TW202225364A - 偏光板及使用其之影像顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種偏光板，其雖具有低電阻黏著劑層，卻耐久性優異，且已抑制住異形加工時之裂痕。本發明實施形態之偏光板具備黏著劑層；並且該偏光板具有異形；構成該黏著劑層之黏著劑組成物包含基底聚合物與抗靜電劑；該基底聚合物之玻璃轉移溫度為-50℃以下、及在100kHz下之介電常數為5.0以上；該黏著劑層之表面電阻值為1.0×10 9Ω/□以下。

Description

偏光板及使用其之影像顯示裝置
本發明涉及偏光板及使用其之影像顯示裝置。
代表上有液晶顯示裝置及電致發光(EL)顯示裝置(例如有機EL顯示裝置、無機EL顯示裝置)之影像顯示裝置急速普及。在影像顯示裝置中，代表上偏光板係透過黏著劑層貼合於顯示面板。近年來，隨著影像顯示裝置之窄邊框化、顯示面板內組入有觸控面板用導電層之所謂內置型影像顯示裝置之發展等，還尋求改善影像顯示裝置之抗靜電性能。結果，尋求改善黏著劑層之抗靜電性能及低電阻化。但，使用有所述黏著劑層之偏光板卻有因大量添加抗靜電劑造成偏光板之耐久性降低，將偏光板加工成矩形以外之異形時發生裂痕等問題。又，還尋求黏著劑層在加熱或加濕試驗下之抗靜電功能穩定。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2015-193371號公報
發明欲解決之課題 本發明是為了解決上述以往之課題而成者，其主要目的在於提供一種偏光板，其雖具有低電阻黏著劑層，卻耐久性優異，且已抑制住異形加工時之裂痕。
用以解決課題之手段 本發明實施形態之偏光板具備黏著劑層；並且該偏光板具有異形；構成該黏著劑層之黏著劑組成物包含基底聚合物與抗靜電劑；該基底聚合物之玻璃轉移溫度為-50℃以下、及在100kHz下之介電常數為5.0以上；該黏著劑層之表面電阻值為1.0×10 9Ω/□以下。 在一實施形態中，上述基底聚合物包含含烷氧基單體作為單體成分。 在一實施形態中，上述基底聚合物包含：相對於總單體成分100重量份而為30重量份~99重量份之前述含烷氧基單體。 在一實施形態中，上述含烷氧基單體係以下述式表示。 [化學式1]
Figure 02_image001
式中，R 1為烷基，n為1~15之整數。 在一實施形態中，上述基底聚合物更包含含羥基單體作為單體成分。 在一實施形態中，上述黏著劑組成物中，相對於上述基底聚合物100重量份，上述抗靜電劑之含量為小於10重量份。 在一實施形態中，上述抗靜電劑包含鋰雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺、1-乙基-3-甲基咪唑鎓雙(氟磺醯基)醯亞胺或三丁基甲基銨雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺。 在一實施形態中，上述黏著劑組成物更包含矽烷耦合劑。 在一實施形態中，上述黏著劑組成物更包含抗氧化劑。 在一實施形態中，上述黏著劑層對玻璃之黏著力為1.0N/25mm以上。 在一實施形態中，上述偏光板藉由下述式所示之加熱試驗而得的電阻值上升率為10以下。 電阻值上升率=可靠性試驗後之電阻值/初始電阻值 在此，加熱試驗係在溫度85℃之條件下進行500小時。 在一實施形態中，上述偏光板在下述式所示之加濕試驗中，電阻值上升率為10以下。 電阻值上升率=可靠性試驗後之電阻值/初始電阻值 在此，加濕試驗係在溫度60℃、濕度95%RH之條件下進行500小時。 根據本發明另一面向提供一種影像顯示裝置。該影像顯示裝置具備上述偏光板。
發明效果 根據本發明實施形態，針對具有低電阻黏著劑層之偏光板，令該黏著劑層為特定構成，藉此可實現一種耐久性優異且已抑制住異形加工時之裂痕的偏光板。
以下說明本發明之實施形態，惟本發明不受該等實施形態所限。
A.偏光板之整體構成 本發明偏光板具備黏著劑層。圖1係本發明一實施形態之偏光板的概略截面圖。偏光板100代表上具有：偏光件11、設於偏光件11之一側的保護層12、設於偏光件11之另一側的保護層13、及設於保護層13之與偏光件11為相反側的黏著劑層20。亦可因應目的省略保護層12及保護層13之至少一者。黏著劑層20係設置成最外層，而偏光板可貼附於影像顯示裝置(實質上為影像顯示面板)上。在實際應用上，黏著劑層20之表面上宜在偏光板供於使用之前暫時黏附有剝離薄膜。藉由暫時黏附剝離薄膜，可在保護黏著劑層的同時形成偏光板的捲料。
本發明實施形態中，構成黏著劑層之黏著劑組成物包含基底聚合物與抗靜電劑。基底聚合物之玻璃轉移溫度為-50℃以下、及在100kHz下之介電常數為5.0以上。藉由使用所述基底聚合物，可實現雖抗靜電劑之含量少但表面電阻值小之黏著劑層。亦即，本發明實施形態中，黏著劑組成物中，相對於基底聚合物100重量份，抗靜電劑之含量可設為小於10重量份，並且可將黏著劑層之表面電阻值設為1.0×10 9Ω/□以下。結果，可實現一種耐久性優異且已抑制住異形加工時之裂痕的偏光板。
本發明實施形態中，上述偏光板藉由下述式所示之加熱試驗而得的電阻值上升率宜為10以下，較宜為8以下，更宜為5以下。 電阻值上升率=可靠性試驗後之電阻值/初始電阻值 在此，加熱試驗係在溫度85℃之條件下進行500小時。 並且，本發明實施形態中，上述偏光板在下述式所示之加濕試驗中，電阻值上升率為10以下，較宜為8以下，更宜為5以下。 電阻值上升率=可靠性試驗後之電阻值/初始電阻值 在此，加濕試驗係在溫度60℃、濕度95%RH之條件下進行500小時。 本發明實施形態之偏光板中，藉由偏光板之電阻值上升率在所述範圍內，可實現一種耐久性優異且已抑制住異形加工時之裂痕的偏光板。
本發明實施形態之偏光板亦可更包含有其他機能層。所述機能層之代表例可舉相位差層。相位差層之光學特性(例如折射率特性、面內相位差、Nz係數、光彈性係數)、厚度、配置位置等可按目的適當設定。
本發明實施形態之偏光板可為單片狀亦可為長條狀。本說明書中所謂「長條狀」意指相對於寬度而言長度足夠長的細長形狀，例如包含相對於寬度而言長度為10倍以上、且宜為20倍以上之細長形狀。長條狀偏光板可捲繞成捲狀。
本發明實施形態之偏光板具有矩形以外之異形。本說明書中「具有矩形以外之異形」係指偏光板之俯視形狀具有矩形以外之形狀。異形宜為經異形加工之異形加工部。因此，「具有矩形以外之異形的偏光板」不僅偏光板整體(即，用來規定薄膜之俯視形狀的外緣)為矩形以外之情況，還包含在自矩形偏光板之外緣往內退離之部分形成有異形加工部之情況。使用表面電阻值小之黏著劑層(低電阻黏著劑層)時，所添加之抗靜電劑會作為塑化劑發揮作用，而在所述異形加工部中偏光板在高溫環境下收縮造成易於偏光件發生裂痕，但根據本發明實施形態，可顯著抑制所述裂痕。異形(異形加工部)例如如圖2及圖3所示，可舉貫通孔、隅部之去角、於俯視時成為凹部之切削加工部。凹部之代表例可舉近似船形之形狀、近似浴缸形狀之形狀、V字缺口、U字缺口。異形(異形加工部)之另一例如圖4及圖5所示，可舉與汽車之儀表盤對應之形狀。該形狀係外緣形成沿著儀表針之旋轉方向的圓弧狀，且包含外緣形成往面方向內側凸之V字形狀(包含弧狀)之部位。異形形狀不受上述例所限，可採用符合目的之任意適當之形狀。例如，貫通孔之形狀可採用圓形、橢圓形、三角形、四角形、五角形、六角形、八角形。又，貫通孔可因應目的設於任意適當之位置。貫通孔可設於矩形偏光板之長邊方向端部的大致中央部，可設於長邊方向端部之預定位置，亦可設於偏光板之隅部；可設於矩形偏光板之短邊方向端部；亦可設於整體具有異形形狀之偏光板之中央部。異形加工部亦可組合上述例示之形態而形成。例如，亦可組合貫通孔與V字缺口及/或U字缺口來形成。
以下針對偏光板的構成要素進行更詳細說明。
B.偏光件 偏光件代表上係以含二色性物質(代表上為碘)之樹脂薄膜構成。就樹脂薄膜而言，可採用可作為偏光件使用之任意適當的樹脂薄膜。樹脂薄膜代表上為聚乙烯醇系樹脂(以下稱為「PVA系樹脂」)薄膜。樹脂薄膜可為單層樹脂薄膜亦可為二層以上之積層體。
由單層樹脂薄膜構成之偏光件的具體例，可舉已對PVA系樹脂薄膜施行利用碘進行之染色處理及延伸處理(代表上為單軸延伸)者。上述藉由碘進行之染色，例如可藉由將PVA系薄膜浸漬於碘水溶液中來進行。上述單軸延伸之延伸倍率宜為3~7倍。延伸可在染色處理後進行，亦可邊染色邊進行。又，亦可延伸後再染色。因應需求對PVA系樹脂薄膜施行膨潤處理、交聯處理、洗淨處理、乾燥處理等。例如，在染色前將PVA系樹脂薄膜浸漬於水中進行水洗，不僅可洗淨PVA系薄膜表面的污垢或抗黏結劑，還可使PVA系樹脂薄膜膨潤，從而防止染色不均等情況。
作為使用積層體而得之偏光件的具體例可舉使用樹脂基材與積層在該樹脂基材之PVA系樹脂層(PVA系樹脂薄膜)之積層體、或者是使用樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層之積層體而得之偏光件。使用樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層之積層體而得之偏光件，例如可藉由以下步驟來製作：將PVA系樹脂溶液塗佈於樹脂基材並使其乾燥，於樹脂基材上形成PVA系樹脂層，而獲得樹脂基材與PVA系樹脂層之積層體；及，將該積層體延伸及染色，以將PVA系樹脂層製成偏光件。本實施形態中，宜於樹脂基材之單側形成包含鹵化物與聚乙烯醇系樹脂之聚乙烯醇系樹脂層。延伸在代表上包含使積層體浸漬於硼酸水溶液中來延伸。並且視需要，延伸可更包含在硼酸水溶液中進行延伸前在高溫(例如95℃以上)下將積層體進行空中延伸。並且，在本實施形態中，宜將積層體供於一邊沿長邊方向輸送一邊加熱藉此使其於寬度方向收縮2%以上之乾燥收縮處理。代表上，本實施形態之製造方法包含對積層體依序施行空中輔助延伸處理、染色處理、水中延伸處理及乾燥收縮處理。藉由導入輔助延伸，即便是在將PVA塗佈於熱塑性樹脂上之情況下仍可提高PVA之結晶性，而可達成高光學特性。又，同時事先提高PVA之定向性，可防止在後續的染色步驟或延伸步驟中浸漬於水中時，有PVA之定向性降低或溶解等問題，而可達成高光學特性。並且，將PVA系樹脂層浸漬於液體中時，相較於PVA系樹脂層不含鹵化物之情況，更可抑制聚乙烯醇分子之定向紊亂及定向性之降低。藉此，可提升經由染色處理及水中延伸處理等將積層體浸漬於液體中來進行的處理步驟而得之偏光件的光學特性。並且，透過乾燥收縮處理使積層體於寬度方向收縮，可提升光學特性。所得樹脂基材/偏光件之積層體可直接使用(即，亦可將樹脂基材作為偏光件之保護層)，亦可從樹脂基材/偏光件之積層體剝離樹脂基材並於該剝離面積層符合目的之任意適當的保護層後來使用。所述偏光件之製造方法之詳細內容記載於例如日本專利特開2012-73580號公報(日本專利第5414738號)、日本專利第6470455號中。本說明書中即引用該等公報整體之記載作為參考。
偏光件之厚度宜為1µm~15µm，較宜為1µm~10µm，更宜為1µm~8µm，尤宜為2µm~5µm。
偏光件宜在波長380nm~780nm之任一波長下顯示吸收二色性。偏光件之單體透射率宜為41.5%~46.0%，較宜為43.0%~46.0%，更宜為44.5%~46.0%。偏光件之偏光度宜為97.0%以上，較宜為99.0%以上，更宜為99.9%以上。
C.保護層 保護層12及保護層13係以可作為偏光件之保護層使用的任意適當的薄膜形成。作為成為該薄膜之主成分的材料之具體例，可列舉：三醋酸纖維素(TAC)等之纖維素系樹脂、聚酯系、聚乙烯醇系、聚碳酸酯系、聚醯胺系、聚醯亞胺系、聚醚碸系、聚碸系、聚苯乙烯系、聚降莰烯系、聚烯烴系、(甲基)丙烯酸系及乙酸酯系等之透明樹脂等。又，亦可舉(甲基)丙烯酸系、胺甲酸酯系、(甲基)丙烯酸胺甲酸酯系、環氧系、聚矽氧系等之熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂等。其他還可舉例如矽氧烷系聚合物等玻璃質系聚合物。又，亦可使用日本專利特開2001-343529號公報(WO01/37007)所記載之聚合物薄膜。作為該薄膜之材料，例如可以使用含有在側鏈具有取代或非取代之醯亞胺基之熱塑性樹脂與在側鏈具有取代或非取代之苯基以及腈基之熱塑性樹脂的樹脂組成物，可舉例如具有由異丁烯與N-甲基馬來醯亞胺構成之交替共聚物與丙烯腈-苯乙烯共聚物之樹脂組成物。該聚合物薄膜例如可為上述樹脂組成物之擠製成形物。
在偏光板配置於影像顯示裝置之視辨側時，保護層12代表上係配置於其視辨側。此時，保護層12亦可視需要施行有硬塗處理、抗反射處理、抗黏處理、防眩處理等表面處理。
保護層之厚度宜為10µm~50µm，較宜為15µm~35µm。此外，施行有表面處理時，外側保護層之厚度係包含表面處理層之厚度的厚度。
D.黏著劑層 黏著劑層20之表面電阻值如上述，為1.0×10 9Ω/□以下，宜為9.0×10 8Ω/□以下，較宜為8.0×10 8Ω/□以下，更宜為7.0×10 8Ω/□以下，尤宜為6.0×10 8Ω/□以下。表面電阻值的下限例如可為5.0×10 5Ω/□。如上述，根據本發明實施形態，可實現雖抗靜電劑之含量少但表面電阻值小之黏著劑層。
黏著劑層對玻璃之黏著力宜為1.0N/25mm以上，較宜為1.5N/25mm以上，更宜為2.0N/25mm以上。黏著力若在所述範圍內，對影像顯示面板之密著性便佳，且重工性便佳。黏著力的上限例如可為6.0N/25mm。
黏著劑層之厚度宜為2µm~55µm，較宜為2µm~30µm，更宜為5µm~25µm，尤宜為10µm~20µm。
構成黏著劑層之黏著劑組成物如上述，包含基底聚合物與抗靜電劑。基底聚合物之玻璃轉移溫度(Tg)如上述為-50℃以下，宜為-52℃以下，較宜為-55℃以下。基底聚合物之Tg的下限例如可為-75℃。基底聚合物在100kHz下之介電常數如上述為5.0以上，宜為5.5以上，較宜為6.0以上，更宜為6.5以上，尤宜為7.0以上。基底聚合物之介電常數的上限例如可為10.0。藉由使用所述基底聚合物，可實現雖抗靜電劑之含量少但表面電阻值小之黏著劑層。此外，基底聚合物之Tg可以從各單體成分之Tg以聚合比換算之聚合物之Tg來算出。
基底聚合物可舉例如(甲基)丙烯酸系聚合物、胺甲酸酯系聚合物、聚矽氧系聚合物、橡膠系聚合物。宜為(甲基)丙烯酸系聚合物。本發明中，有將作為基底聚合物之(甲基)丙烯酸系聚合物稱為(甲基)丙烯酸系基底聚合物之情形。
(甲基)丙烯酸系基底聚合物宜包含含烷氧基單體作為單體成分。含烷氧基單體可舉例如下述式所示單體： [化學式2]
Figure 02_image001
式中，R 1為烷基，且例如為甲基或乙基，n為1~15之整數。由上述式明顯可知烷氧基宜為直鏈狀。若為直鏈狀烷氧基，便可使所得(甲基)丙烯酸系基底聚合物之Tg在上述所期望之範圍，且可使該基底聚合物之介電常數在上述所期望之範圍。包含具環結構之單體的基底聚合物有Tg變得過高、及/或介電常數變得過小之情形。含烷氧基單體之具體例可舉：(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸甲氧基三乙二醇酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯。該等可單獨使用，亦可組合2種以上來使用。藉由使用含烷氧基單體作為單體成分，可獲得具有所期望之Tg及介電常數的基底聚合物。結果，可實現雖抗靜電劑之含量少但表面電阻值小之黏著劑層。基底聚合物中，相對於總單體成分100重量份，含烷氧基單體之含量宜為30重量份~99重量份。含烷氧基單體之含量例如可為30重量份~60重量份，又例如可為30重量份~50重量份，又例如可為50重量份~99重量份，又例如可為60重量份~99重量份。
(甲基)丙烯酸系基底聚合物宜包含含羥基單體作為單體成分。含羥基單體可列舉例如：(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸3-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥月桂酯、丙烯酸(4-羥基甲基環己基)-甲酯。由使黏著劑層之耐久性提升之觀點來看，宜為(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯，較宜為(甲基)丙烯酸4-羥丁酯。基底聚合物中，相對於總單體成分100重量份，含羥基單體之含量宜為1重量份~5重量份，較宜為1重量份~3重量份。
(甲基)丙烯酸系基底聚合物亦可包含有(甲基)丙烯酸烷基酯作為單體成分。(甲基)丙烯酸烷基酯可舉直鏈狀或支鏈狀烷基的碳數1~18者。烷基可列舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、戊基、己基、環己基、庚基、2-乙基己基、異辛基、壬基、癸基、異癸基、十二基、異肉豆蔻基、月桂基、十三基、十五基、十六基、十七基、十八基等。(甲基)丙烯酸烷基酯可單獨或可組合來使用。烷基之平均碳數宜為3個~8個，較宜為3個~6個。基底聚合物中之(甲基)丙烯酸烷基酯之含量可以該(甲基)丙烯酸烷基酯以外之單體成分之剩餘部分作任意設定。
(甲基)丙烯酸系基底聚合物亦可因應需要更包含有其他單體成分(共聚單體)。共聚單體之代表例可列舉：含芳香族烴基單體(例如(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苯氧乙酯、(甲基)丙烯酸苄酯)、含羧基單體(例如(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、伊康酸、馬來酸、延胡索酸、巴豆酸)、含胺基單體(例如N,N-二甲基胺乙基(甲基)丙烯酸酯)、含醯胺基單體(例如(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二乙基(甲基)丙烯醯胺)、含腈基單體(例如(甲基)丙烯腈)、多官能性單體(例如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯)、含環氧基單體(例如(甲基)丙烯酸環氧丙酯)、含雜環單體(例如丙烯醯基嗎福林)。共聚單體之種類、數量、組合、摻混量(含量)可按目的適當設定。
(甲基)丙烯酸系基底聚合物之重量平均分子量Mw宜為100萬~300萬，較宜為200萬~300萬，更宜為200萬~280萬。重量平均分子量Mw若小於100萬，有裂痕之抑制不充分之情形。重量平均分子量Mw若大於300萬，有發生黏度上升及/或在聚合物聚合中膠化之情形。
抗靜電劑代表上可舉無機陽離子鹽、有機陽離子鹽。
無機陽離子鹽具體上為無機陽離子-陰離子鹽。構成無機陽離子鹽的陽離子部之陽離子代表上可舉鹼金屬離子。具體例可舉鋰離子、鈉離子、鉀離子。宜為鋰離子。因此，理想之無機陽離子鹽為鋰鹽。
構成無機陽離子鹽的陰離子部之陰離子例如為Cl -、Br -、I -、AlCl 4 -、Al 2Cl 7 -、BF 4 -、PF 6 -、ClO 4 -、NO 3 -、CH 3COO -、CF 3COO -、CH 3SO 3 -、CF 3SO 3 -、(CF 3SO 2) 3C -、AsF 6 -、SbF 6 -、NbF 6 -、TaF 6 -、(CN) 2N -、C 4F 9SO 3 -、C 3F 7COO -、(CF 3SO 2)(CF 3CO)N -、 -O 3S(CF 2) 3SO 3 -、及下述通式(1)~(4)所示陰離子： (1)：(C nF 2n ＋1SO 2) 2N -(n為1~10的整數)、 (2)：CF 2(C mF 2mSO 2) 2N -(m為1~10的整數)、 (3)： -O 3S(CF 2) lSO 3 -(l為1~10的整數)、 (4)：(C pF 2p+1SO 2)N -(C qF 2q+1SO 2)、(p、q為1~10的整數)。 宜為含氟陰離子，較宜為含氟醯亞胺陰離子。
含氟醯亞胺陰離子可舉例如具有全氟烷基之醯亞胺陰離子。具體例可舉上述(CF 3SO 2)(CF 3CO)N -、以及通式(1)、(2)及(4)所示陰離子： (1)：(C nF 2n+1SO 2) 2N -(n為1~10之整數)、 (2)：CF 2(C mF 2mSO 2) 2N -(m為1~10之整數)、 (4)：(C pF 2p+1SO 2)N -(C qF 2q+1SO 2)、(p、q為1~10之整數)。 宜為(CF 3SO 2) 2N -、(C 2F 5SO 2) 2N -等通式(1)所示(全氟烷基磺醯基)醯亞胺，較宜為(CF 3SO 2) 2N -所示雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺。因此，本發明實施形態中可用之理想無機陽離子鹽為鋰雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺。
有機陽離子鹽具體上為有機陽離子-陰離子鹽。構成有機陽離子鹽之陽離子部的陽離子代表上可舉以有機基取代而形成了鎓離子之有機鎓。有機鎓中之鎓可舉例如含氮鎓、含硫鎓、含磷鎓。宜為含氮鎓、含硫鎓。含氮鎓可列舉：銨陽離子、哌啶鎓陽離子、吡咯啶鎓陽離子、吡啶鎓陽離子、具有二氫吡咯骨架之陽離子、具有吡咯骨架之陽離子、咪唑鎓陽離子、四氫嘧啶鎓陽離子、二氫嘧啶鎓陽離子、吡唑鎓陽離子、吡唑啉鎓陽離子。含硫鎓可舉例如鋶陽離子。含磷鎓可舉例如鏻陽離子。有機鎓中之有機基可舉例如烷基、烷氧基、烯基。理想之有機鎓之具體例可舉四烷基銨陽離子(例如三丁基甲基銨陽離子)、烷基哌啶鎓陽離子、烷基吡咯啶鎓陽離子。構成有機陽離子鹽之陰離子部的陰離子係如同有關構成無機陽離子之陰離子部的陰離子所說明。本發明實施形態中可用之理想有機陽離子鹽為1-乙基-3-甲基咪唑鎓雙(氟磺醯基)醯亞胺、三丁基甲基銨雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺。
亦可組合無機陽離子鹽與有機陽離子鹽來使用。
黏著劑組成物中，相對於基底聚合物100重量份，抗靜電劑之含量如上述小於10重量份，宜為7重量份以下，較宜為5重量份以下，更宜為3重量份以下。根據本發明實施形態，可實現雖抗靜電劑之含量如上述般少但表面電阻值小之黏著劑層。抗靜電劑之含量的下限例如可為0.5重量份。抗靜電劑之含量若太少，有無法獲得所期望之表面電阻值之情形。
黏著劑組成物代表上含有矽烷耦合劑、交聯劑及/或抗氧化劑。矽烷耦合劑代表上可舉含官能基之矽烷耦合劑。官能基可列舉例如：環氧基、巰基、胺基、異氰酸酯基、三聚異氰酸酯基、乙烯基、苯乙烯基、乙醯乙醯基、脲基、硫脲基、(甲基)丙烯醯基、雜環基、酸酐基及該等之組合。含官能基之矽烷耦合劑可單獨使用或可組合使用。交聯劑可舉異氰酸酯系交聯劑、過氧化物系交聯劑。交聯劑亦可單獨或組合來使用。藉由含有矽烷耦合劑可獲得以下優點。使用包含含烷氧基單體之基底聚合物的黏著劑組成物其極性會變高，故與非極性被黏著體之黏著性有不夠充分之情形。藉由含有矽烷耦合劑，可獲得對各種被黏著體之充分的黏著力，而可抑制剝落。又，藉由含有抗氧化劑可獲得以下優點。包含含烷氧基單體之基底聚合物的Tg會變低，而變柔軟。藉由含有抗氧化劑，可抑制從偏光板端面及黏著劑層端面進行之氧化劣化所致之收縮。
黏著劑組成物亦可含有添加劑。添加劑的具體例可列舉：著色劑、顏料等粉體，染料、界面活性劑、塑化劑、增黏劑、表面潤滑劑、調平劑、軟化劑、抗老化劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、聚合抑制劑、無機或有機充填劑、金屬粉、粒狀、箔狀物等。又，亦可在可控制的範圍內採用添加還原劑的氧化還原系。添加劑之種類、數量、組合、含量等可視目的適當設定。
E.影像顯示裝置 上述A項至D項所記載之偏光板可應用於影像顯示裝置。因此，本發明實施形態包含使用有所述偏光板的影像顯示裝置。影像顯示裝置的代表例可舉液晶顯示裝置、電致發光(EL)顯示裝置(例如有機EL顯示裝置、無機EL顯示裝置)。在一實施形態中，影像顯示裝置為窄邊框(宜為無邊框)之影像顯示裝置或內置型影像顯示裝置。在所述影像顯示裝置中，本發明實施形態所帶來之效果很顯著。
實施例 以下，以實施例來具體說明本發明，惟本發明不受該等實施例所限。各特性之測定方法如下。此外，只要無特別註記，實施例及比較例中之「份」及「%」即為重量基準。
(1)厚度 10μm以下的厚度係使用干涉膜厚計(大塚電子公司製，製品名「MCPD-3000」)進行測定。大於10μm的厚度係使用數位測微器(Anritsu公司製，產品名「KC-351C」)進行測定。
(2)表面電阻值 使用三菱化學Analytech公司製MCP-HT450測定實施例及比較例中所得偏光板(附黏著劑層之偏光板)之黏著劑層的電阻值，作為初始電阻值。並將附黏著劑層之偏光板供於不同之2個條件的可靠性試驗(於85℃之環境下500小時與於60℃・95%RH之環境下500小時)，其後，依與上述相同方式測定電阻值。依以下式算出電阻值上升率。 電阻值上升率=可靠性試驗後之電阻值/初始電阻值 並按以下基準進行評估。 ○：電阻值上升率在10以下 ×：電阻值上升率大於10
(3)ESD試驗 將實施例及比較例中所得偏光板(附黏著劑層之偏光板)裁切成70mm×150mm，並透過黏著劑層貼合於液晶面板。接著，將銀糊料以覆蓋附黏著劑層之偏光板的側面部之厚度方向整個區域之方式塗佈於已貼合之附黏著劑層之偏光板的側面部，並與來自外部之接地電極連接。接著，使用產生靜電之裝置的ESD(ESD-8012A，SANKI公司製)(施加電壓15kV)，對附黏著劑層之偏光板的表面以在偏光板面內畫圓之方式每隔1秒進行發射(施加)合計10次，引起液晶面板之液晶定向紊亂。測定因電氣而泛白之部分消失為止之時間，按下述基準進行評估。 ○：泛白在5秒以內消失 △：泛白在10秒以內消失 ×：泛白殘存有10秒以上
(4)耐久性試驗 將製作出之偏光板(附黏著劑層之偏光板)以使偏光件之吸收軸與長邊平行，裁切成300×220mm之大小。將該偏光板用貼合機貼合於350×250mm×0.7mm厚之無鹼玻璃(康寧公司製，商品名「EG-XG」)。接著，在50℃、0.5MPa下進行15分鐘高壓釜處理，使黏著劑層密著於玻璃上。對施行過所述處理之試樣在85℃之氣體環境下施行500小時處理後，按下述基準以肉眼評估該試樣之外觀。除了85℃以外，還實施60℃、95%、500h、HS(以-40℃30分鐘⇔85℃30分鐘為1循環)300次循環，並按以下基準進行評估。 ◎：完全無發泡、剝落等外觀上之變化。 ○：雖然極少而於端部有些許剝落或發泡，但實用上無問題。 △：端部有剝落或發泡，但只要不作特別用途，實用上無問題。 ×：端部有顯著剝落，實用上有問題。
(5)異形加工部之裂痕 使用端銑刀於實施例及比較例中所得偏光板之隅部形成直徑3.9mm之貫通孔。將形成有貫通孔之偏光板透過黏著劑層貼合於玻璃板，做成試驗試樣。將該試驗試樣供於熱震試驗，該熱震試驗係將於85℃下保持30分鐘後於-40℃下保持30分鐘之操作反覆300個循環，然後，以肉眼觀察試驗後之貫通孔部分之外觀，按以下基準進行評估。此外，在任一實施例及比較例中皆未發生缺膠(黏著劑層之端部缺損之現象)。 ○：未觀察到裂痕。 △：雖有裂痕，但只要不作特別用途，實用上無問題。 ×：有觀察到裂痕。
[製造例1：(甲基)丙烯酸系基底聚合物A1之調製] 將含有丙烯酸丁酯(BA)39份、丙烯酸甲氧基乙酯(MEA)60份及丙烯酸4-羥丁酯(4HBA)1份之單體混合物饋入具備攪拌葉片、溫度計、氮氣導入管、冷卻器之四口燒瓶中。並相對於該單體混合物100份，將作為聚合引發劑之2,2'-偶氮雙異丁腈0.1份與乙酸乙酯100份一起饋入，一邊緩慢攪拌一邊導入氮氣進行氮取代後，將燒瓶內之液溫維持在55℃附近，進行8小時聚合反應，而調製出(甲基)丙烯酸系聚合物A1之溶液。於表1顯示(甲基)丙烯酸系基底聚合物A1之Tg及介電常數。此外，介電係數係依常規方法測定。Tg係從各單體之Tg使用聚合比換算後之值。
[製造例2：(甲基)丙烯酸系基底聚合物A2之調製] 除了使用含有59份之BA、40份之MEA及1份之4HBA之單體混合物外，依與製造例1相同方式調製出(甲基)丙烯酸系基底聚合物A2之溶液。於表1顯示(甲基)丙烯酸系基底聚合物A2之Tg及介電常數。
[製造例3：(甲基)丙烯酸系基底聚合物A3之調製] 除了使用含有79份之BA、20份之MEA及1份之4HBA之單體混合物外，依與製造例1相同方式調製出(甲基)丙烯酸系基底聚合物A3之溶液。於表1顯示(甲基)丙烯酸系基底聚合物A3之Tg及介電常數。
[製造例4：(甲基)丙烯酸系基底聚合物A4之調製] 除了使用丙烯酸乙氧基乙氧基乙酯(EEEA)60份來取代MEA 60份外，依與製造例1相同方式調製出(甲基)丙烯酸系基底聚合物A4之溶液。於表1顯示(甲基)丙烯酸系基底聚合物A4之Tg及介電常數。
[製造例5：(甲基)丙烯酸系基底聚合物A5之調製] 除了使用丙烯酸甲氧基三乙二醇酯(MTGA)60份來取代MEA 60份外，依與製造例1相同方式調製出(甲基)丙烯酸系基底聚合物A5之溶液。於表1顯示(甲基)丙烯酸系基底聚合物A5之Tg及介電常數。
[製造例6：(甲基)丙烯酸系基底聚合物A6之調製] 除了使用含有99份之MTGA及1份之4HBA之單體混合物外，依與製造例1相同方式調製出(甲基)丙烯酸系基底聚合物A6之溶液。於表1顯示(甲基)丙烯酸系基底聚合物A6之Tg及介電常數。
[製造例7：(甲基)丙烯酸系基底聚合物A7之調製] 除了使用含有49份之BA、50份之MTGA及1份之4HBA之單體混合物外，依與製造例1相同方式調製出(甲基)丙烯酸系基底聚合物A7之溶液。於表1顯示(甲基)丙烯酸系基底聚合物A7之Tg及介電常數。
[製造例8：(甲基)丙烯酸系基底聚合物A8之調製] 除了使用含有69份之BA、30份之MTGA及1份之4HBA之單體混合物外，依與製造例1相同方式調製出(甲基)丙烯酸系基底聚合物A8之溶液。於表1顯示(甲基)丙烯酸系基底聚合物A8之Tg及介電常數。
[製造例9：(甲基)丙烯酸系基底聚合物A9之調製] 除了使用丙烯酸甲氧基聚乙二醇酯(MPEA)50份來取代MTGA 50份外，依與製造例7相同方式調製出(甲基)丙烯酸系基底聚合物A9之溶液。於表1顯示(甲基)丙烯酸系基底聚合物A9之Tg及介電常數。
[製造例10：(甲基)丙烯酸系基底聚合物A10之調製] 除了使用丙烯酸甲氧基聚乙二醇酯PEA550(大阪有機化學公司製)50份來取代丙烯酸甲氧基聚乙二醇酯(MPEA)50份外，依與製造例9相同方式調製出(甲基)丙烯酸系基底聚合物A10之溶液。於表1顯示(甲基)丙烯酸系基底聚合物A10之Tg及介電常數。
[製造例11：(甲基)丙烯酸系基底聚合物A11之調製] 除了使用丙烯酸苯氧乙酯(PEA)50份來取代MTGA 50份外，依與製造例7相同方式調製出(甲基)丙烯酸系基底聚合物A11之溶液。於表1顯示(甲基)丙烯酸系基底聚合物A11之Tg及介電常數。
[製造例12：(甲基)丙烯酸系基底聚合物A12之調製] 除了使用丙烯酸四氫糠酯50份來取代MTGA 50份外，依與製造例5相同方式調製出(甲基)丙烯酸系基底聚合物A12之溶液。於表1顯示(甲基)丙烯酸系基底聚合物A12之Tg及介電常數。
[製造例13：(甲基)丙烯酸系基底聚合物A13之調製] 除了使用丙烯酸(2-甲基-2-乙基-1,3-二㗁茂烷-4-基)甲酯50份來取代MTGA 50份外，依與製造例7相同方式調製出(甲基)丙烯酸系基底聚合物A13之溶液。於表1顯示(甲基)丙烯酸系基底聚合物A13之Tg及介電常數。
[製造例14：(甲基)丙烯酸系基底聚合物A14之調製] 除了使用丙烯酸(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲酯50份來取代MTGA 50份外，依與製造例5相同方式調製出(甲基)丙烯酸系基底聚合物A14之溶液。於表1顯示(甲基)丙烯酸系基底聚合物A14之Tg及介電常數。
[製造例15：(甲基)丙烯酸系基底聚合物A15之調製] 除了使用環狀三羥甲丙烷縮甲醛丙烯酸酯50份來取代MTGA 50份外，依與製造例7相同方式調製出(甲基)丙烯酸系基底聚合物A15之溶液。於表1顯示(甲基)丙烯酸系基底聚合物A15之Tg及介電常數。
[製造例16：(甲基)丙烯酸系基底聚合物A16之調製] 除了使用含有80.3份之BA、0.2份之丙烯酸(AA)、16份之PEA、3份之N-乙烯吡咯啶酮(NVP)及0.5份之4HBA之單體混合物外，依與製造例1相同方式調製出(甲基)丙烯酸系基底聚合物A16之溶液。於表1顯示(甲基)丙烯酸系基底聚合物A16之Tg及介電常數。
[製造例17：(甲基)丙烯酸系基底聚合物A17之調製] 除了使用含有99份之BA及1份之4HBA之單體混合物外，依與製造例1相同方式調製出(甲基)丙烯酸系基底聚合物A17之溶液。於表1顯示(甲基)丙烯酸系基底聚合物A17之Tg及介電常數。
[製造例18：(甲基)丙烯酸系基底聚合物A18之調製] 除了使用含有56份之BA及1份之4HBA、14份之PEA、29份之MA之單體混合物外，依與製造例1相同方式調製出(甲基)丙烯酸系基底聚合物A18之溶液。於表1顯示(甲基)丙烯酸系基底聚合物A18之Tg及介電常數。
[製造例19：偏光板P1之製作] 1.偏光件之製作 熱塑性樹脂基材是使用長條狀且吸水率0.75%、Tg約75℃之非晶質間苯二甲酸共聚聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(厚度：100µm)。並對樹脂基材之單面施行了電暈處理。 在以9：1混合聚乙烯醇(聚合度4200，皂化度99.2莫耳%)及乙醯乙醯基改質PVA(日本合成化學工業公司製，商品名「GOHSEFIMER Z410」)而成之PVA系樹脂100重量份中添加碘化鉀13重量份，並將所得者溶於水中而調製出PVA水溶液(塗佈液)。 於樹脂基材之電暈處理面塗佈上述PVA水溶液並在60℃下乾燥，藉此形成厚度13µm之PVA系樹脂層，而製作出積層體。 將所得積層體於130℃之烘箱內在周速相異之輥間往縱向(長邊方向)進行自由端單軸延伸成2.4倍(空中輔助延伸處理)。 接著，使積層體浸漬於液溫40℃的不溶解浴(相對於水100重量份摻混4重量份之硼酸而得之硼酸水溶液)中30秒鐘(不溶解處理)。 接著，於液溫30℃的染色浴(相對於水100重量份，以1：7之重量比摻混碘與碘化鉀而得之碘水溶液)中調整濃度的同時使其浸漬於其中60秒鐘，以使最後所得偏光件的單體透射率(Ts)成為預定值(染色處理)。 接著，使其浸漬於液溫40℃的交聯浴(相對於水100重量份摻混3重量份之碘化鉀並摻混5重量份之硼酸而得之硼酸水溶液)中30秒鐘(交聯處理)。 然後，一邊使積層體浸漬於液溫70℃之硼酸水溶液(硼酸濃度4.0重量%、碘化鉀濃度5重量%)中，一邊在周速相異之輥間往縱向(長邊方向)進行單軸延伸以使總延伸倍率達5.5倍(水中延伸處理)。 之後，使積層體浸漬於液溫20℃的洗淨浴(相對於水100重量份摻混4重量份之碘化鉀而得之水溶液)中(洗淨處理)。 之後，一邊在保持於90℃之烘箱中乾燥，一邊使其接觸表面溫度保持於75℃之SUS製加熱輥約2秒(乾燥收縮處理)。積層體在乾燥收縮處理下之寬度方向之收縮率為5.2%。 依上述方式而於樹脂基材上形成厚度7µm之偏光件。
2.偏光板之製作 於上述所得偏光件之表面(與樹脂基材為相反側的面)透過紫外線硬化型接著劑貼合HC-TAC薄膜作為保護層。具體言之，是塗敷成硬化型接著劑之總厚度成為1.0µm，並使用輥軋機進行貼合。之後，從保護層側照射UV光線使接著劑硬化。此外，HC-TAC薄膜係於三醋酸纖維素(TAC)薄膜(厚度25µm)上形成有硬塗(HC)層(厚度7µm)之薄膜，且以TAC薄膜成為偏光件側之方式貼合。接著，剝離樹脂基材，並於該剝離面透過紫外線硬化型接著劑貼合三醋酸纖維素(TAC)薄膜(厚度25 µm)。依上述方式，而獲得具有保護層(HC層/TAC薄膜)/接著劑層/偏光件/接著劑層/保護層(TAC薄膜)之構成的偏光板P1。
[製造例20：偏光板P2之製作] 將厚度30µm之聚乙烯醇薄膜在速度比不同之輥間，於30℃、0.3%濃度的碘溶液中染色1分鐘並延伸至3倍。之後，一邊在60℃且包含4%濃度之硼酸、10%濃度之碘化鉀的水溶液中浸漬0.5分鐘，一邊進行延伸直至總延伸倍率為6倍。接著，於30℃、包含1.5%濃度之碘化鉀之水溶液中浸漬10秒鐘藉此洗淨後，在50℃下進行4分鐘乾燥，而獲得厚12µm之偏光件。於該偏光件之單面依與製造例15相同方式貼合HC-TAC薄膜。並且，於偏光件之另一面透過紫外線硬化型接著劑(厚度1.0µm)貼合具有內酯環結構之丙烯酸薄膜(厚度20µm)。依上述方式，而獲得具有保護層(HC層/TAC薄膜)/接著劑層/偏光件/接著劑層/保護層(丙烯酸薄膜)之構成的偏光板P2。
[製造例21：偏光板P3之製作] 除了使用環狀烯烴系樹脂(COP)薄膜(厚度13µm)來取代丙烯酸薄膜外，依與實施例20相同方式而獲得了偏光板P3。
[製造例22：偏光板P4之製作] 將偏光件之厚度設為5µm、及未於樹脂基材之剝離面設置三醋酸纖維素(TAC)薄膜，除此之外依與製造例19相同方式而獲得偏光板P4。
[實施例1] 1.黏著劑組成物之調製 相對於製造例1中所得(甲基)丙烯酸系基底聚合物A1之溶液的固體成分100份，摻混抗靜電劑(商品名：LiTFSi30EA，Mitsubishi Materials Co.製)3份、作為交聯劑之苯甲醯基過氧化物(商品名：NYPER BMT 40SV，日本油脂(股)製)0.3份、異氰酸酯系交聯劑(商品名：TAKENATE D110N，三井化學(股)製)0.2份、重工提升劑(商品名：Silyl SAT10，KANEKA CORPORATION製)0.03份、抗氧化劑(商品名：Irganox 1010，受阻酚系，BASF Japan公司製)0.3份及矽烷耦合劑(商品名：A-100，綜研化學公司製，含乙醯乙醯基之矽烷耦合劑)0.2份，而獲得丙烯酸系黏著劑組成物之溶液。
2.附黏著劑層之偏光板之製作 以使乾燥後的黏著劑層之厚度成為15μm之方式，將上述所得丙烯酸系黏著劑組成物之溶液塗佈於經聚矽氧系剝離劑處理過之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(三菱化學聚酯薄膜製，商品名「MRF38」，分離薄膜)之單面上，並在155℃下乾燥1分鐘，而於分離薄膜表面形成黏著劑層。接著，將形成於分離薄膜上之黏著劑層轉印至製造例20製出之偏光板P1之內側保護層，而製出了附黏著劑層之偏光板。將所得附黏著劑層之偏光板供於上述(2)~(5)之評估。將結果列於表1。
[實施例2~27及比較例1~12] 以表1所示偏光板及黏著劑層之組合製出附黏著劑層之偏光板。將結果列於表1。此外，表1中之抗靜電劑之簡稱如下。 LiTFSI：鋰雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺 EMI-FSI：1-乙基-3-甲基咪唑鎓雙(氟磺醯基)醯亞胺 TBMA-TFSI：三丁基甲基銨雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺
[表1]
Figure 02_image004
[評估] 由表1明顯可知，本發明實施例之偏光板在ESD試驗中顯示良好之結果，可靠性試驗後仍維持低表面電阻值，且耐久性亦優異。並且，本發明實施例之偏光板皆有良好地抑制住異形加工時之裂痕。
產業上之可利用性 本發明偏光板可適宜使用在液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置及無機EL顯示裝置等影像顯示裝置。
11:偏光件 12:保護層 13:保護層 20:黏著劑層 100:偏光板
圖1係本發明一實施形態之偏光板的概略截面圖。 圖2係說明本發明實施形態之偏光板的異形或異形加工部之一例的概略俯視圖。 圖3係說明本發明實施形態之偏光板的異形或異形加工部之一例的概略俯視圖。 圖4係說明本發明實施形態之偏光板的異形或異形加工部之一例的概略俯視圖。 圖5係說明本發明實施形態之偏光板的異形或異形加工部之一例的概略俯視圖。
11:偏光件
12:保護層
13:保護層
20:黏著劑層
100:偏光板

Claims (13)

  1. 一種偏光板，係具備黏著劑層者；並且該偏光板具有異形； 構成該黏著劑層之黏著劑組成物包含基底聚合物與抗靜電劑； 該基底聚合物之玻璃轉移溫度為-50℃以下、及在100kHz下之介電常數為5.0以上； 該黏著劑層之表面電阻值為1.0×10 9Ω/□以下。
  2. 如請求項1之偏光板，其中前述基底聚合物包含含烷氧基單體作為單體成分。
  3. 如請求項2之偏光板，其中前述基底聚合物包含：相對於總單體成分100重量份而為30重量份~99重量份的前述含烷氧基單體。
  4. 如請求項3之偏光板，其中前述含烷氧基單體係以下述式表示： [化學式1]
    Figure 03_image001
    式中，R 1為烷基，n為1~15之整數。
  5. 如請求項4之偏光板，其中前述基底聚合物更包含含羥基單體作為單體成分。
  6. 如請求項1至5中任一項之偏光板，其中前述黏著劑組成物中，相對於前述基底聚合物100重量份，前述抗靜電劑之含量為小於10重量份。
  7. 如請求項1至6中任一項之偏光板，其中前述抗靜電劑包含鋰雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺、1-乙基-3-甲基咪唑鎓雙(氟磺醯基)醯亞胺或三丁基甲基銨雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺。
  8. 如請求項1至7中任一項之偏光板，其中前述黏著劑組成物更包含矽烷耦合劑。
  9. 如請求項1至8中任一項之偏光板，其中前述黏著劑組成物更包含抗氧化劑。
  10. 如請求項1至9中任一項之偏光板，其中前述黏著劑層對玻璃之黏著力為1.0N/25mm以上。
  11. 如請求項1至10中任一項之偏光板，其藉由下述式所示之加熱試驗而得的電阻值上升率為10以下； 電阻值上升率=可靠性試驗後之電阻值/初始電阻值 在此，加熱試驗係在溫度85℃之條件下進行500小時。
  12. 如請求項1至11中任一項之偏光板，其在下述式所示之加濕試驗中，電阻值上升率為10以下； 電阻值上升率=可靠性試驗後之電阻值/初始電阻值 在此，加濕試驗係在溫度60℃、濕度95%RH之條件下進行500小時。
  13. 一種影像顯示裝置，具備如請求項1至12中任一項之偏光板。
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