TW202130764A - 用於圖案化預成型物之製造及膠帶轉移方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種用於轉移膠帶上之圖案化預成型物之製造方法及此類圖案化預成型物以及使用轉移膠帶作為載體。用於圖案化預成型物之製造方法包含以下步驟： -提供包含剛性基底及膠帶之圖案化膠帶，其中該膠帶由聚醯亞胺或聚二甲基矽氧烷製成，其中該剛性基底至少部分地由該膠帶覆蓋，且其中該膠帶包含凹部之圖案，及 -藉由導電材料至少部分地填充該圖案化膠帶之該等凹部，以獲得該圖案化預成型物。 導電材料包含具有第一熔點之第一組分及具有不同於第一熔點之第二熔點之第二組分的混合物。

Description

用於圖案化預成型物之製造及膠帶轉移方法
本發明係關於一種用於待用作轉移膠帶之圖案化預成型物的製造方法及此類圖案化預成型物。製造方法可能係關於用於連接電子組件之導電材料(諸如焊料或燒結材料)之技術領域。製造方法尤其適合於實現在兩個相鄰印刷焊料凸塊之間具有微米、亞微米及奈米級間隙間距離之高精度及精細間距應用。
在例如小型及微型LED應用中，焊料膏印刷技術正發展至在兩個相鄰印刷焊料凸塊之間具有小間隙間距離之精細間距模版印刷。而在粉末大小及精確印刷方面，更小間隙間距離對現有模版焊料印刷膏技術提出了挑戰，以避免由於非常緊密相鄰之焊料凸塊之橋接而導致的電端子短路。
因此，需要提供一種改良之製造方法，其允許與先前技術相比具有甚至更小間隙間距離之更精細的應用。
本發明之問題藉由獨立技術方案之主題解決，其中其他實施例併入於附屬技術方案中。應注意，下文中所描述之本發明之態樣適用於圖案化預成型物、用於圖案化預成型物之製造方法以及圖案化預成型物之膠帶轉移方法。
根據本發明，呈現用於圖案化預成型物之製造方法。用於製造圖案化預成型物之方法包含以下步驟： a)提供包含剛性基底及膠帶之圖案化膠帶，其中該膠帶由聚醯亞胺或聚二甲基矽氧烷(PDMS)製成，其中該剛性基底至少部分地由該膠帶覆蓋，且其中該膠帶包含凹部之圖案。 b)藉由導電材料至少部分地填充圖案化聚醯亞胺或聚二甲基矽氧烷膠帶之凹部以獲得圖案化預成型物。
導電材料包含具有第一熔點之第一組分及具有不同於第一熔點之第二熔點之第二組分的混合物。
藉由上文所列之製造方法步驟獲得之圖案化預成型物可用作圖案化轉移膠帶。換言之，剛性基底及膠帶可用作導電材料之運輸載體，該導電材料由剛性基底及膠帶固持。圖案化轉移膠帶可隨後允許將導電材料轉移或運輸至相異位置(例如，客戶)且允許對導電材料進行進一步加工或將其施加於客戶的基板上，如下文中所解釋。可將圖案化預成型物取出且以反轉位置(翻轉)鋪設於實際基板(例如，由客戶提供以用於LED附接之基板)上，在該反轉位置中，導電材料面向基板且膠帶背離基板之表面。剛性基底及膠帶可經移除，使得僅導電材料保留在例如LED基板上以提供用於例如LED組件之附接部分。換言之，製造方法可進一步包含以下步驟： c)將圖案化預成型物置放於基板(例如，藉由將圖案化預成型物(轉移膠帶)翻轉至反轉位置) d)移除剛性基底及膠帶，使得導電材料部分保留在基板上以提供用於電子組件之附接部分。
剛性基底及/或基板可為由玻璃或聚合物材料製成之半導體級面板或基底，該玻璃或聚合物材料耐受例如150℃至170℃之溫度。玻璃材料可包含SiO2 。聚合物材料可包含聚醯胺、PMMS、聚苯硫醚(PPS)、聚醚醯亞胺、聚碸、液晶聚合物、聚醚醚酮、PET、聚噻𠯤及/或其類似物。
剛性基底之尺寸可為例如5 mm至1000 mm之長度及寬度及1 mm至100 mm之厚度，較佳5 mm至500 mm之長度及寬度及1 mm至20 mm之厚度。
凹部可為任何大小或形狀之任何種類之通道、孔口或開口。大小可為若干mm、µm或若干nm。形狀可為圓形、環形、橢圓形、角形、矩形、多邊形或其類似形狀。凹部均可類似或不同。凹部可為開口通孔、通道、盲孔或凹痕。凹部之深度可為1至1000 µm，較佳5至200 µm，其產生10-100 µm之印刷膏厚度。
步驟b)中之「填充凹部」可理解為將膏形式之導電材料印刷、分配或噴射至膠帶中之凹部或開口中。亦可例如藉由分配來將導電材料以粉末形式施加至凹部中，最終繼之以加熱或以其他方式壓縮步驟以增加粉末粒子之間的密度及黏著力。
設置於凹部中之導電材料可包含或可為焊料或燒結膏或粉末材料。導電材料可包含焊料合金、金屬粉末、摻雜金屬、摻雜金屬合金、導電黏著劑或其類似材料。導電材料包含具有不同熔點之第一組分及第二組分的混合物。較佳地，兩種組分均為焊料合金。在實例中，導電材料之第一組分包含或為BiSnAg合金。在實例中，導電材料之第二組分包含或為SnAgCu合金。導電材料可進一步包含熱及/或UV固化劑、黏合劑、溶劑、分散劑、流變改質劑及/或其類似物作為第一組分或第二組分中之一者或作為額外組分。
根據本發明之製造方法尤其適合於製造具有微米、亞微米及奈米級間隙間距離之高精度及精細間距應用。自一個印刷點或方形之中心至最接近相鄰印刷點或方形的間隙間距離可在奈米至微米範圍內。較佳地，至少一些間隙間距離小於30 µm，較佳小於20 µm，更佳小於10 µm。
根據本發明之製造方法允許製造在膠帶中具有極小凹部之高精度及精細間距應用，且藉此具有與待由導電材料連接之電子組件連接的極小連接點。在實例中，膠帶中之至少一些凹部具有在微米至奈米範圍內的直徑或尺寸或大小。較佳地，取決於客戶基板設計，至少一些凹部具有介於10 µm至100 µm之間的寬度，或小於25 µm、較佳小於18 µm、更佳小於10 µm之寬度。
另外，根據本發明之製造方法避免呈導電材料之不同高度及/或組成之形式的不均勻材料沈積，且有助於提高製造產量(throughput)及品質。
待藉由根據本發明之方法製造之精細間距應用可為小型或微型LED應用、半導體後端封裝應用、表面安裝互連應用及其類似應用。
在實例中，提供圖案化膠帶之步驟a)進一步包含以下步驟： -提供剛性基底， -用膠帶至少部分地覆蓋剛性基底，且 -在膠帶中提供凹部之圖案。
該膠帶較佳由聚醯亞胺或PDMS製成或包含聚醯亞胺或PDMS。可藉由例如最終使用膠之機械輥壓而將膠帶施加至剛性基底。膠帶可固定至剛性基底。
在實例中，提供圖案化膠帶之步驟a)進一步包含在剛性基底與膠帶之間提供中間塗層的步驟。中間塗層可保護圖案化膠帶免受濕氣、灰塵、化學物質、空氣污染物、溫度極值及其類似者影響。中間塗層可使自剛性基底移除膠帶易於實現。中間塗層可為保形塗層，其意謂『符合』底板拓樸結構的例如1-25 µm之厚度、較佳1-5 µm之厚度的保護塗層或聚合物膜。中間塗層之材料組成可取決於剛性基底材料。對於作為剛性基底之玻璃面板，塗層可為硝酸鹽或氧化膜。對於作為剛性基底之聚合物基底，塗層可為聚合物，例如聚胺基甲酸酯、聚矽氧、丙烯酸、氟化或無氟化-聚對位二甲苯(聚對二甲苯)、環氧樹脂、非晶形含氟聚合物及/或其類似物。中間塗層可例如藉由噴塗、分配或旋塗來施加。
在另一實例中，提供圖案化膠帶之步驟a)包含以下步驟(不一定為此等步驟中之全部或按此次序)： -提供基底或矽晶圓， -在基底之至少部分上施加遮罩， -至少在基底之未遮蔽部分中施加塗層， -藉由例如UV輻射使塗層硬化， -移除遮罩之非所需部分， -取決於經遮蔽及/或經蝕刻之部分而蝕刻基底以接收不同厚度之部分， -在經蝕刻之基底上澆注膜，較佳由聚二甲基矽氧烷製成或包含聚二甲基矽氧烷之膜， -移除經蝕刻之基底，膠帶現在提供基底之負形，且包含與藉由較早蝕刻獲得之不同厚度的基底之部分類似的凹部， -將膠帶施加於例如由玻璃製成之剛性基底上，且 -藉由例如電漿或藉由黏著膜或其類似者接合剛性基底與膠帶。
將聚醯亞胺或聚二甲基矽氧烷膠帶圖案化，且可藉由光微影、化學蝕刻(濕式及乾式)、雷射切割或其類似方法來產生膠帶中之凹部圖案。
在實例中，藉由導電材料至少部分地填充圖案化膠帶之凹部的步驟b)進一步包含刮板步驟，以移除超過凹部之導電材料(例如過量膏)及/或將導電材料整平(level)。
在實例中，製造方法進一步包含在圖案化膠帶及經填充之凹部的頂部上提供惰性膜的步驟。可藉由例如噴塗、膠合、機械輥壓將惰性膜層疊至圖案化膠帶及經填充之凹部上。惰性膜可為氧化膜、有機膜、熱塑性膜、犧牲膜或其類似膜。惰性膜可在處理期間且尤其在運輸至客戶期間保護圖案化預成型物。當不再需要惰性膜時且在連接至基板之前，可以機械方式或以其他方式移除(例如燒掉)惰性膜。惰性膜之厚度可在1 µm至2000 µm範圍內。
步驟c)係在基板上提供圖案化預成型物。其可包含將焊劑處理或噴塗至基板及/或預成型物上以例如防止氧化及/或改良黏性及處理特性。
步驟c)可包含例如將圖案化預成型物相對於基板光學對準。此可例如藉助於基準物來進行。
步驟c)可包含用於將圖案化預成型物(預)固定至基板之部分回焊或第一加熱。換言之，在實例中，在步驟c)中將圖案化預成型物鋪設於基板上之後可能存在另一步驟。此步驟可能為在步驟d)中移除剛性基底及膠帶之前的第一加熱步驟。部分回焊或第一加熱可在100℃至190℃、較佳150℃至175℃範圍內。持續時間可在1分鐘與30分鐘之間。
在另一實例中，可使用可局部施加至預成型物或基板上之固定劑(諸如膠、一滴溶劑)將圖案化預成型物(預)固定至基板。
步驟d)可理解為在電子組件(例如LED組件)附接至導電材料之前移除除導電材料圖案之外的所有其他事物。步驟d)亦可包含處理或噴塗焊劑以例如防止氧化。換言之，製造方法可進一步包含在步驟d)中或之前在基板、圖案化預成型物及/或電子組件之間提供焊劑之步驟。
步驟d)亦可包含用於將電子組件(預)固定至導電材料圖案的加熱。步驟d)之後可為焊接、第二加熱或回焊步驟以最終將電子組件固定至導電材料圖案。最終回焊或第二加熱可在200℃至300℃、較佳220℃至270℃範圍內。持續時間可在1分鐘與20分鐘之間。
導電材料包含具有不同熔點之第一組分及第二組分的混合物。第一組分及第二組分可均為金屬、金屬合金、摻雜金屬或摻雜金屬合金，或其在本質上可不同，例如一種組分可為樹脂、溶劑、分散劑。較佳地，其為金屬、金屬合金、摻雜金屬或摻雜金屬合金之混合物，例如呈粉末形式之焊料合金及/或焊料。不同熔點允許上文解釋之不同加熱或回焊步驟滿足不同功能。第一組分具有第一熔點而第二組分具有第二熔點。第二熔點可高於第一熔點。在第一較低熔點下，不存在第二組分之反應或熔融或至少不存在其完全反應或熔融。
在實例中，選擇第一熔點以實現導電材料與基板之間的接合。此可理解為，第一組分經組態或經選擇以具有以下熔點(本文中稱為第一熔點)，該熔點經組態以在圖案化預成型物經受等於或高於第一熔點之溫度的溫度時，實現導電材料與基板之間的接合。
在實例中，選擇第二熔點以使得能夠在導電材料與電子組件之間形成接合。此可理解為，第二組分經選擇以具有以下熔點(本文中稱為第二熔點)，該熔點經組態以在圖案化預成型物經受等於或高於第二熔點之溫度的溫度時，實現導電材料與電子組件之間的接合。
在實例中，第二熔點高於第一熔點。
在實例中，選擇第二熔點以使得能夠至少在第一組分與第二組分之間形成一或多個金屬間相。此可理解為，第二組分經選擇以具有以下熔點(本文中稱為第二熔點)，該熔點經組態以使得在圖案化預成型物經受等於或高於第二熔點之溫度的溫度時，能夠至少在第一組分與第二組分之間形成一或多個金屬間相。
在實例中，亦選擇第二熔點以實現第一組分與電子組件之間及/或第二組分與基板之間的一或多個金屬間相。此可理解為，第二組分經選擇以具有以下熔點(本文中稱為第二熔點)，該熔點經組態以使得在圖案化預成型物經受等於或高於第二熔點之溫度的溫度時，能夠至少在第一組分與電子組件之間及/或在第二組分與基板之間形成一或多個金屬間相。
換言之，選擇第一熔點以實現導電材料與基板之間的接合，且選擇第二熔點以實現電子組件與基板之間經由導電材料之強連接。第一接合可為弱接合，諸如黏著力，或可至少在不同材料或組分之邊界處經由至少一個金屬間相之第一形成而更強。可進一步選擇第二熔點以例如經由導電材料之金屬組分、基板及電子組件之間的金屬間相形成來實現電子組件與基板之間之強連接。導電材料內及/或導電材料與基板之間及/或導電材料與電子組件之間的接合允許移除剛性基底及膠帶而不將導電材料撕裂開。接合提供結構完整性。
在實例中，導電材料之第一組分包含或為BiSnAg合金。導電材料之第一較低溫度組分可具有可能的合金組成：Sn57Bi或Sn56Bi1Ag或具有例如130℃至150℃之熔融範圍的類似物。在實例中，導電材料之第二組分包含或為SnAgCu合金。導電材料之第二較高溫度組分可具有合金組成：Sn3Ag0.5Cu(=SAC305)、Sn4Ag0.5Cu、Sn1Ag0.5Cu或具有例如215℃至225℃之熔融範圍的類似物。
導電材料較佳為焊料合金或粉末之混合物或膏。相對於總膏含量，第一較低溫度組分之含量可為1至10 wt%，且第二較高溫度組分之含量可為85至95 wt%。例示性膏組合物可為1 wt% Sn57Bi1Ag+87 wt% SAC305，其意謂膏中之88 wt%總金屬含量。
導電材料可包含T6至T9粒子，其意謂以下大小分佈之粒子直徑：T6：80%之粒子具有5-15 µm之間的直徑，T7：80%之粒子具有2-11 µm之間的直徑，T8：80%之粒子具有2-8 µm之間的直徑，T9：80%之粒子具有1-4 µm之間的直徑。
導電材料可包含其他組分，諸如添加劑、溶劑、分散劑、流變改質劑等。
根據本發明，亦呈現圖案化預成型物。圖案化預成型物包含圖案化膠帶。圖案化膠帶包含剛性基底及膠帶。膠帶由聚醯亞胺或聚二甲基矽氧烷製成。剛性基底至少部分地由膠帶覆蓋。圖案化預成型物進一步包含設置於膠帶中的凹部之圖案。圖案化膠帶之凹部至少部分地由導電材料填充以獲得圖案化預成型物。導電材料包含具有第一熔點之第一組分及具有第二熔點之第二組分的混合物。第二熔點不同於第一熔點。
凹部可為任何大小或形狀之任何種類之通道或開口。凹部均可類似或不同。凹部可為通孔或盲孔。在實例中，至少一些凹部具有小於25 µm、較佳小於18 µm之寬度。
在實例中，第二熔點高於第一熔點。在實例中，導電材料之第一組分包含或為BiSnAg合金。在實例中，導電材料之第二組分包含或為SnAgCu合金。
在實例中，圖案化預成型物進一步包含剛性基底與膠帶之間的中間保形塗層。在實例中，圖案化預成型物進一步包含圖案化膠帶及經填充之凹部的頂部上之惰性犧牲膜。
圖案化預成型物可用於小型或微型LED應用、半導體後端封裝、表面安裝互連及其類似應用。圖案化預成型物之寬度可取決於客戶基板設計且可在1 mm與1000 mm之間或甚至更大。
應理解，根據獨立技術方案之圖案化預成型物及用於圖案化預成型物之製造方法具有類似及/或相同較佳實施例，特定言之如附屬技術方案中所定義。應進一步理解本發明之較佳實施例亦可為附屬技術方案與各別獨立技術方案之任何組合。
本發明之此等及其他態樣將自下文中所描述之實施例變得顯而易見且參考下文中所描述之實施例進行闡明。
圖1至10示意性地及例示性地展示用於圖案化預成型物1之製造及應用方法的實施例。該方法包含以下步驟： 圖1)  提供剛性基底11。在剛性基底11上提供中間塗層15。中間塗層15可保護免受濕氣、化學物質及其類似者影響。 圖2)  用膠帶12覆蓋剛性基底11及中間塗層15。膠帶較佳由聚醯亞胺或PDMS製成或包含聚醯亞胺或PDMS。將膠帶12在此處藉由例如機械輥壓而施加至剛性基底11。 在膠帶12之頂部上提供惰性膜16。惰性膜16可為氧化膜、熱塑性膜、犧牲膜或其類似膜。可將其噴塗至膠帶12上。 圖3)  在膠帶12及惰性膜16中提供凹部13之圖案以獲得圖案化膠帶10。凹部13在此處藉由光微影施加。凹部13在此處為盲孔。凹部13之大小可為若干µm或若干nm。可將另一惰性膜16噴塗至凹部13中且噴塗至圖案化膠帶10上。 圖4)  藉由導電材料14填充圖案化膠帶10之凹部13以獲得圖案化預成型物1。填充凹部13可藉助於將導電材料14填充至膠帶12中之凹部13中的焊料膏印刷或噴射噴嘴17來進行。 導電材料14包含具有不同熔點之第一組分及第二組分的混合物。較佳地，兩種組分均為焊料合金。不同熔點允許不同加熱步驟具有不同功能。導電材料14之第一組分在此處為BiSnAg合金。導電材料14之第二組分在此處為SnAgCu合金。 藉助於刮板18移除超出凹部13之導電材料14。 圖5)  在圖案化膠帶10及經填充之凹部13的頂部上提供惰性膜16。惰性膜16可為氧化膜、熱塑性膜、犧牲膜或其類似膜。可將其噴塗至圖案化膠帶10及經填充之凹部13上。惰性膜16可在處理期間且尤其在運輸至客戶期間保護圖案化預成型物1。 藉由上文所列之製造方法步驟獲得的圖案化預成型物1用作圖案化轉移膠帶，或換言之，用作導電材料14之運輸載體，該導電材料14由剛性基底11及膠帶12固持。圖案化轉移膠帶允許將導電材料14轉移或運輸至例如客戶且允許對導電材料14進行進一步加工或將其施加於客戶的基板20上，如下文中所解釋。 圖6)  提供基板20。基板20在此處由客戶提供以用於LED附接及/或半導體高級封裝應用。可將用以例如防止氧化及/或改良黏性之焊劑噴塗至基板20上或噴塗至圖案化預成型物之表面上。 圖7)  將圖案化預成型物1置放於基板20上。將圖案化預成型物1取出且以反轉位置鋪設於基板20上，在該反轉位置中，導電材料14面向基板20且膠帶12面向環境。圖案化預成型物1可例如藉助於基準物相對於基板20 (光學)對準。 可在將圖案化預成型物置放於基板上之前去除惰性膜16。 在將圖案化預成型物1鋪設於基板20上之後可能存在部分回焊或第一加熱。其可適合於將圖案化預成型物1預固定至基板20且使自導電材料14移除剛性基底11及膠帶12易於實現。部分回焊可在100℃至190℃範圍內持續介於1分鐘與30分鐘之間的持續時間。 此第一加熱處理允許第一組分，例如BiSnAg粒子熔融。此將引起第二組分(例如SnAgCu)之粒子互連，其在此第一加熱處理之後作為粒子仍穩定且亦將引起導電材料黏著至基板。第二組分之粒子將在圖9中所顯示之第二加熱處理期間熔融，以在導電材料14之第一及第二組分與基板之間形成更強連接。 圖8)  移除剛性基底11、膠帶12及全部中間塗層及惰性膜，使得僅導電材料部分保留在基板20上以提供用於電子組件30之附接部分。此可理解為除導電材料14圖案之外的所有其他事物被移除。亦可存在用焊劑處理以防止氧化。 圖9)  將LED組件30附接至導電材料14。 施加第二加熱或回焊或焊接處理以用於將電子組件30固定至導電材料圖案。回焊可在200℃至300℃範圍內持續介於1分鐘與30分鐘之間的持續時間。 導電材料14包含具有不同熔點之第一組分及第二組分的混合物。可選擇導電材料14之第一熔點以實現導電材料14與基板20之間的接合，且可選擇導電材料14之第二熔點以實現導電材料14與電子組件30之間的接合。此類接合可理解為至少在不同材料或組分之邊界處形成一或多個金屬間相。可進一步選擇第二熔點以實現至少在第一組分與第二組分之間的一或多個金屬間相。亦可選擇第二熔點以實現第一組分與電子組件30之間及/或第二組分與基板20之間的一或多個金屬間相。金屬間相之形成亦可產生位於電子組件與基板之間之導電材料14的幾乎完全的混合物及均質組合物。導電材料14內及/或導電材料14與基板20之間的接合允許移除剛性基底11及膠帶12而不將導電材料14撕裂開。 圖10) 獲得具有固定至設置於基板20上之導電材料14的電子組件30的產品。
圖11至16示意性地及例示性地展示上文所解釋之圖1至3之替代方案。此替代方案之後可為上文鑒於圖4至10所解釋之方法步驟。 圖11) 提供基底或矽晶圓41。矽晶圓41之厚度可在0.5至1.5 mm範圍內。將遮罩42且詳言之光罩施加於矽晶圓41之至少部分上。將遮罩42相對於矽晶圓41對準。遮罩42之厚度可在5至15 µm範圍內。在矽晶圓41之遮蔽部分之間存在未遮蔽部分44或開口。 圖12) 將塗層43且詳言之光阻塗層至少施加於矽晶圓41之遮蔽部分之間的未遮蔽部分44或開口中。 圖13) 將此樣品曝露於UV光45以使塗層43硬化。在曝露於UV光之前或之後移除遮罩之不合需要的部分。 圖14) 蝕刻矽晶圓41以獲得矽模具基底44。塗層保護目標區域，藉此不蝕刻目標區域。經蝕刻之矽晶圓41仍可具有最大厚度在0.5至1.5 mm範圍內的部分，且亦具有經蝕刻且藉此厚度減少之部分，該等部分減少至或約在5至75 µm範圍內的厚度。 圖15) 在經蝕刻之矽模具基底44上施加由聚二甲基矽氧烷製成之膠帶12或澆注件。膠帶12可覆蓋矽模具基底44以提供平坦表面，而此夾層之厚度無實質差異。 圖16)移除矽模具基底44。膠帶12保持且現在包含凹部13或盲孔，該等凹部或盲孔先前由矽晶圓41之最大厚度部分填充。將膠帶12施加於例如由玻璃製成之剛性基底11上。接合剛性基底11與膠帶12。此可藉由電漿或藉由黏著膜或其類似者來進行。
必須注意本發明之實施例係參考不同主題而描述。特定言之，一些實施例係參考方法類型技術方案而描述，而其他實施例係參考裝置類型技術方案而描述。然而，熟習此項技術者將自上文及以下描述推測，除非另外通知，否則除了屬於一種類型主題的特徵之任何組合之外，與不同主題有關之特徵之間的任何組合亦視為在本申請案中揭示。然而，所有特徵可經組合，從而提供多於特徵之簡單總和的協同效應。
雖然已在圖式及前述描述中詳細說明及描述本發明，但此類說明及描述應視為說明性或例示性而非限制性的。本發明不限於所揭示實施例。藉由研究圖式、揭示內容及所附申請專利範圍，熟習此項技術者在實踐所主張發明時可理解及實現所揭示實施例之其他變化。
在申請專利範圍中，字組「包含」不排除其他元素或步驟，且不定冠詞「一(a或an)」不排除複數個。某些方法敍述於彼此不同之附屬技術方案中的純粹實情並非表明此等方法不能有利地組合使用。申請專利範圍中之任何參考符號均不應視為限制範疇。 1.      一種用於圖案化預成型物(1)之製造方法，其包含以下步驟： -     提供包含剛性基底(11)及膠帶(12)之圖案化膠帶(10)，其中該膠帶(12)由聚醯亞胺或聚二甲基矽氧烷製成，其中該剛性基底(11)至少部分地由該膠帶(12)覆蓋，且其中該膠帶(12)包含凹部(13)之圖案，及 -     藉由導電材料(14)至少部分地填充該圖案化膠帶(12)之該等凹部(13)以獲得該圖案化預成型物(1)， 其中該導電材料(14)包含具有第一熔點之第一組分及具有不同於該第一熔點之第二熔點之第二組分的混合物。 2.      如實施例1之製造方法，其中該製造方法進一步包含以下步驟： -     將該圖案化預成型物(1)置於基板(20)上，及 -     移除至少該剛性基底(11)及該膠帶(12)，使得導電材料(14)部分保留在該基板(20)上以提供用於電子組件(30)之附接部分。 3.      如前述實施例中任一個之製造方法，其中該導電材料(14)之該第一組分包含或為BiSnAg合金。 4.      如前述實施例中任一個之製造方法，其中該導電材料(14)之該第二組分包含或為SnAgCu合金。 5.      如實施例2至4中任一個之製造方法， 其中選擇該第一熔點以實現該導電材料(14)與該基板(20)之間的接合， 其中該第二熔點高於該第一熔點， 其中選擇該第二熔點以使得能夠在該導電材料(14)與該電子組件(30)之間形成接合。 6.      如前述實施例之方法，其中亦選擇該第二熔點以實現該第一組分與該第二組分之間，且較佳亦在該第一組分與該電子組件(30)之間及/或該第二組分與該基板(20)之間的一或多個金屬間相。 7.      如實施例2至6中任一個之方法，其中該方法進一步包含在該基板(20)與該圖案化預成型物(1)之間提供焊劑之步驟。 8.      如前述實施例中任一個之製造方法，其中該膠帶(12)中之至少一些該等凹部(13)具有在奈米至微米之範圍內的大小。 9.      如前述實施例中任一個之製造方法，其中該提供圖案化膠帶(10)之步驟包含以下步驟： -     提供剛性基底(11)， -     用膠帶(12)至少部分地覆蓋該剛性基底(11)，及 -     在該膠帶(12)中提供凹部(13)之圖案。 10.   如前述實施例之製造方法，其中該提供圖案化膠帶(10)之步驟進一步包含在該剛性基底(11)與該膠帶(12)之間提供中間塗層(15)的步驟。 11.   如前述實施例中任一個之製造方法，其中該提供圖案化膠帶(10)之步驟進一步包含藉由化學蝕刻或雷射切割在該膠帶(12)中產生凹部(13)之該圖案的步驟。 12.   如前述實施例中任一個之製造方法，其中該製造方法進一步包含刮板步驟以移除超出該凹部(13)之導電材料(14)。 13.   如前述實施例中任一個之製造方法，其進一步包含在該圖案化膠帶(10)及經填充之凹部(13)的頂部上提供惰性膜(16)的步驟。 14.   一種圖案化預成型物(1)，其包含： 圖案化膠帶(10)，其包含剛性基底(11)及膠帶(12)，其中該膠帶(12)由聚醯亞胺或聚二甲基矽氧烷製成，其中該剛性基底(11)至少部分地由該膠帶(12)覆蓋，及 設置於該膠帶(12)中的凹部(13)之圖案，其中該圖案化膠帶(10)之該等凹部(13)至少部分地由導電材料(14)填充以獲得該圖案化預成型物(1)， 其中該導電材料(14)包含具有第一熔點之第一組分及具有不同於該第一熔點之第二熔點之第二組分的混合物。 15.   如前述實施例之圖案化預成型物(1)，其中至少一些該等凹部(13)具有小於25 µm、較佳小於18 µm之寬度。
1:圖案化預成型物 10:圖案化膠帶 11:剛性基底 12:膠帶 13:凹部 14:導電材料 15:中間塗層 16:惰性膜 17:焊料膏印刷或噴射噴嘴 18:刮板 20:基板 30:電子組件 41:矽晶圓 42:遮罩 43:塗層 44:未遮蔽部分/矽模具基底 45:UV光
下文將參考隨附圖式描述本發明之例示性實施例： 圖1至5展示用於圖案化預成型物之製造方法之實例的示意圖。 圖6-10展示圖案化預成型物之例示性應用的示意圖。 圖11至16展示圖1至3之替代方案的示意圖。
1:圖案化預成型物
11:剛性基底
12:膠帶
14:導電材料
17:焊料膏印刷或噴射噴嘴
18:刮板

Claims (13)

  1. 一種用於圖案化預成型物(1)之製造方法，其包含以下步驟： 提供包含剛性基底(11)及膠帶(12)之圖案化膠帶(10)，其中該膠帶(12)由聚醯亞胺或聚二甲基矽氧烷製成，其中該剛性基底(11)至少部分地由該膠帶(12)覆蓋，且其中該膠帶(12)包含凹部(13)之圖案，及 藉由導電材料(14)至少部分地填充該圖案化膠帶(12)之該等凹部(13)以獲得該圖案化預成型物(1)，其中該導電材料(14)包含具有第一熔點之第一組分及具有不同於該第一熔點之第二熔點之第二組分的混合物， 其中選擇該第一熔點以實現該導電材料(14)與該基板(20)之間的接合， 其中選擇該第二熔點以使得能夠在該導電材料(14)與該電子組件(30)之間形成接合， 其中該第二熔點高於該第一熔點， 將該圖案化預成型物(1)置放於基板(20)上， 藉由經由第一加熱熔融該第一組分來接合該導電材料(14)與該基板(20)，及 移除至少該剛性基底(11)及該膠帶(12)，使得導電材料(14)部分保留在該基板(20)上以提供用於電子組件(30)之附接部分。
  2. 如前述請求項中任一項之製造方法，其中該導電材料(14)之該第一組分包含或為BiSnAg合金。
  3. 如前述請求項中任一項之製造方法，其中該導電材料(14)之該第二組分包含或為SnAgCu合金。
  4. 如前述請求項之方法，其中亦選擇該第二熔點以實現該第一組分與該第二組分之間，且較佳亦在該第一組分與該電子組件(30)之間及/或該第二組分與該基板(20)之間的一或多個金屬間相。
  5. 如請求項2至4中任一項之方法，其中該方法進一步包含在該基板(20)與該圖案化預成型物(1)之間提供焊劑之步驟。
  6. 如前述請求項中任一項之製造方法，其中該膠帶(12)中之至少一些該等凹部(13)具有在奈米至微米之範圍內的大小。
  7. 如前述請求項中任一項之製造方法，其中該提供圖案化膠帶(10)之步驟包含以下步驟： 提供剛性基底(11)， 用膠帶(12)至少部分地覆蓋該剛性基底(11)，及 在該膠帶(12)中提供凹部(13)之圖案。
  8. 如前述請求項之製造方法，其中該提供圖案化膠帶(10)之步驟進一步包含在該剛性基底(11)與該膠帶(12)之間提供中間塗層(15)的步驟。
  9. 如前述請求項中任一項之製造方法，其中該提供圖案化膠帶(10)之步驟進一步包含藉由化學蝕刻或雷射切割在該膠帶(12)中產生凹部(13)之該圖案的步驟。
  10. 如前述請求項中任一項之製造方法，其中該製造方法進一步包含刮板步驟以移除超出該凹部(13)之導電材料(14)。
  11. 如前述請求項中任一項之製造方法，其進一步包含在該圖案化膠帶(10)及經填充之凹部(13)的頂部上提供惰性膜(16)的步驟。
  12. 一種圖案化預成型物(1)，其包含： 圖案化膠帶(10)，其包含剛性基底(11)及膠帶(12)，其中該膠帶(12)由聚醯亞胺或聚二甲基矽氧烷製成，其中該剛性基底(11)至少部分地由該膠帶(12)覆蓋，及 設置於該膠帶(12)中的凹部(13)之圖案，其中該圖案化膠帶(10)之該等凹部(13)至少部分地由導電材料(14)填充以獲得該圖案化預成型物(1)， 其中該導電材料(14)包含具有第一熔點之第一組分及具有不同於該第一熔點之第二熔點之第二組分的混合物, 其中該第一熔點經選擇以實現該導電材料(14)與該基板(20)之間的接合， 其中該第二熔點經選擇以使得能夠在該導電材料(14)與該電子組件(30)之間形成接合，且 其中該第二熔點高於該第一熔點。
  13. 如前述請求項之圖案化預成型物(1)，其中至少一些該等凹部(13)具有小於25 µm、較佳小於18 µm之寬度。
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