TW202306262A - 採主動冷卻之端部泵送式固態雷射增益介質 - Google Patents

Abstract

一種採主動冷卻之端部泵送式固態雷射增益裝置包括一整體固態增益介質。該增益介質之一輸入端接收照射在該輸入端上且朝向一相對輸出端之方向傳播的一泵送雷射光束。該金屬箔係設置在延伸在該等輸入與輸出端間的該增益介質之一面上方。一殼體與該金屬箔合作以在該增益介質之該面上形成一冷媒通道。該冷媒通道具有一入口及一出口且組配成將一冷媒流沿著該金屬箔由該輸入端朝向該輸出端傳導。該金屬箔係固定在該增益介質與該殼體之數個部份之間，該殼體之該等部份與該冷媒通道相鄰地延伸。該金屬箔提供一可靠熱接觸且施加極少應力或未施加應力在該整體增益介質上。

Description

採主動冷卻之端部泵送式固態雷射增益介質

本申請案主張2021年7月22日申請之美國暫時申請案第63/203,438號的優先權，該申請案之揭示在此全部加入作為參考。

本發明係大致有關於主動液體冷卻在雷射及雷射放大器中之固態雷射增益介質。詳而言之，本發明係有關於主動液體冷卻受到來自一泵送雷射光束之明顯不均一熱負載的整體固態雷射增益介質。

一固態雷射或雷射放大器之增益介質係摻雜當被激發時可產生或放大雷射輻射之光學主動離子的一固態主體材料。該主體材料通常是玻璃或結晶，且光學主動離子通常是稀土或過渡金屬離子，例如釹、鉺、鐿或鈦。該增益介質可呈一光纖或一整體結晶/玻璃形式。大部份整體增益介質係成形為一桿或一板。

通常，固態雷射增益介質被光學地泵送，即，該等光學主動離子被光學地激發以便為產生雷射動作提供所需之粒子數反轉。以往，光學泵送源係一閃光燈。但是，因為雷射泵送會比燈泵送更有效率，所以目前許多固態雷射增益介質係由一雷射輻射泵送。因為二極體雷射之許多優點，例如，有效率、緊密、壽命長及低成本，所以它們係用於該泵送雷射源之一特別受歡迎選擇。二極體雷射可提供高達數百瓦或甚至千瓦之泵送功率。某些系統使用雷射二極體陣列來提供所需泵送功率。

在二極體雷射泵送式整體增益介質之情形中，可能有數種不同泵送幾何形狀。在端部泵送中，該泵送雷射輻射係與該輸出雷射輻射同向傳播(或比較不常見地逆向傳播)。側泵送涉及將該泵送雷射輻射引導通過與該輸出雷射光束之傳播方向平行之一面至例如板或桿之增益介質，使得泵送雷射輻射之傳播方向與該輸出雷射輻射之傳播方向大致垂直。

當該泵送功率高時，必須冷卻該整體增益介質以限制由於吸收該泵送雷射輻射而產生之不利熱效應。在無冷卻之情形下，該整體增益介質之溫度明顯地且以一空間不均一之方式上升。這溫度上升及不均一溫度分布招致損害該系統之效能的不需要效應。這些不需要效應中之某些不需要效應係與熱透鏡效應有關。該熱透鏡效應主要導因於光熱效應，且該光熱效應係該增益介質之折射率及該增益介質之熱膨脹的溫度關係。在一雷射之光學設計中可接納該熱透鏡效應。但是，該光熱常數及導熱率之溫度關係在該熱透鏡效應中產生像差，這些像差最後限制輸出功率且使一雷射之光束品質劣化。這些像差可藉由減少該增益介質內之最高溫度來減少。此外，該非均一溫度分布造成不均一熱膨脹，當與該整體增益介質上之外機械壓力結合時，該不均一熱膨脹在該增益介質中產生機械應力。在最壞之情形中，該整體增益介質破裂。

因為該整體增益介質之該(等)側面可接觸(多個)冷卻元件且未干涉該泵送雷射輻射及該輸出雷射輻射中之任一者的傳播路徑，所以由一冷卻觀點來看端部泵送是一有利幾何形狀。但是，在高泵送功率下，端部泵送在該雷射輻射之路徑中產生一熱透鏡效應。這熱透鏡效應產生之像差隨著溫度增加而增大。雖然可操作在該增益介質中具有某種程度之熱透鏡效應的一雷射或雷射放大器，但最好保持該熱透鏡效應比較弱且特別是防止該熱透鏡效應之任何明顯像差。

主動水冷卻係用於冷卻一整體增益介質之側邊的一有效方法。在一方法中，水沿著該整體增益介質之側邊流動而與其直接接觸。在另一方法中，使一銅塊與該整體增益介質之一側接觸以便由其吸收熱，同時該銅塊藉由流動水冷卻。有時銦設置在該銅塊與該整體增益介質之間。雖然是金屬且因此係一熱導體，但銦比較軟。相較於銅，這柔軟性容許銦良好地順應通常非完全平滑之增益介質表面。銦之柔軟性亦提供順應性以便在存在不同熱膨脹之情形下良好地保持該增益介質與該銅塊間之熱接觸。

在此揭露的是依據主動冷卻且組配用於端部泵送之一固態整體雷射增益介質的固態雷射增益裝置。該揭露之雷射增益裝置適合在固態雷射及固態雷射放大器中使用。該整體增益介質之至少一側面熱接觸被如一水流之一液體冷媒流主動冷卻的一金屬箔。該金屬箔可為一銅箔。相較於例如一銅塊之一固體金屬塊，該金屬箔之撓性容許該金屬箔順應該整體增益介質以獲得該冷媒與該整體增益介質間之一優異熱接觸。詳而言之，該金屬箔提供比較不易受到以下兩者之影響的一更可靠熱接觸：(a)因整體增益介質之不均一熱膨脹而產生的機械應力；及(b)該組裝程序中之變動。此外，相較於一固體金屬塊，該金屬箔施加較少應力在該整體增益介質上。

操作時，該整體增益介質係用端部泵送式幾何形狀，即藉由該泵送光束照射在該整體增益介質之一輸入端上且朝向該整體增益介質之一相對輸出端的方向傳播來進行雷射泵送。該冷媒朝相同方向，即由該輸入端朝向該輸出端之方向在該金屬箔上流動。這冷媒流動方向與該泵送光束傳播方向之配合有助於最佳地冷卻最靠近該輸入端的該增益介質之部份且因此接受來自該泵送光束之最大熱負載。

在一態樣中，一種採主動冷卻之端部泵送式固態雷射增益裝置包括一固態增益介質、一金屬箔及一殼體。該固態增益介質具有相對第一與第二端及延伸在該等第一與第二端間之一第一面。該第一端係組配成接收照射在該第一端上且朝向該第二端之方向傳播的一泵送雷射光束。該金屬箔係設置在該增益介質之該第一表面上方。該殼體與該金屬箔合作以形成由該增益介質之該第一端朝向該增益介質之該第二端的一冷媒通道。該冷媒通道具有組配成沿著該金屬箔由該第一端朝向該第二端傳導一冷媒流之一入口及一出口。該金屬箔係固定在該增益介質與該殼體之多個部份之間，該殼體之該等部份與該冷媒通道相鄰地朝一方向延伸在該等第一與第二端之間。

以下請參閱圖式，其中用類似符號表示類似組件，圖1係一採主動冷卻之端部泵送式固態雷射增益裝置100。裝置100包括一整體固態增益介質110及用於冷卻增益介質110之二主動冷卻元件120(1,2)。裝置100係組配用於藉由一泵送雷射光束162進行端部泵送。操作時，泵送光束162照射在增益介質110之一輸入端114(1)上且朝向增益介質110之一相對輸出端114(2)的方向傳播。

在一使用情形中，裝置100作為一固態雷射之一增益介質，在該情形中由泵送光束162產生的增益介質110中之粒子數反轉產生一輸出雷射光束164。輸出光束164朝與泵送光束162相同之方向或朝相反方向與泵送光束162共線地傳播。在另一使用情形中，裝置100作為一固態雷射放大器之一增益介質，其中該粒子數反轉放大透過增益介質110與泵送光束162共線地傳播之一雷射光束。在這情形中，輸出光束164係照射在該等端114中之一端上之一輸入雷射光束的一放大型態。

增益介質110係由摻雜光學主動離子之結晶或玻璃製成。增益介質110係具有二相對面112(1)與112(2)之一板。雖然未顯示在圖1中，但增益介質110可包括在面112(1)與112(2)中之任一面上的一塗層。這塗層可為一金屬塗層且例如，包括鉻、鎳及/或金。冷卻元件120(1)係設置在面112(1)上且冷卻元件120(2)係設置在面112(2)上。各冷卻元件120係與增益介質110熱耦合且用於由該增益介質移除熱。在某些情形中，吸收增益介質110中之輸出光束164產生一不可忽略之熱負載。但是，該熱負載通常主要來自於吸收泵送光束162，特別是該等光學主動離子形成雷射時之量子缺陷及其任何非輻射損失。當泵送光束162由增益介質110之輸入端114(1)朝向輸出端114(2)傳播時，吸收導致泵送光束162之逐漸衰減。因此，來自泵送光束162之熱負載在靠近輸入端114(1)處最大。獲得之增益介質110中的溫度分布不僅在與泵送光束162之傳播方向橫交之維度上不均一，而且在沿著增益介質110由輸入端114(1)至輸出端114(2)之維度上亦不均一。

各冷卻元件120包括一金屬箔130及一殼體122。金屬箔130係設置在增益介質110之各個面112上方。殼體122之一表面126與金屬箔130耦合，使得殼體122在金屬箔130上形成一冷媒通道140。冷媒通道140具有一入口142及一出口144，且收納由入口142至出口144之一冷媒流172。冷媒流172沿著金屬箔130由輸入端114(1)至少部份地流動至輸出端114(2)。因為相較於輸出端114(2)，來自泵送光束162之較大熱負載靠近輸入端114(1)，所以這冷媒流172之方向是理想的。該冷媒可為純水、一水性混合物、一水溶液或一非水液體。

金屬箔130之厚度可小於200微米(μm)，例如在50與100 μm間之一範圍內。在一實施例中，金屬箔130係由銅或一銅合金製成以便用高效率將熱由增益介質110傳導至冷媒流172。該銅(或銅合金)箔可用鎳及/或金鍍敷。在另一實施例中，金屬箔130係由具有高導熱率之另一金屬製成。例如，金屬箔130可由以下者製成或包括以下者：鎳、銀、鉬、鉭及/或鎢。相較於一固體金屬塊，金屬箔130係可撓且因此更佳地順應增益介質110之表面。此外，當增益介質110及金屬箔130進行不同熱膨脹時或當增益介質110不均一地膨脹時，如果有的話，金屬箔130施加極小機械應力在增益介質110上。相反地，一固體金屬塊可能在該等情形中施加應力在增益介質110上。增益介質110上之應力導致增益介質110中之雙折射及因此輸出光束164之偏振旋轉或去偏振。偏振變化通常導致損失且是不需要的。

殼體122可由不鏽鋼或對流經冷媒通道140之冷媒比較不活潑的另一材料，例如塑膠製成。或者，殼體122可塗布一惰性材料。

圖2A至C係顯示增益介質110與冷卻元件120中之任一冷卻元件間的一示範空間關係的一連串立體圖。圖2A顯示殼體122且表面126面向上。表面126包圍一凹面124以及形成入口142及出口144之通道。凹面124亦顯示在圖1中且在與增益介質110之面112相對的冷媒通道140側。如圖2B所示，金屬箔130係設置在表面126上，且接觸介面在金屬箔130與包圍凹面124、入口142及出口144之表面126間。金屬箔130被密封在表面126上，使得冷媒通道140被封閉而與由入口142及出口144提供之通孔分開。表面124及金屬箔130可分別地被視為冷媒通道140之一地板及天花板(或反之亦然)。金屬箔130可被夾持及/或用螺絲固定在殼體122上以完成對表面126之密封，且選擇地在其間具有一順應性密封件。或者，金屬箔130可軟焊或硬焊在表面126上。

圖2A中所示的表面126之二部份226P(1)與226P(2)與冷媒通道140相鄰地由入口142延伸至出口144。殼體122之相關部份形成在冷媒通道140之相對側的二各別壁。增益介質110之寬度210W超過冷媒通道140之寬度240W。增益介質110接觸金屬箔130，且接觸介面在增益介質110與延伸在表面部份226P(1)與226P(2)之各表面部份上的金屬箔130間，如圖2C所示。金屬箔130因此固定在(a)增益介質110之對應面112與(b)表面部份226P(1)與226P(2)之間。增益介質110與金屬箔130間之接觸可為直接接觸或一或多個中間層設置在其間之間接接觸。增益介質110與表面126間之耦合鎖定裝置100中之在不同情形下浮動之增益介質110的位置。

以下請一起參閱圖1與2A至C，增益介質110係定位在裝置100中之冷卻元件120(1)與120(2)之間。在某些實施例中，增益介質110被夾持定位在冷卻元件120(1)與120(2)之間。在該等實施例中，各冷卻元件120之表面126施加壓力在表面126上之增益介質110的覆蓋區內的增益介質110之該等部份上。

在圖1與2A至C所示之實施例中，增益介質110之長度210L小於冷媒通道140沿著金屬箔130及表面126之長度240L。表面126及金屬箔130上的增益介質110之相關覆蓋區232顯示在圖2B中。增益介質110與冷媒通道140之長度間的這關係更詳細地顯示在圖3中。

圖3係裝置100之一部份的部份橫截面側視圖，其只顯示冷卻元件120(1)而未顯示冷卻元件120(2)。就增益介質110而言，冷卻元件120(2)具有類似冷卻元件120(1)之性質，但為了清楚顯示起見由圖3中略去。沿著金屬箔130及表面126延伸之冷媒通道140之區段的長度240L超過增益介質110之長度210L。冷媒通道140延伸超過輸入端114(1)一距離360(1)且超過輸出端114(2)一距離360(2)。各距離360可在1與5毫米(mm)間之範圍內。這組態確保主動液體冷卻端114(1)與114(2)間之增益介質110的全長。此外，在增益介質110被夾在冷卻元件120(1)與120(2)間之實施例中，這組態將增益介質110上之夾持壓力限制於其橫向極端部份。詳而言之，冷卻元件120(1)與120(2)只施加壓力在與表面部份226P(1)與226P(2)重疊的增益介質110之橫向極端部份上。只要泵送光束162被限制在未與表面部份226P(1)與226P(2)重疊的增益介質110之該部份，便可防止冷卻元件120直接地施加外應力在傳送泵送光束162及/或輸出光束164的增益介質110之區域上。該情形係顯示在圖2C中，其中一示範泵送光束162之橫交1/e ²強度分布的寬度262W係在冷媒通道140之寬度240W內。

在未顯示於圖1、2A至C與3之其他組態中，冷媒通道140之長度240L可與增益介質110之長度210L一致或甚至在端114中之一端或兩端內。詳而言之，在增益介質中之泵送光束162出現強衰減之情形下，可不必一直冷卻到輸出端114(2)。此外，雖然在最靠近輸入端114(1)之區域中通常最需要冷卻，但實際考慮傾向於沿著金屬箔130延伸之冷媒通道140的區段在極少或未損失冷卻效率之情形下在輸入端114(1)稍內側開始。但是，這組態會在增益介質110之主動區域上產生一不需要之夾持壓力。

圖4係具有一截斷冷媒通道140之一雷射增益裝置400之一部份的部分橫截面側視圖。圖4使用與圖3相同之圖。裝置400類似裝置100，但冷媒通道140在各輸入端114(1)及輸出端114(2)縮短。沿著金屬箔130延伸的該冷媒通道140之區段的長度240L小於增益介質110之長度210L。沿著金屬箔130延伸的冷媒通道140之區段在增益介質110之輸入端114(1)內一距離460(1)處開始，且在增益介質110之輸出端114(2)前一非零距離460(2)處終止。距離460(1)可在零與2 mm間之範圍內。距離460(2)可在1 mm與增益介質110之長度210L的25%間的範圍內。

在各裝置100與400中，增益介質110之尺寸可依需要調整(尺寸顯示在圖2C中)。通常，長度210L超過增益介質110之高度210H。在一實施例中，寬度210W亦超過高度210H達到五倍、十倍或十倍以上。該等實施例可配合例如由一雷射二極體桿產生的一很長泵送光束162，如圖2C所示。該等實施例亦可用一泵送光束162操作，該泵送光束之特徵為寬度262W小於寬度210W，如圖2C所示，以便包含泵送光束162及輸出光束164在未受到來自殼體122之壓力的增益介質110之一區域內。在一例子中，高度210H係在0.5與5 mm間之範圍內，寬度210W係在2與20 mm間之範圍內且長度210L係在5與20 mm間之範圍內。

如圖1、3與4所示，各裝置100與400之某些實施例更包括在各冷卻元件120之金屬箔130與增益介質110之對應面112間的一銦層150。銦層150係用於增加金屬箔130與增益介質110之對應面112間的熱接觸。銦層150可熔接定位在金屬箔130與增益介質110之間以確保在增益介質110與金屬箔130之間透過銦層150的良好接觸。銦層150之熔接可藉由將裝置100加熱至超過銦之157℃熔點來達成。或者，銦層150可被固持定位在金屬箔130與殼體122之表面126之間。在這情形中，冷媒流172之壓力可有助於在增益介質110與表面126之間透過銦層150的熱接觸。銦層150可用一片或一箔之形式加入裝置100/400。在一實施例中，銦層150之厚度係在50與500 μm間之範圍內。

裝置100與400中之各裝置可在一雷射增益系統中實施，除了裝置100/400以外，該雷射增益系統亦包括泵送雷射160及一冷媒傳送系統170。圖1示意地顯示依據裝置100之該雷射增益系統102。泵送雷射160產生泵送光束162。泵送雷射160可依據各種雷射技術。在一例子中，泵送雷射160使用一或多個雷射二極體來產生泵送光束162。由於其效率、可負擔性、可靠性及容易使用性，雷射二極體通常是一較佳泵送雷射源。冷媒傳送系統170可包括一或多個流體泵，且與各冷卻元件120之殼體122耦合以透過冷媒通道140產生冷媒流172。系統102可更包括控制泵送雷射160及/或冷媒傳送系統170之操作的一控制器180。

裝置100與400可修改而只包括冷卻元件120中之一冷卻元件。在該等實施例中，省略之冷卻元件120可用例如用於支持增益介質110之一夾具來取代。增益介質110可被夾持定位在這夾具與剩餘冷卻元件120之間。

圖5係裝置100/400之橫截面端視圖，且該橫截面與板狀增益介質110及各冷卻元件120之冷媒通道140相交。該橫截面端視圖係與圖1與3中之裝置100及圖4中之裝置400的橫截面側視圖正交。在各冷卻元件120中，金屬箔130被密封在殼體122上以封閉冷媒通道140，且增益介質110之覆蓋區與各冷卻元件120之表面部份226P(1)與226P(2)重疊。各冷卻元件120之冷媒通道140橫跨通過增益介質110之一部份的寬度240W。

雖然增益介質110呈一板之形式，但裝置100與400可輕易地修改以收納其他形狀之端部泵送式增益介質，例如一桿狀增益介質。圖6顯示由實施一板狀增益介質至實施一桿狀增益介質之裝置100/400的一示範修改例。

圖6係依據一桿狀增益介質610之一採主動冷卻之端部泵送式固態雷射增益裝置600的橫截面端視圖。裝置600係適合收納桿狀增益介質610之裝置100與400中之任一裝置的一修改例。在此，該桿具有一圓形橫截面形狀。但是，該桿可具有一正方形或其他多邊形。裝置600包括一或二冷卻元件620。當包括二冷卻元件620(1)與620(2)時，這些冷卻元件可設置在增益介質610之相對面上，如圖6所示 (當增益介質610係具有一圓形橫截面形狀之一桿時，這兩面係增益介質610之圓柱形外表面的相對側)。各冷卻元件620係嵌入增益介質610之彎曲表面的冷卻元件120之一修改例。

各冷卻元件620包括金屬箔130及殼體622。金屬箔130包覆增益介質610之一部份。殼體622及金屬箔130合作地形成環繞增益介質610之圓周的冷媒通道140。金屬箔130固定在增益介質610與設置成與冷媒通道140相鄰之表面部份626P(1)與626P(2)之間。雖然裝置100/400之冷媒通道140橫跨一寬度240W，但裝置600之冷媒通道140具有一角跨度640A。在圖6所示之實施例中，角跨度640A小於180度，例如在90與170度間之範圍內。這角跨度640A可將增益介質610夾在冷卻元件620(1)與620(2)之間或在一冷卻元件620與取代另一冷卻元件620之一夾具之間。

在包括冷卻元件620(1)與620(2)兩者之裝置600的實施例中，冷卻元件620(1)與620(2)可使用一共用金屬箔130而非二分開金屬箔130。裝置600可用類似以上對裝置100所述之方式的一方式包括增益介質610與各冷卻元件620之金屬箔130間的銦層150。

這揭示之其餘部份將依據一板狀增益介質。但是，用類似修改圖5組態來獲得圖6之組態之一方式，以下揭露之實施例可輕易地擴展至其他增益介質形狀，例如一桿狀增益介質。

圖7係一冷卻元件720之分解圖，其中金屬箔130被夾抵在殼體122上以封閉及密封冷媒通道140(與入口142及出口144分開)。冷卻元件720係冷卻元件120之一實施例且可在裝置100與400中之任一裝置中實施。圖7用類似圖2A至C中使用之一立體圖顯示部件。冷卻元件720包括殼體122、金屬箔130、一托架770及任選之銦層150。圖7中之粗虛線箭號顯示冷卻元件720之部件如何在組裝時空間地結合在一起。托架770被夾抵在殼體122之表面126上，且金屬箔130設置在托架770與表面126之間。托架770形成一孔772，該孔之大小作成可收容增益介質110之一覆蓋區232。冷卻元件720組裝完成後，增益介質110可設置在冷卻元件720上且在孔772內。

銦層150可整合在冷卻元件720中。在該實施例中，銦層150被夾在金屬箔130與托架770之間。

將托架770固定在殼體122上有許多不同選項。在一實施例中，用螺絲固定或夾持托架770在表面126上。在另一實施例中，托架770延伸超出表面126，且托架770之至少一部份固定在殼體122之其他表面，例如一端面722S上。例如，可用螺絲固定托架770在表面126之多個部份上且沿著端面722S(及殼體122之一類似相對端面)向下包覆而固定於該端面上，且該表面之多個部份係沿著與長度240L平行的冷媒通道140之縱向維度延伸。這例子對減少雷射光束進入及離開增益介質110的增益介質110之端114處的托架770體積是有利的。殼體122可具有未顯示在圖7中之其他形貌體，以便將托架770安裝在殼體122之其他部份而非表面126上。

在一實施例中，冷卻元件720包括在金屬箔130與表面126間之一順應性密封件780，例如一橡膠墊圈(例如，一O環)。順應性密封件780包圍凹面124、入口142及出口144，且有助於確保金屬箔130與表面126間之一緊密密封。雖然未顯示在圖7中，但順應性密封件780可安放在表面126中之一溝槽中。

圖8顯示用於相較於輸出端114(2)在輸入端114(1)用較佳冷卻效率冷卻增益介質110之一冷卻元件820。冷卻元件820係冷卻元件120之一實施例且可在裝置100與400中之任一裝置中實施，並且冷媒通道140之長度240L係長於、短於或等於增益介質210之長度210L。

冷卻元件820之冷媒通道140具有一不均一高度840H以便沿著增益介質110之縱向維度產生一不均一冷媒流速度。詳而言之，靠近輸入端114(1)的冷媒通道140之高度小於靠近輸出端114(2)的冷媒通道140之高度，使得冷媒流172(請參見圖1)之速度在輸入端114(1)比在輸出端114(2)大。冷媒通道140之這高度變化係用於使在最靠近輸入端114(1)的增益介質110之區域的冷卻效率最大化，且由泵送光束162接受最大熱負載同時減少冷媒通道140之一下游部份中的冷媒流阻抗，該冷媒通道之下游部份係與接受來自泵送光束162之一較少熱負載的增益介質110之一部份相鄰。冷卻元件820因此提供最需要處之有效冷卻，同時減少入口142與出口144間之冷媒壓降。該壓降決定用於達成一特定流速之該流體泵的大小、功率及成本，且因此對避免一非常大壓降是有利的。在圖8所示之實施例中，冷媒通道140具有由輸入端114(1)通過長度840(1)之一第一區段的比較淺高度840H(1)，及接著在長度840(2)之一後續區段中的一漸增高度直到到達在出口144之一高度840H(2)為止。通過冷媒通道140之這後續區段的高度增加可為漸進方式，如圖8所示，或步進方式。長度840(1)可相當於或超過增益介質110中之泵送光束162的1/e吸收長度。

在另一實施例中，需要達成靠近輸入端114(1)之足夠冷卻的一比較淺高度840H(1)係沿著冷媒通道140之全長維持。在這實施例中，沿著冷媒通道之壓降會大到無法維持靠近輸入端114(1)之期望冷媒速度。這可能產生之問題在冷卻元件820中係藉由在靠近輸入端114(1)之該初始淺區段後增加冷媒通道140之高度來防止。

在一例子中，高度840H(1)小於1 mm，例如在0.1與1 mm間之範圍內。高度840H(2)可在1與5 mm間之範圍內。在一實施例中，沿著長度840(2)的冷媒通道140之高度係與增益介質110中之局部熱負載成反比。

因為高度840H(1)比較淺，所以通過特徵為具有高度840H(1)的冷媒通道140之第一區段的冷媒流172可為層流。藉由加入凸及/或凹形貌體848來導入渦流可增加通過冷媒通道140之第一區段的冷卻效率。在一實施例中，凸形貌體848係使用在面對增益介質110的殼體122之表面中，如圖8所示。至少因為(a)在殼體122之材料中比在金屬箔130中製造該等形貌體更實用及(b)金屬箔130之均一厚度可確保增益介質110與冷媒流172間之更一致導熱率，所以使形貌體848位於殼體122上通常比使形貌體848位於金屬箔130上好。

實驗地評估具有銦層150之冷卻元件820的效能且與亦使用一銦層之一習知固體銅塊的效能比較。藉由二各別習知水冷卻之固體銅塊由兩側冷卻一端部泵送式板狀增益介質。藉由大約220瓦之一光泵送功率，該等習知固體銅塊維持大約100℃之一增益介質溫度。當在裝置100中使用相同增益介質且藉由二冷卻元件820冷卻時，可用大約250瓦之一較高泵送功率泵送該增益介質，但維持大約70℃之一較低增益介質溫度。

在不偏離其範圍之情形下，以上揭露之任一雷射增益裝置可用朝與泵送光束162之傳播方向相反之方向傳播的一冷媒流，即用透過出口144進入冷媒通道140且透過入口142離開之冷媒來操作。至少當增益介質110中之泵送光束162的1/e吸收長度小於增益介質110之長度210L時，這逆向傳播冷媒流之冷卻效能可能比上述同向傳播冷媒流之冷卻效能差。但是，即使用一逆向傳播冷媒流，該等雷射增益裝置仍獲益於其他優點，例如增益介質110與該冷媒間之極佳且可靠熱接觸及增益介質110上之極小機械應力。

以上透過一較佳實施例及其他實施例說明了本發明。但是，本發明不限於在此所述及所示之實施例。相反地，本發明只受限於附加之申請專利範圍。

100,400,600:(雷射增益)裝置 102:(雷射增益)系統 110,610:增益介質 112,112(1),112(2):面 114:端 114(1):輸入端 114(2):輸出端 120,120(1),120(2),620,620(1),620(2),720,820:冷卻元件 122,622:殼體 124:凹面 126:表面 130:金屬箔 140:冷媒通道 142:入口 144:出口 150:銦層 160:泵送雷射 162:泵送(雷射)光束 164:輸出(雷射)光束 170:冷媒傳送系統 172:冷媒流 180:控制器 124H,210H,840H,840H(1),840H(2):高度 210L,240L,840(1),840(2):長度 210W,240W,262W:寬度 226P(1),226P(2),626P(1),626P(2):(表面)部份 232:覆蓋區 360,360(1),360(2),460,460(1),460(2):距離 640A:角跨度 770:托架 772:孔 722S:端面 780:順應性密封件 848:凸及/或凹形貌體

加入且構成說明書之一部分的附圖示意地顯示本發明之較佳實施例，且與以上提出之一般性說明及以下提出之詳細說明一起用於說明本發明之原理。

圖1顯示依據一實施例之具有一板狀整體固態增益介質及二主動冷卻元件的一採主動冷卻之端部泵送式固態雷射增益裝置，各主動冷卻元件係組配成用一液體冷卻金屬箔來主動冷卻該增益介質。

圖2A至C顯示圖1之增益介質與其冷卻元件中之任一冷卻元件間的一示範空間關係。

圖3係圖1裝置之一部份的橫截面側視圖，顯示各冷卻元件之冷媒通道如何延伸超出該增益介質之兩端。

圖4係依據一實施例之具有截斷冷媒通道之另一雷射增益裝置的一部份的橫截面側視圖。

圖5係圖1與4之雷射增益裝置的橫截面端視圖。

圖6係依據一實施例之依據一桿狀增益介質的一採主動冷卻之端部泵送式固態雷射增益裝置的橫截面端視圖。

圖7顯示依據一實施例之一冷卻元件，其中一金屬箔被夾抵在一殼體上以封閉且密封一冷媒通道。

圖8用一橫截面側視圖顯示依據一實施例之用於冷卻圖1與4之雷射增益裝置中之任一者之增益介質的一冷卻元件，且在該增益介質之雷射泵送端具有較佳冷卻效率。

100:(雷射增益)裝置

102:(雷射增益)系統

110:增益介質

112(1),112(2):面

114(1):輸入端

114(2):輸出端

120(1),120(2):冷卻元件

122:殼體

124:凹面

124H:高度

126:表面

130:金屬箔

140:冷媒通道

142:入口

144:出口

150(1),150(2):銦層

160:泵送雷射

162:泵送(雷射)光束

164:輸出(雷射)光束

170:冷媒傳送系統

172(1),172(2):冷媒流

180:控制器

Claims (20)

1. 一種採主動冷卻之端部泵送式固態雷射增益裝置，其包含： 一固態增益介質，其具有相對的第一端與第二端及延伸在該第一端與該第二端間之一第一面，該第一端係組配成用以接收照射在該第一端上且朝向該第二端之方向傳播的一泵送雷射光束； 一金屬箔，其設置在該增益介質之該第一面上方；及 一殼體，其與該金屬箔合作以形成由該增益介質之該第一端朝向該增益介質之該第二端的一冷媒通道，該冷媒通道具有一入口及一出口且組配成將一冷媒流沿著該金屬箔由該第一端朝向該第二端傳導； 其中該金屬箔係固定在該增益介質與該殼體之數個部份之間，該殼體之該等部份與該冷媒通道相鄰地朝一方向延伸在該第一端與該第二端之間。
2. 如請求項1之裝置，其中： 該金屬箔被夾持在該殼體上以便與該殼體形成一冷卻元件；且 該雷射更包含一夾具，該夾具係設置在與該第一面相對的該增益介質之一第二面上，該增益介質被夾持在該冷卻元件與該夾具之間。
3. 如請求項2之裝置，其中該夾具係該冷卻元件之一第二實例，且其金屬箔設置在該增益介質之該第二面上方以透過該第二面提供該增益介質之冷卻。
4. 如請求項1之裝置，更包含在該金屬箔與該增益介質之該第一面間的一銦層。
5. 如請求項4之裝置，其中該銦層熔接在該金屬箔與該增益介質之該第一面之間。
6. 如請求項4之裝置，其中該銦層之厚度係在50與500微米間之範圍內。
7. 如請求項1之裝置，其中該金屬箔係固定在該增益介質之該第一面與該殼體之二壁之間，該等二壁之各壁延伸在該冷媒通道之各側上的該增益介質之該第一端與該第二端之間。
8. 如請求項1之裝置，其中該金屬箔係透過一順應性密封件與該殼體之該等部份耦合。
9. 如請求項1之裝置，其中該金屬箔係軟焊或硬焊在該殼體上。
10. 如請求項1之裝置，其中該金屬箔包括銅。
11. 如請求項1之裝置，其中該金屬箔之厚度係在50與200微米間之範圍內。
12. 如請求項1之裝置，其中該金屬箔上方的該冷媒通道在該第一端的高度小於在靠近該第二端之一位置的高度，使得冷媒在該第一端的流動速度大於在靠近該第二端之該位置的流動速度。
13. 如請求項12之裝置，其中通過最靠近該第一端的該冷媒通道之一第一區段的該冷媒通道之高度小於1毫米。
14. 如請求項13之裝置，其中該第一區段由該第一端橫跨至一位置，該位置係與該第一端至少分開該增益介質中之泵送雷射光束的1/e吸收長度。
15. 如請求項13之裝置，其中在由該第一區段至少部份地延伸至該第二端之一第二區段中，該冷媒通道之高度隨著遠離該第一端之距離而增加。
16. 如請求項13之裝置，其中面對該金屬箔且形成該冷媒通道之該第一區段的一天花板的該殼體之一表面具有數個凹或凸形貌體以便在該冷媒流中誘發渦流。
17. 如請求項1之裝置，其中該冷媒通道至少由該第一端向該第二端延伸了該增益介質之長度。
18. 如請求項1之裝置，其中在與該增益介質之該第一面平行的一維度中，該金屬箔及該冷媒通道延伸超過該第一端與該第二端。
19. 如請求項1之裝置，其中該增益介質具有由該第一端至該第二端之一長度L，且被夾在該增益介質與該冷媒通道間的該金屬箔之部份由在該第一端之1毫米內的一位置延伸至在該第二端之0.25L內的一位置。
20. 一種雷射增益系統，其包含： 如請求項1之裝置； 一泵送雷射，用於產生該泵送雷射光束；及 一冷媒傳送系統，用於透過該入口泵送該冷媒至該冷媒通道中。

Images