TW202245297A - 顯示裝置之製造方法 - Google Patents

顯示裝置之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202245297A
TW202245297A TW111111404A TW111111404A TW202245297A TW 202245297 A TW202245297 A TW 202245297A TW 111111404 A TW111111404 A TW 111111404A TW 111111404 A TW111111404 A TW 111111404A TW 202245297 A TW202245297 A TW 202245297A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
light
resin film
display device
mentioned
Prior art date
Application number
TW111111404A
Other languages
English (en)
Inventor
野田大樹
尾怜司
白岩俊紀
Original Assignee
日商迪睿合股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2022047478A external-priority patent/JP2022151818A/ja
Application filed by 日商迪睿合股份有限公司 filed Critical 日商迪睿合股份有限公司
Publication of TW202245297A publication Critical patent/TW202245297A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/302—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements characterised by the form or geometrical disposition of the individual elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本發明提供一種可獲得優異之透光性及美觀之顯示裝置、及顯示裝置之製造方法。 本發明之顯示裝置10具備：複數個發光元件20；基板30，其以構成一個像素之次像素（sub pixel）為單位排列發光元件20；及硬化樹脂膜40，其將複數個發光元件20與基板30連接；硬化樹脂膜40由複數個單片構成，且於單片間具有露出基板30之露出部30a。藉此，可獲得優異之透光性及美觀。

Description

顯示裝置之製造方法
本技術係關於一種發光元件排列而成之顯示裝置、及顯示裝置之製造方法。
於基板上排列微小之發光元件而成之次毫米LED或微型LED（Light Emitting Diode，發光二極體）顯示器可省略液晶顯示器所必需之背光源，可實現顯示器之薄膜化，除此以外，還可實現進一步之廣色域化、高精細化、及省電化。又，微型LED顯示器由於發光元件較習知小，故而亦期待用作透明顯示器用途。
於專利文獻1中記載有使用各向異性導電接著劑將以次像素（sub pixel）為單位配置有LED之晶圓與其所對應之基板連接；於專利文獻2中記載有於LED間設置溝槽，從而抑制由各向異性導電接著劑之流動所引起之連接不良。
然而，於習知之使用各向異性導電接著劑之連接中，接著樹脂及導電粒子會殘留於各LED間距之間，從而無法獲得良好之透光性，有損作為顯示器之顯示裝置或作為光源之發光裝置之美觀。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2017-157724號公報 [專利文獻2]日本特開2017-216321號公報
[發明所欲解決之課題]
本技術係鑒於此種習知之實際情況而提出者，其提供一種可獲得優異之透光性及美觀之顯示裝置、及顯示裝置之製造方法。 [解決課題之技術手段]
本技術之顯示裝置具備：複數個發光元件；基板，其以構成一個像素之次像素為單位排列發光元件；及硬化樹脂膜，其將上述複數個發光元件與上述基板連接；上述硬化樹脂膜由複數個單片構成，且於上述單片間具有露出上述基板之露出部。
本技術之顯示裝置之製造方法具有：單片形成步驟，其係於基材上形成由硬化性樹脂膜構成之複數個單片；貼附步驟，其係將上述複數個單片貼附於基板上；及安裝步驟，其係將發光元件以構成一個像素之次像素為單位安裝至貼附於上述基板之單片上。
本技術之發光裝置具備：複數個發光元件；基板，其排列上述發光元件；及硬化樹脂膜，其將上述複數個發光元件與上述基板連接；上述硬化樹脂膜由複數個單片構成，且於上述單片間具有露出上述基板之露出部。
本技術之發光裝置之製造方法具有：單片形成步驟，其係去除形成於基材上之硬化性樹脂膜之一部分，於上述基材上形成由硬化性樹脂膜構成之複數個單片；貼附步驟，其係將上述複數個單片貼附於基板上；及安裝步驟，其係將發光元件安裝至貼附於上述基板之單片上。 [發明之效果]
根據本技術，藉由在安裝發光元件之單片間設置露出基板之露出部，可獲得優異之透光性及美觀。
以下，參照圖式，並且按照下述順序對本技術之實施形態進行詳細說明。 1.顯示裝置 2.顯示裝置之製造方法 3.實施例
＜1.顯示裝置＞ 本實施形態之顯示裝置具備：複數個發光元件；基板，其以構成一個像素之次像素為單位排列發光元件；及硬化樹脂膜，其將複數個發光元件與基板連接；硬化樹脂膜由複數個單片構成，且於單片間具有露出基板之露出部。露出部亦可另稱為不具有有助於該連接之硬化性樹脂膜之間隙部分。藉此，可獲得優異之透光性及美觀。
圖1係示意性地表示顯示裝置之構成例之剖面圖。如圖1所示，顯示裝置10具備：複數個發光元件20；基板30，其以構成一個像素之次像素為單位排列發光元件；及硬化樹脂膜40，其將複數個發光元件20與基板30連接。
發光元件20具備本體21、第1導電型電極22、及第2導電型電極23，可使用所謂倒裝晶片型LED，該倒裝晶片型LED具有第1導電型電極22與第2導電型電極23配置於同一面側之水平結構。本體21具備例如由n-GaN構成之第1導電型包覆層、例如由In xAl yGa 1 － x － yN層構成之活性層、及例如由p-GaN構成之第2導電型包覆層，具有所謂雙異質結構。第1導電型電極22藉由鈍化層而形成於第1導電型包覆層之一部分，第2導電型電極23形成於第2導電型包覆層之一部分。當對第1導電型電極22與第2導電型電極23之間施加電壓時，載子集中於活性層，藉由再結合而產生發光。
發光元件20之大小可為200 μm以下，較佳為未達150 μm，更佳為未達50 μm，進而較佳為未達20 μm。又，發光元件20之厚度例如為1～20 μm。此處，發光元件20之大小例如於大致矩形之情形時，為縱向寬度或橫向寬度中之較大者。
發光元件20以與構成一個像素之各次像素對應之方式排列於基板30上，從而構成發光元件陣列。例如，一個像素可由R（紅）G（綠）B（藍）三個次像素構成，亦可由RGBW（白）、RGBY（黃）四個次像素構成，還可由RG、GB兩個次像素構成。
作為次像素之排列方法，例如於RGB之情形時，可列舉條狀排列、馬賽克排列、三角形排列等。條狀排列係將RGB以縱條紋狀排列，可實現高精細化。又，馬賽克排列係將RGB之相同色斜向配置，可獲得較條狀排列更自然之圖像。又，三角形排列係將RGB排列成三角形，各點於每一場（field）偏移半個間距，可獲得自然之圖像顯示。
表1中示出當將RGB之各晶片沿橫向排列時之針對PPI（Pixels Per Inch，每英吋像素）之推定RGB間橫向間距、推定晶片尺寸、及推定電極尺寸。假設晶片間距離最小為5 μm，於以均等間隔配置時推定RGB間距離最大。此作為用以使用途變得明確而研究本技術之參考值而被計算出。
[表1]
   尺寸 ppi 像素間距（μm） 推定RGB間橫向間距（μm） 推定晶片尺寸 推定電極尺寸
用途 英吋 橫向（mm） 縱向（mm） 橫向（μm） 縱向（μm） 最小（μm） 最大（μm） 最小（μm） 最大（μm） 最小（μm） 最大（μm）
大型顯示器 120 2657 1494 40 635 635 15 212 10×20 207×417 7×7 150×150
2657 1494 100 254 254 15 85 10×20 80×160 7×7 60×60
大型電視 80 1771 996 80 318 318 15 106 10×20 101×202 7×7 70×70
1771 996 120 212 212 15 71 10×20 66×132 7×7 45×45
中型顯示器 20 443 249 100 254 254 15 85 10×20 80×160 7×7 55×55
443 249 200 127 127 15 42 10×20 37×74 7×7 25×25
平板 10 221 125 200 127 127 15 42 10×20 37×74 7×7 25×25
221 125 400 64 64 15 21 10×20 16×32 7×7 10×10
SMP 6 13.26 7.47 300 85 85 15 28 10×20 23×46 7×7 15×15
13.26 7.47 500 51 51 15 17 10×20 12×24 7×7 8×8
錶 2 3.59 3.59 300 85 85 15 28 10×20 23×46 7×7 15×15
3.59 3.59 500 51 51 15 17 10×20 12×24 7×7 8×8
VR 1 1.80 1.80 500 51 51 15 17 10×20 12×24 7×7 8×8
1.80 1.80 1000 26 26 9 9 7×14 7×14 5×5 5×5
1.80 1.80 2000 13 13 4 4 - - - -
如表1所示，可知藉由將晶片尺寸設為10×20 μm，可對應最高500 PPI。又，藉由將晶片尺寸設為7×14 μm，可對應最高1000 PPI，藉由進一步縮小晶片尺寸，可實現1000 PPI以上。再者，晶片並非必須為長方形，亦可為正方形。又，晶片不限於矩形，亦可為菱形等類似形狀。
基板30於基材31上具備第1導電型用電路圖案及第2導電型用電路圖案，以發光元件20以構成一個像素之次像素（副像素）為單位配置之方式，在例如對應於p側之第1導電型電極及n側之第2導電型電極之位置分別具有第1電極32及第2電極33。又，基板30形成例如矩陣配線之資料線、位址線等電路圖案，使與構成一個像素之各次像素對應之發光元件能夠接通及斷開。又，基板30較佳為透明基板，基材31較佳為玻璃、PET（Polyethylene Terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯）等具有透光性者，電路圖案、第1電極32、及第2電極33例如較佳為ITO（Indium-Tin-Oxide，氧化銦錫）、IZO（Indium-Zinc-Oxide，氧化銦鋅）、ZnO（Zinc-Oxide，氧化鋅）、IGZO（Indium-Gallium-Zinc-Oxide，氧化銦鎵鋅）等之透明導電膜。
硬化樹脂膜40係下述之硬化性樹脂膜硬化而成者。硬化樹脂膜40由複數個單片42構成，且於硬化樹脂膜40之單片42間具有露出基板30之露出部30a。基板30上之單片42之排列只要可獲得透光性之效果，則並無特別限定，較佳為以對應於發光元件20之次像素為單位。藉由以次像素為單位排列單片42，可增加露出部30a，從而可獲得非常優異之透光性。又，亦可利用一個單片連接以次像素為單位之靠近之複數個發光元件20。藉此，可縮短安裝速度（加快安裝效率），並且可根據基板側之透明性或色調之條件而擴大可容許之規格之範圍。
又，由硬化樹脂膜40構成之單片42較佳為接著劑膜、含有導電粒子41之導電膜或各向異性導電膜之硬化膜（以下，包括導電膜及各向異性導電膜在內，作為各向異性導電膜而進行說明）。藉此，即便於不在發光元件20設置焊料凸塊等連接部位之情形時，亦可將複數個發光元件20與基板30連接。又，於發光元件20之電極呈突起狀等而可與基板30之配線進行電性連接之情形時，硬化樹脂膜40亦可不含導電粒子41。
各向異性導電膜之硬化膜可為將導電粒子隨機配置而成之硬化膜，較佳為於面方向上排列導電粒子而構成。藉由在面方向上排列導電粒子而構成，粒子面密度變得均勻，可提高傳導性及絕緣性。作為導電粒子於面方向上排列之狀態，例如可列舉具有一個以上之排列軸之平面晶格圖案，於上述排列軸上，導電粒子以特定之間距於特定方向上配置，可列舉斜方晶格、六方晶格、正方晶格、矩形晶格、平行體晶格等。又，各向異性導電膜可具有平面晶格圖案不同之複數個區域。
又，各向異性導電膜之硬化膜之粒子面密度可根據發光元件20之電極尺寸適當地設計，粒子面密度之下限可設為500個/mm 2以上、20000個/mm 2以上、40000個/mm 2以上、50000個/mm 2以上，粒子面密度之上限可設為1500000個/mm 2以下、1000000個/mm 2以下、500000個/mm 2以下、100000個/mm 2以下。藉此，即便於發光元件20之電極尺寸較小之情形時，亦可獲得優異之傳導性及絕緣性。各向異性導電膜之硬化膜之粒子面密度係於製造時形成膜時之導電粒子之面密度。無論是隨機配置之部分還是排列部分，測定所得之面密度均相同。於根據複數個單片42求出粒子個數密度之情形時，可根據「自包含單片42及空間之面積去除單片42間之空間所得之面積」及「粒子數」而求出粒子面密度。單片有時用個數密度表示並不合適，有時用一個單片中之粒子之佔有面積率、或粒徑、粒子間中心距離、及個數表示較為合適。
每個單片之導電粒子之數量可根據發光元件20之電極尺寸適當設計，下限例如為2個以上，較佳為4個以上，更佳為10個以上，上限為6000個以下，較佳為500個以下，更佳為100以下。
單片載置（設置）於基板後之可見光之平均穿透率較佳為20%以上，更佳為35%以上，進而較佳為50%以上。藉此，可獲得具有優異之透光性及美觀之顯示裝置。即便於並非不透明之基板之情形時，亦可將單片貼附於毛坯玻璃或評價用透明基板，將其作為參考（Ref）來求出平均穿透率。設置有發光元件之可見光之平均穿透率變得更低。於安裝有發光元件之情形時，於未點亮之狀態下進行測定。可見光之平均穿透率例如可使用紫外可見光分光光度計進行測定。
圖2係示意性地表示單片之尺寸相對於發光元件之尺寸較小時之構成例的剖面圖，圖3係示意性地表示單片之尺寸相對於發光元件之尺寸較大時之構成例的剖面圖，圖4係示意性地表示習知之顯示裝置之構成例之剖面圖。
只要可獲得傳導性，則相對於發光元件20之尺寸之硬化樹脂膜40之單片之尺寸可如圖2所示，小於發光元件20之尺寸。又，只要可獲得顯示裝置之透光性之效果，則硬化樹脂膜40之單片亦可如圖3所示配置為不僅存在於發光元件之正下方，還存在於周緣部。
單片自發光元件20之突出量較佳為未達30 μm，更佳為未達10 μm，進而較佳為未達5 μm。又，於單片不突出之情形時，突出量可為零或負數。藉此，與於圖4所示之基板130之整個面設置有硬化樹脂膜140之習知之顯示裝置100之構成例相比，可獲得優異之透光率。再者，單片自發光元件20之突出量係發光元件20之周緣至單片之周緣之距離之最大值。或者，於將發光元件20之一邊設為1之情形時，單片之突出量為0.3以下，較佳為0.1以下。
根據本實施形態之顯示裝置，藉由在硬化樹脂膜40之單片間具有露出基板30之露出部30a，可獲得習知之ACP、ACF、NCF等之連接方式所無法達到之優異之透光性、傳導性、及絕緣性，可獲得高亮度、高精細之透明顯示器。
於上述實施形態中，列舉將發光元件20以次像素為單位排列而成之作為顯示器之顯示裝置為例，但本技術並不限定於此，例如亦可應用於作為光源之發光裝置。發光裝置具備：複數個發光元件；基板，其排列發光元件；及硬化樹脂膜，其將複數個發光元件與基板連接；硬化樹脂膜由複數個單片構成，且於單片間具有露出基板之露出部。根據此種發光裝置，藉由發光元件20具有微小尺寸，而每一晶圓之晶片之數量增加，因此可實現低價格化，並且可獲得發光裝置之薄型化及節能化之產業上之優勢。
＜2.顯示裝置之製造方法＞ 本實施形態之顯示裝置之製造方法具有：單片形成步驟，其係於基材上形成由硬化性樹脂膜構成之複數個單片；貼附步驟，其係將複數個單片貼附於基板上；及安裝步驟，其係將發光元件以構成一個像素之次像素為單位安裝至貼附於基板之單片上。藉此，於單片間形成露出基板之露出部，因此可獲得優異之透光性。
又，於本實施形態之接著膜之製造方法中，對形成於基材上之硬化性樹脂膜之去除部照射雷射光，於基材上形成由硬化性樹脂膜構成之單片。又，本實施形態之接著膜具備基材、及形成於基材上之由硬化性樹脂膜構成之複數個單片，單片間之距離為3 μm以上且3000 μm以下。作為基材，例如可列舉PET（Poly Ethylene Terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯）、OPP（Oriented Polypropylene，延伸聚丙烯）、PMP（Poly-4-methylpentene-1，聚4-甲基戊烯-1）、PTFE（Polytetrafluoroethylene，聚四氟乙烯）、玻璃等。又，基材可適宜地使用至少硬化性樹脂膜側之面例如藉由聚矽氧樹脂進行剝離處理所得者。接著膜可捲成捲筒，亦可為片狀體（單片物）或板狀體。
以下，參照圖5～圖11，對形成複數個單片之單片形成步驟（A）、將複數個單片貼附於基板上之貼附步驟（B）、及安裝發光元件之安裝步驟（C）進行說明。
[單片形成步驟（A）] 單片之形成方法並無特別限定，例如可使用藉由雷射、切割等去除硬化性樹脂膜之一部分而形成之方法、藉由印刷方式、噴墨方式等而形成之方法等。就形狀設計之自由度或導電粒子之配置步驟之容易性之方面而言，較佳為預先於基材上進行成膜形成後進行加工。
圖5～7係表示藉由雷射去除硬化性樹脂膜之一部分而形成單片之例之圖，圖5（A）係示意性地表示形成於基材膜上之整個面之硬化性樹脂膜之構成例之俯視圖，圖5（B）係示意性地表示圖5（A）之構成例之剖面圖，圖6（A）係示意性地表示去除硬化性樹脂膜之一部分之構成例之俯視圖，圖6（B）係示意性地表示圖6（A）之構成例之剖面圖，圖7（A）係示意性地表示硬化性樹脂膜之單片之構成例之俯視圖，圖7（B）係示意性地表示圖7（A）之構成例之剖面圖。
首先，如圖5（A）及圖5（B）所示，於基材50上形成硬化性樹脂膜60，準備硬化性樹脂膜基板。硬化性樹脂膜60例如藉由使用混合、塗佈、乾燥等公知之方法來形成。
（基材） 基材50只要對雷射光具有穿透性即可，其中，較佳為於所有波長均具有較高之透光率之石英玻璃。又，於藉由印刷方式、噴墨方式等而形成單片之情形時，作為基材50，可使用PET（Polyethylene Terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯）、PC（Polycarbonate，聚碳酸酯）、聚醯亞胺等。
（硬化性樹脂膜） 硬化性樹脂膜60只要為藉由熱、光等能量進行硬化者，則並無特別限定，例如可自熱硬化型黏合劑、光硬化型黏合劑、熱-光併用硬化型黏合劑等中適當地選擇。作為具體例，列舉含有成膜樹脂、熱硬化性樹脂、及硬化劑之熱硬化型黏合劑進行說明。熱硬化型黏合劑並無特別限定，例如可列舉：包含環氧化合物及熱陰離子聚合起始劑之熱陰離子聚合型樹脂組合物、包含環氧化合物及熱陽離子聚合起始劑之熱陽離子聚合型樹脂組合物、包含(甲基)丙烯酸酯化合物及熱自由基聚合起始劑之熱自由基聚合型樹脂組合物等。再者，所謂(甲基)丙烯酸酯化合物，係指包括丙烯酸系單體（低聚物）及甲基丙烯酸系單體（低聚物）兩種。
該等熱硬化型黏合劑中，較佳為熱硬化性樹脂包含環氧化合物，硬化劑為熱陽離子聚合起始劑。藉此，可抑制藉由雷射光形成單片時之硬化反應，可於熱壓接合時藉由熱而快速硬化。以下，作為具體例，以包含成膜樹脂、環氧化合物、及熱陽離子聚合起始劑之熱陽離子聚合型樹脂組合物為例進行說明。
成膜樹脂相當於例如平均分子量為10000以上之高分子量樹脂，就成膜性之觀點而言，較佳為10000～80000左右之平均分子量。作為成膜樹脂，可列舉丁醛樹脂、苯氧基樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯（polyurethane）樹脂、聚酯胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂等各種樹脂，該等可單獨使用，亦可將兩種以上組合使用。該等之中，就成膜狀態、連接可靠性等之觀點而言，較佳為使用丁醛樹脂。相對於熱硬化型黏合劑100質量份，成膜樹脂之含量較佳為20～70質量份，更佳為30～60質量份，進而較佳為45～55質量份。
環氧化合物只要係於分子內具有一個以上環氧基之環氧化合物，則並無特別限定，例如可為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂等，亦可為胺酯（urethane）改質之環氧樹脂。該等之中，可較佳地使用氫化雙酚A環氧丙基醚。作為氫化雙酚A環氧丙基醚之具體例，例如可列舉Mitsubishi Chemical公司製造之商品名「YX8000」。相對於熱硬化型黏合劑100質量份，環氧化合物之含量較佳為30～60質量份，更佳為35～55質量份，進而較佳為35～45質量份。
作為熱陽離子聚合起始劑，可採用作為環氧化合物之熱陽離子聚合起始劑而公知之熱陽離子聚合起始劑，例如係藉由熱而產生可使陽離子聚合型化合物進行陽離子聚合之酸者，可使用公知之錪鹽、鋶鹽、鏻鹽、二茂鐵類等。該等之中，可較佳地使用針對溫度顯示出良好之潛在性之芳香族鋶鹽。作為芳香族鋶鹽系之聚合起始劑之具體例，例如可列舉三新化學工業股份有限公司製造之商品名「SI-60L」。相對於熱硬化型黏合劑100質量份，熱陽離子聚合起始劑之含量較佳為1～20質量份，更佳為5～15質量份，進而較佳為8～12質量份。
再者，作為摻合於熱硬化型黏合劑之其他添加物，亦可視需要摻合橡膠成分、無機填料、矽烷偶合劑、稀釋用單體、填充劑、軟化劑、著色劑、阻燃劑、觸變劑等。
橡膠成分只要係緩衝性（衝擊吸收性）較高之彈性體，則並無特別限定，作為具體例，例如可列舉丙烯酸系橡膠、聚矽氧橡膠、丁二烯橡膠、聚胺酯樹脂（聚胺酯系彈性體）等。作為無機填料，可使用二氧化矽、滑石、氧化鈦、碳酸鈣、氧化鎂等。無機填料可單獨使用，亦可同時使用兩種以上。
又，硬化性樹脂膜60較佳為進而含有導電粒子之各向異性導電膜。作為導電粒子，可適當地選擇使用「公知之各向異性導電膜中使用之導電粒子」。例如可列舉：鎳、銅、銀、金、鈀、焊料等金屬粒子；利用鎳、金等金屬被覆聚醯胺、聚苯胍
Figure 111111404-001
等樹脂粒子之表面而成之金屬被覆樹脂粒子等。藉此，即便於晶片零件中未設置焊料凸塊等連接部位之情形時，亦可傳導。
各向異性導電膜較佳為於面方向上排列導電粒子而構成。藉由在面方向上排列導電粒子而構成，粒子面密度變得均勻，可提高傳導性及絕緣性。又，各向異性導電膜可構成為「在對應於電極之位置具有導電粒子偏集存在之偏集存在區域，於除此以外之位置具有不存在導電粒子之區域」。就捕獲之觀點而言，偏集存在區域為電極尺寸之0.8倍以上，較佳為1.0倍以上之範圍，就減少導電粒子之方面而言，偏集存在區域為電極尺寸之1.2倍以下，較佳為1.5倍以下之範圍。去除部分可轉用於品質管理或檢查用途等。
又，各向異性導電膜之粒子面密度與硬化膜同樣地，可根據發光元件20之電極尺寸適當設計，粒子面密度之下限可設為500個/mm 2以上、20000個/mm 2以上、40000個/mm 2以上、50000個/mm 2以上，粒子面密度之上限可設為1500000個/mm 2以下、1000000個/mm 2以下、500000個/mm 2以下、100000個/mm 2以下。藉此，即便於發光元件20之電極尺寸較小之情形時，亦可獲得優異之傳導性及絕緣性。各向異性導電膜之硬化膜之粒子面密度係於製造時形成膜時之導電粒子之排列部分之粒子面密度。於由複數個單片求出粒子個數密度之情形時，可根據「自包含單片及空間之面積去除單片間之空間所得之面積」及「粒子數」而求出粒子面密度。
導電粒子之粒徑並無特別限制，粒徑之下限較佳為1 μm以上，例如就連接結構體中之導電粒子之捕獲效率之觀點而言，粒徑之上限例如較佳為50 μm以下，進而較佳為20 μm以下。根據電極之尺寸，有時亦會要求粒徑未達3 μm，較佳為未達2.5 μm。再者，導電粒子之粒徑可設為藉由圖像型粒度分佈儀（一例為FPIA-3000：Malvern Panalytical公司製造）測定所得之值。該個數宜為1000個以上，較佳為2000個以上。
硬化性樹脂膜60之厚度之下限例如可為導電粒子之粒徑之60%以上，為了應對相對較小之粒徑，亦可為90%以上，較佳為可設為導電粒徑之1.3倍以上或者3 μm以上。又，連接膜之厚度之上限例如可設為20 μm以下或者導電粒子之粒徑之3倍以下、較佳為2倍以下。又，硬化性樹脂膜60亦可積層不含導電粒子之接著劑層或黏著劑層，其層數或積層面可按照對象或目的適當地選擇。又，作為接著劑層或黏著劑層之絕緣性樹脂，可使用與硬化性樹脂膜60相同者。膜厚度可使用公知之測微計或數位厚度規進行測定。膜厚度例如可測定10處以上並取平均值而求出。
關於硬化性樹脂膜60之正反各面之使用探針法測得之黏著力，例如於探針之壓抵速度為30 mm/min、加壓力為196.25 gf、加壓時間為1.0 sec、剝離速度為120 mm/min、測定溫度為23℃±5℃之條件下測量時，可將正面與反面之至少一者設為1.0 kPa（0.1 N/cm 2）以上，較佳為設為1.5 kPa（0.15 N/cm 2）以上，更佳為高於3 kPa（0.3 N/cm 2）。關於測定，例如可藉由將3 cm×3 cm以上之硬化性樹脂膜60之一面貼附於毛坯玻璃（例如厚度為0.3 mm）來測定另一面之黏著力。藉由使硬化性樹脂膜60之正面與反面之至少一者之黏著力處於上述範圍，可維持硬化性樹脂膜60於基材50之貼附，並且於下述之貼附步驟（B）中，可維持複數個單片於基板30之貼附。
繼而，如圖6（A）及圖6（B）所示，對硬化性樹脂膜60之去除部61照射雷射光，如圖7（A）及圖7（B）所示，於基材50上形成由硬化性樹脂膜構成之單片62。
單片62之尺寸（縱×橫）根據晶片零件即發光元件20之尺寸適當設定，單片62之面積相對於發光元件20之面積之比較佳為0.5～5.0，更佳為0.5～4.0，進而較佳為0.5～2.0。又，單片62之厚度較佳為2～10 μm，更佳為3～8 μm，進而較佳為4～6 μm。單片之尺寸較佳為全部相同，亦可存在複數種單片尺寸，以提高連接結構體之設計自由度。藉此，可獲得具有習知之ACP、ACF、NCF、接著劑等之連接方式所無法達到之優異之透光性、傳導性、及絕緣性之連接結構體。
又，排列於基材50之特定位置之單片62間之距離較佳為3 μm以上，更佳為5 μm以上，進而較佳為10 μm以上。又，單片間之距離之上限較佳為3000 μm以下，更佳為1000 μm以下，進而較佳為500 μm以下。於單片間之距離過小之情形時，難以獲得優異之透光性及美觀，於單片間之距離過大之情形時，難以獲得高PPI之顯示裝置。
圖8係示意性地表示自基材側照射雷射光將去除部61去除而形成單片62之方法之剖面圖。去除部61之去除例如可使用雷射誘導前向轉移（LIFT：Laser Induced Forward Transfer）裝置。雷射誘導前向轉移裝置例如具備：望遠鏡，其使自雷射裝置出射之脈衝雷射光變成平行光；整形光學系統，其將通過望遠鏡之脈衝雷射光之空間強度分佈均勻地整形；遮罩，其使經整形光學系統整形之脈衝雷射光以特定之圖案通過；場透鏡，其位於整形光學系統與遮罩之間；及投影透鏡，其將通過遮罩圖案之雷射光縮小投影至施體基板；且將作為施體基板之硬化性樹脂膜基板保持於施體台。
作為雷射裝置，例如可使用使波長為180 nm～360 nm之雷射光振盪之準分子雷射器。準分子雷射器之振盪波長例如為193、248、308、351 nm，可根據硬化性樹脂膜60之材料之光吸收性而自該等振盪波長中適當地選擇。又，於在基材50與硬化性樹脂膜60之間設置釋放材之情形時，可根據釋放材之材料之光吸收性適當地選擇。
遮罩係使用以特定間距形成有特定尺寸之開口之排列之圖案，使得基材50與硬化性樹脂膜60之邊界面上之投影成為所需之雷射光之排列。例如藉由鍍鉻對遮罩施加圖案，未實施鍍鉻之開口部分使雷射光穿透，實施了鍍鉻之部分阻斷雷射光。
來自雷射裝置之出射光入射至望遠鏡光學系統，並傳輸至其前方之整形光學系統。即將入射至整形光學系統之前之雷射光由於藉由望遠鏡光學系統調整為於該施體台之X軸移動範圍內之任一位置，均大致成為平行光，故而通常大致以同一尺寸、同一角度（垂直）入射至整形光學系統。
通過整形光學系統之雷射光經由與投影透鏡組合構成像側遠心縮小投影光學系統之場透鏡而入射至遮罩。通過遮罩圖案之雷射光藉由垂直照射鏡將其傳輸方向改變為垂直向下，而入射至投影透鏡。自投影透鏡出射之雷射光自基材50側入射，以遮罩圖案之縮小尺寸準確地投影至形成於其表面（下表面）之硬化性樹脂膜60之特定位置。
雷射照射中之雷射能量強度並無特別限制，可根據目的適當地選擇，較佳為5%以上且100%以下，更佳為5%以上且50%以下。雷射能量強度係指以將雷射照射強度10,000 mJ/cm 2設為100時之輸出百分比表示之強度。例如，雷射能量強度為10%係指雷射照射強度為1,000 mJ/cm 2。
又，雷射之照射次數並無特別限制，可根據目的適當地選擇，較佳為1次～10次。雷射照射中之總雷射照射強度較佳為500 mJ/cm 2以上且10,000 mJ/cm 2以下，更佳為1,000 mJ/cm 2以上且5,000 mJ/cm 2以下。此處，總雷射照射強度係指以雷射照射時n次之雷射照射強度之總和之形式算出之照射強度。此處，「n」表示雷射之照射次數。
作為用以去除各向異性導電層之雷射照射裝置，可使用LMT-200（Toray Engineering公司製造）、C.MSL-LLO1.001（TAKANO公司製造）、DFL7560L（DISCO公司製造）等可用脈衝雷射進行剝蝕之裝置。
藉由使用此種雷射誘導前向轉移裝置，可於基材50與硬化性樹脂膜60之邊界面，於經雷射光照射之硬化性樹脂膜60產生衝擊波，從而將去除部61自基材50剝離並去除，可高精度及高效率地使硬化性樹脂膜60之單片62排列於基材50上。
再者，根據不同的方法而去除基材50上之去除部61的情況下，可能會於單片62發生「翻捲」。於樹脂層因翻捲而成為雙層之部分貼附於電極部分之情形時，可能會發生連接不良。又，單片62之形狀發生變形亦可能會導致接著不良。單片62之翻捲部分較佳為未達預先設定之單片62之特定面積之20%。又，於將單片62貼附於基板30上之情形時亦可能會於單片62之周緣部發生「翻捲」，於此情形時同樣地，單片62之翻捲部分較佳為未達預先設定之單片62之特定面積之20%。藉此，可抑制連接不良或接著不良。又，預先設定之單片62之形狀較佳為矩形。於單片62之形狀發生變形之情形時，可由膜面積換算成矩形來求出尺寸。單片62之一邊之尺寸可適用與原始形狀近似之尺寸。又，於單片62翻捲之情形時，可基於未翻捲之形狀近似為矩形。於存在複數個單片62之情形時，亦可將未翻捲之預先設定之單片62之特定面積設為100%來計算。其等可藉由下述之觀察方法來求出。
[貼附步驟（B）] 於貼附步驟（B）中，將排列於基板50上之複數個單片62貼附於基板30上。單片62之貼附方法並無特別限定，例如可列舉將單片62自基材50暫貼而轉印至基板30之方法。
當於單片形成步驟（A）中，於基材50上以次像素為單位形成單片時，於貼附步驟（B）中，較佳為將基材50上之單片62轉印至基板30上。藉由將基材50與基板30之位置對準而進行轉印，可於基板30上以次像素為單位排列單片62。又，於基板30之尺寸相對於基材50之尺寸較大之情形時，可藉由複數次將基材50上之單片62轉印至基板30上，而於基板30之畫面區域以次像素為單位排列單片62。
貼附步驟（B）後之貼附有複數個單片62之基板30之可見光之平均穿透率較佳為20%以上，更佳為35%以上，進而較佳為50%以上。藉此，可獲得具有優異之透光性及美觀之顯示裝置。
[安裝步驟（C）] 於安裝步驟（C）中，首先，將發光元件20搭載於基板30之單片62上。將發光元件20搭載於基板30之方法並無特別限定，例如可列舉：藉由雷射剝離法（LLO法）將發光元件20自晶圓基板直接轉印並配置於基板30之方法、或使用預先使發光元件20密接之轉印基板將發光元件20自轉印基板轉印並配置於基板30之方法。
以下，參照圖9及圖10，對照射雷射光而使發光元件噴附於單片上之步驟進行說明。圖9係示意性地表示使設置於基材之發光元件與基板上之單片相對向之狀態之剖面圖，圖10係示意性地表示自基板側照射雷射光，使發光元件轉印並排列於基板之特定位置之狀態的剖面圖。
如圖9所示，首先，使設置有發光元件20之晶片零件基板70與基板30上之由硬化性樹脂膜構成之單片62相對向。
晶片零件基板70具備基材71、釋放材72、及發光元件20，於釋放材72之表面貼附有發光元件20。基板71只要對雷射光具有穿透性即可，其中，較佳為於所有波長均具有較高之透光率之石英玻璃。釋放材72只要對雷射光之波長具有吸收特性即可，藉由雷射光之照射產生衝擊波，使發光元件20向基板30側彈開。作為釋放材72，例如可列舉聚醯亞胺。
發光元件20與單片62間之距離D例如為10～100 μm。發光元件20之寬度W20較佳為未達150 μm，更佳為未達50 μm，進而較佳為未達20 μm。又，發光元件20之厚度T20例如為1～20 μm。釋放材72之厚度T72例如為1 μm以上。單片62之尺寸（縱×橫）根據發光元件20之尺寸適當地設定，較佳為單片62相對於發光元件20之面積比為0.5～5.0。又，單片62之厚度T62較佳為2～10 μm，更佳為3～8 μm，進而較佳為4～6 μm。發光元件20與單片62間之距離D例如可藉由光學顯微鏡、雷射顯微鏡、白色顯微鏡等進行觀察並確認。導電粒徑或導電粒子之排列形狀、導電粒子間距離等亦可同樣地求出。
繼而，如圖10所示，自基板71側照射雷射光80，使發光元件20轉印並排列於基板30之單片62上。於轉印發光元件20時，例如可使用上述雷射誘導前向轉移裝置，將施體基板即晶片零件基板70保持於施體台，將受體基板即基板30保持於受體台。通過遮罩圖案之雷射光80自基材71側入射，以遮罩圖案之縮小尺寸準確地投影至形成於其表面（下表面）之釋放材72之特定位置。於基材71與釋放材72之邊界面，利用雷射光80之照射而於釋放材72產生衝擊波，藉此複數個發光元件20自基材71剝離，朝向基板30進行雷射誘導前向轉移，而噴附於基板30之單片62上。藉此，可抑制發光元件20之偏移、變形、破壞、脫落等不良之產生，高精度及高效率地使發光元件20轉印並排列，從而可縮短產距時間。
其次，對排列於基板30之特定位置之發光元件20隔著單片62進行熱壓接合。作為將發光元件20熱壓接合於基板30之方法，可適當地選擇使用公知之硬化性樹脂膜中使用之熱壓接合方法。作為熱壓接合條件，例如為溫度150℃～260℃、壓力1 MPa～60 MPa、時間5秒～300秒。藉由使硬化性樹脂膜硬化，從而形成硬化樹脂膜。又，於導電性粒子為焊料粒子之情形時，亦可藉由回焊進行連接。
根據本實施形態之顯示裝置之製造方法，可於在硬化樹脂膜40之單片間設置有露出基板30之露出部30a之狀態下使發光元件20連接於基板30上。藉此，可獲得習知之ACP、ACF、NCF、接著劑等之連接方式所無法達到之優異之透光性、傳導性、及絕緣性，可獲得高亮度、高精細之透明顯示器。
於上述實施形態中，列舉將發光元件20以次像素為單位排列而成之作為顯示器之顯示裝置之製造方法為例，但本技術並不限定於此，例如亦可應用於作為光源之發光裝置之製造方法。發光裝置之製造方法具有：單片形成步驟，其係去除形成於基材上之硬化性樹脂膜之一部分，於基材上形成由硬化性樹脂膜構成之複數個單片；貼附步驟，其係將複數個單片貼附於基板上；及安裝步驟，其係將發光元件安裝於貼附於基板之單片上。根據此種發光裝置之製造方法，可實現低價格化，又，可獲得發光裝置之薄型化及節能化之產業上之優勢。
又，於上述實施形態中，單片形成步驟（A）中係以發光元件為單位，即以次像素為單位形成單片，但並不限定於此，例如，亦可以發光元件之電極為單位形成。
於以發光元件之電極為單位形成單片之情形時，單片之尺寸（縱×橫）根據發光元件之電極之尺寸適當地設定，與以發光元件為單位形成單片之情形同樣地，單片之面積相對於電極之面積之比較佳為0.5～5.0，更佳為0.5～4.0，進而較佳為0.5～2.0。又，單片之厚度較佳為2～10 μm，更佳為3～8 μm，進而較佳為4～6 μm。
圖11係示意性地表示使單片排列於配線基板之電極上之狀態之剖面圖，圖12係示意性地表示將發光元件安裝於以電極為單位排列之單片上之狀態之剖面圖。於單片形成步驟（A）中以發光元件20之電極為單位形成單片之情形時，於貼附步驟（B）中，將單片63貼附於基板30之電極上。即，如圖11所示，將第1單片63A及第2單片63B分別貼附於發光元件20之例如分別對應於p側之第1導電型電極22及n側之第2導電型電極23之第1電極32及第2電極33。然後，如圖12所示，於安裝步驟（C）中，將發光元件20安裝於以電極為單位排列於配線基板30上之單片63上。藉此，可進一步提高顯示裝置之透明性。
又，於單片形成步驟（A）中，藉由雷射去除硬化性樹脂膜之一部分而形成單片之情形時，亦可對硬化性樹脂膜進行預處理，以高效率地去除硬化性樹脂膜之不需要部分。作為預處理，例如可列舉：以發光元件為單位或以電極為單位之單片形狀之切口、複數個縱向之切口及複數個橫向之切口交叉而成之格子狀切口等。切口可使用機械方法、化學方法、雷射等而設置。再者，切口可不深至到達基材，亦可為半切口。藉此，可抑制單片發生翻捲。
又，於貼附步驟（B）中，亦可使用上述雷射誘導前向轉移裝置，將排列於基材50上之以發光元件為單位之複數個單片62或以電極為單位之複數個單片63轉印至基板30。藉由使用雷射誘導前向轉移裝置，於基材與單片之邊界面，於經雷射光照射之單片產生衝擊波，單片自基材剝離而向基板30進行雷射誘導前向轉移，從而使單片高精度地噴附於基板30之特定位置。藉此，可縮短產距時間。
又，亦可使用上述雷射誘導前向轉移裝置，將排列於基材50上之以發光元件為單位之複數個單片62或以電極為單位之複數個單片63轉印至排列於晶片零件基板70上之發光元件20，並將轉印有單片之發光元件20再次轉印至基板30上。藉此，可縮短產距時間。 [實施例]
＜3.實施例＞ 於本實施例中，針對晶片之尺寸改變連接材料之尺寸進行安裝，對可見光穿透率、接著劑之突出量、及安裝前後之對準之偏移量進行評價。又，亦對傳導電阻及絕緣電阻進行評價。再者，本技術並不限定於該等實施例。
[實施例1] 以聚乙烯醇縮丁醛樹脂（商品名：KS-10，積水化學工業股份有限公司製造）為50 wt%、氫化雙酚A環氧丙基醚（商品名：YX8000，Mitsubishi Chemical股份有限公司製造）為40 wt%、及陽離子聚合起始劑（商品名：SI-60L，三新化學工業股份有限公司製造）為10 wt%之方式進行混合、塗佈、乾燥（60℃-3 min），從而獲得樹脂膜。
藉由日本專利6187665號所記載之方法，以樹脂膜之一界面與導電粒子大致一致之方式將導電粒子（平均粒徑為2.2 μm，樹脂芯金屬被覆微粒子，鍍鎳0.2 μm厚，積水化學工業股份有限公司製造）壓入並轉印至所獲得之樹脂膜，從而獲得厚度為4.0 μm、粒子面密度為58000個/mm 2之各向異性導電膜。各向異性導電膜於俯視時導電粒子之排列為六方晶格排列。
藉由雷射剝蝕將玻璃上之各向異性導電膜之一部分去除，以特定之排列於玻璃上形成厚度為4.0 μm之15×30 μm（面積比為1.0）之各向異性導電膜之單片。雷射照射條件如下所述。 雷射種類：YAG雷射 雷射波長：266 nm 雷射能量強度：10% 雷射照射次數：1次
然後，以模仿微型LED之15×30 μm之微晶片於1.5×1.5 cm之範圍內相當於110 ppi（晶片佔有面積率：2.46%，總晶片數：12288個）之方式，使單片暫貼而排列於玻璃基板之特定位置，然後隔著單片對微晶片進行熱壓接合（溫度170℃-壓力30 Mpa-時間30 sec），從而獲得安裝體。
[實施例2] 於玻璃上以特定之排列形成厚度為4.0 μm之10.6×21.2 μm（面積比為0.5）之各向異性導電膜之單片，除此以外，以與實施例1同樣之方式獲得安裝體。
[實施例3] 於玻璃上以特定之排列形成厚度為4.0 μm之33.5×67.1 μm（面積比為5.0）之各向異性導電膜之單片，除此以外，以與實施例1同樣之方式獲得安裝體。
[實施例4] 獲得厚度為6.0 μm、粒子面密度為58000個/mm 2之各向異性導電膜之後，於玻璃上以特定之排列形成厚度為6.0 μm之15×30 μm之各向異性導電膜之單片，除此以外，以與實施例1同樣之方式獲得安裝體。
[實施例5] 獲得厚度為4.0 μm、粒子面密度為100000個/mm 2之各向異性導電膜之後，於玻璃上以特定之排列形成厚度為4.0 μm之15×30 μm之各向異性導電膜之單片，除此以外，以與實施例1同樣之方式獲得安裝體。
[實施例6] 將聚乙烯醇縮丁醛樹脂（商品名：KS-10，積水化學工業股份有限公司製造）50 wt%、氫化雙酚A環氧丙基醚（商品名：YX8000，Mitsubishi Chemical股份有限公司製造）40 wt%、及陽離子聚合起始劑（商品名：SI-60L，三新化學工業股份有限公司製造）10 wt%混合而獲得樹脂組合物，以粒子面密度達到58000個/mm 2之方式將導電粒子（與實施例1相同之導電粒子）混合於上述樹脂組合物中，並進行塗佈、乾燥（60℃-3 min），從而獲得厚度為4.0 μm之各向異性導電膜。然後，於玻璃上以特定之排列形成厚度為4.0 μm之15×30 μm之各向異性導電膜之單片，除此以外，以與實施例1同樣之方式獲得安裝體。
[比較例1] 以氫化雙酚A環氧丙基醚（商品名：YX8000，Mitsubishi Chemical股份有限公司製造）為95 wt%、及鋁螯合潛在性硬化劑為5 wt%之方式進行混合而獲得樹脂組合物，將導電粒子（與實施例1相同之導電粒子）2 vol%及氧化鈦10 vol%分散於上述樹脂組合物中，從而獲得各向異性導電膏。
將各向異性導電膏塗佈於玻璃上之整個面，獲得厚度為4.0 μm之各向異性導電膜，然後以模仿微型LED之15×30 μm之微晶片於1.5×1.5 cm之範圍內相當於110 ppi之方式，隔著各向異性導電膜對微晶片進行熱壓接合（溫度170℃-壓力30 Mpa-時間30 sec），從而獲得安裝體。
[比較例2] 將聚乙烯醇縮丁醛樹脂（商品名：KS-10，積水化學工業股份有限公司製造）50 wt%、氫化雙酚A環氧丙基醚（商品名：YX8000，Mitsubishi Chemical股份有限公司製造）40 wt%、及陽離子聚合起始劑（商品名：SI-60L，三新化學工業股份有限公司製造）10 wt%混合而獲得樹脂組合物，以粒子面密度達到58000個/mm 2之方式將導電粒子（與實施例1相同之導電粒子）混合於上述樹脂組合物中，並進行塗佈、乾燥（60℃-3 min），從而獲得厚度為4.0 μm之各向異性導電膜。然後，將各向異性導電膜貼附於玻璃上之整個面，獲得厚度為4.0 μm之各向異性導電膜，然後以模仿微型LED之15×30 μm之微晶片於1.5×1.5 cm之範圍內相當於110 ppi之方式，隔著各向異性導電膜對微晶片進行熱壓接合（溫度170℃-壓力30 Mpa-時間30 sec），從而獲得安裝體。
[比較例3] 將樹脂膜與使導電粒子（與實施例1相同之導電粒子）以特定之圖案排列之基板進行貼合，將導電粒子轉印至樹脂膜，從而獲得厚度為4.0 μm、粒子面密度為58000個/mm 2之各向異性導電膜。然後，將各向異性導電膜貼附於玻璃上之整個面，獲得厚度為4.0 μm之各向異性導電膜，然後以模仿微型LED之15×30 μm之微晶片於1.5×1.5 cm之範圍內相當於110 ppi之方式，隔著各向異性導電膜對微晶片進行熱壓接合（溫度170℃-壓力30 Mpa-時間30 sec），從而獲得安裝體。
[可見光穿透率之評價] 使用穿透率測定裝置（島津製作所製造之UV-2450，JIS Z 8729，光源為Type-C，視角為2°），對設有單片之排列（實施例1～6）、各向異性導電膜（比較例2、3）、或塗佈有各向異性導電膏之各向異性導電膜（比較例1）之石英玻璃（厚度0.4 mm）測定可見光（波長400～700 nm）之平均穿透率。可見光穿透率之評價係根據可見光之平均穿透率記為下述A～D之判定。可見光穿透率之評價較理想為達到C判定以上。 A：50%以上 B：35%以上且未達50% C：20%以上且未達35% D：未達20%
[突出量之評價] 將模仿微型LED之微晶片安裝之後，利用金相顯微鏡自微晶片側對外觀進行確認，測量自微晶片突出之接著劑之長度。突出量之評價係根據接著劑之突出量記為下述A～D之判定。突出量之評價較理想為達到C判定以上。 A：未達5 μm B：5 μm以上且未達10 μm C：10 μm以上且未達30 μm D：30 μm以上
[安裝前後之對準偏移之評價] 將模仿微型LED之微晶片暫時固定於玻璃上之各向異性導電膜，之後利用金相顯微鏡對外觀進行確認，於安裝晶片後再次利用金相顯微鏡自微晶片側對外觀進行確認。然後，確認安裝前後是否發生對準偏移，於發生晶片偏移之情形時，測量其偏移量之長度。晶片偏移之評價係根據晶片之偏移量記為下述A～D之判定。晶片偏移之評價較理想為達到C判定以上。 A：未達0.1 μm B：0.1 μm以上且未達1 μm C：1 μm以上且未達2 μm D：2 μm以上
[傳導電阻及絕緣電阻之評價] 使用實施例1～6及比較例1～3之各連接材料，使評價用IC晶片（外形：5 mm×5 mm，厚度：0.15 mm，電極尺寸：15 μm×30 μm，電極：Au，突起高度：10 μm）熱壓接合（溫度170℃-壓力30 Mpa-時間30 sec）於評價用玻璃基板（外形：28 mm×65 mm，厚度：0.5 mm，電極：ITO/MoNb配線）上，從而獲得連接體。
藉由四端子法測定連接體之傳導電阻。傳導電阻之評價係根據傳導電阻值記為下述A～D之判定。傳導電阻之評價較理想為達到C判定以上。 A：未達30 Ω B：30 Ω以上且未達100 Ω C：100 Ω以上且未達300 Ω D：300 Ω以上
於100處測量電極間（7 μm）之絕緣空間，將10 7Ω以下視為短路而進行計數。絕緣電阻之評價係根據短路部位數記為下述A～D之判定。傳導電阻之評價較理想為達到C判定以上。 A：短路部位為0個 B：短路部位為1個 C：短路部位為2個 D：短路部位為3個以上
於表1中示出實施例1～6及比較例1～3之可見光穿透率、接著劑之突出量、晶片之偏移量、傳導電阻、及絕緣電阻之評價結果。
[表2]
   實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 比較例1 比較例2 比較例3
安裝前樣本形態 單片 單片 單片 單片 單片 單片 膏 膜 膜
面方向之粒子狀態 排列 排列 排列 排列 排列 隨機 隨機 隨機 排列
導電粒徑[μm] 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2
粒子面密度[pcs/mm 2] 58K 58K 58K 58K 100K 58K    58K 58K
厚度[μm] 4.0 4.0 4.0 6.0 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0
ACF面積/晶片面積 1.0 0.5 5.0 1.0 1.0 1.0 ＞5.0 ＞5.0 ＞5.0
可見光穿透率之評價 A A B B A A C D D
突出量之評價 A A C A A A D D D
安裝後晶片偏移之評價 A A A C A A C A A
傳導電阻之評價 A C A A A C D C A
絕緣電阻之評價 A A A A D D D D A
如表1所示，使用ACP之比較例1由於膏之性質，於安裝時樹脂流動較大，因此於微晶片之間距之間存在ACP之接著樹脂及導電粒子，妨礙光穿透，從而無法獲得良好之穿透性。又，使用ACP之比較例1由於評價用IC晶片之電極尺寸較小，故而無法獲得傳導電阻及絕緣電阻良好之評價。
使用ACF之比較例2、3由於將ACF貼附於玻璃基板之整個面而安裝微晶片，故而與比較例1同樣地，於微晶片之間距之間存在ACF之接著樹脂及導電粒子，妨礙光穿透，從而無法獲得良好之穿透性。又，使用隨機排列之ACF之比較例2由於評價用IC晶片之電極尺寸較小，故而無法獲得傳導電阻及絕緣電阻良好之評價。
另一方面，使用各向異性導電膜之單片之實施例1～6由於在微晶片之間距之間具有露出玻璃基板之露出部，故而獲得較高之可見光穿透率，突出量方面亦獲得良好之評價。又，使用排列且粒子密度為40000～80000個/mm 2之單片之實施例1～4獲得絕緣電阻良好之評價。
10:顯示裝置 20:發光元件 21:本體 22:第1導電型電極 23:第2導電型電極 30:基板 30a:露出部 31:基材 32:第1電極 33:第2電極 40:硬化樹脂膜 41:導電粒子 42:單片 50:基材 60:硬化性樹脂膜 61:去除部 62:單片 63:單片 63A:第1單片 63B:第2單片 70:晶片零件基板 71:基材 72:釋放材 80:雷射光 100:顯示裝置 120:發光元件 121:本體 130:基板 131:基材 140:硬化樹脂膜 141:導電粒子 D:發光元件20與單片62間之距離 W20:發光元件20之寬度 T20:發光元件20之厚度 T62:單片62之厚度 T72:釋放材72之厚度
[圖1]係示意性地表示顯示裝置之構成例之剖面圖。 [圖2]係示意性地表示單片之尺寸相對於發光元件之尺寸較小時之構成例的剖面圖。 [圖3]係示意性地表示單片之尺寸相對於發光元件之尺寸較大時之構成例的剖面圖。 [圖4]係示意性地表示習知之顯示裝置之構成例之剖面圖。 [圖5（A）]係示意性地表示形成於基材膜上之整個面之硬化性樹脂膜之構成例的俯視圖，[圖5（B）]係示意性地表示圖5（A）之構成例之剖面圖。 [圖6（A）]係示意性地表示將硬化性樹脂膜之一部分去除之構成例之俯視圖，[圖6（B）]係示意性地表示圖6（A）之構成例之剖面圖。 [圖7（A）]係示意性地表示硬化性樹脂膜之單片之構成例之俯視圖，[圖7（B）]係示意性地表示圖7（A）之構成例之剖面圖。 [圖8]係示意性地表示自基材側照射雷射光將去除部去除而形成單片之方法的剖面圖。 [圖9]係示意性地表示使設置於基材之發光元件與基板上之單片相對向之狀態的剖面圖。 [圖10]係示意性地表示自基板側照射雷射光，使發光元件轉印並排列於基板之特定位置之狀態的剖面圖。 [圖11]係示意性地表示使單片排列於配線基板之電極上之狀態之剖面圖。 [圖12]係示意性地表示將發光元件安裝於以電極為單位排列之單片上之狀態的剖面圖。
10:顯示裝置
20:發光元件
21:本體
22:第1導電型電極
23:第2導電型電極
30:基板
30a:露出部
31:基材
32:第1電極
33:第2電極
40:硬化樹脂膜
41:導電粒子
42:單片

Claims (17)

  1. 一種顯示裝置，其具備：複數個發光元件； 基板，其以構成一個像素之次像素（sub pixel）為單位排列發光元件；及 硬化樹脂膜，其將上述複數個發光元件與上述基板連接；且 上述硬化樹脂膜由複數個單片構成，且於上述單片間具有露出上述基板之露出部。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其係於上述基板上以次像素為單位排列上述單片而成。
  3. 如請求項1或2之顯示裝置，其中，上述單片自上述發光元件之突出量未達30 μm。
  4. 如請求項1至3中任一項之顯示裝置，其中，上述基板為透明基板。
  5. 如請求項1至4中任一項之顯示裝置，其中，上述發光元件之大小未達200 μm。
  6. 如請求項1至5中任一項之顯示裝置，其中，上述硬化樹脂膜含有導電粒子，且係於面方向上排列上述導電粒子而構成。
  7. 一種顯示裝置之製造方法，其具有： 單片形成步驟，其係去除形成於基材上之硬化性樹脂膜之一部分，於上述基材上形成由硬化性樹脂膜構成之複數個單片； 貼附步驟，其係將上述複數個單片貼附於基板上；及 安裝步驟，其係將發光元件以構成一個像素之次像素為單位安裝至貼附於上述基板之單片上。
  8. 如請求項7之顯示裝置之製造方法，其於上述單片形成步驟中，於上述基材上以次像素為單位形成上述單片，且 於上述貼附步驟中，將上述基材上之上述單片轉印至上述基板上。
  9. 如請求項7或8之顯示裝置之製造方法，其中，上述基板為透明基板。
  10. 如請求項7至9中任一項之顯示裝置之製造方法，其中，上述貼附步驟後之貼附有上述複數個單片之基板之可見光之平均穿透率為20%以上。
  11. 如請求項7至10中任一項之顯示裝置之製造方法，其中，上述發光元件之大小未達200 μm。
  12. 如請求項7至11中任一項之顯示裝置之製造方法，其中，上述單片之面積相對於上述發光元件之面積之比為0.5～5.0。
  13. 如請求項7至12中任一項之顯示裝置之製造方法，其中，上述硬化性樹脂膜含有導電粒子，且係於面方向上排列上述導電粒子而構成。
  14. 一種發光裝置，其具備：複數個發光元件； 基板，其排列上述發光元件；及 硬化樹脂膜，其將上述複數個發光元件與上述基板連接；且 上述硬化樹脂膜由複數個單片構成，且於上述單片間具有露出上述基板之露出部。
  15. 一種發光裝置之製造方法，其具有： 單片形成步驟，其係去除形成於基材上之硬化性樹脂膜之一部分，於上述基材上形成由硬化性樹脂膜構成之複數個單片； 貼附步驟，其係將上述複數個單片貼附於基板上；及 安裝步驟，其係將發光元件安裝至貼附於上述基板之單片上。
  16. 一種接著膜，其具備基材、及形成於上述基材上之由硬化性樹脂膜構成之複數個單片，且 上述單片間之距離為3 μm以上且3000 μm以下。
  17. 一種接著膜之製造方法，其對形成於基材上之硬化性樹脂膜之去除部照射雷射光，從而於上述基材上形成由硬化性樹脂膜構成之單片。
TW111111404A 2021-03-26 2022-03-25 顯示裝置之製造方法 TW202245297A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-054277 2021-03-26
JP2021054277 2021-03-26
JP2022-047478 2022-03-23
JP2022047478A JP2022151818A (ja) 2021-03-26 2022-03-23 表示装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202245297A true TW202245297A (zh) 2022-11-16

Family

ID=83395662

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111111404A TW202245297A (zh) 2021-03-26 2022-03-25 顯示裝置之製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20240162405A1 (zh)
KR (1) KR20230110637A (zh)
TW (1) TW202245297A (zh)
WO (1) WO2022202945A1 (zh)

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3906653B2 (ja) * 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
JP6806774B2 (ja) * 2015-12-07 2021-01-06 グロ アーベーＧｌｏ Ａｂ 基板間ｌｅｄ移送のための、孤立ｉｉｉ族窒化物光アイランド上のレーザリフトオフ
JP2017157724A (ja) 2016-03-02 2017-09-07 デクセリアルズ株式会社 表示装置及びその製造方法、並びに発光装置及びその製造方法
JP6796400B2 (ja) 2016-05-31 2020-12-09 デクセリアルズ株式会社 発光装置、及び発光装置の製造方法
JP2018155968A (ja) * 2017-03-17 2018-10-04 日亜化学工業株式会社 透光性部材の製造方法及び発光装置の製造方法
US20190181122A1 (en) * 2017-12-13 2019-06-13 Innolux Corporation Electronic device and method of manufacturing the same
US11127720B2 (en) * 2019-01-21 2021-09-21 Nanosys, Inc. Pixel repair method for a direct view display device

Also Published As

Publication number Publication date
US20240162405A1 (en) 2024-05-16
KR20230110637A (ko) 2023-07-24
WO2022202945A1 (ja) 2022-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112713142B (zh) 发光显示单元及显示装置
US8637878B2 (en) Display panel, display device, illumination panel and illumination device, and methods of manufacturing display panel and illumination panel
TWI786126B (zh) 發光裝置、其製造方法及顯示模組
CN113809114A (zh) 一种led显示模组的制造方法及led显示模组
TW202245297A (zh) 顯示裝置之製造方法
JP2022151816A (ja) 接続フィルム、及び接続構造体の製造方法
JP2021521634A (ja) 平坦な接合面を有するｌｅｄバックプレーンおよびその製造方法
JP2022151818A (ja) 表示装置の製造方法
WO2023157709A1 (ja) 接続構造体の製造方法、及び個片化接着フィルムの転写方法
TW202246049A (zh) 連接膜、及連接結構體之製造方法
WO2024057754A1 (ja) マスク及びマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法及び表示装置
WO2024057755A1 (ja) 個片フィルムの製造方法及び個片フィルム、並びに表示装置の製造方法及び表示装置
TW202416524A (zh) 遮罩及遮罩之製造方法、以及顯示裝置之製造方法及顯示裝置
TW202304014A (zh) 連接結構體之製造方法及連接膜
JP2023121118A (ja) 接続構造体の製造方法、及び個片化接着フィルムの転写方法
US20230369531A1 (en) Method of manufacturing display device
WO2024070281A1 (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法、並びに接続フィルム及び接続フィルムの製造方法
WO2024024192A1 (ja) 発光装置の製造方法及び黒色転写フィルム
WO2023190055A1 (ja) 接続構造体
WO2024070317A1 (ja) 接続構造体
CN114220904A (zh) 显示面板
JP2023152865A (ja) 接続構造体