TW202211303A - 基板加熱裝置及基板處理系統 - Google Patents

Abstract

本發明涉及基板加熱裝置，可抑制腔室的變形或劣化，並且提高基板加熱時的穩定性。實施方式的基板加熱裝置包括：腔室，在內部形成有可收納基板的收納空間；基板加熱部，配置於前述收納空間，並且可藉由紅外線來加熱前述基板；以及隔熱板，設置在前述腔室的內表面與前述基板加熱部之間，吸收前述紅外線且具有1mm以下的厚度。

Description

基板加熱裝置及基板處理系統

本發明涉及基板加熱裝置及基板處理系統。

以往，存在利用紅外線等對配置在腔室內的基板進行加熱的裝置(例如，參照專利文獻1)。例如，紅外線裝置被收納在腔室內。 先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本特開2015-141965號公報

發明要解決的技術問題

然而，由於紅外線被照射到腔室內表面，因此腔室因加熱而變形或劣化的可能性較高。另外，藉由腔室的變色而使腔室內表面的紅外線反射率發生變化，從而對基板加熱部的輸出、基板溫度的穩定性造成影響，基板加熱時的穩定性受損的可能性較高。

鑒於上述情況，本發明的目的在於提供一種能夠抑制腔室的變形、劣化，並且能夠提高基板加熱時的穩定性的基板加熱裝置以及基板處理系統。 用於解決上述技術問題的方案

本發明的一個方式的基板加熱裝置包括：腔室，在內部形成有能夠收納基板的收納空間；基板加熱部，配置於前述收納空間，並且能藉由紅外線來加熱前述基板；以及隔熱板，設置於前述腔室的內表面與前述基板加熱部之間，吸收前述紅外線，且具有1mm以下的厚度。 根據該構造，藉由包含設置在腔室的內表面與基板加熱部之間的隔熱板，能夠利用隔熱板遮擋朝向腔室的內表面的紅外線。朝向腔室的內表面的紅外線被隔熱板吸收，因此紅外線不會直接照射到腔室的內表面。因此，能夠抑制腔室因加熱而變形或劣化。另外，能夠抑制因腔室的變色所導致之腔室內表面的紅外線反射率變化。因此，能夠抑制腔室的變形或劣化，並且能夠提高基板加熱時的穩定性。 此外，隔熱板的厚度為1mm以下，藉此與隔熱板的厚度超過1mm的情況相比，能夠減小隔熱板的熱容量。因此，隔熱板的熱飽和較快，熱量容易變得均勻。另外，由於隔熱板容易冷卻，因此維護性優異。進而，有助於隔熱板的薄型化及輕量化。

在上述基板加熱裝置中，也可以是前述隔熱板設置於塗布有溶液的前述基板的周邊。 根據該構造，能夠利用隔熱板遮擋從基板朝向腔室的內表面的煙氣(fume)，因此能夠抑制昇華物附著於腔室的內表面。因此，能夠抑制由於昇華物附著所導致之腔室內表面的紅外線反射率變化。因此，能夠提高基板加熱時的穩定性。

在上述基板加熱裝置中，也可以是前述隔熱板相對於前述紅外線的照射方向隔開間隔地設置有多個。 根據該構造，能夠藉由多個隔熱板來階段性地抑制朝向腔室的內表面的熱量，因此能夠更有效地抑制腔室因加熱而變形或劣化的情況。

在上述基板加熱裝置中，也可以是前述多個隔熱板中最靠前述基板側的面的前述紅外線的吸收率高於鏡面的吸收率。 根據該構造，能夠促進紅外線的吸收所致的隔熱板的加熱。由此，能夠抑制從基板朝向腔室的內表面的煙氣在隔熱板的表面被冷卻而成為昇華物的情況。因此，能夠抑制昇華物附著於隔熱板的情況。

在上述基板加熱裝置中，也可以是前述多個隔熱板中最靠前述基板側的面為黑色。 根據該構造，由於利用隔熱板有效地吸收紅外線，因此能夠更有效地促進隔熱板的加熱。因此，能夠更有效地抑制昇華物附著於隔熱板。

在上述基板加熱裝置中，也可以是前述多個隔熱板中最靠前述腔室的內表面側的面為鏡面。 根據該構造，能夠在多個隔熱板中最靠腔室的內表面側的面反射紅外線。由此，與多個隔熱板中最靠腔室的內表面側的面為黑色的情況相比，能夠提高腔室內的溫度均勻性。進而，由於成為鏡面而使輻射率下降，因此能夠抑制因來自隔熱板的再輻射向腔室進行熱的傳遞，能夠提高抑制腔室的溫度上升的效果。

在上述基板加熱裝置中，前述隔熱板也可以是金屬製。 根據該構造，與隔熱板為玻璃的情況相比熱飽和較快，熱容易變得均勻。

在上述基板加熱裝置中，也可以是前述腔室包括：頂板，位於前述基板的上方；底板，位於前述基板的下方，與前述頂板對置；以及周壁，包圍前述基板的周圍，前述隔熱板分別設置於前述頂板、前述底板以及前述周壁。 根據該構造，能夠利用隔熱板遮擋從基板分別朝向腔室的頂板、底板以及周壁的煙氣，因此能夠抑制昇華物分別向腔室的頂板、底板以及周壁的附著。

在上述基板加熱裝置中，也可以在前述基板上塗布用於形成聚醯亞胺的溶液。 根據該構造，在形成聚醯亞胺時，能夠抑制腔室的變形或劣化，並且能夠提高基板加熱時的穩定性。

本發明的一個方式所涉及的基板處理系統的特徵在於，包括上述基板加熱裝置。 根據該構造，在基板處理系統中，能夠抑制腔室的變形或劣化，並且能夠提高基板加熱時的穩定性。 發明效果

根據本發明，能夠提供一種可抑制腔室的變形或劣化，並且能夠提高基板加熱時的穩定性的基板加熱裝置以及基板處理系統。

以下，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。在以下的說明中，設定XYZ直角坐標系，參照該XYZ直角坐標系對各構件的位置關係進行說明。將水平面內的既定方向設為X方向，將在水平面內與X方向正交的方向設為Y方向，將與X方向及Y方向分別正交的方向(即鉛直方向)設為Z方向。

＜第一實施方式＞ ＜基板加熱裝置＞ 圖1是第一實施方式的基板加熱裝置1的立體圖。 如圖1所示，基板加熱裝置1具備腔室2、壓力調整部3、氣體供給部4、加熱器單元6(基板加熱部)、塊體7、溫度檢測部9、壓力檢測部14、氣體液化回收部11、冷卻部17(參照圖2)、隔熱部30、遮擋部40、遮擋支承部50以及控制部15。控制部15統一控制基板加熱裝置1的構成要素。 另外，在圖1中，用兩點鏈線表示腔室2。

＜腔室＞ 在腔室2的內部形成有可收納基板10的收納空間2S。基板10及加熱器單元6被收納於共用的腔室2。腔室2形成為長方體的箱狀。

如圖2所示，腔室2具有可上下分離的分割結構。腔室2具備：上部結構體21，形成為向下方開口的箱狀；下部結構體22，形成為向上方開口的箱狀；以及連結部23，以可分離的方式連結上部結構體21和下部結構體22。

上部結構體21具備矩形板狀的頂板25、和與頂板25的外周緣相連的矩形框狀的上部周壁26。 下部結構體22具備與頂板25對置的矩形板狀的底板27、和與底板27的外周緣相連的矩形框狀的下部周壁28。在下部周壁28設置有用於向腔室2內供給惰性氣體的閘口(gate)29。

例如，當解除上部結構體21與下部結構體22的連結而將上部結構體21分離時，下部結構體22向上方開口。在下部結構體22向上方開口的狀態下，可進行基板10的搬入以及搬出。在將基板10搬入下部結構體22內之後連結上部結構體21和下部結構體22，藉此可將基板10收納在密閉空間。例如，將上部結構體21和下部結構體22經由密封部件等無間隙地連結，藉此能夠提高腔室2內的氣密性。

＜壓力調整部＞ 壓力調整部3可對腔室2內的壓力進行調整。如圖1所示，壓力調整部3包括與腔室2連接的真空配管3a。真空配管3a是沿Z方向延伸的圓筒狀的配管。例如，真空配管3a在X方向上隔開間隔地配置有多個。在圖1中，僅示出1個真空配管3a。另外，真空配管3a的設置數量沒有限定。真空配管3a與腔室2連接即可，真空配管3a的連接部位沒有限定。在圖2的例子中，抽真空的管線設置於腔室2的底板27(圖2中箭頭Vacuum)。

例如，壓力調整部3具備泵機構等壓力調整機構。壓力調整機構具備真空泵13。真空泵13連接至真空配管3a中從與腔室2的連接部(上端部)的相反側的部分(下端部)延伸的管線。

壓力調整部3可調整塗布有用於形成聚醯亞胺膜(聚醯亞胺)的溶液(以下稱為“聚醯亞胺形成用液”)的基板10的收納空間2S的環境的壓力。例如，聚醯亞胺形成用液包含聚醯胺酸或聚醯亞胺粉末。聚醯亞胺形成用液僅塗布於呈矩形板狀的基板10的第一面10a(上表面)。 另外，向基板10塗布的塗布物(被處理物)不限定於聚醯亞胺形成用液，只要是用於在基板10形成既定的膜的塗布物即可。

另外，壓力調整部3可調整收納空間2S的環境的壓力，但也可以另外在該壓力調整部3內設置向收納空間2S供給氮(N₂ )、氦(He)、氬(Ar)等惰性氣體的機構(以下也稱為“惰性氣體供給機構”)。由此，能夠將收納空間2S調整為所希望的壓力條件。 另外，如後述的氣體供給部4那樣，也可以獨立於壓力調整部3設置有惰性氣體供給機構。

＜氣體供給部＞ 氣體供給部4可對腔室2的內部環境的狀態進行調整。氣體供給部4包括與腔室2連接的氣體供給配管4a。氣體供給配管4a是沿Z方向延伸的圓筒狀的配管。例如，氣體供給配管4a在X方向上隔開間隔地配置有多個。在圖1中，僅示出1個氣體供給配管4a。另外，氣體供給配管4a的設置數量沒有限定。真空配管3a只要與腔室2連接即可，氣體供給配管4a的連接部位沒有限定。

氣體供給部4可藉由向收納空間2S供給惰性氣體來調整收納空間2S的狀態。氣體供給部4向腔室2內供給氮(N₂ )、氦(He)、氬(Ar)等惰性氣體。在圖2的例子中，N₂ 供給部在腔室2的頂板25以及下部周壁28分別各設置有2個(圖2中箭頭N₂ )。另外，氣體供給部4也可以在基板降溫時供給氣體，從而將前述氣體用於基板冷卻。

氣體供給部4能夠藉由供給清潔乾燥空氣(CDA)來調整收納空間2S的狀態。在圖2的例子中，CDA供給部在腔室的頂板25以及底板27分別各設置有2個(圖2中箭頭CDA)。例如，氣體供給部4也可以具備用於去除藉由氣體供給配管4a內的氣體中的微細塵埃的粉塵過濾器和用於去除水分的噴霧過濾器。

藉由氣體供給部4，能夠對腔室2的內部環境的氧濃度進行調整。腔室2的內部環境的氧濃度(質量基準)越低越佳。具體而言，將腔室2的內部環境的氧濃度設為100ppm以下較佳，設為20ppm以下更佳。 例如，在使塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液固化時的環境中，像這樣使氧濃度為較佳的上限以下，藉此能夠容易推進聚醯亞胺形成用液的固化。 此外，圖2中箭頭EXH示出為了將腔室2內的氣體向腔室2外排出而設置於下部周壁28的排氣管線。

＜加熱器單元＞ 如圖1所示，加熱器單元6配置在腔室2內的上方。如圖2所示，加熱器單元6被頂板25支承。在加熱器單元6與頂板25之間設置有支承加熱器單元6的支承部件19。加熱器單元6在腔室2內的靠近頂板25處固定於固定位置。加熱器單元6的紅外線加熱器140藉由支承部件19懸掛在頂板25上。

圖3是第一實施方式的加熱器單元6的俯視圖。圖4是第一實施方式的紅外線加熱器140的俯視圖。 如圖3所示，加熱器單元6具備多個(例如本實施方式中為20台)紅外線加熱器140。多個紅外線加熱器140可被獨立控制。控制部15(參照圖1)可對多個紅外線加熱器140獨立地控制。

如圖1所示，紅外線加熱器140可藉由紅外線來加熱基板10。紅外線加熱器140可階段性地加熱基板10。例如，基板10的加熱溫度範圍為200℃以上且600℃以下的範圍。紅外線加熱器140配置在基板10的第一面10a(一面)側。紅外線加熱器140配置在腔室2的頂板25側。

例如，紅外線加熱器140的峰波長範圍為1.5μm以上且4μm以下的範圍。另外，紅外線加熱器140的峰波長範圍不限於上述範圍，能夠根據要求規格設定在各種範圍內。

如圖4所示，紅外線加熱器140呈在多處位置彎折的管狀。紅外線加熱器140的外形在俯視時呈矩形狀。例如，紅外線加熱器140的各邊的長度為250mm左右。例如，紅外線加熱器140由石英管形成。

紅外線加熱器140具備直線部組141、彎曲部組142、第一罩部143、第二罩部144、第一導入部145和第二導入部146。

直線部組141具備多個(例如，在本實施方式中為9個)直線部141a～141i。直線部141a～141i呈在第一方向V1上具有長邊的直管狀。直線部141a～141i在與第一方向V1正交(交錯)的第二方向V2上排列配置有多個。多個直線部141a～141i在第二方向V2上實質上隔開相同的間隔U1(中心軸間的間距)而配置。直線部141a、141b、141c、141d、141e、141f、141g、141h、141i從第二方向V2的一側朝向另一側依序配置。

彎曲部組142具備多個(例如，在本實施方式中為8個)彎曲部142a～142h。彎曲部142a～142h以向外凸出的方式彎折。彎曲部142a～142h連結相鄰的2個直線部141a～141i的端部。例如，彎曲部142a連結直線部141a的一端部與直線部141b的一端部。即，彎曲部142a～142h是以連結紅外線加熱器140中的相鄰的2個直線部141a～141i的端部的方式彎曲的彎曲部。在俯視時，彎曲部142a～142h呈向外凸出的U字管狀。彎曲部142a、142b、142c、142d、142e、142f、142g、142h從第二方向V2的一側朝向另一側依序配置。

第一罩部143和第二罩部144以從外覆蓋多個彎曲部142a～142h的方式在第二方向V2上以直線狀延伸。 第一罩部143從第一方向V1的一側覆蓋4個彎曲部142b、142d、142f、142h。 第二罩部144從第一方向V1的另一側覆蓋4個彎曲部142a、142c、142e、142g。

第一罩部143與第二方向V2的一側的直線部141a的一端部連結。第一罩部143呈在第二方向V2上具有長邊的直管狀。第一罩部143與彎曲部142b、142d、142f、142h之間的間隔U2(中心軸間的間距)被設為與相鄰的2個直線部141a～141i之間的間隔U1實質上相同的大小。

第二罩部144與第二方向V2的另一側的直線部141i的一端部連結。第二罩部144呈L字管狀。即，第二罩部144具備：在第二方向V2上具有長邊的罩主體144a；以及與罩主體144a的一端部連結並且在第一方向V1上具有長邊的延伸部144b。第二罩部144與彎曲部142a、142c、142e、142g之間的間隔U3(中心軸間的間距)被設為與相鄰的2個直線部141a～141i之間的間隔U1實質上相同的大小。

第一導入部145設置於紅外線加熱器140的一端。第一導入部145配置在紅外線加熱器140的一邊的一側。具體而言，第一導入部145設置於第一罩部143的一端。第一導入部145的一部分在俯視時進入紅外線加熱器140的外形內。

第二導入部146設置於紅外線加熱器140的另一端。第二導入部146配置於紅外線加熱器140的一邊的另一側。第二導入部146在第二方向V2上配置於與第一導入部145相反的一側。具體而言，第二導入部146設置於第二罩部144中延伸部144b的一端。第二導入部146的一部分在俯視時進入紅外線加熱器140的外形內。

如圖3所示，加熱器單元6構成為鋪設多個(例如本實施方式中為20台)紅外線加熱器140。 加熱器單元6具備一對第一紅外線加熱器組140A和一對第二紅外線加熱器組140B。第一紅外線加熱器組140A和第二紅外線加熱器組140B在第二方向V2上交替鋪設配置。

第一紅外線加熱器組140A具備多個(例如本實施方式中為5台)第一紅外線加熱器140a1～140a5。一對第一紅外線加熱器組140A具備合計10台的第一紅外線加熱器140a1～140a5。多個第一紅外線加熱器140a1～140a5沿第一方向V1(一方向)鋪設配置。第一紅外線加熱器140a1、140a2、140a3、140a4、140a5從第一方向V1的一側朝向另一側依序配置。

第二紅外線加熱器組140B具備多個(例如本實施方式中為5台)第二紅外線加熱器140b1～140b5。一對第二紅外線加熱器組140B具備合計10台的第二紅外線加熱器140b1～140b5。多個第二紅外線加熱器140b1～140b5沿第一方向V1鋪設配置。第二紅外線加熱器140b1、140b2、140b3、140b4、140b5從與第一方向V1平行的方向的一側朝向另一側依序配置。

第二紅外線加熱器140b1～140b5具有在俯視時與第一紅外線加熱器140a1～140a5相同的形狀。第二紅外線加熱器140b1～140b5具有在俯視時使第一紅外線加熱器140a1～140a5反轉(180度旋轉)的形狀。具體而言，第二紅外線加熱器140b1～140b5具有在俯視時使第一紅外線加熱器140a1～140a5以其中心為起點右旋(順時針)旋轉180度的形狀。

＜塊體＞ 如圖1所示，塊體7配置在腔室2內的下方。塊體7是可固定於腔室2的內表面的塊狀的部件。塊體7配置在基板10的與第一面10a相反側的第二面10b(下表面)側。如圖2所示，塊體7配置在腔室2的底板27側。塊體7呈矩形板狀。在塊體7設置有從下方支承基板10的支承銷8。

支承銷8可支承基板10的第二面10b。支承銷8是沿上下延伸的棒狀的部件。支承銷8的前端(上端)與基板10的第二面10b抵接。支承銷8在與第二面10b平行的方向(X方向以及Y方向)上隔開間隔地設置有多個。多個支承銷8分別形成為大致相同的長度。多個支承銷8的前端配置在與第二面10b平行的面內(XY平面內)。

＜溫度檢測部＞ 溫度檢測部9被配置於收納空間2S。溫度檢測部9可檢測基板10的溫度。例如，溫度檢測部9是熱電偶。溫度檢測部9安裝於支承銷8。溫度檢測部9實質上沿水平方向延伸。溫度檢測部9的前端與基板10的第二面10b對置。

溫度檢測部9的前端配置在基板10與塊體7之間。溫度檢測部9的前端的位置比塊體7更接近基板10。溫度檢測部9的前端接近基板10的第二面10b。溫度檢測部9的前端與基板10的第二面10b之間的分離距離被設為在多個溫度檢測部9的每一個中實質上相同。

溫度檢測部9在X方向和Y方向上分別隔開間隔地配置有多個。在本實施方式中，溫度檢測部9配置有3行3列(即，在X方向上為3個且在Y方向上為3個)共計9個。在圖2中，表示在X方向上隔開間隔配置的3個溫度檢測部9。溫度檢測部9被配置於對基板10設定的多個(例如9個)區域的每一個。溫度檢測部9的前端作為檢測基板10的各區域的溫度的感測器發揮功能。

另外，溫度檢測部9的數量不限於9個。溫度檢測部9的數量可設定為任意的數量。例如，多個溫度檢測部9配置在與基板10的各區域對應的位置為佳。 另外，溫度檢測部9不限於熱電偶。例如，溫度檢測部9也可以是輻射溫度計等非接觸溫度感測器。例如，溫度檢測部9不限於非接觸溫度感測器，也可以是接觸式溫度感測器。

＜壓力檢測部＞ 壓力檢測部14(參照圖1)可檢測收納空間2S的壓力(以下也稱為“腔室內壓力”)。例如，壓力檢測部14的主體部(感測器)被配置在腔室2內。例如，壓力檢測部14的顯示部(壓力顯示器)被配置在腔室2外。例如，壓力檢測部14是數位壓力感測器。另外，在圖1中僅圖示了1個壓力檢測部14，但壓力檢測部14的數量不限於1個，也可以是多個。

＜氣體液化回收部＞ 如圖1所示，氣體液化回收部11與壓力調整部3(真空泵13)的管線連接。氣體液化回收部11被配置於壓力調整部3的管線中真空泵13的下游側。氣體液化回收部11可將通過真空配管3a的氣體液化，並且能夠回收從塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液揮發的溶劑。

假設氣體液化回收部11被配置於壓力調整部3的管線中比真空泵13還上游側的情況下，在上游側液化的液體有時在之後的減壓時被氣化，抽真空時間有可能會延遲。相對於此，根據本實施方式，由於氣體液化回收部11被配置於壓力調整部3的管線中比真空泵13還下游側，因此在下游側液化的液體不會在之後的減壓時被氣化，因此能夠避免抽真空時間延遲。

＜冷卻部＞ 冷卻部17可冷卻腔室2。如圖2所示，冷卻部17配置在腔室2的構成構件的內部，並且具備可使冷媒通過的冷媒通過部18。例如，冷媒是水等液體。冷媒藉由未圖示的泵在冷媒通過部18中流動。雖然未圖示，但在冷媒通過部18設置有冷媒的供給口及排出口。此外，冷媒不限於水等液體。例如，冷媒也可以是空氣等氣體。

冷媒通過部18在腔室2設置有多個。在圖2的例子中，冷媒通過部18分別設置於腔室2的頂板25、底板27以及下部周壁28(閘口29)。由此，能夠將腔室2的頂板25、底板27以及下部周壁28(閘口29)各自的溫度保持為恆定。 此外，冷媒通過部18可以設置在腔室2的所有壁部。

＜隔熱部＞ 如圖2所示，隔熱部30配置在腔室2的內表面與加熱器單元6之間。隔熱部30設置於塗布有聚醯亞胺形成用液的基板10的周邊。隔熱部30具備多個隔熱板31。隔熱部30是在其厚度方向上隔開間隔地配置有多個隔熱板31的結構體。例如，多個隔熱板31的配置間隔被設定為可容許各隔熱板31的熱膨脹的大小。在本實施方式中，隔熱部30具備3片隔熱板31。隔熱板31可吸收紅外線。例如，隔熱板31由不銹鋼(SUS)等金屬形成。

3片隔熱板31分別具有大致相同的厚度。各隔熱板31具有整體一樣的厚度。隔熱板31具有1mm以下的厚度。例如，隔熱板31的厚度為0.3mm以上1mm以下。

從減小隔熱板31的熱容量的觀點來看，將隔熱板31的厚度設為0.5mm以下較佳，設為0.3mm以下更佳。另外，隔熱板31的厚度的下限值不限於上述，只要設定在可確保隔熱板31的強度、剛性的範圍內即可。

隔熱部30在腔室2設置有多個。在圖2的例子中，隔熱部30以分別面對腔室2的頂板25、上部周壁26、底板27(塊體7)及下部周壁28(閘口29)的方式設置。由此，能夠防止來自加熱器單元6的紅外線直接照射到腔室2的頂板25、上部周壁26、底板27以及下部周壁28(閘口29)的情況。

雖未圖示，但在面對腔室2的頂板25的隔熱部30，在與支承部件19重疊的部分形成有貫通孔。另一方面，在面向底板27(塊體7)的隔熱部30，在與支承銷8重疊的部分形成有貫通孔。

3片隔熱板31相對於紅外線的照射方向V1隔開間隔地設置。與腔室2的頂板25、底板27面對的3片隔熱板31相對於紅外線的照射方向V1大致平行地隔開間隔設置。與腔室2的上部周壁26、下部周壁28面對的3片隔熱板31以相對於紅外線的照射方向V1大致正交的方式水平地隔開間隔設置。

以下，將3片隔熱板31中設置於最靠基板10側者稱作“第一隔熱板31A”，將設置於最靠腔室2的內表面側者稱作“第二隔熱板31B”，將設置於第一隔熱板31A與第二隔熱板31B之間者稱作“第三隔熱板31C”(參照圖5)。

第一隔熱板31A與基板10、遮擋部40等隔開間隔地配置。例如，第一隔熱板31A與遮擋部40的間隔被設定為可容許第一隔熱板31A、遮擋部40的熱膨脹的大小。

第一隔熱板31A的基板10側的面31f1(以下也稱為“內側面31f1”)是3片隔熱板31中最靠基板10側的面。第一隔熱板31A的內側面31f1與鏡面相比紅外線的吸收率較高。第一隔熱板31A的內側面31f1為黑色。例如，第一隔熱板31A的內側面31f1是用陽極氧化覆膜處理將不銹鋼板(SUS板)的一面進行黑色化而得到的。另外，第一隔熱板31A的內側面31f1不限於此，也可以用黑色塗料、炭黑、或者類金剛石碳(DLC)等進行黑色化。

第二隔熱板31B與腔室2的內表面隔開間隔地配置。例如，腔室2的內表面與第二隔熱板31B的間隔被設定為可容許腔室2的內表面、第二隔熱板31B的熱膨脹的大小。

第二隔熱板31B的腔室2的內表面側的面31f2(以下也稱為“外側面31f2”)是3片隔熱板31中最靠腔室2的內表面側的面。第二隔熱板31B的外側面31f2為鏡面。第二隔熱板31B的外側面31f2被實施鏡面加工。具體而言，第二隔熱板31B的外側面31f2的表面粗糙度Ra為0.1μm左右，Rz為1.2μm左右。

如圖5所示，隔熱部30藉由連結部70來固定於腔室2的內表面的固定位置。連結部70包括螺栓等連結部件71、72(第一連結部件71以及第二連結部件72)。構成隔熱部30的多個隔熱板31藉由連結部70以隔開既定間隔的狀態被支承。

在圖5的例子中，示出面對腔室2的下部周壁28的3片隔熱板31的支承狀態。例如，3片隔熱板31藉由螺栓等第一連結部件71分別以隔開間隔的狀態被支承。例如，第二隔熱板31B藉由螺栓等第二連結部件72以與腔室2的內表面隔開間隔的狀態被支承。

＜遮擋部＞ 遮擋部40設置在基板10與加熱器單元6之間。遮擋部40以從上方覆蓋基板10的方式配置。遮擋部40是供紅外線穿透且遮擋基板加熱時的昇華物的矩形板狀的遮擋板。遮擋部40以相對於紅外線的照射方向J1大致正交的方式水平地配置。例如，遮擋部40由石英玻璃形成。另外，遮擋部40不限於石英玻璃，能夠根據要求規格由各種材料形成。

＜遮擋支承部＞ 遮擋支承部50設置在基板10與加熱器單元6之間。遮擋支承部50具備支承遮擋部40的多個遮擋支承體51、52。多個遮擋支承體51、52各自是共用的。

遮擋支承體51、52以相對於紅外線的照射方向J1交錯的方式延伸。遮擋支承體51、52相對於紅外線的照射方向J1大致正交，且各自相對於遮擋部40的X方向端的兩邊大致平行地延伸。遮擋支承體51、52在Y方向上呈直線狀延伸。遮擋支承體51、52具有圓柱狀。另外，遮擋支承體51、52的形狀不限於圓柱狀，也可以是矩形板狀等其他形狀。

如圖2所示，遮擋部40被多個遮擋支承體51、52支承。多個遮擋支承體51、52是設置於遮擋部40的一端(X方向的第一邊)的第一遮擋支承體51、和設置於遮擋部40的另一端(在X方向上與第一邊相對的第二邊)的第二遮擋支承體52。

第一遮擋支承體51及第二遮擋支承體52各自的兩端部分別支承於下部周壁28的Y方向兩側面。第一遮擋支承體51和第二遮擋支承體52被設置為彼此大致相同的高度。在本實施方式中，遮擋部40僅由第一遮擋支承體51及第二遮擋支承體52這兩根來支承。第一遮擋支承體51及第二遮擋支承體52的間隔(X方向的間隔)大於基板10的長邊方向的長度。

＜作用效果＞ 如上所述，根據本實施方式，基板加熱裝置1包括：腔室2，在內部形成有可收納基板10的收納空間2S；加熱器單元6，配置於收納空間2S，並且可利用紅外線對基板10進行加熱；以及隔熱板31，設置於腔室2的內表面與加熱器單元6之間，吸收紅外線且具有1mm以下的厚度。 根據該構造，包含設置於腔室2的內表面與加熱器單元6之間的隔熱板31，藉此能夠利用隔熱板31遮擋朝向腔室2的內表面的紅外線。朝向腔室2的內表面的紅外線被隔熱板31吸收，因此紅外線不會直接照射到腔室2的內表面。因此，能夠抑制腔室2因加熱而變形或劣化的情況。另外，能夠抑制腔室2內表面的紅外線反射率因腔室2的變色而變化的情況。因此，能夠抑制腔室2的變形或劣化，並且能夠提高基板加熱時的穩定性。 除此之外，使隔熱板31的厚度為1mm以下，藉此與隔熱板31的厚度超過1mm的情況相比能夠減小隔熱板31的熱容量。因此，隔熱板31的熱飽和較快，熱容易變得均勻。另外，隔熱板31容易冷卻，因此維護性優異。進而，有助於隔熱板31的薄型化及輕量化。

在本實施方式中，隔熱板31設置於塗布有溶液的基板10的周邊，從而起到以下的效果。 由於能夠利用隔熱板31遮擋從基板10朝向腔室2的內表面的煙氣，因此能夠抑制昇華物附著於腔室2的內表面。因此，能夠抑制腔室2內表面的紅外線反射率因昇華物附著而變化的情況。因此，能夠提高基板加熱時的穩定性。

在本實施方式中，隔熱板31相對於紅外線的照射方向J1隔開間隔地設置有多個，從而起到以下的效果。 藉由多個隔熱板31而能夠階段性地抑制朝向腔室2的內表面的熱量，因此能夠更有效地抑制腔室2因加熱而變形或劣化的情況。

在本實施方式中，多個隔熱板31中最靠基板10側的面31f1與鏡面相比紅外線的吸收率較高，從而起到以下的效果。 能夠促進紅外線的吸收所致的隔熱板31的加熱。由此，能夠抑制從基板10朝向腔室2的內表面的煙氣在隔熱板31的表面被冷卻而成為昇華物的情況。因此，能夠抑制昇華物附著於隔熱板31。

在本實施方式中，多個隔熱板31中最靠基板10側的面31f1為黑色，從而起到以下的效果。 由於利用隔熱板31有效地吸收紅外線，因此能夠更有效地促進隔熱板31的加熱。因此，能夠更有效地抑制昇華物附著於隔熱板31的情況。

在本實施方式中，多個隔熱板31中最靠腔室2的內表面側的面31f2為鏡面，從而起到以下的效果。 能夠在多個隔熱板31中最靠腔室2的內表面側的面31f2反射紅外線。由此，與多個隔熱板31中最靠腔室2的內表面側的面31f2為黑色的情況相比，能夠提高腔室2內的溫度均勻性。進而，由於成為鏡面而輻射率下降，因此能夠抑制來自隔熱板31的再輻射朝向腔室2的熱傳遞，能夠提高抑制腔室2的溫度上升的效果。

在本實施方式中，隔熱板31為金屬製，從而起到以下的效果。 與隔熱板31為玻璃的情況相比，熱飽和較快，熱容易變得均勻。

在本實施方式中，腔室2包括：頂板25，位於基板10的上方；底板27，位於基板10的下方，與頂板25對置；以及周壁26、28，包圍基板10的周圍，隔熱板31分別設置於頂板25、底板27以及周壁26、28，從而起到以下的效果。 由於能夠利用隔熱板31遮擋從基板10分別朝向腔室2的頂板25、底板27以及周壁26、28的煙氣，因此能夠抑制昇華物分別向腔室2的頂板25、底板27以及周壁26、28的附著。

在本實施方式中，在基板10塗布用於形成聚醯亞胺的溶液，從而起到以下的效果。 根據該構造，在形成聚醯亞胺時，能夠抑制腔室2的變形或劣化，並且能夠提高基板加熱時的穩定性。

＜第二實施方式＞ 接著，使用圖6至圖12對本發明的第二實施方式進行說明。 在第二實施方式中，相對於第一實施方式，隔熱部的構造(隔熱板的配置)尤其不同。在圖6至圖12中，對與第一實施方式相同的構造標注相同的符號，並省略其詳細的說明。 圖6是表示第二實施方式的隔熱部的構造的一例的俯視圖。圖6表示設置在腔室的底板側的隔熱部(以下也稱為“底板側隔熱部”)的例子。圖6是從上方觀察底板側隔熱部的圖。

底板側隔熱部230A以面向底板27(塊體7)的方式設置。在底板側隔熱部230A中，在與支承銷8重疊的部分形成有貫通孔235(參照圖8)。底板側隔熱部230A具備多個隔熱板231A(以下也稱為“底板側隔熱板231A”)。底板側隔熱部230A是使多個底板側隔熱板231A重疊而配置成高度不同的結構體。底板側隔熱部230A整體形成為俯視時在X方向上具有長邊的矩形狀。

如圖7所示，例如，多個底板側隔熱板231A的重疊量231W1(俯視時相互重疊的部分的最大寬度)被設定為15mm以上20mm以下。例如，多個底板側隔熱板231A的高度差的間隔231W2被設定為可容許各底板側隔熱板231A的熱膨脹的大小。例如，高度差的間隔231W2被設定為5mm左右。如圖6所示，在本實施方式中，底板側隔熱部230A具備24片底板側隔熱板231A。24片底板側隔熱板231A分別具有大致相同的矩形形狀的外形。

底板側隔熱部230A具有上段、中段以及下段的三段結構。以下，將底板側隔熱部230A中的設置於上段(最靠基板10側)的部分稱為“底板側上段隔熱部”，將設置於下段(最底板27側)的部分稱為“底板側下段隔熱部”，將設置於中段(底板側上段隔熱部與底板側下段隔熱部之間)的部分稱為“底板側中段隔熱部”。

底板側上段隔熱部230A1具備4片底板側隔熱板231A1(以下也稱為“底板側上段隔熱板231A1”)。4片底板側上段隔熱板231A1設置在底板側隔熱部230A的Y方向中央側，在X方向上隔開間隔地配置。

底板側下段隔熱部230A2具備12片底板側隔熱板231A2(以下也稱為“底板側下段隔熱板231A2”)。12片底板側下段隔熱板231A2具有：設置在底板側隔熱部230A的Y方向中央側且在X方向上隔開間隔配置的4片；設置在底板側隔熱部230A的+Y方向側且在X方向上隔開間隔配置的4片；以及設置在底板側隔熱部230A的-Y方向側且在X方向上隔開間隔配置的4片。 Y方向中央側的底板側下段隔熱板231A2的X方向端部在俯視時與底板側上段隔熱板231A1的X方向端部相互重疊。 +Y方向側的底板側下段隔熱板231A2的-Y方向端部在俯視時與底板側上段隔熱板231A1的+Y方向端部相互重疊。 -Y方向側的底板側下段隔熱板231A2的+Y方向端部在俯視時與底板側上段隔熱板231A1的-Y方向端部相互重疊。

底板側中段隔熱部230A3具備8片底板側隔熱板231A3(以下也稱為“底板側中段隔熱板231A3”)。8片底板側中段隔熱板231A3具有：設置於底板側隔熱部230A的+Y方向側且在X方向上隔開間隔配置的4片；以及設置於底板側隔熱部230A的-Y方向側且在X方向上隔開間隔配置的4片。 +Y方向側的底板側中段隔熱板231A3的-Y方向角部在俯視時與底板側上段隔熱板231A1的+Y方向角部相互重疊。+Y方向側的底板側中段隔熱板231A3的X方向端部在俯視時與+Y方向側的底板側下段隔熱板231A2的X方向端部相互重疊。+Y方向側的底板側中段隔熱板231A3的-Y方向端部在俯視時與Y方向中央側的底板側下段隔熱板231A2的+Y方向端部相互重疊。 -Y方向側的底板側中段隔熱板231A3的+Y方向角部在俯視時與底板側上段隔熱板231A1的-Y方向角部相互重疊。-Y方向側的底板側中段隔熱板231A3的X方向端部在俯視時與-Y方向側的底板側下段隔熱板231A2的X方向端部相互重疊。-Y方向側的底板側中段隔熱板231A3的+Y方向端部在俯視時與Y方向中央側的底板側下段隔熱板231A2的-Y方向端部相互重疊。

各底板側隔熱板231A在俯視時與支承銷8重疊的部分具有貫通孔235。貫通孔235在俯視時具有U字形狀(參照圖8)。 各底板側隔熱板231A由其中心1點和其周邊(外周)8點保持。以下，也將保持底板側隔熱板231A的中心的部件稱為“中心保持部”，將保持底板側隔熱板231A的周邊的部件稱為“周邊保持部”。

圖9是表示第二實施方式的中心保持部的一例的圖。 如圖9所示，中心保持部280A可進行底板側隔熱板231A的中心定位(固定底板側隔熱板231A的中心部分)。中心保持部280A具備螺栓281、一對螺母282、283和筒狀的間隔件284。

例如，螺栓281是六角帶孔螺栓。螺栓281具有可安裝於腔室2的內表面的頭部281a、和可供螺母282、283螺合的外螺紋部281b。例如，在腔室2的內表面設置有可插入頭部281a的六角孔的安裝桿部202a。 例如，螺母282、283是帶凸緣的螺母。一對螺母282、283在與螺栓281的外螺紋部281b螺合的狀態下，隔著底板側隔熱板231A相互對置。 在間隔件284插通有螺栓281的外螺紋部281b。例如，間隔件284的長度可根據底板側隔熱板231A的設置位置而變更。

例如，首先，在腔室2的既定面上固定螺栓281。接著，將適合於底板側隔熱板231A的設置位置的長度的間隔件284插通於螺栓281的外螺紋部281b。接著，使一方的螺母282與螺栓281的外螺紋部281b螺合，與間隔件284的上端抵接。接著，將螺栓281的外螺紋部281b插通於底板側隔熱板231A的貫通孔，使底板側隔熱板231A的下表面與一方的螺母282的凸緣部抵接。接著，使另一方螺母283與螺栓281的外螺紋部281b螺合，使另一方螺母283的凸緣部與底板側隔熱板231A的上表面抵接。例如，以既定扭矩擰緊另一方螺母283，用一對螺母282、283的凸緣部夾入底板側隔熱板231A。由此，能夠進行底板側隔熱板231A的中心定位(固定底板側隔熱板231A的中心部分)。

圖10是表示第二實施方式的周邊保持部的一例的圖。 如圖10所示，周邊保持部280B能夠從下方支承底板側隔熱板231A的中心以外的部分。周邊保持部280B具備螺栓285、螺母286、筒狀的間隔件287以及環狀的套環288。

例如，螺栓285是六角帶孔螺栓。螺栓285具有可安裝於腔室2的內表面的頭部285a、和可供螺母286螺合的外螺紋部285b。例如，在腔室2的內表面設置有可插入頭部285a的六角孔的安裝桿部202a。 例如，螺母286是帶凸緣的螺母。螺母286在與螺栓285的外螺紋部285b螺合的狀態下，隔著底板側隔熱板231A與套環288對置。 在間隔件287插通有螺栓285的外螺紋部285b。例如，間隔件287的長度可根據底板側隔熱板231A的設置位置而變更。 在套環288插通有螺栓285的外螺紋部285b。例如，套環288的外形與螺母286的凸緣部的外形大致相同。

例如，首先，在腔室2的既定面上固定螺栓285。接著，將適合於底板側隔熱板231A的設置位置的長度的間隔件287插通於螺栓285的外螺紋部285b。接著，將套環288插通至螺栓285的外螺紋部285b，與間隔件287的上端抵接。接著，將螺栓285的外螺紋部285b插通於底板側隔熱板231A的貫通孔，將底板側隔熱板231A的下表面抵接於套環288。接著，將螺母286與螺栓285的外螺紋部285b螺合，在底板側隔熱板231A的上表面隔開間隙286W地配置螺母286的凸緣部。由此，能夠從下方支承底板側隔熱板231A的中心以外的部分。

例如，間隙286W的大小被設定為1mm左右。由此，能夠設為將0.3mm左右的厚度的底板側隔熱板231A放過的結構。另外，間隙286W的大小不限於上述大小，可根據底板側隔熱板231A的厚度進行變更，只要設定為可容許底板側隔熱板231A的熱膨脹的大小即可。

圖11是表示第二實施方式的隔熱部的構造的另一例的俯視圖。圖11表示設置在腔室的頂板側的隔熱部(以下也稱為“頂板側隔熱部”)的例子。圖11相當於從下方觀察頂板側隔熱部的圖。 頂板側隔熱部230B以面向腔室2的頂板25的方式設置。在頂板側隔熱部230B，在與支承部件19重疊的部分形成有貫通孔236。頂板側隔熱部230B具備多個隔熱板231B(以下也稱為“頂板側隔熱板231B”)。頂板側隔熱部230B是使多個頂板側隔熱板231B重疊而配置成高度不同的結構體。頂板側隔熱部230B作為整體形成為俯視時在X方向上具有長邊的矩形形狀。

如圖12所示，例如，多個頂板側隔熱板231B的重疊量231W1(俯視時相互重疊的部分的最大寬度)被設定為15mm以上20mm以下。例如，多個頂板側隔熱板231B的高度差的間隔231W2被設定為可容許各頂板側隔熱板231B的熱膨脹的大小。例如，高度差的間隔231W2被設定為5mm左右。如圖11所示，在本實施方式中，頂板側隔熱部230B具備15片頂板側隔熱板231B。15片頂板側隔熱板231B分別具有大致相同的矩形形狀的外形。

頂板側隔熱部230B具有上段、中段以及下段的三段結構。以下，將頂板側隔熱部230B中設置於上段(最靠頂板25側)的部分稱為“頂板側上段隔熱部”，將設置於下段(最靠基板10側)的部分稱為“頂板側下段隔熱部”，將設置於中段(頂板側上段隔熱部與頂板側下段隔熱部之間)的部分稱為“頂板側中段隔熱部”。

頂板側上段隔熱部230B1具備8片頂板側隔熱板231B1(以下也稱為“頂板側上段隔熱板231B1”)。8片頂板側上段隔熱板231B1具有：設置在頂板側隔熱部230B的Y方向中央側且在X方向上隔開間隔配置的2片；設置在頂板側隔熱部230B的+Y方向側且在X方向上隔開間隔配置的3片；以及設置在頂板側隔熱部230B的-Y方向側且在X方向上隔開間隔配置的3片。

頂板側下段隔熱部230B2具備3片頂板側隔熱板231B2(以下也稱為“頂板側下段隔熱板231B2”)。3片頂板側下段隔熱板231B2設置在頂板側隔熱部230B的Y方向中央側，在X方向上隔開間隔地配置。 頂板側下段隔熱板231B2的X方向端部在俯視時與Y方向中央側的頂板側上段隔熱板231B1的X方向端部相互重疊。 頂板側下段隔熱板231B2的+Y方向端部在俯視時與+Y方向側的頂板側上段隔熱板231B1的-Y方向端部相互重疊。 頂板側下段隔熱板231B2的-Y方向端部在俯視時與-Y方向側的頂板側上段隔熱板231B1的+Y方向端部相互重疊。

頂板側中段隔熱部230B3具備4片頂板側隔熱板231B3(以下也稱為“頂板側中段隔熱板231B3”)。4片頂板側中段隔熱板231B3具有：設置於頂板側隔熱部230B的+Y方向側且在X方向上隔開間隔地配置的2片；以及設置於頂板側隔熱部230B的-Y方向側且在X方向上隔開間隔地配置的2片。 +Y方向側的頂板側中段隔熱板231B3的-Y方向角部在俯視時與頂板側下段隔熱板231B2的+Y方向角部相互重疊。+Y方向側的頂板側中段隔熱板231B3的X方向端部在俯視時與+Y方向側的頂板側上段隔熱板231B1的X方向端部相互重疊。+Y方向側的頂板側中段隔熱板231B3的-Y方向端部在俯視時與Y方向中央側的頂板側上段隔熱板231B1的+Y方向端部相互重疊。 -Y方向側的頂板側中段隔熱板231B3的+Y方向角部在俯視時與頂板側下段隔熱板231B2的-Y方向角部相互重疊。-Y方向側的頂板側中段隔熱板231B3的X方向端部在俯視時與-Y方向側的頂板側上段隔熱板231B1的X方向端部相互重疊。-Y方向側的頂板側中段隔熱板231B3的+Y方向端部在俯視時與Y方向中央側的頂板側上段隔熱板231B1的-Y方向端部相互重疊。

各頂板側隔熱板231B在俯視時與支承部件19重疊的部分具有貫通孔236。貫通孔236在俯視時具有圓形狀。 各頂板側隔熱板231B由其中心1點和其周邊12點保持。各頂板側隔熱板231B的中心由中心保持部保持。各底板側隔熱板231B的周邊由周邊保持部保持。例如，頂板側隔熱部230B的保持部也可以使用與上述的底板側隔熱部230A的保持部280A、280B共用的保持部。另外，保持部280A、280B不限於底板側隔熱板231A以及頂板側隔熱板231B，可應用於全部隔熱板。

圖12是圖11的XII-XII剖視圖。在圖12中，一併示出氣體(例如N₂ )的流動。圖中箭頭N₂ 表示氣體的流動方向。 如圖12所示，多個頂板側隔熱板231B以相對於來自頂板25(上方)的氣體的供給方向(鉛直向下)大致正交的方式水平地配置。例如，從上方供給的氣體朝向頂板側上段隔熱板231B1向下方流動後，沿著頂板側上段隔熱板231B1的上表面向外流動。之後，氣體沿著頂板側中段隔熱板231B3的上表面向外流動。之後，氣體的一部分沿著另一頂板側上段隔熱板231B1的上表面向外流動。另一方面，氣體的另一部分沿著頂板側下段隔熱板231B2的上表面向外流動。

如上所述，根據本實施方式，多個隔熱板231A(231B)重疊配置為高度不同，從而起到以下的效果。 由於腔室2的內表面不露出，因此能夠抑制昇華物附著於腔室2的內表面。因此，能夠抑制腔室2內表面的紅外線反射率因昇華物附著而變化的情況。由此，能夠提高基板加熱時的穩定性。

在本實施方式中，隔熱板231A(231B)的中心部分由中心保持部280A固定。隔熱板231A(231B)的中心以外的部分被周邊保持部280B僅從厚度方向的一方支承。藉由以上的構造，從而起到以下的效果。 能夠進行隔熱板231A(231B)的中心定位的同時，允許隔熱板231A(231B)的熱膨脹。

＜第三實施方式＞ 接著，使用圖13對本發明的第三實施方式進行說明。 在第三實施方式中，相對於第一實施方式，腔室的底板上的形態尤其不同。在圖13中，對與第一實施方式相同的構造標注相同的符號，並省略其詳細的說明。

圖13是表示第三實施方式的防附著板的俯視圖。 如圖13所示，在腔室2的底板27，為了防止昇華物附著於腔室2的內表面而設置有防附著板389。防附著板389設置於底板27的上表面。防附著板389在俯視時呈在Y方向上具有長邊的長方形狀。防附著板389在X方向上隔開間隔地配置有多個。例如，防附著板389是具有0.1mm左右的厚度的SUS板。

如上所述，根據本實施方式，將防附著板389設置於底板27的上表面，從而起到以下的效果。 由於設置有防附著板389的部分，底板27的上表面不露出，因此能夠防止昇華物附著於底板27的上表面。除此之外，能夠抑制昇華物向防附著板389的上表面的附著。

＜第四實施方式＞ 接著，使用圖14對本發明的第四實施方式進行說明。 在第四實施方式中，相對於第一實施方式，氣體的流動方向尤其不同。在圖14中，對與第一實施方式相同的構造標注相同的符號，並省略其詳細的說明。

圖14是第四實施方式的基板加熱裝置的剖視圖。 如圖14所示，N₂ 供給部在腔室2的頂板25設置有4個(圖14中箭頭N₂ )。抽真空的管線在腔室2的底板27設置有1個(圖14中箭頭Vacuum)。例如，抽真空的管線配置於腔室2的底板27中央。隔熱板431(隔熱部430)與腔室2的內表面隔開間隔地配置。在腔室2的內表面與隔熱板431之間形成有氣體的流路。

圖14中箭頭F1表示通過腔室2的內表面與隔熱板431之間的氣體的流動方向。例如，從上方供給的氣體在腔室2的頂板25與頂板側的隔熱板431之間向外流動。之後，氣體在腔室2的周壁26、28與周壁側的隔熱板431之間向下流動。之後，氣體在腔室2的底板27與底板側的隔熱板431之間向內流動。之後，氣體流向抽真空的管線。在本實施方式中，從上方供給的氣體以沿腔室2的內表面的方式流動後，向腔室2的外部排出。

圖14中箭頭G1表示基板加熱時的昇華物的流動方向。例如，來自基板10的上表面10a的昇華物在基板10與遮擋部40之間向外流動。之後，昇華物在周壁側的隔熱板431與基板10之間向下方流動。之後，昇華物在底板側的隔熱板431與基板10之間向內流動。之後，昇華物流向抽真空的管線。

如上所述，根據本實施方式，使氣體在腔室2的內表面與隔熱板431之間流動，從而起到以下的效果。 由於能夠抑制昇華物滯留在腔室2的內表面與隔熱板431之間，因此能夠抑制昇華物向腔室2的內表面的附著。

在本實施方式中，抽真空的同時使氣體從腔室2的頂板25側向下流動，從而起到以下的效果。 能夠抑制昇華物附著於腔室2的頂板25。因此，在清掃時不需要裝卸紅外線加熱器140，能夠抑制維護需要過多時間的情況。此外，從腔室2的頂板25供給氣體並從底板27進行排氣，藉此由下降流的效果來降低異物的卷起，使得腔室2的內部的顆粒減少。

＜第五實施方式＞ 接著，使用圖15對本發明的第五實施方式進行說明。 在第五實施方式中，相對於第四實施方式，抽真空管線的構造尤其不同。在圖15中，對與第一實施方式以及第四實施方式相同的構造標注相同的符號，並省略其詳細的說明。

圖15是第五實施方式的基板加熱裝置的剖視圖。 如圖15所示，在抽真空的管線設置有昇華物回收部590。例如，昇華物回收部590構成為可相對於抽真空的管線進行裝卸。昇華物回收部590被配置於抽真空的管線中比真空泵13還上游側。昇華物回收部590形成為可回收進入至抽真空的管線的昇華物的箱狀。例如，在昇華物回收部590的內部設置有多個翅片591。例如，在昇華物回收部590的外部設置有可冷卻昇華物回收部590的冷卻部592。例如，冷卻部592也可以包括可使水等冷媒流通的配管。

閥595被配置於抽真空的管線中比昇華物回收部590還下游側。以下，在抽真空的管線中，將從腔室2的底部向下方延伸的部分設為“第一管線”，將從第一管線的下端向側方延伸的部分設為“第二管線”。昇華物回收部590與第一管線連接。閥595與第二管線連接。

如上所述，根據本實施方式，在抽真空的管線設置有昇華物回收部590，從而起到以下的效果。 能夠藉由昇華物回收部590來回收欲通過抽真空的管線的昇華物。由此，能夠抑制昇華物附著於抽真空的管線中比昇華物回收部590還下游側的部分。

在本實施方式中，昇華物回收部590構成為相對於抽真空的管線可進行裝卸，從而起到以下的效果。 由於能夠在將昇華物回收部590從抽真空的管線拆下的狀態下進行清洗等，因此昇華物回收部590的維護性提高。

在本實施方式中，在昇華物回收部590的內部設置有多個翅片591，從而起到以下的效果。 除了昇華物回收部590的內表面之外，還能夠使昇華物附著於多個翅片591的表面，因此昇華物的附著效率提高。

在本實施方式中，在昇華物回收部590的外部設置有可冷卻昇華物回收部590的冷卻部592，從而起到以下的效果。 由於能夠冷卻昇華物回收部590，因此昇華物的附著效率提高。

在本實施方式中，閥595被配置於抽真空的管線中比昇華物回收部590還下游側，從而起到以下的效果。 由於能夠藉由昇華物回收部590來回收欲通過抽真空的管線的昇華物，因此能夠抑制昇華物向閥595的附著。

在本實施方式中，昇華物回收部590與第一管線連接。閥595與第二管線連接。藉由以上的構造，從而起到以下的效果。 假設在閥設置於腔室的下表面正下方的情況下，在通過抽真空的管線回收昇華物時昇華物附著於閥的可能性較高。相對與此，根據本實施方式，閥595與第二管線連接，從而閥595遠離腔室的下表面正下方，因此能夠更有效地抑制昇華物附著於閥595的情況。

＜變形例＞ 另外，在上述的例子中示出的各構成部件的各種形狀、組合等是一例，且可基於設計要求等進行各種變更。 在上述實施方式中，基板加熱部是具備多個紅外線加熱器的加熱器單元，但不限於此。例如，基板加熱部也可以是單一的紅外線加熱器。

在上述實施方式中，隔熱板的厚度為1mm以下，但不限於此。例如，隔熱板的厚度也可以超過1mm。例如，隔熱板的厚度不限於上述範圍，可以設定在促進隔熱板的加熱、抑制昇華物向隔熱板的附著的範圍內。例如，隔熱板的厚度能夠根據要求規格而變更。

在上述實施方式中，隔熱板設置於塗布有溶液的基板的周邊，但不限於此。例如，隔熱板也可以設置在未塗布溶液的基板的周邊。例如，隔熱板設置在腔室的內表面與基板加熱部之間即可。

在上述實施方式中，隔熱板相對於紅外線的照射方向隔開間隔地設置有多個，但不限於此。例如，隔熱板也可以相對於紅外線的照射方向僅設置1片。例如，隔熱板的設置數量可以根據要求規格而變更。

在上述實施方式中，多個隔熱板中最靠基板側的面與鏡面相比紅外線的吸收率較高，但不限於此。例如，多個隔熱板中最靠基板側的面也可以是鏡面的紅外線的吸收率以下。例如，隔熱板的紅外線的吸收率能夠根據要求規格而變更。

在上述實施方式中，多個隔熱板中最靠基板側的面為黑色，但不限於此。例如，隔熱板的顏色不限於黑色，能夠根據要求規格採用各種顏色。

在上述實施方式中，藉由將多個隔熱板中最靠基板側的面設為黑色從而使紅外線的吸收率高於鏡面，但不限於此。例如，也可以藉由使多個隔熱板中最靠基板側的面設為粗糙來使紅外線的吸收率高於鏡面。例如，也可以藉由對隔熱板的表面實施噴砂處理，來使隔熱板的表面比鏡面粗糙，從而增加表面積來提高紅外線的吸收率。例如，基於噴砂處理的隔熱板的表面粗糙度可以將Ra設為0.4μm以上且6.3μm以下，將Rz設為1.6μm以上且25μm以下。

在上述實施方式中，多個隔熱板中最靠腔室的內表面側的面為鏡面，但不限於此。例如，多個隔熱板中最靠腔室的內表面側的面也可以為黑色。例如，隔熱板的表面的形態能夠根據要求規格而變更。

在上述實施方式中，隔熱板為金屬製，但不限於此。例如，隔熱板也可以是玻璃。例如，隔熱板能夠根據要求規格而採用各種材料。

在上述實施方式中，腔室包括：頂板，位於基板的上方；底板，位於基板的下方，與頂板對置；以及周壁，包圍基板的周圍，隔熱板分別設置於頂板、底板以及周壁，但不限於此。例如，隔熱板也可以僅設置於周壁。即，隔熱板設置在腔室的內表面與基板加熱部之間的至少一部分即可。

在上述實施方式中，隔熱板藉由緊固而固定，但不限於此。例如，隔熱板也可以由磁鐵固定。例如，隔熱板的保持部也可以包含釤鈷磁鐵、鋁鎳鈷磁鐵等耐熱磁鐵。例如，在保持部包含磁鐵的情況下，隔熱板可以是不銹鋼等具有磁性的金屬板。例如，隔熱板由鎳的含量為3％以下的材料、SUS400類材料等形成為佳。

在圖16的例子中，保持部680是圓柱狀的釤鈷磁鐵。保持部680具有第一面680a和與第一面680a相反側的第二面680b。隔熱板31藉由磁力與保持部680的第一面680a連接。保持部680的第二面680b藉由磁力與腔室2的內表面連接。根據本變形例，在更換隔熱板31時不需要螺栓等的裝卸，因此清掃時的維護性提高。

此外，隔熱板也可以藉由緊固固定及磁鐵固定這兩者來保持。例如，隔熱板也可以藉由緊固來固定其中心，藉由磁鐵固定其周邊。換言之，隔熱板也可以使其中心由中心保持部保持，使其周邊由磁鐵保持。例如，隔熱板的保持形態能夠根據要求規格而變更。

在上述實施方式(圖12的例子)中，多個頂板側隔熱板相對於氣體的供給方向以一定間隔配置，但不限於此。例如，能夠根據多個頂板側隔熱板的配置方式、要求規格進行變更。例如，如圖17所示，多個頂板側隔熱板231B也可以相對於氣體的供給方向配置成臺階狀。在圖17中，對與圖12相同的構造標注相同的符號，並省略其詳細的說明。

在圖17的例子中，多個頂板側隔熱板231B按照頂板側上段隔熱板231B1、頂板側中段隔熱板231B3、頂板側下段隔熱板231B2的順序逐漸擴展開地配置。例如，從上方供給的氣體朝向頂板側上段隔熱板231B1向下方流動後，沿著頂板側上段隔熱板231B1的上表面向外流動。之後，氣體沿著頂板側中段隔熱板231B3的上表面向外流動。之後，氣體沿著頂板側下段隔熱板231B2的上表面向外流動。根據本變形例，從上方供給的氣體按照頂板側上段隔熱板231B1、頂板側中段隔熱板231B3、頂板側下段隔熱板231B2的順序擴展開地流動，因此能夠使氣體更順暢地流動。

在上述實施方式(圖15的例子)中，基板加熱裝置具備隔熱板，但不限於此。例如，基板加熱裝置也可以不具備隔熱板。 例如，本發明的一個方式的基板加熱裝置也可以包括：腔室，在內部形成有可收納基板的收納空間；基板加熱部，配置於前述收納空間，並且可利用紅外線對前述基板進行加熱；以及昇華物回收部，能夠回收在前述基板的加熱時產生的昇華物。 根據該構造，能夠藉由昇華物回收部回收昇華物，因此能夠抑制昇華物附著於腔室的內表面的情況。因此，能夠抑制由於昇華物附著而導致腔室內表面的紅外線反射率變化的情況。從而，能夠提高基板加熱時的穩定性。進而，抑制昇華物向真空閥或真空泵的附著，藉此能夠抑制故障的發生。除此之外，限定昇華物的附著部位，藉此能夠提高維護性。

另外，也可以將本發明應用於包括上述實施方式的基板加熱裝置的基板處理系統。例如，基板處理系統是被組裝於工廠等的生產線而使用，在基板的既定區域形成薄膜的系統。雖未圖示，但例如基板處理系統具備：基板處理單元，包含上述基板加熱裝置；基板搬入單元，供給收納有處理前的基板的搬入用組件，並且回收空的搬入用組件；基板搬出單元，回收收納有處理後的基板的搬出用組件，並且供給空的搬出用組件；輸送單元，在基板處理單元與基板搬入單元之間輸送搬入用盒，並且在基板處理單元與基板搬出單元之間輸送搬出用盒；以及控制單元，統一控制各單元。 根據該構造，包含上述基板加熱裝置，藉此在基板處理系統中，能夠抑制腔室的變形或劣化，並且能夠提高基板加熱時的穩定性。

另外，在上述中作為實施方式或其變形例而記載的各構成要件能夠在不脫離本發明的主旨的範圍內適當組合，另外，也能夠適當地不使用組合的多個構成要件中的一部分構成要件。 [實施例]

以下，藉由實施例更具體地說明本發明，但本發明並不限定於以下的實施例。

＜第一實施例＞ 本案發明人藉由以下的評價確認了在腔室的內表面與基板加熱部之間設置隔熱板，藉此能夠抑制腔室的內表面的溫度上升。

(評價對象) 評價對象為位於基板上方的腔室的頂板的中央。測量利用基板加熱裝置持續3小時進行基板溫度400℃的加熱處理時的腔室的頂板的中央的溫度來作為腔室溫度。

(比較例) 比較例使用在腔室的內表面與基板加熱部之間未設置隔熱板的例子。即，比較例的基板加熱裝置不具備隔熱部。

(實施例) 實施例使用在腔室的內表面與基板加熱部之間設置有隔熱板的例子。 在實施例1中，僅使用1片具有5mm厚度的玻璃制的隔熱板。 在實施例2中，僅使用1片具有1mm厚度的SUS制的隔熱板。 在實施例3中，使用3片具有1mm厚度的SUS制的隔熱板。在實施例3中，將3片隔熱板設為在其厚度方向上隔開間隔配置的結構體(參照圖2)。

圖18是用於說明第一實施例的隔熱板的效果的圖。在圖18中，分別有橫軸表示時間[min]，縱軸表示腔室溫度[℃]。在圖18中，分別用兩點鏈線的圖表表示比較例，單點鏈線的圖表表示實施例1，虛線的圖表表示實施例2，實線的圖表表示實施例3。

如圖18所示，可知相對於比較例，實施例在持續3小時進行基板溫度400℃的加熱處理的過程中腔室溫度較低。 3小時加熱後的腔室溫度，比較例為148.1℃，實施例1為126.4℃，實施例2為80.3℃，實施例3為63.4℃。 可知藉由設置SUS制的隔熱板，能夠將腔室溫度的上升抑制為一半左右，藉由將隔熱板設為多層而進一步增加了抑制效果。 根據以上可知，在腔室的內表面與基板加熱部之間設置隔熱板，藉此能夠抑制腔室的內表面的溫度上升。

＜第二實施例＞ 本案發明人藉由以下的評價來確認：使隔熱板的內側面(基板側的面)為黑色，藉此能夠更有效地抑制昇華物附著於隔熱板。

(評價對象) 評價對象被設為在俯視時形成為邊長50mm的正方形，具有1mm的厚度的SUS製的隔熱板(SUS板)。隔熱板設置在腔室內的基板的下方。隔熱板水平地設置在距腔室的底面(底板的上表面)10mm的高度。測量利用基板加熱裝置持續20min進行基板溫度400℃的加熱處理時的隔熱板的溫度來作為隔熱板溫度。隔熱板溫度是使熱電偶與隔熱板的背面(與基板側為相反側的面)接觸來測量。

(比較例) 比較例使用將隔熱板的內側面設為鏡面的例子。在比較例中，將隔熱板的內側面的表面粗糙度設為Ra為0.02μm，Rz為0.15μm。表面粗糙度利用Mitutoyo公司製的Surftest SJ-301進行測量。

(實施例) 在實施例1中，使用了不將隔熱板的內側面設為鏡面的材料(未處理品)。在實施例1中，使用未處理的SUS板。在實施例1中，將隔熱板的內側面的表面粗糙度設為Ra為0.08μm，Rz為1.19μm。 在實施例2中，使用對隔熱板的內側面進行噴砂處理得到的材料。在實施例2中，將隔熱板的內側面的表面粗糙度設為Ra為1.19μm，Rz為8.32μm。 在實施例3中，使用將隔熱板的內側面設為黑色的材料。在實施例3中，將隔熱板的內側面(未處理的SUS板的一面)用黑體噴霧(Keyence公司製的型號OP-96929)進行了黑色化。

圖19是用於說明第二實施例的隔熱板的效果的圖。在圖19中，分別有橫軸表示時間[min]，縱軸表示隔熱板溫度[℃]。在圖19中，兩點鏈線的圖表表示比較例，單點鏈線的圖表表示實施例1，虛線的圖表表示實施例2，實線的圖表表示實施例3。

如圖19所示，可知相對於比較例，實施例在持續20min進行基板溫度400℃的加熱處理的過程中隔熱板溫度較高。 隔熱板溫度為250℃以上且350℃以下的範圍的升溫速率，比較例為20.9℃/min，實施例1為27.7℃/min，實施例2為45.5℃/min，實施例3為61.0℃/min。

可知將隔熱板的內側面設為黑色(或噴砂處理)，藉此使升溫速率最高，並且紅外線的吸收率最高。 根據以上可知，將隔熱板的內側面設為黑色(或噴砂處理)，藉此能夠更有效地抑制昇華物附著於隔熱板。

＜第三實施例＞ 本案發明人藉由以下的評價確認了：在腔室的內表面與基板加熱部之間設置隔熱板，並且使氣體在腔室的內表面與隔熱板之間流動，藉此能夠抑制昇華物向腔室的內表面的附著。

(評價對象) 評價對象設為位於基板上方的腔室的頂板內表面。 圖20是第三實施例的基板加熱時的處理條件的說明圖。在圖20中，分別有橫軸表示時間[min]，圖面左側的縱軸表示腔室內的氧濃度[ppm]，圖面右側的縱軸表示腔室內的真空度[Pa]。在圖20中，實線的圖表示氧濃度，虛線的圖表示真空度。

如圖20所示，基板加熱處理按照以下的流程進行。 首先，抽真空至腔室內的真空度達到3Pa。接著，在維持抽真空的狀態下以15L/min的流量向腔室內供給N₂ ，抽真空至腔室內的真空度達到100Pa。接著，開始利用來自基板加熱部的紅外線對基板進行加熱。在基板的加熱中，將N₂ 的供給量保持為恆定，將腔室內的真空度維持為100Pa。在基板的加熱中，將腔室內的氧濃度維持在1ppm以下。

(比較例) 比較例是在腔室的內表面與基板加熱部之間未設置隔熱板的例子，使用在基板與基板加熱部之間未設置遮擋部的例子。即，比較例的基板加熱裝置不具備隔熱部以及遮擋部(參照圖21)。另外，在圖21中，對與圖14相同的構造標注相同的符號，並省略其詳細的說明。

(實施例) 實施例使用在腔室的內表面與基板加熱部之間設置有隔熱板的例子，使用在基板與基板加熱部之間設置有遮擋部的結構。 在實施例1中，在腔室的內表面與隔熱板之間不流通氣體(參照圖22)。另外，在圖22中，對與圖14相同的構造標注相同的符號，並省略其詳細的說明。 在實施例2中，在腔室的內表面與隔熱板之間流通氣體(參照圖14)。在實施例2中，使從上方供給的氣體以沿腔室的內表面的方式流動後，排出到腔室的外部(參照圖14)。

雖未圖示，但在比較例中觀察到昇華物附著於頂板內表面。 可知相對於比較例，在實施例1中昇華物附著於頂板內表面的附著量較少。 在實施例2中，幾乎看不到昇華物附著於頂板內表面。 根據以上可知，在腔室的內表面與基板加熱部之間設置隔熱板，並且使氣體在腔室的內表面與隔熱板之間流動，從而能夠抑制昇華物向腔室的內表面的附著。

1:基板加熱裝置 2:腔室 2S:收納空間 6:加熱器單元(基板加熱部) 10:基板 25:頂板 26:上部周壁(周壁) 27:底板 28:下部周壁(周壁) 31:隔熱板 31A:第一隔熱板(隔熱板) 31B:第二隔熱板(隔熱板) 31C:第三隔熱板(隔熱板) 31f1:第一隔熱板的內側面(多個隔熱板中最靠基板側的面) 31f2:第二隔熱板的外側面(多個隔熱板中最靠腔室的內表面側的面) J1:紅外線的照射方向

[圖1]是第一實施方式的基板加熱裝置的立體圖。 [圖2]是第一實施方式的基板加熱裝置的剖視圖。 [圖3]是第一實施方式的加熱器單元的俯視圖。 [圖4]是第一實施方式的紅外線加熱器的俯視圖。 [圖5]是表示第一實施方式的多個隔熱板的支承狀態的立體圖。 [圖6]是表示第二實施方式的隔熱部的構造的一例的俯視圖。 [圖7]是圖6的VII-VII剖視圖。 [圖8]是表示第二實施方式的隔熱部的貫通孔的俯視圖。 [圖9]是表示第二實施方式的中心保持部的一例的圖。 [圖10]是表示第二實施方式的周邊保持部的一例的圖。 [圖11]是表示第二實施方式的隔熱部的構造的另一例的俯視圖。 [圖12]是圖11的XII-XII剖視圖。 [圖13]是表示第三實施方式的防附著板的俯視圖。 [圖14]是第四實施方式的基板加熱裝置的剖視圖。 [圖15]是第五實施方式的基板加熱裝置的剖視圖。 [圖16]是表示實施方式的第一變形例的保持部的圖。 [圖17]是表示實施方式的第二變形例的隔熱部的構造的剖視圖。 [圖18]是用於說明第一實施例的隔熱板的效果的圖。 [圖19]是用於說明第二實施例的隔熱板的效果的圖。 [圖20]是第三實施例的基板加熱時的處理條件的說明圖。 [圖21]是第三實施例的比較例的基板加熱裝置的剖視圖。 [圖22]是第三實施例的實施例1的基板加熱裝置的剖視圖。

1:基板加熱裝置

2:腔室

2S:收納空間

6:加熱器單元(基板加熱部)

7:塊體

8:支承銷

9:溫度檢測部

10:基板

10a:第一面

10b:第二面

17:冷卻部

18:冷媒通過部

19:支承部件

21:上部結構體

22:下部結構體

23:連結部

25:頂板

26:上部周壁(周壁)

27:底板

28:下部周壁(周壁)

29:閘口

30:隔熱部

31:隔熱板

31A:第一隔熱板(隔熱板)

31B:第二隔熱板(隔熱板)

31C:第三隔熱板(隔熱板)

31f1:第一隔熱板的內側面(多個隔熱板中最靠基板側的面)

31f2:第二隔熱板的外側面(多個隔熱板中最靠腔室的內表面側的面)

40:遮擋部

50:遮擋支承部

51,52:多個遮擋支承體

140:紅外線加熱器

CDA:供給清潔乾燥空氣

EXH,Vacuum:箭頭

J1:紅外線的照射方向

N₂ :氮

Claims (10)

1. 一種基板加熱裝置，其特徵在於，包括： 腔室，在內部形成有可收納基板的收納空間； 基板加熱部，配置於前述收納空間，並且可藉由紅外線來加熱前述基板；以及 隔熱板，設置在前述腔室的內表面與前述基板加熱部之間，吸收前述紅外線且具有1mm以下的厚度。
2. 如請求項1所述的基板加熱裝置，其中， 前述隔熱板設置在塗布有溶液的前述基板的周邊。
3. 如請求項1或2所述的基板加熱裝置，其中， 前述隔熱板相對於前述紅外線的照射方向隔開間隔地設置有多個。
4. 如請求項3所述的基板加熱裝置，其中， 多個前述隔熱板中最靠前述基板側的面與鏡面相比，前述紅外線的吸收率較高。
5. 如請求項3所述的基板加熱裝置，其中， 多個前述隔熱板中最靠前述基板側的面為黑色。
6. 如請求項3所述的基板加熱裝置，其中， 多個前述隔熱板中最靠前述腔室的內表面側的面為鏡面。
7. 如請求項1或2所述的基板加熱裝置，其中， 前述隔熱板為金屬製。
8. 如請求項1或2所述的基板加熱裝置，其中， 前述腔室包括： 頂板，位於前述基板的上方； 底板，位於前述基板的下方，與前述頂板對置；以及 周壁，包圍前述基板的周圍， 前述隔熱板分別設置於前述頂板、前述底板以及前述周壁。
9. 如請求項1或2所述的基板加熱裝置，其中， 在前述基板塗布有用於形成聚醯亞胺的溶液。
10. 一種基板處理系統，其特徵在於，包括請求項1～9的任一項所述的基板加熱裝置。

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