TW202309563A - 附有覆蓋膜之光學膜 - Google Patents

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三浦大生
野田美菜子
寳田翔
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日商日東電工股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種附有覆蓋膜之光學膜，其適於自附有黏著劑層之薄光學膜剝離一覆蓋膜，同時抑制另一覆蓋膜之剝離及光學膜端部之龜裂，且適於抑制彎折時黏著劑層自光學膜剝落。 本發明之附有覆蓋膜之光學膜X1具備光學膜10、黏著劑層20、30及覆蓋膜40、50。光學膜10具有100 μm以下之厚度，黏著劑層20、30具有5～100 μm之厚度，覆蓋膜40具有40～80 μm之厚度H4，覆蓋膜50具有40～80 μm之厚度H5，且比率(H4/H5)為1以下。黏著劑層20、30之儲存模數為20～100 kPa。覆蓋膜40之第1剝離力為10 gf/25 mm以下，覆蓋膜50之第1剝離力相對於第2剝離力之比率為0.9以下。

Description

附有覆蓋膜之光學膜
本發明係關於一種附有覆蓋膜之光學膜。
顯示面板例如具有包含像素面板、觸控面板、及透明覆蓋膜等之積層構造。於顯示面板之積層構造中設置有具有特定之光學功能之光學膜。光學膜例如可例舉膜狀之偏光膜、及相位差膜。光學膜例如係製造成於光學膜之兩面分別設置有黏著劑層之附有黏著劑層之光學膜。又，附有黏著劑層之光學膜例如係製造成黏著劑層為覆蓋膜所覆蓋之附有覆蓋膜之光學膜。此種附有覆蓋膜之光學膜例如記載於下述專利文獻1。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2020-190754號公報
[發明所欲解決之問題]
用於智慧型手機及平板終端、可反覆彎折(可摺疊)之顯示面板之開發正日益推進。於可摺疊之顯示面板中，要求積層構造中之各要素較薄且具有可撓性。對可摺疊顯示面板用光學膜亦要求較薄且具有可撓性。
然而，先前於上述附有覆蓋膜之光學膜中，附有黏著劑層之光學膜越薄，自黏著劑層剝離一覆蓋膜時之剝離開始用負荷越容易於光學膜之端部引起該光學膜之顯著變形。因此，於剝離一覆蓋膜時，亦容易產生另一覆蓋膜之剝離。又，於剝離一覆蓋膜時，容易於光學膜之端部產生龜裂。
又，對於可摺疊顯示面板用附有黏著劑層之光學膜，要求即便於彎折時黏著劑層亦對光學膜顯示出充分之接著可靠性。然而，先前於器件之彎折部位中，黏著劑層容易自光學膜剝落。其原因在於，器件彎折時，於該彎折部位中，剪應力等應力局部地作用於黏著劑層。該剝落之產生導致器件之功能不良，故而欠佳。
本發明提供一種附有覆蓋膜之光學膜，其適於自附有黏著劑層之薄光學膜剝離一覆蓋膜，同時抑制另一覆蓋膜之剝離及光學膜端部之龜裂，並且適於抑制彎折時黏著劑層自光學膜剝落。 [解決問題之技術手段]
本發明[1]包含一種附有覆蓋膜之光學膜，其於厚度方向依序具備第1覆蓋膜、第1黏著劑層、光學膜、第2黏著劑層、及第2覆蓋膜，上述光學膜具有100 μm以下之第1厚度，上述第1黏著劑層具有5 μm以上100 μm以下之第2厚度，上述第1黏著劑層於25℃具有20 kPa以上100 kPa以下之第1剪切儲存模數，上述第2黏著劑層具有5 μm以上100 μm以下之第3厚度，上述第2黏著劑層於25℃具有20 kPa以上100 kPa以下之第2剪切儲存模數，上述第1覆蓋膜具有40 μm以上80 μm以下之第4厚度，上述第2覆蓋膜具有40 μm以上80 μm以下之第5厚度，上述第4厚度相對於上述第5厚度之比率為1以下，用以將上述第1覆蓋膜自上述第1黏著劑層剝離之第1剝離力相對於用以將上述第2覆蓋膜自上述第2黏著劑層剝離之第2剝離力之比率為0.9以下，上述第1剝離力為10 gf/25 mm以下。
本發明[2]包含如上述[1]之附有覆蓋膜之光學膜，其中上述第3厚度相對於上述第3厚度之比率為0.1以上2以下。
本發明[3]包含如上述[1]或[2]之附有覆蓋膜之光學膜，其中上述第1剪切儲存模數相對於上述第2剪切儲存模數之比率為0.5以上。
本發明[4]包含一種附有覆蓋膜之光學膜，其於厚度方向依序具備第1覆蓋膜、第1黏著劑層、光學膜、第2黏著劑層、及第2覆蓋膜，上述光學膜具有100 μm以下之第1厚度，上述第1黏著劑層具有5 μm以上100 μm以下之第2厚度，上述第1黏著劑層於25℃具有20 kPa以上100 kPa以下之第1剪切儲存模數，上述第2黏著劑層具有5 μm以上30 μm以下之第3厚度，上述第2黏著劑層於25℃具有150 kPa以上之第2剪切儲存模數，上述第1覆蓋膜具有40 μm以上80 μm以下之第4厚度，上述第2覆蓋膜具有40 μm以上80 μm以下之第5厚度，上述第4厚度相對於上述第5厚度之比率為1以上，上述第2黏著劑層及上述第2覆蓋膜形成附有第2黏著劑層之第2覆蓋膜，用以將上述第1覆蓋膜自上述第1黏著劑層剝離之第1剝離力相對於用以將上述附有第2黏著劑層之第2覆蓋膜自上述光學膜剝離之第2剝離力之比率為0.9以下，上述第1剝離力為10 gf/25 mm以下。
本發明[5]包含如上述[4]之附有覆蓋膜之光學膜，其中上述第2厚度相對於上述第3厚度之比率為1以上100以下。
本發明[6]包含上述[4]或[5]之附有覆蓋膜之光學膜，其中上述第1剪切儲存模數相對於上述第2剪切儲存模數之比率為0.5以下。
本發明[7]包含如上述[1]至[6]中任一項之附有覆蓋膜之光學膜，其中上述光學膜為偏光膜。
本發明[8]包含如上述[1]至[7]中任一項之附有覆蓋膜之光學膜，其中上述偏光膜具有1.0×10 6kPa以上之第3剪切儲存模數。 [發明之效果]
本發明之附有覆蓋膜之光學膜適於自附有黏著劑層之薄光學膜剝離一覆蓋膜，同時抑制另一覆蓋膜之剝離及光學膜端部之龜裂。而且，本發明之附有覆蓋膜之光學膜適於在彎折時抑制黏著劑層自光學膜剝落。
如圖1所示，作為本發明之附有覆蓋膜之光學膜之第1實施方式的光學膜X1具備光學膜10、黏著劑層20(第1黏著劑層)、黏著劑層30(第2黏著劑層)、覆蓋膜40(第1覆蓋膜)、及覆蓋膜50(第2覆蓋膜)。光學膜X1具有特定厚度之片材形狀，且於與厚度方向T正交之方向(面方向)擴展。具體而言，光學膜X1於厚度方向T依序具備覆蓋膜50、黏著劑層30、光學膜10、黏著劑層20、及覆蓋膜40。
光學膜10於本實施方式中為功能性光學膜。功能性光學膜例如可例舉膜狀之偏光板(偏光膜)及相位差膜。光學膜10具有作為厚度方向之一面之第1面11、及與該第1面11為相反側之第2面12。黏著劑層20貼合於第1面11，且於光學膜10之相反側具有黏著面21(第1黏著面)。黏著劑層30貼合於第2面12，且於光學膜10之相反側具有黏著面31(第2黏著面)。此種光學膜10及黏著劑層20、30形成附有黏著劑層之光學膜Y1。附有黏著劑層之光學膜Y1為組裝至可摺疊顯示面板之積層構造中之光學膜。光學膜X1具備此種附有黏著劑層之光學膜Y1、及覆蓋膜40、50。覆蓋膜40可剝離地配置於附有黏著劑層之光學膜Y1中之黏著面21上。覆蓋膜50可剝離地配置於黏著面31上。覆蓋膜40、50具有可撓性。
此種光學膜X1係於可摺疊顯示面板之製造過程中用作組裝至該面板之積層構造之附有黏著劑層之光學膜Y1的供給材料。於可摺疊顯示面板之製造過程中，覆蓋膜40、50分別於特定之時點自附有黏著劑層之光學膜Y1剝落。覆蓋膜40係於較覆蓋膜50前之時點剝落。即，於光學膜X1中，覆蓋膜40為先剝離膜，覆蓋膜50為後剝離膜。
於光學膜X1中，光學膜10具有100 μm以下之厚度H1(第1厚度)。就於光學膜10及附有黏著劑層之光學膜Y1中確保適於軟性面板之可撓性之觀點而言，厚度H1較佳為80 μm以下，更佳為60 μm以下，進而較佳為40 μm以下。就光學膜10之強度之觀點而言，厚度H1較佳為3 μm以上，更佳為5 μm以上，進而較佳為10 μm以上。
黏著劑層20具有5 μm以上100 μm以下之厚度H2(第2厚度)。就確保黏著劑層20中之充分之黏著力之觀點而言，厚度H2較佳為10 μm以上，更佳為20 μm以上，進而較佳為30 μm以上。就抑制用以自黏著劑層20剝離覆蓋膜40之剝離力之觀點而言，厚度H2較佳為90 μm以下，更佳為80 μm以下，進而較佳為70 μm以下。
黏著劑層20於25℃具有20 kPa以上100 kPa以下之剪切儲存模數M1(第1剪切儲存模數)。就黏著劑層20之黏著力與用以自該黏著劑層20剝離覆蓋膜40之剝離力之平衡的觀點而言，剪切儲存模數M1較佳為30 kPa以上，更佳為40 kPa以上，進而較佳為45 kPa以上，又，較佳為90 kPa以下，更佳為80 kPa以下，進而較佳為75 kPa以下。剪切儲存模數M1可藉由動態黏彈性測定裝置進行測定。於該測定中，將測定模式設為扭力模式，將測定溫度範圍設為-50℃～150℃，將升溫速度設為5℃/min，且將頻率設為1 Hz(於後述剪切儲存模數M2之測定中亦同)。剪切儲存模數M1之調整方法例如可例舉用於黏著劑層20之基礎聚合物之種類之選擇、分子量之調整、及調配量之調整、以及使上述基礎聚合物進行交聯之交聯劑之種類之選擇及調配量之調整。
黏著劑層30具有5 μm以上100 μm以下之厚度H3(第3厚度)。就確保黏著劑層30中之充分之黏著力之觀點而言，厚度H3較佳為10 μm以上，更佳為20 μm以上，進而較佳為30 μm以上。就抑制用以自黏著劑層30剝離覆蓋膜50之剝離力之觀點而言，厚度H3較佳為90 μm以下，更佳為80 μm以下，進而較佳為70 μm以下。
黏著劑層30於25℃具有20 kPa以上100 kPa以下之剪切儲存模數M2(第2剪切儲存模數)。就黏著劑層30之黏著力與用以自該黏著劑層30剝離覆蓋膜50之剝離力之平衡的觀點而言，剪切儲存模數M2較佳為30 kPa以上，更佳為40 kPa以上，進而較佳為45 kPa以上，又，較佳為90 kPa以下，更佳為80 kPa以下，進而較佳為75 kPa以下。剪切儲存模數M2之調整方法例如可例舉用於黏著劑層30之基礎聚合物之種類之選擇、分子量之調整、及調配量之調整、以及使上述基礎聚合物進行交聯之交聯劑之種類之選擇及調配量之調整。
覆蓋膜40具有40 μm以上80 μm以下之厚度H4(第4厚度)。就確保覆蓋膜40之可撓性之觀點而言，厚度H4較佳為75 μm以下，更佳為70 μm以下。就覆蓋膜40之強度之觀點而言，厚度H4較佳為45 μm以上，更佳為48 μm以上，進而較佳為50 μm以上。
覆蓋膜50具有40 μm以上80 μm以下之厚度H5(第5厚度)。就確保覆蓋膜50之可撓性之觀點、及抑制覆蓋膜剝離時之光學膜10端部之龜裂之觀點而言，厚度H5較佳為75 μm以下，更佳為70 μm以下。就覆蓋膜40之強度之觀點而言，厚度H5較佳為45 μm以上，更佳為48 μm以上，進而較佳為50 μm以上。
於本實施方式，上述厚度H4相對於厚度H5之比率(H4/H5)為1以下。就於覆蓋膜40之剝離時抑制覆蓋膜50之剝離之觀點而言，比率(H4/H5)較佳為0.9以下，更佳為0.8以下。比率(H4/H5)例如為0.1以上。
用以將覆蓋膜40自黏著劑層20剝離之剝離力F1(第1剝離力)相對於用以將覆蓋膜50自黏著劑層30剝離之剝離力F2(第2剝離力)之比率(F1/F2)為0.9以下。就於覆蓋膜40之剝離時抑制覆蓋膜50之剝離之觀點而言，比率(F1/F2)較佳為0.8以下，更佳為0.7以下，進而較佳為0.6以下。比率(F1/F2)例如為0.1以上。剝離力F1及剝離力F2係分別於測定溫度25℃、剝離角度180°、及拉伸速度300 mm/min之條件下之剝離試驗中進行測定。
剝離力F1為10 gf/25 mm以下。就於自黏著劑層20剝離覆蓋膜40時確保良好之剝離作業之觀點而言，剝離力F1較佳為7 gf/25 mm以下，更佳為5 gf/25 mm以下，進而較佳為3 gf/25 mm以下，尤佳為2.5 gf/25 mm以下。就抑制覆蓋膜40自黏著劑層20不慎剝離之觀點而言，剝離力F1較佳為0.1 gf/25 mm以上，更佳為0.3 gf/25 mm以上，進而較佳為0.5 gf/25 mm以上。剝離力F1之調整方法例如可例舉用於黏著劑層20之基礎聚合物之種類之選擇、分子量之調整、及調配量之調整。基礎聚合物之種類之選擇包含基礎聚合物中之主鏈之種類(結構)之選擇、以及官能基之種類之選擇及量之調整(後述基礎聚合物之種類之選擇亦同)。剝離力F1之調整方法亦可例舉黏著劑層20中之除基礎聚合物以外之成分之種類之選擇、及該成分之調配量之調整。該成分可例舉交聯劑、矽烷偶合劑、及低聚物。
如此一來，如上所述，光學膜X1中光學膜10之厚度H1為100 μm以下，黏著劑層20之厚度H2為5 μm以上100 μm以下，黏著劑層30之厚度H3為5 μm以上100 μm以下，黏著劑層20之剪切儲存模數M1為20 kPa以上100 kPa以下，黏著劑層30之剪切儲存模數M2為20 kPa以上100 kPa以下，覆蓋膜40之厚度H4為40 μm以上80 μm以下，覆蓋膜50之厚度H5為40 μm以上80 μm以下，比率(H4/H5)為1以下，覆蓋膜40之剝離力F1相對於覆蓋膜50之剝離力F2之比率(F1/F2)為0.9以下，且剝離力F1為10 gf/25 mm以下。如基於後述實施例及比較例所示，此種光學膜X1適於自光學膜Y1(附有黏著劑層20、30之薄光學膜10)剝離覆蓋膜40，同時抑制覆蓋膜50之剝離及光學膜10端部之龜裂。
於光學膜X1中，就光學膜X1之彎折容易度(彎折性)、及於被接著體表面存在階差之情形時黏著劑層對該階差之追隨性(階差吸收性)之觀點而言，黏著劑層20之厚度H2相對於黏著劑層30之厚度H3之比率(H2/H3)較佳為0.1以上，更佳為0.2以上，進而較佳為0.3以上。就彎折性及階差吸收性之觀點而言，比率(H2/H3)較佳為2以下，更佳為1.5以下，進而較佳為1.2以下。
就彎折性及階差吸收性之觀點而言，黏著劑層20之剪切儲存模數M1相對於黏著劑層30之剪切儲存模數M2之比率(M1/M2)較佳為0.5以上，更佳為1以上，進而較佳為1.3以上，尤佳為1.5以上。就彎折性及階差吸收性之觀點而言，比率(M1/M2)較佳為5以下，更佳為4以下，進而較佳為3以下。
就抑制覆蓋膜40自黏著劑層20不慎剝離之觀點而言，覆蓋膜50之剝離力F2較佳為0.11 gf/25 mm以上，更佳為0.33 gf/25 mm以上，進而較佳為0.55 gf/25 mm以上。就於自黏著劑層30剝離覆蓋膜50時確保良好之剝離作業之觀點而言，剝離力F2較佳為10 gf/25 mm以下，更佳為8 gf/25 mm以下，進而較佳為6 gf/25 mm以下，尤佳為5 gf/25 mm以下。剝離力F2之調整方法例如可例舉用於黏著劑層30之基礎聚合物之種類之選擇、分子量之調整、及調配量之調整。剝離力F2之調整方法亦可例舉黏著劑層30中之除基礎聚合物以外之成分之種類之選擇、及該成分之調配量之調整。該成分可例舉交聯劑、矽烷偶合劑、及低聚物。
於光學膜10為偏光膜之情形時，該偏光膜例如可例舉具備偏光元件、及貼合於該偏光元件之單面或兩面之透明保護膜的偏光膜。偏光元件例如可例舉吸附有二色性物質之單軸延伸之親水性高分子膜、及多烯配向膜。親水性高分子膜例如可例舉聚乙烯醇膜、部分縮甲醛化聚乙烯醇膜、及乙烯-乙酸乙烯酯共聚物部分皂化膜。二色性物質例如可例舉碘及二色性染料。多烯配向膜例如可例舉聚乙烯醇之脫水處理物、及聚氯乙烯之脫氯化氫處理物。
亦可使用厚度10 μm以下之薄型偏光元件作為偏光元件。薄型偏光元件例如可例舉日本專利特開昭51-069644號公報、日本專利特開2000-338329號公報、WO2010/100917號、日本專利第4691205號、及日本專利第4751481號所記載之偏光元件。
透明保護膜較佳為透明性、機械強度、熱穩定性、水分阻隔性、及光學各向同性優異之膜。此種透明保護膜之材料例如可例舉纖維素樹脂、環狀聚烯烴樹脂、丙烯酸樹脂、苯基馬來醯亞胺樹脂、及聚碳酸酯樹脂。
黏著劑層20係由第1黏著劑組合物所形成之壓敏黏著劑層。黏著劑層20具有透明性(可見光透過性)。第1黏著劑組合物至少含有基礎聚合物。
基礎聚合物係於黏著劑層20中表現黏著性之黏著成分。基礎聚合物例如可例舉：丙烯酸聚合物、矽酮聚合物、聚酯聚合物、聚胺酯聚合物、聚醯胺聚合物、聚乙烯醚聚合物、乙酸乙烯酯/氯乙烯共聚物、改性聚烯烴聚合物、環氧聚合物、氟聚合物、及橡膠聚合物。基礎聚合物可單獨使用，亦可將兩種以上併用。就確保黏著劑層20之良好之透明性及黏著性之觀點而言，較佳為使用丙烯酸聚合物作為基礎聚合物。
丙烯酸聚合物係以50質量%以上之比例包含(甲基)丙烯酸烷基酯之單體成分之共聚物。「(甲基)丙烯酸」意指丙烯酸及/或甲基丙烯酸。
(甲基)丙烯酸烷基酯適宜使用烷基之碳數為1～20之(甲基)丙烯酸烷基酯。(甲基)丙烯酸烷基酯可具有直鏈狀或支鏈狀烷基，亦可具有脂環式烷基等環狀烷基。
具有直鏈狀或支鏈狀烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯例如可例舉(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸新戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯(即丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸異十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸異十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸異十八烷基酯、及(甲基)丙烯酸十九烷基酯。
具有脂環式烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯例如可例舉(甲基)丙烯酸環烷基酯、具有二環式脂肪族烴環之(甲基)丙烯酸酯、及具有三環以上之脂肪族烴環之(甲基)丙烯酸酯。(甲基)丙烯酸環烷基酯例如可例舉(甲基)丙烯酸環戊酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸環庚酯、及(甲基)丙烯酸環辛酯。具有二環式脂肪族烴環之(甲基)丙烯酸酯例如可例舉(甲基)丙烯酸異𦯉酯。具有三環以上之脂肪族烴環之(甲基)丙烯酸酯例如可例舉(甲基)丙烯酸雙環戊酯、(甲基)丙烯酸雙環戊氧基乙酯、(甲基)丙烯酸三環戊酯、(甲基)丙烯酸1-金剛烷基酯、(甲基)丙烯酸2-甲基-2-金剛烷基酯、及(甲基)丙烯酸2-乙基-2-金剛烷基酯。
(甲基)丙烯酸烷基酯較佳為使用具有碳數3～15之烷基之丙烯酸烷基酯，更佳為使用選自由丙烯酸正丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、及丙烯酸十二烷基酯所組成之群中之至少一個。
就於黏著劑層20中適當表現黏著性等基本特性之觀點而言，單體成分中之(甲基)丙烯酸烷基酯之比例較佳為50質量%以上，更佳為60質量%以上，進而較佳為70質量%以上。該比例例如為99質量%以下。
單體成分亦可包含可與(甲基)丙烯酸烷基酯進行共聚之共聚性單體。共聚性單體例如可例舉具有極性基之單體。含極性基單體例如可例舉具有含氮原子環之單體、含羥基單體、及含羧基單體。含極性基單體可用於丙烯酸聚合物之改質，如向丙烯酸聚合物導入交聯點、確保丙烯酸聚合物之凝聚力等。
具有含氮原子環之單體例如可例舉：N-乙烯基-2-吡咯啶酮、N-甲基乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基吡啶、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基嘧啶、N-乙烯基哌𠯤、N-乙烯基吡𠯤、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、N-乙烯基㗁唑、N-(甲基)丙烯醯基-2-吡咯啶酮、N-(甲基)丙烯醯基哌啶、N-(甲基)丙烯醯基吡咯啶、N-乙烯基嗎啉、N-乙烯基-3-嗎啉酮、N-乙烯基-2-己內醯胺、N-乙烯基-1,3-㗁𠯤-2-酮、N-乙烯基-3,5-嗎啉二酮、N-乙烯基吡唑、N-乙烯基異㗁唑、N-乙烯基噻唑、及N-乙烯基異噻唑。具有含氮原子環之單體較佳為使用N-乙烯基-2-吡咯啶酮。
就確保黏著劑層20中之凝聚力、及確保黏著劑層20對被接著體之密接力之觀點而言，單體成分中之具有含氮原子環之單體之比例較佳為0.1質量%以上，更佳為0.3質量%以上，進而較佳為0.55質量%以上。就調整丙烯酸聚合物之玻璃轉移溫度、及調整丙烯酸聚合物之極性(與黏著劑層20中之各種添加劑成分與丙烯酸聚合物之相溶性相關)之觀點而言，該比例較佳為30質量%以下，更佳為20質量%以下。
含羥基單體例如可例舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、及(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯。含羥基單體較佳為使用(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯，更佳為使用丙烯酸4-羥基丁酯。
就向丙烯酸聚合物導入交聯結構、及確保黏著劑層20中之凝聚力之觀點而言，單體成分中之含羥基單體之比例較佳為0.1質量%以上，更佳為0.5質量%以上，進而較佳為0.8質量%以上。 就調整丙烯酸聚合物之極性(與黏著劑層20中之各種添加劑成分與丙烯酸聚合物之相溶性相關)之觀點而言，該比例較佳為20質量%以下，更佳為10質量%以下。
含羧基單體例如可例舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、富馬酸、丁烯酸、及異丁烯酸。
就向丙烯酸聚合物導入交聯結構、確保黏著劑層20中之凝聚力、及確保黏著劑層20對被接著體之密接力之觀點而言，單體成分中之含羧基單體之比例較佳為0.1質量%以上，更佳為0.5質量%以上，進而較佳為0.8質量%以上。就調整丙烯酸聚合物之玻璃轉移溫度、及避免酸所引起之被接著體之腐蝕風險之觀點而言，該比例較佳為30質量%以下，更佳為20質量%以下。
為了防止可摺疊顯示面板中之電極等金屬要素因酸成分而腐蝕，黏著劑層20之酸含量較小為佳。又，於將黏著劑層20用於偏光膜之接著之情形時，為了抑制酸成分所導致之聚乙烯醇偏光元件之多烯化，黏著劑層20之酸含量較小為佳。此種無酸黏著劑層20中之有機酸單體(例如，(甲基)丙烯酸及含羧基單體)之含量較佳為100 ppm以下，更佳為70 ppm以下，進而較佳為50 ppm以下。黏著劑層20之有機酸單體含量可藉由如下方式求出，即，將黏著劑層20浸漬於純水中而以100℃加溫45分鐘，藉此將酸單體提取至水中，並利用離子層析對酸單體進行定量。
就無酸之觀點而言，較佳為黏著劑層20中之基礎聚合物實質上不含有機酸單體作為單體成分。就無酸之觀點而言，單體成分中之有機酸單體之比例較佳為0.5質量%以下，更佳為0.1質量%以下，進而較佳為0.05質量%，較理想為0質量%。
單體成分亦可包含其他共聚性單體。其他共聚性單體例如可例舉酸酐單體、含磺酸基單體、含磷酸基單體、含環氧基單體、含氰基單體、含烷氧基單體、及芳香族乙烯基化合物。該等其他共聚性單體可單獨使用，亦可將兩種以上併用。
於本實施方式中，基礎聚合物具有交聯結構。向基礎聚合物導入交聯結構之方法可例舉：將具有可與交聯劑進行反應之官能基之基礎聚合物及交聯劑調配成第1黏著劑組合物並使基礎聚合物與交聯劑於黏著劑層20中進行反應的方法(第1方法)；及於形成基礎聚合物之單體成分包含多官能單體並藉由該單體成分之聚合形成聚合物鏈中導入有支鏈結構(交聯結構)之基礎聚合物的方法(第2方法)。該等方法亦可併用。
上述第1方法中所使用之交聯劑例如可例舉與基礎聚合物所包含之官能基(羥基及羧基等)進行反應之化合物。此種交聯劑例如可例舉異氰酸酯交聯劑、過氧化物交聯劑、環氧交聯劑、㗁唑啉交聯劑、氮丙啶交聯劑、碳二醯亞胺交聯劑、及金屬螯合物交聯劑。交聯劑可單獨使用，亦可將兩種以上併用。就與基礎聚合物中之羥基及羧基之反應性較高、容易導入交聯結構之方面而言，交聯劑較佳為使用異氰酸酯交聯劑、過氧化物交聯劑、及環氧交聯劑。
異氰酸酯交聯劑例如可例舉：甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、氫化苯二甲基二異氰酸酯、二苯甲烷二異氰酸酯、氫化二苯甲烷二異氰酸酯、四甲基苯二甲基二異氰酸酯、萘二異氰酸酯、三苯甲烷三異氰酸酯、及聚亞甲基聚苯基異氰酸酯。又，異氰酸酯交聯劑亦可例舉該等異氰酸酯之衍生物。該異氰酸酯衍生物例如可例舉異氰尿酸酯改性體及多元醇改性體。異氰酸酯交聯劑之市售品例如可例舉：Coronate L(甲苯二異氰酸酯之三羥甲基丙烷加成物，Tosoh製造)、Coronate HL(六亞甲基二異氰酸酯之三羥甲基丙烷加成物，Tosoh製造)、Coronate HX(六亞甲基二異氰酸酯之異氰尿酸酯體，Tosoh製造)、及Takenate D110N(苯二甲基二異氰酸酯之三羥甲基丙烷加成物，三井化學製造)。
過氧化物交聯劑可例舉：過氧化二苯甲醯、二(2-乙基己基)過氧化二碳酸酯、過氧化二碳酸二(4-第三丁基環己基)酯、過氧化二碳酸二第二丁酯、過氧化新癸酸第三丁酯、過氧化特戊酸第三己酯、及過氧化特戊酸第三丁酯。
環氧交聯劑可例舉：雙酚A、表氯醇型環氧樹脂、乙烯縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、甘油二縮水甘油醚、甘油三縮水甘油醚、1,6-己二醇縮水甘油醚、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚、二縮水甘油基苯胺、二胺縮水甘油胺、N,N,N',N'-四縮水甘油基間苯二甲胺、及1,3-雙(N,N-二縮水甘油胺甲基)環己烷。
就確保黏著劑層20之適度之柔軟性(由此具有之彎曲性)之觀點而言，較佳為異氰酸酯交聯劑(尤其是二官能之異氰酸酯交聯劑)及過氧化物交聯劑。就確保黏著劑層20之耐久性之觀點而言，較佳為異氰酸酯交聯劑(尤其是三官能之異氰酸酯交聯劑)。於基礎聚合物中，二官能異氰酸酯交聯劑及過氧化物交聯劑形成更柔軟之二維交聯，而三官能異氰酸酯交聯劑形成更牢固之三維交聯。就兼顧黏著劑層20之耐久性與柔軟性之觀點而言，較佳為將三官能異氰酸酯交聯劑與過氧化物交聯劑及/或二官能異氰酸酯交聯劑併用。
就確保黏著劑層20之凝聚力之觀點而言，交聯劑之調配量相對於基礎聚合物100質量份例如為0.01質量份以上，較佳為0.05質量份以上，更佳為0.07質量份以上。就於黏著劑層20中確保良好之黏性之觀點而言，交聯劑相對於基礎聚合物100質量份之調配量例如為10質量份以下，較佳為5質量份以下，更佳為3質量份以下。
於上述第2方法中，單體成分(包含用以導入交聯結構之多官能單體及其他單體)可一次性聚合，亦可多階段地聚合。於多階段聚合之方法中，首先，使用以形成基礎聚合物之單官能單體進行聚合(預聚合)，藉此製備含有部分聚合物(低聚合度之聚合物與未反應之單體之混合物)之預聚物組合物。其次，向預聚物組合物添加多官能單體之後，使部分聚合物與多官能單體進行聚合(正式聚合)。
多官能單體例如可例舉於1分子中含有2個以上之乙烯性不飽和雙鍵之多官能(甲基)丙烯酸酯。就可藉由活性能量線聚合(光聚合)導入交聯結構之觀點而言，多官能單體較佳為多官能丙烯酸酯。
多官能(甲基)丙烯酸酯可例舉二官能(甲基)丙烯酸酯、三官能(甲基)丙烯酸酯、及四官能以上之多官能(甲基)丙烯酸酯。
二官能(甲基)丙烯酸酯例如可例舉：乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二甲基丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、硬脂酸改性季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯基二丙烯酸酯、異氰尿酸二(甲基)丙烯醯酯、及環氧烷改性雙酚二(甲基)丙烯酸酯。
三官能(甲基)丙烯酸酯例如可例舉三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、及異氰尿酸三(丙烯醯氧基乙基)酯。
四官能以上之多官能(甲基)丙烯酸酯例如可例舉二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、烷基改性二季戊四醇五丙烯酸酯、及二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯。
多官能單體之分子量較佳為1500以下，更佳為1000以下。又，多官能單體之官能基當量(g/eq)較佳為50以上，更佳為70以上，進而較佳為80以上。該官能基當量較佳為500以下，更佳為300以下，進而較佳為200以下。該等構成就於基礎聚合物中藉由導入交聯結構而適當調整黏彈性(例如，儲存模數G'及損耗正切tanδ)之觀點而言較佳。
可藉由使上述單體成分進行聚合而形成丙烯酸聚合物。聚合方法例如可例舉溶液聚合、活性能量線聚合(例如紫外線聚合)、塊狀聚合、及乳化聚合。就黏著劑層20之透明性、耐水性、及成本之觀點而言，較佳為溶液聚合及紫外線聚合。溶液聚合之溶劑例如可使用乙酸乙酯及甲苯。又，聚合之起始劑例如可使用熱聚合起始劑及光聚合起始劑。聚合起始劑之使用量相對於單體成分100質量份例如為0.05質量份以上，又，例如為1質量份以下。
熱聚合起始劑例如可例舉偶氮聚合起始劑及過氧化物聚合起始劑。偶氮聚合起始劑例如可例舉：2,2'-偶氮二異丁腈、2,2'-偶氮雙-2-甲基丁腈、2,2'-偶氮雙(2-甲基丙酸)二甲酯、4,4'-偶氮雙-4-氰基戊酸、偶氮二異戊腈、2,2'-偶氮雙(2-脒基丙烷)二鹽酸鹽、2,2'-偶氮雙[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]二鹽酸鹽、2,2'-偶氮雙(2-甲基丙脒)二硫酸鹽、及2,2'-偶氮雙(N,N'-二亞甲基異丁脒)二鹽酸鹽。過氧化物聚合起始劑例如可例舉過氧化二苯甲醯、過氧化順丁烯二酸第三丁酯、及過氧化月桂醯。
光聚合起始劑例如可例舉：安息香醚光聚合起始劑、苯乙酮光聚合起始劑、α-酮醇光聚合起始劑、芳香族磺醯氯光聚合起始劑、光活性肟光聚合起始劑、安息香光聚合起始劑、二苯乙二酮光聚合起始劑、二苯甲酮光聚合起始劑、縮酮光聚合起始劑、9-氧硫𠮿
Figure AA1
光聚合起始劑、及醯基氧化膦光聚合起始劑。
於聚合中，亦可使用鏈轉移劑及/或聚合抑制劑(聚合延遲劑)以進行分子量調整等。鏈轉移劑可例舉：α-硫甘油、月桂基硫醇、縮水甘油基硫醇、巰基乙酸、2-巰基乙醇、硫代乙醇酸、硫代乙醇酸2-乙基己酯、2,3-二巰基-1-丙醇、及α-甲基苯乙烯二聚物。
可藉由調整聚合起始劑之種類及/或量來調整基礎聚合物之分子量。例如，於自由基聚合中，聚合起始劑之量越多，反應系之自由基濃度越高，因此有反應起始點之密度較高、所形成之基礎聚合物之分子量減小之傾向。與此相對，聚合起始劑之量越少，反應起始點之密度越低，因此有聚合物鏈容易延伸、所形成之基礎聚合物分子量增大之傾向。
作為丙烯酸聚合物之重量平均分子量，就確保黏著劑層20中之凝聚力之觀點而言，較佳為10萬以上，更佳為30萬以上，進而較佳為50萬以上。該重量平均分子量較佳為500萬以下，更佳為300萬以下，進而較佳為200萬以下。丙烯酸聚合物之重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析儀(GPC)進行測定並根據聚苯乙烯換算而算出。
基礎聚合物之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為0℃以下，更佳為-10℃以下，進而較佳為-20℃以下。該玻璃轉移溫度例如為-80℃以上。
關於基礎聚合物之玻璃轉移溫度(Tg)，可使用基於下述Fox公式求出之玻璃轉移溫度(理論值)。Fox公式係聚合物之玻璃轉移溫度Tg與構成該聚合物之單體之均聚物之玻璃轉移溫度Tgi的關係式。於下述Fox公式中，Tg表示聚合物之玻璃轉移溫度(℃)，Wi表示構成該聚合物之單體i之重量分率，Tgi表示由單體i所形成之均聚物之玻璃轉移溫度(℃)。均聚物之玻璃轉移溫度可使用文獻值。例如，「Polymer Handbook」(第4版，John Wiley & Sons, Inc.，1999年)及「新高分子文庫7 塗料用合成樹脂入門」(北岡協三著，高分子出版協會，1995年)中例舉有各種均聚物之玻璃轉移溫度。另一方面，單體之均聚物之玻璃轉移溫度亦可藉由日本專利特開2007-51271號公報中具體記載之方法求出。
Fox公式      1/(273＋Tg)＝Σ[Wi/(273＋Tgi)]
除基礎聚合物外，第1黏著劑組合物亦可包含一種或兩種以上之低聚物。於使用丙烯酸聚合物作為基礎聚合物之情形時，較佳為使用丙烯酸酯低聚物作為低聚物。丙烯酸酯低聚物係以50質量%以上之比例包含(甲基)丙烯酸烷基酯之單體成分之共聚物，重量平均分子量例如為1000以上30000以下。
丙烯酸酯低聚物之玻璃轉移溫度較佳為60℃以上，更佳為80℃以上，進而較佳為100℃以上，尤佳為110℃以上。丙烯酸酯低聚物之玻璃轉移溫度例如為200℃以下，較佳為180℃以下，更佳為160℃以下。藉由將導入有交聯結構之低Tg之丙烯酸聚合物(基礎聚合物)與高Tg之丙烯酸酯低聚物併用，可提高黏著劑層20之接著力、尤其高溫下之接著力。丙烯酸酯低聚物之玻璃轉移溫度係藉由上述Fox公式算出。
玻璃轉移溫度為60℃以上之丙烯酸酯低聚物較佳為包含具有鏈狀烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯((甲基)丙烯酸鏈狀烷基酯)及具有脂環式烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯((甲基)丙烯酸脂環式烷基酯)的單體成分之聚合物。該等(甲基)丙烯酸烷基酯之具體例例如可例舉上述(甲基)丙烯酸烷基酯作為丙烯酸聚合物之單體成分。
就玻璃轉移溫度較高、與基礎聚合物之相溶性優異之方面而言，(甲基)丙烯酸鏈狀烷基酯較佳為甲基丙烯酸甲酯。(甲基)丙烯酸脂環式烷基酯較佳為丙烯酸雙環戊酯、甲基丙烯酸雙環戊酯、丙烯酸環己酯、及甲基丙烯酸環己酯。即，丙烯酸酯低聚物較佳為包含選自由丙烯酸雙環戊酯、甲基丙烯酸雙環戊酯、丙烯酸環己酯、及甲基丙烯酸環己酯所組成之群中之1種以上、及甲基丙烯酸甲酯的單體成分之聚合物。
丙烯酸酯低聚物之單體成分中之(甲基)丙烯酸脂環式烷基酯之比例較佳為10重量%以上，更佳為20重量%以上，進而較佳為30重量%以上。該比例較佳為90重量%以下，更佳為80重量%以下，進而較佳為70重量%以下。丙烯酸酯低聚物之單體成分中之(甲基)丙烯酸鏈狀烷基酯之比例較佳為90重量%以下，更佳為80重量%以下，進而較佳為70重量%以下。該比例較佳為10重量%以上，更佳為20重量%以上，進而較佳為30重量%以上。
丙烯酸酯低聚物之重量平均分子量較佳為1000以上，更佳為1500以上，進而較佳為2000以上。該分子量較佳為30000以下，更佳為10000以下，進而較佳為8000以下。此種丙烯酸酯低聚物之分子量範圍對於確保黏著劑層20之接著力及接著保持力而言較佳。
丙烯酸酯低聚物係藉由使該丙烯酸酯低聚物之單體成分進行聚合而獲得。聚合方法例如可例舉溶液聚合、活性能量線聚合(例如紫外線聚合)、塊狀聚合、及乳化聚合。於丙烯酸酯低聚物之聚合中，亦可使用聚合起始劑，或者亦可使用鏈轉移劑以進行分子量之調整。
為了充分提高黏著劑層20之接著力，黏著劑層20中之丙烯酸酯低聚物之含量相對於基礎聚合物100質量份較佳為0.5質量份以上，更佳為0.8質量份以上，進而較佳為1質量份以上。另一方面，就確保黏著劑層20之透明性之觀點而言，黏著劑層20中之丙烯酸酯低聚物之含量相對於基礎聚合物100質量份較佳為5質量份以下，更佳為4質量份以下，進而較佳為3質量份以下。於黏著劑層20中丙烯酸酯低聚物之含量過大之情形時，有如下傾向，即，因該丙烯酸酯低聚物之相溶性降低而霧度上升，透明性降低。
第1黏著劑組合物亦可含有矽烷偶合劑。第1黏著劑組合物中之矽烷偶合劑之含量相對於基礎聚合物100質量份較佳為0.1質量份以上，更佳為0.2質量份以上。該含量較佳為5質量份以下，更佳為3質量份以下。
第1黏著劑組合物亦可視需要含有其他成分。其他成分例如可例舉黏著賦予劑、塑化劑、軟化劑、抗劣化劑、填充劑、著色劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、界面活性劑、及抗靜電劑。
黏著劑層20之霧度較佳為3%以下，更佳為2%以下，更佳為1%以下。黏著劑層20之霧度可依據JIS K7136(2000年)，使用霧度計進行測定。霧度計例如可例舉日本電色工業公司製造之「NDH2000」、及村上色彩技術研究所製造之「HM-150型」。
黏著劑層20之全光線透過率較佳為60%以上，更佳為80%以上，進而較佳為85%以上。黏著劑層20之全光線透過率例如為100%以下。黏著劑層20之全光線透過率可依據JIS K 7375(2008年)進行測定。
黏著劑層30係由第2黏著劑組合物所形成之壓敏黏著劑層。黏著劑層30具有透明性。第2黏著劑組合物至少含有基礎聚合物。第2黏著劑組合物所含有之基礎聚合物例如可例舉上文關於第1黏著劑組合物所記載之基礎聚合物。第1黏著劑組合物中之基礎聚合物與第2黏著劑組合物中之基礎聚合物可相同亦可不同。第2黏著劑組合物亦可含有除基礎聚合物以外之成分。第2黏著劑組合物所含有之該成分例如可例舉上文關於第1黏著劑組合物所記載之除基礎聚合物以外之成分。第1黏著劑組合物之組成與第2黏著劑組合物之組成可相同亦可不同。就調整上述剝離力F1、F2之觀點而言，較佳為第1黏著劑組合物之組成與第2黏著劑組合物之組成不同。
黏著劑層30之霧度較佳為3%以下，更佳為2%以下，更佳為1%以下。黏著劑層30之霧度可依據JIS K7136(2000年)，使用霧度計進行測定。
黏著劑層30之全光線透過率較佳為60%以上，更佳為80%以上，進而較佳為85%以上。黏著劑層30之全光線透過率例如為100%以下。黏著劑層30之全光線透過率可依據JIS K 7375(2008年)進行測定。
覆蓋膜40例如可例舉具有可撓性之塑膠膜。該塑膠膜例如可例舉聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、及聚酯膜。覆蓋膜40中之黏著劑層20側之表面較佳為經剝離處理。剝離處理例如可例舉矽酮剝離處理及氟剝離處理(後述剝離處理亦同)。可藉由剝離處理之有無、種類之選擇、及條件之調整，對與覆蓋膜40自黏著劑層20之剝離相關之上述剝離力F1進行調整。
覆蓋膜50例如可例舉上文關於覆蓋膜40所記載之塑膠膜。覆蓋膜50中之黏著劑層30側之表面較佳為經剝離處理。可藉由剝離處理之有無、種類之選擇、及條件之調整，對與覆蓋膜50自黏著劑層30之剝離相關之上述剝離力F2進行調整。
光學膜X1例如可以如下方式製造。
首先，準備光學膜10、附有覆蓋膜40之黏著劑層20、及附有覆蓋膜50之黏著劑層30(準備步驟)。
附有覆蓋膜40之黏著劑層20可藉由如下方式形成，即，於覆蓋膜40上塗佈第1黏著劑組合物(清漆)而形成塗膜，隨後使該塗膜乾燥。第1黏著劑組合物之塗佈方法例如可例舉：輥式塗佈、接觸輥式塗佈、凹版塗佈、反向塗佈、輥式刷塗、噴塗、浸漬輥式塗佈、棒式塗佈、刮塗、氣刀塗佈、淋幕式塗佈、模唇塗佈、及模嘴塗佈(其他黏著劑組合物之後述塗佈之方法亦同)。亦可於覆蓋膜40上之黏著劑層20上進而積層其他剝離膜。該剝離膜係於光學膜10與黏著劑層20之貼合前剝離。
附有覆蓋膜50之黏著劑層30可藉由如下方式形成，即，於覆蓋膜50上塗佈第2黏著劑組合物(清漆)而形成塗膜，隨後使該塗膜乾燥。亦可於覆蓋膜50上之黏著劑層30上進而積層其他剝離膜。該剝離膜係於光學膜10與黏著劑層30之貼合前剝離。
其次，將光學膜10之第1面11與附有覆蓋膜40之黏著劑層20之黏著劑層20側貼合(第1貼合步驟)。其次，將光學膜10之第2面12與附有覆蓋膜50之黏著劑層30之黏著劑層30側貼合(第2貼合步驟)。較佳為，於該等貼合之前對光學膜10之第1面11及第2面12、附有覆蓋膜40之黏著劑層20之露出面、及附有覆蓋膜50之黏著劑層30之露出面進行電漿處理。
以上述方式可製造上述光學膜X1(附有覆蓋膜之光學膜)。光學膜X1亦可藉由沖裁加工而成形。沖裁加工中例如使用沖裁加工機及Thomson刀。
圖2A至圖2D表示光學膜X1之使用方法之一例。
於本方法中，首先，如圖2A所示，自光學膜X1之黏著劑層20剝離覆蓋膜40。例如，於將光學膜X1之覆蓋膜50側固定於工作台上之狀態下，使力作用於覆蓋膜40之端部而自黏著劑層20剝離覆蓋膜40。藉此，露出黏著劑層20之黏著面21。於本步驟中，如上所述，光學膜X1適於自附有黏著劑層20、30之薄光學膜10剝離覆蓋膜40，同時抑制覆蓋膜50之剝離及光學膜10端部之龜裂。
其次，如圖2B所示，經由黏著劑層20將光學膜10與第1構件M1(第1被接著體)接合。第1構件M1例如為軟性面板所具有之積層構造中之一要素。該要素例如可例舉像素面板、觸控面板、及透明覆蓋膜(後述第2構件M2亦同)。
其次，如圖2C所示，自黏著劑層30剝離覆蓋膜50。藉此，露出黏著劑層30之黏著面31。
其次，如圖2D所示，經由黏著劑層30將光學膜10與第2構件M2(第2被接著體)接合。
於例如軟性面板之製造過程中，以上述方式使用光學膜X1。
如圖3所示，作為本發明之附有覆蓋膜之光學膜之第2實施方式的光學膜X2具備光學膜10、黏著劑層20(第1黏著劑層)、黏著劑層30(第2黏著劑層)、覆蓋膜40(第1覆蓋膜)、及覆蓋膜60(第2覆蓋膜)。光學膜X2具有特定厚度之片材形狀，且於與厚度方向T正交之方向(面方向)延伸。具體而言，光學膜X2於厚度方向T依序具備覆蓋膜60、黏著劑層30、光學膜10、黏著劑層20、及覆蓋膜40。
光學膜X2與光學膜X1之不同之處在於具備附有黏著劑層之光學膜Y2及附有黏著劑層30之覆蓋膜60代替附有黏著劑層之光學膜Y1及覆蓋膜40、50。附有黏著劑層之光學膜Y2不具備黏著劑層30，除此以外與附有黏著劑層之光學膜Y1相同。附有黏著劑層30之覆蓋膜60具備覆蓋膜60、及該覆蓋膜60之厚度方向T之一面上之黏著劑層30。覆蓋膜60為具有可撓性之透明之表面保護膜。黏著劑層30與附有黏著劑層之光學膜Y2之光學膜10之第2面12相接。附有黏著劑層30之覆蓋膜60為可剝離地配置於附有黏著劑層之光學膜Y2之第2面12上之附有黏著劑層之表面保護膜。光學膜X2之其他構成與光學膜X1。
此種光學膜X2係於可摺疊顯示面板之製造過程中用作組裝至該面板之積層構造之附有黏著劑層之光學膜Y2的供給材料。於可摺疊顯示面板之製造過程中，覆蓋膜40於特定之時點自附有黏著劑層之光學膜Y2剝落。附有黏著劑層30之覆蓋膜60可不自附有黏著劑層之光學膜Y2剝落。
於光學膜X2中，光學膜10具有100 μm以下之厚度H1(第1厚度)。就於光學膜10及附有黏著劑層之光學膜Y2中確保適於軟性面板之可撓性之觀點而言，厚度H1較佳為80 μm以下，更佳為60 μm以下，進而較佳為40 μm以下。就光學膜10之強度之觀點而言，厚度H1較佳為3 μm以上，更佳為5 μm以上，進而較佳為10 μm以上。
黏著劑層20具有5 μm以上100 μm以下之厚度H2(第2厚度)。就確保黏著劑層20中之充分之黏著力之觀點而言，厚度H2較佳為10 μm以上，更佳為20 μm以上，進而較佳為30 μm以上。就抑制用以自黏著劑層20剝離覆蓋膜40之剝離力之觀點而言，厚度H2較佳為90 μm以下，更佳為80 μm以下，進而較佳為70 μm以下。
黏著劑層20於25℃具有20 kPa以上100 kPa以下之剪切儲存模數M1(第1剪切儲存模數)。就黏著劑層20之黏著力與用以自該黏著劑層20剝離覆蓋膜40之剝離力之平衡的觀點而言，剪切儲存模數M1較佳為30 kPa以上，更佳為40 kPa以上，進而較佳為45 kPa以上，又，較佳為90 kPa以下，更佳為80 kPa以下，進而較佳為75 kPa以下。剪切儲存模數M1可藉由動態黏彈性測定裝置進行測定。於該測定中，將測定模式設為扭力模式，將測定溫度範圍設為-50℃～150℃，將升溫速度設為5℃/min，且將頻率設為1 Hz(於後述剪切儲存模數M2之測定中亦同)。剪切儲存模數M1之調整方法例如可例舉用於黏著劑層20之基礎聚合物之種類之選擇、分子量之調整、及調配量之調整、以及使上述基礎聚合物進行交聯之交聯劑之種類之選擇及調配量之調整。
黏著劑層30具有5 μm以上30 μm以下之厚度H3(第3厚度)。就確保黏著劑層30中之充分之黏著力之觀點而言，厚度H3較佳為7 μm以上，更佳為10 μm以上。就抑制用以自光學膜10剝離附有黏著劑層30之覆蓋膜60之剝離力之觀點而言，厚度H3較佳為25 μm以下，更佳為20 μm以下。
黏著劑層30於25℃具有150 kPa以上之剪切儲存模數M2(第2剪切儲存模數)。就黏著劑層30之黏著力與用以自光學膜10剝離附有黏著劑層30之覆蓋膜60之剝離力之平衡的觀點而言，剪切儲存模數M2較佳為500 kPa以上，更佳為1500 kPa以上，進而較佳為2000 kPa以上，又，較佳為5000 kPa以下，更佳為4500 kPa以下，進而較佳為4000 kPa以下。剪切儲存模數M2之調整方法例如可例舉用於黏著劑層30之基礎聚合物之種類之選擇、分子量之調整、及調配量之調整、以及使上述基礎聚合物進行交聯之交聯劑之種類之選擇及調配量之調整。
覆蓋膜40具有40 μm以上80 μm以下之厚度H4(第4厚度)。就確保覆蓋膜40之可撓性之觀點而言，厚度H4較佳為75 μm以下，更佳為70 μm以下。就覆蓋膜40之強度之觀點而言，厚度H4較佳為45 μm以上，更佳為48 μm以上，進而較佳為50 μm以上。
覆蓋膜60具有40 μm以上80 μm以下之厚度H5(第5厚度)。就確保覆蓋膜60之可撓性之觀點、及抑制覆蓋膜剝離時之光學膜10端部之龜裂之觀點而言，厚度H5較佳為75 μm以下，更佳為70 μm以下。就覆蓋膜40之強度之觀點而言，厚度H5較佳為45 μm以上，更佳為48 μm以上，進而較佳為50 μm以上。
於本實施方式中，上述厚度H4相對於厚度H5之比率(H4/H5)為1以上。就於覆蓋膜40之剝離時抑制附有黏著劑層30之覆蓋膜60之剝離之觀點而言，比率(H4/H5)較佳為1.1以上，更佳為1.2以上。比率(H4/H5)例如為5以下。
用以將覆蓋膜40自黏著劑層20剝離之剝離力F1(第1剝離力)相對於用以將附有黏著劑層30之覆蓋膜60自光學膜10剝離之剝離力F2(第2剝離力)之比率(F1/F2)為0.9以下。就於覆蓋膜40之剝離時抑制附有黏著劑層30之覆蓋膜60之剝離之觀點而言，比率(F1/F2)較佳為0.8以下，更佳為0.7以下，進而較佳為0.6以下。比率(F1/F2)例如為0.1以上。剝離力F1及剝離力F2係分別於測定溫度25℃、剝離角度180°、及拉伸速度300 mm/min之條件下之剝離試驗中進行測定。
剝離力F1為10 gf/25 mm以下。就於自黏著劑層20剝離覆蓋膜40時確保良好之剝離作業之觀點而言，剝離力F1較佳為7 gf/25 mm以下，更佳為5 gf/25 mm以下，進而較佳為3 gf/25 mm以下，尤佳為2.5 gf/25 mm以下。就抑制覆蓋膜40自黏著劑層20不慎剝離之觀點而言，剝離力F1較佳為0.1 gf/25 mm以上，更佳為0.3 gf/25 mm以上，進而較佳為0.5 gf/25 mm以上。剝離力F1之調整方法例如可例舉用於黏著劑層20之基礎聚合物之種類之選擇、分子量之調整、及調配量之調整。基礎聚合物之種類之選擇包含基礎聚合物中之主鏈之種類(構成)之選擇、以及官能基之種類之選擇及量之調整(後述基礎聚合物之種類之選擇亦同)。剝離力F1之調整方法亦可例舉黏著劑層20中之除基礎聚合物以外之成分之種類之選擇、及該成分之調配量之調整。該成分可例舉交聯劑、矽烷偶合劑、及低聚物。
如此一來，如上所述，光學膜X2中光學膜10之厚度H1為100 μm以下，黏著劑層20之厚度H2為5 μm以上100 μm以下，黏著劑層30之厚度H3為5 μm以上30 μm以下，黏著劑層20之剪切儲存模數M1為20 kPa以上100 kPa以下，黏著劑層30之剪切儲存模數M2為150 kPa以上，覆蓋膜40之厚度H4為40 μm以上80 μm以下，覆蓋膜60之厚度H5為40 μm以上80 μm以下，比率(H4/H5)為1以上，覆蓋膜40之剝離力F1相對於覆蓋膜60之剝離力F2之比率(F1/F2)為0.9以下，且剝離力F1為10 gf/25 mm以下。如基於後述實施例及比較例所示，此種光學膜X2適於自光學膜Y2(附有黏著劑層20之薄光學膜10)剝離覆蓋膜40，同時抑制附有黏著劑層30之覆蓋膜60之剝離及光學膜10端部之龜裂。
於光學膜X2中，就彎折性及階差吸收性之觀點而言，黏著劑層20之厚度H2相對於黏著劑層30之厚度H3之比率(H2/H3)較佳為1以上，更佳為2以上，進而較佳為3以上，尤佳為5以上。就彎折性及階差吸收性之觀點而言，比率(H2/H3)較佳為100以下，更佳為50以下，進而較佳為30以下，尤佳為20以下。
就彎折性及階差吸收性之觀點而言，黏著劑層20之剪切儲存模數M1相對於黏著劑層30之剪切儲存模數M2之比率(M1/M2)較佳為0.5以下，更佳為0.2以下，進而較佳為0.1以下，殊佳為0.05以下，尤佳為0.02以下。就彎折性及階差吸收性之觀點而言，比率(M1/M2)較佳為0.005以上，更佳為0.01以上，進而較佳為0.015以上。
就抑制附有黏著劑層30之覆蓋膜60自光學膜10不慎剝離之觀點而言，附有黏著劑層30之覆蓋膜60之剝離力F2較佳為0.11 gf/25 mm以上，更佳為0.33 gf/25 mm以上，進而較佳為0.55 gf/25 mm以上。就於自黏著劑層30剝離覆蓋膜60時確保良好之剝離作業之觀點而言，剝離力F2較佳為20 gf/25 mm以下，更佳為19 gf/25 mm以下，進而較佳為18 gf/25 mm以下。剝離力F2之調整方法例如可例舉用於黏著劑層30之基礎聚合物之種類之選擇、分子量之調整、及調配量之調整。剝離力F2之調整方法亦可例舉黏著劑層30中之除基礎聚合物以外之成分之種類之選擇、及該成分之調配量之調整。該成分可例舉交聯劑、矽烷偶合劑、及低聚物。
覆蓋膜60(表面保護膜)例如可例舉兼具可撓性及透明性之塑膠膜。該塑膠膜例如可例舉聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、及聚酯膜。
光學膜X2例如可以如下方式製造。
首先，準備光學膜10、附有覆蓋膜40之黏著劑層20、及附有黏著劑層30之覆蓋膜60(準備步驟)。附有覆蓋膜40之黏著劑層20之形成方法如上文之第1實施方式中所述。
於附有黏著劑層30之覆蓋膜60之形成中，首先，對覆蓋膜60之表面進行電漿處理。其次，於覆蓋膜60之電漿處理面上塗佈特定之黏著劑組合物(清漆)而形成塗膜，隨後使該塗膜乾燥。藉此，獲得附有黏著劑層30之覆蓋膜60。亦可於覆蓋膜60上之黏著劑層30上進而積層其他剝離膜。該剝離膜係於光學膜10與黏著劑層30之貼合前剝離。
其次，將光學膜10之第1面11與附有覆蓋膜40之黏著劑層20之黏著劑層20側貼合(第1貼合步驟)。較佳為，於該貼合之前對光學膜10之第1面11、及附有覆蓋膜40之黏著劑層20之露出面進行電漿處理。
其次，將光學膜10之第2面12與附有黏著劑層30之覆蓋膜60之黏著劑層30側貼合(第2貼合步驟)。
以上述方式可製造上述光學膜X2(附有覆蓋膜之光學膜)。光學膜X2亦可藉由沖裁加工而成形。於沖裁加工中例如使用沖裁加工機及Thomson刀。
圖4A及圖4B表示光學膜X2之使用方法之一例。
於本方法中，首先，如圖4A所示，自光學膜X2之黏著劑層20剝離覆蓋膜40。例如，於將光學膜X2之覆蓋膜60側固定於工作台上之狀態下，使力作用於覆蓋膜40之端部而自黏著劑層20剝離覆蓋膜40。藉此，露出黏著劑層20之黏著面21。於本步驟中，如上所述，光學膜X2適於自附有黏著劑層20之薄光學膜10剝離覆蓋膜40，同時抑制附有黏著劑層30之覆蓋膜60之剝離及光學膜10端部之龜裂。
其次，如圖4B所示，經由黏著劑層20將光學膜10與第1構件M1(第1被接著體)接合。第1構件M1例如為軟性面板所具有之積層構造中之一要素。該要素例如可例舉像素面板及觸控面板。
於例如軟性面板之製造過程中，以上述方式使用光學膜X2。 [實施例]
以下，示出實施例而對本發明進行具體說明。本發明並不限定於實施例。又，以下所記載之調配量(含量)、物性值、參數等之具體數值可以上述「實施方式」中所記載的與其等對應之調配量(含量)、物性值、參數等之上限(定義為「以下」或「未達」之數值)或下限(定義為「以上」或「超過」之數值)代替。
＜第1丙烯酸基礎聚合物之製備＞ 於具備攪拌機、溫度計、回流冷凝器、及氮氣導入管之反應容器內，將包含丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)63質量份、丙烯酸正丁酯(BA)27質量份、丙烯酸4-羥基丁酯(4HBA)7.5質量份、丙烯酸(AA)1質量份、作為熱聚合起始劑之2,2'-偶氮二異丁腈(AIBN)0.3質量份、及作為溶劑之乙酸乙酯之混合物於56℃、氮氣氛圍下攪拌6小時(聚合反應)。藉此，獲得含有第1丙烯酸基礎聚合物之第1聚合物溶液。該聚合物溶液中之第1丙烯酸基礎聚合物之重量平均分子量約為200萬。
＜第2丙烯酸基礎聚合物之製備＞ 於具備攪拌機、溫度計、回流冷凝器、及氮氣導入管之反應容器內，將包含丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)70質量份、丙烯酸正丁酯(BA)20質量份、丙烯酸月桂酯(LA)8質量份、丙烯酸4-羥基丁酯(4HBA)1質量份、N-乙烯基-2-吡咯啶酮(NVP)0.6質量份、作為熱聚合起始劑之2,2'-偶氮二異丁腈(AIBN)0.3質量份、及作為溶劑之乙酸乙酯之混合物於56℃、氮氣氛圍下攪拌6小時(聚合反應)。藉此，獲得含有第2丙烯酸基礎聚合物之第2聚合物溶液。該聚合物溶液中之第2丙烯酸基礎聚合物之重量平均分子量約為200萬。
＜第3丙烯酸基礎聚合物之製備＞ 於具備攪拌機、溫度計、回流冷凝器、及氮氣導入管之反應容器內，將包含丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)60質量份、丙烯酸月桂酯(LA)36.5質量份、丙烯酸4-羥基丁酯(4HBA)8質量份、N-乙烯基-2-吡咯啶酮(NVP)2.5質量份、作為熱聚合起始劑之2,2'-偶氮二異丁腈(AIBN)0.3質量份、及作為溶劑之乙酸乙酯之混合物於56℃、氮氣氛圍下攪拌6小時(聚合反應)。藉此，獲得含有第3丙烯酸基礎聚合物之第3聚合物溶液。該聚合物溶液中之第3丙烯酸基礎聚合物之重量平均分子量約為200萬。
＜第4丙烯酸基礎聚合物之製備＞ 於具備攪拌機、溫度計、回流冷凝器、及氮氣導入管之反應容器內，將包含丙烯酸丁酯(BA)99質量份、丙烯酸4-羥基丁酯(4HBA)1質量份、作為熱聚合起始劑之2,2'-偶氮二異丁腈(AIBN)0.3質量份、及作為溶劑之乙酸乙酯之混合物於60℃、氮氣氛圍下攪拌4小時(聚合反應)。藉此，獲得含有第4丙烯酸基礎聚合物之第4聚合物溶液。該聚合物溶液中之第4丙烯酸基礎聚合物之重量平均分子量約為170萬。
＜第5丙烯酸基礎聚合物之製備＞ 於具備攪拌機、溫度計、回流冷凝器、及氮氣導入管之反應容器內，將包含丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)66質量份、丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)18質量份、N-乙烯基-2-吡咯啶酮(NVP)15質量份、作為熱聚合起始劑之2,2'-偶氮二異丁腈(AIBN)0.3質量份、及作為溶劑之乙酸乙酯之混合物於56℃、氮氣氛圍下攪拌6小時(聚合反應)。藉此，獲得含有第5丙烯酸基礎聚合物之第5聚合物溶液。該聚合物溶液中之第5丙烯酸基礎聚合物之重量平均分子量約為200萬。
＜第6丙烯酸基礎聚合物之製備＞ 於具備攪拌機、溫度計、回流冷凝器、及氮氣導入管之反應容器內，將包含丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)96.2質量份、丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)3.8質量份、作為熱聚合起始劑之2,2'-偶氮二異丁腈(AIBN)0.3質量份、及作為溶劑之乙酸乙酯150質量份之混合物於65℃、氮氣氛圍下攪拌6小時(聚合反應)。藉此，獲得含有第6丙烯酸基礎聚合物之第6聚合物溶液。該聚合物溶液中之第6丙烯酸基礎聚合物之重量平均分子量為54萬。
＜丙烯酸酯低聚物之製備＞ 於具備攪拌機、溫度計、回流冷凝器、及氮氣導入管之反應容器內，將包含甲基丙烯酸環己酯(CHMA)95質量份、丙烯酸(AA)5質量份、作為鏈轉移劑之α-甲基苯乙烯二聚物10質量份、及作為溶劑之甲苯120質量份之混合物於室溫、氮氣氛圍下攪拌1小時。隨後，向混合物中添加作為熱聚合起始劑之2,2'-偶氮二異丁腈(AIBN)10質量份而製備反應溶液，並於氮氣氛圍下於85℃進行5小時之反應(丙烯酸酯低聚物之形成)。藉此，獲得含有丙烯酸酯低聚物之低聚物溶液(固形物成分濃度50質量%)。丙烯酸酯低聚物之重量平均分子量為4000。 又，丙烯酸酯低聚物之玻璃轉移溫度(Tg)為84℃。
[實施例1] ＜第1黏著片之製作＞ 以下述方式製作實施例1中之第1黏著片。
＜第1黏著劑組合物之製備＞ 向第1聚合物溶液，相對於該聚合物溶液中之第1丙烯酸基礎聚合物100質量份添加丙烯酸酯低聚物 1.5質量份、第1交聯劑(產品名「Nyper BMT-40SV」，過氧化二苯甲醯，日本油脂製造)0.3質量份、第2交聯劑(產品名「Coronate L」，三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚物加成物，Tosoh製造)0.02質量份、及矽烷偶合劑(產品名「KBM403」，信越化學工業製造)0.3質量份並進行混合，從而製備第1黏著劑組合物。
＜第1黏著片之形成＞ 於單面經矽酮剝離處理之剝離膜L1之剝離處理面上塗佈第1黏著劑組合物而形成塗膜。剝離膜L1為單面經矽酮剝離處理之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(產品名「DIAFOIL MHE50」，厚度50 μm，Mitsubishi Chemical公司製造)。其次，將單面經矽酮剝離處理之剝離膜L2之剝離處理面貼合於剝離膜L1上之塗膜。剝離膜L2為單面經矽酮剝離處理之PET膜(產品名「DIAFOIL MRV75」，厚度75 μm，Mitsubishi Chemical公司製造)。其次，將夾持於剝離膜L1與剝離膜L2之塗膜以100℃加熱1分鐘，隨後以150℃加熱3分鐘，藉此使塗膜乾燥，形成厚度50 μm之透明之第1黏著劑層所構成之第1黏著片。以上述方式製作附有剝離膜L1、L2之第1黏著片。
＜第2黏著片之製作＞ 以下述方式製作實施例1中之第2黏著片。
＜第2黏著劑組合物之製備＞ 向第2聚合物溶液中，相對於該聚合物溶液之固形物成分100質量份添加丙烯酸酯低聚物1.5質量份、第1交聯劑(產品名「Nyper BMT-40SV」，日本油脂製造)0.26質量份、第2交聯劑(產品名「Coronate L」，Tosoh製造)0.02質量份、及矽烷偶合劑(產品名「KBM403」，信越化學工業製造)0.3質量份並進行混合，從而製備第2黏著劑組合物。
＜第2黏著片之形成＞ 於單面經矽酮剝離處理之剝離膜L3之剝離處理面上塗佈第2黏著劑組合物而形成塗膜。剝離膜L3為單面經矽酮剝離處理之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(產品名「DIAFOIL MHE50」，厚度50 μm，Mitsubishi Chemical公司製造)。其次，將單面經矽酮剝離處理之剝離膜L4之剝離處理面貼合於剝離膜L3上之塗膜。剝離膜L4為單面經矽酮剝離處理之PET膜(產品名「DIAFOIL MRV75」，厚度75 μm，Mitsubishi Chemical公司製造)。其次，將夾持於剝離膜L3與剝離膜L4之塗膜以100℃加熱1分鐘，隨後以150℃加熱3分鐘，藉此使塗膜乾燥，形成厚度50 μm之透明之第2黏著劑層所構成之第2黏著片。以上述方式製作附有剝離膜L3、L4之第2黏著片。
＜附有覆蓋膜之光學膜之製作＞ 首先，自兩面附有剝離膜之第1黏著片將剝離膜L2剝離，並對藉此露出之露出面進行電漿處理。另一方面，對厚度31 μm之偏光膜之兩面(第1面、第2面)亦進行電漿處理。於各電漿處理中，使用電漿照射裝置(產品名「AP-TO5」，積水工業公司製造)，並將電壓設為160 V，頻率設為10 kHz，處理速度設為5000 mm/min(後述電漿處理中亦同)。繼而，將第1黏著片之上述露出面與偏光膜之第1面貼合。於該貼合中，於25℃之環境下，藉由使2 kg之輥往返一次之作業對附有剝離膜L1之第1黏著片與偏光膜進行壓接。
其次，自附有剝離膜L3、L4之第2黏著片將剝離膜L3剝離，並對藉此露出之露出面進行電漿處理。繼而，將第2黏著片之露出面與偏光膜之第2面貼合。於該貼合中，於25℃之環境下，藉由使2 kg之輥往返1次之作業對附有剝離膜L4之第2黏著片與偏光膜進行壓接。藉此，獲得剝離膜L1(厚度50 μm)、第1黏著片(厚度50 μm)、偏光膜(厚度31 μm)、第2黏著片(厚度50 μm)、與剝離膜L4(厚度75 μm)之積層構成之積層膜。
其次，使用沖裁加工機及Thomson刀將積層膜沖裁成150 mm×120 mm之尺寸(沖裁加工)。
以上述方式製作實施例1之附有覆蓋膜之光學膜。該附有覆蓋膜之光學膜於厚度方向依序具備作為第1覆蓋膜之剝離膜L1、第1黏著劑層(第1黏著片)、作為光學膜之偏光膜、第2黏著劑層(第2黏著片)、及作為第2覆蓋膜之剝離膜L4。
[實施例2～5] 除以下內容以外，以與實施例1之附有覆蓋膜之光學膜相同之方式製作實施例2～5之各附有覆蓋膜之光學膜。
於實施例2中，使用厚度51 μm之偏光膜代替厚度31 μm之偏光膜。
於實施例3中，使用厚度25 μm之偏光膜代替厚度31 μm之偏光膜。
於實施例4中，將第1黏著片之厚度設為25 μm而非50 μm。
於實施例5中，將第1黏著片之厚度設為25 μm而非50 μm，且將第2黏著片之厚度設為75 μm而非50 μm。
[實施例6] 除以下內容以外，以與實施例1之附有覆蓋膜之光學膜相同之方式製作實施例6之附有覆蓋膜之光學膜。於第1黏著劑組合物之製備中，使用第2聚合物溶液代替第1聚合物溶液，並使用該第1黏著劑組合物製作第1黏著片。於第2黏著劑組合物之製備中，使用第3聚合物溶液代替第2聚合物溶液，並使用該第2黏著劑組合物製作厚度75 μm之第2黏著片。
於實施例6中之第1黏著劑組合物之製備中，具體而言，向第2聚合物溶液中，相對於該聚合物溶液中之第2丙烯酸基礎聚合物100質量份添加丙烯酸酯低聚物1.5質量份、第1交聯劑(產品名「Nyper BMT-40SV」，日本油脂製造)0.26質量份、第2交聯劑(產品名「Coronate L」，Tosoh製造)0.02質量份、及矽烷偶合劑(產品名「KBM403」，信越化學工業製造)0.3質量份並進行混合。
於實施例6中之第2黏著劑組合物之製備中，具體而言，向第3聚合物溶液中，相對於該聚合物溶液中之第3丙烯酸基礎聚合物100質量份添加丙烯酸酯低聚物1.5質量份、第1交聯劑(產品名「Nyper BMT-40SV」，日本油脂製造)0.08質量份、第2交聯劑(產品名「Coronate L」，Tosoh製造)0.02質量份、及矽烷偶合劑(產品名「KBM403」，信越化學工業製造)0.3質量份並進行混合。
[實施例7] 除以下內容以外，以與實施例1之附有覆蓋膜之光學膜相同之方式製作實施例7之附有覆蓋膜之光學膜。於第1黏著劑組合物之製備中，使用第4聚合物溶液代替第1聚合物溶液，並使用該第1黏著劑組合物製作第1黏著片。將第2黏著片之厚度設為75 μm而非50 μm。
於實施例7中之第1黏著劑組合物之製備中，具體而言，向第4聚合物溶液中，相對於該聚合物溶液中之第4丙烯酸基礎聚合物100質量份添加第1交聯劑(產品名「Nyper BMT-40SV」，日本油脂製造)0.3質量份、第3交聯劑(產品名「Takenate D110N」，三羥甲基丙烷苯二甲基二異氰酸酯，三井化學製造)0.1質量份、及矽烷偶合劑(產品名「KBM403」，信越化學工業製造)0.3質量份並進行混合。
[比較例1～5] 除以下內容以外，以與實施例1之附有覆蓋膜之光學膜相同之方式製作比較例1～5之各附有覆蓋膜之光學膜。
於比較例1中，使用剝離膜L5代替剝離膜L4(厚度75 μm)。剝離膜L5為單面經矽酮剝離處理之PET膜(厚度125 μm)。
於比較例2中，使用剝離膜L6代替剝離膜L1(厚度50 μm)，且使用剝離膜L6代替剝離膜L4(厚度75 μm)。剝離膜L6為單面經矽酮剝離處理之PET膜(產品名「DIAFOIL MRF38」，厚度38 μm，Mitsubishi Chemical公司製造)。
比較例3中，於第1黏著劑組合物之製備中，使用第5聚合物溶液代替第1聚合物溶液，並使用該第1黏著劑組合物製作第1黏著片。於比較例3中之第1黏著劑組合物之製備中，具體而言，向第5聚合物溶液中，相對於該聚合物溶液中之第5丙烯酸基礎聚合物100質量份添加第1交聯劑(產品名「Nyper BMT-40SV」，日本油脂製造)0.3質量份、第3交聯劑(產品名「Takenate D110N」，三井化學製造)0.1質量份、及矽烷偶合劑(產品名「KBM403」，信越化學工業製造)0.3質量份並進行混合。
於比較例4中，使用上述剝離膜L2代替剝離膜L1(厚度50 μm)，使用剝離膜L7代替剝離膜L4(厚度50 μm)，且將第2黏著片之厚度設為75 μm而非50 μm。剝離膜L7為單面經矽酮剝離處理之PET膜(產品名「DIAFOIL MRF50」，厚度50 μm，Mitsubishi Chemical公司製造)。
於比較例5中，使用上述剝離膜L2代替剝離膜L1(厚度50 μm)，使用上述剝離膜L2代替剝離膜L4(厚度50 μm)，且將第2黏著片之厚度設為75 μm而非50 μm。
[實施例8] ＜第1黏著片之製作＞ 以與實施例1中之上述第1黏著片相同之方式製作實施例8中之第1黏著片。實施例8中之第1黏著片與實施例1中之第1黏著片相同，具體而言，為附有剝離膜L1、L2之第1黏著片。該第1黏著片係由厚度50 μm之透明之第1黏著劑層所構成。該第1黏著劑層係由包含第1丙烯酸基礎聚合物100質量份、上述丙烯酸酯低聚物 1.5質量份、第1交聯劑(產品名「Nyper BMT-40SV」，日本油脂製造)0.3質量份、第2交聯劑(產品名「Coronate L」，Tosoh製造)0.02質量份、及矽烷偶合劑(產品名「KBM403」，信越化學工業製造)0.3質量份之第1黏著劑組合物所形成之黏著劑層。
＜附有黏著劑層之覆蓋膜之製作＞ 以下述方式製作實施例8中之附有黏著劑層之覆蓋膜。
首先，向第6聚合物溶液中，相對於該聚合物溶液中之第6丙烯酸基礎聚合物100質量份添加第4交聯劑(產品名「Coronate HX」，六亞甲基二異氰酸酯之異氰尿酸酯體，Tosoh製造)5質量份、及作為交聯觸媒之二月桂酸二丁基錫0.03質量份並進行混合，從而製備實施例8中之第2黏著劑組合物。
其次，於單面經電暈處理之表面保護膜(產品名「T100C-38」，聚酯膜，厚度38 μm，Mitsubishi Chemical公司製造)之電暈處理面上塗佈實施例8中之上述第2黏著劑組合物而形成塗膜。其次，將剝離膜L8之剝離處理面貼合於表面保護膜上之塗膜。剝離膜L8為單面經矽酮剝離處理之聚酯膜(厚度25 μm)。其次，將夾持於兩膜之塗膜以130℃加熱2分鐘，藉此使塗膜乾燥，形成厚度10 μm之透明之第2黏著劑層。此後，自第2黏著劑層將剝離膜L8剝離。以上述方式製作附有黏著劑層之表面保護膜(附有黏著劑層之覆蓋膜)。
＜附有覆蓋膜之光學膜之製作＞ 首先，自兩面附有剝離膜L1、L2之第1黏著片將剝離膜L2剝離，並對藉此露出之露出面進行電漿處理。另一方面，對厚度31 μm之偏光膜之兩面(第1面、第2面)亦進行電漿處理。繼而，將第1黏著片之上述露出面與偏光膜之第1面貼合。於該貼合中，於25℃之環境下，藉由使2 kg之輥往返1次之作業對附有剝離膜L1之第1黏著片與偏光膜進行壓接。
其次，使上述附有黏著劑層之表面保護膜之黏著劑層側與偏光膜之第2面貼合。於該貼合中，於25℃之環境下，藉由使2 kg之輥往返1次之作業對附有黏著劑層之表面保護膜與偏光膜進行壓接。藉此，獲得剝離膜L1(厚度50 μm)、第1黏著片(厚度50 μm)、偏光膜(厚度31 μm)、與附有黏著劑層(厚度10 μm)之表面保護膜(厚度38 μm)之積層構成之積層膜。
其次，使用沖裁加工機及Thomson刀將積層膜沖裁成150 mm×120 mm之尺寸(沖裁加工)。
以上述方式製作實施例8之附有覆蓋膜之光學膜。該附有覆蓋膜之光學膜於厚度方向依序具備作為第1覆蓋膜之剝離膜L1、第1黏著劑層(第1黏著片)、作為光學膜之偏光膜、及作為附有第2黏著劑層之第2覆蓋膜之附有黏著劑層之表面保護膜。
[實施例9～11] 除以下內容以外，以與實施例8之附有覆蓋膜之光學膜相同之方式製作實施例9～11之各附有覆蓋膜之光學膜。
於實施例9中，使用厚度51 μm之偏光膜代替厚度31 μm之偏光膜。
於實施例10中，使用厚度25 μm之偏光膜代替厚度31 μm之偏光膜。
於實施例11中，將第1黏著片之厚度設為25 μm而非50 μm。
[實施例12] 除以下內容以外，以與實施例8之附有覆蓋膜之光學膜相同之方式製作實施例12之附有覆蓋膜之光學膜。於第1黏著劑組合物之製備中，使用第2聚合物溶液代替第1聚合物溶液，並使用該第1黏著劑組合物製作第1黏著片。
於實施例12中之第1黏著劑組合物之製備中，具體而言，向第2聚合物溶液中，相對於該聚合物溶液中之第2丙烯酸基礎聚合物100質量份添加丙烯酸酯低聚物1.5質量份、第1交聯劑(產品名「Nyper BMT-40SV」，日本油脂製造)0.26質量份、第2交聯劑(產品名「Coronate L」，Tosoh製造)0.02質量份、及矽烷偶合劑(產品名「KBM403」，信越化學工業製造)0.3質量份並進行混合。
[實施例13] 除以下內容以外，以與實施例8之附有覆蓋膜之光學膜相同之方式製作實施例13之附有覆蓋膜之光學膜。於第1黏著劑組合物之製備中，使用第4聚合物溶液代替第1聚合物溶液，並使用該第1黏著劑組合物製作第1黏著片。
於實施例13中之第1黏著劑組合物之製備中，具體而言，向第4聚合物溶液中，相對於該聚合物溶液中之第4丙烯酸基礎聚合物100質量份添加第1交聯劑(產品名「Nyper BMT-40SV」，日本油脂製造)0.3質量份、第3交聯劑(產品名「Takenate D110N」，三羥甲基丙烷苯二甲基二異氰酸酯，三井化學製造)0.1質量份、及矽烷偶合劑(產品名「KBM403」，信越化學工業製造)0.3質量份並進行混合。
[比較例6～9] 除以下內容以外，以與實施例8之附有覆蓋膜之光學膜相同之方式製作比較例6～9之各附有覆蓋膜之光學膜。
於比較例6中，使用厚度125 μm之表面保護膜代替厚度38 μm之表面保護膜作為第2覆蓋膜。比較例6中之表面保護膜為對PET膜(產品名「Lumirror S10」，Toray公司製造)之單面實施利用矽酮系剝離處理劑進行之剝離處理而成之膜。
比較例7中，於第1黏著劑組合物之製備中，使用第5聚合物溶液代替第1聚合物溶液，並使用該第1黏著劑組合物製作第1黏著片。於比較例3中之第1黏著劑組合物之製備中，具體而言，向第5聚合物溶液中，相對於該聚合物溶液中之第5丙烯酸基礎聚合物100質量份添加第1交聯劑(產品名「Nyper BMT-40SV」，日本油脂製造)0.3質量份、第3交聯劑(產品名「Takenate D110N」，三井化學製造)0.1質量份、及矽烷偶合劑(產品名「KBM403」，信越化學工業製造)0.3質量份並進行混合。
於比較例8中，將附有黏著劑層(第2黏著劑層)之表面保護膜上之第2黏著劑層之厚度設為1 μm而非10 μm。
於比較例9中，使用剝離膜L9代替剝離膜L1(厚度50 μm)。剝離膜L9為單面經矽酮剝離處理之PET膜(產品名「DIAFOIL MRF75」，厚度75 μm，Mitsubishi Chemical公司製造)。
＜剪切儲存模數＞ 對實施例1～13及比較例1～9之各附有覆蓋膜之光學膜中之各黏著劑層，以如下方式測定25℃之剪切儲存模數。
首先，製作測定用樣品。具體而言，將複數片黏著劑層片貼合而製作厚度約1.5 mm之黏著劑片材，隨後沖裁該片材而獲得作為測定用樣品之圓柱狀顆粒(直徑7.9 mm)。繼而，使用動態黏彈性測定裝置(商產品名「Advanced Rheometric Expansion System (ARES)」，Rheometric Scientific公司製造)將測定用樣品固定於直徑7.9 mm之平行板之夾具後，對其進行動態黏彈性測定。於本測定中，將測定模式設為扭力模式，將測定溫度範圍設為-50℃～150℃，將升溫速度設為5℃/min，且將頻率設為1 Hz。根據測定結果讀取25℃之剪切儲存模數G'。表1～4中，以25℃之儲存模數M1(kPa)之形式表示第1黏著劑層於25℃之剪切儲存模數G'，以25℃之儲存模數M2(kPa)之形式表示第2黏著劑層於25℃之剪切儲存模數G'，亦示出M1相對於M2之比率。
＜剝離力＞ 對實施例1～7及比較例1～5之各附有覆蓋膜之光學膜檢查用以將第1覆蓋膜自第1黏著劑層剝離之剝離力(第1剝離力)、及用以將第2覆蓋膜自第2黏著劑層剝離之剝離力(第2剝離力)。具體而言，如下所述。
首先，自附有覆蓋膜之光學膜切出測定用試片(短邊25 mm×長邊150 mm左右)。其次，將試片固定於拉伸試驗機(產品名「自動立體測圖儀」，島津製作所製造)之固定用平台。具體而言，自試片將一覆蓋膜(第2覆蓋膜或第1覆蓋膜)剝離而去除後，經由因該剝離而露出之黏著劑層將該試片貼附於固定用平台。其次，將固持用膠帶貼附於位於試片之露出面側之另一覆蓋膜(第1覆蓋膜或第2覆蓋膜)。該固持用膠帶具有強黏著面，經由該強黏著面將固持用膠帶貼附於試片之覆蓋膜。其次，藉由拉伸試驗機實施將試片中之黏著劑層之覆蓋膜自該黏著劑層剝離之剝離試驗，並測定剝離強度作為剝離力。於本測定中，將測定溫度設為25℃，藉由拉伸固持用膠帶將覆蓋膜剝離，將剝離角度設為180°，將拉伸速度設為300 mm/min，且將剝離長度設為100 mm。將所測得之剝離力F1、F2(gf/25 mm)示於表1、2。又，剝離力F1相對於剝離力F2之比率亦示於表1、2。剝離力F1、F2係剝離長度20～100 mm(剝離強度於經歷剝離開始時之剝離開始力之後穩定)內之剝離強度之平均值。
另一方面，對實施例8～13及比較例6～9之各附有覆蓋膜之光學膜檢查用以將第1覆蓋膜自第1黏著劑層剝離之剝離力(第1剝離力)、及用以將附有第2黏著劑層之第2覆蓋膜自偏光膜剝離之剝離力(第2剝離力)。具體而言，如下所述。
首先，自附有覆蓋膜之光學膜切出測定用試片(短邊25 mm×長邊150 mm左右)。其次，將試片固定於拉伸試驗機(產品名「自動立體測圖儀」，島津製作所製造)之固定用平台。具體而言，對第1剝離力測定用試片，藉由強黏著之雙面膠帶將其第2覆蓋膜側貼合於固定用平台。對第2剝離力測定用試片，自該試片將第1覆蓋膜剝離而去除後，經由因該剝離而露出之第1黏著劑層將該試片貼附於固定用平台。其次，將固持用膠帶貼附於位於試片之露出面側之覆蓋膜(第1覆蓋膜或第2覆蓋膜)。該固持用膠帶具有強黏著面，經由該強黏著面將固持用膠帶貼附於試片之覆蓋膜。其次，藉由拉伸試驗機實施將覆蓋膜(第1覆蓋膜或附有黏著劑層之第2覆蓋膜)剝離之剝離試驗，並測定剝離強度作為剝離力。於本測定中，將測定溫度設為25℃，藉由拉伸固持用膠帶將覆蓋膜剝離，將剝離角度設為180°，將拉伸速度設為300 mm/min，且將剝離長度設為100 mm。將所測得之剝離力F1、F2(gf/25 mm)示於表1、2。又，剝離力F1相對於剝離力F2之比率亦示於表1、2。剝離力F1、F2係剝離長度20～100 mm(剝離強度於經歷剝離開始時之剝離開始力之後穩定)內之剝離強度之平均值。
＜第1覆蓋膜剝離時之第2覆蓋膜之剝離抑制＞ 對實施例1～13及比較例1～9中之各附有覆蓋膜之光學膜檢查第1覆蓋膜剝離時之第2覆蓋膜之剝離難度。具體而言，首先，為各附有覆蓋膜之光學膜製作10片評價樣品。其次，剝離各評價樣品之第1覆蓋膜。剝離係使用拉伸試驗機(產品名「自動立體測圖儀」，島津製作所製造)。於剝離中，將剝離角度設為180°，將拉伸速度設為300 mm/min。繼而，將未出現第2覆蓋膜自第2黏著劑層之剝離(實施例1～8、比較例1～5)或附有第2黏著劑層之第2覆蓋膜自偏光膜之剝離(實施例9～13、比較例6～9)僅可適當剝離第1覆蓋膜之評價樣品數量為10之情形評價為“優”，數量為7～9之情形評價為“良”，數量為0～6之情形評價為“不良”。將評價結果示於表1。
＜光學膜之端部龜裂之抑制＞ 對實施例1～13及比較例1～9中之各附有覆蓋膜之光學膜檢查經歷第1覆蓋膜之剝離之情形時於光學膜端部產生龜裂之難度。具體而言，首先，為各附有覆蓋膜之光學膜製作評價樣品。其次，手動剝離評價樣品之第1覆蓋膜。其次，藉由光學顯微鏡對光學膜之外周部(距端緣1 mm之區域)進行觀察。繼而，將剝離第1覆蓋膜後未於光學膜之上述外周部產生長度100 μm以上之龜裂之情形評價為“優”，將產生長度100 μm以上未達200 μm之龜裂之情形評價為“良”，將產生長度200 μm以上之龜裂之情形評價為“不良”。將其結果示於表1～4。
＜彎曲試驗＞ 對實施例1～13及比較例1～9中之各附有覆蓋膜之光學膜檢查彎折時之光學膜與黏著劑層之間之貼合性。具體而言，如下所述。
首先，對實施例1～7及比較例1～5之各附有覆蓋膜之光學膜自第1黏著劑層剝離第1覆蓋膜，隨後將作為第1覆蓋膜替代品之聚醯亞胺膜(厚度80 μm)貼合於第1黏著劑層之露出面。繼而，自第2黏著劑層剝離第2覆蓋膜，隨後將作為第2覆蓋膜替代品之PET膜(厚度125 μm)貼合於第2黏著劑層之露出面。另一方面，對實施例8～13及比較例6～9之各附有覆蓋膜之光學膜自第1黏著劑層剝離第1覆蓋膜，隨後將作為第1覆蓋膜替代品之聚醯亞胺膜(厚度80 μm)貼合於第1黏著劑層之露出面。各貼合係於25℃之環境下藉由使2 kg之輥往返1次之作業來實施。
其次，自以上述方式準備之各兩面附有覆蓋膜之光學膜(偏光膜)切出評價用樣品。具體而言，以切出之樣品中偏光膜之吸收軸方向與長邊方向平行之方式自附有覆蓋膜之光學膜切出35 mm×100 mm之矩形樣品。其次，對樣品於35℃及0.35 MPa之條件進行15分鐘之高壓釜處理。其次，藉由面狀體無負荷U字伸縮試驗機(YUASA SYSTEM公司製造)對該樣品實施彎曲試驗。於本試驗中，對樣品中之長邊方向之兩端部分別於距樣品端緣20 mm之範圍安裝彎曲夾具而將樣品固定於試驗機(樣品之長邊方向之中央60 mm之區域處於未固定之狀態)。又，於本試驗中，以樣品之第2覆蓋膜側之面成為內側之方式，以彎曲半徑1.3 mm及彎曲角度180°之彎曲形態(作用於樣品之彎曲力矩之軸方向與偏光膜之吸收軸方向正交之形態)保持該樣品，並將處於該狀態之該樣品於溫度25℃及相對濕度95%之條件之恆溫恆濕槽內保持240小時(彎曲試驗)。
對此種彎曲試驗後之樣品進行目視觀察，確認彎曲部分中之光學膜(偏光膜)與各覆蓋膜之間有無剝落。於確認到剝落之樣品中，均自樣品短邊方向之端部產生剝落(空隙部)。對確認到剝落之樣品測定該樣品短邊方向上之空隙部之長度(mm)。繼而，對於彎折時之光學膜與黏著劑層之間之貼合性(光學膜與黏著劑層之間之剝落受抑制之程度)，將上述空隙部長度未達1 mm之情形評價為“優”，將上述空隙部長度為1 mm以上未達2 mm之情形評價為“良”，將上述空隙部長度為2 mm以上之情形評價為“不良”。 將其評價結果示於表1。
[表1]
表1
   實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6
第1覆蓋膜之厚度H4(μm) 50 50 50 50 50 50
第1黏著劑層之厚度H2(μm) 50 50 50 25 25 50
光學膜之厚度H1(μm) 31 51 25 31 31 31
第2黏著劑層之厚度H3(μm) 50 50 50 50 75 75
第2覆蓋膜之厚度H5(μm) 75 75 75 75 75 75
H2/H3 1.0 1.0 1.0 0.5 0.33 0.67
H4/H5 0.67 0.67 0.67 0.67 0.67 0.67
第1黏著劑層於25℃之剪切儲存模數M1(kPa) 46 46 46 46 46 36
第2黏著劑層於25℃之剪切儲存模數M2(kPa) 36 36 36 36 36 24
M1/M2 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 1.5
剝離力F1(gf/25 mm) 2 2 2 2 2 2
剝離力F2(gf/25 mm) 4 4 4 4 4 5
F1/F2 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.4
第2覆蓋膜之剝離抑制 優 優 優 優 優 優
端部龜裂之抑制 優 優 優 優 優 良
彎曲試驗 優 優 優 優 優 優
[表2]
表2
   實施例7 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 比較例5
第1覆蓋膜之厚度H4(μm) 50 50 38 50 75 75
第1黏著劑層之厚度H2(μm) 50 50 50 50 50 50
光學膜之厚度H1(μm) 31 31 31 31 31 31
第2黏著劑層之厚度H3(μm) 75 50 50 50 75 75
第2覆蓋膜之厚度H5(μm) 75 125 38 75 50 75
H2/H3 0.67 1.0 1.0 1.0 0.67 0.67
H4/H5 0.67 0.4 1.0 0.67 1.5 1.5
第1黏著劑層於25℃之剪切儲存模數M1(kPa) 81 46 46 198 46 46
第2黏著劑層於25℃之剪切儲存模數M2(kPa) 36 36 36 36 36 36
M1/M2 2.3 1.3 1.3 5.5 1.3 1.3
剝離力F1(gf/25 mm) 2 2 1 2 3 15
剝離力F2(gf/25 mm) 7 20 2 5 1 20
F1/F2 0.29 0.1 0.5 0.4 3 0.75
第2覆蓋膜之剝離抑制 優 優 不良 優 不良 良
端部龜裂之抑制 優 不良 優 優 優 不良
彎曲試驗 良 優 優 不良 優 優
[表3]
表3
   實施例8 實施例9 實施例10 實施例11 實施例12 實施例13
第1覆蓋膜之厚度H4(μm) 50 50 50 50 50 50
第1黏著劑層之厚度H2(μm) 50 50 50 25 50 50
光學膜之厚度H1(μm) 31 51 25 31 31 31
第2黏著劑層之厚度H3(μm) 10 10 10 10 10 10
第2覆蓋膜之厚度H5(μm) 38 38 38 38 38 38
H2/H3 5.0 5.0 5.0 2.5 5.0 5.0
H4/H5 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3
第1黏著劑層於25℃之剪切儲存模數M1(kPa) 46 46 46 46 36 81
第2黏著劑層於25℃之剪切儲存模數M2(kPa) 3000 3000 3000 3000 3000 3000
M1/M2 0.015 0.015 0.015 0.015 0.012 0.027
剝離力F1(gf/25 mm) 2 2 2 2 2 2
剝離力F2(gf/25 mm) 18 18 18 18 18 18
F1/F2 0.11 0.11 0.11 0.11 0.11 0.11
第2覆蓋膜之剝離抑制 優 優 優 優 優 優
端部龜裂之抑制 優 優 優 優 良 優
彎曲試驗 優 優 優 優 優 良
[表4]
表4
   比較例6 比較例7 比較例8 比較例9
第1覆蓋膜之厚度H4(μm) 50 50 50 75
第1黏著劑層之厚度H2(μm) 50 50 50 50
光學膜之厚度H1(μm) 31 31 31 31
第2黏著劑層之厚度H3(μm) 10 10 1 10
第2覆蓋膜之厚度H5(μm) 125 38 38 38
H2/H3 5.0 5.0 5.0 5.0
H4/H5 0.4 1.3 1.3 2.0
第1黏著劑層於25℃之剪切儲存模數M1(kPa) 46 198 46 46
第2黏著劑層於25℃之剪切儲存模數M2(kPa) 3000 3000 3000 3000
M1/M2 0.015 0.066 0.015 0.015
剝離力F1(gf/25 mm) 2 2 2 15
剝離力F2(gf/25 mm) 30 18 1 18
F1/F2 0.067 0.11 2 0.83
第2覆蓋膜之剝離抑制 優 優 不良 良
端部龜裂之抑制 不良 優 優 不良
彎曲試驗 優 不良 優 優
10:光學膜 11:第1面 12:第2面 20:黏著劑層(第1黏著劑層) 21:黏著面 30:黏著劑層(第2黏著劑層) 31:黏著面 40:覆蓋膜(第1覆蓋膜) 50:覆蓋膜(第2覆蓋膜) 60:覆蓋膜(第2覆蓋膜) M1:第1構件(第1被接著體) M2:第2構件M1(第2被接著體) T:厚度方向 X1:光學膜(附有覆蓋膜之光學膜) X2:光學膜(附有覆蓋膜之光學膜) Y1:附有黏著劑層之光學膜 Y2:附有黏著劑層之光學膜
圖1係本發明之附有覆蓋膜之光學膜之第1實施方式之剖面模式圖。 圖2A～圖2D表示圖1所示之附有覆蓋膜之光學膜之使用方法之一例。圖2A表示剝離第1覆蓋膜之第1剝離步驟，圖2B表示經由第1黏著劑層將光學膜與第1被接著體接合之第1接合步驟，圖2C表示剝離第2覆蓋膜之第2剝離步驟，圖2D表示經由第2黏著劑層將光學膜與第2被接著體接合之第2接合步驟。 圖3係本發明之附有覆蓋膜之光學膜之第2實施方式之剖面模式圖。 圖4A、圖4B表示圖3所示之附有覆蓋膜之光學膜之使用方法之一例。圖4A表示剝離第1覆蓋膜之剝離步驟，圖4B表示經由第1黏著劑層將光學膜與第1被接著體接合之接合步驟。
10:光學膜
11:第1面
12:第2面
20:黏著劑層(第1黏著劑層)
21:黏著面
30:黏著劑層(第2黏著劑層)
31:黏著面
40:覆蓋膜(第1覆蓋膜)
50:覆蓋膜(第2覆蓋膜)
T:厚度方向
X1:光學膜(附有覆蓋膜之光學膜)
Y1:附有黏著劑層之光學膜

Claims (8)

  1. 一種附有覆蓋膜之光學膜，其於厚度方向依序具備第1覆蓋膜、第1黏著劑層、光學膜、第2黏著劑層、及第2覆蓋膜， 上述光學膜具有100 μm以下之第1厚度， 上述第1黏著劑層具有5 μm以上100 μm以下之第2厚度， 上述第1黏著劑層於25℃具有20 kPa以上100 kPa以下之第1剪切儲存模數， 上述第2黏著劑層具有5 μm以上100 μm以下之第3厚度， 上述第2黏著劑層於25℃具有20 kPa以上100 kPa以下之第2剪切儲存模數， 上述第1覆蓋膜具有40 μm以上80 μm以下之第4厚度， 上述第2覆蓋膜具有40 μm以上80 μm以下之第5厚度， 上述第4厚度相對於上述第5厚度之比率為1以下， 用以將上述第1覆蓋膜自上述第1黏著劑層剝離之第1剝離力相對於用以將上述第2覆蓋膜自上述第2黏著劑層剝離之第2剝離力之比率為0.9以下， 上述第1剝離力為10 gf/25 mm以下。
  2. 如請求項1之附有覆蓋膜之光學膜，其中上述第2厚度相對於上述第3厚度之比率為0.1以上2以下。
  3. 如請求項1之附有覆蓋膜之光學膜，其中上述第1剪切儲存模數相對於上述第2剪切儲存模數之比率為0.5以上。
  4. 一種附有覆蓋膜之光學膜，其於厚度方向依序具備第1覆蓋膜、第1黏著劑層、光學膜、第2黏著劑層、及第2覆蓋膜， 上述光學膜具有100 μm以下之第1厚度， 上述第1黏著劑層具有5 μm以上100 μm以下之第2厚度， 上述第1黏著劑層於25℃具有20 kPa以上100 kPa以下之第1剪切儲存模數， 上述第2黏著劑層具有5 μm以上30 μm以下之第3厚度， 上述第2黏著劑層於25℃具有150 kPa以上之第2剪切儲存模數， 上述第1覆蓋膜具有40 μm以上80 μm以下之第4厚度， 上述第2覆蓋膜具有40 μm以上80 μm以下之第5厚度， 上述第4厚度相對於上述第5厚度之比率為1以上， 上述第2黏著劑層及上述第2覆蓋膜形成附有第2黏著劑層之第2覆蓋膜， 用以將上述第1覆蓋膜自上述第1黏著劑層剝離之第1剝離力相對於用以將上述附有第2黏著劑層之第2覆蓋膜自上述光學膜剝離之第2剝離力之比率為0.9以下， 上述第1剝離力為10 gf/25 mm以下。
  5. 如請求項4之附有覆蓋膜之光學膜，其中上述第2厚度相對於上述第3厚度之比率為1以上100以下。
  6. 如請求項4之附有覆蓋膜之光學膜，其中上述第1剪切儲存模數相對於上述第2剪切儲存模數之比率為0.5以下。
  7. 如請求項1至6中任一項之附有覆蓋膜之光學膜，其中上述光學膜為偏光膜。
  8. 如請求項7之附有覆蓋膜之光學膜，其中上述偏光膜具有1.0×10 6kPa以上之第3剪切儲存模數。
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