TW202125111A - 流體處理系統、方法及微影裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種用於潤濕由一輻射光束輻照之一基板之一表面之一區的流體處理系統。該流體處理系統包含一第一器件，該第一器件經組態以將一第一液體侷限於該第一器件之至少一部分與該基板之該表面之間的一第一空間。該第一器件包含形成於其中之一孔徑，該孔徑供該輻射光束從其穿過以藉由穿過該第一液體而輻照該區。該第一器件包含經組態以將該第一液體提供至該第一空間之至少一個第一液體供應部件及經組態以自該第一空間移除液體之至少一個提取部件。該流體處理系統進一步包含一第二器件，該第二器件包含經組態以將一第二液體提供至該第二器件之至少一部分與該基板之該表面之間的一第二空間之至少一個第二液體供應部件，其中在該基板之該表面上在該第二液體與該第一液體之間存在一間隙。該流體處理系統經組態以將該第二液體提供至該第二空間而無需自該第二空間移除任何液體以在至少該區上方形成一液體層，且經組態以在該基板之該表面上同時提供該第一液體及該第二液體。本發明亦提供一種潤濕一基板之一輻照區的方法及一種微影裝置。

Description

流體處理系統、方法及微影裝置

本發明係關於一種用於潤濕基板之流體處理系統及方法。本發明亦係關於微影裝置。

微影裝置為經建構以將所要圖案塗覆至基板上之機器。微影裝置可用於例如積體電路(integrated circuit，IC)製造中。微影裝置可例如將圖案化器件(例如，遮罩)之圖案(常常亦稱為「設計佈局」或「設計」)投影至提供於基板(例如，晶圓)上之一層輻射敏感材料(抗蝕劑)上。已知的微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。

隨著半導體製造程序持續進步，幾十年來，電路元件之尺寸已不斷地減小，而每器件的諸如電晶體之功能元件之量已在穩固地增加，此遵循通常稱為「莫耳定律(Moore's law)」之趨勢。為了跟上莫耳定律，半導體行業正追逐使得能夠產生愈來愈小特徵之技術。為了將圖案投影至基板上，微影裝置可使用電磁輻射。此輻射之波長判定經圖案化於基板上之特徵的最小大小。當前在使用中之典型波長為365 nm (i線)、248 nm、193 nm及13.5 nm。

可藉由在曝光期間在基板上提供具有相對高折射率之諸如水之浸潤流體來達成更小特徵之解析度的進一步提高。浸潤流體之效應係使能夠對較小特徵浸潤液體之效應係使得能夠對較小特徵進行成像，此係因為曝光輻射在流體中相比於在氣體中將具有較短波長。浸潤流體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑( numerical aperture，NA)且亦增加聚焦深度。

可由流體處理結構使浸潤流體侷限於微影裝置之投影系統與基板之間的局部區域。基板與受限制浸潤液體之間的快速相對移動會使得浸潤流體自局部區域洩漏。此洩漏係不合需要的且會引起基板上之缺陷。基板階梯形或相對於投影系統掃描基板之速度因此有限。此情形限制微影裝置之產出量。

本發明之一目標係提供一種進行量測以提高產出量之流體處理系統及方法。

根據本發明，提供一種用於潤濕由一輻射光束輻照之一基板之一表面之一區的流體處理系統，該流體處理系統包含：第一器件，其經組態以將一第一液體侷限於該第一器件之至少一部分與該基板之該表面之間的一第一空間，該第一器件具有形成其中之一孔徑，該孔徑供該輻射光束從其穿過以藉由穿過該第一液體輻照該區，該第一器件包含經組態以將該第一液體提供至該第一空間之至少一個第一液體供應部件及經組態以自該第一空間移除液體之至少一個提取部件；及一第二器件，其包含經組態以將一第二液體提供至該第二器件之至少一部分與該基板之該表面之間的一第二空間之至少一個第二液體供應部件，其中在該基板之該表面上在該第二液體與該第一液體之間存在一間隙，其中該流體處理系統經組態以將該第二液體提供至該第二空間而無需自該第二空間移除任何液體以在至少該區上方形成一液體層，且經組態以在該基板之該表面上同時提供該第一液體及該第二液體。

根據本發明，亦提供一種潤濕如本文中所揭示之一基板之一區的方法。

根據本發明，亦提供一種如本文中所揭示之微影裝置。

下文參考隨附圖式來詳細地描述本發明之另外實施例、特徵及優勢，以及本發明之各種實施例、特徵及優勢的結構及操作。

在本文中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外輻射(例如，具有365、248、193、157或126 nm之波長)。

如本文中所使用之術語「遮罩」或「圖案化器件」可被廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化器件，經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案。術語「光閥」亦可在本文中使用。除了經典遮罩(透射或反射、二元、相移、混合等)，其他此類圖案化器件之實例包括可程式規劃鏡面陣列及可程式規劃LCD陣列。

圖1示意性地描繪微影裝置。該微影裝置包括：照明系統(亦被稱作照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，UV輻射或DUV輻射)；遮罩支撐件(例如，遮罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，遮罩) MA且連接至第一定位器PM，該第一定位器經組態以根據某些參數準確地定位圖案化器件MA；基板支撐件(例如，基板台) WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至第二定位器PW，該第二定位器經組態以根據某些參數準確地定位基板支撐件WT；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。

在操作中，照明系統IL例如經由光束遞送系統BD自輻射源SO接收輻射光束B。照射系統IL可包括用於引導、塑形及/或控制輻射之各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電及/或其他類型之光學組件，或其任何組合。照明器IL可用於調節輻射光束B，以在圖案化器件MA之平面處在其橫截面中具有所要空間及角強度分佈。

本文所使用之術語「投影系統」PS應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射及/或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、合成、磁性、電磁及/或靜電光學系統或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用與更一般術語「投影系統」PS同義。

微影裝置屬於以下類型：其中基板W之至少一部分可由具有相對高折射率之浸潤液體(例如水)覆蓋，以便填充投影系統PS與基板W之間的浸潤空間11，此亦稱為浸潤微影。以引用方式併入本文中之US 6,952,253中給出關於浸潤技術之更多資訊。

微影裝置可屬於具有兩個或多於兩個基板支撐件WT (亦稱為「雙載物台」)之類型。在此「多載物台」機器中，可並行地使用基板支撐件WT，且/或可在位於基板支撐件WT中之一者上的基板W上進行準備基板W之後續曝光的步驟，同時將另一基板支撐件WT上之另一基板W用於在另一基板W上曝光圖案。

除基板支撐件WT以外，微影裝置可包含量測載物台(圖中未描繪)。該量測載物台經配置以固持感測器及/或清潔器件。感測器可經配置以量測投影系統PS之性質或輻射光束B之性質。量測載物台可固持多個感測器。清潔器件可經配置以清潔微影裝置之部分，例如投影系統PS之部分或提供浸潤液體之系統之部分。量測載物台可在基板支撐件WT遠離投影系統PS時在投影系統PS之下移動。

在操作中，輻射光束B入射至固持在遮罩支撐件MT上的圖案化器件MA (例如遮罩)，且藉由呈現於圖案化器件MA上的圖案(設計佈局)進行圖案化。在已橫穿遮罩MA的情況下，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統PS將光束聚焦於基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置量測系統IF，可準確地移動基板支撐件WT，例如以便在聚焦卻對準之位置處在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及可能的另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用於關於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。可使用遮罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記P1、P2佔據專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中。在基板對準標記P1、P2位於目標部分C之間時，將此等基板對準標記稱為切割道對準標記。

為闡明本發明，使用笛卡爾(Cartesian)座標系統。笛卡爾座標系統具有三個軸，亦即，x軸、y軸及z軸。三個軸中之每一者與其他兩個軸正交。圍繞x軸之旋轉被稱作Rx旋轉。圍繞y軸之旋轉被稱作Ry旋轉。圍繞z軸之旋轉被稱作Rz旋轉。x軸及y軸界定水平平面，而z軸處於豎直方向上。笛卡爾座標系不限制本發明，而僅用於說明。實情為，另一座標系統，諸如圓柱形座標系統可用於闡明本發明。笛卡爾座標系之定向可不同，例如，使得z軸具有沿著水平平面之分量。

已將浸潤技術引入至微影系統中以實現使能夠改良較小特徵之經改良解析度。在浸潤微影裝置中，在裝置之投影系統PS (經由該投影系統朝向基板W投影經圖案化光束)與基板W之間的浸潤空間11中插入具有相對高折射率之浸潤液體的液體層。浸潤液體至少覆蓋在投影系統PS之最終元件下的基板W之部分。因此，經歷曝光的基板W之至少部分浸潤於浸潤液體中。

在商用浸潤微影中，浸潤液體為水。通常，水為高純度之蒸餾水，諸如通常用於半導體製造工場中之超純水(UPW)。在浸潤系統中，UPW常常被純化且其可在作為浸潤液體而供應至浸潤空間11之前經歷額外處理。除了使用水作為浸潤液體以外，亦可使用具有高折射率之其他液體，例如：烴，諸如氟代烴；及/或水溶液。另外，已設想將除液體以外之其他流體用於浸潤微影中。

在本說明書中，將在描述中參考局域化浸潤，其中浸潤液體在使用中侷限於最終元件100與面向最終元件100之表面之間的浸潤空間11。對向表面係基板W之表面，或與基板W之表面共面的支撐載物台(或基板支撐件WT)之表面。(請注意，另外或在替代例中，除非另外明確說明，否則在下文中對基板W之表面的參考亦指基板支撐件WT之表面；且反之亦然)。存在於投影系統PS與基板支撐件WT之間的流體處理結構12用以將浸潤液體侷限於浸潤空間11。由浸潤液體填充之浸潤空間11在平面上小於基板W之頂部表面，且浸潤空間11相對於投影系統PS保持基本上靜止，同時基板W及基板支撐件WT在下面移動。

已經設想其他浸潤系統，諸如非受限制浸潤系統(所謂的「全濕潤(All Wet)」浸潤系統)及浴浸潤系統(bath immersion system)。在非受限制浸潤系統中，浸潤液體不僅僅覆蓋最終元件100下之表面。在浸潤空間11外部之液體係作為薄液體膜而存在。液體可覆蓋基板W之整個表面，或甚至基板W及與基板W共面之基板支撐件WT。在浴型系統中，基板W完全浸潤於浸潤液體之浴中。

流體處理結構12為以下結構：其將浸潤液體供應至浸潤空間11、自浸潤空間11移除浸潤液體，且藉此將浸潤液體侷限於浸潤空間11。其包括作為流體供應系統之一部分的特徵。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中揭示之配置為早期的流體處理結構，其包含管道，該管道供應浸潤液體或自浸潤空間11回收浸潤液體，且取決於投影系統PS之下的載物台之相對運動而操作。在最新設計中，流體處理結構沿著投影系統PS之最終元件100與基板支撐件WT或基板W之間的浸潤空間11之邊界的至少一部分延伸，以便部分地界定浸潤空間11。

流體手動操作結構12可具有一系列不同功能。每一功能可來源於使得流體處理結構12能夠達成彼功能之對應特徵。流體處理結構12可由數個不同術語提及，每一術語係指一功能，諸如障壁部件障壁部件、密封部件、流體供應系統、流體移除系統、液體限制結構等等。

作為障壁部件，流體處理結構12為對浸潤液體自浸潤空間11之流動的障壁。作為液體限制結構，該結構將浸潤液體侷限於浸潤空間11。作為密封部件，流體處理結構12之密封特徵形成密封以將浸潤液體侷限於浸潤空間11。密封特徵可包括來自密封部件(諸如氣刀)之表面中之開口的額外氣體流。

在一實施例中，流體處理結構12可供應浸潤流體，且因此係流體供應系統。

在一實施例中，流體處理結構12可至少部分地限制浸潤流體，且藉此為流體限制系統。

在一實施例中，流體處理結構12可提供對浸潤流體之障壁，且藉此係障壁部件，諸如流體限制結構。

在一實施例中，流體處理結構12可產生或使用氣流，例如以幫助控制浸潤流體之流動及/或位置。

氣體流可形成密封以限制浸潤流體，因此，流體處理結構12可被稱作密封部件；此密封部件可為流體限制結構。

在一實施例中，浸潤液體係用作浸潤流體。在彼狀況下，流體處理結構12可為液體處理系統。在參考前述描述的情況下，在此段落中對關於流體所界定之特徵的參考可被理解為包括關於液體所界定之特徵。

微影裝置具有投影系統PS。在基板W之曝光期間，投影系統PS將經圖案化輻射光束投影至基板W上。為了到達基板W，輻射光束B之路徑自投影系統PS穿過浸潤液體，該浸潤液體由位於投影系統PS與基板W之間的流體處理結構12限制。投影系統PS具有與浸潤液體接觸之透鏡元件，其為在光束之路徑中的最末元件。與浸潤液體接觸之此透鏡元件可被稱作「最末透鏡元件」或「最終元件」。最終元件100至少部分地由流體處理結構12環繞。流體處理結構12可將浸潤液體侷限於最終元件100下方及對向表面上方。

圖2a、圖2b及圖2c展示可存在於流體處理系統之變化形式中的不同特徵。除非有不同描述，否則該等設計可共用與圖2a、圖2b及圖2c相同的特徵中之一些。可如所展示或根據需要而個別地或組合地選擇本文中所描述之特徵。該等圖式描繪具有在左側及右側上說明之不同特徵的流體處理系統之不同版本，該等特徵可圍繞整個圓周延伸。因此，舉例而言，流體處理系統可具有圍繞整個圓周延伸的相同特徵。舉例而言，流體處理系統可僅具有圖2a左側之特徵，或圖2a右側之特徵，或圖2b左側之特徵，或圖2b右側之特徵，或2c左側之特徵，或2c右側之特徵。替代地，流體處理系統可具有來自此等圖式之在圍繞圓周之不同位置處的特徵之任何組合。流體處理系統可包含如下方變化形式中所描述之流體處理結構12。

圖2a展示圍繞最終元件100之底部表面的流體處理結構12。最終元件100具有倒截頭圓錐形形狀。截頭圓錐形形狀具有平坦底部表面及圓錐形表面。截頭圓錐形形狀自平坦表面突起且具有底部平坦表面。底部平坦表面為最終元件100之底部表面的光活性部分，輻射光束B可穿過該光活性部分。最終元件100可具有塗層30。流體處理結構12包圍截頭圓錐形形狀之至少部分。流體處理結構12具有面向截頭圓錐形形狀之圓錐形表面的內部表面。內部表面及圓錐形表面可具有互補形狀。流體處理結構12之頂部表面為實質上平坦的。流體處理結構12可圍繞最終元件100之截頭圓錐形形狀裝配。流體處理結構12之底部表面可為實質上平坦的，且在使用中，底部表面可平行於基板支撐件WT及/或基板W之對向表面。因此，流體處理結構12之底部表面可被稱作面向基板W之表面的表面。底部表面與對向表面之間的距離可在30微米至500微米之範圍內，理想地在80微米至200微米之範圍內。

相較於最終元件100，流體處理結構12更靠近基板W及基板支撐件WT之對向表面延伸。因此，在流體處理結構12之內部表面、截頭圓錐形部分之平坦表面及對向表面之間界定浸潤空間11。在使用期間，浸潤空間11填充有浸潤液體。浸潤液體填充最終元件100與流體處理結構12之間的互補表面之間的緩衝空間之至少部分，在一實施例中填充互補內部表面與圓錐形表面之間的空間之至少部分。

經由形成於流體處理結構12之表面中的開口將浸潤液體供應至浸潤空間11。可經由流體處理結構12之內部表面中的供應開口20來供應浸潤液體。替代地或另外，自形成於流體處理結構12之底部表面中的下方供應開口23供應浸潤液體。下方供應開口23可以包圍輻射光束B之路徑且其可由呈陣列形式的一系列開口或單個狹縫形成。供應浸潤液體以填充浸潤空間11以使得在投影系統PS下經過浸潤空間11之流動係層流的。自下方供應開口23供應浸潤液體另外防止氣泡進入浸潤空間11中。浸潤液體之此供應可充當液體密封。

可自形成於內部表面中之回收開口21回收浸潤液體。穿過回收開口21的浸潤液體之回收可藉由施加負壓而進行；穿過回收開口21之回收可由於穿過浸潤空間11之浸潤液體流的速度；或該回收可由於此兩者之結果。當在平面圖中觀察時，回收開口21可位於供應開口20之相對側上。另外或替代地，可經由位於流體處理結構12之頂部表面上的溢流回收件24回收浸潤液體。供應開口20與回收開口21可調換其功能(亦即，使液體之流動方向反向)。此允許取決於流體處理結構12及基板W之相對運動來改變流動方向。

另外或替代地，浸潤液體可通過形成於流體處理結構12之底部表面中的回收開口25自流體處理結構12下方回收。回收開口25可用以將浸潤液體之彎液面33固持至流體處理結構12。彎液面33形成於流體處理結構12與對向表面之間，且其充當液體空間與氣態外部環境之間的邊界。回收開口25可為可以單相流回收浸潤液體之多孔板。底部表面中之回收開口可為藉以回收浸潤液體之一系列牽制開口32。牽制開口32可以雙相流回收浸潤液體。

視情況，氣刀開口26自流體處理結構12之內部表面徑向地向外。可經由氣刀開口26以高速度供應氣體以輔助將浸潤液體侷限於浸潤空間11中。所供應之氣體可被加濕，且其可實質上含有二氧化碳。用於回收經由氣刀開口26所供應之氣體的氣體回收開口28自氣刀開口26徑向地向外。

例如向大氣或向氣體源或向真空開放之其他開口可存在於流體處理結構12之底部表面中，亦即，流體處理結構12之面向基板W的表面中。以圖2a之右側上的虛線展示此視情況選用之其他開口50之實例。如圖所示，其他開口50可為供應或提取部件，其由雙向箭頭指示。舉例而言，若經組態為供應部件，則其他開口50可如同供應部件中之任一者一樣連接至液體供應器或氣體供應器。替代地，若經組態為提取部件，則其他開口50可用於提取流體，且可例如連接至大氣或連接至氣體源或至真空。舉例而言，至少一個其他開口50可存在於氣刀開口26與氣體回收開口28之間及/或牽制開口32與氣刀開口26之間。

圖2a之左側及右側的流體處理結構12之兩個不同版本牽制彎液面33。歸因於牽制開口32之固定位置，圖2a之右側上的流體處理結構12之版本可在相對於最終元件100實質上固定之位置處牽制彎液面33。圖2a之左側上的流體處理結構12之版本可在回收開口25下方牽制彎液面33，且因此彎液面33可沿著回收開口25之長度及/或寬度移動。對於待在曝光下導引至基板W之完整側的輻射光束B，相對於投影系統PS移動支撐之基板W基板支撐件WT。為了最大化由微影裝置曝光之基板W的輸出，儘可能快地移動基板支撐件WT (及因此基板W)。然而，存在臨界相對速度(常常被稱作臨界掃描速度)，流體處理結構12與基板W之間的彎液面33超出該臨界相對速度會變得不穩定。不穩定彎液面33具有例如以一或多個小滴形式損失浸潤液體之更大風險。此外，不穩定彎液面33具有引起在浸潤液體中包括氣泡之更大風險，當受限制浸潤液體跨越基板W之邊緣時尤其如此。

基板W之表面上存在之小滴可施加熱負荷且可係缺陷度源。小滴可能會蒸發，從而留下乾燥斑點，小滴可能會移動，從而輸送諸如粒子之污染，小滴可能會與浸潤液體的較大體碰撞，從而將氣體氣泡引入至較大體中，且小滴可能會蒸發，從而向其定位之表面施加熱負荷。若該表面與相對於經成像基板W定位微影裝置之組件相關聯，則此熱負荷可係變形之起因及/或定位誤差之源。在表面上形成小滴因此係不合需要的。為了避免形成此小滴，基板支撐件WT之速度因此限於彎液面33保持穩定之臨界掃描速度。此情形限制微影裝置之產出量。

圖2b在其左側上及在其右側上展示流體處理結構12之兩個不同版本，該等版本允許彎液面33相對於最終元件100移動。彎液面33可在移動之基板W的方向上移動。此降低彎液面33與移動之基板W之間的相對速度，此可改良穩定性且降低彎液面33之擊穿風險。提高彎液面33擊穿之基板W的速度，以便允許基板W在投影系統PS下更快地移動。因此提高產出量。

圖2b中所展示之為圖2a所共有的特徵共用相同參考編號。流體處理結構12具有內部表面，該內部表面與截頭圓錐形形狀之圓錐形表面互補。流體處理結構12之底部表面相比於截頭圓錐形形狀之底部平坦表面更靠近對向表面。

經由形成於流體處理結構12之內部表面中的供應開口34將浸潤液體供應至浸潤空間11。供應開口34係朝向內部表面之底部而定位，可能位於截頭圓錐形形狀之底部表面下方。供應開口34圍繞內部表面而定位，圍繞輻射光束B之路徑間隔開。

在流體處理結構12之底部表面中，經由回收開口25自浸潤空間11回收浸潤液體。隨著對向表面在流體處理結構12下方移動，彎液面33可在與對向表面之移動相同的方向上遍及回收開口25之表面而遷移。回收開口25可由多孔部件形成。可單相回收浸潤液體。可以雙相流回收浸潤液體。在流體處理結構12內之腔室35中接收雙相流，其中將雙相流分離成液體及氣體。經由分開的通道36、38自腔室35回收液體及氣體。

流體處理結構12之底部表面的內部周邊39遠離內部表面延伸至浸潤空間11中以形成板40。內部周邊39形成可經設定大小以匹配輻射光束B之形狀及大小的小孔徑。板40可用以隔離其任一側之浸潤液體。所供應之浸潤液體朝向孔徑向內流動，穿過內部孔徑，且接著在板40下方朝向周圍的回收開口25徑向向外流動。

流體處理結構12可為兩部分，如圖2b之右側所展示：內部部分12a及外部部分12b。內部部分12a及外部部分12b可在平行於對向表面之平面中彼此相對移動。內部部分12a可具有供應開口34且內部部分12a可具有溢流回收件24。外部部分12b可具有板40及回收開口25。內部部分12a可具有中間回收件42，其用於回收在內部部分12a與外部部分12b之間流動的浸潤液體。

圖2b之流體處理結構的兩個不同版本因此允許彎液面33與基板W在相同方向上移動，從而實現更快掃描速度及微影裝置之提高的產出量。然而，圖2b之左側的流體處理結構12中之回收開口25之表面上方的彎液面33之遷移速度可係慢的。藉由相對於內部部分12a及最終元件100移動外部部分12b，圖2b之右側的流體處理結構12允許彎液面33更快地移動。然而，可能難以控制中間回收件42以便確保足夠浸潤液體提供於內部部分12a與外部部分12b之間來阻止該等部分之間發生接觸。

圖2c在其左側上及在其右側上展示流體處理結構12的兩個不同版本，該等版本可用於將浸潤液體之彎液面33牽制至流體處理結構12，如上文關於圖2a及/或圖2b所描述。圖2c中所展示之為圖2a及/或圖2b所共有的特徵共用相同參考編號。

流體處理結構12具有內部表面，該內部表面與截頭圓錐形形狀之圓錐形表面互補。流體處理結構12之底部表面相比於截頭圓錐形形狀之底部平坦表面更靠近對向表面。經由形成於流體處理結構12之表面中的開口遞送而將浸潤液體供應至浸潤空間11。可經由流體結構12之內部表面中的供應開口34來供應浸潤液體。替代地或另外，可經由流體結構12之內部表面中的供應開口20來供應浸潤液體。替代地或另外，經由下方供應開口23來供應浸潤液體。可經由提取部件，例如經由在內表面中形成之回收開口21及/或溢流回收件24及/或如下文所描述之流體處理結構12之表面中的一或多個開口來回收浸潤液體。

圖2c之左側及右側的流體處理結構12之兩個不同版本牽制彎液面33。歸因於回收開口32a之固定位置，圖2c之右側上的流體處理結構12之版本可在相對於最終元件100實質上固定之位置處牽制彎液面33。圖2c之左側上的流體處理結構12之版本可在回收開口25下方牽制彎液面33，且因此彎液面33可沿著回收開口25之長度及/或寬度移動。

如上文關於圖2b所描述，流體處理結構12之底部表面的內部周邊可遠離內部表面延伸至浸潤空間11中以形成板40，如左側上所示。如上文所描述，此情況可形成小孔徑，且可隔離任一側之浸潤液體及/或使浸潤液體朝向孔徑向內流動，穿過內部孔徑，且接著在板40下方朝向周圍的回收開口25徑向向外流動。儘管在圖2c中之左側上展示了此特徵，但其結合所展示之其他特徵為視情況選用之。較佳地，如左側上所示，經由形成於流體處理結構12之內部表面中的供應開口34將浸潤液體供應至浸潤空間11。供應開口34係朝向內部表面之底部而定位，可能位於截頭圓錐形形狀之底部表面下方。供應開口34圍繞內部表面而定位，圍繞輻射光束B之路徑間隔開。替代地或另外，可經由流體結構12之內部表面中的供應開口20來供應浸潤液體。替代地或另外，經由下方供應開口23來供應浸潤液體。儘管供應開口34為較佳的液體供應，但可提供供應開口34、供應開口20及/或下方供應開口23之任何組合。

如圖2c之左側上所示，流體處理系統可包含如上文所描述之流體處理結構12及第三器件300。流體處理結構12可具有提取部件，例如回收開口25，以及液體供應開口，例如下方供應開口23。應理解，流體處理結構12可包含如關於圖2a之左側、圖2a之右側、圖2b之左側、圖2b之右側或(如下文所描述)圖2c之右側所揭示之結合第三器件300的任何組態。

第三器件300可另外被稱作小滴捕捉器。第三器件300經設置以在流體處理結構12已在表面上移動之後減少液體在基板W之表面上的出現。第三器件300可包含液體供應部件301及至少一個提取部件302。至少一個提取部件302可形成為以平面方式包圍至少一個供應部件301之形狀。至少一個第三液體供應部件301可經組態以將第三液體提供至第三器件300之至少一部分與基板W之表面之間的空間311。第三器件300可經組態以經由至少一個提取部件302回收液體中之至少一些。第三器件300可用於使基板W之表面上留下之任何液體與第三空間311中之液體合併，且接著使用第三器件300來提取液體以使得殘留在基板W之表面上之液體的量減少。

第三器件300展示為與圖2c中之流體處理結構12分開的器件。第三器件300可定位成鄰近於流體處理結構12。替代地，第三器件300可為流體處理結構12之部分，亦即，與流體處理結構12一體化。

第三器件300可經組態以將液體提供至第三空間311，該液體與由流體處理結構12提供之液體分開。

另外或替代地，流體處理結構12可具有如圖2c之右側上所示之組件。更特定言之，流體處理結構12可包含在流體處理結構12之表面上形成的至少一個液體供應部件、兩個提取部件(例如，回收開口32a及32b)及兩個氣體供應部件(例如，氣體供應開口27a及27b)。至少一個液體供應部件可與上文所描述之流體處理結構12之底部表面中的下方供應開口23相同，或與關於圖2b之左側所描述的在流體處理結構12之內部表面上形成的供應開口20或液體供應開口34相同。液體供應部件、提取部件及氣體供應部件可形成於流體處理結構12之表面上。特定言之，此等組件可形成於流體處理結構12之面向基板W的表面上，亦即，流體處理結構12之底部表面上。

兩個提取部件中之至少一者可在其中包含多孔材料37。多孔材料37可提供於開口，例如回收開口32a內，流體處理結構12經由該開口自流體處理結構12下方提取流體，且該開口可以單相流回收浸潤液體。兩個提取部件中之另一者，例如回收開口32b，可作為雙相提取器回收浸潤流體。

特定言之，流體處理結構12可包含液體供應部件(例如，下方供應開口23)，以及在液體供應部件徑向外部之第一提取部件(例如，回收開口32a)，及在第一提取部件徑向外部之第一氣體供應部件(例如，氣體供應開口27a)，及在第一氣體供應部件徑向外部的第二提取部件(例如，回收開口32b)，及在第二提取部件徑向外部的第二氣體供應部件(例如，氣體供應開口27b)。類似於圖2a，例如向大氣或向氣體源或向真空開放之其他開口可如先前所描述存在於流體處理結構12之底部表面中(相對於流體處理結構12)。

舉例而言，至少一個其他開口(未展示)可設置於流體處理結構12之底部表面中。其他開口為視情況選用之。其他開口可如上文之配置中所描述配置於第一提取部件(例如，回收開口32a)與第一氣體供應部件(例如，氣體供應開口27a)之間。替代地或另外，其他開口可如上文之配置中所描述配置於第二提取部件(例如，回收開口32b)與第二氣體供應部件(例如，氣體供應開口27b)之間。其他開口可與上文所描述之其他開口50相同。

視情況，流體處理結構12包含凹口29。凹口29可設置在回收開口32a與回收開口32b或氣體供應開口27a與回收開口32b之間。凹口29之形狀在流體處理結構12周圍可為均勻的且可視情況含有斜表面。在凹口29設置在回收開口32a與回收開口32b之間的情況下，氣體供應開口27b可設置在如圖2c中所展示之斜表面上。在凹口29設置在供應開口27a與回收開口32b之間的情況下，氣體供應開口27b可設置在流體處理結構12之斜表面上或底部表面之一部分上，該底部表面平行於基板W之表面。替代地，凹口29之形狀可在流體處理結構12之圓周周圍變化。凹口29之形狀可變化以改變自氣體供應部件供應之氣體對流體處理結構12下方之流體的影響。

圖2a至圖2c展示可用作流體處理系統之部分的不同組態之實例。應理解，上文提供之實例係指特定提取部件及回收部件，但不必使用確切類型之提取部件及/或回收部件。在一些情況下，不同術語用於指示部件之位置，但可提供相同功能特徵。上文提及之提取部件的實例包括回收開口21、溢流回收24、回收開口25 (有可能包含多孔板及/或腔室35)、氣體回收開口28、牽制開口32、回收開口32a、回收開口32b及/或中間回收件42。上文提及之供應部件的實例包括供應開口20、下方供應開口23、氣刀開口26、氣體供應開口27a、氣體供應開口27b及/或供應開口34。大體而言，用於提取/回收流體、液體或氣體之提取部件可與用以分別提取/回收流體、液體或氣體之其他實例中的至少任一者互換。類似地，用於供應流體、液體或氣體之供應部件可與用以分別供應流體、液體或氣體之其他實例中的至少任一者互換。提取部件可自一空間提取/回收流體、液體或氣體，該空間藉由連接至負壓而將流體、液體或氣體抽吸至提取部件中。供應部件可將流體、液體或氣體供應至連接至相關供應器之空間。

儘管圖2a、圖2b及圖2c的上文所描述之流體處理結構12提供措施以自基板W之表面移除浸潤液體，但浸潤流體洩漏仍可能出現及/或可能存在對臨界相對速度之限制。如所描述，各種缺陷可自基板W之表面上之液滴出現，且特定而言，較小小滴將導致降低良率之水印缺陷。

更特定言之，小滴可能會蒸發，從而留下乾燥斑點，小滴可能會移動，從而輸送諸如粒子之污染，小滴可能會與浸潤液體的較大體碰撞，從而將氣體氣泡引入至較大體中，且小滴可能會蒸發，從而向其定位之表面施加熱負荷。若該表面與相對於經成像基板W定位微影裝置之組件相關聯，則此熱負荷可係變形之起因及/或定位誤差之源。來自基板W上之抗蝕劑表面的化合物可洩漏至小滴中，且洩漏的化合物可隨著小滴蒸發而濃縮以形成固體殘餘物。當濃度達至飽和時，固體殘餘物可形成於基板之表面上。固體殘餘物及化合物兩者可擴散至抗蝕劑層中且可藉由形成水印缺陷而破壞輻照區。出於至少此等原因，基板W之表面上之小滴為不合需要的。更特定言之，小至中等小滴可受到特定關注，此係因為該大小導致已知會引起上文提及之不利影響之小滴蒸發。另外，應注意，由於取得進步，額外層可經圖案化於單個基板上，因此提高此類缺陷在任何單個基板W上出現之可能性。

為了防止或減少水耗，且因此防止或減少此類小滴的形成，基板支撐件WT之速度可限於彎液面33保持穩定之臨界掃描速度。此限制微影裝置的產出量，此係因為基板W以較慢速率產生。上文所描述的系統亦具有在適當的位置之回收機構，例如氣刀開口26，以自基板W之表面移除液體以便移除浸潤液體，從而減少留下的小滴。已發現，藉由在輻照之後利用浸潤系統移除所有液體，例如藉由使用如關於圖2a及/或圖2b及/或圖2c所描述之流體處理結構12來乾燥基板W可減少在浸潤之後的基板W之表面上之小滴的發生。然而，仍可能會形成一些小滴，且若有可能，對臨界掃描速度之極限理想地將較高。

本發明之發明人已意識到，代替在使用浸潤液體曝光之後儘可能保持基板乾燥，潤濕基板W提供了解決水印缺陷之替代性方式。有利地，潤濕基板W可減少或防止上文所描述之水印缺陷，且因此提高良率。另外，水印缺陷可不再取決於其他曝光後步驟。此外，潤濕基板W大體上比使其乾燥容易得多。乾燥基板W要求對緊密控制之時間間隙的特定控制，而潤濕基板W更簡單且花費更少時間。

潤濕基板W可以如下文將描述之各種方式實現。將參考圖3a、圖3b、圖3c、圖4a、圖4b、圖4c及圖4d描述本發明的實施例，該等圖式以橫截面展示裝置之一部分。相同附圖標號用於此等圖中之為圖2a、圖2b及圖2c共有之特徵。並不另外描述已關於圖2a、圖2b及圖2c描述之特徵，但關於圖2a、圖2b及圖2c所描述之特徵中的任一者可與圖3a、圖3b、圖3c、圖4a、圖4b、圖4c及圖4d中所展示之特徵組合。

本發明實施例提供用於潤濕基板W之表面之一區的流體處理系統。另外，一實施例提供如本文中所描述的用於潤濕基板W之表面之該區的方法。該區可與如上文所描述之至少一個目標部分C相同。

流體處理系統包含第一器件112及第二器件200。如在下文更詳細地描述，第一器件112經組態以將第一液體提供至基板W，且第二器件200經組態以將第二液體提供至基板W。提供第一液體及第二液體以使得第一液體及第二液體在基板W之表面上彼此分開。

方法包含將第一液體提供至第一空間111。可使用第一器件112將第一液體提供至第一空間111。第一器件112可為如上文之實施例及/或變化形式中之任一者所描述，例如如關於圖2a及/或圖2b及/或圖2c之左側及/或右側所展示及/或描述的流體處理結構12。

第一器件112經組態以將第一液體侷限於第一空間111。第一器件112具有形成於其中之供輻射光束B從其穿過以輻照基板W之該區的孔徑10。孔徑10界定將填充有第一液體之第一空間111。第一器件112包含將第一液體提供至第一空間111之至少一個第一液體供應部件。至少一個第一液體供應部件可為如上文所描述之供應開口20、供應開口34及/或底側開口23。

第一空間111可處於第一器件112之至少一部分與基板W之表面之間。因此，第一空間111可與上文所描述之浸潤空間11相同。第一空間111中之第一液體可形成於基板W之表面的第一區域上，亦即，該第一區域可為基板W之表面與第一液體接觸之區域。若基板相對於第一器件112移動(或反之亦然)，則與第一液體接觸之基板W的第一區域將移動。當液體層係藉由第二液體形成時，第二區域可大於第一區域。

如所描述，第一空間111可處於最終元件100與面向最終元件100之表面之間。對向表面係基板W之表面，或與基板W之表面共面的支撐載物台(或基板支撐件WT)之表面。(請注意，另外或在替代例中，除非另外明確說明，否則在下文中對基板W之表面的參考亦指基板支撐件WT之表面；且反之亦然)。

第一空間111可由第一器件112及基板W界定。因此，如在上文變化形式中，第一空間111可藉由第一器件112在基板W上方而形成。第一空間111可由投影系統PS之最末元件100進一步界定。第一空間111可填充有第一液體。液體可如上文關於流體處理結構12所描述侷限於第一空間111。特定言之，第一液體(亦即，浸潤液體)可藉由至少一個液體供應部件提供至最終元件100及第一器件112及基板W之間的空間。第一液體可如先前所描述藉由控制液體之供應且藉由使用至少一個提取部件而受限制，以自空間移除該第一液體。因此，第一液體可侷限於第一空間111。至少一個液體供應部件可為能夠供應液體之任何適當供應部件，例如下方供應開口23。至少一個提取部件可為能夠提取液體之任何部件，例如牽制開口32。

第一器件112具有形成於其中之供輻射光束B從其穿過以穿過第一液體輻照基板W之表面之該區的孔徑10。經輻照之基板W之該區在輻照彼區期間將在第一區域內。

方法可包括藉由使輻射光束B穿過第一器件112之孔徑10且穿過第一空間111中之第一液體來輻照基板W之該區。因此，當基板W正經圖案化時，輻射光束B可自最終元件100穿過填充有第一液體之孔徑10以輻照在最終元件100下方之基板W之該區。

藉由第二器件200提供第二液體。更特定言之，第二器件200包含經組態以提供第二液體之至少一個第二液體供應部件201。該方法進一步包含將第二液體提供至第二空間211。第二空間211可形成於提供第二液體之第二器件200與面向第二該器件200之表面之間。對向表面係基板W之表面，或與基板W之表面共面的支撐載物台(或基板支撐件WT)之表面。(請注意，另外或在替代例中，除非另外明確說明，否則在下文中對基板W之表面的參考亦指基板支撐件WT之表面；且反之亦然)。

第二空間211中之第二液體可形成於基板W之表面的第二區域上，亦即，該第二區域可為基板W之表面與第二液體接觸之區域。若基板相對於第二器件200移動(或反之亦然)，則與第二液體接觸之基板W的第二區域將移動。隨著更多第二液體經提供至第二空間211，液體將在基板W之表面上擴展且第二區域之大小將增大。

第二空間211可填充有第二液體。然而，第二器件200與基板W之間的整個空間可能未必完全填充有液體。舉例而言，第二液體可提供於第二空間211中之基板W之表面上而不觸碰第二器件200之底座。舉例而言，第二液體可藉由在基板W之表面上噴射該第二液體而提供至第二空間211。

第二液體及第一液體在基板W之表面上彼此分開。換言之，第一空間111中之第一液體與第二空間211中之第二液體之間存在間隙g。間隙g形成於基板W之表面上。此意謂第一液體及第二液體彼此並不直接接觸。因此，在其上提供第二液體的基板W之表面之第二區域與在其上提供第一液體的基板W之表面之第一區域彼此分開。

第二液體經提供以在基板W之表面上形成液體層。更特定言之，第二液體經提供至第二空間211而無需自第二空間211移除任何液體以在基板W之輻照區上形成液體層。第二液體可以任何適當速率提供至第二空間211。舉例而言，第二液體可以相同或相似速率提供至上文所描述及/或此項技術中已知之任何其他液體供應器。應理解，此速率可例如取決於流體處理系統與基板W之間的相對速度而變化。通常，液體可以大致每分鐘0.05至0.5公升，或較佳地每分鐘0.1至0.3公升之速率提供至第二空間211。較佳地，液體提供至第二空間211之速率可大致為每分鐘0.2公升。由於提供至第二空間211之第二液體之量隨時間推移增大，在基板W之輻照區上形成液體層。以此方式，第二器件200用於潤濕基板W之該區，且更特定言之，潤濕基板W之輻照區。

流體處理系統經組態以在基板之表面上同時提供第一液體及第二液體。此意謂第一器件112及第二器件200經組態以同時提供液體。基板W可相對於流體處理系統移動(或反之亦然)。因此，當存在相對移動時，在特定點(例如將被輻照之區)處，該區由第一液體覆蓋，接著經輻照，接著第一液體相對於輻照區移動且該區開始乾燥，從而導致如所論述之問題。接著可提供第二液體以潤濕該區。同時提供液體意謂一旦移除第一液體即可極迅速地將第二液體提供至任何特定點。

第二液體用於形成液體層，該液體層大於在基板W相對於第一器件112移動時可能留下之任何較小小滴。液體層不會蒸發且以與較小小滴相同之方式損壞基板W。即使液體層破碎以形成液體之較大小滴，此等較大小滴亦不會蒸發且以與上文所描述的較小小滴相同之方式導致損壞。

液體層之優勢在於，留在表面上之小滴可在其損壞基板W之表面之前併入至液體層中。舉例而言，第一液體之已與第一空間111分開且留在基板W之表面上的任何小滴可併入至液體層中。此可減少水印缺陷之出現。

以此方式潤濕基板W之輻照區可比使用已知技術乾燥基板W之表面更快。因此，本發明方法在減少或避免水印相關之缺陷方面可能更有效。另外，用於將第二液體供應至基板W之表面的控制可能比用於乾燥表面而非潤濕表面之乾燥單元所需的控制要求更少。

第二器件200可為第一器件112之部分或，或定位成鄰近於該第一器件112。第二器件200可位於其他位置。舉例而言，第二器件200可定位在基板W之表面上之任何液體的邊緣處，第二器件200，亦即其中第二器件200可用於潤濕原本將乾燥且潛在地具有水印問題之基板W之表面。第二器件200可為固定的且可提供於基板軌道之任何部分中。第二器件200可設置於在輻照之後第二液體可提供至基板W之表面之任何位置。

如所描述，在相關區已經過第一器件112下方之後，並不自第二空間211移除液體，且在基板W上方，且尤其基板W之表面的輻照部分上方形成液體層。第二器件200可能不包含用於移除液體之任何機構。因此，第二器件200可用於將第二液體供應至第二空間211而不移除任何液體。

在基板W上形成之液體層具有厚度t，如圖3a、圖3b、圖3c、圖4a、圖4b、圖4c及圖4d中所展示。較佳地，液體層之厚度為至少大致10 μm，或較佳地至少大致20 μm，或更佳地至少大致30 μm。厚度t可大致與第二器件200之底部表面與對向表面之間的距離相同。此距離可大致與第一器件112與對向表面之間的距離相同。第一器件112之底部與對向表面之間的距離可在30微米至500微米範圍內，理想地在80微米至200微米之範圍內，因此其亦可為液體層之厚度t。在第二器件200已經相對於經輻照潤濕區域移動之後，基板W之表面上的液體層可破碎成小滴。由於液體的量增加，此等小滴將大體上相對較大，且因此，仍將減少上文所論述之問題。因此，厚度t接著可在基板W之表面上形成之多個較大小滴的平均厚度。厚度t可為所有較大小滴及在破碎成小滴之前之層的平均值，亦即，為基板W之表面上的由第二器件200提供之所有第二液體之平均厚度。

該方法可進一步包含相對於流體處理系統移動基板W。特定言之，基板W可移動且流體處理系統可處於固定位置。然而，此並非要求，且流體處理系統可移動而基板W處於固定位置，或流體處理系統及基板W兩者皆可移動以提供相對移動。

基板W可相對於流體處理系統移動，以使得在藉由輻射光束B輻照之後第二空間211定位在至少基板W之輻照區上方。因此，第二區域(亦即，基板與第二液體接觸之區域)將由於基板W與流體處理系統之間的相對移動而變化。第一空間111可定位在該區(其可為上文所描述的目標部分C中之一者)上。此時，該區為第一區域之部分。該區可藉由使輻射光束B穿過第一空間111中之第一液體傳遞至該區而經輻照。在輻照之後，基板W可相對於流體處理系統移動，以使得第二液體定位在輻照區上方。因此，在輻照之後，輻照區為第二區域之部分。以此方式，第二流體可經提供以形成已經輻照之基板W之部分的液體層。

理想地，輻照區在輻照之後不久經潤濕。特定言之，在該區已經輻照之後，基板W將很可能移動以使得第一器件112定位在基板W之表面的不同部分上方以輻照下一部分(其可為上文所描述的目標部分C中之另一者)。在第一器件112移動至基板W之不同部分時，第一空間111中之第一液體移至基板W的另一部分。如所描述，此可在基板W之表面上，且尤其在基板W之輻照區上方留下小滴。第二空間211中之第二液體可提供在輻照區上方以併入有表面上留下之小滴且限制小滴的不利影響。大體而言，此完成得愈快，表面上之小滴對基板W將具有之影響愈小。

因此，其對於第二液體在第一液體自基板W之該區(亦即，輻照區)移除之特定時間段內在該區上移動為有益的。若第二器件200相對於第一器件112處於固定位置，則第一及第二液體跨特定點之間的時間間隙將取決於基板W與流體處理系統之間的相對速度。較佳地，第二液體在小於大致20秒內，或較佳地在小於大致15秒內，或較佳地在小於大致10秒內，或較佳地在小於大致5秒內在該區上移動。較佳地，第二液體在小於大致2秒內在輻照區上移動。較佳地，流體處理系統經組態以在上文所描述之時間內在輻照區上方提供第二液體。可自第一空間111之邊緣處的彎液面33自該區上方移動的時間起直至第二液體之邊緣越過該區來判定該時間。

如上文所描述，第一空間111及第二空間211為分開的空間。換言之，第一空間111及第二空間211之液體並不會合。因此，間隙g設置在第一空間111中之第一液體與第二空間211中之第二液體之間。間隙g可由於第一液體供應部件(例如20、23或34)與至少一個第二液體供應部件201之間的距離而形成。第一空間111中之第一液體與第二空間211中之第二液體之間的間隙g可藉由用於移除流體之提取部件的任何組合來維持。

如所描述，第二液體未自第二空間211移除。因此，第二空間211中之第二液體隨時間推移將擴展且將不由正用以提供第二液體之第二器件200移除。然而，應注意，液體層較佳地在基板W之該區的輻照之後使用。因此，第二空間211較佳地形成於第一器件112之後邊緣處。換言之，基板W可在第一器件112下方移動且經輻照，且接著在第二器件200下方移動以被潤濕，使得自第一空間111殘餘的第一液體之小滴可併入至第二空間211中。此情況展示於圖3a至圖4d中之每一者中。

應理解，第二器件200可提供在整個第一器件112周圍。替代地，第二器件200可僅提供於第一器件112之一部分處。第二器件200可受控制以僅在第一器件112之後側上提供液體(或可定位在後邊緣處)。因此，第二液體在該區經輻照之後可僅提供至第二空間211。以此方式，間隙g可由於基板W與第二器件200之間的相對移動，及/或由於用以回收/提取第一液體之任何提取部件得以維持。

當至少一個第二液體供應部件201設置在後邊緣處時，基板W可相對於第一器件112及第二器件200移動，如圖3a、圖3b、圖3c、圖4a、圖4b、圖4c及圖4d中之箭頭所展示。舉例而言，當基板W沿著箭頭A移動時，如此等圖中之任一者的右側中所展示之至少一個第二液體供應部件201位於後側上，且因此，可用於在與第一空間111分開之第二空間211中提供第二液體。當基板W沿著箭頭B移動時，如此等圖中之任一者的左側中所展示之至少一個第二液體供應部件201位於後側上，且因此，可用於在與第一空間111分開之第二空間211中提供第二液體。至少一個第二液體供應部件201可僅經組態以在位於第一器件112之後側上時提供第二液體。至少一個第二液體供應部件201可經組態以在基板W如圖3a、圖3b、圖3c、圖4a、圖4b、圖4c及圖4d中所展示正相對於第二器件200移動時提供第二液體。

較佳地，第一液體及/或第二液體係水。水可為高純度之蒸餾水，諸如通常用於半導體製造工場中之超純水(UPW)。UPW可經純化且其在供應至第一空間111及/或第二空間211之前可經受額外處理步驟。除了使用水以外，亦可使用具有高折射率之其他液體，例如：烴，諸如氟代烴；及/或水溶液。第二液體可與第一液體相同，或可不同。第二液體經提供以防止(或至少減少)在基板W之表面上乾燥之小滴的出現。因此，第二液體之折射率已不再重要。

至少一個第二液體供應部件201可包含至少一個噴嘴。至少一個第二液體供應部件201可由至少一個開口，或多個開口，或更具體言之，呈陣列形式之一系列開口形成。第二液體供應部件201可包含複數個噴嘴，且更特定言之，一系列噴嘴。因此，第二液體供應部件201可由用於將第二液體噴射至第二空間211中之多個出口形成。

流體處理系統之第一器件112可具有任何適當組態，例如，如上文流體處理結構12之變化形式中之任一者中所描述。特定言之，第二器件200可與圖2a、圖2b及/或圖2c中之任一者的流體處理結構12組合提供為第一器件12。此展示於圖3a至圖4d中。在圖3a、圖3b及圖3c中，第二器件200另外提供至第一器件112，該第一器件112與第二器件分開且包括上文關於圖2a、圖2b及圖2c所描述之特徵。

更特定言之，流體處理系統可包含第三器件300。包含第三器件300之流體處理系統可另外包含具有如關於圖2a、圖2b或圖2c中之任一者之流體處理結構12所描述的特徵之第一器件112。特定言之，第一器件112可具有關於圖2c之左側上之流體處理結構12所描述之特徵。第三器件300可包含如關於圖2c之左側所描述的至少一個第三液體供應部件301及至少一個提取部件302。第三器件300在圖3c中展示為與第一器件112及第二器件200兩者分開。如圖3c中所展示，第三器件300可定位成鄰近於第一器件112。如圖3c中所展示，第三器件300可定位成鄰近於第二器件200。第三器件300可連接至，亦即第一器件112、第二器件200之部分，或如圖4d中所展示連接至第一器件112及第二器件200兩者。

另外或替代地，第一器件112可如關於圖2c之右側所描述而組態。因此，第一器件112可包含至少液體供應部件(例如，下方供應開口23或供應開口20、34)、兩個提取部件(亦即回收開口32a、32b)及至少兩個氣體供應部件(例如，氣體供應開口27a、27b)。至少一個液體供應部件、兩個提取部件及兩個氣體供應部件可形成於第一器件112之面向基板W之表面的表面上。此意謂提取部件及氣體及/或液體供應部件可各自具有在第一器件112面向基板W之表面(亦即，第一器件112之底部表面)上形成的開口。因此，提取部件可自第一器件112與基板W之間的空間提取流體。氣體及/或液體供應部件可將流體供應至第一器件112與基板W之間的空間。

如圖3c之右側上所示，兩個提取部件中之至少一者，例如回收開口32a，可在其中包含多孔材料37且以單相流回收浸潤流體。兩個提取部件中之另一者，例如回收開口32b，可作為雙相提取器回收浸潤流體。類似地，例如向大氣或向氣體源或向真空開放之其他開口可如先前(關於第一器件112及/或流體處理結構12)所描述存在於第一器件112的底部表面中。另外或替代地，如關於圖2c所描述，第一器件112面向基板W之表面可包含凹口29。

替代地，第一器件112可如關於圖2a所描述而組態。更特定言之，第一器件112可包含至少兩個提取部件(例如回收開口21、氣體回收開口28、牽制開口32及/或回收開口25)及至少一個流體供應部件(例如氣刀開口26)。液體供應部件(例如，下方供應開口23或供應開口20、34)、至少兩個提取部件及氣體供應部件可形成於第一器件112之面向基板W之表面的表面上或最終元件100上。在平面圖中，至少兩個提取部件(例如，氣體回收開口28)中之第一者可在氣體供應部件(例如，氣刀開口26)徑向外部。因此，至少兩個提取部件中之第一者可相對於第一器件112之中心點在氣體供應部件外部。第一器件112之中心點可為輻射光束穿過之點。較佳地，氣體供應部件在至少兩個提取部件中之第二者(亦即，牽制開口32)徑向外部。較佳地，至少一個提取部件中之第二者在液體供應部件(例如，下方供應開口23)徑向外部。至少兩個提取部件(例如，回收開口21及/或牽制開口32)中之至少一者可作為雙相提取器回收浸潤流體。此組態展示於圖3a之左側及右側上。

至少兩個提取部件中之至少一者可在其中包含多孔材料且以單相流回收浸潤流體。可在最徑向向內之提取部件中提供多孔材料。舉例而言，提取部件(例如，回收開口25)中之第一者可形成為多孔板，如上文所描述且如圖3a之左側上所示。

另外或替代地，第一器件112可如關於圖2b所描述而組態。更特定言之，第一器件112之至少一個提取部件可包含在第一器件112之面向基板W之表面的表面中之腔室35，如圖3b之左側上所示。多孔材料可在腔室35之邊緣處形成回收開口25。多孔材料可在第一器件112面向基板W之表面上形成腔室35的邊緣。提取部件可包含經組態以自腔室35提取液體之第一通道36及經組態以自腔室35提取氣體之第二通道38。

另外或替代地，第一器件112可如關於圖2b之流體處理結構12的右側所描述而組態。更特定言之，第一器件112可包含如圖3b中所展示之內部部分112a及外部部分112b。第一器件112之至少一個液體供應部件(例如供應開口34)可形成於內部部分12a上。內部部分12a可包含第一提取部件(例如中間回收件42)，且外部部分可包含第二提取部件(例如回收開口25)。如所描述，外部部分112b及內部部分112a可相對於彼此移動。

外部部分112b可包含定位於內部部分112a與基板W之間的板40。板40可經組態以隔離在板40之任一側上的第一液體。內部部分112a面向板40之表面可包含第一提取部件(例如中間回收件42)。板40面向基板W之表面可包含第二提取部件(例如回收開口25)。第一提取部件及/或第二提取部件可包含經組態以單相流回收液體之多孔材料。圖3b展示第一提取部件及第二提取部件兩者包含多孔材料，然而，此並非必需的，且提取部件中之僅一者可包含多孔材料或兩者皆不包含多孔材料。

第二器件200展示為分開的實體，亦即，未直接連接至圖3a、圖3b及圖3c中之第一器件112。第二器件200可相對於流體處理系統之其他組件(諸如第一器件112)處於固定位置。替代地，第二器件200可相對於流體處理系統之其他組件(諸如第一器件112)移動。如圖3a、圖3b及圖3c中所展示，第二器件200可定位成鄰近於第一器件112。因此，第二器件200可緊鄰第一器件112而在第一器件112與第二器件200之間無其他組件。

替代地，第二器件200可連接至第一器件112或為該第一器件112之部分，如圖4a、圖4b、圖4c及圖4d中所展示。圖4a、圖4b、圖4c及圖4d之第一器件112包括上文關於圖2a、圖2b及圖2c (及圖3a、圖3b及圖3c)所描述之特徵。

圖3a、圖3b、圖3c、圖4a、圖4b、圖4c及圖4d意欲藉由添加包含至少一個第二供應部件201的第二器件200來提供圖2a、圖2b及圖2c中所示之變化形式。第二器件200可與各種其他液體供應部件及液體移除部件組合提供，只要第二器件200經組態以形成液體層，亦即經組態以將第二液體提供至第二空間211而無需自第二空間211移除任何液體即可。換言之，流體處理系統包含如上文所描述的變化形式或實施例中之任一者中所描述的與上文所描述的變化形式或實施例中之任一者中的第二器件200組合，視情況與諸如第三器件300之任何其他組件或機構組合的第一器件112。

本發明可提供微影裝置。微影裝置可具有如上文所描述之微影裝置之其他特徵或組件中之任一者/全部。舉例而言，微影裝置可視情況包含源SO、照明系統IL、投影系統PS、基板台WT等中之至少一或多者。

特定言之，微影裝置可包含經組態以朝向基板W之表面之區投影輻射光束的投影系統。微影裝置可進一步包含如以上實施例中及變化形式之任一者中所描述的流體處理系統。

微影裝置可包含經組態以相對於流體處理系統移動基板W以定位至少一個第二液體供應部件201從而在藉由輻射光束輻照之後在基板W之輻照區域上方提供第二液體的機構。因此，機構可用於控制基板W之位置(或替代地，流體處理系統之位置)。機構可為或可包含經建構以固持基板W之基板支撐件(例如，基板台) WT及/或經組態以準確地定位基板支撐件WT之第二定位器PW。

儘管可在本文中特定地參考在IC製造中之微影裝置之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用。可能的其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。

在上下文允許之情況下，可以硬體、韌體、軟體或其任何組合實施本發明之實施例。本發明之實施例亦可由儲存於機器可讀媒體上之指令實施，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸以可由機器(例如，計算器件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁性儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號等)；及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中描述為進行某些動作。然而，應瞭解，此類描述僅出於方便起見，且此類動作實際上由計算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等之其他器件所引起，且在如此做時可引起致動器或其他器件與實體世界交互。

儘管可在本文中特定地參考在微影裝置之內容背景中之本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他裝置中。本發明之實施例可形成遮罩檢測裝置、度量衡裝置或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或遮罩(或其他圖案化器件)之物件之任何裝置之部分。此等裝置可通常被稱作微影工具。此微影工具可使用環境(非真空)條件。

儘管上文可能已對在光學微影的上下文中使用本發明的實施例進行特定參考，但應瞭解，上下文允許之本發明不限於光學微影。

儘管上文已描述本發明之特定實施例，但將瞭解，可以與所描述不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡述之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

10:孔徑 11:浸潤空間 12:流體處理結構 12a:內部部分 12b:外部部分 20:供應開口 21:回收開口 23:下方供應開口 24:溢流回收件 25:回收開口 26:氣刀開口 27a:氣體供應開口 27b:氣體供應開口 28:氣體回收開口 29:凹口 30:塗層 32:牽制開口 32a:回收開口 32b:回收開口 33:彎液面 34:供應開口 35:腔室 36:第一通道 38:第二通道 39:內部周邊 40:板 42:中間回收件 50:其他開口 100:最終元件 111:第一空間 112:第一器件 112a:內部部分 200:第二器件 201:第二液體供應部件 211:第二空間 300:第三器件 301:液體供應部件 302:提取部件 311:第三空間 A:箭頭 b:外部部分 B:輻射光束/箭頭 BD:光束遞送系統 C:目標部分 g:間隙 IF:位置量測系統 IL:照明系統 M1:遮罩對準標記 M2:遮罩對準標記 MA:圖案化器件 MT:遮罩支撐件 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PM:第一定位器 PS:投影系統 PW:第二定位器 SO:輻射源 t:厚度 W:基板 WT:基板支撐件

現在將參考隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部分，且在該等圖式中： 圖1偵測微影裝置之示意性綜述； 圖2a、圖2b及圖2c各自以橫截面描繪流體處理系統之兩個不同版本，該流體處理系統具有在每一版本之左側及右側上說明之不同特徵，其可圍繞整個圓周延伸； 圖3a、圖3b及圖3c各自以橫截面描繪具有流體處理系統之兩個不同版本的本發明之一實施例的系統，該流體處理系統具有在左側及右側上說明之不同特徵，其可圍繞整個圓周延伸；且 圖4a、圖4b、圖4c及圖4d各自以橫截面描繪具有流體處理系統之兩個不同版本的本發明之一實施例的系統，該流體處理系統具有在左側及右側上說明之不同特徵，其可圍繞整個圓周延伸。

諸圖中展示之特徵未必按比例繪製，且所描繪之大小及/或配置不作為限制。將理解，諸圖包括可能對本發明並非必要的視情況選用之特徵。另外，圖中的每一者並未描繪裝置之所有特徵，且該等圖式可僅展示用於描述特定特徵相關的組件中的一些。

10:孔徑

20:供應開口

21:回收開口

23:下方供應開口

24:溢流回收件

25:回收開口

30:塗層

32:牽制開口

33:彎液面

100:最終元件

111:第一空間

112:第一器件

200:第二器件

201:第二液體供應部件

211:第二空間

A:箭頭

B:箭頭

g:間隙

t:厚度

Claims (15)

1. 一種用於潤濕由一輻射光束輻照之一基板之一表面之一區的流體處理系統，該流體處理系統包含： 一第一器件，其經組態以將一第一液體侷限於該第一器件之至少一部分與該基板之該表面之間的一第一空間，該第一器件具有形成於其中之一孔徑，該孔徑供該輻射光束從其穿過以藉由穿過該第一液體而輻照該區，該第一器件包含經組態以將該第一液體提供至該第一空間之至少一個第一液體供應部件及經組態以自該第一空間移除液體之至少一個提取部件；及 一第二器件，其包含經組態以將一第二液體提供至該第二器件之至少一部分與該基板之該表面之間的一第二空間之至少一個第二液體供應部件，其中在該基板之該表面上在該第二液體與該第一液體之間存在一間隙， 其中該流體處理系統經組態以將該第二液體提供至該第二空間而無需自該第二空間移除任何液體以在至少該區上方形成一液體層，且經組態以在該基板之該表面上同時提供該第一液體及該第二液體。
2. 如請求項1之流體處理系統，其中該至少一個第二液體供應部件包含一系列噴嘴，及/或進一步包含一第三器件，該第三器件包含至少一個第三液體供應部件及至少一個提取部件，該至少一個第三液體供應部件經組態以將一第三液體提供至該第三器件之至少一部分與該基板之該表面之間的一第三空間，其中該第三器件經組態以經由該至少一個提取部件回收該第三液體中的至少一些。
3. 如請求項2之流體處理系統，其中該第三器件為該第一器件之部分，或定位成鄰近於該第一器件。
4. 如前述請求項中任一項之流體處理系統，其中該至少一個液體供應部件包含在該第一器件之一內部表面上及/或在該第一器件之面向該基板之該表面的一表面上形成之一液體供應開口。
5. 如前述請求項中任一項之流體處理系統，其中該第一器件包含兩個提取部件及兩個氣體供應部件，其中該至少一個第一液體供應部件、該兩個提取部件及該兩個氣體供應部件形成於該第一器件之面向該基板之該表面的一表面上。
6. 如請求項5之流體處理系統，其中該等提取部件中之一第一者在該第一液體供應部件徑向外部，該兩個氣體供應部件中之一第一者在該等提取部件中之該第一者徑向外部，該等提取部件中之第二者在該兩個氣體供應部件中之該第一者徑向外部，該兩個氣體供應部件中之第二者在該兩個提取部件中之第二者徑向外部，及/或其中該兩個提取部件中之至少一者在其中包含一多孔材料，及/或在該第一器件之該底部表面中包含至少一個其他開口，其中該至少一個其他開口配置於該兩個提取部件中之該第一者與該兩個氣體供應部件中之該第一者之間，及/或該兩個提取部件中之第二者與該兩個氣體供應部件中之第二者之間，及/或其中該第一器件之該表面包含一凹口且視情況該凹口具有一斜表面。
7. 如請求項1至4中任一項之流體處理系統，其中該第一器件包含至少兩個提取部件及至少一個氣體供應部件，其中該液體供應部件、該至少兩個提取部件及該氣體供應部件形成於該第一器件之面向該基板之該表面的一表面上，或其中該第一器件的該至少一個提取部件包含在該第一器件之面向該基板之該表面的一表面中之一腔室及在該腔室內之一多孔材料，且該至少一個提取部件包含經組態以自該腔室提取液體之一第一通道及經組態以自該腔室提取氣體之一第二通道，或其中該第一器件包含一內部部分及一外部部分，其中該第一器件之該至少一個液體供應部件形成於該內部部分上，且其中該內部部分包含一第一提取部件且該外部部分包含一第二提取部件。
8. 如請求項7之流體處理系統，其中在平面圖中，該至少兩個提取部件中之一第一者在該氣體供應部件徑向外部，該氣體供應部件在該至少兩個提取部件中之一第二者徑向外部，且該至少一個提取部件中之該第二者在該液體供應部件徑向外部，及/或其中該至少兩個提取部件中之至少一者在其中包含一多孔材料。
9. 如請求項8之流體處理系統，其包含在該第一器件之該底部表面中的至少一個其他開口，其中該至少一個其他開口配置於該兩個提取部件中之該第一者與該氣體供應部件之間，及/或其中該多孔材料提供於最徑向向內之該提取部件中。
10. 如請求項7之流體處理系統，其中該外部部分包含定位於該內部部分與該基板之間的一板，該板經組態以隔離該板之任一側上的該第一液體，且其中該內部部分面向該板之一表面包含該第一提取部件，且該板面向該基板之一表面包含該第二提取部件。
11. 如請求項7或10之流體處理系統，其中該第一提取部件及/或該第二提取部件包含經組態以一單相流回收該第一液體之一多孔材料。
12. 如前述請求項中任一項之流體處理系統，其中該第二器件為該第一器件之部分，或定位成鄰近於該第一器件。
13. 如前述請求項中任一項之流體處理系統，其中由該基板之該表面上之該第二液體形成的一區域大於由該基板之該表面上之該第一液體形成的一區域。
14. 如前述請求項中任一項之流體處理系統，其中該第一液體及/或該第二液體係水，及/或其中該液體層具有至少大致10 μm，或更佳地至少大致20 μm之一平均厚度。
15. 一種微影裝置，其包含： 一投影系統，其經組態以朝向一基板之表面之區投影一輻射光束； 如前述請求項中任一項之流體處理系統；及 一機構，其經組態以相對於該流體處理系統移動該基板，或反之亦然。

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