TW202233893A - 蝕刻液組合物及其製備方法 - Google Patents

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Abstract

本發明關於用於蝕刻銀（Ag）或含銀膜的蝕刻液組合物及其製備方法。根據本發明的蝕刻液組合物，在銀或含銀的金屬膜的蝕刻製程中，可藉由在不損壞底層膜的情況下改善殘渣並防止析出物的產生，可以使形成精細布線時的偏差缺陷最小化，從而改善蝕刻特性。

Description

蝕刻液組合物及其製備方法
本發明關於用於蝕刻銀（Ag）或含銀膜的蝕刻液組合物及其製備方法
通常，顯示面板包括形成有薄膜電晶體的顯示基板，作為用於驅動像素的開關元件。上述顯示基板包括多個金屬圖案，上述金屬圖案主要藉由光刻（photolithography）法形成。上述光刻方式是一種如下的製程：在形成於基板的作為待蝕刻對象的金屬膜上形成光刻膠膜，並對上述光刻膠膜進行曝光顯影來形成光刻膠圖案後，將上述光刻膠圖案用作蝕刻阻止膜並使用蝕刻液組合物對上述金屬膜進行蝕刻，從而可以對金屬層進行圖案化。
在用於對上述金屬膜進行圖案化的蝕刻製程中，因光刻膠圖案而暴露的區域被蝕刻劑去除，且去除金屬膜的底層膜被暴露出。在這種情況下，上述暴露的底層膜可能與上述蝕刻液組合物接觸而受損。
當作為上述待蝕刻對象的金屬膜為被用作顯示裝置（display）的反射板或布線的銀（Ag）或含銀合金的金屬膜時，為了對其進行蝕刻，主要使用了基於磷酸、硝酸及醋酸的濕式蝕刻液組合物。
然而，上述濕式蝕刻液組合物的黏度隨著使用時間的推移而增加，且其他成分的濃度也會增加，從而可導致過度蝕刻且可在部分布線出現短路。並且，由於增加對銀或含銀金屬膜的蝕刻處理數目，可能出現蝕刻偏差增大的缺陷。
另一方面，為了提高行動設備的解析度需要形成精細布線，但為了形成基於對銀（Ag）或含銀合金的金屬膜的蝕刻的精細圖案，具有減少蝕刻製程時間或者減少氧化劑及蝕刻劑的含量的方法。在這種情況下，由於蝕刻液的蝕刻性能下降，殘渣產生增多或溶解的金屬的穩定性不足，因此隨著時間的推移金屬膜上可能會產生殘渣或析出物。
因此，有必要改善用於銀或含銀合金的膜或布線的蝕刻製程的蝕刻液組合物。
[發明要解決的問題]
本發明的目的在於，提供一種在對銀（Ag）或含銀膜進行蝕刻的製程中可具有優異的蝕刻特性的蝕刻液組合物。 [用於解決問題的手段]
為了解決上述技術問題，本發明提供一種包含硝酸、有機酸、硫化合物及二膦酸或其鹽的蝕刻液組合物。
根據一實現例，上述二膦酸或其鹽可以是根據化學式1的結構的化合物。
[化學式1]
Figure 02_image001
在化學式1中， R 1及R 2各自獨立地為H、OH、NH 2、Cl或碳原子數為1至10的烷基或芳基。
具體而言，例如，上述二膦酸或其鹽可以是1-羥基乙烷-1,1-二膦酸（l-hydroxyethane-l,l-diphosphonic   acid）、1-（氨基亞乙基）-1,1-二膦酸（l-(aminoethylidene)-1,1-diphosphonic acid）、1-氨基丙烷-1,1-二膦酸（l-aminopropane-1,1-diphosphonic acid）、2-氨基-1-羥基乙烷-1,1-二膦酸（2-amino-l-hydroxyethane-1,1-diphosphonic acid）、1-氨基乙烯二膦酸（1-aminoethylene diphosphonic acid），二氯甲基二膦酸（dichloromethyl diphosphonic acid），1,8-辛烷二膦酸（1,8-octanediphosphonic acid）。
根據一實現例，上述有機酸可包括選自醋酸、檸檬酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、蘋果酸、酒石酸、乳酸、丙酸、己酸、辛酸、苯乙酸、苯甲酸、苯單羧酸、羥基苯甲酸、羥基苯甲酸、羥基苯、氨基苯甲酸、二乙酸、丙酮酸、葡萄糖酸、乙醇酸、亞氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、亞乙基三腈五乙酸、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸、甘氨酸、亞氨基二琥珀酸、聚亞氨基二琥珀酸、草酸、丙二酸、甲酸及其鹽中的一種以上。
具體而言，例如，上述有機酸可包括醋酸及檸檬酸，醋酸與檸檬酸的重量比可以為1：1至1：5。
根據一實現例，上述硫化合物可包括選自由磺酸、聚磺酸、磺酸鹽、硫酸、硫酸銨、硫酸鈉、硫酸鉀、硫酸氫鉀、硫酸氫鈉、硫酸氫銨、硫酸鎂、甲磺酸、乙磺酸、苯磺酸、甲苯磺酸、羥基甲磺酸、羥基乙烷磺酸、羥基丙磺酸、過硫酸鉀、過硫酸鈉、過硫酸銨、二氟甲磺酸（difluoromethanesulphonic  acid）、三氟甲磺酸（trifluoromethanesulphonic acid）、氯甲磺酸（chloromethane sulfonic acid）、三氯甲磺酸（trichloromethanesulfonic acid）及溴甲磺酸（bromoethanesulfonic acid）組成的組中的一種以上。
具體而言，例如，上述硫化合物可包括甲磺酸及硫酸氫鈉，甲磺酸與硫酸氫鈉的含量比可以為1：1至1：10。
根據一實現例，根據本發明的組合物的用途為可用於對銀；銀合金的單層膜；由銀及氧化銦膜構成的多層膜；由含銀單層膜與氧化銦膜構成的多層膜中的一種以上進行蝕刻。
並且，上述組合物可用於抑制殘渣或用於防止析出物。
根據本發明的另一實現例，一種蝕刻液組合物的製備方法，包括混合5至20重量%的硝酸；10至60重量%的有機酸；3至50重量%的硫化合物；0.1至40重量%二膦酸或其鹽；以及使組合物的總重量為100重量份的餘量的水的步驟。
其他根據本發明實現例的具體內容包括在下面的詳細描述中。 [發明的效果]
就根據本發明的蝕刻液組合物而言，在銀或含銀金屬膜的蝕刻製程中，可在不損壞底層膜的情況下改善殘渣並防止析出物的產生，以最小化形成精細布線時的偏差（bias）缺陷來改善蝕刻特性。
本發明可以具有各種變換，可以具有多種實施例，以下將示例特定實施例並對其進行詳細說明。但是，這並非意在將本發明限制於特定實施方案，而應理解為包括本發明的精神和範圍內的所有變換、等同物和替代。在本發明的描述中，如果認為相關公知技術的詳細描述可能會混淆本發明的主旨，則將省略其詳細描述。
除非在本說明書中另有說明，否則“至”用於包括相應數值。具體而言，例如，“1至2”不僅包括1及2，而且還包括1與2之間的所有數值。
根據本發明一實施方案的蝕刻液組合物用於蝕刻用作顯示裝置的反射板或薄膜電晶體（TFT）金屬布線的銀（Ag）或含銀金屬膜，上述金屬膜可以是單層膜或多層膜，並可包括銀合金。上述多層膜包括銀或銀合金的單層膜，例如，可以是氧化銦膜/銀或銀合金單層膜/氧化銦膜的結構。
上述銀合金以銀為主要成分，可包括含Nd、Cu、Pb、Nb、Ni、Mo、Ni、Cr、Mg、W、Pa至Ti等其他金屬的合金形態，以及銀的各種形態，例如，銀的氮化物、矽化物、碳化物形態。
例如，上述氧化銦膜可由氧化銦鋅（IZO）、氧化銦錫（ITO）或其混合物形成，可用作圖像顯示裝置用基板的電極。
以下，對根據本發明的蝕刻液組合物進行詳細說明。
具體而言，本發明提供一種包含硝酸、有機酸、硫化合物及二膦酸或其鹽的蝕刻液組合物。
以下，對根據本發明實施方案的蝕刻液組合物的組成成分進行進一步詳細說明。
[硝酸]
根據本發明的蝕刻液組合物包括硝酸作為氧化劑成分，以用於對銀（Ag）或含銀合金金屬膜進行氧化。
硝酸可以藉由快速氧化銀（Ag）及氧化銦等來進行蝕刻。
根據一實現例，相對於蝕刻液組合物總重量，可包括5至20重量%的硝酸。具體而言，例如，可包括5重量%以上、7重量%以上、或20重量%以下、15重量%以下、10重量%以下。
當滿足上述範圍時，可藉由防止銀及氧化銦等被過度侵蝕來調節蝕刻速度。
硝酸可以與稍後描述的有機酸及硫化合物配合來防止銀及氧化銦等被過度侵蝕，並可調節蝕刻速度。
[有機酸]
根據本發明的蝕刻液組合物，作為螯合劑或緩衝劑包括含有至少一個羧基的有機酸螯合，且還能夠以鹽的形式使用。
上述有機酸的羧基在蝕刻製程中可起到穩定化作用，即在蝕刻製程中對金屬離子進行螯合來使得其溶解於蝕刻溶液中，由此，可起到用於防止金屬離子被還原而再吸附到基板的作用。
作為有機酸的例子可包括醋酸（acetic acid）、檸檬酸（citric acid）、琥珀酸（succinic acid）、戊二酸（glutaric acid）、己二酸（adipic acid）、庚二酸（pimelic acid）、辛二酸（suberic acid）、蘋果酸（malic acid）、酒石酸（tartaric acid）、乳酸（lactic acid）、丙酸（propionic acid）、己酸（caproic acid）、辛酸（caprylic acid）、苯乙酸（phenylacetic acid）、苯甲酸（benzoic acid）、苯單羧酸（benzene monocarboxylic acid）、硝基苯甲酸（nitrobenzoic acid）、羥基苯甲酸（hydroxybenzoic acid）、羥基苯（hydroxybenzene）、氨基苯甲酸（aminobenzoic acid）、二乙酸（diacetic acid）、丙酮酸（pyruvic acid）、葡萄糖酸（gluconic acid）、乙醇酸（glycolic acid）、亞氨基二乙酸（iminodiacetic acid）、氨三乙酸（nitrilotriacetic acid）、乙二胺四乙酸（ethylenediamine tetra acetic acid）、亞乙基三腈五乙酸（ethylene trinitrile penta-acetic acid）、丙氨酸（alanine）、谷氨酸（glutamic acid）、氨基丁酸（aminobutyric acid）、甘氨酸（glycine）、亞氨基二琥珀酸（Iminodisuccinic acid）、聚亞氨基二琥珀酸（polyminodisuccinic acid）、草酸（oxalic acid）、丙二酸（malonic acid）、甲酸（formic acid）或其鹽。
根據一實現例，可藉由單獨使用這些酸或者以兩種以上的混合物形態使用這些酸，來進一步提高蝕刻效率。
並且，具體而言，例如，可包括醋酸及檸檬酸。醋酸與檸檬酸的含量的重量比可以為1：1至1：5，例如1：1至1：4，例如1：1至3.5。
根據一實現例，相對於蝕刻液組合物總重量，有機酸可以為10重量%至60重量%，例如10重量%以上、20重量%以上、30重量%以上、或50重量%以下、40重量%以下。當滿足上述範圍時，可以在不抑制對銀的蝕刻的情況下，發揮足夠的螯合效果。
[硫化合物]
根據本發明的蝕刻液組合物包括硫化合物。
硫化合物不僅控制酸度，而且硫化合物的磺酸鹽基團與被硝酸氧化的銀離子（Ag +）結合，有助於穩定的蝕刻。具體而言，可藉由防止氧化的銀的重吸附來減少殘渣形成，並削弱對下層膜的滲透力。這種作用抑制了膜與膜之間的蝕刻液組合物的滲透，從而減少了形成精細布線時的偏差（也稱為偏差（bias），或偏移（skew））缺陷，由此改善了布線直線性。
例如，硫化合物可包括選自由磺酸（sulfonic acid）、聚磺酸（polysulfonic acid）、磺酸鹽（sulfonate）、硫酸（sulfuric acid）、硫酸銨（ammonium sulfate）、硫酸鈉（sodium sulfate）、硫酸鉀（potassium sulfate）、硫酸氫鉀（potassium hydrogensulfate）、 硫酸氫鈉（sodium hydrogensulfate）、硫酸氫銨（ammonium sulfate）、硫酸鎂（magnesium sulfate）、甲磺酸（methanesulfonic acid）、乙磺酸（ethanesulfonic acid）、苯磺酸（benzenesulfonic acid）、甲苯磺酸（toluene sulfonic acid）、羥基甲磺酸（hydroxymethanesulphonic acid）、羥基乙磺酸（hydroxyethanesulphonic acid）、羥基丙磺酸（hydroxypropanesulfonic acid）、過硫酸鉀（potassium persulfate）、過硫酸鈉（sodium persulfate）、過硫酸銨（ammonium      persulfate）、二氟甲磺酸（difluoromethanesulphonic    acid）、三氟甲磺酸（trifluoromethanesulphonic acid）、氯甲磺酸（chloromethane sulfonic acid）、三氯甲磺酸（trichloromethanesulfonic acid）及溴甲磺酸（bromoethanesulfonic acid）組成的組中的一種以上。
並且，藉由包含兩以上的硫化合物，可以進一步提高蝕刻效率，具體而言，例如，可包括甲磺酸及硫酸氫鈉。例如，甲磺酸與硫酸氫鈉的含量比可以為1：1至1：10，例如可以為1：1至1：5。相對於甲磺酸，若硫酸氫鈉的含量比例過低，則可能會產生殘渣，若過高，則可能導致過度蝕刻。
根據一實現例，相對於蝕刻液組合物總重量，可包括3至50重量%的硫化合物，例如3重量%以上、10重量%以上、15重量%以上、或40重量%以下、30重量%以下、20重量%以下。當硫化合物的含量過高時，可能造成底層膜的損壞，若過高，例如，氧化銦膜的蝕刻速度下降，因而可導致製程時間增加。
[二膦酸]
根據本發明的蝕刻液組合物可包括二膦酸或其鹽。
二膦酸或其鹽可藉由對氧化銦膜進行蝕刻來防止銀（Ag）及氧化銦膜的表面產生殘渣，並可防止蝕刻製程中生成析出物。
根據一實現例，本發明的二膦酸或其鹽可具有化學式1的結構。
[化學式1]
Figure 02_image001
R 1及R 2各自獨立地為H、OH、NH 2、Cl或碳原子數為1至10的烷基或芳基。
具體而言，例如，上述二膦酸或其鹽可包括選自由1-羥基乙烷-1,1-二膦酸（1-hydroxyethane-1,1-diphosphonic acid，HEDP）、1-(氨基亞乙基)-1,1-二膦酸（l-(aminoethylidene)-1,1-diphosphonic acid，AEDP）、1-氨基丙烷-1,1-二膦酸（1-aminopropane-1,1-diphosphonic acid，APDP）、2-氨基-1-羥基乙烷-1,1-二膦酸（2-amino-1-hydroxyethane-1,1-diphosphonic acid）、1-氨基乙烯二膦酸（1-aminoethylene diphosphonic acid）、二氯甲基二膦酸（dichloromethyl diphosphonic acid）、1,8-辛烷二膦酸（1,8-Octanediphosphonic acid）組成的組中的一種以上。具體而言，例如，可包括HEDP、AEDP及APDP中的一種以上。
根據一實現例，相對於蝕刻液組合物總重量，可包括0.1重量%至40重量%的二膦酸或其鹽，例如0.1重量%以上、0.5重量%以上、1重量%以上、或40重量%以下、30重量%以下、25重量%以下。若二膦酸或其鹽的含量過低，則可產生銀（Ag）殘渣，相反，若過高，則因過度蝕刻的布線損耗及蝕刻偏差可能會增加。
[水]
根據本發明一實施方案的蝕刻液組合物可包括餘量水，以使組合物的總重量為100重量%。在本發明中，對水沒有特別限制，但較佳為去離子水，更佳為水的比電阻值（表示從水中去除離子的程度）為18Ω·cm以上的去離子水。
根據本發明的一實施方案的蝕刻液組合物除了上述成分以外，還可包括本技術領域常用的防腐劑、表面活性劑、蝕刻穩定劑等添加劑。例如，相對於組合物總重量，可添加0.001重量%至10重量%的額外的添加劑，例如0.01重量%至5重量%，該含量可以在不影響本發明組合物的效果的範圍內適當調整。
尤其，上述防腐劑可以是分子中含有一個以上的選自氧、硫和氮的雜原子的單環式雜環化合物，或具有上述單環式雜環與苯環稠合結構的雜環化合物。
上述單環式雜環化合物可以是具有碳原子數為1至10的單環式結構的雜環芳香族化合物或雜環脂肪族化合物，作為具體例可包括呋喃（furane）、噻吩（thiophene）、吡咯（pyrrole）、惡唑（oxazole）、咪唑（imidazole）、吡唑（pyrazole）、三唑（triazole）、四唑（tetrazole）、5-氨基四唑（5-aminotetrazole）、甲基四唑（methyltetrazole）、呱嗪（piperazine）、甲基呱嗪（methylpiperazine）、羥乙基呱嗪（hydroxyethylpiperazine）、吡咯烷（pyrrolidine）、四氧嘧啶（alloxan）、苯并呋喃（benzofurane）、苯并噻吩（benzothiophene）、吲哚（indole）、苯并咪唑（benzimidazole）、苯并吡唑（benzopyrazole）、甲基苯并三唑（tolutriazole）、氫甲基苯并三唑（hydrotolutriazole）、羥基甲基苯并三唑（hydroxytolutriazole）或它們中的兩種以上的混合物。
根據一實現例，根據本發明的組合物可以對銀、銀合金的單層膜、由銀及氧化銦膜構成的多層膜、由含銀單層膜和氧化銦膜構成的多層膜中的一種以上進行蝕刻。
並且，可用於防止殘渣或用於防止析出物。
以下，將藉由實施例、比較例及實驗例更詳細地描述本發明。這些實施例、比較例及實驗例僅用於說明本發明，對於本領域技術人員而言，本發明的範圍不限於此是顯而易見的。
實施例及比較例：蝕刻液組合物製備
按照表1的組成制备了蝕刻液組合物。含量的单位是重量%。
[表1]
區分 硝酸 有機酸 硫化合物 膦酸 磷酸
醋酸 檸檬酸 甲磺酸 硫酸氫鈉 物質 含量  
實施例1 9 10     10 HEDP 10  
實施例2 9 10 30   10 HEDP 10  
實施例3 9 10   4.5   HEDP 10  
實施例4 9 10 30 4.5   HEDP 10  
實施例5 9 10 30 4.5 10 HEDP 10  
實施例6 9 10 30 4.5 10 AEDP 10  
實施例7 9 10 30 4.5 10 APDP 10  
實施例8 9 10 30 4.5 10 HEDP 20  
實施例9 9 10 25 4.5 20 HEDP 10  
實施例10 9 10 35 4.5 10 HEDP 1  
實施例11 10 10 35 4.5 5 HEDP 1  
比較例1 9 10     10     30
比較例2   10     10 HEDP 1  
比較例3 9     4.5 10 HEDP 10  
比較例4 9 10 30     HEDP 10  
比較例5 9 10 30 4.5 10 乙基膦酸 10  
比較例6 9 10 10 4.5 10 苯基膦酸（Phenylphosphonic acid） 2  
HEDP：1-羥基乙烷-1,1-二膦酸（l-hydroxyethane-1,1-diphosphonic acid） AEDP：1-氨基亞乙基-1,1-二膦酸（l-(Aminoethylidene)-1,1-diphosphonic acid） APDP：1-氨基丙烷-1,1-二膦酸（l-Aminopropane-1,1-diphosphonic acid）
實驗例1：偏差（bias）評估
為了對根據實施例及比較例的蝕刻液組合物的蝕刻速度進行評估，在基板上形成ITO（氧化銦錫）/Ag/ITO三層膜作為試片後，在上述三層膜上圖案化光刻膠。利用根據實施例及比較例的薄膜蝕刻液組合物對上述基板進行了蝕刻製程。
將實施例及比較例的蝕刻液組合物分別填充到10kg的濕法蝕刻機（wet etcher）後，設定溫度為40℃，對上述待評估的1000片試片進行了100秒鐘的蝕刻處理。使用超純水對蝕刻處理好的樣品沖洗約60秒鐘後，以3.0kgf/cm 2的壓力進行氮氣乾燥。
使用掃描式電子顯微鏡（SEM；型號：SU-8010，HITACHI）測量上述三層膜中光刻膠末端到銀薄膜的距離，如表2所示。
實驗例2：殘渣評估
為了對根據實施例及比較例的蝕刻液組合物進行蝕刻後的殘渣程度進行評估，使用掃描式電子顯微鏡觀察根據實驗例1結果的每個試片，並藉由ITO/Ag/ITO布線之間區域的殘留金屬膜的面積來判斷是否形成殘渣。 [殘渣評估基準] 無：未產生殘渣 有：產生殘渣
實驗例3：析出物評估
為了對根據實施例及比較例的蝕刻液組合物的蝕刻製程中的析出物形成程度进行評估，形成Ti/Al/Ti三層膜後，在上述三層膜上圖案化光刻膠。對圖案化的基板進行乾式蝕刻（dry etch）後，藉由顯影製作了具有寬度為20μm的Ti/Al/Ti布線的基板。之後，藉由形成ITO（氧化銦錫）/Ag/ITO三層膜來製作用於評估的基板後，如實施例1所示，對實施例及比較例進行了評估，並使用掃描電子顯微鏡觀察根據評估的每個試片，從而判斷是否形成殘渣。測量Ti/Al/Ti布線上端產生的銀（Ag）粒子數量，並根據下述基準進行了評估，如表2所示。 [析出物評估基準] 無：小於10個 有：10個以上
[表2]
區分 偏差（Bias）（μm） 殘渣 還原性銀析出 處理數目
實施例1 0.40 無 無 1000
實施例2 0.35 無 無 1500
實施例3 0.39 無 無 1500
實施例4 0.42 無 無 1500
實施例5 0.30 無 無 2000
實施例6 0.35 無 無 1000
實施例7 0.31 無 無 1500
實施例8 0.35 無 無 1000
實施例9 0.38 無 無 1000
實施例10 0.38 無 無 1000
實施例11 0.32 無 無 1000
比較例1 0.36 無 有 1000
比較例2 未蝕刻（Unetch）
比較例3 未蝕刻（Unetch）
比較例4 0.62 有 有 1500
比較例5 0.35 有 有 1000
比較例6 0.43 有 有 500
如表2所示，根據實施例的蝕刻液組合物，確認了ITO/Ag/ITO蝕刻偏差被最小化，從而可以形成無短路的微細圖案，殘渣和析出物產生少，並且對底層膜沒有損壞。具體而言，根據本發明的實施例，確認偏差為0.5μm以下，沒有殘渣，同時可使析出物產生最小化。
尤其，在實施例中，就包含2種以上的有機酸及硫化合物的實施例5而言，可知其蝕刻性能最優秀。
相反，根據比較例的結果，確認了未實現蝕刻，或者銀析出的結果，因此不適合作為銀或含銀金屬膜的蝕刻液組合物。
具體而言，比較例1包含磷酸代替二膦酸，其結果確認了銀的析出。並且，比較例2為不含硝酸的組合物，比較例3為不含有機酸的組合物，由於未實現蝕刻，因此無法進行測量。並且，比較例4不含硫化合物，其結果確認偏差大於0.5μm，並且產生殘渣及銀析出物。
比較例5及6使用分子中含有一個磷酸的膦酸，而不是二膦酸，其結果產生了殘渣及银析出物。
如上所述，根據本發明的蝕刻液組合物對於用作顯示裝置的反射板或布線的銀（Ag）或含銀金屬膜抑制了底層膜的損壞，並在形成精細布線時使偏差的缺陷及殘渣和析出物的產生最小化，從而可具有優異的蝕刻特性。
以上，對本發明的特定部分進行了詳細描述，對於本發明所屬領域的普通技術人員而言，這些具體技術僅為較佳實現例而已，本發明的保護範圍並不限於此。本發明所屬領域的普通技術人員將能夠基於上述內容在本發明的範圍內進行各種應用和修改。因此，本發明的實質範圍旨在由所附申請專利範圍及其等同物來限定。
無。
無。
無。

Claims (12)

  1. 一種蝕刻液組合物，包括： 硝酸； 有機酸； 硫化合物；以及 二膦酸或其鹽。
  2. 如請求項1所述之蝕刻液組合物，其中，所述二膦酸或其鹽具有化學式1的結構： [化學式1]
    Figure 03_image001
    在所述化學式1中， R 1及R 2各自獨立地為H、OH、NH 2、Cl或碳原子數為1至10的烷基或芳基。
  3. 如請求項1所述之蝕刻液組合物，其中，所述二膦酸或其鹽包括1-羥基乙烷-1,1-二膦酸、1-(氨基亞乙基)-1,1-二膦酸、1-氨基丙烷-1,1-二膦酸、2-氨基-1-羥基乙烷-1,1-二膦酸、1-氨基乙烯二膦酸、二氯甲基二膦酸、1,8-辛烷二膦酸。
  4. 如請求項1所述之蝕刻液組合物，其中，所述有機酸包括選自醋酸、檸檬酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、蘋果酸、酒石酸、乳酸、丙酸、己酸、辛酸、苯乙酸、苯甲酸、苯單羧酸、硝基苯甲酸、羥基苯甲酸、羥基苯、氨基苯甲酸、二乙酸、丙酮酸、葡萄糖酸、乙醇酸、亞氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、亞乙基三腈五乙酸、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸、甘氨酸、亞氨基二琥珀酸、聚亞氨基二琥珀酸、草酸、丙二酸、甲酸及其鹽中的一種以上。
  5. 如請求項1所述之蝕刻液組合物，其中，所述有機酸包括醋酸及檸檬酸。
  6. 如請求項5所述之蝕刻液組合物，其中，所述醋酸與所述檸檬酸的重量比為1：1至1：5。
  7. 如請求項1所述之蝕刻液組合物，其中，所述硫化合物包括選自由磺酸、聚磺酸、磺酸鹽、硫酸、硫酸銨、硫酸鈉、硫酸鉀、硫酸氫鉀、硫酸氫鈉、硫酸氫銨、硫酸鎂、甲磺酸、乙磺酸、苯磺酸、甲苯磺酸、羥基甲磺酸、羥基乙磺酸、羥基丙磺酸、過硫酸鉀、過硫酸鈉、過硫酸銨、二氟甲磺酸、三氟甲磺酸、氯甲磺酸、三氯甲磺酸及溴甲磺酸組成的組中的一種以上。
  8. 如請求項1所述之蝕刻液組合物，其中，所述硫化合物包含甲磺酸及硫酸氫鈉。
  9. 如請求項8所述之蝕刻液組合物，其中，所述甲磺酸與所述硫酸氫鈉的含量比為1：1至1：10。
  10. 如請求項1所述之蝕刻液組合物，其中，所述蝕刻液組合物用於對銀；銀合金的單層膜；由銀及氧化銦膜構成的多層膜；由含銀單層膜與氧化銦膜構成的多層膜中的一種以上進行蝕刻。
  11. 如請求項1所述之蝕刻液組合物，其中，所述蝕刻液組合物用於抑制殘渣或用於防止析出物。
  12. 一種蝕刻液組合物的製備方法，包括混合5至20重量%的硝酸；10至60重量%的有機酸；3至50重量%的硫化合物；0.1至40重量%二膦酸或其鹽；以及使組合物的總重量為100重量份的餘量的水的步驟。
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