TW202207494A - 壓電體複合基板及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
提供在100℃以下之熱處理下，經由離子植入處理對於線膨脹係數明顯為小之絕緣性基板而言，可得可進行壓電體層之形成之接合強度的壓電體複合基板及該製造方法。
製造將形成壓電單結晶基板(1)之離子植入層(1a)之面、與具有較壓電單結晶基板之線膨脹係數為小之線膨脹係數，其差為14×10-6
/K~16×10-6
/K之範圍內之絕緣性基板(2)，隔著間介層(3)加以貼合而得接合體(4)，進行熱處理後，做為壓電體層，殘留離子植入層(1a)，將壓電單結晶基板之殘留部分(1b)，從接合體(4)剝離，順序層積絕緣性基板(2)和間介層(3)和壓電體層(1a)之壓電體複合基板(10)。絕緣性基板(2)與間介層(3)係皆以含Si之非晶質材料構成。
Description
本發明係有關壓電體複合基板及其製造方法。
做為行動電話等之頻率調整・選擇用之零件，使用在於壓電基板上，形成為激發表面聲波之梳形電極(IDT；Interdigital Transducer)之表面聲波(SAW；Surface Acoustic Wave)裝置。表面聲波裝置中，為了小型而插入損失小，不通過不需之波的性能，做為其材料，使用鉭酸鋰(LiTaO3
；縮寫「LT」)或鈮酸鋰(LiNbO3
；縮寫「LN」)等之壓電材料。
另一方面，第四世代以後之行動電話之通訊規格中，收送訊之頻率寬度間隔為窄，帶寬係變得寬廣。在此通訊規格下，使用於表面聲波裝置之壓電材料係需將該溫度所造成之特性變動變得充分為小。又，SAW裝置製作之時，壓電材料之厚度係連帶SAW速度之不均之故，需進行高精度之膜厚之控制。
非專利文獻1或非專利文獻2中，有報告稱將LT基板與更為線膨脹係數小之藍寶石基板或矽基板接合，將LT經由研磨而成薄膜化，抑制氧化物單結晶之熱膨脹之影響，改善溫度特性。
做為研磨以外之基板薄膜化之手段，列舉有SOI晶圓之製造手法、例如列舉Smart-Cut法。簡單地而言，是為在於形成氫離子層之矽晶圓貼合支持晶圓後，經由施加500℃前後之熱處理，熱剝離離子植入層之方法(專利文獻1)。又，為提升氧化物單結晶晶圓之製品的利用效率，代替Smart-Cut法之矽晶圓，適用氧化物單結晶晶圓，嘗試於支持晶圓上形成氧化物單結晶之薄膜(非專利文獻3、非專利文獻4)。
於非專利文獻3，報告有於形成離子植入層之LT晶圓之表面，形成厚121nm之Cr之金屬層，隔著金屬層，貼合厚數百nm之SiO2
基板，以200~500℃進行熱處理，在離子植入層剝離，隔著金屬層，於SiO2
基板上轉印LT薄膜後，於轉印SiO2
基板之LT薄膜之面之相反側，貼合LT晶圓，製作LTMOI(Lithium-tantalate-metal-on-insulator)構造。又於非專利文獻4，報告有於形成離子植入層之LT晶圓，貼合矽晶圓，以200℃進行熱處理，在離子植入層剝離，於矽晶圓上，熱轉印LT薄膜。
又，隔著黏著劑，貼合LT基板與不同種基板之方法則記載於專利文獻2。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開平05-211128號公報
[專利文獻2] 日本特開2010-187373號公報
[非專利文獻]
[非專利文獻1] 電子情報通信學會論文誌A Vol.J98-A、No.9、pp.537-544
[非專利文獻2] 太陽誘電股份有限公司、“使用於手機之RF前端後端之SAW-Duplexer之溫度補償技術”、[online]、2012年11月8日、電波新聞HITECNOLOGY、[平成27年3月20日檢索]、網路〈URL:http:// www.yuden.co.jp./jp/product/tech/column/20121108.html〉
[非專利文獻3] A Tauzin et al., “3-inch single-crystal LiTaO3 films onto metallic electrode using Smart CutTM technology”, Electric Letters, 19th June 2008, Vol.44, No.13, p.822
[非專利文獻4] Weill Liu et al., “Fabrication of single-crystalline LiTaO3film on silicon substrate using thin film transfer technology”, J. Vac. Sci. Technol. B26(1), Jan/Feb 2008, p.206
[發明欲解決之課題]
伴隨記載於非專利文獻1或非專利文獻2之研磨之複合基板之製造方法中，與壓電性基板之薄膜化一同地，膜厚均勻性會有惡化之問題點。
於非專利文獻3中，報告有藉由於LT之晶圓與薄膜間，挾有金屬層與SiO2
基板之構造，在熱處理時抑制熱膨脹之差所造成晶圓之剝落或破裂，使LT薄膜之轉印變得可能，但此方法中，令基材之基板與薄膜相同成為LT之故，無法解決做為上述壓電材料之課題之溫度安定性。又，不令熱處理成為200℃以上時，無法將薄膜轉印。更且，是為挾入金屬層之構造之故，可適用之用途被加以限制。又，為抑制晶圓之破裂，必需使用更多高價之LT之故，製造成本則變高。
於非專利文獻4中，記載有令熱處理嘗試在200~800℃下進行，但具體而言，做為使用Smart-Cut法，於矽晶圓上，轉印LT薄膜之例，僅為200℃，又，於此例中，對於在於矽晶圓之全面，是否有轉印LT薄膜則沒有記載。
本發明人等係使用與非專利文獻3同樣之手法，進行對於在200℃之熱處理所造成剝離之驗證實驗的結果，薄膜係未轉印於矽晶圓之整面，被確認轉印僅為一部分而已。尤其，於矽晶圓之外周部分，LT薄膜則完全未轉印。此係由於在熱處理中，起因於兩晶圓之熱膨脹之差，產生貼合晶圓之彎曲，於矽晶圓之外周部分，從LT晶圓貼合界面剝落。又，將熱處理溫度成為200℃以上之時，如上所述，推知無法抑制起因於兩晶圓之熱膨脹之差之貼合晶圓之彎曲，無法於矽晶圓之整面，安定轉印LT薄膜。又，伴隨離子植入處理之複合基板之製造方法中，在可進行膜厚均勻性優異之薄膜之製作，另一方面，如上所述有必需熱處理之問題點。
本發明人係更為了製作改善溫度特性之基板，雖對於較藍寶石或矽線膨脹係數小之石英基板(表1)，嘗試進行LT膜之形成，基板間之膨脹係數差非常大之故，在100℃以下之低溫下，複合基板之變形量為大，於熱處理後，得知成為基板變形之狀態，或破損，不適用研磨程序。又，雖亦嘗試離子植入所成剝離，但熱處理溫度為低之故，僅產生LT-石英界面之分離。
使用記載於專利文獻2之接著劑的方法中，於LT基板與石英基板所成複合基板中，不產生基板之破損・分離之100℃以下之熱處理中，無法得充分之接合強度，研磨或離子植入所進行之LT膜之形成有難以進行之問題。
在此，本發明係提供有鑑於上述問題點，在100℃以下之熱處理下，經由離子植入處理對於石英基板等之線膨脹係數明顯為小之絕緣性基板而言，可得進行LT膜或LN膜等之壓電體層之形成之接合強度的壓電體複合基板及該製造方法為目的。
[為解決課題之手段]
為達成上述目的，本發明係做為該一形態，順序層積絕緣性基板、間介層、和壓電體層的壓電體複合基板中，前述壓電體層之厚度係於層積方向為100nm~ 2,000nm之範圍內，前述絕緣體基板之直徑係2英吋~12英吋之範圍內，且板厚為100μm~2,000μm，相較前述壓電體層之線膨脹係數，前述絕緣性基板之線膨脹係數為小，該差係14×10-6
/K~16×10-6
/K之範圍內，前述絕緣性基板與前述間介層皆含Si之非晶質材料所構成。
前述壓電體層係可包含鉭酸鋰或鈮酸鋰。前述絕緣性基板係可為石英基板。前述間介層係可包含非晶質矽或二氧化矽。
本發明係做為其他之形態，順序層積絕緣性基板、和間介層、和壓電體層之壓電體複合基板之製造方法中，包含準備壓電單結晶基板、和具有較前述壓電單結晶基板之線膨脹係數為小之線膨脹係數，其差為14×10-6
/ K~16×10-6
/K之範圍內，包含Si之非晶質材料所構成之絕緣性基板的步驟、和對於前述壓電單結晶基板之貼合面，進行離子植入處理，於前述壓電單結晶基板之內部，形成離子植入層的步驟、和於前述絕緣性基板及前述壓電單結晶基板之一方或雙方之貼合面，經由含Si之非晶質材料，形成間介層的步驟、和獲得將前述絕緣性基板之貼合面與前述壓電單結晶基板之貼合面，隔著前述間介層加以貼合的接合體的步驟、和熱處理前述接合體的步驟、和從進行前述熱處理之接合體，做為壓電體層殘留前述離子植入層，剝離前述壓電單結晶基板之殘留部分的步驟。
於形成前述間介層之步驟中，前述含Si非晶質材料係可包含非晶質矽或二氧化矽，經由CVD法、濺鍍法、或旋塗法，形成前述間介層亦可。
[發明效果]
如此根據本發明時，使用具有較壓電體層之線膨脹係數明顯為小，其差成為14×10-6
/K~16×10-6
/K之範圍內的線膨脹係數，以包含Si之非晶質材料所構成之絕緣性基板時，經由將以含Si非晶質材料所構成之間介層，設於壓電體層與絕緣性基板之間，即使在100℃以下之熱處理，可得經由離子植入處理可進行壓電體層之形成的接合強度。
以下，雖參照附加圖面，說明關於本發明之壓電體複合基板及該製造方法之一實施形態，但本發明之範圍非限定於此等。
本實施形態之壓電體複合基板之製造方法係如圖1所示，包含準備壓電單結晶基板1的步驟(圖1中之(a))、和離子植入處理壓電單結晶基板1的步驟(圖1中之(b))、和由此於壓電單結晶基板1，形成離子植入層1a的步驟(圖1中之(c))、和準備絕緣性基板2的步驟(圖1中之(d))、和於壓電單結晶基板1與絕緣性基板2，形成間介層3的步驟(圖1中之(e))、和隔著間介層3，貼合壓電單結晶基板1與絕緣性基板2的步驟(圖1中之(f))、和從經由貼合所得接合體4，剝離壓電單結晶基板之一部分1b，得壓電體複合基板10的步驟(圖1中之(g))。以下，對於各步驟詳細說明。
於步驟(a)中所準備之壓電單結晶基板1係由壓電體單結晶所成基板。做為壓電體，雖可適用公知之壓電體，但以鋰、鉭或鈮等之金屬元素、和氧所成化合物所成之壓電體為佳。做為如此化合物，例如有鉭酸鋰(LiTaO3
；簡稱「LT」)或鈮酸鋰(LiNbO3
；簡稱「LN」)。壓電單結晶基板1係以晶圓之形狀加以使用亦可。晶圓之尺寸雖未特別加以限制，例如可為直徑2~12英吋，板厚100~1000μm亦可。壓電單結晶基板1係可使用晶圓形狀之市售者，切片壓電單結晶晶錠加工成晶圓形狀亦可。
步驟(b)中，對於壓電單結晶基板1貼合面，進行離子植入處理A。由此，步驟(c)中，於壓電單結晶基板1之貼合面，形成離子植入層1a。做為離子植入處理之條件，例如氫原子離子(H+
)之時，植入量以5.0×1016
atom/cm2
~2.75×1017
atom/cm2
為佳。不足5.0×1016
atom/cm2
之時，在之後之工程中，難以產生離子植入層之脆化。超過2.75×1017
atom/cm2
時，於離子植入時，於離子植入之面，產生微腔，於晶圓表面形成凹凸，難以得所期望之表面粗糙度。又，氫分子離子(H2 +
)時，植入量為2.5×1016
atoms/cm2
~1.37×1017
atoms/cm2
為佳。
又，離子之加速電壓係50KeV~200KeV為佳。經由調整加速電壓，可改變離子植入之深度。
做為在步驟(d)所準備之絕緣性基板2，使用相較壓電單結晶基板1，從溫度298K(約25℃)至673K(約400℃)之間之線膨脹係數為低，其差為14×10-6
/K至16×
10-6
/K之範圍者。例如，壓電單結晶基板1為鉭酸鋰(LT)之時，LT之線膨脹係數係16.1×10-6
/K之故，使用具有2.1×10-6
/K至0.1×10-6
/K之範圍之線膨脹係數之絕緣性基板2。然而，溫度298K至673K之間之線膨脹係數係依據JIS R3102：1995，遍及於溫度298K至673K之溫度範圍，使用示差熱膨脹計(TMA)加以測定，做為平均之線熱膨脹係數算出之值。各種材料之線膨脹係數係示於表1。
做為滿足與上述之壓電單結晶基板1之線膨脹係數之差之條件的絕緣性基板2，雖由於使用之壓電單結晶基板1之材料而有所不同，例有石英基板、或藍寶石、矽等。如此，經由使用較壓電單結晶基板1線膨脹係數明顯為小之絕緣性基板2，可改善接合此之壓電體之溫度特性。然而，石英基板係實質上由石英(SiO2
)所成之基板。石英基板中之不純物之金屬成分之含有量係總量為20質量ppm以下為佳，更佳為1質量ppm以下。
絕緣性基板2係以晶圓之形狀加以使用亦可。晶圓之尺寸係直徑2~12英吋，板厚100~2,000μm。
壓電單結晶基板1之貼合面及絕緣性基板2之貼合面係進行拋光研磨等之加工，任一者皆成為鏡面為佳。貼合面之表面粗糙度(RMS)係1.0nm以下為佳。將Rms成為1.0m以下，可經由貼合此等基板加以接合。然而，RMS係亦稱為規定於JIS B 0601：2013之均方根粗糙度Rq。
接著，如圖1之步驟(e)所示，於壓電單結晶基板1之貼合面及絕緣性基板2之貼合面，形成間介層3a、3b。做為間介層3，使用含矽(Si)之非晶質材料。做為含Si之非晶質材料，例如有非晶質矽膜、或矽氧化膜、矽氮化膜、矽氧氮化膜等。做為如此間介層3，經由使用含Si之非晶質材料，於壓電單結晶基板1與絕緣性基板2之間，可得充分之接合強度。間介層3之厚度雖未特別加以限定，例如10nm~100μm為佳。
做為形成如此間介層3之方法，例如有化學氣相沉積(CVD)法、濺鍍法、旋塗法等。做為CVD法，例如有熱CVD法、電漿CVD法、光CVD法等。使用經由此等CVD法、濺鍍法、旋塗法等，形成非晶質矽膜或矽氧化膜之公知之成膜條件，可於壓電單結晶基板1或絕緣性基板2之貼合面，形成間介層3。
接著，圖1之步驟(e)中，記載在於壓電單結晶基板1及絕緣性基板2之雙方之貼合面，形成間介層3a、3b，但本發明未限定於此，例如於壓電單結晶基板1之貼合面，僅形成間介層3a，於絕緣性基板2之貼合面僅形成間介層3b，亦可得同樣之效果。
然後，如圖1之步驟(f)所示，隔著間介層3，貼合壓電單結晶基板1與絕緣性基板2。然而，於貼合前，於壓電單結晶基板1及絕緣性基板2之雙方之貼合面，進行表面活性化處理。做為表面活性化處理，只要是可活性代貼合面則不特別加以限定，但可列舉例如電漿活性化處理、離子束照射處理、UV臭氧處理、臭氧水處理等，尤其以電漿處理或離子束處理為佳。表面活性化處理之環境係可單獨或組合使用氮或氬等之非活性氣體，或氧。
如此，於隔著間介層3之貼合壓電單結晶基板1與絕緣性基板2的接合體4，施以加熱處理。由此，可提升接合強度的同時，可從壓電單結晶基板1剝離離子植入層1a。經由此熱處理之剝離係植入之氫離子經由熱處理，在基板內部，形成微小氣泡之層，該氣泡層則經由膨脹，進行剝離者。熱處理溫度係100~200℃為佳，較佳為100~150℃，更佳為100~110℃。熱處理溫度較400℃為高時，壓電單結晶基板1與絕緣性基板2係由於線膨脹係數大為不同，於接合體4產生彎曲，該變形量為大，於熱處理後成為保持變形之狀態，有接合體4破損之疑慮。另一方面，熱處理溫度較100℃為低時，結合強度無法提升，或氣泡層之膨脹不充分，之後之步驟(g)中，在貼合界面，壓電單結晶基板1有從絕緣性基板2剝落之疑慮。做為熱處理時間，例如1~100小時為佳。
然後，如圖1之步驟(g)所示，從熱處理後之接合體4，於間介層3側，殘留離子植入層1a，剝離壓電單結晶基板之一部分1b。由此，可得在於絕緣性基板2上，隔著間介層3形成離子植入層(壓電體層)1a之壓電體複合基板10。然而，於此剝離時，以楔狀之刀刃(圖示省略)等，賦予機械性衝擊亦可。
如此所得壓電體複合基板10係使用較壓電體層1a線膨脹係數明顯為小之絕緣性基板2之故，壓電體之課題之溫度特性被大幅改善之同時，壓電體層1a與絕緣性基板2間之接合強度則經由間介層3變高，可抑制熱處理所造成剝落或破裂等之產生。
雖使用圖1對於本實施的形態之壓電體複合基板之製造方法做了說明，但本發明非限定於此，可採用將上述步驟改變前後，將其他之步驟重新插入等之許多改變。例如，圖1中，雖在步驟(b)、(c)，於壓電單結晶基板1形成離子植入層1a之後，於步驟(e)，於壓電單結晶基板1之離子植入層1a側，形成間介層3a，但本發明未限定於此，亦可於壓電單結晶基板1之貼合面，形成間介層3a後，從壓電單結晶基板1之間介層3a側，施以離子植入處理A。由此，與圖1相同，可於壓電單結晶基板1之間介層3a側，形成離子植入層1a。此時，與上述步驟(b)相同之離子植入處理之條件，可形成所期望之離子植入層1a。
[實施例]
以下，雖說明本發明之實施例及比較例，但本發明非限定於此。
[實施例1]
切片4英吋徑之鉭酸鋰(LT)單結晶晶錠，進行拋光研磨，完成厚350μm之單面鏡面之LT單結晶基板。然後，於此LT單結晶基板之鏡面側，經由CVD法，形成20nm非晶質矽膜。
接著，做為支持基板，準備兩面鏡面之400μm厚度之石英基板。LT基板與石英基板之雙方之鏡面側之表面粗糙度為確認在RMS下為1.0nm以下。然後，對於LT基板之非晶質矽形成面，氫離子(H+
)之植入量1×1017
atoms/cm2
、加速電壓130KeV之條件，施以離子植入處理。
接著，於LT基板與石英基板各別之接合面，施以電漿活性化處理，貼合此等。將此接合體，在110℃加熱24小時，剝離與LT基板之接合面相反側之部位。其結果，於石英基板上，可製作殘留860nm厚度之薄化之LT單結晶膜之LTon石英之複合基板。雖將此複合基板在120℃下加熱24小時，但未產生LT層之剝離。更且追加施以125℃，12小時之加熱，於複合基板未發現異常。
[實施例2]
切片4英吋徑之鉭酸鋰(LT)單結晶晶錠，進行拋光研磨，將42°旋轉Y切割之LT單結晶基板，完工為厚度500μm之單面鏡面之壓電單結晶基板。然後，於此LT單結晶基板之鏡面側，經由CVD法，形成矽氧化膜，於此後經由研磨，於LT鏡面上，形成150nm矽氧化膜。
接著，做為支持基板，準備兩面鏡面之400μm厚度之石英基板。LT基板與石英基板之雙方之鏡面側之表面粗糙度為確認在RMS下為1.0nm以下。然後，於LT基板之鏡面側，在氫離子(H+
)之植入量1.25×1017
atoms/cm2
、加速電壓175KeV之條件，施以離子植入處理。
接著，於LT基板與石英基板各別之接合面，施以電漿活性化處理，貼合此等。將此接合體，在100℃加熱24小時，剝離與LT基板之接合面相反側之部位。其結果，於石英基板上，可製作殘留1250nm厚度之薄化之LT單結晶膜之LTon石英之複合基板。雖將此複合基板在120℃下加熱24小時，但未產生LT層之剝離。更且追加施以125℃，12小時之加熱，於複合基板未發現異常。
[實施例3]
切片4英吋徑之鈮酸鋰(LN)單結晶晶錠，進行拋光研磨，完成厚500μm之單面鏡面之LN單結晶基板。然後，於此LN單結晶基板之鏡面側，經由CVD法，形成20nm非晶質矽膜。
接著，做為支持基板，準備兩面鏡面之400μm厚度之石英基板。LN基板與石英基板之雙方之鏡面側之表面粗糙度為確認在RMS下為1.0nm以下。然後，對於LN基板之非晶質矽形成面，氫離子(H+
)之植入量1×1017
atoms/cm2
、加速電壓130KeV之條件，施以離子植入處理。
接著，於LN基板與石英基板各別之接合面，施以電漿活性化處理，貼合此等。將此接合體，在110℃加熱24小時，剝離與LN基板之接合面相反側之部位。其結果，於石英基板上，可製作殘留900nm厚度之薄化之LN單結晶膜之LNon石英之複合基板。雖將此複合基板在120℃下加熱24小時，但未產生LN單結晶膜之剝離。更且追加施以125℃，12小時之加熱，於基板未發現異常。
[比較例1]
切片4英吋徑之鉭酸鋰單結晶(LT)晶錠，進行拋光研磨，完成厚350μm之單面鏡面之LT單結晶基板。
接著，做為支持基板，準備兩面鏡面之400μm厚度之石英基板。LT基板與石英基板之雙方之鏡面側之表面粗糙度為確認在RMS下為1.0nm以下。然後，對於LT基板之鏡面側，在氫離子(H+
)之植入量1×1017
atoms/ cm2
、加速電壓130KeV之條件，施以離子植入處理。
接著，於LT基板與石英基板各別之接合面，施以電漿活性化處理，貼合此等。將此接合基板，在110℃，加熱24小時後，在LT基板與石英基板之貼合界面產生分離。
[比較例2]
將比較例1所使用LT單結晶基板與石英基板，經由電漿活性化處理貼合，獲得接合基板。將此接合基板，在示於表2之各溫度，進行熱處理，測定此時之接合基板之變形量。將其結果示於表2。然而，做為接合基板之變形量，如圖2所示，將熱處理後之接合基板20之中心之凸部向下，置於平板之狀態下，測定平板接觸部與對於接觸部接合基板之最大變形處所之高低差。
如此，直接接合線膨脹係數明顯不同之LT基板與石英基板之時，即使在100℃以下之低溫，如表2所示，接合基板之變形量為大，於熱處理後，接合基板為保持變形之狀態。另一方面，實施例1~3所得LTon石英或LNon石英之複合基板中，即使如上述施以超過100℃之加熱，未產生如此大變形量之彎曲。
1:壓電單結晶基板
1a:離子植入層
2:絕緣性基板
3:間介層
10:壓電體複合基板
20:接合基板
[圖1]說明關於本發明之壓電體複合基板之製造方法之一實施的形態之模式性流程圖。
[圖2]說明比較例2所測定之接合基板之變形量之模式圖。
1:壓電單結晶基板
1a:離子植入層
1b:剝離壓電單結晶基板之一部分
2:絕緣性基板
3,3a,3b:間介層
4:接合體
10:壓電體複合基板
A:離子植入處理
Claims (6)
- 一種壓電體複合基板，係順序層積絕緣性基板、間介層、和壓電體層的壓電體複合基板，其特徵係前述壓電體層之厚度係於層積方向為100nm~2,000nm之範圍內，前述絕緣體基板之直徑係2英吋~12英吋之範圍內，且板厚為100μm~2,000μm，相較前述壓電體層之線膨脹係數，前述絕緣性基板之線膨脹係數為小，該差係14×10-6 /K~16×10-6 /K之範圍內，前述絕緣性基板與前述間介層皆以含Si之非晶質材料所構成。
- 如請求項1記載之壓電體複合基板，其中，前述壓電體層係包含鉭酸鋰或鈮酸鋰。
- 如請求項1或2記載之壓電體複合基板，其中，前述絕緣性基板係石英基板。
- 如請求項1~3之任一項記載之壓電體複合基板，其中，前述間介層係包含非晶質矽或二氧化矽。
- 一種壓電體複合基板之製造方法，係順序層積絕緣性基板、和間介層、和壓電體層之壓電體複合基板之製造方法，其特徵係 包含準備壓電單結晶基板、和具有較前述壓電單結晶基板之線膨脹係數為小之線膨脹係數，其差為14×10-6 /K~ 16×10-6 /K之範圍內，以包含Si之非晶質材料所構成之絕緣性基板的步驟、 和對於前述壓電單結晶基板之貼合面，進行離子植入處理，於前述壓電單結晶基板之內部，形成離子植入層的步驟、 和於前述絕緣性基板及前述壓電單結晶基板之一方或雙方之貼合面，經由含Si之非晶質材料，形成間介層的步驟、 和獲得將前述絕緣性基板之貼合面與前述壓電單結晶基板之貼合面，隔著前述間介層加以貼合的接合體的步驟、 和熱處理前述接合體的步驟、 和從進行前述熱處理之接合體，做為壓電體層殘留前述離子植入層，剝離前述壓電單結晶基板之殘留部分的步驟。
- 如請求項5記載之壓電體複合基板之製造方法，其中，於形成前述間介層之步驟中，前述含Si非晶質材料係包含非晶質矽或二氧化矽，經由CVD法、濺鍍法、或旋塗法，形成前述間介層。
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