JP2023512013A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Abstract

本発明は、チャンバ、前記チャンバの工程空間内において１つ以上の基板が載置され、回転可能に設置された基板支持部、前記工程空間の第１領域にソースガスと前記ソースガスをパージするための第１パージガスを噴射するための第１ガス噴射部、前記第１ガス噴射部に前記ソースガスを供給するためのソースガス供給源、前記第１ガス噴射部に前記第１パージガスを供給するための第１パージガス供給源、前記第１領域と空間的に分離され、工程空間の第２領域にソースガスと反応するリアクタントガスと前記リアクタントガスをパージするための第２パージガスを噴射するための第２ガス噴射部、前記第２ガス噴射部に前記リアクタントガスを供給するためのリアクタントガス供給源、および、前記第２ガス噴射部に前記第２パージガスを供給するための第２パージガス供給源を含む、基板処理装置および基板処理方法に関するものである。

Description

本発明は、基板に対する蒸着工程、エッチング工程などの処理工程を行う基板処理装置に関するものである。
一般に、太陽電池（Ｓｏｌａｒ Ｃｅｌｌ）、半導体素子、フラットパネルディスプレイなどを製造するためには、基板表面に所定の薄膜層、薄膜回路パターン、または光学パターンを形成しなければならず、そのためには基板に特定物質の薄膜を蒸着する薄膜蒸着工程、感光性物質を用いて薄膜を選択的に露出させるフォト工程、選択的に露出した部分の薄膜を除去してパターンを形成するエッチング工程などの半導体製造工程を行うことになる。
基板に薄膜を形成するか、または薄膜を除去する工程は、基板上に特定の物質を形成するためのガスや選択的に除去するためのガスまたはそれに対応する物質を供給することによって行われる。特に薄膜を形成する工程は、特定の物質を形成するためのソースガスとリアクタントガスを供給することによって行うことができ、この場合、ソースガスとリアクタントガスは、基板上に同時に供給するか、または時差をおいて、順次に供給することができる。
半導体素子製造工程が微細工程になるにつれて、基板表面に形成された微細パターンに均一な薄膜を形成したり、パターンを形成するための様々な方法が適用されており、その中の１つが、原子層蒸着方法である。原子層蒸着方法（ＡＬＤ、Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）は、ソースガスとリアクタント（Ｒｅａｃｔａｎｔ）ガスの反応で形成される薄膜を基板上に形成するために、ソースガスとリアクタントガスを同時に供給せず、ソースガスとリアクタントガスを時差を置いて供給して、基板表面での反応のみを誘導する方法である。まず、基板上にソースガスを供給してソースガスが基板の表面に吸着するようにした後、残りのソースガスはパージガスを用いて除去することができる。次に、基板上にリアクタントガスを供給して基板表面に吸着したソースガスと反応させた後、残りのリアクタントガスをパージガスを用いて除去することができる。リアクタントガスを供給する工程で、ソースガスとリアクタントガスの反応により基板表面に原子層または単一層の薄膜を形成するようになる。このような工程を所望の厚さまで繰り返して基板表面に所定の厚さを有する薄膜を形成することができる。
しかし、原子層蒸着方法は、ソースガスとリアクタントガスの反応が基板表面でのみ起こるので、薄膜が蒸着する速度が一般的な化学気相蒸着方法（ＣＶＤ、Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などに比べて遅いという欠点がある。
また、同じ工程空間にソースガスが供給され、供給されたソースガスをパージし、リアクタントガスを供給し、リアクタントガスをパージする工程を早い時間で繰り返す工程は、時間が長くかかるという欠点があり、素早く工程を繰り返すと、供給されたソースガスやリアクタントガスが完全に工程空間からチャンバ外部に排出（パージ）できず、原子層薄膜にならず、２つのガスが出会って化学的蒸着ＣＶＤ薄膜になる欠点がある。
ソースガスやリアクタントガスを素早く供給できる方法とソースガスやリアクタントガスの原子層蒸着工程（ＡＬＤ）時に、上記二つのガスが工程で混合しない構造と純粋な原子層（Ｐｕｒｅ ＡＬＤ）膜が求められている。
本発明は、上述の問題を解決するためのものであり、空間上でソースガスとリアクタントガスが混合しない工程チャンバを提供することを技術的な課題とする。
また、原子層蒸着方法（ＡＬＤ）で薄膜を形成する際、ソースガスを吸着し、同一空間でパージガスでＲＦプラズマを生成して、吸着膜の膜質を向上させる装置及び方法を技術的な課題とする。
また、基板上に純粋な原子層蒸着工程を用いた膜（Ｐｕｒｅ ＡＬＤ層）を形成して所定の薄膜を緻密化したり、膜質を改善する装置及び方法を提供することを技術的な課題とする。
また、ソースガス空間とリアクタントガス空間を分離するパージガス空間において、リアクタントガス空間からソースガス空間に素早く移動する基板に残っているリアクタントガスを除去と、生成した薄膜中の不純物を迅速に除去するためのパージガスを供給するパージガス供給部の一部にプラズマを同時に供給する装置および方法を提供することを技術的な課題とする。
上述の技術的課題を達成するための本発明に係る基板処理装置は、チャンバ、前記チャンバの工程空間内において１つ以上の基板が載置され、回転可能に設置された基板支持部、前記工程空間の第１領域にソースガスと前記ソースガスをパージするための第１パージガスを噴射するための第１ガス噴射部、前記第１ガス噴射部に前記ソースガスを供給するためのソースガス供給源、前記第１ガス噴射部に前記第１パージガスを供給するための第１パージガス供給源、前記第１領域と空間的に分離され、前記工程空間の第２領域に前記ソースガスと反応するリアクタントガスと、前記リアクタントガスをパージするための第２パージガスを噴射するための第２ガス噴射部、前記第２ガス噴射部に前記リアクタントガスを供給するためのリアクタントガス供給源、および前記第２ガス噴射部に前記第２パージガスを供給するための第２パージガス供給源を含むことができる。
本発明に係る基板処理装置において、前記第１ガス噴射部は、前記ソースガスを噴射する複数のソースガス噴射孔、および前記第１パージガスを噴射する複数の第１パージガス噴射孔を含むことができる。
本発明に係る基板処理装置において、前記第２ガス噴射部は、前記リアクタントガスを噴射する複数のリアクタントガス噴射孔、および前記第２パージガスを噴射する複数の第２パージガス噴射孔を含むことができる。
本発明に係る基板処理装置において、前記第２ガス噴射部は、前記リアクタントガスと前記第２パージガスの中の少なくとも１つ以上をプラズマとして噴射することができる。
本発明に係る基板処理装置において、前記第２ガス噴射部は、前記リアクタントガスまたは前記第２パージガスをプラズマ化するための第２電極部を含むことができる。
本発明に係る基板処理装置において、前記第１ガス噴射部は、前記第１パージガスをプラズマとして噴射することができる。
本発明に係る基板処理装置において、前記第１ガス噴射部は、前記第１パージガスをプラズマ化するための第１電極部を含むことができる。
本発明に係る基板処理装置において、前記第２ガス噴射部は、前記リアクタントガスを噴射する複数のリアクタントガス噴射孔と、前記第２パージガスを噴射する複数の第２パージガス噴射孔とを含むことができる。前記ソースガス、前記第１パージガス、前記リアクタントガス、および前記第２パージガスはこの順に噴射され得る。前記第２ガス噴射部は、前記第１パージガスをプラズマとして噴射することができる。前記第２ガス噴射部は、前記リアクタントガスと前記第２パージガスの中の少なくとも１つ以上をプラズマとして噴射することができる。
本発明に係る基板処理装置において、前記第２ガス噴射部は、前記リアクタントガス噴射孔または前記第２パージガス噴射孔の中のいずれか１つに連結したトリートメントガス供給源をさらに含むことができる。
本発明に係る基板処理装置において、前記第２ガス噴射部は、第２パージガスを噴射後、トリートメントガスをプラズマとして噴射することができる。
本発明に係る基板処理装置において、前記第２ガス噴射部は、前記リアクタントガスを噴射する複数のリアクタントガス噴射孔と、前記第２パージガスを噴射する複数の第２パージガス噴射ホールと、前記第２ガス噴射部は、前記リアクタントガス噴射孔または前記第２パージガス噴射孔の中のいずれか１つに連結したトリートメントガス供給源を含むことができる。前記ソースガス、前記第１パージガス、前記リアクタントガス、前記第２パージガス、前記トリートメントガスはこの順に噴射され得る。前記第２ガス噴射部は、前記トリートメントガスをプラズマとして噴射することができる。前記第２ガス噴射部は、前記第１パージガス、前記リアクタントガス、及び前記第２パージガスの中の少なくとも１つ以上をプラズマとして噴射することができる。
本発明に係る基板処理装置において、第１電極部と第２電極部は、それぞれ電位差を有する第１電極と第２電極で構成することもできる。前記第１電極と前記第２電極の間にそれぞれ前記第１パージガス、前記リアクタントガス、および前記第２パージガスの中のいずれか１つを噴射してプラズマを生成することができる。
本発明に係る基板処理装置は、前記第１領域と前記第２領域の間の第３領域に第３パージガスを噴射する第３ガス噴射部、および前記第３ガス噴射部に前記第３パージガスを噴射する第３パージガス供給源を含むことができる。
本発明に係る基板処理装置において、前記第３パージガスをプラズマ状態で噴射することができる。
本発明に係る基板処理装置において、前記第３ガス噴射部は、前記第３パージガスをプラズマ化するための第３電極部を含むことができる。
本発明に係る基板処理装置において、前記第３電極部は、電位差を有する第１電極と第２電極で構成することができる。前記第１電極と前記第２電極の間に前記第３パージガスを噴射してプラズマを生成することができる。
本発明に係る基板処理装置において、前記第１パージガス、前記リアクタントガス、および前記第２パージガスの中のいずれか１つは、リモートプラズマ発生装置に連結することができる。
本発明に係る基板処理方法は、チャンバの工程空間の第１領域内に第１基板が位置し、前記第１領域と空間的に分離される前記工程空間の第２領域内に第２基板が位置するように、前記チャンバ内部に配置された基板支持部上に、前記第１基板と前記第２基板をそれぞれ載置する工程、前記第１領域において、前記第１基板にソースガスを噴射して前記第１基板上に第１ソースガスを吸着させるソース吸着工程、前記第１ソースガスが吸着した第１基板が前記第２領域内に位置するように前記基板支持部を回転させる第１回転工程、前記第２領域において、前記第１基板にリアクタントガスを噴射して前記第１基板上に吸着した第１ソースガスと反応して薄膜を形成する薄膜形成工程、および、前記薄膜が形成された第１基板が前記第１領域に位置するように前記基板支持部を回転させる第２回転工程を含むことができる。所定の厚さの薄膜は、前記ソース吸着工程、前記第１回転工程、前記薄膜形成工程、及び前記第２回転工程を複数回繰り返すことにより形成され得る。
本発明に係る基板処理方法は、前記ソース吸着工程の以後に前記第１基板上に前記ソースガスをパージするための第１パージガスを噴射するソースパージ工程を含むことができる。
本発明に係る基板処理方法は、前記薄膜形成工程後に前記第１基板上に前記リアクタントガスをパージするための第２パージガスを噴射するリアクタントガスパージ工程を含むことができる。
本発明に係る基板処理方法において、前記リアクタントガスと前記第２パージガスの中の少なくとも１つ以上は、プラズマとして生成され噴射され得る。
本発明に係る基板処理方法において、前記第１パージガスはプラズマとして生成され噴射され得る。
本発明に係る基板処理方法は、前記薄膜形成工程以後に前記第１基板上に前記リアクタントガスをパージするための第２パージガスを噴射するリアクタントガスパージ工程を含むことができる。前記第１パージガスは、プラズマとして生成され噴射され得る。前記リアクタントガスと前記第２パージガスの中の少なくとも１つ以上は、プラズマとして生成され噴射され得る。
本発明に係る基板処理方法は、前記リアクタントガスパージ工程の後に前記薄膜をトリートメントするためのトリートメントガスを噴射するトリートメントガス噴射工程を含むことができる。
本発明に係る基板処理方法において、前記トリートメントガスはプラズマとして生成され噴射され得る。
本発明に係る基板処理方法は、前記薄膜形成工程の後に、前記第１基板上に前記リアクタントガスをパージするための第２パージガスを噴射するリアクタントガスパージ工程、および前記リアクタントガスパージ工程の後に、前記薄膜をトリートメントするためのトリートメントガスを噴射するトリートメントガス噴射工程を含むことができる。前記トリートメントガスは、プラズマとして生成され噴射され得る。前記第１パージガス、前記リアクタントガス、及び前記第２パージガスの中の少なくとも一つ以上は、プラズマとして生成され噴射され得る。
本発明に係る基板処理方法は、前記第１領域に配置された第１電極部および前記第２領域に配置された第２電極部を含み、前記第１電極部および前記第２電極部は、それぞれ電位差を有する第１電極と第２電極で構成され、前記第１電極と前記第２電極の間にそれぞれ前記第１パージガス、前記リアクタントガス、前記第２パージガス、および前記トリートメントガスの中のいずれか１つを噴射して、プラズマを生成することができる。
本発明に係る基板処理方法において、前記第１回転工程または前記第２回転工程において、前記第１領域と前記第２領域を分割するために第３パージガスを噴射することができる。
本発明に係る基板処理方法において、前記第１回転工程または前記第２回転工程において、前記第１基板に吸着した第１ソースガスをさらにパージしたり、前記第１基板に形成されたリアクタントガスをさらにパージするために、第３パージガスを噴射することができる。
本発明に係る基板処理方法において、前記第３パージガスはプラズマとして生成され噴射され得る。
本発明に係る基板処理方法において、前記第１回転工程または前記第２回転工程において、前記第１領域と前記第２領域を分割するために第３パージガスを噴射することができる。
本発明に係る基板処理方法において、前記第３パージガスはプラズマとして生成され噴射され得る。
本発明に係る基板処理方法において、前記ソース吸着工程で前記第２領域で前記第２基板にリアクタントガスを噴射することができる。前記薄膜形成工程で前記第１領域で前記第２基板にソースガスを噴射することをさらに含むことができる。前記第１領域で前記第１基板にソースガスを噴射することと、前記第２領域で前記第２基板にリアクタントガスを噴射することは、同時に実行され得る。
本発明に係る基板処理方法において、前記ソース吸着工程で前記第２領域で前記第２基板にリアクタントガスを噴射することができる。前記薄膜形成工程で前記第１領域で前記第２基板にソースガスを噴射することをさらに含むことができる。前記第２領域で前記第１基板にリアクタントガスを噴射することと、前記第１領域で前記第２基板にソースガスを噴射することは、同時に実行され得る。
上記課題の解決手段によれば、本発明に係る基板処理装置は、チャンバ内の工程空間をソースガス噴射空間とリアクタントガス噴射空間に完全に分割することができるパージガス噴射空間を介して、純粋な原子層（Ｐｕｒｅ ＡＬＤ）薄膜を形成することができる。
また、本発明に係る基板処理装置は、ソースガス噴射空間、リアクタントガス噴射空間及びパージガス噴射空間にプラズマを生成して、基板上に生成された吸着膜及びＡＬＤ薄膜内部にある不純物の除去し、良質のＡＬＤ薄膜と純粋な原子層（Ｐｕｒｅ ＡＬＤ）を形成することができる。
本発明の実施例に係る基板処理装置を大略的に示す図である。 本発明の実施例に係る基板処理装置において、チャンバの蓋（Ｌｉｄ）を説明するための図である。 本発明の実施例による基板処理装置において、チャンバの上部蓋（Ｌｉｄ）を説明するための図１のＡ’－Ａ’線を基準に示す概略図である。
本明細書に記載される用語の意味は、以下のように理解されなければならない。
単数の表現は、文脈上明確に異なって定義しない限り、複数の表現を含むと理解されなければならず、「第１」、「第２」などの用語は、ある構成要素を他の構成要素から区別するためのものであり、これらの用語によって権利範囲が限定されてはならない。
「含む」または「有する」などの用語は、１つまたはそれ以上の他の特徴や数字、工程、動作、構成要素、部分品、またはそれらを組み合わせたものの存在または追加の可能性を予め排除しないことを理解されなければならない。
「少なくとも１つ」という用語は、１つ以上の関連項目から提示可能なすべての組み合わせを含むと理解されなければならない。例えば、「第１項目、第２項目、第３項目の中の少なくとも１つ」の意味は、第１項目、第２項目、または第３項目のそれぞれだけでなく、第１項目、第２項目、および第３項目の中の２つ以上から提示できるすべての項目の組み合わせを意味する。
「上に」という用語は、ある構成が他の構成のすぐ上面に形成される場合だけでなく、これらの構成の間に第３の構成が介在する場合までを含むことを意味する。
以下、図を参照して、本発明に係る好ましい実施例について詳細に説明する。
図１は、本発明の実施例による基板処理装置を概略的に示す図である。図２は、チャンバの上面を切断し、上部から上部蓋を見た平面図であり得る。
図１～図２を参照すると、本発明に係る基板処理装置は、チャンバの内部に工程空間１を有することができる。チャンバの工程空間１の上部には、上部蓋、チャンバの工程空間１の下部には、基板支持部６００があり得る。基板支持部６００には、１つ以上の基板、すなわち多数の基板が回転可能に設置された基板支持部６００の上部に一定の間隔または対をなして配置することができる。
基板支持部６００上部には、第１領域１０に第１基板６０１が配置され、第１基板６０１は、複数の基板であり得る。第１基板６０１は、第１ウエハ６０１ａ、第２ウエハ６０１ｂで構成することができ、これに限定されず、第１領域１０のみに３枚、４枚のウエハを配置することができる。第２領域２０に第２基板６０２を配置することができ、第２基板６０２は、複数の基板であり得る。第２基板６０２は、第３ウエハ６０２ａ、第４ウエハ６０２ｂで構成することができ、これに限らず、第２領域２０のみに３枚、４枚の複数のウエハを配置することができる。
チャンバ内部の工程空間１は、第１領域１０、第２領域２０、第３領域３０に空間を分離することができる。
第１領域１０には、ソースガス供給源５００からソースガスガスライン５００ａを介してソースガスが第１領域１０に噴射されるための第１ガス噴射部１００を配置することができる。第１パージガス供給源５１０において、第１パージガスライン５１０ａを介して第１パージガスを第１領域１０に噴射するための第１ガス噴射部１００を配置することができる。
工程空間１で、第１領域１０と空間的に分離される第２領域２０には、ソースガスと反応するリアクタントガスをリアクタントガス供給源９００から供給し、供給されたリアクタントガスは、リアクタントガスライン９００ａを介して第２ガス噴射部２００に連結し、第２ガス噴射部２００から第２領域２０に噴射することができ、第２パージガス供給源９１０から第２パージガスライン９１０ａを介して供給された第２パージガスは、第２ガス噴射部２００に連結し、第２ガス噴射部２００から第２領域２０に噴射され得る。また、空間上に残留するリアクタントガスを、第２領域２０からパージするために第２パージガスを噴射することができる。第１ガス噴射部１００と第２ガス噴射部２００は、上部蓋に結合することができる。
チャンバ内の工程空間１を第１領域１０と第２領域２０に二つに分ける第３領域３０があり得る。第３領域３０は、第１領域１０内にあるソースガスと第２領域２０内のリアクタントガスとが混合しないように、チャンバ内の工程空間１を第１領域１０と第２領域２０に、パージガスで空間分割することができる。第３領域３０には、第３パージガスを噴射する第３ガス噴射部３００を配置することができ、第３パージガス供給源（未図示）は、第３パージガスライン（未図示）を介して、第３ガス噴射部３００に連結し、第３領域３０に第３パージガスを噴射することができる。第３ガス噴射部３００も、上部蓋に結合することができる。
チャンバ電極構造を詳細に見ることができる図は、図３であり得る。
第１領域１０にソースガスと第１パージガスを噴射する第１ガス噴射部１００、第２領域２０にリアクタントガスと第２パージガスを噴射する第２ガス噴射部２００および第３領域３０に第３パージガスを噴射する第３ガス噴射部３００を含むことができる。
第１領域１０にソースガスと第１パージガスを噴射する第１ガス噴射部１００は、第１電極部２１０を含む。第１電極部２１０は、第１電極２１０ｃと第２電極２２０ｃを含むことができる。第１電極２１０ｃと第２電極２２０ｃは、電位差を有していて、第１電極２１０ｃと第２電極２２０ｃの間に、ソースガスまたは第１パージガスを通過させてソースガスまたは第１パージガスをプラズマ化して第１領域１０に噴射することができる。
第１ガス噴射部１００内には、第１流路５４０、第２流路５５０を設置することができ、第１流路５４０と第２流路５５０のガス流路の構造は、長穴状の管形態のガンドリル構造の流路であり得る。第１流路５４０と第２流路５５０は、第１電極２１０ｃに内部に貫通して形成され、第１流路５４０は、基板方向に突出した突出部（未図示）の端部のソースガス噴射孔５２０からソースガスを噴射することができる。突出部の先端に形成されたソースガス噴射孔５２０と第１流路５４０は、連結していて、ソースガス供給源５００から第１流路５４０にソースガスを供給し、複数のソースガス噴射孔５２０に連結して第１領域１０にソースガスを噴射することができる。第２流路５５０は、第２電極２２０ｃ上方の空間に噴射される複数の第１パージガス噴射孔５３０で噴射することができる。第２電極２２０ｃ上部空間に噴射される複数の第１パージガス噴射孔５３０は、第２流路５５０に連結し、第１パージガス供給源５１０から第２流路５５０へ、第１パージガスが供給され、複数の第１パージガス噴射孔５３０に連結して第１領域１０に第１パージガスを噴射することができる。ここで、電位差を有する第１電極２１０ｃと第２電極２２０ｃの間に、第１パージガスを通過させて第１パージガスをプラズマ状態で第１領域１０に噴射することができる。第１ガス噴射部１００は、ソースガスまたは第１パージガスの中の少なくとも１つ以上をプラズマ化して、第１領域１０に噴射することができる。プラズマ化されたソースガスと第１パージガスを同時に第１領域１０に噴射することができ、プラズマ化されたソースガスまたは第１パージガスを、それぞれ第１領域１０に噴射することができる。第１流路５４０の内部にパーティクル等のクリーニングのために第１流路５４０にも、第１パージガスを供給することができる。逆に、第１流路５４０には、第１パージガスが供給され、第２流路５５０には、ソースガスを噴射することができる。または、第１流路５４０と第２流路５５０に、同時にソースガスまたは第１パージガスを第１領域１０に噴射することができる。
リアクタントガスと第２パージガスを噴射する第２ガス噴射部２００には、第２電極部２２０を含んでいる。第２電極部２２０は、第１電極２１０ａと第２電極２２０ａを含むことができる。第１電極２１０ａと第２電極２２０ａは電位差を有していて、第１電極２１０ａと第２電極２２０ａの間にリアクタントガスまたは第２パージガスを通過させてリアクタントガスまたは第２パージガスをプラズマ状態で第２領域２０に噴射することができる。
第２ガス噴射部２００内には、第３流路９４０、第４流路９５０を設置することができる。第３流路９４０と第４流路９５０は、長尺穴状の管形態のガンドリル構造の流路であり得る。第３流路９４０と第４流路９５０は、第１電極２１０ａに貫通し、第３流路９４０は基板方向に突出した突出部（未図示）の先端のリアクタントガス噴射孔９２０で噴射することができる。突出部の先端のリアクタントガス噴射孔９２０に連結する第３流路９４０は、リアクタントガス供給源９００から第３流路９４０にガスが供給され、複数のリアクタントガス噴射孔９２０に連結し、第２領域２０にリアクタントガスを噴射することができる。ここで、電位差を有する第１電極２１０ａと第２電極２２０ａの間にリアクタントガスを通過させてリアクタントガスをプラズマ状態で第２領域２０に噴射することができる。また、第４流路９５０は、第２電極２２０ａ上部空間に噴射される複数の第２パージガス噴射孔９３０で噴射することができる。第２電極２２０ａ上部方向の空間に噴射される複数の第２パージガス噴射孔９３０は、第４流路９５０と連結し、第２パージガス供給源９１０から第４流路９５０に第２パージガスが供給され、複数の第２パージガス噴射孔９３０に連結して第２領域２０に第２パージガスを噴射することができる。ここで、電位差を有する第１電極２１０ａと第２電極２２０ａの間に第２パージガスを通過させて、第２パージガスをプラズマ状態で第２領域２０に噴射することができる。第２ガス噴射部２００は、リアクタントガス、第２パージガスの中の少なくとも１つ以上をプラズマ化して第２領域２０に噴射することができる。プラズマ化したリアクタントガスと第２パージガスを同時に第２領域２０に噴射することができ、プラズマ化したリアクタントガスまたは第２パージガスをそれぞれ、第２領域２０に噴射することができる。第３流路９４０の内部にパーティクル等のクリーニングのために、第３流路９４０にも第２パージガスが供給され、第２領域２０に噴射することができる。逆に、第４流路９５０にはリアクタントガスが供給され、第３流路９４０には第２パージガスを噴射することができる。または、第３流路９４０と第４流路９５０に、同時にリアクタントガスまたは第２パージガスを第２領域２０に噴射することができる。
第２ガス噴射部２００は、リアクタントガスを噴射する複数のリアクタントガス噴射孔９２０と、第２パージガスを噴射する複数の第２パージガス噴射孔９３０を含む。ソースガス、第１パージガス、リアクタントガスおよび第２パージガスはこの順に噴射され得、第２ガス噴射部２００は、第１パージガスをプラズマとして噴射し、リアクタントガスまたは第２パージガスの中の少なくとも１つ以上をプラズマとして噴射することができる。第２ガス噴射部２００は、リアクタント噴射孔９２０または第２パージガス噴射孔９３０の中のいずれか１つに連結したトリートメントガス供給源９６０から供給されるトリートメントガスを、第２領域２０に噴射することができる。第２ガス噴射部２００は、第２パージガスを噴射した後、トリートメントガスをプラズマ化して第２領域２０に噴射することができる。
第２ガス噴射部２００は、リアクタントガスを噴射する複数のリアクタントガス噴射孔９２０、第２パージガスを噴射する複数の第２パージガス噴射孔９３０、及びリアクタントガス噴射孔または第２パージガス噴射孔９３０の中のいずれか１つに連結したトリートメントガス供給源９６０を含む。ソースガス、第１パージガス、リアクタントガス、第２パージガス、トリートメントガスはこの順に噴射され得、第２ガス噴射部２００は、トリートメントガスをプラズマとして噴射し、第１パージガス、リアクタントガス、または第２パージガスの中の少なくとも１つ以上をプラズマとして噴射することができる。
第１領域１０と第２領域２０の間の第３領域３０で、第３パージガスを噴射する第３ガス噴射部３００には、第３電極部２３０を含んでいる。第３電極部２３０は、第１電極２１０ｂと第２電極２２０ｂを含むことができる。第１電極２１０ｂと第２電極２２０ｂは、電位差を有していて、第１電極２１０ｂと第２電極２２０ｂの間に第３パージガスを通過させて、第３パージガスをプラズマ状態で第３領域３０に噴射することができる。
第３ガス噴射部３００内には、第５流路３１０、第６流路３２０を設置することができる。第５流路３１０と第６流路３２０は、長尺穴状の管形態のガンドリル構造の流路であり得る。第５流路３１０と第６流路３２０は、第１電極２１０ｂに貫通し、第３領域３０に噴射することができる。第３ガス噴射部に第３パージガスを噴射する第３パージガス供給源（未図示）を、含むことができる。第３ガス噴射部には第３電極部２３０を含み、電位差を有する第１電極２１０ｂと第２電極２２０ｂの間に第３パージガスを通過させて、第３パージガスをプラズマ状態で第３領域３０に噴射することができる。第３パージガスは、第５流路３１０と第６流路３２０の中の１つを介して、第３領域３０に噴射することもでき、第５流路３１０と第６流路３２０の中の一方の流路でのみ、第３パージガスを噴射することができる。第３ガス噴射部は、電位差を有する第１電極２１０ｂと第２電極２２０ｂの間に第３パージガスを通過させ、第３パージガスをプラズマ状態で第３領域３０に噴射することができる。第３ガス噴射部３００は、第３パージガスをプラズマ化して第３領域３０に噴射することができる。第１パージガスまたはリアクタントガスまたは第２パージガスまたは第３パージガスは、リモート（ｒｅｍｏｔｅ）プラズマ発生装置（未図示）に連結されてもよい。
第２領域２０の第２ガス噴射部２００に連結した第２電極部２２０には、第１ＲＦ電源７０２とグランド（接地）を連結することができ、第２電極部２２０の第１電極２１０ａまたは第２電極２２０ａに、第１ＲＦ電源７０２またはグランド（接地）を選択的に連結することができる。
第３領域３０の第３ガス噴射部３００に連結した第３電極部２３０には、第３ＲＦ電源７０６とグランド（接地）を連結することができ、第３電極部２３０の第１電極２１０ｂまたは第２電極２２０ｂに、第３ＲＦ電源７０６またはグランド（接地）を選択的に連結することができる。
第１領域１０の第１電極２１０ｃ、第２領域２０の第１電極２１０ａ、第３領域の第１電極２１０ｂには、基板支持部６００方向に少なくとも１つ以上の多数の突出電極（未図示）を形成することができる。
チャンバ外部のリモートプラズマ装置（未図示）に連結することができる。これにより、イオン化されたガスまたは活性種（Ｒａｄｉｃａｌ）を第１領域１０と第２領域２０に噴射することができる。
図３を参照すると、第３ガス噴射部３００は、パージガスを第３領域３０に噴射するものである。第３ガス噴射部３００は、第１区域３０２、第２区域３０４、第３区域３０６に分けてパージガスを第３領域３０に噴射することができる。
第１区域３０２と第２区域３０４、第３区域３０６には、第３パージガスを噴射することができ、第３パージガスがプラズマ化されたガスを噴射することができる。第３区域３０６は、蓋の中央に位置して、センターパージガスを噴射することができる。
第１プラズマ噴射部３０２ａは、イオン化ガス又は活性種（Ｒａｄｉｃａｌ）を噴射できるようにリモートプラズマ（Ｒｅｍｏｔｅ ｐｌａｓｍａ）装置（未図示）に連結することができる。
前記第１ガス噴射部１００から第１領域１０に供給されるソースガスは、チタン族元素（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなど）、シリコン（Ｓｉ）またはアルミニウム（Ａｌ）などを含むことができる。例えば、チタン（Ｔｉ）を含んでなるソースガス（ＳＧ）は、四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）ガスなどであり得る。そして、シリコン（Ｓｉ）物質を含有するソースガス（ＳＧ）は、シラン（Ｓｉｌａｎｅ；ＳｉＨ４）ガス、ジシラン（Ｄｉｓｉｌａｎｅ；Ｓｉ２Ｈ６）ガス、トリシラン（Ｔｒｉｓｉｌａｎｅ；Ｓｉ３Ｈ８）ガス、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）ガス、ＤＣＳ（ジクロロシラン）ガス、ＨＣＤ（ヘキサクロロシラン）ガス、ＴｒｉＤＭＡＳ（トリ－ジメチルアミノシラン）ガス、またはＴＳＡ（トリシリラミン）ガスなどが挙げられる。
前記第２ガス噴射部２００から第２領域２０に供給されるリアクタントガスは、水素（Ｈ２）ガス、窒素（Ｎ２）ガス、酸素（Ｏ２）ガス、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）ガス、アンモニア（ＮＨ３）ガス、蒸気（Ｈ２Ｏ）ガス、またはオゾン（Ｏ３）ガスなどを含むことができる。ここで、リアクタントガスには、窒素（Ｎ２）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、キセノン（Ｚｅ）ガス、またはヘリウム（Ｈｅ）ガスなどから成るパージガスを混合することができる。
また、第１領域１０、第２領域２０、第３領域３０でプラズマを生成するガスは、水素（Ｈ２）ガス、窒素（Ｎ２）ガス、水素（Ｈ２）ガスと窒素（Ｎ２）ガスの混合ガス、酸素（Ｏ２）ガス、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、またはアンモニアガス（ＮＨ３）を含むことができる。
第１領域１０、第２領域２０、第３領域３０に供給されるパージガスは、窒素（Ｎ２）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、キセノン（Ｚｅ）ガス、またはヘリウム（Ｈｅ）ガスなどを供給することができる。これらは不活性ガスであり得る。
第１パージガスは、第１領域１０にパージガスを噴射することができる。第１ガス噴射部１００には、第１パージガス噴射孔５３０を設置することができる。第１電極部２１０を介して、第１領域１０にプラズマ化されたパージガスを噴射することができる。したがして、第１領域１０において、基板にソースガスが吸着した後に基板支持部６００が回転する前に、第１電極部２１０の第１パージガス噴射孔５３０は、第１領域１０の基板上にプラズマ化されたパージガスを噴射することができる。すなわち、第１パージガス噴射孔５３０のプラズマ化されたパージガスを用いて、基板に吸着したソースに対してプレトリートメント（Ｐｒｅ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）処理を行うことができる。これにより、基板に吸着したソースガスの内部にある不純物を除去することにより、基板に蒸着した薄膜の品質を向上させることに寄与することができる。停止した基板支持部６００は、ソースガス吸着工程後、基板支持部６００が第２領域２０に第１回転工程を実施することができる。
チャンバの工程空間１の第１領域１０内に第１基板６０１が位置し、第１領域１０と空間的に分離される工程空間１の第２領域２０内に第２基板６０２が位置するように、第１チャンバ内部に配置された基板支持部６００上に、第１基板６０１と第２基板６０２をそれぞれ載置する工程を実施することができる。その後、第１領域１０から第１基板６０１にソースガスを噴射して、第１基板６０１上部に第１ソースガスを吸着させるソース吸着工程を実施することができる。第１ソースガスが吸着した第１基板６０１が前記第２領域２０に位置するように基板支持部６００を回転させる第１回転工程を実施することができる。第２領域２０内の第１基板６０１にリアクタントガスを噴射して、リアクタントガスを第１基板６０１上部に吸着した第１ソースガスと反応させて薄膜を形成する薄膜形成工程、及び薄膜が形成された第１基板６０１が第１領域１０に位置するように基板支持部６００を回転させる第２回転工程を実施することができる。ソース吸着工程、第１回転工程、薄膜形成工程および第２回転工程を複数回繰り返して、所定の厚さの薄膜を形成するまで実施することができる。
ソース吸着工程後に第１領域１０及び第１基板６０１上部及び第１基板６０１のパターン内部に存在する第１基板６０１に吸着していないソースガスをパージするための第１パージガスを噴射するソースパージ工程を含めて実施することができる。薄膜形成工程後に第２領域２０及び第１基板６０１上部及び第１基板６０１パターン内部に存在するリアクタントガスをパージするための第２パージガスを噴射するリアクタントガスパージ工程を含めて実施することができる。リアクタントガスまたは第２パージガスの中の少なくとも１つ以上は、プラズマに変換されて噴射されてよい。第１パージガスは、プラズマに変換されて噴射されてよい。薄膜形成工程後に第１基板６０１上にリアクタントガスをパージするための第２パージガスを噴射するリアクタントガスパージ工程を含むことができ、第１パージガスはプラズマに変換されて噴射されてよく、リアクタントガスおよび第２パージガスの中の少なくとも１つは、プラズマに変換されて噴射されてよい。リアクタントガスパージ工程の後に、薄膜をトリートメントするためのトリートメントガスを噴射するトリートメントガス噴射工程が実行されてよい。また、トリートメントガスは、プラズマに変換されて噴射されてよい。
薄膜形成工程後に、第１基板６０１上にリアクタントガスをパージするための第２パージガスを噴射するリアクタントガスパージ工程を実施することができ、リアクタントガスパージ工程後に薄膜をトリートメントするためのトリートメントガスを噴射するトリートメントガス噴射工程を含むことができ、トリートメントガスは、プラズマに変換されて噴射されてよく、第１パージガス、リアクタントガス、および第２パージガスの中の少なくとも１つは、プラズマに変換されて噴射されてよい。
第１電極２１０ｃ、２１０ａ、２３０ｃと第２電極２２０ｃ、２２０ａ、２３０ｂの間に、それぞれ第１パージガスまたはリアクタントガスまたは第２パージガスまたは第３パージガスまたはトリートメントガスを噴射して、プラズマを生成することができる。基板支持部６００の第１回転工程または第２回転工程は、第１領域と第２領域を分割するために、第３パージガスを噴射することができる。第１回転工程または第２回転工程において、第１基板６０１に吸着した第１ソースガスをさらにパージするか、または第１基板６０１に形成されたリアクタントガスをさらにパージするために、第３パージガスを噴射することができ、第３パージガスはプラズマに変換されて噴射されてよい。
ソース吸着工程で第２領域２０内の第２基板６０２にリアクタントガスを噴射し、薄膜形成工程で前記第１領域１０内の第２基板６０２にソースガスを噴射する工程がさらに実行されてよく、第１領域１０内の第１基板６０１にソースガスを噴射することと、第２領域２０内の前記第２基板６０２にリアクタントガスを噴射する工程が同時に実行されてよい。ソース吸着工程で第２領域２０内の第２基板６０２にリアクタントガスを噴射し、薄膜形成工程で第１領域１０内の第２基板６０２にソースガスを噴射する工程がさらに実行され、第２領域２０内の第１基板６０１にリアクタントガスを噴射することと、第１領域１０内の第２基板６０２にソースガスを噴射する工程が同時に実行されてよい。
第２領域２０の第２パージガスを噴射することができ、第２電極部２２０が設置され、第２パージガスをプラズマ化して第２領域２０に噴射することができる。これにより、第２領域２０で基板に吸着したソースガスとリアクタントガスが反応して、原子層蒸着法（ＡＬＤ）で薄膜が蒸着した後、第２パージガスをプラズマ化してポストトリートメント（Ｐｏｓｔ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）処理を実施することができる。これにより、基板に蒸着した薄膜の内部にある不純物を除去することにより、基板に蒸着した薄膜に対する緻密化を図ることができる。したがって、基板に蒸着した薄膜の品質をさらに向上させることができる。
本発明に係る基板処理装置は、基板を第１領域１０で停止してソースガスを吸着させ、基板支持部６００の回転を介して、第１領域１０から第２領域２０へ基板支持部６００を回転させ、第２領域２０で基板支持部６００を停止してリアクタントガスを蒸着させ、基板支持部６００を回転させて第２領域２０を経て再び第１領域１０に繰り返し移動させながら、基板に対して処理工程を行うことができる。
この場合、基板支持部６００は、回転部（未図示）によって回転することができる。回転部が、基板支持部６００を回転させる過程を詳しく見ると、次の通りである。
まず、回転部は、第１基板６０１と第２基板６０２が、第１領域１０および第２領域２０に位置すると、基板支持部６００を停止させることができる。これにより、第１領域１０では、基板が停止した状態で基板にソースガスを吸着させる吸着工程をなすことができる。この場合、第１ガス噴射部１００が第１領域１０にソースガスを噴射することができる。基板支持部６００が停止した状態で、吸着工程後に第１領域１０に第１パージガスを噴射することができ、第１パージガスは、プラズマ化されたパージガスであり得る。プラズマ化された第１パージガスを介して、第１基板６０１は吸着したソースガスにプレトリートメント（Ｐｒｅ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を実施することができ、その後または同時に第１領域１０に残っている不要なソースガスを第１パージガスを介して、チャンバの外部にパージまたは排気することができる。
不必要なソースガスのパージまたは排気が完了すると、回転部（未図示）は、基板が第１領域１０からカーテンパージである第３領域３０を経て第２領域２０に移動するように、 基板支持部６００を回転させることができる。この場合、回転部は、基板が第３領域３０の第１区域３０２を通過するときに基板支持部６００を停止させることなく連続的に回転させることができる。第１基板６０１が第１区域３０２を通過すると、パージガスまたはプラズマ化されたパージガスに露出することができる。
次に、基板が第２領域２０に位置すると、回転部は基板支持部６００を停止させることができる。これにより、第２領域２０では、基板が停止した状態で基板に吸着したソースガスと第２ガス噴射部２００が噴射したリアクタントガスとが反応し、薄膜が蒸着される蒸着工程をなすことができる。第２ガス噴射部２００の第２電極部２２０を用いてリアクタントガスを活性化させて第２領域２０に噴射することができる。この場合、本発明に係る基板処理装置は、低温工程に好適に具現することができる。例えば、本発明に係る基板処理装置は、半導体Ｈｉｇｈ－Ｋ工程に好適に具現することができる。第２ガス噴射部２００は、リアクタントガスを活性化させない状態で、第２領域２０に噴射することもできる。この場合、本発明に係る基板処理装置は、高温工程に好適に具現することができる。例えば、本発明に係る基板処理装置は、半導体高温ニトライド（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｎｉｔｒｉｄｅ）工程に好適に具現することができる。蒸着工程が完了すると、第２領域２０に第２パージガスを噴射することができ、第２パージガスは、プラズマ化されたパージガスであり得る。プラズマ化された第２パージガスを介して、第１基板６０１は、蒸着薄膜にプラズマ化されたガスを噴射することができ、その後または同時に第２領域２０に残っている不必要なリアクタントガスを、第１パージガスを介してチャンバの外部にパージまたは排気することができる。その後、再び薄膜の不純物を除去するためのトリートメントガスを、第１基板６０１の薄膜上部に噴射してポストトリートメント（Ｐｏｓｔ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を実施することができる。
基板支持部６００が停止した状態で、蒸着工程とトリートメント工程が完了すると、回転部は、基板が第２領域２０から第２区域３０４を経て第１領域１０に移動するように基板支持部６００を回転させることができる。この場合、回転部は、基板が第２区域３０４を通過するときに基板支持部６００を停止させることなく連続的に回転させることができる。基板が第２区域３０４を通過するとき、第２プラズマ噴射部３０４ｂが噴射したパージガスを用いて、第１領域１０と第２領域２０の領域を分離することができ、必要に応じて、プラズマ化されたパージガスを噴射することができる。
さらに、第１領域１０、第２領域２０のいずれにおいても、プラズマを用いずに基板に対する処理工程を行うことができる。第２領域２０で、熱処理（Ｔｈｅｒｍａｌ）工程を行うことにより高温の工程を具現することが可能である。この場合、第２領域２０では、高温の工程とリアクタントガス噴射を並行して行うことができる。これにより、高誘電物質などのステップカバレッジを改善することができる。また、高温の工程と原子層蒸着方法（ＡＬＤ）を並行するように具現することにより、原子層蒸着方法（ＡＬＤ）のみで薄膜を蒸着することに対比して、薄膜の厚さをさらに増大させることができる。
本発明が属する技術分野の当業者は、本発明がその技術的思想や必須的な特徴を変更することなく、異なる具体的な形態で実施できることを理解するであろう。したがって、上記で説明した実施例はすべての点で例示的なものであり、限定的なものではないと理解されなければならない。本発明の範囲は、上記の詳細な説明よりは、後述する特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲の意味及び範囲、及びその等価概念から導出される全ての変更又は変形された形態が、本発明の範囲に含まれるものと解釈されなければならない。
本発明の実施例に係る基板処理装置を大略的に示す図である。 本発明の実施例に係る基板処理装置において、チャンバの蓋（Ｌｉｄ）を説明するための図である。 本発明の実施例による基板処理装置において、チャンバの上部蓋（Ｌｉｄ）を説明するための図２のＡ’－Ａ’線を基準に示す概略図である。
第２領域２０の第２ガス噴射部２００に連結した第２電極部２２０には、第１ＲＦ電源７０２とグランド（接地）を連結することができ、第２電極部２２０の第１電極２１０ａまたは第２電極２２０ａに、第１ＲＦ電源７０２またはグランド（接地）を選択的に連結することができる。第１領域１０の第１ガス噴射部１００に連結した第１電極部２１０には、第２ＲＦ電源７０４とグランド（接地）を連結することができ、第１電極部２１０の第１電極２１０ｃまたは第２電極２２０ｃに、第２ＲＦ電源７０４またはグランド（接地）を選択的に連結することができる。
第３ガス噴射部３００は、イオン化ガス又は活性種（Ｒａｄｉｃａｌ）を噴射できるようにリモートプラズマ（Ｒｅｍｏｔｅ ｐｌａｓｍａ）装置（未図示）に連結することができる。
第１ガス噴射部１００は、第１領域１０にパージガスを噴射することができる。第１ガス噴射部１００には、第１パージガス噴射孔５３０を設置することができる。第１電極部２１０を介して、第１領域１０にプラズマ化されたパージガスを噴射することができる。したがして、第１領域１０において、基板にソースガスが吸着した後に基板支持部６００が回転する前に、第１電極部２１０の第１パージガス噴射孔５３０は、第１領域１０の基板上にプラズマ化されたパージガスを噴射することができる。すなわち、第１パージガス噴射孔５３０のプラズマ化されたパージガスを用いて、基板に吸着したソースに対してプレトリートメント（Ｐｒｅ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）処理を行うことができる。これにより、基板に吸着したソースガスの内部にある不純物を除去することにより、基板に蒸着した薄膜の品質を向上させることに寄与することができる。停止した基板支持部６００は、ソースガス吸着工程後、基板支持部６００が第２領域２０に第１回転工程を実施することができる。
基板支持部６００が停止した状態で、蒸着工程とトリートメント工程が完了すると、回転部は、基板が第２領域２０から第２区域３０４を経て第１領域１０に移動するように基板支持部６００を回転させることができる。この場合、回転部は、基板が第２区域３０４を通過するときに基板支持部６００を停止させることなく連続的に回転させることができる。基板が第２区域３０４を通過するとき、第３ガス噴射部３００が噴射したパージガスを用いて、第１領域１０と第２領域２０の領域を分離することができ、必要に応じて、プラズマ化されたパージガスを噴射することができる。

Claims (34)

  1. チャンバ、
    前記チャンバの工程空間内において１つ以上の基板が載置され、回転可能に設置された基板支持部、
    前記工程空間の第１領域にソースガスと前記ソースガスをパージするための第１パージガスを噴射するための第１ガス噴射部、
    前記第１ガス噴射部に前記ソースガスを供給するためのソースガス供給源、
    前記第１ガス噴射部に前記第１パージガスを供給するための第１パージガス供給源、
    前記第１領域と空間的に分離され、前記工程空間の第２領域に前記ソースガスと反応するリアクタントガスと前記リアクタントガスをパージするための第２パージガスを噴射するための第２ガス噴射部、
    前記第２ガス噴射部に前記リアクタントガスを供給するためのリアクタントガス供給源、および
    前記第２ガス噴射部に前記第２パージガスを供給するための第２パージガス供給源を含むことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記第１ガス噴射部が、
    前記ソースガスを噴射する複数のソースガス噴射孔、および
    前記第１パージガスを噴射する複数の第１パージガス噴射孔を含むことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記第２ガス噴射部が、
    前記リアクタントガスを噴射する複数のリアクタントガス噴射孔、および
    前記第２パージガスを噴射する複数の第２パージガス噴射孔を含むことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記第２ガス噴射部が、前記リアクタントガスと前記第２パージガスの中の少なくとも１つをプラズマとして噴射することを特徴とする、請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記第２ガス噴射部が、前記リアクタントガスまたは前記第２パージガスをプラズマ化するための第２電極部を含むことを特徴とする、請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記第１ガス噴射部が、前記第１パージガスをプラズマとして噴射することを特徴とする、請求項２に記載の基板処理装置。
  7. 前記第１ガス噴射部が、前記第１パージガスをプラズマ化するための第１電極部を含むことを特徴とする、請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記第２ガス噴射部が、前記リアクタントガスを噴射する複数のリアクタントガス噴射孔と、前記第２パージガスを噴射する複数の第２パージガス噴射孔とを含み、
    前記第２ガス噴射部が、前記ソースガス、前記第１パージガス、前記リアクタントガス及び前記第２パージガスをこの順に噴射し、
    前記第２ガス噴射部が、前記第１パージガスをプラズマとして噴射し、
    前記第２ガス噴射部が、前記リアクタントガスと前記第２パージガスの中の少なくとも１つ以上をプラズマとして噴射することを特徴とする、請求項２に記載の基板処理装置。
  9. 前記第２ガス噴射部が、前記リアクタントガス噴射孔または前記第２パージガス噴射孔の中のいずれか１つに連結したトリートメントガス供給源をさらに含むことを特徴とする、請求項３に記載の基板処理装置。
  10. 前記第２ガス噴射部が、第２パージガスを噴射した後にトリートメントガスをプラズマとして噴射することを特徴とする、請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 前記第２ガス噴射部が、前記リアクタントガスを噴射する複数のリアクタントガス噴射孔と、前記第２パージガスを噴射する複数の第２パージガス噴射孔と、前記第２ガス噴射部は、前記リアクタントガス噴射孔、または、前記第２パージガス噴射孔の中のいずれか１つに連結したトリートメントガス供給源を含み、
    前記第２ガス噴射部が、前記ソースガス、前記第１パージガス、前記リアクタントガス、前記第２パージガス、前記トリートメントガスをこの順に噴射し、
    前記第２ガス噴射部が、前記トリートメントガスをプラズマとして噴射し、
    前記第２ガス噴射部が、前記第１パージガス、前記リアクタントガス、及び前記第２パージガスの中の少なくとも１つ以上をプラズマとして噴射することを特徴とする、請求項２に記載の基板処理装置。
  12. 第１電極部と第２電極部が、それぞれ電位差を有する第１電極と第２電極からなり、
    前記第１電極と前記第２電極の間にそれぞれ前記第１パージガス、前記リアクタントガス、及び前記第２パージガスの中のいずれか１つを噴射してプラズマを生成することを特徴とする、請求項５または７に記載の基板処理装置。
  13. 前記第１領域と前記第２領域の間の第３領域で第３パージガスを噴射する第３ガス噴射部、および
    前記第３ガス噴射部に前記第３パージガスを噴射する第３パージガス供給源を含むことを特徴とする、請求項３に記載の基板処理装置。
  14. 前記第３パージガスが、プラズマ状態で噴射されることを特徴とする、請求項１３に記載の基板処理装置。
  15. 前記第３ガス噴射部が、前記第３パージガスをプラズマ化するための第３電極部を含むことを特徴とする、請求項１４に記載の基板処理装置。
  16. 前記第３電極部が、電位差を有する第１電極と第２電極からなり、
    前記第１電極と前記第２電極の間に前記第３パージガスを噴射してプラズマを生成することを特徴とする、請求項１５に記載の基板処理装置。
  17. 前記第１パージガス、前記リアクタントガス、及び前記第２パージガスの中のいずれか１つが、リモートプラズマ発生装置に連結したことを特徴とする、請求項４、６、８、１０、１１または１４に記載の基板処理装置。
  18. チャンバの工程空間の第１領域内に第１基板が位置し、前記第１領域と空間的に分離された前記工程空間の第２領域内に第２基板が位置するように、前記チャンバ内部に配置された基板支持部上に、前記第１基板と前記第２基板をそれぞれ載置する工程、
    前記第１領域において、前記第１基板にソースガスを噴射して前記第１基板上に第１ソースガスを吸着させるソース吸着工程、
    前記第１ガスが吸着した第１基板が前記第２領域内に位置するように前記基板支持部を回転させる第１回転工程、
    前記第２領域において、前記第１基板にリアクタントガスを噴射して前記第１基板上に吸着した第１ソースガスと反応して薄膜を形成する薄膜形成工程、および
    前記薄膜が形成された第１基板が前記第１領域に位置するように前記基板支持部を回転させる第２回転工程を含み、
    所定の厚さの薄膜を、前記ソース吸着工程、前記第１回転工程、前記薄膜形成工程、及び前記第２回転工程を複数回繰り返すことにより形成することを特徴とする、基板処理方法。
  19. 前記ソース吸着工程の後に、前記第１基板上に前記ソースガスをパージするための第１パージガスを噴射するソースパージ工程を含むことを特徴とする、請求項１８に記載の基板処理方法。
  20. 前記薄膜形成工程後に、前記第１基板上に前記リアクタントガスをパージするための第２パージガスを噴射するリアクタントガスパージ工程を含むことを特徴とする、請求項１８に記載の基板処理方法。
  21. 前記リアクタントガスと前記第２パージガスの中の少なくとも１つ以上は、プラズマとして生成され噴射されることを特徴とする、請求項２０に記載の基板処理方法。
  22. 前記第１パージガスは、プラズマとして生成され噴射されることを特徴とする、請求項１９に記載の基板処理方法。
  23. 前記薄膜形成工程後に、前記第１基板上に前記リアクタントガスをパージするための第２パージガスを噴射するリアクタントガスパージ工程を含み、
    前記第１パージガスは、プラズマとして生成され噴射され、
    前記リアクタントガスと前記第２パージガスの中の少なくとも１つ以上は、プラズマとして生成され噴射されることを特徴とする、請求項１９に記載の基板処理方法。
  24. 前記リアクタントガスパージ工程後に、前記薄膜をトリートメントするためのトリートメントガスを噴射するトリートメントガス噴射工程を含むことを特徴とする、請求項２０に記載の基板処理方法。
  25. 前記トリートメントガスは、プラズマとして生成され噴射されることを特徴とする、請求項２４に記載の基板処理方法。
  26. 前記薄膜形成工程の後に、前記第１基板上に前記リアクタントガスをパージするための第２パージガスを噴射するリアクタントガスパージ工程、および
    前記リアクタントガスパージ工程の後に、前記薄膜をトリートメントするためのトリートメントガスを噴射するトリートメントガス噴射工程を含み、
    前記トリートメントガスは、プラズマとして生成され噴射され、
    前記第１パージガス、前記リアクタントガス、及び前記第２パージガスの中の少なくとも１つ以上は、プラズマとして生成され噴射されることを特徴とする、請求項１９に記載の基板処理方法。
  27. 前記第１領域に配置された第１電極部、および前記第２領域に配置された第２電極部を含み、
    前記第１電極部および前記第２電極部が、それぞれ電位差を有する第１電極と第２電極からなり、
    前記第１電極と前記第２電極の間に、前記第１パージガス、前記リアクタントガス、前記第２パージガス、および前記トリートメントガスの中のいずれか１つを噴射してプラズマを生成することを特徴とする、請求項２６に記載の基板処理方法。
  28. 前記第１回転工程または前記第２回転工程において、
    前記第１領域と前記第２領域を分割するために第３パージガスを噴射することを特徴とする、請求項１８～２６の中のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  29. 前記第１回転工程または前記第２回転工程において、
    前記第１基板に吸着した第１ソースガスをさらにパージするか、前記第１基板に形成されたリアクタントガスをさらにパージするために第３パージガスを噴射することを特徴とする、請求項１８～２６の中のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  30. 前記第３パージガスは、プラズマとして生成され噴射されることを特徴とする、請求項２８に記載の基板処理方法。
  31. 前記第１回転工程または前記第２回転工程において、
    前記第１領域と前記第２領域を分割するために第３パージガスを噴射することを特徴とする、請求項２７に記載の基板処理方法。
  32. 前記第３パージガスは、プラズマとして生成され噴射されることを特徴とする、請求項３１に記載の基板処理方法。
  33. 前記ソース吸着工程において、前記第２領域で前記第２基板にリアクタントガスを噴射し、
    前記薄膜形成工程において、前記第１領域で前記第２基板にソースガスを噴射することをさらに含み、
    前記第１領域で前記第１基板にソースガスを噴射することと、前記第２領域で前記第２基板にリアクタントガスを噴射することは、同時に実行されることを特徴とする、請求項１８に記載の基板処理方法。
  34. 前記ソース吸着工程において、前記第２領域で前記第２基板にリアクタントガスを噴射し、
    前記薄膜形成工程において、前記第１領域で前記第２基板にソースガスを噴射することをさらに含み、
    前記第２領域で前記第１基板にリアクタントガスを噴射することと、前記第１領域で前記第２基板にソースガスを噴射することは、同時に実行されることを特徴とする、請求項１８に記載の基板処理方法。
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