TW202131415A - 用於處理基板之設備及方法 - Google Patents

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柳寅瑞
黃喆周
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南韓商周星工程股份有限公司
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Abstract

本發明係關於一種基板處理方法及基板處理設備，其包含：腔體；基板支撐單元，用於在腔體之處理空間中安置一或多個基板，基板支撐單元為可旋轉地安裝；第一氣體噴射單元，用於將原料氣體及第一吹掃氣體噴進處理空間之第一區域，第一吹掃氣體用於吹掃原料氣體；原料氣體供應源，用於將原料氣體供應至第一氣體噴射單元；第一吹掃氣體供應源，用於將第一吹掃氣體供應至第一氣體噴射單元；第二氣體噴射單元，用於將反應氣體及第二吹掃氣體噴進處理空間之與第一區域在空間上相間隔開的第二區域，反應氣體用於與原料氣體反應，並且第二吹掃氣體用於吹掃反應氣體；反應氣體供應源，用於將反應氣體供應至第二氣體噴射單元；以及第二吹掃氣體供應源，用於將第二吹掃氣體供應至第二氣體噴射單元。

Description

用於處理基板之設備及方法
本發明係關於用於處理基板之設備，其在基板上進行例如沉積製程及蝕刻製程等處理製程。
一般而言，為了製造太陽能電池、半導體元件、平坦面板顯示器等，應在基板上形成薄膜層、薄膜電路圖案或光學圖案。為此進行處理製程，所述處理製程例如包含：將包含特定材料之薄膜沉積在基板上的沉積製程、藉由光敏材料而使薄膜之一部分選擇性露出的光製程、將薄膜之選擇性露出的部分去除以形成一圖案的蝕刻製程等。
藉由對基板供應用於形成特定材料的氣體、用於選擇性去除特定材料的氣體或與之相對應的材料，在基板上進行形成薄膜或去除薄膜的製程。尤其可藉由供應用於形成特定材料之反應氣體及原料氣體來進行形成薄膜的製程，並且在此情況下，原料氣體及反應氣體可同時或以具有時間差的方式依序供應至基板。
隨著半導體裝置製造製程發展至精細製程，可應用在形成於基板表面上之精細圖案上形成均勻薄膜或形成圖案的各種方法，所述各種方法之一種為原子層沉積（atomic layer deposition，ALD）製程。ALD製程係不同時供應原料氣體及反應氣體的製程，而是在供應原料氣體及反應氣體之間具有時間差，從而引發僅在基板表面上進行的反應，進而藉由原料氣體與反應氣體之間的反應而在基板上形成薄膜。先藉由將原料氣體供應至基板可使原料氣體吸附至基板之表面上，之後藉由使用吹掃氣體可移除剩餘的原料氣體。隨後，藉由將反應氣體供應至基板，反應氣體可與吸附至基板表面上的原料氣體反應，之後可藉由使用吹掃氣體來吹掃剩餘的反應氣體。在供應反應氣體的步驟中，原子層或單層薄膜基於原料氣體與反應氣體之間的反應而形成在基板的表面上。可重複此種製程直至期望的厚度，因此可在基板的表面上形成具有特定厚度的薄膜。
然而，在ALD製程中，由於原料氣體與反應氣體之間的反應僅在基板的表面上進行，故存在薄膜沉積的速度低於一般化學氣相沉積（chemical vapor deposition，CVD）製程等缺點。
而且，快速重複將原料氣體供應至相同處理空間、吹掃所供應之原料氣體、供應反應氣體及吹掃反應氣體之步驟的製程具有耗時長的缺點。在快速重複製程的情況下，所供應之原料氣體或反應氣體不從處理空間完全排放（吹掃）至腔體的外部，因此不形成原子層薄膜，從而造成兩種氣體彼此相遇而形成CVD薄膜的缺點。
在快速供應原料氣體或反應氣體的製程以及基於原料氣體或反應氣體的ALD製程中，需要在製程中不將兩種氣體混合的結構以及純ALD膜。
本發明能解決上述問題，並具有原料氣體及反應氣體在空間中不混合之處理腔體的技術以解決問題。
此外，本發明用於解決問題的技術在於提供一種設備及方法，其在藉由原子層沉積（ALD）製程形成薄膜時，在相同的空間中吸附原料氣體並從吹掃氣體中產生射頻（radio frequency，RF）電漿，從而提升吸附膜的品質。
此外，本發明用於解決問題的技術在於提供一種設備，其在基板利用純ALD製程形成膜體（純ALD層），以使特定薄膜緻密化或提升薄膜的品質。
此外，本發明用於解決問題的技術在於提供一種設備，在可在用於將原料氣體空間及反應氣體空間分開的吹掃氣體空間中，吹掃殘留在基板上的反應氣體以使其快速地從反應氣體空間移動至原料氣體空間，並同時將電漿供應至用於供應吹掃氣體之吹掃氣體供應單元之一部分以快速吹掃所生成之薄膜的雜質。
用於實現上述目的之根據本發明之基板處理設備可包含：一腔體；一基板支撐單元，用於在腔體之一處理空間中安置一或多個基板，基板支撐單元為可旋轉地安裝；一第一氣體噴射單元，用於將一原料氣體及一第一吹掃氣體噴進處理空間之一第一區域，第一吹掃氣體用於吹掃原料氣體；一原料氣體供應源，用於將原料氣體供應至第一氣體噴射單元；一第一吹掃氣體供應源，用於將第一吹掃氣體供應至第一氣體噴射單元；一第二氣體噴射單元，用於將一反應氣體及一第二吹掃氣體噴進處理空間之與第一區域在空間上相間隔開的一第二區域，反應氣體用於與原料氣體反應，並且第二吹掃氣體用於吹掃反應氣體；一反應氣體供應源，用於將反應氣體供應至第二氣體噴射單元；以及一第二吹掃氣體供應源，用於將第二吹掃氣體供應至第二氣體噴射單元。
在根據本發明之基板處理設備中，第一氣體噴射單元可包含：多個原料氣體噴射孔，用於噴射原料氣體；以及多個第一吹掃氣體噴射孔，用於噴射第一吹掃氣體。
在根據本發明之基板處理設備中，第二氣體噴射單元可包含：多個反應氣體噴射孔，用於噴射反應氣體；以及多個第二吹掃氣體噴射孔，用於噴射第二吹掃氣體。
在根據本發明之基板處理設備中，第二氣體噴射單元可將反應氣體及第二吹掃氣體中之一者或多者噴射成電漿。
在根據本發明之基板處理設備中，第二氣體噴射單元可包含一第二電極單元，用於將反應氣體或第二吹掃氣體轉換成電漿。
在根據本發明之基板處理設備中，第一氣體噴射單元可將第一吹掃氣體噴射成電漿。
在根據本發明之基板處理設備中，第一氣體噴射單元可包含一第一電極單元，用於將第一吹掃氣體轉換成電漿。
在根據本發明之基板處理設備中，第二氣體噴射單元可包含用於噴射反應氣體的多個反應氣體噴射孔及用於噴射第二吹掃氣體的多個第二吹掃氣體噴射孔。可依序噴射原料氣體、第一吹掃氣體、反應氣體及第二吹掃氣體。第二氣體噴射單元可將第一吹掃氣體噴射成電漿。第二氣體噴射單元可將反應氣體及第二吹掃氣體之一者或多者噴射成電漿。
在根據本發明之基板處理設備中，第二氣體噴射單元可更包含一加工氣體供應源，連接至反應氣體噴射孔及第二吹掃氣體噴射孔之一者。
在根據本發明之基板處理設備中，第二氣體噴射單元可噴射一第二吹掃氣體，之後可將一加工氣體噴射成電漿。
在根據本發明之基板處理設備中，第二氣體噴射單元可包含用於噴射反應氣體的多個反應氣體噴射孔及用於噴射第二吹掃氣體的多個第二吹掃氣體噴射孔，而且第二氣體噴射單元包含連接至反應氣體噴射孔及第二吹掃氣體噴射孔之一者的一加工氣體供應源。可依序噴射原料氣體、第一吹掃氣體、反應氣體、第二吹掃氣體及加工氣體。第二氣體噴射單元可將加工氣體噴射成電漿。第二氣體噴射單元可將反應氣體及第二吹掃氣體之一者或多者噴射成電漿。
在根據本發明之基板處理設備中，第一電極單元及第二電極單元各可配置成在一第一電極與一第二電極之間具有一電位差。可藉由將第一吹掃氣體、反應氣體及第二吹掃氣體之一者噴進在第一電極與第二電極之間的一區域以生成電漿。
根據本發明之基板處理設備可更包含：一第三氣體噴射單元，用於將一第三吹掃氣體噴進在第一區域與第二區域之間的一第三區域；以及一第三吹掃氣體供應源，用於將第三吹掃氣體噴進第三氣體噴射單元。
在根據本發明之基板處理設備中，第三吹掃氣體可以一電漿狀態噴射。
在根據本發明之基板處理設備中，第三氣體噴射單元可包含用於將第三吹掃氣體轉換成電漿的一第三電極單元。
在根據本發明之基板處理設備中，第三電極單元可配置成在一第一電極與一第二電極之間具有一電位差。可藉由將第三吹掃氣體噴進在第一電極與第二電極之間的一區域以生成電漿。
在根據本發明之基板處理設備中，第一吹掃氣體、反應氣體及第二吹掃氣體之一者可連接至一遠距電漿生成裝置。
根據本發明之基板處理方法可包含：一步驟，包含將一第一基板及一第二基板各安置在設置於一腔體中之一基板支撐單元上，以使第一基板設置在腔體之一處理空間的一第一區域中，並且使第二基板設置在處理空間之與第一區域在空間上相間隔開的一第二區域中；一原料吸附步驟，包含將一原料氣體噴向在第一區域中之第一基板上，以使一第一原料氣體吸附至第一基板上；一第一旋轉步驟，包含旋轉基板支撐單元，以使得吸附有第一原料氣體的第一基板設置在第二區域中；一薄膜形成步驟，將一反應氣體噴向在第二區域中之第一基板上，以藉由反應氣體與吸附至第一基板上之第一原料氣體之間的反應來形成一薄膜；以及一第二旋轉步驟，包含旋轉基板支撐單元，以使得形成有薄膜的第一基板設置在第一區域中。可藉由多次重複原料吸附步驟、第一旋轉步驟、薄膜形成步驟及第二旋轉步驟來形成具有一預定厚度的薄膜。
根據本發明之基板處理方法，在原料吸附步驟之後可包含一原料吹掃步驟，所述原料吹掃步驟包含將用於吹掃原料氣體的一第一吹掃氣體噴向第一基板上。
根據本發明之基板處理方法，在薄膜形成步驟之後可包含一反應氣體吹掃步驟，所述反應氣體吹掃步驟包含將用於吹掃反應氣體的一第二吹掃氣體噴向第一基板上。
在根據本發明之基板處理方法中，反應氣體及第二吹掃氣體之一者或多者可生成為電漿並噴射。
在根據本發明之基板處理方法中，第一吹掃氣體可生成為電漿並噴射。
根據本發明之基板處理方法，在薄膜形成步驟之後可包含一反應氣體吹掃步驟，所述反應氣體吹掃步驟包含將用於吹掃反應氣體的一第二吹掃氣體噴向第一基板上。第一吹掃氣體可生成為電漿並噴射。反應氣體及第二吹掃氣體之一者或多者可生成為電漿並噴射。
根據本發明之基板處理方法，在反應氣體吹掃步驟之後可包含一加工氣體噴射步驟，所述加工氣體噴射步驟包含噴射用於在薄膜上進行加工的一加工氣體。
在根據本發明之基板處理方法中，加工氣體可生成為電漿並噴射。
根據本發明之基板處理方法可包含：在薄膜形成步驟之後的一反應氣體吹掃步驟，包含將用於吹掃反應氣體的一第二吹掃氣體噴向第一基板上；以及在反應氣體吹掃步驟之後的一加工氣體噴射步驟，包含噴射用於在薄膜上進行加工的一加工氣體。加工氣體可生成為電漿並噴射。第一吹掃氣體、反應氣體及第二吹掃氣體之一者或多者可生成為電漿並噴射。
在根據本發明之基板處理方法中，可提供設置在第一區域中的一第一電極單元及設置在第二區域中的一第二電極單元。第一電極單元及第二電極單元各可配置成在一第一電極與一第二電極之間具有一電位差。可藉由將第一吹掃氣體、反應氣體、第二吹掃氣體及加工氣體之一者噴進在第一電極與第二電極之間的一區域以生成電漿。
在根據本發明之基板處理方法中，在第一旋轉步驟或第二旋轉步驟中，可包含噴射一第三吹掃氣體，以劃分第一區域及第二區域。
在根據本發明之基板處理方法中，在第一旋轉步驟或第二旋轉步驟中，包含噴射一第三吹掃氣體，以進一步吹掃吸附至第一基板上的第一原料氣體，或進一步吹掃形成在第一基板上的反應氣體。
在根據本發明之基板處理方法中，第三吹掃氣體可生成為電漿並噴射。
在根據本發明之基板處理方法中，在第一旋轉步驟或第二旋轉步驟中，包含噴射一第三吹掃氣體，以劃分第一區域及第二區域。
在根據本發明之基板處理方法中，第三吹掃氣體可生成為電漿並噴射。
在根據本發明之基板處理方法中，在原料吸附步驟中，可包含將反應氣體噴向在第二區域中之第二基板上。根據本發明之基板處理方法，可更包含在薄膜形成步驟中，包含將原料氣體噴向在第一區域中之第二基板上。將原料氣體噴向在第一區域中之第一基板上，以及將反應氣體噴向在第二區域中之第二基板上，可為同時進行。
在根據本發明之基板處理方法中，在原料吸附步驟中可包含將反應氣體噴向在第二區域中之第二基板上。根據本發明之基板處理方法可更包含在薄膜形成步驟中，包含將原料氣體噴向在第一區域中之第二基板上。將反應氣體噴向在第二區域中之第一基板上，以及將原料氣體噴向在第一區域中之第二基板上，可為同時進行。
根據所述問題的解決手段，根據本發明之基板處理設備可藉由將腔體的處理空間完全劃分為原料氣體噴射空間及反應氣體噴射空間的吹掃氣體噴射空間來形成純ALD薄膜。
此外，根據本發明之基板處理設備可在原料氣體噴射空間，反應氣體噴射空間及吹掃氣體噴射空間中產生電漿，以去除吸附至基板上的膜體及ALD薄膜的內部雜質，從而形成高品質的ALD薄膜及純ALD薄膜。
說明書中所描述的用語應理解如下。
如使用於此，除非上下文另外明確指出，否則單數形式「一」、「一個」及「該」亦有意包含多數形式。用語「第一」及「第二」用於將一元件與另一元件區分開，並且此等元件不應受限於此等用語。
將進一步理解，當使用於此時，用語「包括」、「包括有」、「具有」、「具備」、「包含」及／或「包含有」指定所述特徵、整體、步驟、操作、元件及／或組件的存在，但不排除一或多個其他特徵、整體、步驟、操作、元件、組件及／或其群組的存在或添加。
用語「至少一」應理解為包含一或多個相關聯所列項目的任何及所有組合。舉例而言，「第一項目、第二項目及第三項目中之至少一者」的意義係指從第一項目、第二項目及第三項目中的二者或多者以及第一項目、第二項目或第三項目所提出之所有項目的組合。
用語「上」應解釋為包含一元件形成在另一元件之頂部的情況，還有第三元件設置在其之間的情況。
以下將參照圖式詳細描述根據本發明之優選實施例。
圖1係繪示根據本發明之一實施例之基板處理設備的示意圖。圖2係從上方觀察其上表面切開之腔體中之上蓋的俯視圖。
參照圖1及圖2，在根據本發明之基板處理設備中，在腔體中可有一處理空間1。上蓋可設在腔體之處理空間1的上部，且一基板支撐單元600可設在腔體之處理空間1的下部。一或多個基板（即複數個基板）可安裝在基板支撐單元600上而可旋轉，且可在基板支撐單元600上以一定間隔排列或成對排列。
第一基板601可設置在基板支撐單元600上的第一區域10中，並且第一基板601可為多個基板。第一基板601可配置有第一晶圓601a及第二晶圓601b，但不以此為限，亦可有三個或四個晶圓僅設置在第一區域10中。第二基板602可設置在第二區域20中，且第二基板602可為多個基板。第二基板602可配置有第三晶圓602a及第四晶圓602b，但不以此為限，亦可有三個或四個晶圓僅設置在第二區域20中。
腔體之處理空間1可劃分為第一區域10、第二區域20及第三區域30。
用於將來自原料氣體供應源500之原料氣體經由原料氣體線路500a而噴進第一區域10的第一氣體噴射單元100可設置在第一區域10中。用於將來自第一吹掃氣體供應源510之第一吹掃氣體經由第一吹掃氣體線路510a而噴進第一區域10的第一氣體噴射單元100可設置在第一區域10中。
反應氣體供應源900可將與原料氣體反應的反應氣體供應至在處理空間1中與第一區域10在空間上相間隔開的第二區域20，所供應之反應氣體可經由反應氣體線路900a而連接至第二氣體噴射單元200，並且可藉由第二氣體噴射單元200噴進第二區域20，而且可將來自第二吹掃氣體供應源910經由第二吹掃氣體線路910a而供應的第二吹掃氣體連接至第二氣體噴射單元200，並且可藉由第二氣體噴射噴射單元200噴進第二區域20。而且，可噴射第二吹掃氣體以從第二區域20吹掃殘留在空間中的反應氣體。第一氣體噴射單元100及第二氣體噴射單元200可耦接至上蓋。
可提供將腔體之處理空間1劃分為第一區域10及第二區域20的第三區域30。第三區域30可利用吹掃氣體將腔體的處理空間1劃分為第一區域10及第二區域20，以使第一區域10中的原料氣體不與第二區域20中的反應氣體混合。用於噴射第三吹掃氣體的第三氣體噴射單元300可設置在第三區域30中，並且第三吹掃氣體供應源（未繪示）可經由第三吹掃氣體線路（未繪示）而連接至第三氣體噴射單元300，而可將第三吹掃氣體噴進第三區域30。第三氣體噴射單元300可耦接至上蓋。
圖3可為詳細繪示腔體電極結構的圖。
可提供將原料氣體及第一吹掃氣體噴進第一區域10的第一氣體噴射單元100、將反應氣體及第二吹掃氣體噴進第二區域20的第二氣體噴射單元200，以及將第三吹掃氣體噴進第三區域30的第三氣體噴射單元300。
將原料氣體及第一吹掃氣體噴進第一區域10的第一氣體噴射單元100可包含第一電極單元210。第一電極單元210可包含第一電極210c及第二電極220c。第一電極210c及第二電極220c可具有電位差，並且原料氣體或第一吹掃氣體可穿過在第一電極210c與第二電極220c之間的區域因而可電漿化，且可噴進第一區域10。
第一流道540及第二流道550可安裝在第一氣體噴射單元100中，並且第一流道540及第二流道550之氣體流道的結構可為具有長孔管狀之鑽孔結構的流道。第一流道540及第二流道550可形成為穿過第一電極210c的內部，並且第一流道540可使原料氣體能從在朝向基板之方向上凸出之凸出部（未繪示）之末端的原料氣體噴射孔520噴出。形成在凸出部之末端的原料氣體噴射孔520可連接至第一流道540，並且原料氣體可藉由連接至多個原料氣體噴射孔520之原料氣體供應源500而供應至第一流道540並噴進第一區域10。第二流道550可連接至設置在相對於第二電極220c之向上方向上之空間中的多個第一吹掃氣體噴射孔530。設置在第二電極220c上之空間中的多個第一吹掃氣體噴射孔530可連接至第二流道550，且第一吹掃氣體可從第一吹掃氣體供應源510供應至連接於多個第一吹掃氣體噴射孔530的第二流道550並噴進第一區域10。在此情況下，第一吹掃氣體可穿過在第一電極210c與第二電極220c之間具有電位差的區域，並且可以電漿狀態噴進第一區域10。第一氣體噴射單元100可將原料氣體及第一吹掃氣體之一者或多者轉換成電漿，並且可以電漿狀態將原料氣體或第一吹掃氣體噴進第一區域10。第一氣體噴射單元100可將電漿化的原料氣體及電漿化的第一吹掃氣體同時噴進第一區域10，或可將電漿化的原料氣體或電漿化的第一吹掃氣體噴進第一區域10。而且，第一吹掃氣體可供應至第一流道540，以便清除第一流道540的內部顆粒。另一方面，第一吹掃氣體可供應至第一流道540，並且原料氣體可噴進第二流道550。或者，同時供應至第一流道540及第二流道550的原料氣體或第一吹掃氣體可噴進第一區域10。
噴射反應氣體及第二吹掃氣體的第二氣體噴射單元200可包含第二電極單元220。第二電極單元220可包含第一電極210a及第二電極220a。第一電極210a及第二電極220a可具有電位差，並且反應氣體或第二吹掃氣體可穿過在第一電極210a與第二電極220a之間的區域，故可以電漿狀態噴進第二區域20。
第三流道940及第四流道950可安裝在第二氣體噴射單元200中，並且第三流道940及第四流道950可為具有長孔管狀之鑽孔結構的流道。第三流道940及第四流道950可穿過第一電極210a，並且第三流道940可使反應氣體能從在朝向基板之方向上凸出之凸出部（未繪示）之一末端的反應氣體噴射孔920噴出。第三流道940可連接至凸出部之末端的反應氣體噴射孔920，並且反應氣體可藉由連接至多個反應氣體噴射孔920之反應氣體供應源900而供應至第三流道940並噴進第二區域20。在此情況下，反應氣體可穿過在第一電極210a與第二電極220a之間具有電位差的區域，並且可以電漿狀態噴進第二區域20。而且，第四流道950可連接至設置在第二電極220a上之空間中的多個第二吹掃氣體噴射孔930。設置在相對於第二電極220a之向上方向上之空間中的多個第二吹掃氣體噴射孔930可連接至第四流道950，並且第二吹掃氣體可從第二吹掃氣體供應源910供應至連接於多個第二吹掃氣體噴射孔930的第四流道950並噴進第二區域20。在此情況下，第二吹掃氣體可穿過在第一電極210a與第二電極220a之間具有電位差的區域，並且可以電漿狀態噴進第二區域20。第二氣體噴射單元200可將反應氣體及第二吹掃氣體之一者或多者轉換成電漿，並且可以電漿狀態將反應氣體或第二吹掃氣體噴進第二區域20。第二氣體噴射單元200可將電漿化的反應氣體及電漿化的第二吹掃氣體同時噴進第二區域20，或可將電漿化的反應氣體或電漿化的第二吹掃氣體噴進第二區域20。第二吹掃氣體可供應至第三流道940，以便清除第三流道940的內部顆粒。另一方面，反應氣體可供應至第四流道950，且第二吹掃氣體可噴進第三流道940。或者，同時供應至第三流道940及第四流道950的反應氣體或第二吹掃氣體可噴進第二區域20。
第二氣體噴射單元200可包含用於噴射反應氣體的多個反應氣體噴射孔920及用於噴射第二吹掃氣體的多個第二吹掃氣體噴射孔930。可依序噴射原料氣體、第一吹掃氣體、反應氣體及第二吹掃氣體，並且第二氣體噴射單元200可將第一吹掃氣體噴射成電漿，以及可將反應氣體及第二吹掃氣體之一者或多者噴射成電漿。第二氣體噴射單元200可將從連接至反應氣體噴射孔920及第二吹掃氣體噴射孔930之一者的加工氣體供應源960所供應的加工氣體噴進第二區域20。第二氣體噴射單元200可噴射第二吹掃氣體，之後可將加工氣體轉換成電漿，並且可以電漿狀態將加工氣體噴進第二區域20。
第二氣體噴射單元200可包含用於噴射反應氣體的多個反應氣體噴射孔920、用於噴射第二吹掃氣體的多個第二吹掃氣體噴射孔930，以及連接至反應氣體噴射孔920及第二吹掃氣體噴射孔930之一者的加工氣體供應源960。可依序噴射原料氣體、第一吹掃氣體、反應氣體、第二吹掃氣體及加工氣體，並且第二氣體噴射單元200可將加工氣體噴射成電漿，以及可將第一吹掃氣體、反應氣體及第二吹掃氣體之一者或多者噴射成電漿。
將第三吹掃氣體噴進第一區域10與第二區域20之間之第三區域30的第三氣體噴射單元300可包含第三電極單元230。第三電極單元230可包含第一電極210b及第二電極220b。第一電極210b及第二電極220b可具有電位差，第三吹掃氣體可穿過在第一電極210b與第二電極220b之間的區域，故可以電漿狀態噴進第三區域30。
第五流道310及第六流道320可安裝在第三氣體噴射單元300中。第五流道310及第六流道320可為具有長孔管狀之鑽孔結構的流道。第五流道310及第六流道320可穿過第一電極210b，故可將第三吹掃氣體噴進第三區域30。第三氣體噴射單元可包含用於噴射第三吹掃氣體的第三吹掃氣體供應源（未繪示）。第三氣體噴射單元300可包含第三電極單元230，並且第三吹掃空氣可穿過在第一電極210b與第二電極220b之間具有電位差的區域，以及可以電漿狀態噴進第三區域30。第三吹掃氣體可經由第五流道310及第六流道320之一者而噴進第三區域30，或者第三吹掃氣體可僅經由第五流道310及第六流道320之一者而噴射。第三氣體噴射單元可使第三吹掃氣體能穿過在第一電極210b與第二電極220b之間具有電位差的區域，故可將第三吹掃氣體以電漿狀態噴進第三區域30。第三氣體噴射單元300可將第三吹掃氣體轉換成電漿，而且可以電漿狀態將第三吹掃氣體噴進第三區域30。第一吹掃氣體、反應氣體、第二吹掃氣體或第三吹掃氣體可連接至遠距電漿生成裝置（未繪示）。
第一RF電源702及地電位（ground）可連接至第二電極單元220，所述第二電極單元220連接至第二區域20的第二氣體噴射單元200，並且第一RF電源702或地電位可選擇性連接至第二電極單元220的第一電極210a或第二電極220a。
第二RF電源704及地電位可連接至第一電極單元210，所述第一電極單元210連接至第一區域10的第一氣體噴射單元100，並且第二RF電源704或地電位可選擇性連接至第一電極單元210的第一電極210c或第二電極220c。
第三RF電源706及地電位可連接至第三電極單元230，所述第三電極單元230連接至第三區域30的第三氣體噴射單元300，並且第三RF電源706或地電位可選擇性連接至第三電極單元230的第一電極210b或第二電極220b。
一或多個凸出電極（未繪示）可在朝向基板支撐單元600的方向上形成在第一區域10的第一電極210c、第二區域20的第一電極210a及第三區域30的第一電極210b中。
第二氣體噴射單元200可連接至腔體外部的遠距電漿裝置（未繪示）。因此，第二氣體噴射單元200可將離子化氣體或自由基噴進第一區域10及第二區域20。
參照圖3，第三氣體噴射單元300將吹掃氣體噴至第三區域30。第三氣體噴射單元300可將第三區域30劃分為第一區塊302、第二區塊304及第三區塊306，且可將吹掃氣體噴進第三區域30。
第三吹掃氣體可噴進第一區塊302、第二區塊304及第三區塊306，並且第三吹掃氣體可噴射成電漿。第三區塊306可設置在蓋件的中央，並且可噴射中央吹掃氣體。
第三氣體噴射單元300可連接至遠距電漿裝置（未繪示），以噴射離子化氣體或自由基。
從第一氣體噴射單元100噴進第一區域10的原料氣體可包含鈦族元素（Ti、Zr、Hf等）、矽（Si）或鋁（Al）。舉例而言，包含鈦（Ti）的原料氣體SG可為四氯化鈦（TiCl4 ）氣體或其他。而且，包含矽（Si）的原料氣體SG可為矽烷（silane，SiH4 ）氣體、二矽烷（disilane，Si2 H6 ）氣體、三矽烷（trisilane，Si3 H8 ）氣體、正矽酸四乙酯（tetraethylorthosilicate，TEOS）氣體、二氯矽烷（dichlorosilane，DCS）氣體、六氯矽烷（hexachlorosilane，HCD）氣體、三(二甲基胺基)矽烷（tri-dimethylaminosilane，TriDMAS）氣體、三矽基胺（trisilylamine，TSA）氣體或其他。
從第二氣體噴射單元200供應至第二區域20的反應氣體可包含氫氣（H2 ）、氮氣（N2 ）、氧氣（O2 ）、一氧化二氮（N2 O）氣體、氨氣（NH3 ）氣體、水蒸氣（H2 O）或臭氧（O3 ）氣體。在此情況下，反應氣體可與包含氮氣（N2 ）、氬氣（Ar）、氙氣（Ze）或氦氣（He）的吹掃氣體混合。
此外，用於在第一區域10、第二區域20及第三區域30中產生電漿的氣體可包含氫氣（H2 ）、氮氣（N2 ）、氫氣（H2 ）與氮氣（N2）的混合氣體、氧氣（O2 ）、一氧化二氮（N2 O）氣體、氬氣（Ar）、氦氣（He）或氨氣（NH3 ）。
供應至第一區域10、第二區域20及第三區域30的吹掃氣體可包含氮氣（N2 ）、氬氣（Ar）、氙氣（Ze）或氦氣（He）。此氣體可為惰性氣體（inert gas）。
第一氣體噴射單元100可將吹掃氣體噴進第一區域10。第一吹掃氣體噴射孔530可安裝在第一氣體噴射單元100中。電漿化的吹掃氣體可經由第一電極單元210而噴進第一區域10。因此，原料氣體可在第一區域10中吸附至基板上，之後在基板支撐單元600旋轉之前，第一電極單元210之第一吹掃氣體噴射孔530可在第一區域10中將電漿化的吹掃氣體噴向基板上。亦即，藉由使用第一吹掃氣體噴射孔530之電漿化的吹掃氣體，可對吸附至基板上的原料氣體進行預加工。因此，可去除吸附至基板上之原料氣體的內部雜質，從而有助於提升沉積在基板上之薄膜的品質。
可進行將第一基板601及第二基板602各安置在設置於腔體中之基板支撐單元600上的步驟，以使第一基板601設置在腔體之處理空間1的第一區域10中，以及使第二基板602設置在處理空間1之與第一區域10在空間上相間隔開的第二區域20中。隨後可進行原料吸附步驟，將來自第一區域10之原料氣體噴向第一基板601上，以使第一原料氣體吸附至第一基板601上。可進行使基板支撐單元600旋轉的第一旋轉步驟，以使在其上吸附有第一原料氣體的第一基板601設置在第二區域20中。可進行薄膜形成步驟，將反應氣體噴向第一基板601上且使反應氣體能在第二區域20中與吸附至第一基板601上的第一原料氣體反應，從而形成薄膜，並且可進行使基板支撐單元600旋轉的第二旋轉步驟，以使在其上形成有薄膜的第一基板601設置在第一區域10中。可多次重複原料吸附步驟、第一旋轉步驟、薄膜形成步驟及第二旋轉步驟，直至形成具有預定厚度的薄膜。
在原料吸附步驟之後可進行原料吹掃步驟，其中噴射第一吹掃氣體，以吹掃位在第一區域10與第一基板601上以及在第一基板601之內部圖案中並且未吸附至第一基板601的原料氣體。在薄膜形成步驟之後可進行反應氣體吹掃步驟，其中噴射第二吹掃氣體，以吹掃位在第二區域20與第一基板601上以及在第一基板601之內部圖案中的反應氣體。反應氣體及第二吹掃氣體之一者或多者可轉換成電漿並噴射。第一吹掃氣體可轉換成電漿並噴射。在薄膜形成步驟之後可進行反應氣體吹掃步驟，其中將用於吹掃反應氣體之第二吹掃氣體噴向第一基板601上，第一吹掃氣體可轉換成電漿並噴射，並且反應氣體及第二吹掃氣體之一者或多者可轉換成電漿並噴射。在反應氣體吹掃步驟之後可進行加工氣體噴射步驟，其中噴射用於在薄膜上進行加工的加工氣體。而且，加工氣體可轉換成電漿並噴射。
在薄膜形成步驟之後可進行反應氣體吹掃步驟，其將用於吹掃反應氣體的第二吹掃氣體噴向第一基板601上，在反應氣體吹掃步驟之後可進行加工氣體噴射步驟，其噴射用於在薄膜上進行加工的加工氣體，加工氣體可轉換成電漿並噴射，並且第一吹掃氣體、反應氣體及第二吹掃氣體之一者或多者可轉換成電漿並噴射。
可藉由將第一吹掃氣體、反應氣體、第二吹掃氣體、第三吹掃氣體或加工氣體噴進第一電極210c、210a及230c與第二電極220c、220a及230b之間的各區域以產生電漿。在基板支撐單元600上進行的第一旋轉步驟或第二旋轉步驟，可噴射第三吹掃氣體以劃分第一區域及第二區域。在第一旋轉步驟或第二旋轉步驟中，可噴射第三吹掃氣體以進一步吹掃吸附至第一基板601上的第一原料氣體，或進一步吹掃形成在第一基板601上的反應氣體，並且第三吹掃氣體可轉換成電漿並噴射。
可進一步進行在原料吸附步驟中將反應氣體噴向在第二區域20中之第二基板602上的操作，以及在薄膜形成步驟中將原料氣體噴向在第一區域10中之第二基板602上的操作，並且可同時進行將原料氣體噴向在第一區域10中之第一基板601上的操作及將反應氣體噴向在第二區域20中之第二基板602上的操作。可進一步進行在原料吸附步驟中將反應氣體噴向在第二區域20中之第二基板602上的操作，以及在薄膜形成步驟中將原料氣體噴向在第一區域10中之第二基板602上的操作，並且可同時進行將反應氣體噴向在第二區域20中之第一基板601上的操作以及將原料氣體噴向在第一區域10中之第二基板602上的操作。
可噴射第二區域20之第二吹掃氣體。可安裝第二電極單元220，故第二吹掃氣體可電漿化且可噴進第二區域20。因此，在第二區域20中，吸附在基板上的原料氣體可與反應氣體反應，故可藉由原子層沉積（ALD）製程來沉積薄膜，之後第二吹掃氣體可電漿化且可在其上進行後加工。因此，可去除沉積在基板上之薄膜的內部雜質，從而可使沉積在基板上的薄膜緻密化。因此，可進一步提升沉積在基板上之薄膜的品質。
根據本發明之基板處理設備可停止在第一區域10中之基板以使原料氣體吸附於其上，旋轉基板支撐單元600以使基板支撐單元600從第一區域10旋轉至第二區域20，停止基板支撐單元600以使反應氣體在第二區域20中沉積在其上，並且旋轉基板支撐單元600以重複將基板再次經由第二區域20而移動至第一區域10。藉由此種製程，根據本發明之基板處理設備可在基板上進行處理製程。
在此情況下，基板支撐單元600可藉由旋轉單元（未繪示）而旋轉。以下將描述藉由使用旋轉單元旋轉基板支撐單元600的製程。
首先，當將第一基板601及第二基板602放置在第一區域10及第二區域20中時，旋轉單元可停止基板支撐單元600。因此，可進行在基板停止的狀態下使原料氣體吸附至第一區域10中之基板上的吸附製程。在此情況下，第一氣體噴射單元100可將原料氣體噴進第一區域10。在基板支撐單元600停止的狀態下，在吸附製程停止之後，第一吹掃氣體可噴進第一區域10，並且第一吹掃氣體可為電漿化的吹掃氣體。可藉由使用電漿化的第一吹掃氣體而對吸附在第一基板601上的原料氣體進行預加工，並且可藉由使用第一吹掃氣體而於之後或同時吹掃殘留在第一區域10中之非期望的原料氣體或將之排放至腔體外部。
當非期望的原料氣體之吹掃或排放完成時，旋轉單元（未繪示）可旋轉基板支撐單元600，以使基板從第一區域10經由係為氣簾之第三區域30而移動至第二區域20。在此情況下，當基板穿過第三區域30之第一區塊302時，旋轉單元可連續旋轉基板支撐單元600而不停止基板支撐單元600。在第一基板601穿過第一區塊302時，第一基板601可曝露在吹掃氣體或電漿化的吹掃氣體。
隨後，當基板放置在第二區域20中時，旋轉單元可停止基板支撐單元600。因此，在基板停止的狀態下，可在第二區域20中進行在基於吸附至基板上之原料氣體與由第二氣體噴射單元200所噴射之反應氣體之間的反應來沉積薄膜的製程。第二氣體噴射單元200可藉由使用電漿來活化或反應氣體，並且可將所活化的反應氣體噴進第二區域20。在此情況下，根據本發明之基板處理設備可適於低溫製程。舉例而言，根據本發明之基板處理設備可適於半導體高K製程。第二氣體噴射單元200可在不活化反應氣體的狀態下將反應氣體噴進第二區域20。在此情況下，根據本發明之基板處理設備可適於高溫製程。舉例而言，根據本發明之基板處理設備可適於半導體高溫氮化物製程。當沉積製程完成時，第二吹掃氣體可噴進區域20，並且第二吹掃氣體可為電漿化的吹掃氣體。可藉由使用電漿化的第二吹掃氣體而將電漿化的氣體噴向第一基板601之沉積薄膜上，並且可藉由使用第一吹掃氣體而隨後或同時吹掃殘留在第二區域20中之非期望的反應氣體或將之排放至腔體外部。隨後，可藉由將用於去除薄膜的雜質的加工氣體再次噴向第一基板601之薄膜上來進行後加工。
當在基板支撐單元600停止的狀態下完成沉積製程及加工製程時，旋轉單元可旋轉基板支撐單元600，以使基板從第二區域20經由第二區塊304移動至第一區域10。在此情況下，在基板正穿過第二區塊304時，旋轉單元可連續旋轉基板支撐單元600而不停止基板支撐單元600。在第一基板601穿過第二區塊304時，可藉由使用由第三氣體噴射單元300所噴射之吹掃氣體來劃分第一區域10及第二區域20的多個區塊，並且可依情況噴射電漿化的吹掃氣體。
此外，可在第一區域10及第二區域20之整體中在不使用電漿的情況下在基板上進行處理製程。藉由在第二區域20中進行熱製程而能實行高溫製程。在此情況下，可在第二區域20中交替進行高溫製程及反應氣體的噴射。因此，可改善高介電材料或其他的段差覆蓋（step coverage）。而且，本發明可交替進行高溫製程及ALD製程，故與僅藉由ALD製程沉積薄膜的情況相比，可更為增加薄膜的厚度。
所屬技術領域中具有通常知識者可理解，在不改變技術精神或基本特徵的情況下，能以其他方式詳細實施本發明。因此，應理解上述實施例在各個方面皆屬示例性，而非限制性。應認為本發明之範疇係由下述申請專利範圍而非詳細描述來定義，並且申請專利範圍的意義及範疇以及從其均等概念所推論的所有變形或修改形式均包含在本發明的範疇內。
1:處理空間 10:第一區域 20:第二區域 30:第三區域 100:第一氣體噴射單元 200:第二氣體噴射單元 210:第一電極單元 210a:第一電極 210b:第一電極 210c:第一電極 220:第二電極單元 220a:第二電極 220b:第二電極 220c:第二電極 300:第三氣體噴射單元 302:第一區塊 304:第二區塊 306:第三區塊 310:第五流道 320:第六流道 500:原料氣體供應源 510:第一吹掃氣體供應源 520:原料氣體噴射孔 530:第一吹掃氣體噴射孔 540:第一流道 550:第二流道 600:基板支撐單元 601:第一基板 601a:第一晶圓 601b:第二晶圓 602:第二基板 602a:第三晶圓 602b:第四晶圓 702:第一RF電源 704:第二RF電源 706:第三RF電源 900:反應氣體供應源 910:第二吹掃氣體供應源 920:反應氣體噴射孔 930:第二吹掃氣體噴射孔 940:第三流道 950:第四流道 960:加工氣體供應源
圖1係繪示根據本發明之一實施例之基板處理設備之形狀的示意圖。
圖2係用於描述在根據本發明之一實施例之基板處理設備中之腔體之蓋件的圖。
圖3係沿用於描述在根據本發明之一實施例之基板處理設備中之腔體之上蓋的圖2之線A’－A’所截取的示意圖。
1:處理空間
10:第一區域
20:第二區域
30:第三區域
100:第一氣體噴射單元
200:第二氣體噴射單元
300:第三氣體噴射單元
600:基板支撐單元
601:第一基板
601a:第一晶圓
601b:第二晶圓
602:第二基板
602a:第三晶圓
602b:第四晶圓

Claims (34)

  1. 一種用於處理基板之設備，該設備包括：一腔體；一基板支撐單元，用於在該腔體之一處理空間中安置一或多個基板，該基板支撐單元為可旋轉地安裝；一第一氣體噴射單元，用於將一原料氣體及一第一吹掃氣體噴進該處理空間之一第一區域，該第一吹掃氣體用於吹掃該原料氣體；一原料氣體供應源，用於將該原料氣體供應至該第一氣體噴射單元；一第一吹掃氣體供應源，用於將該第一吹掃氣體供應至該第一氣體噴射單元；一第二氣體噴射單元，用於將一反應氣體及一第二吹掃氣體噴進該處理空間之與該第一區域在空間上相間隔開的一第二區域，該反應氣體用於與該原料氣體反應，並且該第二吹掃氣體用於吹掃該反應氣體；一反應氣體供應源，用於將該反應氣體供應至該第二氣體噴射單元；以及一第二吹掃氣體供應源，用於將該第二吹掃氣體供應至該第二氣體噴射單元。
  2. 如請求項1所述之設備，其中該第一氣體噴射單元包括：多個原料氣體噴射孔，用於噴射該原料氣體；以及多個第一吹掃氣體噴射孔，用於噴射該第一吹掃氣體。
  3. 如請求項1所述之設備，其中該第二氣體噴射單元包括：多個反應氣體噴射孔，用於噴射該反應氣體；以及多個第二吹掃氣體噴射孔，用於噴射該第二吹掃氣體。
  4. 如請求項3所述之設備，其中該第二氣體噴射單元將該反應氣體及該第二吹掃氣體中之一者或多者噴射成電漿。
  5. 如請求項4所述之設備，其中該第二氣體噴射單元包括一第二電極單元，用於將該反應氣體或該第二吹掃氣體轉換成電漿。
  6. 如請求項2所述之設備，其中該第一氣體噴射單元將該第一吹掃氣體噴射成電漿。
  7. 如請求項6所述之設備，其中該第一氣體噴射單元包括一第一電極單元，用於將該第一吹掃氣體轉換成電漿。
  8. 如請求項2所述之設備，其中該第二氣體噴射單元包括用於噴射該反應氣體的多個反應氣體噴射孔及用於噴射該第二吹掃氣體的多個第二吹掃氣體噴射孔，該第二氣體噴射單元依序噴射該原料氣體、該第一吹掃氣體、該反應氣體及該第二吹掃氣體，該第二氣體噴射單元將該第一吹掃氣體噴射成電漿，該第二氣體噴射單元將該反應氣體及該第二吹掃氣體之一者或多者噴射成電漿。
  9. 如請求項3所述之設備，其中該第二氣體噴射單元更包括一加工氣體供應源，連接至該些反應氣體噴射孔及該些第二吹掃氣體噴射孔之一者。
  10. 如請求項9所述之設備，其中該第二氣體噴射單元噴射該第二吹掃氣體，之後將一加工氣體噴射成電漿。
  11. 如請求項2所述之設備，其中該第二氣體噴射單元包括用於噴射該反應氣體的多個反應氣體噴射孔、用於噴射該第二吹掃氣體的多個第二吹掃氣體噴射孔，以及連接至該些反應氣體噴射孔及該些第二吹掃氣體噴射孔之一者的一加工氣體供應源，該第二氣體噴射單元依序噴射該原料氣體、該第一吹掃氣體、該反應氣體、該第二吹掃氣體及一加工氣體，該第二氣體噴射單元將該加工氣體噴射成電漿，該第二氣體噴射單元將該反應氣體及該第二吹掃氣體之一者或多者噴射成電漿。
  12. 如請求項5或7所述之設備，其中該第一電極單元及該第二電極單元各配置成在一第一電極與一第二電極之間具有一電位差，藉由將該第一吹掃氣體、該反應氣體及該第二吹掃氣體之一者噴進在該第一電極與該第二電極之間的一區域以生成電漿。
  13. 如請求項3所述之設備，更包括：一第三氣體噴射單元，用於將一第三吹掃氣體噴進在該第一區域與該第二區域之間的一第三區域；以及一第三吹掃氣體供應源，用於將該第三吹掃氣體噴進該第三氣體噴射單元。
  14. 如請求項13所述之設備，其中該第三吹掃氣體以一電漿狀態噴射。
  15. 如請求項14所述之設備，其中該第三氣體噴射單元包括用於將該第三吹掃氣體轉換成電漿的一第三電極單元。
  16. 如請求項15所述之設備，其中該第三電極單元配置成在一第一電極與一第二電極之間具有一電位差，藉由將該第三吹掃氣體噴進在該第一電極與該第二電極之間的一區域以生成電漿。
  17. 6、8、10、11或14所述之設備，其中該第一吹掃氣體、該反應氣體及該第二吹掃氣體之一者連接至一遠距電漿生成裝置。
  18. 一種處理基板之方法，該方法包括：一步驟，包括將一第一基板及一第二基板各安置在設置於一腔體中之一基板支撐單元上，以使該第一基板設置在該腔體之一處理空間的一第一區域中，並使該第二基板設置在該處理空間之與該第一區域在空間上相間隔開的一第二區域中；一原料吸附步驟，包括將一原料氣體噴向在該第一區域中之該第一基板上，以使一第一原料氣體吸附至該第一基板上；一第一旋轉步驟，包括旋轉該基板支撐單元，以使得吸附有該第一原料氣體的該第一基板設置在該第二區域中；一薄膜形成步驟，包括將一反應氣體噴向在該第二區域中之該第一基板上，以藉由該反應氣體及吸附至該第一基板上之該第一原料氣體之間的反應來形成一薄膜；以及一第二旋轉步驟，包括旋轉該基板支撐單元，以使得形成有該薄膜的該第一基板設置在該第一區域中；其中藉由多次重複該原料吸附步驟、該第一旋轉步驟、該薄膜形成步驟及該第二旋轉步驟來形成具有一預定厚度的該薄膜。
  19. 如請求項18所述之方法，在該原料吸附步驟之後更包括一原料吹掃步驟，該原料吹掃步驟包括將一第一吹掃氣體噴向該第一基板上，其中該第一吹掃氣體用於吹掃該原料氣體。
  20. 如請求項18所述之方法，在該薄膜形成步驟之後更包括一反應氣體吹掃步驟，該反應氣體吹掃步驟包括將一第二吹掃氣體噴向該第一基板上，其中該第二吹掃氣體用於吹掃該反應氣體。
  21. 如請求項20所述之方法，其中該反應氣體及該第二吹掃氣體之一者或多者生成為電漿並噴射。
  22. 如請求項19所述之方法，其中該第一吹掃氣體生成為電漿並噴射。
  23. 如請求項19所述之方法，在該薄膜形成步驟之後更包括一反應氣體吹掃步驟，該反應氣體吹掃步驟包括將一第二吹掃氣體噴向該第一基板上，其中該第二吹掃氣體用於吹掃該反應氣體，該第一吹掃氣體生成為電漿並噴射，且該反應氣體及該第二吹掃氣體之一者或多者生成為電漿並噴射。
  24. 如請求項20所述之方法，在該反應氣體吹掃步驟之後更包括一加工氣體噴射步驟，該加工氣體噴射步驟包括噴射用於在該薄膜上進行加工的一加工氣體。
  25. 如請求項24所述之方法，其中該加工氣體生成為電漿並噴射。
  26. 如請求項19所述之方法，包括：在該薄膜形成步驟之後的一反應氣體吹掃步驟，包括將一第二吹掃氣體噴向該第一基板上，該第二吹掃氣體用於吹掃該反應氣體；以及在該反應氣體吹掃步驟之後的一加工氣體噴射步驟，包括噴射用於在該薄膜上進行加工的一加工氣體；其中該加工氣體生成為電漿並噴射，且該第一吹掃氣體、該反應氣體及該第二吹掃氣體之一者或多者生成為電漿並噴射。
  27. 如請求項26所述之方法，更包括：提供設置在該第一區域中的一第一電極單元及設置在該第二區域中的一第二電極單元，其中該第一電極單元及該第二電極單元各配置成在一第一電極與一第二電極之間具有一電位差，且藉由將該第一吹掃氣體、該反應氣體、該第二吹掃氣體及該加工氣體之一者噴進在該第一電極與該第二電極之間的一區域以生成電漿。
  28. 如請求項18至26之任一項所述之方法，其中在該第一旋轉步驟或該第二旋轉步驟中更包括：噴射一第三吹掃氣體，以劃分該第一區域及該第二區域。
  29. 如請求項18至26之任一項所述之方法，其中在該第一旋轉步驟或該第二旋轉步驟中更包括：噴射一第三吹掃氣體，以進一步吹掃吸附至該第一基板上的該第一原料氣體，或進一步吹掃形成在該第一基板上的該反應氣體。
  30. 如請求項28所述之方法，其中該第三吹掃氣體生成為電漿並噴射。
  31. 如請求項27所述之方法，其中在該第一旋轉步驟或該第二旋轉步驟中更包括：噴射一第三吹掃氣體，以劃分該第一區域及該第二區域。
  32. 如請求項31所述之方法，其中該第三吹掃氣體生成為電漿並噴射。
  33. 如請求項18所述之方法，其中在該原料吸附步驟中更包括將該反應氣體噴向在該第二區域中之該第二基板上；以及在該薄膜形成步驟中更包括將該原料氣體噴向在該第一區域中之該第二基板上；其中將該原料氣體噴向在該第一區域中之該第一基板上，以及將該反應氣體噴向在該第二區域中之該第二基板上，為同時進行。
  34. 如請求項18所述之方法，其中在該原料吸附步驟中更包括將該反應氣體噴向在該第二區域中之該第二基板上，在該薄膜形成步驟中更包括將該原料氣體噴向在該第一區域中之該第二基板上；其中將該反應氣體噴向在該第二區域中之該第一基板上，以及將該原料氣體噴向在該第一區域中之該第二基板上，為同時進行。
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