後，攪拌1小時。自攪拌後的液體中減壓餾去溶媒。繼而，混合四(五氟苯基)硼酸鈉（10質量%水溶液）231.7 g（33 mmol），攪拌1小時。將析出物水洗五次，使其乾燥，從而獲得離子性化合物4。以下示出離子性化合物4的化學結構。

[化27]

（離子性化合物5的合成） 向N,N-二異丙基苯胺5.319 g（30 mmol）中加入丙酮75 g以及純水15 g並進行攪拌，獲得包含N,N-二異丙基苯胺的液體。向所獲得的液體中緩緩滴加10質量%氯化氫水溶液11.0 g，滴加結束後，攪拌1小時。自攪拌後的液體中減壓餾去溶媒。繼而，混合四(五氟苯基)硼酸鈉（10質量%水溶液）231.7 g（33 mmol），攪拌1小時。將析出物水洗五次，使其乾燥，從而獲得離子性化合物5。以下示出離子性化合物5的化學結構。

[化28]

＜電荷傳輸性聚合物的合成＞ （Pd觸媒的製備） 於氮氣環境下的手套箱（glove box）中，於室溫下向玻璃製的樣品管中秤取三(二亞苄基丙酮)二鈀73.2 mg（80 μmol），加入15 mL的甲苯，攪拌30分鐘。於氮氣環境下的手套箱中，向玻璃製的樣品管中秤取三(第三丁基)膦129.6 mg（640 μmol），加入15 mL的甲苯，攪拌5分鐘。將該些液體混合，於80℃下攪拌2小時，將利用孔徑0.2 μm的膜濾器自所獲得的液體中除去不溶物後的液體作為觸媒。所有溶媒是於藉由氮氣起泡而脫氣30分鐘以上後使用。

（電荷傳輸性聚合物1的合成） 向200 mL的三口圓底燒瓶（玻璃製）中加入5.15 g（10.0 mmol）的下述單體1、1.93 g（4.0 mmol）的下述單體2、1.08 g（4.0 mmol）的下述單體3、1.17 g（4.0 mmol）的下述單體4和90 mL的甲苯，並加入7.8 mL的1質量%氫氧化四乙基銨水溶液和14.2 mL的3 M氫氧化鉀水溶液。所有溶媒是於藉由氮氣起泡而脫氣30分鐘以上後使用。於裝有反應液的燒瓶中安裝回流冷凝管和氮氣流動管，將燒瓶浸入加熱至60℃的油浴中，並攪拌30分鐘。繼而加入2.0 mL的所述已調整的Pd觸媒液，使油浴的溫度為120℃並進行反應。將反應液加熱回流2小時。至此的操作於氮氣氣流下進行。

[化29]

於反應結束後，對有機層進行水洗，將有機層注入至甲醇-水（9：1）混合液中。對所產生的沈澱進行抽吸過濾，利用甲醇-水（9：1）混合液進行清洗。利用乙酸乙酯對所獲得的沈澱進行清洗，並對溶出的固形物進行真空乾燥。將乾燥後的固形物溶解於甲苯中，加入金屬吸附劑（施特雷姆化學（Strem Chemicals）公司製造的「三苯基膦（Triphenylphosphine），鍵結於苯乙烯-二乙烯基苯共聚物上的聚合物（polymer-bound on styrene-divinylbenzene copolymer）」，相對於沈澱物100 mg為200 mg），攪拌一晚。攪拌結束後，過濾去除金屬吸附劑以及不溶物，將所獲得的液體注入至甲醇中。對沈澱物進行抽吸過濾，利用甲醇對所獲得的沈澱物進行清洗後，對固形物進行真空乾燥，獲得電荷傳輸性聚合物1。電荷傳輸性聚合物1的數量平均分子量為18,000，質量平均分子量為55,000。電荷傳輸性聚合物1於300℃加熱時的熱質量減少相對於加熱前的質量而為5質量%以下。

（數量平均分子量和質量平均分子量的測定） 數量平均分子量和質量平均分子量是藉由GPC而測定。校準曲線使用標準聚苯乙烯的樣品進行近似。測定條件如下所述。 裝置：高效液相層析儀     普洛敏思（Prominence）     島津製作所股份有限公司 送液泵（LC-20AD） 脫氣單元（DGU-20A） 自動取樣器（SIL-20AHT） 管柱烘箱（CTO-20A） 光電二極體陣列（photodiode array，PDA）檢測器（SPD-M20A） 示差折射率檢測器（RID-20A） 管柱：吉爾帕（Gelpack）（註冊商標）昭和電工材料-科技服務（Materials-Techno Service）股份有限公司 GL-A160S（製造編號：686-1J27） GL-A150S（製造編號：685-1J27） 洗滌液：四氫呋喃（THF）（高效液相層析（High Performance Liquid Chromatography，HPLC）用，含穩定劑）富士軟片和光純藥工業股份有限公司 試樣濃度：聚合物20 mg/THF 18 mL 注入量：20 μL 流速：1 mL/min 管柱溫度：40℃ 檢測波長：254 nm 分子量標準物質：PStQuick A/B/C    東曹股份有限公司

[實施例1] （有機層的形成） 將電荷傳輸性聚合物1（30.0 mg）和離子性化合物1（3.1×10 ^-7mol）（相對於電荷傳輸性聚合物而為1.25質量%）溶解於氯苯2.7 mL中以製備油墨組成物。將油墨組成物於大氣下滴加至石英基板（縱22 mm×橫29 mm×厚0.7 mm）上，藉由旋塗機（轉速3,000 min ^-1）形成塗佈膜。繼而於200℃下於氮氣環境下加熱30分鐘實施硬化，於石英基板上形成膜厚30 nm的有機層。

（殘膜率的測定） 使用分光光度計（島津製作所股份有限公司製造的「UV-2700」）對石英基板上所形成的有機層的吸光度A進行測定。繼而，以測定後的有機層成為上表面的方式於25℃的環境下浸漬於甲苯（10 mL，25℃）中，並靜置10分鐘。自甲苯中取出基板，於室溫下放置30分鐘後，測定甲苯浸漬後的有機層的吸光度B。由所形成的有機層的吸光度A以及甲苯浸漬後的有機層的吸光度B，並使用以下的式子算出殘膜率。再者，吸光度的值使用有機層的極大吸收波長下的值。殘膜率越大，耐溶劑性越優異。

[數式1] 殘膜率（%）=（吸光度B/吸光度A）×100

[實施例2和實施例3以及比較例1和比較例2] 除了將離子性化合物變更為表1中所示的離子性化合物以外，藉由與實施例1相同的方法形成有機層，並測定殘膜率。將結果示於表1。

[比較例3] 除了不使用離子性化合物以外，藉由與實施例1相同的方法形成有機層，並測定殘膜率。將結果示於表1。

[表1]

	離子性化合物	殘膜率（%）
實施例1	1（1.25質量%）	82.7
實施例2	2（1.30質量%）	84.9
實施例3	3（1.22質量%）	84.2
比較例1	4（0.83質量%）	76.6
比較例2	5（0.88質量%）	71.3
比較例3	無	23.4

本申請案的揭示與2021年7月21日提出申請的日本專利特願2021-120896號中記載的主題相關聯，其揭示內容藉由參照而援引於本申請案中。

Claims (20)

1. 一種有機電子材料，含有：  離子性化合物，包含具有至少兩個三(氟芳基)硼烷結構的陰離子（A1）以及銨陽離子；以及 電荷傳輸性化合物，具有至少一個聚合性官能基。
2. 一種有機電子材料，含有： 離子性化合物，包含陰離子（A2）以及陽離子，所述陰離子（A2）具有至少兩個三(氟芳基)硼烷結構以及至少一個雜環，並且所述雜環具有一個以上的次氮基以及一個以上的雜原子；以及 電荷傳輸性化合物，具有至少一個聚合性官能基。
3. 如請求項1或請求項2所述的有機電子材料，含有： 離子性化合物，包含陰離子（A2）以及銨陽離子，所述陰離子（A2）具有至少兩個三(氟芳基)硼烷結構以及至少一個雜環，並且所述雜環具有一個以上的次氮基以及一個以上的雜原子；以及 電荷傳輸性化合物，具有至少一個聚合性官能基。
4. 如請求項1所述的有機電子材料，其中所述陰離子（A1）包含下述式（a1）所表示的陰離子，

   

   式中，X1表示連結基，n可為0或1，Ar ^F分別獨立地表示經取代或未經取代的氟芳基。
5. 如請求項2或請求項3所述的有機電子材料，其中所述陰離子（A2）包含下述式（a2）所表示的陰離子，

   

   式中，X2表示具有一個以上的次氮基以及一個以上的雜原子的雜環，Ar ^F分別獨立地表示經取代或未經取代的氟芳基。
6. 如請求項4或請求項5所述的有機電子材料，其中所述Ar ^F包含下述式（Ar1）所表示的基，

   

   式中，R分別獨立地表示氫原子或取代基，至少一個R為氟基。
7. 如請求項1至請求項6中任一項所述的有機電子材料，其中所述聚合性官能基包含選自由具有碳-碳多重鍵的基、具有小員環的基及雜環基所組成的群組中的至少一種。
8. 如請求項1至請求項7中任一項所述的有機電子材料，其中所述聚合性官能基包含具有小員環的基，所述具有小員環的基包含環狀醚基。
9. 如請求項1至請求項8中任一項所述的有機電子材料，其中所述電荷傳輸性化合物具有包含選自由芳香族胺結構、咔唑結構、噻吩結構、苯結構、吡咯結構、呋喃結構和芴結構所組成的群組中的至少一種結構的結構單元。
10. 如請求項1至請求項9中任一項所述的有機電子材料，其中所述電荷傳輸性化合物包含電荷傳輸性聚合物。
11. 如請求項1至請求項10中任一項所述的有機電子材料，其中所述電荷傳輸性聚合物包含分支聚合物。
12. 如請求項1至請求項11中任一項所述的有機電子材料，其中所述分支聚合物具有三價以上的結構單元。
13. 一種油墨組成物，含有如請求項1至請求項12中任一項所述的有機電子材料以及溶媒。
14. 一種有機層，是使用如請求項1至請求項12中任一項所述的有機電子材料或如請求項13所述的油墨組成物形成。
15. 一種有機電子元件，具有如請求項14所述的有機層。
16. 一種有機電致發光元件，具有如請求項14所述的有機層。
17. 一種顯示元件，具有如請求項16所述的有機電致發光元件。
18. 一種照明裝置，具有如請求項16所述的有機電致發光元件。
19. 一種顯示裝置，具有如請求項16所述的有機電致發光元件。
20. 一種顯示裝置，具有如請求項18所述的照明裝置以及作為顯示構件的液晶元件。