TW202125562A - 粒子束照射裝置 - Google Patents

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麻生拓篤
欣
佐藤誠
麻畑達也
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Abstract

[課題] 提供粒子束照射裝置，即便進行基於複數檢測器的觀察時，能縮短複數檢測器的亮度調整所需的時間。 [解決手段] 粒子束照射裝置，具有：照射粒子束的照射部、檢測第1粒子的第1檢測部、檢測第2粒子的第2檢測部、進行形成基於第1檢測部檢測到第1粒子的第1信號的觀察像的步驟、及形成基於第2檢測部檢測到第2粒子的第2信號的觀察像的步驟的像形成部、進行計算形成的第1觀察像中的第1區域的亮度，第1區域的亮度與第1目標亮度不同時，根據第1目標亮度進行第1檢測部的亮度調整作為第1亮度調整的步驟、及計算形成的第2觀察像中的第2區域的亮度，第2區域的亮度與第2目標亮度不同時，根據第2目標亮度進行第2檢測部的亮度調整作為第2亮度調整的步驟的控制部。

Description

粒子束照射裝置
本發明涉及一種粒子束照射裝置。
關於對試料照射帶電粒子束的帶電粒子束照射裝置的技術，正在進行研究、開發。
關於此，已知有如下帶電粒子束照射裝置，具備：向預定的照射區域內照射帶電粒子束的照射部；檢測藉由對配置在照射區域內的試料照射帶電粒子束而從試料產生的帶電粒子的檢測部，根據檢測部檢測帶電粒子的信號，形成包含在照射區域中的期望的觀察區域的觀察像(參照專利文獻1、2)。 [先前技術文獻]
專利文獻 專利文獻1：日本特開2011-086606號公報 專利文獻2：日本特開2018-163822號公報
[發明所欲解決問題]
這樣的從前的帶電粒子束照射裝置藉由進行檢測部的亮度調整(即，檢測部的對比度值、亮度值等的涉及檢測部的亮度調整的電壓值的調整)，能夠形成期望的亮度的觀察像。然而，在該帶電粒子束照射裝置具備複數檢測器的情況下，該帶電粒子束照射裝置要對複數檢測器的每一個分別進行亮度調整，因此，亮度調整花費時間。
因此，本發明是鑒於上述先前技術的問題而完成者，提供一種粒子束照射裝置，即使在利用複數檢測器進行觀察的情況下，也能夠縮短複數檢測器的亮度調整所需的時間。 [解決問題的技術手段]
本發明的一個態樣是一種粒子束照射裝置，具備：向預定的照射區域內照射粒子束的照射部；檢測藉由對配置在前述照射區域內的試料照射前述粒子束而從前述試料產生的第1粒子的第1檢測部；檢測藉由對前述試料照射前述粒子束而從前述試料產生的第2粒子的第2檢測部；進行形成基於前述第1檢測部檢測到前述第1粒子的第1信號的觀察像的步驟、以及形成基於前述第2檢測部檢測到前述第2粒子的第2信號的觀察像的步驟的像形成部；進行取得由前述像形成部形成的觀察像作為第1觀察像，計算所取得的前述第1觀察像中的第1區域的亮度，在前述第1區域的亮度與第1目標亮度不同的情況下，根據前述第1目標亮度來進行前述第1檢測部的亮度調整作為第1亮度調整的步驟、以及取得由前述像形成部形成的觀察像作為第2觀察像，計算所取得的前述第2觀察像中的第2區域的亮度，在前述第2區域的亮度與第2目標亮度不同的情況下，根據前述第2目標亮度來進行前述第2檢測部的亮度調整作為第2亮度調整的步驟的控制部。
此外，本發明的另一態樣為在粒子束照射裝置中，前述第1觀察像以及前述第2觀察像分別是基於前述第1信號的觀察像。
此外，本發明的另一態樣為在粒子束照射裝置中，前述第1觀察像以及前述第2觀察像分別是基於前述第2信號的觀察像。
此外，本發明的另一態樣為在粒子束照射裝置中，前述第1觀察像是基於前述第1信號的觀察像，前述第2觀察像是基於前述第2信號的觀察像。
此外，本發明的另一態樣為在粒子束照射裝置中，前述控制部藉由前述第1亮度調整使前述第1區域的亮度接近前述第1目標亮度，藉由前述第2亮度調整使前述第2區域的亮度接近前述第2目標亮度。
此外，本發明的另一態樣為在粒子束照射裝置中，前述第1區域是包含在前述第1觀察像的區域之中，包含前述試料的作為想觀察的對象的部位的區域，前述第2區域是包含在前述第2觀察像的區域之中，包含在補正前述第1區域的位置的漂移補正中作為基準的記號的區域。
此外，本發明的另一態樣為在粒子束照射裝置中，具備顯示圖像的顯示部，前述控制部使在進行了前述第1亮度調整之後由前述像形成部形成的前述第1觀察像、和在進行了前述第2亮度調整之後由前述像形成部形成的前述第2觀察像中的至少一方顯示在前述顯示部。 [發明的效果]
根據本發明，能夠提供一種粒子束照射裝置，即使在進行基於複數檢測器的觀察的情況下，也能夠縮短複數檢測器的亮度調整所需的時間。
＜實施形態＞
以下，參照圖式對本發明的實施形態進行說明。
＜粒子束照射裝置的概要＞ 首先，對實施形態的粒子束照射裝置的概要進行說明。
粒子束照射裝置具備照射部(例如，集束離子束鏡筒、電子束鏡筒、氬粒子束鏡筒等)、第1檢測部(例如，第1二次電子檢測器、第2二次電子檢測器、反射電子檢測器等)、第2檢測部(例如，第1二次電子檢測器、第2二次電子檢測器、反射電子檢測器等之中與第1檢測器不同的任意檢測器)、像形成部以及控制部。照射部向預定的照射區域內照射粒子束(例如，集束離子束、電子束、氬光束等)。第1檢測部檢測藉由向配置在照射區域內的試料照射粒子束而從試料產生的第1粒子(例如，二次電子等)。第2檢測部檢測藉由向配置在照射區域內的試料照射粒子束而從試料產生的第2粒子(例如，二次電子等)。像形成部進行形成基於第1檢測部檢測第1粒子的第1信號的觀察像(例如，SEM(Scanning Electron Microscope：掃描電子顯微鏡)像、BSE(Back Scattering Electron：背散射電子)像等)的步驟、及形成基於第2檢測部檢測第2粒子的第2信號的觀察像(例如，SEM像、BSE像等之中與第1觀察像不同的任意觀察像)的步驟。控制部進行取得由像形成部形成的觀察像作為第1觀察像，計算所取得的第1觀察像中的第1區域的亮度，在第1區域的亮度與第1目標亮度不同的情況下，根據第1目標亮度進行第1檢測部的亮度調整作為第1亮度調整的步驟、及取得由像形成部形成的觀察像作為第2觀察像，計算所取得的第2觀察像中的第2區域的亮度，在第2區域的亮度與第2目標亮度不同的情況下，根據第2目標亮度進行第2檢測部的亮度調整作為第2亮度調整的步驟。
這裡，第1檢測部的亮度調整意味著進行第1檢測部的對比度值、亮度值等涉及第1檢測部的亮度調整的電壓值的調整，使得第1區域的亮度接近目標亮度。由此，像形成部能夠根據進行亮度調整之後的第1檢測部檢測第1粒子的第1信號，形成適合觀察的亮度的第1觀察像。此外，第2檢測部的亮度調整意味著進行第2檢測部的對比度值、亮度值等涉及第2檢測部的亮度調整的電壓值的調整，使得第2區域的亮度接近目標亮度。由此，像形成部能夠根據進行亮度調整之後的第2檢測部檢測第2粒子的第2信號，形成適合觀察的亮度的第2觀察像。其結果，控制部即使在利用複數檢測器(即，第1檢測器、第2檢測器等)來進行觀察的情況下，也能夠縮短複數檢測器的亮度調整所需的時間。
這裡，第1觀察像以及第2觀察像分別是例如基於第1信號的觀察像。此外，第1觀察像以及第2觀察像分別是例如基於第2信號的觀察像。此外，例如，第1觀察像是基於第1信號的觀察像，第2觀察像是基於前述第2信號的觀察像。
以下，作為一例，對第1觀察像以及第2觀察像分別是基於第1信號的觀察像的情況進行說明。此外，在以下內容中，對實施形態的粒子束照射裝置的結構、和該粒子束照射裝置所進行的處理詳細地進行說明。另外，照射部所照射的粒子束可以是使離子集束的集束離子束、使電子集束的電子束等帶電粒子束，也可以是使氬集束的氬光束等中性粒子束。此外，粒子束照射裝置也可以是具備複數照射部的結構。該情況下，例如，粒子束照射裝置能夠照射集束離子束、電子束、中性粒子束之中的任意2個組合、或者能夠照射集束離子束、電子束、中性粒子束的全部。以下，作為一例，對粒子束為帶電粒子束的情況進行說明。
＜粒子束照射裝置的結構＞ 以下，作為實施形態的粒子束照射裝置的一例，舉粒子束照射裝置1為例來進行說明。此外，以下，作為實施形態的試料的一例，舉試料S為例來進行說明。試料S例如是導電性試料。另外，取而代之，試料S也可以是絕緣性試料，還可以是半導電性試料(半導體試料)。此外，試料S還可以是構成生物的細胞、骨等活體。
圖1是示出粒子束照射裝置1的結構的一例的圖。
粒子束照射裝置1具備粒子顯微鏡10、控制裝置30以及顯示裝置35。另外，在粒子束照射裝置1中，粒子顯微鏡10、控制裝置30、顯示裝置35的一部分或全部也可以一體地構成。
粒子顯微鏡10例如具備集束離子束(FIB (Focused Ion Beam))鏡筒11、電子束(EB(Electron Beam))鏡筒12以及試料室13。即，粒子束照射裝置1是粒子束照射裝置的一例，前述粒子束照射裝置具備照射集束離子束的照射部和照射電子束的照射部這2個照射部。另外，粒子束照射裝置1也可以是不具備集束離子束鏡筒11和電子束鏡筒12中的任意一者的結構。此外，粒子束照射裝置1也可以是如下結構：具備一個以上的照射對其他粒子進行集束而成的粒子束(例如，中性粒子束等)的鏡筒來代替集束離子束鏡筒11和電子束鏡筒12中的某一者或兩者、或者除了具備集束離子束鏡筒11和電子束鏡筒12兩者之外，還具備一個以上的照射對其他粒子進行集束而成的粒子束(例如，中性粒子束等)的鏡筒。
集束離子束鏡筒11照射使預先決定種類的離子集束的集束離子束B1。集束離子束鏡筒11例如具備離子源(例如，離子槍)、離子加速部以及離子照射部。離子源產生離子。離子加速部對離子源所產生的離子向離子加速方向施加電場，以使該離子加速。離子加速方向是沿集束離子束鏡筒11的中心軸的方向，並且是從集束離子束鏡筒11的離子源朝向集束離子束鏡筒11的射出集束離子束B1的射出口的方向。離子照射部具備靜電透鏡，利用該靜電透鏡對由離子加速部加速後的離子施加電場而使該離子集束。然後，離子照射部將集束後的離子作為集束離子束B1而從該射出口照射到照射區域。另外，該靜電透鏡可以是加速型，也可以是減速型。此外，離子照射部也可以是如下結構：具備磁場透鏡，利用該磁場透鏡對由離子加速部加速後的離子施加磁場而使該離子集束。
集束離子束鏡筒11收容在試料室13內。在試料室13中，具備：作為載置試料S的試料台的載物台14、和，因應來自控制裝置30的要求而改變載物台14的位置及姿勢的載物台驅動部。在實施形態中，載物台14的位置是三維座標系11C中的位置，由三維座標系14C的原點的位置來表示。此外，在實施形態中，載物台14的姿勢是相對於三維座標系11C的各座標軸的方向，由三維座標系14C的各座標軸的方向來表示。這裡，三維座標系11C是指與集束離子束鏡筒11的預先決定的位置對應的三維正交座標系。該預先決定的位置例如是集束離子束鏡筒11的重心的位置。在圖1中，三維座標系11C的原點的位置從該重心的位置錯開，以防止圖變得煩雜。另外，代替集束離子束鏡筒11的重心的位置，該預先決定的位置也可以是與集束離子束鏡筒11建立對應的其他位置。由於集束離子束鏡筒11在試料室13內被固定而不動，因此，三維座標系11C的原點的位置、以及三維座標系11C的各座標軸的方向被固定而不動。三維座標系14C是指與載物台14的上表面的中心建立對應的三維正交座標系。因此，三維座標系14C在載物台14移動的情況下，與載物台14一起移動。在圖1中，三維座標系14C的原點的位置從該中心的位置錯開，以防止圖變得煩雜。
這裡，在圖1所示的例子中，三維座標系11C中的Z軸方向與集束離子束鏡筒11的中心軸方向一致。此外，在該例子中，三維座標系11C中的X軸方向與垂直於該Z軸方向且從集束離子束鏡筒11朝向電子束鏡筒12的方向一致。此外，在該例子中，三維座標系11C中的Y軸方向與該X軸方向以及該Z軸方向一致。另外，代替上述方向，也可以是三維座標系11C中的X軸方向、Y軸方向、Z軸方向中的各個方向與其他方向一致的結構。
集束離子束鏡筒11被設置於在載物台14的位置及姿勢與作為預先決定的基準的位置及姿勢即基準位置以及基準姿勢一致的情況下，集束離子束鏡筒11的中心軸與載物台14的上表面正交的位置。在以下內容中，為了簡化說明，對使用者不使載物台14的位置及姿勢從基準位置以及基準姿勢變化的情況進行說明。
這裡，在實施形態中，在載物台14的位置及姿勢與基準位置以及基準姿勢一致的情況下，三維座標系14C中的X軸方向、Y軸方向、Z軸方向分別與三維座標系11C中的X軸方向、Y軸方向、Z軸方向一致。另外，在該情況下，代替上述，也可以是三維座標系14C中的X軸方向、Y軸方向、Z軸方向分別與其他方向一致的結構。
此外，集束離子束鏡筒11被設置在能夠向前述照射區域照射集束離子束B1的位置。照射區域是設定在載物台14的位置及姿勢與基準位置及基準姿勢一致的情況下的沿載物台14的上表面的平面上的平面區域。在以下內容中，作為一例，對照射區域是設定在該情況下的載物台14的上表面內側的區域的情況進行說明。另外，取而代之，照射區域也可以是設定在該情況下的包含載物台14的上表面的一部分或全部的範圍內的區域。此外，照射區域始終固定，即使在載物台驅動部改變了載物台14的位置及姿勢的情況下，也不會與載物台14的上表面一起移動。即，載物台驅動部藉由改變載物台14的位置及姿勢，能夠使載置於載物台14的上表面的試料S相對於照射區域相對地並進或傾斜。另外，集束離子束鏡筒11是照射部的一例。
電子束鏡筒12照射使電子集束的電子束B2。電子束鏡筒12例如具備電子源(例如，電子槍)、電子加速部以及電子照射部。電子源產生電子。電子加速部對電子源所產生的電子向電子加速方向施加電場而使該電子加速。電子加速方向是沿著電子束鏡筒12的中心軸的方向，並且是從電子束鏡筒12的電子源朝向電子束鏡筒12的射出電子束B2的射出口的方向。電子照射部具備靜電透鏡，利用該靜電透鏡對由電子加速部加速後的電子施加電場而使該電子集束。然後，電子照射部將集束後的電子作為電子束B2從該射出口照射。另外，該靜電透鏡可以是加速型，也可以是減速型。此外，電子照射部也可以是具備磁場透鏡，利用該磁場透鏡對由電子加速部加速後的電子施加磁場而使該電子集束的結構。
電子束鏡筒12與集束離子束鏡筒11一起收容在試料室13內。在載物台14的位置及姿勢與作為基準的基準位置及基準姿勢一致的情況下，電子束鏡筒12設置在電子束鏡筒12的中心軸相對於載物台14的上表面以預定角度傾斜的位置。此外，電子束鏡筒12設置在能夠將電子束B2照射到前述照射區域的位置。另外，優選的是電子束鏡筒12被配置成沿著電子束鏡筒12的中心軸的方向且從電子束鏡筒12的電子源朝向電子束鏡筒12的射出電子束B2的射出口的方向、與沿著集束離子束鏡筒11的中心軸的方向且從集束離子束鏡筒11的離子源朝向集束離子束鏡筒11的射出集束離子束B1的射出口的方向正交。另外，電子束鏡筒12也是照射部的一例。
此外，粒子顯微鏡10還具備第1二次電子檢測器16、第2二次電子檢測器17、以及反射電子檢測器(BSD；Back Scattering Detector：背散射探測器)18。
第1二次電子檢測器16是粒子顯微鏡10所具有的3個檢測器之一，在與設置第2二次電子檢測器17的位置不同的位置處，檢測在集束離子束B1照射試料S的情況下從試料S產生的二次電子。該二次電子是試料S中含有的電子之中被集束離子束B1散射的散射電子等。此外，第1二次電子檢測器16檢測在電子束B2照射試料S的情況下從試料S產生的二次電子。該二次電子是試料S中含有的電子之中被電子束B2散射的散射電子等。第1二次電子檢測器16向控制裝置30輸出包含示出所檢測的二次電子的資訊的信號。該資訊是示出該二次電子的數量的資訊。
另外，第1二次電子檢測器16是第1檢測部的一例，也是第2檢測部的一例。在第1二次電子檢測器16是第1檢測部的一例的情況下，第1二次電子檢測器16所檢測的二次電子是第1粒子的一例。並且，該情況下，第1二次電子檢測器16輸出的信號是第1檢測部檢測到第1粒子的信號的一例。此外，在第1二次電子檢測器16是第2檢測部的一例的情況下，該二次電子是第2粒子的一例。並且，該情況下，第1二次電子檢測器16輸出的信號是第2檢測部檢測到第2粒子的信號的一例。此外，在圖1中，第1二次電子檢測器16設置在試料室13的內部，但是，取而代之，也可以是第1二次電子檢測器16設置在電子束鏡筒12的內部的結構。
第2二次電子檢測器17是粒子顯微鏡10所具有的3個檢測器之一，在與設置第1二次電子檢測器16的位置不同的位置處，檢測在集束離子束B1照射到試料S的情況下從試料S產生的二次電子。該二次電子是試料S中含有的電子之中被集束離子束B1散射的散射電子等。此外，第2二次電子檢測器17檢測在電子束B2照射到試料S的情況下從試料S產生的二次電子。該二次電子是試料S中含有的電子之中被電子束B2散射的散射電子等。第2二次電子檢測器17向控制裝置30輸出包含示出所檢測到的二次電子的資訊的信號。該資訊是示出該二次電子的數量的資訊。
另外，第2二次電子檢測器17是第1檢測部的一例，也是第2檢測部的一例。在第2二次電子檢測器17是第1檢測部的一例的情況下，第2二次電子檢測器17所檢測的二次電子是第1粒子的一例。並且，該情況下，第2二次電子檢測器17輸出的信號是第1檢測部檢測到第1粒子的信號的一例。此外，在第2二次電子檢測器17是第2檢測部的一例的情況下，該二次電子是第2粒子的一例。並且，該情況下，第2二次電子檢測器17輸出的信號是第2檢測部檢測到第2粒子的信號的一例。
反射電子檢測器18是粒子顯微鏡10所具有的3個檢測器之一，在集束離子束B1照射到試料S的情況下，檢測在試料S中向後方散射(即，反射)的二次電子。該二次電子是指試料S中含有的電子之中被集束離子束B1向後方散射的散射電子等。此外，反射電子檢測器18檢測在電子束B2照射到試料S的情況下在試料S中向後方散射的二次電子。該二次電子是指試料S中所含的電子之中被電子束B2向後方散射的散射電子等。反射電子檢測器18向控制裝置30輸出包含示出所檢測到的二次電子的資訊的信號。該資訊是示出該二次電子的數量的資訊。
另外，反射電子檢測器18是第1檢測部的一例，也是第2檢測部的一例。在反射電子檢測器18是第1檢測部的一例的情況下，反射電子檢測器18所檢測的二次電子是第1粒子的一例。並且，該情況下，反射電子檢測器18輸出的信號是第1檢測部檢測到第1粒子的信號的一例。此外，在反射電子檢測器18是第2檢測部的一例的情況下，該二次電子是第2粒子的一例。並且，該情況下，反射電子檢測器18輸出的信號是第2檢測部檢測第2粒子的信號的一例。此外，在圖1中，反射電子檢測器18設置在試料室13的內部，但是，取而代之，也可以是反射電子檢測器18設置在電子束鏡筒12的內部的結構。
如上前述，粒子束照射裝置1是具備3個檢測器的粒子束照射裝置的一例。在這樣的結構的粒子束照射裝置1中，粒子顯微鏡10經由電纜與控制裝置30以能夠通信的方式連接。由此，粒子顯微鏡10所具備的集束離子束鏡筒11、電子束鏡筒12、載物台14、第1二次電子檢測器16、第2二次電子檢測器17、反射電子檢測器18分別進行基於從控制裝置30取得的控制信號的動作。另外，經由電纜的有線通信例如根據乙太網(註冊商標)、USB(Universal Serial Bus：通用序列匯流排)等規格來進行。此外，粒子顯微鏡10也可以是經由根據Wi-Fi(註冊商標)等通信標準進行的無線通訊而與控制裝置30連接的結構。
另外，粒子顯微鏡10也可以是不具備前述鏡筒內反射電子檢測器、第1二次電子檢測器16、第2二次電子檢測器17以及反射電子檢測器18之中的一部分的結構。此外，粒子顯微鏡10也可以是具備能夠檢測從被照射了粒子束的試料S產生的粒子的其他檢測器來代替第1二次電子檢測器16、第2二次電子檢測器17、反射電子檢測器18中的一部分或全部、或者除了具備第1二次電子檢測器16、第2二次電子檢測器17、反射電子檢測器18的全部之外，還具備能夠檢測從被照射了粒子束的試料S產生的粒子的其他檢測器的結構。
在以下內容中，為了便於說明，只要無需區別集束離子束鏡筒11和電子束鏡筒12，就統稱為粒子束鏡筒來進行說明。此外，在以下內容中，為了便於說明，只要無需區分集束離子束B1和電子束B2，就統稱為粒子束來進行說明。此外，在以下內容中，為了便於說明，只要無需區別第1二次電子檢測器16、第2二次電子檢測器17、反射電子檢測器18，就統稱為檢測器來進行說明。
控制裝置30例如是桌上型電腦(Personal Computer：個人電腦)、筆記型電腦、工作站等資訊處理裝置。另外，取而代之，控制裝置30也可以是平板電腦、多功能手機(智慧手機)、PDA(Personal Data Assistant：個人數位助理)等其他資訊處理裝置。
控制裝置30對粒子顯微鏡10進行控制。具體而言，例如，控制裝置30根據所接受的觀察條件來控制粒子顯微鏡10，以向包含在照射區域中的區域之中與觀察條件對應的觀察區域照射粒子束。然後，控制裝置30使檢測器對從在該觀察區域中被照射了粒子束的試料S產生的粒子進行檢測。然後，控制裝置30根據包含示出檢測器所檢測到的粒子的資訊的信號，形成該觀察區域的觀察像。控制裝置30將所形成的觀察像輸出到顯示裝置35進行顯示。
這裡，在以下內容中，作為一例，對觀察條件是各包含1個表示使用者想觀察的期望的觀察區域資訊、和1個表示使用者想使用的期望的粒子束鏡筒資訊之資訊的情況進行說明。該情況下，與某個觀察條件對應的觀察區域是指該觀察條件中所包含的觀察區域資訊所表示的觀察區域。此外，該情況下，與某個觀察條件對應的粒子束鏡筒是指該觀察條件中所包含的粒子束鏡筒資訊所表示的粒子束鏡筒。另外，觀察區域可以是照射區域中的一部分區域，也可以是照射區域的整個區域。控制裝置30在根據某個觀察條件來控制粒子顯微鏡10的情況下，使與該觀察條件對應的粒子束鏡筒向與該觀察條件對應的觀察區域照射粒子束。另外，也可以是觀察條件中包含複數觀察區域資訊的結構，還可以是觀察條件中包含複數粒子束鏡筒資訊的結構。
以下，作為一例，對觀察條件包含：示出包含於照射區域的區域之中使用者想觀察的期望的觀察區域的觀察區域資訊、示出使用者想使用的期望的粒子束鏡筒的粒子束鏡筒資訊、示出使用者想使用的期望的檢測器的檢測器資訊、示出對粒子束鏡筒資訊所表示的粒子束鏡筒設定的照射參數的照射參數資訊、示出對檢測器資訊所表示的檢測器設定的檢測參數的檢測參數資訊等之資訊的情況進行說明。另外，也可以是觀察條件中不包含粒子束鏡筒資訊、檢測器資訊、照射參數資訊、檢測參數資訊之中的一部分或全部的結構。但是，即使在該情況下，控制裝置30也與觀察條件分開地接受這4個資訊之中不包含在觀察條件中的1個以上的資訊。
此外，在使用者想使用的期望的檢測器為複數的情況下，觀察條件中也可以包含複數檢測器資訊。該情況下，觀察條件中包含與複數檢測器中的各個檢測器建立對應的檢測參數資訊。例如，在觀察條件中包含有示出第1二次電子檢測器16的檢測器資訊D1、和示出第2二次電子檢測器17的檢測器資訊D2的情況下，在觀察條件中，包含示出對檢測器資訊D1所表示的第1二次電子檢測器16設定的檢測參數的檢測參數資訊作為與檢測器資訊D1建立對應的檢測參數資訊D3，並且包含示出對檢測器資訊D2所表示的第2二次電子檢測器17設定的檢測參數的檢測參數資訊作為與檢測器資訊D2建立對應的檢測參數資訊D4。
這裡，對粒子束鏡筒資訊所示的粒子束鏡筒設定的照射參數例如是校準因數(aligner)、粒子束移位、OL值、斑點(stigma)值、加速電壓、粒子束電流、透鏡模式、支架種類、試料S的材質以及前述載物台14的位置等。這裡，粒子束電流是指使粒子束鏡筒照射的粒子束的粒子束電流。此外，透鏡模式是表示粒子束鏡筒所具備的靜電透鏡(或磁場透鏡)之中的物鏡的動作模式的值。此外，在該一例中，支架種類是指表示當將試料S載置於載物台14的上表面時，保持試料S的支架的種類的值。另外，該照射參數也可以是包含有其他的設定值等來代替這些設定值之中的一部分或全部、或者，在該照射參數中，除了包含有這些設定值的全部之外，還包含有其他的設定值等的結構。
此外，對檢測器資訊所示的檢測器設定的檢測參數例如是對比度值、亮度值等。但是，由於這些是進行檢測器的亮度調節之前的檢測參數，因此，進行檢測器的亮度調節之後的檢測器中所設定的檢測參數除了偶然一致的情況外，與觀察條件中所包含的檢測參數是不同的。另外，在對檢測器資訊所示的檢測器設定的檢測參數，也可以是包含有其他的設定值等來代替對比度值、亮度值中的任意一者或兩者、或者，在對檢測器資訊所示的檢測器設定的檢測參數中，除了包含有對比度值、亮度值兩者之外，還包含有其他的設定值等的結構。
控制裝置30接受1個以上的觀察條件，並且接受按所接受的每個觀察條件而示出進行基於觀察條件的粒子束照射的時序的時序條件。由此，粒子束照射裝置1例如能夠進行伴隨組合了基於複數觀察條件各者的粒子束照射以及觀察像形成的複雜的觀察工程。該複雜的觀察工程例如是指反復進行如果在配置有試料S的照射區域內則確定期望的觀察區域的工程、對所確定的觀察區域進行蝕刻的工程、及形成蝕刻後的觀察區域的觀察像的工程的3個工程直到滿足預定的結束條件為止那樣的觀察工程。另外，也可以是時序資訊包含在觀察條件中的結構。
此外，在控制裝置30根據所接受的觀察條件使粒子束鏡筒照射粒子束的情況下(即，在使像形成部362形成該觀察條件中所包含的觀察區域資訊所示的觀察區域的觀察像的情況下)，照射該粒子束，取得藉由該粒子束的照射而形成的該觀察像，計算出所取得的該觀察像中的期望調整對象區域的亮度，在計算出的該亮度與期望目標亮度不同的情況下，根據該目標亮度對該觀察條件中所包含的1個以上的檢測器資訊的各者所示的檢測器進行使該亮度接近該目標亮度的亮度調整。這裡，在實施形態中，某個檢測器的亮度調整意味著進行該檢測部的對比度值、亮度值等涉及該檢測部的亮度調整的電壓值的調整。控制裝置30事先接受示出該觀察像中的調整對象區域的調整對象區域資訊，以對該觀察條件中所包含的1個以上的檢測器資訊中的各者所示的檢測器進行這樣的亮度調整。此外，控制裝置30事先接受示出與該觀察像中的該調整對象區域對應地決定的目標亮度的目標亮度資訊，以對該觀察條件中所包含的1個以上的檢測器資訊中的各者所示的檢測器進行這樣的亮度調整。然後，控制裝置30將所接受的目標亮度資訊儲存在記憶部32的揮發性儲存區域或記憶部32的非揮發性儲存區域中。另外，該調整對象區域可以是該觀察像的一部分區域，也可以是該觀察像的整個區域。以下，作為一例，對該調整對象區域是該觀察像的整個區域的情況進行說明。該情況下，控制裝置30可以是接受按該觀察條件中所包含的1個以上的檢測器資訊中的各者所示的每個檢測器而不同的目標亮度資訊的結構，也可以是針對該觀察條件中所包含的1個以上的檢測器資訊中的各者所示的檢測器的全部而接受共通的目標亮度資訊的結構。以下，作為一例，對控制裝置30針對該觀察條件中所包含的1個以上的檢測器資訊中的各者所示的檢測器的全部而接受共通的目標亮度資訊的情況進行說明。藉由對這樣的檢測器進行亮度調整，粒子束照射裝置1能夠容易地形成複數觀察區域各自的觀察像作為適合觀察的亮度的觀察像。另外，也可以是調整對象區域資訊和目標亮度資訊中的某一者或兩者包含在前述觀察條件中的結構。此外，也可以是調整對象區域資訊作為與某種資訊(例如，觀察區域資訊等)建立對應的資訊而被控制裝置30接受的結構。此外，也可以是目標亮度資訊作為與某種資訊(例如，觀察區域資訊等)建立對應的資訊而被控制裝置30接受的結構。
另外，控制裝置30還能夠進行利用粒子顯微鏡10在試料S的表面形成保護該表面的沉積膜的處理等其他處理。然而，在實施形態中，對於這些其他處理的詳細情況省略說明。
顯示裝置35例如是具備液晶顯示面板或有機EL(Electro Luminescence：有機電致發光)顯示面板的顯示器。顯示裝置35顯示從控制裝置30取得的各種圖像。另外，顯示裝置35是顯示部的一例。
＜控制裝置的硬體結構＞ 以下，參照圖2對控制裝置30的硬體結構進行說明。圖2是示出控制裝置30的硬體結構的一例的圖。
控制裝置30例如具備CPU(Central Processing Unit：中央處理單元)31、記憶部32、輸入接受部33以及通信部34。這些構成要素經由匯流排以能夠相互通信的方式連接起來。此外，控制裝置30經由通信部34而分別與粒子顯微鏡10、顯示裝置35進行通信。
CPU 31執行儲存在記憶部32中的各種程式。 記憶部32例如包含HDD(Hard Disk Drive：硬碟驅動器)、SSD(Solid State Drive：固態驅動器)、EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory：電可擦除可程式設計唯讀記憶體)、ROM(Read Only Memory：唯讀記憶體)、RAM(Random Access Memory：隨機存取記憶體)等。即，記憶部32包含具有揮發性儲存區域的儲存裝置和具有非揮發性儲存區域的儲存裝置中的各者。另外，記憶部32也可以是藉由USB等數位輸入/輸出埠等進行連接的外置型記憶裝置，來代替內置於控制裝置30中的記憶裝置。記憶部32用於儲存控制裝置30所處理的各種資訊、各種圖像、以及各種程式等。
輸入接受部33例如是鍵盤及滑鼠、觸控板等輸入裝置。另外，在控制裝置30與顯示裝置35一體地構成的情況下，輸入接受部33也可以是與顯示裝置35所具備的顯示部一體地構成的觸控面板等其他輸入裝置。 通信部34構成為包含例如USB等數位輸入/輸出埠及乙太網(註冊商標)埠等。
＜控制裝置的功能結構＞ 以下，參照圖3對控制裝置30的功能結構進行說明。圖3是示出控制裝置30的功能結構的一例的圖。
控制裝置30具備記憶部32、輸入接受部33、控制部36。
控制部36對控制裝置30整體進行控制。控制部36具備粒子顯微鏡控制部361、像形成部362、顯示控制部363。控制部36所具備的這些功能部例如是藉由CPU 31執行儲存在記憶部32中的各種程式來實現的。此外，該功能部之中的一部分或全部也可以是LSI(Large Scale Integration：大規模稱體化)及ASIC(Application Specific Integrated Circuit：專用積體電路)等硬體功能部。
粒子顯微鏡控制部361對粒子顯微鏡10整體進行控制。粒子顯微鏡控制部361例如根據所接受的觀察條件來控制粒子顯微鏡10，以進行試料S的蝕刻。此外，粒子顯微鏡控制部361例如根據所接受的觀察條件來控制粒子顯微鏡10，使粒子束照射到照射區域之中的與該觀察條件對應的觀察區域。粒子顯微鏡控制部361是控制部的一例。
像形成部362形成基於從粒子顯微鏡10所具備的各檢測器取得的信號的觀察像。
顯示控制部363生成要在顯示裝置35上顯示的各種畫面。顯示控制部363將所生成的畫面輸出到顯示裝置35進行顯示。
＜粒子束照射裝置進行檢測器的亮度調整的處理＞ 以下，參照圖4，舉粒子束照射裝置1進行未圖示的某個觀察區域R1中的試料S的蝕刻和觀察區域R1的觀察像形成的處理為例，對粒子束照射裝置1進行檢測器的亮度調整的處理進行說明。圖4是示出粒子束照射裝置1進行觀察區域R1中的試料S的蝕刻和觀察區域R1的觀察像形成的處理流程的一例的圖。另外，觀察區域R1是指，包含在照射區域中的區域之中，包含試料S的作為想觀察的對象的部位的區域。
在圖4所示的流程圖的處理中，粒子束照射裝置1依次反復執行觀察區域R1中的試料S的蝕刻、觀察區域R1的觀察像形成、以及藉由漂移補正進行的觀察區域R1的位置補正。因此，在以下內容中，作為一例，對控制裝置30在進行圖4所示的步驟S110的處理之前的時序接受了第1觀察條件、第2觀察條件、第3觀察條件這3個觀察條件的情況進行說明。
第1觀察條件是涉及觀察區域R1中的試料S的蝕刻的觀察條件。在該一例中，第1觀察條件是如下資訊，該資訊包含：示出觀察區域R1的第1觀察區域資訊、示出集束離子束鏡筒11的第1粒子束鏡筒資訊、示出第1二次電子檢測器16的第1檢測器資訊、示出對集束離子束鏡筒11設定的照射參數的第1照射參數資訊、以及示出進行蝕刻的情況下對第1二次電子檢測器16設定的檢測參數的第1檢測參數資訊。即，第1觀察條件是用於使粒子顯微鏡10利用集束離子束B1對觀察區域R1中的試料S進行蝕刻的觀察條件。
第2觀察條件是涉及觀察區域R1的觀察像形成的觀察條件。在該一例中，第2觀察條件是如下資訊，該資訊包含：第1觀察區域資訊、示出電子束鏡筒12的第2粒子束鏡筒資訊、第1檢測器資訊、示出進行觀察像形成的情況下對電子束鏡筒12設定的照射參數的第2照射參數資訊、以及示出進行觀察像形成的情況下對第1二次電子檢測器16設定的檢測參數的第2檢測參數資訊。即，第2觀察條件是用於使粒子顯微鏡10進行向觀察區域R1照射電子束B2、和利用第1二次電子檢測器16檢測在被照射電子束B2的觀察區域R1內從試料S產生的二次電子的觀察條件。
第3觀察條件是涉及藉由漂移補正進行的觀察區域R1的位置補正的觀察條件。在該一例中，第3觀察條件是如下資訊，該資訊包含：示出觀察區域Ｒ2的第2觀察區域資訊、示出電子束鏡筒12的第2粒子束鏡筒資訊、第1檢測器資訊、示出進行漂移補正的情況下對電子束鏡筒12設定的照射參數的第3照射參數資訊、以及示出進行漂移補正的情況下對第2二次電子檢測器17設定的檢測參數的第3檢測參數資訊。即，第3觀察條件是用於使粒子顯微鏡10進行向觀察區域R2照射電子束B2、和利用第2二次電子檢測器17檢測在被照射電子束B2的觀察區域R2內從試料S產生的二次電子的觀察條件。另外，觀察區域R2是包含於照射區域的區域之中，包含有在補正觀察區域R1的位置的漂移補正中作為基準的記號的區域。
這裡，觀察區域R2可以是一部分與觀察區域R1重疊的結構，也可以是完全不與觀察區域R1重疊的結構。此外，例如在第2觀察條件中所包含的檢測器資訊所示的檢測器、與第3觀察條件中所包含的檢測器資訊所示的檢測器是不同的檢測器的情況下，也可以是觀察區域R2與觀察區域R1完全重疊的結構。另外，由於漂移補正是習知的技術，因此省略詳細的說明。
此外，在以下內容中，作為一例，對控制裝置30在該時序對觀察區域R1的位置確定完的情況進行說明。
此外，以下，作為一例，對控制裝置30在進行圖4所示的步驟S110的處理之前的時序，接受了示出第1目標亮度的第1目標亮度資訊、和示出第2目標亮度的第2目標亮度資訊的情況進行說明。
第1目標亮度是針對由像形成部362根據第1二次電子檢測器16檢測到從觀察區域R1產生的粒子的信號作為第1觀察像形成的觀察像的亮度的目標亮度。換言之，第1目標亮度是作為適合觀察區域R1的觀察的亮度而根據第1觀察像來決定的目標亮度。
第2目標亮度是針對由像形成部362根據第1二次電子檢測器16檢測到從觀察區域R2產生的粒子的信號作為第2觀察像形成的觀察像的亮度的目標亮度。換言之，第2目標亮度是作為適合觀察區域R2的觀察的亮度而根據第2觀察像來決定的目標亮度。第2目標亮度除偶然一致的情況外，是與第1目標亮度不同的亮度。即，作為控制裝置30，即使將示出與第1目標亮度相同的亮度的資訊作為第2目標亮度資訊來接受，作為裝置也不會產生問題。
在圖4所示的步驟S110中，粒子顯微鏡控制部361在記憶部32中生成儲存在後述的步驟S120中進行蝕刻處理的次數即蝕刻次數的變數。然後，粒子顯微鏡控制部361將記憶部32中生成的該變數初始化為零(步驟S110)。即，粒子顯微鏡控制部361將蝕刻次數初始化為零。另外，粒子顯微鏡控制部361也可以是將該變數初始化為不同於零的其他數值的結構。此外，粒子顯微鏡控制部361也可以是作為該變數在記憶部32中生成儲存表示蝕刻次數的字串、記號等的變數的結構。
接下來，粒子顯微鏡控制部361根據事先接受的第1觀察條件來控制集束離子束鏡筒11，進行配置在照射區域內的試料S的表面之中包含在觀察區域R1內的表面的蝕刻(步驟S120)。然後，粒子顯微鏡控制部361使用於儲存記憶在記憶部32中的蝕刻次數的變數中所儲存的值加1。另外，在步驟S120中進行該表面蝕刻的方法可以是已知的方法，也可以是今後將要開發的方法。因此，關於在步驟S120中進行該表面蝕刻的方法的詳細情況省略說明。
接下來，粒子顯微鏡控制部361根據事先接受的第2調整對象區域資訊、和事先接受的第2目標亮度資訊來控制粒子顯微鏡10，將第2二次電子檢測器17的亮度調整作為第2亮度調整來進行(步驟S130)。由此，粒子顯微鏡控制部361使第2觀察像的亮度接近第2目標亮度。在該一例中，作為第2觀察像的調整對象區域即第2調整對象區域是第2觀察像的整個區域。因此，第2觀察像的整個區域是第2區域的一例。這裡，粒子顯微鏡控制部361例如讀出記憶在記憶部32中的第2調整對象區域資訊以及第2目標亮度資訊，根據所讀出的第2調整對象區域資訊以及第2目標亮度資訊來控制粒子顯微鏡10。此外，粒子顯微鏡控制部361反復進行第2亮度調整，直到判定為第2調整對象區域的亮度(在該一例中是第2觀察像的亮度)與第2目標亮度一致為止。更具體來說，粒子顯微鏡控制部361例如在第2調整對象區域的亮度包含在第2目標亮度的±5%左右的範圍內的情況下，判定為第2調整對象區域的亮度與第2目標亮度一致，從而結束第2亮度調整。另外，該±5%的誤差範圍可以是比±5%小的誤差範圍，也可以是比±5%大的誤差範圍。此外，進行第2二次電子檢測器17的亮度調整的方法可以是已知的方法，也可以是今後將要開發的方法。因此，關於進行第2二次電子檢測器17的亮度調整的方法的詳細情況省略說明。
接下來，粒子顯微鏡控制部361根據事先接受的第3觀察條件來控制粒子顯微鏡10，以進行漂移補正(步驟S140)。這時，粒子顯微鏡控制部361使電子束鏡筒12向觀察區域R2照射電子束B2，使像形成部362形成觀察區域R2的觀察像(該情況下為SEM像)，從像形成部362取得該觀察像作為第2觀察像。該第2觀察像是基於藉由步驟S160的處理進行亮度調整之後的第2二次電子檢測器17檢測到該二次電子的信號的觀察像。因此，前述第2調整對象區域的亮度(在該一例中為第2觀察像的亮度)與第2目標亮度一致。換言之，第2觀察像是適合觀察區域R2的觀察的亮度的觀察像。粒子顯微鏡控制部361根據所取得的第2觀察像來補正觀察區域R1的位置。
接下來，粒子顯微鏡控制部361根據事先接受的第1調整對象區域和事先接受的第1目標亮度資訊來控制粒子顯微鏡10，進行第1二次電子檢測器16的亮度調整作為第1亮度調整(步驟S150)。由此，粒子顯微鏡控制部361使第1觀察像的亮度接近第1目標亮度。在該一例中，作為第1觀察像的調整對象區域即第1調整對象區域是第1觀察像的整體區域。因此，第1觀察像的整體區域是第1區域的一例。這裡，粒子顯微鏡控制部361例如讀出記憶在記憶部32中的第1調整對象區域資訊以及第1目標亮度資訊，根據所讀出的第1調整對象區域以及第1目標亮度資訊來控制粒子顯微鏡10。此外，粒子顯微鏡控制部361反復進行第1亮度調整，直到判定為第1調整對象區域的亮度(在該一例中為第1觀察像的亮度)與第1目標亮度一致為止。更具體來說，粒子顯微鏡控制部361例如在第1調整對象區域的亮度包含在第1目標亮度的±5%左右的範圍內的情況下，判定為第1調整對象區域的亮度與第1目標亮度一致，從而結束第1亮度調整。另外，該±5%的誤差範圍可以是比±5%小的誤差範圍，也可以是比±5%大的誤差範圍。此外，進行第1二次電子檢測器16的亮度調整的方法可以是已知的方法，也可以是今後將要開發的方法。因此，關於進行第1二次電子檢測器16的亮度調整的方法的詳細情況，省略說明。
接下來，粒子顯微鏡控制部361根據事先接受的第2觀察條件來控制電子束鏡筒12，向配置在照射區域內的試料S的表面之中的觀察區域R1內照射電子束B2。像形成部362根據第1二次電子檢測器16檢測到藉由該電子束B2的照射而在觀察區域R1中從試料S產生的二次電子的信號，形成觀察區域R1的觀察像(該情況下為SEM像)。粒子顯微鏡控制部361取得像形成部362形成的觀察像作為第1觀察像(步驟S160)。第1觀察像是基於藉由步驟S130的處理進行亮度調整之後的第1二次電子檢測器16檢測到該二次電子的信號的觀察像。因此，第1調整對象區域(在該一例中為第1觀察像的亮度)與第1目標亮度一致。換言之，第1觀察像是適合觀察區域R1的觀察的亮度的觀察像。
接下來，粒子顯微鏡控制部361判定用於儲存記憶在記憶部32中的蝕刻次數的變數中所儲存的蝕刻次數是否為預定值以上(步驟S170)。這裡，預定值是根據使用者想對試料S進行蝕刻的期望次數而確定的值。另外，預定值由使用者預先輸入到粒子顯微鏡控制部361。
粒子顯微鏡控制部361在判定為記憶在記憶部32中的蝕刻次數為預定值以上的情況下(步驟S170-YES)，結束處理。
另一方面，粒子顯微鏡控制部361在判定為記憶在記憶部32中的蝕刻次數未滿預定值的情況下(步驟S170-NO)，轉移到步驟S120，根據藉由剛執行的步驟S140的處理進行了補正後的觀察區域R1的位置、和事先接受的第1觀察條件來控制集束離子束鏡筒11，再次進行配置在照射區域內的試料S的表面之中包含在觀察區域R1內的表面的蝕刻。
如以上，粒子束照射裝置1執行：取得由像形成部(在上述說明的例子中為362)形成的觀察像作為第1觀察像，計算出所取得的第1觀察像中的第1區域(在該一例中為第1調整對象區域)的亮度，在第1區域的亮度與第1目標亮度不同的情況下，根據第1目標亮度進行第1檢測部(在上述說明的例子中為第1二次電子檢測器16)的亮度調整作為第1亮度調整、取得由像形成部362形成的觀察像作為第2觀察像，計算出所取得的第2觀察像中的第2區域(在上述說明的例子中為第2調整對象區域)的亮度，在第2區域的亮度與第2目標亮度不同的情況下，根據第2目標亮度來進行第2檢測部的亮度調整作為第2亮度調整。由此，粒子束照射裝置1即使在利用複數檢測器進行觀察的情況下，也能夠縮短複數檢測器的亮度調整所需的時間。此外，粒子束照射裝置1能夠將複數觀察區域各自的觀察像形成為適合觀察的亮度的觀察像。其結果，在圖4所示的流程圖的處理中，粒子束照射裝置1能夠一邊進行高精度的漂移補正，一邊容易地反復取得適合觀察的亮度的第1觀察像。
另外，在示出第1二次電子檢測器16的檢測器資訊以及示出其他檢測器的檢測器資訊(例如，示出第2二次電子檢測器17的檢測器資訊)均包含在第2觀察條件中的情況下，在步驟S150中，粒子束照射裝置1進行第1二次電子檢測器16的亮度調整作為第1亮度調整，並且進行該其他檢測器的亮度調整作為第3亮度調整。此外，該情況下，粒子束照射裝置1並行地進行第1亮度調整和第3亮度調整。這裡，粒子束照射裝置1在進行第1亮度調整的同時進行第3亮度調整的情況下，根據事先接受的第1調整對象區域資訊所示的第1調整對象區域、和事先接受的第1目標亮度資訊所示的第1目標亮度來進行第1亮度調整，並根據事先接受的第3調整對象區域資訊所示的第3調整對象區域、和事先接受的第3目標亮度資訊所示的第3目標亮度來進行第3亮度調整。第3調整對象區域是指在第3亮度調整中作為進行亮度調整的對象的區域。第3目標亮度除偶然一致的情況外，是與第1目標亮度不同的亮度。由此，在使用某2個檢測器並行地形成不同的兩種觀察像(例如，SEM像和BSE像等)的情況下，粒子束照射裝置1能夠縮短該2個檢測器各自的亮度調整所需的時間。另外，該情況下，粒子束照射裝置1也可以是以預定的順序來進行第1亮度調整和第3亮度調整的結構。這裡，這樣並行地進行2個檢測器各自的亮度調整，不僅可以在步驟S150中進行，還可以在步驟S130中進行。
此外，粒子束照射裝置1也可以是在某個觀察條件中包含有示出3個以上的檢測器各者的檢測器資訊的情況下，並行地進行該3個以上的檢測器各自的亮度調整的結構。
這裡，基於在使涉及某個檢測器DT1的亮度調整的電壓值V1以預定值變化的情況下檢測器DT1檢測到粒子的信號的觀察像的亮度的變化量K1、與基於在使涉及另一檢測器DT2的亮度調整的電壓值V2以預定值變化的情況下檢測器DT2檢測到粒子的信號的觀察像的亮度的變化量K2有不同的情形。在變化量K1與變化量K2不同的情況下，基於某個目標亮度TK1的檢測器DT1的亮度調整所需的時間與基於另一目標亮度TK2的檢測器DT2的亮度調整所需的時間除偶然一致的情況外，都是不一致的。因此，該情況下，粒子束照射裝置1即使在並行地進行了檢測器DT1的亮度調整和檢測器DT2的亮度調整的情況下，也難以縮短這2個亮度調整所需的時間。因此，粒子束照射裝置1也可以預先記憶示出電壓值V1的變化量與變化量K1之間的比例關係的第1比例資訊、及前述示出電壓值V2的變化量與變化量K2之間的比例關係的第2比例資訊的結構。該情況下，粒子束照射裝置1能夠根據第1比例資訊和第2比例資訊來分別改變電壓值V1以及電壓值V2，使得基於目標亮度TK1的檢測器DT1的亮度調整所需的時間、與基於目標亮度TK2的檢測器DT2的亮度調整所需的時間一致。這樣的情況在粒子束照射裝置1中進行3個以上的檢測器各自的亮度調整的情況下也是同樣的。此外，藉由預先記憶這樣的比例關係資訊，粒子束照射裝置1還能夠縮短各個檢測器的亮度調整所需的時間。
但是，在基於某個檢測器檢測到粒子的信號的觀察像是SEM像的情況下，涉及該檢測器的亮度調整的電壓值的變化量、與該SEM像的亮度的變化量之間的比例關係根據該檢測器的每個倍率(Fields Of View：視野)而不同。因此，粒子束照射裝置1在記憶示出該比例關係的比例關係資訊的情況下，優選記憶該檢測器的每個倍率的該比例關係資訊、或者記憶作為該檢測器的基準的倍率中的該比例關係資訊所示的比例關係與其他倍率中的該比例關係資訊所示的比例關係之間的補正係數的資訊。
另外，在上述說明的比例關係資訊可以是將電壓值的變化量和亮度的變化量建立對應的表，也可以是示出電壓值的變化量、亮度的變化量、比例關係中的比例常數的資訊，還可以是示出該比例關係的其他資訊。
＜控制裝置接受觀察條件的處理＞ 以下，參照圖5對控制裝置30接受觀察條件的處理進行說明。圖5是示出控制裝置30接受觀察條件的處理流程的一例的圖。
在以下內容中，作為一例，對在進行圖5所示的步驟S210的處理之前的時序，像形成部362將照射區域整體的SEM像形成為照射區域整體的觀察像的情況進行說明。此外，在以下內容中，作為一例，對控制裝置30在該時序接受了使控制裝置30開始觀察條件的接受的操作的情況進行說明。
顯示控制部363從像形成部362取得照射區域整體的觀察像。然後，顯示控制部363生成包含所取得的該觀察像的觀察條件接受圖像。觀察條件接受圖像是指控制裝置30從使用者接受觀察條件的圖像。顯示控制部363將所生成的觀察條件接受圖像輸出到顯示裝置35進行顯示。即，顯示控制部363將該觀察像顯示在顯示裝置35上(步驟S210)。這裡，由於在觀察條件接受圖像上顯示的觀察像是照射區域整體的SEM像，因此，該觀察像上的位置與照射區域上的位置一一對應。
接下來，顯示控制部363根據在步驟S210中取得的觀察像，將該觀察像上的區域之中被推定為使用者想觀察的期望觀察區域的區域確定為觀察區域的候補。這裡，顯示控制部363例如根據機器學習模型、和該觀察像，從該觀察像上的區域之中，將被推定為使用者想觀察的期望觀察區域的區域確定為觀察區域的候補。在該機器學習模型中，將包含使用者想觀察的具有期望特徵的部位(例如，預定形狀的突起、預定形狀的邊緣等)的圖像作為教師圖像進行學習。該機器學習模型可以是神經網路的模型，也可以是深度學習的模型，還可以是其他機器學習的模型。此外，顯示控制部363也可以是代替機器學習模型，根據圖案匹配等其他演算法和該觀察像，從該觀察像上的區域之中，將被推定為使用者想觀察的期望觀察區域的區域確定為觀察區域的候補的結構。顯示控制部363將示出所確定的觀察區域候補的觀察區域候補資訊與在觀察條件接受圖像上顯示的觀察像重疊地顯示(步驟S220)。由此，粒子束照射裝置1能夠刪減使用者根據該觀察像來尋找期望的觀察區域的時間。另外，在步驟S220中，顯示控制部363可以是僅將一個觀察區域候補資訊與該觀察像重疊地顯示的結構，也可以是將互不相同的複數觀察區域候補資訊與該觀察像重疊地顯示的結構。
這裡，圖6是示出顯示裝置35上所顯示的圖像之中的照射區域整體的觀察像的一例的圖。圖6所示的圖像RP示出該觀察像的一例。並且，圖6所示的資訊RR示出顯示控制部363顯示在該觀察像上的觀察區域候補資訊的一例。
在進行步驟S220的處理之後，粒子顯微鏡控制部361經由觀察條件接受圖像來接受觀察區域資訊(步驟S230)。具體而言，粒子顯微鏡控制部361根據從使用者對觀察條件接受圖像進行的操作來接受示出使用者所期望的觀察區域的觀察區域資訊。例如，在由使用者在圖6所示的圖像RP上選擇了資訊RR的情況下，粒子顯微鏡控制部361將資訊RR所示的觀察區域候補資訊接受為示出使用者所期望的觀察區域的觀察區域資訊。此外，例如，在由使用者在圖6所示的圖像RP上選擇了與資訊RR所示的區域不同的區域的情況下，粒子顯微鏡控制部361將示出所選擇的該區域的資訊接受為觀察區域資訊。圖6所示的區域SR是這樣由使用者選擇出的區域的一例。另外，使用者在圖像RP上選擇區域的方法可以是已知的方法，也可以是今後將要開發的方法。因此，關於使用者在圖像RP上選擇區域的方法的詳細情況省略說明。
接下來，粒子顯微鏡控制部361經由觀察條件接受圖像來接受示出使用者想使用的粒子束鏡筒的粒子束鏡筒資訊，作為向在步驟S230中接受的觀察區域資訊所示的觀察區域照射粒子束的粒子束鏡筒(步驟S240)。
接下來，粒子顯微鏡控制部361經由觀察條件接受圖像來接受關於在步驟S240中接受的粒子束鏡筒資訊所示的粒子束鏡筒的照射參數資訊(步驟S250)。
接下來，粒子顯微鏡控制部361經由觀察條件接受圖像來接受示出使用者想在步驟S230中接受的觀察區域資訊所示的觀察區域中從試料S產生的粒子的檢測中使用的檢測器的檢測器資訊(步驟S260)。另外，在步驟S250中，在該檢測器存在複數的情況下，粒子顯微鏡控制部361經由觀察條件接受圖像來接受複數檢測器資訊。
接下來，粒子顯微鏡控制部361經由觀察條件接受圖像來接受關於在步驟S260中接受的檢測器資訊所示的檢測器的檢測參數資訊(步驟S270)。另外，在步驟S270中，在該檢測器存在複數的情況下，粒子顯微鏡控制部361針對複數該檢測器的各者而接受檢測參數資訊。
這裡，步驟S240~步驟S270的處理也可以按照與圖5所示的流程圖的順序不同的順序來進行。此外，該處理之中的一部分或全部也可以並行地進行。此外，該處理之中的一部分或全部還可以與步驟S240的處理並行地進行。
在進行步驟S270的處理之後，粒子顯微鏡控制部361生成包含在步驟S230~步驟S270的處理中接受的觀察區域資訊、粒子束鏡筒資訊、照射參數資訊、檢測器資訊、檢測參數資訊的資訊作為觀察條件(步驟S280)。
接下來，粒子顯微鏡控制部361將在步驟S280中生成的觀察條件記憶在記憶部32中(步驟S290)。
接下來，粒子顯微鏡控制部361經由觀察條件接受圖像來接受在進行與在步驟S290中記憶在記憶部32中的觀察條件對應的檢測器的亮度調整的情況下使用的目標亮度資訊(步驟S300)。
接下來，粒子顯微鏡控制部361將在步驟S300中接受的目標亮度資訊與在步驟S290中所記憶的觀察條件建立對應記憶在記憶部32中(步驟S310)。由此，粒子顯微鏡控制部361能夠從記憶部32讀出與該觀察條件建立對應的目標亮度資訊。
接下來，粒子顯微鏡控制部361進行是否追加下一個觀察條件的判定(步驟S320)。這裡，在粒子顯微鏡控制部361經由觀察條件接受圖像從使用者接受了追加下一個觀察條件的操作的情況下，判定為要追加下一個觀察條件。另一方面，粒子顯微鏡控制部361在未經由觀察條件接受圖像從使用者接受該操作的情況下，判定為不追加下一個觀察條件。
在粒子顯微鏡控制部361判定為不追加下一個觀察條件的情況下(步驟S320-NO)，刪除在顯示裝置35顯示的觀察條件接受圖像，結束處理。
另一方面，粒子顯微鏡控制部361在判定為要追加下一個觀察條件的情況下(步驟S320-YES)，轉移到步驟S230，再次接受示出下一個觀察區域的觀察區域資訊。
另外，粒子顯微鏡控制部361可以是藉由與圖5所示的步驟S230的處理相同的處理來事先接受前述第1調整對象區域資訊和第2調整對象區域資訊的結構，也可以是藉由其他的處理來事先接受第1調整對象區域資訊和第2調整對象區域資訊的結構。
此外，在圖5所示的流程圖中，步驟S220的處理也可以省略。即，顯示控制部363也可以是不進行觀察區域候補的推定和觀察區域候補資訊的顯示的結構。
此外，在圖5所示的流程圖中，步驟S230的處理也可以省略。即，粒子顯微鏡控制部361也可以是在不從使用者接受操作的情況下，將觀察區域候補資訊接受為觀察區域資訊，前述觀察區域候補資訊示出在步驟S220中由顯示控制部363推定的觀察區域候補的結構。
此外，粒子束照射裝置1也可以例如，在接受2個以上的觀察區域資訊的情況下，在不伴隨來自使用者的操作的情況下從觀察區域候補資訊之中接受該2個以上的觀察區域資訊之中的一部分，並根據來自使用者的操作來接受該2個以上的觀察區域資訊之中的其餘資訊的全部的結構。
此外，粒子束照射裝置1也可以是例如，在接受2個以上的觀察區域資訊的情況下，在接受該2個以上的觀察區域資訊之中的一部分時顯示觀察區域候補資訊，而在接受該2個以上的觀察區域資訊之中的其餘資訊的全部時不顯示觀察區域候補資訊的結構。
此外，在圖5所示的步驟S230的處理中，粒子顯微鏡控制部361所接受的觀察區域資訊也可以是示出照射區域整體的資訊，即示出圖像RP整體的區域的資訊。
＜實施形態的變形例＞ 在上述內容中進行了說明的例子中，在粒子顯微鏡10中，集束離子束鏡筒11和電子束鏡筒12配置成各自的照射軸斜交。然而，在粒子顯微鏡10中，如圖7所示，也可以是集束離子束鏡筒11和電子束鏡筒12配置成各自的照射軸彼此正交的結構。圖7是示出粒子束照射裝置1的結構的另一例的圖。
但是，在圖7所示的例子中，載物台14的位置是三維座標系12C中的位置，由三維座標系14C的原點的位置來表示。此外，在該例子中，載物台14的姿勢是相對於三維座標系12C的各座標軸的方向，由三維座標系14C的各座標軸的方向來表示。這裡，三維座標系12C是指與電子束鏡筒12的預先決定的位置建立對應的三維正交座標系。該預先決定的位置例如是電子束鏡筒12的重心的位置。在圖7中，三維座標系12C的原點的位置從該重心的位置錯開，以防止圖式變得煩雜。另外，代替電子束鏡筒12的重心的位置，該預先決定的位置也可以是與電子束鏡筒12建立對應的其他位置。由於電子束鏡筒12在試料室13內被固定而不動，因此，三維座標系12C的原點的位置以及三維座標系12C的各座標軸的方向被固定而不動。
具備圖7所示的粒子顯微鏡10的粒子束照射裝置1能夠進行與在圖4~6中進行了說明的處理相同的處理。其結果，該粒子束照射裝置1即使在利用複數檢測器進行觀察的情況下，也能夠縮短複數檢測器的亮度調整所需的時間。
如以上進行了說明的那樣，上述實施形態的粒子束照射裝置具備：向預定的照射區域內照射粒子束的照射部；檢測藉由對配置在前述照射區域內的試料照射前述粒子束而從前述試料產生的第1粒子的第1檢測部；檢測藉由對前述試料照射前述粒子束而從前述試料產生的第2粒子的第2檢測部；進行形成基於前述第1檢測部檢測到前述第1粒子的第1信號的觀察像的步驟、以及形成基於前述第2檢測部檢測到前述第2粒子的第2信號的觀察像的步驟的像形成部；進行取得由前述像形成部形成的觀察像作為第1觀察像，計算所取得的前述第1觀察像中的第1區域的亮度，在前述第1區域的亮度與第1目標亮度不同的情況下，根據前述第1目標亮度來進行前述第1檢測部的亮度調整作為第1亮度調整的步驟、以及取得由前述像形成部形成的觀察像作為第2觀察像，計算所取得的前述第2觀察像中的第2區域的亮度，在前述第2區域的亮度與第2目標亮度不同的情況下，根據前述第2目標亮度來進行前述第2檢測部的亮度調整作為第2亮度調整的步驟的控制部。由此，粒子束照射裝置即使在利用複數檢測器進行觀察的情況下，也能夠縮短複數檢測器的亮度調整所需的時間。
此外，在粒子束照射裝置中，也可以採用第1觀察像以及第2觀察像分別是基於第1信號的觀察像的結構。
此外，在粒子束照射裝置中，也可以採用第1觀察像以及第2觀察像分別是基於第2信號的觀察像的結構。
此外，在粒子束照射裝置中，也可以採用第1觀察像是基於第1信號的觀察像、第2觀察像是基於第2信號的觀察像的結構。
此外，在粒子束照射裝置中，也可以採用控制部藉由第1亮度調整使第1區域的亮度接近第1目標亮度，藉由第2亮度調整使第2區域的亮度接近第2目標亮度的結構。
此外，在粒子束照射裝置中，也可以採用第1區域是包含在第1觀察像中的區域之中，包含試料的作為想觀察的對象的部位的區域，第2區域是在包含於第2觀察像中的區域之中，包含在補正第1區域的位置的漂移補正中作為基準的記號的區域的結構。
此外，在粒子束照射裝置中，也可以採用具備顯示圖像的顯示部，控制部使在進行了第1亮度調整之後由像形成部形成的第1觀察像、和在進行了第2亮度調整之後由像形成部形成的第2觀察像中的至少一者顯示在顯示部的結構。
以上，參照圖式詳細地敘述了本發明的實施形態，但是，具體的結構不限於該實施形態，只要不脫離本發明的主旨，也可以進行變更、置換、刪除等。
此外，也可以將用於實現以上進行了說明的裝置(例如，控制裝置30)中的任意構成部的功能的程式記錄在電腦可讀取的記錄媒體，使電腦系統讀入並執行該程式。另外，設這裡所說的「電腦系統」包含OS(Operating System：作業系統)及周邊機器等硬體。此外，「電腦可讀取的記錄媒體」是指軟碟、光磁片、ROM、CD (Compact Disk：光碟)-ROM等可移動媒體、內置於電腦系統中的硬碟等記憶裝置。此外，「電腦可讀取的記錄媒體」是指還包含如經由互聯網等網路或電話線路等通信線路發送了程式時的伺服器或成為使用者端的電腦系統內部的揮發性記憶體(RAM)那樣的將程式保持一時序間的媒體。
此外，上述的程式還可以從將該程式儲存在記憶裝置等的電腦系統經由傳輸媒體、或者藉由傳輸媒體中的傳輸波傳輸到其他電腦系統。這裡，傳輸程式的「傳輸媒體」是指，如互聯網等網路(通信網)或電話線路等通信線路(通信線)那樣具有傳輸資訊的功能的媒體。 此外，上述的程式還可以是用於實現前述的功能的一部分的程式。此外，上述的程式還可以是所謂的差分檔(差分程式)，能夠藉由與已經將前述的功能記錄在電腦系統的程式的組合來實現。
1:粒子束照射裝置 10:粒子顯微鏡 11:集束離子束鏡筒 11C,12C,14C:三維座標系 12:電子束鏡筒 13:試料室 14:載物台 16:第1二次電子檢測器 17:第2二次電子檢測器 18:反射電子檢測器 30:控制裝置 32:記憶部 33:輸入接受部 34:通信部 35:顯示裝置 36:控制部 361:粒子顯微鏡控制部 362:像形成部 363:顯示控制部 B1:集束離子束 B2:電子束 R1,R2:觀察區域 RP:圖像 RR:資訊 S:試料 SR:區域
[圖1]是示出粒子束照射裝置1的結構的一例的圖。 [圖2]是示出控制裝置30的硬體結構的一例的圖。 [圖3]是示出控制裝置30的功能結構的一例的圖。 [圖4]是示出粒子束照射裝置1進行觀察區域R1中的試料S的蝕刻和觀察區域R1的觀察像形成的處理流程的一例的圖。 [圖5]是示出控制裝置30接受觀察條件的處理流程的一例的圖。 [圖6]是示出在顯示裝置35顯示的圖像之中的照射區域整體的觀察像的一例的圖。 [圖7]是示出粒子束照射裝置1的結構的另一例的圖。
10:粒子顯微鏡
30:控制裝置
32:記憶部
33:輸入接受部
35:顯示裝置
36:控制部
361:粒子顯微鏡控制部
362:像形成部
363:顯示控制部

Claims (7)

  1. 一種粒子束照射裝置，具備： 向預定的照射區域內照射粒子束的照射部； 檢測藉由對配置在前述照射區域內的試料照射前述粒子束而從前述試料產生的第1粒子的第1檢測部； 檢測藉由對前述試料照射前述粒子束而從前述試料產生的第2粒子的第2檢測部； 進行形成基於前述第1檢測部檢測到前述第1粒子的第1信號的觀察像的步驟、與形成基於前述第2檢測部檢測到前述第2粒子的第2信號的觀察像的步驟的像形成部；以及 進行取得由前述像形成部形成的觀察像作為第1觀察像，計算所取得的前述第1觀察像中的第1區域的亮度，在前述第1區域的亮度與第1目標亮度不同的情況下，根據前述第1目標亮度來進行前述第1檢測部的亮度調整作為第1亮度調整的步驟、與取得由前述像形成部形成的觀察像作為第2觀察像，計算所取得的前述第2觀察像中的第2區域的亮度，在前述第2區域的亮度與第2目標亮度不同的情況下，根據前述第2目標亮度來進行前述第2檢測部的亮度調整作為第2亮度調整的步驟的控制部。
  2. 如請求項1所述的粒子束照射裝置，其中， 前述第1觀察像以及前述第2觀察像分別是基於前述第1信號的觀察像。
  3. 如請求項1所述的粒子束照射裝置，其中， 前述第1觀察像以及前述第2觀察像分別是基於前述第2信號的觀察像。
  4. 如請求項1所述的粒子束照射裝置，其中， 前述第1觀察像是基於前述第1信號的觀察像， 前述第2觀察像是基於前述第2信號的觀察像。
  5. 如請求項1至4中的任一項所述的粒子束照射裝置，其中， 前述控制部藉由前述第1亮度調整使前述第1區域的亮度接近前述第1目標亮度，藉由前述第2亮度調整使前述第2區域的亮度接近前述第2目標亮度。
  6. 如請求項1至5中的任一項所述的粒子束照射裝置，其中， 前述第1區域是包含在前述第1觀察像的區域之中，包含前述試料的作為想觀察的對象的部位的區域， 前述第2區域是包含在前述第2觀察像的區域之中，包含在補正前述第1區域的位置的漂移補正中作為基準的記號的區域。
  7. 如請求項1至6中的任一項所述的粒子束照射裝置，具備： 顯示圖像的顯示部， 前述控制部使在進行了前述第1亮度調整之後由前述像形成部形成的前述第1觀察像、和在進行了前述第2亮度調整之後由前述像形成部形成的前述第2觀察像中的至少一者顯示在前述顯示部。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020115876A1 (ja) * 2018-12-06 2020-06-11 株式会社日立ハイテク 荷電粒子線装置
DE102020211900A1 (de) * 2019-09-25 2021-03-25 Hitachi High-Tech Science Corporation Ladungsträgerstrahlvorrichtung

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0346743A (ja) * 1989-07-14 1991-02-28 Hitachi Ltd 走査形電子顕微鏡等の画質調整装置
JP4667650B2 (ja) 2001-06-08 2011-04-13 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 断面観察方法及び集束イオンビーム装置
JP4486509B2 (ja) 2005-01-06 2010-06-23 日本電子株式会社 電子顕微鏡
JP5739119B2 (ja) 2009-09-15 2015-06-24 株式会社日立ハイテクサイエンス 断面加工観察装置
JP5313939B2 (ja) 2010-02-09 2013-10-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン検査方法、パターン検査プログラム、電子デバイス検査システム
JP2011210599A (ja) 2010-03-30 2011-10-20 Renesas Electronics Corp Ｆｉｂ加工装置、ｆｉｂ加工方法及びそのプログラム
JP2012169084A (ja) 2011-02-10 2012-09-06 Hitachi High-Technologies Corp 走査型電子顕微鏡
WO2012155267A1 (en) 2011-05-13 2012-11-22 Fibics Incorporated Microscopy imaging method and system
JP5743955B2 (ja) * 2012-05-28 2015-07-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン検査装置およびパターン検査方法
JP6640057B2 (ja) * 2016-09-14 2020-02-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子顕微鏡装置及びそれを用いた傾斜ホールの測定方法
WO2018138875A1 (ja) 2017-01-27 2018-08-02 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP6736756B2 (ja) * 2017-02-22 2020-08-05 株式会社日立ハイテク 荷電粒子線装置
JP6872785B2 (ja) 2017-03-27 2021-05-19 株式会社日立ハイテクサイエンス 断面観察装置、及び制御方法
JP7107653B2 (ja) * 2017-08-31 2022-07-27 東レエンジニアリング先端半導体Ｍｉテクノロジー株式会社 画像生成方法

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