CN108873465B - 量子点显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

量子点显示基板及其制作方法、显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种量子点显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，量子点显示基板，包括黑矩阵图形和多个量子点发光单元，所述量子点发光单元位于所述黑矩阵图形限定出的发光区域内，能够发出不同颜色的单色光，所述量子点显示基板还包括：位于相邻量子点发光单元之间的反光挡墙，所述反光挡墙对蓝光的反射率大于预设阈值。通过本发明的技术方案，能够防止量子点发光单元间误激发引起的混色，并通过像素内的蓝光反射提升蓝光的利用率，可大大提高显示装置的色域和对比度。

Description

量子点显示基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是指一种量子点显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
量子点(Quantum Dots，QDs)，又称为纳米晶，是一种由II－VI族或III－V族元素构成的纳米颗粒。量子点的粒径一般介于1～20nm之间，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成分立的能级结构，受激后可以发射荧光。
基于量子效应，量子点在太阳能电池，发光器件，光学生物标记等领域具有广泛的应用前景。利用量子点可以制成量子点显示基板，具有色域高、功耗低等优点。
量子点显示基板上设置有多个量子点发光单元，多个量子点发光单元在蓝光激发下能够发出不同颜色的光，但是量子点发光单元未完全吸收的蓝光会激发相邻的量子点发光单元发光，造成混色以及串色。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种量子点显示基板及其制作方法、显示装置，能够防止量子点发光单元间误激发引起的混色，可大大提高显示装置的色域和对比度。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
一方面，提供一种量子点显示基板，包括黑矩阵图形和多个量子点发光单元，所述量子点发光单元位于所述黑矩阵图形限定出的发光区域内，所述量子点显示基板还包括：位于相邻量子点发光单元之间的反光挡墙，所述反光挡墙对蓝光的反射率大于预设阈值。
进一步地，所述预设阈值为80％。
进一步地，所述反光挡墙的高度不小于所述量子点发光单元的高度。
进一步地，所述反光挡墙包括：
透光挡墙；
覆盖所述透光挡墙的反光层，所述反光层对蓝光的反射率大于预设阈值。
进一步地，所述反光层包括至少一个第一折射薄膜和至少一个第二折射薄膜，所述第一折射薄膜和所述第二折射薄膜交替层叠设置，所述第一折射薄膜和第二折射薄膜的折射率不同，所述第一折射薄膜和所述第二折射薄膜的材料选自TiO2、SiO2、SiNx和SiNO。
进一步地，所述第一折射薄膜采用TiO2，所述第二折射薄膜采用SiO2，所述反光层包括：
4个第一折射薄膜、3个第二折射薄膜；或
5个第一折射薄膜、4个第二折射薄膜；或
6个第一折射薄膜、5个第二折射薄膜；或
7个第一折射薄膜、6个第二折射薄膜。
进一步地，所述量子点发光单元包括能够发出红光的红光量子点发光单元、能够发出绿光的绿光量子点发光单元和能够发出蓝光的蓝光量子点发光单元；或
所述量子点发光单元包括能够发出红光的红光量子点发光单元和能够发出绿光的绿光量子点发光单元，所述量子点显示基板还包括用以透射蓝光的透光单元，所述透光单元与相邻的量子点发光单元之间设置有所述反光挡墙。
本发明实施例还提供了一种量子点显示基板的制作方法，包括形成黑矩阵图形和多个量子点发光单元，所述量子点发光单元位于所述黑矩阵图形限定出的发光区域内，所述制作方法还包括：
在相邻量子点发光单元之间形成反光挡墙，所述反光挡墙对蓝光的反射率大于预设阈值。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的量子点显示基板。
进一步地，所述显示装置还包括：
蓝光背光模组；
位于所述蓝光背光模组出光侧的液晶面板；
所述量子点显示基板位于所述液晶面板背向所述蓝光背光模组的一侧。
进一步地，所述显示装置还包括：
位于所述液晶面板和所述蓝光背光模组之间的第一偏振片；
位于所述液晶面板和所述量子点显示基板之间的第二偏振片，所述第二偏振片的透光轴方向与所述第一偏振片的透光轴方向垂直。
本发明的实施例具有以下有益效果：
上述方案中，在相邻量子点发光单元之间设计反光挡墙，反光挡墙对蓝光的反射率大于预设阈值，这样可以有效避免量子点发光单元未完全吸收的蓝光射入到相邻的量子点发光单元中，进而避免量子点发光单元未完全吸收的蓝光激发相邻的量子点发光单元发光，能够防止量子点发光单元间误激发引起的混色，同时被反射的蓝光又可以重新进入量子点发光单元，实现蓝光的循环利用，提高发光效率；可大大提高显示装置的色域和对比度。
附图说明
图1为现有量子点显示基板的示意图；
图2为本发明实施例不同层数的反光层的透光率曲线示意图；
图3为本发明实施例量子点显示基板的示意图；
图4为本发明实施例形成透光挡墙后的示意图；
图5为本发明实施例形成反光层后的示意图；
图6为本发明实施例显示装置的示意图；
附图标记
1 黑矩阵图形
2 红光量子点发光单元
3 绿光量子点发光单元
4 透光单元
5 透光挡墙
6 反光层
7 金属线栅偏振片
8 液晶面板
9 蓝光背光模组
S1 包括7层折射薄膜的反光层的透光率曲线
S2 包括9层折射薄膜的反光层的透光率曲线
S3 包括11层折射薄膜的反光层的透光率曲线
S4 包括13层折射薄膜的反光层的透光率曲线
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
图1为现有量子点显示基板的示意图，如图1所示，现有的量子点显示基板包括位于衬底基板上的黑矩阵图形1和多个量子点发光单元(包括红光量子点发光单元2和绿光量子点发光单元3)，量子点发光单元位于黑矩阵图形1限定出的发光区域内，在受到蓝光激光时，量子点发光单元能够发出不同颜色的单色光，量子点显示基板还包括透光单元4，用于透射蓝光。如图1所示，在透光单元4点亮时，透光单元4透射的蓝光会同时到达相邻的红光量子点发光单元2和绿光量子点发光单元3，激发相邻的红光量子点发光单元2和绿光量子点发光单元3发光；或者，在红光量子点发光单元2或绿光量子点发光单元3点亮时，由于红光量子点发光单元2和绿光量子点发光单元3对蓝光的吸收率难以达到100％，因此，会有少量未被吸收的蓝光进入到相邻像素，激发相邻的量子点发光单元发光，造成混色以及串色。
为了解决上述问题，本发明的实施例提供一种量子点显示基板及其制作方法、显示装置，能够防止量子点发光单元间误激发引起的混色，可大大提高显示装置的色域和对比度。
本发明实施例提供一种量子点显示基板，包括黑矩阵图形和多个量子点发光单元，所述量子点发光单元位于所述黑矩阵图形限定出的发光区域内，所述量子点显示基板还包括：位于相邻量子点发光单元之间的反光挡墙，所述反光挡墙对蓝光的反射率大于预设阈值。
本实施例中，在相邻量子点发光单元之间设计反光挡墙，反光挡墙对蓝光的反射率大于预设阈值，这样可以有效避免量子点发光单元未完全吸收的蓝光射入到相邻的量子点发光单元中，进而避免量子点发光单元未完全吸收的蓝光激发相邻的量子点发光单元发光，能够防止量子点发光单元间误激发引起的混色，可大大提高显示装置的色域和对比度。
其中，反光挡墙是对蓝光进行反射，而不是对蓝光进行吸收。这样未被量子点发光单元完全吸收的蓝光照射到反光挡墙上后，会被反光挡墙反射回量子点发光单元，继续激发量子点发光单元发光，能够提高对蓝光的利用率。由于量子点发光单元仅会在蓝光的激发下发光，因此，反光挡墙仅需要对蓝光进行反射，而不需要对其他波长的光进行反射。当然，反光挡墙也可以对其他波长的光也进行反射。
具体地，所述预设阈值为80％，即反光挡墙对蓝光的反射率大于80％，，这样可以将照射到反光挡墙上的大部分蓝光反射回量子点发光单元，继续激发量子点发光单元发光，大大提高对蓝光的利用率。
反光挡墙的高度越大，则反射的蓝光越多，优选地，所述反光挡墙的高度不小于所述量子点发光单元的高度。但反光挡墙的高度也不宜设置的过大，因为反光挡墙的高度越高，量子点显示基板的成本也随之越高。具体地，可以将反光挡墙的高度设置为与量子点发光单元的高度相等，只要反光挡墙的高度不小于量子点发光单元的高度，就可以有效防止量子点发光单元间误激发引起的混色。
具体地，可以采用层叠设置的多层折射薄膜组成反光结构来对蓝光进行反射，但是量子点发光单元的厚度一般都比较大，达到微米级别(一般为5-6微米)，而折射薄膜的厚度一般都比较小，为纳米级别，如果完全采用多层折射薄膜来组成反光挡墙，将需要多达数十层甚至数百层的折射薄膜，对工艺的要求将会很高，因此，可以在反光挡墙的内部设置一透光挡墙，在透光挡墙上覆盖数层或数十层折射薄膜组成反光挡墙，这样可以大大降低对工艺的要求。
具体地，所述反光挡墙包括：
透光挡墙；
覆盖所述透光挡墙的反光层，所述反光层对蓝光的反射率大于预设阈值。
具体地，所述反光层包括至少一个第一折射薄膜和至少一个第二折射薄膜，所述第一折射薄膜和所述第二折射薄膜交替层叠设置，所述第一折射薄膜和第二折射薄膜的折射率不同，所述第一折射薄膜和所述第二折射薄膜的材料选自TiO2、SiO2、SiNx和SiNO，通过对第一折射薄膜和第二折射薄膜的厚度进行调整，可以调整反光层对蓝光的反射率。当然，所述第一折射薄膜和所述第二折射薄膜的材料并不局限于采用TiO2、SiO2、SiNx和SiNO，还可以采用其他折射率材料。
一具体实施例中，所述第一折射薄膜采用TiO2，所述第二折射薄膜采用SiO2，所述反光层包括：
4个第一折射薄膜、3个第二折射薄膜；或
5个第一折射薄膜、4个第二折射薄膜；或
6个第一折射薄膜、5个第二折射薄膜；或
7个第一折射薄膜、6个第二折射薄膜。
其中，在所述第一折射薄膜采用TiO2，所述第二折射薄膜采用SiO2，反光层包括4个第一折射薄膜、3个第二折射薄膜时，第一层TiO2的厚度可以为14.44nm，第二层SiO2的厚度可以为66.27nm，第三层TiO2的厚度可以为28.89nm，第四层SiO2的厚度可以为66.27nm，第五层TiO2的厚度可以为28.89nm，第六层SiO2的厚度可以为66.27nm，第七层TiO2的厚度可以为14.44nm，图2为本发明实施例不同层数的反光层的透光率曲线示意图，S1为包括7层折射薄膜的反光层的透光率曲线，可以看出，该种结构设计可以使得反光层对蓝光(波长为380-460nm)的反射率达到80％以上。
其中，在所述第一折射薄膜采用TiO2，所述第二折射薄膜采用SiO2，反光层包括5个第一折射薄膜、4个第二折射薄膜时，第一层TiO2的厚度可以为14.44nm，第二层SiO2的厚度可以为66.27nm，第三层TiO2的厚度可以为28.89nm，第四层SiO2的厚度可以为66.27nm，第五层TiO2的厚度可以为28.89nm，第六层SiO2的厚度可以为66.27nm，第七层TiO2的厚度可以为28.89nm，第八层SiO2的厚度可以为66.27nm，第九层TiO2的厚度可以为14.44nm，图2为本发明实施例不同层数的反光层的透光率曲线示意图，S2为包括9层折射薄膜的反光层的透光率曲线，可以看出，该种结构设计可以使得反光层对蓝光(波长为380-460nm)的反射率达到90％以上。
其中，在所述第一折射薄膜采用TiO2，所述第二折射薄膜采用SiO2，反光层包括6个第一折射薄膜、5个第二折射薄膜时，第一层TiO2的厚度可以为14.44nm，第二层SiO2的厚度可以为66.27nm，第三层TiO2的厚度可以为28.89nm，第四层SiO2的厚度可以为66.27nm，第五层TiO2的厚度可以为28.89nm，第六层SiO2的厚度可以为66.27nm，第七层TiO2的厚度可以为28.89nm，第八层SiO2的厚度可以为66.27nm，第九层TiO2的厚度可以为28.89nm，第十层SiO2的厚度可以为66.27nm，第十一层TiO2的厚度可以为14.44nm，图2为本发明实施例不同层数的反光层的透光率曲线示意图，S3为包括11层折射薄膜的反光层的透光率曲线，可以看出，该种结构设计可以使得反光层对蓝光(波长为380-460nm)的反射率达到93％以上。
其中，在所述第一折射薄膜采用TiO2，所述第二折射薄膜采用SiO2，反光层包括7个第一折射薄膜、6个第二折射薄膜时，第一层TiO2的厚度可以为14.44nm，第二层SiO2的厚度可以为66.27nm，第三层TiO2的厚度可以为28.89nm，第四层SiO2的厚度可以为66.27nm，第五层TiO2的厚度可以为28.89nm，第六层SiO2的厚度可以为66.27nm，第七层TiO2的厚度可以为28.89nm，第八层SiO2的厚度可以为66.27nm，第九层TiO2的厚度可以为28.89nm，第十层SiO2的厚度可以为66.27nm，第十一层TiO2的厚度可以为28.89nm，第十二层SiO2的厚度可以为66.27nm，第十三层TiO2的厚度可以为14.44nm，图2为本发明实施例不同层数的反光层的透光率曲线示意图，S4为包括13层折射薄膜的反光层的透光率曲线，可以看出，该种结构设计可以使得反光层对蓝光(波长为380-460nm)的反射率达到95％以上。
由图2可以看出，不同层数的折射薄膜对蓝光的透光率和反射率均有差异，通过调整每层折射薄膜的厚度，可以使得反光层对蓝光的反射效率达到一个较高的数值。另外，随着层数的增加，对蓝光的透光率越低，反射率越高，对反射的蓝光光谱的成分也有改变。
一具体实施例中，如图3所示，量子点显示基板包括位于衬底基板上的黑矩阵图形1和多个量子点发光单元，包括红光量子点发光单元2和绿光量子点发光单元3，量子点发光单元位于黑矩阵图形1限定出的发光区域内，在受到蓝光激光时，量子点反光单元能够发出不同颜色的单色光，量子点显示基板还包括透光单元4，用于透射蓝光。如图3所示，相邻量子点发光单元之间、量子点发光单元和透光单元4之间设置有反光挡墙，反光挡墙包括透光挡墙5和覆盖透光挡墙5的反光层6。在透光单元4点亮时，透光单元4透射的蓝光照射到反光挡墙上，被反光挡墙反射，不会照射到相邻的量子点发光单元上，这样相邻的量子点发光单元不会误激发；同时，在红光量子点发光单元2或绿光量子点发光单元3点亮时，由于红光量子点发光单元2和绿光量子点发光单元3对蓝光的吸收率难以达到100％，未被红光量子点发光单元2或绿光量子点发光单元3完全吸收的蓝光照射到反光挡墙上，被反光挡墙反射，不会照射到相邻的量子点发光单元上，这样相邻的量子点发光单元不会误激发，从而能够消除混色现象，提高显示产品的色域和对比度。
进一步地，量子点显示基板上的透光单元4还可以替换为能够发出蓝光的蓝光量子点发光单元，即量子点显示基板上设置有能够发出红光的红光量子点发光单元、能够发出绿光的绿光量子点发光单元和能够发出蓝光的蓝光量子点发光单元，在其中任一个量子点发光单元被激发时，未被量子点发光单元完全吸收的蓝光照射到反光挡墙上，被反光挡墙反射，不会照射到相邻的量子点发光单元上，这样相邻的量子点发光单元不会误激发，从而能够消除混色现象，提高显示产品的色域和对比度。
本发明实施例还提供了一种量子点显示基板的制作方法，包括形成黑矩阵图形和多个量子点发光单元，所述量子点发光单元位于所述黑矩阵图形限定出的发光区域内，所述制作方法还包括：
在相邻量子点发光单元之间形成反光挡墙，所述反光挡墙对蓝光的反射率大于预设阈值。
本实施例中，在相邻量子点发光单元之间设计反光挡墙，反光挡墙对蓝光的反射率大于预设阈值，这样可以有效避免量子点发光单元未完全吸收的蓝光射入到相邻的量子点发光单元中，进而避免量子点发光单元未完全吸收的蓝光激发相邻的量子点发光单元发光，能够防止量子点发光单元间误激发引起的混色，可大大提高显示装置的色域和对比度。
其中，反光挡墙是对蓝光进行反射，而不是对蓝光进行吸收。这样未被量子点发光单元完全吸收的蓝光照射到反光挡墙上后，会被反光挡墙反射回量子点发光单元，继续激发量子点发光单元发光，能够提高对蓝光的利用率。由于量子点发光单元仅会在蓝光的激发下发光，因此，反光挡墙仅需要对蓝光进行反射，而不需要对其他波长的光进行反射。当然，反光挡墙也可以对其他波长的光也进行反射。
具体地，所述预设阈值为80％，即反光挡墙对蓝光的反射率大于80％，，这样可以将照射到反光挡墙上的大部分蓝光反射回量子点发光单元，继续激发量子点发光单元发光，大大提高对蓝光的利用率。
反光挡墙的高度越大，则反射的蓝光越多，优选地，所述反光挡墙的高度不小于所述量子点发光单元的高度。但反光挡墙的高度也不宜设置的过大，因为反光挡墙的高度越高，量子点显示基板的成本也随之越高。具体地，可以将反光挡墙的高度设置为与量子点发光单元的高度相等，只要反光挡墙的高度不小于量子点发光单元的高度，就可以有效防止量子点发光单元间误激发引起的混色。
具体地，可以采用层叠设置的多层折射薄膜组成反光结构来对蓝光进行反射，但是量子点发光单元的厚度一般都比较大，达到微米级别(一般为5-6微米)，而折射薄膜的厚度一般都比较小，为纳米级别，如果完全采用多层折射薄膜来组成反光挡墙，将需要多达数十层甚至数百层的折射薄膜，对工艺的要求将会很高，因此，可以在反光挡墙的内部设置一透光挡墙，在透光挡墙上覆盖数层或数十层折射薄膜组成反光挡墙，这样可以大大降低对工艺的要求。
具体地，所述反光挡墙可以包括：透光挡墙；覆盖所述透光挡墙的反光层，所述反光层对蓝光的反射率大于预设阈值。
如图4所示，在制作量子点显示基板时，可以在形成有黑矩阵图形1上的衬底基板上形成一定高度(5～6um)的透光挡墙5，透光挡墙5可以采用树脂制成；之后如图5所示，在透光挡墙5上形成覆盖透光挡墙5的反光层6，反光层6包括的折射薄膜的层数可以根据实际需要设置；然后在黑矩阵图形1限定出的发光区域内形成量子点发光单元和/或透光单元，即可得到本实施例的量子点显示基板。其中，量子点发光单元和透光单元可以通过光刻工艺制备。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的量子点显示基板。所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其中，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。
本实施例中，在相邻量子点发光单元之间设计反光挡墙，反光挡墙对蓝光的反射率大于预设阈值，这样可以有效避免量子点发光单元未完全吸收的蓝光射入到相邻的量子点发光单元中，进而避免量子点发光单元未完全吸收的蓝光激发相邻的量子点发光单元发光，能够防止量子点发光单元间误激发引起的混色，可大大提高显示装置的色域和对比度。
进一步地，如图6所示，所述显示装置还包括：
蓝光背光模组9；
位于所述蓝光背光模组9出光侧的液晶面板8；
所述量子点显示基板位于所述液晶面板8背向所述蓝光背光模组9的一侧。
其中，蓝光背光模组9提供激发量子点单元发光的蓝光，液晶面板8起到控制蓝光的亮度的作用。
进一步地，所述显示装置还包括：
位于所述液晶面板和所述蓝光背光模组之间的第一偏振片；
位于所述液晶面板和所述量子点显示基板之间的第二偏振片，所述第二偏振片的透光轴方向与所述第一偏振片的透光轴方向垂直。
通过第一偏振片和第二偏振片可以起到调制偏振态进而控制灰阶的作用，由于量子点发光单元发出的光线为非偏振光，因此，需要将第二偏振片设置在量子点显示基板的入光侧。
具体地，如图6所示，第二偏振片可以采用金属线栅偏振片7。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种量子点显示基板，包括黑矩阵图形和多个量子点发光单元，所述量子点发光单元位于所述黑矩阵图形限定出的发光区域内，其特征在于，所述量子点显示基板还包括：位于相邻量子点发光单元之间的反光挡墙，所述反光挡墙对蓝光的反射率大于预设阈值；
所述反光挡墙包括：
透光挡墙；
覆盖所述透光挡墙的反光层，所述反光层对蓝光的反射率大于预设阈值；
所述反光层包括至少一个第一折射薄膜和至少一个第二折射薄膜，所述第一折射薄膜和所述第二折射薄膜交替层叠设置，所述第一折射薄膜和第二折射薄膜的折射率不同；
所述第一折射薄膜和所述第二折射薄膜的材料选自TiO2、SiO2、SiNx和SiNO；
所述第一折射薄膜采用TiO2，所述第二折射薄膜采用SiO2，所述反光层包括：
4个第一折射薄膜、3个第二折射薄膜；或
5个第一折射薄膜、4个第二折射薄膜；或
6个第一折射薄膜、5个第二折射薄膜；或
7个第一折射薄膜、6个第二折射薄膜；
其中，最外层的第一折射薄膜的厚度等于内侧的第一折射薄膜厚度的一半，具体的，所述最外层的第一折射薄膜的厚度为28.89nm，所述内侧的第一折射薄膜的厚度为14.44nm；第二折射薄膜的厚度均相同，具体的，所述第二折射薄膜的厚度为66.27nm。
2.根据权利要求1所述的量子点显示基板，其特征在于，所述预设阈值为80％。
3.根据权利要求1所述的量子点显示基板，其特征在于，所述反光挡墙的高度不小于所述量子点发光单元的高度。
4.根据权利要求1所述的量子点显示基板，其特征在于，所述量子点发光单元包括能够发出红光的红光量子点发光单元、能够发出绿光的绿光量子点发光单元和能够发出蓝光的蓝光量子点发光单元；或
所述量子点发光单元包括能够发出红光的红光量子点发光单元和能够发出绿光的绿光量子点发光单元，所述量子点显示基板还包括用以透射蓝光的透光单元，所述透光单元与相邻的量子点发光单元之间设置有所述反光挡墙。
5.一种量子点显示基板的制作方法，包括形成黑矩阵图形和多个量子点发光单元，所述量子点发光单元位于所述黑矩阵图形限定出的发光区域内，其特征在于，所述制作方法还包括：
在相邻量子点发光单元之间形成反光挡墙，所述反光挡墙对蓝光的反射率大于预设阈值；
所述反光挡墙包括：
透光挡墙；
覆盖所述透光挡墙的反光层，所述反光层对蓝光的反射率大于预设阈值；
所述反光层包括至少一个第一折射薄膜和至少一个第二折射薄膜，所述第一折射薄膜和所述第二折射薄膜交替层叠设置，所述第一折射薄膜和第二折射薄膜的折射率不同；
所述第一折射薄膜和所述第二折射薄膜的材料选自TiO2、SiO2、SiNx和SiNO；
所述第一折射薄膜采用TiO2，所述第二折射薄膜采用SiO2，所述反光层包括：
4个第一折射薄膜、3个第二折射薄膜；或
5个第一折射薄膜、4个第二折射薄膜；或
6个第一折射薄膜、5个第二折射薄膜；或
7个第一折射薄膜、6个第二折射薄膜；
其中，最外层的第一折射薄膜的厚度等于内侧的第一折射薄膜厚度的一半，具体的，所述最外层的第一折射薄膜的厚度为28.89nm，所述内侧的第一折射薄膜的厚度为14.44nm；第二折射薄膜的厚度均相同，具体的，所述第二折射薄膜的厚度为66.27nm。
6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-4中任一项所述的量子点显示基板。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，还包括：
蓝光背光模组；
位于所述蓝光背光模组出光侧的液晶面板；
所述量子点显示基板位于所述液晶面板背向所述蓝光背光模组的一侧。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，还包括：
位于所述液晶面板和所述蓝光背光模组之间的第一偏振片；
位于所述液晶面板和所述量子点显示基板之间的第二偏振片，所述第二偏振片的透光轴方向与所述第一偏振片的透光轴方向垂直。
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