TW202130773A - 保護膜形成膜、保護膜形成用複合片及裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種用於形成保護膜的保護膜形成膜，所述保護膜形成膜以260℃加熱5分鐘後的保護膜的表面粗糙度Ra1為200nm以下。

Description

保護膜形成膜、保護膜形成用複合片及裝置的製造方法
本發明涉及保護膜形成膜、保護膜形成用複合片及裝置的製造方法。特別涉及適合用於保護晶圓等工件或晶片等工件的加工品的保護膜形成膜、及具備該保護膜形成膜的保護膜形成用複合片、以及使用了該保護膜形成膜的裝置的製造方法。
近年來，藉由被稱為倒裝晶片鍵合(flip chip bonding)的安裝法製造半導體裝置。該安裝法中，在安裝具有形成有凸點(bump)等電極的電路面的半導體晶片時，將半導體晶片的電路面側反轉(面朝下)而連接於晶片搭載部。因此，半導體裝置具有半導體晶片的未形成電路的背面側露出的結構。
因此，為了保護半導體晶片在運輸時等不會受到衝擊，大多會在半導體晶片的背面側形成由有機材料形成的硬質的保護膜。專利文獻1公開了對保護膜進行雷射標記，且雷射標記後的標記部分與除標記部分以外的部分的對比度為20%以上。
然而，從半導體封裝的小型化、高密度安裝的角度出發，將形成有電路、電極等的晶圓級晶片規模封裝(WLCSP)用的晶圓單顆化(singulation)，以晶片製造WLCSP。該晶片在未形成電極等的面上形成有與晶片形狀相同的保護膜。
此外，近年來，藉由利用將多個不同功能的晶片配置在一個封裝內的系統級封裝(SiP)，以謀求兼顧半導體封裝的小型化和高功能化。 ［現有技術文獻］ ［專利文獻］
專利文獻1：日本特開2012-028396號公報
［本發明要解決的技術問題］
在系統級封裝中搭載形成有保護膜的晶片(例如帶保護膜的WLCSP)時，以用密封樹脂覆蓋暴露在外部的保護膜的方式對帶保護膜的晶片進行密封處理。
對於這樣的密封有帶保護膜的晶片(例如帶保護膜的WLCSP)的系統級封裝，在可靠性試驗中，產生了密封樹脂與保護膜之間發生剝離而黏合性下降的問題。
本發明是鑒於上述實際情況而完成的，目的在於提供一種即使在形成有保護膜的晶片等工件的加工品進一步被樹脂密封的情況下，也能夠提高密封樹脂與保護膜之間的黏合可靠性的保護膜形成膜及保護膜形成用複合片、以及使用該保護膜形成用複合片製造裝置的方法。 ［解決技術問題的技術手段］
本發明涉及以下方面。 [1] 一種保護膜形成膜，其是用於形成保護膜的保護膜形成膜，其中，以260℃加熱5分鐘後的保護膜的表面粗糙度Ra1為200nm以下。
[2] 根據[1]所述的保護膜形成膜，其中，保護膜的水接觸角為107°以下。
[3] 根據[1]或[2]所述的保護膜形成膜，其中，以260℃加熱5分鐘前的保護膜的表面粗糙度Ra0為35nm以上。
[4] 根據[1]~[3]中任一項所述的保護膜形成膜，其中，保護膜為熱固化物或能量射線固化物。
[5] 根據[1]~[4]中任一項所述的保護膜形成膜，其中，保護膜含有填充材料。
[6] 根據[5]所述的保護膜形成膜，其中，填充材料由平均粒徑不同的兩種以上填充材料組成。
[7] 一種保護膜形成用複合片，其具備層疊於支撐片上的[1]~[6]中任一項所述的保護膜形成膜。
[8] 一種裝置的製造方法，其具有： 將[1]~[6]中任一項所述的保護膜形成膜、或[7]所述的保護膜形成用複合片所具備的保護膜形成膜貼附於工件背面的工序； 將所貼附的保護膜形成膜進行保護膜化的工序； 將背面具有保護膜或保護膜形成膜的工件單顆化，得到多個帶保護膜或保護膜形成膜的工件的加工品的工序； 將帶保護膜或保護膜形成膜的工件的加工品配置在基板上的工序；及 對配置在基板上的帶保護膜的工件的加工品和基板進行加熱的工序。
[9] 一種裝置的製造方法，其具有： 將[1]~[6]中任一項所述的保護膜形成膜、或[7]所述的保護膜形成用複合片所具備的保護膜形成膜貼附於工件背面的工序； 將所貼附的保護膜形成膜進行保護膜化的工序； 以印字部位的高度大於0μm的方式對保護膜或保護膜形成膜進行雷射標記的工序； 將背面具有保護膜或保護膜形成膜的工件單顆化，得到多個帶保護膜或保護膜形成膜的工件的加工品的工序； 將帶保護膜或保護膜形成膜的工件的加工品配置在基板上的工序；及 對配置在基板上的帶保護膜的工件的加工品和基板進行加熱的工序。
[10] 一種裝置的製造方法，其具有：在[8]或[9]所述的對配置在基板上的帶保護膜的工件的加工品和基板進行加熱的工序之後，用密封樹脂對帶保護膜的工件的加工品所暴露的保護膜進行覆蓋的密封處理工序。
[11] 根據[8]~[10]中任一項所述的裝置的製造方法，其中，工件為晶圓，工件的加工品為晶片。 ［發明效果］
根據本發明，能夠提供一種即使在形成有保護膜的晶片等工件的加工品進一步被樹脂密封的情況下，也能夠提高密封樹脂與保護膜之間的黏合可靠性的保護膜形成膜及保護膜形成用複合片、以及使用該保護膜形成用複合片製造裝置的方法。
首先，對本說明書中所使用的主要術語進行說明。
在本說明書中，例如將「(甲基)丙烯酸酯」用作表示「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」這兩者的術語，其他類似術語也相同。
支撐片是指支撐保護膜形成膜的片材。作為支撐片，可以例示出作為包括基材和黏著劑層的層疊體的黏著片、僅基材體。在本實施方式中，從易於控制與保護膜形成膜及保護膜之間的密合性的角度出發，以及從易於控制也會有益於後述的保護膜的表面粗糙度Ra1的Ra0的角度出發，支撐片較佳為黏著片。
黏著片也可以含有除基材及黏著劑層之外的其他結構層。例如，黏著片也可以具有在基材與黏著劑層之間具備中間層的結構。此外，出於提高基材表面與黏著劑層界面、或基材表面與中間層界面處的密合性、防止低分子量成分的轉移等的目的，可以在黏著劑層側的基材表面上形成底塗層(primer layer)。此外，也可以在黏著劑層的表面層疊用於在使用前保護黏著劑層的剝離膜。此外，基材可以是單層，也可以是具備緩衝層等功能層的多層。
晶圓等工件的「表面」是指形成有電路、電極等的面，「背面」是指未形成電路等的面。
以下，藉由具體的實施方式，按照以下順序詳細地說明本發明。
(1. 保護膜形成膜) 本實施方式的保護膜形成膜，藉由貼附於工件並進行保護膜化，形成用於保護工件或工件的加工品的保護膜。
「保護膜化」是指將保護膜形成膜製成具有充分用以保護工件或工件的加工品的特性的狀態。具體而言，當本實施方式的保護膜形成膜為固化性時，「保護膜化」是指將未固化的保護膜形成膜製成固化物。換言之，經保護膜化的保護膜形成膜是保護膜形成膜的固化物，與保護膜形成膜不同。
將工件與固化性保護膜形成膜重合後，藉由使保護膜形成膜固化，能夠將保護膜牢固地黏合在工件上，能夠形成具有耐久性的保護膜。
另一方面，當本實施方式的保護膜形成膜不含固化性成分而以非固化的狀態進行使用時，在本實施方式的保護膜形成膜被貼附於工件的時間點，該保護膜形成膜即被保護膜化。換言之，經保護膜化的保護膜形成膜，與保護膜形成膜相同。
當不需要高保護性能時，由於無需將保護膜形成膜固化，因此保護膜形成膜易於使用。
在本實施方式中，保護膜形成膜較佳為固化性。因此，保護膜較佳為固化物。作為固化物，例如可例示出熱固化物、能量射線固化物。在本實施方式中，保護膜更佳為熱固化物。
此外，保護膜形成膜較佳在常溫(23℃)時具有黏著性、或藉由加熱發揮黏著性。由此，將工件與保護膜形成膜重合時，能夠將兩者貼合。因此，能夠在將保護膜形成膜固化前確實地進行定位。
工件為被貼附本實施方式的保護膜形成膜並被加工的板狀體。作為工件，例如可列舉出晶圓、面板(panel)。具體而言，可列舉出半導體晶圓、半導體面板。作為工件的加工品，例如可列舉出將晶圓單顆化而得到的晶片。具體而言，可列舉出將半導體晶圓單顆化而得到的半導體晶片。此時，保護膜形成在晶圓的背面側。
保護膜形成膜可以由一層(單層)構成，也可以由兩層以上的多層構成。當保護膜形成膜具有多層時，這些多層可以彼此相同也可以彼此不同，構成這些多層的層的組合沒有特殊限制。
在本實施方式中，保護膜形成膜較佳為一層(單層)。若保護膜形成膜由多層構成，則會存在如下風險：在發生溫度變化的工序(迴焊處理時或使用裝置時)中，因層間熱收縮性的差異而發生層間剝離或膜變形，該膜變形還會牽連表面粗糙度Ra1的變化。然而，若保護膜形成膜由一層構成則能夠降低該風險。
保護膜形成膜的厚度沒有特殊限制，但較佳5μm以上100μm以下、7μm以上50μm以下、9μm以上30μm以下、11μm以上30μm以下、13μm以上25μm以下、14μm以上24μm以下。
藉由將厚度設定在上述範圍內，保護膜中的材料在厚度方向的移動被抑制，易於得到所需的保護膜的表面粗糙度Ra0及Ra1，並且，進行密封處理時，不易產生因密封樹脂流動的壓力導致的帶保護膜的晶片的偏移等惡劣影響。
另外，保護膜形成膜的厚度是指保護膜形成膜整體的厚度。例如，由多層構成的保護膜形成膜的厚度是指構成保護膜形成膜的所有層的總厚度。
以下，對在作為工件的加工品的晶片上形成的保護膜進行說明。具體而言，使用如圖1所示的帶保護膜的晶片10，對本實施方式的保護膜形成膜經保護膜化而形成的保護膜進行說明。
如圖1所示，帶保護膜的晶片10在晶片6a的背面側(圖1中為上方側)形成有保護膜1a，在晶片6a的表面側(圖1中為下方側)形成有凸狀電極6b。
在晶片6a的表面側形成有電路，且凸狀電極6b以與電路電連接的方式而形成。具體細節後述，但帶保護膜的晶片10以其形成有凸狀電極6b的面與晶片搭載用基板相對的方式而配置。然後，藉由規定的加熱處理(迴焊處理)，經由凸狀電極6b與該基板以電連接及機械性連接而安裝。作為凸狀電極6b，可列舉出凸點、柱狀電極等。
(1.1 保護膜的表面粗糙度) 在本實施方式中，將圖1所示的保護膜1a以260℃加熱5分鐘後，保護膜1a的表面S的表面粗糙度為200nm以下。該表面粗糙度以算數平均粗糙度Ra進行表示。在本實施方式中，將以260℃加熱5分鐘後的保護膜1a的表面S的表面粗糙度記為Ra1。即，Ra1為200nm以下。
對於以260℃加熱5分鐘的處理，設想為將帶保護膜的晶片10安裝在晶片搭載用基板上時進行的加熱處理。進行該加熱處理後，有時會利用樹脂對帶保護膜的晶片10進行密封處理。例如在製造多個晶片被密封於一個封裝的系統級封裝(SiP)時會進行該密封處理。
藉由使以260℃加熱5分鐘後的保護膜1a的表面S的表面粗糙度Ra1為200nm以下，保護膜與用於密封帶保護膜的晶片10的密封樹脂之間的黏合可靠性提高。
黏合可靠性提高的原因雖然尚不明確，但例如推測如下：以260℃加熱5分鐘的處理會對保護膜所含成分彼此的相容性產生影響，也會對保護膜所含成分的流動性產生影響。因此，與加熱前相比，以260℃加熱5分鐘後的保護膜的表面粗糙度會有所變化。當表面粗糙度Ra1大於上述範圍時，保護膜的表面不平滑，因此密封樹脂無法充分進入到保護膜的不平坦處，保護膜不能充分嵌入至密封樹脂中。結果，會在保護膜與密封樹脂的界面處產生空隙。該空隙處會存在空氣或水。若在存在空隙的狀態下加熱封裝，則會由於空氣或水蒸氣的膨脹，而使保護膜與密封樹脂之間以空隙為起點而發生剝離。因此，具有保護膜與密封樹脂之間的黏合可靠性下降的趨勢。
此外，藉由使表面粗糙度Ra1為200nm以下，可以期待獲得以下效果。
在WLCSP等中，在封裝的下面配置有凸點等凸狀電極，其在安裝時與基板連接。因此，即使從保護膜側使用光學系統進行檢查，也難以檢測出與基板之間的連接故障(未連接、短路等)。此外，對於使用透射X射線裝置的檢查，雖然能夠檢測出短路故障，但無法檢測出未連接故障。
因此，為了檢測兩種連接故障，例如可以使用利用X射線且為三維檢查法的分層攝影(laminography)法、斷層合成(tomosynthesis)法。對於該使用X射線的檢查方法，X射線所照射的保護膜的表面粗糙度越小，則越能高精度地檢測出連接故障。因此，從檢測連接故障的角度出發，也較佳表面粗糙度Ra1為200nm以下。
表面粗糙度Ra1較佳為150nm以下、125nm以下、100nm以下、80nm以下、60nm以下。
另一方面，表面粗糙度Ra1較佳為35nm以上、40nm以上、45nm以上。藉由將Ra1的下限值設定為上述值，保護膜的表面適度粗糙，因而能夠獲得密封樹脂的錨固效果(anchoring effect)，易於獲得良好的黏合可靠性。
此外，在本實施方式中，以260℃加熱5分鐘前的保護膜1a的表面S的表面粗糙度較佳為35nm以上。該表面粗糙度以算數平均粗糙度Ra表示。在本實施方式中，將以260℃加熱5分鐘前的保護膜1a的表面S的表面粗糙度記為Ra0。即，Ra0較佳為35nm以上。
將Ra0設想為迴焊處理前的保護膜的表面粗糙度。帶保護膜的晶片10是自配置在晶片搭載用基板上的規定的端子部上後進行迴焊處理。作為將帶保護膜的晶片10配置在晶片搭載用基板上的方法，例如可列舉出使用吸嘴，吸住存放在托盤、膠帶等上的帶保護膜的晶片10，並在晶片搭載用基板上規定的位置將帶保護膜的晶片10脫離的方法。在該方法中，保護膜的表面S被吸嘴吸住並脫離。此時，若保護膜的表面S具有一定程度的粗糙度，則保護膜可從吸嘴上順暢地脫離，不會產生位置偏移等。因此，當Ra0在上述範圍內時，帶保護膜的晶片10會被確實地配置在晶片搭載用基板上，安裝不良減少。
表面粗糙度Ra0較佳為35nm以上，更佳為40nm以上，進一步較佳為45nm以上。
(1.2 水接觸角) 在本實施方式中，較佳以260℃加熱5分鐘後的保護膜1a的表面S的水接觸角為107°以下。即，較佳以260℃加熱5分鐘後的保護膜1a的表面S的潤濕性較高的保護膜。藉由使表面S的水接觸角為107°以下，具有保護膜與密封樹脂之間的黏合可靠性提高的趨勢。
水接觸角更佳為105°以下，進一步較佳為102°以下，特別較佳為100°以下。
另外，水接觸角還會隨著表面粗糙度Ra1而發生變化，也會因其它的表面狀態(極性等)而發生變化。
(1.3 保護膜形成用組合物) 只要保護膜具有上述物理特性，則保護膜形成膜的組成沒有特別限定。在本實施方式中，構成保護膜形成膜的組合物(保護膜形成用組合物)較佳為至少含有聚合物成分(A)、固化性成分(B)及填充材料(E)的樹脂組合物。聚合物成分可視為聚合性化合物進行聚合反應而形成的成分。此外，固化性成分為可進行固化(聚合)反應的成分。另外，在本說明書中，聚合反應也包括縮聚反應。
此外，有時聚合物成分所含的成分也屬於固化性成分。在本實施方式中，當保護膜形成用組合物含有屬於這種聚合物成分及固化性成分這兩種成分時，視為保護膜形成用組合物含有聚合物成分及固化性成分。
(1.3.1 聚合物成分) 聚合物成分(A)在使保護膜形成膜具有膜形成性(成膜性)的同時，還會賦予其適度的黏性，從而確實地將保護膜形成膜均一地貼附在工件上。聚合物成分的重均分子量通常在5萬~200萬的範圍內，較佳在10萬~150萬的範圍內，特別較佳在20萬~100萬的範圍內。若重均分子量過小，則在以260℃加熱時，無法抑制保護膜中的材料傾向於使保護膜表面變粗糙的活動。另一方面，若重均分子量過大，則與其他成分的相容性變差，結果會阻礙形成均一的膜。作為這種聚合物成分，例如可以使用丙烯酸樹脂、胺基甲酸乙酯(urethane)樹脂、苯氧樹脂、矽酮(silicone)樹脂、飽和聚酯樹脂等，特別較佳使用丙烯酸樹脂。
另外，在本說明書中，在無特殊說明的情況下，「重均分子量」是指由凝膠滲透色譜法(GPC)測定的聚苯乙烯換算值。
作為丙烯酸樹脂，例如可列舉出由衍生自(甲基)丙烯酸酯單體與(甲基)丙烯酸衍生物的結構單元構成的(甲基)丙烯酸酯共聚物。此處，作為(甲基)丙烯酸酯單體，較佳為烷基的碳原子數為1~18的(甲基)丙烯酸烷基酯，具體可列舉出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯等。此外，作為(甲基)丙烯酸衍生物，例如可列舉出(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸羥基乙酯等。
在本實施方式中，較佳利用甲基丙烯酸縮水甘油酯等向丙烯酸樹脂中導入縮水甘油基。導入有縮水甘油基的丙烯酸樹脂與後述的作為熱固性成分的環氧樹脂的相容性提升，保護膜形成膜的固化後的玻璃化轉變溫度(Tg)增高，耐熱性提升。此外，在本實施方式中，為了控制對工件的密合性或黏著物性，較佳利用丙烯酸羥乙酯等向丙烯酸樹脂中導入羥基。
丙烯酸樹脂的玻璃化轉變溫度較佳為-70℃~40℃、-40℃~36℃、-30℃~32℃、-20℃~28℃、-10℃~24℃、1℃~20℃。藉由將丙烯酸樹脂的玻璃化轉變溫度的下限值設定為上述值，保護膜形成膜及保護膜在加熱時的流動性受到抑制，因此易於控制保護膜的表面粗糙度。
當丙烯酸樹脂具有m種(m為2以上的整數)結構單元時，可以以如下方式計算出該丙烯酸樹脂的玻璃化轉變溫度。即，對於衍生出丙烯酸樹脂中的結構單元的m種單體，分別依次分配從1至m的任一非重複的序號，並將它們命名為「單體m」時，能夠使用如下所示的Fox式計算出丙烯酸樹脂的玻璃化轉變溫度(Tg)。 [數學式1]
Figure 02_image001
式中，Tg為丙烯酸樹脂的玻璃化轉變溫度，m為2以上的整數，Tgk為單體m的均聚物的玻璃化轉變溫度，Wk為丙烯酸樹脂中的衍生自單體m的結構單元m的質量分率，且Wk滿足下式。 [數學式2]
Figure 02_image003
式中，m及Wk與上述m及Wk相同。
作為Tgk，可以使用高分子資料手冊、黏著手冊或聚合物手冊(Polymer Handbook)等記載的值。例如，丙烯酸甲酯的均聚物的Tgk為10℃、丙烯酸正丁酯的均聚物的Tgk為-54℃、甲基丙烯酸甲酯的均聚物的Tgk為105℃、丙烯酸2-羥基乙酯的均聚物的Tgk為-15℃、甲基丙烯酸縮水甘油酯的均聚物的Tgk為41℃、丙烯酸2-乙基己酯的Tgk為-70℃。
當保護膜形成用組合物的總重量為100質量份時，聚合物成分的含量較佳為5~80質量份、6~50質量份、7~40質量份、8~35質量份、9~30質量份、10~25質量份。藉由將聚合物成分的含量的上限值設定為上述值，保護膜形成用組合物中的在以260℃加熱時相對流動性高的成分減少，因此能夠抑制在以260℃加熱時保護膜中的材料傾向於使表面變粗糙的活動。
(1.3.2 熱固性成分) 固化性成分(B)藉由使保護膜形成膜固化，從而形成硬質的保護膜。作為固化性成分，可以使用熱固性成分、能量射線固化性成分、或它們的混合物。當藉由照射能量射線使其固化時，本實施方式的保護膜形成膜由於含有後述的填充材料，因此透光率下降。因此，例如當保護膜形成膜的厚度較厚時，容易使能量射線固化變得不充分。
另一方面，對於熱固性的保護膜形成膜，即使其厚度較厚，也能藉由加熱而充分固化，因此能夠形成保護性能高的保護膜，能夠抑制在以260℃加熱時保護膜中的材料傾向於使表面變粗糙的活動。此外，藉由使用加熱烘箱等通常的加熱手段，能夠一併加熱多個保護膜形成膜並使其熱固化。
因此，在本實施方式中，希望固化性成分為熱固性。即，本實施方式的保護膜形成膜較佳為熱固性。
可藉由以下方式判斷保護膜形成膜是否為熱固性。首先，將常溫(23℃)的保護膜形成膜加熱至高於常溫的溫度，接著冷卻至常溫，由此形成加熱並冷卻後的保護膜形成膜。接著，在相同溫度下，比較加熱並冷卻後的保護膜形成膜的硬度和加熱前的保護膜形成膜的硬度，當加熱並冷卻後的保護膜形成膜較硬時，則判斷該保護膜形成膜為熱固性。
作為熱固性成分，例如較佳使用環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、及它們的混合物。
作為熱固性成分的環氧樹脂，具有受熱時進行三維網狀化、形成強固的被膜的性質。作為這樣的環氧樹脂，可以使用公知的各種環氧樹脂。在本實施方式中，環氧樹脂的分子量(式量)較佳為300以上且小於50000、300以上且小於10000、300以上且小於5000、300以上且小於3000。此外，環氧樹脂的環氧當量較佳為50~5000g/eq、更佳為100~2000g/eq、進一步較佳為150~1000g/eq。
作為這樣的環氧樹脂，具體而言，可列舉出雙酚A、雙酚F、間苯二酚、苯基酚醛清漆(phenyl novolak)、甲酚酚醛清漆(cresol novolak)等酚類的縮水甘油醚；丁二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等醇類的縮水甘油醚；鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、四氫鄰苯二甲酸(tetrahydrophthalic acid)等羧酸的縮水甘油醚；用縮水甘油基取代苯胺異氰脲酸酯等的與氮原子鍵合的活性氫而成的縮水甘油型或烷基縮水甘油型的環氧樹脂；乙烯基環己烷二環氧化物、3,4-環氧環己基甲基-3,4-二環己烷羧酸酯、2-(3,4-環氧)環己基-5,5-螺(3,4-環氧)環己烷-間二氧六環等的藉由例如將分子內的碳-碳雙鍵氧化而導入有環氧基的所謂脂環式環氧化物。另外，也可以使用使其具有聯苯骨架、二環己二烯骨架、萘骨架等的環氧樹脂。
其中，較佳使用雙酚類縮水甘油型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂及苯酚酚醛清漆型環氧樹脂。這些環氧樹脂可以單獨使用一種，也可以組合使用兩種以上。
當使用熱固性成分作為固化性成分(B)時，較佳同時使用固化劑(C)作為助劑。作為針對環氧樹脂的固化劑，較佳為熱活性型潛伏性環氧樹脂固化劑。「熱活性型潛伏性環氧樹脂固化劑」為，於常溫(23℃)下難以與環氧樹脂反應，但藉由加熱至某種溫度以上而活性化，從而與環氧樹脂進行反應的類型的固化劑。對於熱活性型潛伏性環氧樹脂固化劑的活性化方法，有在基於加熱的化學反應中產生活性種(陰離子、陽離子)的方法；在常溫附近下穩定分散於環氧樹脂中，但在高溫下與環氧樹脂相容、溶解並引發固化反應的方法；利用分子篩封入型的固化劑在高溫下溶出並引發固化反應的方法；基於微膠囊的方法等。
在所例示的方法中，較佳在常溫附近下穩定分散於環氧樹脂中，但在高溫下與環氧樹脂相容、溶解並引發固化反應的方法。
作為熱活性型潛伏性環氧樹脂固化劑的具體實例，能夠列舉出各種鎓鹽、二元酸二醯肼化合物、二氰二醯胺、胺加成物固化劑、咪唑化合物等的高熔點活性氫化合物等。這些熱活性型潛伏性環氧樹脂固化劑可以單獨使用一種，或者也可以組合使用兩種以上。在本實施方式中，特別較佳為二氰二醯胺。
此外，作為針對環氧樹脂的固化劑，還較佳為酚樹脂。作為酚樹脂，可無特別限制地使用烷基酚、多元酚、萘酚等酚類與醛類等的縮合物等。具體而言，可以使用苯酚酚醛清漆樹脂、鄰甲酚酚醛清漆樹脂、對甲酚酚醛清漆樹脂、三級丁基苯酚酚醛清漆樹脂、雙環戊二烯甲酚樹脂、聚對乙烯基酚樹脂、雙酚A型酚醛清漆樹脂、或它們的改性物等。
這些酚樹脂中所含的酚羥基，能夠藉由加熱而易於與上述的環氧樹脂的環氧基進行加成反應，從而形成抗衝擊性高的固化物。
相對於100質量份環氧樹脂，固化劑(C)的含量較佳為0.1~30質量份、1.0~25質量份、1.5~20質量份、2.0~18質量份、2.5~16質量份、3.0~14質量份、3.5~12質量份。藉由將固化劑(C)的含量的下限值設定為上述值，保護膜的網狀結構變得緻密，因此能夠抑制在以260℃加熱時保護膜中的材料傾向於使表面變粗糙的活動。
當使用二氰二醯胺作為固化劑(C)時，較佳進一步同時使用固化促進劑(D)。作為固化促進劑，例如較佳2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑等咪唑類(一個以上氫原子被除氫原子之外的基團取代而成的咪唑)。其中，特別較佳為2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑。
相對於100質量份環氧樹脂，固化促進劑的含量較佳為0.01~30質量份、0.1~25質量份、1.0~20質量份、1.5~18質量份、2.0~16質量份、2.5~14質量份、3.0~12質量份。藉由將固化促進劑(D)的含量的下限值設定為上述值，保護膜的網狀結構變得緻密，因此能夠抑制在以260℃加熱時保護膜中的材料傾向於使表面變粗糙的活動。
將保護膜形成用組合物的總重量設為100質量份時，熱固性成分及固化劑的總含量較佳為5~80質量份、6~50質量份、7~40質量份、8~35質量份、9~30質量份、10~25質量份。若以這樣的比例摻合熱固性成分及固化劑，則在固化前顯現出適度的黏性，能夠穩定進行貼附操作。此外，藉由將熱固性成分及固化劑的總含量的下限值設定為上述值，固化後能夠得到被膜強度優異的保護膜，因此能夠抑制在以260℃加熱時保護膜中的材料傾向於使表面變粗糙的活動。
(1.3.3 能量射線固化性成分) 當固化性成分為能量射線固化性成分時，能量射線固化性成分較佳為未固化，較佳為具有黏著性，更佳為未固化且具有黏著性。
能量射線固化性成分是藉由照射能量射線而固化的成分，也是用於賦予保護膜形成膜的成膜性或可撓性等的成分。
作為能量射線固化性成分，例如較佳為具有能量射線固化性基團的化合物。作為這種化合物，可列舉出公知的具有能量射線固化性基團的化合物。
(1.3.4 填充材料) 藉由使保護膜形成膜含有填充材料(E)，將保護膜形成膜進行保護膜化而得到的保護膜，變得易於調整熱膨脹係數。藉由使該熱膨脹係數接近於工件或密封樹脂的熱膨脹係數，使用保護膜形成膜得到的封裝的黏合可靠性得到進一步提升。此外，藉由使保護膜形成膜含有填充材料(E)，能夠得到硬質的保護膜，進一步能夠降低保護膜的吸濕率，從而進一步提高封裝的黏合可靠性。
填充材料(E)可以是有機填充材料及無機填充材料中的任一種，但從高達260℃的高溫下的形狀穩定性的角度出發，較佳為無機填充材料。
作為較佳的無機填充材料，例如可列舉出二氧化矽、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、氧化鐵紅(red oxide)、碳化矽、氮化硼等的粉末；將這些無機填充材料形成球狀的珠子；這些無機填充材料的表面改性物；這些無機填充材料的單結晶纖維；玻璃纖維等。其中，較佳為二氧化矽及經表面改性的二氧化矽。經表面改性的二氧化矽較佳藉由偶聯劑而表面改性。更佳藉由矽烷偶聯劑而表面改性。
無機填充材料的平均粒徑較佳為0.06~10μm，更佳為0.1~10μm，進一步較佳為0.3~9μm。
藉由將無機填充材料的平均粒徑的下限值設定為上述值，保護膜形成用組合物的處理性能良好。因此，易於穩定保護膜形成用組合物及保護膜形成膜的品質，並且易於增大以260℃加熱前的表面粗糙度Ra0。此外，藉由將無機填充材料的平均粒徑的上限值設定為上述值，易於減小以260℃加熱後的表面粗糙度Ra1。
另外，在本說明書中，在無特殊說明的情況下，「平均粒徑」表示藉由雷射繞射散射法而求得的粒度分佈曲線中累計值50%時的粒徑(D50)的值。
將保護膜形成用組合物的總重量設為100質量份時，無機填充材料的含量較佳為15~80質量份、30~76質量份、40~72質量份、45~68質量份、50~66質量份。
藉由將無機填充材料的含量的下限值設定為上述值，易於獲得所需的保護膜的表面粗糙度Ra0。並且，由於保護膜形成用組合物中大量含有以260℃加熱時顆粒自身的形狀不易發生變化的成分，因此能夠抑制在以260℃加熱時保護膜中的材料傾向於使表面變粗糙的活動。此外，藉由將無機填充材料的含量的上限值設定為上述值，易於獲得所需的保護膜的表面粗糙度Ra0，結果也會關係到Ra1的控制。
此外，保護膜形成膜較佳含有兩種以上的填充材料。即，填充材料(E)較佳為兩種以上的填充材料。「含有兩種以上的填充材料」是指，可以含有兩種以上不同材質的填充材料，也可以含有兩種以上不同平均粒徑的填充材料。
在本實施方式中，較佳含有兩種以上不同平均粒徑的填充材料。藉由使保護膜形成膜中含有不同平均粒徑的填充材料，易於在平均粒徑大的填充材料的縫隙間配置平均粒徑小的填充材料。結果，在獲得上述效果的同時，易於將以260℃加熱5分鐘後的保護膜的表面粗糙度Ra控制在上述範圍內。此外，易於將以260℃加熱5分鐘後的保護膜的水接觸角控制在上述範圍內。
當含有兩種以上不同平均粒徑的填充材料時，較佳平均粒徑最大的填充材料的平均粒徑是平均粒徑最小的填充材料的平均粒徑的1.5至100倍，更佳為2~20倍，進一步較佳為3~18倍。
另外，可以藉由觀察保護膜或保護膜形成膜的截面來確認保護膜或保護膜形成膜是否含有兩種以上不同平均粒徑的填充材料。
(1.3.5 偶聯劑) 保護膜形成膜較佳含有偶聯劑(F)。藉由含有偶聯劑，在保護膜形成膜固化後，不會損害保護膜的耐熱性，且能夠提高保護膜與工件之間的黏合性・密合性，同時還能夠提高耐水性(耐濕熱性)。作為偶聯劑，從通用性和成本優勢的角度、以及將水接觸角控制在上述範圍內的角度出發，較佳為矽烷偶聯劑。
作為矽烷偶聯劑，例如可列舉出γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷(γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane)、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-(甲基丙烯醯氧丙基)三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺基乙基)-γ-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-脲基丙基三乙氧基矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷、γ-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基矽基丙基)四硫烷(bis(3-triethoxysilylpropyl)tetrasulfane)、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、咪唑矽烷等。這些矽烷偶聯劑可以單獨使用一種，或者也可以混合使用兩種以上。
(1.3.6 著色劑) 保護膜形成膜較佳含有著色劑(G)。由此，由於晶片等工件的加工品的背面被遮蓋，因此能夠阻斷電子設備內產生的各種電磁波，能夠減少晶片等工件的加工品的故障。
作為著色劑(G)，能夠使用無機類顏料、有機類顏料、有機類染料等公知的著色劑。在本實施方式中，較佳為無機類顏料。
作為無機類顏料，例如可列舉出炭黑、鈷類色素、鐵類色素、鉻類色素、鈦類色素、釩類色素、鋯類色素、鉬類色素、釕類色素、鉑類色素、ITO(氧化銦錫)類色素、ATO(氧化銻錫)類色素等。其中，特別較佳使用炭黑。藉由炭黑，能夠阻斷較寬波長範圍的電磁波。
保護膜形成膜中的著色劑(特別是炭黑)的摻合量，根據保護膜形成膜的厚度的不同而不同，但例如當保護膜形成膜的厚度為20μm時，相對於保護膜形成膜的總質量，較佳為0.05~10質量%、0.1~7質量%、0.5~4質量%。
著色劑(特別是炭黑)的平均粒徑較佳為1~500nm，特別較佳3~100nm，進一步較佳5~50nm。若著色劑的平均粒徑在上述範圍內，則易於將透光率控制在所需範圍內。
(1.3.7 其他添加劑) 保護膜形成用組合物可以在不損害本發明的效果的範圍內含有例如光聚合引發劑、交聯劑、增塑劑、抗靜電劑、抗氧化劑、捕獲劑(gettering agent)、增黏劑等作為其他添加劑。
(2. 保護膜形成用片) 在進行使用前，保護膜形成膜可以剝離膜保護其單面或雙面、且以保護膜形成用片的形態被卷收、保存。剝離膜在使用保護膜形成膜時被剝離。
剝離膜的成分是任意的，可以例示出膜本身對保護膜形成膜具有剝離性的塑膠膜、以及藉由剝離劑等對塑膠膜進行剝離處理後得到的膜。作為塑膠膜的具體實例，可列舉出聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯膜、以及聚丙烯、聚乙烯等聚烯烴膜。作為剝離劑，可以使用矽酮類、氟類、長鏈烷基類等，其中，較佳為廉價且可獲得穩定性能的矽酮類。剝離膜的厚度沒有特別限制，但通常為20~250μm左右。
當在保護膜形成膜的兩面具有剝離膜時，較佳將一個剝離膜的剝離力設置得較大而作為重剝離型剝離膜，並將另一個剝離膜的剝離力設置的較小而作為輕剝離型剝離膜。
(3. 保護膜形成用複合片) 圖2是本實施方式的保護膜形成用複合片的一個實例的截面示意圖。如圖2所示，本實施方式的保護膜形成用複合片3具備：在基材41的一個面上層疊黏著劑層42而形成的黏著片4、層疊在黏著片4的黏著劑層42側的保護膜形成膜1、及層疊在保護膜形成膜1的與黏著片4相反側的周邊部的夾具用黏著劑層5。另外，夾具用黏著劑層5是用於將保護膜形成用複合片3黏合在環狀框架等夾具上的層。
本實施方式的保護膜形成用複合片3，在加工工件時被貼附於該工件從而支撐該工件，並同時將保護膜形成膜1進行保護膜化，從而在該工件或該工件的加工品上形成保護膜。該保護膜可以是非固化的保護膜形成膜1，但較佳由固化的保護膜形成膜1構成。
本實施方式的保護膜形成用複合片3用於在對作為工件的晶圓進行切割加工時支撐晶圓，並同時在作為由切割得到的加工品的晶片上形成保護膜，但並不僅限於此。
(3.1 黏著片) 本實施方式的保護膜形成用複合片3的黏著片4藉由具備基材41、層疊於基材41的一個面上的黏著劑層42而構成。因此，如上所述，黏著片為支撐保護膜形成膜的支撐片。
(3.1.1. 基材) 黏著片4的基材41只要是適合於工件的加工、例如晶圓的切割及擴展的片材，則其構成材料沒有特殊限定，通常由以樹脂類的材料為主要材料的膜(以下稱為「樹脂膜」)構成。
作為樹脂膜的具體實例，可列舉出低密度聚乙烯(LDPE)膜、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)膜、高密度聚乙烯(HDPE)膜等聚乙烯膜；聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、乙烯-降冰片烯共聚物膜、降冰片烯樹脂膜等聚烯烴類膜；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜等乙烯類共聚物膜；聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜等聚氯乙烯類膜；聚對苯二甲酸乙二醇酯膜、聚對苯二甲酸丁二醇酯膜等聚酯類膜；聚氨酯膜；聚醯亞胺膜；聚苯乙烯膜；聚碳酸酯膜；氟樹脂膜等。此外也可以使用它們的交聯膜、離聚物膜等改性膜。上述基材41可以是由這些膜中的一種組成的膜，也可以是進一步將這些膜中的兩種以上進行組合而得到的層疊膜。
上述膜中，從環保安全性、成本等角度出發，較佳為聚烯烴類膜，其中較佳為耐熱性優異的聚丙烯膜。若為聚丙烯膜，則不會損害黏著片4的擴展適應性或晶片等工件的加工品的拾取適應性，並能夠賦予基材41耐熱性。由於基材41具有該耐熱性，即便在將保護膜形成用複合片3貼附於工件的狀態下使保護膜形成膜1熱固化時，也能抑制黏著片4產生鬆弛。並且，儘管隔著黏著劑層但易於控制保護膜的表面粗糙度Ra0，結果也會關係到Ra1的控制。
出於提高上述樹脂膜與層疊在其表面的黏著劑層42的密合性之目的，也可根據需要對上述樹脂膜的單面或雙面實施基於氧化法或凹凸化法等的表面處理、或底塗處理。作為上述氧化法，例如可列舉出電暈放電處理、電漿放電處理、鉻氧化處理(濕式)、火焰處理、熱風處理、臭氧、紫外線照射處理等，此外，作為凹凸化法，例如可列舉出噴砂處理法、熱噴塗處理法等。
對於基材41，上述樹脂膜中也可以含有著色劑、阻燃劑、增塑劑、抗靜電劑、潤滑劑、填料等各種添加劑。
對於基材41的厚度，只要能夠在使用保護膜形成用複合片3的各工序中恰當地發揮功能，則沒有特殊限定。較佳為20~450μm，更佳25~400μm、特別較佳50~350μm的範圍。
(3.1.2. 黏著劑層) 本實施方式的保護膜形成用複合片3的黏著片4所具備的黏著劑層42可以由非能量射線固化性黏著劑構成，也可以由能量射線固化性黏著劑構成。作為非能量射線固化性黏著劑，較佳具有所需黏著力及再剝離性的黏著劑，例如可以使用丙烯酸類黏著劑、橡膠類黏著劑、矽酮類黏著劑、胺基甲酸乙酯類黏著劑、聚酯類黏著劑、聚乙烯基醚類黏著劑等。其中，較佳與保護膜形成膜1的密合性高、且在切割工序等中能夠有效抑制工件或工件的加工品脫落的丙烯酸類黏著劑。此外，從易於控制Ra0、以及易於控制帶保護膜的工件的加工品的拾取適應性的角度出發，也較佳丙烯酸類黏著劑。
另一方面，由於能量射線固化性黏著劑因能量射線的照射而使黏著力下降，因此在欲使工件或工件的加工品與黏著片4分離時，能夠藉由照射能量射線而易於分離。
構成黏著劑層42的能量射線固化性黏著劑也可以以具有能量射線固化性的聚合物為主要成分，也可以以不具有能量射線固化性的聚合物與能量射線固化性的單體和/或低聚物的混合物為主要成分。
作為具有能量射線固化性的聚合物，例如，可例示出導入有能量射線固化性基團的(甲基)丙烯酸酯(共聚物)聚合物等。作為能量射線固化性的單體和/或低聚物，可例示出多元醇與(甲基)丙烯酸的酯。此外，除了含有具有能量射線固化性的成分之外，能量射線固化性黏著劑也可以含有光聚合引發劑、交聯劑等添加劑。
對於黏著劑層42的厚度，只要能夠在使用保護膜形成用複合片3的各工序中恰當地發揮功能，則沒有特殊限定。具體而言，黏著劑層的厚度較佳為1~50μm、2~30μm、2~20μm、3~10μm、3~8μm。
藉由將黏著劑層的厚度的上限值設定為上述值，能夠控制與黏著劑層相接的保護膜形成膜的移動，因此易於獲得所需的保護膜的表面粗糙度Ra0，結果也會關係到Ra1的控制。
作為構成夾具用黏著劑層5的黏著劑，較佳具有所需黏著力及再剝離性的黏著劑，例如可以使用丙烯酸類黏著劑、橡膠類黏著劑、矽酮類黏著劑、胺基甲酸乙酯類黏著劑、聚酯類黏著劑、聚乙烯基醚類黏著劑等。其中，較佳與環狀框架等夾具的密合性高、且在切割工序等中能夠有效抑制保護膜形成用複合片3從環狀框架等上剝落的丙烯酸類黏著劑。另外，也可以在夾具用黏著劑層5的厚度方向上，插入有作為芯材的基材。
從對環狀框架等夾具的黏合性的角度出發，夾具用黏著劑層5的厚度較佳為5~200μm，特別較佳為10~100μm。
(4. 保護膜形成膜的製造方法) 保護膜形成膜的製造方法沒有特殊限定。該膜可以使用上述的保護膜形成用組合物、或者用溶劑將該保護膜形成用組合物進行稀釋而得到的組合物(塗佈劑)來製造。塗佈劑可以藉由公知的方法將構成保護膜形成用組合物的成分進行混合而製備。製備塗佈劑時，較佳使攪拌後的塗佈劑通過網孔為160μm以下的篩網從而進行過濾。由此，去除填料、固化劑、樹脂等各自的凝聚體，結果易於控制保護膜的Ra0、Ra1。
使用輥塗機、刮刀塗佈機(knife coater)、輥刀塗佈機、氣刀塗佈機、模塗機、棒塗機、凹版塗佈機、幕塗機等塗佈機將所得到的塗佈劑塗佈在剝離膜的剝離面上並使其乾燥，在第一剝離膜上形成保護膜形成膜。接著，將第二剝離膜的剝離面貼合在保護膜形成膜的露出面上，得到兩張剝離膜夾持保護膜形成膜1而成的保護膜形成用片。
貼附第二剝離膜時，較佳為一邊加熱至高於常溫(23℃)的溫度一邊進行該貼附。雖然是在保護膜化之前，但能夠控制在與第一剝離膜相接的保護膜形成膜的表面以及接近表面的內部、與第二剝離膜相接的保護膜形成膜的表面以及接近表面的內部的填料的排列狀態，也可控制Ra0和Ra1。
(5. 保護膜形成用複合片的製造方法) 保護膜形成用複合片3的製造方法沒有特殊限制。例如，分別製作包括保護膜形成膜1的第一層疊體、包括作為支撐片的黏著片4的第二層疊體之後，使用第一層疊體及第二層疊體，並藉由層疊保護膜形成膜1和黏著片4而進行製造。
能夠藉由與上述保護膜形成用片相同的方法製造第一層疊體。即，在第一剝離膜的剝離面上形成保護膜形成膜，將第二剝離膜的剝離面貼合在保護膜形成膜的露出面上。
對於第一層疊體，可根據所需實施半切(half cut)，使保護膜形成膜1及第二剝離膜形成所需的形狀，例如圓形等。此時，可以適當地去除因半切而產生的保護膜形成膜1和第二剝離膜的多餘部分。
另一方面，關於製造第二層疊體，首先，製備構成黏著劑層42的黏著劑組合物、或用溶劑稀釋該黏著劑組合物而成的組合物(塗佈劑)。接著，在第三剝離膜的剝離面上塗佈塗佈劑並使其乾燥，在第三剝離膜上形成黏著劑層42。然後，在黏著劑層42的露出面上貼合基材41，得到由黏著片4和第三剝離膜構成的層疊體(第二層疊體)，該黏著片4由基材41及黏著劑層42構成。
此處，當黏著劑層42由能量射線固化性黏著劑構成時，可以在該階段對黏著劑層42照射能量射線而使黏著劑層42固化，也可以在與保護膜形成膜1層疊後使黏著劑層42固化。此外，在與保護膜形成膜1層疊後使黏著劑層42固化的情況下，可以在切割工序前使黏著劑層42固化，也可以在切割工序後使黏著劑層42固化。
作為能量射線，通常可以使用紫外線、電子束等。能量射線的照射量根據能量射線種類的不同而不同，例如在使用紫外線的情況下，以光量計，較佳50~1000mJ/cm2 ，特別較佳100~500mJ/cm2 。此外，在使用電子束的情況下，較佳10~1000krad左右。
如此獲得第一層疊體及第二層疊體後，剝離掉第一層疊體的第二剝離膜，並同時剝離掉第二層疊體的第三剝離膜，將第一層疊體露出的保護膜形成膜1與第二層疊體露出的黏著片4的黏著劑層42貼合。黏著片4可以根據需要進行裁切從而形成所需的形狀，例如具有大於保護膜形成膜1的直徑的圓形等。此時，可以適當去除因裁切而產生的黏著片4的多餘部分。此外，也可以將保護膜形成膜與黏著劑層42製成具有相同直徑的圓形等。
由此獲得保護膜形成用複合片3，其由在基材41上層疊黏著劑層42而成的黏著片4、層疊在黏著片4的黏著劑層42側的保護膜形成膜1、層疊在保護膜形成膜1的與黏著片4相反側的第一剝離膜構成。可以根據需要，在剝離掉第一剝離膜後，在露出的保護膜形成膜1或黏著劑層42的周邊部形成夾具用黏著劑層5。
(6. 裝置的製造方法) 作為本實施方式的使用有保護膜形成膜的裝置的製造方法的一個實例，對在基板上配置有帶保護膜的晶片的封裝的製造方法進行說明，該帶保護膜的晶片是對貼附有保護膜形成膜的晶圓進行加工而得到的。
本實施方式的裝置的製造方法至少具有下述工序1~工序5。 工序1：將保護膜形成用複合片所具備的保護膜形成膜貼附於晶圓背面的工序； 工序2：將所貼附的保護膜形成膜進行保護膜化的工序； 工序3：將背面具有保護膜或保護膜形成膜的晶圓單顆化，從而得到多個帶保護膜或保護膜形成膜的晶片的工序； 工序4：在基板上配置帶保護膜或保護膜形成膜的晶片的工序； 工序5：對配置在基板上的帶保護膜的晶片和基板進行加熱的工序。
另外，由上述明確可知，工序2可以在工序3及工序4之前進行，也可以在工序3之後且工序4之前進行，也可以在工序3及工序4之後進行。
此外，在本實施方式中，上述裝置的製造方法，較佳為具有在工序5之後，利用密封構件對帶保護膜的晶片所暴露的保護膜進行覆蓋處理的工序(工序6)。藉由進行工序6，作為被密封的裝置，能夠得到密封有包括帶保護膜的晶片的多個晶片的封裝。
使用圖4~圖9對上述具有工序1~工序6的裝置的製造方法進行說明。
如圖4所示，將保護膜形成用複合片3的保護膜形成膜1貼附於晶圓6(工序1)。此時，可以用環狀框架7固定保護膜形成膜1的外周部。在本實施方式中，如圖4所示，由於在保護膜形成膜1的外周部設置有夾具用黏著劑層5，因此在環狀框架7上貼附夾具用黏著劑層5。晶圓6被貼附在保護膜形成膜1的與黏著劑層42的貼附面相反的面上。在將保護膜形成膜1貼附在晶圓6上時，也可以根據需要加熱保護膜形成膜1，從而使其發揮出黏著性。
然後，將已貼附的保護膜形成膜1進行保護膜化而形成保護膜(工序2)，得到帶保護膜的晶圓6。當保護膜形成膜1為熱固性時，可以以規定溫度對保護膜形成膜1加熱適當的時間。此外，保護膜形成膜1為能量射線固化性時，可以從黏著片4側照射能量射線。
另外，保護膜形成膜1的固化也可以在切割工序後進行，也可以從黏著片上拾取帶保護膜形成膜的晶片後將保護膜形成膜固化。
接著，藉由公知的方法對帶保護膜的晶圓6進行切割，如圖5所示，得到具有保護膜的晶片(帶保護膜的晶片10)(工序3)。然後，如圖6所示，根據需要將黏著片4在平面方向擴展，藉由吸嘴C從黏著片4上拾取帶保護膜1a的晶片10。
被拾取的帶保護膜的晶片10可以運送至下一工序，也可以暫時儲存保存在托盤、膠帶等上，並在規定的時間後運送至下一工序。
被運送至下一工序的帶保護膜的晶片10，如圖7所示，藉由吸嘴C被運送至基板50，在基板上的端子部從吸嘴C上脫離，並配置在能夠連接凸點等連接電極和焊盤(pad)等端子部的位置(工序4)。此時，當保護膜的表面粗糙度過小時，可能會在從吸嘴上脫離時產生問題，導致在加熱處理後發生連接故障。因此，如上所述，加熱處理前保護膜的表面粗糙度Ra0較佳為35nm以上。此外，如圖8所示，在本實施方式中，也可以在基板50上安裝與帶保護膜的晶片10不同的其他晶片11。因此，該基板上安裝有多個晶片。
對配置在基板上規定位置的帶保護膜的晶片進行加熱處理(迴焊處理)(工序5)。對於迴焊處理的條件，例如較佳最高加熱溫度為180~350℃、迴焊處理時間為2~10分鐘。
在迴焊處理中，帶保護膜的晶片10的凸狀電極6b熔融，與基板上的端子部電連接並機械連接，帶保護膜的晶片10被安裝在基板上。接著，在本實施方式中，藉由利用密封構件對安裝在基板上的多個晶片進行覆蓋，帶保護膜的晶片10被密封(工序6)。多個晶片之間也可填充有密封構件。
使用密封構件30密封多個晶片的方法沒有特殊限定。可以採用下述方法：將迴焊處理後的多個晶片放置在模具內，向模具內注入具有流動性的密封樹脂材料，使密封樹脂材料加熱固化，從而形成密封樹脂層。此外，也可以採用以覆蓋多個晶片的方式放置片狀的密封樹脂，使密封樹脂加熱固化，從而形成密封樹脂層的方法。作為密封構件的材質，例如可列舉出環氧樹脂等。另外，密封樹脂由於藉由加熱而固化，因此本說明書中的「密封樹脂」包括固化前與保護膜接觸的密封樹脂和固化後與保護膜接觸的密封樹脂這兩種。
經過這種密封處理，得到以密封構件30(密封樹脂)覆蓋帶保護膜的晶片10的系統級封裝100(圖9)。此時，由於以260℃加熱5分鐘後的保護膜的表面粗糙度Ra1在上述範圍內，因此即使在迴焊處理後，保護膜的表面粗糙度也較小，保護膜與密封樹脂之間界面的黏合可靠性良好。因此，能夠得到可靠性高的系統級封裝。
作為本實施方式的使用有保護膜形成膜的裝置的製造方法的另一實例，對在基板上配置有帶保護膜的晶片的裝置的製造方法進行說明，所述帶保護膜的晶片是藉由對形成在晶片上的保護膜或保護膜形成膜進行標記而得到的。
該裝置的製造方法與上述裝置的製造方法相同，至少具有工序1~工序5，並且具有以標記部分的高度大於0μm的方式對保護膜或保護膜形成膜進行雷射標記的工序(工序7)。
工序7可以在工序2之後且工序5之前進行。在本實施方式中，較佳為在工序3及工序4之前進行工序7。
藉由進行雷射標記，可以在雷射標記後至配置於基板前的期間內識別帶保護膜形成膜的晶片或帶保護膜的晶片。
對於雷射標記，雖然也可以藉由利用雷射照射削除保護膜形成膜或保護膜的表面來進行標記，但在本實施方式中，較佳進行使標記部分(雷射照射部分)的高度大於0μm的標記。即，較佳為與未進行標記的部分相比，標記部分形成為凸狀。標記部分的保護膜形成膜或保護膜隨著雷射照射而體積增大，由此形成凸狀的標記。
標記部分的高度較佳為0.001μm以上、0.005μm以上、0.010μm以上、0.020μm以上、0.030μm以上。藉由使標記部分的高度大於0μm，與0μm相比，印字的可見性優異。
該裝置的製造方法與上述裝置的製造方法相同，較佳具有在工序5之後，利用密封構件對帶保護膜的晶片所暴露的保護膜進行覆蓋處理的工序(工序6)。藉由進行工序6，能夠得到密封有包括帶保護膜的晶片的多個晶片的封裝。
另外，藉由雷射照射使標記部分形成凹狀時(標記部分被削除時)，與形成凸狀時相比，標記更易變得清晰，且即使在迴焊處理後也易於保持清晰。然而，對標記部分為凹狀的帶保護膜的晶片進行密封處理時，凹狀部分容易形成空隙，結果密封樹脂與保護膜之間的黏合可靠性下降。因此，藉由標記部分的高度大於0μm，能夠提高黏合可靠性。
對於該裝置的製造方法，也可藉由使用圖4~圖9進行說明，其說明與上述裝置的製造方法中的說明相同。對於進行雷射標記的工序，可以使用公知的雷射標記裝置進行標記。
(7. 變形例) 圖3是本發明的另一實施方式的保護膜形成用複合片的截面圖。如圖3所示，本實施方式的保護膜形成用複合片3A具備如下結構：在基材41的一個面上層疊黏著劑層42而成的黏著片4、和層疊在黏著片4的黏著劑層42側的保護膜形成膜1。本實施方式的保護膜形成膜1形成為：俯視時幾乎與工件相同大小或稍大於工件、並且小於黏著片4。未層疊保護膜形成膜1的部分的黏著劑層42可貼附於環狀框架等夾具。
另外，在保護膜形成用複合片3A的黏著片4的黏著劑層42的周邊部，可以另行設置與上述的保護膜形成用複合片3的夾具用黏著劑層5相同的夾具用黏著劑層。
此外，為了在使用前保護保護膜形成膜，也可以在保護膜形成用複合片3、3A的保護膜形成膜1側的面上層疊剝離膜。
以上，對本發明的實施方式進行了說明，但本發明並不僅限於上述實施方式，也可以在本發明的範圍內以各種方式進行修改。［實施例］
以下，藉由實施例對本發明進行更詳細的說明，但本發明並不僅限於這些實施例。
(試驗1) (保護膜形成用片的製造) 按照表1所示的摻合比(固體成分換算)混合下述各成分，用甲基乙基酮稀釋至固體成分濃度為50質量%，從而製備塗佈劑。製備塗佈劑時，在攪拌塗佈劑後使其通過網孔為75μm的聚酯篩網，從而進行過濾，完成製備。 (A)聚合物成分 (A-1)由55質量份丙烯酸正丁酯、10質量份丙烯酸甲酯、20質量份甲基丙烯酸縮水甘油酯及15質量份丙烯酸2-羥基乙酯共聚而成的(甲基)丙烯酸酯共聚物(重均分子量：50萬、玻璃化轉變溫度：-28℃) (A-2)由3質量份丙烯酸正丁酯、88質量份丙烯酸甲酯及9質量份丙烯酸2-羥基乙酯共聚而成的(甲基)丙烯酸酯共聚物(重均分子量：50萬、玻璃化轉變溫度：5℃) (A-3)由3質量份丙烯酸正丁酯、75質量份丙烯酸甲酯、7質量份甲基丙烯酸縮水甘油酯及15質量份丙烯酸2-羥基乙酯共聚而成的(甲基)丙烯酸酯共聚物(重均分子量：40萬、玻璃化轉變溫度：5℃) (B)固化性成分(熱固性成分) (B-1)雙酚A型環氧樹脂(MITSUBISH CHEMICAL CORPORATION 製造，jER828、環氧當量184~194g/eq) (B-2)雙酚A型環氧樹脂(MITSUBISH CHEMICAL CORPORATION 製造，jER1055、環氧當量800~900g/eq) (B-3)雙環戊二烯型環氧樹脂(大日本油墨化學工業公司製造，EPICLON HP-7200HH、環氧當量255~260g/eq) (B-4)甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(Nippon Kayaku Co.,Ltd.製造，EOCN-104、環氧當量220g/eq) (B-5)導入有柔軟性骨架的環氧樹脂(大日本油墨化學工業公司製造，EXA4850-150，分子量900，環氧當量450g/eq) (C)固化劑：二氰二醯胺( MITSUBISH CHEMICAL CORPORATION 製造，DICY7) (D)固化促進劑：2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION製造，CUREZOL 2PHZ) (E)填充材料 (E-1)環氧基修飾球狀二氧化矽填料(ADMATECHS CORPORATION製造，SC2050MA，平均粒徑0.5μm) (E-2)二氧化矽填料(Tokuyama Corporation製造，UF310，平均粒徑3μm) (E-3)無定形二氧化矽填料(TATSUMORI  CORPORATION製造，SV-10，平均粒徑8μm) (F)矽烷偶聯劑：γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基甲基矽烷(Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.製造，KBM403，甲氧基當量12.7mol/g，分子量236.3) (G)著色劑：炭黑(MITSUBISH CHEMICAL CORPORATION 製造，MA600，平均粒徑20nm)
[表1]
摻合 比較例1 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7
聚合物成分 A-1 20 20       20    
A-2       25        
A-3     20   25   20 20
環氧樹脂 B-1 13 3 13 13 13 3 13 13
B-2 1 1 1 1 1 1 1 1
B-3 5 5 5 5 5 5 5 5
B-4 1 1 1 1 1 1 1 1
B-5   10       10    
固化劑 C 1 1 1 1 1 1 1 1
固化促進劑 D 1 1 1 1 1 1 1 1
填充材料 E-1       55 30 10 20 40
E-2       5 30      
E-3 60 60 70     50 50 30
偶聯劑 F 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
著色劑 G 1 1 1 1 1 1 1 1
將製備的塗佈劑塗佈在第一剝離膜(LINTEC CORPORATION製造：SP-PET501031 厚度：50μm)上，以100℃乾燥2分鐘，形成厚度為20μm的保護膜形成膜。接著，將第二剝離膜(LINTEC CORPORATION製造：SP-PET381031 厚度：38μm)貼附在保護膜形成膜上，得到在保護膜形成膜的兩面形成有剝離膜的保護膜形成用片。對於貼附條件，溫度為60℃、壓力為0.6Mpa、速度為1m/分鐘。
(黏著片的製造) 按照下述所示摻合比(固體成分換算)混合下述各成分，用甲基乙基酮稀釋至固體成分濃度為25質量%，製備黏著劑層用塗佈劑。塗佈劑含有：由70質量份丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)、20質量份甲基丙烯酸甲酯(MMA)及10質量份丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)共聚而成的丙烯酸類聚合物100質量份、以及三官能度苯二甲基二異氰酸酯類交聯劑(MITSUI TAKEDA CHEMICALS,INC.製造，TakenateD110N)40質量份。
將製備的塗佈劑塗佈在第三剝離膜(LINTEC CORPORATION製造：SP-PET381031 厚度：38μm)上，以100℃乾燥2分鐘，形成厚度為5μm的黏著劑層。接著，將厚度為80μm的聚丙烯膜(GUNZE LIMITED公司製造，單面為光面/反面為消光面)的光面貼附在黏著劑層上，得到黏著片。
(保護膜形成用複合片的製造) 使用上述得到的保護膜形成用片、黏著片、在剝離膜上形成為與保護膜形成膜的外周部相對應的形狀的夾具用黏著劑層，得到實施例1~7及比較例1的保護膜形成用複合片，這些保護膜形成用複合片在黏著片上形成有保護膜形成膜且在保護膜形成膜的外周部形成有夾具用黏著劑層。
使用所得到的保護膜形成用複合片，進行下述測定及評價。
首先，從實施例1~7及比較例1的保護膜形成用複合片上剝離掉第一剝離膜，使用貼膜機(LINTEC CORPORATION製造的「Adwill RAD2500」)，將實施例1~7及比較例1的保護膜形成用複合片的保護膜形成膜貼附在#2000拋光的矽鏡面晶圓(直徑150mm，厚度75μm)的拋光面上，得到如圖4所示的結構。
將貼附有保護膜形成膜的矽鏡面晶圓在大氣氣氛下的烘箱內於130℃加熱2小時，將保護膜形成膜進行保護膜化，製造帶保護膜的晶圓。
(保護膜的表面粗糙度) 從帶保護膜的晶圓上剝離掉黏著片，使用MITSUTOYO CORP CORPORATION製造的SV-3000，測定保護膜的表面的算術平均粗糙度Ra0(μm)。作為測定條件，按照JIS B0601:2013，設為臨界值λc=0.8mm、評價長度In=10mm。將結果示於表2中。
接著，從帶保護膜的晶圓上剝離掉黏著片，放入烘箱中，以260℃加熱5分鐘後，從烘箱中取出，逐漸冷卻。逐漸冷卻至常溫(23℃)後，使用MITSUTOYO CORP CORPORATION製造的SV-3000，測定保護膜的表面的算術平均粗糙度Ra1(μm)。作為測定條件，依據JIS B0601:2013，設為臨界值λc=0.8mm、評價長度In=10mm。將結果示於表2中。
(保護膜表面的水接觸角) 從帶保護膜的晶圓上剝離掉黏著片，放入烘箱中，以260℃加熱5分鐘後，從烘箱中取出，逐漸冷卻。逐漸冷卻至常溫(23℃)後，以保護膜的表面為測定對象面，在23℃、相對濕度為50%的環境下，使用自動接觸角測定儀(KRUSS CORPORATION製造的「DSA100」)，測定由2μl的水滴獲得的接觸角，並將其作為水接觸角。將水接觸角的測定結果示於表2中。
(半導體封裝的黏合可靠性的評價) 對於帶保護膜的晶圓，經由膜狀黏合劑，將切割管芯鍵合片(dicing die bonding sheet)貼附在與形成有保護膜的與拋光面為相反側的面上，固定於晶圓切割用環狀框架上。作為膜狀黏合劑，使用具有充分的黏合可靠性的膜狀黏合劑，該充分的黏合可靠性為在利用不使用保護膜的封裝的結構(即「基板/膜狀黏合劑/矽晶片/密封樹脂」的結構)進行黏合可靠性試驗時，不會使基板與矽晶片之間發生剝離的程度。
接著，使用切割裝置(DISCO Corporation製造的「DFD651」)，將切割管芯鍵合片及帶保護膜的矽晶圓切割成8mm×8mm的尺寸，得到帶保護膜的半導體晶片。
接著，使用橡膠製吸嘴，從基材上一併拾取帶保護膜的半導體晶片與切割管芯鍵合片的膜狀黏合劑。作為基板，準備在覆銅箔層壓板(MITSUBISHI GAS CHEMICAL Co., Inc. 製造的「CCL-HL830」)的銅箔(厚度18μm)上形成有電路圖案且在該電路圖案上層疊有阻焊劑(TAIYO INK MFG. CO., LTD.製造的「SPR-4000 AUS303」)的基板(CHINO GIKEN CORPORATION製造的「LN001E-001 PCB(Au)AUS303」)。利用固晶裝置(CANON MACHINERY INC.製造的BESTEM-D02)，將上述帶保護膜的半導體晶片隔著膜狀黏合劑，在120℃、2.45N(250gf)、0.5秒的條件下，壓接在該基板上。壓接後，在最高加熱溫度為260℃、加熱時間為5分鐘的條件下，對基板和帶保護膜的半導體晶片的層疊體進行IR迴焊。
接著，使用密封樹脂(KYOCERA CHEMICAL CORPORATION製造的「KE-G125」)，以密封厚度為400μm的方式，將這些各層疊體進行密封，並以175℃加熱5小時，從而使密封樹脂固化。接著，將該經密封的層疊體貼附在切割膠帶(LINTEC CORPORATION製造的「Adwill D-510T」)上，並使用切割裝置(DISCO Corporation製造的「DFD651」)，切割成15mm×15mm的尺寸，得到用於評價黏合可靠性的以樹脂密封有帶保護膜的半導體晶片的半導體封裝。
接著，將得到的半導體封裝在85℃、相對濕度60%的條件下放置168小時，從而使其吸濕後，在最高加熱溫度為260℃、加熱時間為5分鐘的條件下，進行IR迴焊。並且，對於進行了該IR迴焊的半導體封裝，使用掃描型超聲波探傷裝置(HITACHI KENKI FINE TECH CO.,LTD.製造的「Hye-Focus」)，觀察是否產生封裝裂紋。
針對各個實施例及比較例的每10個半導體封裝進行該評價，藉由確認10個中產生封裝裂紋的個數來評價黏合可靠性，並將其示於下述表2的「黏合可靠性試驗」一欄中。另外，在表2中，例如「0/10」的記載表示對10個半導體封裝進行了評價，且10個中有0個觀察到了產生封裝裂紋，即表示並不存在觀察到產生了封裝裂紋的半導體封裝。將產生裂紋的個數為5個以上的樣品判定為「不良(F)」，將產生裂紋的個數為2~4個的樣品判定為「一般(B)」，將產生裂紋的個數為0或1個的樣品判定為「良好(A)」。
[表2]
  比較例1 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7
保護膜 表面粗糙度Ra 260℃ 加熱前 [nm] 214 79 99 44 55 77 95 92
260℃ 加熱後 [nm] 211 90 118 53 56 84 101 94
變化 (加熱後-加熱前) [nm] -3 12 19 9 1 7 6 2
水接觸角 260℃ 加熱後 [°] 108 83 103 97 100 82 101 100
封裝 黏合可靠性 試驗 產生封裝裂紋 的個數 7/10 2/10 4/10 0/10 0/10 1/10 4/10 3/10
是否合格 F B B A A A B B
由表2可以確認到，當以260℃加熱5分鐘後的保護膜的表面粗糙度Ra1在上述範圍內時，封裝的黏合可靠性良好。此外，即便是Ra1為同等程度的樣品(實施例1及7)，水接觸角低的樣品(實施例1)雖然略微但仍能確認到黏合可靠性優異。
此外，由表2可知，藉由使用不同平均粒徑的兩種填充材料(填料)，具有能夠將加熱前後Ra的變化[nm]抑制得較小的趨勢。能夠確認由此具有易於使以260℃加熱5分鐘後的保護膜的表面粗糙度Ra1在上述範圍內的趨勢。
另外，在將帶保護膜的半導體晶片配置在基板上的工序中，所有的實施例及比較例的保護膜均能順暢進行從橡膠吸嘴上的脫離。推測這是由於Ra0在上述範圍內而造成的。
(試驗2) 除了使用實施例5的保護膜形成用複合片，對保護膜進行雷射標記之外，以與實施例1相同的方式，製備以樹脂密封有帶保護膜的半導體晶片的半導體封裝，進行與試驗1相同的黏合可靠性評價。
(雷射標記) 將保護膜形成膜進行保護膜化之後，利用雷射標記裝置(EO Technics Co.,Ltd.製造的「CSM300M」)，從帶保護膜形成用複合片的晶圓的黏著片側向保護膜照射雷射，從而對保護膜的表面進行雷射標記。作為照射條件，雷射波長：532nm、Draw speed(繪製速度)：20mm/s、Power(功率)：0.11W和0.14W。此外，對於每個晶片，標記3行「888」(共9個字)，每個字的尺寸為縱0.5mm×橫0.4mm。
接著，從雷射標記後的帶保護膜的晶圓上剝離掉黏著片，使用雷射顯微鏡(Keyence CORPORATION製造的「VK-9700」)，按照以下所示的順序，測定「8」文字的中心部的高度。對260℃加熱前的帶保護膜的晶圓進行測定。
首先，以橫跨未印字部分/印字部分/未印字部分的方式，指定保護膜表面上的測定位置(直線狀)。接著，分別測定兩側未印字部分的10μm測定距離的平均高度，將兩側的測定值相加除以2，記為「未印字部分的平均高度[μm]」。接著，測定印字部分中央的10μm測定距離的平均高度，記為「印字部分的平均高度[μm]」。利用下式，由所得到的值計算出印字部分的高度。 印字部分的高度[μm]=(印字部分的平均高度)-(未印字部分的平均高度)
對9個字中四個角的4個字進行上述測定，將4個字的高度平均值記為最終的印字部分的高度。
以與試驗1相同的方式，將測定後的帶保護膜的晶圓以260℃加熱5分鐘，並進行切割，得到帶保護膜的半導體晶片。使用所得到的帶保護膜的半導體晶片，以與試驗1相同的方式，得到以樹脂密封有帶保護膜的半導體晶片的半導體封裝。以與試驗1相同的方式，對所得到的半導體封裝進行黏合可靠性評價。
當在雷射標記時功率為0.11W的情況，印字部分的高度為0.019μm，能夠識別到印字，並在黏合可靠性試驗中獲得了「0/10」的結果(判定為A)。
當在雷射標記時功率為0.14W的情況，印字部分的高度為0.038μm，能夠識別到印字，並在黏合可靠性試驗中獲得了「0/10」的結果(判定為A)。
推測即使進行雷射標記，由於標記部分的高度大於0μm，因此能夠識別到印字，且未對黏合可靠性產生惡劣影響。
另外，若對雷射標記後的帶保護膜的晶圓進行260℃的加熱，則肉眼確認到的印字與加熱前相比會有變得不清晰的趨勢，但在進行密封處理的情況下，由於標記部分被密封樹脂覆蓋，因此並不會造成很大的問題。 ［工業實用性］
本發明的保護膜形成膜及保護膜形成用複合片適合用於製造封裝有帶保護膜的晶片的封裝。
10:帶保護膜的晶片 1:保護膜形成膜 1a:保護膜 6a:晶片 6b:凸狀電極 3,3A:保護膜形成用複合片 1:保護膜形成膜 4:黏著片 41:基材 42:黏著劑層 5:夾具用黏著劑層 6:晶圓 7:環狀框架 50:基板 100:系統級封裝
圖1為具有將本實施方式的保護膜形成膜進行保護膜化而得到的保護膜的晶片的一個實例的截面示意圖。 圖2為本實施方式的保護膜形成用複合片的一個實例的截面示意圖。 圖3為本實施方式的保護膜形成用複合片的另一實例的截面示意圖。 圖4為用於說明將本實施方式的保護膜形成用複合片貼附於晶圓的工序的截面示意圖。 圖5為用於說明將形成有保護膜的晶圓單顆化的工序的截面示意圖。 圖6為用於說明拾取形成有保護膜的晶片的工序的截面示意圖。 圖7為用於說明將形成有保護膜的晶片配置在基板上的工序的截面示意圖。 圖8為示出配置有形成有保護膜的晶片和其他晶片的基板的截面示意圖。 圖9為示出使用密封樹脂對安裝在基板上的形成有保護膜的晶片進行密封處理而得到的系統級封裝的截面示意圖。
1a:保護膜
6a:晶片
6b:凸狀電極
10:帶保護膜的晶片
S:表面

Claims (11)

  1. 一種保護膜形成膜，其是用於形成保護膜的保護膜形成膜，其中，以260℃加熱5分鐘後的所述保護膜的表面粗糙度Ra1為200nm以下。
  2. 如請求項1所述的保護膜形成膜，其中，所述保護膜的水接觸角為107°以下。
  3. 如請求項1或2所述的保護膜形成膜，其中，以260℃加熱5分鐘前的所述保護膜的表面粗糙度Ra0為35nm以上。
  4. 如請求項1~3中任一項所述的保護膜形成膜，其中，所述保護膜為熱固化物或能量射線固化物。
  5. 如請求項1~4中任一項所述的保護膜形成膜，其中，所述保護膜含有填充材料。
  6. 如請求項5所述的保護膜形成膜，其中，所述填充材料由不同平均粒徑的兩種以上的填充材料組成。
  7. 一種保護膜形成用複合片，其具備層疊於支撐片上的如請求項1~6中任一項所述的保護膜形成膜。
  8. 一種裝置的製造方法，其具有： 將如請求項1~6中任一項所述的保護膜形成膜、或如請求項7所述的保護膜形成用複合片所具備的保護膜形成膜貼附於工件背面的工序； 將所貼附的保護膜形成膜進行保護膜化的工序； 將背面具有保護膜或保護膜形成膜的所述工件單顆化，得到多個帶保護膜或保護膜形成膜的工件的加工品的工序； 將所述帶保護膜或保護膜形成膜的工件的加工品配置在基板上的工序；及 對配置在基板上的所述帶保護膜的工件的加工品和所述基板進行加熱的工序。
  9. 一種裝置的製造方法，其具有： 將如請求項1~6中任一項所述的保護膜形成膜、或如請求項7所述的保護膜形成用複合片所具備的保護膜形成膜貼附於工件背面的工序； 將所貼附的保護膜形成膜進行保護膜化的工序； 以標記部位的高度大於0μm的方式對所述保護膜或所述保護膜形成膜進行雷射標記的工序； 將背面具有保護膜或保護膜形成膜的所述工件單顆化，得到多個帶保護膜或保護膜形成膜的工件的加工品的工序； 將所述帶保護膜或保護膜形成膜的工件的加工品配置在基板上的工序；及 對配置在基板上的所述帶保護膜的工件的加工品和所述基板進行加熱的工序。
  10. 如請求項8或9所述的裝置的製造方法，其具有在對配置在基板上的所述帶保護膜的工件的加工品和所述基板進行加熱的工序之後，用密封構件對帶保護膜的工件的加工品所暴露的保護膜進行覆蓋的工序。
  11. 如請求項8~10中任一項所述的裝置的製造方法，其中，所述工件為晶圓，所述工件的加工品為晶片。
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