JP5135207B2 - チューブ固体レーザ - Google Patents

チューブ固体レーザ Download PDF

Info

Publication number
JP5135207B2
JP5135207B2 JP2008505355A JP2008505355A JP5135207B2 JP 5135207 B2 JP5135207 B2 JP 5135207B2 JP 2008505355 A JP2008505355 A JP 2008505355A JP 2008505355 A JP2008505355 A JP 2008505355A JP 5135207 B2 JP5135207 B2 JP 5135207B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tube
laser
amplifier module
microchannels
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008505355A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008536313A (ja
Inventor
サビッチ,マイケル・エス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Boeing Co
Original Assignee
Boeing Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Boeing Co filed Critical Boeing Co
Publication of JP2008536313A publication Critical patent/JP2008536313A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5135207B2 publication Critical patent/JP5135207B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/0602Crystal lasers or glass lasers
    • H01S3/0608Laser crystal with a hole, e.g. a hole or bore for housing a flashlamp or a mirror
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/025Constructional details of solid state lasers, e.g. housings or mountings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/04Arrangements for thermal management
    • H01S3/0407Liquid cooling, e.g. by water
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/04Arrangements for thermal management
    • H01S3/042Arrangements for thermal management for solid state lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/07Construction or shape of active medium consisting of a plurality of parts, e.g. segments
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08059Constructional details of the reflector, e.g. shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08072Thermal lensing or thermally induced birefringence; Compensation thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/081Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
    • H01S3/0813Configuration of resonator
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/0941Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/163Solid materials characterised by a crystal matrix
    • H01S3/164Solid materials characterised by a crystal matrix garnet
    • H01S3/1641GGG
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/163Solid materials characterised by a crystal matrix
    • H01S3/164Solid materials characterised by a crystal matrix garnet
    • H01S3/1643YAG
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/163Solid materials characterised by a crystal matrix
    • H01S3/1645Solid materials characterised by a crystal matrix halide
    • H01S3/1653YLiF4(YLF, LYF)
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/163Solid materials characterised by a crystal matrix
    • H01S3/1671Solid materials characterised by a crystal matrix vanadate, niobate, tantalate
    • H01S3/1673YVO4 [YVO]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2308Amplifier arrangements, e.g. MOPA
    • H01S3/2316Cascaded amplifiers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

本発明は一般にレーザに関し、より詳細には、向上したビーム品質およびパワー出力を備えたチューブ固体レーザに関する。
背景
現代の固体レーザ(SSL)は、高ウォールプラグ効率を示し、高平均パワー(HAP)レベルで作動することができ、高いビーム品質(BQ)を得ることができる。このようなレーザは非常に用途が広く、防空および精密な走向や、自動車産業、航空宇宙産業、造船産業および石油ガス産業における切断、溶接およびドリル加工、ならびに熱処理、切断、および溶接などのダイレクト加工を含む種々の用途に開発されている。
SSLのレーザ媒質は、透明な結晶性または非晶質の(ガラス)ホスト材料のドーパント原子である。物理的に、ホスト材料は種々の形状であってもよいが、SSLの5つの主要な構成が重要となる。すなわち、ロッド、スラブ、ディスク、ファイバおよびチューブである。
SSLによって発生する平均パワーは、主に熱光学的な歪み(熱レンズ効果としても知られている)、および熱応力破壊上の問題によって制限される。ロッドレーザは、これらの領域で実際に制限され、実際には、ロッドレーザの出力は約1kWの平均パワーに制限されている。スラブレーザはいくつかのロッドレーザの制限を克服しているが、開口部の充てん率(長方形の開口部からの楕円形状のビーム取出し)は低い。実際には、良好なビーム品質を備えたスラブレーザの出力は、約15kWと約20kWとの間の平均パワーに制限されている。ディスクレーザはそれらが極めて小さい歪みを有するので機能的に極めて有望であるが、ディスクレーザが高平均パワーで測定されることのできる前に多くの課題を克服しなければならない。ファイバに関しては、単一ファイバの出力は約1kWに制限されており、それゆえに、HAPビームを生成するために多くのファイバの出力が結合されなければならない。しかし、ビームを結合する技術は開発が遅れている。チューブレーザでは、SSL利得媒体はチューブの形状であり、レーザは環状ビームを増幅する。
温度プロフィールはレーザ物質の応力につながる。単位長あたりの均一な熱源密度および等しい発熱量の分析によって、スラブの温度プロフィールの高さはロッドの温度プロフィールのほんの36%であり、チューブではロッドの温度プロフィールの高さの10%であることがわかる。ロッドレーザおよびチューブレーザでは、熱応力は、方位角、径方向および長手方向にある主要な応力成分と円形の対称性を有する。ロッド表面の最大応力は、ロッドの直径によるものではない。それゆえに、ロッドレーザをパワー測定する唯一の方法は、より長いロッドまたはいくつかのロッドを使用することである。スラブおよびチューブの表面応力は、アスペクト比「b/a」と比例している。ただし、「a」はスラブまたはチューブの厚さ、「b」は、チューブの外周またはスラブの横断面の長さとする。出力パワーはレーザ媒質量と比例し、ロッド、スラブ、またはチューブの表面応力に依存する熱的破壊によって制限される。チューブレーザについて、出力パワーは等しい長さのロッドレーザの出力パワーよりも約10〜20倍大きくなり得る。チューブの幾何学的形状の利点は、かなり大きいなアスペクト比b/aが、スラブによるよりもチューブによって実現することができることである。それゆえに、チューブSSLは、ロッド、スラブ、およびディスクレーザの多くの魅力的な特性を組み合わせ、上述の多くの欠点を解決するものである。
しかし、以前のチューブSSLは励起、単純な共振器光学部品および/または基本コーティングに閃光ランプを使用していて、熱レンズ効果、ならびに、チューブSSLと関連した複屈折、複焦点およびアライメントの問題につながる。したがって、熱レンズ効果、ならびに、チューブSSLと関連した複屈折、複焦点およびアライメントの問題を低減させるかまたは除去する改良されたチューブSSLが極めて望ましくなる。
概要
本発明の実施形態は、ダイオード励起、マイクロチャンネルクーリング、アキシコン/ワキシコン/リフラキシコン(reflaxicon)光学部品、および/または新規なコーティング処理およびボンディング処理を利用して、改良されたチューブ固体レーザ(SSL)を提供する。好都合にも、本発明は、熱レンズ効果を減少させ、チューブSSLと関連した複屈折、複焦点およびアライメントの問題を低減させるかまたは除去しつつ、高ビーム品質および高平均パワーレベルを提供する。
本発明の一実施形態によると、固体レーザの増幅器モジュールが提供され、増幅器モジュールは、内面および外面を有するチューブを含み、チューブはレーザ利得物質と、チューブの内面に隣接し、第1の複数のマイクロチャネルを含む第1の基板と、チューブの外面に隣接し、第2の複数のマイクロチャネルを含む第2の基板と、第2の基板の外部に配置され、光学励起照射をレーザ利得物質に供給するように構成される複数のダイオードバーとを含む。
本発明の別の実施形態によると、チューブ固体レーザが提供され、レーザは、光学利得を光源光に供給するように構成される増幅器モジュールを含み、増幅器モジュールは上述の要素を含む。
本発明のさらに別の実施形態によると、レイジングの方法が提供され、方法は、内面および外面を有するチューブを含み、チューブはレーザ利得物質を含むチューブと、チューブの内面に隣接し、第1の複数のマイクロチャネルを含む第1の基板と、チューブの外面に隣接し、第2の複数のマイクロチャネルを含む第2の基板と、第2の基板の外部に配置される複数のダイオードバーとを含む、増幅器モジュールを提供することを含む。方法は、複数のダイオードバーからの励起照射を増幅器モジュールのレーザ利得物質に供給することと、第1および第2の複数のマイクロチャネルを通って冷却剤を流すこととをさらに含む。
本発明の範囲は特許請求の範囲によって定義され、この部分に引用として組み込まれる。本発明の実施形態のより完全な理解ならびにさらなる利点の実現は、1つ以上の実施形態の以下の詳細な説明を考慮することによって、当業者をもたらされるであろう。添付の図面のシートを参照することとし、図面をまず簡単に説明する。
本発明の実施形態およびこれらの利点は、以下の詳細な説明を参照することによって最もよく理解される。同様の参照番号が、1つ以上の図に示される同様の要素を特定するために使用されることを理解されたい。図が尺度通りに描かれる必要がないこともまた、理解されたい。
詳細な説明
本発明は、ダイオード励起、マイクロチャンネルクーリング、アキシコン/ワキシコン
/リフラキシコン光学部品、および/または新規なコーティング処理およびボンディング処理を利用して、改良されたチューブ固体レーザ(SSL)を提供し、改良されたビーム品質およびパワー出力を提供する。本発明は、不安定な線形の共振器に固有のビーム品質の利点を、領域の効率的利用の利点(したがって高パワー)および環状の(チューブ)構成に固有の対称性の利点と組み合わせるものである。一実施形態において、本発明はまた、環状ビームを密集した円筒形ビームに変換する光学素子(たとえば、アキシコン、ワキシコンおよび/またはリフラキシコン光学部品)を含む。
以下は、この明細書において用いられる用語の定義である。
「レーザ利得媒質」は、好適なイオンでドープされたホスト格子を有する光学材料のことを指し、主題の発明においてこれはレーザ遷移まで励起される。この発明は特定のレーザ材料または特定の励起源に限定されないが、好ましいホスト格子材料は、イットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)、ガドリニウム・ガリウム・ガーネット(GGG)、ガドリニウム・スカンジウム・ガリウム・ガーネット(GSGG)、リチウム・イットリウム・フルオリド(YLF)、イットリウム・バナデート、リン酸塩レーザガラス、珪酸塩レーザガラスおよびサファイアである。これらのレーザ媒質のための適したドーパントはチタン、銅、コバルト、ニッケル、クロム、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、イッテルビウム、ホルミウム、ジスプロシウムおよびツリウムを含むが、これらに限定されない。レーザ利得媒質はまた、ドーピングされたセクションとドープされていないセクション、または、異なるイオンによってドープされたセクションを備える複合構造を有していてもよい。
「レーザダイオード」は、半導体レーザダイオードを備える光放射光源を指す。ダイオードは基板に取り付けられてもよく、熱交換器の上に配置されてもよい。ダイオードは、レーザ利得媒質をレーザ遷移にまで励起するのに適切であり得る。
「ダイオードアレイ」は、1つ以上のレーザダイオードを備えるアンサンブルを指す。これらのダイオードは、機械的におよび/または電気的に接続されてもよく、端子を備えていてもよく、液冷式熱交換器の上に配置されてもよい。
「マイクロチャネル」は、単位システム体積あたり高接触領域(たとえば薄膜接触など)を得るためにミクロ尺度で設計され、従来のマクロ尺度技術で見られるよりも全体のシステム体積あたり実質的により高スループットで、かなり高速の熱および物質の輸送速度で、均一な流れ分布を確率する装置を指す。
「ドープされていないエンドキャップ」は、レーザチューブのドープされていない部分を指し、レーザチューブのドープされた部分の端部に取り付けられるドープされていないレーザ材料と同一であってもよい。
「アキシコン(ワキシコン、リフラキシコン)」は光学素子を指し、環状ビームを密集した円筒形ビームに変換する2つの同軸の円すい形の鏡を有する。
「2重のリフラキシコン」は光学素子を指し、これは環状ビームを密集した円筒形ビームに変換する4つの同軸の円すい形の鏡を有するとともに、偏光の問題をなくすものである。
本発明の実施形態は、いくつかの利点を提供する。これらの利点は以下を含むが、以下に限定されるものではない。
1.レーザチューブに結合する(たとえば拡散または陽極処理(anoding)によ
って)か、またはO−リングによってレーザチューブにシールされる光学的に透明な円環状の内部および外部の基板を使用して、レーザチューブの内面と外面との間の温度勾配を減少させるかまたは最小限に抑えること。それぞれ光学的に透明な基板は、レーザチューブの内面および外面の両方が冷却されるようにマイクロチャネルを備えた一体式の熱交換器を含むので、冷却剤がレーザチューブの利得媒質の外面および内面を直接湿潤させることができる。内部および外部両方の熱交換器のための冷却剤の流量および温度を独立して制御することによって、チューブの表面間の温度勾配を最小限に抑えることができる。この新規な方法は、極めて高い熱移動を提供し、レーザチューブの熱的変形および応力を効果的に最小限に抑える。
2.レーザチューブの軸の屈曲を減少させるかまたは最小化し、それによって、光学的に透明な材料を用いて励起ダイオード波長で外部および内部の冷却基板を極めて堅固にすることで、熱レンズ効果を減少させること。
3.内面のコーティングを励起波長で非反射的または反射的にして、励起ダイオードバーのスタックをレーザチューブの近くに外側の熱交換器の周囲に配置することによって、励起照射の高い輸送効率と励起の均一性とを実現させること。励起ダイオードバーのスタックに対してチューブを回転させることによって、または、チューブまたは外側の基板に対して励起ダイオードバーのスタックを回転させることによって、照射の均一性が改良され得る。熱交換器として働く光学的に透明な外側の基板およびマイクロチャネルを通って、励起ダイオード照射はレーザチューブに注入される。チューブのホスト材料はレーザ材料(lasant)イオンでドープされるので、励起パワーは少なくとも2つの流路に吸収される。
4.破壊のリスクを低減させ、チューブ端面のレンズ効果を減少させ、存在する場合には回旋する(swirling)増幅された自然発生放射(ASE)光線の経路の長さを減少させ、レーザチューブのドープされた部分に拡散接合処理によって取り付けられることのできるドープされていない円環のエンドキャップを使用することによって、レーザチューブの端部の光学コーティングを熱的負荷したチューブの部分から分離すること。したがって、エンドキャップのない引張ひずみにあるそれらの表面は、次に圧縮ひずみで保持され、破壊のリスクを減少させ、レーザチューブの端面での放物線状の湾曲を減少させるかまたは最小化する。
5.半径方向モードの振動と、閉じ込められたASEおよびレーザエネルギの抽出を低減し励起照射の吸収を増加する寄生性モード(ASEが存在する場合)の負の効果とを軽減すること。レーザチューブの内面は、テーパ、および、艶出し剤あるいはレーザ波長およびポンプ波長で反射性または非反射性のコーティング剤を含んでもよい。この新規な方法は、レーザ波長での反射コーティングまたは外側のチューブの表面の艶出剤コーティングを使用することによって半径方向モード光線の反射角度を変化させること、および内部全反射(TIR)の効果を利用して半径方向モードのレーザエネルギを軸モードのレーザエネルギに再生することを提供する。本発明は、励起照射光線の反射角を変化させることによって励起パワーの吸収を増加させつつ、回旋する光線の反射角を変化させる(ASEが存在する場合)ことによって、ASEの閉じ込められた光線の経路を減少させることもでき、その結果、励起照射光線の経路数が大幅に増加する。透明な外側の基板は円筒形状に限られず、奇数の側面を有する多角形の形状であってもよく、それによって、多角形の表面に反射した後でASEを最小限に抑える。
6.90度円環水晶回転子によって分離される2つの同様に負荷されたチューブレーザ利得素子を用いて、複屈折および複焦点を減少させるかまたは除去すること。回転子の両面は、光学接触または拡散あるいは陽極ボンディング処理によってレーザチューブの円環
エンドキャップ表面に取り付けられ、これらの処理は、外部および内部の冷却基板をレーザチューブに取り付けるのに使用されるそれらの処理と同様である。したがって、外部および内部の冷却基板は、水晶回転子をも冷却するのに使用されることができる。この新規な方法は、回転子と円環チューブ表面との間を密接に接触させるために提供され、負レンズおよびアライメントの問題をなくし、それによって、良好なビーム品質を提供する。
7.偏光および2つのリフラキシコンとレーザチューブとの間の極めて複雑なアライメント問題(チューブレーザ共振器の)を減少させるかまたはなくすことであって、2つのリフラキシコンは、レーザ波長での反射コーティング剤を有する4つの円すい面を備えた光学的に透明な円環の中空のプリズムに含まれている。中空のプリズムは、チューブレーザに使用されるのと同じ材料または異なる材料から作製されることができ、レーザチューブの円環端部に拡散接合処理によって取り付けられてもよい。
8.ボンディング処理によって、2つのレーザチューブと、水晶回転子と、2つのリフラキシコンと、円環エンドキャップと、分配冷却マニホルドを備えた外部および内部の冷却基板とを、1つの一体式のコンパクトなレーザユニットに結合すること。
9.チューブSSLをHAPまで測定する(SSLを主発振器として使用して)技術的問題を低減させるか最小限に抑えること。
10.一体式のチューブSSLユニットを増幅器として使用することによって、SSLをHAPおよびウルトラ高パワーまで測定する技術的問題を低減させるか最小限に抑えること。
次に図1、図2A、図2B、図2C、および図3を参照する。レーザ増幅器モジュール120を含むレーザ増幅器システム100が示されている。図2Aは、プリアライメントおよびボンディング処理によって結合されたモジュール120の横断面図を示し、図2Bは、図2Aに示される線2B−2Bに沿った、レーザ増幅器モジュールの横断面図を示し、図2Cは、本発明の一実施形態によるレーザチューブの部分拡大図を示す。図3は、本発明の一実施形態によるレーザ増幅器システム100の光学的レイアウトを示す。
レーザ増幅器システム100はレーザ増幅器モジュール120を含み、レーザ増幅器モジュール120は、ダイオードアレイ101と、光学的に透明な90度水晶回転子118(図2Cもまた参照)によって分離されるレーザ利得素子108aを含むチューブ108と、ドープされていないチューブエンドキャップ106と、高反射性(HR)フラットミラー104と、内部および外部の基板107aおよび107b(それぞれ複数のマイクロチャネル132(図2C)を含む)と、プリズム103とを備え、一例では、HRコーティングのミラー表面109を備えた光学的に透明な基板から成るダブルリフラキシコンを含む。システム100は、フラットミラー110と、出力カプラ(OC)のフラットミラーまたは中央の孔を備えたスクレーパミラー111と、HRフィードバックミラー113とをさらに含む。システム100は、光学ポスト116と、調整板115と、光学ベンチ114と、ハウジング117とをさらに含む。
内部の基板107aはレーザチューブ108の内面に隣接し、内部の同軸のチューブを形成する。外部の基板107bはレーザチューブ108の外面に隣接し、外部の同軸のチューブを形成する。したがって、基板107aおよび107bは、レーザチューブ108を「挟んで」、1組の同軸のチューブ(図2B参照)を形成する。第1のマニホルド102および第2のマニホルド105は、熱交換器と基板107aおよび107bのマイクロチャネルとを通って冷却剤を供給し、それぞれ放出/再循環するために使用され、一実施形態では、マニホルドはハウジング117の一部である。適した冷却剤には、脱イオン水
、アルコール、フレオン(登録商標)族の成分(members)、および液体窒素などの液体が含まれ得るが、これらに限定されない。
次に図2A、図2B、および図2Cを特に参照する。基板107aおよび107bは、励起照射に光学的に透明である材料でできている。一例において、溶融石英が使用されてもよいが、励起照射に透明でマイクロチャネルの製作に適した他の光学材料が使用されてもよい。基板および冷却剤が励起照射波長で光学的に透明であるので、ダイオードアレイ101からの励起照射が基板および冷却材を通ってレーザ利得素子108aに至る。
一実施形態において、マイクロチャネル132は内部の基板107aおよび外部基板107bの両方に一体的に設けられ、複数のマイクロチャネルはチューブの長さ方向軸Aに略平行に設けられている(図2A)か、または、レーザチューブ108の外面の長さ方向の輪郭に略平行である(図2Cのマイクロチャネル132参照)。独立した2組のマイクロチャネル132(1組は基板107aに一体化され、もう1組は基板107bに一体化されている)があることによって、マイクロチャネルを通って加えられる冷却剤の流量および/または温度を変化させることで、チューブ108の表面間の温度勾配を低減させ、または最小限に抑えることが可能になる。適用可能なマイクロチャネルおよび他の関連する要素の例は、同時出願された米国特許第6,339,605号、ならびに、米国特許公開第US2002/0097769号(00−173)、米国特許公開第US2002/0110164号(00−213、253)、および米国特許公開第US2002/0172253号(00−245)に記載され、すべての目的のために本願明細書に引用として組み込む。
一般に、熱応力によるレンズ化の寄与は、応力テンソルの主軸に垂直に偏光した光と比較して、応力テンソルの主軸に平行に偏光した光と異なる。応力が誘導される複屈折および複焦点によって、レーザ光線のパワーおよびビーム品質が著しく低減する。複屈折および複焦点をなくすために、レーザチューブ108は、2つの同様に負荷されたレーザ利得素子108aから成り、レーザ利得素子108aは、レーザ要素の両端にドープされていないエンドキャップ106を備えた透明な90度水晶回転子118によって分離される。拡散接合およびプリアライメント処理によって、水晶回転子118は、両端および両面でエンドキャップ106およびレーザ利得素子108aの円環表面に取り付けられる。
あるいは、熱交換器として働く内外部の基板が拡散接合処理によってレーザ利得素子108aに取り付けられる場合に、回転子表面とエンドキャップの円環表面の間の光学接触を使用して、水晶回転子118はチューブレーザ要素と結合されてもよい。2つのレーザ利得素子108aが水晶回転子118によって集められる前に、一方のレーザ利得素子108aは拡散接合によって各端部で2つのエンドキャップに結合されなければならず、他方のレーザ利得素子108aは、拡散接合によって一端で1つのエンドキャップに他端でプリズム103に結合されなければならない。
ドープされていないエンドキャップは、光学コーティングによってレーザチューブの端部を熱負荷から隔離すること、および、利得媒体から離して熱伝導経路を設け、それにより熱応力および関連する歪みを低減させることを含み、多くの利点を提供するが、これらに限定されない。好都合にも、レーザ利得素子を備えたドープされていないエンドキャップを使用することによって、破壊のリスクがなくなるかまたは低減し、チューブ端面のレンズ効果が減少するまたは最小限に抑えられ、引張ひずみが圧縮ひずみに変化する。
半径方向モードの振動と閉じ込められたASEおよび寄生性モードの負の効果(ASEが存在する場合)とを軽減するため、また、励起照射の吸収を増加させるために、チューブレーザ利得素子の直径が中心部から増大し、漏斗または円すいの形状と同様に外端部に
向かって延びるように、チューブレーザ利得素子108aの内面および外面は、テーパ119を有することができる(図2Aおよび図2C参照)。同じ理由から、レーザチューブ要素の内面は、レーザおよび励起波長での反射コーティングを有し、チューブレーザ要素の外面は、レーザ波長での反射コーティングを有することができる。
一実施形態において、プリズム103は、チューブレーザ利得素子に使用される材料と同じかまたは異なるドープされていない材料から作製されることができ、また、レーザ波長での反射コーティングを備えた4つの円すい面109を含む(図1参照)。この設計によって、環状ビームをコンパクトな円筒形ビームに変換する1つのユニットに、2つの同じリフラキシコンとエンドキャップとを結合することが可能になる。同じタイプの2つのリフラキシコンを使用することによって偏光スクランブルの問題がなくなると同時に、プリズム103のチューブ端部がエンドキャップ106の機能と同じ機能を実現することができる。
次に図2B1a、図2B1b、および図2C1を参照する。本発明の別の実施形態によるレーザ増幅器モジュールの断面が示されている。図2B1aおよび図2B1bは、内部の基板107aおよび外部の基板107bに一体化されて設けられている複数のマイクロチャネル132が、レーザチューブの長さ方向軸A(図2A)に対して略垂直に走ることを除き図2Bに示されるのと同様である、モジュールの横断面を示す。図2B1aは、マニホルド102、105を備えるがマイクロチャネル132を備えない横断面を示す。図2B1bは、マイクロチャネル132を含む横断面を示す。図2C1は、複数のマイクロチャネル132がレーザチューブの長さ方向軸Aに対して略垂直になるように構成されていることを除き、図2Cに示されるのと同様である、レーザチューブの断面拡大図を示す。
次に図3を特に参照する。ダイオードアレイ101のスタックは光学的に透明な基板107b(図1、図2A、図2Bおよび図2C)の外面の周囲に配置され、一実施形態では、励起照射の分配における改良された均一性のために、このスタックは基板107bと関連して任意選択的に回転することができる。冷却剤システムは、ダイオードの過熱を防ぐために設計されている。というのは、半導体ダイオードレーザは一般的に、電気エネルギのレーザ励起に適した光放射への変換効率が30〜50%になるからである。ダイオードアレイ101のスタックは、光放射114をレーザ利得素子108aに供給する。レーザ利得素子108aは、入射する光放射114の有意な部分を吸収する、適したレーザイオンでドープされ、上位のレーザ遷移まで励起される。したがって、レーザチューブ利得素子は、共振器レーザ光線112a、112bを増幅する。
環状ビーム112aはプリズム103に入射し、プリズム103によって円筒形ビーム112bに変換される。ビーム112bはフラットミラー110によって反射され、ついで、中央の孔を備えたOCミラーまたはスクレーパミラー111によって反射される。この孔を通って、レーザビームはHRフィードバックミラー113に入射する。ミラー111に入射したレーザビームは、ビーム112としての出力である。
戻りビームは、HRフィードバックミラー113およびフラットミラー110からダブルリフラキシコンを含むプリズム103まで反射する。円筒形ビームがプリズム103によって環状ビームに変換されたあと、ビームはレーザ利得素子108を貫通し、HRフラットミラー104から反射する。共振器のHRフラットミラー104は、エンドキャップ106のフラット円環表面をコーティングすることによって達成される。
次に図4および図5を参照する。本発明の別の実施形態による、システム200のレーザ増幅器モジュール220の横断面図およびその光学的レイアウトが示されている。図1
から図3に関して上述された増幅器モジュール120と同様に、増幅器モジュール220は、プリアライメントおよびボンディング処理によって結合される一体式のコンパクトなレーザユニットである。この実施形態によると、HAPレーザは、円環水晶回転子218およびエンドキャップ206によって分離される2つのチューブレーザ利得素子208aを備える一体式のユニットを含む。モジュール220は、チューブレーザ要素の両端にドープされていないエンドキャップ206と、プリズム203にダブルリフラキシコンとをさらに含む。光学的に透明な基板207は、同様に図1から図3に関して上述されたのと同様に、流路および複数のマイクロチャネルをそれぞれ含み、それによって熱交換器として働く。モジュール220は、ダイオードアレイのスタック201をさらに含む。これらのレイアウトの問題点は、冷却剤の出力オリフィスおよび入力オリフィス(マニホルド202および205)が、モジュール220のプリズム203のドープされていない環状チューブの端部に貫入する可能性があり、このことによって、いくつかの(有意でないが)レーザビームの歪みが生じ得ることである。この問題を軽減するために、冷却剤はレーザチューブ材料の屈折率とほぼ同じ屈折率を有することが望ましい。
システム200(図5参照)は、フラットミラー210、中央の孔を備えたOCミラーまたはスクレーパミラー211、HRフィードバックミラー213、およびHRフラットミラー204を含む光学部品をさらに含む。戻りビームは、HRフィードバックミラー213およびフラットミラー210からダブルリフラキシコン203に反射する。円筒形ビームがダブルリフラキシコン203によって環状ビームに変換されたあと、このビームはレーザ利得素子208aおよびダブルリフラキシコン203を貫通し、このダブルリフラキシコン203は環状ビームを円筒形ビームに変換して、ビームは最終的にHRミラー204に至る。
モジュール120とモジュール220との違いは、チューブレーザ要素104のHRコーティング表面(図1から図3)を含む代わりに、一体式レーザユニットは、2つのダブルリフラキシコン203を組み合わせ、HRフラットミラー204を追加していることである。好都合にも、この実施形態に記載される設計によって、空洞設計における自由度を増大させることが可能となり、レーザ一体式ユニットは、レーザ空洞内およびOCミラーとHRミラーとの間の中の任意の位置に配置されることができる。
また、この概念によって、チューブレーザモジュール220を増幅器として容易に使用することが可能になる。図6および図7を参照する。ミラーを備えた複数のレーザモジュール220を利用した、システム600および700の光学的レイアウトが示されている。システム600は、HRミラー621、フラットミラー622、スクレーパミラー623、およびフィードバックミラー624を含む。システム700は、HRミラー704、フラットミラー710、スクレーパミラー730、およびフィードバックミラー740を含む。
次に図8および図9を参照する。本発明の別の実施形態による、レーザ増幅器モジュール320を含むレーザ増幅器システム300およびそのための光学的レイアウトが示されている。増幅器モジュール320は、ダイオードアレイのスタック301と、光学的に透明な90度水晶回転子によって分離される、同様に負荷された2つのチューブレーザ利得素子308a(図2Aの利得素子108aに同じ)とを備え、レーザチューブ308の両端に2つのドープされていないエンドキャップ306(図2Aのエンドキャップ106に同じ)を備えている。モジュール320は、光学的に透明な基板307とマニホルド302および305との中に、冷却剤を流すための流路および複数のマイクロチャネルをさらに含む。システム300は、HRフラットミラー304、ワキシコンミラー取付け台325を備えた2つのワキシコンミラー326aおよび326b、フラットミラー310、偏心した孔を備えたOCフラットミラーまたはスクレーパミラー311、HRフィードバッ
クミラー313、光学ポスト316、調整板315、光学ベンチ314、およびハウジング317、をさらに含む。
ダイオードアレイ301のスタックは、光放射314をチューブ308の2つのレーザ利得素子308aに供給する。レーザ利得媒質は、入射する光放射314の有意な部分を吸収する、適したレーザイオンでドープされ、上位のレーザ遷移まで励起される。したがって、チューブレーザ利得素子は共振器レーザビームおよびアウトビーム312を増幅する。環状ビームがワキシコンミラー326bによって円筒形ビームに変換されたあと、このビームは、フラットミラー310から偏心した孔を備えたOCミラーまたはスクレーパミラー311に反射する。この孔を通って、レーザビームは、HRフィードバックミラー313に入射する。戻りビームの流路のための中心の外れた開口部を有するOCミラーまたはスクレーパミラーを使用することによって、共振器の光軸がワキシコンミラー326bの頂部に心合わせされることがもはやできなくなり、モード制御を有意に損失することなく頂部が切捨てられることができる。
戻りビームは、HRフィードバックミラー313およびフラットミラー310からワキシコンミラー326bに反射する。円筒形ビームがワキシコンミラー326bによって環状ビームに変換されたあと、このビームはレーザ利得素子308aを貫通し、ワキシコンミラー326a(環状ビームを円筒形ビームに変換する)からHRフラットミラー304に反射する。
種々の光学素子が本発明で使用されてもよく、その光学素子の例は、同時出願された米国特許第4,514,850号、第4,516,244号および第4,598,408号に記載されており、これらをすべての目的のために引用として本願明細書に組み込むことに注意されたい。
上述の実施形態は本発明を例示するものであるが、本発明を限定するものではない。本発明の原理にしたがって数多くの改変および変更が可能であることもまた、理解されたい。したがって、本発明の範囲は、後続の特許請求の範囲によってのみ定義される。
本発明の一実施形態によるレーザ増幅器モジュールアセンブリを示す。 本発明の一実施形態による図1に示すレーザ増幅器モジュールの横断面図を示す。 本発明の一実施形態による図2Aに示す線2B−2Bに沿ったレーザ増幅器モジュールの横断面図を示す。 本発明の別の実施形態による図2Aにおけるレーザ増幅器モジュールの横断面図を示す。 本発明の別の実施形態による図2Aにおけるレーザ増幅器モジュールのさらに別の横断面図を示す。 本発明の一実施形態によるレーザチューブの部分拡大図を示す。 本発明の別の実施形態によるレーザチューブの部分拡大図を示す。 本発明の実施形態による図1に示されるレーザ増幅器モジュールアセンブリの光学的レイアウトを示す。 本発明の別の実施形態によるレーザ増幅器モジュールの横断面図を示す。 本発明の実施形態による図4に示されるレーザ増幅器モジュールの光学的レイアウトを示す。 複数のレーザ増幅器モジュールの使用を示す。 複数のレーザ増幅器モジュールの使用を示す。 本発明の別の実施形態によるレーザ増幅器モジュールアセンブリを示す。 本発明の一実施形態による図8に示されるレーザ増幅器モジュールアセンブリの光学的レイアウトを示す。

Claims (15)

  1. 固体レーザのための増幅器モジュールであって、
    前記増幅器モジュールは、
    内面および外面を有し、レーザ利得物質を含むチューブと、
    前記チューブの前記内面に隣接し、第1の複数のマイクロチャネルを含む第1の基板と、
    前記チューブの前記外面に隣接し、第2の複数のマイクロチャネルを含む第2の基板と、
    前記第2の基板の外部に配置され、光学励起照射を前記レーザ利得物質に供給するように構成される、複数のダイオードバーと、
    を備える、増幅器モジュール。
  2. 0度円環水晶回転子および光学的に透明なエンドキャップが前記チューブを分離し、前記チューブは同一の負荷を有する2つのーザ利得素子を含む、請求項1に記載の増幅器モジュール。
  3. 前記第1および第2の基板が光学的に透明である、請求項1に記載の増幅器モジュール。
  4. 直径が中心部から増大し、外端部に向かって延びるテーパを、前記チューブの前記内面および外面がむ、請求項1に記載の増幅器モジュール。
  5. 前記第1および第2の複数のマイクロチャネルが前記チューブに隣接する、請求項1に記載の増幅器モジュール。
  6. 前記第1および第2の複数のマイクロチャネルが、前記チューブの長さ方向軸に略平行に設けられているか、または、前記チューブの長さ方向軸に略垂直に設けられている、請求項1に記載の増幅器モジュール。
  7. 前記チューブの少なくとも一端に動作可能に結合される光学部品をさらに備え、前記光学部品は、アキシコン、ワキシコン、およびリフラキシコン光学部品からなる群から選択される、請求項1に記載の増幅器モジュール。
  8. 前記複数のダイオードバーが前記チューブに対して回転してもよい、請求項1に記載の増幅器モジュール。
  9. 前記チューブの一端に動作可能に結合されるドープされていないエンドキャップをさらに備える、請求項1に記載の増幅器モジュール。
  10. 前記チューブ、前記第1の基板、前記第2の基板、および前記複数のダイオードバーを収容するためのハウジングをさらに備え、前記ハウジングは、前記第1および第2の複数のマイクロチャネルを通って冷却剤を循環させるための冷却マニホルドを含む、請求項1に記載の増幅器モジュール。
  11. 光源光のための光学利得を供給するように構成される増幅器モジュールを有する固体レーザであって、
    前記増幅器モジュールは、
    内面および外面を有し、レーザ利得物質を含むチューブと、
    前記チューブの前記内面に隣接し、第1の複数のマイクロチャネルを含む第1の基板と、
    前記チューブの前記外面に隣接し、第2の複数のマイクロチャネルを含む第2の基板と、
    前記第2の基板の外部に配置され、光学励起照射を前記レーザ利得物質に供給するように構成される、複数のダイオードバーと、
    を備える、固体レーザ。
  12. レーザビームの増幅のために互いに動作可能に結合される複数の増幅器モジュールをさらに備える、請求項11に記載のレーザ。
  13. レイジング方法であって、
    内面および外面を有し、レーザ利得物質を含むチューブと、
    前記チューブの前記内面に隣接し、第1の複数のマイクロチャネルを含む第1の基板と、
    前記チューブの前記外面に隣接し、第2の複数のマイクロチャネルを含む、第2の基板と、
    前記第2の基板の外部に配置される複数のダイオードバーと、
    を含む増幅器モジュールを提供することと、
    前記複数のダイオードバーからの励起照射を前記増幅器モジュールの前記レーザ利得物質に供給することと、
    マイクロチャネルと、
    を備える、レイジング方法。
  14. 第1および第2の複数のマイクロチャネルを通って冷却剤を流すことが独立して制御される、請求項13に記載の方法。
  15. 前記増幅器モジュールの少なくとも一端に、アキシコン、ワキシコン、およびリフラキシコン光学部品からなる前記群から選択される光学部品を動作可能に結合することと、
    レーザビームの増幅のために、複数の増幅器モジュールを互いに動作可能に結合することと、
    をさらに備える、請求項13に記載の方法。
JP2008505355A 2005-04-07 2006-03-22 チューブ固体レーザ Expired - Fee Related JP5135207B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/101,198 2005-04-07
US11/101,198 US7430230B2 (en) 2005-04-07 2005-04-07 Tube solid-state laser
PCT/US2006/010732 WO2006110289A1 (en) 2005-04-07 2006-03-22 Side-pumped tube solid-state laser

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008536313A JP2008536313A (ja) 2008-09-04
JP5135207B2 true JP5135207B2 (ja) 2013-02-06

Family

ID=36708479

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008505355A Expired - Fee Related JP5135207B2 (ja) 2005-04-07 2006-03-22 チューブ固体レーザ

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7430230B2 (ja)
EP (1) EP1867012B1 (ja)
JP (1) JP5135207B2 (ja)
AT (1) ATE431630T1 (ja)
DE (1) DE602006006816D1 (ja)
RU (1) RU2407121C2 (ja)
WO (1) WO2006110289A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10236655B2 (en) 2015-10-16 2019-03-19 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Solid laser amplification device
US10290991B2 (en) 2015-10-16 2019-05-14 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Solid laser amplification device

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7609741B2 (en) * 2007-01-23 2009-10-27 The Boeing Company Disk laser including an amplified spontaneous emission (ASE) suppression feature
JP5116354B2 (ja) * 2007-04-27 2013-01-09 芝浦メカトロニクス株式会社 固体レーザ媒質および固体レーザ発振器
JP5354657B2 (ja) * 2009-03-17 2013-11-27 独立行政法人理化学研究所 偏極電子銃、偏極電子線の発生方法、電子銃の評価方法、及び逆光電子分光方法
US8238042B2 (en) * 2009-06-05 2012-08-07 CVI Melles Griot, Inc. Reflective axicon systems and methods
EP2564976B1 (en) 2011-09-05 2015-06-10 ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung Marking apparatus with at least one gas laser and heat dissipator
DK2564973T3 (en) * 2011-09-05 2015-01-12 Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Ges Mit Beschränkter Haftung Marking apparatus having a plurality of lasers and a kombineringsafbøjningsindretning
EP2564972B1 (en) * 2011-09-05 2015-08-26 ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung Marking apparatus with a plurality of lasers, deflection means and telescopic means for each laser beam
EP2564974B1 (en) * 2011-09-05 2015-06-17 ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung Marking apparatus with a plurality of gas lasers with resonator tubes and individually adjustable deflection means
ES2444504T3 (es) 2011-09-05 2014-02-25 ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung Dispositivo láser con una unidad láser, y un recipiente de fluido para medios de refrigeración de dicha unidad láser
ES2452529T3 (es) 2011-09-05 2014-04-01 ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung Dispositivo láser y procedimiento para marcar un objeto
EP2565673B1 (en) 2011-09-05 2013-11-13 ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung Device and method for marking of an object by means of a laser beam
EP2564975B1 (en) * 2011-09-05 2014-12-10 ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung Marking apparatus with a plurality of lasers and individually adjustable sets of deflection means
RU2550372C1 (ru) * 2014-03-04 2015-05-10 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха" Твердотельный лазер
CN104617476B (zh) * 2015-01-20 2017-07-28 中国科学院理化技术研究所 防止激光二极管发光腔面污染的侧面泵浦激光模块
US9899798B2 (en) 2015-08-03 2018-02-20 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Apparatus and method for suppressing parasitic lasing and applications thereof
US9865988B2 (en) 2015-11-25 2018-01-09 Raytheon Company High-power planar waveguide (PWG) pumphead with modular components for high-power laser system
US10297968B2 (en) 2015-11-25 2019-05-21 Raytheon Company High-gain single planar waveguide (PWG) amplifier laser system
US11114813B2 (en) 2015-11-25 2021-09-07 Raytheon Company Integrated pumplight homogenizer and signal injector for high-power laser system
US10211590B2 (en) * 2015-11-25 2019-02-19 Raytheon Company Dual-function optical bench and cooling manifold for high-power laser system
CN105305218A (zh) * 2015-12-05 2016-02-03 中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所 一种全固态激光器
RU2623709C1 (ru) * 2016-02-10 2017-06-28 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") Малогабаритный квантрон с жидкостным охлаждением
US10069270B2 (en) 2016-02-11 2018-09-04 Raytheon Company Planar waveguides with enhanced support and/or cooling features for high-power laser systems
RU2664761C1 (ru) * 2017-07-27 2018-08-22 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, (ФГБУН ФИАН) Активный элемент твёрдотельного лазера и способ его охлаждения
GB201718212D0 (en) * 2017-11-02 2017-12-20 Leonardo Mw Ltd A laser
US10511135B2 (en) 2017-12-19 2019-12-17 Raytheon Company Laser system with mechanically-robust monolithic fused planar waveguide (PWG) structure
EP3747089B1 (en) * 2018-01-29 2024-03-06 Idea Machine Development Design & Production Ltd. Compact coaxial laser
US11133639B2 (en) 2018-07-24 2021-09-28 Raytheon Company Fast axis thermal lens compensation for a planar amplifier structure
CN109244803B (zh) * 2018-10-22 2021-04-30 中国电子科技集团公司第十一研究所 一种管状激光增益介质及其封装方法
CN109149327A (zh) * 2018-10-30 2019-01-04 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种多光束合成转动激光器及激光设备
CN109361137B (zh) * 2018-12-11 2024-01-26 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 激光增益组件及激光器
CN109378693B (zh) * 2018-12-11 2024-02-20 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 激光增益结构及激光器
RU2763262C1 (ru) * 2021-05-28 2021-12-28 Евгений Владленович Бурый Квантрон лазера с диодной накачкой активной среды

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3582820A (en) * 1968-04-29 1971-06-01 American Optical Corp Erbium laser device
US3683296A (en) * 1970-10-13 1972-08-08 Texas Instruments Inc High efficiency laser cavity
DE2542652C3 (de) 1975-09-24 1981-01-15 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Optischer Sender oder Verstärker (Laser)
US4514850A (en) 1983-05-16 1985-04-30 Rockwell International Corporation Common-pass decentered annular ring resonator
US4516244A (en) 1983-09-01 1985-05-07 Rockwell International Corporation Common-pass decentered annular ring resonator with improved polarization control
US4598408A (en) 1984-10-22 1986-07-01 Trw Inc. High extraction efficiency cylindrical ring resonator
US4744090A (en) * 1985-07-08 1988-05-10 Trw Inc. High-extraction efficiency annular resonator
US4751716A (en) 1986-05-01 1988-06-14 Amada Engineering & Service Co., Inc. Hollow cylindrical solid state laser medium and a laser system using the medium
US5162940A (en) * 1987-03-06 1992-11-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Multiple energy level, multiple pulse rate laser source
US4740983A (en) * 1987-08-28 1988-04-26 General Electric Company Laser apparatus for minimizing wavefront distortion
US4894709A (en) * 1988-03-09 1990-01-16 Massachusetts Institute Of Technology Forced-convection, liquid-cooled, microchannel heat sinks
US4949358A (en) * 1988-04-25 1990-08-14 Coherent, Inc. Ring laser with improved beam quality
US5852622A (en) * 1988-08-30 1998-12-22 Onyx Optics, Inc. Solid state lasers with composite crystal or glass components
US5099311A (en) * 1991-01-17 1992-03-24 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Microchannel heat sink assembly
US5105430A (en) * 1991-04-09 1992-04-14 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Thin planar package for cooling an array of edge-emitting laser diodes
US5172388A (en) * 1991-07-23 1992-12-15 International Business Machines Corporation Method and apparatus for an increased pulse repetition rate for a CW pumped laser
JP2682339B2 (ja) * 1992-07-20 1997-11-26 株式会社日立製作所 固体レーザ共振器
US5351251A (en) 1993-03-30 1994-09-27 Carl Zeiss, Inc. Laser apparatus
JP3155132B2 (ja) * 1993-09-24 2001-04-09 三菱電機株式会社 固体レーザ装置及びレーザ加工装置
US5548605A (en) * 1995-05-15 1996-08-20 The Regents Of The University Of California Monolithic microchannel heatsink
US5636239A (en) * 1995-05-15 1997-06-03 Hughes Electronics Solid state optically pumped laser head
US6330259B1 (en) * 1999-06-24 2001-12-11 Jonathan S. Dahm Monolithic radial diode-pumped laser with integral micro channel cooling
US6937636B1 (en) * 1999-09-27 2005-08-30 The Regents Of The University Of California Tapered laser rods as a means of minimizing the path length of trapped barrel mode rays
US6339605B1 (en) 2000-02-16 2002-01-15 The Boeing Company Active mirror amplifier system and method for a high-average power laser system
US6827786B2 (en) * 2000-12-26 2004-12-07 Stephen M Lord Machine for production of granular silicon
US7042631B2 (en) * 2001-01-04 2006-05-09 Coherent Technologies, Inc. Power scalable optical systems for generating, transporting, and delivering high power, high quality, laser beams
US7200161B2 (en) * 2001-01-22 2007-04-03 The Boeing Company Side-pumped solid-state disk laser for high-average power
US6625193B2 (en) 2001-01-22 2003-09-23 The Boeing Company Side-pumped active mirror solid-state laser for high-average power
US6810060B2 (en) 2001-02-13 2004-10-26 The Boeing Company High-average power active mirror solid-state laser with multiple subapertures
US6603793B2 (en) 2001-05-18 2003-08-05 The Boeing Company Solid-state laser oscillator with gain media in active mirror configuration

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10236655B2 (en) 2015-10-16 2019-03-19 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Solid laser amplification device
US10290991B2 (en) 2015-10-16 2019-05-14 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Solid laser amplification device

Also Published As

Publication number Publication date
ATE431630T1 (de) 2009-05-15
WO2006110289A1 (en) 2006-10-19
DE602006006816D1 (de) 2009-06-25
RU2407121C2 (ru) 2010-12-20
EP1867012B1 (en) 2009-05-13
US20060227841A1 (en) 2006-10-12
EP1867012A1 (en) 2007-12-19
RU2007141215A (ru) 2009-05-20
US7430230B2 (en) 2008-09-30
JP2008536313A (ja) 2008-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5135207B2 (ja) チューブ固体レーザ
US6810060B2 (en) High-average power active mirror solid-state laser with multiple subapertures
US6999839B2 (en) Side-pumped solid-state disk for high-average power
EP1480299B1 (en) Diode-pumped solid state disk laser and method for producing uniform laser gain
US6339605B1 (en) Active mirror amplifier system and method for a high-average power laser system
US6785304B2 (en) Waveguide device with mode control and pump light confinement and method of using same
US6418156B1 (en) Laser with gain medium configured to provide an integrated optical pump cavity
US20070297469A1 (en) Cryogenically Cooled Solid State Lasers
EP1646117B1 (en) Optical amplifier comprising an end pumped zig-zag slab gain medium
US20030138021A1 (en) Diode-pumped solid-state thin slab laser
US20060140241A1 (en) Laser amplifier
US7463667B2 (en) Solid-state laser and multi-pass resonator
CN103779772A (zh) 采用复合泵浦耦合的激光器模块及固体激光器
US9640935B2 (en) Radially polarized thin disk laser
US6944196B2 (en) Solid state laser amplifier
Tang et al. Design of diode-pumped 10 kW high power Nd: YAG disc laser
Dascalu et al. High-power lens-shape diode edge-pumped composite laser
Michel et al. Design of diode laser systems for solid state laser pumping

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090304

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20091111

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20100217

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20100217

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111024

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111115

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120215

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121016

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121112

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151116

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5135207

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees