TW202215402A - 畫素電路及顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種畫素電路及顯示裝置。畫素電路用以驅動一發光二極體，畫素電路包括儲存電容、選擇器、記憶元件及寫入開關。儲存電容耦接發光二極體。選擇器依據儲存資料以選擇第一訊號或第二訊號至儲存電容。記憶元件耦接選擇器。記憶元件儲存寫入資料以獲得儲存資料。寫入開關耦接記憶元件，寫入開關於畫素電路切換模式之間將寫入資料寫入至記憶元件。

Description

畫素電路及顯示裝置
本發明是有關於一種電路及裝置，且特別是有關於一種畫素電路及顯示裝置。
現有的畫素電路或顯示裝置僅能選擇性地操作於靜態模式或動態模式，使用者無法依據需求來切換畫素電路或顯示裝置的操作。因此，當畫素電路或顯示裝置僅能操作在靜態模式時，其無法提供高品質的顯示畫面；反之，當畫素電路或顯示裝置僅能操作在動態模式時，其無法提供省電的操作。
本發明提供一種畫素電路及顯示裝置，其可被切換以操作在靜態模式及/或動態模式。
本發明的畫素電路用以驅動一發光二極體，畫素電路包括儲存電容、選擇器、記憶元件及寫入開關。儲存電容耦接發光二極體。選擇器依據儲存資料以選擇第一訊號或第二訊號至儲存電容。記憶元件耦接選擇器。記憶元件儲存寫入資料以獲得儲存資料。寫入開關耦接記憶元件，寫入開關於畫素電路切換模式之間將寫入資料寫入至記憶元件。
本發明的顯示裝置包括多個資料線及多個畫素電路。畫素電路分別耦接對應的該些資料線。各畫素電路用以驅動發光二極體，各畫素電路包括儲存電容、選擇器、記憶元件及寫入開關。儲存電容耦接發光二極體。選擇器依據儲存資料以選擇第一訊號或第二訊號至儲存電容。記憶元件耦接選擇器。記憶元件儲存寫入資料以獲得儲存資料。寫入開關耦接記憶元件，寫入開關於畫素電路切換模式之間將寫入資料寫入至記憶元件。
基於上述，畫素電路及顯示裝置可被切換以操作在靜態模式及/或動態模式。如此一來，畫素電路及顯示裝置可依據不同的使用需求來適應性地切換其操作。
圖1為本發明實施例一畫素電路1的示意圖。畫素電路1包含寫入開關10、記憶元件11、選擇器12、儲存電容13及發光二極體14。寫入開關10可於畫素電路1切換模式之間將寫入資料寫入至記憶元件11。記憶元件11耦接寫入開關10，記憶元件11可儲存寫入資料以獲得儲存資料。選擇器12耦接記憶元件11，選擇器可依據儲存資料以選擇提供第一訊號或第二訊號至儲存電容13。簡言之，畫素電路1可具有多個模式，在畫素電路1切換模式之間，畫素電路1的記憶元件11可透過寫入開關10取得寫入資料，並將寫入資料儲存為儲存資料於記憶元件11其中。進一步，記憶元件11可依據儲存資料來控制選擇器12，使選擇器12可選擇提供第一資料或第二資料至儲存電容13及發光二極體14來進行顯示。
在一實施例中，畫素電路1的多個模式可包含動態模式及靜態模式。在畫素電路1切換於動態模式及靜態模式之間時，寫入開關10可被導通，以由資料線Dn取得寫入資料，並且寫入開關10將寫入資料寫入至記憶元件11成為儲存資料。另外，當畫素電路1操作在動態模式或靜態模式時，寫入開關10可被截止，記憶元件11可依據儲存資料來控制選擇器12。
詳細而言，在畫素電路1由動態模式切換至靜態模式之間的第一寫入時間區間中，寫入資料為靜態顯示資料，靜態顯示資料可透過寫入開關10被寫入至記憶元件11而成為儲存資料。如此一來，當畫素電路1操作於靜態模式時，記憶元件11可依據儲存的靜態顯示資料來控制選擇器12，使選擇器12選擇第一訊號或第二訊號至儲存電容13，其中，當畫素電路1操作於靜態模式時，第一訊號及第二訊號為互相反相的脈寬調變訊號。
在畫素電路1由靜態模式切換至動態模式之間的第二寫入時間區間中，具有第一邏輯準位的寫入資料可透過寫入開關10被寫入至記憶元件11而成為儲存資料。如此一來，當畫素電路1接續著操作於動態模式時，第一訊號可為動態顯示資料，而選擇器12依據記憶元件11的儲存資料可將動態顯示資料的第一訊號提供至儲存電容13進行顯示。
簡言之，畫素電路1在執行每個操作模式之前，可透過寫入時間區間來將資料寫入到畫素電路1的記憶元件11中，使記憶元件11在執行操作模式的時候可依據儲存資料來控制畫素電路1進行相對應於操作模式的顯示操作。因此，畫素電路1可具有多功能的顯示模式，畫素電路1可依據使用需求切換於靜態模式或動態模式，以進行省電的顯示操作面或提供高畫質的顯示畫。
圖2為本發明實施例一畫素電路2的示意圖。畫素電路2相似於圖1中的畫素電路1。畫素電路2包含寫入開關10、記憶元件11、選擇器12、儲存電容13、發光二極體14及資料寫入開關25。資料寫入開關25耦接於寫入開關10、記憶元件11及資料線Dn，資料寫入開關25可依據閘極掃描訊號以決定是否將資料線Dn上的訊號傳遞至選擇器12及寫入開關10。
在本實施例中，資料寫入開關25耦接於資料線Dn、寫入開關10及選擇器12，且資料寫入開關25的控制端耦接於閘極線Gn。資料寫入開關25可包含電晶體N1，電晶體N1的第一端（例如為汲極）耦接於資料線Dn，電晶體N1的第二端（例如為源極）耦接於寫入開關10及選擇器12，電晶體N1的控制端（例如為閘極）耦接閘極線Gn以接收閘極掃描訊號VGn。
寫入開關10耦接於資料寫入開關25及記憶元件11之間，且寫入開關10於控制端接收寫入控制訊號MNS。寫入開關10可包含電晶體N2，電晶體N2的第一端（例如為汲極）耦接於電晶體N1的第二端，電晶體N2的第二端（例如為源極）耦接於記憶元件11，電晶體N2的控制端（例如為閘極）接收寫入控制訊號MNS。
記憶元件11可例如為一閂鎖（Latch）電路。記憶元件11耦接於寫入開關10以接收寫入資料。記憶元件11可包含正反器INV1、INV2。正反器INV1的輸出端耦接正反器INV2的輸入端，正反器INV2的輸出端耦接正反器INV1的輸入端。另外，正反器INV1的輸出端耦接電晶體N2的第二端（例如為源極）。因此，記憶元件11可將寫入開關10所提供的寫入資料儲存為儲存資料，並透過正反器INV1、INV2來進行儲存。
選擇器12耦接資料寫入開關25及記憶元件11。選擇器12的第一控制端接收記憶元件11所提供的儲存資料，選擇器12的第二控制端接收記憶元件11所提供的反相儲存資料。選擇器12接收第一訊號Vs1及第二訊號Vs2。選擇器12可依據儲存資料及/或反相儲存資料來選擇提供第一訊號Vs1或第二訊號Vs2至儲存電容13。選擇器12包含第一電晶體N3及第二電晶體N4。第一電晶體N3的第一端（例如為汲極）耦接於電晶體N1的第二端，以接收第一訊號Vs1。第一電晶體N3的第二端（例如為源極）耦接儲存電容13。第一電晶體N3的控制端（例如為閘極）為選擇器12的第一控制端，且其耦接於正反器INV1的輸出端，以接收記憶元件11所提供的儲存資料。第二電晶體N4的第一端（例如為汲極）接收第二訊號Vs2。第二電晶體N4的第二端（例如為源極）耦接第一電晶體N3的第二端，並且第二電晶體N4的第二端（例如為源極）耦接儲存電容13。第二電晶體N4的控制（例如為閘極）為選擇器12的第二控制端，且其端耦接於正反器INV2的輸出端，以接收記憶元件11所提供的反相儲存資料。
儲存電容13及發光二極體14互相並聯，儲存電容13及發光二極體14兩者的一端耦接於選擇器12，且儲存電容13及發光二極體14兩者的另一端接收共同電壓訊號Vcom。
圖3A為圖2所繪示的畫素電路2的操作波型示意圖。圖3B～3E為圖2所繪示的畫素電路2在不同時間區間的操作示意圖。詳細而言，圖3A中繪示了共同電壓訊號Vcom、資料線Dn上的電壓VDn、第二訊號Vs2、寫入控制訊號MNS及閘極線Gn上的閘極掃描訊號VGn在多個時間區間T1～T4中的操作波型。以下請共同參考圖3A～3E以及以下的說明，來較佳地明白畫素電路2在時間區間T1～T4的操作。
在時間區間T1中，畫素電路2被操作在第一寫入時間區間。如圖3A所繪示，閘極掃描訊號VGn可為脈衝方波，寫入控制訊號MNS可為第一邏輯準位（例如為高電壓準位），且資料線Dn在時間區間T1中可提供靜態顯示資料Ds。舉例而言，時間區間T1的長度可為一畫框（Frame）時間。透過閘極掃描訊號VGn具有第一邏輯準位（例如為高電壓準位）的時間，畫素電路2可被控制以取得相對應的靜態顯示資料。如此一來，如圖3B所示，電晶體N1、N2可分別被閘極掃描訊號VGn及寫入控制訊號MNS導通，資料線Dn上所提供的靜態顯示資料Ds可寫入至記憶元件11且被儲存為儲存資料。
在時間區間T2中，畫素電路2被操作在靜態模式。如圖3A所繪示，閘極掃描訊號VGn可為第一邏輯準位（例如為高電壓準位），寫入控制訊號MNS可為第二邏輯準位（例如為低電壓準位）。在時間區間T2中，選擇器12可由資料線Dn接收脈寬調變訊號作為第一訊號Vs1，並且選擇器12可接收與脈寬調變訊號為反相的反相脈寬調變訊號作為第二訊號Vs2，其中脈寬調變訊號可與共同電壓訊號Vcom為反相。如此一來，如圖3C所示，電晶體N1可為導通，電晶體N2可為截止。選擇器12可由資料線Dn接收脈寬調變訊號作為第一訊號Vs1，且接收反相脈寬調變訊號作為第二訊號Vs2。記憶元件11依據儲存的靜態顯示資料Ds控制選擇器12，使選擇器12提供第一訊號Vs1或第二訊號Vs2至儲存電容13。
因此，在第一寫入時間區間中，畫素電路2可取得靜態顯示資料Ds並將靜態顯示資料Ds儲存在記憶元件11中。如此一來，在第一寫入時間區間之後的靜態模式時間區間中，畫素電路2可操作在靜態模式，並依據儲存在記憶元件11的靜態顯示資料Ds來選擇脈寬調變訊號（即第一訊號Vs1）或反相脈寬調變訊號（即第二訊號Vs2）來進行顯示。
在時間區間T3中，畫素電路2被操作在第二寫入時間區間。如圖3A所繪示，閘極掃描訊號VGn及寫入控制訊號MNS可為第一邏輯準位（例如為高電壓準位），且資料線Dn在時間區間T1中也為第一邏輯準位（例如為高電壓準位）。如此一來，如圖3D所示，電晶體N1、N2可分別被閘極掃描訊號VGn及寫入控制訊號MNS導通，第一邏輯準位（例如為高電壓準位）的寫入資料可被寫入記憶元件11而成為儲存資料。
在時間區間T4中，畫素電路2被操作在動態模式。如圖3A所繪示，閘極掃描訊號VGn可為週期性的脈衝方波，寫入控制訊號MNS可為第二邏輯準位（例如為低電壓準位），資料線Dn在時間區間T4中可提供動態顯示資料。如此一來，如圖3E所示，電晶體N2可為截止。電晶體N1可被閘極掃描訊號VGn控制而導通，以在相對應的時間由資料線Dn提供動態顯示資料Dd至選擇器12。選擇器12被記憶元件11所控制，其中記憶元件11所儲存的第一邏輯準位（例如為高電壓準位）的儲存資料可控制選擇器12的第一電晶體N3為導通以及第二電晶體N4為截止，使選擇器12依據儲存資料將動態顯示資料Dd提供至儲存電容13進行顯示。
因此，在第二寫入時間區間中，畫素電路2的記憶元件11可儲存具有第一邏輯準位的儲存資料。如此一來，在第二寫入時間區間之後的動態模式時間區間中，畫素電路2可操作在動態模式，記憶元件11可控制選擇器12由資料線Dn接收動態顯示資料Dd來進行顯示。
簡言之，畫素電路2可具有靜態模式及動態模式。透過安排在靜態模式及動態模式之間切換的第一寫入時間區間及第二寫入時間區間，畫素電路2可將寫入資料寫入至記憶元件11，使畫素電路2可在靜態模式時靜態地依據第一寫入時間區間所寫入的靜態顯示資料Ds來進行顯示。或是，使畫素電路2可在動態模式時依據第二寫入時間區間所寫入的儲存資料，持續地由資料線Dn取得動態顯示資料Dd來進行顯示。
依據不同的設計需求，本領域具通常知識者當然可以調整或變化上述關於畫素電路1或畫素電路2的操作。在一實施例中，靜態顯示資料Ds可為一位元的顯示資料，動態顯示資料Dd可為八位元或其他適合位元數的顯示資料，因此，畫素電路2在動態模式中可進行較靜態模式中畫面解析度更好的動態顯示操作。
舉例而言，第一寫入時間區間並非僅限於安排在畫素電路2由動態模式切換到靜態模式之間。當畫素電路2操作在靜態模式時，第一寫入時間區間也可以固定的時間間隔（例如為3秒鐘、6秒鐘、或其他適合的時間間隔）安插在靜態模式之間。如此一來，畫素電路2可以固定的時間間隔來更新儲存在記憶元件11中的靜態顯示資料Ds。
圖4為本發明實施例一顯示裝置4的示意圖。顯示裝置4中包括多個畫素電路3。畫素電路3可透過圖1所繪示的畫素電路1或圖2所繪示的畫素電路2所實現，而關於畫素電路1、2的操作請參考上方的相關敘述，於此不另贅述。整體而言，顯示裝置4可控制畫素電路3來設置第一寫入時間區間及/或第二寫入時間區間，使顯示裝置4進行靜態模式及/或動態模式的操作。因此，具備有畫素電路3的顯示裝置4亦可具有多功能的操作，有效改善使用者體驗。
在一實施例中，顯示裝置4中的畫素電路可具有多個子畫素電路，且每個子畫素電路可利用畫素電路3來實現。舉例而言，顯示裝置4中的紅色畫素可具有三個子畫素電路，如此一來，當顯示裝置4操作在靜態模式時，顯示裝置4可調整每個子畫素電路的開啟及/或關閉，以調整紅色畫素的灰階亮度。而在此示例中，紅色畫素中子畫素電路的開啟數量可為0個、1個、2個或3個，也就是說，顯示裝置4中的紅色畫素可具有四段的灰階亮度。進一步，當顯示裝置4中的紅、綠、藍畫素都具有三個子畫素電路時，則顯示裝置4則可具有64段的灰階亮度。因此，透過上述的整體設置時，顯示裝置4在靜態模式時可提供更豐富的影像色彩。
綜上所述，本發明的畫素電路及顯示裝置可操作於多個操作模式，透過在每個操作切換之間的寫入時間區間，對記憶元件進行寫入。如此一來，記憶元件即可依據儲存資料來控制選擇器，使選擇器選擇相對應的訊號提供至儲存電容來進行顯示。因此，畫素電路及顯示裝置可具有多個操作模式，可適應性地依據不同使用需求來進行切換，進而提升使用者體驗。
1、2、3:畫素電路 4:顯示裝置 10:寫入開關 11:記憶元件 12:選擇器 13:儲存電容 14:發光二極體 25:資料寫入開關 Dd:動態顯示資料 Dn、Dn+1:資料線 Ds:靜態顯示資料 Gn、Gn+1:閘極線 INV1、INV2:正反器 MNS:寫入控制訊號 N1、N2:電晶體 N3:第一電晶體 N4:第二電晶體 T1～T4:時間區間 Vcom:共同電壓訊號 VDn:電壓 VGn:閘極掃描訊號 Vs1:第一訊號 Vs2:第二訊號
圖1為本發明實施例一畫素電路的示意圖。 圖2為本發明實施例一畫素電路的示意圖。 圖3A為圖2所繪示的畫素電路的操作波型示意圖。 圖3B～3E為圖2所繪示的畫素電路2在不同時間區間的操作示意圖。 圖4為本發明實施例一顯示裝置的示意圖。
1:畫素電路
10:寫入開關
11:記憶元件
12:選擇器
13:儲存電容
14:發光二極體
Dn:資料線
Vcom:共同電壓訊號

Claims (18)

  1. 一種畫素電路，用以驅動一發光二極體，該畫素電路包括： 一儲存電容，耦接該發光二極體； 一選擇器，依據一儲存資料以選擇一第一訊號或一第二訊號至該儲存電容； 一記憶元件，耦接該選擇器，該記憶元件儲存一寫入資料以獲得該儲存資料；以及 一寫入開關，耦接該記憶元件，該寫入開關於該畫素電路切換模式之間將該寫入資料寫入至該記憶元件。
  2. 如請求項1所述的畫素電路，其中當該畫素電路操作在一動態模式或一靜態模式時，該寫入開關被截止， 其中在該畫素電路切換於該動態模式及該靜態模式之間時，該寫入開關被導通以使該寫入資料寫入至該記憶元件。
  3. 如請求項1所述的畫素電路，其中在該畫素電路在切換至一靜態模式之前的一第一寫入時間區間中，該寫入資料為一靜態顯示資料，該靜態顯示資料被寫入而成為該儲存資料。
  4. 如請求項3所述的畫素電路，其中當該畫素電路操作於該靜態模式時，該第一訊號及該第二訊號為互相反相的脈寬調變訊號，該記憶元件依據儲存的該靜態顯示資料控制該選擇器，以提供該第一訊號或該第二訊號至該儲存電容。
  5. 如請求項1所述的畫素電路，其中在該畫素電路切換至一動態模式之前的一第二寫入時間區間中，具有一第一邏輯準位的該寫入資料被寫入而成為該儲存資料。
  6. 如請求項5所述的畫素電路，其中當該畫素電路操作於該動態模式時，該第一訊號為一動態顯示資料，該選擇器依據該儲存資料將該動態顯示資料提供至該儲存電容進行顯示。
  7. 如請求項1所述的畫素電路，其中該選擇器包括： 一第一電晶體，該第一電晶體的第一端接收該第一訊號，該第一電晶體的第二端耦接該儲存電容，該第一電晶體的控制端接收該儲存資料；以及 一第二電晶體，該第二電晶體的第一端接收該第二訊號，該第二電晶體的第二端耦接該儲存電容，該第二電晶體的控制端接收一反相儲存資料。
  8. 如請求項1所述的畫素電路，其中該記憶元件為一閂鎖電路。
  9. 如請求項1所述的畫素電路，還包括一資料傳輸開關，耦接該選擇器及該寫入開關，該資料開關依據一閘極掃描訊號以決定是否傳遞訊號至該選擇器及該寫入開關。
  10. 一種顯示裝置，包括： 多個資料線； 多個畫素電路，分別耦接對應的該些資料線，各該畫素電路用以驅動一發光二極體，各該畫素電路包括： 一儲存電容，耦接該發光二極體； 一選擇器，依據一儲存資料以選擇一第一訊號或一第二訊號至該儲存電容； 一記憶元件，耦接該選擇器，該記憶元件儲存一寫入資料以獲得該儲存資料；以及 一寫入開關，耦接該記憶元件，該寫入開關於各該畫素電路切換模式之間將該寫入資料寫入至該記憶元件。
  11. 如請求項10所述的顯示裝置，其中當各該畫素電路操作在一動態模式或一靜態模式時，該寫入開關電路被截止， 其中在各該畫素電路切換於該動態模式及該靜態模式之間時，該寫入開關被導通以使該寫入資料寫入至該記憶元件。
  12. 如請求項10所述的顯示裝置，其中在各該畫素電路切換至一靜態模式之前的一第一寫入時間區間中，該寫入資料為一靜態顯示資料，該靜態顯示資料被寫入而成為該儲存資料。
  13. 如請求項12所述的顯示裝置，其中當各該畫素電路操作於該靜態模式時，該第一訊號及該第二訊號為互相反相的脈寬調變訊號，該記憶元件依據儲存的該靜態顯示資料控制該選擇器，以提供該第一訊號或該第二訊號至該儲存電容。
  14. 如請求項10所述的顯示裝置，其中在各該畫素電路切換至一動態模式之前的一第二寫入時間區間中，具有一第一邏輯準位的該寫入資料被寫入而成為該儲存資料。
  15. 如請求項14所述的顯示裝置，其中當各該畫素電路操作於該動態模式時，該第一訊號為一動態顯示資料，該選擇器依據該儲存資料將該動態顯示資料提供至該儲存電容進行顯示。
  16. 如請求項10所述的顯示裝置，其中該選擇器包括： 一第一電晶體，該第一電晶體的第一端接收該第一訊號，該第一電晶體的第二端耦接該儲存電容，該第一電晶體的控制端接收該儲存資料；以及 一第二電晶體，該第二電晶體的第一端接收該第二訊號，該第二電晶體的第二端耦接該儲存電容，該第二電晶體的控制端接收一反相儲存資料。
  17. 如請求項10所述的顯示裝置，其中該記憶元件為一閂鎖電路。
  18. 如請求項10所述的顯示裝置，還包括一資料傳輸開關，耦接該選擇器及該寫入開關，該資料開關依據一閘極掃描訊號以決定是否傳遞訊號至該選擇器及該寫入開關。
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