TW202245110A - 用於磊晶和ｃｖｄ腔室的氣體噴射器 - Google Patents

Abstract

本揭示內容大致與用於處理半導體基板的製程腔室的氣體噴射裝置相關。該氣體噴射裝置包括一個或多個氣體噴射器，該一個或多個氣體噴射器被配置為與該製程腔室耦接。該等氣體噴射器中的每一者被配置為接收製程氣體並且將該製程氣體分佈到一個或多個氣體出口。該等氣體噴射器包括複數個路徑、鰭片陣列和擋板陣列。該等氣體噴射器被單獨加熱。也利用了氣體混合組件，以控制從該等氣體噴射器中的每一者流動到製程容積中的製程氣體的濃度。該氣體混合組件使該等製程氣體的濃度以及流速能夠被控制。

Description

用於磊晶和CVD腔室的氣體噴射器

本揭示內容的實施例大致與用於製造半導體設備的裝置和方法相關。更具體而言，本文所揭露的裝置與用於半導體處理中的氣體噴射的部件相關。

半導體基板的處理有廣泛的應用，包括製造整合設備和微設備。在處理期間，基板被放置在製程腔室內的承載器（susceptor）上。承載器由支撐軸桿所支撐，該支撐軸桿圍繞中心軸線可旋轉。對加熱源（例如設置在基板下方和上方的複數個加熱燈）的精確控制使基板能夠在非常嚴格的公差範圍內被加熱。基板的溫度可以影響沉積於基板上的材料的均勻性。

精確控制製程腔室內的基板溫度的能力對產量（throughput）和生產良率（yield）有很大的影響。常規的製程腔室難以滿足製造下一代設備所需的溫度控制準則，同時滿足不斷增加的改進生產良率和加快輸送量的需求。

因此，需要改進製程腔室和氣體噴射裝置，使硬體部件的替換成本能夠是低的並且能夠增加對整個基板上的氣流的控制。

在本揭示內容的一個實施例中，描述了一種用於製程腔室內的氣體噴射器。該氣體噴射器包括噴射器基部主體，和與該噴射器基部主體耦接並從其向外延伸的噴射器插入件。該噴射器插入件包括氣體引入通道、氣體擴散通道和出口開口。該氣體引入通道通過該噴射器基部主體設置，並且與該噴射器插入件流體耦接。該氣體擴散通道與該氣體引入通道耦接，並且形成氣體分佈樹。該出口開口通過與該氣體引入通道相對的該噴射器插入件的噴射表面設置並且與該氣體擴散通道流體連通。

在另一個實施例中，描述了一種用於進行基板處理的製程腔室。該製程腔室包括基部環、噴射環和一個或多個氣體噴射器。該基部環包括通過其中設置的基板傳輸通道和一個或多個上部腔室排氣通道。該噴射環設置在該基部環的頂部上，並且包括通過其中設置的一個或多個噴射器通道。該一個或多個氣體噴射器中的每一者設置在該等噴射器通道中的一者內部。該等氣體噴射器中的每一者包括配置為與該噴射環的噴射器支撐表面耦接的噴射器基部主體，和從該噴射器基部主體向外延伸的噴射器插入件。該噴射器插入件包括氣體引入通道、氣體擴散通道，和通過與該氣體引入通道相對的該噴射器插入件的噴射表面設置並且與該氣體擴散通道流體連通的出口開口。

在另一個實施例中，描述了一種用於與處理腔室一起使用的氣體混合組件。該氣體混合組件包括製程氣體源、氣體貯存器、排氣轉向閥、排氣泵、複數個分流閥、製程腔室和主流量控制器。該氣體貯存器與該製程氣體源流體耦接。該排氣轉向閥與該氣體貯存器流體耦接。該排氣泵與該排氣轉向閥流體耦接。該複數個分流閥並聯設置，並且與該氣體貯存器流體耦接。該製程腔室包括與該等分流閥中的每一者流體連通的製程容積。該主流量控制器被配置為控制通過該排氣轉向閥和該複數個分流閥中的每一者的流速。

本揭示內容大致與用於進行半導體處理的裝置相關。更具體而言，本文所揭露的裝置與製程腔室和其部件相關。製程腔室被配置為熱沉積腔室，例如磊晶沉積腔室。本文所揭露的製程腔室能夠改進製程氣體的流動和基板的加熱。與常規的腔室相比，該製程腔室的部件成本較低，因此降低了在腔室主體的部分磨損之後，或當腔室主體的一部分的改進設計可用時，替換製程腔室的部分的成本。所揭露的製程腔室克服了常規的挑戰，包括改進通過腔室容積的製程氣體流和使熱控制更均勻，這使產量能夠增加並使製程良率能夠提高。

另外，本文揭露了製程腔室的部件。本文所揭露的部件包括噴射環、基部環、上部燈模組、下部燈模組、承載器、旋轉組件、上部襯墊、下部襯墊和一個或多個加熱元件。製程腔室部件中的每一者被一起使用以使一種或多種製程氣體水平地流過基板的表面。製程腔室部件耦接在一起，並形成製程容積，基板在該製程容積中被處理，例如藉由磊晶沉積被處理。

圖1是依據本揭示內容的實施例，對製程腔室100的示意說明。製程腔室100是磊晶沉積腔室，並且可以用作群集工具（未示出）的一部分。製程腔室100用來在基板（例如基板150）上生長磊晶膜。製程腔室100在處理期間在基板150的整個頂表面上產生前驅物的交叉流動。

製程腔室100包括上部燈模組102、下部燈模組104、腔室主體組件106、承載器組件124、下部窗口120和上部窗口122。承載器組件124設置在承載器組件124與下部燈模組104之間。下部窗口120設置在承載器組件124與下部燈模組104之間。上部窗口122設置在承載器組件124與上部燈模組102之間。

上部燈模組102設置在承載器組件124上方，並被配置為加熱設置在承載器組件124上的基板（例如基板150）。上部燈模組102包括上部模組主體126和通過上部模組主體126設置的複數個燈孔128。該複數個燈孔128中的每一者包括設置在其中的燈130。燈130中的每一者與燈基部129耦接。燈基部129中的每一者支撐燈130中的一者，並將燈130中的每一者與電源（未示出）電耦接。燈129中的每一者是細長的，並以大致垂直的定向固定在孔128內。如本文所述，燈130的大致垂直的定向大約與承載器124的基板支撐表面垂直。燈130的垂直定向不一定與基板支撐表面垂直，也可以相對於基板支撐表面906（圖9）呈約30度至約150度的角度，例如相對於基板支撐表面906呈約45度至約135度的角度，例如相對於基板支撐表面906呈約70度至約110度的角度。

繼續參照圖1，上部燈模組102進一步包括加熱的氣體通道136和高溫計通道138。加熱氣體供應源132與加熱氣體通道136流體耦接。加熱氣體通道136從上部模組主體126的頂表面延伸到底表面。加熱氣體通道136被配置為允許加熱氣體（例如加熱的空氣或加熱的惰性氣體）從加熱氣體供應源132流動到上部窗口122的頂表面，以對流地加熱上部窗口122。加熱氣體被供應到界定在上部燈模組102與上部窗口122之間的上部充氣室180。加熱氣體排氣通道142也通過上部模組主體126設置。加熱氣體排氣通道142與加熱排氣泵140耦接。加熱排氣泵140從上部充氣室180移除氣體。加熱排氣泵140也可以作為製程容積的排氣泵。在一些實施例中，加熱氣體排氣通道142可以是沿著上部模組主體126的邊緣形成的凹槽，或者可以通過與上部充氣室180流體連通的單獨部件形成。

高溫計通道138通過上部模組主體126設置，以使高溫計134（例如掃描高溫計）能夠測量基板150的溫度。高溫計134設置在與高溫計通道138相鄰的上部模組主體126的頂部上。高溫計通道138從上部模組主體126的頂表面延伸到與上部窗口122相鄰的底表面。

下部燈模組104設置在承載器組件124下方，並被配置為加熱設置在承載器組件124上的基板150的底側。下部燈模組104包括下部模組主體182和通過下部模組主體182設置的複數個燈孔186。該複數個燈孔186中的每一者包括設置在其中的燈188。燈188中的每一者以大致垂直的定向設置並與燈基部184耦接。燈基部184中的每一者支撐燈188中的一者，並將燈188中的每一者與電源（未示出）電耦接。如本文所述，燈188的大致垂直的定向是關於承載器124的基板支撐表面來描述的。大致垂直的定向不一定與基板支撐表面垂直，也可以相對於基板支撐表面呈約30度至約150度的角度，例如相對於基板支撐表面呈約45度至約135度的角度，例如相對於基板支撐表面呈約70度至約110度的角度。

下部燈模組104進一步包括承載器軸桿通道195和高溫計通道192。承載器124的支撐軸桿904（圖9）通過承載器軸桿通道195設置。承載器軸桿通道195通過下部模組主體182的中間設置。承載器軸桿通道195被配置為允許承載器124的支撐軸桿904和下部窗口120的一部分通過下部模組主體182。

高溫計通道192通過下部模組主體182設置，以使高溫計190（例如掃描高溫計）能夠測量基板150的底表面或基板支撐件的底表面的溫度。高溫計190設置在與高溫計通道192相鄰的下部模組主體182下方。高溫計通道192從下部模組主體182的底表面設置到與下部窗口120相鄰的下部模組主體182的頂表面。

繼續參照圖1，腔室主體組件106包括噴射環116和基部環114。噴射環116設置在基部環114的頂部上。噴射環116包括通過其中設置的一個或多個氣體噴射器108。基部環114包括通過其中設置的基板傳輸通道162、一個或多個上部腔室排氣通道326（圖3C）和下部腔室排氣通道164。基板傳輸通道162與該一個或多個上部腔室排氣通道326和下部腔室排氣通道164相對地設置。該一個或多個上部腔室排氣通道326中的每一者與排氣模組165耦接。

上部腔室111是製程容積110的一部分，基板150在該部分中被處理，並且製程氣體被噴射到該部分中。下部腔室113是製程容積110的一部分，基板150在該部分中被裝載到承載器組件124上。上部腔室111也可以理解為在承載器組件124處於處理位置時，承載器組件124的承載器上方的容積。下部腔室113被理解為在承載器組件124處於處理位置時，承載器組件124的承載器下方的容積。處理位置（未示出）是基板150被設置為與水平面125平齊或高於水平面125的位置。水平面125是一個平面，噴射環116和基部環114通過該平面彼此接觸。

該一個或多個上部腔室排氣通道326和下部腔室排氣通道164與一個或多個排氣泵（未示出）耦接。該一個或多個排氣泵被配置為經由該一個或多個上部腔室排氣通道326和下部腔室排氣通道164從製程容積110移除廢氣。在一些實施例中，上部腔室排氣通道326和下部腔室排氣通道164中的每一者使用複數個導管與單個排氣泵耦接。在另一個實施例中，與下部腔室排氣通道164相比，上部腔室排氣通道326與不同的排氣泵耦接。

基板傳輸通道162通過基部環114形成，並被配置為允許基板從群集工具（未示出）的傳輸腔室通過基板傳輸通道162。凸緣168與基部環114的一端附接，以能夠將製程腔室100與群集工具（未示出）附接。基板傳輸通道162通過凸緣168。

上部冷卻環118和下部冷卻環112設置在腔室主體組件106的相對側。上部冷卻環118設置在噴射環116的頂部上，並被配置為冷卻噴射環116。下部冷卻環112設置在基部環114下方，並被配置為冷卻基部環114。上部冷卻環118包括通過其中設置的冷卻劑通道146。在一些實施例中，通過冷卻劑通道146循環的冷卻劑可以包括水或油。下部冷卻環112包括通過其中設置的冷卻劑通道148。通過冷卻劑通道148循環的冷卻劑與通過上部冷卻環118的冷卻劑通道146循環的冷卻劑類似。在一些實施例中，上部冷卻環118和下部冷卻環112有助於將噴射環116和基部環114固定到位。上部冷卻環118可以部分地支撐上部燈模組102，而下部冷卻環112可以部分地支撐基部環114和噴射環116。

上部冷卻環118和下部冷卻環112的使用降低了噴射環116和基部環114的溫度，而無需像常規環中那樣，通過噴射環116和基部環114設置附加的冷卻通道。這降低了生產噴射環116和基部環114的成本，因為它們的替換頻率比上部冷卻環118和下部冷卻環112的更高。在一些實施例中，噴射環116可以具有通過其中設置的附加冷卻劑通道421（圖4A）。

噴射環116的該一個或多個氣體噴射器108通過噴射環116內的一個或多個開口設置。在本文所述的實施例中，有通過噴射環116設置的複數個氣體噴射器108。該一個或多個氣體噴射器108被配置為經由一個或多個氣體出口178向製程容積110供應製程氣體。圖1示出了該一個或多個氣體噴射器108中的單個氣體噴射器。氣體噴射器108被示為設置為使得該一個或多個氣體出口178向下指向承載器124和基板150。氣體噴射器108的向下角度可以是相對於水平面大於約5度的角度，例如相對於水平面大於約10度。該一個或多個氣體出口178中的每一者與一個或多個製程氣體供應源（例如第一製程氣體供應源174或第二製程氣體供應源176）流體耦接。在一些實施例中，僅利用第一製程氣體供應源174。在利用第一製程氣體供應源174和第二製程氣體供應源176兩者的實施例中，每個氣體噴射器108內有兩個氣體出口178。兩個氣體出口178以堆疊方式設置，並且使只有在氣體進入製程容積110之後才能混合氣體。在一些實施例中，第一製程氣體供應源174是製程氣體，而第二製程氣體供應源176是清潔氣體。在其他的實施例中，第一製程氣體供應源174和第二製程氣體供應源176兩者是製程氣體。

上部窗口122設置在噴射環116與上部燈模組102之間。上部窗口122是光學透明的窗口，使得由上部燈模組102所產生的輻射能量可以通過其中。在一些實施例中，上部窗口122由石英或玻璃材料所形成。上部窗口122是圓頂形狀，並且在一些實施例中被描述為上部圓頂。上部窗口122的外部邊緣形成周邊支撐件172。周邊支撐件172比上部窗口122的中心部分還厚。周邊支撐件172設置在噴射環116的頂部上。周邊支撐件172與上部窗口122的中心部分連接，並由上部窗口122的中心部分的光學透明材料所形成。

下部窗口120設置在基部環114與下部燈模組104之間。下部窗口120是光學透明的窗口，使得由下部燈模組104所產生的輻射能量可以通過其中。在一些實施例中，下部窗口120由石英或玻璃材料所形成。下部窗口120是圓頂形狀，並且在一些實施例中被描述為下部圓頂。下部窗口120的外部邊緣形成周邊支撐件170。周邊支撐件170比下部窗口120的中心部分還厚。周邊支撐件170與下部窗口120的中心部分連接，並且由相同的光學透明材料所形成。

各種襯墊和加熱器設置在腔室主體組件106的內部和製程容積110內。如圖1所示，有設置在腔室主體組件106內的上部襯墊156和下部襯墊154。上部襯墊156設置在下部襯墊154上方，並設置在噴射環116的內側。下部襯墊154設置在基部環114的內側。上部襯墊154和下部襯墊154被配置為在位於製程容積中時耦接在一起。上部襯墊156和下部襯墊154被配置為遮蔽噴射環116和基部環114的內表面，使其不受製程容積內的製程氣體的影響。上部襯墊156和下部襯墊154進一步起到減少從製程容積到噴射環116和基部環114的熱損失的作用。減少熱損失會改進基板150的加熱均勻性，並在處理期間使基板150上的沉積能夠更加均勻。

上部加熱器158和下部加熱器152也設置在腔室主體組件106和製程容積110內。如圖1所示，上部加熱器158設置在上部襯墊156與噴射環116之間，而下部加熱器152設置在下部襯墊154與基部環114之間。上部加熱器158和下部加熱器152兩者設置在腔室主體組件106的內側，以在基板150位於製程腔室100內時使基板150的加熱能夠更加均勻。上部加熱器158和下部加熱器152減少損失到腔室主體組件106的壁的熱損失，並在形成製程容積110的表面周圍產生更均勻的溫度分佈。上部襯墊156、下部襯墊154、上部加熱器158和下部加熱器152中的每一者與設置在製程容積110內的凸緣160耦接。凸緣160是配置為固定在噴射環116和基部環114的一部分之間的水平表面，以使上部襯墊156、下部襯墊154、上部加熱器158和下部加熱器152中的每一者能夠固定。上部加熱器158和下部加熱器152兩者可以被配置為具有通過其中流動的加熱流體，或可以是電阻式加熱器。上部加熱器158和下部加熱器152的形狀進一步被調整為適應通過噴射環116和基部環114的開口。

承載器組件124設置在製程容積110內，並被配置為在處理期間支撐基板150。承載器組件124包括用於支撐基板150的平坦上表面和通過下部窗口120和下部燈模組104的一部分延伸的軸桿。承載器組件124與移動組件194耦接。移動組件194包括旋轉組件196和升降組件198。旋轉組件196被配置為圍繞中心軸線A旋轉承載器組件124，而升降組件198被配置為在製程容積110內沿著中心軸線A線性地移動承載器組件124。

圖2A是依據本揭示內容的實施例，腔室主體組件106的示意橫截透視圖。腔室主體106包括設置在基部環114的頂部上並與之耦接的噴射環116。噴射環116包括該一個或多個氣體噴射器108。噴射環116包括內表面404，基部環114包括內表面304。基部環114和噴射環116兩者的內表面304、404彼此對準，使得對於基部環114和噴射環116的圓周的至少一部分而言，內表面304、404具有相同的直徑。基部環114和噴射環116的內表面304、404形成中心開口201。中心開口201包括基部環114的開口310和噴射環116的開口410兩者。基部環的頂表面312與噴射環116的底表面324接觸。

一個或多個氣體噴射器108設置在腔室主體組件106的一側，而一個或多個上部腔室排氣通道開口324設置在腔室主體組件106的相對側。該一個或多個上部腔室排氣通道開口324中的每一者與形成在噴射環116的內表面中的凹痕430對準。該一個或多個凹痕430中的每一者和上部腔室排氣通道開口324的對準使由該一個或多個氣體噴射器108噴射的氣體能夠在經由上部腔室排氣通道開口324從製程容積110移除之前流過製程容積110（圖1）並在基板150上方流動。凹痕430有助於收集廢氣和從與噴射環116平齊的區域朝向上部腔室排氣通道開口324向下引導廢氣。一旦廢氣進入上部腔室排氣通道開口324，廢氣就通過一個或多個上部腔室排氣通道開口326流動並從排氣出口330流出。

凹痕430和上部腔室排氣通道開口324的組合會減少製造基部環114和/或噴射環116的複雜度。凹痕430和上部腔室排氣通道開口324的組合會進一步使製程氣體能夠水平地流過製程容積110並保持在上部腔室111中，而不會向下轉入下部腔室113而可能在那裡成為污染源。

圖2B是依據本揭示內容的實施例，通過另一個平面截取的圖2A的腔室主體組件106的示意橫截面圖。圖2B所示的橫截面說明下部腔室排氣通道164，和下部腔室排氣通道164的定向與上部腔室排氣通道開口324、凹痕430和上部腔室排氣通道326中的至少一者之間的關係。如參照圖4D、4E和5B所描述，凹痕430、上部腔室排氣通道開口324和上部腔室排氣通道326相對於下部腔室排氣通道164以一定角度設置。凹痕430和上部腔室排氣通道開口324另外設置在下部腔室排氣通道164上方。下部腔室排氣通道164被配置為從下部腔室113移除廢氣，而上部腔室排氣通道開口324被配置為從上部腔室111移除廢氣。

圖3A是基部環114的示意橫截面圖。基部環114包括基部環主體302，其具有通過其中設置的開口310。開口310形成整個製程腔室100的製程容積110的至少一部分。開口310的尺寸被調整為允許基板和承載器組件124設置在其中。開口310由基部環114的內壁304所形成。開口310從基部環114的頂表面312延伸到基部環114的底表面314。

基部環主體302是基部環114的主體，並且由金屬材料所形成，例如鋼、鋁、銅、鎳或金屬合金。在一些實施例中，基部環主體302可以是碳化矽材料或摻雜碳化矽材料。

如上所述，基板傳輸通道162與該一個或多個上部腔室排氣通道開口324和下部腔室排氣通道164相對地設置。基板傳輸通道162通過基部環114的第一側306設置，而該一個或多個上部腔室排氣通道開口324和下部腔室排氣通道164通過基部環114的第二側308形成。基部環114的第一側306設置在通過基部環114設置的平面C（圖3C）的一側，而基部環114的第二側308設置在平面C的與第一側306相對的一側。平面C通過中心軸線A並且與平面B垂直。平面C將基板傳輸通道162與下部腔室排氣通道164和上部腔室排氣通道開口324分離。在實施例中，有通過基部環114的頂表面312形成的兩個上部腔室排氣通道開口324（圖3B）。這兩個上部腔室排氣通道開口324與基板傳輸通道162相對，但與基板傳輸通道162的正對面偏離。這兩個上部腔室排氣通道開口324是偏移的，以防止氣體在從氣體噴射器108（圖1）流過製程容積110時向內匯聚。氣流反而在整個製程容積中保持更均勻的分佈，並使基板150上的沉積能夠更加均勻。這兩個上部腔室排氣通道開口324設置在密封凹槽316的內側。

基板傳輸通道162的高度H ₁為約7 mm至約30 mm，例如約10 mm至約20 mm，以使基板150和傳輸臂（未示出）能夠通過其中設置。基板傳輸通道162進一步具有約305 mm至約350 mm的寬度W ₁（圖3C），例如約305 mm至約315 mm。寬度W ₁使基板150能夠通過其中和放置在承載器組件124上。

另外參照圖1，下部腔室排氣通道164設置在基板傳輸通道162對面，以使下部腔室排氣通道164與排氣泵（未示出）流體連通。排氣泵也可以與兩個上部腔室排氣通道開口324耦接和流體連通。如本文所述，下部腔室排氣通道164是圓柱形通道或橢圓形通道。下部腔室排氣通道164的高度H ₂為約0 mm至約75 mm，例如約25 mm至約50 mm。下部腔室排氣通道164的高度H ₂被配置為允許足夠的下部腔室氣流與潛在的升降臂組件一起通過其中，如圖10A所示。

繼續參照圖4C，基部環主體302的頂表面312包括設置在其中的密封凹槽316。密封凹槽316環繞內壁304，並且被配置為接收密封環，例如o形環或其他密封墊片。設置在密封凹槽316內的密封環可以是聚合物或塑膠，就肖氏A刻度而言，其硬度大於50硬度計，例如大於60硬度計，例如大於約65硬度計。密封凹槽316的尺寸被調整為接收密封環，該密封環在基部環114與噴射環116之間形成密封，如圖1所示。密封凹槽316設置在上部腔室排氣通道開口324的徑向外側，以防止通過上部腔室排氣通道開口324流動的廢氣從製程腔室100逸出。

頂表面312可選地包括支撐階梯340。支撐階梯340是形成於頂表面312與內壁304之間的凹部。支撐階梯340被配置為支撐凸緣160（圖1）。凸緣160被配置為至少部分地設置在基部環114的支撐階梯340和噴射環116內以將凸緣160固定到位。

基部環主體302的底表面314包括第一密封凹槽318和第二密封凹槽320。第一密封凹槽318和第二密封凹槽320是同心的，並且沿著底表面314環繞內壁304。與第二密封凹槽320相比，第一密封凹槽318相對於軸線A進一步向外設置，使得第一密封凹槽318環繞第二密封凹槽320。第一密封凹槽318和第二密封凹槽320中的每一者被配置為接收密封環，例如o形環或其他密封墊片。設置在第一密封凹槽318和第二密封凹槽320內密封環可以是聚合物或塑膠，就肖氏A刻度而言，其硬度大於50硬度計，例如大於60硬度計，例如大於約65硬度計。第一密封凹槽318和第二密封凹槽320的尺寸被調整為接收密封環，並且能夠在基部環114與下部窗口120的周邊支撐件170之間形成密封，如圖1所示。

圖3B是圖3A的基部環114的示意平面圖。如圖3B所示，頂表面312包括通過其中設置的一個或多個上部腔室排氣通道開口324。該一個或多個上部腔室排氣通道開口324設置在內壁304和密封凹槽316之間。該一個或多個上部腔室排氣通道開口324與上部襯墊156和噴射環116的一部分流體連通，以從製程容積110的上部移除製程氣體。該一個或多個上部腔室排氣通道開口324中的每一者各自經由上部腔室排氣通道326與排氣模組165流體連通。上部腔室排氣通道326是通過基部環主體302設置的通道（圖3C）。上部腔室排氣通道326將排氣模組165中的一者與上部腔室排氣通道開口324中的一者流體耦接。如圖3B所示，有與基部環主體302的第二側308附接的兩個排氣模組165。這兩個排氣模組165中的每一者設置在下部腔室排氣通道164的相對側，使得排氣模組165中的每一者設置在平面B的相對側並在平面B上是鏡像的。平面B通過中心軸線A、基板傳輸通道162的中心和下部腔室排氣通道164（圖3C）。平面B是垂直定向的平面，並將基部環114分成兩半，使得基部環114在平面B上是鏡像的。在參照如圖4B所示的噴射環時，利用相同的平面B。

該一個或多個上部腔室排氣通道開口324各自具有約10 mm至約220 mm的寬度W ₂，例如約20 mm至約150 mm。上部腔室排氣通道開口324中的每一者的寬度W ₂使來自製程容積110內的廢氣能夠被移除，同時減少製程容積110內的氣流的湍流。

上部腔室排氣通道開口324中的每一者相對於平面B設置在第一排氣角α與第二排氣角β之間。第一排氣角α相對於平面B為約5度至約45度的角度，例如相對於平面B為約10度至約30度，例如相對於平面B為約10度至約25度。第一排氣角α大到足以防止上部腔室排氣通道326與下部腔室排氣通道164相交。第二排氣角β是約30度至約70度的角度，例如約35度至約65度，例如約45度至約60度。第二排氣角β大到足以捕捉由一個或多個氣體噴射器108引導過開口310的氣體，而不會使氣體路徑朝向平面B向內發生實質性彎曲。第一排氣角α與第二排氣角β之間的差異為約25度至約60度，例如約30度至約50度。第一排氣角α與第二排氣角β之間的差異使上部腔室排氣通道開口324能夠圍繞開口310的期望周邊設置，使得該差異是上部腔室排氣通道開口324圍繞基部環114延伸的量。

圖3C是通過截線3C-3C截取的圖3A的基部環114的示意橫截平面圖。如圖3C所示，上部腔室排氣通道326中的每一者與通過排氣模組165中的每一者設置的排氣模組通道328流體連接。排氣模組通道328經由上部腔室排氣通道326與上部腔室排氣通道開口324流體連通。排氣模組通道328隨著排氣模組通道328從基部環主體302進一步延伸而變窄，直到排氣模組通道328暴露於排氣出口330。排氣出口330是通過排氣模組通道328的壁形成的開口，並且被配置為與排氣導管（未示出）耦接，以供從製程腔室100移除廢氣。與上部腔室排氣通道開口324類似，上部腔室排氣通道326相對於平面B設置在第一排氣角α與第二排氣角β之間。

圖4A是依據本揭示內容的實施例，噴射環116的示意橫截面圖。噴射環116被配置為位於基部環114的頂部上，並且向製程容積110提供製程氣體。噴射環116是與基部環114分離的部件。噴射環116被配置為將氣體噴過基板的表面，使得通過製程容積110的主要氣流是在水平方向上。可分離的噴射環116使噴射環116能夠容易替換和維護，而不需要替換或移除整個腔室主體組件106。這減少了替換成本，並且使新的氣體噴射改進能夠更容易在對其他腔室部件的影響最小的情況下與製程腔室100一起實施。

噴射環116包括內表面404和外表面406。內表面404圍繞設置在噴射環116內的開口410形成環。開口410形成製程腔室100的製程容積110的至少一部分。噴射環116包括通過其中設置的一個或多個氣體噴射器108。該一個或多個氣體噴射器108從噴射器支撐表面414通過噴射環主體402延伸到內表面404。本文所述的該一個或多個氣體噴射器108通過一個或多個噴射器通道408設置。噴射器通道408中的每一者的尺寸被調整為接收該一個或多個氣體噴射器108中的一者，例如氣體噴射器108中的一者。噴射器通道408從噴射器支撐表面414延伸到內表面404。在噴射器通道408從噴射器支撐表面414移動到內表面404時，噴射器通道408向下延伸。向下延伸被定義為在噴射器通道408朝向內表面404徑向向內移動時，噴射器通道408進一步遠離噴射環116的頂表面418並更靠近噴射環116的底表面424。

內表面404包括凹槽436，凹槽436圍繞內表面404的大部分周邊設置，例如大於內表面404的50%的周邊，例如大於內表面404的60%的周邊，例如大於內表面404的70%的周邊。凹槽436被配置為接收加熱元件，例如上部加熱元件158。凹槽436在圖4A中被示為形成為噴射環116的內表面404和底表面424的一部分。內表面404也包括設置在其中的兩個凹痕430。這兩個凹痕430與噴射器通道408相對地設置。凹痕430設置在凹痕436內，並且比凹槽436更深地延伸到噴射環主體402中，使得與凹槽436相比，凹痕430延伸得更遠離軸線A。

噴射器支撐表面414是噴射環主體402的外表面406的一部分，還具有外部階梯表面416。噴射器支撐表面414被配置為藉由提供用來錨定該一個或多個氣體噴射器108的一部分的表面，來將該一個或多個氣體噴射器108固定到位。該一個或多個氣體出口178通過內表面404設置，並朝向設置在製程容積110內的基板150向下傾斜（圖1）。

噴射環116的底表面424被配置為與基部環114的頂表面312接觸。底表面424是延伸於外表面406與內表面404之間的平坦表面。外部階梯表面416從外表面406的最外側部分延伸到噴射器支撐表面414的底部遠端。噴射器支撐表面406從外部階梯表面416延伸，遠離底表面424。噴射器支撐表面414相對於底表面424以一定角度設置。噴射器支撐表面414的角度至少部分地取決於噴射器通道408和該一個或多個氣體噴射器108的期望向下角度。在本文所述的實施例中，噴射器支撐表面414相對於底表面424的角度大於約45度，例如約45度至約85度，例如約60度至約80度，例如約70度至約80度。噴射器支撐表面414從外部階梯表面416徑向向內延伸，使得離外部階梯表面416最遠的噴射器支撐表面414的遠端更靠近內表面404。

噴射環116的頂表面418從噴射器支撐表面414的上部遠端徑向向內延伸。頂表面418是水平的表面，使得頂表面418與底表面424平行地延伸。頂表面418的與噴射器支撐表面414相對的遠端與窗口支撐溝槽412附接。窗口支撐溝槽412是沿著噴射環116的上表面設置的通道。窗口支撐溝槽412被配置為在其中接受上部窗口122的周邊支撐件172。窗口支撐溝槽412包括第一窗口密封凹槽420和第二窗口密封凹槽422。第一窗口密封凹槽420和第二窗口密封凹槽422中的每一者被配置為接收密封環，例如o形環或其他密封墊片。設置在第一窗口密封凹槽420和第二窗口密封凹槽422內密封環可以是聚合物或塑膠，就肖氏A刻度而言，其硬度大於50硬度計，例如大於60硬度計，例如大於約65硬度計。第一窗口密封凹槽420和第二窗口密封凹槽422的尺寸被調整為接收密封環，並且能夠在噴射環116與上部窗口122之間形成密封，如圖1所示。

窗口支撐溝槽412的內部由有角度的突起411所形成。有角度的突起411設置在第一窗口密封凹槽420和第二窗口密封凹槽422的內側。有角度的突起411從窗口支撐溝槽412向上延伸，並遠離底表面408。有角度的突起411形成設置在有角度的突起411的最內側的窗口支撐溝槽412的一部分和有角度的突起411的最外側的內表面404的一部分。有角度的突起411徑向向內延伸，同時從窗口支撐溝槽412向上延伸。有角度的突起411將上部窗口122的一部分（例如周邊支撐件172）相對於製程容積110遮蔽起來（圖1）。相對於製程容積110將周邊支撐件172遮蔽起來會減少周邊支撐件172以及第一窗口密封凹槽420和第二窗口密封凹槽422內的密封件的加熱負荷。有角度的突起411還保護設置在支撐溝槽412內的密封環，使其不直接暴露於輻射能量或製程氣體，因此延長密封環的提升和可靠度。

冷卻劑通道421可選地通過噴射環主體402設置。冷卻劑通道421被配置為接收冷卻劑流體，例如水或油。冷卻劑通道421是通過噴射環主體402設置的部分環，並且有助於控制噴射環116和基部環114兩者的溫度。

圖4B是圖4A的噴射環116的示意平面圖，它具有複數個氣體噴射器108。圖4B中說明了五個氣體噴射器108。其他數量的氣體噴射器108也在設想之列，例如三個或更多個氣體噴射器108、四個或更多個氣體噴射器108、五個或更多個氣體噴射器108，或六個或更多個氣體噴射器108。氣體噴射器108的數量決定了其中製程氣體被噴射到製程容積110中的區的數量（圖1）。氣體噴射器108中的每一者具有指向噴射環116的中心部分（例如中心軸線A）的氣體出口。氣體噴射器108設置在噴射環116的一側，以在製程腔室100內在整個基板上實現交叉流動。氣體噴射器108的群組以平面B為中心。平面B是通過基部環114的同一平面B。平面B通過中心軸線A設置，並且與平面D垂直。氣體噴射器108中的每一者可以具有設置在其中的複數個單獨的製程氣體通道（圖5A-6B）。在利用五個氣體噴射器108的實施例中，中心氣體噴射器432a形成內部氣體噴射區，兩個最外側的氣體噴射器432c形成外部氣體噴射區，中心氣體噴射器432a與最外側的氣體噴射器432c之間的兩個中間氣體噴射器432b形成中間氣體噴射區。平面B通過中心氣體噴射器432a設置。兩個中間氣體噴射器432b在平面B上是鏡像的。類似地，兩個最外側的氣體噴射器432c在平面B上是鏡像的。噴射器通道408中的每一者具有通過其中設置的氣體噴射器108。噴射器通道408的數量等於氣體噴射器108的數量。

噴射器通道408中的每一者具有噴射器通道寬度W ₃。噴射器通道408中的每一者的噴射器通道寬度W ₃被示為是相同的。在替代性的實施例中，噴射器通道寬度W ₃隨著噴射器通道408從中心氣體噴射器432a向外延伸到最外側的氣體噴射器432c而變化。在一些實施例中，最外側的氣體噴射器432c通過其中延伸的噴射器通道408的噴射器通道寬度W ₃大於中間氣體噴射器432b通過其中延伸的噴射器通道408的噴射器通道寬度W ₃。中間氣體噴射器432b通過其中延伸的噴射器通道408的噴射器通道寬度W ₃大於中心氣體噴射器432a通過其中延伸的噴射器通道408的噴射器通道寬度W ₃。

或者，噴射器通道寬度W ₃隨著噴射器通道408從中心氣體噴射器432a通過其中延伸的噴射器通道408向外延伸而減少。在這個實施例中，最外側的氣體噴射器432c在其中延伸的噴射器通道408的噴射器通道寬度W ₃小於中間氣體噴射器432b在其中延伸的噴射器通道408的噴射器通道寬度W ₃。中間氣體噴射器432b通過其中延伸的噴射器通道408的噴射通道寬度W ₃小於中心氣體噴射器432a通過其中延伸的噴射器通道408的噴射器通道寬度W ₃。

噴射器通道408中的每一者相對於平面B以噴射器角度γ設置。噴射器角度γ是相對於平面B而言的，但相對於第一排氣角α和第二排氣角β是在平面D的相對側。噴射器角度γ小於約90度，例如相對於平面B小於約70度，例如相對於平面B小於約65度，例如相對於平面B小於約60度。噴射器角度γ被配置為在第二排氣角β的10度以內，使得噴射器角度γ與第二排氣角β之間的差異為約-10度至約10度，例如約-5度至約5度，例如約0度。噴射器角度γ和第二排氣角β是類似的，以減少由氣體噴射器108噴射到製程容積110中的氣體在該等氣體被排氣時的偏轉。偏轉氣體可能導致膜沉積的不均勻。

噴射環116包括內表面404內與噴射器通道408相對的凹痕430。凹痕430與該一個或多個上部腔室排氣通道開口324對應（圖3B）。凹痕430設置在該一個或多個上部腔室排氣通道開口324上方，使得凹痕430用作基部環114的該一個或多個上部腔室排氣通道326的第一部分（圖4A）。在本文所述的實施例中，有與兩個上部腔室排氣通道326對應的兩個凹痕430。這兩個凹痕430設置在開口410的與噴射器通道408相對的一側。這兩個凹痕430設置在通過噴射環116的平面D的一側，而噴射器通道408設置在平面D的相對側。這兩個凹痕430偏離噴射環116的在中心氣體噴射器432a通過其中設置的噴射器通道408對面的中心。凹痕430都沒有通過平面B設置。凹痕430在平面B上是鏡像的。如上所述，偏移兩個凹痕430會防止氣體在從氣體噴射器108（圖1）流過製程容積110並流動到上部腔室排氣通道326時向內匯聚。

如本文所述，凹痕430的尺寸和形狀與該一個或多個上部腔室排氣通道開口324類似。凹痕430中的每一者的寬度W ₄為約0 mm至約220 mm，例如約10 mm至約150 mm。寬度W ₄與上部腔室排氣通道開口324的寬度W ₂對應（圖3B）。寬度W ₄被配置為減少製程容積110內的氣流的混亂，以實現主要層狀的氣流和基板150上的均勻沉積。與上部腔室排氣通道開口324類似，凹痕430相對於平面B設置在第一排氣角α與第二排氣角β之間。

噴射環主體402形成噴射環116，並且由金屬材料所形成，例如鋼、鋁、銅、鎳或金屬合金。在一些實施例中，噴射環主體402可以由碳化矽材料或摻雜碳化矽材料製造。

圖5A是依據本揭示內容的一個實施例，氣體噴射器108的示意等軸視圖。氣體噴射器108包括噴射器基部主體502和噴射器插入件500。噴射器插入件500與噴射器基部主體502連接，並且被配置為裝配到噴射器通道408中的一者中（圖4A）。噴射器基部主體502被配置為擱置在噴射器支撐表面414上，並且將噴射器插入件500在噴射器通道408中的一者內固定到位。氣體噴射器108被配置為在噴射器108內產生複數個氣體路徑，並且提供離開設置在噴射器插入件500的與噴射器基部主體502相對的遠端中的氣體出口178的氣體片。

噴射器插入件500和噴射器基部主體502都由對製程氣體反應性低、耐用性高和導熱率高的材料形成。適合形成噴射器基部主體502和噴射器插入件500的材料包括碳化矽、鎳、不銹鋼、鋁和石英。

噴射器插入件500從噴射器基部主體502的後表面506延伸。後表面506充當安裝表面，以將氣體注射器108固定到噴射器支撐表面414。後表面506是圍繞噴射器插入件500的基部501設置的平坦表面。噴射器插入件500包括外表面504和噴射表面510。氣體出口178通過噴射表面510設置。噴射表面510設置在噴射器插入件500的與基部501和噴射器基部502相對的遠端。噴射器插入件500的外表面504被配置為配合噴射器通道408中的一者的內部。噴射器插入件500的外表面504和噴射表面510的橫截面是體育場形狀或長圓形形狀。在一些實施例中，外表面504和噴射表面510的橫截面是卵形或四邊形，例如矩形、平行四邊形或梯形。外表面504和噴射表面510的橫截面的其他形狀也在設想之列，並且可能是有效的。

噴射器插入件500的氣體出口178由出口開口508所形成。出口開口508通過噴射器插入件500的外表面504設置。出口開口508的形狀被調整為分佈通過出口開口508驅動的氣體，以形成引導過基板150的頂表面的氣體片。

圖5B是依據本揭示內容的實施例，通過截線5B-5B截取的圖5A的氣體噴射器108的示意橫截面圖說明。噴射基部主體502包括前表面512。前表面512是噴射基部主體502的與後表面506相對的一側。前表面512被配置為接收一個或多個氣體連接件和一個或多個電連接件。該一個或多個氣體連接件可以是第一製程氣體供應源174和/或第二製程氣體供應源176中的任一者。該一個或多個電連接件未被示出，但可以被配置為向設置在氣體噴射器108內的加熱器供應電源。

氣體引入通道514通過前表面512設置。氣體引入通道514是單個氣體通道，並且被配置為將製程氣體從與前表面512耦接的氣體管道傳輸到設置在噴射器插入件500內的擴散通道516。擴散通道516將來自氣體引入通道514的氣流分割成複數個氣流。擴散成該複數個氣流的氣體擴散可以是漸進或突然的，使得在一些實施例中，單個氣體引入通道514同時分成三個或更多個通道，而在其他的實施例中，單個氣體引入通道514分成兩個氣體，這兩個氣體通道分成四個氣體通道，這四個氣體通道分成八個氣體通道（圖5C）。

因此，擴散通道516是氣體路徑的氣體分配網路或氣體分佈樹。圖5C所示的擴散通道516內的氣體的漸進分裂使氣體通道中的每一者內的氣體的壓力能夠在整個流動方向上達到均衡，因此改進擴散通道516內在複數個單獨路徑552a-h上的氣體分佈均勻性（圖5C）。擴散通道516的不同配置用來改變路徑552a-h中的每一者上的氣體分佈。在圖5C中所描繪的示例中，擴散通道516包括從氣體引入通道延伸到擴散通道516的兩個臂中的第一分叉540。在擴散通道516在第一分叉540處分成兩個臂之後，兩個臂中的每一者在兩個第二分叉542a、542b處分成另外兩個臂。在這兩個第二分叉542a、542b處分裂之後，共有四個臂朝向出口開口508延伸。然後，這四個臂中的每一者在四個第三分叉550a、550b、550c、550d處分成另外兩個臂。在四個第三分叉550a、550b、550c、550d處分裂之後，共有八個臂朝向出口開口508延伸。在一些實施例中，第一分叉540、第二分叉542a、542b或第三分叉550a、550b、550c、550d中的每一者可以替代性地分成另外三個或四個臂而不是另外兩個臂。在又其他的實施例中，可以不利用第二分叉542a、542b或第三分叉550a、550b、550c、550d中的一者，使得只有兩個分叉集合或單個分叉集合。

各個路徑552a-h可以被配置為通過一些路徑552a-h相對於其他路徑552a-h提供更大的氣流。噴射器插入件500的尺寸和單獨的氣體路徑552a-h的數量也可以針對噴射器插入件500的不同配置和不同製程進行調整。由擴散通道516所形成的路徑有4至16個，例如4至12個路徑，例如6至10個路徑，例如8個路徑。擴散通道516內的每個路徑552a-h的橫截尺寸的選擇取決於期望的流速（flow rate）、流動速度（flow velocity）、流壓和/或特定製程所期望的氣流類型。

使用氣體噴射器108的好處是，新的噴射通道設計可以在製程腔室內快速和廉價地進行測試，幾乎沒有停機時間，並且顯著降低了生產成本。新的噴射路徑設計可以在替換氣體噴射器108中的一者或多者並且不拆卸或替換製程腔室100內的其他部件（例如噴射環116或基部環114）的情況下測試。因此，氣體噴射器108能夠快速調適新的擴散通道516和噴射器插入件500的設計。也可以利用不同的氣體噴射器108，以供將製程氣體分佈到基板150的不同部分。氣體噴射器的整體長度可以為約75 mm至約150 mm，例如約80 mm至約120 mm，例如約100 mm。出於不同的原因，利用了不同的氣體噴射器108長度，使得相對於將氣體輸送到基板的中心，可以偏重將氣體輸送到基板的邊緣。

擴散通道516的路徑552a-h中的每一者開向第一充氣室518。第一充氣室518是設置在擴散通道516的與引入通道514相對的遠端處的容積。第一充氣室518是擴散通道516的路徑552a-h中的每一者的遠端處的單個容積。第一充氣室518使通過單獨路徑552a-h中的一者的每個氣流之間的壓力和流動速度能夠至少得到部分均衡。因為第一充氣室518內會產生反壓力，並且氣流內的氣體會混合，所以使第一充氣室518內的壓力均衡使路徑551a-h中的每一者之間的流速能夠至少得到部分均衡。第一充氣室518被配置為部分地使單獨路徑552a-h中的每一者之間的壓力均衡。第一充氣室518內的氣流的擴散量由擴散通道516的遠端與最靠近擴散通道516的鰭片陣列520的遠端之間的第一充氣室518的長度L ₁所控制。第一充氣室518的長度L ₁為約3 mm至約12 mm，例如約3 mm至約10 mm。

鰭片陣列520包括設置在噴射器插入件500的底表面503與頂表面505之間的複數個鰭片521。該複數個鰭片521被分散，以形成複數個路徑延伸部534。路徑延伸部534形成於噴射器插入件500的內壁與一個或鰭片521之間，或形成於兩個相鄰的鰭片521之間。在本文所述的實施例中，有3至14個鰭片521，例如4至12個鰭片521，例如6至8個鰭片521。鰭片形成路徑延伸部534，使得有4至16個路徑延伸部534，例如6至12個路徑延伸部534，例如8個路徑延伸部534。在本文所述的實施例中，有與路徑552a-h相同數量的路徑延伸部534，使得氣流在通過第一充氣室518之後不會被打亂並繼續進行。鰭片陣列520內的鰭片521中的每一者單獨地以不同的方向定向。在圖5C中所描繪的示例中，鰭片521具有扇形的佈置，並且相對於噴射環116的中心線E以遞增的角度定向。離中心線E更遠的每個鰭片521相對於中心線E以更大的角度定向（圖5C）。中心線E上的鰭片與中心線E線性地對準。

鰭片陣列520設置在噴射器插入件500的長度L ₂上。鰭片陣列520的長度L ₂有助於決定氣流中的每一者的流動向量和分佈。較長的長度L ₂會降低氣流的速度，並且增加第一充氣室518內的反壓力。縮短的長度L ₂不會實現足夠的反壓力累積或氣體混合。鰭片陣列520的長度L ₂為約15 mm至約50 mm，例如約20 mm至約40 mm。在一些實施例中，長度L ₂為噴射器插入件500的整體寬度W ₅的約25%至約50%。

緊接著鰭片陣列520的下游的是第二充氣室522。第二充氣室522是設置在鰭片陣列520的與第一充氣室520相對的遠端處的容積。第二充氣室522是鰭片陣列520的路徑延伸部534中的每一者的遠端處的單個容積。第二充氣室522使通過單獨路徑延伸部534中的一者的每個氣流之間的壓力和流動速度能夠至少得到部分均衡。使第二充氣室522內的壓力均衡使路徑延伸部534中的每一者之間的流速能夠至少得到部分均衡。反壓力在第二充氣室522內產生，並且氣流內的氣體被混合。第二充氣室522被配置為部分地使路徑延伸部534中的每一者之間的壓力均衡。第二充氣室522內的氣流的擴散量和反壓力的累積部分地由鰭片陣列520的遠端與最靠近第二充氣室522的擋板陣列524的遠端之間的第二充氣室522的長度L ₃所控制。第二充氣室522的長度L ₃為約3 mm至約12 mm，例如約3 mm至約10 mm。

擋板陣列524由複數個擋板535所形成（圖5C）。擋板陣列524的擋板535形成複數個路徑出口536。路徑出口535是路徑552a-h和路徑延伸部534中的每一者的附加延伸部。路徑出口535是與第二充氣室522相鄰的狹窄路徑，並且隨著路徑出口535遠離第二充氣室522並朝向第三充氣室526延伸而變寬。該複數個擋板535的形狀被調整為具有與第二充氣室522相鄰的表面，該表面在氣流方向上比與第三充氣室526相鄰的表面寬。在一些實施例中，擋板535中的每一者的形狀是梯形，例如等腰梯形。其他的擋板535形狀也在考慮之列。在本文所述的實施例中，擋板陣列524內有3至14個擋板535，例如4至12個擋板，例如5至10個擋板，例如6至8個擋板。

擋板535中的每一者的形狀和定向有助於藉由在第二充氣室522內產生反壓力，使通過第二充氣室522的氣流中的每一者之間的壓力均衡。第二充氣室522內的反壓力減緩了通過噴射器插入件500的氣流，並且有助於產生通過路徑出口536的均勻氣流。路徑出口536中的每一者的寬度的擴大促使每個氣流擴大，以填充第三充氣室536。因此，擋板陣列524有助於產生橫跨第三充氣室526的寬度設置的製程氣體幕。製程氣體幕被配置為幾乎均勻的幕，其中製程氣體的流速和濃度在第三充氣室526的整個寬度上是相同的。

擋板陣列524設置在噴射器插入件500的長度L ₄上。擋板陣列524的長度L ₄有助於決定氣流的擴大速率、第二充氣室522內的反壓力和氣體混合速率。擋板陣列524的長度L ₄為鰭片陣列520的長度L ₂的約25%至約50%，例如長度L ₂的約30%至約40%，例如長度L ₂的約30%至約35%。

第三充氣室526設置在擋板陣列524與出口開口508之間。第三充氣室526是形成於噴射器插入件500的壁內的開放區域。第三充氣室526被配置為使氣流能夠從擋板陣列524流出，以混合並合併成連續的製程氣體片。然後，製程氣體片通過出口開口508釋放到製程容積110中。

圖5C是依據本揭示內容的實施例，通過截線5C-5C截取的圖5A的氣體噴射器108的示意橫截平面圖說明。圖5C更清楚地說明了如上所述的通過噴射器插入件500的分佈系統515。分佈系統515包括氣體引入通道514、擴散通道、第一充氣室518、鰭片陣列520、第二充氣室522、擋板陣列524、第三充氣室536和由此形成的路徑。

設置在噴射器插入件500的相對側的是一個或多個加熱元件530。加熱元件530通過噴射器插入件500的至少一部分並圍繞擴散通道516設置。本文所述的加熱元件530通過一個或多個開口528插入到噴射器插入件500中，該一個或多個開口528通過噴射器基部主體502的前表面512設置。加熱元件530可以是電阻式加熱元件或輻射式加熱元件中的一者。圖5C所示的加熱元件530是盒式加熱器，並且放置在加熱器空腔531的內部。在圖5A-5C的實施例中，有兩個加熱器空腔531，加熱器空腔531中的每一者中設置有單個加熱元件530。

設置在氣體噴射器108中的每一者內的加熱元件530能夠對流動到製程容積110中的氣體混合物或製程氣體進行預熱（圖1）。氣體噴射器108與製程腔室100的其他部件（例如噴射環116和基部主體114）分開加熱使對通過氣體噴射器108流動的氣體的加熱能夠更有控制。氣體可以緊接在進入製程容積之前使用本文所述的加熱元件530來加熱到期望的製程溫度。當使穩定或不起反應的前驅物（例如二氯矽烷或三氯矽烷）通過氣體噴射器108流動時，一般會利用氣體噴射器108的加熱。加熱元件530被配置為將氣體噴射器108和通過氣體噴射器108流動的氣流加熱到小於約400℃的溫度，例如約100℃至約400℃，例如約150℃至約300℃，例如約200℃至約300℃。單獨加熱氣體噴射器108中的每一者進一步使通過每個單獨氣體噴射器108流動的製程氣體能夠被控制，使得通過氣體噴射器108中的一者或多者流動的製程氣體被加熱到與通過氣體噴射器108中的另一者流動的製程氣體不同的溫度。加熱元件530能夠在氣體在流過基板之前不會有不完全消耗（immature consumption）的情況下，對氣體進行預熱。

圖5D是依據本揭示內容的實施例，從第一側看圖5A的氣體噴射器108的示意側視圖。氣體噴射器108被示為面向噴射基部主體502的前表面512。通過前表面512設置的是氣體引入通道514、用於加熱元件530的該一個或多個開口528，以及一個或多個安裝緊固件507。氣體引入通道514設置在開口528之間，使得氣體引入通道514的中心位在開口528之間。有兩個開口528被示出，並且加熱元件530設置在開口528中的每一者內。開口528中的每一者和氣體引入通道514設置在噴射器插入件500的外表面504的內側。

該一個或多個安裝緊固件507用來將氣體噴射器108安裝到噴射環116，並且將氣體噴射器108固定到位。該一個或多個安裝緊固件507可以包括鉤子、扣子、固定銷、閂鎖、螺釘或螺栓。其他的緊固件類型也在設想之列。該一個或多個安裝緊固件507通過噴射基部主體502設置。該一個或多個安裝緊固件507至少通過前表面512設置。本文所示的該一個或多個安裝緊固件507是兩個安裝緊固件507。這兩個安裝緊固件507設置在噴射基部主體502的相對側和氣體引入通道514的相對側。這兩個安裝緊固件507設置在通過噴射基部主體502設置的開口528的外側。

在一些實施例中，另外還利用了加熱元件530或安裝緊固件507。通過前表面512設置的開口528使加熱元件530能夠獨立地與電源（未示出）耦接。氣體引入通道514使氣體供應源（例如第一製程氣體供應源174或第二製程氣體供應源176中的一者）能夠與擴散通道516流體耦接並且向擴散通道516供應製程氣體。

圖5E是依據本揭示內容的實施例，從第二側看圖5A的氣體噴射器108的示意側視圖。氣體噴射器108被示為面向噴射器插入件500的噴射表面510。如所示，出口開口508設置在噴射表面510內。該一個或多個安裝緊固件507進一步通過噴射器基部主體502設置。

噴射表面510的高度H ₃和因此的噴射器插入件500的高度為約5 mm至約12 mm，例如約6 mm至約11 mm，例如約7 mm至約10 mm。高度H ₃與噴射器通道408的高度類似，並且使噴射器插入件500能夠插入到噴射器通道408中。噴射表面510的寬度W ₅和因此的噴射器插入件500的寬度為約50 mm至約100 mm，例如約60 mm至約90 mm，例如約70 mm至約90 mm。寬度W ₅與噴射器通道408的寬度類似，並且使噴射器插入件500能夠插入到噴射器通道408中。寬度W ₅進一步決定製程腔室100中所利用的氣體噴射器108的數量。噴射表面500的高度H ₃與寬度W ₅的比率為約1:15至約1:5，例如約1:12至約1:8，例如約1:10。高度H ₃與寬度W ₅的比率有助於形成離開噴射器插入件500的均勻氣體片。

氣體噴射器108的出口開口508的寬度W ₆為約50 mm至約100 mm，例如約70 mm至約90 mm。出口開口508的寬度W ₆被配置為控制來自單個氣體噴射器108的氣體的分佈。當利用較少的氣體噴射器108時，寬度W ₆可以更寬，或當利用更多氣體噴射器108時，寬度W ₆可以更窄。出口開口508的高度H ₄為約2 mm至約8 mm，例如約3 mm至約7 mm，例如約3 mm至約6 mm。出口開口508的高度H ₄等於分佈系統515的其餘部分的高度。在一些實施例中，高度H ₄在整個分佈系統515內變化。

圖6A是依據本揭示內容的第二實施例，氣體噴射器108的另一個實施例的示意等軸視圖。圖6A-6B的氣體噴射器108與氣體噴射器108類似，但噴射器插入件500被替換為多層噴射器插入件600。多層噴射器插入件600與圖5A-5C的噴射器插入件500類似，但具有兩層氣流，使得第一氣流片設置在第二氣流片下方。噴射器插入件600包括兩個分佈系統515，使得第一分佈系統515堆疊在第二分佈系統515的頂部上，如本文所述。

圖6A-6B的氣體噴射器108包括噴射器基部主體502和多層噴射器插入件600。多層噴射器插入件600與噴射器基部主體502連接，並且被配置為以與圖5A-5C的噴射器插入件500類似的方式裝配到噴射器通道408（圖4A）中的一者中。具有噴射器插入件600的每個氣體噴射器108在氣體出口178內包括第一出口開口608a和第二出口開口608b，使得有兩個單獨和相異的氣體出口設置在多層噴射器插入件600的與噴射器基部主體502相對的遠端。從單獨的製程氣體源（例如第一製程氣體供應源174和第二製程氣體供應源176）向第一出口開口608a和第二出口開口608b中的每一者供應單獨的製程氣體。

多層噴射器插入件600和噴射器基部主體502都由對製程氣體反應性低、耐用性高和導熱率高的材料形成。適合形成噴射器基部主體502和多層噴射器插入件600的材料包括碳化矽、鎳、不銹鋼、鋁和石英。

多層噴射器插入件600從噴射器基部主體502的後表面506延伸。多層噴射器插入件600包括外表面604和噴射表面610。氣體出口178通過噴射表面610設置。噴射表面610設置在多層噴射器插入件600的與多層噴射器插入件600的基部601和噴射器基部502相對的遠端。多層噴射器插入件600的外表面604被配置為配合噴射器通道408中的一者的內部。多層噴射器插入件600的外表面604和噴射表面610的橫截面是體育場形狀或長圓形形狀。在一些實施例中，外表面604和噴射表面610的橫截面是卵形或四邊形，例如矩形、平行四邊形或梯形。外表面604和噴射表面610的橫截面的其他形狀也在設想之列，並且可能是有效的。多層噴射器插入件600包括外表面604的頂表面605和底表面603。頂表面605和底表面603與頂表面505和底表面503類似。

噴射器插入件600的氣體出口178包括第一出口開口608a和第二出口開口608b。第一出口開口608a和第二出口開口608b通過多層噴射器插入件600的外表面604設置。第一出口開口608a和第二出口開口608b中的每一者的形狀被調整為分佈通過第一出口開口608a和第二出口開口608b驅動的氣體，以在基板的整個表面上形成兩個氣體片。在圖6A-6B的實施例中，第一出口開口608a設置在第二出口開口608b下方。第一出口開口608a與第二出口開口608b平行地設置。第一出口開口608a和第二出口開口608b中的每一者被配置為提供單獨的氣體幕或氣體片。

每個單獨的氣體片可以彼此平行地被分配，並且僅在進入製程容積110之後才混合（圖1）。氣體片中的每一者的路徑在通過噴射器插入件600流動時被分離。在一些實施例中，第一出口開口608a和第二出口開口608b中的一者或兩者被設置為將離開第一出口開口608a或第二出口開口608b的氣體朝向離開相對的出口開口608a、608b的氣流引導。這可以增強離開出口開口608a、608b的兩個製程氣體幕之間的氣體混合。

圖6B是依據本揭示內容的實施例，通過截線6B--6B截取的圖6A的氣體噴射器108的示意橫截面圖說明。在本文所述的實施例中，有第一氣體引入通道614a和第二氣體引入通道614b。與第一氣體引入通道614a和第二氣體引入通道614b耦接的該一個或多個氣體連接件可以是第一製程氣體供應源174或第二製程氣體供應源176中的任一者。在一些實施例中，第一氣體引入通道614a與第一製程氣體供應源174耦接，而第二氣體引入通道614b與第二製程氣體供應源176耦接。第一氣體引入通道614a和第二氣體引入通道614b兩者與圖5B和圖5C的氣體引入通道514類似。

第一氣體引入通道614a和第二氣體引入通道614b中的每一者是單獨和相異的氣體通道。第一氣體引入通道614a是單個氣體通道，它傳輸來自與前表面512耦接的氣體管道的製程氣體。第二氣體引入通道614b與第一氣體引入通道614a類似，並且是單個氣體通道，它傳輸來自與前表面512耦接的第二管道的第二製程氣體。第一氣體引入通道614a被配置為與第一擴散通道616a流體連通。第二氣體引入通道614b與設置在多層噴射器插入件600內的第二擴散通道616b流體連通。第一擴散通道616a和第二擴散通道616b兩者與圖5C的擴散通道516類似。在一些實施例中，第一擴散通道616a和第二擴散通道616b可以具有不同的圖案，使得第一擴散通道616a的圖案與第二擴散通道616b的圖案不同。第一擴散通道616a設置在第二擴散通道616b下方。

由第一擴散通道616a和第二擴散通道616b中的每一者所形成的路徑有4至16個，例如4至12個路徑，例如6至10個路徑，例如8個路徑。

第一擴散通道616a的路徑中的每一者開向第一下部充氣室618a。第二擴散通道616b的路徑中的每一者開向第一上部充氣室618b。第一下部充氣室618a和第一下部充氣室618b分別是設置在第一擴散通道616a和第二擴散通道616b的遠端處的兩個單獨的容積。第一下部充氣室618a和第一上部充氣室618b與圖5B和5C的第一充氣室518類似。下部鰭片陣列620a設置在第一下部充氣室618a的與第一擴散通道616a相對的第一下部充氣室618a的遠端處。上部鰭片陣列620b設置在第一上部充氣室618b的遠端處。下部鰭片陣列620a和上部鰭片陣列620b中的每一者與圖5B和5C的鰭片陣列520類似，並且各自包括複數個鰭片。

緊接著下部鰭片陣列620a的下游的是第二下部充氣室622a。緊接著上部鰭片陣列620b的下游的是第二上部充氣室622b。第二下部充氣室622a和第二上部充氣室622b分別是設置在下部鰭片陣列620a和上部鰭片陣列620b的遠端處的容積。第二下部充氣室622a和第二上部充氣室622b與圖5B和5C的第二充氣室522類似。

下部擋板陣列624a和上部擋板陣列624b由與圖5C的擋板535類似的複數個擋板所形成。下部擋板陣列624a設置在第二下部充氣室622a的離下部鰭片陣列620a最遠的遠端處。上部擋板陣列624b設置在第二上部充氣室622b的離下部鰭片陣列620b最遠的遠端處。第三下部充氣室626a和第三上部充氣室626b分別從下部擋板陣列624a和上部擋板陣列624b延伸。第三下部充氣室626a是延伸於下部擋板陣列624a與第一出口開口608a之間的容積。第三上部充氣室626b是延伸於上部擋板陣列624b與第二出口開口608b之間的容積。第三下部充氣室626a和第三上部充氣室626b中的每一者與第三充氣室526類似。

雖然未示於圖6A和6B中，但多層噴射器插入件600進一步包括與圖5C的加熱元件530類似的一個或多個加熱元件。多層噴射器插入件600內的通道、充氣室、鰭片和擋板的圖案和分佈與上面關於圖5A-5C的實施例的描述類似。在空間允許的情況下，多層噴射器插入件600內也可以有三個或更多個層。在一些實施例中，有三個層，用於將三個單獨的氣體片噴射到製程容積110中，或有四個層，用於將四個單獨的氣體片噴射到製程容積110中。

圖6C是依據本揭示內容的實施例，從第一側看圖6A的氣體噴射器108的示意側視圖。氣體噴射器108被示為面向噴射基部主體502的前表面512。與上面參照圖5D的論述類似，氣體噴射器108包括用於加熱元件530的一個或多個開口528，和一個或多個安裝緊固件507。氣體引入通道514被第一氣體引入通道614a和第二氣體引入通道614b取代。第二氣體引入通道614b設置在第一氣體引入通道614a上方。第一氣體引入通道614a和第二氣體引入通道614b兩者設置在開口528與加熱元件530之間。第一氣體引入通道614a和第二氣體引入通道614b位在多層噴射器插入件600的外表面604內。多層噴射器插入件600的高度可以被調整，以補償附加的氣體通道層，或每個氣體通道可以變窄。

圖6D是依據本揭示內容的實施例，從第二側看圖6A的氣體噴射器的示意側視圖。氣體噴射器108被示為面向多層噴射器插入件600的噴射表面610。如所示，第一出口開口608a和第二出口開口608b設置在噴射表面610內。

噴射表面610的高度H ₅和因此的噴射器插入件600的高度為約5 mm至約15 mm，例如約6 mm至約12 mm，例如約8 mm至約12 mm。高度H5與噴射器通道408的高度類似，並且使噴射器插入件600能夠插入到噴射器通道408中。噴射表面610的寬度W ₅與噴射表面510的寬度W ₅類似。寬度W5與噴射器通道408的寬度類似，並且使噴射器插入件600能夠插入到噴射器通道408中。噴射表面600的高度H ₅與寬度W ₅的比率為約1:7至約1:20，例如約1:8至約1:16，例如約1:10至約1:15。高度H ₅與寬度W ₅的比率有助於形成離開噴射器插入件600的均勻氣體片。

第一出口開口608a和第二出口開口608b中的每一者的寬度W ₆與出口開口508的寬度W ₆類似。第一出口開口608a和第二出口開口608b中的每一者進一步包括高度H ₆。高度H ₆為約2 mm至約8 mm，例如約3 mm至約7 mm，例如約3 mm至約6 mm。出口開口608a、608b的高度H ₆等於分佈系統515中的每一者的其餘部分的高度。在一些實施例中，高度H6在整個分佈系統515內變化。

圖7A是依據本揭示內容的實施例，氣體輸送組件700的示意氣流圖。氣體輸送組件700可以代替第一製程氣體供應源174和第二製程氣體供應源176中的一者使用或與之一起使用。氣體輸送組件700被配置為經由氣體噴射器108向製程容積110供應製程氣體。氣體輸送組件700有助於控制從製程氣體源702進入製程容積110的前驅物的分壓和流速。控制來自製程氣體源702的氣體的分壓使流動到製程容積110的不同區域中的製程氣體的濃度能夠被控制。氣體輸送組件700使通過氣體輸送組件700的不同臂流動的製程氣體和前驅物的流速和分壓（即濃度）能夠被獨立控制。使用者可以配置氣體輸送組件700的不同的臂或導管，以輸送相同的流速，但特定製程氣體的分壓/濃度不同。

氣體輸送組件700包括與壓力控制器704流體耦接的製程氣體源702，與壓力控制器704流體耦接的氣體貯存器706，和與氣體貯存器706和排氣泵734流體耦接並且設置在氣體貯存器706與排氣泵734之間的排氣轉向閥708。複數個分流閥726a-726f與氣體貯存器706和製程容積110流體連接。該複數個分流閥726a-726f與氣體貯存器706並聯耦接。該複數個分流閥726a-726f的分流閥726a-726f中的每一者與閥門控制器724a-724f耦接。閥門控制器724a-724f控制從氣體貯存器706通過分流閥726a-726f中的每一者的體積流量。

載氣源728與複數個混合點732流體耦接。該複數個混合點732設置在載氣源728與製程容積110之間以及該複數個分流閥726a-726f與製程容積110之間。來自分流閥726a-726f和載氣源728的氣體在輸送到氣體噴射器108之前在混合點732處結合。

製程氣體源702可以是氣體面板或單個製程氣體源702。製程氣體源702被配置為供應製程氣體，例如含矽氣體、含鍺氣體、含氮氣體、含碳氣體或含氧氣體。其他類型的製程氣體也在考慮之列。製程氣體源702被配置為以預定的濃度和流速供應製程氣體，使得製程氣體內的成分的質量流速由製程氣體源702所控制。製程氣體源702經由製程氣體導管714與壓力控制器704流體耦接。壓力控制器704被配置為控制儲存在氣體貯存器706內的氣體的壓力。壓力控制器704控制氣體貯存器706內的壓力。壓力控制器704控制通過壓力控制器704和排氣轉向閥708的製程氣體的流量，以計及離開氣體貯存器706進入製程容積110的氣體。

壓力控制器704由貯存器供應導管716與氣體貯存器706流體耦接。貯存器供應導管716在壓力控制器704與氣體貯存器706之間傳輸氣體。氣體貯存器706是加壓的氣體貯存器。氣體貯存器706被保持在約10 psi至約65 psi的壓力，例如約10 psi至約60 psi，例如約14 psi至約50 psi。氣體貯存器706被配置為維持恆定的壓力。恆定的壓力有助於控制通過分流閥726a-726f的製程氣體的脈衝。氣體貯存器706是腔室或儲槽，並且被配置為在基板處理操作期間在其中容納大於約100 cm ³的製程氣體。氣體貯存器706具有約100 cm ³至約750 cm ³的容積，例如約100 cm ³至約500 cm ³。氣體貯存器706大到足以使由製程氣體源702引入到其中的氣體能夠均勻混合。氣體貯存器706可以被配置為允許約100 sccm至約500 sccm的流速連續通過其中。

如果氣體貯存器706內的壓力超過預定限度，那麼壓力控制器704經由排氣閥控制器712與排氣轉向閥708通訊。排氣閥控制器712與排氣轉向閥708耦接，並且打開或關閉排氣轉向閥708，以增加或減少製程氣體從氣體貯存器706滲出到排氣泵734。排氣泵734經由排氣導管720與排氣轉向閥708耦接。排氣導管720也將排氣模組165和下部腔室排氣通道164與排氣泵734流體耦接。

排氣轉向閥708允許來自氣體貯存器706的製程氣體在分流閥726a-726f中的每一者被關閉時被排到排氣泵734。在所有分流閥726a-726f關閉時通過排氣轉向閥708排出的製程氣體的流速等於通過分流閥726a-726f中的每一者流動的製程氣體的期望流速。當分流閥726a-726f處於打開位置並允許製程氣體進入製程容積110時，排氣轉向閥708關閉。打開或關閉的分流閥726a-726f和排氣轉向閥708的組合提供了快速的氣體輸送時間，而且幾乎沒有速率和壓力的上升。通過分流閥726a-726f和排氣轉向閥708中的每一者的組合流量相對於時間使用主流量控制器722來控制為幾乎恆定。

分流閥726a-726f中的每一者經由分流器導管725與氣體貯存器706耦接。分流器導管725被配置為分支成複數個氣體管道，並且與分流閥726a-726f中的每一者連接。分流閥726a-726f中的每一者並聯耦接，使得分流閥726a-726b都不在同一個氣流路徑上。該複數個分流閥726a-726f包括第一分流閥726a、第二分流閥726b、第三分流閥726c、第四分流閥726d、第五分流閥726e和第六分流閥726f。分流閥726a-726f中的每一者被配置為控制從分流器導管725通過其中的製程氣體的流量。分流閥726a-726f中的每一者由閥門控制器724a-724f中的一者所控制。閥門控制器724a-724f與主流量控制器722耦接。主流量控制器722被配置為向閥門控制器724a-724f中的每一者提供指令。閥門控制器724a-724f中的每一者被配置為控制分流閥726a-726f的配置，使得閥門控制器724a-724f中的每一者被配置為打開和關閉分流閥726a-726f中的一者。分流閥726a-726f使通過分流閥組件731的每個分支流動的製程氣體的流速或分壓（即濃度）能夠在混合點732處與載氣混合之前被控制。因此，從氣體噴射器108中的每一者流出的流速可以是相同的，而從氣體噴射器108流出的氣流內的製程氣體的分壓可以在氣體噴射器108中的每一者之間變化。通過氣體噴射器108中的每一者的製程氣體的分壓可以進一步在製程腔室內的同一製程期間變化，使得通過每個氣體噴射器108的製程氣體的濃度隨著單個基板被處理而改變。

第一閥門控制器724a被配置為打開或關閉第一分流閥726a。第二閥門控制器724b被配置為打開或關閉第二分流閥726b。第三閥門控制器724c被配置為打開或關閉第三分流閥726c。第四閥門控制器724d被配置為打開或關閉第四分流閥726d。第五閥門控制器724e被配置為打開或關閉第五分流閥726e。第六閥門控制器724f被配置為打開或關閉第六分流閥726f。分流閥726a-726f中的每一者能夠以不同的程度打開和關閉，以部分地限制或允許製程氣體通過分流閥726a-726f中的一者流動。通過打開分流閥726a-726f，增加通過分流閥726a-726f中的一者或多者的流量。通過至少部分地關閉分流閥726a-726f中的一者或多者，減少通過該一個或多個分流閥726a-726f的流量。

雖然被示為具有六個分流閥726a-726f和六個閥門控制器724a-724f，但其他數量的分流閥726a-726f和閥門控制器724a-724f也在考慮之列。在一些實施例中，有2至20個分流閥726a-726f，例如3至15個分流閥726a-726f，例如4至12個分流閥726a、726f，例如4至10個分流閥726a-726f，例如4至8個分流閥726a-726f，例如4至6個分流閥726a-726f。在圖1、2A、2B、4A和4B所示的實施例中，有五個分流閥726a-726f。類似地，可以有2至20個閥門控制器724a-724f，例如3至15個閥門控制器724a-724f，例如4至12個閥門控制器724a-724f，例如4至10個閥門控制器724a-724f，例如4至8個閥門控制器724a-724f，例如4至6個閥門控制器724a-724f。在圖1、2A、2B、4A和4B所示的實施例中，有五個閥門控制器724a-724f。

通過分流閥726a-726f中的一些分流閥的流量可以被控制為小於通過分流閥726a-726f中的其他分流閥的流量。在一些實施例中，分流閥726a-726f和對應的閥門控制器724a-724f中的每一者被視為分流閥組件731。

氣體通過分流閥726a-726f中的每一者流動並進入複數個分流氣體導管733。分流氣體導管733從分流閥726a-726f中的每一者延伸，並且延伸到該複數個混合點732中的一個混合點732。通過分流氣體導管733中的每一者的氣流在混合點732處與載氣相結合。載氣由載氣源728所提供。載氣從載氣源728經由載氣導管730提供到混合點732中的每一者。載氣導管730可以包括與上述分流閥組件731類似的分流閥組件。或者，載氣導管730被分成複數個載氣管道。載氣管道中的一者與混合點732中的每一者連接。由載氣源728所供應的載氣可以是氦氣（He）、氮氣（N ₂）、氫氣（H ₂）、氬氣（Ar）或氧氣（O ₂）中的任一者或組合。其他的載氣也在設想之列。在一些實施例中，載氣源728被替換為第二製程氣體源。

在製程氣體在混合點732中的一者處與載氣結合為一體之後，結合的氣體被提供到該一個或多個氣體噴射器108中的每一者，以供通過氣體噴射器108噴射到製程容積110中。單獨的混合氣體導管735延伸於混合點732中的每一者之間，並且延伸到對應的氣體噴射器108中的每一者。

閥門控制器724a-724f中的每一者與主流量控制器722耦接。閥門控制器724a-724f中的每一者使用一個或多個電連接件與主流量控制器722耦接，或者使用電子或射頻（RF）訊號來連結。主流量控制器722另外與壓力控制器704、氣體貯存器706和排氣閥控制器712中的每一者耦接。主流量控制器722被配置為向閥門控制器724a-724f、壓力控制器704、氣體貯存器706和排氣閥控制器712中的每一者發送和接收指令，以控制進入製程容積110的製程氣體的流量。

分流閥726a-726f和排氣轉向閥708中的每一者被配置為控制通過設置在氣體輸送組件700內的導管的製程氣體的流量。可以構成分流閥726a-726f和排氣轉向閥708的閥門的類型包括旋轉閥、線性閥和自力式閥門。更具體而言，分流閥726a-726f和排氣轉向閥708可以是球閥（ball valve）、旋塞閥、蝶閥、閘閥、截止閥（globe valve）、夾閥、膜片閥或針閥中的一者。閥門類型的選擇至少部分地是由於在整個氣體輸送組件700內分佈製程氣體時使用的精確程度。

氣體輸送組件700使進入製程容積110的混合氣體的流速以及混合氣體內的製程氣體的濃度/分壓兩者能夠被控制。控制製程氣體的濃度/分壓以及總流速兩者能夠變化製程氣體在整個基板表面上的分佈。控制製程氣體的濃度能夠更好地控制基板的不同區域上的沉積速率。

圖7B是依據本揭示內容的實施例，圖7A的氣體混合組件700以及第二氣體混合組件701的示意氣流圖。氣體噴射器108中的每一者與混合氣體導管735中的一者附接。混合氣體導管735中的每一者從輸送組件700延伸。輸送組件700在圖7A中得到更全面的說明。第二氣體混合組件701與輸送組件700類似。第二氣體混合組件701經由複數個第二混合氣體導管740與氣體噴射器108中的每一者連接。第二混合氣體導管740與混合氣體導管735類似，但從第二氣體混合組件701延伸。第二氣體混合組件701內的部件中的每一者與輸送組件700內的部件類似。

第二氣體混合組件701可以與圖6A-6D的多層噴射器插入件600一起利用。在本文所述的實施例中，輸送組件700向氣體噴射器108的第一氣體引入通道614a（圖6B和6C）供應氣體，而第二氣體混合組件701向氣體噴射器108的第二氣體引入通道614b（圖6B和6C）供應氣體。因此，可以精確地控制由氣體噴射器108分配的兩個氣體片的流速和製程氣體濃度兩者。

排氣模組165和下部腔室排氣通道164中的每一者與排氣導管720流體連通，以供移除由第一氣體混合組件700和第二氣體混合組件701兩者所供應的氣體。在一些實施例中，氣體混合組件700、701兩者共用共同的排氣系統，例如排氣導管720和排氣泵734。

第一氣體混合組件700和第二氣體混合組件701可以供應相同或不同的氣體。在一些實施例中，第一氣體混合組件700提供第一製程氣體，以在基板150上沉積層。第二氣體混合組件701用來向製程容積110提供第二製程氣體。第二製程氣體可以與第一製程氣體類似，並且在基板150上沉積第二層。或者，第二氣體混合組件701提供淨化氣體、清洗氣體或蝕刻劑氣體。在一些實施例中，相同的氣體被利用，但以不同的流速或濃度提供。可以同時地或交錯地經由第一氣體混合組件700和第二氣體混合組件701供應氣體，這取決於通過其中流動的氣體和在製程腔室100內進行的期望製程。

圖8是依據本揭示內容的實施例，用於與圖7A的氣體輸送組件700一起使用的方法流程圖800。方法800用來控制進入製程容積（例如製程容積110）的製程氣體的流量和濃度。在操作802期間，第一氣體混合物被引入到氣體貯存器（例如氣體貯存器706）中。第一氣體混合物包括第一濃度的製程氣體。

氣體貯存器是配置為將其中一定量的氣體維持在預定壓力下的壓力貯存器。該氣體量大於約100 sccm，例如大於約100 cm ³的製程氣體，例如約100 cm ³至約750 cm ³，例如約100 cm ³至約500 cm ³。氣體貯存器706內的第一氣體混合物的壓力被保持在上述的預定壓力範圍內，以避免氣體貯存器內出現共振模式，共振模式可能會產生動態壓力振盪。排氣轉向閥和複數個分流閥用來在氣體貯存器內保持接近恆定的壓力。排氣轉向閥是排氣轉向閥708，而該複數個分流閥是分流閥724a-724f。

第一氣體混合物被製程氣體源（例如製程氣體源702）引入到氣體貯存器中。製程氣體源被配置為供應第一氣體混合物，它包含製程氣體。製程氣體可以是含矽氣體、含鍺氣體、含氮氣體、含碳氣體或含氧氣體中的一者或組合。未列出的其他類型的製程氣體也在考慮之列。製程氣體源以預定的第一製程氣體濃度和流速供應第一氣體混合物，使得第一氣體混合物內的成分的質量流速由製程氣體源所控制。來自製程氣體源的第一氣體混合物的流速是第一流速。第一流速為約100 sccm至約2500 sccm，例如約100 sccm至約2000 sccm。

在操作802之後，進行另一個操作804：向複數個分流閥供應第一氣體混合物。該複數個分流閥可以是分流閥726a-726f。該複數個分流閥各自設置在分流器導管（例如分流器導管725）的不同分支上。該複數個分流閥中的每一者用來控制通過其中的第一氣體混合物的流速。因此，分流閥用來控制分流器導管725的分支中的每一者上的第一氣體混合物的流速。通過分流閥中的每一者的第一氣體混合物的流速等於來自製程氣體源的第一氣體混合物的總流速除以分流閥的數量。在有五個分流閥的實施例中，第一氣體混合物的流速為約20 sccm至約500 sccm，例如約20 sccm至約400 sccm。在有六個分流閥的實施例中，第一氣體混合物的流速為約15 sccm至約420 sccm，例如約15 sccm至約335 sccm。分流閥中的每一者可以被打開或關閉，以控制第一氣體混合物的流速。在一些實施例中，分流閥被控制，以允許第一氣體混合物的部分流速通過其中。分流閥中的每一者被獨立控制，以允許針對通過其中的期望氣流調整分流閥中的每一者。在通過分流閥之後，第一氣體混合物流動到複數個分流氣體導管（例如分流氣體導管733）中。一個分流氣體導管可以與分流閥中的每一者耦接。分流氣體導管733通過其中攜帶第一氣體混合物，並且與複數個混合點（例如該複數個混合點732）連接。分流氣體導管733中的每一者與混合點732中的一者耦接。

在操作804之前、同時或之後進行另一個操作806：向載氣導管供應載氣。載氣在操作806的期間由載氣源供應。載氣源可以是載氣源728。載氣源被配置為以小於約30 slm的流速供應載氣，例如約5 slm至約30 slm，例如約10 slm至約30 slm。載氣可以是氦氣（He）、氮氣（N ₂）、氫氣（H ₂）、氬氣（Ar）或氧氣（O ₂）中的任一者或組合。其他的載氣也在設想之列。載氣導管可以是載氣導管730。載氣導管分支成複數個載氣管道。一個載氣管道與該複數個混合點中的每一者連接。

在操作806中通過載氣導管供應載氣並且第一氣體混合物已經在操作804中通過分流閥流動的同時和之後，載氣和第一氣體混合物在操作808期間結合。結合第一氣體混合物和載氣是在該複數個混合點處進行的。該複數個混合點的混合點中的每一者可以是載氣導管的載氣管道中的一者與分流氣體導管中的一者的交點。因此，混合點中的每一者可以包括T型接頭或Y型接頭，以合併載氣管道和分流氣體導管的遠端，並且混合載氣和第一氣體混合物。結合載氣和第一氣體混合物會產生第二氣體混合物，該第二氣體混合物從混合點流出並且通過複數個混合氣體導管（例如混合氣體導管735）流動。當最初在混合點處結合時，載氣和第一氣體混合物可能不會均勻混合。當第二氣體混合物通過該複數個混合氣體導管和一個或多個氣體噴射器流動時，載氣和第一氣體混合物繼續混合。

第二氣體混合物具有小於第一製程氣體濃度的第二製程氣體濃度。通過混合氣體導管中的每一者的第二氣體混合物的流速等於通過混合氣體導管中的每一者的第一氣體混合物和載氣兩者的總流量。通過混合氣體導管中的每一者的第二氣體混合物的流速為約2 slm至約10 slm，例如約4至約8，例如約6 slm。通過混合氣體導管中的每一者的第二氣體混合物的流速可以至少部分地取決於製程腔室內的氣體噴射器的數量。第二氣體混合物內的第一氣體混合物與載氣的比率能夠使用本文所述的裝置來控制和調整，使得通過噴射器中的每一者的第一氣體混合物的濃度和流速可以根據不同製程的需要對每個單獨的噴射器進行調整。通過氣體噴射器中的每一者的總流速可以保持恆定，而第二氣體混合物內的第一氣體混合物的濃度/分壓在氣體噴射器中的每一者之間變化。

第二氣體混合物經由混合氣體導管流動到複數個氣體噴射器。混合氣體導管中的每一者與氣體噴射器耦接，並且將第二氣體混合物輸送到氣體噴射器。一旦第二氣體混合物被引入到氣體噴射器中，第二氣體混合物就在操作810期間被引入到製程腔室的製程容積中。將第二氣體混合物引入到製程容積中是以預定的速率和氣體分佈進行的。引入第二氣體混合物能夠在設置在製程容積內的基板的頂部上形成一個或多個層。

圖9A是依據本揭示內容的實施例，環形噴射器900的示意平面圖。除了氣體噴射器108以外，環形噴射器900也被配置為圍繞製程容積設置。環形噴射器900設置在製程容積110的內部，並且與噴射環116的內表面404或基部環114的內表面304附接。如圖1所示，環形噴射器900與噴射環116的內表面404附接。在基板處於處理位置時，環形噴射器900設置在基板的頂表面上方。因此，環形噴射器900設置在圖1的水平面125上方和上部腔室111內。環形噴射器900被配置為通過複數個孔906將前驅物饋送到製程容積110中。環形噴射器900為腔室內的前驅物輸送提供了靈活性。環形噴射器900補充來自氣體噴射器108的氣流，並且可以協助控制基板150的邊緣附近的沉積速率。

環形供應管道902與分佈主體908耦接。分佈主體908是環形分佈主體908，並且與環形供應管道902耦接。環形供應管道902被配置為通過製程腔室100的壁內的饋送端口（未示出）。環形供應管道902被配置為向分佈主體908供應前驅物氣體。環形供應管道902和分佈主體908是配置為允許製程氣體通過其中流動的空心通道或導管。分佈主體908包括外部環形表面904和內部環形表面910。外部環形表面904被配置為與製程容積110內的表面（例如噴射環116的內表面404）附接。

內部環形表面910包括通過其中形成的該複數個孔906。該複數個孔906是形成於分佈主體908的內部空心部分與內部環形表面910之間的開口。該複數個孔906在內部環形表面910的周圍隔開，以允許氣體分佈到製程容積110周圍的不同周向位置。分佈主體908的直徑以及孔906的尺寸受到期望的流速和期望的前驅物分佈位置的影響。

內部環形表面910的直徑為約250 mm至約450 mm，例如約300 mm至約400 mm，例如約350 mm。孔906中的每一者的尺寸取決於孔906的數量以及孔906的位置。孔906的直徑可以為約1 mm至約5 mm，例如約2 mm至約4 mm，例如約2 mm至約3 mm。有大約4至30個孔906通過內部環形表面906設置，例如約6至25個孔906，例如約8至20個孔906。孔906均勻地設置在內部環形表面910的整個周邊周圍。在一些實施例中，孔906不對稱地設置在內部環形表面906周圍。孔906的不對稱分佈可以使離氣體噴射器108或上部腔室排氣通道開口324（圖3B）較遠的基板150的邊緣位置附近的製程氣體濃度能夠增加。不對稱分佈進一步有助於控制通過製程容積110的氣流。

圖9B是依據本揭示內容的實施例，環形噴射器901的另一個實施例的示意平面圖。在圖9B的實施例中，環形噴射器901僅被配置為環繞製程容積110的一部分，使得分佈主體906不是完整的環。在圖9B的實施例中，分佈主體906是部分環，例如半圓。分佈主體906也可以是四分之一的環或其他的弧形段。分佈主體906也可以是四分之三的環，使得分佈主體906形成約75%的圓。分佈主體906的其他實施例形成不同的部分環。如本文所述，部分環被定義為環的一部分，它形成的環小於全圓，例如約5%至約95%的全圓，例如約10%至約90%的全圓。

其中部分環用於分佈主體906的圖9B的實施例可以用於其中氣體的分佈不需要圍繞基板的整個周邊進行的製程操作。在分佈主體906的部分環形成之外，圖9B的環形噴射器901與圖9A的環形噴射器900類似。

本文所述的部件使製程腔室（例如製程腔室100）內的均勻性和沉積控制能夠提高。雖然在本文中是在一個製程腔室100中一起說明，但本文所述的部件也可以與現有或替代的沉積製程腔室分開利用。

雖然前述內容涉及本揭示內容的實施例，但也可以在不脫離本揭示內容的基本範圍的情況下設計本揭示內容的其他的和另外的實施例，並且本揭示內容的範圍是由隨後的請求項所決定的。

100:製程腔室 102:上部燈模組 104:下部燈模組 106:腔室主體組件 108:氣體噴射器 110:製程容積 111:上部腔室 112:下部冷卻環 113:下部腔室 114:基部環 116:噴射環 118:上部冷卻環 120:下部窗口 122:上部窗口 124:承載器組件 125:水平面 126:上部模組主體 128:燈孔 129:燈基部 130:燈 132:加熱氣體供應源 134:高溫計 136:加熱氣體通道 138:高溫計通道 140:加熱排氣泵 142:加熱氣體排氣通道 146:冷卻劑通道 148:冷卻劑通道 150:基板 152:下部加熱器 154:下部襯墊 156:上部襯墊 158:上部加熱器 160:凸緣 162:基板傳輸通道 164:下部腔室排氣通道 165:排氣模組 168:凸緣 170:周邊支撐件 172:周邊支撐件 174:第一製程氣體供應源 176:第二製程氣體供應源 178:氣體出口 180:上部充氣室 182:下部模組主體 184:燈基部 186:燈孔 188:燈 190:高溫計 192:高溫計通道 194:移動組件 196:旋轉組件 198:升降組件 201:中心開口 302:基部環主體 304:內壁 306:第一側 308:第二側 310:開口 312:頂表面 314:底表面 316:密封凹槽 318:第一密封凹槽 324:上部腔室排氣通道開口 326:上部腔室排氣通道 328:排氣模組通道 330:排氣出口 340:支撐階梯 402:噴射環主體 404:內表面 406:外表面 408:噴射器通道 410:開口 411:有角度的突起 412:窗口支撐溝槽 414:噴射器支撐表面 416:外部階梯表面 418:頂表面 420:第一窗口密封凹槽 421:冷卻劑通道 422:第二窗口密封凹槽 424:底表面 430:凹痕 436:凹痕 500:噴射器插入件 501:基部 502:噴射器基部 503:底表面 504:外表面 505:頂表面 506:後表面 507:安裝緊固件 508:出口開口 510:噴射表面 512:前表面 514:氣體引入通道 515:分佈系統 516:擴散通道 518:第一充氣室 520:鰭片陣列 521:鰭片 522:第二充氣室 524:擋板陣列 526:第三充氣室 528:開口 530:加熱元件 531:加熱器空腔 534:路徑延伸部 535:擋板 536:路徑出口 540:第一分叉 600:多層噴射器插入件 601:基部 603:底表面 604:外表面 605:頂表面 610:噴射表面 700:氣體輸送組件 701:第二氣體混合組件 702:製程氣體源 704:壓力控制器 706:氣體貯存器 708:排氣轉向閥 712:排氣閥控制器 714:製程氣體導管 716:貯存器供應導管 720:排氣導管 722:主流量控制器 728:載氣源 730:載氣導管 731:分流閥組件 732:混合點 733:分流氣體導管 734:排氣泵 735:混合氣體導管 740:第二混合氣體導管 800:方法 802:操作 804:操作 806:操作 808:操作 810:操作 900:環形噴射器 901:環形噴射器 902:環形供應管道 904:外部環形表面 906:孔 908:分佈主體 910:內部環形表面 432A:氣體噴射器 432B:氣體噴射器 432C:氣體噴射器 542a:第二分叉 542b:第二分叉 550a:第三分叉 550b:第三分叉 550d:第三分叉 552a:路徑 552b:路徑 552c:路徑 552d:路徑 552e:路徑 552f:路徑 552g:路徑 552h:路徑 608a:第一出口開口 608b:第二出口開口 614a:第一氣體引入通道 614b:第二氣體引入通道 616a:第一擴散通道 616b:第二擴散通道 618a:第一下部充氣室 618b:第一上部充氣室 620a:下部鰭片陣列 620b:上部鰭片陣列 622a:第二下部充氣室 622b:第二上部充氣室 624a:下部擋板陣列 624b:上部擋板陣列 626a:第三下部充氣室 626b:第三上部充氣室 724a:第一閥門控制器 724b:第二閥門控制器 724c:第三閥門控制器 724d:第四閥門控制器 724e:第五閥門控制器 724f:第六閥門控制器 726a:第一分流閥 726b:第二分流閥 726c:第三分流閥 726d:第四分流閥 726e:第五分流閥 726f:第六分流閥 A:中心軸線 B:平面 C:平面 D:平面 E:中心線 H ₁:高度 H ₂:高度 H ₃:高度 H ₄:高度 H ₅:高度 H ₆:高度 L ₁:長度 L ₂:長度 L ₃:長度 L ₄:長度 W ₁:寬度 W ₂:寬度 W ₃:噴射器通道寬度 W ₄:寬度 W ₅:寬度 W ₆:寬度 α:第一排氣角 β:第二排氣角 γ:噴射器角度

為了能夠詳細理解本揭示內容的上述特徵，可以藉由參考實施例獲得上文簡要概述的本揭示內容的更詳細的描述，其中一些實施例在附圖中被說明。然而，需要注意的是，附圖只說明示例性的實施例，因此不應被視為對該等實施例的範圍的限制，並且可以接受其他同等有效的實施例。

圖1是依據本揭示內容的實施例，對製程腔室的示意說明。

圖2A是依據本揭示內容的實施例，腔室主體組件的示意橫截面圖。

圖2B是依據本揭示內容的實施例，通過另一個平面的圖2A的腔室主體組件的示意橫截面圖。

圖3A是依據本揭示內容的實施例，基部環的示意橫截面圖。

圖3B是依據本揭示內容的實施例，圖3A的基部環的示意平面圖。

圖3C是依據本揭示內容的實施例，通過截線3C--3C的圖3A的基部環的示意橫截平面圖。

圖4A是依據本揭示內容的實施例，噴射環的示意橫截面圖。

圖4B是依據本揭示內容的實施例，圖4A的噴射環的示意平面圖。

圖5A是依據本揭示內容的實施例，氣體噴射器的示意等軸視圖。

圖5B是依據本揭示內容的實施例，通過截線5B--5B的圖5A的氣體噴射器的示意橫截面圖。

圖5C是依據本揭示內容的實施例，通過截線5C--5C的圖5A的氣體噴射器的示意橫截平面圖。

圖5D是依據本揭示內容的實施例，從第一側看圖5A的氣體噴射器的示意側視圖。

圖5E是依據本揭示內容的實施例，從第二側看圖5A的氣體噴射器的示意側視圖。

圖6A是依據本揭示內容的實施例，氣體噴射器的另一個實施例的示意等軸視圖。

圖6B是依據本揭示內容的實施例，通過截線6B--6B的圖6A的氣體噴射器的示意橫截面圖。

圖6C是依據本揭示內容的實施例，從第一側看圖6A的氣體噴射器的示意側視圖。

圖6D是依據本揭示內容的實施例，從第二側看圖6A的氣體噴射器的示意側視圖。

圖7A是依據本揭示內容的實施例，氣體混合組件的示意氣流圖。

圖7B是依據本揭示內容的實施例，圖7A的氣體混合組件以及第二氣體混合組件的示意氣流圖。

圖8是依據本揭示內容的實施例，用於與圖7A的氣體混合組件一起使用的方法流程圖。

圖9A是依據本揭示內容的實施例，環形噴射器的示意平面圖。

圖9B是依據本揭示內容的實施例，環形噴射器的另一個實施例的示意平面圖。

為了便於了解，在可能的情況下，使用了相同的附圖標記來表示圖式中共有的相同元素。可以預期，一個實施例的元素和特徵可以有益地併入其他實施例，而無需另外敘述。

國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無

國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

108:氣體噴射器

116:噴射環

178:氣體出口

402:噴射環主體

404:內表面

406:外表面

408:噴射器通道

410:開口

411:有角度的突起

412:窗口支撐溝槽

414:噴射器支撐表面

416:外部階梯表面

418:頂表面

420:第一窗口密封凹槽

421:冷卻劑通道

422:第二窗口密封凹槽

424:底表面

430:凹痕

436:凹痕

Claims (20)

1. 一種用於進行基板處理的製程腔室，該製程腔室包括： 一噴射環，包括一個或多個噴射器通道，該一個或多個噴射器通道通過該噴射環的一半設置並且設置在該噴射環的一半上；以及 一個或多個氣體噴射器，該一個或多個氣體噴射器中的每一者設置在該等噴射器通道中的一者內部，該等氣體噴射器中的每一者包括： 一噴射器插入件； 一氣體引入通道； 一氣體擴散通道，與該氣體引入通道流體耦接；以及 一出口開口，通過與該氣體引入通道相對的該噴射器插入件的一噴射表面設置並且與該氣體擴散通道流體連通。
2. 如請求項1所述的製程腔室，其中該一個或多個氣體噴射器中的每一者進一步包括通過該噴射器插入件的一個或多個加熱器。
3. 如請求項1所述的製程腔室，其中有三個或更多個噴射器通道和三個或更多個氣體噴射器，該等氣體噴射器中的每一者朝向該噴射環的一中心部分定向。
4. 如請求項1所述的製程腔室，其中該氣體引入通道是通過一噴射器基部主體設置的單個通道。
5. 如請求項1所述的製程腔室，其中該氣體擴散通道包括複數個通道分流和複數個路徑。
6. 如請求項5所述的製程腔室，其中一鰭片陣列設置在該氣體擴散通道與該出口開口之間，並且一擋板陣列設置在該鰭片陣列與該出口開口之間。
7. 如請求項1所述的製程腔室，進一步包括一環形噴射器，該環形噴射器包括： 一分佈主體，具有一內部環形表面；以及 複數個孔，通過該內部環形表面設置。
8. 一種用於一製程腔室內的氣體噴射器，該氣體噴射器包括： 一噴射器插入件； 一氣體引入通道，通過該氣體噴射器設置； 一氣體擴散通道，與該氣體引入通道耦接，該氣體擴散通道形成一氣體分佈樹；以及 一出口開口，通過與該氣體引入通道相對的該噴射器插入件的一噴射表面設置並且與該氣體擴散通道流體連通。
9. 如請求項8所述的氣體噴射器，其中該氣體擴散通道包括複數個通道分流和複數個路徑。
10. 如請求項9所述的氣體噴射器，其中一鰭片陣列設置在該氣體擴散通道與該出口開口之間。
11. 如請求項10所述的氣體噴射器，其中一擋板陣列設置在該鰭片陣列與該出口開口之間。
12. 如請求項11所述的氣體噴射器，其中該擋板陣列包括複數個擋板，每個擋板的形狀被調整為具有面向該鰭片陣列的一第一表面，該第一表面比面向該出口開口的一第二表面還寬。
13. 如請求項8所述的氣體噴射器，進一步包括設置在該噴射器插入件內的一個或多個加熱器。
14. 如請求項13所述的氣體噴射器，其中該一個或多個加熱器各自是一電阻式加熱元件或一輻射式加熱元件。
15. 如請求項8所述的氣體噴射器，其中該氣體引入通道是一第一氣體引入通道，該氣體擴散通道是一第一擴散通道，並且該出口開口是一第一出口開口，該噴射器插入件進一步包括： 一第二氣體引入通道； 一第二氣體擴散通道；以及 一第二出口開口。
16. 如請求項15所述的氣體噴射器，其中該第一出口開口設置在該第二出口開口下方。
17. 一種用於與一製程腔室一起使用的氣體混合組件，該氣體混合組件包括： 一氣體貯存器，具有配置為與一製程氣體源耦接的一入口； 一排氣轉向閥，與該氣體貯存器流體耦接，並且被配置為與繞過該處理腔室的一排氣泵耦接； 複數個分流閥，並聯設置並且與該氣體貯存器流體耦接； 一製程腔室，其中該製程腔室的一製程容積與該等分流閥中的每一者流體連通；以及 一主流量控制器，被配置為控制通過該排氣轉向閥和該複數個分流閥中的每一者的一流速。
18. 如請求項17所述的氣體混合組件，進一步包括： 複數個分流氣體導管，該等分流氣體導管中的每一者在該等分流閥中的一者與複數個混合點中的一混合點之間流體耦接； 一載氣導管，被配置為與一載氣源以及該複數個混合點中的每一者流體耦接；以及 複數個混合氣體導管，延伸於該複數個混合點與該製程容積之間。
19. 如請求項17所述的氣體混合組件，進一步包括： 一氣體噴射器，與該等分流閥中的每一者流體耦接，並且被配置為向該製程容積提供一混合氣體。
20. 如請求項17所述的氣體混合組件，其中該等分流閥中的每一者進一步包括配置為打開和關閉該等分流閥的一閥門控制器。

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