JP5135207B2 - チューブ固体レーザ - Google Patents
チューブ固体レーザ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5135207B2 JP5135207B2 JP2008505355A JP2008505355A JP5135207B2 JP 5135207 B2 JP5135207 B2 JP 5135207B2 JP 2008505355 A JP2008505355 A JP 2008505355A JP 2008505355 A JP2008505355 A JP 2008505355A JP 5135207 B2 JP5135207 B2 JP 5135207B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- laser
- amplifier module
- microchannels
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
- H01S3/0608—Laser crystal with a hole, e.g. a hole or bore for housing a flashlamp or a mirror
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/025—Constructional details of solid state lasers, e.g. housings or mountings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/04—Arrangements for thermal management
- H01S3/0407—Liquid cooling, e.g. by water
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/04—Arrangements for thermal management
- H01S3/042—Arrangements for thermal management for solid state lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/07—Construction or shape of active medium consisting of a plurality of parts, e.g. segments
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08059—Constructional details of the reflector, e.g. shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08072—Thermal lensing or thermally induced birefringence; Compensation thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/0813—Configuration of resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
- H01S3/164—Solid materials characterised by a crystal matrix garnet
- H01S3/1641—GGG
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
- H01S3/164—Solid materials characterised by a crystal matrix garnet
- H01S3/1643—YAG
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
- H01S3/1645—Solid materials characterised by a crystal matrix halide
- H01S3/1653—YLiF4(YLF, LYF)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
- H01S3/1671—Solid materials characterised by a crystal matrix vanadate, niobate, tantalate
- H01S3/1673—YVO4 [YVO]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
- H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
- H01S3/2316—Cascaded amplifiers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
現代の固体レーザ(SSL)は、高ウォールプラグ効率を示し、高平均パワー(HAP)レベルで作動することができ、高いビーム品質(BQ)を得ることができる。このようなレーザは非常に用途が広く、防空および精密な走向や、自動車産業、航空宇宙産業、造船産業および石油ガス産業における切断、溶接およびドリル加工、ならびに熱処理、切断、および溶接などのダイレクト加工を含む種々の用途に開発されている。
本発明の実施形態は、ダイオード励起、マイクロチャンネルクーリング、アキシコン/ワキシコン/リフラキシコン(reflaxicon)光学部品、および/または新規なコーティング処理およびボンディング処理を利用して、改良されたチューブ固体レーザ(SSL)を提供する。好都合にも、本発明は、熱レンズ効果を減少させ、チューブSSLと関連した複屈折、複焦点およびアライメントの問題を低減させるかまたは除去しつつ、高ビーム品質および高平均パワーレベルを提供する。
本発明は、ダイオード励起、マイクロチャンネルクーリング、アキシコン/ワキシコン
/リフラキシコン光学部品、および/または新規なコーティング処理およびボンディング処理を利用して、改良されたチューブ固体レーザ(SSL)を提供し、改良されたビーム品質およびパワー出力を提供する。本発明は、不安定な線形の共振器に固有のビーム品質の利点を、領域の効率的利用の利点(したがって高パワー)および環状の(チューブ)構成に固有の対称性の利点と組み合わせるものである。一実施形態において、本発明はまた、環状ビームを密集した円筒形ビームに変換する光学素子(たとえば、アキシコン、ワキシコンおよび/またはリフラキシコン光学部品)を含む。
「レーザ利得媒質」は、好適なイオンでドープされたホスト格子を有する光学材料のことを指し、主題の発明においてこれはレーザ遷移まで励起される。この発明は特定のレーザ材料または特定の励起源に限定されないが、好ましいホスト格子材料は、イットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)、ガドリニウム・ガリウム・ガーネット(GGG)、ガドリニウム・スカンジウム・ガリウム・ガーネット(GSGG)、リチウム・イットリウム・フルオリド(YLF)、イットリウム・バナデート、リン酸塩レーザガラス、珪酸塩レーザガラスおよびサファイアである。これらのレーザ媒質のための適したドーパントはチタン、銅、コバルト、ニッケル、クロム、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、イッテルビウム、ホルミウム、ジスプロシウムおよびツリウムを含むが、これらに限定されない。レーザ利得媒質はまた、ドーピングされたセクションとドープされていないセクション、または、異なるイオンによってドープされたセクションを備える複合構造を有していてもよい。
って)か、またはO−リングによってレーザチューブにシールされる光学的に透明な円環状の内部および外部の基板を使用して、レーザチューブの内面と外面との間の温度勾配を減少させるかまたは最小限に抑えること。それぞれ光学的に透明な基板は、レーザチューブの内面および外面の両方が冷却されるようにマイクロチャネルを備えた一体式の熱交換器を含むので、冷却剤がレーザチューブの利得媒質の外面および内面を直接湿潤させることができる。内部および外部両方の熱交換器のための冷却剤の流量および温度を独立して制御することによって、チューブの表面間の温度勾配を最小限に抑えることができる。この新規な方法は、極めて高い熱移動を提供し、レーザチューブの熱的変形および応力を効果的に最小限に抑える。
エンドキャップ表面に取り付けられ、これらの処理は、外部および内部の冷却基板をレーザチューブに取り付けるのに使用されるそれらの処理と同様である。したがって、外部および内部の冷却基板は、水晶回転子をも冷却するのに使用されることができる。この新規な方法は、回転子と円環チューブ表面との間を密接に接触させるために提供され、負レンズおよびアライメントの問題をなくし、それによって、良好なビーム品質を提供する。
、アルコール、フレオン(登録商標)族の成分(members)、および液体窒素などの液体が含まれ得るが、これらに限定されない。
向かって延びるように、チューブレーザ利得素子108aの内面および外面は、テーパ119を有することができる(図2Aおよび図2C参照)。同じ理由から、レーザチューブ要素の内面は、レーザおよび励起波長での反射コーティングを有し、チューブレーザ要素の外面は、レーザ波長での反射コーティングを有することができる。
から図3に関して上述された増幅器モジュール120と同様に、増幅器モジュール220は、プリアライメントおよびボンディング処理によって結合される一体式のコンパクトなレーザユニットである。この実施形態によると、HAPレーザは、円環水晶回転子218およびエンドキャップ206によって分離される2つのチューブレーザ利得素子208aを備える一体式のユニットを含む。モジュール220は、チューブレーザ要素の両端にドープされていないエンドキャップ206と、プリズム203にダブルリフラキシコンとをさらに含む。光学的に透明な基板207は、同様に図1から図3に関して上述されたのと同様に、流路および複数のマイクロチャネルをそれぞれ含み、それによって熱交換器として働く。モジュール220は、ダイオードアレイのスタック201をさらに含む。これらのレイアウトの問題点は、冷却剤の出力オリフィスおよび入力オリフィス(マニホルド202および205)が、モジュール220のプリズム203のドープされていない環状チューブの端部に貫入する可能性があり、このことによって、いくつかの(有意でないが)レーザビームの歪みが生じ得ることである。この問題を軽減するために、冷却剤はレーザチューブ材料の屈折率とほぼ同じ屈折率を有することが望ましい。
クミラー313、光学ポスト316、調整板315、光学ベンチ314、およびハウジング317、をさらに含む。
Claims (15)
- 固体レーザのための増幅器モジュールであって、
前記増幅器モジュールは、
内面および外面を有し、レーザ利得物質を含むチューブと、
前記チューブの前記内面に隣接し、第1の複数のマイクロチャネルを含む第1の基板と、
前記チューブの前記外面に隣接し、第2の複数のマイクロチャネルを含む第2の基板と、
前記第2の基板の外部に配置され、光学励起照射を前記レーザ利得物質に供給するように構成される、複数のダイオードバーと、
を備える、増幅器モジュール。 - 90度円環水晶回転子および光学的に透明なエンドキャップが前記チューブを分離し、前記チューブは同一の負荷を有する2つのレーザ利得素子を含む、請求項1に記載の増幅器モジュール。
- 前記第1および第2の基板が光学的に透明である、請求項1に記載の増幅器モジュール。
- 直径が中心部から増大し、外端部に向かって延びるテーパを、前記チューブの前記内面および外面が含む、請求項1に記載の増幅器モジュール。
- 前記第1および第2の複数のマイクロチャネルが前記チューブに隣接する、請求項1に記載の増幅器モジュール。
- 前記第1および第2の複数のマイクロチャネルが、前記チューブの長さ方向軸に略平行に設けられているか、または、前記チューブの長さ方向軸に略垂直に設けられている、請求項1に記載の増幅器モジュール。
- 前記チューブの少なくとも一端に動作可能に結合される光学部品をさらに備え、前記光学部品は、アキシコン、ワキシコン、およびリフラキシコン光学部品からなる群から選択される、請求項1に記載の増幅器モジュール。
- 前記複数のダイオードバーが前記チューブに対して回転してもよい、請求項1に記載の増幅器モジュール。
- 前記チューブの一端に動作可能に結合されるドープされていないエンドキャップをさらに備える、請求項1に記載の増幅器モジュール。
- 前記チューブ、前記第1の基板、前記第2の基板、および前記複数のダイオードバーを収容するためのハウジングをさらに備え、前記ハウジングは、前記第1および第2の複数のマイクロチャネルを通って冷却剤を循環させるための冷却マニホルドを含む、請求項1に記載の増幅器モジュール。
- 光源光のための光学利得を供給するように構成される増幅器モジュールを有する固体レーザであって、
前記増幅器モジュールは、
内面および外面を有し、レーザ利得物質を含むチューブと、
前記チューブの前記内面に隣接し、第1の複数のマイクロチャネルを含む第1の基板と、
前記チューブの前記外面に隣接し、第2の複数のマイクロチャネルを含む第2の基板と、
前記第2の基板の外部に配置され、光学励起照射を前記レーザ利得物質に供給するように構成される、複数のダイオードバーと、
を備える、固体レーザ。 - レーザビームの増幅のために互いに動作可能に結合される複数の増幅器モジュールをさらに備える、請求項11に記載のレーザ。
- レイジング方法であって、
内面および外面を有し、レーザ利得物質を含むチューブと、
前記チューブの前記内面に隣接し、第1の複数のマイクロチャネルを含む第1の基板と、
前記チューブの前記外面に隣接し、第2の複数のマイクロチャネルを含む、第2の基板と、
前記第2の基板の外部に配置される複数のダイオードバーと、
を含む増幅器モジュールを提供することと、
前記複数のダイオードバーからの励起照射を前記増幅器モジュールの前記レーザ利得物質に供給することと、
マイクロチャネルと、
を備える、レイジング方法。 - 第1および第2の複数のマイクロチャネルを通って冷却剤を流すことが独立して制御される、請求項13に記載の方法。
- 前記増幅器モジュールの少なくとも一端に、アキシコン、ワキシコン、およびリフラキシコン光学部品からなる前記群から選択される光学部品を動作可能に結合することと、
レーザビームの増幅のために、複数の増幅器モジュールを互いに動作可能に結合することと、
をさらに備える、請求項13に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/101,198 | 2005-04-07 | ||
US11/101,198 US7430230B2 (en) | 2005-04-07 | 2005-04-07 | Tube solid-state laser |
PCT/US2006/010732 WO2006110289A1 (en) | 2005-04-07 | 2006-03-22 | Side-pumped tube solid-state laser |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008536313A JP2008536313A (ja) | 2008-09-04 |
JP5135207B2 true JP5135207B2 (ja) | 2013-02-06 |
Family
ID=36708479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008505355A Expired - Fee Related JP5135207B2 (ja) | 2005-04-07 | 2006-03-22 | チューブ固体レーザ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7430230B2 (ja) |
EP (1) | EP1867012B1 (ja) |
JP (1) | JP5135207B2 (ja) |
AT (1) | ATE431630T1 (ja) |
DE (1) | DE602006006816D1 (ja) |
RU (1) | RU2407121C2 (ja) |
WO (1) | WO2006110289A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10236655B2 (en) | 2015-10-16 | 2019-03-19 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Solid laser amplification device |
US10290991B2 (en) | 2015-10-16 | 2019-05-14 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Solid laser amplification device |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7609741B2 (en) * | 2007-01-23 | 2009-10-27 | The Boeing Company | Disk laser including an amplified spontaneous emission (ASE) suppression feature |
JP5116354B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2013-01-09 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 固体レーザ媒質および固体レーザ発振器 |
JP5354657B2 (ja) * | 2009-03-17 | 2013-11-27 | 独立行政法人理化学研究所 | 偏極電子銃、偏極電子線の発生方法、電子銃の評価方法、及び逆光電子分光方法 |
US8238042B2 (en) * | 2009-06-05 | 2012-08-07 | CVI Melles Griot, Inc. | Reflective axicon systems and methods |
EP2564976B1 (en) | 2011-09-05 | 2015-06-10 | ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Marking apparatus with at least one gas laser and heat dissipator |
DK2564973T3 (en) * | 2011-09-05 | 2015-01-12 | Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Ges Mit Beschränkter Haftung | Marking apparatus having a plurality of lasers and a kombineringsafbøjningsindretning |
EP2564972B1 (en) * | 2011-09-05 | 2015-08-26 | ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Marking apparatus with a plurality of lasers, deflection means and telescopic means for each laser beam |
EP2564974B1 (en) * | 2011-09-05 | 2015-06-17 | ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Marking apparatus with a plurality of gas lasers with resonator tubes and individually adjustable deflection means |
ES2444504T3 (es) | 2011-09-05 | 2014-02-25 | ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Dispositivo láser con una unidad láser, y un recipiente de fluido para medios de refrigeración de dicha unidad láser |
ES2452529T3 (es) | 2011-09-05 | 2014-04-01 | ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Dispositivo láser y procedimiento para marcar un objeto |
EP2565673B1 (en) | 2011-09-05 | 2013-11-13 | ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Device and method for marking of an object by means of a laser beam |
EP2564975B1 (en) * | 2011-09-05 | 2014-12-10 | ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Marking apparatus with a plurality of lasers and individually adjustable sets of deflection means |
RU2550372C1 (ru) * | 2014-03-04 | 2015-05-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха" | Твердотельный лазер |
CN104617476B (zh) * | 2015-01-20 | 2017-07-28 | 中国科学院理化技术研究所 | 防止激光二极管发光腔面污染的侧面泵浦激光模块 |
US9899798B2 (en) | 2015-08-03 | 2018-02-20 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Apparatus and method for suppressing parasitic lasing and applications thereof |
US9865988B2 (en) | 2015-11-25 | 2018-01-09 | Raytheon Company | High-power planar waveguide (PWG) pumphead with modular components for high-power laser system |
US10297968B2 (en) | 2015-11-25 | 2019-05-21 | Raytheon Company | High-gain single planar waveguide (PWG) amplifier laser system |
US11114813B2 (en) | 2015-11-25 | 2021-09-07 | Raytheon Company | Integrated pumplight homogenizer and signal injector for high-power laser system |
US10211590B2 (en) * | 2015-11-25 | 2019-02-19 | Raytheon Company | Dual-function optical bench and cooling manifold for high-power laser system |
CN105305218A (zh) * | 2015-12-05 | 2016-02-03 | 中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所 | 一种全固态激光器 |
RU2623709C1 (ru) * | 2016-02-10 | 2017-06-28 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Малогабаритный квантрон с жидкостным охлаждением |
US10069270B2 (en) | 2016-02-11 | 2018-09-04 | Raytheon Company | Planar waveguides with enhanced support and/or cooling features for high-power laser systems |
RU2664761C1 (ru) * | 2017-07-27 | 2018-08-22 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, (ФГБУН ФИАН) | Активный элемент твёрдотельного лазера и способ его охлаждения |
GB201718212D0 (en) * | 2017-11-02 | 2017-12-20 | Leonardo Mw Ltd | A laser |
US10511135B2 (en) | 2017-12-19 | 2019-12-17 | Raytheon Company | Laser system with mechanically-robust monolithic fused planar waveguide (PWG) structure |
EP3747089B1 (en) * | 2018-01-29 | 2024-03-06 | Idea Machine Development Design & Production Ltd. | Compact coaxial laser |
US11133639B2 (en) | 2018-07-24 | 2021-09-28 | Raytheon Company | Fast axis thermal lens compensation for a planar amplifier structure |
CN109244803B (zh) * | 2018-10-22 | 2021-04-30 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 一种管状激光增益介质及其封装方法 |
CN109149327A (zh) * | 2018-10-30 | 2019-01-04 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种多光束合成转动激光器及激光设备 |
CN109361137B (zh) * | 2018-12-11 | 2024-01-26 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 激光增益组件及激光器 |
CN109378693B (zh) * | 2018-12-11 | 2024-02-20 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 激光增益结构及激光器 |
RU2763262C1 (ru) * | 2021-05-28 | 2021-12-28 | Евгений Владленович Бурый | Квантрон лазера с диодной накачкой активной среды |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3582820A (en) * | 1968-04-29 | 1971-06-01 | American Optical Corp | Erbium laser device |
US3683296A (en) * | 1970-10-13 | 1972-08-08 | Texas Instruments Inc | High efficiency laser cavity |
DE2542652C3 (de) | 1975-09-24 | 1981-01-15 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Optischer Sender oder Verstärker (Laser) |
US4514850A (en) | 1983-05-16 | 1985-04-30 | Rockwell International Corporation | Common-pass decentered annular ring resonator |
US4516244A (en) | 1983-09-01 | 1985-05-07 | Rockwell International Corporation | Common-pass decentered annular ring resonator with improved polarization control |
US4598408A (en) | 1984-10-22 | 1986-07-01 | Trw Inc. | High extraction efficiency cylindrical ring resonator |
US4744090A (en) * | 1985-07-08 | 1988-05-10 | Trw Inc. | High-extraction efficiency annular resonator |
US4751716A (en) | 1986-05-01 | 1988-06-14 | Amada Engineering & Service Co., Inc. | Hollow cylindrical solid state laser medium and a laser system using the medium |
US5162940A (en) * | 1987-03-06 | 1992-11-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Multiple energy level, multiple pulse rate laser source |
US4740983A (en) * | 1987-08-28 | 1988-04-26 | General Electric Company | Laser apparatus for minimizing wavefront distortion |
US4894709A (en) * | 1988-03-09 | 1990-01-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Forced-convection, liquid-cooled, microchannel heat sinks |
US4949358A (en) * | 1988-04-25 | 1990-08-14 | Coherent, Inc. | Ring laser with improved beam quality |
US5852622A (en) * | 1988-08-30 | 1998-12-22 | Onyx Optics, Inc. | Solid state lasers with composite crystal or glass components |
US5099311A (en) * | 1991-01-17 | 1992-03-24 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Microchannel heat sink assembly |
US5105430A (en) * | 1991-04-09 | 1992-04-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Thin planar package for cooling an array of edge-emitting laser diodes |
US5172388A (en) * | 1991-07-23 | 1992-12-15 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for an increased pulse repetition rate for a CW pumped laser |
JP2682339B2 (ja) * | 1992-07-20 | 1997-11-26 | 株式会社日立製作所 | 固体レーザ共振器 |
US5351251A (en) | 1993-03-30 | 1994-09-27 | Carl Zeiss, Inc. | Laser apparatus |
JP3155132B2 (ja) * | 1993-09-24 | 2001-04-09 | 三菱電機株式会社 | 固体レーザ装置及びレーザ加工装置 |
US5548605A (en) * | 1995-05-15 | 1996-08-20 | The Regents Of The University Of California | Monolithic microchannel heatsink |
US5636239A (en) * | 1995-05-15 | 1997-06-03 | Hughes Electronics | Solid state optically pumped laser head |
US6330259B1 (en) * | 1999-06-24 | 2001-12-11 | Jonathan S. Dahm | Monolithic radial diode-pumped laser with integral micro channel cooling |
US6937636B1 (en) * | 1999-09-27 | 2005-08-30 | The Regents Of The University Of California | Tapered laser rods as a means of minimizing the path length of trapped barrel mode rays |
US6339605B1 (en) | 2000-02-16 | 2002-01-15 | The Boeing Company | Active mirror amplifier system and method for a high-average power laser system |
US6827786B2 (en) * | 2000-12-26 | 2004-12-07 | Stephen M Lord | Machine for production of granular silicon |
US7042631B2 (en) * | 2001-01-04 | 2006-05-09 | Coherent Technologies, Inc. | Power scalable optical systems for generating, transporting, and delivering high power, high quality, laser beams |
US7200161B2 (en) * | 2001-01-22 | 2007-04-03 | The Boeing Company | Side-pumped solid-state disk laser for high-average power |
US6625193B2 (en) | 2001-01-22 | 2003-09-23 | The Boeing Company | Side-pumped active mirror solid-state laser for high-average power |
US6810060B2 (en) | 2001-02-13 | 2004-10-26 | The Boeing Company | High-average power active mirror solid-state laser with multiple subapertures |
US6603793B2 (en) | 2001-05-18 | 2003-08-05 | The Boeing Company | Solid-state laser oscillator with gain media in active mirror configuration |
-
2005
- 2005-04-07 US US11/101,198 patent/US7430230B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-03-22 EP EP06748641A patent/EP1867012B1/en not_active Not-in-force
- 2006-03-22 AT AT06748641T patent/ATE431630T1/de not_active IP Right Cessation
- 2006-03-22 RU RU2007141215/28A patent/RU2407121C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2006-03-22 JP JP2008505355A patent/JP5135207B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-22 DE DE602006006816T patent/DE602006006816D1/de active Active
- 2006-03-22 WO PCT/US2006/010732 patent/WO2006110289A1/en active Application Filing
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10236655B2 (en) | 2015-10-16 | 2019-03-19 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Solid laser amplification device |
US10290991B2 (en) | 2015-10-16 | 2019-05-14 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Solid laser amplification device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ATE431630T1 (de) | 2009-05-15 |
WO2006110289A1 (en) | 2006-10-19 |
DE602006006816D1 (de) | 2009-06-25 |
RU2407121C2 (ru) | 2010-12-20 |
EP1867012B1 (en) | 2009-05-13 |
US20060227841A1 (en) | 2006-10-12 |
EP1867012A1 (en) | 2007-12-19 |
RU2007141215A (ru) | 2009-05-20 |
US7430230B2 (en) | 2008-09-30 |
JP2008536313A (ja) | 2008-09-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5135207B2 (ja) | チューブ固体レーザ | |
US6810060B2 (en) | High-average power active mirror solid-state laser with multiple subapertures | |
US6999839B2 (en) | Side-pumped solid-state disk for high-average power | |
EP1480299B1 (en) | Diode-pumped solid state disk laser and method for producing uniform laser gain | |
US6339605B1 (en) | Active mirror amplifier system and method for a high-average power laser system | |
US6785304B2 (en) | Waveguide device with mode control and pump light confinement and method of using same | |
US6418156B1 (en) | Laser with gain medium configured to provide an integrated optical pump cavity | |
US20070297469A1 (en) | Cryogenically Cooled Solid State Lasers | |
EP1646117B1 (en) | Optical amplifier comprising an end pumped zig-zag slab gain medium | |
US20030138021A1 (en) | Diode-pumped solid-state thin slab laser | |
US20060140241A1 (en) | Laser amplifier | |
US7463667B2 (en) | Solid-state laser and multi-pass resonator | |
CN103779772A (zh) | 采用复合泵浦耦合的激光器模块及固体激光器 | |
US9640935B2 (en) | Radially polarized thin disk laser | |
US6944196B2 (en) | Solid state laser amplifier | |
Tang et al. | Design of diode-pumped 10 kW high power Nd: YAG disc laser | |
Dascalu et al. | High-power lens-shape diode edge-pumped composite laser | |
Michel et al. | Design of diode laser systems for solid state laser pumping |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090304 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20091111 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100217 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111024 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111115 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120215 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121016 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121112 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151116 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5135207 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |