TW202243558A - 液晶高分子薄膜電氣圖樣製造方法 - Google Patents

Abstract

一種液晶高分子薄膜電氣圖樣製造方法，係取用以液晶高分子聚合物所製成之液晶高分子薄膜，在液晶高分子薄膜之表面形成遮蔽層，並於遮蔽層上依據圖樣形狀製成鏤空圖案，利用常溫氣壓熔射法，以加壓氣體吹送熔融金屬形成之金屬粒子，將金屬粒子通過遮蔽層之鏤空圖案，以噴覆固著於液晶高分子薄膜對應表面上形成金屬分子鍵合層，並且金屬分子鍵合層瞬間降溫成電氣圖樣，然後移除液晶高分子薄膜上之遮蔽層，再取出具有電氣圖樣之液晶高分子薄膜。

Description

液晶高分子薄膜電氣圖樣製造方法

本發明有關於軟性電路板領域，特別是在液晶高分子薄膜上形成電氣圖樣之製造方法。

為因應電子及通訊工作頻率朝向高頻化，軟性電路板的基板材質發展趨向低介電(DK)值，而液晶高分子薄膜即為首選材料。但是習知的軟性電路板導電圖樣製程有以下缺失：一、覆銅液晶高分子薄膜軟板經由遮蔽治具形成圖樣形狀，再利用蝕刻及剝除遮蔽材形成導電圖樣，而此製程中必須使用大量的蝕刻液。二、液晶高分子薄膜經印刷導電塗料形成導電圖樣，而導電塗料的中介質，諸如樹脂和助劑等降低了導電性，並且影響電氣特性。因此要如何解決上述問題，即為此行業相關業者所亟欲研究之課題所在。

本發明之主要目的在於，不必利用中介質的輔助，而直接在液晶高分子薄膜形成金屬分子鍵合層的電氣圖樣，以用於電氣訊號的傳遞與接收、防電磁波干擾(anti-electromagnetic disturbance)、電磁干擾遮蔽(Electromagnetic shielding)，並且能夠達到優異 的導電性與電氣特性。

為達上述目的，本發明液晶高分子薄膜電氣圖樣製造方法，包含有以下步驟：(a)取用以液晶高分子聚合物所製成之該液晶高分子薄膜；(b)在該液晶高分子薄膜之表面形成遮蔽層，並於該遮蔽層上依據預定圖樣形狀製成鏤空圖案；(c)利用常溫氣壓熔射法，以加壓氣體吹送熔融金屬形成之金屬粒子，將該金屬粒子通過該遮蔽層之該鏤空圖案，以噴覆固著於該液晶高分子薄膜對應表面上形成金屬分子鍵合層，並且該金屬分子鍵合層瞬間降溫成該電氣圖樣；(d)移除該液晶高分子薄膜上之遮蔽層，再取出具有該電氣圖樣之該液晶高分子薄膜。

前述之液晶高分子薄膜電氣圖樣製造方法，其中該(b)步驟中，利用選自於膠帶、印刷、塗佈及遮蔽治具之其中之一種方式，以形成該遮蔽層。

前述之液晶高分子薄膜電氣圖樣製造方法，其中該(b)步驟中，利用雷射光束通過該鏤空圖案，以將該液晶高分子薄膜對應表面加工成粗糙部分，然後在該(c)步驟中，於該粗糙部分上噴覆固著該金屬分子鍵合層。

前述之液晶高分子薄膜電氣圖樣製造方法，其中該(c)步驟中，該金屬分子鍵合層選自於鋅、銅、鎳、鋅銅合金及銅鎳合金所組成之群組之其中之一者。

前述之液晶高分子薄膜電氣圖樣製造方法，其中該(c)步驟中，該金屬分子鍵合層附著於該液晶高分子薄膜表面上之附著力 為9kgf/cm2~11kgf/cm2，並且該金屬分子鍵合層之孔隙率為1~5%。

前述之液晶高分子薄膜電氣圖樣製造方法，其中該(d)步驟中，該電氣圖樣設為線寬小於或等於0.15mm之導電線路，以用於電性傳導。

前述之液晶高分子薄膜電氣圖樣製造方法，其中該(d)步驟中，該電氣圖樣用於防電磁波干擾或電磁干擾遮蔽。

1:液晶高分子薄膜

2:遮蔽層

3:鏤空圖案

4:粗糙部分

5:金屬分子鍵合層

6:電氣圖樣

第一圖係本發明在液晶高分子薄膜表面形成遮蔽層之立體剖面圖。

第二圖係本發明在遮蔽層上依據預定圖樣形狀製成鏤空圖案之立體剖面圖。

第三圖係本發明在液晶高分子薄膜表面沿著鏤空圖案加工成粗糙部分之立體剖面圖。

第四圖係本發明在液晶高分子薄膜粗糙部分上形成金屬分子鍵合層之立體剖面圖。

第五圖係本發明從液晶高分子薄膜表面與電氣圖樣四周移除遮蔽層後之立體剖面圖。

有關本發明為達成上述目的，所採用之技術手段及其功效，茲舉出可行實施例，並且配合圖式說明如下：

首先，請參閱第一圖至第五圖所示，本發明主要在液晶高分 子薄膜1表面直接形成電氣圖樣6，而不必利用中介質的輔助，本發明之製造方法包含有以下步驟：

(a)取用以液晶高分子聚合物(LCP)所製成之該液晶高分子薄膜1(參閱第一圖)；

(b)在該液晶高分子薄膜1之表面形成遮蔽層2(參閱第一圖)，且遮蔽層2可利用選自於膠帶、印刷、塗佈及遮蔽治具之其中之一種方式形成，然後在該遮蔽層2上依據預定圖樣形狀，以雷射光束雕刻製成鏤空圖案3(參閱第二圖)，並且利用雷射光束通過該鏤空圖案3，以將該液晶高分子薄膜1對應表面加工成粗糙部分4(參閱第三圖)；

(c)利用常溫氣壓熔射法，以加壓氣體吹送熔融金屬形成之金屬粒子，將該金屬粒子通過該遮蔽層2之該鏤空圖案3，以噴覆固著於該液晶高分子薄膜1對應表面之粗糙部分4上，而形成金屬分子鍵合層5(參閱第四圖)，該金屬分子鍵合層5可選自於鋅、銅、鎳、鋅銅合金及銅鎳合金所組成之群組之其中之一者，並且該金屬分子鍵合層5瞬間降溫成該電氣圖樣6；

(d)移除該液晶高分子薄膜1上之遮蔽層2，再取出具有該電氣圖樣6之該液晶高分子薄膜1(參閱第五圖)。

本發明在(c)步驟中，常溫氣壓熔射法所使用之噴塗氣壓為3~12大氣壓(Bars)；使用之熔射機器能依據不同之導電性材料而調整熔融溫度，熔射機器使用之電壓為20~50V，使用之電流為185~295安培，以利用電弧方式熔融金屬，再利用加壓氣體吹 送形成金屬粒子，使該金屬粒子噴覆固著於該粗糙部分4上，而形成該金屬分子鍵合層5，並且該金屬粒子溫度瞬間降低為常溫，也就是攝氏約24~40度。本發明之金屬分子鍵合層5附著於該粗糙部分4上之附著力為9kgf/cm²~11kgf/cm²，並且該金屬分子鍵合層5之孔隙率為1~5%，以提高鍵合力及細緻度。而且該液晶高分子薄膜1與該電氣圖樣6應用在軟性電路板時，該電氣圖樣6可設為線寬小於或等於0.15mm之導電線路，以用於電性傳導，並符合電子及通訊工作頻率之高頻化需求。再者，該電氣圖樣6亦可用於防電磁波干擾或電磁干擾遮蔽。

以上所舉實施例僅用為方便說明本發明，而並非加以限制，在不離本發明精神範疇，熟悉此一行業技藝人士所可作之各種簡易變化與修飾，均仍應含括於以下申請專利範圍中。

1:液晶高分子薄膜

2:遮蔽層

3:鏤空圖案

4:粗糙部分

5:金屬分子鍵合層

6:電氣圖樣

Claims (7)

1. 一種液晶高分子薄膜電氣圖樣製造方法，包含有以下步驟：

   (a)取用以液晶高分子聚合物所製成之該液晶高分子薄膜；

   (b)在該液晶高分子薄膜之表面形成遮蔽層，並於該遮蔽層上依據預定圖樣形狀製成鏤空圖案；

   (c)利用常溫氣壓熔射法，以加壓氣體吹送熔融金屬形成之金屬粒子，將該金屬粒子通過該遮蔽層之該鏤空圖案，以噴覆固著於該液晶高分子薄膜對應表面上形成金屬分子鍵合層，並且該金屬分子鍵合層瞬間降溫成該電氣圖樣；

   (d)移除該液晶高分子薄膜上之遮蔽層，再取出具有該電氣圖樣之該液晶高分子薄膜。
2. 如申請專利範圍第1項所述之液晶高分子薄膜電氣圖樣製造方法，其中該(b)步驟中，利用選自於膠帶、印刷、塗佈及遮蔽治具之其中之一種方式，以形成該遮蔽層。
3. 如申請專利範圍第1項所述之液晶高分子薄膜電氣圖樣製造方法，其中該(b)步驟中，利用雷射光束通過該鏤空圖案，以將該液晶高分子薄膜對應表面加工成粗糙部分，然後在該(c)步驟中，於該粗糙部分上噴覆固著該金屬分子鍵合層。
4. 如申請專利範圍第1項所述之液晶高分子薄膜電氣圖樣製造方法，其中該(c)步驟中，該金屬分子鍵合層選自於鋅、銅、鎳、鋅 銅合金及銅鎳合金所組成之群組之其中之一者。
5. 如申請專利範圍第1項所述之液晶高分子薄膜電氣圖樣製造方法，其中該(c)步驟中，該金屬分子鍵合層附著於該液晶高分子薄膜表面上之附著力為9kgf/cm²~11kgf/cm²，並且該金屬分子鍵合層之孔隙率為1~5%。
6. 如申請專利範圍第1項所述之液晶高分子薄膜電氣圖樣製造方法，其中該(d)步驟中，該電氣圖樣設為線寬小於或等於0.15mm之導電線路，以用於電性傳導。
7. 如申請專利範圍第1項所述之液晶高分子薄膜電氣圖樣製造方法，其中該(d)步驟中，該電氣圖樣用於防電磁波干擾或電磁干擾遮蔽。

Images