TW202229488A - 電路連接用接著膜、以及電路連接結構體及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示了一種電路連接用接著膜。該電路連接用接著膜具備含有導電粒子、陽離子聚合性化合物及熱陽離子聚合起始劑之導電粒子層。導電粒子層含有在分子內具有脂環式環氧結構及氧雜環丁烷環結構之化合物作為陽離子聚合性化合物。

Description

電路連接用接著膜、以及電路連接結構體及其製造方法
本發明係有關一種電路連接用接著膜、以及電路連接結構體及其製造方法。
以往,為了進行電路連接而使用了各種接著材料。例如,作為用以液晶顯示器與液晶驅動用積體電路的連接、液晶顯示器與帶載封裝(TCP)的連接、撓性印刷配線基板(FPC)與TCP的連接或FPC與印刷配線板的連接的接著材料,使用了在接著劑中分散有導電粒子之電路連接用接著膜(例如,參閱專利文獻1、專利文獻2)。
近年來,在使用電路連接用接著膜之精密電子機器的領域中,電路的高密度化不斷進展,電極寬度及電極間隔變得非常窄。因此,對於電路連接用接著膜要求在微電極上效率良好地捕獲導電粒子而獲得高連接可靠性。進而,為了低成本化而有提高生產量(throughput)之必要性,要求能夠在低溫(100~170℃)下固化之電路連接用接著膜。
[專利文獻1]國際公開第2005/054388號 [專利文獻2]日本特開2017-214472號公報
然而,依據本發明的發明人等的探討發現了,若以往的電路連接用接著膜例如在與空氣及可見光線接觸之條件下在室溫(25℃)下長期(例如,3天以上)放置,則有時會顯現貼合性下降、難以顯現低溫固化性等的現象。若顯現這樣的現象,則接著膜變得難以作為電路連接用接著膜發揮作用。
因此,本發明的主要目的為提供一種能夠長期保持貼合性及低溫固化性並且能夠製造具有高連接可靠性之電路連接結構體之電路連接用接著膜。
本發明的一方面係有關一種電路連接用接著膜。該電路連接用接著膜具備含有導電粒子、陽離子聚合性化合物及熱陽離子聚合起始劑之導電粒子層。導電粒子層含有在分子內具有脂環式環氧結構及氧雜環丁烷環結構之化合物作為陽離子聚合性化合物。本發明的發明人等發現了,藉由導電粒子層含有在分子內具有脂環式環氧結構及氧雜環丁烷環結構雙方之化合物作為陽離子聚合性化合物,能夠長期保持貼合性及低溫固化性。又,依據電路連接用接著膜,導電粒子層含有在分子內具有脂環式環氧結構及氧雜環丁烷環結構雙方之化合物作為陽離子聚合性化合物,藉此能夠製造具有高連接可靠性之電路連接結構體。
在分子內具有脂環式環氧結構及氧雜環丁烷環結構之化合物可以為由下述式(I-1)表示之化合物。
【化學式1】
Figure 02_image001
電路連接用接著膜的導電粒子層還可以含有在分子內具有脂環式環氧結構並且不具有氧雜環丁烷環結構之化合物或在分子內具有氧雜環丁烷環結構並且不具有脂環式環氧結構之化合物作為陽離子聚合性化合物。作為陽離子聚合性化合物進而使用該等化合物,藉此電路連接用接著膜能夠製造連接電阻更優異的電路連接結構體。
本發明的另一方面係有關一種電路連接結構體。該電路連接結構體具備:第1電路構件,具有第1電極;第2電路構件,具有第2電極;及電路連接部,配置於第1電路構件及第2電路構件之間,將第1電極及第2電極相互電連接。電路連接部包含上述電路連接用接著膜的固化物。
本發明的另一方面係有關一種電路連接結構體之製造方法。該電路連接結構體之製造方法包括如下步驟:使上述電路連接用接著膜介在於具有第1電極之第1電路構件與具有第2電極之第2電路構件之間,對第1電路構件及第2電路構件進行熱壓接,將第1電極及第2電極相互電連接。 [發明效果]
依據本發明,可提供一種能夠長期保持貼合性及低溫固化性並且能夠製造具有高連接可靠性之電路連接結構體之電路連接用接著膜。又,依據本發明,提供一種使用了這樣的電路連接用接著膜之電路連接結構體及其製造方法。
以下,參閱圖式,對本發明的實施形態進行詳細說明。但是,本發明並不限定於以下實施形態。
本說明書中,使用“~”示出之數值範圍表示將記載於“~”的前後之數值分別作為最小值及最大值而包括之範圍。在本說明書中階段性地記載之數值範圍內,某一階段的數值範圍的上限值或下限值可以替換為其他階段的數值範圍的上限值或下限值。又,在本說明書中所記載之數值範圍內,該數值範圍的上限值或下限值可以替換為實施例中所示之值。又,單獨記載之上限值及下限值能夠任意組合。在數值範圍“A~B”這一標記中,兩端的數值A及B分別作為下限值及上限值而包括在數值範圍內。在本說明書中,例如,“10以上”這一記載係指“10”和“超過10之數值”,在數值不同的情形下亦依此為準。又,例如,“10以下”這一記載係指“10”和“小於10的數值”,在數值不同的情形下亦依此為準。又,在本說明書中,“(甲基)丙烯酸酯”係指丙烯酸酯及與其相對應之甲基丙烯酸酯的至少一者。在“(甲基)丙烯醯基”等其他類似的表述中亦相同。又,“(聚)”係指有“聚”的接頭詞之情形和沒有“聚”的接頭詞之情形這兩者。又,“A或B”可以包括A及B中的任一者,亦可以包括雙方。又,關於以下例示之材料,只要無特別說明,則可以單獨使用1種,亦可以組合使用2種以上。關於組成物中的各成分的含量,在組成物中存在複數種相當於各成分之物質之情形下,只要無特別說明,則係指存在於組成物中之該複數種物質的總量。
[電路連接用接著膜] 圖1係表示電路連接用接著膜的一實施形態之示意剖面圖。如圖1所示,電路連接用接著膜10(以下,有時簡稱為“接著膜10”。)具備導電粒子層3,該導電粒子層3含有導電粒子1(以下,有時稱為“(A)成分”。)和用以分散導電粒子1之接著成分2(以下,有時稱為“(B)成分”。)。導電粒子層3中的接著成分2被定義為除了導電粒子1以外的固體成分。
接著膜10中,導電粒子1分散於導電粒子層3中。因此,接著膜10可以為具有各向異性導電性之電路連接用接著膜(各向異性導電性接著膜)。接著膜10可以介在於具有第1電極之第1電路構件與具有第2電極之第2電路構件之間,用於對第1電路構件及第2電路構件進行熱壓接,將第1電極及第2電極相互電連接。
<(A)成分:導電粒子> 關於(A)成分,只要係具有導電性之粒子,則並無特別限制,可以為由Au、Ag、Pd、Ni、Cu、焊料等金屬構成之金屬粒子、由導電性碳構成之導電性碳粒子等。(A)成分可以為具備包含非導電性的玻璃、陶瓷、塑膠(聚苯乙烯等)等之核和包含上述金屬或導電性碳且被覆核之被覆層之被覆導電粒子。該等中,(A)成分可以為具備包含由熱熔融性金屬形成之金屬或塑膠之核和包含金屬或導電性碳且被覆核之被覆層之被覆導電粒子。這樣的被覆導電粒子容易藉由加熱或加壓而使熱固化性樹脂成分的固化物變形,因此在將電極彼此電連接時,能夠增加電極與(A)成分的接觸面積,能夠進一步提高電極之間的導電性。
(A)成分可以為具備上述金屬粒子、導電性碳粒子或被覆導電粒子和包含樹脂等絕緣材料且被覆該粒子的表面之絕緣層之絕緣被覆導電粒子。若(A)成分為絕緣被覆導電粒子,則即使在(A)成分的含量多的情形下,由於粒子的表面被樹脂被覆,因此亦能夠抑制由(A)成分彼此的接觸引起之短路的發生,並且還能夠提高相鄰之電極電路之間的絕緣性。關於(A)成分,可以單獨使用1種,亦可以組合使用複數種。
(A)成分的最大粒徑需要比電極的最小間隔(相鄰之電極之間的最短距離)小。就分散性及導電性優異之觀點而言,(A)成分的最大粒徑可以為1.0μm以上、2.0μm以上或2.5μm以上。就分散性及導電性優異之觀點而言,(A)成分的最大粒徑可以為20μm以下、10μm以下或5μm以下。在本說明書中,對於任意300個(pcs)導電粒子,藉由使用了掃描型電子顯微鏡(SEM)之觀察來測量粒徑,將所獲得之最大值作為(A)成分的最大粒徑。另外,在(A)成分具有突起之情形等、(A)成分不是球形之情形下,(A)成分的粒徑作為SEM圖像中的與導電粒子外切之圓的直徑。
就分散性及導電性優異之觀點而言,(A)成分的平均粒徑可以為1.0μm以上、2.0μm以上或2.5μm以上。就分散性及導電性優異之觀點而言,(A)成分的平均粒徑可以為20μm以下、10μm以下或5μm以下。在本說明書中,對於任意300個(pcs)導電粒子,藉由使用了掃描型電子顯微鏡(SEM)之觀察來測量粒徑,將所獲得之粒徑的平均值作為平均粒徑。
就進一步提高接著膜的導電性之觀點而言、以(A)成分及(B)成分的總量為基準,(A)成分的含量可以為5質量%以上、10質量%以上、15質量%以上或20質量%以上,可以為70質量%以下、60質量%以下、50質量%以下或40質量%以下。若(A)成分的含量在上述範圍內,則趋於顯著發揮本發明的效果。另外,接著膜(導電粒子層)的(A)成分的含量(以接著膜或導電粒子層的總質量為基準)可以與上述範圍相同。
<(B)成分:接著成分> (B)成分可以為藉由加熱而固化之熱固化性成分。(B)成分(或導電粒子層)可由陽離子聚合性化合物(以下,有時稱為“(B1)成分”。)、熱陽離子聚合起始劑(以下,有時稱為“(B2)成分”。)、熱可塑性樹脂(以下,有時稱為“(B3)成分”。)、偶合劑(以下,有時稱為“(B4)成分”。)、填充材料(以下,有時稱為“(B5)成分”。)等構成。(B)成分(或導電粒子層)至少含有(B1)成分及(B2)成分。
(B1)成分:陽離子聚合性化合物 (B1)成分為藉由與陽離子聚合起始劑(熱陽離子聚合起始劑、光陽離子聚合起始劑等)進行反應而交聯之化合物。(B)成分(或導電粒子層)含有在分子內具有脂環式環氧結構及氧雜環丁烷環結構之化合物(以下,有時稱為“(B1a)成分”。)作為(B1)成分。藉由(B)成分(或導電粒子層)含有(B1a)成分作為(B1)成分,電路連接用接著膜能夠長期保持貼合性及低溫固化性,進而能夠製造具有高連接可靠性之電路連接結構體。
關於(B1a)成分,只要係在分子內具有1個以上的脂環式環氧結構及1個以上的氧雜環丁烷環結構之化合物,則能夠無特別限制地使用。(B1a)成分亦能夠稱為在分子內分別具有1個以上的從脂環式環氧化合物中去除1個以上的氫原子而得之基團及從氧雜環丁烷中去除1個以上的氫原子而得之基團之化合物。在此,脂環式環氧結構可以為環氧環己烷(環氧環己烷)結構。(B1a)成分可以為在分子內具有2個脂環式環氧結構及1個氧雜環丁烷環結構之化合物。該等可以單獨使用1種,亦可以組合使用複數種。
(B1a)成分例如可以為由通式(I)表示之化合物。
【化學式2】
Figure 02_image003
通式(I)中,R 1、R 2、R 3、及R 4分別獨立地表示氫原子或甲基,m及n分別獨立地表示1或2。
(B1a)成分例如可以為由式(I-1)表示之化合物(3,3-雙[(3,4-環氧環己基-1-甲氧基)甲基]氧雜環丁烷)。
【化學式3】
Figure 02_image005
作為除了由通式(I-1)表示之化合物以外的(B1a)成分的具體例,能夠例示以下化合物。
【化學式4】
Figure 02_image007
以(B1)成分的總量為基準,(B1a)成分的含量可以為5質量%以上、10質量%以上、20質量%以上、30質量%以上或40質量%以上,可以為100質量%以下、90質量%以下、80質量%以下、70質量%以下或60質量%以下。若(B1a)成分的含量在上述範圍內,則趋於顯著發揮本發明的效果。
(B)成分(或導電粒子層)在貼合性及低溫固化性的長期保持性以及連接可靠性的方面更優異,因此作為(B1)成分,還可以含有在分子內具有脂環式環氧結構並且不具有氧雜環丁烷環結構之化合物(以下,有時稱為“(B1b)成分”。)或在分子內具有氧雜環丁烷環結構並且不具有脂環式環氧結構之化合物(以下,有時稱為“(B1c)成分”。)。該等中,(B)成分(或導電粒子層)還含有(B1c)成分作為(B1)成分為較佳。
關於(B1b)成分,只要係在分子內具有1個以上(較佳為2個以上)的脂環式環氧結構並且不具有氧雜環丁烷環結構之化合物,則能夠無特別限制地使用。作為(B1b)成分的市售品,例如,可舉出CEL2021P、CEL8010(商品名稱,Daicel Corporation製造)等。該等可以單獨使用1種,亦可以組合使用複數種。
關於(B1c)成分,只要係在分子內具有1個以上(較佳為2個以上)的氧雜環丁烷環結構並且不具有脂環式環氧結構之化合物,則能夠無特別限制地使用。作為(B1c)成分的市售品,例如,可舉出ETERNACOLL OXBP(商品名稱,UBE INDUSTRIES,LTD.製造)、OXSQ、OXT-121、OXT-221、OXT-101、OXT-212(商品名稱,TOAGOSEI CO., LTD.製造)等。該等可以單獨使用1種,亦可以組合使用複數種。
以(B1)成分的總量為基準,(B1b)成分及(B1c)成分的總含量可以為0質量%以上、10質量%以上、20質量%以上、30質量%以上或40質量%以上,可以為95質量%以下、90質量%以下、80質量%以下、70質量%以下或60質量%以下。若(B1b)成分及(B1c)成分的總含量的含量在上述範圍內,則趋於顯著發揮本發明的效果。
(B)成分(或導電粒子層)還可以含有除了(B1a)成分、(B1b)成分及(B1c)成分以外的化合物(以下,有時稱為“(B1d)成分”。)作為(B1)成分。作為(B1d)成分,例如,可舉出在分子內具有除了脂環式環氧結構以外的環氧乙烷環結構並且不具有氧雜環丁烷環結構之化合物。
作為(B1d)成分,例如,可舉出由環氧氯丙烷和雙酚A、雙酚F、雙酚AD等雙酚化合物衍生之雙酚型環氧樹脂;由環氧氯丙烷和酚醛清漆或甲酚酚醛清漆等酚醛清漆樹脂衍生之環氧酚醛清漆樹脂;縮水甘油胺、縮水甘油醚、聯苯、脂環式等在1個分子內具有2個以上的縮水甘油基之各種環氧化合物等。該等可以單獨使用1種,亦可以組合使用複數種。
就確保接著膜的固化性之觀點而言,以(A)成分及(B)成分的總量為基準,(B1)成分的含量((B1a)成分、(B1b)成分、(B1c)成分及(B1d)成分的總含量)可以為5質量%以上、10質量%以上、15質量%以上或20質量%以上,可以為60質量%以下、50質量%以下、45質量%以下或40質量%以下。若(B1)成分的含量在上述範圍內,則趋於顯著發揮本發明的效果。另外,接著膜(導電粒子層)的(B1)成分的含量(以接著膜或導電粒子層的總質量為基準)可以與上述範圍相同。
(B2)成分:熱陽離子聚合起始劑 (B2)成分為藉由加熱產生酸等而開始聚合之熱聚合起始劑。(B2)成分可以為由陽離子和陰離子構成之鹽化合物。關於(B2)成分,例如,可舉出具有BF 4 -、BR 4 -(R表示被2個以上的氟原子或2個以上的三氟甲基取代之苯基。)、PF 6 -、SbF 6 -、AsF 6 -等陰離子之鋶鹽、鏻鹽、銨鹽、重氮鹽、錪鹽、苯胺鹽、吡啶鹽等鎓鹽等。該等可以單獨使用1種,亦可以組合使用複數種。
就保存穩定性的觀點而言,(B2)成分例如可以為具有包含硼作為構成元素之陰離子、亦即BF 4 -或BR 4 -(R顯示被2個以上的氟原子或2個以上的三氟甲基取代之苯基。)之鹽化合物。包含硼作為構成元素之陰離子可以為BR 4 -,更具體而言,可以為四[三(五氟苯基)]硼酸鹽。
就具有對可能引起相對於陽離子固化之固化受阻之物質的耐性之觀點而言,作為(B2)成分的鎓鹽例如可以為四級銨鹽。
(B2)成分可以包含四級銨鹽,亦可以包含具有包含作為構成元素的硼之陰離子之四級銨鹽。作為這樣的鹽化合物的市售品,例如,可舉出CXC-1821(商品名稱,King Industries, Inc.製造)等。
就確保接著膜的形成性及固化性之觀點而言,相對於(B1)成分100質量份,(B2)成分的含量例如可以為1~40質量份、5~35質量份、10~30質量份或15~25質量份。若(B2)成分的含量在上述範圍內,則趋於顯著發揮本發明的效果。另外,組成物或組成物層中的(B2)成分的含量(組成物或組成物層的總質量基準)可以與上述範圍相同。
(B3)成分:熱塑性樹脂 作為(B3)成分,例如,可舉出苯氧基樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚胺酯樹脂、聚酯胺酯樹脂、丙烯酸橡膠、環氧樹脂(在25℃下為固態)等。該等可以單獨使用1種,亦可以組合使用複數種。藉由(B)成分還含有(B3)成分,能夠提高膜形成性。該等中,(B3)成分例如可以為苯氧基樹脂。以(A)成分及(B)成分的總量為基準,(B3)成分的含量可以為5質量%以上、10質量%以上、15質量%以上或20質量%以上,亦可以為60質量%以下、50質量%以下、45質量%以下或40質量%以下。若(B3)成分的含量在上述範圍內,則趋於顯著發揮本發明的效果。另外,接著膜(導電粒子層)的(B3)成分的含量(以接著膜或導電粒子層的總質量為基準)可以與上述範圍相同。
(B4)成分:偶合劑 作為(B4)成分,例如,可舉出具有(甲基)丙烯醯基、巰基、胺基、咪唑基、環氧基等有機官能基之矽烷偶合劑、四烷氧基矽烷等矽烷化合物、四烷氧基鈦酸酯衍生物、聚二烷基鈦酸酯衍生物等。該等可以單獨使用1種,亦可以組合使用複數種。藉由(B)成分還含有(B4)成分,能夠進一步提高接著性。(B4)成分例如可以為矽烷偶合劑。以(A)成分及(B)成分的總量為基準,(B4)成分的含量可以為0.1~10質量%。若(B4)成分的含量在上述範圍內,則趋於顯著發揮本發明的效果。另外,接著膜(導電粒子層)的(B4)成分的含量(以接著膜或導電粒子層的總質量為基準)可以與上述範圍相同。
(B5)成分:填充材料 作為(B5)成分,例如,可舉出非導電性填料(例如,非導電粒子)。(B5)成分可以為無機填料及有機填料中的任一種。作為無機填料,例如,可舉出二氧化矽微粒、氧化鋁微粒、二氧化矽-氧化鋁微粒、氧化鈦微粒、氧化鋯微粒等金屬氧化物微粒;金屬氮化物微粒等無機微粒。作為有機填料,例如,可舉出矽酮微粒、(甲基)丙烯酸酯-丁二烯-苯乙烯微粒、丙烯酸-矽酮微粒、聚醯胺微粒、聚醯亞胺微粒等有機微粒。該等可以單獨使用1種,亦可以組合使用複數種。以(A)成分及(B)成分的總量為基準,(B5)成分的含量可以為0.1~10質量%。若(B5)成分的含量在上述範圍內,則趋於顯著發揮本發明的效果。另外,接著膜(導電粒子層)的(B5)成分的含量(以接著膜或導電粒子層的總質量為基準)可以與上述範圍相同。
(B)成分還可以含有軟化劑、促進劑、劣化抑制劑、著色劑、阻燃劑、觸變減黏劑等其他添加劑。以(A)成分及(B)成分的總量為基準,其他添加劑的含量可以為0.1~10質量%。另外,接著膜(導電粒子層)的其他添加劑的含量(以接著膜或導電粒子層的總質量為基準)可以與上述範圍相同。
就確保接著膜的形成性及固化性之觀點而言,以(A)成分及(B)成分的總量為基準,(B)成分的含量可以為40質量%以上、50質量%以上、55質量%以上或60質量%以上,可以為95質量%以下、90質量%以下、85質量%以下或80質量%以下。若(B)成分的含量在上述範圍內,則趋於顯著發揮本發明的效果。另外,接著膜(導電粒子層)的(B)成分的含量(以接著膜或導電粒子層的總質量為基準)可以與上述範圍相同。
導電粒子層3(由導電粒子層3的單層形成之接著膜10)的厚度例如可以為3~20μm。若導電粒子層3的厚度為3μm以上,則趨於在壓接時更充分地確保導電粒子的流動性而進一步保持絕緣性。若導電粒子層3的厚度為20μm以下,則趨於在壓接時導電粒子容易被對置電路之間的電極捕獲而進一步保持連接性。導電粒子層3的厚度可以為4μm以上、5μm以上或7μm以上,可以為18μm以下、16μm以下或15μm以下。
以上,對本實施形態的接著膜進行了說明,但是本發明並不限定於上述實施形態。
如圖1中所示之接著膜10般,接著膜可以為由導電粒子層3的單層構成者,亦可以為由導電粒子層及含有(B)成分之絕緣接著層這兩層構成者。進而,接著膜可以為由包括導電粒子層及含有(B)成分之絕緣接著層這兩層之三層以上構成者。接著膜例如可以為依序具備絕緣接著層、導電粒子層3及絕緣接著層者。
由兩層以上構成之接著膜的厚度(構成接著膜之所有層的厚度的合計)例如可以為5~30μm。接著膜的厚度可以為7μm以上或10μm以上,可以為25m以下或20μm以下。
依據本實施形態的電路連接用接著膜,能夠長期保持貼合性及低溫固化性,並且能夠製造具有高連接可靠性之電路連接結構體。
本實施形態的電路連接用接著膜可以具有各向異性導電性。亦即,電路連接用接著膜可以為各向異性導電性膜。電路連接用接著膜可以為不具有各向異性導電性之導電性接著膜。
關於接著膜,例如,有時在PET(聚對苯二甲酸乙二酯)膜等支撐體(隔離件)上形成為膜狀,切成帶狀之後捲繞成與芯材同一圓心的形狀並作為捲軸形狀的細長帶(捲繞體)而被產品化。本實施形態的電路連接用接著膜趨於在冷凍保管中容易在表面產生縮孔而形成凹凸,並且趨於能夠抑制因這樣的凹凸的形成在製成捲軸形狀時發生組成不均而在捲取捲軸時發生故障。尤其,在將接著膜製成薄膜化(例如,5μm以下)時,在冷凍保管中產生之凹凸的影響趨於變大,但是在本發明的接著膜中趨於能夠防止產生這樣的現象。
[電路連接用接著膜之製造方法] 一實施形態的接著膜之製造方法例如可以具備形成含有(A)成分及(B)成分之導電粒子層之導電粒子層形成步驟。該製造方法可以具備在導電粒子層的至少一個表面上形成絕緣接著層之絕緣接著層形成步驟。
在導電粒子層形成步驟中,例如,首先,將含有(A)成分及(B)成分、以及依需要添加之其他添加劑之組成物在有機溶劑中進行攪拌混合、混錬等,藉此使其溶解或分散,製備清漆組成物。其後,使用刀式塗佈機、輥塗機、敷贴器、缺角輪塗佈機、模塗佈機等,將清漆組成物塗佈於實施了脫模處理之基材上之後,藉由加熱而使有機溶劑揮發,在基材上形成由組成物形成之導電粒子層(接著膜)。此時,藉由調整清漆組成物的塗佈量,能夠調整最終獲得之導電粒子層(接著膜)的厚度。
關於在清漆組成物的製備中使用之有機溶劑,只要係具有能夠均勻地溶解或分散各成分之特性者,則並無特別限制。作為這樣的有機溶劑,例如,可舉出甲苯、丙酮、甲基乙基酮(2-丁酮)、甲基異丁基酮、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯等。該等有機溶劑能夠單獨使用或組合使用2種以上。製備清漆組成物時的攪拌混合或混錬,例如能夠使用攪拌機、擂潰機、三輥研磨機、球磨機、珠磨機、均質分散器等來進行。
關於基材,只要係具有能夠承受使有機溶劑揮發時的加熱條件之耐熱性者,則並無特別限制。作為這樣的基材,例如,能夠使用由拉伸聚丙烯(OPP)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯、聚間苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚烯烴、聚乙酸酯、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚醯胺、聚醯亞胺、纖維素、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、合成橡膠系、液晶聚合物等形成之基材(例如,膜)。
使有機溶劑從塗佈於基材上之清漆組成物中揮發時的加熱條件能夠依據所使用之有機溶劑等而適當地設定。加熱條件例如可以為40~120℃且0.1~10分鐘。
絕緣接著層形成步驟中,使用(B)成分及依需要添加之其他添加劑,除此以外,以與導電粒子層形成步驟相同的方式,在基材上形成絕緣接著層。接著,藉由貼合導電粒子層與絕緣接著層而能夠在導電粒子層的至少一個表面上形成絕緣接著層。又,在絕緣接著層形成步驟中,例如,在導電粒子層的至少一個表面上塗佈使用(B)成分及依需要添加之其他添加劑獲得之清漆組成物,使有機溶劑揮發,藉此亦能夠在導電粒子層的至少一個表面上形成絕緣接著層。
作為貼合導電粒子層與絕緣接著層之方法,例如,可舉出熱壓、輥層壓、真空層壓等方法。關於層壓,例如能夠在0~80℃的溫度條件下進行。
[電路連接結構體及其製造方法] 以下,對使用了上述的接著膜10之電路連接結構體及其製造方法進行說明。
圖2係表示電路連接結構體之製造方法的一實施形態之示意剖面圖。電路連接結構體之製造方法包括如下步驟:使上述接著膜10介在於具有第1電極12之第1電路構件13與具有第2電極22之第2電路構件23之間,對第1電路構件13及第2電路構件23進行熱壓接,將第1電極12及第2電極22相互電連接。以下,對電路連接結構體之製造方法更詳細地進行說明。
在電路連接結構體之製造方法中,首先,如圖2(a)所示,準備:第1電路構件13(具有第1電極12之第1電路構件13),具有第1基板11及設置於第1基板11上之第1電極12;及第2電路構件23(具有第2電極22之第2電路構件23),具有第2基板21及設置於第2基板21上之第2電極22。
接著,以第1電極12與第2電極22對置之方式配置第1電路構件13和第2電路構件23,在第1電路構件13與第2電路構件23之間配置接著膜10。
其後,一邊在箭頭A及B方向上對整體進行加壓,一邊進行加熱,藉此使接著膜10固化。加壓時的壓力例如以凸塊電極上的面積換算壓力計可以為0.1MPa以上,亦可以為100MPa以下。加熱溫度例如可以為50℃以上,可以為170℃以下。進行加壓及加熱之時間例如可以為0.5秒鐘以上,可以為120秒鐘以下。這樣,第1電路構件13與第2電路構件23經由接著膜10(接著膜10的固化物)被熱壓接。
如圖2(b)所示,如此獲得之電路連接結構體100具備:第1電路構件13(具有第1電極12之第1電路構件13),具有第1基板11及設置於第1基板11上之第1電極12;第2電路構件23(具有第2電極22之第2電路構件23),具有第2基板21及設置於第2基板21上之第2電極22;及電路連接部30,配置於第1電路構件13及第2電路構件23之間,將第1電極12及第2電極22相互電連接。電路連接部30包含接著膜的固化物10c。更具體而言,可由接著成分的固化物2c和分散於接著成分的固化物2c中之導電粒子1形成。在電路連接結構體100中,導電粒子1介在於第1電極12與第2電極22之間,藉此將第1電極12與第2電極22相互電連接,將第1電路構件13及第2電路構件23相互接著。
第1基板11及第2基板21可以由半導體、玻璃、陶瓷等無機物、聚醯亞胺、聚碳酸酯等有機物、玻璃/環氧等複合物等形成。第1基板11及第2基板21可以為由相互相同的成分形成之基板,亦可以為由互不相同的成分形成之基板。
第1電極12及第2電極22可以為包含金、銀、錫、釕、銠、鈀、鋨、銥、鉑、銅、鋁、鉬、鈦、釹等金屬、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)等氧化物等之電極。第1電極12及第2電極22可以為積層該等金屬、氧化物等中的2種以上而成之電極。積層2種以上而成之電極可以為2層以上,亦可以為3層以上。第1電極12及第2電極22可以為相互相同的電極,亦可以為互不相同的電極。
第1電路構件13及第2電路構件23可以為形成有電極之玻璃基板或塑膠基板、印刷線路板、陶瓷配線板、可撓性配線板、IC晶片等。 [實施例]
以下,舉出實施例對本發明進行更具體的說明。但是,本發明並不限定於該等實施例。
[接著膜(導電粒子層)的製作] <材料的合成> •B1a-1的合成 在300mL的茄形燒瓶中放入3-環己烯-1-甲醇(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製造)4.71g(42.0mmol)及二甲基甲醯胺(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製造)50mL,一邊攪拌一邊冰冷卻至5℃。接著,在5℃下加入三級丁醇鉀(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製造)4.71g(42.0mmol),並滴加了3,3-雙(溴甲基)氧雜環丁烷(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製造)4.87g(20.0mmol)。其後,升溫至室溫(25℃),攪拌了14小時。接著,在該反應液中加入甲苯(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製造),並進行水洗之後,從所獲得之有機層中蒸餾除去了有機溶劑。藉由蒸留對所獲得之濃縮物進行提純,獲得了3,3-雙[(3-環己烯-1-基甲氧基)甲基]氧雜環丁烷)3.98g(13.0mol/產率為65%)作為無色透明液體。
在300mL的茄形燒瓶中放入3,3-雙[(3-環己烯-1-基甲氧基)甲基]氧雜環丁烷3.98g(13.0mmol)、碳酸鉀(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製造)0.53g(3.90mmol)、乙腈(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製造)4mL及甲醇(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製造)6mL,在室溫(25℃)下進行了攪拌。其後,滴加30%過氧化氫水溶液(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製造)5.19g(45.5mmol),攪拌了18小時。在該反應液中加入甲苯50g,提取產物並進行了水洗。從所獲得之有機層中蒸餾除去有機溶劑,藉由矽凝膠管柱層析(乙酸乙酯/己烷=2/8(容量比))對所獲得之濃縮物進行提純,獲得了3,3-雙[(3,4-環氧環己基-1-甲氧基)甲基]氧雜環丁烷2.54g(7.50mmol/產率58%)作為無色透明液體。
<材料的準備> 在接著膜(導電粒子層)的製作中,使用了下述所示之材料。
(A)成分:導電粒子 A-1:在平均粒徑為3μm的聚苯乙烯粒子的表面形成有厚度為0.2μm的鎳層之導電粒子
(B)成分:接著成分 (B1)成分:陽離子聚合性化合物 •(B1a)成分:在分子內具有脂環式環氧結構及氧雜環丁烷環結構之化合物 B1a-1:上述合成之3,3-雙[(3,4-環氧環己基-1-甲氧基)甲基]氧雜環丁烷 •(B1b)成分:在分子內具有脂環式環氧結構並且不具有氧雜環丁烷環結構之化合物 B1b-1:CEL2021P(商品名稱,Daicel Corporation製造) B1b-2:CEL8010(商品名稱,Daicel Corporation製造) •(B1c)成分:在分子內具有氧雜環丁烷環結構並且不具有脂環式環氧結構之化合物 B1c-1:ETERNACOLL OXBP(商品名稱,UBE INDUSTRIES,LTD.製造) B1c-2:OXT-121(商品名稱,TOAGOSEI CO., LTD.製造) (B2)成分:熱陽離子聚合起始劑 B2-1:CXC-1821(商品名稱,四級銨鹽型熱酸產生劑,King Industries公司製造),使用由有機溶劑(甲基乙基酮)稀釋成不揮發成分為50質量%者 (B3)成分:熱塑性樹脂 B3-1:YP-70(商品名稱,雙酚A型及雙酚F型共聚合型苯氧樹脂,重量平均分子量:55000,玻璃轉移溫度:70℃,NIPPON STEEL Chemical & Material Co., Ltd.製造),使用由有機溶劑(甲基乙基酮)稀釋成不揮發成分為50質量%者 (B4)成分:偶合劑 B4-1:SH-6040(商品名稱,3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷,Dow Corning Toray Co.,Ltd.製造) (B5)成分:填充材料 B5-1:三甲氧基辛基矽烷和二氧化矽的水解產物,使用由有機溶劑(甲苯/乙酸乙酯的1:1混合溶劑)稀釋成不揮發成分為10質量%者
<接著膜(導電粒子層)的製作> 將表1中所示之材料以表1中所示之組成比(表1的數值(單位:質量份)係指不揮發成分量。)首先混合(B)成分,接著分散(A)成分而獲得了清漆組成物。其後,塗佈於經脫模處理之基材膜(PET(聚對苯二甲酸乙二酯)膜,厚度:38μm)上,將有機溶劑等在60℃下進行3分鐘熱風乾燥,藉此獲得了具備含有各成分之厚度為15μm的導電粒子層之實施例1~實施例3及比較例1~比較例4的接著膜。
[接著膜的評價] <貼合性的評價> 使用實施例1~實施例3及比較例1~比較例4的接著膜來對貼合性進行了評價。另外,對於貼合性的評價,準備剛形成之後的接著膜(初期的接著膜)和在與空氣接觸,進而在螢光灯下與可見光線接觸之條件下,在室溫(25℃)及濕度60%的環境下放置4天之後的接著膜(放置後的接著膜)這兩種接著膜來進行。
作為評價用基板,準備了在無鹼玻璃基板(OA-11,Nippon Electric Glass Co.,Ltd.製造,外形:38mm×28mm,厚度:0.3mm)的表面形成有由AlNd(厚度:100nm)/Mo(厚度:50nm)/ITO(厚度:100nm)這3層形成之電極的配線圖案(圖案寬度:19μm,電極間空間:5μm)之基板。接著,以導電粒子層與無鹼玻璃基板上的配線圖案接觸之方式,配置了2.0mm×25mm的接著膜。使用由包括陶瓷加熱器之載台和工具(8mm×50mm)構成之熱壓接裝置(LD-06,OHASHI ENGINEERING Co.,Ltd.製造),在50℃、0.98MPa(10kgf/cm 2)的條件下加熱及加壓2秒鐘,將接著膜貼合於評價用基板,剝離了接著膜的基材膜。其後,使用FPD/LSI檢查顯微鏡(ECLIPSE L300ND,NIKON INSTECH CO.,LTD.製造)從評價用基板的與貼合有接著膜之面相反側的面進行了觀察。將在評價用基板與接著膜之間未發生翹起之情形評價為“A”,將發生了翹起之情形評價為“B”。將結果示於表1。
<連接電阻的測量> 使用實施例1~實施例3及比較例1~比較例4的接著膜來對貼合性進行了評價。另外,對於貼合性的評價,準備剛形成之後的接著膜(初期的接著膜)和在與空氣接觸,進而在螢光灯下與可見光線接觸之條件下,在室溫(25℃)及濕度60%的環境下放置4天之後的接著膜(放置後的接著膜)這兩種接著膜來進行。
(電路構件的準備) 作為第1電路構件,準備了在無鹼玻璃基板(OA-11,Nippon Electric Glass Co.,Ltd.製造,外形:38mm×28mm,厚度:0.3mm)的表面形成有由AlNd(厚度:100nm)/Mo(厚度:50nm)/ITO(厚度:100nm)這3層形成之電極的配線圖案(圖案寬度:19μm,電極間空間:5μm)之基板。作為第2電路構件,準備了將凸塊電極以2列呈交錯狀排列之IC晶片(外形:0.9mm×20.3mm,厚度:0.3mm,凸塊電極的大小:70μm×12μm,凸塊電極間空間:12μm,凸塊電極厚度:8μm)。
(電路連接結構體的製作) 將接著膜配置於第1電路構件上。使用由包括陶瓷加熱器之載台和工具(8mm×50mm)構成之熱壓接裝置(LD-06,OHASHI ENGINEERING Co.,Ltd.製造),在50℃、0.98MPa(10kgf/cm 2)的條件下加熱及加壓2秒鐘,將接著膜貼合於第1電路構件,剝離了接著膜的基材膜。接著,在進行了第1電路構件的電路電極與第2電路構件的凸塊電極的位置對準之後,在加熱至80℃之底座上在120℃、60MPa的條件下進行5秒鐘加熱及加壓,從而製作了電路連接結構體。另外,製作電路連接結構體時的溫度表示接著膜的實測最高達到溫度,壓力表示以第2電路構件的凸塊電極與第1電路構件對置之面的總面積換算之、凸塊電極上的面積換算壓力。又,表示120℃作為固化條件係低溫。
(連接電阻的測量) 關於連接電阻的測量,藉由四端點測量法來實施。另外,對於連接電阻的測量,準備剛製作之後的電路連接結構體(低溫固化後的電路連接結構體)和在溫度85℃、濕度85%RH的恆溫恆濕槽中放置500小時之後電路連接結構體(高溫高濕後的電路連接結構體)這兩種電路連接結構體來進行。亦即,在各接著膜中,準備在4種不同條件下處理之電路連接結構體來進行了連接電阻的測量。在各電路連接結構體中,對測量14個部位的連接電阻進行測量,並將最大值作為連接電阻值。將連接電阻值小於2.5Ω的情形評價為“A”,將連接電阻值為2.5Ω以上且小於5.0Ω的情形評價為“B”,將連接電阻值為5.0Ω以上且小於7.5Ω的情形評價為“C”,將連接電阻值為7.5Ω以上且小於10.0Ω的情形評價為“D”,將連接電阻值為10.0Ω以上的情形評價為“E”。將結果示於表1。
【表1】
實施例1 實施例2 實施例3 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4
(A) A-1 50 50 50 50 50 50 50
(B) (B1) B1a-1 50 25 25 - - - -
B1b-1 - - - 50 - - -
B1b-2 - - - - 50 25 -
B1c-1 - 25 - - - 25 -
B1c-2 - - 25 - - - 50
(B2) B2-1 10 10 10 10 10 10 10
(B3) B3-1 50 50 50 50 50 50 50
(B4) B4-1 3 3 3 3 3 3 3
(B5) B5-1 10 10 10 10 10 10 10
初期 貼合性 A A A A A A A
連接電阻 低溫固化後 A A A E A A D
高溫高濕後 C A B E D B D
放置後 貼合性 A A A A B B B
連接電阻 低溫固化後 B A B E B B E
高溫高濕後 C B C E E D E
如表1所示,具備含有包含在分子內具有脂環式環氧結構及氧雜環丁烷環結構之化合物之陽離子聚合性化合物之導電粒子層之實施例1~實施例3的接著膜與具備不含既定的化合物之導電粒子層之比較例1~比較例4的接著膜相比,即使在與空氣及可見光線接觸之條件下在室溫(25℃)下長期(例如,3天以上)放置之情形下,在貼合性及低溫固化性的方面亦優異。依據該等結果確認到,本發明的電路連接用接著膜能夠長期保持貼合性及低溫固化性,並且能夠製造具有高連接可靠性之電路連接結構體。
1:導電粒子 2:接著成分 2c:接著成分的固化物 3:導電粒子層 10:電路連接用接著膜(接著膜) 10c:電路連接用接著膜(接著膜)的固化物 11:第1基板 12:第1電極 13:第1電路構件 21:第2基板 22:第2電極 23:第2電路構件 30:電路連接部 100:電路連接結構體
圖1係表示電路連接用接著膜的一實施形態之示意剖面圖。 圖2係表示電路連接結構體之製造方法的一實施形態之示意剖面圖。圖2(a)及圖2(b)係表示各步驟之示意剖面圖。
1:導電粒子
2:接著成分
3:導電粒子層
10:電路連接用接著膜(接著膜)

Claims (5)

  1. 一種電路連接用接著膜,其具備含有導電粒子、陽離子聚合性化合物及熱陽離子聚合起始劑之導電粒子層, 前述導電粒子層含有在分子內具有脂環式環氧結構及氧雜環丁烷環結構之化合物作為前述陽離子聚合性化合物。
  2. 如請求項1所述之電路連接用接著膜,其中 前述在分子內具有脂環式環氧結構及氧雜環丁烷環結構之化合物為由下述式(I-1)表示之化合物, [化學式1]
    Figure 03_image009
  3. 如請求項1或請求項2所述之電路連接用接著膜,其中 前述導電粒子層還含有在分子內具有脂環式環氧結構並且不具有氧雜環丁烷環結構之化合物或在分子內具有氧雜環丁烷環結構並且不具有脂環式環氧結構之化合物作為前述陽離子聚合性化合物。
  4. 一種電路連接結構體,其具備: 第1電路構件,具有第1電極; 第2電路構件,具有第2電極;及 電路連接部,配置於前述第1電路構件及前述第2電路構件之間,將前述第1電極及前述第2電極相互電連接, 前述電路連接部包含請求項1至請求項3之任一項所述之電路連接用接著膜的固化物。
  5. 一種電路連接結構體之製造方法,其包括如下步驟: 使請求項1至請求項3之任一項所述之電路連接用接著膜介在於具有第1電極之第1電路構件與具有第2電極之第2電路構件之間,對前述第1電路構件及前述第2電路構件進行熱壓接,將前述第1電極及前述第2電極相互電連接。
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