TW202307987A - 微凸塊及其製造方法、用於電性連接的中介物、半導體封裝、多段積層型半導體元件以及顯示器 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種既可與端子間的窄節距對應同時亦可防止在凸塊連接部處電流密度與熱能密度增加的微凸塊、包括其之用於電性連接的中介物、半導體封裝、多段積層型半導體元件以及顯示器。

Description

微凸塊、包括其之電性連接中介物、半導體封裝、半導體元件以及顯示器

本發明是有關於一種微凸塊、包括其之用於電性連接的中介物、半導體封裝、多段積層型半導體元件以及顯示器。

由於現存的利用焊料凸塊（solder bump）的覆晶（flip chip）接合方式與配線接合方式相比具有以下優點因此得到普遍使用：晶片與基板間的連接部長度最小化而電性能優異，且可提高輸入輸出端子的積體度，且可使熱釋放路徑分散從而更快地將內部的熱釋放至外部。

最近的半導體晶片存在以下趨勢：一個晶片執行多種功能，處理速度亦逐漸變快，同時輸入輸出端子數必然增加，且節距（pitch）逐漸變小。

端子間的節距減小，同時自然地亦使焊料凸塊間的節距間隔窄節距化。但於現存的利用焊料凸塊的方式的情況下，會產生在焊料凸塊進行熔融時與相鄰的焊料凸塊短路的可能性變高的問題。為了解決該問題，可考慮減小焊料凸塊的大小。然而，若使焊料凸塊的大小減小，則晶片與基板間的距離會變得過短，因此在底填充（under fill）製程中難度上升，且由於晶片與基板間的距離減小，因此會產生在高頻率頻帶中寄生電容顯著增加的問題。另外，會產生在焊料凸塊的大小減小時在凸塊連接部電流密度與熱能密度增加的問題。

另一方面，近來微型發光二極體（light emitting diode，LED）顯示器成為又一新一代顯示器。液晶顯示器（liquid crystal display，LCD）與有機發光二極體（organic light emitting diode，OLED）的核心素材分別為液晶（Liquid Crystal）、有機材料，而微型LED顯示器為將1微米（μm）至100微米（μm）單位的LED晶片本身用作發光材料的顯示器。由於微型LED具有微米（μm）單位的端子大小與節距間隔，因此即使在利用現存的焊料凸塊（solder bump）方式將此種微型LED接合至基板（電路基板）時，亦會同樣產生上述問題。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]韓國註冊編號第10-1610326號 註冊專利公報

[發明所欲解決之課題]

本發明是為了解決上述問題點而提出，本發明的目的在於提供一種既可與端子間的窄節距對應同時亦可防止在凸塊連接部電流密度與熱能密度增加的微凸塊、包括其之用於電性連接的中介物、半導體封裝、多段積層型半導體元件以及顯示器。 [解決課題之手段]

為了達成上述的目的，根據本發明的微凸塊的製造方法包括在配置於陽極氧化膜材質的主體的貫通孔內部形成導電材料部的導電材料部形成步驟。

另一方面，根據本發明的用於電性連接的中介物包括：主體，其為陽極氧化膜材質，配置有貫通孔；以及微凸塊，配置於所述貫通孔內部，所述微凸塊包括導電材料部。

另外，所述導電材料部包含以下中的至少任一種材質：Cu、Al、W、Au、Ag、Mo、Ta或包括其等的合金。

另一方面，根據本發明的微凸塊包括導電材料部，且包括配置於所述導電材料部的側面的多個微細溝槽。

另外，所述微細溝槽沿所述導電材料部的側面周緣配置於周緣整體。

另一方面，根據本發明的半導體封裝包括：元件；基板，供所述元件安裝；以及微凸塊，配置於所述元件與所述基板之間，所述微凸塊以柱形狀形成，且在所述微凸塊的側面的至少一部分配置有在周緣方向上形成的微細溝槽。

另一方面，根據本發明的半導體封裝包括：元件；基板，供所述元件安裝；以及微凸塊，配置於所述基板下部，所述微凸塊以柱形狀形成，且在所述微凸塊的側面的至少一部分配置有在周緣方向上形成的微細溝槽。

另一方面，根據本發明的多段積層型半導體元件包括：多個元件；以及微凸塊，配置於所述元件之間，所述微凸塊以柱形狀形成，且在所述微凸塊的側面的至少一部分配置有在周緣方向上形成的微細溝槽。

另一方面，根據本發明的顯示器包括：元件；基板，供所述元件安裝；以及微凸塊，配置於所述元件與所述基板之間，所述微凸塊以柱形狀形成，且在所述微凸塊的側面的至少一部分配置有在周緣方向上形成的微細溝槽。 [發明的效果]

本發明提供一種既可與端子間的窄節距對應同時亦可防止在凸塊連接部處電流密度與熱能密度增加的微凸塊、包括其之用於電性連接的中介物、半導體封裝、多段積層型半導體元件以及顯示器。

以下的內容僅例示發明的原理。因此即便未在本說明書中明確地進行說明或圖示，相應領域的技術人員亦可實現發明的原理並發明包含於發明的概念與範圍內的各種裝置。另外，本說明書所列舉的所有條件部用語及實施例在原則上應理解為僅是作為明確地用於理解發明的概念的目的，並不限制於如上所述特別列舉的實施例及狀態。

所述的目的、特徵及優點藉由與附圖相關的下文的詳細說明而進一步變明瞭，因此在發明所屬的技術領域內具有通常知識者可容易地實施發明的技術思想。

將參考作為本發明的理想例示圖的剖面圖及/或立體圖來說明本說明書中記述的實施例。為了有效地說明技術內容，對該些附圖所示的膜及區域的厚度等進行誇張表現。例示圖的形態可因製造技術及/或公差等變形。另外，圖中所示的微凸塊的個數在圖中僅例示性地示出一部分。因此，本發明的實施例並不限於所示的特定形態，亦包括根據製造製程生成的形態的變化。在本說明書中使用的技術用語僅用於說明特定的實施例，不旨在限定本發明。除非上下文另有明確規定，否則單數的表達包括複數的表達。在本說明書中，應理解的是，「包括」或「具有」等用語欲指定存在本說明書所記載的特徵、數字、步驟、動作、構成要素、零部件或對其等進行組合，不預先排除一個或一個以上的其他特徵或數字、步驟、動作、構成要素、零部件或對其等進行組合的存在或附加可能性。

以下，參照附圖對本發明的較佳實施例具體地進行說明。以下在對各種實施例進行說明時，即使實施例不同，為了方便起見亦對執行相同功能的構成要素賦予相同的名稱及相同的參考編號。另外，為了方便起見，將省略已經在其他實施例中說明的構成及操作。

以下說明的元件（10）可為包括具有微細節距的晶片端子的半導體元件、記憶體晶片、微處理器晶片、邏輯晶片、發光元件、或其等的組合。元件（10）不進行特別限制，其例子包括：邏輯大型積體電路（large scale integration，LSI）（如應用專用積體電路（application specified integrated circuit，ASIC）、場可程式化閘陣列（field programmable gate array，FPGA）及應用專用標準產品（Application Specific Standard Product，ASSP）般）、微處理器（如中央處理單元（Central Processing Unit，CPU）及圖形處理單元（graphic processing unit，GPU）般）、記憶體（動態隨機存取記憶體（Dynamic Random Access Memory，DRAM）、混合記憶體立方體（Hybrid Memory Cube，HMC）、磁性隨機存取記憶體（磁性RAM（Magnetic Random Access Memory，MRAM））、相變記憶體（Phase-Change Memory，PCM）、電阻式隨機存取記憶體（Resistive RAM，ReRAM）、鐵電隨機存取記憶體（Ferroelectric RAM，FeRAM）（鐵電RAM）及快閃記憶體（反及快閃（NAND flash））、半導體發光元件（包括LED、迷你LED、微型LED等）、電力裝置、類比積體電路（integrated circuit，IC）（如直交流（DC-AC）轉換器及絕緣閘雙極電晶體（insulated gate bipolar transistor，IGBT）般）、微機電系統（Micro Electro Mechanical System，MEMS）（如加速感測器、壓力感測器、振動器及吉羅（Giro）感測器般）、無線裝置（如全球定位系統（global positioning system，GPS）、調頻（frequency modulation，FM）、近場通訊（Near Field Communication，NFC）、射頻電磁（Radio Frequency Electro-Magnetic，RFEM）、微波單片積體電路（Microwave Monolithic Integrated Circuit，MMIC）及無線區域網路（Wireless Local Area Network，WLAN）般）、獨立裝置、背照式（Back-side illuminated，BSI）、互補金屬氧化物半導體（complementary metal oxide semiconductor，CMOS）影像感測器（CMOS image sensor，CIS）、照相機模組、CMOS、手動裝置、GAW濾波器、射頻（radio frequency，RF）濾波器、RF積體被動元件（Integrated Passive Device，IPD）、自適應預測編碼（adaptive predictive encoding，APE）及基帶（Baseband，BB）。

另外，以下說明的基板（20）包括電路基板、配線基板、封裝基板、臨時基板、中間基板等，另外包括所有與元件（10）直接或間接地進行電性連接的基板。

以下，首先對根據本發明較佳實施例的微凸塊（150）進行說明。 微凸塊（ 150 ）

以下，參照圖1至圖2的(f)對根據本發明較佳實施例的微凸塊（150）進行說明。

圖1是根據本發明較佳實施例的微凸塊（150）的立體圖，且圖2的(a)至圖2的(f)是對根據本發明較佳實施例的微凸塊（150）的製造方法進行說明的圖。

參照圖1，根據本發明較佳實施例的微凸塊（150）包括導電材料部（130）。

導電材料部（130）包含以下中的至少任一種材質：Cu、Al、W、Au、Ag、Mo、Ta或包括其等的合金。作為一例，導電材料部（130）可為銅（Cu）或將銅（Cu）作為主要成分的合金材質。

微凸塊（150）可為圓柱形狀。但，微凸塊（150）的形狀並非限定於此。微凸塊（150）可包括多棱柱而為各種形狀。

微凸塊（150）可包括配置於導電材料部（130）的上部與下部中的至少一部分的接合材料部（未示出）。此處，接合材料部包含以下中的至少任一種材質：Sn、AgSn、Au、PbSn、SnAgCu、SnAgBi、AuSn、In、InSn或包括Sn的合金。接合材料部包括：第一接合材料部，配置於導電材料部（130）的上部；以及第二接合材料部，配置於導電材料部（130）的下部。

參照圖2的(a)至圖2的(f)，對根據本發明較佳實施例的微凸塊（150）的製造方法進行說明。

微凸塊（150）的製造方法包括導電材料部形成步驟，所述導電材料部形成步驟是在配置於陽極氧化膜材質的主體（110）的貫通孔（123）內部形成導電材料部（130）。

首先，參照圖2的(a)，執行準備在下部配置有晶種層（200）的陽極氧化膜材質的主體（110）的步驟。

於陽極氧化膜材質的主體（110）的下部配置晶種層（200）。主體（110）藉由在對母材金屬進行陽極氧化後移除母材金屬來製作。晶種層（200）藉由沈積方法配置於主體（110）的一面。形成晶種層（200）以在電鍍時提高鍍覆特性。

陽極氧化膜材質的主體（110）在對母材金屬進行陽極氧化後移除母材金屬製作而成。陽極氧化膜意指對作為母材的金屬進行陽極氧化形成的膜，氣孔（111）意指於對金屬進行陽極氧化形成陽極氧化膜的過程中形成的孔洞。例如，於作為母材的金屬為鋁（Al）或鋁合金的情況，若對母材進行陽極氧化，則於母材的表面形成氧化鋁（Al ₂O ₃）材質的陽極氧化膜。但母材金屬並非限定於此，包括Ta、Nb、Ti、Zr、Hf、Zn、W、Sb或其等的合金。如上所述形成的陽極氧化膜在垂直方向上區分為在內部未形成氣孔（111）的阻擋層、與在內部形成有氣孔（111）的多孔層。在具有阻擋層與多孔層的陽極氧化膜形成於表面的母材中，若移除母材，則僅保留氧化鋁（Al ₂O ₃）材質的陽極氧化膜。陽極氧化膜可由移除在進行陽極氧化時形成的阻擋層且氣孔（111）沿上、下貫通的結構形成，或者由在進行陽極氧化時形成的阻擋層照原樣保留並將氣孔（111）的上、下中的一端部密閉的結構形成。

陽極氧化膜具有2 ppm/℃至3 ppm/℃的熱膨脹係數。因此，於在高溫的環境下暴露出的情況，由溫度引起的熱變形小。因此，於微凸塊（150）的製作環境即使為高溫環境，亦可製作精密的微凸塊（150）而無熱變形。

接著參照圖2的(b)，執行在主體（110）形成多個貫通孔（123）的步驟。

主體（110）具有獨立於氣孔（111）並具有較氣孔（111）的寬度更大的寬度的貫通孔（123）。貫通孔（123）可以數微米以上至數百微米以下的寬度形成。貫通孔（123）可藉由蝕刻製程配置。由於貫通孔（123）可利用與陽極氧化膜進行濕式反應的蝕刻溶液（例如鹼溶液）藉由一次蝕刻製程一次性形成多個貫通孔（123），因此與一次形成一個穿孔的技術相比在生產速度及製造成本方面有利。

貫通孔（123）可藉由在主體（110）的一面形成光阻並對其進行圖案化形成開口區域之後，藉由開口區域流入蝕刻溶液來形成。因此，照原樣臨摹經圖案化的開口區域的形狀來製作貫通孔（123）的剖面形狀。

由於利用將經圖案化的光阻用作遮罩的蝕刻製程來形成貫通孔（123），因此對貫通孔（123）的剖面形狀沒有限制，且使陽極氧化膜與蝕刻溶液進行反應形成的貫通孔（123）的內側壁形成垂直的內側壁。

貫通孔（123）的剖面可形成為圓形剖面。

接著參照圖2的(c)，執行利用晶種層（200）進行電鍍以形成導電材料部（130）的步驟。藉此，在主體（110）的貫通孔（123）內部形成導電材料部（130）。

接著參照圖2的(d)，將曾配置於主體（110）的下部的晶種層（200）移除。可利用蝕刻劑移除晶種層（200）。製作到此步驟時，在陽極氧化膜材質的主體（110）中包括微凸塊（150）的構成可為下文將述的用於電性連接的中介物（100）。

接著參照圖2的(e)，在主體（110）的上表面或下表面附著支持膜（T），且如圖2的(f)所示移除陽極氧化膜材質的主體（110），從而可保持微凸塊（150）附著在支持膜（T）上的狀態。微凸塊（150）附著於支持膜（T）上且保持間隔，從而可被移送以用於下一製程。

對具有垂直內側壁的貫通孔（123）的內部填充導電材料部（130），從而形成以柱形狀形成的微凸塊（150）。由於自主體（110）的下表面至上表面的柱形狀的微凸塊（150）具有相同的剖面面積，因此與內側壁不能形成垂直形狀的、例如球形或圓錐形的微凸塊相比，在順暢地流通電流方面有利。於內側壁不能形成垂直的形狀且自下表面越向上表面剖面面積越變小或者越向中央部剖面面積越變小的微凸塊的情況下，形成熱、電瓶頸區間，但根據本發明的較佳實施例的微凸塊（150）由於自下表面至上表面其剖面面積相同，因此是沒有熱、電瓶頸區間的構成。

微凸塊（150）可以其剖面為圓形剖面的圓柱形狀形成。藉此，由於具有較現存的球（ball）形態的焊料凸塊更大的體積，因此具有減小電流密度與熱能密度的效果。

另外，根據本發明的較佳實施例，由於導電材料部（130）藉由鍍覆製程形成，因此可將微凸塊（150）的高度限定為貫通孔（123）的高度，從而可減小多個微凸塊（150）的高度偏差。

在鍍覆製程完成後，藉由在升溫至高溫後施加壓力對完成鍍覆製程的金屬層進行加壓，從而可使導電材料部（130）更高密度化。於將光阻材質用作模具的情況，由於在完成鍍覆製程之後的金屬層周圍存在光阻，因此不能執行升溫至高溫並施加壓力的製程。與此不同，根據本發明的較佳實施例，由於在完成鍍覆製程的導電材料部（130）的周圍配置有陽極氧化膜材質的主體（110），因此即便升溫至高溫，亦由於陽極氧化膜的低的熱膨脹係數而可使變形最小化且使導電材料部（130）高密度化。因此，可得到與將光阻用作模具的技術相比更高密度化的導電材料部（130）。

微凸塊（150）具有70 μm以上200 μm以下的高度。另外，微凸塊（150）具有10 μm以上200 μm以下的直徑。當然，此種數值僅為一個例示，可以更小的數值形成微凸塊（150）。

在微凸塊（150）的側面具有微細溝槽（155）。

微細溝槽（155）形成於微凸塊（150）的外周面。微細溝槽（155）在微凸塊（150）的側面以在微凸塊（150）的高度方向上長長地延伸的槽的形態形成。

更具體而言，微細溝槽（155）在導電材料部（130）的側面配置有多個。微細溝槽（155）沿導電材料部的側面周緣配置於周緣整體。

微細溝槽（155）配置於導電材料部（130）的全部側面。

微細溝槽（155）的深度具有20 nm以上且1 μm以下的範圍，且其寬度亦具有20 nm以上且1 μm以下的範圍。此處，由於微細溝槽（155）源於在製造陽極氧化膜材質的主體（110）時形成的氣孔（111），因此微細溝槽（155）的寬度與深度具有形成於主體（110）的氣孔（111）的直徑範圍以下的值。另一方面，在於主體（110）形成貫通孔（123）的過程中可至少部分形成微細溝槽（155），所述微細溝槽（155）具有較藉由蝕刻溶液使主體（110）的氣孔（111）的一部分彼此破碎並進行陽極氧化時形成的氣孔（111）的直徑範圍更大的範圍的深度。

主體（110）包括大量氣孔（111），對此種主體（110）的至少一部分進行蝕刻以形成貫通孔（123），並在貫通孔（123）內部形成導電材料部（130），因此在微凸塊（150）的側面具有與主體（110）的氣孔（111）接觸同時形成的微細溝槽（155）。

由於如上所述的微細溝槽（155）呈在圓周方向上其深度為20 nm以上1 μm以下的山與谷重複的褶皺形態，因此具有對微凸塊（150）的側面而言可增大表面積的效果。換言之，即使根據本發明較佳一實施例的微凸塊（150）具有與以往的凸塊相同的形狀及尺寸，亦可藉由微細溝槽（155）的構成進一步增大微凸塊（150）的側面的表面積。藉由在微凸塊（150）的側面形成的微細溝槽（155）的構成，因皮膚效應（skin effect）使電流流動的表面積增大，且增加沿微凸塊（150）流動的電流的密度，從而可提高微凸塊（150）的電特性。另外，藉由微細溝槽（155）的構成，可快速釋放在微凸塊（150）中產生的熱，因此可抑制微凸塊（150）的溫度上升。 用於電性連接的中介物（ 100 ）

以下，對具有微凸塊（150）的用於電性連接的中介物（100）進行說明。

參照圖7或圖2的(d)，用於電性連接的中介物（100）可包括以下來構成：陽極氧化膜材質的主體（110）、以及配置於主體（110）的貫通孔（111）的微凸塊（150）。微凸塊（150）可保持在貫通孔（111）內部固定的狀態。微凸塊（150）包括導電材料部（130）。

另一方面，以下說明的用於電性連接的中介物（100）包括以下兩種構成：同時配置陽極氧化膜材質的主體（110）與微凸塊（150）的構成、以及呈移除陽極氧化膜材質的主體（110）的狀態而僅配置微凸塊（150）的構成。在以上兩種構成中，微凸塊（150）均作為電性連接部件起作用。

另一方面，如上所說明，由於微凸塊（150）可包括配置於導電材料部（130）的上部與下部中的至少一部分的接合材料部（未圖示）來構成，因此用於電性連接的中介物（100）亦可包括接合材料部（未圖示）來構成。 半導體封裝（ 400 ）

以下對配置有微凸塊（150）的半導體封裝（400）進行說明。

參照圖3的(a)及圖3的(b)對根據本發明較佳實施例的半導體封裝（400）進行說明。圖3的(a)及圖3的(b)是示出根據本發明較佳實施例的半導體封裝的圖。

參照圖3的(a)，根據本發明較佳實施例的半導體封裝（400）包括：元件（10）；供元件（10）安裝的基板（20）；以及用於電性連接的中介物（100），配置於元件（10）與基板（20）之間。用於電性連接的中介物（100）包括：主體（110），其為陽極氧化膜材質，配置有貫通孔（123）；導電材料部（130），配置於貫通孔（123）內部。

參照圖3的(b)，可以移除陽極氧化膜材質的主體（110）的狀態，僅藉由微凸塊（150）的構成來構成將元件（10）電性連接至基板（20）的半導體封裝（400）。

半導體封裝（400）包括：元件（10）；供元件（10）安裝的基板（20）；以及微凸塊（150），配置於元件（10）與基板（20）之間。微凸塊（150）以柱形狀形成，且在微凸塊（150）的外周面配置有在圓周方向上山與谷重複的微細溝槽（155）。

根據本發明較佳實施例的半導體封裝（400）中，元件（10）的端子（11）與基板（20）的端子（21）藉由導電材料部（130）進行電性連接。在元件（10）的端子（11）與微凸塊（150）之間可配置第一接合材料（未示出），且在基板（20）的端子（21）與微凸塊（150）之間可配置第二接合材料（未圖示）。第一接合材料與第二接合材料包含以下中的至少任一種材質：Sn、AgSn、Au、PbSn、SnAgCu、SnAgBi、AuSn、In、InSn或包括Sn的合金。第一接合材料、第二接合材料與端子（11、21）間的接合可藉由熱壓製程或迴焊製程來執行。

基板（20）可包括基板基底（23）、以及分別在上表面及下表面形成的上表面配線層（22）及下表面配線層（24）。基板（20）的基板基底（23）可由選自苯酚樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺中的至少一種物質形成。例如，基板基底（23）可包括選自以下中的至少一種物質：FR4、四官能環氧基（tetrafunctional epoxy）、聚伸苯基醚（polyphenylene ether）、環氧基/聚伸苯基氧化物（epoxy/polyphenylene oxide）、雙馬來醯亞胺三嗪（bismaleimide triazine，BT）、聚醯胺短織席材（thermount）、氰酸酯（cyanate ester）、聚醯亞胺（polyimide）及液晶高分子（liquid crystalline polymer）。在下表面配線層（24）的下部可配置外部連接端子（25）。

參照圖4至圖14，對根據本發明較佳實施例的半導體封裝（400）的製造方法進行說明。

在基板（20）上安裝元件（10）形成的半導體封裝（400）的製造方法包括以下步驟：將用於電性連接的中介物（100）配置於元件（10）與基板（20）之間，所述用於電性連接的中介物（100）具有在配置有貫通孔（123）的陽極氧化膜材質的主體（110）的貫通孔（123）內部配置的導電材料部（130）。

首先參照圖4，準備陽極氧化膜材質的主體（110）。

主體（110）藉由對母材金屬進行陽極氧化的過程來製作。多孔層中所包含的氣孔（111）的直徑形成為數奈米以上至數百奈米以下。藉由陽極氧化製程製作的主體（100）可由以下結構形成：在至少一個表面側具有在進行陽極氧化時形成且將氣孔（111）的一端部密閉的阻擋層，或者在至少一個表面側移除在進行陽極氧化時形成的阻擋層以使氣孔（111）的兩端部暴露出。於將主體（110）製作成與製作元件（10）的晶圓大小及形狀相同的大小及形狀的情況下，可將用於電性連接的中介物（100）配置於元件（10）與基板（20）之間，從而進行晶圓級封裝。

另外，由於可將陽極氧化膜材質的主體（110）的厚度形成至100 μm以上，因此可將微凸塊（150）的高度（厚度）均勻地形成至100 μm以上。

在主體（110）的下部配置晶種層（200）。在主體（110）的下部配置的晶種層（200）在導電材料部（130）的鍍覆製程中使用。

接著參照圖5，在主體（110）中形成獨立於氣孔（111）並具有較氣孔（111）的寬度更大寬度的貫通孔（123）。

貫通孔（123）可形成為數微米以上至數十微米以下的寬度。利用一次蝕刻製程一次性形成多個貫通孔（123）。另外，由於利用蝕刻製程形成貫通孔（123），因此對貫通孔（123）的形狀沒有限制，且使陽極氧化膜與蝕刻溶液進行反應形成的貫通孔（123）的內側壁形成垂直的內壁。由於在具有垂直內側壁的貫通孔（123）的內部填充導電材料來形成微凸塊（150），因此與不能形成垂直形狀的貫穿導體相比在順暢地流通電流方面有利。貫通孔（123）可藉由在主體（110）上表面形成光阻並對其進行圖案化形成開口區域之後，藉由開口區域流入蝕刻溶液來形成。因此，將貫通孔（123）的剖面形狀製作成與經圖案化的開口區域的形狀對應的形狀。貫通孔（123）的剖面形狀不僅可製作成圓形形狀，而且可製作成多邊形形狀。

接著參照圖6，在貫通孔（123）的內部形成導電材料部（130），從而形成微凸塊（150）。微凸塊（150）的構成及製造方法以及用於電性連接的中介物（100）的構成及製造方法可包括前文說明的實施例的構成來構成。

導電材料部（130）所述導電材料部由Cu、Al、W、Au、Ag、Mo、Ta中的至少任一種材質形成。

由於微凸塊（150）以圓柱形狀形成，因此與由球形形狀形成的情形相比具有更大的體積，且由於導電材料部（130）配置成圓柱形狀，因此具有減小集中至微凸塊（150）的電流密度與熱能密度的效果。

配置有貫通孔（123）的主體（110）在製作微凸塊（150）時可作為電鍍的模具發揮作用。由於微凸塊（150）是在貫通孔（123）內部藉由鍍覆製程來製作，因此導電材料部（130）的精密的特性得到提高。因此，可製作電流電阻減小且可靠性高的微凸塊（150）。另外，由於微凸塊（150）是在貫通孔（123）內部藉由鍍覆製程來製作，因此形狀的精密度得到提高且可實現多種剖面形狀。另外，即使在主體（110）形成多個微凸塊（150），亦可將微凸塊（150）間的高度偏差最小化。

陽極氧化膜材質的主體（110）包括大量氣孔（111），對此種主體（110）的至少一部分進行蝕刻來形成貫通孔（123），並藉由電鍍在貫通孔（123）內部形成導電材料部（130），因此在微凸塊（150）的側面具有與主體（110）的氣孔（111）接觸同時形成的微細溝槽（155）。藉由此種微細溝槽（155）的構成，可進一步增大微凸塊（150）的側面的表面積。

參照圖7，配置用於電性連接的中介物（100），所述用於電性連接的中介物（100）包括配置有貫通孔（123）的陽極氧化膜材質的主體（110）、以及配置於貫通孔（123）內部的微凸塊（150）。

接著，執行將用於電性連接的中介物（100）配置於元件（10）與基板（20）之間的步驟。該步驟可藉由以下構成來達成：（i）首先將元件（10）接合至用於電性連接的中介物（100），之後與基板（20）接合（圖8及圖9）；或者（ii）將用於電性連接的中介物（100）接合至基板（20），之後將元件（10）接合至用於電性連接的中介物（100）（圖10及圖11）。

首先參照圖8，於用於電性連接的中介物（100）的上表面安裝元件（10）。元件（10）的各端子（11）與用於電性連接的中介物（100）的各微凸塊（150）對應接合。在圖8中示出兩個元件（10）安裝至用於電性連接的中介物（100）的上表面的情形，但元件（10）的個數並非限定於此，元件（10）可以可進行晶圓級封裝的程度的數目進行安裝。

接著參照圖9，可將安裝有元件（10）的用於電性連接的中介物（100）移送至基板（20）側，並在基板（20）的上表面進行接合。在基板（20）的上表面於與用於電性連接的中介物（100）的微凸塊（150）對應的位置處預先製作並配備基板（20）的端子（21）。基板（20）的端子（21）與用於電性連接的中介物（100）的微凸塊（150）電性連接。

另一方面，如圖10及圖11所示，可首先將用於電性連接的中介物（100）配備在基板（20）的上表面，之後將元件（10）移送並配備至用於電性連接的中介物（100）的上表面。微凸塊（150）電性連接至基板（20）的端子（21）且亦與元件（10）的端子（11）電性連接。藉此，半導體封裝（400）包括：元件（10）、供元件（10）安裝的基板（20）、以及配置於元件（10）與基板（20）之間的用於電性連接的中介物（100）。

如圖12所示，半導體封裝（400）以配置有陽極氧化膜材質的主體（110）的狀態構成，或者與此不同，如圖13所示，半導體封裝（400）可以移除主體（110）且僅保留微凸塊（150）的狀態構成。主體（110）可藉由僅與陽極氧化膜選擇性地進行反應的溶液被選擇性地移除。

接著參照圖14，形成將元件（10）密封的模塑層（300）。模塑層（300）可包含聚合物材料。在一部分實施例中，模塑層（300）可為模塑化合物層。模塑化合物層可包含其中分散有填料的環氧系樹脂。填料可包括絕緣纖維、絕緣粒子、其他適合的要素、或其等的組合。之後藉由化學機械研磨（CMP）移除模塑層（300）的一部分，從而可使元件（10）的上表面暴露出。接著沿預切割線進行切割來完成單體化的半導體封裝（400）。

如上所示，根據本發明較佳實施例的半導體封裝（400）利用微凸塊（150）將元件（10）與基板（20）電性連接。

於僅利用焊料凸塊的覆晶技術相比，利用由根據本發明較佳實施例的導電材料部（130）形成的微凸塊（150）的覆晶製程具有可使元件（10）與基板（20）之間的距離減小、同時可進行更微細的連接的優點。另外，由於導電材料部（130）的電導率與熱導率較焊料合金優異，因此可提高使用由導電材料部（130）形成的微凸塊（150）的半導體封裝（400）的電特性與熱特性。

為了將元件（10）與基板（20）之間的距離設定為一定距離以上（70 μm以上），可考慮光阻圖案。於將光阻圖案作為模具利用電鍍將微凸塊（150）的高度形成為70 μm以上的情況，光阻圖案亦應形成為70 μm以上。然而，很難將光阻圖案形成為70 μm以上，且會產生製程成本上升的問題。亦可考慮將光阻圖案形成為多段積層的形態以增加高度的情況，但於此情況下，會產生在光阻圖案的層間產生階差的問題。

相比之下，由於本發明利用陽極氧化膜材質的主體（100）代替光阻圖案來製作微凸塊（150），因此可將微凸塊（110）的高度形成為70 μm以上。藉此，可將元件（10）與基板（20）之間的距離設為一定距離以上（70 μm以上），從而可提高半導體封裝（400）的性能。

另外，由於在微凸塊（150）的外周面以在微凸塊（150）的高度方向上長長地凹入的槽的形態形成微細溝槽（155），因此可藉此使半導體封裝（400）的高頻率訊號傳遞變得容易，且提高散熱特性。 將半導體封裝（ 400 ）安裝至電路基板（ 600 ）的構成

以下，對將配置有微凸塊（150）的半導體封裝（400）安裝至電路基板（600）的構成及其製造方法進行說明。

參照圖15，可將根據本發明較佳實施例的用於電性連接的中介物（100）配置於基板（20）的下部。即，根據本發明較佳實施例的半導體封裝（400）可包括以下來構成：元件（10）；供元件（10）安裝的基板（20）；以及配置於基板（20）下部的用於電性連接的中介物（100）。用於電性連接的中介物（100）可額外配置於元件（10）與基板（20）之間。

在基板（20）與電路基板（600）之間配置用於電性連接的中介物（100），從而可將半導體封裝（400）接合至電路基板（600）。

此種半導體封裝（400）的製造方法包括以下步驟：將用於電性連接的中介物（100）配置於基板（20）的下部，所述用於電性連接的中介物（100）具有在配置有貫通孔（123）的陽極氧化膜材質的主體（110）的貫通孔（123）內部配置的導電材料部（130）。

在圖15中示出陽極氧化膜材質的主體（110）被移除的狀態，但在圖15中配置有陽極氧化膜材質的主體（110）的構成亦包含於本發明的一實施例中。

即，半導體封裝（400）包括元件（10）、供元件（10）安裝的基板（20）、以及配置於基板（20）下部的微凸塊（150）。微凸塊（150）以柱形狀形成，且在微凸塊（150）的外周面配置有在圓周方向上山與谷重複的微細溝槽（1550）。

如上所述，根據本發明較佳實施例的半導體封裝（400）利用微凸塊（150）與電路基板（600）電性連接。 多段積層型半導體元件（ 500 ）

以下，對配置有微凸塊（150）的多段積層型半導體元件（500）及其製造方法進行說明。

參照圖16，根據本發明較佳實施例的多段積層型半導體元件（500）可包括微凸塊（150）來構成，所述微凸塊（150）配置於上、下相鄰的元件（10）之間，以將上、下相鄰的元件（10）電性連接。即，多段積層型半導體元件（500）包括多個元件（10）及配置於元件（10）之間的用於電性連接的中介物（100）。用於電性連接的中介物（100）包括：主體（110），其為陽極氧化膜材質，配置有貫通孔（123）；微凸塊（150），配置於貫通孔（123）內部。或者，用於電性連接的中介物（100）可移除陽極氧化膜材質的主體（110）而僅由微凸塊（150）形成。

此種多段積層型半導體元件（500）的製造方法包括以下步驟：將用於電性連接的中介物（100）配置於元件（10）之間，所述用於電性連接的中介物（100）具有在配置有貫通孔（123）的陽極氧化膜材質的主體（110）的貫通孔（123）內部配置的微凸塊（150）。在藉由微凸塊（150）將上、下相鄰的元件（10）全部接合之後，可更包括移除陽極氧化膜材質的主體（110）的步驟。

在圖16中示出陽極氧化膜材質的主體（110）被移除的狀態，但在圖16中配置有陽極氧化膜材質的主體（110）的構成亦包含於本發明的一實施例中。

多段積層型半導體元件（500）包括多個元件（10）、配置於元件（10）之間的微凸塊（150）。微凸塊（150）以柱形狀形成，且在微凸塊（150）的外周面配置有在圓周方向上山與谷重複的微細溝槽（1550）。由於如上所述的微細溝槽（155）呈在圓周方向上其深度為20 nm以上1 μm以下的山與谷重複的褶皺形態，因此具有對微凸塊（150）的側面而言可增大表面積的效果。

如上所述，根據本發明較佳實施例的多段積層型半導體元件（500）利用微凸塊（150）將上、下相鄰的元件（10）電性連接。 顯示器

以下，對配置有微凸塊（150）的顯示器及其製造方法進行說明。

根據本發明較佳實施例的顯示器包括：元件（10）；供元件（10）安裝的基板（20）；以及配置於元件（10）與基板（20）之間的用於電性連接的中介物（100）。

用於電性連接的中介物（100）包括：主體（110），其為陽極氧化膜材質，配置有貫通孔（123）；微凸塊（150），配置於貫通孔（123）內部。或者，用於電性連接的中介物（100）可移除陽極氧化膜材質的主體（110）而僅由微凸塊（150）形成。

此處，元件（10）為半導體發光元件（LED），包括迷你LED及微型LED。另外，基板（20）可為配置有配線線的電路基板。

根據本發明較佳實施例的顯示器可以選擇性地移除上述陽極氧化膜材質的主體（110）的狀態構成。

以下參照圖17的(a)至圖23的(b)對根據本發明較佳實施例的顯示器的製造方法進行說明。

根據本發明較佳實施例的顯示器的製造方法包括以下步驟：將用於電性連接的中介物（100）配置於元件（10）與基板（20）之間，所述用於電性連接的中介物（100）在配置有貫通孔（11）的陽極氧化膜材質的主體（110）的貫通孔（123）內部配置有微凸塊（150）；以及將第一接合材料部（143）與基板（20）的端子（21）接合，並將第二接合材料部（141）與元件（10）的端子（11）接合。

首先參照圖17的(a)，於生長基板（30）上製作元件（10）並定位。生長基板（30）可由導電基板或絕緣基板形成。例如，生長基板（30）可由藍寶石、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge、及Ga203中的至少任一者形成。

元件（10）可包括第一半導體層、第二半導體層、形成於第一半導體層與第二半導體層之間的活性層。第一半導體層、活性層及第二半導體層可利用以下方法來形成：有機金屬化學沈積法（金屬有機化學氣相沈積法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD））、化學沈積法（化學氣相沈積法（Chemical Vapor Deposition，CVD））、電漿化學沈積法（電漿增強型化學氣相沈積法（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD））、分子線生長法（Molecular Beam Epitaxy，MBE）、氫化物氣相生長法（氫化物氣相磊晶（Hydride Vapor Phase Epitaxy，HVPE））等。第一半導體層可由例如p型半導體層形成。p型半導體層可選自具有In _xAl _yGa _1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的組成式的半導體材料、例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN等，且可摻雜Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等p型摻雜劑。第二半導體層可包括例如n型半導體層來形成。n型半導體層可選自具有In _xAl _yGa _1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的組成式的半導體材料、例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN等，且可摻雜Si、Ge、Sn等n型摻雜劑。活性層作為電子與電洞復合的區域，因電子與電洞復合遷移至低的能級，且可生成具有與其相應的波長的光。活性層可包括例如具有In _xAl _yGa _1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的組成式的半導體材料來形成，且可形成為單量子阱結構或多量子阱（Multi Quantum Well，MQW）結構。另外，亦可包括量子線（Quantum wire）結構或量子點（Quantum dot）結構。

元件（10）包括至少兩個端子（21）。端子（21）可全部配置於元件（10）的一面或分別配置於兩面。但在圖17（a）-圖17（c）中示出端子（21）全部配置於元件（10）的一面的情形。端子（21）可包括一個以上的層，且可由包括金屬、導電氧化物及導電聚合物的多種導電材料形成。

元件（10）沿鋸切線利用雷射等進行鋸切或者藉由蝕刻製程分離成單個。

另一方面，在上文說明中說明了在生長基板（30）中製作元件（10）並將其配置於生長基板（30）上的情形，但在生長基板（30）中製作的元件（10）可自生長基板（30）轉移配置至臨時基板或中間基板等。因此，本發明的較佳實施例亦包括圖17的(a)所示的生長基板（30）為臨時基板或中間基板的情況。

接著參照圖17的(b)，於元件（10）的上部配置微凸塊（150）。微凸塊（150）的微凸塊（150）以與元件（10）的各端子（21）對應的方式定位。具體而言，一個元件（10）在一面配置有兩個端子（21），微凸塊（150）的微凸塊（150）亦以與各端子（21）對應的方式配置。微凸塊（150）可藉由包括陽極氧化膜材質的主體（110）的用於電性連接的中介物（100）定位至元件（10）的上部，或者藉由單獨的拾取器（picker）移送微凸塊（150）從而將微凸塊（150）定位至元件（10）的上部。

接著參照圖17的(c)，將微凸塊（150）電性連接至元件（10）的端子（21）。若為微凸塊（150）與陽極氧化膜材質的主體（110）一同被移送的情況，則可利用蝕刻溶液僅選擇性地移除陽極氧化膜材質的主體（110）。

接著參照圖18的(a)，將元件（10）倒置並移送至基板（20）側。在基板（20）的上表面在與元件（10）的端子（11）位置對應的位置處配置端子（21）。將元件（10）的端子（11）位置與基板（20）的端子（21）位置彼此對準，之後使元件（10）的位置與基板（20）的位置相對移動，從而使彼此接近。

此處，基板（20）作為顯示器基板可包括多種素材。例如，基板（20）可由將SiO ₂作為主要成分的透明玻璃材質形成。但，基板（20）並非必須限定於此，可由透明的塑膠材質形成以具有可溶性。塑膠材質可為選自由以下組成的群組的有機物：作為絕緣有機物的聚醚碸（polyethersulphone，PES）、聚丙烯酸酯（polyacrylate，PAR）、聚醚醯亞胺（polyetherimide，PEI）、聚萘二甲酸乙二醇酯（polyethyelenen napthalate，PEN）、聚對苯二甲酸乙二醇酯（polyethyeleneterepthalate，PET）、聚苯硫醚（polyphenylene sulfide，PPS）、聚烯丙基酯（polyallylate）、聚醯亞胺（polyimide）、聚碳酸酯（polycarbonate，PC）、三乙酸纖維素（triacetyl cellulose，TAC）、乙酸丙酸纖維素（cellulose acetate propionate，CAP）。於為圖像在基板（20）方向上形成的背面發光型的情況下，基板（20）應由透明的材質形成。但於為圖像在顯示基板（20）的相反方向上形成的前面發光型的情況下，基板（20）不需要必須由透明的材質形成。於此情況，可由金屬形成基板（20）。於由金屬形成基板（20）的情況，基板（20）可包括選自由鐵、鉻、錳、鎳、鈦、鉬、不銹鋼（SUS）、因瓦（Invar）合金、因科鎳（Inconel）合金及科瓦（Kovar）合金組成的群組的一種以上，但不限定於此。

接著參照圖18的(b)，執行將元件（10）接合至基板（20）的製程。微凸塊（150）將元件（10）與基板（20）電性連接。

接著參照圖18的(c)，執行將生長基板（30）自元件（10）分離的製程。例如，可利用雷射剝離製程將生長基板（30）自元件（10）分離。

在圖17的(a)至圖18的(c)中按照首先將元件（10）接合至用於電性連接的中介物（100）然後接合至基板（20）的順序進行說明，但如圖19的(a)至圖20的(b)所示，可按照首先將用於電性連接的中介物（100）接合至基板（20）之後接合元件（10）的順序製作顯示器。

首先參照圖19的(a)，準備在上表面配置有端子（21）的基板（20）。

接著參照圖19的(b)，使用於電性連接的中介物（100）在基板（20）上對準且將微凸塊（150）接合至基板（20）的端子（21）。

接著參照圖19的(c)，使在生長基板（30）中製作的元件（10）位於用於電性連接的中介物（100）上之後，使元件（10）的端子（11）接合至微凸塊（150）。此處，元件（10）可為藉由生長基板（30）進行支撐的狀態，亦可為在生長基板（30）中製作之後轉移過程移送至臨時基板或中間基板並藉由臨時基板或中間基板支撐的狀態。

另一方面，亦可在圖19的(b)所示的結構中不將第一接合材料部（意指圖21及圖22中所表示的圖式符號141）接合至基板（20）的端子，而在圖19的(c)所示的結構中藉由一次接合製程同時將第一接合材料部（意指圖21及圖22中所表示的圖式符號141）與第二接合材料部（意指圖21及圖22中所表示的圖式符號143）接合至各端子（11、21）。

接著參照圖20的(a)，將生長基板（30）自元件（10）分離。例如，可利用雷射剝離製程將生長基板（30）自元件（10）分離。

接著如圖20的(b)所示，利用蝕刻溶液自用於電性連接的中介物（100）選擇性地僅移除陽極氧化膜材質的主體（110）。藉此，元件（10）藉由微凸塊（150）的構成與基板（20）電性連接。

在以下方面存在差異：根據圖17的(a)至圖20的(b)的實施例為在顯示器製造製程中以配置於陽極氧化膜材質的主體（110）的狀態移送微凸塊（150）的實施例，相比之下，以下根據圖21的(a)至圖22的(c)的實施例為在顯示器製造製程中在沒有陽極氧化膜材質的主體（110）的情況下單獨移送微凸塊（150）的實施例。

首先參照圖21的(a)，於生長基板（30）上製作元件（10）並定位。但並非限定為生長基板（30），且元件（10）可配置於在傳遞至基板（20）之前步驟中的臨時基板、中間基板或可倒置的拾取裝置上。

接著參照圖21的(b)，在元件（10）的端子（11）上部配置第一接合材料（141）。第一接合材料（141）包含以下中的至少任一種材質：Sn、AgSn、Au、PbSn、SnAgCu、SnAgBi、AuSn、In、InSn或包括Sn的合金。

接著參照圖21的(c)，在第一接合材料（141）的上部配置微凸塊（150）。可利用單獨的拾取裝置將微凸塊（150）移送至第一接合材料（141）的上部。另外，如圖2的(f)所示，藉由使微凸塊（150）在附著於支持膜（T）的狀態下被一起移送至元件（10）的端子（11）上部並移除支持膜（T），從而可在第一接合材料（141）的上部配置微凸塊（150）。

接著參照圖22的(a)，將元件（10）倒置並移送至基板（20）側。在基板（20）的上表面在與元件（10）的端子（11）位置對應的位置處配置端子（21）。將元件（10）的端子（11）位置與基板（20）的端子（21）位置彼此對準，之後使元件（10）的位置與基板（20）的位置相對移動，從而使彼此接近。

在基板（20）的端子（21）上部配置第二接合材料（143）。第二接合材料（143）包含以下中的至少任一種材質：Sn、AgSn、Au、PbSn、SnAgCu、SnAgBi、AuSn、In、InSn或包括Sn的合金。

接著參照圖22的(b)，執行將元件（10）接合至基板（20）的製程。微凸塊（150）將元件（10）與基板（20）電性連接。

接著參照圖22的(c)，執行將生長基板（30）自元件（10）分離的製程。

如上所述，根據本發明較佳實施例的顯示器利用微凸塊（150）將元件（10）與基板（20）電性連接。

包括如迷你LED或微型LED等般的元件（10）的顯示器包括：如迷你LED或微型LED等般的元件（10）、供元件（10）安裝的基板（20）及配置於元件（10）與基板（20）之間的微凸塊（150）。微凸塊（150）以柱形狀形成，且在微凸塊（150）的外周面配置有在圓周方向上山與谷重複的微細溝槽（155）。由於如上所述的微細溝槽（155）呈在圓周方向上其深度為20 nm以上1 μm以下的山與谷重複的褶皺形態，因此具有對微凸塊（150）的側面而言可增大表面積的效果。根據本發明的較佳實施例，藉由採用在外部表面配置有微細溝槽（155）的微凸塊（150）的構成，可緩和電流密度與熱能集中於微凸塊（150）的現象。

如迷你LED或微型LED等般的元件（10）的大小（橫向、豎向）小至數微米至數十微米水準，因此配置於元件（10）的端子（11）的隔開距離亦窄至數微米至數十微米水準。根據本發明的較佳實施例，即使在此種元件（10）的尺寸範圍中亦可將元件（10）可靠地接合至基板（20）的端子。

如上所述，雖然參照本發明的較佳實施例進行說明，但相應技術領域的普通技術人員可在不脫離下述申請專利範圍所記載的本發明的思想及領域的範圍內對本發明實施各種修改或變形。

10:半導體元件 11、21:端子 20:基板 22:上表面配線層 23:基板基底 24:下表面配線層 25:外部連接端子 30:生長基板 100:用於電性連接的中介物 110:主體 111:氣孔 123:貫通孔 130:導電材料部 141:第一接合材料部/第一接合材料 143:第二接合材料部/第二接合材料 150:微凸塊 155:微細溝槽 200:晶種層 300:模塑層 400:半導體封裝 500:多段積層型半導體元件 600:電路基板 T:支持膜

圖1是根據本發明較佳實施例的微凸塊的立體圖。 圖2的(a)至圖2的(f)是對根據本發明較佳實施例的微凸塊的製造方法進行說明的圖。 圖3的(a)及圖3的(b)是示出根據本發明較佳實施例的半導體封裝的圖。 圖4至圖14是用於對根據本發明較佳實施例的半導體封裝的製造方法進行說明的圖。 圖15是示出將根據本發明較佳實施例的半導體封裝安裝至電路基板的圖。 圖16是示出根據本發明較佳實施例的多段積層型半導體元件的圖。 圖17的(a)至圖23的(b)是用於對根據本發明較佳實施例的顯示器的製造方法進行說明的圖。

130:導電材料部

150:微凸塊

155:微細溝槽

Claims (9)

1. 一種微凸塊的製造方法，包括： 導電材料部形成步驟，在配置於陽極氧化膜材質的主體的貫通孔內部形成導電材料部。
2. 一種用於電性連接的中介物，包括： 主體，其為陽極氧化膜材質，配置有貫通孔；以及 微凸塊，配置於所述貫通孔內部， 所述微凸塊包括導電材料部。
3. 如請求項2所述的用於電性連接的中介物，其中 所述導電材料部包含以下中的至少任一種材質：Cu、Al、W、Au、Ag、Mo、Ta或包括其等的合金。
4. 一種微凸塊，包括： 導電材料部，且 包括配置於所述導電材料部的側面的多個微細溝槽。
5. 如請求項4所述的微凸塊，其中 所述微細溝槽沿所述導電材料部的側面周緣配置於周緣整體。
6. 一種半導體封裝，包括： 元件； 基板，供所述元件安裝；以及 微凸塊，配置於所述元件與所述基板之間， 所述微凸塊以柱形狀形成， 在所述微凸塊的側面的至少一部分配置有在周緣方向上形成的微細溝槽。
7. 一種半導體封裝，包括： 元件； 基板，供所述元件安裝；以及 微凸塊，配置於所述基板下部， 所述微凸塊以柱形狀形成， 在所述微凸塊的側面的至少一部分配置有在周緣方向上形成的微細溝槽。
8. 一種多段積層型半導體元件，包括： 多個元件；以及 微凸塊，配置於所述元件之間， 所述微凸塊以柱形狀形成， 在所述微凸塊的側面的至少一部分配置有在周緣方向上形成的微細溝槽。
9. 一種顯示器，包括： 元件； 基板，供所述元件安裝；以及 微凸塊，配置於所述元件與所述基板之間， 所述微凸塊以柱形狀形成， 在所述微凸塊的側面的至少一部分配置有在周緣方向上形成的微細溝槽。

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