TW202206947A

TW202206947A - 轉印滾輪與其製造方法、及光學膜片與其製造方法

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Publication number: TW202206947A
Application number: TW109127015A
Authority: TW
Inventors: 林劉恭
Original assignee: 光群雷射科技股份有限公司
Priority date: 2020-08-10
Filing date: 2020-08-10
Publication date: 2022-02-16
Also published as: TWI765314B

Abstract

本發明公開一種轉印滾輪與其製造方法、及光學膜片與其製造方法。轉印滾輪製造方法包括：在金屬滾筒外表面塗佈光阻層；在光阻層外表面形成多個曝光圖案，任一曝光圖案的深度小於光阻層厚度；使光阻層顯影，移除曝光圖案的光阻層材料，使得光阻層形成多個凹陷部分及多個凸起部分；透過非等向蝕刻手段對光阻層蝕刻，使得多個凹陷部分的光阻層被完全移除，多個凸起部分的光阻層未被完全移除而形成圖案化光阻層；透過非等向蝕刻手段以圖案化光阻層為遮罩對金屬滾筒蝕刻，而於金屬滾筒形成多個壓印圖形；將的圖案化光阻層移除而構成轉印滾輪。

Description

轉印滾輪與其製造方法、及光學膜片與其製造方法

本發明涉及一種滾輪及光學膜片，特別是涉及一種轉印滾輪與其製造方法、及光學膜片與其製造方法。

現有的一種光學膜片的製造方法為透過轉印滾輪壓印的方法在光學膜片上轉印光學微結構，進而形成一光學膜片。然而，現有的轉印滾輪需要經由特殊的製程在金屬滾筒表面形成轉印用微結構（例如：使用電鑄方法製作轉印母模，再以轉印母模形成表面具有微結構的金屬滾筒），上述的特殊製程經常需要耗費大量的經費與時間，而使得以轉印式方法製造光學膜片的製造時間及製造成本大幅提升。

故，如何通過轉印滾輪製造方法的設計與改良，以克服上述的缺陷，已成為該項事業所欲解決的重要課題之一。

本發明實施例針對現有技術的不足提供一種轉印滾輪與其製造方法、及光學膜片與其製造方法，其能有效地改善現有轉印滾輪製造方法所可能產生的缺陷。

本發明實施例公開一種轉印滾輪製造方法，其中包括：一塗佈步驟：於一金屬滾筒的外表面塗佈圍繞360度的一光阻層，所述光阻層具有一厚度；一曝光步驟：將一圖案化光源照射於所述光阻層的外表面，而使得所述光阻層的所述外表面的一側形成多個曝光圖案，所述光阻層的曝光深度小於所述光阻層的厚度，而使得任一個所述曝光圖案的深度小於所述光阻層的厚度；一顯影步驟：移除所述光阻層上多個所述曝光圖案的材料，而使得所述光阻層形成對應於多個所述曝光圖案的多個凹陷部分及位於多個所述凹陷部分範圍外的多個凸起部分；一光阻蝕刻步驟：透過非等向性蝕刻手段對所述光阻層進行蝕刻，所述光阻蝕刻步驟的蝕刻深度大於任一個所述凹陷部分的厚度且小於任一個所述凸起部分的厚度，而使得多個所述凹陷部分的所述光阻層被完全移除而形成多個鏤空部分，而多個所述凸起部分的所述光阻層未被完全移除而形成多個遮蔽於所述金屬滾筒的所述外表面的多個遮蔽部分，而形成一圖案化光阻層；一滾筒蝕刻步驟：透過非等向蝕刻手段以所述圖案化光阻層為遮罩蝕刻所述金屬滾筒的所述外表面，而於所述金屬滾筒的所述外表面形成多個壓印圖形；以及一圖案化光阻移除步驟：將所述圖案化光阻層從所述金屬滾筒表面移除，進而形成一轉印滾輪。

本發明實施例公開一種轉印滾輪，其是以上述轉印滾輪製造方法所製成。

本發明實施例還公開一種光學膜片製造方法，其包括：一滾輪製造步驟：為以上述轉印滾輪製造方法製造一轉印滾輪；及一光學膜片轉印步驟：以所述轉印滾輪不間斷地滾壓於一透光膜上，以使所述透光膜形成有形狀互補於多個所述壓印圖形的多個光學微結構、進而使所述透光膜構成一光學膜片。

本發明實施例還公開一種光學膜片，其是以上述光學膜片製造方法所製成。

本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的轉印滾輪與其製造方法、及光學膜片與其製造方法，其能夠通過“透過所述曝光步驟及所述顯影步驟在所述光阻層上形成多個所述凹陷部分和多個所述凸起部分，再透過所述光阻蝕刻步驟形成所述圖案化光阻層後，再透過非等向蝕刻手段以所述圖案化光阻層為遮罩蝕刻所述金屬滾筒外表面以形成多個所述壓印圖形”的技術方案，進而能夠透過蝕刻手段於所述轉印滾輪外表面形成轉印用的多個所述壓印圖形，以大幅降低所述轉印滾輪的製造時間及製造成本。

為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。

以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“轉印滾輪與其製造方法、及光學膜片與其製造方法”的實施方法，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方法將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。

應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。

請參閱圖1至圖12所示，其為本發明的實施例，需先說明的是，本實施例所對應到的附圖及其所提及的相關數量與外形，僅用來具體地說明本發明的實施方法，以便於了解本發明的內容，而非用來侷限本發明的保護範圍。

本發明實施例公開一種轉印滾輪100及其製造方法，以及透過所述轉印滾輪100所轉印製成的光學膜片600及其製造方法。為便於理解所述轉印滾輪100的構造，以下將先介紹所述轉印滾輪100的製造方法（也就是，滾輪製造步驟S1），而後再說明所述轉印滾輪100的構造，以及透過所述轉印滾輪100所製造的所述光學膜片600的製造方法以及所述光學膜片600的構造。

其中，如圖1所示，所述滾輪製造步驟S1於本實施例中包含下列幾個步驟：一塗佈步驟S11、一曝光步驟S12、一顯影步驟S13、一光阻蝕刻步驟S14、一滾筒蝕刻步驟S15、及一圖案化光阻移除步驟S16，但本發明並不限於此。舉例來說，於本發明未繪示的其他實施例中，所述滾輪製造步驟S1可進一步包含銜接於所述塗佈步驟S11的一軟烤步驟（Soft Bake），以及銜接於所述顯影步驟S13或所述光阻蝕刻步驟S14的一硬烤步驟（Hard Bake）。

如圖1及圖2所示，所述塗佈步驟S11：提供一金屬滾筒1，並透過一塗佈設備200在所述金屬滾筒1的一外表面12塗佈圍繞360度的一光阻層300。

於本實施例中，所述金屬滾筒1能夠定義有一中心軸線11，所述金屬滾筒1的所述外表面12呈圓柱形，並且所述金屬滾筒1至少於所述外表面12的部分是由鎳金屬、鉻金屬、銅金屬等類型的金屬材料或合金材料所製成。

本實施例中使用的所述塗佈設備200，其包括一塗佈機構2、相對設置於所述塗佈機構2下方的一旋轉模組3、一直線驅動模組4、以及相對設置於所述旋轉模組3下方的一承載台5。其中，所述金屬滾筒1設置於所述旋轉模組3上，透過所述旋轉模組3帶動所述金屬滾筒1繞著其中心軸線11旋轉，所述塗佈機構2設置於所述直線驅動模組4上，透過所述直線驅動模組4能夠帶動所述塗佈機構2沿著所述中心軸線11的方向往復位移。當所述金屬滾筒1受到所述旋轉模組3驅動旋轉時，所述塗佈機構2同時受到所述直線驅動模組4驅動而沿著所述中心軸線11方向直線位移，而將光阻材料塗佈於所述金屬滾筒1的所述外表面12，進而構成所述光阻層300。

如圖2所示，於本實施例中，所述塗佈機構2是一噴塗塗佈機構，但本發明並不以此為限。舉例來說，所述塗佈機構2也可以是線棒式塗佈機構、雙面成形塗佈機構、以及封閉式刮刀塗佈機構等多種應用不同塗佈技術的塗佈機構。

如圖3所示，光阻材料塗佈於所述金屬滾筒1表面後，形成360度圍繞所述金屬滾筒1的所述外表面12的所述光阻層300，且所述光阻層300的厚度T介於3微米（μm）至25微米的範圍之間。特別說明，本發明的所述塗佈步驟S11是以保持光阻層300厚度的均勻性方式來實施，所以所述光阻層300無須被限制在較薄的厚度。

如圖4所示，所述曝光步驟S12：提供一圖案化光源302照射一圖案化光線303於所述光阻層300的一外表面。本實施例中，所述光阻層300選用正光阻層，並且所述光阻層300的外表面受到所述圖案化光線303照射而曝光的部位形成多個曝光圖案301，而任一所述曝光圖案301的深度h介於所述光阻層300的厚度T的1/3至2/3之間。特別說明，本發明所述曝光步驟S12中，由於所述光阻層300為了保有較佳的均勻度而具備較大的厚度，所以所述光阻層300的曝光深度會小於所述光阻層300的厚度T，因而使得任一個所述曝光圖案301的深度h會小於所述光阻層300的厚度T。換句話說，多個所述曝光圖案301並未完全穿透所述光阻層300，而使得任一個所述曝光圖案301朝向所述金屬滾筒1的一側的方向都會保留有未被曝光的所述光阻層300。

本實施例中，所述圖案化光源302能夠為一光源裝置（例如：LED或雷射二極體）產生的光線穿透過光罩而形成，但本發明並不以此為限。舉例來說，所述圖案化光源302也能夠是雷射光源或紫外光LED通過微菱鏡聚焦所形成的圖案化光源。

如圖5所示，所述顯影步驟S13：去除所述光阻層300上多個所述曝光圖案301的材料，而使得所述光阻層300上形成對應於多個所述曝光圖案301的多個凹陷部分304，以及位於多個所述凹陷部分304範圍外的多個凸起部分305。更詳細地說，於本實施例中，所述顯影步驟S13可以使用對應於所述光阻層300材料的顯影劑進行，當進行所述顯影步驟S13時，所述光阻層300上多個所述曝光圖案301的材料能夠被所述顯影劑溶解移除，因而形成多個所述凹陷部分304，而在多個所述曝光圖案301範圍以外的所述光阻層300材料則不會被所述顯影劑溶解，因而形成多個所述凸起部分305。

如圖6所示，所述光阻蝕刻步驟S14：是透過非等向性蝕刻手段（如：電漿蝕刻）對所述光阻層300進行蝕刻，而使得所述光阻層300被蝕刻後形成一圖案化光阻層400。更詳細地說，在所述光阻蝕刻步驟S14中，光阻層300蝕刻深度是大於任一個所述凹陷部分304的厚度，並且小於任一個所述凸起部分305的厚度，因此使得多個所述凹陷部分304的所述光阻層300被完全移除，而多個凸起部分305的所述光阻層300未被完全移除而殘留於所述金屬滾筒1的所述外表面12，而形成所述圖案化光阻層400。所述圖案化光阻層400中對應於多個所述凹陷部分304的位置會形成多個鏤空部分401，而使得所述金屬滾筒1的所述外表面12從多個所述鏤空部分401暴露出來，而所述圖案化光阻層400對應於多個所述凸起部分305的位置會形成覆蓋於所述金屬滾筒1的所述外表面12的多個遮蔽部分402。

本實施例中，所述光阻蝕刻步驟S14是使用電漿蝕刻手段蝕刻所述光阻層300，但本發明不限於此。舉例來說，其他非等向蝕刻手段均能夠被應用於實施所述光阻蝕刻步驟S14。

由於非等向性蝕刻手段具有蝕刻方向可控制的特點，使得所述光阻層300能夠以大致上沿著和所述金屬滾筒1的所述外表面12的法線方向被蝕刻，因此能夠確保所述光阻蝕刻步驟S14所形成的所述圖案化光阻層400的多個所述鏤空部分401和多個所述遮蔽部分402的形狀的正確性，並且減少了所述圖案化光阻層400產生缺陷的機會。

如圖7所示，所述滾筒蝕刻步驟S15：透過非等向蝕刻手段（如：電漿蝕刻）並且以所述圖案化光阻層400為遮罩而對所述金屬滾筒1的所述外表面12進行蝕刻，並且於所述金屬滾筒1的所述外表面12對應於所述圖案化光阻層400的每一所述鏤空部分401的位置形成多個壓印圖形13。如圖8所示，本實施例中，當所述滾筒蝕刻步驟S15完成後，所述金屬滾筒1的所述外表面12上的任一個所述壓印圖形13的深度d介於0.2微米（μm）至0.6微米之間，任一個所述壓印圖形13的寬度w介於0.3微米至0.8微米之間，並且相鄰的任兩個所述壓印圖形13的間距p介於0.6微米至1.6微米之間。

特別說明，本實施例中，所述滾筒蝕刻步驟S15是使用高密度電漿源（High density plasma， HDP）並以反應式離子蝕刻手段（Reactive Ion Etch， RIE）進行。但本發明實施例不限於此，舉例來說，所述滾筒蝕刻步驟S15也能夠採用磁場強化活性離子蝕刻手段（Magnetic Enhanced RIE， MERIE），或者透過脈衝電場強化的技術手段，增強蝕刻的效率並控制蝕刻的方向。

如圖8所示，所述圖案化光阻移除步驟S16：當所述滾筒蝕刻步驟S15完成後，將所述金屬滾筒1的所述外表面12上的所述圖案化光阻層400移除，而使得所述金屬滾筒1形成一轉印滾輪100。如圖9至圖11所示，透過所述滾輪製造步驟S1所製成的所述轉印滾輪100的外表面上具有以前述各步驟所形成的多個所述壓印圖形13。

如圖9至圖12所示，本發明實施例也公開一種光學膜片600的製造方法，其包括有透過所述滾輪製造步驟S1製造所述轉印滾輪100，且透過所述轉印滾輪100進行一光學膜片轉印步驟S2。所述光學膜片轉印步驟S2是以所述轉印滾輪100不間斷地滾壓於一透光膜500上，以使所述透光膜500形成有形狀互補於所述轉印滾輪100上多個所述壓印圖形13的多個光學微結構601，而使得所述透光膜500構成一光學膜片600。

需要說明的是，由於在本實施例中，由於所述光學膜片600上的多個所述光學微結構601的形狀互補於所述轉印滾輪100上的多個所述壓印圖形13，因此所述光學膜片600上的任一所述光學微結構601會形成高度介於0.2微米至0.6微米之間、寬度介於0.3微米至0.8微米之間的凸出形狀的微結構，且任兩相鄰的所述光學微結構601的間距介於0.6微米至1.6微米之間。

[實施例的有益效果]

更詳細地說，於本發明所提供的轉印滾輪製造方法中，所述光阻層的厚度能夠大於多個所述曝光圖案的深度，使得光阻層能夠具備較大的厚度（例如3微米至25微米），而能夠提高所述光阻層的均勻性。並且能夠透過控制多個所述曝光圖案的深度和所述光阻層厚度的比例（例如光阻層厚度1/3至2/3之間），並搭配非等向性的電漿蝕刻手段使得所述光阻層被蝕刻後形成所述圖案化光阻層，其能夠提高圖案化光阻層圖形的正確性，並減少圖案化光阻層的缺陷。

以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

100:轉印滾輪 1:金屬滾筒 11:中心軸線 12:外表面 13:壓印圖形 200:塗佈設備 2:塗佈機構 3:旋轉模組 4:直線位移模組 5:承載台 300:光阻層 301:曝光圖案 302:圖案化光源 303:圖案化光線 304:凹陷部分 305:凸起部分 400:圖案化光阻層 401:鏤空部分 402:遮蔽部分 500:透光膜 600:光學膜片 601:光學微結構 T:光阻層厚度 h:曝光圖案深度 w:寬度 d:深度 p:間距 S1:滾輪製造步驟 S11:塗佈步驟 S12:曝光步驟 S13:顯影步驟 S14:光阻蝕刻步驟 S15:滾筒蝕刻步驟 S16:圖案化光阻移除步驟 S2:光學膜片轉印步驟

圖1為本發明實施例的轉印滾輪製造方法的步驟流程示意圖。

圖2為本發明實施例使用光阻塗怖設備的示意圖。

圖3為本發明實施例的塗佈光阻層的金屬滾筒的立體示意圖。

圖4為本發明實施例透過圖案化光源照射光阻層以形成曝光圖案的動作示意圖。

圖5為本發明實施例透過顯影步驟顯影後的光阻層的剖面示意圖。

圖6為本發明實施例透過光阻蝕刻步驟形成圖案化光阻層的動作示意圖。

圖7為本發明實施例透過滾筒蝕刻步驟於金屬滾筒表面形成壓印圖形的動作示意圖。

圖8為本發明實施例移除光阻層後的金屬滾筒的局部剖面示意圖。

圖9及圖10為本發明實施例的轉印滾輪壓印透光膜以構成光學膜片的動作示意圖。

圖11為從圖10的XI部分所取的局部放大剖面示意圖。

圖12為從圖10的XII部分所取的局部放大剖面示意圖。

S1:滾輪製造步驟

S11:塗佈步驟

S12:曝光步驟

S13:顯影步驟

S14:光阻蝕刻步驟

S15:滾筒蝕刻步驟

S16:圖案化光阻移除步驟

Claims

一種轉印滾輪製造方法，其中包括：一塗佈步驟：於一金屬滾筒的外表面塗佈圍繞360度的一光阻層，所述光阻層具有一厚度；一曝光步驟：將一圖案化光源照射於所述光阻層的外表面，而使得所述光阻層的所述外表面的一側形成多個曝光圖案，所述光阻層的曝光深度小於所述光阻層的厚度，而使得任一個所述曝光圖案的深度小於所述光阻層的厚度；一顯影步驟：移除所述光阻層上多個所述曝光圖案的材料，而使得所述光阻層形成對應於多個所述曝光圖案的多個凹陷部分及位於多個所述凹陷部分範圍外的多個凸起部分；一光阻蝕刻步驟：透過非等向性蝕刻手段對所述光阻層進行蝕刻，所述光阻蝕刻步驟的蝕刻深度大於任一個所述凹陷部分的厚度且小於任一個所述凸起部分的厚度，而使得多個所述凹陷部分的所述光阻層被完全移除而形成多個鏤空部分，而多個所述凸起部分的所述光阻層未被完全移除而形成多個遮蔽於所述金屬滾筒的所述外表面的多個遮蔽部分，而形成一圖案化光阻層；一滾筒蝕刻步驟：透過非等向蝕刻手段以所述圖案化光阻層為遮罩蝕刻所述金屬滾筒的所述外表面，而於所述金屬滾筒的所述外表面形成多個壓印圖形；以及一圖案化光阻移除步驟：將所述圖案化光阻層從所述金屬滾筒的所述表面移除，進而形成一轉印滾輪。
如請求項1所述的轉印滾輪製造方法，其中，所述光阻層的厚度介於3微米（μm）至25微米之間。
如請求項2所述的轉印滾輪製造方法，其中，所述曝光步驟中，任一個所述曝光圖案的深度介於所述光阻層厚度的1/3至2/3之間。
如請求項1所述的轉印滾輪製造方法，其中，任一個所述壓印圖形的深度介於0.2微米至0.6微米之間，任一個所述壓印圖形的寬度介於0.3微米至0.8微米之間。
如請求項4所述的轉印滾輪製造方法，其中，相鄰的任兩個所述壓印圖形的間距介於0.6微米至1.6微米之間。
如請求項1所述的轉印滾輪製造方法，其中，所述光阻蝕刻步驟為採用電漿蝕刻手段進行。
如請求項1所述的轉印滾輪製造方法，其中，所述滾筒蝕刻步驟為採用高密度電漿源並以反應式離子蝕刻手段進行。
一種轉印滾輪，以如請求項1所述的轉印滾輪製造方法所製成。
一種光學膜片製造方法，包括：一滾輪製造步驟：為以請求項1所述的轉印滾輪製造方法製造一轉印滾輪；一光學膜片轉印步驟：以所述轉印滾輪不間斷地滾壓於一透光膜上，以使所述透光膜形成有形狀互補於多個所述壓印圖形的多個光學微結構、進而使所述透光膜構成一光學膜片。
一種光學膜片，以如請求項9所述的光學膜片製造方法所製成。