CN113921578A - 显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明描述了一种显示面板及显示装置。本发明提供的显示面板包括:第一挡墙,所述第一挡墙围成多个第一挡墙开口;发光器件,对应所述第一挡墙开口设置;颜色转换单元,至少部分位于所述第一挡墙开口中,并且至少部分超出所述第一挡墙开口。本发明还提供了显示装置。通过本发明可以提高显示面板的显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及显示面板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的蓬勃发展高色域已经成为一个重要发展方向。高色域意味着显示画面具有更加丰富多彩的色彩具有更强的色彩展现能力。高色域显示画面可以通过色彩转换法等方法实现。色彩转换显示技术属于创新半导体纳米晶体技术可以准确输送光线,高效提升显示屏的色域值以及视角,让色彩更加纯净鲜艳使色彩表现更具张力。采用该技术的显示器不仅能产生色域范围更广的动态色彩还能在画质中展现真实的色板超越了传统意义上的背光技术。
例如,利用QD(Quantum Dot量子点)显示技术实现色彩转换被认为是显示彩色化最具潜力的方法之一。量子点是一些肉眼无法看到的、极其微小的半导体纳米晶体,且具有一个与众不同的特性:每当受到光或电的刺激,量子点便会发出有色光线,这一特性使得量子点可以改变光源发出的光线颜色。量子点显示面板就是一种可以利用量子点实现彩色显示的显示面板。
因此,如何提高彩色化显示的第显示效果成为目前热门的研究课题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了显示面板及显示装置。
本发明提供的显示面板,包括:
第一挡墙,所述第一挡墙围成多个第一挡墙开口;
发光器件,对应所述第一挡墙开口设置;
颜色转换单元,至少部分位于所述第一挡墙开口中,并且至少部分超出所述第一挡墙开口。
本发明还提供了包含上述显示面板的显示装置。
通过本申请可以提高显示面板的显示效果.
附图说明
图1是本发明实施例提供的显示面板的俯视图;
图2是图1中A-A方向的局部截面图;
图3是发明人研究过程中设计的一种显示面板的截面图;
图4是沿图1中A-A方向的另一种局部截面图;
图5是沿图1中A-A方向的另一种局部截面图;
图6是沿图1中A-A方向的另一种局部截面图;
图7是沿图1中A-A方向的另一种局部截面图;
图8是沿图1中A-A方向的另一种局部截面图;
图9是沿图1中A-A方向的另一种局部截面图;
图10是沿图1中A-A方向的另一种局部截面图;
图11是本发明实施例提供的显示面板的局部俯视图
图12是沿图11中A-A方向的局部截面图;
图13是沿图11中B-B方向的局部截面图;
图14是本发明实施例提供的显示面板的局部俯视图;
图15是沿图1中A-A方向的另一种局部截面图;
图16是沿图1中A-A方向的另一种局部截面图;
图17是沿图1中A-A方向的另一种局部截面图;
图18是沿图1中A-A方向的另一种局部截面图;
图19是沿图1中A-A方向的另一种局部截面图;
图20是沿图1中A-A方向的另一种局部截面图;
图21是沿图1中A-A方向的另一种局部截面图;
图22是沿图1中A-A方向的另一种局部截面图;
图23是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。
需要说明的是,在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其他含义。
需要注意的是,本发明实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的,不应理解为对本发明实施例的限定。此外在上下文中,还需要理解的是,当提到一个元件被形成在另一个元件“上”或“下”时,其不仅能够直接形成在另一个元件“上”或者“下”,也可以通过中间元件间接形成在另一元件“上”或者“下”。
并且,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本发明更全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词,均是以附图为例进行的说明,但根据需要也可以做出改变,所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系,某些部位的层厚采用了夸张的绘图方式以便于理解,附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。且在不冲突的情况下,本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。本申请中各实施例的附图沿用了相同的附图的标记。此外,各实施例彼此相同之处不再赘述。
请参考图1和图2所示,图1为本发明实施例提供的显示面板的俯视图,图2为沿图1中A-A方向的局部截面图,所述截面垂直于显示面板所在平面。
可选的,显示面板100划分为显示区AA和围绕显示区AA的非显示区NA。可以理解的,图1中点线框用于示意显示区AA与非显示区NA交界。显示区AA为显示面板用于显示画面的区,通常包括多个阵列排布的像素单元,每个像素单元包括与之对应的发光器件(例如,二极管)、控制元件(例如,构成像素驱动电路的薄膜晶体管)。非显示区NA围绕显示区AA,通常包括外围驱动元件、外围走线、扇出区。
可选的,显示面板100包括第一挡墙200,所述第一挡墙200围成多个第一挡墙开口210。可选的,第一挡墙200在显示面板100所在平面上的正投影形成网状结构,第一挡墙开口210相当于所述网状结构的网孔。
显示面板100还包括发光器件10,对应所述第一挡墙开口210设置。需要说明,这里“对应”表示发光器件10与第一挡墙开口210在显示面板100所在平面上的正投影交叠,并不一定是发光器件10也要嵌入第一挡墙开口210内。可选的,发光器件10在显示面板100所在平面上的正投影位于第一挡墙开口210在显示面板100所在平面上的正投影内。
显示面板100还包括颜色转换单元20。可选的,颜色转换单元20包括量子点,量子点又可称为纳米晶粒或纳米颗粒,其粒径一般介于1-10nm之间;纳米颗粒由于电子和空穴被量子限域连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构,受激后可以发射荧光。量子点的发射光谱可通过改变量子点的尺寸大小来控制。通过改变量子点的尺寸和其化学组成可以使其发射光谱覆盖整个可见光区,具有宽的激发谱和窄的发射谱,因而光谱覆盖率较高。
当然,在一些可选实施例中,颜色转换单元包括荧光材料,例如有机荧光粉。
可选的,颜色转换单元20至少部分位于所述第一挡墙开口210中,并且至少部分超出所述第一挡墙开口210。
可选的,显示面板100包括多个颜色转换单元20,颜色转换单元20与第一挡墙开口210一一对应。
可选的,所述颜色转换单元20的厚度大于所述第一挡墙210的厚度,所述厚度方向为垂直与显示面板100所在平面的方向。
需要说明的,这里所说的颜色转换单元20至少部分超出所述第一挡墙开口210可以理解为颜色转换单元20至少部分超出所述第一挡墙开口210所在层级。也就是说,在平行于所述显示面板100的方向上,颜色转换单元20至少部分与第一挡墙开口210不重叠。
换句话说,颜色转换单元20至少部分限定在第一挡墙开口210中,同时颜色转换单元20还有一部分从第一挡墙开口210内延伸出来并超出第一挡墙开口210。
或者说,在垂直于显示面板100所在平面的方向上,第一挡墙200包括相对的上下表面,颜色转换单元20也包括相对的上下表面;至少一个颜色转换单元20的上表面高出于邻侧第一挡墙200的上表面,和/或,颜色转换单元20的下表面低于邻侧第一挡墙200的下表面。
为了提高显示面板的显示效果,发明人研究发现:虽然通过色彩转换法实现的显示画面具有更加丰富多彩的色彩,具有更强的色彩展现能力;但是,利用色转换层实现彩色化技术难题是光源激发色转换层的色彩转换和光效提取效率低。有鉴于此,发明人通过进一步研究提供本实施例的方案,通过本实施例增加颜色转换单元的厚度,增加了发光器件所发出的光线在颜色转换单元中传播的光程,使发光器件所发出的光线充分激发颜色转换单元,从而提高转化效率。
在本申请一些可选实施例中,颜色转换单元20至少部分朝向所述发光器件10一侧超出所述第一挡墙开口210。在本申请的一些可选实施例中,颜色转换单元20至少部分朝向所述第二基板2一侧超出所述第一挡墙开口210。当然,因为第一挡墙开口210为贯彻第一挡墙20的开口,因此在在垂直于显示面板所在平面的方向上,第一挡墙开口210具有与外部空间贯通的两端;本申请的一些可选实施例中,颜色转换单元20可以在垂直于显示面板所在平面的方向上从第一挡墙开口210两端同时超出第一挡墙200所在层级。
可选的,显示面板100包括多个不同颜色的子像素30。子像素30阵列排布在显示区AA中。子像素30包括相对设置的一对发光器件10和颜色转换单元20。不同颜色的子像素30包括具有不同出光颜色的颜色转换单元20;入射光在经过颜色转换单元20后能够转变为具有特定颜色的光线,从而使子像素30发出相应颜色的光线。
在本发明实施例中,不同颜色的子像素30所包括的颜色转换单元20的出光颜色不同。例如,对于以采用RGB三色显示技术的显示面板来说,对应红色子像素的位置选择出光颜色为红色的颜色转换单元,对应绿色子像素的位置选择出光颜色为绿色的颜色转换单元,对应蓝色子像素的位置选择出光颜色为蓝色的颜色转换单元。
可选的,第一挡墙开口210限定出子像素30。例如一个第一挡墙开口210限定出一个子像素30。
在本申请的一些可选实施例中,发光器件可以为有机发光器件(Organic LightEmitting Diode,简称OLED)。
当然,在一些可选实施例中,发光器件可以为微型发光二极管(Micro LightEmitting Diode,简称Micro-LED)。Micro-LED的尺寸在100μm以下。采用Micro-LED作为发光器件10可以有效提高显示面板的寿命,降低显示面板的功耗,减小显示面板的响应时间,以及增大显示面板的可视角度。
本申请接下来实施例以发光器件10为Micro-LED为例进行说明。
在本申请的一些可选实施例中,在设置发光器件时,不同颜色的子像素所包括的发光器件的发光颜色可以一致。例如,红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的位置处均可以设置发白光的发光器件,发光器件发出的白光经不同颜色的颜色转换单元后分别转化为红光、绿光和蓝光。
可选的,在本申请一些可选实施例中,例如发光器件统一为蓝色,蓝色子像素的位置无需设置颜色转换单元。
可选的,所述显示面板100还包括相对设置的第一基板1和第二基板2;
所述第一挡墙200、所述发光器件10及所述颜色转换单元20位于所述第一基板1和所述第二基板2之间;
其中,所述发光器件10被载于所述第一基板1朝向所述第二基板2的一侧;
所述第一挡墙200被承载于所述第二基板2朝向所述第一基板1的一侧;
所述颜色转换单元20被承载于所述第二基板2朝向所述第一基板1的一侧。
可选的,第一基板1包括衬底110以及位于衬底110朝向第二基板2一侧的阵列层,位于衬底110上的阵列层120。具体的,阵列层120包括多个薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,TFT)以及由薄膜晶体管够构成像素电路,用于控制发光器件10。发光器件10设置在第一基板1的阵列层120上,并通过连接电极或共晶层与阵列层120中的电路电连接。
在显示面板100工作时,发光器件10发光,发光器件10发出的光线射向对应的颜色转换单元20后能够出射相应的颜色,使相应子像素30发出预设颜色的光。不同颜色的光按照一定的光强比例混合产生多种颜色,以使显示面板实现全彩化显示。其中,第二基板2所在侧为显示面板100的出光侧。
可选的,第一挡墙200与颜色转换单元20以第二基板2为承载基板进行制作后再与已经完成LED转运的第一基板1对位贴合。
可选的,第二基板2可以为盖板。第二基板2也可以包括衬底材料,所述衬底材料可以由任意合适的透光的绝缘材料形成,可以是刚性的、柔性的。第二基板2可以用于保护显示面板内部的结合,同时还可以用于阻挡氧和湿气。例如,第二基板2可以由聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、多芳基化合物(PAR)或玻璃纤维增强塑料(FRP)等聚合物材料形成。
通过本实施例,将第一挡墙与增厚的颜色转换单元制作在同一侧基板上,使第一挡墙既可以起到辅助支撑的作用,又可以限定增厚的颜色转换单元。这样在制备过程中将颜色转换单元制备到相应的定义区中,然后采用热或紫外线固化时,因为定义区由第一挡墙限定,因此可以形成较厚的颜色转换单元;并由于第一挡墙存在,还可以避免未固化的颜色转换单元流溢。
为进一步提高光转换效率,发明人试图将色转换层的厚度设置得更厚,设法使色转换层将用于激发的光线完全吸收。但是进一步增厚色转换层存在一定的难度。如图3所示,图3为发明人研究过程中设计的一种显示面板的截面图。
由于色转换层001制备过程中需要将色转换层001制备到相应的定义区中,然后采用热或紫外线固化。因为定义区由挡墙002结构限定得到,以避免固化前的色转换层001的流溢无法控制,同时可以间隔对应转换出不同颜色的色转换层001。如果想要增大色转换层001的厚度,就需要增大限定色转换层001的挡墙002结构的厚度。然而,挡墙002的厚度与其宽度往往呈正相关。所述宽度为平行于显示面板所在平面的方向上两个相邻的挡墙开口所夹持的挡墙的尺寸。也就是说,要想获得较高的挡墙002,就需要增大挡墙002的宽度,即增大挡墙002的在显示面板中占用的面积,这样就会导致发光器件之间的间隔需要增大以避让挡墙002,势必会牺牲一定的开口率。
有鉴于此,在本申请的一些可选的实施例中,图4为沿图1中A-A方向的另一种局部截面图,所述截面垂直于显示面板所在平面。
所述显示面板100还包括垫高部40,垫高部40包括暴露第一挡墙开口210的空白区50,颜色转换单元20填充空白区50。也就是说,至少部分超出所述第一挡墙开口210的所述颜色转换单元20与所述垫高部40位于同一层级。
通过本实施例,通过垫高部形成空白区为颜色转换单元的延伸提供空间,同时又可以起到限定增厚的颜色转换单元的作用。
可选的,所述垫高部40与所述第一挡墙200交叠。
这样可以通过垫高部垫高第一挡墙,间接增加了第一挡墙的高度;在不增加制作难度及占用显示面板面积的同时,间接增大颜色转换单元的厚度;从而尽可能使发光器件发出的光线充分激发颜色转换单元,提高转换效率,进一步提高显示面板的显示效果。
请参考图1和图5所示,图5为沿图1中A-A方向的另一种局部截面图,所述截面垂直于显示面板所在平面。
所述显示面板100还包括位于所述第二基板2朝向所述第一基板1一侧的遮光层60;所述垫高部40复用所述遮光层60。
可选的,遮光层60可以为黑矩阵,即BM。遮光层60形成网状结构,以遮挡在子像素30之间的间隔。在显示面板100所在平面的正投影为网状结构的遮光层60的网孔对应第一挡墙开口210。
通过本实施例,可以使垫高部复用为显示面板中的遮光层,在为颜色转换单元增大厚度提供空间,增强颜色转换单元增厚可靠性的同时还可以起到遮挡非子像素区的作用,避免相邻子像素漏光或者非子像素区的金属材料层反光。
请参考图1和图6所示,图6为沿图1中A-A方向的另一种局部截面图,所述截面垂直于显示面板所在平面。
所述显示面板100还包括位于所述第一挡墙200朝向所述第一基板1的一侧的第二挡墙300。
具体的,沿显示面板100的厚度方向,第一挡墙200和第二挡墙300交叠。并且,第一挡墙200和第二挡墙300在显示面板100上的正投影位于相邻两个发光器件10的间隔位置。
可选的,第二挡墙300围成多个第二挡墙开口。可选的,第二挡墙300与第一挡墙100图形类似,第二挡墙300在显示面板100所在平面上的正投影也形成网状结构,第二挡墙开口相当于所述网状结构的网孔。通过第二挡墙可以减弱显示面板中不同颜色的子像素30之间的串扰风险。
可选的,至少部分发光器件10位于第二挡墙开口内。第二挡墙可以阻挡发光器件10的光线进入相邻子像素,误激发相邻像素的颜色转换单元。
可选的,第二挡墙300可以以第一基板1为承载基板形成,也可以以第一挡墙200为承载而形成。
请参考图1和图7所示,图7为沿图1中A-A方向的另一种局部截面图,所述截面垂直于显示面板所在平面。
所述显示面板100还包括位于所述第一挡墙200朝向所述第一基板1的一侧的第二挡墙300。
所述垫高部40复用所述第二挡墙300。
可选的,第二挡墙300以第一挡墙200为承载而形成,也就是说在做完第一挡墙200后,再在第一挡墙200背离第二基板2的一侧表面上制作第二挡墙300。第二挡墙300制作完成后再形成颜色转换单元20。
可以理解的,第一挡墙200与第二挡墙300并非同一制成完成,因此第一挡墙在图案化制作的时候并不会受到工艺限制而增加自身宽度。
通过本实施例,垫高部复用做第二挡墙,在实现上述第二挡墙的功能的同时不增加第一挡墙占用面积,还可以为颜色转换单元增大厚度提供空间。
可选的,由于第一挡墙200与第二挡墙300并非同一制成完成,因此第一挡墙200与第二挡墙300共同形成的支撑结构的侧壁形成台阶。为方便理解,在图7截面图中示意为第一挡墙200与第二挡墙300侧壁的衔接处并非平滑衔接,而是出现了类似锯齿或台阶的形貌。这样可以更好的限定增厚的颜色转换单元,使第二挡墙300为颜色转换单元增大厚度提供空间,同时增强颜色转换单元增厚可靠性。
请参考图1和图8所示,图8为沿图1中A-A方向的另一种局部截面图,所述截面垂直于显示面板所在平面。
所述显示面板100还包括位于所述第二基板2朝向所述第一基板1一侧的色阻层70。
其中,至少部分所述色阻层70做所述垫高部40。
可选的,所述色阻层70包括与所述第一挡墙开口210对应的主色阻71和辅助色阻72。
可选的,颜色转换单元20位于主色阻71靠近第一基板1的一侧。这样,发光器件10发出的光可以先经过颜色转换单元20,被颜色转换单元20激发出的光线后续在继续传播的过程中将经过具有相应颜色的主色阻71,主色阻71的设置可以对部分未完全经颜色转换单元20激发的光进行滤色,从而确保从该子像素30区域出射的光的色度。
可以理解的,多个主色阻71分别形成多个不同颜色的色阻单元,一个色阻单元与一个子像素30对应,或者说一个色阻单元与一个第一挡墙开口210对应。
可选的,所述辅助色阻72位于子像素30间隔区域,形成所述垫高部40。
可选的,辅助色阻72与主色阻71同层同材料。这里需要说明的,辅助色阻72与主色阻71同层同材料并不一定要求辅助色阻72与主色阻71在层级上或位于同一平面,辅助色阻72与主色阻71同层同材料表示二者同一制成形成,或采用同一成膜材料制作。
通过本实施例,所述色阻层做所述垫高部,在不增额外膜层及工艺制程的同时,还可以为颜色转换单元增大厚度提供空间。
在本申请的一些可选的实施例中,请参考图9所示,图9为沿图1中A-A方向的另一种局部截面图,所述截面垂直于显示面板所在平面。
可选的,所述垫高部40包括层叠设置的至少两层颜色不同的色阻层70。可选的,垫高部40包括多层辅助色阻72;垫高部40中的多层辅助色阻72分别与不同颜色的主色阻71同层同材料。即不同颜色的辅助色阻72堆叠形成垫高部40;从而使垫高部40包括至少两个层叠设置且允许通过的颜色不同的子层。
通过本实施例,不同颜色的辅助色阻72堆叠可以起到遮光的作用,不仅可以进一步垫高第一挡墙,在为颜色转换单元增大厚度提供更多空间,增强颜色转换单元增厚可靠性的同时,还可以起到遮挡非子像素区的作用,避免相邻子像素漏光或者非子像素区的金属材料层反光。
当然,在本申请的一些可选的实施例中,显示面板100同时包括遮光层60和色阻层70。其中,遮光层60相当于黑矩阵BM,黑矩阵的开口限定色阻层70的主色阻71。遮光层60和色阻层70共同形成的结构相当于彩膜基板(或者称为彩色滤光片,Color Filter简称CF)。
进一步可选的,请参考图10所示,图10为沿图1中A-A方向的另一种局部截面图,所述截面垂直于显示面板所在平面。垫高部40同时包括辅助色阻72和遮光层60;辅助色阻72和遮光层60层叠设置。可选的,遮光层60位于辅助色阻72朝向第一基板1或朝向发光器件10的一侧。通过本实施例,可以进一步提高垫高部的高度,为颜色转换单元增大厚度提供空间,提高光转换率;同时还可以通过遮光层提高辅助色阻72遮光能力,避免漏光。
请参考图11和图12所示,图11为本发明实施例提供的显示面板的局部俯视图,图12为沿图11中A-A方向的局部截面图,所述截面垂直于显示面板所在平面。
可选的,所述色阻层70包括与所述发光器件10对应的主色阻71和复用为所述垫高部40的辅助色阻72。
可选的,显示面板100中,至少两个出光颜色相同的子像素30相邻设置。
可选的,显示面板100的显示区中包括沿着第一方向X和第二方向Y阵列排布的子像素30。第一方向X和第二方向Y彼此相交,但均平行于显示面板100所在平面。
可选的,本实施例中,第一方向X和第二方向Y相互垂直。沿着第一方向X定义为像素行,沿着第二方向Y定义为像素列。同一像素行的子像素30颜色相同。同一像素列中,不同颜色的子像素相邻排布,图11中举例三种颜色子像素,三种颜色子像素交替循环排布。例如,子像素为红、绿、蓝三种颜色时,第一方向X上,子像素整行为红、绿、蓝中的一种,第二方向Y上子像素是按照红、绿、蓝顺序循环排布。
可以理解的,由于主色阻71与子像素30的出光颜色一致,因此子像素30的排布方式与主色阻71排布方式一致。
可选的,同色且相邻的所述主色阻71之间的垫高部40的颜色与相邻的所述主色阻71的颜色不同。也就是说,位于像素行中相邻的两个子像素30之间的辅助色阻72与位于该辅助色阻72在第一方向上两侧的子像素30(或者主色阻71)的颜色不同。例如,图11中子像素为红色子像素,那么相邻两个红色子像素之间的复用为所述垫高部40的辅助色阻72不能由红色辅助色阻得到,可以由蓝色辅助色阻和绿色辅助色阻堆叠得到。
通过本实施例,可以在满足子像素排布需求的同时,避免一个子像素点亮时,其相邻的子像素也被点亮。
请参考图11和图13所示,图13为沿图11中B-B方向的局部截面图,所述截面垂直于显示面板所在平面。本实施例与上述实施例相同之处不再赘述。不同的,虽然实施例中所述色阻层70同样包括与所述发光器件10对应的主色阻71和复用为所述垫高部40的辅助色阻72;但是不同色且相邻的所述主色阻之间的垫高部的颜色与至少一相邻的所述主色阻的颜色相同。
通过本实施例,可以在满足子像素排布需求的同时,尽可能的增大垫高部的高度,从而可以间接增大颜色转换单元的厚度,提高转换效率。
需要说明,为方便理解,本实施例以图11所示像素排布具体说明,但是本申请其他可选实施例的像素排布方式并不局限于此。
请参考图14所示,图14为本发明实施例提供的显示面板的局部俯视图,所述显示面板的不同色子像素相邻设置。
可以理解的,由于主色阻71与子像素30的出光颜色一致,因此子像素30的排布方式与主色阻71排布方式一致。
可选的,所述色阻层70包括与所述发光器件对应的主色阻71,在第一方向X和第二方向Y上同色的主色阻71不相邻设置。
可选的,不颜色的所述主色阻71的在第一方向X和第二方向Y上循环交替设置。例如,子像素为红、绿、蓝三种颜色时,第一方向X上,子像素按照红、绿、蓝顺序排布,同样第二方向Y上子像素也是按照红、绿、蓝顺序排布。
通过本实施例,可以在满足子像素排布需求的同时,尽可能使子像素四周的垫高层的高度都增大,从而可以提高颜色转换单元的厚度后的结构稳定性,提高转换效率。
请参考图1和图15所示,图15为沿图1中A-A方向的另一种局部截面图,所述截面垂直于显示面板所在平面。
所述发光器件10为第一颜色的发光器件。
可选的,所述垫高部40复用色阻层70,但是垫高部40复用的色阻层70的颜色与第一颜色不同。即垫高部40不包括允许第一颜色通过的色阻层70。
可选的,本实施例中第一颜色为蓝色。例如,在一些可选实施例中,显示面板的子像素利用蓝光发光器件作为光源,蓝光发光器相当于上述第一颜色发光器件。蓝光发光器件发出的光激发颜色转换单元光致转换膜中红/绿量子点,红色量子点在接收到蓝光之后,会激发出红光通过色阻层透出;绿色量子点在接收到蓝光之后,会激发出绿光通过色阻层透出;蓝光会直接透过色阻层,从而形成全彩显示。
具体的,在颜色改变层20中包括光致变色量子点材料时,以包括量子点的颜色改变层20的出光颜色包括红色和绿色为例,此时不同颜色的子像素所包括的发光单元10的发光颜色可以为比红光和绿光的频率更大的蓝光。在蓝光的激发下,包括不同的量子点材料的颜色改变层20分别发出红光和绿光。此时,在第二基板2中对应蓝色子像素的位置处的颜色改变层20可以为透明材料。
可选的,垫高部40不包括蓝色的色阻层70。示意性的,图中相同图案填充表示出射光为相同的颜色。
通过本实施例,使所述垫高部中的色阻层允许通过的光的颜色与第一颜色不同;在实现垫高部复用为其他功能结构而不增加额外工艺制程的同时,还可以避免出现漏光,防止串扰。
请参考图1和图16所示,图16为沿图1中A-A方向的另一种局部截面图,所述截面垂直于显示面板所在平面。所述发光器件10为第一颜色发光器件,其他与上一实施例相同之处本实施例不再赘述。不同的,所述垫高部40包括允许第一颜色通过的色阻层70。沿着平行于一个发光器件10指向另一个发光器件10的方向,所述垫高部40中第一颜色的色阻层70包括断开的第一部分41和第二部分42。
可选的,本实施例中第一颜色为蓝色。
可选的,第一部分41和第二部分42之间填充其他颜色的色阻层70,或者第一部分41和第二部分42之间填充遮光材料。
可选的,在一些实施例中第一部分41和第二部分42之间填充的遮光材料可以与遮光层60材料相同。
可选的,第一部分41和第二部分42所在层级为垫高部朝向所述第二基板一侧的子层,并且为与遮光层相邻的膜层。可以通过垫高部的其他子层遮挡发光器件发出的第一颜色的光的同时还可以直接复用形成彩膜基板的遮光层来作为第一部分41和第二部分42之间填充的遮光材料。
通过本实施例,可以进一步增大垫高部的厚度,在实现垫高部复用为其他功能结构而不增加额外工艺制程的同时,还可以避免出现漏光,防止串扰。
请参考图1和图17所示,图17为沿图1中A-A方向的另一种局部截面图,所述截面垂直于显示面板所在平面。
所述垫高部40朝向所述第一基板1一侧的色阻层70的颜色和所述发光器件10的颜色分别为七色彩虹色中不相邻的两个颜色。
需要说明的,七色彩虹色按顺序依次为红、橙、黄、绿、青、蓝、紫。
可选的,所述垫高部40包括层叠设置的多层色阻层70(或辅助色阻72)层叠得到;也就是说,垫高部40包括多个子层。
可选的,垫高部朝向所述第一基板一侧的色阻层的颜色与发光器件的颜色为七色彩虹色中至少间隔两个以上其他颜色的颜色。
可选的,按照七色彩虹色按顺序排布显示面板中的子像素(或主色阻71)的颜色后,相邻的颜色不能分别作为所述垫高部40朝向所述第一基板1一侧的色阻层70的颜色和所述发光器件10的颜色。
例如,子像素为红、绿、蓝三种颜色时,按照七色彩虹色按顺序排布显示面板中的子像素(或主色阻71)的颜色后,蓝色和绿色相邻。因此所述垫高部40朝向所述第一基板1一侧的色阻层60的颜色和所述发光器件10的颜色不能分别为蓝色和绿色。
可选的,所述发光器件10为第一颜色的发光器件,第一颜色为蓝色。这样,可以使垫高部选用至少两种颜色的色阻层层叠。只要使所述垫高部朝向所述第一基板一侧的色阻层的颜色选为红色而不设置为绿色即可。
通过本实施例,可以避免出现漏光,防止串扰。例如,蓝色和绿色在可见光波段内有交叉,而交叉部分的光可能会漏一部分穿过由色阻层形成的垫高部,而本实施例的设计将红色色阻层放在离蓝色发光器件最近的膜层位置,从而可以过滤掉蓝色和绿色交叉部分的光,在兼顾上述实施例技术效果的同时还可以防止串扰。
请参考图1和图18所示,图18为沿图1中A-A方向的另一种局部截面图,所述截面垂直于显示面板所在平面。
所示垫高部40侧壁设置有遮光层60。也就是说,垫高部40在朝向颜色转换单元20的一侧表面上覆盖有遮光层60。
这样,可以使垫高部,发光器件发出的光即使存在倾斜出射的情况也可以通过遮光层拦截。
可选的,垫高部40包括色阻层70。可选的,所述色阻层70同样包括与所述发光器件10对应的主色阻71和复用为所述垫高部40的辅助色阻72。
可以理解的,垫高部40侧壁设置有遮光层60,其实也就是说辅助色阻72侧壁设置有遮光层60。
可选的,复用为垫高部的辅助色阻72与至少一相邻的所述主色阻同层同材料。
通过这样的设计,可以减少工艺制程,降低成本。此外,由于辅助色阻侧壁设置有遮光层,即使辅助色阻的颜色与相邻的子像素中的所述主色阻颜色相同也可以通过遮光层进行遮挡,避免了本应从某一子像素所在区域出射的光线从位于其附近的其他子像素区域出射的情况。
进一步,所述遮光层60包封所述垫高部40。也就是说,复用为所述垫高部40的辅助色阻72的整体的最上表面和最下表面以及侧面都被遮光层60包裹。可以理解的,包封复用为所述垫高部40的辅助色阻72的遮光层60也可以相当于形成了垫高部40的一部分。
可选的,垫高部40包括多个子层。
这样,通过遮光层包封所述垫高部的多个子层,避免了膜层分离,可以进一步提高垫高部的高度同时使垫高部具有较高的结构稳定性,这样间接得提高了增厚的颜色转换单元的结构稳定性。
请参考图1和图19所示,图19为沿图1中A-A方向的另一种局部截面图,所述截面垂直于显示面板所在平面。
所述垫高部40侧壁设置有反射层80;也就是说,垫高部40在朝向颜色转换单元20的一侧表面上覆盖有反射层80。
通过本实施例,发光器件发出的光即使倾斜出射的情况也可以通过反射层拦截,避免了本应从某一子像素所在区域出射的光线从位于其附近的其他子像素区域出射的情况;此外,发光器件发出的光即使倾斜出射的情况不仅可以通过反射层拦截,还可以通过反射层将倾斜出射的光线反射回颜色转换单元内部,继续激发颜色转换单元;从而使发光器件发出的出射光得到充分利用,进一步改善显示面板的亮度较低的问题。
请参考图1和图20所示,图20为沿图1中A-A方向的另一种局部截面图,所述截面垂直于显示面板所在平面。
可选的,所述颜色转换单元20朝向所述发光器件10一侧超出所述第一挡墙开口210部分为凸出区90。
也就是说,在垂直于显示面板100所在平面的方向上,第一挡墙200包括相对的上下表面,颜色转换单元20也包括相对的上下表面;至少一个颜色转换单元20相对于其邻侧的第一挡墙200,颜色转换单元20的下表面低于邻侧第一挡墙200的下表面。即颜色转换单元20朝向发光器件10延伸。这样可以更靠近发光器件10,可以更好地利用发光器件10发出的光线。
请参考图1和图21所示,图21为沿图1中A-A方向的另一种局部截面图,所述截面垂直于显示面板所在平面。
可选的,所述发光器件10包括发光区11;所述凸出区90与所述发光器件10的发光区11交叠。
可以理解的,发光器件10包括发光层和位于发光层两侧的电极层,发光区11即为发光层所在区域。
可选的,凸出区90面积大于等于发光区11面积。
发明人研究发现,如果颜色转换单元材料需要超出第一挡墙来增大厚度,则其形貌由于侧边存在侧刻,凸出区相较于颜色转换单元嵌入第一挡墙开口的部分的面积要小,即凸出区相对于嵌入第一挡墙开口的颜色转换单元形成了一个缺失部分。
通过本实施例,可以使颜色转换单元超出第一挡墙开口的缺失部分尽可能避开发光器件10的发光区11;可以使颜色转换单元的增厚部分被充分利用,同时又不增加可是残留等风险。
可选的,第一颜色子像素对应颜色转换单元不包括凸出区;第二颜色的子像素对应的对应颜色转换单元包括凸出区。可选的,第一颜色为蓝色或红色,第二颜色为绿色。因为发明人研究发现,子像素对应LED芯片发光的正面位置绿色画面发青,主要是由于绿色子像素中颜色转换单元厚度受第一挡墙影响厚度后转化率相较于其他颜色子像素的颜色转换单元存在不足。
通过本实施例,在制程更容易的同时可以补偿子像素直接的差异。在图案化不同颜色子像素对应的不同的颜色转换单元时,控制第一颜色子像素对应的颜色转换单元刻蚀程度与第二颜色子像素对应的颜色转换单元刻蚀程度不同且满足上述要求即可。
请继续参考图1和图21所示。可选的,发光器件10的中心相对于第一挡墙开口210的中心偏移。
并且,使发光器件10的发光区11尽可能与第一挡墙开口的中心靠近。
可选的,发光器件10的发光区11尽可能与第一挡墙开口的中心重叠。
可以理解的,发光器件的中心与发光区的中心并不一定重合,例如,LED包括第一区和第二区,LED的中心位于第一区和第二区之间,LED的两个连接电极分别位于第一区和第二区,第一区包括依次层叠的第一型半导体层、发光层和第二型半导体层,即发光区位于LED芯片的第一区,第二区由LED的发光区背离阵列层一层的电极或第二型半导体层从第一区延伸得到,用于连接阵列层中的连接电极或共晶层。
通过本实施例,第一挡墙开口的中心与凸出区的中心基本重合,可以使颜色转换单元超出第一挡墙开口的部分尽可能被充分利用,对侧刻导致的面积有限的凸出区来说,将凸出区的效用更大化,同时又不增加可是残留等风险。
请参考图1和图22所示,图22为沿图1中A-A方向的另一种局部截面图,所述截面垂直于显示面板所在平面。
可选的,凸出区的中心相对于第一挡墙开口210的中心偏移。
并且,凸出区的中心尽可朝向发光器件10的发光区11靠近。
可选的,颜色转换单元可以采用halfton的工艺,仅仅将对应发光器件10的发光区的超出第一挡墙开口的部分保留,以形成凸出区。
发明人研究发现,发光器件10的发光区11相对于第一挡墙开口210的右侧,即子像素的右侧的光型集中漏光严重,通过本实施例,并不需要对发光器件的转运提高难度,在适当改变工艺制程且并没有增大工艺难度的同时,使颜色转换单元超出第一挡墙开口的部分尽可能被充分利用的同时,还可以防止漏过光的增大,同时又不增加可是残留等风险。
本发明还提供了一种显示装置,包括本发明提供的显示面板。如图23所示,图23是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。显示装置1000包括本发明上述任一实施例提供的显示面板100。图23实施例仅以手机为例,对显示装置1000进行说明,可以理解的是,本发明实施例提供的显示装置,可以是电脑、电视、车载显示装置等其他具有显示功能的显示装置,本发明对此不作具体限制。本发明实施例提供的显示装置,具有本发明实施例提供的显示面板的有益效果,具体可以参考上述各实施例对于显示面板的具体说明,本实施例在此不再赘述。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (18)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
第一挡墙,所述第一挡墙围成多个第一挡墙开口;
发光器件,对应所述第一挡墙开口设置;
颜色转换单元,至少部分位于所述第一挡墙开口中,并且至少部分超出所述第一挡墙开口。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括相对设置的第一基板和第二基板;
所述第一挡墙、所述发光器件及所述颜色转换单元位于所述第一基板和所述第二基板之间,
其中,所述发光器件被载于所述第一基板朝向所述第二基板的一侧;
所述第一挡墙被承载于所述第二基板朝向所述第一基板的一侧;
所述颜色转换单元被承载于所述第二基板朝向所述第一基板的一侧。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板还包括垫高部;
所述垫高部包括暴露所述第一挡墙开口的空白区,颜色转换单元填充空白区。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述第二基板朝向所述第一基板一侧的色阻层;
所述垫高部复用所述色阻层。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述垫高部包括层叠设置的至少两层颜色不同的色阻层。
6.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,;
所述色阻层包括与所述发光器件对应的主色阻和复用为所述垫高部的辅助色阻,同色且相邻的所述主色阻之间的垫高部的颜色和与其相邻的所述主色阻的颜色不同。
7.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,
所述色阻层包括与所述发光器件对应的主色阻和复用为所述垫高部的辅助色阻,不同色且相邻的所述主色阻之间的垫高部的颜色和至少一与其相邻的所述主色阻的颜色相同。
8.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,相邻设置的子像素颜色不同。
9.如权利要求4所述的显示面板,所述发光器件为第一颜色发光器件,所述垫高部中的色阻层允许通过的光的颜色与第一颜色不同。
10.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述发光器件为第一颜色发光器件,所述垫高部包括允许第一颜色的光通过的色阻层;
沿着平行于一个所述发光器件指向另一个所述发光器件的方向,所述垫高部中第一颜色的色阻层包括断开的第一部分和第二部分。
11.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,
所述垫高部朝向所述第一基板一侧的色阻层的颜色和所述发光器件的颜色分别为七色彩虹色中不相邻的两个颜色。
12.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,
所示垫高部侧壁设置有遮光层。
13.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,
所述垫高部侧壁设置有反射层。
14.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述第二基板朝向所述第一基板一侧的遮光层;
所述垫高部复用所述遮光层。
15.如权利要求1或3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述第一挡墙朝向所述第一基板的一侧的第二挡墙。
16.如权利要求15所述的显示面板,其特征在于,
所述垫高部复用所述第二挡墙。
17.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述颜色转换单元朝向所述发光器件一侧超出所述第一挡墙开口的部分为凸出区,
所述凸出区与所述发光器件的发光区交叠。
18.一种显示装置,其特征在于,包括:
权利要求1-17中任意一项所述的显示面板。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114899291A (zh) * | 2022-07-12 | 2022-08-12 | 诺视科技(苏州)有限公司 | 用于半导体器件的像素单元及其制作方法、微显示屏 |
CN115172574A (zh) * | 2022-06-23 | 2022-10-11 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
WO2023245899A1 (zh) * | 2022-06-24 | 2023-12-28 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108873465A (zh) * | 2018-09-04 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN110288904A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-09-27 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN111736388A (zh) * | 2020-07-14 | 2020-10-02 | 上海天马微电子有限公司 | 量子点彩膜基板及其制备方法、显示面板及显示装置 |
CN111769109A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-10-13 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN112133734A (zh) * | 2020-09-29 | 2020-12-25 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN112233567A (zh) * | 2019-06-27 | 2021-01-15 | 成都辰显光电有限公司 | 色彩转化组件及其制作方法、显示面板 |
CN212675316U (zh) * | 2020-05-22 | 2021-03-09 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
CN113451350A (zh) * | 2021-06-30 | 2021-09-28 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
-
2021
- 2021-09-30 CN CN202111166745.1A patent/CN113921578A/zh active Pending
-
2022
- 2022-02-24 US US17/652,417 patent/US20230102283A1/en active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108873465A (zh) * | 2018-09-04 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN112233567A (zh) * | 2019-06-27 | 2021-01-15 | 成都辰显光电有限公司 | 色彩转化组件及其制作方法、显示面板 |
CN110288904A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-09-27 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN212675316U (zh) * | 2020-05-22 | 2021-03-09 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
CN111769109A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-10-13 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN111736388A (zh) * | 2020-07-14 | 2020-10-02 | 上海天马微电子有限公司 | 量子点彩膜基板及其制备方法、显示面板及显示装置 |
CN112133734A (zh) * | 2020-09-29 | 2020-12-25 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN113451350A (zh) * | 2021-06-30 | 2021-09-28 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115172574A (zh) * | 2022-06-23 | 2022-10-11 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
WO2023245899A1 (zh) * | 2022-06-24 | 2023-12-28 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN114899291A (zh) * | 2022-07-12 | 2022-08-12 | 诺视科技(苏州)有限公司 | 用于半导体器件的像素单元及其制作方法、微显示屏 |
CN114899291B (zh) * | 2022-07-12 | 2022-10-25 | 诺视科技(苏州)有限公司 | 用于半导体器件的像素单元及其制作方法、微显示屏 |
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