TW202218236A - 天線模組及其製造方法 - Google Patents

天線模組及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202218236A
TW202218236A TW110138721A TW110138721A TW202218236A TW 202218236 A TW202218236 A TW 202218236A TW 110138721 A TW110138721 A TW 110138721A TW 110138721 A TW110138721 A TW 110138721A TW 202218236 A TW202218236 A TW 202218236A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
dielectric
antenna
antenna module
dielectric layer
Prior art date
Application number
TW110138721A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI789953B (zh
Inventor
江忠信
陳俐妤
葉世晃
Original Assignee
聯發科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 聯發科技股份有限公司 filed Critical 聯發科技股份有限公司
Publication of TW202218236A publication Critical patent/TW202218236A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI789953B publication Critical patent/TWI789953B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/42—Housings not intimately mechanically associated with radiating elements, e.g. radome
    • H01Q1/422—Housings not intimately mechanically associated with radiating elements, e.g. radome comprising two or more layers of dielectric material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/52—Means for reducing coupling between antennas; Means for reducing coupling between an antenna and another structure
    • H01Q1/526—Electromagnetic shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12—Supports; Mounting means
    • H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/2283—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles mounted in or on the surface of a semiconductor substrate as a chip-type antenna or integrated with other components into an IC package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/36—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
    • H01Q1/38—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith formed by a conductive layer on an insulating support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/48—Earthing means; Earth screens; Counterpoises
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/06—Arrays of individually energised antenna units similarly polarised and spaced apart
    • H01Q21/061—Two dimensional planar arrays
    • H01Q21/065—Patch antenna array
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04—Resonant antennas
    • H01Q9/0407—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna
    • H01Q9/0414—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna in a stacked or folded configuration

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Details Of Aerials (AREA)
  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)

Abstract

一種天線模組，包括：第一介電質層，具有第一介電質表面、與所述第一介電質表面相對的第二介電質表面以及在所述第一介電質表面和所述第二介電質表面之間延伸的第一介電質側面；在所述第一介電質表面上形成的第一天線層；在所述第二介電質表面之下形成的接地層；以及在所述第一介電質層的所述第一介電質側面上形成的導電層，其中，所述導電層電連接至所述接地層，並且從所述接地層向所述第一天線層延伸，但是並不接觸所述第一介電質表面。

Description

天線模組及其製造方法
本發明係相關於天線模組，尤指包含側面導電層（lateral conductive layer）的天線模組。
傳統的天線模組包括天線和晶片。晶片可以向天線傳送訊號，以及從天線接收訊號。然而，晶片很容易被電磁波干擾（interfere）。因此，如何遮罩（shield）電磁波對晶片的干擾成為業界的一項重要任務。
一種天線模組，包括：第一介電質層，具有第一介電質表面、與所述第一介電質表面相對的第二介電質表面以及在所述第一介電質表面和所述第二介電質表面之間延伸的第一介電質側面；在所述第一介電質表面上形成的第一天線層；在所述第二介電質表面之下形成的接地層；以及在所述第一介電質層的所述第一介電質側面上形成的導電層，其中，所述導電層電連接至所述接地層，並且從所述接地層向所述第一天線層延伸，但是並不接觸所述第一介電質表面。
一種天線模組的製造方法，包括：提供包括第一介電質層、第一天線層和接地層的結構，其中所述第一介電質層具有第一介電質表面、與所述第一介電質表面相對的第二介電質表面以及在所述第一介電質表面和所述第二介電質表面之間延伸的第一介電質側面，所述第一天線層在所述第一介電質表面上形成，所述接地層在所述第二介電質表面之下形成；將所述結構放置在粘合層上和金屬框架的貫穿部分中；以及形成導電層來覆蓋所述結構的未被所述粘合層和所述金屬框架覆蓋的部分，其中，所述導電層在所述第一介電質層的所述第一介電質側面上形成，所述導電層電連接至所述接地層，並且從所述接地層向所述第一天線層延伸，但是並不接觸所述第一介電質表面。
一種天線模組的製造方法，包括：提供包括第一介電質層、第一天線層和接地層的結構，其中所述第一介電質層具有第一介電質表面、與所述第一介電質表面相對的第二介電質表面以及在所述第一介電質表面和所述第二介電質表面之間延伸的第一介電質側面，所述第一天線層在所述第一介電質表面上形成，所述接地層在所述第二介電質表面之下形成；放置粘合層來覆蓋所述結構的所述第一介電質層；形成複數個第一切割通道以穿過所述粘合層和所述第一介電質層的一部分，其中所述第一介電質層形成第一側面；形成導電層以覆蓋所述粘合層和所述第一側面；移除所述粘合層以暴露出所述第一介電質層；以及形成複數個第二切割通道以穿過所述第一介電質層的另一部分，其中，所述第一介電質層形成第二側面，並且所述第一側面和所述第二側面不共面。
其他實施例和優勢將在下面的具體實施方式中進行描述。本發明內容部分不旨在定義本發明。本發明由請求項定義。
參考第1A圖到第1C圖，第1A圖可例示根據本發明實施例的天線模組100的示意圖，第1B圖可例示第1A圖的天線模組100的俯視圖，第1C圖可例示第1A圖的天線模組100的底視圖。
天線模組100可以包括第一介電質層（dielectric layer）110、至少一個導電通孔（conductive via）115、第一天線層（antenna layer）120、接地層（grounding layer）130、導電層140、第二天線層150、至少一個佈線層（routing layer）160、至少一個饋電焊盤（feeding pad）162、至少一個介電質層170、至少一個第一電子組件（electronic component）180、至少一個第二電子組件185、連接器（connector）187以及模塑膠（molding compound）190。
第一介電質層110可具有第一介電質表面110u、與第一介電質表面110u相對（opposite）的第二介電質表面110b、以及在第一介電質表面110u和第二介電質表面110b之間延伸（extend）的第一介電質側面（lateral surface）110s。第一天線層120可在第一介電質表面110u上形成。接地層130可在第二介電質表面110b之下形成。導電層140可在第一介電質層110的第一介電質側面110s上形成，其中，導電層140可電連接至接地層130，並從接地層130向第一天線層120延伸，但是並不接觸（contact）第一介電質表面110u。
側面導電層140可以遮罩電磁波對導電層140所包圍的至少一個導電組件（比如，第一電子組件180、第二電子組件185和/或佈線層160）的干擾，並且可以決定天線模組100的尺寸。
如下表1所示，與導電層140接觸第一介電質表面110u或者延伸到第一介電質表面110u的結構（在表1中可稱為“全側面導電層”）相比，該實施例中的導電層140可以不接觸第一介電質表面110u或者不延伸到第一介電質表面110u（在表1中可稱為“部分側面導電層”），因此，天線增益可降低0.2dB，天線模組尺寸仍可保持17%的降低。 表1
  部分側面導電層 全側面導電層
天線模組 尺寸 降低17% 降低17%
天線增益 降低0.2dB 降低1.1dB
第一介電質層110可以是單層結構或者多層結構。在該實施例中，第一介電質層110可包括多個子介電質層（sub-dielectric layer），至少兩個子介電質層可以由相同的材料或者不同的材料形成。舉例來講，第一介電質層110可包括第一子介電質層111和複數個第二子介電質層112。在一個實施例中，第一子介電質層111可以由包括FR4、FR5、BT、陶瓷（ceramic）、玻璃、模塑膠或者液晶聚合物（liquid crystal polymer）在內的材料形成，和/或第二子介電質層112可以由包括FR4、FR5、BT、陶瓷、玻璃、模塑膠或者液晶聚合物在內的材料形成。
如第1A圖所示，至少一個導電通孔115可穿過第一介電質層110，以將第二天線層150與佈線層160進行電連接。舉例來講，導電通孔115可穿過第一子介電質層111。舉例來講，導電通孔115可電連接至饋電點（feeding point）。在另一實施例中，可以省略（omit）導電通孔115，並且可以通過使用縫隙耦接饋電（slot-coupled feed）技術將第一電子組件180傳送的訊號耦接（couple）至第二天線層150。
如第1B圖所示，在該實施例中，第一天線層120和第二天線層150可通過第二子介電質層112互相分開。第一天線層120可以是圖樣化的（pattern）天線層。舉例來講，第一天線層120可包括佈置（arrange）為n×m陣列（array）形式的複數個天線部分（antenna portion）121，其中n為大於等於1的整數，m為大於等於1的整數。
如第1A圖所示，在該實施例中，接地層130可在第一介電質層110的第二介電質表面110b上形成，並且可以延伸至第一介電質層110的第一介電質側面110s以物理（或直接）連接導電層140。在另一實施例中，接地層130可以不延伸至第一介電質側面110s，所以接地層130可以通過另一導電組件間接地電連接至導電層140。另外，接地層130可具有複數個開口（opening）130a，每個開口130a可容納（receive）相應的饋電焊盤162，因此，可以避免饋電焊盤162接觸接地層130的物理材料。舉例來講，饋電焊盤162和接地層130可以在同一層中形成。另外，舉例來講，接地層130可以由包括鋁、銅、金、銀、鐵或其組合在內的金屬形成。
如第1A圖所示，導電層140還可延伸到至少一個第二介電質層170的一個表面。此外，導電層140可覆蓋（cover）至少一個第二介電質層170的第二介電質側面170s以及模塑膠190。因此，導電層140可以遮罩電磁波對第二介電質層170和模塑膠190內的至少一個導電組件（比如第一電子組件180和/或佈線層160）的干擾。如第1B圖和第1C圖所示，導電層140可以緊密圍繞第一介電質層110、第二介電質層170和模塑膠190。
如第1A圖所示，第二天線層150可以在第一介電質層110內形成。在該實施例中，第二天線層150可以在一個子介電質層上形成，舉例來講，可以在第一子介電質層111的上表面110u上形成。在另一實施例中，第二天線層150可在第二子介電質層112的上表面上形成。
如第1A圖所示，舉例來講，每個佈線層160可以是圖樣化的層。舉例來講，每個佈線層160可包括至少一個導電跡線（conductive trace）161，其中，一個佈線層160的導電跡線161可以通過至少一個導電通孔163與另一佈線層160的導電跡線161電連接。
如第1A圖所示，複數個第二介電質層170可在第二介電質表面110b之下形成，複數個佈線層160的其中一個佈線層可在相應的第二介電質層170的表面上形成。佈線層160可通過相應的第二介電質層170分隔開。
如第1A圖所示，第一電子組件180可放置（dispose）在至少一個佈線層160上，並且電連接至該至少一個佈線層160。第一電子組件180可通過佈線層160電連接至第二天線層150。模塑膠190可在佈線層160上形成，並且可密封（encapsulate）第一電子組件180和第二電子組件185。在一個實施例中，舉例來講，第一電子組件180可以是射頻積體電路（Radio Frequency Integrated Circuit，RFIC），然而，這種示例並非是限制性的。
如第1A圖所示，第二電子組件185可放置在佈線層160上，並且可電連接至佈線層160。第二電子組件185可通過佈線層160電連接至第二天線層150。在一個實施例中，舉例來講，第二電子組件185可以是被動組件（passive component），例如電阻、電感和/或電容，然而，這種示例並非是限制性的。
如第1A圖所示，連接器187可放置在佈線層160上，並且可電連接至佈線層160。連接器187可通過佈線層160電連接至第一電子組件180和/或第二電子組件185。佈線層160可暴露（expose）一部分160A不被模塑膠190覆蓋，連接器187可放置在佈線層160的該部分160A上，並且可與其中一個佈線層160的導電跡線161電連接。天線模組100可通過連接器187與外部組件（未示出）電連接，舉例來講，該外部組件可以是印刷電路板（printed circuit board）。
如第1A圖所示，模塑膠190可包括模制側面（molding lateral surface）190s和模制下表面（molding lower surface）190b，模制側面190s和模制下表面190b可共同定義模塑膠190的外邊界。導電層140可覆蓋模制側面190s和模制下表面190b。另外，舉例來講，模塑膠190可以由以下材料形成：酚醛清漆樹脂（Novolac-based resin）、環氧基樹脂（epoxy-based resin）、有機矽樹脂（silicone-based resin）或者其他合適的密封劑（encapsulant）。還可以包括合適的填料（filler），例如粉末狀的SiO 2。可以使用多種模制技術中的任意技術來應用模塑膠190，例如壓縮模制（compression molding）、注射模制（injection molding）或傳遞模制（transfer molding）。
參考第2圖，第2圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組200的示意圖。
天線模組200可以包括第一介電質層110、至少一個導電通孔115、第一天線層120、接地層130、導電層240、第二天線層150、至少一個佈線層160和至少一個介電質層170、至少一個第一電子組件180、至少一個第二電子組件185、連接器187以及模塑膠190。
天線模組200的導電層240可包括與天線模組100的導電層140相同或相似的特徵，除了導電層240還可在第一介電質表面110u和第二介電質表面110b之間延伸，或者在第一介電質表面110u和第二天線層150之間延伸。
參考第3A圖和第3B圖，第3A圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組300的示意圖，第3B圖可例示第3A圖的天線模組300的底視圖。
如第3A圖所示，天線模組300可以包括第一介電質層110、至少一個導電通孔115、第一天線層120、接地層130、導電層340、第二天線層150、至少一個佈線層160和至少一個介電質層170、至少一個第一電子組件180、至少一個第二電子組件185（未示出，選擇性地）以及至少一個接觸點387。
如第3A圖所示，導電層340可電連接至接地層130，並且可以在第一介電質層110的第一介電質側面110s和每個第二介電質層170的第二介電質側面170s上形成。
如第3A圖所示，舉例來講，接觸點387可以是焊錫球（solder ball）、焊錫膏（solder paste）和導電柱（conductive pillar）等。複數個接觸點387可放置在佈線層160上。天線模組300可通過接觸點387電連接至外部組件，其中，舉例來講，該外部組件可以是印刷電路板。在該實施例中，第一電子組件180和接觸點387可放置在佈線層160的同一側。舉例來講，接觸點387和第一電子組件180可放置在最下面的佈線層160。另外，佈線層160的其中之一可通過接觸點387的其中之一進行電接地，使得接地層130可通過佈線層160和接觸點387進行電接地。
參考第4圖，第4圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組300’的示意圖。天線模組300’可以包括第一介電質層310、至少一個導電通孔115、第一天線層120、接地層130、導電層340、第二天線層150、至少一個佈線層160和至少一個介電質層170、至少一個第一電子組件180、至少一個第二電子組件185（未示出，選擇性地）以及至少一個接觸點387。在該實施例中，第一介電質層310可具有第一介電質側面310s，其中第一介電質側面310s可包括第一側面310s1和不與第一側面310s1對齊的第二側面310s2。也可以說，第一側面310s1與第二側面310s2不共面。
參考第5圖，第5圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組400的示意圖。
如第5圖所示，天線模組400可以包括第一介電質層110、至少一個導電通孔115、第一天線層120、接地層130、導電層440、第二天線層150、至少一個佈線層160和至少一個介電質層170、至少一個第一電子組件180、至少一個第二電子組件185（未示出）以及至少一個接觸點387、第三介電質層470以及至少一個導電通孔475。
如第5圖所示，導電層440可電連接至接地層130，並且可以在第一介電質層110的第一介電質側面110s、每個第二介電質層170的第二介電質側面170s以及第三介電質層470的第三介電質側面470s上形成。
如第5圖所示，第一電子組件180和接觸點387可放置在佈線層160的兩個對側。第三介電質層470可放置在佈線層160和第一介電質層110之間，並且可密封第一電子組件180。在一個實施例中，第三介電質層470可以由FR4、FR5、BT或者模塑膠等材料形成。至少一個導電通孔475可穿過第三介電質層470，並且可電連接佈線層160的其中之一和導電通孔115。
參考第6圖，第6圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組400’的示意圖。天線模組400’可以包括第一介電質層310、至少一個導電通孔115、第一天線層120、接地層130、導電層340、第二天線層150、至少一個佈線層160和至少一個介電質層170、至少一個第一電子組件180、至少一個第二電子組件185（未示出，選擇性地）以及至少一個接觸點387。在該實施例中，第一介電質層310可具有第一介電質側面310s，其中第一介電質側面310s可包括第一側面310s1和不與第一側面310s1對齊的第二側面310s2。也可以說，第一側面310s1與第二側面310s2不共面。
參考第7圖，第7圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組500的示意圖。
如第7圖所示，天線模組500可以包括第一介電質層110、至少一個導電通孔115、第一天線層120、接地層130、導電層540、第二天線層150、至少一個佈線層160和至少一個介電質層170、至少一個第一電子組件180、至少一個第二電子組件185、連接器187、模塑膠190以及至少一個接觸點387。
如第7圖所示，導電層540可電連接至接地層130，並且可以在第一介電質層110的第一介電質側面110s、每個第二介電質層170的第二介電質側面170s和模塑膠190上形成。在該實施例中，導電層540可包括第一導電層541和第二導電層542，其中第一導電層541在第一介電質層110的第一介電質側面110s上形成，第二導電層542在每個第二介電質層170的第二介電質側面170s和模塑膠190上形成。第一導電層541可以產生與表1中的效果類似的相同效果，第二導電層542可以遮罩電磁波對模塑膠190內的組件的干擾。
在該實施例中，第一介電質層110、至少一個導電通孔115、第一天線層120、接地層130、第二天線層150和第一導電層541可在基底（substrate）500A中/上形成，第二導電層542、至少一個佈線層160、至少一個介電質層170、至少一個第一電子組件180、至少一個第二電子組件185、連接器187和模塑膠190可形成封裝（package）500B，其中基底500A和封裝500B相對放置並且可通過接觸點387進行電連接。
參考第8圖，第8圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組500’的示意圖。天線模組500’可以包括第一介電質層310、至少一個導電通孔115、第一天線層120、接地層130、導電層540、第二天線層150、至少一個佈線層160和至少一個介電質層170、至少一個第一電子組件180、至少一個第二電子組件185、連接器187、模塑膠190以及至少一個接觸點387。在該實施例中，第一介電質層310可具有第一介電質側面310s，其中第一介電質側面310s可包括第一側面310s1和不與第一側面310s1對齊的第二側面310s2。也可以說，第一側面310s1與第二側面310s2不共面。
在該實施例中，第一介電質層310、至少一個導電通孔115、第一天線層120、接地層130、第二天線層150和第一導電層541可在基底500A’中/上形成，第二導電層542、至少一個佈線層160、至少一個介電質層170、至少一個第一電子組件180、至少一個第二電子組件185、連接器187和模塑膠190可形成封裝500B，其中基底500A’和封裝500B相對放置並且可通過接觸點387進行電連接。另外，在本發明中，至少一個佈線層160、至少一個介電質層170和至少一個導電通孔163可以視為或用作另一基底。
另外，在另一實施例中，接地層130可以放置在介電質層170的其中一個上。舉例來講，接地層130可以放置在最上面的介電質層170上。
參考第9圖，第9圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組600的示意圖。
如第9圖所示，天線模組600可以包括第一介電質層110、至少一個導電通孔115、至少一個導電通孔615、第一天線層120、接地層130、導電層540、至少一個佈線層160、至少一個饋電焊盤162、至少一個介電質層170、至少一個第一電子組件180、至少一個第二電子組件185、連接器187、模塑膠190以及至少一個接觸點387。
在該實施例中，如第9圖所示，導電通孔115和複數個導電通孔615可共同穿過第一介電質層110，並且可電連接第一天線層120和饋電焊盤162。
在該實施例中，第一介電質層110、至少一個導電通孔115、第一天線層120、接地層130、第二天線層150、第一導電層541和至少一個導電通孔615可在基底600A中/上形成，第二導電層542、至少一個佈線層160、至少一個介電質層170、至少一個第一電子組件180、至少一個第二電子組件185、連接器187和模塑膠190可形成封裝500B，其中基底600A和封裝500B相對放置並且可通過接觸點387進行電連接。
參考第10圖，第10圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組600’的示意圖。天線模組600’可以包括第一介電質層310、至少一個導電通孔115、至少一個導電通孔615、第一天線層120、接地層130、導電層540、至少一個佈線層160、至少一個饋電焊盤162、至少一個介電質層170、至少一個第一電子組件180、至少一個第二電子組件185、連接器187、模塑膠190以及至少一個接觸點387。在該實施例中，第一介電質層310可具有第一介電質側面310s，其中第一介電質側面310s可包括第一側面310s1和不與第一側面310s1對齊的第二側面310s2。也可以說，第一側面310s1與第二側面310s2不共面。
在該實施例中，第一介電質層310、至少一個導電通孔115、第一天線層120、接地層130、第二天線層150、第一導電層541和至少一個導電通孔615可在基底600A’中/上形成，第二導電層542、至少一個佈線層160、至少一個介電質層170、至少一個第一電子組件180、至少一個第二電子組件185、連接器187和模塑膠190可形成封裝500B，其中基底600A’和封裝500B相對放置並且可通過接觸點387進行電連接。
參考第11圖，第11圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組700的示意圖。
如第11圖所示，天線模組700可以包括複數個天線單元700A、第二基底500B和至少一個接觸點387，其中天線單元700A可彼此間隔開，並且每個天線單元700A可包括與基底500A’相同或相似的特徵。舉例來講，每個天線單元700A可包括第一介電質層310、至少一個導電通孔115、第一天線層120、接地層130、導電層140和第一導電層541。每個天線單元700A可通過至少一個接觸點387與第二基底500B進行電連接。
參考第12圖，第12圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組800的示意圖。
如第12圖所示，天線模組800可以包括複數個天線單元800A、第二基底500B和至少一個接觸點387，其中天線單元800A可彼此間隔開，並且每個天線單元800A可包括與基底600A’相同或相似的特徵。舉例來講，每個天線單元800A可包括第一介電質層310、至少一個導電通孔115、第一天線層120、接地層130、導電層140、第一導電層541和至少一個導電通孔615。每個天線單元800A可通過至少一個接觸點387與第二基底500B進行電連接。
參考第13圖，第13圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組900的示意圖。
如第13圖所示，天線模組900可以包括基底500A和封裝900B，其中封裝900B可包括第二導電層542、至少一個佈線層160和至少一個介電質層170、至少一個第一電子組件180、至少一個第二電子組件185（未示出，選擇性地）以及至少一個接觸點387。基底500A可通過至少一個接觸點387與封裝900B進行電連接。
參考第14圖，第14圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組1000的示意圖。
天線模組1000可以包括第一介電質層1010、第一天線層120、接地層130、第一導電層541、連接器187、至少一個導電通孔115、至少一個導電通孔615、至少一個佈線層160、至少一個饋電焊盤162、至少一個介電質層170、至少一個第一電子組件180、至少一個第二電子組件185、模塑膠190以及至少一個接觸點387。
第一介電質層1010、第一天線層120、接地層130、第一導電層541、至少一個導電通孔115和至少一個導電通孔615可形成基底1000A，至少一個佈線層160、至少一個介電質層170、至少一個第一電子組件180、至少一個第二電子組件185和模塑膠190可形成封裝1000B。封裝1000B和基底1000A可通過至少一個接觸點387進行電連接。
在該實施例中，連接器187可放置在第一介電質層1010的其中一個層上，舉例來講，可放置在第一子介電質層111上。連接器187和封裝1000B可放置在基底1000A的同一側。
另外，基底（500A、500A’、600A、600A’、700A、800A或者1000A）和封裝（500B、900B或者1000B）可進行堆疊（stack）以形成堆疊封裝（Package on Package，PoP），其中基底的尺寸（長度和/或寬度）可以等於、大於或者小於封裝的尺寸。舉例來講，在第7圖的天線模組500中，封裝500B的長度大於基底500A的長度。在第14圖的天線模組1000中，基底1000A的長度大於封裝1000B的長度。
另外，第一介電質層1010還可包括至少一個第四介電質層1011，其中第四介電質層1011在第一介電質層111和接觸點387之間形成，或者在第一介電質層111和封裝1000B之間形成。在另一實施例中，至少一個佈線層160可以在至少一個第四介電質層1011的表面上形成。另外，第四介電質層1011可以由與第一介電質層111或者第二介電質層112相同或不同的材料所形成。
另外，在第一介電質層111和接觸點387之間或者在第一介電質層111和封裝之間形成的至少一個第四介電質層1011可以應用於基底500A、基底500A’、基底600A、基底600A’、天線單元700A、天線單元800A和/或基底1000A。
參考第15圖，第15圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組1100的示意圖。
天線模組1100可以包括第一介電質層1110、至少一個導電通孔1115、第一天線層1120、接地層1130、導電層1140、至少一個佈線層1160、至少一個導電通孔1163、複數個介電質層1171和1172、至少一個第一電子組件1180和至少一個接觸點387。
第一介電質層1110可具有第一介電質表面1110u、與第一介電質表面1110u相對的第二介電質表面1110b、以及在第一介電質表面1110u和第二介電質表面1110b之間延伸的第一介電質側面1110s。第一天線層1120可在第一介電質表面1110u上形成。接地層1130可在第二介電質表面1110b之下形成。導電層1140可在第一介電質層1110的第一介電質側面1110s上形成，其中，導電層1140可電連接至接地層1130，並從接地層1130向第一天線層1120延伸，但是並不接觸第一介電質表面1110u。
在該實施例中，舉例來講，第一介電質層1110可以是單層結構。介電質層1171可以由與介電質層1172相同或不同的材料所形成。接地層1130可嵌入（embed）在其中一個介電質層1172中。接地層1130可具有複數個開口1130a，其中每個開口可允許相應的導電通孔1115穿過。第一電子組件1180可通過佈線層1160、導電通孔1163和導電通孔1115電連接至第一天線層1120。在一個實施例中，舉例來講，第一電子組件1180可以是RFIC，但是這種示例並非是限制性的。在一個實施例中，舉例來講，第二電子組件185可以是被動組件，例如電阻、電感和/或電容，然而，這種示例並非是限制性的。舉例來講，接觸點387可以是焊錫球、焊錫膏和導電柱等。複數個接觸點387可放置在佈線層1160上。
參考第16圖，第16圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組1200的示意圖。
天線模組1200可以包括第一介電質層1210、至少一個導電通孔1215、第一天線層1220、接地層1230、導電層1240、至少一個佈線層1260、至少一個導電通孔1615、複數個介電質層1271和1272、至少一個第一電子組件1180和至少一個接觸點387。
第一介電質層1210可具有第一介電質表面1210u、與第一介電質表面1210u相對的第二介電質表面1210b、以及在第一介電質表面1210u和第二介電質表面1210b之間延伸的第一介電質側面1210s。第一天線層1220可在第一介電質表面1210u上形成。接地層1230可在第二介電質表面1210b之下形成。舉例來講，接地層1230可在介電質層1271或者其中一個介電質層1272中形成。導電層1240可在第一介電質層1210的第一介電質側面1210s上形成，其中，導電層1240可電連接至接地層1230，並從接地層1230向第一天線層1220延伸，但是並不接觸第一介電質表面1210u。
在該實施例中，介電質層1271可以由不同於介電質層1272的材料所形成。接地層1230可嵌入在其中一個介電質層1272中。接地層1230可具有複數個開口1230a，其中每個開口可容納相應的饋電焊盤1262，因此可以避免饋電焊盤1262接觸接地層1230的物理材料。第一電子組件1180可通過佈線層1260、饋電焊盤1262、導電通孔1215和導電通孔1615電連接至第一天線層1220。
參考第17A圖到第17D圖，第17A圖到第17D圖可例示圖1的天線模組100的製造處理。
如第17A圖所示，包括第一介電質層110、至少一個導電通孔115、第一天線層120、接地層130、第二天線層150、至少一個佈線層160、至少一個介電質層170、至少一個第一電子組件180、至少一個第二電子組件185、連接器187以及模塑膠190的結構100’可以放置在粘合層（adhesive layer）11上和金屬框架（metal frame）12中。金屬框架12可具有一貫穿部分（penetrating portion）12a，用以容納第一介電質層110的一部分。
如第17B圖所示，可放置一個蓋體（cover）13來覆蓋連接器187。
如第17C圖所示，可以通過濺射（sputter）或噴塗（spray）導電塗層材料來形成導電層140’以覆蓋結構100’的未被粘合層11、金屬框架12和蓋體13覆蓋的部分。另外，舉例來講，導電層140’可以由包括鋁、銅、金、銀、鐵或其組合在內的金屬形成。
如第17D圖所示，可以移除（remove）蓋體13來形成導電層140，然後可形成天線模組100。
參考第18圖，第18圖可例示第2圖的天線模組200的製造處理。
如第18圖所示，包括第一介電質層110、至少一個導電通孔115、第一天線層120、接地層130、導電層140、第二天線層150、至少一個佈線層160、至少一個介電質層170、至少一個第一電子組件180、至少一個第二電子組件185、連接器187以及模塑膠190的結構100’可以放置在粘合層11上和金屬框架22中。金屬框架22可具有一貫穿部分22a，用以容納第一介電質層110的一部分。
在該實施例中，金屬框架22的貫穿部分22a的深度t可以與金屬框架12的貫穿部分12a的深度不同，相應地，可以控制導電層140在第一介電質層110上的延伸長度。
天線模組200的其他製造處理可類似於天線模組100的相應製造處理，因此可在此重複相類似的內容。
參考第19A圖到第19D圖，第19A圖到第19D圖可例示第3圖的天線模組300的製造處理。
如第19A圖所示，包括第一介電質層110、至少一個導電通孔115、第一天線層120、接地層130、導電層140、第二天線層150、至少一個佈線層160、至少一個介電質層170、至少一個第一電子組件180和至少一個接觸點387的結構300’可以放置在粘合層11上和金屬框架12中。金屬框架12可具有貫穿部分12a，用以容納第一介電質層110的一部分。
如第19B圖所示，可放置一個蓋體33來覆蓋接觸點387。
如第19C圖所示，可形成導電層340’來覆蓋結構300’的未被粘合層11、金屬框架12和蓋體33所覆蓋的部分。
如第19D圖所示，可以移除蓋體33來形成導電層340，然後可形成天線模組300。
天線模組400、基底500A和基底600A的製造處理與天線模組300的製造處理相似，在此可以重複相類似的內容。
參考第20A圖到第20G圖，第20A圖到第20G圖可例示第4圖的天線模組300’的製造處理。
如第20A圖所示，可提供包括第一介電質層310、至少一個導電通孔115、第一天線層120、接地層130、第二天線層150、至少一個佈線層160和至少一個介電質層170的結構300’’。雖然未示出，但是阻焊層（solder mask）可以覆蓋佈線層160和/或至少一個介電質層170，並且可具有複數個開口，暴露出與佈線層160電連接的複數個接觸點（比如焊盤（solder pad））。
如第20B圖所示，可形成粘合層31來覆蓋阻焊層（未示出）和從結構300’’的阻焊層暴露出的接觸點（未示出）。
如第20C圖所示，可形成穿過粘合層31、佈線層160、介電質層170以及第一介電質層310的一部分的至少一個第一切割通道（singulation passage）C1。在形成第一切割通道C1之後，每個介電質層170可形成第二介電質側面170s，第一介電質層310可形成第一側面310s1。
如第20D圖所示，可通過濺射或噴塗導電塗層材料來形成導電層340’，其中導電層340’覆蓋粘合層31、每個第二介電質層170的第二介電質側面170s和第一介電質層310的第一側面310s1。
如第20E圖所示，可移除粘合層31以暴露出阻焊層（未示出）和從阻焊層暴露出的接觸點（未示出）。
如第20F圖所示，可在從阻焊層暴露出的接觸點（未示出）上放置至少一個第一電子組件180和/或至少一個接觸點387。
如第20G圖所示，可形成穿過第一介電質層310的另一部分的至少一個第二切割通道C2以切斷第一介電質層310。在形成第二切割通道C2之後，第一介電質層310可形成第二側面310s2，其中第一側面310s1和第二側面310s2不共面。
天線模組400’、基底500A’和基底600A’的製造處理與天線模組300’的製造處理相似，可在此重複相似的內容。
參考第21A圖到第21G圖，第21A圖到第21G圖可例示第11圖的天線模組700的製造處理。
如第21A圖所示，可提供包括第一介電質層310、至少一個導電通孔115、第一天線層120、接地層130、第二天線層150的結構700’。
如第21B圖所示，粘合層31可覆蓋結構700’的第一介電質層310。
如第21C圖所示，可形成穿過粘合層31以及第一介電質層310的一部分的複數個第一切割通道C1。在形成第一切割通道C1之後，第一介電質層310可形成第一側面310s1。
如第21D圖所示，可通過濺射或者噴塗導電塗層材料來形成第一導電層541’，其中第一導電層541’可覆蓋粘合層31和第一介電質層310的第一側面310s1。
如第21E圖所示，可移除粘合層31以暴露出阻焊層（未示出）和從阻焊層暴露出的接觸點（未示出）。
如第21F圖所示，可在從阻焊層暴露出的接觸點（未示出）上放置至少一個接觸點387。
如第21G圖所示，可形成穿過第一介電質層310的另一部分的至少一個第二切割通道C2以切斷第一介電質層310，並且形成複數個天線單元700A。在形成第二切割通道C2之後，第一介電質層310可形成第二側面310s2，其中第一側面310s1和第二側面310s2不共面。
然後，可通過至少一個接觸點387將天線單元700A放置在第11圖的封裝500B上以形成天線模組700。
天線模組800的製造處理可類似於天線模組700的製造處理，可在此重複相似的內容。
參考第22A圖到第22G圖，第22A圖到第22G圖可例示第14圖的天線模組1000的製造處理。
如第22A圖所示，可提供包括第一介電質層1010、第一天線層120、接地層130、至少一個導電通孔115和至少一個導電通孔615的結構1000’。
如第22B圖所示，粘合層31可覆蓋結構1000’的第一介電質層1010。
如第22C圖所示，可形成穿過粘合層31以及第一介電質層1010的一部分的複數個第一切割通道C1。在形成第一切割通道C1之後，第一介電質層1010可形成第一側面310s1。
如第22D圖所示，可通過濺射或者噴塗導電塗層材料來形成第一導電層541’，其中第一導電層541’可覆蓋粘合層31和第一介電質層1010的第一側面310s1。
如第22E圖所示，可移除粘合層31以暴露出第一介電質層1010和從第一介電質層1010暴露出的複數個接觸點。
如第22F圖所示，第14圖的封裝1000B和連接器187可放置在從第22E圖的第一介電質層1010暴露出的接觸點上。
如第22G圖所示，可形成穿過第一介電質層1010的另一部分的至少一個第二切割通道C2以切斷第一介電質層1010，並且形成天線模組1000。在形成第二切割通道C2之後，第一介電質層1010可形成第二側面310s2，其中第一側面310s1和第二側面310s2不共面。
雖然已經根據目前認為是最實用和優選的實施例描述本發明，但是可以理解的是，本發明不必限制於所公開的實施例。相反，本發明旨在涵蓋包括在請求項的精神和範圍內的各種修改和相似的佈置，請求項的精神和範圍與其最廣泛的解釋相一致，以涵蓋所有此類修改和相似的結構。
100, 200, 300, 300’, 400, 400’, 500, 500’, 600, 600’, 700, 800, 900, 1000, 1100, 1200:天線模組 110, 170, 310, 470, 1010, 1011, 1110, 1171, 1172, 1210, 1271, 1272:介電質層 110u, 110b, 1110u, 1110b, 1210u, 1210b:表面 110s, 170s, 190s, 310s, 310s1, 310s2, 470s, 1110s, 1210s:側面 111, 112:子介電質層 115, 163, 475, 615, 1115, 1163, 1615, 1215:導電通孔 120, 150, 1120, 1150:天線層 121:天線部分 130, 1130, 1230:接地層 130a, 1130a, 1230a:開口 140, 240, 340, 440, 540, 541, 542, 1140, 1240, 140’, 340’, 541’:導電層 160, 1160, 1260:佈線層 160A:部分 161:導電跡線 162, 1262:饋電焊盤 180, 185, 1180:電子組件 187:連接器 190:模塑膠 387:接觸點 500A, 500A’, 600A, 600A’, 1000A:基底 500B, 900B, 1000B:封裝 700A, 800A:天線單元 100’, 300’’, 1000’:結構 11, 31:粘合層 12, 22:金屬框架 12a, 22a:貫穿部分 13, 33:蓋體
在閱讀以下的具體實施方式和附圖之後，本發明的上述目標和優勢對於所屬領域具有通常知識者來說將會變得更為清楚。 第1A圖可例示根據本發明實施例的天線模組的示意圖。 第1B圖可例示第1A圖的天線模組的俯視圖（top view）。 第1C圖可例示第1A圖的天線模組的底視圖（bottom view）。 第2圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組的示意圖。 第3A圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組的示意圖。 第3B圖可例示第3A圖的天線模組的底視圖。 第4圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組的示意圖。 第5圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組的示意圖。 第6圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組的示意圖。 第7圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組的示意圖。 第8圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組的示意圖。 第9圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組的示意圖。 第10圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組的示意圖。 第11圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組的示意圖。 第12圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組的示意圖。 第13圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組的示意圖。 第14圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組的示意圖。 第15圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組的示意圖。 第16圖可例示根據本發明另一實施例的天線模組的示意圖。 第17A圖到第17D圖可例示圖1的天線模組的製造處理（manufacturing processes）。 第18圖可例示第2圖的天線模組的製造處理。 第19A圖到第19D圖可例示第3圖的天線模組的製造處理。 第20A圖到第20G圖可例示第4圖的天線模組的製造處理。 第21A圖到第21G圖可例示第11圖的天線模組的製造處理。 第22A圖到第22G圖可例示第14圖的天線模組的製造處理。
100:天線模組
110,170:介電質層
110u,110b:表面
110s,170s,190s:側面
111,112:子介電質層
115,163:導電通孔
120,150:天線層
130:接地層
130a:開口
140:導電層
160:佈線層
160A:部分
161:導電跡線
162:饋電焊盤
180,185:電子組件
187:連接器
190:模塑膠

Claims (21)

  1. 一種天線模組，包括： 一第一介電質層，具有一第一介電質表面、與所述第一介電質表面相對的一第二介電質表面以及在所述第一介電質表面和所述第二介電質表面之間延伸的一第一介電質側面； 在所述第一介電質表面上形成的一第一天線層； 在所述第二介電質表面之下形成的一接地層；以及 在所述第一介電質層的所述第一介電質側面上形成的一導電層，其中，所述導電層電連接至所述接地層，並且從所述接地層向所述第一天線層延伸，但是並不接觸所述第一介電質表面。
  2. 如請求項1所述之天線模組，其中，還包括： 在所述第二介電質表面之下的至少一個第二介電質層；以及 在所述至少一個第二介電質層的表面上形成的至少一個佈線層。
  3. 如請求項2所述之天線模組，其中，所述導電層還從所述接地層延伸到所述至少一個第二介電質層的所述表面。
  4. 如請求項1所述之天線模組，其中，所述第一介電質層包括多個子介電質層，並且至少兩個子介電質層由相同或不同的材料形成。
  5. 如請求項4所述之天線模組，其中，所述天線模組還包括在其中一個子介電質層上形成的一第二天線層。
  6. 如請求項5所述之天線模組，其中，所述導電層還在所述第一介電質表面和所述第二天線層之間延伸。
  7. 如請求項2所述之天線模組，其中，還包括： 放置在所述佈線層上的一第一電子組件；以及 覆蓋所述佈線層的一模塑膠， 其中，所述導電層還覆蓋所述第二介電質層的一第二介電質側面和所述模塑膠。
  8. 如請求項7所述之天線模組，其中，所述佈線層暴露出一部分不被所述模塑膠覆蓋，所述天線模組還包括： 放置在所述佈線層的所述部分上的一連接器。
  9. 如請求項2所述之天線模組，其中，還包括： 在所述第一介電質層和所述第二介電質層之間形成的至少一個接觸點。
  10. 如請求項9所述之天線模組，其中，還包括： 放置在所述佈線層上的一第一電子組件；以及 覆蓋所述佈線層的一模塑膠， 其中，所述導電層還覆蓋所述第二介電質層的一第二介電質側面和所述模塑膠。
  11. 如請求項10所述之天線模組，其中，所述佈線層暴露出一部分不被所述模塑膠覆蓋，所述天線模組還包括： 放置在所述佈線層的所述部分上的一連接器。
  12. 如請求項9所述之天線模組，其中，還包括： 在所述第一介電質層和所述至少一個接觸點之間的至少一個第四介電質層，其中，所述至少一個佈線層是在所述至少一個第四介電質層的一表面上形成的。
  13. 如請求項1所述之天線模組，其中，還包括： 在所述第二介電質表面之下形成的一佈線層；以及 放置在所述佈線層上的一接觸點。
  14. 如請求項13所述之天線模組，其中，還包括： 放置在所述佈線層上的一第一電子組件， 其中，所述第一電子組件和所述接觸點放置在所述佈線層的同一側。
  15. 如請求項13所述之天線模組，其中，還包括： 放置在所述佈線層上的一第一電子組件，其中，所述第一電子組件和所述接觸點放置在所述佈線層的兩個對側；以及 放置在所述佈線層和所述第一介電質層之間的一第三介電質層，用來密封所述第一電子組件。
  16. 如請求項1所述之天線模組，其中，還包括： 複數個天線單元，每個天線單元包括所述第一介電質層、所述第一天線層和所述接地層， 其中，所述複數個天線單元彼此間隔開。
  17. 如請求項1所述之天線模組，其中，還包括： 一第一電子組件；以及 一第三介電質層，其中所述第一電子組件在所述第三介電質層中形成。
  18. 如請求項1所述之天線模組，其中，還包括： 一基底，所述基底包括所述第一介電質層、所述第一天線層、所述接地層和所述導電層； 一封裝，所述封裝包括在所述第二介電質表面之下的至少一個第二介電質層以及在所述至少一個第二介電質層的一表面上形成的至少一個佈線層；以及 一連接器， 其中，所述封裝和所述連接器放置在所述基底的同一側。
  19. 如請求項18所述之天線模組，其中，還包括： 在所述第一介電質層和所述封裝之間的至少一個第四介電質層，其中，所述至少一個佈線層是在所述至少一個第四介電質層的一表面上形成的。
  20. 一種天線模組的製造方法，包括： 提供包括一第一介電質層、一第一天線層和一接地層的一結構，其中所述第一介電質層具有一第一介電質表面、與所述第一介電質表面相對的一第二介電質表面以及在所述第一介電質表面和所述第二介電質表面之間延伸的一第一介電質側面，所述第一天線層在所述第一介電質表面上形成，所述接地層在所述第二介電質表面之下形成； 將所述結構放置在一粘合層上和一金屬框架的一貫穿部分中；以及 形成一導電層來覆蓋所述結構的未被所述粘合層和所述金屬框架覆蓋的部分，其中，所述導電層在所述第一介電質層的所述第一介電質側面上形成，所述導電層電連接至所述接地層，並且從所述接地層向所述第一天線層延伸，但是並不接觸所述第一介電質表面。
  21. 一種天線模組的製造方法，包括： 提供包括一第一介電質層、一第一天線層和一接地層的一結構，其中所述第一介電質層具有一第一介電質表面、與所述第一介電質表面相對的一第二介電質表面以及在所述第一介電質表面和所述第二介電質表面之間延伸的一第一介電質側面，所述第一天線層在所述第一介電質表面上形成，所述接地層在所述第二介電質表面之下形成； 放置一粘合層來覆蓋所述結構的所述第一介電質層； 形成複數個第一切割通道以穿過所述粘合層和所述第一介電質層的一部分，其中所述第一介電質層形成一第一側面； 形成導電層以覆蓋所述粘合層和所述第一側面； 移除所述粘合層以暴露出所述第一介電質層；以及 形成複數個第二切割通道以穿過所述第一介電質層的另一部分，其中，所述第一介電質層形成一第二側面，並且所述第一側面和所述第二側面不共面。
TW110138721A 2020-10-22 2021-10-19 天線模組及其製造方法 TWI789953B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202063094921P 2020-10-22 2020-10-22
US63/094,921 2020-10-22
US17/489,900 US11532875B2 (en) 2020-10-22 2021-09-30 Antenna module
US17/489,900 2021-09-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202218236A true TW202218236A (zh) 2022-05-01
TWI789953B TWI789953B (zh) 2023-01-11

Family

ID=81194447

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110138721A TWI789953B (zh) 2020-10-22 2021-10-19 天線模組及其製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11532875B2 (zh)
CN (1) CN114389034A (zh)
TW (1) TWI789953B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230023398A1 (en) * 2021-07-22 2023-01-26 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Antenna device and method for manufacturing the same
KR20230052577A (ko) * 2021-10-13 2023-04-20 삼성전기주식회사 칩 패치 안테나 및 칩 패치 안테나 모듈

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9153542B2 (en) * 2012-08-01 2015-10-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package having an antenna and manufacturing method thereof
CN103151327B (zh) * 2013-03-29 2016-06-22 日月光半导体制造股份有限公司 半导体封装件及其制造方法
US9935065B1 (en) 2016-12-21 2018-04-03 Infineon Technologies Ag Radio frequency device packages and methods of formation thereof
US10910329B2 (en) * 2017-05-23 2021-02-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same
US11095037B2 (en) 2017-08-11 2021-08-17 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Antenna module
US11223116B2 (en) 2018-06-29 2022-01-11 Qualcomm Incorporated Glass ceramic antenna package
JP2023511847A (ja) * 2020-01-25 2023-03-23 ジェイド バード ディスプレイ（シャンハイ） リミテッド 高い光抽出効率を有するマイクロ発光ダイオード

Also Published As

Publication number Publication date
US20220131262A1 (en) 2022-04-28
CN114389034A (zh) 2022-04-22
US11532875B2 (en) 2022-12-20
TWI789953B (zh) 2023-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7851894B1 (en) System and method for shielding of package on package (PoP) assemblies
US8012868B1 (en) Semiconductor device having EMI shielding and method therefor
US8420437B1 (en) Method for forming an EMI shielding layer on all surfaces of a semiconductor package
US7547965B2 (en) Package and package module of the package
US8330267B2 (en) Semiconductor package
US20080265400A1 (en) Chip-Stacked Package Structure and Applications Thereof
US11784129B2 (en) Semiconductor package and method of fabricating the same
TWI789953B (zh) 天線模組及其製造方法
JPH11297889A (ja) 半導体パッケージおよび実装基板、ならびにこれらを用いた実装方法
JP2005150748A (ja) デカップリングコンデンサを有する半導体チップパッケージ及びその製造方法
US11316274B2 (en) Semiconductor device package and method of manufacturing the same
US7935576B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method of the same
US20240088001A1 (en) Semiconductor device package, electronic assembly and method for manufacturing the same
US20230343603A1 (en) Electronic package and method for fabricating the same
KR20200039883A (ko) 반도체 패키지, 반도체 패키지 제조방법 및 재배선 구조체 제조방법
US10811378B2 (en) Electronic package and manufacturing method thereof
US11756896B2 (en) Semiconductor package structure including shielding layer contacting conductive contact
US20190139907A1 (en) Package structure and manufacturing method thereof
US11302647B2 (en) Semiconductor device package including conductive layers as shielding and method of manufacturing the same
US10008454B1 (en) Wafer level package with EMI shielding
KR102540829B1 (ko) 반도체 패키지, 반도체 패키지 제조방법 및 재배선 구조체 제조방법
JP2010287859A (ja) 貫通電極を有する半導体チップ及びそれを用いた半導体装置
JP3949077B2 (ja) 半導体装置、基板、半導体装置の製造方法、及び半導体装置の実装方法
US20230216174A1 (en) Electronic package
US20240170355A1 (en) Electronic package and manufacturing method thereof