TW202238628A - 透明導電性膜 - Google Patents

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長瀬純一
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日商日東電工股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種包含金屬奈米線、且導電性及透明性優異之透明導電性膜。 本發明之透明導電性膜係具備基材及配置於該基材之單側之透明導電層的透明導電性膜，該透明導電層包含金屬奈米線，該透明導電層中之該金屬奈米線之量x(g/m 2)與透明導電性膜之導電率y(1/Ω)之關係乃為下述式(1)之關係。 y＝a×x・・・(1) 於式(1)中，a為0.77以上。

Description

透明導電性膜
本發明係關於一種透明導電性膜。
先前，於具有觸控感測器之圖像顯示裝置中，作為觸控感測器之電極，多使用在透明樹脂膜上形成ITO(Indium Tin Oxides，銦錫複合氧化物)等金屬氧化物層而得之透明導電性膜。然而，具備該金屬氧化物層之透明導電性膜容易因彎曲而喪失導電性，存在難以用於軟性顯示器等需要彎曲性之用途之問題。
另一方面，作為彎曲性較高之透明導電性膜，已知有包含金屬奈米線之透明導電性膜。金屬奈米線係直徑為奈米尺寸之線狀導電性物質。於由金屬奈米線構成之透明導電性膜中，藉由金屬奈米線成為網格狀，而由少量之金屬奈米線形成良好之導電路徑，又，於網格之間隙形成開口部，實現較高之透光率。於包含此種金屬奈米線之透明導電性膜中，亦研究提高導電性膜本質上要求之導電性。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特表2009-505358號公報 [專利文獻2]日本專利第6199034號
[發明所欲解決之問題]
本發明係為了解決上述問題而完成者，其目的在於提供一種包含金屬奈米線、且導電性及透明性優異之透明導電性膜。 [解決問題之技術手段]
本發明之透明導電性膜係具備基材及配置於該基材之單側之透明導電層之透明導電性膜，該透明導電層包含金屬奈米線，該透明導電層中之該金屬奈米線之量x(g/m 2)與透明導電性膜之導電率y(1/Ω)之關係乃為下述式(1)之關係。 y＝a×x・・・(1) 於式(1)中，a為0.77以上。 於1個實施方式中，上述透明導電性膜係霧度值為20%以下。 於1個實施方式中，上述透明導電性膜係表面電阻值為0.1 Ω/□～1000 Ω/□。 於1個實施方式中，上述透明導電層中之金屬奈米線之量x(g/m 2)為0.005 g/m 2～0.05 g/m 2。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種包含金屬奈米線，且導電性及透明性優異之透明導電性膜。
A. 透明導電性膜圖1係藉由本發明之1個實施方式之製造方法所得之透明導電性膜的概略剖視圖。透明導電性膜100包含基材10及配置於該基材10之單側之透明導電層20。透明導電層20包含金屬奈米線(未圖示)。
透明導電性膜之表面電阻值較佳為0.1 Ω/□～1000 Ω/□，更佳為0.5 Ω/□～300 Ω/□，再佳為1 Ω/□～200 Ω/□，特佳為1 Ω/□～150 Ω/□，最佳為20 Ω/□～100 Ω/□。表面電阻值可藉由Mitsubishi Chemical Analytech公司之「電阻率自動測定系統MCP-S620型・MCP-S521型」而測定。
上述透明導電性膜之霧度值較佳為20%以下，更佳為10%以下，再佳為0.1%～5%，再佳為0.1%～3%，特佳為0.1%～1%。
上述透明導電性膜之全光線透過率較佳為30%以上，更佳為35%以上，特佳為40%以上。
(透明導電層) 如上所述，透明導電層包含金屬奈米線。
上述透明導電層中之金屬奈米線之量x(g/m 2)與透明導電性膜之導電率y(1/Ω)之關係乃為下述式(1)之關係： y＝a×x・・・(1) 於式(1)中，a為0.77以上。於本發明中，藉由金屬奈米線之量x(g/m 2)與導電率y(1/Ω)處於上述關係，可獲得導電性明顯優異之透明導電性膜。本發明之透明導電性膜使金屬奈米線之使用量相對較少，且具有較高之導電性。此種透明導電性膜於可同時實現高導電性與透明性(低霧度)之方面非常有利。此種透明導電性膜如下所述，可藉由塗佈透明導電層形成用組合物形成塗佈層，將該塗佈層放置規定時間之後，進行下一步驟之送風步驟而獲得。認為藉由將塗佈層放置規定時間，可較佳地調整塗佈層中之金屬奈米線之流動，金屬奈米線彼此之接觸點變多，故而獲得如上所述之效果。
於上述式(1)中，a較佳為0.79以上，更佳為0.8以上，再佳為0.85以上，特佳為0.88以上，再佳為0.9以上。若為此種範圍，則上述效果更加明顯。上述a越大越好，但其上限值例如為2.0。銀之量越多則導電率越高，但相應地霧度變高，導致損壞透明性。金屬奈米線之量x(g/m 2)為存在於透明導電層每1 m 2之金屬奈米線之重量。導電率為上述表面電阻值之倒數。
透明導電層中之金屬奈米線之量x(g/m 2)較佳為0.005 g/m 2～0.05 g/m 2，更佳為0.008 g/m 2～0.03 g/m 2，進而更佳為0.01 g/m 2～0.025 g/m 2，特佳為0.01 g/m 2～0.02 g/m 2。
於1個實施方式中，透明導電層進而包含聚合物基質。於該實施方式中，於聚合物基質中，存在金屬奈米線。於由聚合物基質構成之透明導電層中，藉由聚合物基質而保護金屬奈米線。其結果，可防止金屬奈米線腐蝕，獲得耐久性更加優異之透明導電性膜。
透明導電層之厚度較佳為2 μm～10 μm，更佳為3 μm～9 μm，再佳為4 μm～8 μm。
上述透明導電層中之金屬奈米線之含有比率相對於構成透明導電層的黏合劑樹脂100重量份，較佳為0.1重量份～50重量份，更佳為0.1重量份～30重量份。若為此種範圍，則可獲得導電性及光透過性優異之透明導電性膜。
上述透明導電層之全光線透過率較佳為85%以上，更佳為90%以上，再佳為95%以上。
所謂金屬奈米線，係指材質為金屬，形狀為針狀或線狀，直徑為奈米尺寸之導電性物質。金屬奈米線可為直線狀，亦可為曲線狀。若使用由金屬奈米線構成之透明導電層，則藉由金屬奈米線成為網格狀，即便為少量之金屬奈米線亦可形成良好之導電路徑，可獲得電阻較小之透明導電性膜。進而，藉由金屬奈米線成為網格狀，可於網格之間隙形成開口部，獲得透光率較高之透明導電性膜。
上述金屬奈米線之粗度d與長度L之比(縱橫比：L/d)較佳為10～100,000，更佳為50～100,000，特佳為100～10,000。若如此使用縱橫比較大之金屬奈米線，則金屬奈米線良好地交叉，藉由少量之金屬奈米線可體現較高之導電性。其結果，可獲得透光率較高之透明導電性膜。再者，於本說明書中，所謂「金屬奈米線之粗度」，於金屬奈米線之剖面為圓狀之情形時係指其直徑，於橢圓狀之情形時係指其短徑，於多邊形之情形時係指最長之對角線。金屬奈米線之粗度及長度可藉由掃描式電子顯微鏡或穿透式電子顯微鏡而確認。
上述金屬奈米線之粗度較佳為未達500 nm，更佳為未達200 nm，特佳為10 nm～100 nm，最佳為10 nm～50 nm。若為此種範圍，則可形成透光率較高之透明導電層。
上述金屬奈米線之長度較佳為1 μm～1000 μm，更佳為10 μm～500 μm，特佳為10 μm～100 μm。若為此種範圍，則可獲得導電性較高之透明導電性膜。
作為構成上述金屬奈米線之金屬，只要為導電性金屬，則可使用任意之適當的金屬。作為構成上述金屬奈米線之金屬，例如，可例舉銀、金、銅、鎳等。又，亦可使用對該等金屬進行鍍覆處理(例如，鍍金處理)之材料。其中，自導電性之觀點而言，較佳為銀、銅或金，更佳為銀。
作為上述金屬奈米線之製造方法，可採用任意之適當的方法。例如，可例舉於溶液中還原硝酸銀之方法、自探針之前端部使施加電壓或電流作用於前驅物表面，利用探針前端部拉出金屬奈米線，連續地形成該金屬奈米線之方法等。於在溶液中還原硝酸銀之方法中，藉由於乙二醇等多元醇、及聚乙烯吡咯啶酮之存在下，將硝酸銀等銀鹽液相還原，而可合成銀奈米線。均勻尺寸之銀奈米線例如能夠依據Xia,Y.etal.,Chem.Mater.(2002)、14、4736-4745、Xia,Y.etal.,Nano letters(2003)3(7)、955-960中記載之方法大量生產。
(基材) 構成上述基材之材料可使用任意之適當的材料。具體而言，例如較佳地使用膜、塑膠基材等高分子基材。其原因在於，基材之平滑性及相對於透明導電層形成用組合物之潤濕性優異，又，藉由利用輥之連續生產而可大幅度提高生產性。
構成上述基材之材料代表性而言為以熱塑性樹脂為主成分之高分子膜。作為熱塑性樹脂，例如可例舉聚酯系樹脂、聚降冰片烯等環烯烴系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯樹脂、纖維素系樹脂等。其中，較佳為聚酯系樹脂、環烯烴系樹脂或丙烯酸系樹脂。該等樹脂係透明性、機械性強度、熱穩定性、水分遮蔽性等優異。上述熱塑性樹脂亦可單獨使用，或將2種以上組合使用。又，用於偏光板般之光學膜，例如亦可將低相位差基材、高相位差基材、相位差板、亮度提高膜等用作基材。
上述基材之厚度較佳為20 μm～200 μm，更佳為30 μm～150 μm。
上述基材之全光線透過率較佳為30%以上，更佳為35%以上，再佳為40%以上。
B. 透明導電性膜之製造方法於1個實施方式中，本發明之透明導電性膜之製造方法包含：塗佈步驟，其於基材塗佈包含金屬奈米線之透明導電層形成用組合物而形成塗佈層；放置步驟，其將塗佈層放置規定時間；及送風步驟，其於放置步驟後對該塗佈層送風。根據此種製造方法，獲得上述透明導電性膜，即，具備基材及配置於基材之單側之透明導電層之透明導電性膜。上述製造方法除了上述塗佈步驟及送風步驟以外，亦可包含任意之適當的其他步驟。於1個實施方式中，上述製造方法可於送風步驟後進而包含使塗佈層乾燥之乾燥步驟。於另一實施方式中，上述送風步驟為可使上述塗佈層乾燥之步驟，經過送風步驟而形成透明導電層。
於1個實施方式中，上述製造方法可一面搬送基材一面進行。代表性而言，一面將卷狀態之基材放出並搬送該基材，一面進行上述塗佈步驟、放置步驟及送風步驟(以及視需要，乾燥步驟等其他步驟)，而形成具備基材及配置於基材之單側之透明導電層之長條狀之透明導電性膜。於1個實施方式中，將該透明導電性膜於形成後加以卷取。
作為基材之搬送方法，可採用任意之適當的方法。例如，可例舉利用搬送輥之搬送、利用搬送皮帶之搬送、該等之組合等。搬送速度例如為5 m/min～50 m/min。
(塗佈步驟) 如上所述，於塗佈步驟中，藉由任意之適當的方法，而於上述基材塗佈包含金屬奈米線之透明導電層形成用組合物來形成塗佈層。於1個實施方式中，一面搬送長條狀之基材，一面於該基材塗佈包含金屬奈米線之透明導電層形成用組合物而形成塗佈層。
透明導電層形成用組合物包含上述金屬奈米線。於1個實施方式中，使金屬奈米線分散於任意之適當的溶劑製備透明導電層形成用組合物。作為該溶劑，可例舉水、醇系溶劑、酮系溶劑、醚系溶劑、烴系溶劑、芳香族系溶劑等。又，透明導電層形成用組合物亦可進而包含樹脂(黏合劑樹脂)、金屬奈米線以外之導電性材料(例如，導電性粒子)、調平劑等添加劑。又，透明導電層形成用組合物可包含塑化劑、熱穩定劑、光穩定劑、滑劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、難燃劑、著色劑、抗靜電劑、相容化劑、交聯劑、增黏劑、無機粒子、界面活性劑、及分散劑等添加劑。
透明導電層形成用組合物之黏度較佳為5 mP・s/25℃～300 mP・s/25℃，更佳為10 mP・s/25℃～100 mP・s/25℃。若為此種範圍，則本發明之效果變得顯著。透明導電層形成用組合物之黏度可藉由流變儀(例如，Anton Paar公司之MCR302)而測定。
透明導電層形成用組合物中之金屬奈米線之分散濃度較佳為0.01重量%～5重量%。若為此種範圍，則本發明之效果變得顯著。
作為上述透明導電層形成用組合物之塗佈方法，可採用任意之適當的方法。作為塗佈方法，例如，可例舉噴塗、棒式塗佈、輥塗、模嘴塗佈、噴墨塗佈、絲網塗佈、浸漬塗佈、凸版印刷法、凹版印刷法、凹版(gravure)印刷法等。
上述塗佈層之單位面積重量較佳為0.3 g/m 2～30 g/m 2，更佳為1.6 g/m 2～16 g/m 2。若為此種範圍，則藉由送風步驟中之送風，可製造金屬奈米線良好地分散，且導電各向異性更小之透明導電性膜。
塗佈步驟中之塗佈層之厚度Ts較佳為10 μm～50 μm，更佳為13 μm～40 μm，再佳為13 μm～30 μm，特佳為13 μm～20 μm。若為此種範圍，則可獲得導電性特別優異之透明導電性膜。所謂厚度Ts(以下，亦稱為塗佈層之初始厚度Ts)，係指上述剛塗佈之後之上述塗佈層之厚度(wet厚度)。塗佈層之厚度Ts(wet厚度)可藉由光學干涉式之膜厚計(例如，ocean insight公司製造之「分光器FLAME-S」)而測定。
(放置步驟) 放置步驟如上所述，係將塗佈層放置規定時間之步驟。更具體而言，係將塗佈層於25℃以下(較佳為20℃～25℃)且無風狀態之環境，放置包含基材與塗佈層之積層構成之步驟。於本說明書中，所謂無風狀態係指風速(於搬送基材之情形時，為相對風速)未達0.5 m/s之狀態。又，於本說明書中，所謂「放置」，係指於無風狀態下減少塗佈層厚度，係亦包含一面搬送包含基材與塗佈層之積層構成，一面減少塗佈層厚度之操作之概念。
放置塗佈層之時間例如為1秒～300秒。放置塗佈層之時間相當於前步驟中之塗佈層形成後，後步驟中之送風開始為止之時間。
於本發明中，藉由於將塗佈層放置規定時間之後，進行下一步驟之送風步驟，可獲得導電性優異之透明導電性膜。若將藉由上述製造方法而獲得之透明導電性膜與不送風而使塗佈層乾燥所得之透明導電性膜、或於塗佈後立即對塗佈層送風所得之透明導電性膜進行比較，則藉由上述製造方法而獲得之透明導電性膜之金屬奈米線之每單位重量之導電性優異。認為根據本發明之製造方法，藉由將塗佈層放置規定時間，可較佳地調整塗佈層中之金屬奈米線之流動，金屬奈米線彼此之接觸點變多，故而可獲得如上所述之效果。
放置步驟後之塗佈層之厚度(於送風步驟中開始送風時之塗佈層之厚度Tb)較佳為超過1 μm，更佳為2 μm以上。即，較佳為，於塗佈層之厚度成為1 μm以下(較佳為未達2 μm)之前，結束放置步驟。若如此而行，則可較佳地調整塗佈層中之金屬奈米線之流動，可使金屬奈米線彼此之接觸點更多。
於1個實施方式中，放置時間基於塗佈步驟中之塗佈層之厚度Ts與放置步驟後之塗佈層之厚度(於送風步驟中開始送風時之塗佈層之厚度Tb)來決定。於1個實施方式中，於送風步驟中開始送風時之塗佈層之厚度Tb相對於上述塗佈步驟中之塗佈層之厚度Ts，為25%～90%，更佳為27%～89%，再佳為30%～88%。若為此種範圍，則可較佳地調整塗佈層中之金屬奈米線之流動，金屬奈米線彼此之接觸點變多，故而可獲得金屬奈米線之每單位重量之導電性較高之透明導電性膜。
於1個實施方式中，較佳為，於塗佈層之厚度較塗佈層之初始厚度Ts薄2 μm～12 μm為止之期間，放置塗佈層，更佳為，於較塗佈層之初始厚度Ts薄4 μm～11 μm為止之期間，放置塗佈層，再佳為，於較塗佈層之初始厚度Ts薄6 μm～10 μm為止之期間，放置塗佈層，較佳為，於較塗佈層之初始厚度Ts薄6 μm～9 μm為止之期間，放置塗佈層。若為此種範圍，則可較佳地調整塗佈層中之金屬奈米線之流動，可使金屬奈米線彼此之接觸點更多。
又，於塗佈層之初始厚度Ts為10 μm～13 μm之情形時，較佳為直至塗佈層之厚度Tb成為2.5 μm～9 μm為止放置塗佈層，更佳為，直至塗佈層之厚度Tb成為3 μm～5 μm為止放置塗佈層。又，於塗佈層之初始厚度Ts超過13 μm且未達16 μm之情形時，較佳為，直至塗佈層之厚度Tb成為4 μm～12 μm為止放置塗佈層，更佳為，直至塗佈層之厚度Tb成為5 μm～7 μm為止放置塗佈層。又，於塗佈層之初始厚度Ts超過16 μm(較佳為超過16 μm且為30 μm以下，更佳為超過16 μm且為20 μm以下)之情形時，較佳為，直至塗佈層之厚度Tb成為6 μm～14 μm為止放置塗佈層，更佳為，直至塗佈層之厚度Tb成為7 μm～9 μm為止放置塗佈層。若為此種範圍，則可較佳地調整塗佈層中之金屬奈米線之流動，可使金屬奈米線彼此之接觸點更多。
(送風步驟) 對塗佈層之送風可藉由任意之適當的方法而進行。於1個實施方式中，使用配置於塗佈層之上方(與基材相反側)、及/或側方之送風機，可進行對塗佈層之送風。送風方向設為任意之適當的方向。例如，可設為如相對於塗佈層面具有規定之角度(例如，10°～170°)之送風方向，亦可與塗佈層面大致平行(例如，相對於塗佈層面未達10°)地送風。又，亦可送螺旋狀地吹之風。送風方向例如可於送風機設置遮光體，藉由該遮光體之方向而調整。於1個實施方式中，送風方向可藉由遮光體之開口方向而規定。又，於送螺旋狀之風之情形時，可使用送風口具備螺旋狀之風向板之送風機。
上述風之風速較佳為0.5 m/s～10 m/s，更佳為1 m/s～5 m/s。若為此種範圍，則可使金屬奈米線良好地分散，製造導電性優異之透明導電性膜。又，可獲得表面平滑性及厚度之均勻性優異之透明導電性膜。風速可根據透明導電層形成用組合物中所包含之溶劑等而適當地設定。於使用由水製備之透明導電層形成用組合物之情形時，上述風速較佳為0.5 m/s～10 m/s，更佳為1 m/s～5 m/s。再者，於本說明書中所謂風速，係指到達塗佈層之時間點之風速。
上述風之溫度較佳為10℃～50℃，更佳為15℃～30℃。風速可根據透明導電層形成用組合物中所包含之溶劑等來適當設定。於使用由水製備之透明導電層形成用組合物之情形時，上述風之溫度較佳為10℃～50℃，更佳為15℃～30℃。再者，於本說明書中所謂風之溫度，係指到達塗佈層之時間點之風之溫度。
送風時間較佳為1分鐘～10分鐘，更佳為2分鐘～5分鐘。若為此種範圍，則可製造金屬奈米線良好地分散，且導電各向異性更小之透明導電性膜。具體而言，若使送風時間成為上述範圍而規定被送風面積，則可使金屬奈米線適當地分散於塗佈層整體。又，可獲得表面平滑性及厚度之均勻性優異之透明導電性膜。
於送風步驟中，亦可將送風分多階段進行。例如，以可以風向、風速、溫度等不同之方式分區域，階段性地進行送風。
亦可於送風步驟之後，進行任意之適當的處理。例如，於使用包含黏合劑樹脂之透明導電層形成用組合物之情形時，亦可進行利用紫外線照射等之硬化處理。又，亦可於送風步驟之後，進行乾燥步驟。作為乾燥方法，例如，可例舉烘箱加熱、自然乾燥等。 實施例
以下，利用實施例對本發明具體地進行說明，本發明並不受該等實施例任何限定。實施例中之評估方法如以下所述。再者，厚度藉由光學干涉式之膜厚計(ocean insight公司製造之「分光器FLAME-S」)而測定。
(1)表面電阻值、導電率 使用Napson股份有限公司製造之非接觸表面電阻計(商品名「EC-80」)，藉由渦電流法而測定透明導電性膜之表面電阻值(MD及TD之表面電阻值)。測定溫度設為23℃。又，求出表面電阻值之倒數來設為導電率。 又，藉由｛導電率y(1/Ω)/每1 m 2之金屬奈米線之量x(g/m 2)｝之式，求出上述「y＝a×x・・・(1)」之a(m 2/Ω・g)。
(2)霧度值 藉由JIS 7136中規定之方法，使用測霧計(村上色彩科學研究所公司製造，商品名「HN-150」)測定透明導電性膜之霧度值。
[製造例1]透明導電層形成用組合物之製備 基於Chem.Mater.2002,14,4736-4745中記載之方法來合成銀奈米線。 以上述所得之銀奈米線成為0.2重量%之濃度、及十二烷基-戊乙二醇成為0.1重量%之濃度之方式分散於純水中，獲得透明導電層形成用組合物。
[實施例1] 使用PET膜(三菱樹脂製造，商品名「S100」)作為基材。一面將該基材使用搬送輥搬送，一面於該基材上使用棒式塗佈機(第一理科股份有限公司製造，製品名「棒式塗佈機No.6」)塗佈製造例1中製備之透明導電層形成用組合物而形成厚度(塗佈層之初始厚度Ts)13 μm之塗佈層(即，每1 m 2之金屬奈米線之量x(g/m 2)＝0.012 g/m 2)。然後，放置至塗佈層之厚度(於送風步驟中開始送風時之塗佈層之厚度Tb)成為9.1 μm(即，Tb/Ts＝0.7)為止(放置步驟)。繼而，自基材之中央向兩端以自寬度方向內側向寬度方向兩外側之方向進行送風。基材之搬送方向與送風方向(自塗佈層面側觀察之送風方向)所成之角設為90°，基材之搬送方向與送風方向(自塗佈層側方觀察之送風方向)所成之角設為0°。又，風速設為2 m/s，風之溫度設為25℃。又，送風時間(乾燥時間)設為2分鐘。 將所得之透明導電性膜供上述評估(1)及(2)。表1表示結果。
[實施例2～8、比較例1～2] 除了使塗佈層之初始厚度Ts(作為結果，金屬奈米線之量x)、於送風步驟中開始送風時(送風開始時)之塗佈層之厚度Tb如表1所示以外，與實施例1相同地，獲得透明導電性膜。將所得之透明導電性膜供上述評估(1)及(2)。表1表示結果。
[比較例3] 使用PET膜(三菱樹脂製造，商品名「S100」)作為基材。一面將該基材使用搬送輥搬送，一面於該基材上使用棒式塗佈機(第一理科股份有限公司製造，製品名「棒式塗佈機No.6」)將於製造例1中製備之透明導電層形成用組合物塗佈而形成厚度13 μm之塗佈層(即，每1 m 2之金屬奈米線之量x(g/m 2)＝0.012 g/m 2)。然後，將形成有塗佈層之基材投入至爐內溫度100℃之烘箱2分鐘，獲得透明導電性膜。將所得之透明導電性膜供上述評估(1)及(2)。表1表示結果。
[表1]
   塗佈層之初始厚度Ts(μm) 金屬奈米線之量x(g/m 2) 送風開始時之塗佈層之厚度Tb(μm) Tb/Ts 電阻 (Ω/□) 導電率y(1/Ω) 導電率y /金屬奈米線之量x 霧度 (%)
實施例1 13 0.012 9.1 0.7 100 0.0100 0.83 0.4
實施例2 13 0.012 5.2 0.4 94 0.0106 0.89 0.4
實施例3 15 0.015 13.5 0.9 74 0.0135 0.90 0.5
實施例4 15 0.015 10.5 0.7 70 0.0143 0.95 0.5
實施例5 15 0.015 6 0.4 62 0.0161 1.08 0.5
實施例6 17 0.019 15.3 0.9 55 0.0182 0.96 0.7
實施例7 17 0.019 11.9 0.7 49 0.0204 1.07 0.7
實施例8 17 0.019 6.8 0.4 48 0.0208 1.10 0.6
比較例1 13 0.012 13 1 112 0.0089 0.74 0.4
比較例2 13 0.012 1 0.08 120 0.0083 0.69 0.5
比較例3 13 0.012 - - 126 0.0079 0.66 0.6
根據表1明確，根據本發明，藉由使由｛導電率y(1/Ω)/每1 m 2之金屬奈米線之量x(g/m 2)｝之式而求出之上述「y＝a×x・・・(1)」之a(m 2/Ω・g)為特定值以上，可獲得高導電性與低霧度值平衡良好地調整之透明導電性膜。此種透明導電性膜可藉由經過放置步驟製造而獲得。又，藉由根據塗佈層之初始厚度使送風開始時之塗佈層厚度最佳化(使放置時間最佳化)，而上述效果更明顯。
10:基材 20:透明導電層 100:透明導電性膜
圖1係藉由本發明之1個實施方式之製造方法所得之透明導電性膜的概略剖視圖。
10:基材
20:透明導電層
100:透明導電性膜

Claims (4)

  1. 一種透明導電性膜，其係具備基材及配置於該基材之單側之透明導電層者，且 該透明導電層包含金屬奈米線， 該透明導電層中之該金屬奈米線之量x(g/m 2)與透明導電性膜之導電率y(1/Ω)之關係乃為下述式(1)之關係： y＝a×x・・・(1) 於式(1)中，a為0.77以上。
  2. 如請求項1之透明導電性膜，其中霧度值為20%以下。
  3. 如請求項1或2之透明導電性膜，其中表面電阻值為0.1 Ω/□～1000 Ω/□。
  4. 如請求項1至3中任一項之透明導電性膜，其中上述透明導電層中之金屬奈米線之量x(g/m 2)為0.005 g/m 2～0.05 g/m 2。
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