TW202243230A - 微型發光二極體顯示面板 - Google Patents
微型發光二極體顯示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202243230A TW202243230A TW110132217A TW110132217A TW202243230A TW 202243230 A TW202243230 A TW 202243230A TW 110132217 A TW110132217 A TW 110132217A TW 110132217 A TW110132217 A TW 110132217A TW 202243230 A TW202243230 A TW 202243230A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- micro
- display panel
- wavelength conversion
- Prior art date
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 152
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 116
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 271
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 49
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 32
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 16
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 19
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 11
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 7
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- -1 region Substances 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000001525 retina Anatomy 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000017105 transposition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一種微型發光二極體顯示面板包括第一基板、第二基板、多個微型發光二極體、波長轉換層、遮光圖案層、濾光層以及空氣間隙。這些微型發光二極體設置於第一基板上,且分別位於多個子畫素區內。這些微型發光二極體適於發出光束。波長轉換層重疊設置於這些微型發光二極體的至少一部分。光束用於激發波長轉換層以發出轉換光束。遮光圖案層設置於第二基板上。濾光層設置在波長轉換層與第二基板之間,且重疊於這些微型發光二極體。空氣間隙設置在這些微型發光二極體的任一者、第二基板、波長轉換層與濾光層的任兩相鄰者之間。
Description
本發明是有關於一種顯示面板,且特別是有關於一種微型發光二極體顯示面板。
近年來,在有機發光二極體(Organic light-emitting diode,OLED)顯示面板的製造成本偏高及其使用壽命無法與現行的主流顯示器相抗衡的情況下,微型發光二極體顯示器(Micro LED Display)逐漸吸引各科技大廠的投資目光。特別是,微型發光二極體顯示器除了具有與有機發光二極體顯示器相當的光學表現,例如高色彩飽和度、應答速度快及高對比,還具有低耗能以及材料使用壽命長的優勢。因此,有望成為下一世代的主流顯示技術。
一般來說,微型發光二極體顯示器的製造技術係採用晶粒轉置的方式將預先製作好的微型發光二極體晶粒直接轉移到驅動電路背板上,並且在這些轉置好的晶粒上方設置透明蓋板以避免這些晶粒受外力撞擊而毀損。然而,透明蓋板的設置會增加微型發光二極體顯示器對外部環境光的反射率,造成顯示對比的下降。也因此,另一種在透明蓋板與晶粒間填充封裝膠層的技術被提出。然而,此封裝膠層卻會降低微型發光二極體顯示器的出光效率。
本發明提供一種微型發光二極體顯示面板,其具有較佳的出光效率與顯示對比。
本發明的微型發光二極體顯示面板,包括第一基板、第二基板、多個微型發光二極體、波長轉換層、遮光圖案層、濾光層以及空氣間隙。第二基板與第一基板相對設置。這些微型發光二極體設置於第一基板上,且分別位於多個子畫素區內。這些微型發光二極體適於發出光束。波長轉換層重疊設置於這些微型發光二極體的至少一部分,且位於這些微型發光二極體的至少一部分與第二基板之間。光束用於激發波長轉換層以發出轉換光束。遮光圖案層設置於第二基板上,且具有定義這些子畫素區的多個第一開口。濾光層設置在波長轉換層與第二基板之間,且重疊於這些微型發光二極體。空氣間隙設置在這些微型發光二極體的任一者、第二基板、波長轉換層與濾光層的任兩相鄰者之間。
在本發明的一實施例中,上述的微型發光二極體顯示面板的空氣間隙位於一部分子畫素區的一部分具有第一高度。空氣間隙位於另一部分子畫素區的另一部分具有第二高度,且第一高度不同於第二高度。
在本發明的一實施例中,上述的微型發光二極體顯示面板的空氣間隙的第一高度小於第二高度。
在本發明的一實施例中,上述的微型發光二極體顯示面板的波長轉換層設置在第一基板上,且空氣間隙位於波長轉換層與濾光層之間。
在本發明的一實施例中,上述的微型發光二極體顯示面板更包括重疊設置於多個微型發光二極體的至少一部分的增透層。增透層適於反射光束和轉換光束的其中一者,並且讓光束和轉換光束的其中另一者通過。
在本發明的一實施例中,上述的微型發光二極體顯示面板的增透層位於多個微型發光二極體的至少一部分與波長轉換層之間。增透層適於反射轉換光束,並且讓光束通過。
在本發明的一實施例中,上述的微型發光二極體顯示面板的波長轉換層位於多個微型發光二極體的至少一部分與增透層之間。增透層適於反射光束,並且讓轉換光束通過。
在本發明的一實施例中,上述的微型發光二極體顯示面板的波長轉換層具有重疊多個微型發光二極體的多個波長轉換圖案,且各個波長轉換圖案定義空氣間隙的表面輪廓為圓弧狀。
在本發明的一實施例中,上述的微型發光二極體顯示面板的波長轉換層設置在第二基板上,且空氣間隙位於波長轉換層與多個微型發光二極體之間。
在本發明的一實施例中,上述的微型發光二極體顯示面板的濾光層設置在第一基板上,且空氣間隙位於第二基板與濾光層之間。
在本發明的一實施例中,上述的微型發光二極體顯示面板的空氣間隙包括第一子間隙層與第二子間隙層。第一子間隙層設置在濾光層與波長轉換層之間,且第二子間隙層設置在波長轉換層與多個微型發光二極體之間。
在本發明的一實施例中,上述的微型發光二極體顯示面板更包括隔離層,設置於第一基板上,並具有重疊遮光圖案層的多個第一開口的多個第二開口。波長轉換層設置於這些第二開口的至少一部分內。濾光層設置於這些第一開口內。
在本發明的一實施例中,上述的微型發光二極體顯示面板的隔離層和遮光圖案層的其中一者延伸於空氣間隙中並且接觸隔離層和遮光圖案層的其中另一者。
在本發明的一實施例中,上述的微型發光二極體顯示面板更包括反射層,設置在多個微型發光二極體之間,且位於隔離層與第一基板之間。
在本發明的一實施例中,上述的微型發光二極體顯示面板的空氣間隙的高度小於多個微型發光二極體於第一基板上的排列間距。
在本發明的一實施例中,上述的微型發光二極體顯示面板更包括光學膠層,設置於第一基板與第二基板之間,並且連接多個微型發光二極體的至少一部分、波長轉換層和濾光層。空氣間隙為多個微氣泡,且這些微氣泡分散地設置在光學膠層內。
在本發明的一實施例中,上述的微型發光二極體顯示面板的各個微氣泡於第一基板上的正投影面積小於各個微型發光二極體於第一基板上的正投影面積。
在本發明的一實施例中,上述的微型發光二極體顯示面板的波長轉換層朝向多個微型發光二極體的表面設有多個光學微結構,且波長轉換層的表面與這些微型發光二極體的出光面定義空氣間隙。
在本發明的一實施例中,上述的微型發光二極體顯示面板的各個微型發光二極體朝向濾光層的出光面上設有多個光學微結構,且空氣間隙位於這些光學微結構與波長轉換層之間。
在本發明的一實施例中,上述的微型發光二極體顯示面板更包括披覆層。披覆層覆蓋這些微型發光二極體,且具有多個凹槽。這些凹槽分別重疊於這些微型發光二極體。波長轉換層設置於這些凹槽的一部分,並且連接這些微型發光二極體的一部分與披覆層。這些凹槽的另一部分的表面與這些微型發光二極體的另一部分的出光面定義空氣間隙。
基於上述,在本發明的一實施例的微型發光二極體顯示面板中,第一基板與第二基板之間設有多個微型發光二極體、遮光圖案層、波長轉換層和濾光層。透過在微型發光二極體、波長轉換層、濾光層和遮光圖案層中的任兩相鄰者之間設置空氣間隙,可有效增加微型發光二極體顯示面板的出光效率。此外,第二基板上的遮光圖案層還可降低微型發光二極體顯示面板對外部環境光的反射率,有助於增加微型發光二極體顯示面板的顯示對比。
在附圖中,為了清楚起見,放大了層、膜、面板、區域等的厚度或高度。應當理解,當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時,其可以直接在另一元件上或與另一元件連接,或者中間元件可以也存在。相反,當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時,不存在中間元件。如本文所使用的,「連接」可以指物理及/或電性連接。再者,「電性連接」可為二元件間存在其它元件。
現將詳細地參考本發明的示範性實施例,示範性實施例的實例說明於所附圖式中。只要有可能,相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
圖1是本發明的第一實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。請參照圖1,微型發光二極體顯示面板10包括第一基板101、第二基板102、多個微型發光二極體與遮光圖案層160。這些微型發光二極體設置於第一基板101的基板表面101s上,且包括多個微型發光二極體111、多個微型發光二極體112和多個微型發光二極體113。舉例來說,在本實施例中,微型發光二極體可以是覆晶式(flip-chip type)微型發光二極體或垂直式(vertical type)微型發光二極體。
在本實施例中,第一基板101例如是顯示電路基板。亦即,第一基板101可包含未繪示的多條訊號線(例如掃描線、資料線與電源線)、多個畫素結構(例如是至少兩個主動元件與至少一電容器的組合)以及多個接合墊,用以控制微型發光二極體顯示面板10的顯示,但不以此為限。這些微型發光二極體電性接合至這些接合墊以電性連接第一基板101。遮光圖案層160設置於第二基板102上,且具有多個第一開口OP1。遮光圖案層160的材料可包括黑色樹脂、或其他合適的吸光材料。
特別說明的是,微型發光二極體顯示面板10具有多個顯示畫素區PA,每一個畫素區內包括多個子畫素區PA1、PA2、PA3。其中遮光圖案層160的這些第一開口OP1可定義出微型發光二極體顯示面板10的多個子畫素區,例如:交替排列的子畫素區PA1、子畫素區PA2和子畫素區PA3。微型發光二極體111、微型發光二極體112和微型發光二極體113分別位於子畫素區PA1、子畫素區PA2和子畫素區PA3內。為了增加微型發光二極體的出光效率,這些微型發光二極體的任兩相鄰者之間還可設有反射層140。反射層140的材料可包括白色樹脂材料、布拉格反射鏡、或是其他具有高反射率的材料。
舉例來說,在本實施例中,子畫素區PA1、子畫素區PA2和子畫素區PA3可分別用於顯示紅色、綠色和藍色。特別注意的是,在本實施例中,用於顯示紅色的子畫素區PA1內所設置在微型發光二極體111的發光顏色為藍色,用於顯示綠色的子畫素區PA2內所設置在微型發光二極體112的發光顏色為綠色,而用於顯示藍色的子畫素區PA3內所設置在微型發光二極體113的發光顏色為藍色。
也就是說,微型發光二極體111的發光波長不同於微型發光二極體112的發光波長,且相同於微型發光二極體113的發光波長。因此,為了將微型發光二極體111發出的光束顏色由藍色轉換為紅色,微型發光二極體顯示面板10在重疊於多個微型發光二極體111的區域(即子畫素區PA1)內還設有波長轉換層,且波長轉換層位於微型發光二極體111與第二基板102之間。
詳細而言,波長轉換層具有多個波長轉換圖案121。這些波長轉換圖案121重疊設置於多個微型發光二極體111,且不重疊於多個微型發光二極體112和多個微型發光二極體113。此處兩構件的重疊與否是指兩構件沿著第一基板101的基板表面101s的法線方向(例如方向Z)是否具有重疊關係來判斷。除非特別說明,以下內容中出現的重疊用語都是指兩構件在方向Z上的重疊關係,因此不再贅述。
微型發光二極體111發出的光束LBe可用於激發波長轉換層的波長轉換圖案121以發出波長不同的轉換光束LBc。舉例來說,波長轉換圖案121適於將具有藍光波長的光束LBe轉換為具有較長波長的紅光波長的轉換光束LBc(即,自子畫素區PA1出射的出光光束)。另一方面,由於微型發光二極體112與微型發光二極體113的發光顏色分別為綠色與藍色,因此,微型發光二極體112與微型發光二極體113發出的光束可直接作為出光光束,例如:綠色的光束LBi1和藍色的光束LBi2。
為了增加光束LBe在波長轉換圖案121內的轉換效率以及光束的出光效率,任兩相鄰的子畫素區(或微型發光二極體)之間可設有隔離層150。在本實施例中,隔離層150可選擇性地設置在第一基板101上,且具有多個第二開口OP2。波長轉換層的多個波長轉換圖案121分別設置在重疊多個微型發光二極體111的部分第二開口OP2內。隔離層150的材料可包括白色樹脂、布拉格反射鏡或是其他具有高反射率的材料。隔離層150和反射層140可以選自同一種材料,例如是具高反射的白色樹脂,以增加製程良率。
進一步而言,微型發光二極體顯示面板10還包括重疊於多個微型發光二極體的濾光層。濾光層可選擇性地設置在波長轉換層與第二基板102之間。在本實施例中,濾光層可包括多個第一濾光圖案131、多個第二濾光圖案132和多個第三濾光圖案133,且這些濾光圖案分別設置在遮光圖案層160的多個第一開口OP1內。更具體地說,第一濾光圖案131、第二濾光圖案132和第三濾光圖案133是設置在第二基板102朝向第一基板101的基板表面102s上,且分別重疊於微型發光二極體111、微型發光二極體112和微型發光二極體113。
在本實施例中,子畫素區PA1內的轉換光束LBc、子畫素區PA2內的光束LBi1和子畫素區PA3內的光束LBi2在分別通過第一濾光圖案131、第二濾光圖案132和第三濾光圖案133後投射至觀賞者的視網膜上並形成影像畫面(即顯示畫面),據此來達到彩色顯示的效果。透過這些濾光圖案的設置,可增加每個子畫素區的出光色純度,進而提升微型發光二極體顯示面板10的色域表現。
特別注意的是,濾光層(即多個濾光圖案)與波長轉換層(即多個波長轉換圖案121)之間設有空氣間隙AG10,且此空氣間隙AG10亦存在於子畫素區PA2和子畫素區PA3。然而,本發明不限於此。特別說明的是,此空氣間隙AG10除了可以是一般空氣或真空狀態外,亦可以在至少一部分的空氣間隙AG10內填入低折射率的氣體。例如:折射率是大於等於1且小於等於微型發光二極體的折射率的氧氣、氮氣或二氧化碳等,以增加出光效率。在其他實施例中,空氣間隙可根據實際的產品設計或製程需求而改設置在微型發光二極體與波長轉換層之間、或濾光層與遮光圖案層160之間。在本實施例中,第一基板101與第二基板102之間在基板邊緣區域設有支撐結構200,且支撐結構200連接第一基板101的基板表面101s與第二基板102的基板表面102s,以形成空氣間隙AG10。支撐結構200的材料例如是光學膠材、高分子聚合物(例如:聚碳酸酯、聚醯亞胺或聚對苯二甲酸乙二酯)、或其他合適的材料。較佳地,支撐結構200的楊氏模量(Young’s Modulus)小於第一基板101和第二基板102的楊氏模量,以提供較佳的接合緩衝。
值得一提的是,第二基板102的設置可降低微型發光二極體受非預期外力撞擊而毀損的風險,而此空氣間隙AG10的設置可避免微型發光二極體的出光強度因兩基板間填充有封裝膠層而損耗。換句話說,設有空氣間隙AG10的微型發光二極體顯示面板10相較於傳統設有封裝膠層的微型發光二極體顯示面板來說具有較佳的出光效率。
在本實施例中,空氣間隙AG10於不同的子畫素區可具有不同的高度,但不以此為限。舉例來說,設置於子畫素區PA1內的一部分空氣間隙AG10的高度T1可小設置於子畫素區PA2內的另一部分空氣間隙AG10的高度T2和設置於子畫素區PA3內的又一部分空氣間隙AG10的高度T3。據此,可增加光束LBe在激發波長轉換層並形成具有較長波長的轉換光束LBc時的轉換效率,但不以此為限。需說明的是,此處的高度是指空氣間隙AG10在垂直基板表面101s的方向(例如方向Z)上的高度。除非特別說明,以下內容中出現的高度都是指構件在方向Z上的高度,因此不再贅述。另一方面,為了避免相鄰子畫素區的光束彼此串擾(crosstalk),空氣間隙AG10的高度T1、高度T2和高度T3可小於多個微型發光二極體於第一基板101上的排列間距S,但不以此為限。在一較佳的實施例中,空氣間隙AG10在垂直第一基板101的方向(例如方向Z)上的高度小於等於100微米,但不以此為限。
值得一提的是,由於第二基板102的基板表面102s上設有濾光層和遮光圖案層160,因此可降低外部環境光在第二基板102的反射率,有助於提升微型發光二極體顯示面板10的顯示對比。
以下將列舉另一些實施例以詳細說明本揭露,其中相同的構件將標示相同的符號,並且省略相同技術內容的說明,省略部分請參考前述實施例,以下不再贅述。
圖2是本發明的第二實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。請參照圖2,本實施例的微型發光二極體顯示面板10A與圖1的微型發光二極體顯示面板10的差異在於:波長轉換層和部分的微型發光二極體的配置方式不同。具體而言,微型發光二極體顯示面板10A的微型發光二極體111、微型發光二極體112A和微型發光二極體113的發光顏色(或發光波長)可選擇性地相同,例如都是發出藍光。
另一方面,本實施例的波長轉換層還包括重疊於多個微型發光二極體112A的多個波長轉換圖案122。微型發光二極體111和微型發光二極體112A發出的光束(即光束LBe)可用於激發波長轉換層的波長轉換圖案121和波長轉換圖案122以發出具有不同波長的轉換光束LBc1和轉換光束LBc2。舉例來說,轉換光束LBc1和轉換光束LBc2可以分別是紅光與綠光,但不以此為限。
由於本實施例的濾光圖案132和微型發光二極體112A間還設有波長轉換圖案122,因此空氣間隙AG11於子畫素區PA2的高度T2”與空氣間隙AG11於子畫素區PA1的高度T1可選擇性地相同,並且都小於空氣間隙AG11於子畫素區PA3的高度T3,但不以此為限。在本實施例中,其他構件的配置關係及其產生的技術功效相似於圖1的微型發光二極體顯示面板10,因此,詳細的說明請參見前述實施例的相關段落,於此便不再重述。
圖3是本發明的第三實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。請參照圖3,本實施例的微型發光二極體顯示面板10B與圖2的微型發光二極體顯示面板10A的差異在於:微型發光二極體顯示面板10B還可選擇性地包括光散射層170。在本實施例中,光散射層170可以是多個彼此分離的多個光散射圖案。這些光散射圖案分別重疊設置於多個微型發光二極體113,且位於濾光層(或濾光圖案133)與微型發光二極體113之間。
由於微型發光二極體113發出的光束是直接作為出光光束LBi2s,因此,光散射層170的設置可增加來自微型發光二極體113的光束LBi2s的可視角範圍和出光效率。
另一方面,由於本實施例的濾光圖案133和微型發光二極體113間還設有光散射層170,因此空氣間隙AG12於子畫素區PA3的高度T3”、空氣間隙AG12於子畫素區PA1的高度T1以及空氣間隙AG12於子畫素區PA2的高度T2”可選擇性地相同,但不以此為限。在其他實施例中,空氣間隙AG12於子畫素區PA3的高度T3”也可大於或小於空氣間隙AG12於子畫素區PA1的高度T1和空氣間隙AG12於子畫素區PA2的高度T2”。
在本實施例中,其他構件的配置關係及其產生的技術功效相似於圖2的微型發光二極體顯示面板10A,因此,詳細的說明請參見前述實施例的相關段落,於此便不再重述。
圖4是本發明的第四實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。圖5是本發明的第五實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。請參照圖4,本實施例的微型發光二極體顯示面板10C與圖1的微型發光二極體顯示面板10的差異在於:遮光圖案層的配置方式不同。具體而言,微型發光二極體顯示面板10C的遮光圖案層160A自第二基板102的基板表面102s延伸於空氣間隙AG13中並且接觸隔離層150。據此,可避免相鄰子畫素區的光束彼此串擾(crosstalk),以進一步提升微型發光二極體顯示面板10C的顯示品質。
然而,本發明不限於此。在其他實施例中,微型發光二極體顯示面板10D的隔離層150A也可從第一基板101往第二基板102延伸於空氣間隙AG14中並且接觸位於第二基板102上的遮光圖案層160B,如圖5所示。
由於圖4或圖5中其他構件的配置關係及其產生的技術功效相似於圖1的微型發光二極體顯示面板10,因此,詳細的說明請參見前述實施例的相關段落,於此便不再重述。
圖6是本發明的第六實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。圖7是本發明的第七實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。請參照圖6,本實施例的微型發光二極體顯示面板10E與圖1的微型發光二極體顯示面板10的差異在於:微型發光二極體顯示面板10E還可選擇性地包括重疊設置於多個微型發光二極體111和多個波長轉換圖案121的增透層180。
在本實施例中,增透層180可位於波長轉換圖案121(或波長轉換層)與微型發光二極體111之間。也就是說,增透層180可設置在隔離層150B的部分第二開口OP2內。特別注意的是,增透層180適於反射來自波長轉換圖案121的轉換光束LBc,並且增加來自微型發光二極體111的光束LBe的通過率。因此,可增加光束LBe的轉換效率和轉換光束LBc的出光效率。
然而,本發明不限於此。在其他實施例中,微型發光二極體顯示面板10F的增透層180A也可改設置在波長轉換圖案121與濾光圖案131之間,如圖7所示。亦即,波長轉換圖案121位於微型發光二極體111與增透層180A之間。不同於圖6的微型發光二極體顯示面板10E,微型發光二極體顯示面板10F的增透層180A適於反射來自微型發光二極體111的光束LBe,並且增加來自波長轉換圖案121的轉換光束LBc的通過率。因此,可增加光束LBe的波長轉換效率和轉換光束LBc的出光效率。
由於圖6或圖7中其他構件的配置關係及其產生的技術功效相似於圖1的微型發光二極體顯示面板10,因此,詳細的說明請參見前述實施例的相關段落,於此便不再重述。
圖8是本發明的第八實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。請參照圖8,本實施例的微型發光二極體顯示面板20與圖1的微型發光二極體顯示面板10的差異在於:空氣間隙的設置方式不同。具體而言,微型發光二極體顯示面板20還可選擇性地包括光學膠層190,且此光學膠層190內設有多個微氣泡MB。這些分散於光學膠層190內的微氣泡MB構成微型發光二極體顯示面板20的空氣間隙AG20。
值得注意的是,光學膠層190的設置可確保第一基板101上的波長轉換層(或微型發光二極體)與第二基板102上的濾光層的間距穩定性,以進一步提升微型發光二極體顯示面板20的顯示品質。另一方面,光學膠層190的有效折射率可透過微氣泡MB來調整,據此來降低轉換光束LBc、光束LBi1和光束LBi2通過光學膠層190後的光能損耗,有助於提高微型發光二極體顯示面板20的出光效率。特別說明的是,微氣泡MB於第一基板101上的正投影面積小於各個微型發光二極體於第一基板101上的正投影面積。微氣泡MB的直徑可以小於等於1微米,進而增加折射率以利出光。
由於圖8中其他構件的配置關係及其產生的技術功效相似於圖1的微型發光二極體顯示面板10,因此,詳細的說明請參見前述實施例的相關段落,於此便不再重述。
圖9是本發明的第九實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。請參照圖9,本實施例的微型發光二極體顯示面板30與圖1的微型發光二極體顯示面板10的差異在於:波長轉換層和隔離層的設置方式不同。具體而言,微型發光二極體顯示面板30的波長轉換圖案121A和隔離層150C是設置在第二基板102上。換句話說,微型發光二極體顯示面板30的空氣間隙AG30在子畫素區PA1的部分是位於波長轉換圖案121A與微型發光二極體111之間。因此,波長轉換圖案121A和隔離層150C和遮光圖案層160可以同時於第二基板102上製作完成,以增加製作良率。
由於微型發光二極體顯示面板30的其他構件的配置關係及其產生的技術功效相似於圖1的微型發光二極體顯示面板10,因此,詳細的說明請參見前述實施例的相關段落,於此便不再重述。
圖10是本發明的第十實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。請參照圖10,本實施例的微型發光二極體顯示面板30A與圖9的微型發光二極體顯示面板30的主要差異在於:隔離層的配置方式不同。在本實施例中,微型發光二極體顯示面板30的隔離層150D是由兩個隔離子層151、152所組成。隔離子層151和隔離子層152之間設有披覆層155。披覆層155覆蓋隔離子層151、波長轉換圖案121、第二濾光圖案132和第三濾光圖案133。隔離子層152設置在隔離子層151上,且較靠近第一基板101。
特別說明的是,隔離層150D的隔離子層152的設置可避免相鄰子畫素區的光束彼此串擾(crosstalk),且多個子層堆疊而成的隔離層150D可具有較大的製程彈性。在本實施例中,由於披覆層155的設置,空氣間隙AG31於各子畫素區的高度可選擇性地相同,但不以此為限。
由於微型發光二極體顯示面板30A的其他構件的配置關係及其產生的技術功效相似於圖1的微型發光二極體顯示面板10和圖9的微型發光二極體顯示面板30,因此,詳細的說明請參見前述實施例的相關段落,於此便不再重述。
圖11是本發明的第十一實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。請參照圖11,本實施例的微型發光二極體顯示面板30B與圖10的微型發光二極體顯示面板30A的主要差異在於:濾光層的設置位置不同。在本實施例中,微型發光二極體顯示面板30B的多個濾光圖案(即濾光層),例如濾光圖案131A、濾光圖案132A和濾光圖案133A,是設置在第一基板101上。因此,微型發光二極體顯示面板30B的空氣間隙AG32是位於第二基板102與這些濾光圖案之間,且濾光圖案131A直接配置於波長轉換圖案121上,使得轉換後的轉換光束LBc可以直接進入濾光圖案131A,以增加濾光效率。
另一方面,在本實施例中,隔離層150E的隔離子層151A和隔離子層152A是分別製作在第二基板102和第一基板101上。當兩基板對組後,隔離子層151A和隔離子層152A相連接並形成隔離層150E。透過隔離層150E的設置,可避免相鄰子畫素區的光束彼此串擾(crosstalk),以進一步提升微型發光二極體顯示面板30B的顯示品質。
由於微型發光二極體顯示面板30B的其他構件的配置關係及其產生的技術功效相似於圖1的微型發光二極體顯示面板10,因此,詳細的說明請參見前述實施例的相關段落,於此便不再重述。
圖12是本發明的第十二實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。請參照圖12,本實施例的微型發光二極體顯示面板40與圖10的微型發光二極體顯示面板30A的差異在於:空氣間隙的配置方式不同。具體而言,微型發光二極體顯示面板40的空氣間隙AG40包括第一子間隙層AG40a和第二子間隙層AG40b。第一子間隙層AG40a設置在濾光層與波長轉換層之間,且第二子間隙層AG40b設置在波長轉換層與微型發光二極體之間。
舉例來說,在本實施例中,微型發光二極體顯示面板40的波長轉換層可包括波長轉換圖案121B和波長轉換圖案122B。隔離子層151和隔離子層152間還設有透光層157,且這些波長轉換圖案設置在此透光層157上。透光層157的材料可包括光學膠材、高分子聚合物(例如:聚碳酸酯、聚醯亞胺或聚對苯二甲酸乙二酯)、或其他具有合適硬度的材料。特別注意的是,此透光層157、隔離子層151和濾光層可界定出空氣間隙AG40的第二子間隙層AG40b。而部分的透光層157、反射層140、每一個微型發光二極體的出光面110e和隔離子層152可界定出空氣間隙AG40的第一子間隙層AG40a。
特別注意的是,為了避免相鄰子畫素區的光束彼此串擾(crosstalk),空氣間隙AG40的各個子間隙層在各個子畫素區的高度都小於多個微型發光二極體於第一基板101上的排列間距,但不以此為限。由於微型發光二極體顯示面板40的其他構件的配置關係及其產生的技術功效相似於圖2的微型發光二極體顯示面板10A,因此,詳細的說明請參見前述實施例的相關段落,於此便不再重述。
圖13是本發明的第十三實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。請參照圖13,本實施例的微型發光二極體顯示面板50與圖2的微型發光二極體顯示面板10A的主要差異在於:微型發光二極體顯示面板50的空氣間隙AG50是設置在多個微型發光二極體與波長轉換層之間。
在本實施例中,波長轉換層(即波長轉換圖案121C和波長轉換圖案122C)朝向微型發光二極體的表面120s上設有多個光學微結構120MS,且微型發光二極體111C和微型發光二極體112C的出光面110e以及波長轉換層定義這些光學微結構120MS的表面120s可定義出微型發光二極體顯示面板50的一部分空氣間隙AG50。另一方面,微型發光二極體顯示面板50還可包括披覆層155A。披覆層155A覆蓋隔離層150F和波長轉換層,並且填入隔離層150F重疊於多個微型發光二極體113C的多個第二開口OP2。
特別注意的是,披覆層155A填入這些第二開口OP2的部分在朝向微型發光二極體113C的表面155s上也設有多個光學微結構155MS,且微型發光二極體112C的出光面110e以及披覆層155A定義這些光學微結構155MS的表面155s可定義出微型發光二極體顯示面板50的另一部分空氣間隙AG50。
在本實施例中,微型發光二極體的出光面110e設有空氣間隙AG50,且空氣間隙AG50例如是多個空氣透鏡的組合。因此,這些空氣透鏡的折射效果能增加來自微型發光二極體111C和微型發光二極體112C的光束在波長轉換層內的波長轉換效率,並且能調整來自微型發光二極體113C的光束的光型以增加顯示效果。
圖14是本發明的第十四實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。請參照圖14,本實施例的微型發光二極體顯示面板50A與圖13的微型發光二極體顯示面板50的差異在於:微型發光二極體顯示面板50A的波長轉換層(即波長轉換圖案121D和波長轉換圖案122D)與隔離層150G是設置在第二基板102上。
另一方面,在本實施例中,微型發光二極體的出光面110e上所設置的多個光學微結構MS可以是多個實體微透鏡,且這些光學微結構MS的表面、反射層140A、隔離層150G、波長轉換圖案121D、波長轉換圖案122D和濾光圖案133可定義出微型發光二極體顯示面板50A的空氣間隙AG51。也就是說,本實施例的空氣間隙AG51是設置在多個光學微結構MS與波長轉換層之間。
透過這些光學微結構MS的設置,可集中來自微型發光二極體111C和微型發光二極體112C的光束光型,進而增加這些光束在通過波長轉換層時的波長轉換效率。此外,還能調整來自微型發光二極體113C的光束的光型以增加顯示效果。
圖15是本發明的第十五實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。請參照圖15,本實施例的微型發光二極體顯示面板50B與圖13的微型發光二極體顯示面板50的主要差異在於:波長轉換層和披覆層的結構不同。具體而言,微型發光二極體顯示面板50B的波長轉換圖案121E和波長轉換圖案122E的橫截面輪廓類似凸透鏡。此處的橫截面例如是圖15的圖面。
從另一觀點來說,在本實施例中,披覆層155B具有重疊於多個微型發光二極體的多個凹槽155r,且披覆層155B界定這些凹槽155r的表面輪廓為圓弧狀。波長轉換圖案121E和波長轉換圖案122E設置在部分的凹槽155r內,而未設有波長轉換層的另一部分凹槽155r與微型發光二極體113C的出光面110e可定義出微型發光二極體顯示面板50B的空氣間隙AG52。
由於披覆層155B定義這些凹槽155r的表面具有折射效果,因此可增加來自微型發光二極體111C和微型發光二極體112C的光束光型,進而增加這些光束在通過波長轉換層時的波長轉換效率。此外,還能調整來自微型發光二極體113C的光束的光型以增加顯示效果。
另一方面,由於本實施例的第二基板102、遮光圖案層160和濾光層的配置方式相似於圖1的微型發光二極體顯示面板10,因此,詳細的說明請參見前述實施例的相關段落,於此不再贅述。
圖16是本發明的第十六實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。請參照圖16,本實施例的微型發光二極體顯示面板50C與圖15的微型發光二極體顯示面板50B的差異在於:空氣間隙的配置方式不同。具體而言,微型發光二極體顯示面板50C的波長轉換層包括多個波長轉換圖案121E、多個波長轉換圖案122E和多個波長轉換圖案123E。分別重疊於這些波長轉換圖案的微型發光二極體111D、微型發光二極體112D和微型發光二極體113D例如都適於發出紫外光,且紫外光用於激發波長轉換圖案121E、波長轉換圖案122E和波長轉換圖案123E以分別發出紅光、綠光和藍光,但不以此為限。在一未繪示的實施例中,也可根據實際的光學設計或應用需求,如同前述的實施例不設置波長轉換圖案123E於微型發光二極體113D上。
在本實施例中,空氣間隙AG53是設置在濾光層與波長轉換層之間,而多個波長轉換圖案定義空氣間隙AG53的表面120e輪廓為圓弧狀。也就是說,這些波長轉換圖案的橫截面輪廓類似凸透鏡。此處的橫截面例如是圖16的圖面。由於波長轉換圖案定義空氣間隙AG53的表面120e具有折射效果,因此能用來調整來自波長轉換圖案的轉換光束的光型,以增加這些轉換光束在通過濾光層後的出光效率。
圖17是本發明的第十七實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。請參照圖17,本實施例的微型發光二極體顯示面板60與圖2的微型發光二極體顯示面板10A的主要差異在於:隔離層的構型不同。具體而言,微型發光二極體顯示面板60的隔離層150H定義第二開口OP2的表面150s傾斜於第一基板101的基板表面101s。據此,可調整來自波長轉換圖案的轉換光束和來自微型發光二極體113C的光束的光型(例如集光性),以增加出光顯示效率。
由於微型發光二極體顯示面板60的其他構件的配置關係及其產生的技術功效相似於圖15的微型發光二極體顯示面板50B,因此,詳細的說明請參見前述實施例的相關段落,於此便不再重述。
圖18A是本發明的第十八實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。圖18B是圖18A的微型發光二極體的另一變形實施例的剖視示意圖。請參照圖18A,本實施例的微型發光二極體顯示面板70A與圖11的微型發光二極體顯示面板30B的主要差異在於:波長轉換層與濾光層的配置方式不同。在本實施例中,微型發光二極體顯示面板70A的微型發光二極體和波長轉換圖案是被濾光層所包覆。更具體地說,彼此堆疊的微型發光二極體、波長轉換圖案和濾光圖案可構成一個封裝單元。
舉例來說,在本實施例中,微型發光二極體顯示面板70A可具有三種封裝單元,其中第一種封裝單元是由微型發光二極體111D、波長轉換圖案121G和濾光圖案131D所構成。第二種封裝單元是由微型發光二極體112D、波長轉換圖案122G和濾光圖案132D所構成。第三種封裝單元是由微型發光二極體113D、波長轉換圖案123G和濾光圖案133D所構成。由於本實施例的多個微型發光二極體、多個波長轉換圖案和多個濾光圖案的光學設計相似於圖16的微型發光二極體顯示面板50C,因此,詳細的說明請參見前述實施例的相關段落,於此不再贅述。
需說明的是,在其他實施例中,封裝單元的組成可根據不同的光學設計來調整,例如:第三種封裝單元的微型發光二極體的發光波長不同於另外兩種封裝單元的微型發光二極體的發光波長。因此,第三種封裝單元並未設有波長轉換圖案123G。也就是說,第三種封裝單元可以是由微型發光二極體和濾光圖案所構成。
請參照圖18B,在另一實施例中,微型發光二極體顯示面板70B的封裝單元還可選擇性地包括反射層140B。反射層140B覆蓋微型發光二極體和波長轉換圖案的側壁,以增加微型發光二極體的出光效率和波長轉換圖案的波長轉換效率。也因此,濾光圖案(例如濾光圖案131E~133E)並未如圖18A的封裝單元包覆微型發光二極體和波長轉換圖案。
特別注意的是,圖18A及圖18B的空氣間隙AG70是設置在第二基板102(或遮光圖案層160)與多個封裝單元之間。此空氣間隙AG70的設置可避免微型發光二極體的出光強度因兩基板間填充有封裝膠層而損耗。換句話說,設有空氣間隙AG70的微型發光二極體顯示面板70A與微型發光二極體顯示面板70B相較於傳統設有封裝膠層的微型發光二極體顯示面板來說具有較佳的出光效率。
圖19是本發明的第十九實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。請參照圖19,本實施例的微型發光二極體顯示面板80與圖1的微型發光二極體顯示面板10的差異在於:微型發光二極體顯示面板80是以增透層180B來取代圖1的濾光層(即濾光圖案131~133)。亦即,增透層180B於微型發光二極體顯示面板80所產生的作用相似於圖1的濾光層。
在本實施例中,增透層180B適於反射來自微型發光二極體111的光束LBe,並且讓來自波長轉換圖案121的轉換光束LBc和來自微型發光二極體112的光束LBi1通過。特別注意的是,由於微型發光二極體113發出的光束LBi2與光束LBe的波長相同,為了減少光束LBi2被增透層180B反射回空氣間隙AG80的情況發生,增透層180B需具有重疊於多個微型發光二極體113的多個開口OP3。這些開口OP3適於讓來自這些微型發光二極體113的光束LBi2通過。
由於微型發光二極體顯示面板80的其他構件的配置關係及其產生的技術功效相似於圖1的微型發光二極體顯示面板10,因此,詳細的說明請參見前述實施例的相關段落,於此便不再重述。
綜上所述,在本發明的一實施例的微型發光二極體顯示面板中,第一基板與第二基板之間設有多個微型發光二極體、遮光圖案層、波長轉換層和濾光層。透過在微型發光二極體、波長轉換層、濾光層和遮光圖案層中的任兩相鄰者之間設置空氣間隙,可有效增加微型發光二極體顯示面板的出光效率。此外,第二基板上的遮光圖案層還可降低微型發光二極體顯示面板對外部環境光的反射率,有助於增加微型發光二極體顯示面板的顯示對比。
10、10A、10B、10C、10D、10E、10F、20、30、30A、30B、40、50、50A、50B、50C、60、70A、70B、80:微型發光二極體顯示面板
101:第一基板
101s、102s:基板表面
102:第二基板
110e:出光面
111、112、112A、113、111C、112C、113C、111D、112D、113D:微型發光二極體
120MS、155MS、MS:光學微結構
120e、120s、150s、155s:表面
121、122、121A、121B、122B、121C、122C、121D、122D、121E、122E、123E、121F、122F、121G、122G、123G:波長轉換圖案
131、132、133、131A、132A、133A、131D、132D、133D、131E、132E、133E:濾光圖案
140、140A、140B:反射層
150、150A、150B、150C、150D、150E、150F、150G、150H:隔離層
151、152、151A、152A:隔離子層
155、155A、155B:披覆層
155r:凹槽
157:透光層
160、160A、160B:遮光圖案層
170:光散射層
180、180A、180B:增透層
190:光學膠層
200:支撐結構
AG10、AG11、AG12、AG13、AG14、AG15、AG20、AG30、AG31、AG32、AG40、AG50、AG51、AG52、AG53、AG60、AG70、AG80:空氣間隙
AG40a、AG40b:子間隙層
LBc、LBc1、LBc2:轉換光束
Lbe、LBi1、LBi2、LBi2s:光束
MB:微氣泡
OP1、OP2、OP3:開口
PA:顯示畫素區
PA1、PA2、PA3:子畫素區
S:排列間距
T1、T2、T2”、T3、T3”:高度
Z:方向
圖1是本發明的第一實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。
圖2是本發明的第二實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。
圖3是本發明的第三實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。
圖4是本發明的第四實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。
圖5是本發明的第五實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。
圖6是本發明的第六實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。
圖7是本發明的第七實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。
圖8是本發明的第八實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。
圖9是本發明的第九實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。
圖10是本發明的第十實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。
圖11是本發明的第十一實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。
圖12是本發明的第十二實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。
圖13是本發明的第十三實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。
圖14是本發明的第十四實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。
圖15是本發明的第十五實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。
圖16是本發明的第十六實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。
圖17是本發明的第十七實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。
圖18A是本發明的第十八實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。
圖18B是圖18A的微型發光二極體的另一變形實施例的剖視示意圖。
圖19是本發明的第十九實施例的微型發光二極體顯示面板的剖視示意圖。
10:微型發光二極體顯示面板
101:第一基板
101s、102s:基板表面
102:第二基板
111、112、113:微型發光二極體
121:波長轉換圖案
131、132、133:濾光圖案
140:反射層
150:隔離層
160:遮光圖案層
200:支撐結構
AG10:空氣間隙
LBc:轉換光束
LBe、LBi1、LBi2:光束
OP1、OP2:開口
PA:顯示畫素區
PA1、PA2、PA3:子畫素區
S:排列間距
T1、T2、T3:高度
Z:方向
Claims (20)
- 一種微型發光二極體顯示面板,包括: 一第一基板; 一第二基板,與該第一基板相對設置; 多個微型發光二極體,設置於該第一基板上,且分別位於多個子畫素區內,該些微型發光二極體適於發出一光束; 一波長轉換層,重疊設置於該些微型發光二極體的至少一部分,且位於該些微型發光二極體的該至少一部分與該第二基板之間,其中該光束用於激發該波長轉換層以發出一轉換光束; 一遮光圖案層,設置於該第二基板上,且具有定義該些子畫素區的多個第一開口; 一濾光層,設置在該波長轉換層與該第二基板之間,且重疊於該些微型發光二極體;以及 一空氣間隙,設置在任一該些微型發光二極體、該第二基板、該波長轉換層與該濾光層的任兩相鄰者之間。
- 如請求項1所述的微型發光二極體顯示面板,其中該空氣間隙位於一部分該些子畫素區的一部分具有一第一高度,該空氣間隙位於另一部分該些子畫素區的另一部分具有一第二高度,該第一高度不同於該第二高度。
- 如請求項2所述的微型發光二極體顯示面板,其中該空氣間隙的該第一高度小於該第二高度。
- 如請求項1所述的微型發光二極體顯示面板,其中該波長轉換層設置在該第一基板上,且該空氣間隙位於該波長轉換層與該濾光層之間。
- 如請求項1所述的微型發光二極體顯示面板,更包括: 一增透層,重疊設置於該些微型發光二極體的該至少一部分,該增透層適於反射該光束和該轉換光束的其中一者,並且讓該光束和該轉換光束的其中另一者通過。
- 如請求項5所述的微型發光二極體顯示面板,其中該增透層位於該些微型發光二極體的該至少一部分與該波長轉換層之間,該增透層適於反射該轉換光束,並且讓該光束通過。
- 如請求項5所述的微型發光二極體顯示面板,其中該波長轉換層位於該些微型發光二極體的該至少一部分與該增透層之間,該增透層適於反射該光束,並且讓該轉換光束通過。
- 如請求項1所述的微型發光二極體顯示面板,其中該波長轉換層具有重疊該些微型發光二極體的多個波長轉換圖案,且各該些波長轉換圖案定義該空氣間隙的表面輪廓為圓弧狀。
- 如請求項1所述的微型發光二極體顯示面板,其中該波長轉換層設置在該第二基板上,且該空氣間隙位於該波長轉換層與該些微型發光二極體之間。
- 如請求項1所述的微型發光二極體顯示面板,其中該濾光層設置在該第一基板上,且該空氣間隙位於該第二基板與該濾光層之間。
- 如請求項1所述的微型發光二極體顯示面板,其中該空氣間隙包括一第一子間隙層與一第二子間隙層,該第一子間隙層設置在該濾光層與該波長轉換層之間,且該第二子間隙層設置在該波長轉換層與該些微型發光二極體之間。
- 如請求項1所述的微型發光二極體顯示面板,更包括: 一隔離層,設置於該第一基板上,並具有重疊該遮光圖案層的該些第一開口的多個第二開口,其中該波長轉換層設置於該些第二開口的至少一部分內,該濾光層設置於該些第一開口內。
- 如請求項12所述的微型發光二極體顯示面板,其中該隔離層和該遮光圖案層的其中一者延伸於該空氣間隙中並且接觸該隔離層和該遮光圖案層的其中另一者。
- 如請求項12所述的微型發光二極體顯示面板,更包括: 一反射層,設置在該些微型發光二極體之間,且位於該隔離層與該第一基板之間。
- 如請求項1所述的微型發光二極體顯示面板,其中該空氣間隙的一高度小於該些微型發光二極體於該第一基板上的一排列間距。
- 如請求項1所述的微型發光二極體顯示面板,更包括: 一光學膠層,設置於該第一基板與該第二基板之間,並且連接該些微型發光二極體的該至少一部分、該波長轉換層和該濾光層,其中該空氣間隙為多個微氣泡,且該些微氣泡分散地設置在該光學膠層內。
- 如請求項16所述的微型發光二極體顯示面板,其中各該些微氣泡於該第一基板上的正投影面積小於各該些微型發光二極體於該第一基板上的正投影面積。
- 如請求項1所述的微型發光二極體顯示面板,其中該波長轉換層朝向該些微型發光二極體的一表面設有多個光學微結構,且該波長轉換層的該表面與該些微型發光二極體的一出光面定義該空氣間隙。
- 如請求項1所述的微型發光二極體顯示面板,其中各該些微型發光二極體朝向該濾光層的一出光面上設有多個光學微結構,且該空氣間隙位於該些光學微結構與該波長轉換層之間。
- 如請求項1所述的微型發光二極體顯示面板,更包括: 一披覆層,覆蓋該些微型發光二極體,且具有多個凹槽,該些凹槽分別重疊於該些微型發光二極體,其中該波長轉換層設置於該些凹槽的一部分,並且連接該些微型發光二極體的一部分與該披覆層,該些凹槽的另一部分的一表面與該些微型發光二極體的另一部分的一出光面定義該空氣間隙。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US17/536,122 US11776990B2 (en) | 2021-04-16 | 2021-11-29 | Micro light-emitting diode display panel |
KR1020220107740A KR20230032957A (ko) | 2021-04-16 | 2022-08-26 | 마이크로 발광 다이오드 디스플레이 패널 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202163175565P | 2021-04-16 | 2021-04-16 | |
US63/175,565 | 2021-04-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI771171B TWI771171B (zh) | 2022-07-11 |
TW202243230A true TW202243230A (zh) | 2022-11-01 |
Family
ID=78679635
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110132217A TWI771171B (zh) | 2021-04-16 | 2021-08-31 | 微型發光二極體顯示面板 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11776990B2 (zh) |
KR (1) | KR20230032957A (zh) |
CN (1) | CN113725336A (zh) |
TW (1) | TWI771171B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI838237B (zh) * | 2023-05-03 | 2024-04-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3153727B2 (ja) * | 1995-04-11 | 2001-04-09 | 株式会社リコー | スーパールミネッセントダイオード |
CN100446286C (zh) * | 2004-07-30 | 2008-12-24 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 具有减小反射的层序列的发光二极管 |
US10910350B2 (en) * | 2014-05-24 | 2021-02-02 | Hiphoton Co., Ltd. | Structure of a semiconductor array |
WO2017202331A1 (en) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | Chen-Fu Chu | Methods of filling organic or inorganic liquid in assembly module |
WO2018117361A1 (ko) * | 2016-12-23 | 2018-06-28 | 주식회사 루멘스 | 마이크로 엘이디 모듈 및 그 제조방법 |
JP2019179111A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | Jsr株式会社 | 表示素子用積層体、及び隔壁形成用組成物 |
US20200227484A1 (en) * | 2019-01-13 | 2020-07-16 | Innolux Corporation | Lighting device |
CN109979956A (zh) * | 2019-04-10 | 2019-07-05 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及其形成方法 |
CN112017551B (zh) * | 2019-05-30 | 2022-06-03 | 群创光电股份有限公司 | 光学装置 |
CN111370547B (zh) * | 2020-03-14 | 2021-03-26 | 厦门友来微电子有限公司 | 无光串扰MicroLED芯片 |
TWI766293B (zh) * | 2020-06-09 | 2022-06-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
-
2021
- 2021-08-31 TW TW110132217A patent/TWI771171B/zh active
- 2021-08-31 CN CN202111011137.3A patent/CN113725336A/zh active Pending
- 2021-11-29 US US17/536,122 patent/US11776990B2/en active Active
-
2022
- 2022-08-26 KR KR1020220107740A patent/KR20230032957A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220336526A1 (en) | 2022-10-20 |
KR20230032957A (ko) | 2023-03-07 |
CN113725336A (zh) | 2021-11-30 |
TWI771171B (zh) | 2022-07-11 |
US11776990B2 (en) | 2023-10-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11396996B2 (en) | Light source device and display unit | |
CN110858599B (zh) | 像素阵列封装结构及显示面板 | |
US7859614B2 (en) | Light emitting diode package having dual lens structure and backlight for liquid crystal display device implementing the same | |
JP6912746B1 (ja) | 発光モジュール及び面状光源 | |
JP6912748B1 (ja) | 発光モジュール及び面状光源 | |
TWI765491B (zh) | 顯示基板及其製備方法、顯示裝置 | |
CN107577084B (zh) | 背光设备及其制作方法 | |
JP6912747B1 (ja) | 発光モジュール及び面状光源 | |
CN113721385B (zh) | 一种均匀出光的Mini LED芯片背光模组 | |
CN109888127A (zh) | 一种显示面板、其制作方法及显示装置 | |
TWI771171B (zh) | 微型發光二極體顯示面板 | |
CN113725346A (zh) | Mini LED背光源、背光模组及其制作方法 | |
TWI751850B (zh) | 顯示面板 | |
TWI830395B (zh) | 顯示裝置 | |
JP2004259606A (ja) | 表示体および表示装置 | |
CN114527603A (zh) | 背光模组和显示面板 | |
CN112993132A (zh) | 微型发光二极管芯片以及微型发光二极管显示器 | |
CN219087434U (zh) | 一种带有独立封装发光芯片的背光架构及显示装置 | |
CN114333614A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN219591394U (zh) | 一种像素单元和显示面板 | |
CN216597633U (zh) | Mini LED背光源、背光模组 | |
TWI757069B (zh) | 顯示裝置 | |
CN215266305U (zh) | 一种背板组件、显示面板及显示装置 | |
TWI805291B (zh) | 顯示器的背光模組 | |
US20220382106A1 (en) | Light emitting module and optical lens thereof |