TW202235560A - 半導體加工用黏著薄片及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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Abstract

關於一種半導體加工用黏著薄片，依序具有表面塗層、緩衝層、基材及黏著劑層，在23℃之水對於前述表面塗層之靜態接觸角為85°以上，及關於使用該半導體加工用黏著薄片的半導體裝置之製造方法。

Description

半導體加工用黏著薄片及半導體裝置之製造方法
本發明為關於半導體加工用黏著薄片及半導體裝置之製造方法。
資訊終端機器之薄型化、小型化及多機能化正急速進展之中，搭載於該等機器中的半導體裝置亦被要求著薄型化及高密度化。 作為將半導體裝置薄型化之方法，已有進行將使用於半導體裝置的半導體晶圓之背面予以磨削之方法。半導體晶圓的背面磨削(back grinding)係將背面磨削用黏著薄片(以下亦稱為「背面磨削薄片」)貼附於半導體晶圓之表面，藉由該薄片保護半導體晶圓之表面之狀態下來進行。在背面磨削後，將背面磨削薄片從半導體晶圓之表面上予以剝離除去。
近年來，作為抑制對半導體晶片造成損傷之同時並進行薄型化之磨削及單片化之方法，已有先切割法(DBG)、隱形先切割法(SDBG)等被實用化。先切割法係如下述之方法：藉由切割刀等對於半導體晶圓之表面形成指定深度的溝部後，自該半導體晶圓的背面側起進行磨削直到溝部為止，而使半導體晶片單片化之方法。又，隱形先切割法係如下述之方法：藉由以雷射光之照射來對於半導體晶圓之內部形成改質區域後，自該半導體晶圓的背面側起進行磨削，將上述改質區域作為分割起點來割斷，而使半導體晶片單片化之方法。該等的方法中，為了保護半導體晶圓之表面，亦使用背面磨削薄片。
隨著該等的薄型化製程技術之開發，對於背面磨削薄片亦要求用來提高半導體晶片良率且薄型化之機能，而進行各種的檢討。 專利文獻1揭示一種半導體晶圓表面保護用黏著薄片，其特徵在於，可適用作為先切割法或隱形先切割法的半導體晶圓表面保護用黏著薄片，該黏著薄片具有：基材薄膜；設置於前述基材薄膜的至少單面側的由黏著劑組成的中間層；及，設置於前述中間層的與前述基材薄膜為相反側的最外層上的最外黏著劑層，其中，藉由以前述黏著薄片形成後的硬化處理而硬化的材料來形成前述中間層。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-56446號公報
[發明欲解決之課題]
藉由專利文獻1的半導體晶圓表面保護用黏著薄片來將半導體晶圓單片化成晶片後，可抑制原本的晶片間隔崩壞的切口偏移(kerfshift)之同時，可抑制因磨削屑而造成的半導體晶圓的污染，並可防止在將表面保護膠帶剝離之際的對於晶片造成的殘膠現象。
然而，在進行背面磨削之際，貼附於半導體晶圓的背面磨削薄片當中，與貼附於半導體晶圓之面為相反側之面(以下亦稱為「背面」)係以藉由夾頭座(chuck table)等的支撐裝置來固定。然後，介隔著背面磨削薄片而被固定於支撐裝置的座上的半導體晶圓，為了去除因磨削所帶來的熱量及磨削屑，以對磨削面供給冷卻水之同時，來將背面進行磨削。
於進行背面磨削之際，若在背面磨削薄片與支撐裝置的座之間存在磨削屑時，會有下述之情形：以該磨削屑存在之部分作為起點，由於將半導體晶圓固定於座之際的衝擊、背面磨削中的加壓及振動等，而使得半導體晶圓或半導體晶片產生裂紋(crack)。由於磨削屑會以包含於冷卻水中之狀態而附著於背面磨削薄片之背面，為了抑制上述裂紋的產生，必須降低附著於背面磨削薄片之背面的磨削屑量。 專利文獻1的半導體晶圓表面保護用黏著薄片，對於所謂的「降低附著於背面磨削薄片之背面的磨削屑量」之要求，仍無法充分地對應。
本發明為有鑑於上述實情所完成之發明，目的為提供磨削屑的附著量為經降低的半導體加工用黏著薄片、及使用該半導體加工用黏著薄片的半導體裝置之製造方法。 [用以解決課題之手段]
本發明人經深入研究之結果發現，藉由一種半導體加工用黏著薄片，其依序具有在23℃之水之靜態接觸角為特定範圍之表面塗層、緩衝層、基材及黏著劑層，能夠解決上述課題，因而完成以下的本發明。
即，本發明為關於下述[1]~[11]。 [1].一種半導體加工用黏著薄片，依序具有表面塗層、緩衝層、基材及黏著劑層， 在23℃之水對於前述表面塗層之靜態接觸角為85°以上。 [2].如上述[1]之半導體加工用黏著薄片，其中，前述表面塗層係含有樹脂成分之有機層。 [3].如上述[2]之半導體加工用黏著薄片，其中，前述樹脂成分係熱塑性樹脂。 [4].如上述[2]或[3]之半導體加工用黏著薄片，其中，前述樹脂成分的雜原子之含量為7質量%以下。 [5].如上述[2]~[4]中任一項之半導體加工用黏著薄片，其中，在23℃之前述樹脂成分對甲苯為溶解1質量%以上。 [6].如上述[1]~[5]中任一項之半導體加工用黏著薄片，其中，在23℃之水對於前述表面塗層之靜態接觸角為90°以上。 [7].如上述[1]~[6]中任一項之半導體加工用黏著薄片，其中，前述表面塗層之厚度為0.05~10μm。 [8].如上述[1]~[7]中任一項之半導體加工用黏著薄片，其中，前述緩衝層係由含有胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯的緩衝層形成用組成物所形成。 [9].如上述[1]~[8]中任一項之半導體加工用黏著薄片，其係使用於半導體晶圓的背面磨削。 [10].一種半導體裝置之製造方法，包含： 將上述[1]~[9]中任一項之半導體加工用黏著薄片以前述黏著劑層作為貼附面來貼附於半導體晶圓之表面之步驟；與， 將前述貼附於半導體晶圓的前述半導體加工用黏著薄片的前述表面塗層側以藉由支撐裝置來成為固定狀態，磨削前述半導體晶圓之背面之步驟。 [11].如上述[10]之半導體裝置之製造方法，其中，包含：形成分割預定線之步驟、貼附薄片之步驟、與磨削及單片化之步驟， 前述形成分割預定線之步驟，係對於半導體晶圓之表面形成溝部之步驟a，或自半導體晶圓之表面或背面來對於前述半導體晶圓之內部形成改質區域之步驟b； 前述貼附薄片之步驟，係在前述步驟a之後、或在前述步驟b之前或之後，將上述[1]~[9]中任一項之半導體加工用黏著薄片以前述黏著劑層作為貼附面來貼附於前述半導體晶圓之表面； 前述磨削及單片化之步驟，係將前述貼附於半導體晶圓的半導體加工用黏著薄片的前述表面塗層側以藉由支撐裝置來成為固定狀態，磨削前述半導體晶圓之背面，以前述溝部或改質區域作為起點來單片化成複數個半導體晶片。 [發明效果]
藉由本發明，能夠提供磨削屑的附著量為經降低的半導體加工用黏著薄片、及使用該半導體加工用黏著薄片的半導體裝置之製造方法。
本說明書中，關於較佳的數值範圍，階段性記載的下限值及上限值可分別獨立組合。例如基於「較佳為10~90，又較佳為30~60」之記載，亦可組合「較佳的下限值(10)」與「又較佳的上限值(60)」而成為「10~60」。
本說明書中，例如所謂的「(甲基)丙烯酸」，係表示「丙烯酸」與「甲基丙烯酸」之雙方，其他類似用語亦相同。
本說明書中，所謂的「能量線」，係指電磁波或帶電粒子束中具有能量量子的射線之意思，作為其例子，可舉出紫外線、放射線、電子束等。例如可以藉由使用無電極燈、高壓水銀燈、金屬鹵素燈、UV-LED等作為紫外線源來照射紫外線。電子束，係能夠照射利用電子束加速器等所產生的電子束。 本說明書中，所謂的「能量線聚合性」，係指藉由照射能量線而進行聚合之性質之意思。又，所謂的「能量線硬化性」，係指藉由照射能量線而進行硬化之性質之意思，所謂的「非能量線硬化性」，係指不具有能量線硬化性之性質之意思。
本說明書中，所謂的半導體晶圓之「表面」，係指形成有電路之面，所謂的「背面」，係指未形成電路之面。
本說明書中記載的作用機制為推測，且並不限定於發揮本發明的半導體加工用黏著薄片的效果之機制。
[半導體加工用黏著薄片] 本實施形態的半導體加工用黏著薄片(以下亦稱為「黏著薄片」)，其依序具有表面塗層、緩衝層、基材及黏著劑層，在23℃之水對於前述表面塗層之靜態接觸角為85°以上。 本實施形態的黏著薄片，係使用於貼附於作為工件的半導體裝置之表面，用來保護該表面之同時對於半導體裝置施予指定的加工。對工件施予指定的加工後，從半導體裝置上將本實施形態的黏著薄片剝離除去。 尚，本實施形態中，所謂的「半導體裝置」，係指藉由利用半導體特性而能發揮機能的全部裝置，可舉例如半導體晶圓、半導體晶片、包含該半導體晶片的電子零件、具備該電子零件的電子機器類等。該等之中，本實施形態的黏著薄片適合於半導體晶圓之加工。
本實施形態的黏著薄片可具有表面塗層、緩衝層、基材及黏著劑層以外之層，亦可不具有。作為基材及黏著劑層以外之層，可舉例如：設置於基材與黏著劑層之間的中間層、設置於黏著劑層的與基材為相反側之面的剝離薄片等。 以下對於構成本實施形態的黏著薄片的各構件依序進行說明。
＜表面塗層＞ 表面塗層係設置於緩衝層的與基材為相反之面側上之層，在加工半導體裝置之際，表面塗層係藉由支撐裝置來被固定之層。
(接觸角) 表面塗層，在23℃之水之靜態接觸角(以下亦簡稱為「水接觸角」)為85°以上，而具有包含磨削屑之水難以附著之性質。因此，本實施形態的黏著薄片，背面中的磨削屑的附著量為被降低，而可抑制起因於附著於背面的磨削屑所造成的工件破損。 就所謂的更降低磨削屑附著量之觀點而言，表面塗層之水接觸角較佳為90°以上，又較佳為93°以上，更佳為96°以上。表面塗層之水接觸角之上限值並未特別限定，就製造容易性等之觀點而言，例如，可為150°以下，亦可為100°以下。 尚，表面塗層之水接觸角，係依據JIS R 3257：1999測量所到得之值，具體而言可藉由實施例記載之方法來進行測量。
只要是水接觸角為85°以上者即可，表面塗層並未特別限制，表面塗層可以是無機層，亦可以是有機層，就黏著薄片之生產性及操作性之觀點而言，較佳為有機層。
有機層較佳為含有樹脂成分之層，作為有機層所含有的樹脂成分，就所謂的容易將水接觸角調整成85°以上之觀點而言，較佳為熱塑性樹脂，又較佳為聚烯烴系樹脂。
(樹脂成分的雜原子含量) 有機層中所含有的樹脂成分中，雜原子之含量並未特別限定，較佳為7質量%以下，又較佳為0.2~4質量%，更佳為0.5~1質量%。 當樹脂成分中的雜原子之含量為上述上限值以下時，具有可更降低磨削屑附著量之傾向。又，當樹脂成分中的雜原子之含量為上述下限值以上時，樹脂成分之溶劑溶解性會提升，而樹脂成分之藉由塗佈之表面塗層之形成則有變得容易之傾向。 尚，本說明書中所謂的「雜原子」，係指碳原子及氫原子以外的全部的原子之意思。
(樹脂成分的溶劑溶解性) 有機層所含有的樹脂成分，就所謂的使藉由塗佈之表面塗層之形成變得容易之觀點而言，以對於有機溶劑為具有溶解性為佳。具體而言，在23℃，樹脂成分對甲苯較佳為溶解1質量%以上，又較佳為溶解5質量%以上，更佳為溶解8質量%以上。
以下，對於含有聚烯烴系樹脂來作為樹脂成分之表面塗層之合適之樣態進行詳述。
(聚烯烴系樹脂) 表面塗層所含有的聚烯烴系樹脂，係將至少包含烯烴的單體聚合而成的樹脂。 在此，本實施形態中所謂的「聚烯烴系樹脂」，係指將烯烴均聚合而成的樹脂、或將烯烴與烯烴以外的單體共聚合而成的樹脂，且含有源自於烯烴的構成單元為50質量%以上的樹脂之任一種之意思。 又，本實施形態中所謂的「烯烴」，係指具有乙烯性不飽和鍵的不飽和烴之意思，將含有雜原子的化合物設為不包含於本實施形態中的「烯烴」之中。 又，本實施形態中所謂的「乙烯性不飽和鍵」，係指可附加反應的碳-碳雙鍵之意思，且設為不包含芳香環的雙鍵。 又，以下的說明之中，有將「含有乙烯性不飽和鍵之基」簡稱為「不飽和基」之情形。 聚烯烴系樹脂係可使用單獨1種，亦可併用2種以上。
聚烯烴系樹脂中源自於烯烴的構成單元之含量並未特別限定，較佳為70質量%以上，又較佳為90質量%以上，更佳為95質量%以上。當聚烯烴系樹脂中源自於烯烴的構成單元之含量為上述下限值以上時，具有可更降低磨削屑附著量之傾向。 又，聚烯烴系樹脂中源自於烯烴的構成單元之含量可為100質量%，較佳為99.5質量%以下，又較佳為99質量%以下。當聚烯烴系樹脂中源自於烯烴的構成單元之含量為上述上限值以下時，可使其含有以改善溶劑溶解性等之目的之源自於烯烴以外的單體的構成單元，而藉由塗佈之表面塗層之形成則有變得容易之傾向。
作為構成聚烯烴系樹脂的烯烴，可舉例如鏈狀烯烴、環狀烯烴、芳香族乙烯基化合物等。 構成聚烯烴系樹脂的烯烴係可使用單獨1種，亦可併用2種以上。
作為鏈狀烯烴，可舉例如乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、2-甲基-1-丙烯、3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、5-甲基-1-己烯等的鏈狀單烯烴；1,4-己二烯、4-甲基-1,4-己二烯、5-甲基-1,4-己二烯等的鏈狀的非共軛二烯；1,3-丁二烯、異戊二烯、1,3-戊二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、2-苯基-1,3-丁二烯、1,3-己二烯等的鏈狀的共軛二烯等。該等之中，較佳為碳數2~6的鏈狀烯烴，又較佳為乙烯、丙烯。
作為環狀烯烴，可舉例如環丁烯、環戊烯、甲基環戊烯、環己烯、甲基環己烯、環庚烯、環辛烯等的環狀單烯烴；環己二烯、甲基環己二烯、環辛二烯、甲基環辛二烯、苯基環辛二烯等的環狀二烯烴；降莰烯、二環戊二烯、四環十二烯、乙基四環十二烯、亞乙基四環十二烯、四環[7.4.0.110,13.02,7]十三-2,4,6,11-四烯等的多環式烯烴等。該等之中，就所謂的提升溶劑溶解性而使藉由塗佈之表面塗層之形成變得容易之觀點而言，較佳為四環十二烯。
作為芳香族乙烯基化合物，可舉例如苯乙烯、o-甲基苯乙烯、m-甲基苯乙烯、p-甲基苯乙烯等。
作為可與烯烴進行共聚合的烯烴以外的單體，可舉例如具有氧原子及乙烯性不飽和鍵的單體、具有氮原子及乙烯性不飽和鍵的單體等。 烯烴以外的單體係可使用單獨1種，亦可併用2種以上。
作為具有氧原子及乙烯性不飽和鍵的單體，可舉例如馬來酸酐、甲基馬來酸酐、二甲基馬來酸酐、苯基馬來酸酐、二苯基馬來酸酐等的酸酐；馬來酸、甲基馬來酸、馬來酸二甲基、馬來酸二乙基、馬來酸二丁基、馬來酸單甲基等的馬來酸類；(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、環烷基的碳數為3~20的(甲基)丙烯酸環烷基酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸異莰酯等的(甲基)丙烯酸及(甲基)丙烯酸酯；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等的乙烯基酯化合物等。該等之中，就所謂的提升溶劑溶解性而使藉由塗佈之表面塗層之形成變得容易之觀點而言，較佳為酸酐、乙烯基酯化合物，又較佳為馬來酸酐、乙酸乙烯酯，更佳為馬來酸酐。
作為具有氮原子及乙烯性不飽和鍵的單體，可舉例如馬來醯亞胺化合物及其衍生物、腈系單體等。 作為馬來醯亞胺化合物及其衍生物，可舉例如馬來醯亞胺；N-甲基馬來醯亞胺、N-乙基馬來醯亞胺等的N-烷基取代馬來醯亞胺；N-苯基馬來醯亞胺等的N-芳基取代馬來醯亞胺等。作為腈系單體，可舉例如丙烯腈、甲基丙烯腈等。
以上的構成單元之中，就所謂的更降低磨削屑附著量之觀點而言，聚烯烴系樹脂較佳含有源自於碳數2~6的鏈狀烯烴的構成單元(以下亦稱為「鏈狀烯烴系構成單元(A)」)，又較佳含有選自由源自於乙烯的構成單元及源自於丙烯的構成單元所組成之群中之1種以上。
就所謂的提升溶劑溶解性而使藉由塗佈之表面塗層之形成變得容易之觀點而言，聚烯烴系樹脂較佳一起含有上述鏈狀烯烴系構成單元(A)，與源自於具有氧原子及乙烯性不飽和鍵的單體的構成單元(以下亦稱為「包含氧原子的構成單元(B)」)。 當聚烯烴系樹脂含有鏈狀烯烴系構成單元(A)及包含氧原子的構成單元(B)時，聚烯烴系樹脂中的鏈狀烯烴系構成單元(A)之含量並未特別限定，較佳為80~99.5質量%，又較佳為90~99質量%，更佳為95~98.8質量%。 當聚烯烴系樹脂含有鏈狀烯烴系構成單元(A)及包含氧原子的構成單元(B)時，聚烯烴系樹脂中的包含氧原子的構成單元(B)之含量並未特別限定，較佳為0.5~20質量%，又較佳為1~10質量%，更佳為1.2~5質量%。 當鏈狀烯烴系構成單元(A)及包含氧原子的構成單元(B)之含量為上述範圍時，可得到良好的溶劑溶解性之同時，具有可更降低磨削屑附著量之傾向。
又，就所謂的提升溶劑溶解性而使藉由塗佈之表面塗層之形成變得容易之觀點而言，聚烯烴系樹脂較佳一起含有上述鏈狀烯烴系構成單元(A)，與源自於環狀烯烴的構成單元(以下亦稱為「環狀烯烴系構成單元(C)」)。 當聚烯烴系樹脂含有鏈狀烯烴系構成單元(A)及環狀烯烴系構成單元(C)時，聚烯烴系樹脂中的鏈狀烯烴系構成單元(A)之含量並未特別限定，較佳為10~90質量%，又較佳為20~70質量%，更佳為25~50質量%。 當聚烯烴系樹脂含有鏈狀烯烴系構成單元(A)及環狀烯烴系構成單元(C)時，聚烯烴系樹脂中的環狀烯烴系構成單元(C)之含量並未特別限定，較佳為10~90質量%，又較佳為30~80質量%，更佳為50~75質量%。 當鏈狀烯烴系構成單元(A)及環狀烯烴系構成單元(C)之含量為上述範圍時，可得到良好的溶劑溶解性之同時，具有可更降低磨削屑附著量之傾向。
作為聚烯烴系樹脂，可舉例如聚乙烯、聚丙烯、聚丁二烯等的均聚物；乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-馬來酸酐共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-四環十二烯共聚物、丙烯-丁烯共聚物、丙烯-馬來酸酐共聚物、丙烯-乙酸乙烯酯共聚物、丙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、丙烯-四環十二烯共聚物等的二元共聚物；乙烯-馬來酸酐-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-馬來酸酐-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、丙烯-馬來酸酐-乙酸乙烯酯共聚物、丙烯-馬來酸酐-(甲基)丙烯酸酯共聚物、丙烯-乙酸乙烯酯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丙烯-馬來酸酐共聚物、乙烯-丙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯-馬來酸酐共聚物、乙烯-丁烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丁烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、丙烯-丁烯-馬來酸酐共聚物、丙烯-丁烯-乙酸乙烯酯共聚物、丙烯-丁烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等的多元聚合物等。 該等之中，就所謂的更降低磨削屑附著量之觀點及就所謂的提升溶劑溶解性而使藉由塗佈之表面塗層之形成變得容易之觀點而言，較佳為乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-四環十二烯共聚物、乙烯-丁烯-馬來酸酐共聚物，又較佳為乙烯-丁烯-馬來酸酐共聚物。
當有機層含有聚烯烴系樹脂來作為樹脂成分時，有機層亦可含有聚烯烴系樹脂以外的樹脂。 樹脂成分中的聚烯烴系樹脂之含量並未特別限定，就所謂的更降低磨削屑附著量之觀點而言，較佳為90~100質量%，又較佳為95~100質量%，更佳為98~100質量%。
(其他的成分) 在不損及本發明之效果之範圍內，有機層亦可含有樹脂成分以外的其他的成分。作為其他的成分，可舉例如抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑、填充劑、防銹劑、顏料、染料等的添加劑等。 相對於有機層之總量之樹脂成分之含量並未特別限定，就所謂的更降低磨削屑附著量之觀點而言，較佳為90~100質量%，又較佳為95~100質量%，更佳為98~100質量%。
表面塗層之厚度並未特別限定，較佳為0.05~10μm，又較佳為0.2~7μm，更佳為1~4μm。 當表面塗層之厚度為上述下限值以上時，可形成均勻之層，並具有可充分降低磨削屑附著量之傾向。又，當表面塗層之厚度為上述上限值以下時，具有可容易得到所謂的吸收夾頭座上的異物等的凹凸的緩衝層之效果之傾向。
＜緩衝層＞ 緩衝層係設置於基材與表面塗層之間之層，緩衝層係擔任下述角色之層：吸收於背面磨削時所產生的振動、衝擊等，而防止工件的裂紋的產生。進而，藉由設置緩衝層，亦可吸收存在於支撐裝置的座上的異物等的凹凸，而提升藉由支撐裝置的黏著薄片之保持性。
(緩衝層形成用組成物) 可由緩衝層形成用組成物來形成緩衝層。 就所謂的可得到適合於緩衝層之物性之觀點而言，緩衝層較佳為：將含有能量線聚合性化合物的緩衝層形成用組成物予以能量線硬化而得到之層。 緩衝層形成用組成物，作為能量線聚合性化合物，較佳為含有胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)。緩衝層形成用組成物係藉由含有胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)，而具有可將緩衝層的儲存模數(storage modulus)等調整至良好範圍之傾向。 又，就相同之觀點而言，緩衝層形成用組成物又較佳為：除了胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)以外，亦含有選自由具有環形成原子數6~20的脂環基或雜環基的聚合性化合物(a2)及具有官能基的聚合性化合物(a3)所組成之群中之1種以上；緩衝層形成用組成物更佳為：除了胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)以外，亦含有具有環形成原子數6~20的脂環基或雜環基的聚合性化合物(a2)及具有官能基的聚合性化合物(a3)。
[胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)] 胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)係具有(甲基)丙烯醯基及胺基甲酸酯鍵之化合物，且為具有藉由能量線照射而聚合之性質之化合物。 胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)係可使用單獨1種，亦可併用2種以上。
胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)之質量平均分子量(Mw)並未特別限定，較佳為1,000~100,000，又較佳為2,000~60,000，更佳為3,000~20,000。 尚，本實施形態中，質量平均分子量(Mw)係指利用凝膠滲透層析法(GPC)測量而得到的標準聚苯乙烯換算之值，具體而言為藉由實施例記載之方法測量而得到之值。
胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)，1分子中具有的(甲基)丙烯醯基的數目並未特別限定，較佳為1~4個，又較佳為1~3個，更佳為1個或2個。
例如可藉由下述之反應來得到胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)：使多元醇化合物與多元異氰酸酯化合物反應來得到末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物，再使具有羥基的(甲基)丙烯酸酯與該預聚物反應。
作為多元醇化合物，只要是具有2個以上的羥基的化合物即可並未特別限定。 作為多元醇化合物之具體例，可舉出伸烷基二醇、聚醚型多元醇、聚酯型多元醇、聚碳酸酯型多元醇等。該等之中，較佳為聚酯型多元醇。 作為多元醇化合物，可為2官能的二醇、3官能的三醇、4官能以上的多元醇之任一者，較佳為2官能的二醇，又較佳為聚酯型二醇。 多元醇化合物係可使用單獨1種，亦可併用2種以上。
作為多元異氰酸酯化合物，可舉例如四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯等的脂肪族系聚異氰酸酯類；異佛爾酮二異氰酸酯、降莰烷二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、ω,ω’-二異氰酸酯二甲基環己烷等的脂環族系二異氰酸酯類；4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、伸苯二甲基二異氰酸酯(xylylene diisocyanate)、聯甲苯胺二異氰酸酯、四亞甲基伸苯二甲基二異氰酸酯、萘-1,5-二異氰酸酯等的芳香族系二異氰酸酯類等。該等之中，較佳為異佛爾酮二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、伸苯二甲基二異氰酸酯。 多元異氰酸酯化合物係可使用單獨1種，亦可併用2種以上。
作為與末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物進行反應的具有羥基的(甲基)丙烯酸酯，只要是1分子中至少具有羥基及(甲基)丙烯醯基的化合物即可並未特別限定。 作為具有羥基的(甲基)丙烯酸酯，可舉例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基環己酯、(甲基)丙烯酸5-羥基環辛酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇單(甲基)丙烯酸酯等的(甲基)丙烯酸羥基烷基酯；N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺等的含有羥基的(甲基)丙烯醯胺；使(甲基)丙烯酸與乙烯醇、乙烯基苯酚、雙酚A的二環氧丙酯反應而得到的反應物等。該等之中，較佳為(甲基)丙烯酸羥基烷基酯，又較佳為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯。 具有羥基的(甲基)丙烯酸酯係可使用單獨1種，亦可併用2種以上。
使末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物與具有羥基的(甲基)丙烯酸酯反應之條件並未特別限定，可設為例如下述之條件：在因應所需而添加的溶劑、觸媒等的存在下，以60~100℃使其反應1~4小時。
緩衝層形成用組成物中的胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)之含量並未特別限定，相對於緩衝層形成用組成物之有效成分之全量(100質量%)，較佳為10~70質量%，又較佳為20~60質量%，更佳為30~50質量%。 尚，本實施形態中所謂的緩衝層形成用組成物之有效成分，係指從緩衝層形成用組成物中所含有的成分之中，除去在形成緩衝層之過程中被去除的有機溶劑等的成分後之成分。
[具有環形成原子數6~20的脂環基或雜環基的聚合性化合物(a2)] 緩衝層形成用組成物係藉由含有具有環形成原子數6~20的脂環基或雜環基的聚合性化合物(a2)(以下亦稱為「具有脂環基或雜環基的聚合性化合物(a2)」)，而具有提升緩衝層形成用組成物之成膜性之傾向。 尚，所謂的環形成原子數，係表示原子環狀地鍵結而成的構造的化合物之構成該環本身的原子的數目，未構成環的原子(例如鍵結在構成環的原子上的氫原子)、及該環為經取代基所取代時之取代基所含有的原子，則不包含在環形成原子數。作為形成雜環基的環構造之原子，可舉例如碳原子、氮原子、氧原子、硫原子等。 具有脂環基或雜環基的聚合性化合物(a2)係可使用單獨1種，亦可併用2種以上。
具有脂環基或雜環基的聚合性化合物(a2)較佳為具有(甲基)丙烯醯基的化合物。 具有脂環基或雜環基的聚合性化合物(a2)，1分子中具有的(甲基)丙烯醯基的數目並未特別限定，較佳為1個以上，又較佳為1個或2個，更佳為1個。
具有脂環基或雜環基的聚合性化合物(a2)所具有的脂環基或雜環基的環形成原子數為6~20，較佳為6~18，又較佳為6~16，更佳為7~12。
作為具有脂環基或雜環基的聚合性化合物(a2)，可舉例如(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯氧酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸金剛烷酯等的含有脂環基的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸四氫糠酯、(甲基)丙烯酸嗎福林酯等的含有雜環基的(甲基)丙烯酸酯等。該等之中，較佳為含有脂環基的(甲基)丙烯酸酯，又較佳為(甲基)丙烯酸異莰酯。
緩衝層形成用組成物中的具有脂環基或雜環基的聚合性化合物(a2)之含量並未特別限定，相對於緩衝層形成用組成物之有效成分之全量(100質量%)，較佳為10~70質量%，又較佳為20~60質量%，更佳為30~50質量%。
[具有官能基的聚合性化合物(a3)] 緩衝層形成用組成物係藉由含有具有官能基的聚合性化合物(a3)，而具有可將緩衝層形成用組成物之黏度調整至適當範圍之傾向。 具有官能基的聚合性化合物(a3)係可使用單獨1種，亦可併用2種以上。
作為具有官能基的聚合性化合物(a3)所具有的官能基，可舉例如羥基、環氧基、醯胺基、胺基等。 具有官能基的聚合性化合物(a3)，1分子中所具有的官能基的數目為1個以上，較佳為1~3個，又較佳為1個或2個，更佳為1個。
具有官能基的聚合性化合物(a3)，較佳為：一起具有官能基、與(甲基)丙烯醯基的化合物。 具有官能基的聚合性化合物(a3)，1分子中所具有的(甲基)丙烯醯基的數目並未特別限定，較佳為1個以上，又較佳為1個或2個，更佳為1個。
作為具有官能基的聚合性化合物(a3)，可舉例如含有羥基的聚合性化合物、含有環氧基的聚合性化合物、含有醯胺基的聚合性化合物、含有胺基的聚合性化合物等。
作為含有羥基的聚合性化合物，可舉例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯等的含有羥基的(甲基)丙烯酸酯；羥基乙基乙烯基醚、羥基丁基乙烯基醚等的乙烯基醚化合物等。
作為含有環氧基的聚合性化合物，可舉例如(甲基)丙烯酸環氧丙酯、(甲基)丙烯酸甲基環氧丙酯、烯丙基環氧丙基醚等。
作為含有醯胺基的聚合性化合物，可舉例如(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺、N-甲氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-乙烯基甲醯胺等。
作為含有胺基的聚合性化合物，可舉例如含有一級胺基的(甲基)丙烯酸酯、含有二級胺基的(甲基)丙烯酸酯、含有三級胺基的(甲基)丙烯酸酯等的含有胺基的(甲基)丙烯酸酯等。
該等之中，較佳為含有羥基的(甲基)丙烯酸酯，又較佳為(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯等的具有芳香環的含有羥基的(甲基)丙烯酸酯。
緩衝層形成用組成物中的具有官能基的聚合性化合物(a3)之含量並未特別限定，相對於緩衝層形成用組成物之有效成分之全量(100質量%)，較佳為5~40質量%，又較佳為10~30質量%，更佳為15~25質量%。
[其他的聚合性化合物] 在不損及本發明之效果之範圍內，緩衝層形成用組成物亦可含有(a1)~(a3)成分以外的其他的聚合性化合物。 作為其他的聚合性化合物，可舉例如：具有碳數1~20的烷基的烷基(甲基)丙烯酸酯；苯乙烯、N-乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基己內醯胺等的乙烯基化合物等。 其他的聚合性化合物係可使用單獨1種，亦可併用2種以上。 緩衝層形成用組成物中的其他的聚合性化合物之含量並未特別限定，相對於緩衝層形成用組成物之有效成分之全量(100質量%)，較佳為0~20質量%，又較佳為0~10質量%，更佳為0~2質量%。
[光聚合起始劑] 含有能量線聚合性化合物的緩衝層形成用組成物，就所謂的降低藉由能量線照射時的聚合時間及能量線照射量之觀點而言，較佳為進而含有光聚合起始劑。 光聚合起始劑係可使用單獨1種，亦可併用2種以上。
作為光聚合起始劑，可舉例如苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、醯基氧化膦化合物、二茂鈦化合物、噻噸酮(thioxanthone)化合物、過氧化物化合物，及進而的胺、苯醌等的光增感劑等，更具體而言，可舉例如1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻異丙基醚、苄基苯基硫醚、四甲基秋蘭姆一硫醚、偶氮雙異丁腈、聯苄(dibenzyl)、聯乙醯、8-氯蒽醌、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦等。該等之中，較佳為1-羥基環己基苯基酮。
緩衝層形成用組成物中的光聚合起始劑之含量並未特別限定，就所謂的可使能量線硬化反應均質且充分地進行之觀點而言，相對於能量線聚合性化合物之合計量100質量份，較佳為0.05~15質量份，又較佳為0.1~10質量份，更佳為0.3~5質量份。
(其他的成分) 在不損及本發明之效果之範圍內，緩衝層形成用組成物亦可含有其他的成分。作為其他的成分，可舉例如：上述的樹脂以外的樹脂成分；抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑、填充劑、防銹劑、顏料、染料等的添加劑等。 緩衝層形成用組成物中的其他的樹脂成分之含量並未特別限定，相對於緩衝層形成用組成物之有效成分之全量(100質量%)，較佳為0~20質量%，又較佳為0~10質量%，更佳為0~2質量%。 緩衝層形成用組成物中的其他的添加劑之含量並未特別限定，相對於緩衝層形成用組成物之有效成分之全量(100質量%)，分別係較佳為0~6質量%，又較佳為0.01~5質量%，更佳為0.1~3質量%。
(緩衝層之楊氏模數) 緩衝層在23℃之楊氏模數(Young’s modulus)，較基材在23℃之楊氏模數為小，具體而言，較佳為未滿1,200MPa，又較佳為900MPa以下。又，緩衝層在23℃之楊氏模數較佳為50MPa 以上，又較佳為100MPa以上。 當緩衝層在23℃之楊氏模數為上述上限值以下時，吸收於背面磨削時所產生的振動、衝擊等之效果及黏著薄片之保持性將有提升之傾向。又，當緩衝層在23℃之楊氏模數為上述下限值以上時，具有於加工工件之際可抑制緩衝層過度變形之傾向。 尚，緩衝層在23℃之楊氏模數，可依據JIS K 7127：1999並以試驗速度200mm/分鐘之條件下來進行測量。
(緩衝層之應力緩和率) 緩衝層之應力緩和率並未特別限定，較佳為70~100%，又較佳為75~100%，更佳為78~98%。 當緩衝層之應力緩和率為上述範圍時，吸收於背面磨削時所產生的振動、衝擊等之效果及黏著薄片之保持性將有提升之傾向。 緩衝層之應力緩和率係將厚度200μm的緩衝層裁切出15mm×140mm者來作為試片，夾住該試片之兩端20mm，使用以200mm/分鐘拉伸10%時的應力A(N/m 2)、及自拉伸停止起1分鐘後的應力B(N/m 2)之值，由下述式來求出。 應力緩和率(%)＝100×(A-B)/A(%)
(緩衝層之厚度) 緩衝層之厚度並未特別限定，較佳為10~70μm，又較佳為15~50μm，更佳為20~40μm。 當緩衝層之厚度為上述下限值以上時，吸收於背面磨削時所產生的振動、衝擊等之效果及黏著薄片之保持性將有提升之傾向。又，當緩衝層之厚度為上述上限值以下時，具有於加工工件之際可抑制緩衝層過度變形之傾向。
＜黏著劑層＞ 黏著劑層係設置於基材的與緩衝層為相反之面側上之層，黏著劑層係被貼附於工件之層。 黏著劑層較佳為由能量線硬化性黏著劑所形成之層。藉由黏著劑層由能量線硬化性黏著劑所形成，在藉由能量線硬化前的充分的黏著性，可良好地保護工件表面，在能量線硬化後剝離力為降低，而可容易從工件上剝離。
作為能量線硬化性黏著劑，可舉例如下述的X型黏著劑組成物、Y型黏著劑組成物、XY型黏著劑組成物等。 X型黏著劑組成物：含有非能量線硬化性的黏著性樹脂(以下亦稱為「黏著性樹脂I」)、與黏著性樹脂以外的能量線硬化性化合物的能量線硬化性黏著劑組成物。 Y型黏著劑組成物：含有於非能量線硬化性的黏著性樹脂的側鏈導入有不飽和基的能量線硬化性的黏著性樹脂(以下亦稱為「黏著性樹脂II」)，但不含有黏著性樹脂以外的能量線硬化性化合物的能量線硬化性黏著劑組成物。 XY型黏著劑組成物：含有上述能量線硬化性的黏著性樹脂II、與黏著性樹脂以外的能量線硬化性化合物的能量線硬化性黏著劑組成物。 該等之中，能量線硬化性黏著劑較佳為XY型黏著劑組成物。藉由使用XY型黏著劑組成物，將可具有在硬化前具有充分的黏著性，但在硬化後對於工件的剝離力為充分降低之傾向。
形成黏著劑層的黏著劑，亦可由即便是照射能量線亦不硬化的非能量線硬化性的黏著劑所形成之層。 作為非能量線硬化性的黏著劑，可舉例如含有黏著性樹脂I，但不含有黏著性樹脂II及能量線硬化性化合物的黏著劑。
接下來，對於構成黏著劑層的各成分進行更詳細說明。 以下的說明中，「黏著性樹脂」係使用作為代表黏著性樹脂I及黏著性樹脂II一方或雙方之用語。又，以下的說明中，若單以「黏著劑組成物」來記載時，係設為亦包含X型黏著劑組成物、Y型黏著劑組成物、XY型黏著劑組成物及該等以外的黏著劑組成物之概念。
作為黏著性樹脂，可舉例如丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧系樹脂等。該等之中，較佳為丙烯酸系樹脂。
(丙烯酸系樹脂) 丙烯酸系樹脂較佳為含有源自於(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元。 作為(甲基)丙烯酸烷基酯，可舉例如烷基的碳數為1~20的(甲基)丙烯酸烷基酯。 (甲基)丙烯酸烷基酯所具有的烷基可為直鏈狀，亦可為分支狀。
就所謂的更提升黏著劑層的黏著力之觀點而言，丙烯酸系樹脂較佳含有源自於烷基的碳數為4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元。 丙烯酸系樹脂中所含有的源自於烷基的碳數為4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元，可為單獨1種或2種以上。 烷基的碳數為4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯所具有的烷基的碳數，較佳為4~12，又較佳為4~8，更佳為4~6。 作為烷基的碳數為4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯，可舉例如(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸n-辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一酯、(甲基)丙烯酸十二酯等。該等之中，較佳為(甲基)丙烯酸丁酯，又較佳為丙烯酸丁酯。 當丙烯酸系樹脂含有源自於烷基的碳數為4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元時，該含量，就所謂的更提升黏著劑層的黏著力之觀點而言，丙烯酸系樹脂中較佳為30~90質量%，又較佳為40~80質量%，更佳為45~60質量%。
就所謂的使黏著劑層的儲存模數G’及黏著特性成為良好之觀點而言，丙烯酸系樹脂較佳一起含有源自於烷基的碳數為4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元，與源自於烷基的碳數為1~3的(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元。 丙烯酸系樹脂中所含有的源自於烷基的碳數為1~3的(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元，可為單獨1種或2種以上。 作為烷基的碳數為1~3的(甲基)丙烯酸烷基酯，可舉例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸n-丙酯等。該等之中，較佳為(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯，又較佳為(甲基)丙烯酸甲酯，更佳為甲基丙烯酸甲酯。 當丙烯酸系樹脂含有源自於烷基的碳數為1~3的(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元時，該含量，丙烯酸系樹脂中較佳為1~35質量%，又較佳為5~30質量%，更佳為15~25質量%。
丙烯酸系樹脂較佳進而含有源自於含有官能基的單體的構成單元。 丙烯酸系樹脂藉由含有源自於含有官能基的單體的構成單元，可導入下述的官能基：作為與交聯劑反應的交聯起點的官能基，或能與含有不飽和基的化合物反應而於丙烯酸系樹脂的側鏈導入不飽和基的官能基。 丙烯酸系樹脂中所含有的源自於含有官能基的單體的構成單元，可為單獨1種或2種以上。
作為含有官能基的單體，可舉例如含有羥基的單體、含有羧基的單體、含有胺基的單體、含有環氧基的單體等。該等之中，較佳為含有羥基的單體、含有羧基的單體，又較佳為含有羥基的單體。 作為含有羥基的單體，可舉例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等的(甲基)丙烯酸羥基烷基酯；乙烯醇、烯丙醇等的不飽和醇等。 作為含有羧基的單體，可舉例如(甲基)丙烯酸、巴豆酸等的乙烯性不飽和單羧酸；福馬酸、伊康酸、馬來酸、檸康酸等的乙烯性不飽和二羧酸及其酐；甲基丙烯酸2-羧基乙酯等。
當丙烯酸系樹脂含有源自於含有官能基的單體的構成單元時，該含量並未特別限定，丙烯酸系樹脂中較佳為5~45質量%，又較佳為15~40質量%，更佳為25~35質量%。
除了上述的構成單元以外，丙烯酸系樹脂亦可含有源自於能與丙烯酸系單體共聚合的其他的單體的構成單元。 丙烯酸系樹脂中所含有的源自於其他的單體的構成單元，可為單獨1種或2種以上。 作為其他的單體，可舉例如苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯醯胺等。
為了賦予能量線硬化性，丙烯酸系樹脂亦可進而導入具有能量線聚合性的不飽和基。 不飽和基可藉由例如下述之方式來導入：使含有源自於含有官能基的單體的構成單元的丙烯酸系樹脂的官能基，與具有反應性取代基及不飽和基之化合物(以下亦稱為「含有不飽和基的化合物」)的反應性取代基進行反應來導入，其中，該反應性取代基具有與該官能基之反應性。含有不飽和基的化合物係可使用單獨1種，亦可併用2種以上。 作為含有不飽和基的化合物所具有的不飽和基，可舉例如(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基等。該等之中，較佳為(甲基)丙烯醯基。 作為含有不飽和基的化合物所具有的反應性取代基，可舉例如異氰酸酯基、環氧丙基等。 作為含有不飽和基的化合物，可舉例如(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、(甲基)丙烯酸環氧丙酯等。
使含有源自於含有官能基的單體的構成單元的丙烯酸系樹脂與含有不飽和基的化合物進行反應時，丙烯酸系樹脂中的官能基的總數中，與含有不飽和基的化合物進行反應的官能基之比率並未特別限定，較佳為60~98莫耳%，又較佳為70~95莫耳%，更佳為80~93莫耳%。 當與含有不飽和基的化合物進行反應的官能基之比率為上述範圍時，將可對於丙烯酸系樹脂賦予充分的能量線硬化性之同時，可使未與含有不飽和基的化合物反應的官能基與交聯劑反應，而使得丙烯酸系樹脂交聯。
丙烯酸系樹脂之質量平均分子量(Mw)並未特別限定，較佳為30萬~150萬，又較佳為35萬~100萬，更佳為40萬~60萬。 當丙烯酸系樹脂之質量平均分子量(Mw)為上述範圍時，黏著劑層的黏著力及凝集力將有變得更良好之傾向。
(能量線硬化性化合物) 作為X型或XY型黏著劑組成物中所含有的能量線硬化性化合物，較佳為分子內具有不飽和基，且藉由能量線照射而能硬化的單體或寡聚物。 作為能量線硬化性化合物，可舉例如三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等的多元(甲基)丙烯酸酯單體；胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯等的寡聚物等。該等之中，就所謂的分子量較高、不容易使黏著劑層的模數降低之觀點而言，較佳為胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物。
能量線硬化性化合物之分子量並未特別限定，較佳為100~12,000，又較佳為200~10,000，更佳為400 ~8,000，又更佳為600~6,000。尚，當能量線硬化性化合物為寡聚物時，上述分子量係意味著質量平均分子量(Mw)。
X型黏著劑組成物中的能量線硬化性化合物之含量並未特別限定，相對於黏著性樹脂100質量份，較佳為40~200質量份，又較佳為50~150質量份，更佳為60~90質量份。 當X型黏著劑組成物中的能量線硬化性化合物之含量為上述範圍時，能量線照射前的黏著力與能量線照射後的剝離性之均衡將有變得良好之傾向。
XY型黏著劑組成物中的能量線硬化性化合物之含量並未特別限定，相對於黏著性樹脂100質量份，較佳為1~30質量份，又較佳為2~20質量份，更佳為3~15質量份。 當XY型黏著劑組成物中的能量線硬化性化合物之含量為上述範圍時，能量線照射前的黏著力與能量線照射後的剝離性之均衡將有變得良好之傾向。尚，XY型黏著劑組成物具有下述之傾向：由於黏著性樹脂為能量線硬化性，故即便是能量線硬化性化合物之含量為少，在能量線照射後亦能充分地降低剝離力。
(交聯劑) 黏著劑組成物較佳為進而含有交聯劑。 交聯劑係例如下述之物：藉由與黏著性樹脂所具有的源自於含有官能基的單體的官能基反應，而使得黏著性樹脂彼此交聯。 交聯劑係可使用單獨1種，亦可併用2種以上。
作為交聯劑，可舉例如：甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、該等的附加物等的異氰酸酯系交聯劑；乙二醇環氧丙基醚等的環氧系交聯劑；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷三嗪等的氮丙啶系交聯劑；鋁螯合物等的螯合物系交聯劑等。該等之中，就所謂的更提升提高凝集力之觀點及容易取得性之觀點而言，較佳為異氰酸酯系交聯劑。
當黏著劑組成物含有交聯劑時，該含量並未特別限定，就所謂的使交聯反應適度地進行之觀點而言，相對於黏著性樹脂100質量份，較佳為0.01~10質量份，又較佳為0.03~7質量份，更佳為0.05~4質量份。
(光聚合起始劑) 當黏著劑為能量線硬化性黏著劑時，黏著劑組成物較佳為進而含有光聚合起始劑。藉由使能量線硬化性黏著劑含有光聚合起始劑而具有下述之傾向：即便是紫外線等的相對較低能量的能量線，亦能使能量線硬化性黏著劑充分地進行硬化反應。 光聚合起始劑係可使用單獨1種，亦可併用2種以上。
作為光聚合起始劑，可舉例如苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、醯基氧化膦化合物、二茂鈦化合物、噻噸酮化合物、過氧化物化合物，及進而的胺、苯醌等的光增感劑等，更具體而言，可舉例如1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻異丙基醚、苄基苯基硫醚、四甲基秋蘭姆一硫醚、偶氮雙異丁腈、聯苄、聯乙醯、8-氯蒽醌、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦等。
當能量線硬化性黏著劑含有光聚合起始劑時，該含量並未特別限定，就所謂的可使能量線硬化反應均質且充分地進行之觀點而言，相對於黏著性樹脂100質量份，較佳為0.01~10質量份，又較佳為0.03~7質量份，更佳為0.05~5質量份。
(其他的添加劑) 在不損及本發明之效果之範圍內，黏著劑組成物亦可含有其他的添加劑。作為其他的添加劑，可舉例如抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑、填充劑、防銹劑、顏料、染料等。 黏著劑組成物中的其他的添加劑之含量並未特別限定，相對於黏著劑組成物之有效成分之全量(100質量%)，分別係較佳為0~6質量%，又較佳為0.01~5質量%，更佳為0.1~3質量%。 尚，本實施形態中所謂的黏著劑組成物之有效成分，係指從黏著劑組成物中所含有的成分之中，除去在形成黏著劑層之過程中被去除的有機溶劑等的成分後之成分。
(有機溶劑) 就所謂的更提升對於基材、剝離薄片等的塗佈性之觀點而言，黏著劑組成物亦可使用有機溶劑進行稀釋，而使其成為溶液之形態。 作為有機溶劑，可舉例如甲基乙基酮、丙酮、乙酸乙酯、四氫呋喃、二㗁烷、環己烷、n-己烷、甲苯、二甲苯、n-丙醇、異丙醇等。 有機溶劑係可使用單獨1種，亦可併用2種以上。 有機溶劑亦可直接使用在黏著性樹脂的合成時所使用的有機溶劑，亦可添加合成時所使用的有機溶劑以外的1種以上的有機溶劑。
黏著劑層在23℃之儲存模數G’並未特別限定，較佳為0.05~0.5MPa，又較佳為0.1~0.4MPa，更佳為0.12~0.3MPa。 當黏著劑層在23℃之儲存模數G’為上述範圍時，即便是工件之表面為具有凹凸之情形，所得到的黏著劑層對於凹凸形狀的追隨性亦為優異，具有在加工時可更良好地保護工件之表面之傾向。 尚，當黏著劑層係由能量線硬化性黏著劑所形成時，黏著劑層的儲存模數G’係意味著藉由能量線照射之硬化前的儲存模數G’。 黏著劑層在23℃之儲存模數G’係可如下述般來進行測量：將厚度3mm的黏著劑層裁切成直徑8mm的圓形並作為試片，使用黏彈性測量裝置、以扭轉剪力法、頻率1Hz、測量溫度23℃之條件來測量。
黏著劑層之厚度並未特別限定，較佳為5~ 100μm，又較佳為10~80μm，更佳為15~60μm。 當黏著劑層之厚度為上述下限值以上時，可得到優異的黏著性，具有在加工時可更良好地保護工件之表面之傾向。又，當黏著劑層之厚度為上述上限值以下時，可抑制在黏著薄片的切斷時的膠帶屑之產生，具有可更良好地防止工件破損之傾向。
＜基材＞ 作為基材，可舉例如各種的樹脂薄膜。作為構成樹脂薄膜的樹脂，可舉例如：低密度聚乙烯(LDPE)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)等的聚乙烯；聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯-降莰烯共聚物、降莰烯樹脂等的聚烯烴；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等的乙烯系共聚物；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等的聚氯乙烯；聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、全芳香族聚酯等的聚酯；聚胺基甲酸酯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚碳酸酯、氟樹脂、聚縮醛、改質聚苯醚、聚苯硫醚、聚碸、聚醚酮、丙烯酸系聚合物等。 基材可以是由選自該等的樹脂中的1種或2種以上的樹脂所組成的樹脂薄膜的單層薄膜，亦可以是積層2種以上的該等的樹脂薄膜而成的積層薄膜。又，亦可以是上述樹脂之交聯薄膜、離子聚合物薄膜等的改質薄膜。 該等的樹脂薄膜之中，基材較佳為選自聚酯薄膜、聚醯胺薄膜、聚醯亞胺薄膜及二軸拉伸聚丙烯薄膜之1種以上，又較佳為聚酯薄膜，更佳為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。
基材之楊氏模數並未特別限定，較佳為1,000 MPa以上，又較佳為1,800~30,000MPa，更佳為2,500~6,000 MPa。 當基材之楊氏模數為上述下限值以上時，抑制工件加工時的振動之效果將有更提升之傾向。又，當基材之楊氏模數為上述上限值以下時，貼附於工件之際之作業性、及從工件上剝離之際之作業性將有變得良好之傾向。 尚，基材之楊氏模數可依據JIS K 7127：1999，以試驗速度200mm/分鐘之條件來進行測量。
基材之厚度並未特別限定，較佳為10~200 μm，又較佳為25~100μm，更佳為30~70μm。 當基材之厚度為上述下限值以上時，將具有得到充分強度之傾向而可機能作為黏著薄片之支撐體。又，當基材之厚度為上述上限值以下時，可得到適度的可撓性，而操作性將有提升之傾向。 尚，所謂的「基材之厚度」，係意味著基材全體之厚度，當基材係由複數層所組成的基材時，係意味著構成基材的全部之層之合計厚度。
在不損及本發明之效果之範圍內，基材亦可含有可塑劑、潤滑劑、紅外線吸收劑、紫外線吸收劑、填料、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、觸媒等。 基材可為透明物，亦可為不透明物，亦可依所需要而經著色或蒸鍍。 就所謂的提升與其他之層的接著性之觀點而言，可對於基材的至少一面施予暈處理等的表面處理，基材亦可設置用以提升接著性之目的之塗層。
＜剝離薄片＞ 本實施形態的黏著薄片，可在黏著劑層之表面及表面塗層之表面之至少一方貼附剝離薄片。剝離薄片係藉由以可剝離之方式貼附於使用前的黏著薄片之表面，來保護該表面，於使用黏著薄片之際被剝離並除去。 剝離薄片可以是經單面剝離處理的剝離薄片，亦可以是經雙面剝離處理的剝離薄片。 作為剝離薄片，較佳可舉出將剝離劑塗佈於剝離薄片用基材上而成的剝離薄片。 作為剝離薄片用基材，較佳為樹脂薄膜，作為該樹脂薄膜，可舉例如聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二酯薄膜、聚萘二甲酸乙二酯薄膜等的聚酯薄膜；聚丙烯薄膜、聚乙烯薄膜等的聚烯烴薄膜等。 作為剝離劑，可舉例如聚矽氧系樹脂、烯烴系樹脂、異戊二烯系樹脂、丁二烯系樹脂等的橡膠系彈性體；長鏈烷基系樹脂、醇酸系樹脂、氟系樹脂等。 剝離薄片之厚度並未特別限定，較佳為5~200μm，又較佳為10~100μm，更佳為20~50μm。
本實施形態的黏著薄片之總厚度並未特別限定，較佳為30~300μm，又較佳為40~220μm，更佳為45~160 μm。 當黏著薄片之總厚度為上述下限值以上時，可使黏著劑層的黏著性能、緩衝層的衝擊吸收性能等維持於適當，具有可充分發揮作為半導體加工用黏著薄片之機能之傾向。又，當黏著薄片之總厚度為上述上限值以下時，將工件從黏著薄片上剝離之際之剝離力有變小之傾向。 尚，本實施形態中，所謂的「黏著薄片之總厚度」，係指自黏著薄片之表面塗層之表面起至黏著劑層之表面為止之厚度，當設置有剝離薄片時，剝離薄片之厚度不包含於總厚度中。
＜黏著薄片之製造方法＞ 作為本實施形態的黏著薄片之製造方法並未特別限制，可藉由習知的方法來製造。 例如可藉由具有下述步驟之方法來製造本實施形態的黏著薄片：將黏著劑層形成於基材之一面側之步驟(以下亦稱為「黏著劑層形成步驟」)、將緩衝層形成於基材之另一面側之步驟(以下亦稱為「緩衝層形成步驟」)、將表面塗層形成於緩衝層的與基材為相反之面側之步驟(以下亦稱為「表面塗層形成步驟」)。尚，該等步驟之順序並未特別限定，若為可同時實施之情形時，亦可同時來實施。
黏著劑層形成步驟，可以是例如下述之方法：將形成於剝離薄片上的黏著劑層貼合至基材之表面之方法；藉由將黏著劑組成物直接塗佈於基材之表面來形成黏著劑層之方法。 緩衝層形成步驟，可以是例如下述之方法：將形成於剝離薄片上的緩衝層貼合至基材之表面之方法；藉由將緩衝層形成用組成物直接塗佈於基材之表面來形成緩衝層之方法。 表面塗層形成步驟，可以是例如下述之方法：將形成於剝離薄片上的表面塗層貼合至基材上的緩衝層之表面之方法；藉由將表面塗層用塗佈液直接塗佈於基材上的緩衝層之表面來形成表面塗層之方法。 又，緩衝層形成步驟及表面塗層形成步驟亦可為下述之方法：於剝離薄片上依序設置表面塗層及緩衝層後，將緩衝層貼合至基材之表面之方法。
作為於剝離薄片上形成黏著劑層、緩衝層或表面塗層之方法，可舉例如下述之方法：藉由習知的方法將黏著劑組成物、緩衝層形成用組成物或表面塗層用塗佈液塗佈於剝離薄片上後，因應所需地進行能量線照射、加熱乾燥等之方法。
作為塗佈黏著劑組成物、緩衝層形成用組成物或表面塗層用塗佈液之方法，可舉例如旋轉塗佈法、噴霧塗佈法、棒塗佈法、刮刀塗佈法、輥塗佈法、刀片塗佈法、模塗佈法、凹版塗佈法等。
當緩衝層形成用組成物含有能量線聚合性化合物時，藉由能量線照射的硬化處理，可以一次性來進行照射，亦可分成複數次來進行照射。 當以一次性來進行硬化處理時，將緩衝層形成用組成物的塗佈膜形成於基材上後，藉由能量線照射來使緩衝層形成用組成物完全硬化亦可，亦可將緩衝層形成用組成物在剝離薄片上完全硬化後，再將其貼合至基材。 當分成複數次來進行硬化處理時，將緩衝層形成用組成物的塗佈膜形成於剝離薄片上後，使緩衝層形成用組成物在剝離薄片上不完全硬化，而使其硬化至半硬化之狀態下貼合至基材，之後，再次藉由照射能量線來使緩衝層形成用組成物完全硬化亦可。 尚，作為在緩衝層形成用組成物的硬化處理所照射的能量線，較佳為紫外線。 將緩衝層形成用組成物硬化之際，可使緩衝層形成用組成物的塗佈膜以曝露於外部之狀態下來照射能量線，但較佳為以剝離薄片或基材覆蓋塗佈膜，使塗佈膜不曝露於外部之狀態下來照射能量線。
＜黏著薄片之用途＞ 作為貼附有本實施形態的黏著薄片之狀態下而能進行的工件之加工，可舉例如：以半導體裝置之一面為貼附有黏著薄片之狀態下來將另一面進行磨削的背面磨削加工；以半導體裝置之一面為貼附有黏著薄片之狀態下來將半導體裝置進行單片化的切割加工；半導體裝置的搬送；半導體晶片的拾取(pick up)等。該等之中，本實施形態的黏著薄片適合於背面磨削加工，更適合於：將本實施形態的黏著薄片貼附於半導體晶圓的電路形成面之狀態下來將半導體晶圓之背面進行磨削的背面磨削加工。特別是，由於本實施形態的黏著薄片具有在將半導體晶圓進行薄型化之際的抑制裂紋產生之效果，故適合於先切割法、隱形先切割法等的製程。
[半導體裝置之製造方法] 本實施形態的半導體裝置之製造方法，包含： 將本實施形態的半導體加工用黏著薄片以前述黏著劑層作為貼附面來貼附於半導體晶圓之表面之步驟；與， 將前述貼附於半導體晶圓的前述半導體加工用黏著薄片的前述表面塗層側以藉由支撐裝置來成為固定狀態，磨削前述半導體晶圓之背面之步驟。
又，本實施形態的半導體裝置之製造方法，較佳為包含：形成分割預定線之步驟、貼附薄片之步驟、與磨削及單片化之步驟， 前述形成分割預定線之步驟，係對於半導體晶圓之表面形成溝部之步驟a，或自半導體晶圓之表面或背面來對於前述半導體晶圓之內部形成改質區域之步驟b； 前述貼附薄片之步驟，係在前述步驟a之後、或在前述步驟b之前或之後，將本實施形態的半導體加工用黏著薄片以前述黏著劑層作為貼附面來貼附於前述半導體晶圓之表面； 前述磨削及單片化之步驟，係將前述貼附於半導體晶圓的半導體加工用黏著薄片的前述表面塗層側以藉由支撐裝置來成為固定狀態，磨削前述半導體晶圓之背面，以前述溝部或改質區域作為起點來單片化成複數個半導體晶片。 進而，本實施形態的半導體裝置之製造方法，於磨削及單片化之步驟之後亦可包含剝離步驟，前述剝離步驟係將本實施形態的半導體加工用黏著薄片從複數個半導體晶片上剝離。 尚，具有上述步驟a的半導體裝置之製造方法，係相當於先切割法之製程；具有上述步驟b的半導體裝置之製造方法，係相當於隱形先切割法之製程。
作為在本實施形態之製造方法使用的半導體晶圓，可舉例如矽晶圓、砷化鎵晶圓、氮化鎵晶圓、碳化矽晶圓、玻璃晶圓、藍寶石晶圓等。該等之中，較佳為矽晶圓。 通常而言，在半導體晶圓之表面形成有配線、電容、二極體、電晶體等的電路。可藉由例如蝕刻法、掀離法等的以往習知的方法來形成該等的電路。 半導體晶圓的磨削前之厚度並未特別限定，通常而言為500~1,000μm。 以下，詳細地說明本實施形態的半導體裝置之製造方法之各步驟。
＜形成分割預定線之步驟＞ 形成分割預定線之步驟，係對於半導體晶圓之表面形成溝部之步驟a，或自半導體晶圓之表面或背面來對於前述半導體晶圓之內部形成改質區域之步驟b。
步驟a為對於半導體晶圓之表面形成溝部之步驟，於將黏著薄片貼附於半導體晶圓之表面之前來進行。 以步驟a來對於半導體晶圓之表面形成之溝部的深度，係較半導體晶圓之厚度為更淺的溝部。步驟a之後，半導體晶圓將被背面磨削至以步驟a所形成的溝部為止，而被分割成為複數個半導體晶片。因此，以沿著半導體晶圓被分割並單片化成半導體晶片之際的分割線，來形成步驟a中的溝部。 可藉由使用以往習知的晶圓切割裝置等的切割，來進行溝部之形成。
步驟b為自半導體晶圓之表面或背面來對於前述半導體晶圓之內部形成改質區域之步驟，可在將黏著薄片貼附於半導體晶圓之表面之前來進行，亦可在貼附之後來進行。 步驟b中的改質區域，係以藉由照射焦點聚集至半導體晶圓之內部的雷射，來形成於半導體晶圓之內部。該改質區域，在半導體晶圓之中為經脆質化的部分，藉由背面磨削而半導體晶圓變薄，或是藉由磨削所施加的力道而被破壞，該改質區域係成為半導體晶圓被單片化為半導體晶片之起點之區域。因此，以沿著半導體晶圓被分割並單片化成半導體晶片之際的分割線，來形成改質區域。 雷射之照射，可自半導體晶圓之表面側來進行，亦可自背面側來進行。當在貼附薄片之步驟後來進行步驟b時，亦可介隔著黏著薄片來對於半導體晶圓照射雷射。
＜貼附薄片之步驟＞ 貼附薄片之步驟，係在步驟a之後、或在步驟b之前或之後，將黏著薄片以黏著劑層作為貼附面來貼附於半導體晶圓之表面之步驟。 貼附黏著薄片之方法並未特別限定，可將例如使用貼合機等的以往習知的方法予以適用。
＜磨削及單片化之步驟＞ 磨削及單片化之步驟，係將貼附於半導體晶圓的黏著薄片之表面塗層側以藉由支撐裝置來成為固定狀態，磨削半導體晶圓之背面，以上述溝部或改質區域作為起點來單片化成複數個半導體晶片之步驟。 貼附有黏著薄片且形成有溝部或改質區域的半導體晶圓，藉由支撐裝置來固定黏著薄片之表面塗層側。作為支撐裝置並未特別限定，較佳為夾頭座等的吸附並保持固定對象物之裝置。
接下來，將被固定的半導體晶圓之背面磨削，使半導體晶圓單片化成複數個半導體晶片。 當藉由步驟a而於半導體晶圓形成溝部之情形時，背面磨削係將半導體晶圓磨削至磨削面至少為到達溝部之底部之位置為止。藉由該背面磨削，溝部將成為貫穿晶圓的切口，而半導體晶圓藉由切口而被分割，且被單片化為各個半導體晶片。 另一方面，當藉由步驟b而於半導體晶圓形成改質區域時，磨削面亦可到達改質區域，亦可未嚴密地到達改質區域。即，以改質區域作為起點使半導體晶圓被破壞並單片化成半導體晶片之方式，而磨削至接近改質區域的位置即可。例如，不使半導體晶圓單片化，而是磨削至接近改質區域的位置為止，之後，將拾取膠帶貼附於半導體晶圓，藉由拉伸拾取膠帶，而使單片化成半導體晶片亦可。
被單片化的半導體晶片之形狀可為方形，亦可為矩形等的細長形狀。 被單片化的半導體晶片之厚度並未特別限定，較佳為5~100μm，又較佳為7~70μm，更佳為10~45μm。 被單片化的半導體晶片之晶片尺寸並未特別限定，較佳為未滿50mm 2，又較佳為未滿30mm 2，更佳為未滿10mm 2。
＜剝離步驟＞ 剝離步驟係於磨削及單片化之步驟之後，將黏著薄片從複數個半導體晶片上剝離之步驟。 當黏著薄片的黏著劑層是由能量線硬化性黏著劑所形成之情形時，藉由照射能量線來使黏著劑硬化，使黏著劑層的剝離力變小後，將黏著薄片剝離。 尚，將黏著薄片剝離之際，亦可使用拾取膠帶。可藉由例如具備基材、及設置於基材之一面的黏著劑層而成的黏著薄片，來構成拾取膠帶。 當使用拾取膠帶時，首先，將拾取膠帶貼附於被單片化的半導體晶圓之背面側，並以可拾取之方式進行位置及方向對準。此時，將配置在半導體晶圓的外周側之環狀框(ring frame)亦貼合於拾取膠帶，以將拾取膠帶之外周緣部固定在環狀框為佳。接下來，將黏著薄片從被固定於拾取膠帶上的複數個半導體晶片上剝離。 之後，將位於拾取膠帶上的複數個半導體晶片予以拾取後，固定化於基板等之上，來製造半導體裝置亦可。 [實施例]
以下，基於實施例更詳細地說明本發明，但本發明不被該等例限制。各種物性的測量方法及評估方法係如同下述。
[質量平均分子量(Mw)] 使用凝膠滲透層析裝置(Tosoh股份有限公司製，製品名「HLC-8220」)並利用下述之條件進行測量，以標準聚苯乙烯換算來求得質量平均分子量(Mw)。 (測量條件) ・管柱：「TSK guard column HXL-H」「TSK gel GMHXL (×2)」「TSK gel G2000HXL」(皆為Tosoh股份有限公司製) ・管柱溫度：40℃ ・展開劑：四氫呋喃 ・流速：1.0mL/min
[黏著薄片等之厚度測量] 藉由定壓厚度測量器(股份有限公司Teclock製，商品名「PG-02」)來測量黏著薄片之總厚度、各層之厚度及由該等所製作的試片之厚度。此時，測量任意的10點，算出平均值。 尚，黏著薄片之總厚度，係指測量附有剝離薄片的黏著薄片之厚度，再由該厚度減去剝離薄片之厚度而得到之值。 又，緩衝層之厚度，係指由附有緩衝層的基材之厚度減去基材之厚度而得到之值。 又，表面塗層之厚度，係指由附有剝離薄片的表面塗層之厚度減去剝離薄片之厚度而得到之值。 又，黏著劑層之厚度，係指由黏著薄片之總厚度減去表面塗層、緩衝層及基材之厚度而得到之值。
[表面塗層之水接觸角之測量] 依據JIS R 3257：1999來測量表面塗層之水接觸角。具體而言，將實施例及比較例所製造的黏著薄片之表面塗層側的剝離薄片予以剝離，使用全自動式接觸角測量儀(協和界面科學公司製，製品名「DM-701」)，利用以下的條件，測量將純水滴下至已露出的表面塗層之露出面時之靜態接觸角。 ・測量溫度：23℃ ・純水的液滴量：2μl ・測量時間：滴下1秒後 ・影像解析法：θ/2法
[表面塗層的磨削屑附著量之評估] 將實施例及比較例所製造的黏著薄片裁切成5cm見方，將表面塗層側的剝離薄片剝離，準備表面塗層為已露出的試片。將該試片的4個角中任意的1個角固定並吊掛，浸漬於含有2質量%的矽晶圓磨削屑的磨削水中1分鐘。將試片從磨削水中取出，以吊掛之狀態、23℃靜置24小時來使其乾燥後，目視觀察試片之表面塗層，以下述的基準來評估磨削屑附著量。尚，以下的評估基準中，所謂的「磨削屑附著部」，係指附著於表面塗層上的磨削水的液滴經乾燥而成的島狀磨削屑附著部位之意思。 A：於表面塗層上具有1個部位的磨削屑附著部，或未附著能夠辨識為磨削屑附著部之程度的磨削屑。 B：於表面塗層上具有2~5個部位的磨削屑附著部。 C：於表面塗層上具有6個部位以上的磨削屑附著部，但磨削屑未附著於表面塗層之整面。 D：磨削屑附著於表面塗層之整面。
[使用於緩衝層的胺基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物之調製] 製造例1 使聚酯二醇與異佛爾酮二異氰酸酯進行反應，再將所得到的末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物與丙烯酸2-羥基乙酯進行反應，而得到質量平均分子量(Mw)為5,000的2官能的胺基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物。
[使用於黏著劑層的能量線硬化性丙烯酸系樹脂之調製] 製造例2 使丙烯酸n-丁酯52質量份、甲基丙烯酸甲酯20質量份、及丙烯酸2-羥基乙酯28質量份共聚合而得到丙烯酸系聚合物。接下來，以該丙烯酸系聚合物的全羥基中的90莫耳%的羥基被附加之方式，使該丙烯酸系聚合物與2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯反應，而得到質量平均分子量(Mw)為50萬的能量線硬化性丙烯酸系樹脂。
[黏著薄片之製造] 實施例1~3、比較例1~3 接下來，藉由以下所示之方法來製造黏著薄片。尚，以下的說明中的各成分之調配量，係指全有效成分之調配量之意思。
(1)基材之準備 作為基材，準備厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(楊氏模數：2500MPa)。
(2)表面塗層用塗佈液之調製 實施例1~3及比較例1~2係將表1中所示的樹脂，以有效成分濃度成為10質量%之方式，使其溶解於甲苯中，並將其設為表面塗層用塗佈液。 比較例3係將表1中所示的樹脂100質量份及矽石填料(日產化學工業公司製，商品名「Snowtex(註冊商標)UP」)30質量份，以有效成分濃度成為5質量%之方式，使其溶解及分散於甲苯中，並將其設為表面塗層用塗佈液。
(3)緩衝層形成用組成物之調製 調配製造例1所得到的胺基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物40質量份、丙烯酸異莰酯40質量份、丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯20質量份、作為光聚合起始劑的1-羥基環己基苯基酮2.0質量份、及酞青素系顏料0.2質量份，來調製緩衝層形成用組成物。
(4)黏著劑組成物之調製 調配製造例2所得到的能量線硬化性丙烯酸系樹脂100質量份、作為能量線硬化性化合物的多官能胺基甲酸酯丙烯酸酯(日本合成化學工業股份有限公司製，商品名「SHIKOH UT-4332」、質量平均分子量(Mw)4,700)6質量份、異氰酸酯系交聯劑(Tosoh股份有限公司製，商品名「Coronate L」)0.375質量份、及作為光聚合起始劑的雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦1質量份，且藉由溶劑稀釋後而調製成黏著劑組成物。
(5)黏著薄片之製作 在前述所示的基材之一面上，塗佈上述所得到的緩衝層形成用組成物後，藉由以照度160mW/cm 2、照射量500mJ/cm 2之條件下照射紫外線，來使緩衝層形成用組成物硬化，而製作在基材之一面具有厚度13μm的緩衝層的附有緩衝層的基材。 又，以乾燥後之厚度成為20μm之方式，將上述所得到的黏著劑組成物塗佈於剝離薄片(琳得科股份有限公司製，商品名「SP-PET381031」)的剝離處理面上，之後使其加熱乾燥，而製作附有黏著劑層的剝離薄片。藉由將該附有黏著劑層的剝離薄片的黏著劑層貼附於附有緩衝層的基材的未設置緩衝層之面上，而製作依序具有緩衝層、基材及黏著劑層的積層體。 又，以乾燥後之厚度成為2μm之方式，將上述所得到的表面塗層用塗佈液利用麥爾棒(mayer bar)塗佈於剝離薄片(琳得科股份有限公司製，商品名「SP-PET381031」)的剝離處理面上，之後使其加熱乾燥，而製作附有剝離薄片的表面塗層。將該附有剝離薄片的表面塗層之表面塗層貼附於上述積層體的緩衝層之表面上，而得到依序具有表面塗層、緩衝層、基材及黏著劑層的黏著薄片。
使用各實施例及比較例所得到的黏著薄片來進行評估，將評估結果表示於表1。
Figure 02_image001
・馬來酸酐改質聚烯烴樹脂：丙烯-丁烯-馬來酸酐共聚物，馬來酸酐改質率：1.5質量%，質量平均分子量(Mw)：75,000，雜原子含量：0.735質量%，東洋紡股份有限公司製，商品名「TOYO-TAC(註冊商標)PMA-L」 ・乙烯-環狀烯烴共聚物：乙烯-四環十二烯共聚物，源自於四環十二烯的構成單元之含量：20~32莫耳%，雜原子含量：5.2質量%，三井化學股份有限公司製，商品名「APEL(註冊商標)APL6509T」 ・乙烯-乙酸乙烯酯共聚物：乙酸乙烯酯含量：14質量%，雜原子含量：0質量%，東洋紡股份有限公司製，商品名「Ultrathene(註冊商標)685」 ・聚酯樹脂：東洋紡股份有限公司製，商品名「VYLON (註冊商標)GK-680」 ・聚酯胺基甲酸酯樹脂：東洋紡股份有限公司製，商品名「VYLON(註冊商標)UR-4410」 ・環氧丙烯酸酯樹脂：Arkema公司製，商品名「CN104 NS」
由表1可得知，表面塗層之水接觸角為85°以上的實施例1~3的黏著薄片，可充分降低磨削屑附著量。另一方面，表面塗層之水接觸角未滿85°的比較例1~3的黏著薄片，磨削屑附著量之降低則為不足。

Claims (11)

  1. 一種半導體加工用黏著薄片，依序具有表面塗層、緩衝層、基材及黏著劑層， 在23℃之水對於前述表面塗層之靜態接觸角為85°以上。
  2. 如請求項1之半導體加工用黏著薄片，其中，前述表面塗層係含有樹脂成分之有機層。
  3. 如請求項2之半導體加工用黏著薄片，其中，前述樹脂成分係熱塑性樹脂。
  4. 如請求項2或3之半導體加工用黏著薄片，其中，前述樹脂成分的雜原子之含量為7質量%以下。
  5. 如請求項2~4中任一項之半導體加工用黏著薄片，其中，在23℃之前述樹脂成分對甲苯為溶解1質量%以上。
  6. 如請求項1~5中任一項之半導體加工用黏著薄片，其中，在23℃之水對於前述表面塗層之靜態接觸角為90°以上。
  7. 如請求項1~6中任一項之半導體加工用黏著薄片，其中，前述表面塗層之厚度為0.05~10μm。
  8. 如請求項1~7中任一項之半導體加工用黏著薄片，其中，前述緩衝層係由含有胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯的緩衝層形成用組成物所形成。
  9. 如請求項1~8中任一項之半導體加工用黏著薄片，其係使用於半導體晶圓的背面磨削。
  10. 一種半導體裝置之製造方法，包含： 將請求項1~9中任一項之半導體加工用黏著薄片以前述黏著劑層作為貼附面來貼附於半導體晶圓之表面之步驟；與， 將前述貼附於半導體晶圓的前述半導體加工用黏著薄片的前述表面塗層側以藉由支撐裝置來成為固定狀態，磨削前述半導體晶圓之背面之步驟。
  11. 如請求項10之半導體裝置之製造方法，其中，包含：形成分割預定線之步驟、貼附薄片之步驟、與磨削及單片化之步驟， 前述形成分割預定線之步驟，係對於半導體晶圓之表面形成溝部之步驟a，或自半導體晶圓之表面或背面來對於前述半導體晶圓之內部形成改質區域之步驟b； 前述貼附薄片之步驟，係在前述步驟a之後、或在前述步驟b之前或之後，將請求項1~9中任一項之半導體加工用黏著薄片以前述黏著劑層作為貼附面來貼附於前述半導體晶圓之表面； 前述磨削及單片化之步驟，係將前述貼附於半導體晶圓的半導體加工用黏著薄片的前述表面塗層側以藉由支撐裝置來成為固定狀態，磨削前述半導體晶圓之背面，以前述溝部或改質區域作為起點來單片化成複數個半導體晶片。
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