TW202310388A - 顯示畫素結構 - Google Patents

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Abstract

本發明係揭露一種顯示畫素結構,其包含第一藍光微發光二極體、第一透明保護層、第一透明梯形柱狀結構與多個色彩轉換膜。第一透明保護層包覆第一藍光微發光二極體,第一透明梯形柱狀結構具有頂面、底面與多個傾斜表面,第一透明梯形柱狀結構之底面設於第一透明保護層上。所有色彩轉換膜分別設於第一透明梯形柱狀結構之傾斜表面上,第一藍光微發光二極體發出第一藍光。第一藍光經過第一透明保護層與第一透明梯形柱狀結構後,由第一透明梯形柱狀結構之頂面射出,且色彩轉換膜轉換第一藍光為紅光與綠光,同時收斂出光角度。

Description

顯示畫素結構
本發明係關於一種顯示結構,且特別關於一種顯示畫素結構。
發光二極體被視為新一代顯示技術,次世代的顯示技術霸主。國內外大批廠商紛紛強攻,其市場前景備受看好。發光二極體具有微米等級的間距、高亮度、低功耗、超高解析度與色彩飽和度。發光二極體最大的優勢都來自於它最大的特點,每一點畫素都能定址控制及單點驅動發光。
微發光二極體對於畫質來說會有質的提升,是下一代的革命性顯示技術,但是目前技術方面依然不夠成熟。舉例來說,採用紅綠藍三色晶片技術方案還存在許多問題,由於紅光晶片良率低、成本高以及各晶片對波長偏差容忍度低等問題,造成成本過高,同時,紅綠藍三色晶片老化機制不一致,使用過程中容易產生色偏。此外,微發光二極體之光場型大多為朗柏(Lambertian)分布,出光角的範圍較大,造成低解析度與低色彩飽和度。
因此,本發明係在針對上述的困擾,提出一種顯示畫素結構,以解決習知所產生的問題。
本發明提供一種顯示畫素結構,其收斂微發光二極體之大出光角,並增加解析度與色彩飽和度。
在本發明之一實施例中,一種顯示畫素結構包含一第一藍光微發光二極體、一第一透明保護層、一第一透明梯形柱狀結構與多個色彩轉換膜。第一透明保護層包覆第一藍光微發光二極體,第一透明梯形柱狀結構具有一第一頂面、一第一底面與連接於第一頂面與第一底面之間的多個第一傾斜表面,第一透明梯形柱狀結構之第一底面設於第一透明保護層上。所有色彩轉換膜分別設於第一透明梯形柱狀結構之所有第一傾斜表面上。第一藍光微發光二極體用以發出第一藍光,第一藍光經過第一透明保護層與第一透明梯形柱狀結構後,由第一透明梯形柱狀結構之第一頂面射出,且所有色彩轉換膜轉換第一藍光為紅光與綠光。
在本發明之一實施例中,第一藍光相對第一透明梯形柱狀結構之第一頂面之出光角為20~50度。
在本發明之一實施例中,紅光與綠光相對第一透明梯形柱狀結構之所有第一傾斜表面之出光角為35~45度。
在本發明之一實施例中,色彩轉換膜為量子點膜。
在本發明之一實施例中,所有色彩轉換膜包含二個藍綠轉換膜與二個藍紅轉換膜,第一透明梯形柱狀結構之所有第一傾斜表面之數量有四個,二個藍綠轉換膜之位置彼此相對,二個藍紅轉換膜之位置彼此相對。
在本發明之一實施例中,顯示畫素結構更包含一第二藍光微發光二極體、一第二透明保護層、一第二透明梯形柱狀結構與多個藍綠轉換膜。第二透明保護層包覆第二藍光微發光二極體。第二透明梯形柱狀結構具有一第二頂面、一第二底面與連接於第二頂面與第二底面之間的多個第二傾斜表面。第二透明梯形柱狀結構之第二底面設於第二透明保護層上,其中第二透明梯形柱狀結構與第一透明梯形柱狀結構呈一直線排列。所有藍綠轉換膜分別設於第二透明梯形柱狀結構之所有第二傾斜表面與第二頂面上。第二藍光微發光二極體用以發出第二藍光,第二藍光經過第二透明保護層與第二透明梯形柱狀結構後,所有藍綠轉換膜轉換第二藍光為綠光。
在本發明之一實施例中,藍綠轉換膜為量子點膜。
在本發明之一實施例中,顯示畫素結構更包含一第三藍光微發光二極體、一第三透明保護層與一第三透明梯形柱狀結構。第三透明保護層包覆第三藍光微發光二極體,第三透明梯形柱狀結構具有一第三頂面、一第三底面與連接於第三頂面與第三底面之間的多個第三傾斜表面。第三透明梯形柱狀結構之第三底面設於第三透明保護層上,其中第三透明梯形柱狀結構、第二透明梯形柱狀結構與第一透明梯形柱狀結構呈一L形排列。第三藍光微發光二極體用以發出第三藍光,第三藍光經過第三透明保護層與第三透明梯形柱狀結構後,從第三透明梯形柱狀結構之所有第三傾斜表面與第三頂面射出。
在本發明之一實施例中,顯示畫素結構更包含一第四藍光微發光二極體、一第四透明保護層、一第四透明梯形柱狀結構與多個藍紅轉換膜。第四透明保護層包覆第四藍光微發光二極體,第四透明梯形柱狀結構具有一第四頂面、一第四底面與連接於第四頂面與第四底面之間的多個第四傾斜表面。第四透明梯形柱狀結構之第四底面設於第四透明保護層上,其中第四透明梯形柱狀結構、第三透明梯形柱狀結構、第二透明梯形柱狀結構與第一透明梯形柱狀結構呈一方陣排列。所有藍紅轉換膜分別設於第四透明梯形柱狀結構之所有第四傾斜表面與第四頂面上。第四藍光微發光二極體用以發出第四藍光,第四藍光經過第四透明保護層與第四透明梯形柱狀結構後,所有藍紅轉換膜轉換第四藍光為紅光。
在本發明之一實施例中,藍紅轉換膜為量子點膜。
基於上述,顯示畫素結構利用透明梯形柱狀結構收斂微發光二極體之大出光角,並配合色彩轉換膜增加解析度與色彩飽和度。
茲為使 貴審查委員對本發明的結構特徵及所達成的功效更有進一步的瞭解與認識,謹佐以較佳的實施例圖及配合詳細的說明,說明如後:
本發明之實施例將藉由下文配合相關圖式進一步加以解說。盡可能的,於圖式與說明書中,相同標號係代表相同或相似構件。於圖式中,基於簡化與方便標示,形狀與厚度可能經過誇大表示。可以理解的是,未特別顯示於圖式中或描述於說明書中之元件,為所屬技術領域中具有通常技術者所知之形態。本領域之通常技術者可依據本發明之內容而進行多種之改變與修改。
當一個元件被稱為『在…上』時,它可泛指該元件直接在其他元件上,也可以是有其他元件存在於兩者之中。相反地,當一個元件被稱為『直接在』另一元件,它是不能有其他元件存在於兩者之中間。如本文所用,詞彙『及/或』包含了列出的關聯項目中的一個或多個的任何組合。
於下文中關於“一個實施例”或“一實施例”之描述係指關於至少一實施例內所相關連之一特定元件、結構或特徵。因此,於下文中多處所出現之“一個實施例”或 “一實施例”之多個描述並非針對同一實施例。再者,於一或多個實施例中之特定構件、結構與特徵可依照一適當方式而結合。
揭露特別以下述例子加以描述,這些例子僅係用以舉例說明而已,因為對於熟習此技藝者而言,在不脫離本揭示內容之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本揭示內容之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。在通篇說明書與申請專利範圍中,除非內容清楚指定,否則「一」以及「該」的意義包含這一類敘述包括「一或至少一」該元件或成分。此外,如本揭露所用,除非從特定上下文明顯可見將複數個排除在外,否則單數冠詞亦包括複數個元件或成分的敘述。而且,應用在此描述中與下述之全部申請專利範圍中時,除非內容清楚指定,否則「在其中」的意思可包含「在其中」與「在其上」。在通篇說明書與申請專利範圍所使用之用詞(terms),除有特別註明,通常具有每個用詞使用在此領域中、在此揭露之內容中與特殊內容中的平常意義。某些用以描述本揭露之用詞將於下或在此說明書的別處討論,以提供從業人員(practitioner)在有關本揭露之描述上額外的引導。在通篇說明書之任何地方之例子,包含在此所討論之任何用詞之例子的使用,僅係用以舉例說明,當然不限制本揭露或任何例示用詞之範圍與意義。同樣地,本揭露並不限於此說明書中所提出之各種實施例。
可了解如在此所使用的用詞「包含(comprising)」、「包含(including)」、「具有(having)」、「含有(containing)」、「包含(involving)」等等,為開放性的(open-ended),即意指包含但不限於。另外,本發明的任一實施例或申請專利範圍不須達成本發明所揭露之全部目的或優點或特點。此外,摘要部分和標題僅是用來輔助專利文件搜尋之用,並非用來限制發明作之申請專利範圍。
在此所使用的用詞「實質上(substantially)」、「大約(around)」、「約(about)」或「近乎(approximately)」應大體上意味在給定值或範圍的20%以內,較佳係在10%以內。此外,在此所提供之數量可為近似的,因此意味著若無特別陳述,可用詞「大約」、「約」或「近乎」加以表示。當一數量、濃度或其他數值或參數有指定的範圍、較佳範圍或表列出上下理想值之時,應視為特別揭露由任何上下限之數對或理想值所構成的所有範圍,不論該等範圍是否分別揭露。舉例而言,如揭露範圍某長度為X公分到Y公分,應視為揭露長度為H公分且H可為X到Y之間之任意實數。
除非特別說明,一些條件句或字詞,例如「可以(can)」、「可能(could)」、「也許(might)」,或「可(may)」,通常是試圖表達本案實施例具有,但是也可以解釋成可能不需要的特徵、元件,或步驟。在其他實施例中,這些特徵、元件,或步驟可能是不需要的。
微發光二極體具備液晶顯示器與有機發光二極體之兩大顯示技術優點,且補其不足,被視為新世代顯示器技術,目前大多為開發階段,其顯示技術如何達至量產為一大課題。微發光二極體之光場型大多為朗柏(Lambertian)分布,用於影像顯示器需額外搭配,如色彩轉換膜、陣列式透鏡或漏斗管型陣列。本發明採藍光色彩轉換膜,搭配結構式陣列,具有收斂微發光二極體之大角度出光、提升解析度與色彩飽和度等優點。此種藍光色彩轉換膜將可釋出紅與綠色頻譜的量子點材料做成膜片,當用藍光照射,加上原照射的藍光就可組成頻譜獨立,頻寬極窄的紅綠藍三種色光。相較白光發光二極體的頻譜,用藍光發光二極體搭配量子點膜的有絕對優異的紅綠藍獨立頻譜。光激發光可將量子點視為新世代之量子螢光粉,量子點吸收高能量的背光光源,如藍光、紫外光後,經由量子點內部能階轉換為高純度紅光或綠光。相比傳統微米螢光粉,如黃光YAG螢光粉產生之寬波峰色光,後者需再透過濾色片濾除紅、綠以外的雜色光,以達到紅、綠、藍三原色光之顯示器需求。
以下將提出一種本發明之顯示畫素結構,其利用透明梯形柱狀結構收斂微發光二極體之大出光角,並配合色彩轉換膜增加解析度與色彩飽和度。
第1圖為本發明之一實施例之顯示畫素結構之結構剖視圖。第2圖為本發明之一實施例之顯示畫素結構之結構俯視圖。請參閱第1圖與第2圖,顯示畫素結構100包含一第一藍光微發光二極體110、一第一透明保護層111、一第一透明梯形柱狀結構112與多個色彩轉換膜113。第一透明保護層111之材質可為乙烯醋酸乙烯酯或聚對苯二甲酸乙二酯等等透明可塑材料,但本發明不限於此,其中乙烯醋酸乙烯酯可為熱壓製成。第一透明梯形柱狀結構112之材質可為聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或BK7玻璃等透明材質,並採捲對捲(roll to roll)製程,但本發明不限於此。第一透明保護層111包覆第一藍光微發光二極體110,第一透明梯形柱狀結構112具有一第一頂面、一第一底面與連接於第一頂面與第一底面之間的多個第一傾斜表面,第一透明梯形柱狀結構112之第一底面設於第一透明保護層111上。
所有色彩轉換膜113分別設於第一透明梯形柱狀結構112之所有第一傾斜表面上。第一藍光微發光二極體110用以發出第一藍光,第一藍光經過第一透明保護層111與第一透明梯形柱狀結構112後,由第一透明梯形柱狀結構112之第一頂面射出,且所有色彩轉換膜113轉換第一藍光為紅光與綠光,使被射出的第一藍光、紅光與綠光形成白光。具體而言,所有色彩轉換膜113可包含二個藍綠轉換膜1130與二個藍紅轉換膜1131,第一透明梯形柱狀結構112之所有第一傾斜表面之數量有四個,二個藍綠轉換膜1130之位置彼此相對,二個藍紅轉換膜1131之位置彼此相對,但本發明並不限制二個藍綠轉換膜1130與二個藍紅轉換膜1131之位置。藍綠轉換膜1130用以將藍光轉換成綠光,藍紅轉換膜1131用以將藍光轉換成紅光。此外,所有色彩轉換膜113可為量子點膜,量子點膜可採噴塗技術或三維貼合技術形成於第一透明梯形柱狀結構112之所有第一傾斜表面上。若採噴塗技術,可直接將量子點膜噴塗於第一透明梯形柱狀結構112之所有第一傾斜表面上。若採三維貼合技術,則可先將量子點膜以預定位置形成於一透明膠膜上,再將此透明膠膜貼合於第一透明梯形柱狀結構112之所有第一傾斜表面與第一頂面上,使量子點膜位於第一透明梯形柱狀結構112之所有第一傾斜表面上。在一較佳實施例中,第一透明梯形柱狀結構112之第一頂面與第一底面可皆為正方形,其中第一頂面之邊長、第一透明梯形柱狀結構112之高度與第一底面之邊長的比實質上為1.8:3.5:4,但本發明不限於此。為了收斂第一藍光微發光二極體110之大角度出光,以增加解析度與色彩飽和度,根據司乃爾定律,可設計第一透明梯形柱狀結構112使第一藍光相對第一透明梯形柱狀結構112之第一頂面之出光角為20~50度。同樣地,亦可設計第一透明梯形柱狀結構112之第一傾斜表面的角度,使紅光與綠光相對第一透明梯形柱狀結構112之所有第一傾斜表面之出光角為35~45度,但本發明並不限於上述角度。圖中的線條代表出光軌跡。
顯示畫素結構100更可包含一第二藍光微發光二極體120、一第二透明保護層121、一第二透明梯形柱狀結構122與多個藍綠轉換膜123。第二透明保護層121之材質可為乙烯醋酸乙烯酯或聚對苯二甲酸乙二酯等等透明可塑材料,但本發明不限於此,其中乙烯醋酸乙烯酯可為熱壓製成。第二透明梯形柱狀結構122之材質可為聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或BK7玻璃等透明材質,並採捲對捲製程,但本發明不限於此。第二透明保護層121包覆第二藍光微發光二極體120。第二透明梯形柱狀結構122具有一第二頂面、一第二底面與連接於第二頂面與第二底面之間的多個第二傾斜表面。第二透明梯形柱狀結構122之第二底面設於第二透明保護層121上,其中第二透明梯形柱狀結構122與第一透明梯形柱狀結構112可呈一直線排列。
所有藍綠轉換膜123分別設於第二透明梯形柱狀結構112之所有第二傾斜表面與第二頂面上。第二藍光微發光二極體120用以發出第二藍光,第二藍光經過第二透明保護層121與第二透明梯形柱狀結構122後,所有藍綠轉換膜123轉換第二藍光為綠光。此外,所有藍綠轉換膜123可為量子點膜,量子點膜可採噴塗技術或三維貼合技術形成於第二透明梯形柱狀結構122之所有第二傾斜表面與第二頂面上。若採噴塗技術,可直接將量子點膜噴塗於第二透明梯形柱狀結構122之所有第二傾斜表面與第二頂面上。若採三維貼合技術,則可先將量子點膜以預定位置形成於一透明膠膜上,再將此透明膠膜貼合於第二透明梯形柱狀結構122之所有第二傾斜表面與第二頂面上,使量子點膜位於第二透明梯形柱狀結構122之所有第二傾斜表面與第二頂面上。在一較佳實施例中,第二透明梯形柱狀結構122之第二頂面與第二底面可皆為正方形,其中第二頂面之邊長、第二透明梯形柱狀結構122之高度與第二底面之邊長的比實質上為1.8:3.5:4,但本發明不限於此。為了收斂第二藍光微發光二極體120之大角度出光,以增加解析度與色彩飽和度,根據司乃爾定律,可設計第二透明梯形柱狀結構122使綠光相對第二透明梯形柱狀結構122之第二頂面之出光角為20~50度。同樣地,亦可設計第二透明梯形柱狀結構122之第二傾斜表面的角度,使綠光相對第二透明梯形柱狀結構122之所有第二傾斜表面之出光角為35~45度,但本發明並不限於上述角度。圖中的線條代表出光軌跡。
顯示畫素結構100更可包含一第三藍光微發光二極體130、一第三透明保護層131與一第三透明梯形柱狀結構132。第三透明保護層131之材質可為乙烯醋酸乙烯酯或聚對苯二甲酸乙二酯等等透明可塑材料,但本發明不限於此,其中乙烯醋酸乙烯酯可為熱壓製成。第三透明梯形柱狀結構132之材質可為聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或BK7玻璃等透明材質,並採捲對捲製程,但本發明不限於此。第三透明保護層131包覆第三藍光微發光二極體130,第三透明梯形柱狀結構132具有一第三頂面、一第三底面與連接於第三頂面與第三底面之間的多個第三傾斜表面。第三透明梯形柱狀結構132之第三底面設於第三透明保護層131上,其中第三透明梯形柱狀結構132、第二透明梯形柱狀結構122與第一透明梯形柱狀結構112呈一L形排列。
第三藍光微發光二極體130用以發出第三藍光,第三藍光經過第三透明保護層131與第三透明梯形柱狀結構132後,從第三透明梯形柱狀結構132之所有第三傾斜表面與第三頂面射出。在一較佳實施例中,第三透明梯形柱狀結構132之第三頂面與第三底面可皆為正方形,其中第三頂面之邊長、第三透明梯形柱狀結構132之高度與第三底面之邊長的比實質上為1.8:3.5:4,但本發明不限於此。為了收斂第三藍光微發光二極體130之大角度出光,以增加解析度與色彩飽和度,根據司乃爾定律,可設計第三透明梯形柱狀結構132使藍光相對第三透明梯形柱狀結構132之第三頂面之出光角為20~50度。同樣地,亦可設計第三透明梯形柱狀結構132之第三傾斜表面的角度,使藍光相對第三透明梯形柱狀結構132之所有第三傾斜表面之出光角為35~45度,但本發明並不限於上述角度。圖中的線條代表出光軌跡。
顯示畫素結構100更可包含一第四藍光微發光二極體140、一第四透明保護層141、一第四透明梯形柱狀結構142與多個藍紅轉換膜143。第四透明保護層141之材質可為乙烯醋酸乙烯酯或聚對苯二甲酸乙二酯等等透明可塑材料,但本發明不限於此,其中乙烯醋酸乙烯酯可為熱壓製成。第四透明梯形柱狀結構142之材質可為聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或BK7玻璃等透明材質,並採捲對捲製程,但本發明不限於此。第四透明保護層141包覆第四藍光微發光二極體140,第四透明梯形柱狀結構142具有一第四頂面、一第四底面與連接於第四頂面與第四底面之間的多個第四傾斜表面。第四透明梯形柱狀結構142之第四底面設於第四透明保護層141上,其中第四透明梯形柱狀結構142、第三透明梯形柱狀結構132、第二透明梯形柱狀結構122與第一透明梯形柱狀結構112呈一方陣排列。
所有藍紅轉換膜143分別設於第四透明梯形柱狀結構142之所有第四傾斜表面與第四頂面上。第四藍光微發光二極體140用以發出第四藍光,第四藍光經過第四透明保護層141與第四透明梯形柱狀結構142後,所有藍紅轉換膜143轉換第四藍光為紅光。此外,所有藍紅轉換膜143可為量子點膜,量子點膜可採噴塗技術或三維貼合技術形成於第四透明梯形柱狀結構142之所有第四傾斜表面與第四頂面上。若採噴塗技術,可直接將量子點膜噴塗於第四透明梯形柱狀結構142之所有第四傾斜表面與第四頂面上。若採三維貼合技術,則可先將量子點膜以預定位置形成於一透明膠膜上,再將此透明膠膜貼合於第四透明梯形柱狀結構142之所有第四傾斜表面與第四頂面上,使量子點膜位於第四透明梯形柱狀結構142之所有第四傾斜表面與第四頂面上。在一較佳實施例中,第四透明梯形柱狀結構142之第四頂面與第四底面可皆為正方形,其中第四頂面之邊長、第四透明梯形柱狀結構142之高度與第四底面之邊長的比實質上為1.8:3.5:4,但本發明不限於此。為了收斂第四藍光微發光二極體140之大角度出光,以增加解析度與色彩飽和度,根據司乃爾定律,可設計第四透明梯形柱狀結構142使綠光相對第四透明梯形柱狀結構142之第四頂面之出光角為20~50度。同樣地,亦可設計第四透明梯形柱狀結構142之第四傾斜表面的角度,使紅光相對第四透明梯形柱狀結構142之所有第四傾斜表面之出光角為35~45度,但本發明並不限於上述角度。圖中的線條代表出光軌跡。
若將第一藍光微發光二極體110、第二藍光微發光二極體120、第三藍光微發光二極體130與第四藍光微發光二極體140分別對應之結構分別視為白光元件、綠光元件、藍光元件與紅光元件,並將此四個元件視為一個完整的畫素結構,將藉此方陣可提升色彩飽和度。
第3圖為本發明之三原色之畫素結構呈Pentile排列之示意圖。第4圖為本發明之三原色之畫素結構呈鑽石排列之示意圖。第5圖為本發明之三原色之畫素結構呈Delta排列之示意圖。請參閱第3圖、第4圖與第5圖,其中紅色畫素20、綠色畫素21與藍色畫素22可分別對應上述的紅光元件、綠光元件與藍光元件,也就是說,本發明並不限制紅光元件、綠光元件與藍光元件之位置與面積大小,紅光元件、綠光元件與藍光元件可以上述Pentile排列、鑽石排列或Delta排列來實現。
第6圖為本發明之顯示畫素結構之亮度分布圖。請參閱第6圖,第6圖是表示多個顯示畫素結構100的亮度分布,由圖可知,梯形柱狀結構能產生類似畫素之功能,且使發光二極體之亮度均勻化,與缺乏梯形柱狀結構之畫素結構不同。
根據上述實施例,顯示畫素結構利用透明梯形柱狀結構收斂微發光二極體之大出光角,並配合色彩轉換膜增加解析度與色彩飽和度。
以上所述者,僅為本發明一較佳實施例而已,並非用來限定本發明實施之範圍,故舉凡依本發明申請專利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所為之均等變化與修飾,均應包括於本發明之申請專利範圍內。
100:顯示畫素結構 110:第一藍光微發光二極體 111:第一透明保護層 112:第一透明梯形柱狀結構 113:色彩轉換膜 1130:藍綠轉換膜 1131:藍紅轉換膜 120:第二藍光微發光二極體 121:第二透明保護層 122:第二透明梯形柱狀結構 123:藍綠轉換膜 130:第三藍光微發光二極體 131:第三透明保護層 132:第三透明梯形柱狀結構 133:軟性電路板 140:第四藍光微發光二極體 141:第四透明保護層 142:第四透明梯形柱狀結構 143:藍紅轉換膜 20:紅色畫素 21:綠色畫素 22:藍色畫素
第1圖為本發明之一實施例之第一藍光微發光二極體對應之顯示畫素結構之結構剖視圖。 第2圖為本發明之一實施例之顯示畫素結構之結構俯視圖。 第3圖為本發明之三原色之畫素結構呈Pentile排列之示意圖。 第4圖為本發明之三原色之畫素結構呈鑽石排列之示意圖。 第5圖為本發明之三原色之畫素結構呈Delta排列之示意圖。 第6圖為本發明之顯示畫素結構之亮度分布圖。
100:顯示畫素結構
110:第一藍光微發光二極體
111:第一透明保護層
112:第一透明梯形柱狀結構
113:色彩轉換膜
1130:藍綠轉換膜
1131:藍紅轉換膜
120:第二藍光微發光二極體
121:第二透明保護層
122:第二透明梯形柱狀結構
123:藍綠轉換膜
130:第三藍光微發光二極體
131:第三透明保護層
132:第三透明梯形柱狀結構
133:軟性電路板
140:第四藍光微發光二極體
141:第四透明保護層
142:第四透明梯形柱狀結構
143:藍紅轉換膜

Claims (10)

  1. 一種顯示畫素結構,包含: 一第一藍光微發光二極體; 一第一透明保護層,包覆該第一藍光微發光二極體; 一第一透明梯形柱狀結構,具有一第一頂面、一第一底面與連接於該第一頂面與該第一底面之間的多個第一傾斜表面,該第一透明梯形柱狀結構之該第一底面設於該第一透明保護層上;以及 多個色彩轉換膜,分別設於該第一透明梯形柱狀結構之該多個第一傾斜表面上,其中該第一藍光微發光二極體用以發出第一藍光,該第一藍光經過該第一透明保護層與該第一透明梯形柱狀結構後,由該第一透明梯形柱狀結構之該第一頂面射出,且該多個色彩轉換膜轉換該第一藍光為紅光與綠光。
  2. 如請求項1所述之顯示畫素結構,其中該第一藍光相對該第一透明梯形柱狀結構之該第一頂面之出光角為20~50度。
  3. 如請求項1所述之顯示畫素結構,其中該紅光與該綠光相對該第一透明梯形柱狀結構之該多個第一傾斜表面之出光角為35~45度。
  4. 如請求項1所述之顯示畫素結構,其中該多個色彩轉換膜為量子點膜。
  5. 如請求項1所述之顯示畫素結構,其中該多個色彩轉換膜包含二個藍綠轉換膜與二個藍紅轉換膜,該第一透明梯形柱狀結構之該多個第一傾斜表面之數量有四個,該二個藍綠轉換膜之位置彼此相對,該二個藍紅轉換膜之位置彼此相對。
  6. 如請求項1所述之顯示畫素結構,更包含: 一第二藍光微發光二極體; 一第二透明保護層,包覆該第二藍光微發光二極體; 一第二透明梯形柱狀結構,具有一第二頂面、一第二底面與連接於該第二頂面與該第二底面之間的多個第二傾斜表面,該第二透明梯形柱狀結構之該第二底面設於該第二透明保護層上,其中該第二透明梯形柱狀結構與該第一透明梯形柱狀結構呈一直線排列;以及 多個藍綠轉換膜,分別設於該第二透明梯形柱狀結構之該多個第二傾斜表面與該第二頂面上,其中該第二藍光微發光二極體用以發出第二藍光,該第二藍光經過該第二透明保護層與該第二透明梯形柱狀結構後,該多個藍綠轉換膜轉換該第二藍光為綠光。
  7. 如請求項6所述之顯示畫素結構,其中該藍綠轉換膜為量子點膜。
  8. 如請求項6所述之顯示畫素結構,更包含: 一第三藍光微發光二極體; 一第三透明保護層,包覆該第三藍光微發光二極體;以及 一第三透明梯形柱狀結構,具有一第三頂面、一第三底面與連接於該第三頂面與該第三底面之間的多個第三傾斜表面,該第三透明梯形柱狀結構之該第三底面設於該第三透明保護層上,其中該第三透明梯形柱狀結構、該第二透明梯形柱狀結構與該第一透明梯形柱狀結構呈一L形排列,該第三藍光微發光二極體用以發出第三藍光,該第三藍光經過該第三透明保護層與該第三透明梯形柱狀結構後,從該第三透明梯形柱狀結構之該多個第三傾斜表面與該第三頂面射出。
  9. 如請求項8所述之顯示畫素結構,更包含: 一第四藍光微發光二極體; 一第四透明保護層,包覆該第四藍光微發光二極體; 一第四透明梯形柱狀結構,具有一第四頂面、一第四底面與連接於該第四頂面與該第四底面之間的多個第四傾斜表面,該第四透明梯形柱狀結構之該第四底面設於該第四透明保護層上,其中該第四透明梯形柱狀結構、該第三透明梯形柱狀結構、該第二透明梯形柱狀結構與該第一透明梯形柱狀結構呈一方陣排列;以及 多個藍紅轉換膜,分別設於該第四透明梯形柱狀結構之該多個第四傾斜表面與該第四頂面上,其中該第四藍光微發光二極體用以發出第四藍光,該第四藍光經過該第四透明保護層與該第四透明梯形柱狀結構後,該多個藍紅轉換膜轉換該第四藍光為紅光。
  10. 如請求項9所述之顯示畫素結構,其中該藍紅轉換膜為量子點膜。
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CN117153995A (zh) * 2023-10-30 2023-12-01 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司 一种led封装膜层及led封装结构

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006245020A (ja) * 2005-02-28 2006-09-14 Sharp Corp 発光ダイオード素子とその製造方法
JP5262054B2 (ja) * 2007-10-10 2013-08-14 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US9640737B2 (en) * 2011-01-31 2017-05-02 Cree, Inc. Horizontal light emitting diodes including phosphor particles
TW201114073A (en) * 2009-10-02 2011-04-16 Everlight Electronics Co Ltd Light-emitting diode structure
CN202495474U (zh) * 2012-03-19 2012-10-17 佛山市国星光电股份有限公司 一种发光二极管封装结构
TWI588985B (zh) * 2016-04-22 2017-06-21 友達光電股份有限公司 微型發光二極體結構及其畫素單元與發光二極體顯示面板
CN207542276U (zh) * 2017-06-07 2018-06-26 深圳市新光台电子科技股份有限公司 一种高出光率均匀配光的led透镜模块
JP6703312B2 (ja) * 2018-05-31 2020-06-03 日亜化学工業株式会社 発光モジュールおよび面発光光源
CN109256456B (zh) * 2018-09-19 2020-04-10 福州大学 一种实现Micro-LED显示出光效率提升和窜扰降低的微结构及其制造方法
CN112234070B (zh) * 2019-06-27 2022-12-13 成都辰显光电有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法
CN111048498A (zh) * 2019-11-22 2020-04-21 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及显示装置的制作方法

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