TW202145608A - 可伸縮導電膜、感測器、電波吸收體及反射器 - Google Patents

可伸縮導電膜、感測器、電波吸收體及反射器 Download PDF

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Abstract

本發明係關於一種可伸縮導電膜，其具備膜狀之基材及形成於上述基材之至少一主面之金屬膜，且上述基材於室溫下產生10%應變時之應力為10 N/mm2 以下。

Description

可伸縮導電膜、感測器、電波吸收體及反射器
本發明係關於一種可伸縮導電膜及使用該膜之感測器、電波吸收體及反射器。
近年來，開發出具有導電性之膜狀電子裝置，其形態多樣化。 例如專利文獻1中記載有於可撓性之膜狀基板上形成有壓電體薄膜之輪胎氣壓感測器。 專利文獻2中記載有於聚醯亞胺等絕緣性膜基材上具備包含金屬氮化膜之電極的可檢測應變及溫度之電子裝置。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2007-163230號公報 專利文獻2：日本專利特開2018-137268號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，先前之膜狀電子裝置於伸縮性及柔軟性方面尚有開發餘地。 本發明之目的在於提供一種除導電性以外，伸縮性及柔軟性亦優異之可伸縮導電膜。 [解決問題之技術手段]
本發明係關於一種下文敍述之可伸縮導電膜等。 ＜1＞一種可伸縮導電膜，其具備膜狀之基材及形成於上述基材之至少一主面之金屬膜，且上述基材於室溫下產生10%應變時之應力為10 N/mm2 以下。 ＜2＞如＜1＞中記載之可伸縮導電膜，其中上述金屬膜內之氧原子濃度為5.0×1020 atom/cm3 以下。 ＜3＞如＜1＞或＜2＞中記載之可伸縮導電膜，其中上述金屬膜之厚度為10～500 nm。 ＜4＞如＜1＞至＜3＞中任一項記載之可伸縮導電膜，其中上述金屬膜包含選自金、銀、銅、鐵、鋁、鎳、錳、鈷及含有其中至少1種金屬之合金中的至少1種。 ＜5＞如＜1＞至＜4＞中任一項記載之可伸縮導電膜，其中下述式所表示之應變電阻上升率A20 為30%以下。 A20 ＝100×(R20 －R0 )/R0 R0 [Ω]：使可伸縮導電膜於室溫下產生0%應變時之電阻 R20 [Ω]：使可伸縮導電膜於室溫下產生20%應變時之電阻 ＜6＞一種感測器，其具備如＜1＞至＜5＞中任一項記載之可伸縮導電膜。 ＜7＞一種電波吸收體或反射器，其具備如＜1＞至＜4＞中任一項記載之可伸縮導電膜。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種伸縮性、柔軟性、導電性優異之可伸縮導電膜。
本發明之可伸縮導電膜具備膜狀之基材及形成於上述基材之至少一主面之金屬膜。
圖1係表示可伸縮導電膜1之一實施方式之剖視圖。如圖1所示，金屬膜20可僅形成於基材10之單面，雖未圖示，但亦可形成於兩面。又，如圖1所示，金屬膜20可形成於基材10之整個主面，雖未圖示，但亦可形成於至少一部分。進而，金屬膜可根據可伸縮導電膜之用途而形成為各種電路圖案之形狀。
＜基材＞ 於本發明中，基材於室溫下產生10%應變時之應力為10 N/mm2 以下。該應力越小，則意為基材越具有柔軟性、伸縮性。上述應力較佳為7 N/mm2 以下，更佳為5 N/mm2 以下。另一方面，若基材過度柔軟，則無法實現金屬膜對基材之變形之追隨。自該觀點出發，上述應力較佳為0.1 N/mm2 以上，更佳為0.5 N/mm2 以上，進而較佳為1 N/mm2 以上。 此處室溫意為21℃～25℃。 又，產生10%應變時之應力係指依據JIS7161-1：2014所測得之值。
本發明中之基材為膜狀。基材之厚度較佳為10～500 μm，更佳為20～300 μm。若基材之厚度為500 μm以下，則負載不會過大，追隨性良好，若為10 μm以上，則操作性良好。
基材只要為滿足上述特定之應力且具有柔軟性及伸縮性之材料，則並無特別限制，可例舉彈性體、纖維。自柔軟性之觀點出發，較佳為彈性體。 作為彈性體，例如可例舉：胺基甲酸酯橡膠、矽酮橡膠、氟橡膠、腈橡膠、丙烯酸橡膠、苯乙烯橡膠、氯丁二烯橡膠、丁基橡膠、乙烯橡膠、丙烯橡膠、乙烯丙烯橡膠、天然橡膠、將該等之2種以上加以組合而成之複合體等。
＜金屬膜＞ 本發明之可伸縮導電膜具備形成於上述基材之至少一主面之金屬膜。
作為金屬膜，就易追隨基材之變形之方面而言，較佳為延展性金屬之膜。作為延展性金屬，較佳為選自金、銀、銅、鐵、鋁、鎳、錳、鈷及含有其中至少1種金屬之合金中的至少1種。
於本發明之可伸縮導電膜中，金屬膜內之氧原子濃度較佳為5.0×1020 atom/cm3 以下。金屬膜內之氧原子濃度更佳為3.0×1020 atom/cm3 以下，進而較佳為1.0×1020 atom/cm3 以下。又，作為雜質之氧於金屬膜內越少越佳，故下限較佳為0 atom/cm3 。因金屬膜內之氧原子濃度為該範圍，故而可獲得伸縮性優異之金屬膜。推測原因在於，金屬膜內之氧原子越少，則金屬膜之結晶性越提昇，有助於延展性之自由電子之數量越增加。 再者，金屬膜內之氧原子濃度係於金屬膜之最表面至金屬膜之厚度(T)之1/2的深度(T0.5 )測得。
如後文中所敍述，金屬膜例如藉由濺鍍而形成。此時，含氧物藉由自存在於基材中或腔室內之水分、氧、二氧化碳、未反應單體等中揮發而進入金屬膜內。因此，為了將金屬膜內之氧原子濃度設為上述範圍，例如可例舉藉由於濺鍍前對基材進行加熱，進而藉由減壓等方式對腔室內進行脫氣，而將基材或腔室內之水分、氧、二氧化碳、未反應單體等去除之方法。
金屬膜之厚度較佳為10～500 nm，更佳為20～300 nm。藉由使金屬膜之厚度為該範圍，從而與基材之應力差變小，追隨性變得良好，故較佳。 又，金屬膜可為單層膜，亦可為積層有不同金屬層之多層膜。 於為多層膜之情形時，較佳為整體上滿足上述厚度。
具備上述結構之本發明之可伸縮導電膜之下述式所表示之應變電阻上升率A20 較佳為30%以下，更佳為20%以下。 A20 ＝100×(R20 －R0 )/R0 R0 [Ω]：使可伸縮導電膜於室溫下產生0%應變時之電阻 R20 [Ω]：使可伸縮導電膜於室溫下產生20%應變時之電阻
應變電阻上升率A20 越小，則意為可伸縮導電膜之伸縮性及導電性越優異，故而較佳。
＜製造方法＞ 本發明之可伸縮導電膜可藉由於膜狀之基材之至少一主面上形成金屬膜而製造。
對於金屬膜之形成，例如可例舉：真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍覆法等物理蒸鍍法、電漿CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)、光CVD、雷射CVD等化學蒸鍍法(CVD)、電解電鍍、化學鍍覆等濕法。較佳可例舉物理蒸鍍法，更佳可例舉濺鍍法。其中，自真空度高、可形成大面積、易控制膜厚之觀點出發，較佳為濺鍍法。
濺鍍法中，藉由於真空裝置之腔室內將靶及被附著體對向配置，供給氣體並且施加電壓，而使氣體離子加速並照射至靶材料，使靶材料自靶表面濺出，從而使靶材料積層於被附著體表面。此處，靶材料包含構成金屬膜之物質。
作為濺鍍法，例如可例舉：二極濺鍍法、ECR(Electron cyclotron resonance，電子回旋共振)濺鍍法、磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等。
濺鍍法中使用之電極可為直流(DC)電源、交流中頻(AC/MF)電源、高頻(RF)電源、使直流電源重疊之高頻電源之任一者。
藉由濺鍍而形成金屬膜時，較佳為於濺鍍前對基材進行加熱，進而藉由減壓等方式對腔室內進行脫氣。藉此，可防止存在於基材中或腔室內之水分、氧、二氧化碳、未反應單體等含氧物揮發而被進入至金屬膜內。
自基材之耐熱性之觀點出發，對基材進行加熱之溫度較佳為50～200℃，較佳為80～180℃，更佳為100～150℃，對基材進行加熱之時間較佳為1～100分鐘，更佳為5～60分鐘，更佳為10～50分鐘。 自去除釋氣之觀點出發，較佳為腔室內減壓為較佳為1.0×10-4 [Pa]以下，更佳為5.0×10-5 [Pa]以下。
＜感測器＞ 本發明之可伸縮導電膜可較佳地用作應變感測器、溫度感測器、熱流感測器、磁性感測器等各種感測器。又，本發明之可伸縮導電膜由於柔軟性、伸縮性優異，故可應用於伴有變形之部位。因此，可追隨性良好地貼附於配管、電線、生物體等之曲面，感測器感度穩定。因此，例如可較佳的用於認為隨著自動駕駛系統之普及而提高需求之設置於輪胎內部的各種感測器或可穿戴感測器等。
本發明之應變感測器例如具備本發明之可伸縮導電膜。於應變感測器中，金屬膜至少設置1對，金屬膜本身作為電極發揮作用。又，於應變感測器中，金屬膜較佳為Al膜。應變感測器中，可藉由測量隨著膜之變形而發生變化之靜電電容，而測定應變量。
本發明之溫度感測器例如具備Ni膜作為本發明之可伸縮導電膜之金屬膜(導電層)。於溫度感測器中，金屬膜本身作為感測器發揮作用。溫度感測器中，可藉由測量隨著膜之溫度變化而發生變化之金屬膜之電阻，而測定溫度。
本發明之熱流感測器例如具備Fe-Pt合金膜作為本發明之可伸縮導電膜之金屬膜(導電層)。於熱流感測器中，金屬膜本身作為感測器發揮作用。熱流感測器中，可藉由測量隨著膜之溫度梯度而發生變化之金屬膜之電動勢，而測定熱流。
本發明之磁性感測器例如具備磁性薄膜作為本發明之可伸縮導電膜之金屬膜(導電層)。磁性薄膜較佳為包含選自由Mn、Fe、Ni、Co所組成之群中之至少1種。於磁性感測器中，金屬膜本身作為感測器發揮作用。磁性感測器中，可藉由測量隨著環境磁場而發生變化之電性訊號，而測定磁場強度。電性訊號中包含電壓、電洞電壓、電流、電阻等。
＜電波吸收體、反射器＞ 本發明之可伸縮導電膜由於具有導電性，故可用作電波吸收體或反射器之構件。又，本發明之可伸縮導電膜由於柔軟性、伸縮性優異，故使用該膜之電波吸收體或反射器具有高柔軟性。因此，施工性優異，又，於進行製造時，可進行輥成形。
本發明之電波吸收體例如為λ/4型電波吸收體，依序積層有反射層、介電體層、阻抗整合層，且反射層及阻抗整合層之至少一者中可使用本發明之可伸縮導電膜。
於電波吸收體之反射層為本發明之可伸縮導電膜之情形時，阻抗整合層可藉由如下方式而製作：藉由對於聚對苯二甲酸乙二酯等支持膜利用例如濺鍍、蒸鍍、離子鍍覆或塗佈(例如棒式塗佈)等成膜法而於基材之一主面上形成無孔之膜。阻抗整合層之材料可為氧化銦錫(ITO)等金屬、合金、及金屬氧化物等無機材料，亦可為導電性高分子及奈米碳管等有機材料。阻抗整合層之薄片電阻較佳為設定為220～600 Ω/□之範圍。
電波吸收體中之介電體層較佳為具有2.0～20.0之相對介電常數。若為該相對介電常數，則易調整介電體層之厚度，容易調整電波吸收體之電波吸收性能。介電體層之相對介電常數例如為依據空腔共振法而測得之10 GHz時之相對介電常數。介電體層例如較佳為包含選自由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚丙烯酸酯胺基甲酸酯樹脂、聚乙烯、聚丙烯、矽酮、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、及環烯烴聚合物所組成之群中之至少1種高分子。又，介電體層可以單一之層之形式形成，亦可藉由利用相同或不同之材料而成之複數層而形成。
本發明之反射器例如可用於毫米波之反射角度之控制，依序積層有反射層、介電體層、導電圖案層，反射層及導電圖案層之至少一者中可使用本發明之可伸縮導電膜。
於反射器之反射層為本發明之可伸縮導電膜之情形時，導電圖案層可藉由如下方式而製作：藉由對於聚對苯二甲酸乙二酯等支持膜利用例如濺鍍、蒸鍍、離子鍍覆或塗佈(例如棒式塗佈)等成膜法而於基材之一主面上形成無孔之膜，進而藉由雷射加工及蝕刻等而於無孔之膜上形成圖案。導電圖案層之材料可為氧化銦錫(ITO)等金屬、合金、及金屬氧化物等無機材料，亦可為導電性高分子及奈米碳管等有機材料。
反射器中之介電體層較佳為具有2.0～20.0之相對介電常數。若為該相對介電常數，則易調整介電體層之厚度，容易調整反射器之電波吸收性能。介電體層之相對介電常數例如為依照空腔共振法而測得之10 GHz時之相對介電常數。介電體層例如較佳為包含選自由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、丙烯酸酯胺基甲酸酯樹脂、聚乙烯、聚丙烯、矽酮、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、及環烯烴聚合物所組成之群中之至少1種高分子。又，介電體層可以單一之層之形式形成，亦可藉由利用相同或不同之材料而成之複數層而形成。 實施例
以下使用實施例及比較例對本發明進行進一步具體說明。
＜可伸縮導電膜(帶金屬膜之基材)之製造＞ [實施例1] 使用室溫下產生10%應變時之應力為2.9 N/mm2 (彈性模數29 MPa)之胺基甲酸酯橡膠膜(Nihon Matai股份有限公司製造，商品號：Esmer PX98，厚度：150 μm)作為基材。製膜前於140℃下進行30分鐘之基材加熱處理之後，將裝置內之極限真空度提昇至1.5×10-5 [Pa]。其後，使用3英吋之Al靶，於Ar氣體氛圍下、背壓0.3 Pa條件下，以輸出200 W進行DC濺鍍，於基材表面製作100 nm之金屬膜(Al層)。
[實施例2] 使用於室溫下產生10%應變時之應力為4.4 N/mm2 (彈性模數44 MPa)之胺基甲酸酯橡膠膜(厚度：30 μm)作為基材，除此以外，以與實施例1相同之方式於基材表面製作金屬膜。
[實施例3] 使用於室溫下產生10%應變時之應力為2.8 N/mm2 (彈性模數28 MPa)之胺基甲酸酯橡膠膜(Kurabo股份有限公司製造，商品號：Cranzier，厚度：50 μm)作為基材，除此以外，以與實施例1相同之方式於基材表面製作金屬膜。
[實施例4] 不進行基材加熱處理，將裝置內之極限真空度設為5.0×10-4 [Pa]，除此以外，以與實施例1相同之方式於基材表面製作金屬膜。
[實施例5] 不進行基材加熱處理，將裝置內之極限真空度設為5.0×10-4 [Pa]，除此以外，以與實施例2相同之方式於基材表面製作金屬膜。
[實施例6] 不進行基材加熱處理，將裝置內之極限真空度設為5.0×10-4 [Pa]，除此以外，以與實施例3相同之方式於基材表面製作金屬膜。
[實施例7] 使用Ni靶代替Al靶，除此以外，以與實施例1相同之方式於基材表面製作金屬膜。
[實施例8] 使用Cu靶代替Al靶，除此以外，以與實施例1相同之方式於基材表面製作金屬膜。
[比較例1] 使用彈性模數3.0 GPa之聚對苯二甲酸乙二酯膜(厚度：50 μm)作為基材，除此以外，以與實施例1相同之方式於基材表面製作金屬膜。
＜金屬膜內之氧原子濃度測定＞ 針對上述實施例及比較例中製作之各帶金屬膜之基材，藉由以下方法對金屬膜內之氧原子濃度進行測定。 使用ULVAC-PHI股份有限公司製造之ADEPT-1010，於一次離子種Cs＋、一次加速電壓3.0 kV條件下，調查金屬膜中之氧原子之深度方向濃度分佈。深度設為金屬膜之膜厚之一半深度即50 nm之深度。 將結果示於下述表1。
＜應變電阻上升率測定及應力測定＞ 又，藉由以下方法對上述實施例及比較例中製作之各帶金屬膜之基材進行延伸實驗，測定出對應於應變之電阻上升率及應力進行測定。 將樣品切下寬10 mm×長度40 mm，如圖2所示，於桌上延伸機(Linkam公司：顯微鏡用延伸台)之夾頭部安裝測試機，於室溫、延伸速度50 μm/s之條件下對應於應變而測定出電阻值及應力。延伸前之夾頭部間距離設為15 mm。 應變電阻上升率由以下式所示。 應變電阻上升率Ax (%)＝100×(Rx －R0 )/R0 (Ro[Ω]：延伸前(應變0%時)之端子間電阻值，Rx [Ω]：應變X%時之端子間電阻值)
將應變為20%、50%及100%時之電阻上升率(A20 、A50 、A100 )示於下述表1。 基於下述基準對應變為20%時之應變電阻上升率(A20 )進行評價，只要為50%以下，則算作合格。 A：30%以下 B：50%以下 C：超過50% D：斷裂
[表1]
表1
   實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8 比較例1
基材材質 胺基甲酸酯橡膠 胺基甲酸酯橡膠 胺基甲酸酯橡膠 胺基甲酸酯橡膠 胺基甲酸酯橡膠 胺基甲酸酯橡膠 胺基甲酸酯橡膠 胺基甲酸酯橡膠 PET
基材之應變為10%時之應力[N/mm2 ] 2.9 4.4 2.8 2.9 4.4 2.8 2.9 2.9 -(斷裂)
基材厚度[μm] 150 30 50 150 30 50 150 150 50
基材加熱 有 有 有 無 無 無 有 有 有
極限真空度[Pa] 1.5×10-5 1.5×10-5 1.5×10-5 5.0×10-4 5.0×10-4 5.0×10-4 1.5×10-5 1.5×10-5 1.5×10-5
金屬膜材料 Al Al Al Al Al Al Ni Cu Al
金屬膜厚[nm] 100 100 100 100 100 100 100 100 100
金屬膜內之氧原子濃度[atom/cm3 ] 4.60 E＋19 5.22 E＋19 8.68 E＋19 1.02 E＋21 1.48 E＋21 2.08 E＋21 3.50 E＋20 1.90 E＋19 4.54 E＋19
應變電阻上升率[%] A2 0 18.6 2.2 8.3 48.3 40 32.9 21.4 16.3 斷裂
A50 64.4 斷裂 53.2 246.7 斷裂 200 94.6 55.1 斷裂
A100 179.7 斷裂 277.1 1150 斷裂 1382.9 267.9 190.7 斷裂
判定 A A A B B B A A D
據上述結果可知，實施例之膜均柔軟性、伸縮性、導電性優異。其中，可知使金屬膜內之氧原子濃度減少之實施例1～3、7、8中，隨著應變發生之電阻上升得以抑制，柔軟性、伸縮性、導電性更加優異。
＜電波吸收體之製造＞ 依序積層反射層、介電體層、阻抗整合層而製造電波吸收體，其中，使用實施例或比較例中製作之帶金屬膜之基材作為反射層。
[實施例9] 於實施例3中製作之帶金屬膜之基材之金屬膜側積層包含膜厚560 μm之丙烯酸樹脂層之相對介電常數2.6之介電體層，進而，積層阻抗整合層，從而製成λ/4型之電波吸收體。阻抗整合層係以薄片電阻成為377 Ω之方式於聚對苯二甲酸乙二酯基材之單面使ITO層成膜而製成。
[比較例2] 使用比較例1中製作之帶金屬膜之基材作為反射層，除此以外，以與實施例9相同之方式製成λ/4型之電波吸收體。
＜電波吸收體之彎曲試驗＞ 準備上述實施例及比較例中獲得之各電波吸收體之20 mm×50 mm之試樣，以阻抗整合層側成為內側之方式將試樣捲繞至直徑21.5 mm之軟木穿孔器，使其彎曲，並以目視確認反射層中是否產生皺褶。 無皺褶：A 皺褶產生：D 將結果示於下述表中。
[表2]
表2
   實施例9 比較例2
電波吸收體結構 阻抗整合層 PET基材
ITO層
介電體層 丙烯酸樹脂層
反射層 金屬膜 Al Al
金屬膜厚[nm] 100 100
基材 胺基甲酸酯橡膠 PET
基材厚度[μm] 50 50
評價 彎曲後之皺褶 A D
據上述結果可知，本發明之可伸縮導電膜可用作電波吸收體之構件，又，由於柔軟性、伸縮性優異，故亦可設置於曲面。
＜反射器之製造＞ 依序積層反射層、介電體層、導電圖案層而製造反射器，其中，使用實施例或比較例中製作之帶金屬膜之基材作為反射層。
[實施例10] 於實施例3中製作之帶金屬膜之基材之金屬膜側積層包含膜厚500 μm之丙烯酸樹脂層之相對介電常數2.6之介電體層，進而積層導電圖案層，從而製成反射器。導電圖案層可藉由於聚對苯二甲酸乙二酯基材之單面使Al膜圖案化而製成。
[比較例3] 使用比較例1中製作之帶金屬膜之基材作為反射層，除此以外，以與實施例10相同之方式製成反射器。
＜反射器之彎曲試驗＞ 準備上述實施例及比較例中獲得之各反射器之20 mm×50 mm之試樣，以導電圖案層側成為內側之方式將試樣捲繞至直徑21.5 mm之軟木穿孔器，使其彎曲，以目視確認反射層中是否產生皺褶。 無皺褶：A 皺褶產生：D 將結果示於下述表中。
[表3]
表3
   實施例10 比較例3
反射器結構 導電圖案層 PET基材
Al層
介電體層 丙烯酸樹脂層
反射層 金屬膜 Al Al
金屬膜厚[nm] 100 100
基材 胺基甲酸酯橡膠 PET
基材厚度[μm] 50 50
評價 彎曲後之皺褶 A D
據上述結果可知，本發明之可伸縮導電膜可用作反射器之構件，又，由於柔軟性、伸縮性優異，故亦可設置於曲面。
雖參照特定之實施方式對本發明進行了詳細說明，但業者明白亦可於不脫離本發明之精神及範圍之範圍內進行各種改變或修正。本申請係基於2020年3月31日申請之日本專利申請(特願2020-064333)，且其內容以參照之形式引用至本文中。 [產業上之可利用性]
本發明之可伸縮導電膜可用作應變感測器、溫度感測器、熱流感測器、磁性感測器等各種感測器、電波吸收體或反射器之構件。又，本發明之可伸縮導電膜由於柔軟性、伸縮性優異，故亦可設置於曲面，可應用於伴有變形之部位。
1:可伸縮導電膜 10:基材 20:金屬膜
圖1係表示本發明之可伸縮導電膜之一實施方式之剖視圖。 圖2係對應變電阻上升率之測定方法進行說明之圖。
1:可伸縮導電膜
10:基材
20:金屬膜

Claims (7)

  1. 一種可伸縮導電膜，其具備膜狀之基材及形成於上述基材之至少一主面之金屬膜，且 上述基材於室溫下產生10%應變時之應力為10 N/mm2 以下。
  2. 如請求項1之可伸縮導電膜，其中上述金屬膜內之氧原子濃度為5.0×1020 atom/cm3 以下。
  3. 如請求項1或2之可伸縮導電膜，其中上述金屬膜之厚度為10～500 nm。
  4. 如請求項1至3中任一項之可伸縮導電膜，其中上述金屬膜包含選自金、銀、銅、鐵、鋁、鎳、錳、鈷及含有其中至少1種金屬之合金中之至少1種。
  5. 如請求項1至4中任一項之可伸縮導電膜，其中下述式所表示之應變電阻上升率A20 為30%以下， A20 ＝100×(R20 －R0 )/R0 R0 [Ω]：使可伸縮導電膜於室溫下產生0%應變時之電阻 R20 [Ω]：使可伸縮導電膜於室溫下產生20%應變時之電阻。
  6. 一種感測器，其具備如請求項1至5中任一項之可伸縮導電膜。
  7. 一種電波吸收體或反射器，其具備如請求項1至4中任一項之可伸縮導電膜。
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