TW202219633A - 感放射線性樹脂組成物及圖案形成方法 - Google Patents
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 142
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 title abstract description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 129
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims abstract description 111
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 104
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 103
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 103
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 55
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 50
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 44
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 claims abstract description 32
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims abstract description 27
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 claims abstract description 26
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims abstract 14
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 143
- -1 methylene, ethylidene, phenylene Chemical group 0.000 claims description 50
- 150000001768 cations Chemical group 0.000 claims description 48
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 34
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 31
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 30
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 27
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 24
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims description 10
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 8
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 claims description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 17
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 102
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 55
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 49
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 25
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 23
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 22
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000002585 base Substances 0.000 description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 20
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 16
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 16
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 14
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 13
- 238000011161 development Methods 0.000 description 13
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 13
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 13
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 12
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 101000692259 Homo sapiens Phosphoprotein associated with glycosphingolipid-enriched microdomains 1 Proteins 0.000 description 10
- 102100026066 Phosphoprotein associated with glycosphingolipid-enriched microdomains 1 Human genes 0.000 description 10
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 10
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 10
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 10
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 10
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 101000987219 Sus scrofa Pregnancy-associated glycoprotein 1 Proteins 0.000 description 9
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 9
- 102100024003 Arf-GAP with SH3 domain, ANK repeat and PH domain-containing protein 1 Human genes 0.000 description 8
- 101100380306 Homo sapiens ASAP1 gene Proteins 0.000 description 8
- 101150003633 PAG2 gene Proteins 0.000 description 8
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 8
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 8
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 8
- 150000002596 lactones Chemical group 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 8
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 8
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 7
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 7
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 7
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 7
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 7
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 6
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 6
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 125000000000 cycloalkoxy group Chemical group 0.000 description 5
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 description 5
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 5
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 5
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 5
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 5
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 5
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 4
- 125000004390 alkyl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000005278 alkyl sulfonyloxy group Chemical group 0.000 description 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 4
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 4
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 4
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 4
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 4
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 4
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 4
- 125000006239 protecting group Chemical group 0.000 description 4
- 150000008053 sultones Chemical group 0.000 description 4
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 4
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 3
- 125000005194 alkoxycarbonyloxy group Chemical group 0.000 description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 3
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 3
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 3
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XPFVYQJUAUNWIW-UHFFFAOYSA-N furfuryl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CO1 XPFVYQJUAUNWIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 3
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 125000004206 2,2,2-trifluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C(F)(F)F 0.000 description 2
- YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-ol Chemical compound CCCCC(CC)CO YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- OZJPLYNZGCXSJM-UHFFFAOYSA-N 5-valerolactone Chemical compound O=C1CCCCO1 OZJPLYNZGCXSJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N Cyclopentane Chemical compound C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002619 bicyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 150000003997 cyclic ketones Chemical class 0.000 description 2
- 125000005144 cycloalkylsulfonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000596 cyclohexenyl group Chemical group C1(=CCCCC1)* 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N diethyl phthalate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 2
- 150000008282 halocarbons Chemical group 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001160 methoxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC(*)=O 0.000 description 2
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000002868 norbornyl group Chemical group C12(CCC(CC1)C2)* 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000010421 standard material Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Chemical group 0.000 description 2
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 2
- GVJFFQYXVOJXFI-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,4a,5,6,7,8,8a,9,9a,10,10a-tetradecahydroanthracene Chemical compound C1C2CCCCC2CC2C1CCCC2 GVJFFQYXVOJXFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKIRBHVFJGXOIS-UHFFFAOYSA-N 1,2-di(propan-2-yl)benzene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1C(C)C OKIRBHVFJGXOIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGUVLZREKBPKCE-UHFFFAOYSA-N 1,5-diazabicyclo[4.3.0]-non-5-ene Chemical compound C1CCN=C2CCCN21 SGUVLZREKBPKCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDHDUXOBMHHFFJ-UHFFFAOYSA-N 1-pentylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(CCCCC)=CC=CC2=C1 FDHDUXOBMHHFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004343 1-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006017 1-propenyl group Chemical group 0.000 description 1
- GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6,7,8,9,10-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCCCN2CCCN=C21 GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRLRGHZJOQGQEC-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxypropoxy)propyl acetate Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)=O DRLRGHZJOQGQEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenol Chemical compound OC=CC1=CC=CC=C1 XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRRVXFOKWJKTGG-UHFFFAOYSA-N 3,3,5-trimethylcyclohexanol Chemical compound CC1CC(O)CC(C)(C)C1 BRRVXFOKWJKTGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-1-butanol Chemical compound COC(C)CCO JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-pentanol Chemical compound CC(C)CC(C)O WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100026291 Arf-GAP with SH3 domain, ANK repeat and PH domain-containing protein 2 Human genes 0.000 description 1
- 101710112065 Arf-GAP with SH3 domain, ANK repeat and PH domain-containing protein 2 Proteins 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N N,N‐diethylformamide Chemical compound CCN(CC)C=O SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBJMFJMRMFQXCO-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-[2-(2-hydroxyethoxy)ethoxy]-1-methoxyethanol Chemical compound CC(O)=O.COC(O)COCCOCCO WBJMFJMRMFQXCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000002009 alkene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229940072049 amyl acetate Drugs 0.000 description 1
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N anhydrous amyl acetate Natural products CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 239000003242 anti bacterial agent Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000051 benzyloxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001246 bromo group Chemical group Br* 0.000 description 1
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- JHRWWRDRBPCWTF-OLQVQODUSA-N captafol Chemical compound C1C=CC[C@H]2C(=O)N(SC(Cl)(Cl)C(Cl)Cl)C(=O)[C@H]21 JHRWWRDRBPCWTF-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- 125000002837 carbocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003660 carbonate based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000005587 carbonate group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003950 cyclic amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000005676 cyclic carbonates Chemical group 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000001924 cycloalkanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005170 cycloalkyloxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004210 cyclohexylmethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002933 cyclohexyloxy group Chemical group C1(CCCCC1)O* 0.000 description 1
- 125000002433 cyclopentenyl group Chemical group C1(=CCCC1)* 0.000 description 1
- 125000001887 cyclopentyloxy group Chemical group C1(CCCC1)O* 0.000 description 1
- 125000004186 cyclopropylmethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C1([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001983 dialkylethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000012955 diaryliodonium Substances 0.000 description 1
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 description 1
- WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N diethyl oxalate Chemical compound CCOC(=O)C(=O)OCC WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYAAVKFHBMJOJZ-UHFFFAOYSA-N diimidazo[1,3-b:1',3'-e]pyrazine-5,10-dione Chemical compound O=C1C2=CN=CN2C(=O)C2=CN=CN12 UYAAVKFHBMJOJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000003754 ethoxycarbonyl group Chemical group C(=O)(OCC)* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M heptanoate Chemical compound CCCCCCC([O-])=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OHMBHFSEKCCCBW-UHFFFAOYSA-N hexane-2,5-diol Chemical compound CC(O)CCC(C)O OHMBHFSEKCCCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004029 hydroxymethyl group Chemical group [H]OC([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- SXQFCVDSOLSHOQ-UHFFFAOYSA-N lactamide Chemical group CC(O)C(N)=O SXQFCVDSOLSHOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 description 1
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004170 methylsulfonyl group Chemical group [H]C([H])([H])S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N mono-hydroxyphenyl-ethylene Natural products OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAZXVJBJRMWXJP-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylethylamine Chemical compound CCN(C)C DAZXVJBJRMWXJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006606 n-butoxy group Chemical group 0.000 description 1
- GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-methylethanamine Chemical compound CCN(C)CC GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- QJQAMHYHNCADNR-UHFFFAOYSA-N n-methylpropanamide Chemical compound CCC(=O)NC QJQAMHYHNCADNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003506 n-propoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000004923 naphthylmethyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C* 0.000 description 1
- UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N norbornane Chemical compound C1C[C@H]2CC[C@@H]1C2 UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 125000006340 pentafluoro ethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000000286 phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- YGSFNCRAZOCNDJ-UHFFFAOYSA-N propan-2-one Chemical compound CC(C)=O.CC(C)=O YGSFNCRAZOCNDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 1
- 125000001501 propionyl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- FOWDZVNRQHPXDO-UHFFFAOYSA-N propyl hydrogen carbonate Chemical compound CCCOC(O)=O FOWDZVNRQHPXDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116423 propylene glycol diacetate Drugs 0.000 description 1
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical group 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
Description
本發明是有關於一種感放射線性樹脂組成物及圖案形成方法。
於半導體元件中的微細的電路形成中利用使用抗蝕劑組成物的光微影技術。作為具代表性的程序,例如基於對於抗蝕劑組成物的被膜的介隔遮罩圖案的放射線照射進行曝光,藉此產生酸,並藉由將所述酸作為觸媒的反應而於曝光部與未曝光部中產生樹脂相對於鹼系或有機溶劑系的顯影液的溶解度的差,藉此於基板上形成抗蝕劑圖案。
於所述光微影技術中,使用ArF準分子雷射等短波長的放射線,或將該放射線與液浸曝光法(液體浸沒式微影(liquid immersion lithography))組合來推進圖案微細化。作為下一代技術,實現利用電子束、X射線及極紫外線(extreme ultraviolet,EUV)等波長更短的放射線,並且亦正在研究提高了所述放射線的吸收效率的包含具有苯環的酸產生劑的抗蝕劑材料(專利文獻1)。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2014-2359號公報
[發明所欲解決之課題]
於所述下一代技術中,亦要求於感度以及作為線寬或孔徑的均勻性的指標的臨界尺寸均勻性(critical dimension uniformity,CDU)性能等方面與先前同等以上的抗蝕劑諸性能。
本發明的目的在於提供一種於應用下一代技術的情況下能夠以充分的水準發揮感度或CDU性能的感放射線性樹脂組成物及圖案形成方法。
[解決課題之手段]
本發明者等人為解決本課題而重覆努力研究,結果發現藉由採用下述結構,可達成所述目的,從而完成了本發明。
於一實施形態中,本發明是有關於一種感放射線性樹脂組成物,包含:
感放射線性酸產生樹脂,所述感放射線性酸產生樹脂含有:重複單元A,由下述式(1)表示且具有酸解離性基;及重複單元B,包含有機酸根陰離子部分及含有具有氟原子的芳香環結構的鋶陽離子部分;以及
溶劑。
[化1]
(所述式(1)中,
R
T為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基。
R
X為碳數2~20的一價烴基。
Cy表示與其所鍵結的碳原子一起形成的環員數3~20的脂環結構。)
另外,於另一實施形態中,本發明是一種感放射線性樹脂組成物,包含:
感放射線性酸產生樹脂,所述感放射線性酸產生樹脂含有:重複單元A,由下述式(1)表示且具有酸解離性基;及重複單元C,具有有機酸根陰離子部分及鎓陽離子部分;
鎓鹽,所述鎓鹽含有有機酸根陰離子部分與包含具有氟原子的芳香環結構的鋶陽離子;以及
溶劑。
[化2]
(所述式(1)中,
R
T為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基。
R
X為碳數2~20的一價烴基。
Cy表示與其所鍵結的碳原子一起形成的環員數3~20的脂環結構。)
根據該感放射線性樹脂組成物,可構建滿足感度及CDU性能的抗蝕劑膜。雖然其理由並不確定,但推測如下。波長13.5 nm的EUV等放射線的由氟原子引起的吸收非常大,藉此感放射線性樹脂組成物進行高感度化。另外,樹脂中的結構單元A所具有的酸解離性基中由曝光引起的酸解離效率高,因此曝光部與未曝光部的對比度提高,從而可發揮優異的圖案形成性。推測藉由該些的複合作用而可發揮所述抗蝕劑性能。
於另一實施形態中,本發明是有關於一種圖案形成方法,包括:
將該感放射線性樹脂組成物直接或間接地塗佈於基板上來形成抗蝕劑膜的步驟;
對所述抗蝕劑膜進行曝光的步驟;以及
利用顯影液對經曝光的所述抗蝕劑膜進行顯影的步驟。
於該圖案形成方法中,由於使用感度及CDU性能優異的所述感放射線性樹脂組成物,因此可有效率地形成高品質的抗蝕劑圖案。
以下,對本發明的實施形態進行詳細說明,但本發明並不限定於該些實施形態。
<感放射線性樹脂組成物>
本實施形態的感放射線性樹脂組成物(以下,亦簡稱為「組成物」)包含感放射線性酸產生樹脂、及溶劑。只要不損及本發明的效果,則所述組成物亦可包含其他任意成分。感放射線性樹脂組成物藉由包含規定的感放射線性酸產生樹脂,可對所獲得的抗蝕劑膜賦予高水準的感度及CDU性能。
<感放射線性酸產生樹脂>
感放射線性酸產生樹脂(以下,亦簡稱為「樹脂」)為包括由下述式(1)表示且具有酸解離性基的重複單元A、與包含有機酸根陰離子部分及含有具有氟原子的芳香環結構的鋶陽離子部分的重複單元B的聚合體的集合體(G1),或者為包含由下述式(1)表示且具有酸解離性基的重複單元A、與具有有機酸根陰離子部分及鎓陽離子部分的重複單元C的聚合體的集合體(G2),或者為同時包含集合體(G1)及集合體(G2)的集合體(以下,亦將該些集合體(G1)及集合體(G2)稱為「基礎樹脂」)。基礎樹脂除可包含結構單元A、結構單元B、結構單元C以外,亦可包含具有酚性羥基的結構單元D、包含內酯結構等的結構單元E等。以下,對各結構單元進行說明。
(結構單元A)
結構單元A(以下,亦稱為「重複單元A」)由下述式(1)表示。
[化3]
(所述式(1)中,
R
T為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基。
R
X為碳數2~20的一價烴基。
Cy表示與其所鍵結的碳原子一起形成的環員數3~20的脂環結構。)
作為R
X所表示的碳數2~20的一價烴基,例如可列舉:碳數2~10的鏈狀烴基、碳數3~20的一價脂環式烴基、碳數6~20的一價芳香族烴基等。
作為所述碳數2~10的鏈狀烴基,例如可列舉碳數2~10的直鏈或分支鏈飽和烴基、或者碳數2~10的直鏈或分支鏈不飽和烴基。
作為所述碳數3~20的脂環式烴基,可列舉單環或多環的飽和烴基、或者單環或多環的不飽和烴基。作為單環的飽和烴基,較佳為環戊基、環己基、環庚基、環辛基。作為多環的環烷基,較佳為降冰片基、金剛烷基、三環癸基、四環十二烷基等橋環脂環式烴基。再者,所謂橋環脂環式烴基,是指構成脂環的碳原子中不相互鄰接的兩個碳原子間藉由包含一個以上碳原子的結合鏈鍵結的多環性脂環式烴基。
作為所述碳數6~20的一價芳香族烴基,例如可列舉:苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、蒽基等芳基;苄基、苯乙基、萘基甲基等芳烷基等。
作為R
X,較佳為碳數2~5的直鏈或分支鏈飽和烴基、碳數3~12的脂環式烴基。
作為Cy中的環員數3~20的脂環結構,只要具有脂環結構則並無特別限定,可具有單環式、二環式、三環式、四環式或更多的多環結構,亦可為橋環環結構、螺環結構、多個環藉由單鍵或雙鍵直接鍵結的環集合結構或該些的組合中的任一種。其中,較佳為具有單環式、二環式、三環式、四環式的橋環環結構,更佳為環戊烷、環己烷、降冰片烷、金剛烷、三環[5.2.1.0
2,6]癸烷、四環[4.4.0.1
2,5.1
7,10]十二烷、全氫萘或全氫蒽的任一環結構或其衍生物。
所述式(A-1)~式(A-8)中,R
T及R
X與所述式(1)含義相同。其中,結構單元A較佳為例如由所述式(A-1)、式(A-4)、式(A-5)、式(A-6)、式(A-8)表示。
樹脂中作為結構單元A的含有比例(於結構單元A存在多種的情況下為合計),相對於構成樹脂的所有結構單元,較佳為10莫耳%以上,更佳為20莫耳%以上,進而佳為30莫耳%以上。作為所述含有比例,較佳為80莫耳%以下,更佳為70莫耳%以下,進而佳為60莫耳%以下。藉由將結構單元A的含有比例設為所述範圍,所述感放射線性樹脂組成物可實現感度及CDU性能的進一步提高。
(結構單元B)
結構單元B(以下,亦稱為「重複單元B」)為包含有機酸根陰離子部分及含有具有氟原子的芳香環結構的鋶陽離子部分的重複單元。
所述結構單元B為源自包含藉由曝光發生分解而產生酸的結構的單量體的重複單元。
所述結構單元B較佳為例如源自下述式(2)所表示的單量體或式(3)所表示的單量體的重複單元。
[化5]
(所述式(2)及式(3)中,
R
A及R
B為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基。
R
Y及R
Z獨立地為氫原子、氟原子或氟化烴基,至少一個為氟原子或氟化烴基。存在多個的R
Y及R
Z可相同亦可不同。
n
1為1~20的整數。
R
1~R
3獨立地為一價烴基,至少一個為具有氟原子的芳香環。
R
4~R
6獨立地為一價烴基,至少一個為具有氟原子的芳香環。
Y
1為單鍵、或-Y
11-C(=O)-O-。Y
11為可包含雜原子的碳數1~20的二價烴基。
Y
2為單鍵、亞甲基、伸乙基、伸苯基、經氟化的伸苯基、-O-Y
21-、-C(=O)-O-Y
21-或-C(=O)-NH-Y
21-。Y
21為碳數1~6的烷二基、碳數2~6的烯二基或伸苯基,可包含羰基、酯鍵、醚鍵或羥基。碳數1~6的烷二基、碳數2~6的烯二基及伸苯基亦可經氟原子取代。)
式(2)及式(3)中,R
Y及R
Z獨立地為氫原子、氟原子或碳數1~20的一價氟化烴基,至少一個為氟原子或氟化烴基。構成所述一價氟化烴基的烴基可為直鏈狀、分支狀、環狀的任一種,作為其具體例,可列舉:甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第三丁基等烷基;環丙基、環戊基、環己基、環丙基甲基、4-甲基環己基、環己基甲基、降冰片基、金剛烷基等環烷基;乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、己烯基、環己烯基等烯基;苯基、萘基、噻吩基等芳基;苄基、1-苯基乙基、2-苯基乙基等芳烷基等。作為一價氟化烴基,可列舉該些烴基的氫原子的一部分或全部經含氟原子的基取代的基。存在多個的R
Y及R
Z可相同亦可不同。
式(2)及式(3)中,R
1~R
3獨立地為一價烴基,至少一個為具有氟原子的芳香環,R
4~R
6獨立地為一價烴基,至少一個為具有氟原子的芳香環。再者,本說明書中所謂「具有氟原子的芳香環」,是指芳香環中包含的氫原子的一部分或全部經氟原子或氟化烴基(較佳為全氟烴基)取代的結構。所述一價烴基可為直鏈狀、分支狀、環狀的任一種,作為其具體例,可列舉與作為構成R
Y及R
Z中的氟化烴基的烴基而列舉的基相同的基,較佳為芳基。另外,該些基的氫原子的一部分亦可經含氧原子、硫原子、氮原子、鹵素原子等雜原子的基取代。R
1~R
3中的任意兩個以上可相互鍵結並與該些所鍵結的硫原子一起形成環,R
4~R
6中的任意兩個以上可相互鍵結並與該些所鍵結的硫原子一起形成環。
式(2)及式(3)中,R
1~R
3中的任意兩個可相互鍵結並與該些所鍵結的硫原子一起形成環,R
4~R
6中的任意兩個可相互鍵結並與該些所鍵結的硫原子一起形成環。
樹脂中作為結構單元B的含有比例(於結構單元B存在多種的情況下為合計),相對於構成樹脂的所有結構單元,較佳為2莫耳%以上,更佳為3莫耳%以上,進而佳為4莫耳%以上,特佳為5莫耳%以上。另外,較佳為30莫耳%以下,更佳為25莫耳%以下,進而佳為20莫耳%以下,特佳為15莫耳%以下。藉由將結構單元B的含有比例設為所述範圍,可充分地發揮作為酸產生劑的功能。
(結構單元C)
結構單元C(以下,亦稱為「重複單元C」)為具有有機酸根陰離子部分及鎓陽離子部分的重複單元(其中,與重複單元B不同)。
所述結構單元C較佳為包含例如下述式(c1)所表示的結構單元(以下,亦稱為「結構單元c1」)或下述式(c2)所表示的結構單元(以下,亦稱為「結構單元c2」)。
式中,R
A為氫原子或甲基。
式中,X
c1為單鍵或酯基。X
c2為碳數1~12的伸烷基、碳數3~12的伸環烷基、或碳數6~10的伸芳基。構成該伸烷基的亞甲基的一部分亦可經醚基、酯基或含內酯環的基取代。構成該伸環烷基的亞甲基的一部分亦可經醚基或酯基取代。X
c2中包含的至少一個氫原子可經碘原子取代。X
c3為單鍵、醚基、酯基、碳數1~12的伸烷基、或碳數3~12的伸環烷基。構成該伸烷基及伸環烷基的亞甲基的一部分亦可經醚基或酯基取代。
式中,R
cf1~R
cf4分別獨立地為氫原子、氟原子或三氟甲基,至少一個為氟原子或氟化烴基。
式中,R
c1~R
c5分別獨立地為可包含雜原子的碳數1~20的一價烴基,R
c1與R
c2可相互鍵結並與該些所鍵結的硫原子一起形成環。
作為R
c1~R
c5中的可包含雜原子的碳數1~20的一價烴基,可列舉與構成式(2)及式(3)中的R
1~R
6的一價烴基相同的基。
所述重複單元C較佳為例如源自下述式所表示的單量體的重複單元。
[化10]
(所述式(4)及式(5)中,
R
A及R
B為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基。
R
Y及R
Z獨立地為氟原子或氟化烴基,至少一個為氟原子或氟化烴基。存在多個的R
Y及R
Z可相同亦可不同。
n
1為1~20的整數。
R
c 1~R
c 3獨立地為一價烴基。
R
c 4~R
c 6獨立地為一價烴基。
Y
1為單鍵、或-Y
11-C(=O)-O-。Y
11為可包含雜原子的碳數1~20的二價烴基。
Y
2為單鍵、亞甲基、伸乙基、伸苯基、經氟化的伸苯基、-O-Y
21-、-C(=O)-O-Y
21-或-C(=O)-NH-Y
21-。Y
21為碳數1~6的烷二基、碳數2~6的烯二基或伸苯基,可包含羰基、酯鍵、醚鍵或羥基。)
式(4)及式(5)中,R
c1~R
c3獨立地為一價烴基,R
c4~R
c6獨立地為一價烴基。所述一價烴基可為直鏈狀、分支狀、環狀的任一種,作為其具體例,可列舉與作為構成R
Y及R
Z中的氟化烴基的烴基而列舉的基相同的基,較佳為芳基。另外,該些基的氫原子的一部分亦可經含氧原子、硫原子、氮原子、鹵素原子等雜原子的基取代。R
c1~R
c3中的任意兩個以上可相互鍵結並與該些所鍵結的硫原子一起形成環,R
c4~R
c6中的任意兩個以上可相互鍵結並與該些所鍵結的硫原子一起形成環。
式(4)及式(5)中,其他部分與所述式(2)及式(3)含義相同。
作為結構單元c1及結構單元c2,較佳為分別由下述式(c1-1)及式(c2-1)表示。
式中,R
A、R
c1~R
c5、R
cf1~R
cf4及X
c2與所述式(c1)或式(c2)含義相同。
式中,R
c6為直鏈狀、分支狀或環狀的碳數1~4的烷基、碘以外的鹵素原子、羥基、直鏈狀、分支狀或環狀的碳數1~4的烷氧基、或者直鏈狀、分支狀或環狀的碳數2~5的烷氧基羰基。
式中,m
c為0~4的整數。
式中,n
c為0~3的整數。
作為提供結構單元c1或結構單元c2的單量體的有機酸根陰離子部分,可列舉以下所示者,但並不限定於該些。再者,下述所示者均為具有碘取代芳香環結構的有機酸根陰離子部分,但作為不具有碘取代芳香環結構的有機酸根陰離子部分,可較佳地採用下述式中的碘原子經氫原子或其他取代基等碘原子以外的原子或基取代的結構。
結構單元c1的鎓陽離子部分較佳為由下述式(Q-1)表示。
所述式(Q-1)中,Ra1及Ra2各自獨立地表示取代基。n1表示0~5的整數,於n1為2以上的情況下,存在多個的Ra1可相同亦可不同。n2表示0~5的整數,於n2為2以上的情況下,存在多個的Ra2可相同亦可不同。n3表示0~5的整數,於n3為2以上的情況下,存在多個的Ra3可相同亦可不同。Ra3表示氟原子或具有一個以上的氟原子的基。Ra1及Ra2亦可相互連結而形成環。於n1為2以上的情況下,多個Ra1可相互連結而形成環。於n2為2以上的情況下,多個Ra2可相互連結而形成環。於n1為1以上且n2為1以上的情況下,Ra1與Ra2可相互連結而形成環(即,包含硫原子的雜環)。
作為Ra1及Ra2所表示的取代基,較佳為烷基、環烷基、烷氧基、環烷基氧基、烷氧基羰基、烷基磺醯基、羥基、鹵素原子、鹵化烴基。
Ra1及Ra2的烷基可為直鏈亦可為分支鏈。作為該烷基,較佳為碳數1~10的烷基,例如可列舉與作為構成R
Y及R
Z中的氟化烴基的烴基而列舉的基相同的基。該些中,特佳為甲基、乙基、正丁基及第三丁基。
作為Ra1及Ra2的環烷基,可列舉單環或多環的環烷基(較佳為碳數3~20的環烷基),例如可列舉:環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環十二烷基、環戊烯基、環己烯基及環辛二烯基。該些中,特佳為環丙基、環戊基、環己基、環庚基及環辛基。
作為Ra1及Ra2的烷氧基的烷基部分,例如可列舉之前作為Ra1及Ra2的烷基而列舉的基。作為該烷氧基,特佳為甲氧基、乙氧基、正丙氧基及正丁氧基。
作為Ra1及Ra2的環烷基氧基的環烷基部分,例如可列舉之前作為Ra1及Ra2的環烷基而列舉的基。作為該環烷基氧基,特佳為環戊基氧基及環己基氧基。
作為Ra1及Ra2的烷氧基羰基的烷氧基部分,例如可列舉之前作為Ra1及Ra2的烷氧基而列舉的基。作為該烷氧基羰基,特佳為甲氧基羰基、乙氧基羰基及正丁氧基羰基。
作為Ra1及Ra2的烷基磺醯基的烷基部分,例如可列舉之前作為Ra1及Ra2的烷基而列舉的基。另外,作為Ra1及Ra2的環烷基磺醯基的環烷基部分,例如可列舉之前作為Ra1及Ra2的環烷基而列舉的基。作為該些烷基磺醯基或環烷基磺醯基,特佳為甲烷磺醯基、乙烷磺醯基、正丙烷磺醯基、正丁烷磺醯基、環戊烷磺醯基及環己烷磺醯基。
Ra1及Ra2的各基亦可進而具有取代基。作為該取代基,例如可列舉:氟原子等鹵素原子(較佳為氟原子)、羥基、羧基、氰基、硝基、烷氧基、環烷基氧基、烷氧基烷基、環烷基氧基烷基、烷氧基羰基、環烷基氧基羰基、烷氧基羰氧基、及環烷基氧基羰氧基。
作為Ra1及Ra2的鹵素原子,可列舉:氟原子、氯原子、溴原子、碘原子,較佳為氟原子。
作為Ra1及Ra2的鹵化烴基,較佳為鹵化烷基。作為構成鹵化烷基的烷基及鹵素原子,可列舉與所述相同者。其中,較佳為氟化烷基,更佳為CF
3。
如所述般,Ra1及Ra2亦可相互連結而形成環(即,包含硫原子的雜環)。於所述情況下,較佳為Ra1及Ra2相互鍵結而形成單鍵或二價連結基。作為二價連結基,例如可列舉:-COO-、-OCO-、-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO
2-、伸烷基、伸環烷基、伸烯基或該些的兩種以上的組合,較佳為總碳數為20以下者。於Ra1及Ra2相互連結而形成環的情況下,Ra1及Ra2較佳為相互鍵結而形成-COO-、-OCO-、-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO
2-或單鍵。其中,更佳為形成-O-、-S-或單鍵,特佳為形成單鍵。另外,於n1為2以上的情況下,多個Ra1可相互連結而形成環,於n2為2以上的情況下,多個Ra2可相互連結而形成環。作為此種例子,例如可列舉兩個Ra1相互連結並與該些所鍵結的苯環一起形成萘環的態樣。
Ra3為氟原子或具有一個以上的氟原子的基。作為具有氟原子的基,可列舉作為Ra1及Ra2的烷基、環烷基、烷氧基、環烷基氧基、烷氧基羰基及烷基磺醯基經氟原子取代而成的基。其中,可較佳地列舉氟化烷基,可進而佳地列舉CF
3、C
2F
5、C
3F
7、C
4F
9、C
5F
11、C
6F
13、C
7F
15、C
8F
17、CH
2CF
3、CH
2CH
2CF
3、CH
2C
2F
5、CH
2CH
2C
2F
5、CH
2C
3F
7、CH
2CH
2C
3F
7、CH
2C
4F
9及CH
2CH
2C
4F
9,可特佳地列舉CF
3。
Ra3較佳為氟原子或CF
3,更佳為氟原子。
n1及n2各自獨立地較佳為0~3的整數,更佳為0~2的整數。
n3較佳為1~3的整數,更佳為1或2。
(n1+n2+n3)較佳為0~15的整數,更佳為1~9的整數,進而佳為2~6的整數,特佳為3~6的整數。於(n1+n2+n3)為1的情況下,較佳為n3=1且Ra3為氟原子或CF
3。於(n1+n2+n3)為2的情況下,較佳為n1=n3=1且Ra1及Ra3各自獨立地為氟原子或CF
3的組合、以及n3=2且Ra3為氟原子或CF
3的組合。於(n1+n2+n3)為3的情況下,較佳為n1=n2=n3=1且Ra1~Ra3各自獨立地為氟原子或CF
3的組合。於(n1+n2+n3)為4的情況下,較佳為n1=n3=2且Ra1及Ra3各自獨立地為氟原子或CF
3的組合。於(n1+n2+n3)為5的情況下,較佳為n1=n2=1且n3=3且Ra1~Ra3各自獨立地為氟原子或CF
3的組合、n1=n2=2且n3=1且Ra1~Ra3各自獨立地為氟原子或CF
3的組合、及n3=5且Ra3各自獨立地為氟原子或CF
3的組合。於(n1+n2+n3)為6的情況下,較佳為n1=n2=n3=2且Ra1~Ra3各自獨立地為氟原子或CF
3的組合。
作為此種所述式(Q-1)所表示的鎓陽離子部分的具體例,可列舉將作為所述式(2)及式(3)的具體的例子而列舉的鋶陽離子的結構中的氟原子、氟化烴基及具有氟原子的一價基取代為氫原子或其他取代基的結構。
於結構單元c2的鎓陽離子部分包含具有氟原子的芳香環結構的情況下,鎓陽離子部分較佳為具有一個以上的氟原子的二芳基錪陽離子。其中,較佳為由下述式(Q-2)表示。
式中,R
d1及R
d2分別獨立地為經取代或未經取代的碳數1~12的直鏈狀或分支狀的烷基、烷氧基或烷氧基羰基、經取代或未經取代的碳數6~12的芳香族烴基、硝基。R
d3及R
d4分別獨立地為氟原子或具有氟原子的基。k1及k2分別獨立地為0~5的整數。k3及k4分別獨立地為0~5的整數。其中,(k1+k3)及(k2+k4)分別為5以下,(k3+k4)為1~10的整數。於R
d1~R
d4分別為多個的情況下,多個R
d1~R
d4可分別相同亦可不同。
作為R
d1及R
d2所表示的烷基、烷氧基及烷氧基羰基、以及R
d3及R
d4所表示的具有氟原子的基,分別可列舉與所述式(Q-1)相同者。
作為所述碳數6~12的一價芳香族烴基,例如可列舉:苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基;苄基、苯乙基等芳烷基等。
作為各基的取代基,例如可列舉:氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等鹵素原子;羥基;羧基;氰基;硝基;烷基、烷氧基、烷氧基羰基、烷氧基羰氧基、醯基、醯氧基或該些基的氫原子經鹵素原子取代的基;側氧基(=O)等。
k1及k2較佳為分別為0~2,更佳為0或1。k3及k4較佳為分別為1~3,更佳為1或2。(k3+k4)為1~10的整數,較佳為1~6的整數,更佳為1~4的整數,進而佳為1或2。
作為此種所述式(Q-2)所表示的鎓陽離子部分的具體例,可列舉以下者。再者,下述所示者均為包含具有氟原子的芳香環結構的錪陽離子部分,但作為不包含具有氟原子的芳香環結構的鎓陽離子部分,可較佳地採用下述式中的氟原子或CF
3經氫原子或其他取代基等氟原子以外的原子或基取代的結構。
樹脂中作為結構單元C的含有比例(於結構單元C存在多種的情況下為合計),相對於構成樹脂的所有結構單元,較佳為2莫耳%以上,更佳為3莫耳%以上,進而佳為4莫耳%以上,特佳為5莫耳%以上。另外,較佳為30莫耳%以下,更佳為25莫耳%以下,進而佳為20莫耳%以下,特佳為15莫耳%以下。藉由將結構單元C的含有比例設為所述範圍,可充分地發揮作為酸產生劑的功能。
(結構單元D)
結構單元D為具有酚性羥基的結構單元或藉由酸的作用而提供酚性羥基的結構單元。本發明中,亦包含利用由曝光所產生的酸的作用進行脫保護而生成的酚性羥基作為結構單元D的酚性羥基。藉由樹脂包含結構單元D,可更適度地調整於顯影液中的溶解性,其結果,可進一步提高所述感放射線性樹脂組成物的感度等。另外,於使用KrF準分子雷射光、EUV、電子束等作為於抗蝕劑圖案形成方法中的曝光步驟中所照射的放射線的情況下,結構單元D有助於耐蝕刻性的提高以及曝光部與未曝光部之間的顯影液溶解性的差(溶解對比度)的提高。特別是可較佳地應用於使用藉由電子束或EUV等波長50 nm以下的放射線的曝光的圖案形成。結構單元D較佳為由下述式(D)表示。
[化22]
(所述式(D)中,
R
α為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基。
L
CA為單鍵、-COO-*或-O-。*為芳香環側的結合鍵。
R
101為氫原子或於酸的作用下脫保護的保護基。於R
101存在多個的情況下,多個R
101相互相同或不同。
R
102為氰基、硝基、烷基、氟化烷基、烷氧基羰氧基、醯基或醯氧基。
n
d3為0~2的整數,m
d3為1~8的整數,m
4為0~8的整數。其中,滿足1≦m
d3+m
4≦2n
d3+5。)
作為所述R
α,就提供結構單元D的單量體的共聚性的觀點而言,較佳為氫原子或甲基。
作為L
CA,較佳為單鍵或-COO-*。
所述式(AL-1)及式(AL-2)中,R
M1及R
M2為一價烴基,可包含氧原子、硫原子、氮原子、氟原子等雜原子。作為所述一價烴基,可為直鏈狀、分支狀、環狀的任一種,較佳為碳數1~40的烷基,更佳為碳數1~20的烷基。式(AL-1)中,a為0~10的整數,較佳為1~5的整數。所述式(AL-1)~式(AL-3)中,*為與其他部分的結合鍵。
所述式(AL-2)中,R
M3及R
M4分別獨立地為氫原子、或一價烴基,可包含氧原子、硫原子、氮原子、氟原子等雜原子。作為所述一價烴基,可為直鏈狀、分支狀、環狀的任一種,較佳為碳數1~20的烷基。另外,R
M2、R
M3及R
M4的任意兩個亦可相互鍵結並與該些所鍵結的碳原子或碳原子和氧原子一起形成碳數3~20的環。作為所述環,較佳為碳數4~16的環,特佳為脂環。
所述式(AL-3)中,R
M5、R
M6及R
M7分別獨立地為一價烴基,可包含氧原子、硫原子、氮原子、氟原子等雜原子。作為所述一價烴基,可為直鏈狀、分支狀、環狀的任一種,較佳為碳數1~20的烷基。另外,R
M5、R
M6及R
M7的任意兩個亦可相互鍵結並與該些所鍵結的碳原子一起形成碳數3~20的環。作為所述環,較佳為碳數5~16的環,特佳為脂環。
該些中,作為於酸的作用下脫保護的保護基,較佳為所述式(AL-3)所表示的基。
作為R
102中的烷基,例如可列舉甲基、乙基、丙基等碳數1~8的直鏈或分支的烷基。作為氟化烷基,例如可列舉三氟甲基、五氟乙基等碳數1~8的直鏈或分支的氟化烷基。作為烷氧基羰氧基,例如可列舉甲氧基羰氧基、丁氧基羰氧基及金剛烷基甲基氧基羰氧基等碳數2~16的鏈狀或脂環的烷氧基羰氧基。作為醯基,例如可列舉乙醯基、丙醯基、苯甲醯基及丙烯醯基等碳數2~12的脂肪族或芳香族的醯基。作為醯氧基,例如可列舉乙醯氧基、丙醯氧基、苯甲醯氧基及丙烯醯氧基等碳數2~12的脂肪族或芳香族的醯氧基等。
作為所述n
d3,更佳為0或1,進而佳為0。
作為所述m
d3,較佳為1~3的整數,更佳為1或2。
作為所述m
4,較佳為0~3的整數,更佳為0~2的整數。
作為所述結構單元D,較佳為下述式(D-1)~式(D-10)所表示的結構單元(以下,亦稱為「結構單元(D-1)~結構單元(D-10)」)等。
所述式(D-1)~式(D-10)中,R
α與所述式(D)相同。
該些中,較佳為所述結構單元(D-1)~結構單元(D-4)、結構單元(D-6)及結構單元(D-8)。
作為結構單元D的含有比例(於結構單元D存在多種的情況下為合計),相對於構成樹脂的所有結構單元,較佳為5莫耳%以上,更佳為8莫耳%以上,進而佳為10莫耳%以上,特佳為15莫耳%以上。作為所述含有比例,較佳為60莫耳%以下,更佳為50莫耳%以下,進而佳為40莫耳%以下,特佳為35莫耳%以下。藉由將結構單元D的含有比例設為所述範圍,所述感放射線性樹脂組成物可實現感度、CDU性能及解析度的進一步的提高。
於使羥基苯乙烯等具有酚性羥基的單量體聚合的情況下,較佳為於利用鹼解離性基等保護基保護酚性羥基的狀態下聚合,之後進行水解來脫保護,藉此獲得結構單元D。
(結構單元E)
結構單元E為包含選自由內酯結構、環狀碳酸酯結構及磺內酯結構所組成的群組中的至少一種的結構單元。基礎樹脂藉由進而具有結構單元E,可調整於顯影液中的溶解性,其結果,該感放射線性樹脂組成物可提高解析性等微影性能。另外,可提高由基礎樹脂形成的抗蝕劑圖案與基板的密接性。
作為結構單元E,例如可列舉下述式(T-1)~式(T-10)所表示的結構單元等。
所述式中,R
L1為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基。R
L2~R
L5分別獨立地為氫原子、碳數1~4的烷基、氰基、三氟甲基、甲氧基、甲氧基羰基、羥基、羥基甲基、二甲基胺基。R
L4及R
L5亦可為相互結合並與該些所鍵結的碳原子一起構成的碳數3~8的二價脂環式基。L
2為單鍵或二價連結基。X為氧原子或亞甲基。k為0~3的整數。m為1~3的整數。
作為所述R
L4及R
L5相互結合並與該些所鍵結的碳原子一起構成的碳數3~8的二價脂環式基,只要為自構成所述碳數的單環或多環的脂環式烴的碳環的同一碳原子去除兩個氫原子而成的基,則並無特別限定。可為單環式烴基及多環式烴基的任一種,作為多環式烴基,可為橋環脂環式烴基及縮合脂環式烴基的任一種,亦可為飽和烴基及不飽和烴基的任一種。再者,所謂縮合脂環式烴基是指以多個脂環共有邊(鄰接的兩個碳原子間的鍵)的形式構成的多環性的脂環式烴基。
作為單環的脂環式烴基中飽和烴基,較佳為環戊烷二基、環己烷二基、環庚烷二基、環辛烷二基等,作為不飽和烴基,較佳為環戊烯二基、環己烯二基、環庚烯二基、環辛烯二基、環癸烯二基等。作為多環的脂環式烴基,較佳為橋環脂環式飽和烴基,較佳為例如雙環[2.2.1]庚烷-2,2-二基(降冰片烷-2,2-二基)、雙環[2.2.2]辛烷-2,2-二基、三環[3.3.1.1
3,7]癸烷-2,2-二基(金剛烷-2,2-二基)等。該脂環式基上的一個以上的氫原子亦可經羥基取代。
作為所述L
2所表示的二價連結基,例如可列舉:碳數1~10的二價的直鏈狀或分支狀的烴基、碳數4~12的二價的脂環式烴基、或者由該些烴基的一個以上與-CO-、-O-、-NH-及-S-中的至少一種基構成的基等。
作為結構單元E,該些中較佳為包含內酯結構的結構單元,更佳為包含降冰片烷內酯結構的結構單元,進而佳為源自(甲基)丙烯酸降冰片烷內酯-基酯的結構單元。
另外,作為所述結構單元E,較佳為下述式(6)所表示的結構單元。
[化26]
(所述式(6)中,
X為經R
61取代或未取代的甲烷二基、或者為-O-。
R
T為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基。
R
61為碳數1~20的一價烴基。存在多個的R
61可相同亦可不同。
n
6為0~3的整數。)
式(6)中,R
61獨立地為一價烴基。所述一價烴基可為直鏈狀、分支狀、環狀的任一種,作為其具體例,可列舉與作為構成R
Y及R
Z中的氟化烴基的烴基所列舉的基相同的基,較佳為烷基。另外,該些基的氫原子的一部分亦可經含氧原子、硫原子、氮原子、鹵素原子等雜原子的基取代。
作為所述式(6),例如可列舉下述式(6-1)~式(6-2)所表示的結構單元等。
作為結構單元E的含有比例,相對於構成基礎樹脂的所有結構單元,較佳為5莫耳%以上,更佳為10莫耳%以上,進而佳為20莫耳%以上。作為所述含有比例,較佳為60莫耳%以下,更佳為50莫耳%以下,進而佳為40莫耳%以下。藉由將結構單元E的含有比例設為所述範圍,該感放射線性樹脂組成物可進一步提高解析性等微影性能及所形成的抗蝕劑圖案與基板的密接性。
(樹脂的合成方法)
作為基礎樹脂的樹脂例如可藉由使用公知的自由基聚合起始劑等,使提供各結構單元的單量體於適當的溶劑中進行聚合反應來合成。
作為基礎樹脂的樹脂的分子量並無特別限定,藉由凝膠滲透層析法(gel permeation chromatography,GPC)所得的聚苯乙烯換算重量平均分子量(Mw)較佳為1,000以上,更佳為2,000以上,進而佳為3,000以上,特佳為4,000以上。另外,較佳為50,000以下,更佳為30,000以下,進而佳為15,000以下,特佳為12,000以下。若樹脂的Mw為所述範圍內,則所獲得的抗蝕劑膜的耐熱性及顯影性良好。
作為基礎樹脂的樹脂的Mw相對於藉由GPC所得的聚苯乙烯換算數量平均分子量(Mn)的比(Mw/Mn)通常為1以上且5以下,較佳為1以上且3以下,進而佳為1以上且2以下。
本說明書中的樹脂的Mw及Mn是使用以下條件下的凝膠滲透層析法(GPC)而測定的值。
GPC管柱:G2000HXL 2根、G3000HXL 1根、G4000HXL 1根(以上為東曹(Tosoh)製造)
管柱溫度:40℃
溶出溶劑:四氫呋喃
流速:1.0 mL/min
試樣濃度:1.0質量%
試樣注入量:100 μL
檢測器:示差折射計
標準物質:單分散聚苯乙烯
作為樹脂的含量,相對於所述感放射線性樹脂組成物的總固體成分,較佳為70質量%以上,更佳為75質量%以上,進而佳為80質量%以上。
<其他樹脂>
本實施形態的感放射線性樹脂組成物亦可包含氟原子的質量含有率大於所述基礎樹脂的樹脂(以下,亦稱為「高氟含量樹脂」)作為其他樹脂。於所述感放射線性樹脂組成物含有高氟含量樹脂的情況下,可相對於所述基礎樹脂而偏向存在於抗蝕劑膜的表層,其結果,可將抗蝕劑膜表面的狀態或抗蝕劑膜中的成分分佈控制為所期望的狀態。
所述式(f0)中,R
13為氫原子、甲基或三氟甲基。G
L為單鍵、氧原子、硫原子、-COO-、-SO
2ONH-、-CONH-或-OCONH-。R
14為碳數1~20的一價氟化鏈狀烴基或碳數3~20的一價氟化脂環式烴基。
作為所述R
13,就提供結構單元F的單量體的共聚性的觀點而言,較佳為氫原子及甲基,更佳為甲基。
作為所述G
L,就提供結構單元F的單量體的共聚性的觀點而言,較佳為單鍵及-COO-,更佳為-COO-。
作為所述R
14所表示的碳數1~20的一價氟化鏈狀烴基,可列舉碳數1~20的直鏈或分支鏈烷基所具有的氫原子的一部分或全部由氟原子取代而成者。
作為所述R
14所表示的碳數3~20的一價氟化脂環式烴基,可列舉碳數3~20的單環或多環式烴基所具有的氫原子的一部分或全部由氟原子取代而成者。
作為所述R
14,較佳為氟化鏈狀烴基,更佳為氟化烷基,進而佳為2,2,2-三氟乙基、1,1,1,3,3,3-六氟丙基、5,5,5-三氟-1,1-二乙基戊基及1,1,1,2,2,3,3-七氟-6-甲基庚烷-4-基。
於高氟含量樹脂具有結構單元F的情況下,作為結構單元F的含有比例,相對於構成高氟含量樹脂的所有結構單元,較佳為50莫耳%以上,更佳為60莫耳%以上,進而佳為70莫耳%以上。另外,作為所述含有比例,較佳為100莫耳%以下,更佳為95莫耳%以下,進而佳為90莫耳%以下。藉由將結構單元F的含有比例設為所述範圍,可更適度地調整高氟含量樹脂的氟原子的質量含有率,進一步促進於抗蝕劑膜的表層上的偏向存在化。
高氟含量樹脂除可具有結構單元F以外,亦可具有下述式(f-1)所表示的含氟原子的結構單元(以下,亦稱為結構單元f)。藉由高氟含量樹脂具有結構單元f,於鹼性顯影液中的溶解性提高,可抑制顯影缺陷的產生。
[化29]
結構單元f大致區分為具有(x)鹼可溶性基的情況、及具有(y)藉由鹼的作用而解離且於鹼性顯影液中的溶解性增大的基(以下,亦簡稱為「鹼解離性基」)的情況此兩種情況。與(x)、(y)兩者共通,所述式(f-1)中,R
C為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基。R
D為單鍵、碳數1~20的(s+1)價的烴基、於該烴基的R
E側的末端鍵結有氧原子、硫原子、-NR
dd-、羰基、-COO-或-CONH-的結構、或者該烴基所具有的氫原子的一部分由具有雜原子的有機基取代的結構。R
dd為氫原子或碳數1~10的一價烴基。s為1~3的整數。
於結構單元f具有(x)鹼可溶性基的情況下,R
F為氫原子,A
1為氧原子、-COO-*或-SO
2O-*。*表示與R
F鍵結的部位。W
1為單鍵、碳數1~20的烴基或二價氟化烴基。於A
1為氧原子的情況下,W
1為於A
1所鍵結的碳原子上具有氟原子或氟烷基的氟化烴基。R
E為單鍵或碳數1~20的二價有機基。於s為2或3的情況下,多個R
E、W
1、A
1及R
F可分別相同亦可不同。藉由結構單元f具有(x)鹼可溶性基,可提高對於鹼性顯影液的親和性,並抑制顯影缺陷。作為具有(x)鹼可溶性基的結構單元f,特佳為A
1為氧原子且W
1為1,1,1,3,3,3-六氟-2,2-甲烷二基的情況。
於結構單元f具有(y)鹼解離性基的情況下,R
F為碳數1~30的一價有機基,A
1為氧原子、-NR
aa-、-COO-*或-SO
2O-*。R
aa為氫原子或碳數1~10的一價烴基。*表示與R
F鍵結的部位。W
1為單鍵或碳數1~20的二價氟化烴基。R
E為單鍵或碳數1~20的二價有機基。於A
1為-COO-*或-SO
2O-*的情況下,W
1或R
F於與A
1鍵結的碳原子或與其鄰接的碳原子上具有氟原子。於A
1為氧原子的情況下,W
1、R
E為單鍵,R
D為於碳數1~20的烴基的R
E側的末端鍵結有羰基的結構,R
F為具有氟原子的有機基。於s為2或3的情況下,多個R
E、W
1、A
1及R
F可分別相同亦可不同。藉由結構單元f具有(y)鹼解離性基,於鹼顯影步驟中,抗蝕劑膜表面自疏水性變化為親水性。其結果,可大幅提高對於顯影液的親和性,更有效率地抑制顯影缺陷。作為具有(y)鹼解離性基的結構單元f,特佳為A
1為-COO-*且R
F或W
1或者該些兩者具有氟原子者。
作為R
C,就提供結構單元f的單量體的共聚性等觀點而言,較佳為氫原子及甲基,更佳為甲基。
於R
E為二價有機基的情況下,較佳為具有內酯結構的基,更佳為多環的具有內酯結構的基,進而佳為具有降冰片烷內酯結構的基。
於高氟含量樹脂具有結構單元f的情況下,作為結構單元f的含有比例,相對於構成高氟含量樹脂的所有結構單元,較佳為10莫耳%以上,更佳為20莫耳%以上,進而佳為30莫耳%以上,特佳為35莫耳%以上。作為所述含有比例,較佳為90莫耳%以下,更佳為75莫耳%以下,進而佳為60莫耳%以下。藉由將結構單元f的含有比例設為所述範圍,可進一步提高液浸曝光時的抗蝕劑膜的撥水性。
作為高氟含量樹脂的Mw,較佳為1,000以上,更佳為2,000以上,進而佳為3,000以上,特佳為5,000以上。作為所述Mw,較佳為50,000以下,更佳為30,000以下,進而佳為20,000以下,特佳為15,000以下。
作為高氟含量樹脂的Mw/Mn,通常為1以上,更佳為1.1以上。作為所述Mw/Mn,通常為5以下,較佳為3以下,更佳為2.5以下,進而佳為2.2以下。
作為高氟含量樹脂的含量,相對於所述基礎樹脂(於包含感放射線性酸產生樹脂及樹脂的情況下為合計量)100質量份,較佳為1質量份以上,更佳為2質量份以上,進而佳為3質量份以上。作為所述含量,較佳為20質量份以下,更佳為15質量份以下,進而佳為10質量份以下。藉由將高氟含量樹脂的含量設為所述範圍,可使高氟含量樹脂更有效果地偏向存在於抗蝕劑膜的表層,其結果,於顯影時可抑制圖案上部的溶出,可提高圖案的矩形性。所述感放射線性樹脂組成物亦可含有一種或兩種以上的高氟含量樹脂。
(高氟含量樹脂的合成方法)
高氟含量樹脂可藉由與所述基礎樹脂的合成方法相同的方法來合成。
<鎓鹽>
鎓鹽包含有機酸根陰離子部分與鎓陽離子部分,且是藉由曝光而產生酸的成分。藉由鎓鹽中的至少一部分鎓陽離子部分包含具有氟原子的芳香環結構,可達成由酸產生效率的提高帶來的高感度化與由酸擴散控制性帶來的CDU性能的發揮。
感放射線性樹脂組成物中的鎓鹽的含有形態並無特別限定,但是所述鎓鹽較佳為選自由感放射線性酸產生樹脂、感放射線性酸產生劑、及酸擴散控制劑所組成的群組中的至少一種,所述感放射線性酸產生樹脂包含具有所述有機酸根陰離子部分與所述鎓陽離子部分的結構單元,所述感放射線性酸產生劑包含所述有機酸根陰離子部分與所述鎓陽離子部分,所述酸擴散控制劑包含所述有機酸根陰離子部分與所述鎓陽離子部分,藉由放射線的照射而產生與由所述感放射線性酸產生劑產生的酸相比具有更高的pKa的酸。以下,對該些功能的不同進行說明。
認為藉由針對鎓鹽的曝光而產生的酸根據該酸的強度而於感放射線性樹脂組成物中承擔兩種功能。作為第一功能,可列舉如下功能:於樹脂包含具有酸解離性基的結構單元的情況下,藉由曝光而產生的酸使該結構單元所具有的酸解離性基解離並產生羧基等。將具有該第一功能的鎓鹽稱為感放射線性酸產生劑。作為第二功能,可列舉如下功能:於使用所述感放射線性樹脂組成物的圖案形成條件下,實質上不使樹脂所具有的酸解離性基解離,於未曝光部中藉由鹽交換來抑制由所述感放射線性酸產生劑產生的酸的擴散。將具有該第二功能的鎓鹽稱為酸擴散控制劑。由酸擴散控制劑產生的酸可稱為較由感放射線性酸產生劑產生的酸而言為相對弱酸(pKa高的酸)。鎓鹽是否作為感放射線性酸產生劑或酸擴散控制劑而發揮功能是由解離樹脂所具有的酸解離性基所需的能量、及鎓鹽的酸性度來決定。作為感放射線性樹脂組成物中的感放射線性酸產生劑的含有形態,可為鎓鹽結構其單獨作為化合物而存在(自聚合體游離)的形態,亦可為鎓鹽結構作為聚合體的一部分而組入的形態,抑或可為該些兩種形態。將鎓鹽結構作為聚合體的一部分而組入的形態特別稱為感放射線性酸產生樹脂。
藉由感放射線性樹脂組成物含有所述感放射線性酸產生劑或感放射線性酸產生樹脂,曝光部的樹脂的極性增大,曝光部中的樹脂於鹼性水溶液顯影的情況下相對於顯影液呈溶解性,另一方面,於有機溶媒顯影的情況下相對於顯影液呈難溶性。
另外,藉由感放射線性樹脂組成物含有所述酸擴散控制劑,可抑制未曝光部中的酸的擴散,可形成圖案顯影性、CDU性能更優異的抗蝕劑圖案。
於該感放射線性樹脂組成物中,只要選自由所述感放射線性酸產生樹脂、所述感放射線性酸產生劑及所述酸擴散控制劑所組成的群組中的至少一種中的所述鎓陽離子部分包含所述具有氟原子的芳香環結構即可。
即便鎓鹽為任一含有形態,有機酸根陰離子部分亦較佳為具有選自由磺酸根陰離子、羧酸根陰離子及磺醯亞胺陰離子所組成的群組中的至少一種。另外,鎓陽離子較佳為選自由鋶陽離子及錪陽離子所組成的群組中的至少一種。藉由鎓鹽組合具有該些結構,可有效率地發揮所述功能。
作為藉由曝光而產生的酸,可列舉與所述有機酸根陰離子對應地藉由曝光而產生磺酸、羧酸、磺醯亞胺的酸。
例如,作為藉由曝光而提供磺酸的鎓鹽,可列舉:
(1)於與磺酸根陰離子鄰接的碳原子上鍵結有一個以上的氟原子或氟化烴基的化合物、
(2)於與磺酸根陰離子鄰接的碳原子上未鍵結氟原子及氟化烴基的任一者的化合物。
作為藉由曝光而提供羧酸的鎓鹽,可列舉:
(3)於與羧酸根陰離子鄰接的碳原子上鍵結有一個以上的氟原子或氟化烴基的化合物、
(4)於與羧酸根陰離子鄰接的碳原子上未鍵結氟原子及氟化烴基的任一者的化合物。
該些中,作為感放射線性酸產生劑或感放射線性酸產生樹脂,較佳為相當於所述(1)者。作為酸擴散控制劑,較佳為相當於所述(2)、(3)或(4)者,特佳為相當於(2)或(4)者。
<感放射線性酸產生劑>
感放射線性酸產生劑包含有機酸根陰離子部分與鎓陽離子部分。感放射線性酸產生劑較佳為由下述式(pd-1)或下述式(pd-2)表示。
式(pd-1)及式(pd-2)中,L
pd1為單鍵、醚鍵或酯鍵、或者可包含醚鍵或酯鍵的碳數1~6的伸烷基。所述伸烷基可為直鏈狀、分支狀、環狀的任一種。
R
pd1為羥基、羧基、氟原子、氯原子、溴原子、胺基、碳數1~20的烷基、碳數1~20的烷氧基、碳數2~10的烷氧基羰基、碳數2~20的醯氧基、碳數1~20的烷基磺醯氧基、-NR
pd6-C(=O)-R
pd7或-NR
pd6-C(=O)-O-R
pd7。該些碳數1~20的烷基、碳數1~20的烷氧基或氟原子可經氯原子、溴原子、羥基、胺基或碳數1~10的烷氧基取代。R
pd6為氫原子,或者為可包含鹵素原子、羥基、碳數1~6的烷氧基、碳數2~6的醯基或碳數2~6的醯氧基的碳數1~6的烷基。R
pd7為碳數1~16的烷基、碳數2~16的烯基、或碳數6~12的芳基,該些基可包含鹵素原子、羥基、碳數1~6的烷氧基、碳數2~6的醯基、或碳數2~6的醯氧基。所述烷基、烷氧基、烷氧基羰基、醯氧基、醯基及烯基可為直鏈狀、分支狀、環狀的任一種。
該些中,作為R
pd1,較佳為羥基、-NR
pd6-C(=O)-R
pd7、氟原子、氯原子、溴原子、甲基、甲氧基等。
p
pd為滿足0≦p
pd≦3的整數。R
pd2於p
pd為0時為氫原子或碳數1~20的一價有機基。於p
pd為1時為單鍵或碳數1~20的二價連結基,於p
pd為2或3時為碳數1~20的三價連結基或四價連結基,該連結基可包含氧原子、硫原子或氮原子。作為p為0時的所述一價有機基,除可列舉與作為構成所述氟化烴基的烴基所列舉的基相同的基以外,亦可列舉構成該烴基的亞甲基的一部分經醚基或酯基取代的一價基。
R
fpd1~R
fpd4分別獨立地為氫原子、氟原子或三氟甲基,但該些中至少一個為氟原子或三氟甲基。特佳為R
fpd3及R
fpd4均為氟原子。
R
pd1、R
pd2、R
pd3、R
pd4及R
pd5分別獨立地為可包含雜原子的碳數1~20的一價烴基。R
pd1、R
pd2及R
pd3可包含一個以上的氟原子,R
pd4及R
pd5可包含一個以上的氟原子。另外,R
pd1、R
pd2及R
pd3中的任意兩個可相互鍵結並與該些所鍵結的硫原子一起形成環。所述一價烴基可為直鏈狀、分支狀、環狀的任一種,作為其具體例,可列舉與作為構成所述氟化烴基的烴基所列舉的基相同的基。另外,該些基的氫原子的一部分或全部亦可經羥基、羧基、鹵素原子、氰基、醯胺基、硝基、巰基、磺內酯基、碸基或含鋶鹽的基取代。
q
pd及r
pd為滿足0≦q
pd≦5、0≦r
pd≦3、及0≦q
pd+r
pd≦5的整數。q
pd較佳為滿足1≦q
pd≦3的整數,更佳為2或3。r
pd較佳為滿足0≦r
pd≦2的整數。
作為所述式(pd-1)及式(pd-2)所表示的感放射線性酸產生劑的有機酸根陰離子部分,可列舉以下所示者,但並不限定於該些。再者,下述所示者均為具有碘取代芳香環結構的有機酸根陰離子部分,但作為不具有碘取代芳香環結構的有機酸根陰離子部分,可較佳地採用下述式中的碘原子經氫原子或其他取代基等碘原子以外的原子或基取代的結構。
作為所述式(pd-1)及式(pd-2)所表示的感放射線性酸產生劑中的鎓陽離子部分,可較佳地採用感放射線性酸產生樹脂的結構單元中的鎓陽離子部分。
所述式(pd-1)及式(pd-2)所表示的感放射線性酸產生劑亦可藉由公知的方法、特別是鹽交換反應來合成。
該些感放射線性酸產生劑可單獨使用,亦可併用兩種以上。相對於基礎樹脂(於包含感放射線性酸產生樹脂及後述的樹脂的情況下為合計量)100質量份,感放射線性酸產生劑的含量較佳為3質量份以上,更佳為5質量份以上,進而佳為7質量份以上。另外,相對於所述樹脂100質量份,較佳為20質量份以下,更佳為15質量份以下,進而佳為13質量份以下。藉此,於形成抗蝕劑圖案時可發揮優異的感度或CDU性能。
<酸擴散控制劑>
酸擴散控制劑包含有機酸根陰離子部分與鎓陽離子部分,藉由放射線的照射而產生與由所述感放射線性酸產生劑產生的酸相比具有更高的pKa的酸。酸擴散控制劑較佳為由下述式(ps-1)或下述式(ps-2)表示。
式(ps-1)及式(ps-2)中,R
ps1為氫原子、羥基、氟原子、氯原子、胺基、硝基、氰基、碳數1~6的烷基、碳數1~6的烷氧基、碳數2~6的醯氧基、碳數1~4的烷基磺醯氧基、-NR
ps1A-C(=O)-R
ps1B、-NR
ps1A-C(=O)-O-R
ps1B。碳數1~6的烷基、碳數1~6的烷氧基、碳數2~6的醯氧基及碳數1~4的烷基磺醯氧基可經鹵素原子取代。R
ps1A為氫原子、或碳數1~6的烷基,R
ps1B為碳數1~6的烷基、或碳數2~8的烯基。
所述碳數1~6的烷基可為直鏈狀、分支狀、環狀的任一種,作為其具體例,可列舉:甲基、乙基、正丙基、異丙基、環丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、環丁基、正戊基、環戊基、正己基、環己基等。另外,作為碳數1~6的烷氧基、碳數2~7的醯氧基、碳數2~7的烷氧基羰基的烷基部,可列舉與所述烷基的具體例相同者,作為所述碳數1~4的烷基磺醯氧基的烷基部,可列舉所述烷基的具體例中碳數1~4者。所述碳數2~8的烯基可為直鏈狀、分支狀、環狀的任一種,作為其具體例,可列舉:乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基等。該些中,作為R
ps1,較佳為氫原子、氟原子、氯原子、羥基、胺基、碳數1~3的烷基、碳數1~3的烷氧基、碳數2~4的醯氧基、-NR
ps1A-C(=O)-R
ps1B、-NR
ps1A-C(=O)-O-R
ps1B。
R
ps1、R
ps2、R
ps3、R
ps4及R
ps5分別獨立地為可包含雜原子的碳數1~20的一價烴基。R
ps1、R
ps2及R
ps3包含一個以上的氟原子,R
ps4及R
ps5包含一個以上的氟原子。另外,R
ps1、R
ps2及R
ps3的任意兩個亦可相互鍵結並與該些所鍵結的硫原子一起形成環。所述一價烴基可為直鏈狀、分支狀、環狀的任一種,作為其具體例,可列舉:碳數1~12的烷基、碳數2~12的烯基、碳數2~12的炔基、碳數6~20的芳基、碳數7~12的芳烷基等。另外,該些基的氫原子的一部分或全部可經羥基、羧基、鹵素原子、氰基、醯胺基、硝基、巰基、磺內酯基、碸基或含鋶鹽的基取代,該些基的碳原子的一部分可經醚鍵、酯鍵、羰基、碳酸酯基或磺酸酯鍵取代。
L
ps1為單鍵、或碳數1~20的二價連結基。作為二價連結基,可列舉:醚鍵、羰基、酯鍵、醯胺鍵、磺內酯環、內醯胺環、碳酸酯鍵、羧基及二價烴基組合而成的基,二價烴基可經鹵素原子、羥基或羧基取代。作為所述二價烴基,可列舉:碳數1~12的伸烷基、碳數3~12的伸環烷基、或碳數6~10的伸芳基,作為其具體例,可列舉與式(2)及式(3)中的X
c2中例示的基相同的基。
m
ps及n
ps為滿足0≦m
ps≦5、0≦n
ps≦3、及0≦m
ps+n
ps≦5的整數,但較佳為滿足1≦m
ps≦3、0≦n
ps≦2的整數。
作為所述式(ps-1)或式(ps-2)所表示的酸擴散控制劑的陰離子,可列舉以下所示者,但並不限定於該些。再者,下述所示者均為具有碘取代芳香環結構的有機酸根陰離子部分,但作為不具有碘取代芳香環結構的有機酸根陰離子部分,可較佳地採用下述式中的碘原子經氫原子或其他取代基等碘原子以外的原子或基取代的結構。
作為所述式(ps-1)及式(ps-2)所表示的酸擴散控制劑中的鎓陽離子部分,可較佳地採用感放射線性酸產生樹脂的結構單元中的鎓陽離子部分。
所述式(ps-1)及式(ps-2)所表示的酸擴散控制劑亦可藉由公知的方法、特別是鹽交換反應來合成。
該些酸擴散控制劑可單獨使用,亦可併用兩種以上。相對於感放射線性酸產生劑的含量(於包含感放射線性酸產生樹脂的情況下為與感放射線性酸產生樹脂100質量份中的結構單元的含量的合計),酸擴散控制劑的含有比例較佳為10質量%以上,更佳為15質量%以上,進而佳為20質量%以上。另外,所述比例較佳為100質量%以下,更佳為80質量%以下,進而佳為60質量%以下。藉此,於形成抗蝕劑圖案時可發揮優異的感度或CDU性能。
<化合物>
感放射線性樹脂組成物較佳為包含具有於氮原子上鍵結有烷氧基羰基的結構的化合物作為淬滅劑。藉由包含該化合物,可適度地控制產生酸的擴散長度,可提高圖案形成性或CDU性能。
<溶劑>
本實施形態的感放射線性樹脂組成物含有溶劑。溶劑只要為至少能夠將基礎樹脂(感放射線性酸產生樹脂及樹脂中的至少一種)、以及視需要含有的添加劑等溶解或分散的溶劑,則並無特別限定。
作為溶劑,例如可列舉:醇系溶劑、醚系溶劑、酮系溶劑、醯胺系溶劑、酯系溶劑、烴系溶劑等。
作為醇系溶劑,例如可列舉:
異丙醇、4-甲基-2-戊醇、3-甲氧基丁醇、正己醇、2-乙基己醇、糠醇、環己醇、3,3,5-三甲基環己醇、二丙酮醇等碳數1~18的單醇系溶劑;
乙二醇、1,2-丙二醇、2-甲基-2,4-戊二醇、2,5-己二醇、二乙二醇、二丙二醇、三乙二醇、三丙二醇等碳數2~18的多元醇系溶劑;
將所述多元醇系溶劑所具有的羥基的一部分醚化而成的多元醇部分醚系溶劑等。
作為醚系溶劑,例如可列舉:
二乙醚、二丙醚、二丁醚等二烷基醚系溶劑;
四氫呋喃、四氫吡喃等環狀醚系溶劑;
二苯醚、苯甲醚(甲基苯醚)等含芳香環的醚系溶劑;
將所述多元醇系溶劑所具有的羥基醚化而成的多元醇醚系溶劑等。
作為酮系溶劑,例如可列舉:丙酮、丁酮、甲基-異丁基酮等鏈狀酮系溶劑;
環戊酮、環己酮、甲基環己酮等環狀酮系溶劑;
2,4-戊二酮、丙酮基丙酮、苯乙酮等。
作為醯胺系溶劑,例如可列舉:N,N'-二甲基咪唑啶酮、N-甲基吡咯啶酮等環狀醯胺系溶劑;
N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二乙基甲醯胺、乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基丙醯胺等鏈狀醯胺系溶劑等。
作為酯系溶劑,例如可列舉:
乙酸正丁酯、乳酸乙酯等單羧酸酯系溶劑;
二乙二醇單正丁醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、二丙二醇單甲醚乙酸酯等多元醇部分醚乙酸酯系溶劑;
γ-丁內酯、戊內酯等內酯系溶劑;
碳酸二乙酯、碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等碳酸酯系溶劑;
二乙酸丙二醇、乙酸甲氧基三甘醇酯、乙二酸二乙酯、乙醯乙酸乙酯、乳酸乙酯、鄰苯二甲酸二乙酯等多元羧酸二酯系溶劑。
作為烴系溶劑,例如可列舉:
正己烷、環己烷、甲基環己烷等脂肪族烴系溶劑;
苯、甲苯、二異丙基苯、正戊基萘等芳香族烴系溶劑等。
該些中,較佳為酯系溶劑、酮系溶劑,更佳為多元醇部分醚乙酸酯系溶劑、環狀酮系溶劑、內酯系溶劑,進而佳為丙二醇單甲醚乙酸酯、環己酮、γ-丁內酯。該感放射線性樹脂組成物亦可含有一種或兩種以上的溶劑。
<其他任意成分>
所述感放射線性樹脂組成物除可含有所述成分以外,亦可含有其他任意成分。作為所述其他任意成分,例如可列舉:交聯劑、偏向存在化促進劑、界面活性劑、含脂環式骨架的化合物、增感劑等。該些其他任意成分亦可分別併用一種或兩種以上。
於使用感放射線性酸產生樹脂的情況下,所述感放射線性酸產生樹脂包含:由所述式(1)表示且具有酸解離性基的重複單元A、與含有有機酸根陰離子部分及包含具有氟原子的芳香環結構的鋶陽離子部分的重複單元B,
較佳為進而包含選自由感放射線性酸產生劑、及酸擴散控制劑所組成的群組中的至少一種,
所述感放射線性酸產生劑包含有機酸根陰離子部分與鎓陽離子部分,
所述酸擴散控制劑包含有機酸根陰離子部分與鎓陽離子部分,藉由放射線的照射而產生與由所述感放射線性酸產生劑產生的酸相比具有更高的pKa的酸。
另外,於使用感放射線性樹脂組成物的情況下,所述感放射線性樹脂組成物包含:
感放射線性酸產生樹脂,含有由所述式(1)表示且具有酸解離性基的重複單元A、與具有有機酸根陰離子部分及鎓陽離子部分的重複單元C;
鎓鹽,含有有機酸根陰離子部分與包含具有氟原子的芳香環結構的鋶陽離子;以及
溶劑,
較佳為
所述鎓鹽包含選自由感放射線性酸產生劑、及酸擴散控制劑所組成的群組中的至少一種,
所述感放射線性酸產生劑包含有機酸根陰離子部分與鎓陽離子部分,
所述酸擴散控制劑包含有機酸根陰離子部分與鎓陽離子部分,藉由放射線的照射而產生與由所述感放射線性酸產生劑產生的酸相比具有更高的pKa的酸,
構成所述感放射線性酸產生劑的鎓陽離子部分及構成酸擴散控制劑的鎓陽離子部分的至少一者為包含具有氟原子的芳香環結構的鋶陽離子。
<感放射線性樹脂組成物的製備方法>
所述感放射線性樹脂組成物例如可藉由將基礎樹脂(感放射線性酸產生樹脂及樹脂中的至少一種)及溶劑與視需要的其他任意成分以規定的比例混合來製備。所述感放射線性樹脂組成物較佳為於混合後利用例如孔徑0.05 μm左右的過濾器等進行過濾。作為所述感放射線性樹脂組成物的固體成分濃度,通常為0.1質量%~50質量%,較佳為0.5質量%~30質量%,更佳為1質量%~20質量%。
<圖案形成方法>
本實施形態的圖案形成方法包括:
將所述感放射線性樹脂組成物直接或間接地塗佈於基板上來形成抗蝕劑膜的步驟(1)(以下,亦稱為「抗蝕劑膜形成步驟」);
對所述抗蝕劑膜進行曝光的步驟(2)(以下,亦稱為「曝光步驟」);以及
對經曝光的所述抗蝕劑膜進行顯影的步驟(3)(以下,亦稱為「顯影步驟」)。
根據所述圖案形成方法,由於使用曝光步驟中的感度或CDU性能優異的所述感放射線性樹脂組成物,因此可形成高品質的抗蝕劑圖案。以下,對各步驟進行說明。
[抗蝕劑膜形成步驟]
於本步驟(所述步驟(1))中,利用所述感放射線性樹脂組成物形成抗蝕劑膜。作為形成該抗蝕劑膜的基板,例如可列舉:矽晶圓、經二氧化矽、鋁被覆的晶圓等先前公知者等。另外,例如亦可將日本專利特公平6-12452號公報或日本專利特開昭59-93448號公報等中所揭示的有機系或無機系的抗反射膜形成於基板上。作為塗佈方法,例如可列舉:旋轉塗佈(旋塗)、流延塗佈、輥塗佈等。於塗佈後,為了使塗膜中的溶劑揮發,視需要可進行預烘烤(prebake,PB)。作為PB溫度,通常為60℃~140℃,較佳為80℃~120℃。作為PB時間,通常為5秒~600秒,較佳為10秒~300秒。作為所形成的抗蝕劑膜的膜厚,較佳為10 nm~1,000 nm,更佳為10 nm~500 nm。
於進行液浸曝光的情況下,不管所述感放射線性樹脂組成物中的所述高氟含量樹脂等撥水性聚合體添加劑的有無,出於避免液浸液與抗蝕劑膜的直接接觸的目的,亦可於所述形成的抗蝕劑膜上設置對液浸液而言為不溶性的液浸用保護膜。作為液浸用保護膜,可使用顯影步驟之前藉由溶劑而剝離的溶劑剝離型保護膜(例如,參照日本專利特開2006-227632號公報)、與顯影步驟的顯影同時剝離的顯影液剝離型保護膜(例如,參照WO2005-069076號公報、WO2006-035790號公報)的任一者。其中,就產量的觀點而言,較佳為使用顯影液剝離型液浸用保護膜。
另外,於利用波長50 nm以下的放射線進行作為下一步驟的曝光步驟的情況下,較佳為使用具有所述結構單元b1、結構單元b2及結構單元c、視需要的結構單元d的樹脂作為所述組成物中的基礎樹脂。
[曝光步驟]
於本步驟(所述步驟(2))中,介隔光罩(視情況介隔水等液浸介質)對所述步驟(1)即抗蝕劑膜形成步驟中所形成的抗蝕劑膜照射放射線來進行曝光。作為曝光中使用的放射線,根據目標圖案的線寬,例如可列舉:可見光線、紫外線、遠紫外線、極紫外線(EUV)、X射線、γ射線等電磁波;電子束、α射線等帶電粒子束等。該些中,較佳為遠紫外線、電子束、EUV,更佳為ArF準分子雷射光(波長193 nm)、KrF準分子雷射光(波長248 nm)、電子束、EUV,進而佳為定位為下一代曝光技術的波長50 nm以下的電子束、EUV。
於藉由液浸曝光來進行曝光的情況下,作為所使用的液浸液,例如可列舉水、氟系不活性液體等。液浸液較佳為相對於曝光波長為透明,且折射率的溫度係數盡可能小以將投影至膜上的光學像的應變限制為最小限度的液體,但特別是於曝光光源為ArF準分子雷射光(波長193 nm)的情況下,除所述觀點以外,就獲取的容易性、操作的容易性等方面而言,較佳為使用水。於使用水的情況下,亦可以微小的比例添加使水的表面張力減少並且使界面活性力增大的添加劑。該添加劑較佳為不溶解晶圓上的抗蝕劑膜且可無視對於透鏡的下表面的光學塗層的影響者。作為所使用的水,較佳為蒸餾水。
較佳為於所述曝光後進行曝光後烘烤(post exposure bake,PEB),於抗蝕劑膜的經曝光的部分,利用藉由曝光而由感放射線性酸產生劑產生的酸來促進樹脂等所具有的酸解離性基的解離。藉由該PEB,於曝光部與未曝光部產生對於顯影液的溶解性的差。作為PEB溫度,通常為50℃~180℃,較佳為80℃~130℃。作為PEB時間,通常為5秒~600秒,較佳為10秒~300秒。
[顯影步驟]
於本步驟(所述步驟(3))中,對所述步驟(2)即所述曝光步驟中經曝光的抗蝕劑膜進行顯影。藉此,可形成規定的抗蝕劑圖案。一般於顯影後利用水或醇等淋洗液進行清洗並加以乾燥。
作為所述顯影中使用的顯影液,於鹼顯影的情況下,例如可列舉溶解氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、偏矽酸鈉、氨水、乙基胺、正丙基胺、二乙基胺、二正丙基胺、三乙基胺、甲基二乙基胺、乙基二甲基胺、三乙醇胺、四甲基氫氧化銨(tetramethyl ammonium hydroxide,TMAH)、吡咯、哌啶、膽鹼、1,8-二氮雜雙環-[5.4.0]-7-十一烯、1,5-二氮雜雙環-[4.3.0]-5-壬烯等鹼性化合物的至少一種而成的鹼性水溶液等。該些中,較佳為TMAH水溶液,更佳為2.38質量%TMAH水溶液。
另外,於有機溶劑顯影的情況下,可列舉:烴系溶劑、醚系溶劑、酯系溶劑、酮系溶劑、醇系溶劑等有機溶劑、或者含有有機溶劑的溶劑。作為所述有機溶劑,例如可列舉作為所述感放射線性樹脂組成物的溶劑而列舉的溶劑的一種或兩種以上等。該些中,較佳為酯系溶劑、酮系溶劑。作為酯系溶劑,較佳為乙酸酯系溶劑,更佳為乙酸正丁酯、乙酸戊酯。作為酮系溶劑,較佳為鏈狀酮,更佳為2-庚酮。作為顯影液中的有機溶劑的含量,較佳為80質量%以上,更佳為90質量%以上,進而佳為95質量%以上,特佳為99質量%以上。作為顯影液中的有機溶劑以外的成分,例如可列舉水、矽油等。
作為顯影方法,例如可列舉:使基板於充滿顯影液的槽中浸漬一定時間的方法(浸漬法);藉由利用表面張力使顯影液堆積至基板表面並靜止一定時間來進行顯影的方法(覆液(puddle)法);對基板表面噴霧顯影液的方法(噴霧法);一面以一定速度掃描顯影液噴出噴嘴,一面朝以一定速度旋轉的基板上連續噴出顯影液的方法(動態分配法)等。
[實施例]
以下,示出合成例、實施例及比較例來對本發明進行具體說明,但本發明並不限定於下述實施例。以下示出各種物性值的測定方法。
[Mw及Mn]
聚合體的Mw及Mn是藉由凝膠滲透層析法(GPC),使用東曹公司製造的GPC管柱(「G2000HXL」2根、「G3000HXL」1根、「G4000HXL」1根),並利用以下的條件來測定。
溶離液:四氫呋喃(和光純藥工業公司製造)
流量:1.0 mL/min
試樣濃度:1.0質量%
試樣注入量:100 μL
管柱溫度:40℃
檢測器:示差折射計
標準物質:單分散聚苯乙烯
以下示出實施例的抗蝕劑材料中使用的鋶鹽或錪鹽的酸產生劑PAG1~PAG4的結構。
[合成例]基礎聚合物(P-1~P-12)的合成
將各單體組合並於四氫呋喃(THF)溶劑下進行共聚反應,於甲醇中結晶,進而利用己烷重覆清洗,然後進行分離、乾燥,獲得以下所示的組成的基礎聚合物(P-1~P-12)。所獲得的基礎聚合物的組成藉由
1H-核磁共振(nuclear magnetic resonance,NMR)來確認,Mw及分散度(Mw/Mn)藉由GPC(溶劑:THF,標準:聚苯乙烯)來確認。
P-1:Mw=9,200、Mw/Mn=1.8
P-2:Mw=9,100、Mw/Mn=1.8
P-3:Mw=9,300、Mw/Mn=1.7
P-4:Mw=9,200、Mw/Mn=1.8
P-5:Mw=8,900、Mw/Mn=1.8
P-6:Mw=9,200、Mw/Mn=1.8
P-7:Mw=9,200、Mw/Mn=1.8
P-8:Mw=9,200、Mw/Mn=1.8
P-9:Mw=9,200、Mw/Mn=1.8
P-10:Mw=9,200、Mw/Mn=1.8
P-11:Mw=9,700、Mw/Mn=1.7
P-12:Mw=9,400、Mw/Mn=1.8
[實施例、比較例]
於溶解有100 ppm的作為界面活性劑的3M公司製造的FC-4430的溶劑中以表1中所示的組成溶解各成分,利用0.2 μm尺寸的過濾器對所得的溶液進行過濾,從而製備抗蝕劑材料。
表1中,各成分如以下般。
有機溶劑:丙二醇單甲醚乙酸酯(propylene glycol monomethyl ether acetate,PGMEA)
γ-丁內酯(γ-butyrolactone,GBL)
環己酮(cyclohexanone,CHN)
丙二醇單甲醚(propylene glycol monomethyl ether,PGME)
二丙酮醇(diacetone alcohol,DAA)
[EUV曝光評價]
[實施例1~實施例15、比較例1~比較例3]
將表1中所示的各感放射線性樹脂組成物旋塗於以20 nm膜厚形成有信越化學工業(股)製造的含矽的旋塗式硬遮罩SHB-A940(矽的含量為43質量%)的Si基板上。使用加熱板於105℃下預烘烤60秒鐘,從而製作膜厚60 nm的抗蝕劑膜。使用艾斯莫耳(ASML)公司製造的EUV掃描儀NXE3300(NA 0.33、σ0.9/0.6、四極照明、晶圓上尺寸為間距46 nm、+20%偏差的孔圖案的遮罩)對所述抗蝕劑膜進行曝光。於100℃的加熱板上進行60秒鐘PEB。利用2.38質量%TMAH水溶液進行30秒鐘顯影,獲得尺寸23 nm的孔圖案。測定以孔尺寸23 nm形成時的曝光量,將其作為感度。另外,使用日立先端科技(Hitachi High-technologies)(股)製造的測長SEM(CG5000)來測定50個孔的尺寸,並求出CDU(尺寸偏差3σ)。將結果示於表1中。
[表1]
基礎樹脂 (質量份) | PAG (質量份) | 酸擴散控制劑 (質量份) | 溶劑 (質量份) | 添加劑 (質量份) | 感度 [mJ/cm 2] | CDU [nm] | |
實施例1 | P-1 (100) | PAG1 (8.0) | Q-1 (4.0) | PGMEA/DAA (2,000/500) | F-1 (3.0) | 14 | 2.5 |
實施例2 | P-2 (100) | PAG1 (8.0) | Q-1 (4.0) | PGMEA/DAA (2,000/500) | F-1 (3.0) | 14 | 2.5 |
實施例3 | P-3 (100) | PAG1 (8.0) | Q-1 (4.0) | PGMEA/DAA (2,000/500) | F-1 (3.0) | 13 | 2.5 |
實施例4 | P-4 (100) | PAG1 (8.0) | Q-1 (4.0) | PGMEA/DAA (2,000/500) | F-1 (3.0) | 14 | 2.5 |
實施例5 | P-5 (100) | PAG1 (8.0) | Q-1 (4.0) | PGMEA/DAA (2,000/500) | F-1 (3.0) | 13 | 2.5 |
實施例6 | P-1 (100) | PAG2 (8.0) | Q-2 (4.0) | PGMEA/DAA (2,000/500) | F-1 (3.0) | 14 | 2.5 |
實施例7 | P-6 (100) | PAG2 (8.0) | Q-1 (4.0) | PGMEA/DAA (2,000/500) | F-1 (3.0) | 14 | 2.5 |
實施例8 | P-7 (100) | PAG2 (8.0) | Q-1 (4.0) | PGMEA/DAA (2,000/500) | F-1 (3.0) | 15 | 2.5 |
實施例9 | P-8 (100) | PAG3 (8.0) | Q-1 (4.0) | PGMEA/DAA (2,000/500) | F-1 (3.0) | 15 | 2.3 |
實施例10 | P-9 (100) | PAG2 (8.0) | Q-1 (4.0) | PGMEA/DAA (2,000/500) | F-1 (3.0) | 14 | 2.5 |
實施例11 | P-10 (100) | PAG2 (8.0) | Q-1 (4.0) | PGMEA/DAA (2,000/500) | F-1 (3.0) | 13 | 2.5 |
實施例12 | P-6 (100) | PAG1 (7.0) | Q-3 (3.5) | PGMEA/CHN/PGME (400/2,000/100) | F-1 (3.0) | 14 | 2.3 |
實施例13 | P-11 (100) | PAG1 (7.0) | Q-2 (3.5) | PGMEA/CHN/PGME (400/2,000/100) | F-1 (3.0) | 13 | 2.3 |
實施例14 | P-6 (100) | PAG2 (7.0) | Q-2 (3.5) | PGMEA/CHN/PGME (400/2,000/100) | F-1 (3.0) | 14 | 2.5 |
實施例15 | P-6 (100) | PAG1 (6.0) | Q-2 (3.5) | PGMEA/CHN/PGME (400/2,000/100) | F-1 (3.0) | 13 | 2.5 |
比較例1 | P-12 (100) | PAG2 (8.0) | Q-1 (4.0) | PGMEA/GBL (2,200/300) | F-1 (3.0) | 16 | 2.5 |
比較例2 | P-1 (100) | PAG4 (8.0) | Q-1 (4.0) | PGMEA/GBL (2,200/300) | F-1 (3.0) | 16 | 2.3 |
比較例3 | P-1 (100) | PAG2 (8.0) | Q-1 (4.0) | PGMEA/GBL/PGME (2,200/200/100) | F-1 (3.0) | 16 | 2.5 |
關於對經過所述EUV曝光而形成的抗蝕劑圖案進行評價的結果,實施例的感放射線性樹脂組成物的感度及CDU性能良好。
[產業上之可利用性]
根據所述說明的感放射線性樹脂組成物及抗蝕劑圖案形成方法,可形成對於曝光光的感度良好、CDU性能優異的抗蝕劑圖案。因此,該些可較佳地用於預想今後進一步進行微細化的半導體器件的加工製程等中。
無
無
Claims (11)
- 如請求項1所述的感放射線性樹脂組成物,進而包含選自由感放射線性酸產生劑、及酸擴散控制劑所組成的群組中的至少一種, 所述感放射線性酸產生劑包含有機酸根陰離子部分與鎓陽離子部分, 所述酸擴散控制劑包含有機酸根陰離子部分與鎓陽離子部分,藉由放射線的照射而產生與由所述感放射線性酸產生劑產生的酸相比具有更高的pKa的酸。
- 如請求項1或請求項2所述的感放射線性樹脂組成物,其中所述重複單元B為源自下述式(2)所表示的單量體或式(3)所表示的單量體的重複單元, [化2] (所述式(2)及式(3)中, R A及R B為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基; R Y及R Z獨立地為氫原子、氟原子或氟化烴基,至少一個為氟原子或氟化烴基;存在多個的R Y及R Z可相同亦可不同; n 1為1~20的整數; R 1~R 3獨立地為一價烴基,至少一個為具有氟原子的芳香環; R 4~R 6獨立地為一價烴基,至少一個為具有氟原子的芳香環; Y 1為單鍵、或-Y 11-C(=O)-O-;Y 11為可包含雜原子的碳數1~20的二價烴基; Y 2為單鍵、亞甲基、伸乙基、伸苯基、經氟化的伸苯基、-O-Y 21-、-C(=O)-O-Y 21-或-C(=O)-NH-Y 21-;Y 21為碳數1~6的烷二基、碳數2~6的烯二基或伸苯基,可包含羰基、酯鍵、醚鍵或羥基;碳數1~6的烷二基、碳數2~6的烯二基及伸苯基亦可經氟原子取代)。
- 如請求項4所述的感放射線性樹脂組成物,其中所述鎓鹽包含選自由感放射線性酸產生劑、及酸擴散控制劑所組成的群組中的至少一種, 所述感放射線性酸產生劑包含有機酸根陰離子部分與鎓陽離子部分, 所述酸擴散控制劑包含有機酸根陰離子部分與鎓陽離子部分,藉由放射線的照射而產生與由所述感放射線性酸產生劑產生的酸相比具有更高的pKa的酸, 構成所述感放射線性酸產生劑的鎓陽離子部分及構成酸擴散控制劑的鎓陽離子部分的至少一者為包含具有氟原子的芳香環結構的鋶陽離子。
- 如請求項1或請求項4所述的感放射線性樹脂組成物,其中所述感放射線性酸產生樹脂進而包含具有酚性羥基的結構單元D。
- 如請求項4或請求項5所述的感放射線性樹脂組成物,其中所述重複單元C為源自下述式所表示的單量體的重複單元, [化4] (所述式(4)及式(5)中, R A及R B為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基; R Y及R Z獨立地為氟原子或氟化烴基,至少一個為氟原子或氟化烴基;存在多個的R Y及R Z可相同亦可不同; n 1為1~20的整數; R c1~R c3獨立地為一價烴基; R c4~R c6獨立地為一價烴基; Y 1為單鍵、或-Y 11-C(=O)-O-;Y 11為可包含雜原子的碳數1~20的二價烴基; Y 2為單鍵、亞甲基、伸乙基、伸苯基、經氟化的伸苯基、-O-Y 21-、-C(=O)-O-Y 21-或-C(=O)-NH-Y 21-;Y 21為碳數1~6的烷二基、碳數2~6的烯二基或伸苯基,可包含羰基、酯鍵、醚鍵或羥基)。
- 如請求項1或請求項4所述的感放射線性樹脂組成物,其中選自由所述感放射線性酸產生樹脂、所述感放射線性酸產生劑及所述酸擴散控制劑所組成的群組中的至少一種的有機酸根陰離子部分包含碘取代芳香環結構。
- 一種圖案形成方法,包括: 將如請求項1至請求項9中任一項所述的感放射線性樹脂組成物直接或間接地塗佈於基板上來形成抗蝕劑膜的步驟; 對所述抗蝕劑膜進行曝光的步驟;以及 利用顯影液對經曝光的所述抗蝕劑膜進行顯影的步驟。
- 如請求項10所述的圖案形成方法,其中所述曝光是使用極紫外線或電子束來進行。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020188515 | 2020-11-12 | ||
JP2020-188515 | 2020-11-12 | ||
JP2021-020781 | 2021-02-12 | ||
JP2021020781 | 2021-02-12 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202219633A true TW202219633A (zh) | 2022-05-16 |
Family
ID=81601089
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110134682A TW202219633A (zh) | 2020-11-12 | 2021-09-16 | 感放射線性樹脂組成物及圖案形成方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230273519A1 (zh) |
JP (1) | JPWO2022102190A1 (zh) |
KR (1) | KR20230098776A (zh) |
TW (1) | TW202219633A (zh) |
WO (1) | WO2022102190A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024176672A1 (ja) * | 2023-02-22 | 2024-08-29 | Jsr株式会社 | 感放射線性組成物及びパターン形成方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5856991B2 (ja) | 2012-05-21 | 2016-02-10 | 富士フイルム株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物、ネガ型化学増幅型レジスト組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスクの製造方法及びパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法 |
JP5803872B2 (ja) * | 2012-10-17 | 2015-11-04 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP7183757B2 (ja) * | 2017-12-22 | 2022-12-06 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP7344108B2 (ja) * | 2019-01-08 | 2023-09-13 | 信越化学工業株式会社 | レジスト組成物、及びパターン形成方法 |
JP7111047B2 (ja) * | 2019-04-05 | 2022-08-02 | 信越化学工業株式会社 | スルホニウム化合物、化学増幅レジスト組成物、及びパターン形成方法 |
-
2021
- 2021-08-17 KR KR1020237006239A patent/KR20230098776A/ko active Search and Examination
- 2021-08-17 US US18/024,309 patent/US20230273519A1/en active Pending
- 2021-08-17 JP JP2022561283A patent/JPWO2022102190A1/ja active Pending
- 2021-08-17 WO PCT/JP2021/029984 patent/WO2022102190A1/ja active Application Filing
- 2021-09-16 TW TW110134682A patent/TW202219633A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2022102190A1 (ja) | 2022-05-19 |
KR20230098776A (ko) | 2023-07-04 |
JPWO2022102190A1 (zh) | 2022-05-19 |
US20230273519A1 (en) | 2023-08-31 |
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