TW202309866A - 顯示裝置 - Google Patents
顯示裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202309866A TW202309866A TW111112152A TW111112152A TW202309866A TW 202309866 A TW202309866 A TW 202309866A TW 111112152 A TW111112152 A TW 111112152A TW 111112152 A TW111112152 A TW 111112152A TW 202309866 A TW202309866 A TW 202309866A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- display device
- light emitting
- area
- disposed
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 107
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 73
- 239000000463 material Substances 0.000 description 27
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- -1 PI) Polymers 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000399 optical microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
一種顯示裝置包括基板、多個發光單元、第一結構以及第二結構。多個發光單元設置於基板上且產生熱量。第一結構設置於基板上。第二結構設置於基板外。熱量通過第一結構而從多個發光單元傳導至第二結構。另一種顯示裝置包括基板、多個發光單元、第一結構以及第二結構。多個發光單元設置於基板上且產生熱量。第一結構設置於基板上且傳導熱量。在另一種顯示裝置的上視圖中,在基板的預定方形區域中的第一結構的一部分的面積大於多個發光單元的一部分的面積。
Description
本揭露是有關於一種顯示裝置,且特別是有關於一種可改善散熱的問題的電子裝置。
電子裝置或拼接電子裝置已廣泛地應用於行動電話、電視、監視器、平板電腦、車用顯示器、穿戴裝置以及桌上型電腦中。隨電子裝置蓬勃發展,對於電子裝置的品質要求越高。
本揭露是提供一種顯示裝置,其可改善散熱的問題。
根據本揭露的實施例,顯示裝置包括基板、多個發光單元、第一結構以及第二結構。多個發光單元設置於基板上且產生熱量。第一結構設置於基板上。第二結構設置於基板外。熱量通過第一結構而從多個發光單元傳導至第二結構。
根據本揭露的實施例,另一種顯示裝置包括基板、多個發光單元、第一結構以及第二結構;多個發光單元設置於基板上且產生熱量;第一結構設置於基板上且傳導熱量;在另一種顯示裝置的上視圖中,在基板的預定方形區域中的第一結構的一部分的面積大於多個發光單元的一部分的面積。
為讓本揭露的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
通過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露,須注意的是,為了使讀者能容易瞭解及為了圖式的簡潔,本揭露中的多張圖式只繪出電子裝置的一部分,且圖式中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外,圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意,並非用來限制本揭露的範圍。
在下文說明書與申請專利範圍中,「含有」與「包括」等詞為開放式詞語,因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。
應了解到,當元件或膜層被稱為在另一個元件或膜層「上」或「連接到」另一個元件或膜層時,它可以直接在此另一元件或膜層上或直接連接到此另一元件或層,或者兩者之間存在有插入的元件或膜層(非直接情況)。相反地,當元件被稱為「直接」在另一個元件或膜層「上」或「直接連接到」另一個元件或膜層時,兩者之間不存在有插入的元件或膜層。
雖然術語「第一」、「第二」、「第三」…可用以描述多種組成元件,但組成元件並不以此術語為限。此術語僅用於區別說明書內單一組成元件與其他組成元件。申請專利範圍中可不使用相同術語,而依照申請專利範圍中元件宣告的順序以第一、第二、第三…取代。因此,在下文說明書中,第一組成元件在申請專利範圍中可能為第二組成元件。
於文中,「約」、「大約」、「實質上」、「大致上」之用語通常表示在一給定值或範圍的10%內、或5%內、或3%之內、或2%之內、或1%之內、或0.5%之內。在此給定的數量為大約的數量,亦即在沒有特定說明「約」、「大約」、「實質上」、「大致上」的情況下,仍可隱含「約」、「大約」、「實質上」、「大致上」之含義。
在本揭露一些實施例中,關於接合、連接之用語例如「連接」、「互連」等,除非特別定義,否則可指兩個結構係直接接觸,或者亦可指兩個結構並非直接接觸,其中有其它結構設於此兩個結構之間。且此關於接合、連接之用語亦可包括兩個結構都可移動,或者兩個結構都固定之情況。此外,用語「耦接」包含任何直接及間接的電性連接手段。
在本揭露一些實施例中,可使用光學顯微鏡(optical microscopy,OM)、掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope,SEM)、薄膜厚度輪廓測量儀(α-step)、橢圓測厚儀、或其它合適的方式量測各元件的面積、寬度、厚度或高度、或元件之間的距離或間距。詳細而言,根據一些實施例,可使用掃描式電子顯微鏡取得包含欲量測的元件的剖面結構影像,並量測各元件的面積、寬度、厚度或高度、或元件之間的距離或間距。
電子裝置可包括顯示裝置、天線裝置(例如液晶天線)、感測裝置、發光裝置、觸控裝置或拼接裝置,但不以此為限。電子裝置可包括可彎折、可撓式電子裝置。電子裝置的外型可為矩形、圓形、多邊形、具有彎曲邊緣的形狀或其他適合的形狀。顯示裝置可例如包括發光二極體(light emitting diode,LED)、液晶(liquid crystal)、螢光(fluorescence)、磷光(phosphor)、量子點(quantum dot,QD)、其它合適之材料或前述之組合,但不以此為限。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode,OLED)、無機發光二極體(inorganic light-emitting diode)、次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(QDLED)、其他適合之材料或上述的任意排列組合,但不以此為限。顯示裝置也可例如包括拼接顯示裝置、背光模組,但不以此為限。天線裝置可例如是液晶天線,但不以此為限。天線裝置可例如包括天線拼接裝置,但不以此為限。需注意的是,電子裝置可為前述之任意排列組合,但不以此為限。電子裝置可以具有驅動系統、控制系統、光源系統、層架系統…等週邊系統以支援顯示裝置、天線裝置或拼接裝置。下文將以顯示裝置來說明本揭露內容,但本揭露不以此為限。
須知悉的是,以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下,可將數個不同實施例中的特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。各實施例間特徵只要不違背發明精神或相衝突,均可任意混合搭配使用。
現將詳細地參考本揭露的示範性實施例,示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能,相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
圖1A為本揭露一些實施例的顯示面板的上視示意圖。圖1B為圖1A的顯示面板沿剖面線Ⅰ-Ⅰ’的剖面示意圖。為了附圖清楚及方便說明,圖1A省略繪示顯示裝置100中的若干元件。
請同時參照圖1A與圖1B,本實施例的顯示裝置100包括基板110、介電層111、多個發光單元120、第一結構130、第二結構140、畫素定義層(pixel define layer,PDL)150以及封裝層160。其中,基板110具有第一表面110a以及與第一表面110a相對的第二表面110b。基板110可具有導熱功能。在本實施例中,基板110可以包括硬性基板、軟性基板或前述的組合。舉例來說,基板110的材料可包括玻璃、石英、藍寶石(sapphire)、陶瓷、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醯亞胺(polyimide,PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、其它合適的基板材料、或前述的組合,但不以此為限。
具體來說,介電層111設置於基板110的第一表面110a上。介電層111可具有單層或多層結構。當介電層111為單層結構時,可具有彼此相對的表面111a與表面111b。當介電層111為多層結構時,表面111b可為與基板110的第一表面110a接觸的最底層結構的下表面,而介電層111的表面111a可為最頂層結構的上表面。電晶體113、掃描線SL以及資料線DL設置於基板110的第一表面110a上。其中電晶體113包含半導體層而半導體層的材料可包括非晶質矽(amorphous silicon)、低溫多晶矽(LTPS)、金屬氧化物(例如氧化銦鎵鋅IGZO)、其他合適的材料或上述的組合,但不以此為限。第一接墊114與第二接墊115連接發光單元120,且分別設置於介電層111的表面111a上。其中,第一接墊114可電性連接至電晶體113,第二接墊115可電性連接至公用訊號。掃描線SL與資料線DL可分別電性連接至電晶體113。掃描線SL與資料線DL可彼此交錯,但不以此為限。畫素單元PX可以由掃描線SL與資料線DL的排列而定義,也可以由畫素定義層150所圍繞的範圍而定義,但不以此為限。
在本實施例中,第一方向X、第二方向Y以及第三方向Z為不同的方向。第一方向X例如是掃描線SL的延伸方向,第二方向Y例如是資料線DL的延伸方向,第三方向Z例如是基板110的法線方向。其中,第一方向X大致上垂直於第二方向Y,且第一方向X與第二方向Y則分別大致上垂直於第三方向Z,但不以此為限。
多個發光單元120設置於基板110上,且多個發光單元120中的至少一個設置於畫素單元PX中。在本實施例中,多個發光單元120設置於基板110的第一表面110a上。在顯示裝置100的剖面示意圖中,發光單元120可設置於畫素定義層150之間。發光單元120可包括不同顏色的發光二極體,例如紅色發光二極體、綠色發光二極體以及藍色發光二極體,但不以此為限。發光單元120具有第一電極121與第二電極122。第一電極121連接第一接墊114,且第二電極122連接第二接墊115。發光單元120可透過第一電極121與第一接墊114電性連接至電晶體113,並可透過第二電極122與第二接墊115電性連接至公用訊號。在本實施例中,多個發光單元120可發出光並產生熱量。
此外,在本實施例中,發光單元120具有高度H1,且畫素定義層150具有高度H2。當高度H2為高度H1的0.5倍至1.5倍時,可改善發光單元120所產生的熱量傳導至畫素定義層150上的第一結構130的導熱效果。其中,高度H1為發光單元120沿第三方向Z量測到的最大高度,且高度H2為畫素定義層150沿第三方向Z量測到的最大高度。
第一結構130設置於基板110上。在本實施例中,第一結構130設置於基板110的第一表面110a上。第一結構130可設置於介電層111的表面111a,且包含導熱層135和導熱層136,但不以此為限。在本實施例中,可先形成導熱層135,再形成畫素定義層150,而後形成的導熱層136可設置在畫素定義層150的頂表面151與側表面152,但不以此為限,其他實施例可有其他的設置關係。其中,暴露區EX1位在導熱層135中,以使第一結構130可暴露出發光單元120以及介電層111的一部份。第一結構130在基板110的法線方向(即第三方向Z)上可重疊於掃描線SL與資料線DL。第一結構130可連接發光單元120的第二接墊115,但不連接發光單元120第一接墊114。第一結構130可電性連接至公用訊號,以使得第一結構130可被配置用於傳輸公用訊號。
此外,在本實施例中,第一結構130具有導熱功能,以傳導熱量。第一結構130的導熱係數可以大於封裝層160的導熱係數,但不以此為限。在本實施例中,第一結構130可以為單層或多層結構。第一結構130可以為液態冷卻導熱結構、微通道液態冷卻結構,但不以此為限。第一結構130的材料可以為金屬、石墨或氧化物導體等導電導熱材料,且第一結構130的材料也以為陶瓷等導熱材料,但不以此為限。第一結構130的材料可以相同或可不同於第二接墊115的材料,但不以此為限。
此外,在顯示裝置100的上視示意圖中,在每個畫素單元PX中,由於第一結構130具有導熱功能、第一結構130的面積A1可大於發光單元120的面積A2,第一結構130的面積A1可大於畫素單元PX的面積A3的一半(即A1>1/2×A3),而且第一結構130可橫跨複數個發光單元120或可橫跨複數個畫素單元PX,使得多個發光單元120所產生的熱量可通過第一結構130而有效地均勻分散並傳導至基板110外,以達到散熱的效果。上述面積的量測可為在上視示意圖中對方向X與方向Y所形成的平面進行觀察或量測到的面積。
第二結構140設置於基板110外,以接觸外界(例如空氣)。在本實施例中,第二結構140可在基板110下,在其他實施例,第二結構140可在基板110側邊,但不以此為限。第二結構140可設置於基板110的第二表面110b上並接觸第二表面110b。第二結構140可以為具有散熱功能的散熱片(heat sink),且所述散熱片具有多個鰭片,但本揭露並不對散熱片的形狀加以限制,只要使散熱片可用來接觸外界的表面積至少可以大於等於50%其自身的總表面積即可。第二結構140的材料可以為銅、鋁或其他適合的散熱材料,但不以此為限。在本實施例中,多個發光單元120所產生的熱量可有效地通過第一結構130傳導至基板110外的第二結構140,進而再通過第二結構140傳導至外界(例如空氣),以達到散熱的效果。在一些實施例中,第二結構140可為將熱導到外界(例如空氣)的最後元件或接觸外界的最後元件,但不以此為限。
以下將列舉其他實施例以作為說明。在此必須說明的是,下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容,其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例,下述實施例不再重複贅述。
圖2為本揭露一些實施例的顯示面板的上視示意圖。請同時參照圖1A與圖2,本實施例的顯示裝置100a大致相似於圖1A的顯示裝置100,因此兩實施例中相同與相似的構件於此不再重述。本實施例的顯示裝置100a不同於顯示裝置100其中之一處在於,第一結構130包括橋接部133、橋接部134與多個邊框131。其中,上視圖中,橋接部133位在兩相鄰的暴露區EX2和暴露區EX3之間(或兩相鄰的暴露區EX4和暴露區EX5之間),橋接部134位在兩相鄰的暴露區EX2和暴露區EX4之間(或兩相鄰的暴露區EX3和暴露區EX5之間),其他相似的構件於此不再重述,而邊框131位於暴露區EX2-5以及橋接部133、134之內。
每個邊框131設置於各個畫素單元PX中。在相鄰的兩個畫素單元PX中,其中一個畫素單元PX中的邊框131可連接另一個畫素單元PX中的邊框131,但不以此為限。在本實施例中,邊框131例如是可以具象化為矩形或四邊形且具有4個側邊,但不以此為限。
具體來說,邊框131可包括第一側邊1311、第二側邊1312、第三側邊1313以及第四側邊1314,第一側邊1311與第二側邊1312彼此相對,第三側邊1313與第四側邊1314彼此相對,第三側邊1313連接第一側邊1311與第二側邊1312,且第四側邊1314連接第一側邊1311與第二側邊1312。在本實施例中,每個畫素單元PX中設置有一個發光單元120。在每個畫素單元PX中,邊框131的第一側邊1311、第二側邊1312、第三側邊1313以及第四側邊1314可分別設置在發光單元120的四周,以圍繞發光單元120。也就是說,在本實施例中,多個發光單元120可分別設置於畫素單元PX中,且每個畫素單元PX中的一個發光單元120可以被邊框131所圍繞。
具體來說,請參照圖2,在本實施例中,第一結構130中的邊框131在基板110的法線方向(即第三方向Z)上可不重疊於掃描線SL與資料線DL,以減少邊框131與掃描線SL之間的寄生電容,並減少邊框131與資料線DL之間的寄生電容。
在本實施例中,橋接部133與橋接部134設置於相鄰的兩個邊框131之間,以連接多個邊框131中的相鄰的兩個邊框131。也就是說,在相鄰的兩個畫素單元PX中,其中一個畫素單元PX中的邊框131可通過橋接部133或橋接部134連接至另一個畫素單元PX中的邊框131。此外,橋接部133在基板110的法線方向(即第三方向Z)上可重疊於掃描線SL,且橋接部134在基板110的法線方向(即第三方向Z)上可重疊於資料線DL。在本實施例中,橋接部133在第一方向X上的長度L1小於邊框131在第一方向X上的長度L2,且橋接部134在第二方向Y上的長度L3小於邊框131在第二方向Y上的長度L4,藉此可減少第一結構130與掃描線SL之間的寄生電容,並減少第一結構130與資料線DL之間的寄生電容。
圖3為本揭露一些實施例的顯示面板的上視示意圖。請同時參照圖1A與圖3,本實施例的顯示裝置100b大致相似於圖1A的顯示裝置100,因此兩實施例中相同與相似的構件於此不再重述。本實施例的顯示裝置100b不同於顯示裝置100其中之一處在於,在本實施例的顯示裝置100b中,每個畫素單元PX中設置有多個發光單元120。
具體來說,請參照圖3,在本實施例中,在每個畫素單元PX中例如是設置有4個發光單元120,但本揭露並不對每個畫素單元PX中設置的發光單元120的數量加以限制,只要所述發光單元120的數量為2個或2個以上即可。在一些實施例中,在每個畫素單元PX中,有如圖2的邊框131的第一側邊1311、第二側邊1312、第三側邊1313以及第四側邊1314可分別設置在多個發光單元120的四周,以圍繞多個發光單元120。也就是說,每個畫素單元PX中的多個發光單元120可以被邊框131所圍繞。
圖4為本揭露一些實施例的顯示面板的上視示意圖。請同時參照圖2與圖4,本實施例的顯示裝置100c大致相似於圖2的顯示裝置100,因此兩實施例中相同與相似的構件於此不再重述。本實施例的顯示裝置100c不同於顯示裝置100其中之一處在於,在本實施例的顯示裝置100c中,每個畫素單元PX中的邊框131a圍繞發光單元120。
具體來說,請參照圖4,在本實施例中,每個畫素單元PX中的第一結構130中的邊框131a包括2個側邊,例如是彼此相對第一側邊1311與第二側邊1312,但不以此為限。在一些實施例中,2個側邊也可以是圖2中的第一側邊1311與第三側邊1313、第一側邊1311與第四側邊1314、第二側邊1312與第三側邊1313、或第二側邊1312與第四側邊1314。在一些實施例中,第一結構130中的邊框也可包括圖2中的第一結構130的至少一側邊,以圍繞發光單元120,例如是圖2中第一結構130的任意1個側邊或任意3個側邊,以圍繞發光單元120即可。
在本實施例中,由於部分的掃描線SL在基板110的法線方向(即第三方向Z)上可不重疊於第一結構130的邊框131a,因而可以減少第一結構130與掃描線SL之間的寄生電容。
圖5A為本揭露一些實施例的顯示面板的上視示意圖。圖5B為圖5A的顯示面板沿剖面線Ⅱ-Ⅱ’的剖面示意圖。請同時參照圖1A至圖1B以及圖5A至圖5B,本實施例的顯示裝置100d大致相似於圖1A至圖1B的顯示裝置100,因此兩實施例中相同與相似的構件於此不再重述。本實施例的顯示裝置100d不同於顯示裝置100其中之一處在於,在本實施例的顯示裝置100d中,第一結構130包括多個邊框131與多個連接部132。連接部132設置於各個畫素單元PX中的發光單元120與邊框131之間,以連接發光單元120的第二接墊115與邊框131。第一結構130的連接部132的材料可相同或不同於邊框131的材料,依需求增加設計彈性,例如增加導電性、增加導熱性、降低斷線風險、增加電容、方便走線布局等,但不以此為限。
圖6A為本揭露一些實施例的顯示面板的上視示意圖。圖6B為圖6A的顯示面板沿剖面線Ⅲ-Ⅲ’的剖面示意圖。請同時參照圖1A至圖1B以及圖6A至圖6B,本實施例的顯示裝置100e大致相似於圖1A至圖1B的顯示裝置100,因此兩實施例中相同與相似的構件於此不再重述。本實施例的顯示裝置100e不同於顯示裝置100其中之一處在於,本實施例的顯示裝置100e具有顯示區101以及鄰近顯示區101的非顯示區102,顯示區101包括第一區101a以及第二區101b,且顯示裝置100e還包括第三結構170、第四結構172、閘極驅動器180以及資料驅動器182。
具體來說,請參照圖6A與圖6B,在本實施例中,多個發光單元120與畫素定義層150設置於顯示區101。閘極驅動器180與資料驅動器182設置於非顯示區102。第一結構130、第三結構170以及第四結構172設置於顯示區101與非顯示區102。在顯示裝置100e的上視示意圖中(如圖6A所示),第三結構170可交錯排列或不規則排列於顯示區101,但不以此為限。在一些實施例中,第三結構也可陣列排列於顯示區101中(未示出)。
更具體來說,第四結構172設置於基板110的第一表面110a上,且位於介電層111與基板110之間。第一結構130與第四結構172分別位於介電層111的相對兩側。第四結構172具有導熱功能,且第四結構172的材料可相同或不同於第一結構130的材料,故於此不在贅述。
第三結構170設置於基板110的第一表面110a上且貫穿介電層111。第三結構170可連接第二接墊115(或第一結構130)與第四結構172。也就是說,在本實施例中,第三結構170的結構型態可例如是導熱連接結構,但本揭露並不對第三結構170的結構型態加以限制,只要第三結構170可連接第二接墊115(或第一結構130)與第四結構172即可。在本實施例中,由於第三結構170與第四結構172皆具有導熱功能,因而使得多個發光單元120所產生的熱量可有效地通過第一結構130、第三結構170以及第四結構172而傳導至基板110,進而再通過第二結構140傳導至外界(例如空氣),以達到散熱的效果。在本實施例中,第三結構170、第四結構172的材料可相同也可以不同於第一結構130的材料,但不以此為限。
在顯示裝置100e的上視示意圖中(如圖6A所示),第三結構170在非顯示區102具有第一密度、在顯示區101的第一區101a具有第二密度、且在顯示區101的第二區101b具有第三密度。其中,上述關於密度可為在上視示意圖(例如是方向X與方向Y所形成的平面)由同一單位面積下的第三結構170個數。關於單位面積可為1×1公分、2×2公分、3×3公分等,但不以此為限。其中,第一密度可以不同於第二密度與第三密度,例如第一密度可以大於第二密度與第三密度,或者第一密度可以大於第二密度且第二密度可以大於第三密度,但不以此為限。在一些實施例中,第二密度也可以等於第三密度(未示出)。在產品設計上,可依熱能分布設置第三結構170的區域,原則上第三結構170的密度較高可幫助熱能更快導出。在一些實施例中,並無設計第三結構170在非顯示區102,即在非顯示區102並無第一密度,僅有第二密度與第三密度,其中第二密度可以大於第三密度,也可以第二密度等於第三密度(未示出),但不以此為限。在一些實施例中,並無設計第三結構170在顯示區101的第一區101a與第二區101b,即並無第二密度與第三密度,第三結構170僅在非顯示區102中,但不限於圖6A中所示僅在非顯示區102中的某一角落,可依設計需求將第三結構170設計於非顯示區102中的任何位置。
在顯示裝置100e的上視示意圖中(如圖6A所示),由於在基板110的預定方形區域R中的第一結構130的面積A4可大於預定方形區域R中的所有發光單元120的面積A5 (即A4>A5),且預定方形區域R中的第一結構130的面積A4可大於預定方形區域R的面積A6的一半 (即A4>1/2×A6) ,因而使得多個發光單元120所產生的熱量可通過第一結構130而有效地均勻分散並傳導至基板110外,以達到散熱的效果。其中,預定方形區域R位於顯示區101,預定方形區域R的面積A6為顯示區101的面積A7的至少10% (即A6≧10%×A7),且預定方形區域R的中心點C為發光單元120的中心點。
圖7為本揭露一些實施例的顯示面板的剖面示意圖。請同時參照圖1B與圖7,本實施例的顯示裝置100f大致相似於圖1B的顯示裝置100,因此兩實施例中相同與相似的構件於此不再重述。本實施例的顯示裝置100f不同於顯示裝置100其中之一處在於,本實施例的顯示裝置100f還包括導熱介質190。
具體來說,請參照圖7,在本實施例中,將導熱介質190設置在基板110的第二表面110b與第二結構140之間,以使導熱介質190可接觸基板110與第二結構140,並使第二結構140可通過導熱介質190以及基板110連接至第一結構130。在本實施例中,導熱介質190可接觸外界,且導熱介質190可用來接觸外界的表面積可小於50%其自身的總表面積。導熱介質190的材料例如是導熱膠,但不以此為限。
在本實施例中,由於導熱介質190具有導熱功能,因而使得多個發光單元120所產生的熱量可有效地通過第一結構130傳導至基板110,進而再通過導熱介質190與第二結構140傳導至外界(例如空氣),以達到散熱的效果。
圖8為本揭露一些實施例的顯示面板的剖面示意圖。請同時參照圖6B與圖8,本實施例的顯示裝置100g大致相似於圖6B的顯示裝置100e,因此兩實施例中相同與相似的構件於此不再重述。本實施例的顯示裝置100g不同於顯示裝置100e其中之一處在於,本實施例的顯示裝置100g還包括導熱介質192。
具體來說,請參照圖8,在本實施例中,將導熱介質192設置在基板110的第二表面110b上與基板110內,以使導熱介質192可連接第四結構172與第二結構140,並使第二結構140可通過導熱介質192、第四結構172以及第三結構171連接至第一結構130。
在本實施例中,導熱介質192包括導熱層1921與導熱介質連接結構1922。導熱層1921設置於基板110的第二表面110b與第二結構140之間,以使導熱層1921可連接基板110與第二結構140。導熱介質連接結構1922貫穿基板110以連接第四結構172與導熱層1921。此外,在本實施例中,導熱介質192可接觸外界,且導熱介質192可用來接觸外界的表面積可小於50%其自身的總表面積。導熱介質192的材料可相同或可不同於第一結構130的材料,但不以此為限。
在本實施例中,第三結構171包括導熱連接結構1711、導熱層1712以及導熱連接結構1713。其中,第三結構171設置於基板110上,例如導熱連接結構1711與導熱連接結構1713分別貫穿部分的介電層111,且導熱連接結構1711與導熱連接結構1713可通過導熱層1712連接。在一些實施例中,第三結構171的結構也可視需求而採用不同的結構型態,只要第三結構171可連接第一結構130與第四結構172即可。
在本實施例中,由於導熱介質192具有導熱功能,因而使得多個發光單元120所產生的熱量可有效地通過第一結構130、第三結構171以及第四結構172而傳導至基板110,進而再通過導熱介質192與第二結構140傳導至外界(例如空氣),以達到散熱的效果。
圖9為本揭露一些實施例的顯示面板的剖面示意圖。請同時參照圖1B與圖9,本實施例的顯示裝置100h大致相似於圖1B的顯示裝置100,因此兩實施例中相同與相似的構件於此不再重述。本實施例的顯示裝置100h不同於顯示裝置100其中之一處在於,本實施例的顯示裝置100h還包括第五結構174與基板210。
具體來說,請參照圖9,在本實施例中,第五結構174設置於封裝層160遠離基板110的表面161上,且第五結構174可連接第一結構130。第五結構174的材料可相同或可不同於第一結構130的材料,但不以此為限。
基板210與基板110對立設置,且基板210與基板110分別設置於封裝層160的相對兩側。基板210可設置於封裝層160的表面161上,以覆蓋並連接第五結構174。基板210可與外界接觸。基板210的材料可相同或可不同於基板110的材料,但不以此為限。
在本實施例中,由於第五結構174與基板210具有導熱功能,因而使得多個發光單元120所產生的熱量可有效地通過第一結構130與第五結構174而傳導至基板210,進而再通過基板210傳導至外界(例如空氣),以達到散熱的效果。
圖10為本揭露一些實施例的顯示面板的剖面示意圖。請同時參照圖1B與圖10,本實施例的顯示裝置100i大致相似於圖1B的顯示裝置100,因此兩實施例中相同與相似的構件於此不再重述。本實施例的顯示裝置100i不同於顯示裝置100其中之一處在於,本實施例的顯示裝置100i具有顯示區101以及鄰近顯示區101的非顯示區102,且顯示裝置100i還包括第六結構176、金屬線177以及載具200。
具體來說,請參照圖10,在本實施例中,多個發光單元120與畫素定義層150設置於顯示區101。第一結構130設置於顯示區101與非顯示區102。第六結構176、金屬線177以及載具200設置於非顯示區102。
更具體來說,第六結構176設置於基板110的側邊110c。第六結構176可連接第一結構130與第二結構140(未示出),以使第一結構130可通過第六結構176連接至第二結構140。第六結構176的材料可相同或可不同於第一結構130的材料,但不以此為限。載具200設置於顯示裝置100i的外圍,並可與外界接觸。在本實施例中,載具200可透過金屬線177連接至第六結構176,但不以此為限。在一些實施例中,載具200也可接觸第六結構,因而可不需要額外設置金屬線(未示出)。載具200的材料例如是鋁、鋁合金或其他合適的金屬或陶瓷、塑膠材料,但不以此為限。
在本實施例中,由於第六結構176與金屬線177具有導熱功能,且載具200具有散熱功能,因而使得多個發光單元120所產生的熱量可有效地通過第一結構130、第六結構176以及金屬線177而傳導至載具200,進而再通過載具200傳導至外界(例如空氣),以達到散熱的效果。
圖11為本揭露一些實施例的顯示面板的剖面示意圖。請同時參照圖6B與圖11,本實施例的顯示裝置100j大致相似於圖6B的顯示裝置100e,因此兩實施例中相同與相似的構件於此不再重述。本實施例的顯示裝置100j不同於顯示裝置100e其中之一處在於,本實施例的顯示裝置100j還包括彩色濾光基板300。
具體來說,請參照圖11,在本實施例中,彩色濾光基板300設置於封裝層160遠離基板110的表面161上,以使彩色濾光基板300與基板110分別設置於封裝層160的相對兩側。彩色濾光基板300包括基板310與設置於基板310上的光學層320。光學層320位於基板310與封裝層160之間。光學層320包括相鄰設置的光轉換層(color conversion layer)321與黑色矩陣層(black matrix)322。光轉換層321對應於發光單元120設置,且黑色矩陣層322對應於畫素定義層150設置。在一些實施例中,可以視需要而將光轉換層321置換成彩色濾光層。
在本實施例中,第三結構170與第四結構172可對應於每個發光單元120設置,以使每個發光單元120所產生的熱量可有效地通過第一結構130、對應的第三結構170以及對應的第四結構172而傳導至基板110,進而再通過第二結構140傳導至外界(例如空氣),以達到散熱的效果。
圖12為本揭露一些實施例的拼接顯示裝置的上視立體示意圖。請先參照圖12,本實施例的拼接顯示裝置10包括多個顯示裝置100k、導熱元件250、基板220以及第二結構140k。接著,請同時參照圖1B與圖12,本實施例的顯示裝置100k大致相似於圖1B的顯示裝置100,因此兩實施例中相同與相似的構件於此不再重述。本實施例的顯示裝置100k不同於顯示裝置100其中之一處在於,本實施例的顯示裝置100k還包括第六結構176k。
具體來說,請參照圖12,在本實施例中,基板220具有第一表面220a以及與第一表面220a相對的第二表面220b。導熱元件250設置於基板220的第一表面220a上。導熱元件250的材料可相同或不同於第一結構130的材料,故於此不在贅述。多個顯示裝置100k陣列排列於基板220的第一表面220a上,以覆蓋導熱元件250。第二結構140k設置於基板220的第二表面220b上。第六結構176k設置於基板110的側邊110c,以連接第一結構130。第六結構176k的材料可相同或不同於第一結構130的材料,但不以此為限。
在本實施例中,由於導熱元件250具有導熱功能且第二結構140k具有散熱功能,因而使得多個發光單元120所產生的熱量可有效地通過第一結構130、基板110以及導熱元件250而傳導至基板220,進而再通過第二結構140k傳導至外界(例如空氣),以達到散熱的效果。
此外,在本實施例中,由於第六結構176k具有導熱功能,因而使得多個發光單元120所產生的熱量也可有效地通過第一結構130與第六結構176k而傳導至基板220,進而再通過第二結構140k傳導至外界(例如空氣),以達到散熱的效果。
綜上所述,在本揭露實施例的顯示裝置中,由於設置於基板上的第一結構的面積大於多個發光單元的面積,且第一結構具有導熱功能,因而使得多個發光單元所產生的熱量可通過第一結構而有效地均勻分散並傳導至基板外的第二結構,進而再通過第二結構傳導至外界(例如空氣),以達到散熱的效果。由於第三結構、第四結構、第五結構、第六結構、導熱介質皆具有導熱功能,因而使得多個發光單元所產生的熱量在傳導至第一結構之後,可再通過第三結構、第四結構、第五結構、第六結構及/或導熱介質傳導至基板和/或第二結構,進而傳導至外界(例如空氣),以達到散熱的效果。再者,針對熱能的量測,可透過例如紅外線感測器或紅外線相機等量測儀器,量測溫度的數據得知熱能的分布狀況。
雖然本揭露已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本揭露,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本揭露的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10:拼接顯示裝置
100、100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i、100j、100k:顯示裝置
101:顯示區
101a:第一區
101b:第二區
102:非顯示區
110、210、220、310:基板
110a、220a:第一表面
110b、220b:第二表面
110c:側邊
111:介電層
111a、111b、161:表面
113:電晶體
114:第一接墊
115:第二接墊
120:發光單元
121:第一電極
122:第二電極
130:第一結構
131、131a:邊框
1311:第一側邊
1312:第二側邊
1313:第三側邊
1314:第四側邊
132:連接部
133、134:橋接部
135、136、1712:導熱層
140、140k:第二結構
150:畫素定義層
151:頂表面
152:側表面
160:封裝層
170、171:第三結構
1711、1713:導熱連接結構
172:第四結構
174:第五結構
176、176k:第六結構
177:金屬線
180:閘極驅動器
182:資料驅動器
190、192:導熱介質
1921:導熱層
1922:導熱介質連接結構
200:載具
250:導熱元件
300:彩色濾光基板
320:光學層
321:光轉換層
322:黑色矩陣層
A1、A2、A3、A4、A6、A5、A7:面積
C:中心點
DL:資料線
L1、L2、L3、L4:長度
EX1、EX2、EX3、EX4、EX5:暴露區
H1、H2:高度
PX:畫素單元
R:預定方形區域
SL:掃描線
X:第一方向
Y:第二方向
Z:第三方向
圖1A為本揭露一些實施例的顯示面板的上視示意圖。
圖1B為圖1A的顯示面板沿剖面線Ⅰ-Ⅰ’的剖面示意圖。
圖2為本揭露一些實施例的顯示面板的上視示意圖。
圖3為本揭露一些實施例的顯示面板的上視示意圖。
圖4為本揭露一些實施例的顯示面板的上視示意圖。
圖5A為本揭露一些實施例的顯示面板的上視示意圖。
圖5B為圖5A的顯示面板沿剖面線Ⅱ-Ⅱ’的剖面示意圖。
圖6A為本揭露一些實施例的顯示面板的上視示意圖。
圖6B為圖6A的顯示面板沿剖面線Ⅲ-Ⅲ’的剖面示意圖。
圖7為本揭露一些實施例的顯示面板的剖面示意圖。
圖8為本揭露一些實施例的顯示面板的剖面示意圖。
圖9為本揭露一些實施例的顯示面板的剖面示意圖。
圖10為本揭露一些實施例的顯示面板的剖面示意圖。
圖11為本揭露一些實施例的顯示面板的剖面示意圖。
圖12為本揭露一些實施例的拼接顯示裝置的上視立體示意圖。
100:顯示裝置
110:基板
110a:第一表面
110b:第二表面
111:介電層
111a、111b:表面
113:電晶體
114:第一接墊
115:第二接墊
120:發光單元
121:第一電極
122:第二電極
130:第一結構
135、136:導熱層
140:第二結構
150:畫素定義層
151:頂表面
152:側表面
160:封裝層
EX1:暴露區
H1、H2:高度
PX:畫素單元
X:第一方向
Y:第二方向
Z:第三方向
Claims (7)
- 一種顯示裝置,包括: 基板; 多個發光單元,設置於所述基板上,且產生熱量; 第一結構,設置於所述基板上;以及 第二結構,設置於所述基板外, 其中所述熱量通過所述第一結構而從所述多個發光單元傳導至所述第二結構。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中所述第一結構包括多個邊框,且所述多個發光單元中的至少一個被所述多個邊框中的一個圍繞。
- 如請求項2所述的顯示裝置,其中所述第一結構還包括連接所述多個邊框中相鄰的兩個邊框的橋接部。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中所述第一結構被配置用於傳輸公用訊號。
- 如請求項1所述的顯示裝置,還包括: 導熱介質,其中所述第二結構通過所述導熱介質連接至所述第一結構。
- 一種顯示裝置,包括: 基板; 多個發光單元,設置於所述基板上,且產生熱量;以及 第一結構,設置於所述基板上,且傳導所述熱量, 其中,在所述顯示裝置的上視圖中,在所述基板的預定方形區域中的所述第一結構的一部分的面積大於所述多個發光單元的一部分的面積。
- 如請求項6所述的顯示裝置,其中所述第一結構的所述部分的所述面積大於所述預定方形區域的面積的一半。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110980907.9A CN115732432A (zh) | 2021-08-25 | 2021-08-25 | 显示装置 |
CN202110980907.9 | 2021-08-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202309866A true TW202309866A (zh) | 2023-03-01 |
TWI835104B TWI835104B (zh) | 2024-03-11 |
Family
ID=85287002
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW111112152A TWI835104B (zh) | 2021-08-25 | 2022-03-30 | 顯示裝置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230068261A1 (zh) |
CN (1) | CN115732432A (zh) |
TW (1) | TWI835104B (zh) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005197659A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-07-21 | Sony Corp | 光学装置及び画像生成装置 |
JP4701642B2 (ja) * | 2004-07-05 | 2011-06-15 | 日本電気株式会社 | 表示装置 |
TWM279164U (en) * | 2005-05-31 | 2005-10-21 | Atio System Inc | Electronic device with heat-dissipating casing |
CN112420910A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-02-26 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种Micro-LED自散热装置及其制造方法 |
-
2021
- 2021-08-25 CN CN202110980907.9A patent/CN115732432A/zh active Pending
-
2022
- 2022-03-30 TW TW111112152A patent/TWI835104B/zh active
- 2022-07-12 US US17/862,412 patent/US20230068261A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115732432A (zh) | 2023-03-03 |
TWI835104B (zh) | 2024-03-11 |
US20230068261A1 (en) | 2023-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11894501B2 (en) | Lighting device with light partially covered by light adjusting layer and method for making | |
US11847961B2 (en) | Electronic device | |
US20230317736A1 (en) | Electronic device | |
US20220352214A1 (en) | Electronic device | |
PH12019000058A1 (en) | Display device | |
US20240234442A1 (en) | Electronic device | |
US20230387142A1 (en) | Electronic device | |
CN113497208A (zh) | 显示面板和包括其的显示装置 | |
US20230213170A1 (en) | Backlight module and display device | |
TWI835104B (zh) | 顯示裝置 | |
KR102401089B1 (ko) | 표시 장치 | |
US20220261106A1 (en) | Display device | |
KR20220075554A (ko) | 표시장치 | |
TWI804313B (zh) | 電子裝置及其製造方法 | |
TWI754393B (zh) | 電子裝置 | |
TWI728916B (zh) | 電子裝置 | |
TWI841917B (zh) | 電子裝置 | |
WO2024020805A1 (zh) | 背光模组及显示装置 | |
US20230187586A1 (en) | Electronic device and manufacturing method thereof | |
TWI752508B (zh) | 顯示裝置 | |
US20240297275A1 (en) | Display apparatus | |
US20240332474A1 (en) | Electronic device | |
TW202416252A (zh) | 顯示裝置以及電子裝置 | |
TW202403974A (zh) | 電子裝置 | |
KR20240146825A (ko) | 표시장치 |