TW202132609A - 成膜方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題為提供一種可控制膜厚的面內分佈之技術。
本發明一樣態之成膜方法係具有以下步驟：將原料氣體供應至處理容器內之步驟；將會與該原料氣體反應的反應氣體供應至該處理容器內之步驟；以及在供應該原料氣體之步驟前實行，不供應該原料氣體而調整該處理容器內的壓力之步驟；會實行包含有供應該原料氣體的步驟與供應該反應氣體的步驟之複數次循環；該複數次循環的至少一部分係具有調整該壓力之步驟。

Description

成膜方法
本發明係關於一種成膜方法。
已知有一種藉由將原料氣體與反應氣體交互地供應至會藉由包含閥機構之真空排氣系統而被排氣的處理容器內，來形成薄膜之成膜方法(參照例如專利文獻1)。該成膜方法中，係將供應原料氣體時之閥機構的閥開合度設定為會小於未供應原料氣體時的閥開合度，來形成薄膜(參照例如專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2007-42823號公報
本發明係提供一種可控制膜厚的面內分佈之技術。
本發明一樣態之成膜方法係具有以下步驟：將原料氣體供應至處理容器內之步驟；將會與該原料氣體反應的反應氣體供應至該處理容器內之步驟；以及在供應該原料氣體之步驟前實行，不供應該原料氣體而調整該處理容器內的壓力之步驟；會實行包含有供應該原料氣體的步驟與供應該反應氣體的步驟之複數次循環；該複數次循環的至少一部分係具有調整該壓力之步驟。
依據本發明，便可控制膜厚的面內分佈。
1:成膜裝置
10:處理容器
30:氣體供應部
40:排氣部
43:壓力調整閥
W:晶圓
圖1係顯示一實施型態之成膜裝置的構成例之概略圖。
圖2係顯示一實施型態之SiBN膜的形成方法之流程圖。
圖3係顯示BN步驟一範例之流程圖。
圖4係顯示SiN步驟一範例之流程圖。
圖5係顯示SiN步驟的氣體供應機制一範例之圖式。
圖6係顯示實施例1的評估結果之圖式。
圖7係顯示實施例2的評估結果之圖式。
圖8係顯示實施例3的評估結果之圖式。
圖9係用以說明膜厚之面內分佈的變化機制之圖式。
以下，參照添附圖式來針對本發明之非限定性例示實施型態加以說明。所添附之所有圖式中，針對相同或相對應的組件或零件係賦予相同或相對應的參考符號而省略重複說明。
〔成膜裝置〕
圖1係顯示一實施型態之成膜裝置的構成例之概略圖。如圖1所示，成膜裝置1係具有處理容器10、氣體供應部30、排氣部40、加熱部50、控制部80等。
處理容器10係可將內部減壓，且會收納基板(即半導體晶圓，以下稱作「晶圓W」。)。處理容器10係具有下端為開放之有頂圓筒形狀，且由石英等耐熱性材料所形成。
處理容器10的下端係藉由例如不鏽鋼所形成的圓筒狀分歧管11而被加以支撐。分歧管11的上端係形成有凸緣12，來將處理容器10的下端設置並支撐在凸緣12上。凸緣12與處理容器10的下端之間係介設有O型環等密封組件13，來使處理容器10內成為氣密狀態。
分歧管11下端的開口係透過O型環等密封組件22而氣密地安裝有蓋體21，來氣密地堵塞處理容器10下端的開口，即分歧管11的開口。蓋體21係由例如不鏽鋼所形成。
蓋體21的中央部係透過磁性流體密封件23而貫穿設置有可旋轉地支撐晶舟16之旋轉軸24。旋轉軸24的下部係旋轉自如地被支撐在晶舟升降機所構成之升降機構25的臂部25A。
旋轉軸24的上端係設置有旋轉板26，而透過石英製保溫台27來將會保持晶圓W之晶舟16載置於旋轉板26上。因此，藉由讓升降機構25升降，蓋體21與晶舟16會一體地上下移動，便可將晶舟16相對於處理容器10內做插拔。晶舟16為可被收納在處理容器10內，且於上下方向具有間隔來略水平地保持複數晶圓W之基板保持具。
氣體供應部30係設置於分歧管11。氣體供應部30會將成膜氣體、吹淨氣體等氣體朝處理容器10內導入。氣體供應部30係具有氣體噴嘴31。
氣體噴嘴31為例如石英製，係沿著處理容器10的長邊方向而設置於處理容器10內，且其基端係彎曲成L字狀而貫穿分歧管11般地被加以支撐。氣體噴嘴31係沿著其長邊方向而形成有複數氣孔32，來從氣孔32朝水平方向放射出氣體。複數氣孔32係以例如和晶舟16所支撐之晶圓W的間隔相同之間隔而被加以配置。氣體噴嘴31係供應成膜氣體、吹淨氣體等氣體之噴嘴，會一邊控制流量一邊依需要來將該氣體供應至處理容器10內。
成膜氣體為用以於晶圓W形成膜之氣體，係依所成膜之膜的類種來加以選擇。
當形成矽氮化膜(SiN膜)的情況，可利用矽原料氣體及氮化氣體來作為成膜氣體。作為矽原料氣體，舉例有二氯矽烷(DCS)、六氯二矽烷(HCD)等含氯矽烷系氣體，或二異丙基胺基矽烷(DIPAS)、三(二甲基胺基)矽烷(3DMAS)、四(二甲基胺基)矽烷(4DMAS)、二(特丁胺基)矽烷(BTBAS)等胺基矽烷系氣體。作為氮化氣體，舉例有NH3氣體。
當形成矽氧化膜(SiO2膜)的情況，可利用矽原料氣體及氧化氣體來作為成膜氣體。作為矽原料氣體，舉例有前述含氯矽烷系氣體、胺基矽烷系氣體。作為氧化氣體，舉例有O2氣體、O3氣體、CO2氣體、NO氣體、N2O氣體、H2O氣體。
當形成含硼矽氮化膜(SiBN膜)的情況，可利用矽原料氣體、含硼氣體及氮化氣體來作為成膜氣體。矽原料氣體舉例有前述含氯矽烷系氣體、胺基矽烷系氣體。含硼氣體舉例有BCl3氣體。氮化氣體舉例有NH3氣體。
形成金屬氮化物膜或金屬氧化物膜的情況，可利用金屬原料氣體及氮化氣體或氧化氣體來作為成膜氣體。金屬原料氣體舉例有AlCl3氣體、三甲基鋁(TMA)氣體。
吹淨氣體為用以去除並吹淨殘留在處理容器10內的成膜氣體之氣體。吹淨氣體舉例有氮(N2)氣、氬(Ar)氣等非活性氣體。
此外，圖1之範例中，雖係針對氣體供應部30乃具有1個氣體噴嘴31之情況加以說明，但氣體供應部30的型態並未侷限於此，例如氣體供應部30亦可具有複數氣體噴嘴。
排氣部40會將從處理容器10的氣體出口41所被排出之氣體加以排出。氣體出口41係形成於分歧管11上部的側壁。氣體出口41係連接有排氣通道42。排氣通道42係依序介設有壓力調整閥43及真空幫浦44，可將處理容器10內排氣。壓力調整閥43為可調整排氣通道42的排氣傳導率之閥，可為例如APC(Auto Pressure Controller)閥。
加熱部50係設置於處理容器10的周圍。加熱部50係具有會覆蓋處理容器10般之圓筒形狀。加熱部50會加熱處理容器10內的晶圓W。
控制部80會控制成膜裝置1的動作。控制部80可為例如電腦。會進行成膜裝置1整體的動作之電腦程式係被記憶在記憶媒體90。記憶媒體90可為例如軟碟、光碟、硬碟、快閃記憶體、DVD等。
〔成膜方法〕
針對一實施型態之成膜方法加以說明。以下範例中，係針對藉由原子層沉積(ALD：Atomic Layer Deposition)來形成SiBN膜之情況加以說明，該原子層沉積係使用DCS氣體作為矽原料氣體，使用BCl3氣體作為含硼氣體，使用NH3氣體作為氮化氣體，且使用N2氣體作為吹淨氣體。此外，藉由一實施型態之成膜方法所形成的膜不限於SiBN膜，而亦可為例如矽氮化膜、矽氧化膜、金屬氮化物膜、金屬氧化物膜。
圖2係顯示一實施型態之SiBN膜的形成方法之流程圖。如圖2所示，一實施型態之SiBN膜的形成方法係包含步驟S1~S5。一實施型態之SiBN膜的形成方法係藉由例如控制部80會控制成膜裝置1的各部來實行。
首先，使得搭載有複數晶圓W狀態的晶舟16由其下方上升來搬入至已被控制為設定溫度之處理容器10內。又，以蓋體21來關閉分歧管11下端的開口，以使處理容器10內成為密閉空間。作為晶圓W，係例示直徑為300mm者。
接著，將處理容器10內抽真空來維持在製程壓力，且控制朝加熱部50之供應電力，以使晶圓溫度上升而維持在製程溫度。然後，使晶舟16旋轉之狀態下而開始包含有步驟S1~S5之成膜處理。
步驟S1中，控制部80會控制成膜裝置1的各部來實行BN步驟。BN步驟為從氣體噴嘴31來將BCl3氣體與NH3氣體交互地供應至處理容器10內，以形成BN膜之步驟。關於BN步驟的細節將敘述於後。
步驟S2中，控制部80會判定BN步驟是否已被實行第1次數以上。第1次數可為例如1~10次。步驟S2中，若判定為BN步驟已被實行第1次數以上的情況，則控制部80便會使處理前進至步驟S3。另一方面，步驟S2中，若判定為BN步驟尚未被實行第1次數以上的情況，則控制部80便會使處理返回步驟S1。
步驟S3中，控制部80會控制成膜裝置1的各部來實行SiN步驟。SiN步驟為從氣體噴嘴31來將DCS氣體與NH3氣體交互地供應至處理容器10內，以形成SiN膜之步驟。關於SiN步驟的細節將敘述於後。
步驟S4中，控制部80會判定SiN步驟是否已被實行第2次數以上。第2次數可為例如1~10次。步驟S4中，若判定為SiN步驟已被實行第2次數以上的情況，則控制部80便會使處理前進至步驟S5。另一方面，步驟S4中，若判定為SiN步驟尚未被實行第2次數以上的情況，則控制部80便會使處理返回步驟S3。
步驟S5中，控制部80會判定步驟S1~S4是否已被實行第3次數以上。第3次數係對應於欲形成之SiBN膜的膜厚來設定。步驟S5中，若判定為步驟S1~S4已被實行第3次數以上的情況，則控制部80便會結束處理。另一方面，步驟S5中，若判定為步驟S1~S4尚未被實行第3次數以上的情況，則控制部80便會使處理返回步驟S1。
如以上的說明，在一實施型態之SiBN膜的形成方法中，藉由反覆實行第3次數之包含有會反覆實行第1次數之BN步驟與會反覆實行第2次數之SiN步驟的循環，便可形成所需膜厚的SiBN膜。
圖3係顯示BN步驟一範例之流程圖。如圖3所示，BN步驟為依序實行會進行吹淨之步驟S11、供應BCl3氣體之步驟S12、進行吹淨之步驟S13、以及供應NH3氣體之步驟S14之處理。
在進行吹淨之步驟S11中，控制部80會控制氣體供應部30及排氣部40來一邊將處理容器10內真空排氣，一邊從氣體噴嘴31的氣孔32將N2氣體供應至處理容器10內。藉此，殘留在處理容器10內之氣體便會被去除。例如，在進行吹淨之步驟S11中，控制部80係將APC閥的閥開合度控制為全開。
在供應BCl3氣體之步驟S12中，控制部80會控制氣體供應部30，來從氣體噴嘴31的氣孔32將BCl3氣體供應至處理容器10內。藉此，BCl3氣體便會吸附在晶圓W上。
在進行吹淨之步驟S13中，控制部80會控制氣體供應部30及排氣部40來一邊將處理容器10內真空排氣，一邊從氣體噴嘴31的氣孔32將N2氣體供應至處理容器10內。藉此，殘留在處理容器10內之氣體便會被去除。例如，在進行吹淨之步驟S13中，控制部80係將APC閥的閥開合度控制為全開。
在供應NH3氣體之步驟S14中，控制部80會控制氣體供應部30，來從氣體噴嘴31的氣孔32將NH3氣體供應至處理容器10內。藉此，吸附在晶圓W上之BCl3氣體便會氮化。
藉由如此般地實行步驟S11~S14，則晶圓W上便會沉積有BN單位膜。
圖4係顯示SiN步驟一範例之流程圖。圖5係顯示SiN步驟的氣體供應機制一範例之圖式。如圖4所示，SiN步驟為依序實行會進行吹淨之步驟S31、調整壓力之步驟S32、供應DCS氣體之步驟S33、進行吹淨之步驟S34、以及供應NH3氣體之步驟S35之處理。
在進行吹淨之步驟S31中，控制部80會控制氣體供應部30及排氣部40來一邊將處理容器10內真空排氣，一邊從氣體噴嘴31的氣孔32將N2氣體 供應至處理容器10內。藉此，殘留在處理容器10內之氣體便會被去除。例如，在進行吹淨之步驟S31中，控制部80係將APC閥的閥開合度控制為全開。又，進行吹淨之步驟S31中之N2氣體的流量可為例如小於供應DCS氣體之步驟S33中之N2氣體的流量，但大於供應NH3氣體之步驟S35中之N2氣體的流量之流量。
在調整壓力之步驟S32中，控制部80並未供應DCS氣體及NH3氣體，而是調整處理容器10內的壓力。控制部80例如圖5所示，係將為壓力調整閥43一範例之APC閥的閥開合度控制為會較進行吹淨之步驟S31中之APC閥的閥開合度要來得小之閥開合度。藉此，如圖5所示，調整壓力之步驟S32中之處理容器10內的壓力便會慢慢地上升。又，調整壓力之步驟S32中之APC閥的閥開合度較佳為與供應DCS氣體之步驟S33中之APC閥的閥開合度相同之閥開合度Y%。
在供應DCS氣體之步驟S33中，控制部80會控制氣體供應部30，來從氣體噴嘴31的氣孔32將DCS氣體供應至處理容器10內。藉此，DCS氣體便會吸附在晶圓W上。在供應DCS氣體之步驟S33中，例如圖5所示，係將被暫時儲存在緩衝槽(圖中未顯示)內而在緩衝槽內被升壓之DCS氣體供應至處理容器10內。藉此，便可以較大流量來穩定地將DCS氣體供應至處理容器10內。在供應DCS氣體之步驟S33中，控制部80係將APC閥的閥開合度控制為Y%。Y%可為例如0~20%。
在進行吹淨之步驟S34中，控制部80會控制氣體供應部30及排氣部40來一邊將處理容器10內真空排氣，一邊從氣體噴嘴31的氣孔32將N2氣體供應至處理容器10內。藉此，殘留在處理容器10內之氣體便會被去除。例如，在進行吹淨之步驟S34中，控制部80係將APC閥的閥開合度控制為全開。
在供應NH3氣體之步驟S35中，控制部80會控制氣體供應部30，來從氣體噴嘴31的氣孔32將NH3氣體供應至處理容器10內。藉此，吸附在晶圓W上之DCS氣體便會氮化。又，在供應NH3氣體之步驟S35中，控制部80會控制氣體供應部30，來從DCS氣體的供應源將DCS氣體供應至緩衝槽內。藉此，DCS氣體便會被暫時儲存在緩衝槽內，而讓緩衝槽內升壓。
藉由如此般地實行步驟S31~S35，則晶圓W上便會沉積有SiN單位膜。
〔實施例〕
針對用以確認一實施型態之SiBN膜形成方法所造成的效果之實施例來加以說明。
(實施例1)
實施例1中，係評估在讓晶舟16旋轉之狀態下來實行包含有前述步驟S1~S5之成膜處理，且改變SiN步驟所包含之調整壓力之步驟S32的時間時，形成於晶圓W上之SiBN膜的膜厚面內分佈。實施例1中，係將調整壓力之步驟S32的時間設定為0秒、1秒、2秒任一者。又，實施例1中，係使用DCS氣體作為矽原料氣體，使用BCl3氣體作為含硼氣體，使用NH3氣體作為氮化氣體，使用N2氣體作為吹淨氣體，且使用直徑300mm的矽晶圓來作為晶圓W。
圖6係顯示實施例1的評估結果之圖式，且係顯示調整壓力之步驟的時間與SiBN膜的膜厚面內分佈之一關係例。圖6中，橫軸表示晶圓位置[mm]，縱軸表示膜厚[nm]。此外，晶圓位置係表示晶圓W的直徑方向上之位置，晶圓位置0mm係表示晶圓W的中心，晶圓位置-150mm、150mm係表示晶圓W的外周。又，圖6中，係以圓形記號來表示調整壓力之步驟S32的時間為0秒之情況的結果，以三角形記號來表示1秒之情況的結果，且以菱形記號來表示2秒之情況的結果。
如圖6所示，可得知藉由改變調整壓力之步驟S32的時間，則形成於晶圓W上之SiBN膜的膜厚面內分佈便會改變。具體而言，當調整壓力之步驟S32的時間為0秒之情況，係顯示出晶圓W中心處之SiBN膜的膜厚會小於晶圓W外周處之SiBN膜的膜厚之凹形分佈。相對於此，當調整壓力之步驟S32的時間為1秒之情況，則是顯示出晶圓W中心處之SiBN膜的膜厚會較大之凸形分佈。又，當調整壓力之步驟S32的時間為2秒之情況，係顯示出晶圓W中心處之SiBN膜的膜厚會較調整壓力之步驟S32的時間為1秒之情況要來得大之凸形分佈。
由以上結果可謂言藉由在供應DCS氣體之步驟S33前先實行會調整壓力之步驟S32，且將調整該壓力之步驟S32的時間加以調整，便可控制SiBN膜的膜厚面內分佈。
(實施例2)
實施例2中，係評估在未讓晶舟16旋轉之狀態下來實行包含有前述步驟S1~S5之成膜處理，且改變SiN步驟所包含之調整壓力之步驟S32的時間時，形成於晶圓W上之SiBN膜的膜厚面內分佈。實施例2中，係將調整壓力之步驟S32的時間設定為0秒、1秒任一者。又，實施例2中，係使用DCS氣體作為矽原料氣體，使用BCl3氣體作為含硼氣體，使用NH3氣體作為氮化氣體，使用N2氣體作為吹淨氣體，且使用直徑300mm的矽晶圓來作為晶圓W。
圖7係顯示實施例2的評估結果之圖式，且係顯示調整壓力之步驟的時間與SiBN膜的膜厚面內分佈之一關係例。圖7(a)係顯示調整壓力之步驟S32的時間為0秒之情況，圖7(b)係顯示調整壓力之步驟S32的時間為1秒之情況。
如圖7(a)及圖7(b)所示，可得知藉由使調整壓力之步驟S32的時間為1秒，則相較於0秒的情況，晶圓W中心區域A處之SiBN膜的膜厚會變大。
由以上結果可謂言藉由在供應DCS氣體之步驟S33前先實行會調整壓力之步驟S32，且將調整該壓力之步驟S32的時間加以調整，便可控制SiBN膜的膜厚面內分佈。
(實施例3)
實施例3中係評估當改變前述一實施型態之SiBN膜的形成方法中之SiN步驟當中包含有調整壓力之步驟S32的次數時，形成於晶圓W上之SiBN膜的膜厚面內分佈。實施例3中，係將第2次數設定為4次，且將4次當中包含有調整壓力之步驟S32的次數設定為0次、1次、4次任一者。又，實施例3中，係使用DCS氣體作為矽原料氣體，使用BCl3氣體作為含硼氣體，使用NH3氣體作為氮化氣體，使用N2氣體作為吹淨氣體，且使用直徑300mm的矽晶圓來作為晶圓W。
圖8係顯示實施例3的評估結果之圖式，且係顯示調整壓力之步驟的次數與SiBN膜的膜厚面內分佈之一關係例。圖8中，橫軸表示晶圓位置[mm]， 縱軸表示膜厚[nm]。此外，晶圓位置係表示晶圓W的直徑方向上之位置，晶圓位置0mm係表示晶圓W的中心，晶圓位置-150mm、150mm係表示晶圓W的外周。又，圖8中，係以圓形記號來表示包含有調整壓力之步驟S32的次數為0次之情況的結果，以三角形記號來表示1次之情況的結果，且以菱形記號來表示4次之情況的結果。
如圖8所示，可得知藉由改變包含有調整壓力之步驟S32的次數，則形成於晶圓W上之SiBN膜的膜厚面內分佈便會改變。具體而言，當包含有調整壓力之步驟S32的次數為0次之情況，係顯示出晶圓W中心處之SiBN膜的膜厚會小於晶圓W外周處之SiBN膜的膜厚之凹形分佈。相對於此，當包含有調整壓力之步驟S32的次數為1次之情況，則是顯示出晶圓W中心處之SiBN膜的膜厚會較大之凸形分佈。又，當包含有調整壓力之步驟S32的次數為4次之情況，係顯示出晶圓W中心處之SiBN膜的膜厚會較包含有調整壓力之步驟S32的次數為1次之情況要來得大之凸形分佈。
由以上結果可謂言藉由在供應DCS氣體之步驟S33前先實行會調整壓力之步驟S32，且將所反覆實行之SiN步驟當中包含有調整該壓力之步驟S32的次數加以調整，便可控制SiBN膜的膜厚面內分佈。
〔機制〕
以下針對藉由在供應DCS氣體之步驟S33前便先實行會調整處理容器10內的壓力之步驟S32，則可控制SiBN膜的膜厚面內分佈之機制來加以說明。
圖9係用以說明膜厚之面內分佈的變化機制之圖式。圖9(a)係顯示在供應DCS氣體之步驟S33前並未實行會調整壓力之步驟S32的情況下之處理容器10內的壓力狀態及氣體溫度。圖9(b)係顯示在供應DCS氣體之步驟S33前有實行1秒調整壓力之步驟S32的情況下之處理容器10內的壓力狀態及氣體溫度。
如圖9(a)所示，在供應DCS氣體之步驟S33前並未實行會調整壓力之步驟S32的情況，則在開始來自緩衝槽33之DCS氣體的供應之時間點，處理容器10內會成為低壓。藉此，由於供應DCS氣體之際的氣體活性會變慢且氣體流速會變高，故晶圓W中心區域處之DCS氣體的吸附量便會較晶圓W 外周區域處之DCS氣體的吸附量要來得少。其結果，推測晶圓W中心區域處之SiBN膜的膜厚便會小於晶圓W外周區域處之SiBN膜的膜厚。
另一方面，如圖9(b)所示，當有實行會調整壓力之步驟S32的情況，則在開始來自緩衝槽33之DCS氣體的供應之時間點，處理容器10內會成為高壓。此外，高壓係指較未實行會調整壓力之步驟S32的情況下之處理容器10內的壓力要來得高之壓力。藉此，由於供應DCS氣體之際的氣體活性會變快且氣體流速會變低，故相較於處理容器10內為低壓的情況，則晶圓W中心區域處之DCS氣體的吸附量便會變多。其結果，推測相較於處理容器10內為低壓的情況，則膜厚的面內分佈便會變化為晶圓W中心區域處之SiBN膜的膜厚會變大。
又，推測在供應DCS氣體之步驟S33前所實行的調整壓力之步驟S32中，被供應至處理容器10內之N2氣體會從加熱部50獲得熱能，而讓N2氣體的能量變高。然後，推測將DCS氣體供應至處理容器10內之際，在處理容器10內會因該N2氣體與DCS氣體相互碰撞，而導致DCS氣體的溫度上升且變得容易活性化，則膜厚的面內分佈便會變化為晶圓W中心處之膜厚會變大。
如以上的說明，一實施型態之成膜方法係具有供應原料氣體之步驟；供應會與原料氣體反應的反應氣體之步驟；以及，在供應原料氣體之步驟前實行，且不供應原料氣體來調整處理容器內的壓力之步驟。然後，係實行包含有供應原料氣體的步驟與供應反應氣體的步驟之複數次循環，且複數次循環的至少一部分係具有調整壓力之步驟。藉此，由於可調整會調整壓力之步驟的時間，或複數次循環當中包含有調整壓力之步驟的次數，故可控制晶圓W面內之原料氣體的吸附量。其結果，便可控制形成於晶圓W之膜的膜厚面內分佈。又，由於控制區域較廣，故容易微調成所需膜厚。
又，由於一實施型態之成膜方法相對於傳統方法可藉由增加會調整壓力之步驟來實行，而不須改變原料氣體的使用量或成膜裝置1的硬體構成，故在成本上有很大的優點。
此外，上述實施型態中，矽原料氣體及金屬原料氣體為原料氣體一範例，氮化氣體及氧化氣體為反應氣體一範例。
本說明書所揭示之實施型態應被認為所有要點僅為例示而非用以限制本發明之內容。上述實施型態可在未背離添附的申請專利範圍及其要旨之範圍內，而以各種型態來做省略、置換或變更。
上述實施型態中，雖已針對處理容器為單重管構造的容器之情況來加以說明，但本發明並未侷限於此。例如，處理容器亦可為雙重管構造的容器。
上述實施型態中，雖已針對處理裝置為不使用電漿之裝置的情況來加以說明，但本發明並未侷限於此。例如，處理裝置亦可為使用電容耦合型電漿(CCP：Capacitively Coupled Plasma)等電漿之裝置。
上述實施型態中，雖已針對基板為半導體晶圓之情況來加以說明，但本發明並未侷限於此。例如，基板亦可為平面顯示器(FPD：Flat Panel Display)用的大型基板、有機EL面板用的基板、太陽能電池用的基板。

Claims (10)

  1. 一種成膜方法，具有以下步驟：
    將原料氣體供應至處理容器內之步驟；
    將會與該原料氣體反應的反應氣體供應至該處理容器內之步驟；以及
    在供應該原料氣體之步驟前實行，不供應該原料氣體而調整該處理容器內的壓力之步驟；
    會實行包含有供應該原料氣體的步驟與供應該反應氣體的步驟之複數次循環；
    該複數次循環的至少一部分係具有調整該壓力之步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項之成膜方法，其中調整該壓力之步驟係藉由控制會調整排氣傳導率的閥來進行。
  3. 如申請專利範圍第2項之成膜方法，其中調整該壓力之步驟係包含將該閥的閥開合度控制為會與供應該原料氣體之步驟中之該閥的閥開合度相同的閥開合度之步驟。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之成膜方法，其另具有在供應該反應氣體之步驟後且供應該原料氣體之步驟前所實行的步驟，係藉由將吹淨氣體供應至該處理容器內，來將殘留在該處理容器內的該反應氣體加以吹淨之步驟；
    調整該壓力之步驟係包含將該閥的閥開合度控制為會較吹淨該反應氣體之步驟中之該閥的閥開合度要來得小的閥開合度之步驟。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之成膜方法，其另具有在供應該原料氣體之步驟後且供應該反應氣體之步驟前所實行的步驟，係藉由將吹淨氣體供應至該處理容器內，來將殘留在該處理容器內的該原料氣體加以吹淨之步驟。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之成膜方法，其中所有該複數次循環皆包含調整該壓力之步驟。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之成膜方法，其中該處理容器內係收納有基板，該原料氣體係從該基板的周圍被供應。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之成膜方法，其中該原料氣體係在緩衝槽內被升壓後才被供應至該處理容器內。
  9. 如申請專利範圍第1至8項中任一項之成膜方法，其中該處理容器係可收納基板保持具，該基板保持具係於上下方向具有間隔來略水平地保持複數基板。
  10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之成膜方法，其中該原料氣體為胺基矽烷系氣體；
    該反應氣體為氮化氣體。
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