TW202124314A - 抗破裂玻璃陶瓷物件及製造彼之方法 - Google Patents

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Abstract

本案揭示展現至少15 kgf之維氏壓痕裂紋形成閾值的玻璃陶瓷。此等玻璃陶瓷可為可離子交換的或離子交換的玻璃陶瓷。該等玻璃陶瓷包括藉由使薄前驅玻璃物件經受具有在約10℃/分鐘至約25℃/分鐘範圍內的平均冷卻速率之陶瓷化循環所產生的結晶相及非晶相。在一或多個實施例中，該結晶相可佔該等玻璃陶瓷之至少20 重量%。該等玻璃陶瓷可包括作為主結晶相的β-鋰輝石，且可展現針對約0.8 mm厚度、對400-700 nm範圍之波長的≥約85%之不透明度，及針對10°之觀測角及CIE施照體F02以納入的鏡面反射率所測定的色彩，該色彩為：在-3與+3之間的a*，在-6與+6之間的b*以及在88與97之間的L*。

Description

抗破裂玻璃陶瓷物件及製造彼之方法
本申請案根據專利法主張2013年10月9日申請的美國臨時申請案序列號第61/888,617號之優先權權益，該申請案之內容為本文之基礎且以全文引用方式併入本文中。
本揭示內容係關於可為可離子交換玻璃陶瓷及/或離子交換玻璃陶瓷的玻璃陶瓷及前驅玻璃物件，製造彼之方法，及包含彼之物件。詳言之，本揭示內容係關於可為可離子交換及/或離子交換的白色、不透明玻璃陶瓷及前驅玻璃，製造彼之方法，及包含彼之物件。
在過去十年中，諸如筆記型電腦、個人數位助理、可攜式導航裝置、媒體播放機、行動電話及可攜式盤存裝置(inventory device)的電子裝置已集中為一體，而同時變得小、輕且功能上更加強大。有助於此類較小裝置之發展及可利用性的一個因素為藉由不斷減小電子組件大小來增大計算密度及操作速度之能力。然而，就可攜式計算裝置之一些組件之設計而言，向更小、更輕及功能上更加強大的電子裝置之傾向帶來持續挑戰。
遇到特定設計挑戰的與可攜式計算裝置相關聯的組件包括用以容納各種內部/電子組件之包殼或外殼。此設計挑戰大體上起因於兩個衝突的設計目標——希望製造較輕及較薄的包殼或外殼，及希望製造較強固且較剛性包殼或外殼。通常為具有較少緊固件之薄塑膠結構的較輕包殼或外殼傾向於更具可撓性，同時具有扭曲及彎曲之傾向，此與通常為具有較多重量較大的緊固件之較厚塑膠結構的較強固且較剛性包殼或外殼相反。遺憾的是，較強固、較剛性塑膠結構之重量增加可引起使用者不滿，而較輕結構之彎曲及扭曲可損壞可攜式計算裝置之內部/電子組件，且幾乎必然引起使用者不滿。
已知類別的材料中有廣泛用於各種其他應用(例如，在廚房中用作爐灶台、炊具，及諸如碗、餐盤及類似物的餐具)的玻璃陶瓷。透明玻璃陶瓷係用於烤箱及/或爐窗、光學元件、鏡子基板及類似物之生產。玻璃陶瓷通常係藉由在指定溫度下使前驅玻璃結晶指定時間段以於玻璃基質中使結晶相成核且生長來製造。示範性玻璃陶瓷包括基於SiO2 -Al2 O3 -Li2 O玻璃系統之彼等玻璃陶瓷，該玻璃系統具有作為主結晶相的β-石英固溶體(「β-石英ss」或「β-石英」)，或作為主結晶相的β-鋰輝石固溶體(「β-鋰輝石ss」或「β-鋰輝石」)。
已知的玻璃陶瓷係使用習知玻璃熔融製程來形成，該玻璃熔融製程經由習知滾軋製程形成厚玻璃片(例如15 mm)。隨後使厚玻璃片於指定溫度下、於連續滾軋爐床中經由長陶瓷化循環(例如7至10小時)結晶，以產生具有適當主結晶相及結晶相比率之玻璃陶瓷。在處理至最終組分幾何形狀之後，可經由離子交換製程使玻璃陶瓷強化以提供指定機械性質。
如所述，鑒於現存包殼或外殼之前述問題，對諸如玻璃陶瓷(其可為可離子交換或離子交換的)的材料存在需要，該等材料提供用於可攜式計算裝置之改良包殼或外殼。此外，對如下材料存在需要：該等材料展現諸如抗破裂性的改良機械性質，且展現改良的白度級及/或不透明色彩，同時以審美愉悅之方式解決對產生輕的強固且剛性包殼或外殼之設計挑戰。此外，對以有效方式生產此類材料之製程存在需要。
本揭示內容之第一態樣係關於一種玻璃陶瓷物件。在一或多個實施例中，該玻璃陶瓷物件展現至少約15 kgf、至少約20 kgf或至少約25 kgf之維氏裂紋形成閾值(Vickers crack initiation threshold)，及藉由陶瓷化具有小於約5 mm或更小之厚度的前驅玻璃物件所產生的結晶相及非晶相。在一或多個實施例中，結晶相可包括玻璃陶瓷物件之至少約20 重量%或至少約70 重量%。在一或多個實施例中，玻璃陶瓷係在陶瓷化期間以約10℃/分鐘至約25℃/分鐘範圍內的平均冷卻速率來冷卻。
在一或多個實施例中，前驅玻璃物件可藉由在加熱處理之後以平均冷卻速率冷卻玻璃物件小於1.5小時之持續時間來陶瓷化。在一個變體中，前驅玻璃物件可藉由在加熱處理之後以300℃/分鐘至500℃/分鐘之速率冷卻前驅玻璃物件小於2分鐘之持續時間來陶瓷化。
一或多個實施例之玻璃陶瓷物件具有包括以下至少一者的結晶相：β-鋰輝石固溶體、含Ti結晶相、尖晶石結構及堇青石。在玻璃陶瓷物件包括含Ti結晶相的情況下，含Ti結晶相可包括以下至少一者：金紅石、銳鈦礦、鈦酸鎂及鈦酸鋁。在一或多個實施例中，結晶相包括可視需要為主結晶相的β-鋰輝石。
玻璃陶瓷物件可展現針對10°之觀察角及CIE施照體F02以CIELAB色空間坐標呈現之色彩，該等CIELAB色空間坐標係由使用分光光度計的反射光譜量測法、納入鏡面反射率來測定，其中：CIE a*介於-3與+3之間、CIE b*介於-6與+6之間且CIE L*介於88與97之間。在一個變體中，玻璃陶瓷物件可針對約0.8 mm之厚度、對在約400 nm至約700 nm之範圍內的波長為不透明的及/或展現至少85%之平均不透明度。
玻璃陶瓷物件可進一步包括壓縮應力層，該壓縮應力層自玻璃陶瓷物件之表面延伸至玻璃陶瓷物件內之一深度中。壓縮應力層可具有約300 MPa或更大之壓縮應力，且壓縮應力層之厚度或深度可為玻璃陶瓷物件之總厚度的約1%或更大。
在一些實施例中，前驅玻璃物件可包括壓縮應力層，該壓縮應力層自前驅玻璃物件之表面延伸至玻璃物件內之一深度中。壓縮應力層可具有約300 MPa或更大之壓縮應力，且壓縮應力層之厚度或深度可為前驅玻璃物件之總厚度的約1%或更大。
在一或多個實施例中，玻璃陶瓷物件及/或前驅玻璃物件可包括以莫耳%計以下組成，包括： 在約62至約75範圍內的SiO2 ； 在約10.5至約17範圍內的Al2 O3 ； 在約5至約13範圍內的Li2 O； 在約0至約4範圍內的ZnO； 在約0至約8範圍內的MgO； 在約2至約5範圍內的TiO2 ； 在約0至約4範圍內的B2 O3 ； 在約0至約5範圍內的Na2 O； 在約0至約4範圍內的K2 O； 在約0至約2範圍內的ZrO2 ； 在約0至約7範圍內的P2 O5 ； 在約0至約0.3範圍內的Fe2 O3 ； 在約0至約2範圍內的MnOx ； 在約0.05至約0.2範圍內的SnO2 ； 在約0.7至約1.5範圍內的比率[Li2 O+Na2 O+K2 O+MgO+ZnO ] [Al2 O3 +B2 O3 ]；以及 大於約0.04的比率： [TiO2 +SnO2 ] [SiO2 +B2 O3 ]。 在一或多個特定實施例中，玻璃陶瓷物件可包括藉由陶瓷化具有小於約5 mm之厚度的前驅玻璃物件所產生的一或多種β-鋰輝石固溶體及非晶相。
玻璃陶瓷物件可形成電子裝置或可攜式計算裝置之至少一部分，諸如此類裝置之包殼。
本揭示內容之第二態樣係關於一種製造玻璃陶瓷物件之方法。在一或多個實施例中，該方法包括以下步驟：藉由以下方式陶瓷化具有小於約5 mm或約2 mm之厚度的前驅玻璃物件 a)以約1℃/分鐘至約10℃/分鐘範圍內的速率加熱至約700℃至約810℃範圍內的成核溫度(Tn)， b)使前驅玻璃物件維持在Tn下以產生成核前驅玻璃物件， c)以約1℃/分鐘至約10℃/分鐘範圍內的速率加熱成核前驅玻璃物件至約850℃至約1250℃範圍內的結晶溫度(Tc)， d)使成核前驅玻璃物件維持在Tc下以產生具有結晶相之玻璃陶瓷物件，以及 e)以約10℃/分鐘至約25℃/分鐘範圍內的平均速率冷卻玻璃陶瓷物件至約室溫。 在一或多個實施例中，陶瓷化前驅玻璃物件發生在小於約4小時之總持續時間內。前驅玻璃物件可由滾軋製程形成。
在一或多個實施例中，該方法可亦包括以下步驟：使玻璃陶瓷物件離子交換，以產生如本文另外揭示的壓縮應力層及壓縮應力層之深度。根據本文所述之方法製造的玻璃陶瓷物件展現至少15 kgf之維氏裂紋形成閾值。
本揭示內容之實施例之許多其他態樣、實施例、特徵及優勢將自以下描述及隨附圖式而顯現。在描述及/或隨附圖式中，對本揭示內容之示範性實施例進行參考，該等示範性實施例可獨立應用或彼此以任何方式組合。此等實施例不代表本揭示內容之全部範疇。因此，應對本文之申請專利範圍進行參考來解釋本揭示內容之全部範疇。為簡短及簡明，本說明書中所闡述的值之任何範圍涵蓋範圍內的所有值，且應解釋為支持對敘述具有端點之任何子範圍的主張，該等端點為所論述特定範圍內的實數值。舉一假設說明性實例，本揭示內容中對約1至5之範圍的敘述應視為支持對以下範圍中之任一者的主張：1-5；1-4；1-3；1-2；2-5；2-4；2-3；3-5；3-4；以及4-5。亦為簡短及簡明，應理解，如「為(is/are)」、「包括」、「具有」、「包含」及類似者的此類術語為方便用詞，且不應解釋為限制性術語，且仍可適當地涵蓋術語「包含」、「基本上由……組成」、「由……組成」及類似者。
本揭示內容之此等及其他態樣、優勢及突出特徵將根據以下描述、隨附圖式及所附申請專利範圍而變得明白。
在本揭示內容之示範性實施例的以下描述中，對隨附圖式進行參考，該等圖式形成本揭示內容之一部分，且係藉助於說明可實踐本揭示內容的特定實施例來展示。儘管足夠詳細地描述此等實施例以使熟習此項技術者能夠實踐本揭示內容，然而應理解，不意欲由此限制本揭示內容之範疇。熟習相關技術者及擁有本揭示內容者將想到本文所說明的特徵之改變及進一步修改及本文所說明的原理之其他應用，該等改變及進一步修改及其他應用均視為在本揭示內容之範疇內。確切言之，可利用其他實施例，可在不脫離本揭示內容之精神或範疇之情況下進行邏輯改變(例如不限於以下任何一或多者：化學改變、組成改變{例如不限於以下任何一或多者：化學品、材料及類似者}、電改變、電化學改變、機電改變、電光改變、機械改變、光學改變、物理改變、物理化學改變……及類似者)及其他改變。因此，以下描述不應以限制性意義進行，且本揭示內容之實施例之範疇由所附申請專利範圍限定。亦應理解，諸如「頂部」、「底部」、「向外」、「向內」……及類似者之術語為方便用語，且不應解釋為限制性術語。此外，除非本文另外指定，否則值之範圍包括該範圍之上限及下限。舉例而言，約1-10莫耳%之間的範圍包括1莫耳%及10莫耳%之值。
如所述，本揭示內容之各種實施例係關於自本文所揭示的玻璃陶瓷及前驅玻璃之實施例形成及/或包括該等實施例的物件及/或機器或設備。玻璃陶瓷物件可描述為白色及不透明的。在一些實施例中，玻璃陶瓷可描述為可離子交換的(或能夠經離子交換以隨後包括壓縮應力層)或描述為離子交換的(描述為已離子交換且包括壓縮應力層)。本文所述的前驅玻璃可亦描述為可離子交換的(或能夠經離子交換以隨後包括壓縮應力層)或描述為離子交換的(描述為已離子交換且包括壓縮應力層)。此類玻璃陶瓷及/或前驅玻璃可用於可經配置用於無線通訊之各種電子裝置或可攜式計算裝置中，諸如電腦及電腦附件，諸如「滑鼠」、鍵盤、監視器(例如液晶顯示器(LCD)，其可為冷陰極螢光燈(CCFL-背光LCD)、發光二極體(LED-背光LCD)、電漿顯示面板(PDP)，等)、遊戲控制器、數位板、隨身碟(thumb drive)、外部驅動機，及白板；個人數位助理；可攜式導航裝置；可攜式盤存裝置；娛樂裝置及/或中心及相關附件，諸如調諧器、媒體播放機(例如，唱片播放機、卡帶播放機、光碟播放機、固態播放機……等)、電纜及/或衛星接收器、鍵盤、監視器，及遊戲控制器；電子閱讀裝置或電子書閱讀器；以及行動電話或智慧型電話。玻璃陶瓷及/或前驅玻璃可亦用於汽車、電器及建築應用。為此，需要使前驅玻璃經調配以具有足夠低的軟化點及/或足夠低的熱膨脹係數，以便與達成複雜形狀之操作相容。
本揭示內容之一或多個實施例係關於展現諸如抗破裂性的改良機械性質之玻璃陶瓷。詳言之，本文所揭示的一或多個實施例係關於展現如經由壓痕斷裂閾值方法所量測的改良抗破裂性，同時維持諸如白色、不透明色彩的其他所要性質之玻璃陶瓷。
在一或多個實施例中，玻璃陶瓷可展現抗破裂性，如經由維氏壓痕斷裂閾值試驗所量測的抗破裂性。的確，由維氏壓痕斷裂閾值試驗所量測的維氏壓痕裂紋形成閾值可為至少約15 kgf、至少約16 kgf、至少約17 kgf、至少約18 kgf、至少約19 kgf、至少約20 kgf、至少約21 kgf、至少約22 kgf、至少約23 kgf、至少約24 kgf、至少約25 kgf、至少約26 kgf、至少約27 kgf、至少約28 kgf、至少約29 kgf或至少約30 kgf。在一些實施例中，玻璃陶瓷展現在約15 kgf至約20 kgf範圍內、在約20 kgf至約25 kgf範圍內，或在約25 kgf至約30 kgf範圍內的維氏裂紋形成閾值。玻璃陶瓷可經化學強化以形成展現前述維氏壓痕裂紋形成閾值及/或範圍的IX玻璃陶瓷。
在一或多個實施例中，玻璃陶瓷可包括藉由陶瓷化具有小於約5 mm之厚度的前驅玻璃物件(包括可結晶玻璃)所產生的結晶相及非晶相。舉例而言，前驅玻璃物件可具有以下厚度：約4 mm或更小、約3.8 mm或更小、3.6 mm或更小、3.4 mm或更小、3.2 mm或更小、3 mm或更小、2.8 mm或更小、2.6 mm或更小、2.4 mm或更小、2.2 mm或更小、2 mm或更小、1.8 mm或更小、1.6 mm或更小、1.4 mm或更小、1.2 mm或更小、1 mm或更小，及其間的所有範圍及子範圍。
一或多個實施例之玻璃陶瓷可包括為玻璃陶瓷物件之約20 重量%或更大的結晶相。在一些實施例中，結晶相為至少約20 重量%、約30 重量%、約40 重量%、約50 重量%、約60 重量%、約70 重量%、約80 重量%或甚至約90 重量%。
一或多個實施例包括已獲化學強化之玻璃陶瓷。此類IX玻璃陶瓷展現以下斷裂韌性：大於0.8 MPa•m½ ；或者，大於0.85 MPa•m½ ；或再者，大於1 MPa•m½ 。獨立地或與所述斷裂韌性組合，此類IX玻璃陶瓷展現大於40,000 psi或替代地大於50,000 psi之MOR。
在一或多個實施例中，玻璃陶瓷的顏色為不透明及/或白色。根據本揭示內容之一些實施例，白色、不透明的玻璃陶瓷可包括作為主結晶相的β-鋰輝石。在一或多個實施例中，白色、不透明的玻璃陶瓷可包括以莫耳%計：62-75 SiO2 ；10.5-17 Al2 O3 ；5-13 Li2 O；0-4 ZnO；0-8 MgO；2-5 TiO2 ；0-4 B2 O3 ；0-5 Na2 O；0-4 K2 O；0-2 ZrO2 ；0-7 P2 O5 ；0-0.3 Fe2 O3 ；0-2 MnOx；以及0.05-0.2 SnO2 ，而在替代態樣中包括以莫耳%計：67-74 SiO2 ；11-15 Al2 O3 ；5.5-9 Li2 O；0.5-2 ZnO；2-4.5 MgO；3-4.5 TiO2 ；0-2.2 B2 O3 ；0-1 Na2 O；0-1 K2 O；0-1 ZrO2 ；0-4 P2 O5 ；0-0.1 Fe2 O3 ；0-1.5 MnOx；以及0.08-0.16 SnO2 。
在一些態樣中，此類玻璃陶瓷展現以下組成標準： (1) [Li2 O+Na2 O+K2 O+MgO+ZnO ]之莫耳總數與 [Al2 O3 +B2 O3 ]之莫耳總數之比率 可在約0.7至約1.5範圍內，且在一些替代態樣中，在約0.75至約1.5範圍內，而在其他替代態樣中，在約0.75至約1、約0.8至約1、約1至約1.5範圍內及其間的所有範圍及子範圍； 以及 (2) [TiO2 +SnO2 ]之莫耳總數與 [SiO2 +B2 O3 ]之莫耳總數之比率 可大於0.04，且在一些替代態樣中大於0.05。
在一些另外態樣中，此類玻璃陶瓷展現以下晶相集合體(assemblage)中之任何一或多者： (1)β-鋰輝石固溶體，其展現在1:1:4.5-1:1:8範圍變化，或替代地在1:1:4.5-1:1:7範圍變化的Li2 O:Al2 O3 :SiO2 比率，且佔結晶相之至少70 重量%； (2)至少一種含Ti結晶相，其包含： a. 玻璃陶瓷之結晶相的約2.5-8 重量%， b. 展現長度≥約50 nm的針狀形態學，以及 c. 金紅石；以及視需要， (3)一或多種結晶相，其展現尖晶石結構，且佔結晶相之1-10 重量%。
在另外的態樣中，此類玻璃陶瓷針對0.8 mm厚度、對在400 nm-700 nm範圍內之波長展現不透明性及/或≥85%的不透明度。
在另外的態樣中，玻璃陶瓷對CIE施照體F02而言展現各種CIELAB色空間坐標。在一或多個實施例中，玻璃陶瓷在約350 nm至約800 nm之波長範圍內展現在88與97之間的範圍變化(例如在約90及96.5範圍內)的明度級(L*)。玻璃陶瓷可展現在-3與+3之間的範圍變化的a*值及在-6與+6之間的範圍變化的b*值。在一些實施例中，玻璃陶瓷展現在-2與+2之間的範圍變化的a*值及在-5.5與+5.5之間的範圍變化的b*值。在一或多個特定實施例中，玻璃陶瓷可展現在-1與+1之間的範圍變化的a*值及在-4與+4之間的範圍變化的b*值。
如所述，一或多個實施例之玻璃陶瓷(或前驅玻璃)可展現以下組成比率： [Li2 O+Na2 O+K2 O+MgO+ZnO ] [Al2 O3 +B2 O3 ] 該比率在約0.7至約1.5、約0.75至約1.5、約0.75至約1、約0.8至約1或約1至約1.5範圍內，及其間的所有範圍及子範圍。申請人已發現，藉由調配前驅玻璃以具有此比率之預指定值，使用此等前驅玻璃所製造的所得玻璃陶瓷可經製造而具有所要特徵，該等特徵包括主結晶相及次結晶相之組成及/或量及/或結構。舉例而言，可規定改質劑與氧化鋁莫耳比率，以使得玻璃陶瓷包括β-鋰輝石、包括金紅石的含Ti結晶相、尖晶石固溶體及剩餘玻璃中之一或多者。β-鋰輝石、含Ti結晶相及剩餘玻璃中之一或多者可以所規定及所要量存在，同時具有所規定及所要組成及/或結構及/或分佈。為此，改質劑與氧化鋁莫耳比率影響前驅玻璃之性質及/或處理特徵，且繼而影響由其製造的玻璃陶瓷之性質及/或特徵。舉例而言，改質劑與氧化鋁莫耳比率影響前驅玻璃組合物之玻璃轉移溫度(Tg)，以及主結晶相(例如β-鋰輝石)及次結晶相(例如含Ti結晶相、尖晶石固溶體、β-石英……等)之成核溫度(Tn)範圍及/或結晶溫度(Tc)範圍。以此方式，一或多個實施例之前驅玻璃經調配以使得此比率之值允許實際轉變進程(例如成核及結晶溫度及/或時間)，而同時允許形成特徵為可重複且可靠達成的預指定色坐標之玻璃陶瓷。
如所述，根據本揭示內容之一些實施例展現或具有「作為主結晶相的β-鋰輝石固溶體」(換言之「作為主結晶相的β-鋰輝石ss」或「作為主結晶相的β-鋰輝石」)的玻璃陶瓷意謂β-鋰輝石固溶體構成玻璃陶瓷之所有結晶相的大於約70重量% (重量%)。根據一些實施例的玻璃陶瓷之其他可能結晶相之非限制性實例包括：β-石英固溶體(「β-石英ss」或「β-石英」)；β-鋰霞石固溶體(「β-鋰霞石ss」或「β-鋰霞石」)；尖晶石固溶體(「尖晶石ss」或「尖晶石」，諸如像鋅尖晶石)；含Ti結晶相(諸如像金紅石、銳鈦礦、鈦酸鎂(諸如板鈦鎂礦(MgTi2 O5 ))、鈦酸鋁(諸如像鋁假板鈦礦(Al2 TiO5 ))等)；堇青石(諸如像(Mg,Fe)2 Al3 (Si5 AlO18 )至(Fe,Mg)2 Al3 (Si5 AlO18 ))，及類似者。
當此類玻璃陶瓷經受一或多次離子交換處理以產生離子交換玻璃陶瓷時，根據本揭示內容之一些實施例的β-鋰輝石玻璃陶瓷中β-鋰輝石固溶體佔大部分可為有利的。舉例而言，當使Li離子交換各種陽離子(例如Na、K、Rb……等之離子)時，β-鋰輝石之結構可展現可撓性而無架構之分解。
如本文所揭示，玻璃陶瓷之一些實施例的特徵可為不透明及/或白色的。在此等狀況下，所要不透明度及/或所要白度級可藉由包括作為次結晶相的一或多種含Ti結晶相(其包括金紅石)來達成。在一些實施例中，玻璃陶瓷為β-鋰輝石玻璃陶瓷，該玻璃陶瓷包括作為次結晶相的一或多種含Ti結晶相(其包括金紅石)。此一或多種含Ti結晶相之實例包括任何金紅石(TiO2 )，且視需要可包括銳鈦礦(TiO2 )、板鈦鎂礦(MgTi2 O5 )、鋁假板鈦礦(Al2 TiO5 )……等中之一或多者及其混合物。當需要達成所要不透明度及所要白度級時，申請人已發現：為達成所要程度的不透明度及白度，諸如β-鋰輝石玻璃陶瓷的此類玻璃陶瓷包括一或多種含Ti結晶相(其包括金紅石)，該等含Ti結晶相可為針狀晶體，該等針狀晶體在一些態樣中展現長度≥50 nm，在其他態樣中長度≥110 nm，且在其他態樣中長度≥1 µm，而在一些情況下長度長達2 µm。
尖晶石為具有通式AB2 O4 及為立方體的基本尖晶石結構之結晶氧化物。原型尖晶石結構為鋁酸鎂(MgAl2 O4 )之結構。在基本尖晶石結構中，O原子填充面心立方(FCC)陣列之位點；A原子佔據FCC結構中之一些四面體位點(A位點)；且B原子佔據FCC結構中之八面體位點(B位點)。在正尖晶石中，A及B原子為不同的，A為+2離子而B為+3離子。在無序尖晶石中，+2離子及+3離子在A位點及B位點上隨機分佈。在反尖晶石中，A位點由+3離子佔據，結果B位點具有+2離子及+3離子之均等混合物，且A及B原子可為相同的。在一些情況下，一些A位點可由+2離子、+3離子及/或+4離子佔據，而在一些或其他情況下，B位點可由+2離子、+3離子及/或+4離子佔據。A原子之一些實例包括鋅、鎳、錳、鎂、鐵、銅、鈷……等。此外，B原子之一些實例包括鋁、銻、鉻、鐵、錳、鈦、釩……等。寬泛範圍的固溶體在尖晶石中為常見的，且可由通式(
Figure 02_image001
)[
Figure 02_image003
]O4 表示。舉例而言，完整固溶體在ZnAl2 O4 與MgAl2 O4 之間獲得，從而可由式(
Figure 02_image005
)Al2 O4 表示。根據本揭示內容之一些實施例，玻璃陶瓷包括展現尖晶石結構的一或多種結晶相，從而在諸多態樣中具有接近於鋅尖晶石(ZnAl2 O4 )之組成。此外，已發現，在ZnO，或ZnO及Al2 O3 之量增大時，此類玻璃陶瓷可具有增大量的鋅尖晶石。鋅尖晶石之折射率(n )可在1.79-1.82範圍內，該折射率可高於鋰輝石之折射率(n=1.53-1.57之間)但顯著小於金紅石之折射率(n =2.61-2.89之間)。此外，與正方β-鋰輝石及金紅石相對比，立方尖晶石可不展現雙折射。因此，在一些實施例中，一般尖晶石及尤其含Zn尖晶石對玻璃陶瓷之色彩的影響可小於金紅石對該色彩的影響。
在本揭示內容之實施例之態樣中，當玻璃陶瓷為β-鋰輝石玻璃陶瓷且包括含Ti結晶相(包含金紅石)時，金紅石可在結晶相之2.5 重量%至6 重量%之間的範圍內。申請人已發現：藉由維持金紅石為結晶相之至少2.5 重量%，可確保最低所要不透明度級，同時藉由維持金紅石為結晶相之6 重量%或更小，可維持所要不透明度級，而同時可確保所要白色級。換言之，β-鋰輝石玻璃陶瓷之TiO2 含量可在2莫耳%與5莫耳%之間，且藉由維持至少2莫耳%可確保最低所要不透明度級，同時藉由維持5莫耳%或更小可維持所要不透明度級，而同時可確保所要白色級。
出於比較，數種材料之折射率(n )以遞降次序如下：金紅石(n =2.61-2.89之間)；銳鈦礦(n =2.48- 2.56之間)；金剛石(n =2.41-2.43之間)；鋅尖晶石(n =1.79-1.82之間)；藍寶石(n =1.75-1.78之間)；堇青石(n =1.52-1.58之間)；β-鋰輝石(n =1.53-1.57之間)；以及剩餘玻璃(n=1.45-1.49之間)。此外，出於比較，相同材料中的一些材料之雙折射率(Δn )以遞降次序如下：金紅石(Δn =0.25-0.29之間)；銳鈦礦(Δn =0.073)；藍寶石(Δn =0.008)；堇青石(Δn =0.005-0.017之間)；金剛石(Δn =0)；以及鋅尖晶石(Δn =0)。基於以上資料可見，一些含Ti結晶相及尤其金紅石為特別展現一些最高折射率的材料。此外另可見，對一些含Ti結晶相及尤其金紅石而言，其相對高的雙折射率(Δn )為其正方晶體結構之各向異性特性的結果。在玻璃陶瓷之主結晶相(例如β-鋰輝石{n =1.53-1.57之間})及/或任何剩餘玻璃(n =1.45-1.49之間)及任何次結晶相中折射率或雙折射率之差異增大時，可見波長之散射可增大，繼而增加不透明度。各特徵單獨之差異可為有利的，而兩個特徵之差異甚至更尤為如此。在一些含Ti結晶相及尤其金紅石及基相(β-鋰輝石及任何剩餘玻璃)中給定兩個特徵之差異的情況下，本揭示內容之β-鋰輝石玻璃陶瓷展現可為相對高的合乎需要級別之散射，且因此展現同樣可為高的必要及所要不透明度。
Al2 O3 有助於本揭示內容的展現作為主結晶相之β-鋰輝石的β-鋰輝石陶瓷玻璃。因而，10.5莫耳%最小量的Al2 O3 為所要的。17莫耳%以上的Al2 O3 為不合需要的，因為所得富鋁紅柱石液相線使得難以熔融及形成前驅玻璃。
納入Na2 O及K2 O可減小前驅玻璃之熔融溫度及/或允許較短結晶循環。
本揭示內容之玻璃陶瓷含有0-4莫耳% B2 O3 。前驅玻璃通常可在低於1600℃之溫度下熔融，在某一態樣中及/或某些實施例中，可在低於約1580℃之溫度下熔融，而在某一其他態樣中及或某些其他實施例中，可在低於約1550℃之溫度下熔融，使得有可能於相對小的商業玻璃槽中熔融。B2 O3 之納入促成低熔融溫度。
MgO及ZnO可充當前驅玻璃之助熔劑。因而，2莫耳%之最小莫耳%總和[MgO+ZnO]為獲得低於1600℃之玻璃熔融溫度所要的。Mg之離子及在較小程度上Zn之離子可參與在β-鋰輝石玻璃陶瓷之β-鋰輝石。
維持Li2 O在前驅玻璃中介於5-13莫耳%之間促進β-鋰輝石固溶體結晶相之形成。此外，Li2 O充當助熔劑以降低前驅玻璃之熔點。因而，5莫耳%最小量的Li2 O為獲得所要β-鋰輝石相所要的。13莫耳%以上的Li2 O可為不合需要的，因為諸如矽酸鋰……等的非所需相可在玻璃陶瓷之形成期間產生。
將適當類型及量的一或多種成核劑納入前驅玻璃中，以在成核及/或結晶加熱處理期間促進至少作為主結晶相之β-鋰輝石及任何所要一或多種次結晶相之成核及/或生長。尤其適當類型的一或多種成核劑為TiO2 及ZrO2 。在一些實施例中，可利用至多6莫耳% TiO2 ，及/或可利用至多約2 mol% ZrO2 。少量SnO2 可進入呈固溶體形式的金紅石相中，且因而可有助於成核。在一或多個實施例中，可利用TiO2 作為成核劑，其中一或多種含Ti相之形成為達成規定程度的不透明度及白度級所要的。在其他實施例中，可利用ZrO2 作為成核劑以增加成核效率。因此，謹慎地規定一或多種成核劑之類型及量。應注意，在有關於β-鋰輝石玻璃陶瓷(視需要展現β-石英固溶體)的某一態樣及/或某些實施例中，超過2.5莫耳%的最小莫耳%總和[TiO2 +SnO2 ]為作為前驅玻璃之成分所要的。換言之，將有效量的此莫耳%總和[TiO2 +SnO2 ]調配為前驅玻璃之成分，以使得成核以有效方式發生且使生長達成預選且適當的晶相集合體。應注意，6莫耳%以上的TiO2 為不合需要的，因為所得高金紅石液相線具有增加前驅玻璃之形狀成形期間的難度之可能。此外應注意，納入SnO2 (除其可能對成核的較小貢獻之外)可在前驅玻璃之製造期間部分地起澄清劑之作用，從而有助於其品質及完整性。
將比率： [TiO2 +SnO2 ] [SiO2 +B2 O3 ] 在一些態樣中維持大於0.04，且在一些替代態樣中大於0.05可有助於達成預選且適當的晶相集合體，繼而有助於達成規定程度的不透明度及/或白度級。
此外，在根據實施例的β-鋰輝石玻璃陶瓷及/或前驅玻璃中，申請人已發現：展現Li2 O:Al2 O3 :nSiO2 比率在1:1:4.5-1:1:8之間的β-鋰輝石結晶相為合乎需要的。因而，1:1:4.5之最小比率為避免所得β-鋰輝石玻璃陶瓷中過量的不穩定剩餘玻璃之形成所要的。1:1:8以上的比率為不合需要的，因為可產生前驅玻璃之熔融度問題。
可由根據本揭示內容之一或多個實施例的β-鋰輝石玻璃陶瓷展現的其他性質包括以下一或多者：
(1)無線電及微波頻率透明度，由小於0.03之損耗正切及在15 MHz至3.0 GHz之間的頻率範圍所定義；
(2)大於1 MPa•m½ 的斷裂韌性；
(3)大於20,000 psi的破裂模數(MOR)；
(4)至少400 kg/mm2 之努氏硬度(Knoop hardness)；
(5)小於4 W/m℃之熱傳導性；以及
(6)小於0.1 vol%之孔隙率。
在有關於一般物件及尤其電子裝置外殼或包殼(各自部分地或完全由β-鋰輝石陶瓷構成)的一或多個實施例中，此類物件及/或β-鋰輝石玻璃陶瓷展現無線電及微波頻率透明度，在一些態樣中藉由小於0.02之損耗正切所定義；在替代態樣中小於0.01之損耗正切所定義；以及在另外的態樣中小於0.005之損耗正切所定義，該損耗正切係在約25℃下在15 MHz至3.0 GHz範圍變化的頻率上測定。此無線電及微波頻率透明度特徵可對在包殼內部包括天線的無線手持式裝置尤其有益。此無線電及微波透明度允許無線訊號穿過外殼或包殼，且在一些狀況下增強此等穿透。其他益處可在此類物件及/或β-鋰輝石玻璃陶瓷展現以下介電常數與以上損耗正切值之組合時實現：小於約10；或者小於約8；或再者小於約7，該介電常數係在約25℃下、於15 MHz至3.0 GHz範圍變化的頻率上測定。
本揭示內容之其他實施例係關於形成前驅玻璃之方法，可將該等前驅玻璃調配為本文所述的玻璃陶瓷之前驅體。在一些實施例中，該方法包括以下步驟：熔融所調配原料之混合物以在熔融之後產生本文所述的前驅玻璃。在一些實施例中，前驅玻璃可包括以莫耳%計包括：62-75 SiO2 ；10.5-17 Al2 O3 ；5-13 Li2 O；0-4 ZnO；0-8 MgO；2-5 TiO2 ；0-4 B2 O3 ；0-5 Na2 O；0-4 K2 O；0-2 ZrO2 ；0-7 P2 O5 ；0-0.3 Fe2 O3 ；0-2 MnOx ；以及0.05-0.2 SnO2 ，而在替代態樣中，以莫耳%計包括：67-74 SiO2 ；11-15 Al2 O3 ；5.5-9 Li2 O；0.5-2 ZnO；2-4.5 MgO；3-4.5 TiO2 ；0-2.2 B2 O3 ；0-1 Na2 O；0-1 K2 O；0-1 ZrO2 ；0-4 P2 O5 ；0-0.1 Fe2 O3 ；0-1.5 MnOx；以及0.08-0.16 SnO2 。
在其他態樣中，調配原料之此種混合物以在熔融之後產生展現以下組成標準的前驅玻璃： (1)[Li2 O+Na2 O+K2 O+MgO+ZnO] 之莫耳總數 與[Al2 O3 +B2 O3 ]之莫耳總數比率 可在約0.7至約1.5範圍內，且在一些替代態樣中，在約0.75至約1.5範圍內，而在其他替代態樣中，在約0.75至約1、約0.8至約1、約1至約1.5範圍內及其間的所有範圍及子範圍 以及 (2) [TiO2 +SnO2 ] 之莫耳總數與 [SiO2 +B2 O3 ]之莫耳總數之比率 可大於0.04，且在一些替代態樣中大於0.05。 在其他態樣中，調配原料之此種混合物以在低於約1600℃之溫度下澄清及均質化熔融玻璃組合物之後產生以上前驅玻璃。
在一或多個實施例中，原料可經選擇以具有低鐵含量從而提供改良性質，如此以提供基本上白色玻璃陶瓷。在其他實施例中，可利用砂作為SiO2 來源。為減小砂及其他批料材料中鐵之含量，先前的酸處理可為必要的。在一或多個實施例中，若低鐵含量為所要的，則批料材料之處理不應引入鐵氧化物。在一或多個替代實施例中，鐵含量可不需受控制。無水硼酸可用作B2 O3 之來源。鋰輝石、精細氧化鋁及Al-偏磷酸鹽可用作起始材料。熟習此項技術者可根據玻璃陶瓷之所計劃最終組成來計算所使用批料材料之量。如上文所提及，已發現為有利的澄清劑為量介於約0.05-0.15莫耳%之間的SnO2 。
將混合批料材料隨後裝入玻璃槽中，且根據習知玻璃熔融製程來熔融。熟習玻璃熔融技術者可在以上所述的組成範圍內調整批料之組成，從而微調玻璃之熔融容易程度來適應玻璃熔融槽之操作容量及溫度。熔融玻璃可使用習知方法均質化及澄清。
隨後將經均質化、經澄清及熱均勻的熔融玻璃成形成玻璃片。大體而言，玻璃應在小於液相線黏度的黏度(因此高於液相線溫度的溫度)下形成。
在一或多個實施例中，該方法包括以下步驟：將熔融前驅玻璃成形成玻璃物件，該玻璃物件具有沿主尺寸小於約5 mm (例如在約0.5 mm至多約5 mm範圍內)之厚度。玻璃物件可為玻璃片，但涵蓋其他形狀。在一或多個實施例中，玻璃片可藉由滾軋製程形成，其中玻璃片具有約小於5 mm之厚度。玻璃片可藉由其他方法形成，如浮法製程、旋壓成形製程(spinning process)或甚至按壓製程(例如對具有足夠厚度的相對小玻璃件而言)。玻璃片之長度及高度尺寸可變化。舉例而言，片材可具有至多約500 mm或甚至1500 mm之長度及/或寬度尺寸，及其組合。
在一或多個實施例中，玻璃片可使用製程及設備來形成，其中玻璃饋料裝置在約1000℃或更大之溫度下將熔融前驅玻璃供應至一對成形輥，該對成形輥維持在約250℃或更高之表面溫度下，或在一些實施例中，維持在約500℃或更大，或約600℃或更大之表面溫度下。熱成形輥可垂直地位於玻璃饋料裝置下方以接收熔融前驅玻璃。熱成形輥將供應的熔融前驅玻璃成形成具有接近所要厚度(例如小於約5 mm或更小)之成形玻璃帶。製程及設備可包括維持在約600℃或更小、400℃或更小、300℃或更小或200℃或更小之表面溫度下的一對修準輥(sizing roll)，該對修準輥垂直地位於熱成形輥下方以接收所成形的玻璃帶。冷修準輥使所成形玻璃帶進一步變薄，以產生具有所要厚度(例如4 mm或更小)及所要厚度均勻性(例如±0.025 mm)之修準玻璃帶。在一或多個實施例中，製程及設備可包括使用一對牽引輥，該對牽引輥垂直地位於修準輥下方以用於接收修準玻璃帶且在修準玻璃帶上產生張力。可利用其他製程及設備來成形本文所述的玻璃片，該等製程及設備例如描述於以下案件中：PCT公開案第WO 2012/166761號，其名稱為「Precision Glass Roll Forming Process and Apparatus」；PCT公開案第WO2009/070236號，其申請於2012年5月30日，名稱為「Apparatus And Method For Producing Sheets Of Glass Presenting At Least One Face Of Very High Surface Quality」；PCT公開案第2010/096630號，其申請於2008年11月20日，名稱為「Glass Manufacturing System And Method For Forming A High Quality Thin Glass Sheet」；PCT公開案第WO2011/022661號，其申請於2010年8月20日，名稱為「Crack And Scratch Resistant Glass And Enclosures Made Therefrom」；PCT公開案第WO13/012513號，其申請於2012年6月20日，名稱為「Microwave-Based Glass Laminate Fabrication」；歐洲專利申請案第EP12306484.2號，其申請於2012年11月29日，名稱為「Precision Forming Of Sheet Glass And Sheet Rolling Apparatus」；以及美國臨時專利申請案第61/858295號，其申請於2013年7月25日，名稱為「Methods And Apparatus For Forming A Glass Ribbon」，該等案件之內容以全文引用方式併入本文中。
在另外的態樣中，一些其他方法包括藉由於陶瓷化循環中將玻璃片轉變成玻璃陶瓷來形成玻璃陶瓷之方法，該陶瓷化循環為約6小時或更少、約5小時或更少、約4小時或更少或甚至約3小時或更少。如本文所用，術語「陶瓷化循環」包括加熱玻璃片至成核溫度(Tn)，維持玻璃片於成核溫度下以形成成核玻璃片，加熱成核玻璃片至結晶溫度(Tc)，維持成核玻璃片於結晶溫度下以形成玻璃陶瓷，以及冷卻玻璃陶瓷至室溫。在一或多個實施例中，冷卻玻璃陶瓷至室溫之步驟可在以下平均速率下執行：約10℃/分鐘或更大、約11℃/分鐘或更大、約12℃/分鐘或更大、約13℃/分鐘或更大、約14℃/分鐘或更大、約15℃/分鐘或更大、約16℃/分鐘或更大、約17℃/分鐘或更大、約18℃/分鐘或更大、約19℃/分鐘或更大，或約20℃/分鐘或更大。在特定實施例中，玻璃陶瓷係在以下平均速率下冷卻至室溫：在約10℃/分鐘至約20℃/分鐘、約10℃/分鐘至約15℃/分鐘、約15℃/分鐘至約20℃/分鐘範圍內及其間的所有範圍及子範圍。在一些實施例中，冷卻速率可在玻璃陶瓷冷卻至特定溫度或溫度範圍時變化。舉例而言，在玻璃陶瓷自約950℃冷卻至室溫，自約925℃冷卻至室溫，自約900℃冷卻至室溫，自875℃冷卻至室溫，自850℃冷卻至室溫，自825℃冷卻至室溫及/或自800℃冷卻至室溫及在其間的所有範圍及子範圍冷卻時，玻璃陶瓷可在本文所揭示的速率內以不同速率(例如，約10℃/分鐘或更大、約15℃/分鐘或更大、約20℃/分鐘或更大之速率，或在約10℃/分鐘至約20℃/分鐘範圍內之速率)冷卻。
在一或多個實施例中，在玻璃陶瓷以約0.15 m/分鐘或更大之速度於運送機系統或滾軋系統上移動穿過陶瓷化循環之冷卻段時，該玻璃陶瓷以前述冷卻速率冷卻。在其他實施例中，運送機系統或滾軋系統之速度可經改變以提供本文所揭示的冷卻速率。在一或多個實施例中，陶瓷化循環可於靜態爐中執行，且在此等實施例中，可藉由例如使爐快速冷卻或在溫度保持結束時開爐且使本文所揭示的玻璃陶瓷驟冷來利用本文所揭示的冷卻速率。
在一或多個實施例中，該方法包括以下步驟：使用陶瓷化循環來陶瓷化本文所揭示且具有小於約5 mm之厚度的玻璃片，在陶瓷化循環中，所成形玻璃陶瓷以15℃/分鐘或更大之平均速率自等於或小於Tc之溫度冷卻至室溫。在一或多個實施例中，該方法包括以下步驟：(i)以1-10℃/min之速率加熱包含前驅玻璃的玻璃片至在700℃與810℃之間的範圍變化的成核溫度(Tn)，此時核開始形成；(ii)維持包含前驅玻璃的玻璃物件於成核溫度下約2小時或更少、1.5小時或更少或甚至1小時或更少的持續時間，以產生成核玻璃片；(iii)以1-10℃/min之速率加熱成核玻璃片至在850℃與1250℃之間的範圍變化的結晶溫度(Tc)，以開始結晶；(iv)維持玻璃片於結晶溫度下小於約5小時之持續時間，以允許結晶達到所要程度且產生玻璃陶瓷；以及(v)以約15℃/min或更大或約20℃/min或更大之平均速率使玻璃陶瓷自等於或小於Tc之溫度冷卻至室溫。在一或多個實施例中，冷卻玻璃陶瓷至室溫可進行至少約45分鐘、至少約60分鐘或至多90分鐘。在一或多個實施例中，玻璃陶瓷可冷卻至室溫歷時在約45分鐘至約90分鐘範圍內的持續時間。在一或多個特定實施例中，冷卻步驟具有約45分鐘或更少的持續時間。在一些實施例中，冷卻玻璃陶瓷至室溫之時間長度可視陶瓷化循環長度而定。已知陶瓷化循環包括於爐中冷卻玻璃陶瓷至室溫。在本揭示內容之一些實施例中，玻璃陶瓷最初冷卻至約950℃至約800℃之溫度。在一些實施例中，玻璃陶瓷可最初於爐中冷卻自950℃至約800℃歷時約5分鐘至約35分鐘。玻璃陶瓷可隨後使用快速驟冷製程來快速冷卻，該快速驟冷製程以約300℃/分鐘至約500℃/分鐘範圍內的速率冷卻玻璃陶瓷。在一些實施例中，快速驟冷製程在以下速率下冷卻玻璃陶瓷：約325℃/分鐘、350℃/分鐘、375℃/分鐘、400℃/分鐘、425℃/分鐘、450℃/分鐘、475℃/分鐘、500℃/分鐘、525℃/分鐘、550℃/分鐘及其間的所有範圍及子範圍。在一些特定實施例中，快速驟冷製程利用電扇、冷鋼或冷液體。在一些實施例中，快速驟冷製程包括自電扇引導空氣至玻璃陶瓷之最大表面區域處。在其他實施例中，玻璃陶瓷之至少最大表面區域可經置放以於快速驟冷製程中與冷鋼或低溫鋼或冷液體或低溫液體接觸。
除前驅玻璃之外，審慎地規定步驟(iii)及步驟(iv)之溫度-時間曲線，以便產生所要結晶相(例如，作為主結結晶相的β-鋰輝石固溶體，及/或作為一或多種次結晶相的包括金紅石的一或多種含Ti結晶相)；所要比例的主結晶相及/或次結晶相及剩餘玻璃；主結晶相及/或次結晶相及剩餘玻璃之所要晶相集合體；主結晶相及/或次結晶相中的所要粒度或粒度分佈；以及因此根據本揭示內容之一些實施例的所得玻璃陶瓷及/或玻璃陶瓷物件之最終完整性、品質、顏色及/或不透明度。
此外，步驟(v)之溫度-時間曲線可經控制以產生玻璃陶瓷之所要非晶相及/或結晶相、虛擬非晶相及機械性質。舉例而言，在運送機系統上冷卻玻璃陶瓷的情況下，運送機之速度可增大或減小以控制冷卻速率。在其他實施例中，運送機系統之長度可經改變以控制玻璃陶瓷之冷卻速率。可亦改變用於冷卻玻璃陶瓷之環境。舉例而言，可改變環境溫度以使得冷卻製程之一部分可發生於爐中或加熱環境中，而冷卻製程之其他部分可發生於周圍空氣中或冷卻環境中(例如藉由自風扇引導空氣，或藉由使玻璃陶瓷與冷鋼或冷液體接觸)。可調整且控制此等改變以增大玻璃陶瓷之抗破裂性。
為產生本揭示內容之玻璃陶瓷物件，將如本文所述製備的玻璃片置放於結晶窯中以經歷結晶製程。窯之溫度-時間曲線合乎需要地受程式控制及最佳化，以確保玻璃片成形為具有所要結晶相(例如作為主結晶相的β-鋰輝石)之玻璃陶瓷。如上所述，在結晶製程期間，玻璃組成及熱歷史決定最終產物中的最終結晶相、其集合體及微晶大小。此外，陶瓷化循環及/或溫度-時間曲線可決定機械性質，諸如維氏壓痕裂紋形成閾值。熟習此項技術者可調整結晶循環之Tn、Tc及溫度-時間曲線，以適應以上所述範圍內的不同玻璃組成。本揭示內容之玻璃陶瓷可有利地展現不透明白色著色。
本揭示內容之玻璃陶瓷物件可在其最終預期使用之前經進一步處理。一個此種後處理包括IX處理玻璃陶瓷以形成具有經受IX製程的至少一個表面之至少一部分的IX玻璃陶瓷物件，以使得至少一個表面之IX部分展現壓縮層，該壓縮層具有大於或等於總物件厚度之約1%、約1.5%或約2%的層深度(DOL)，同時展現至少300 MPa之表面壓縮應力(σs)。在一些實施例中，在一或多個實施例中，IX玻璃陶瓷物件包括經受IX製程的至少一個表面之至少一部分，以使得至少一個表面之IX部分展現壓縮層，該壓縮層具有大於或等於總物件厚度之約8%、約9%、約10%、約11%、約12%、約13%、約14%或約16%的層深度(DOL)。在一或多個特定實施例中，DOL可在約80 μm至約120 μm範圍內。此項技術者已知的任何IX製程可為適合的，只要可達成以上DOL及壓縮應力(σs )即可。
在更特定實施例中，外殼或包殼展現約0.8 mm之總厚度，及展現40 μm之DOL的壓縮層，其中壓縮層展現至多且包括500 MPa之壓縮應力(σs )。再者，達成此等特徵之任何IX製程為適合的。
應注意，除單步驟IX製程之外，多IX程序可用以產生用於增強效能之設計的IX曲線。亦即，藉由使用以不同濃度的離子調配的IX浴，或藉由使用利用具有不同離子半徑的不同離子物種調配的多個IX離子浴來對所選深度產生應力曲線。
如本文所用，術語「離子交換」應理解為意謂用加熱溶液處理加熱β-鋰輝石玻璃陶瓷，該加熱溶液含有相比玻璃陶瓷表面及/或本體中存在的離子具有不同離子半徑的離子，因此將彼等離子以較大離子置換較小離子或反之亦然，此取決於離子交換(「IX」)溫度條件。舉例而言，鉀(K)離子可置換玻璃陶瓷中的鈉(Na)離子，或由玻璃陶瓷中的鈉(Na)離子置換，此再次取決於IX溫度條件。或者，諸如銣(Rb)或銫(Cs)的具有較大原子半徑的其他鹼金屬離子可置換玻璃陶瓷中的較小鹼金屬離子。類似地，諸如但不限於硫酸鹽、鹵化物及類似者的其他鹼金屬鹽可用於離子交換(「IX」)製程中。
在本發明方法中，預期可發生兩種類型的IX；亦即，將較大離子置換成較小離子及/或將較小離子置換成較大離子。在一些實施例中，該方法涉及以下步驟：藉由在310-430℃之間的溫度下將玻璃陶瓷置放於NaNO3 浴中至多10 h的時間來使玻璃陶瓷IX (尤其為鈉離子交換鋰)。在其他實施例中，可在類似溫度及時間下利用混合的鉀/鈉浴來完成IX；例如在相當溫度下於80/20 KNO3 /NaNO3 浴或可替代地60/40 KNO3 /NaNO3 中完成。在其他實施例中，預期兩步IX製程，其中第一步在含Li鹽浴中完成；例如熔融鹽浴可為高溫硫酸鹽浴，該高溫硫酸鹽浴包含作為主要成分的Li2 SO4 ，但用濃度足以產生熔融浴的Na2 SO4 、K2 SO4 或Cs2 SO4 稀釋。此IX步驟起以下作用：用含Li鹽浴中存在的較小鋰離子置換玻璃陶瓷中的較大鈉離子。第二IX步驟起將Na交換至玻璃陶瓷中的作用，且可如上在310℃與430℃之間的溫度下由NaNO3 浴完成。
對本文所述的玻璃及玻璃陶瓷之晶相集合體之結晶相及/或結晶相之晶體大小的識別係藉由此項技術者已知的X射線繞射(XRD)分析技術，使用諸如荷蘭Philips公司所製造的PW1830 (Cu Kα輻射)型繞射儀的市售設備來測定。通常係針對5度至80度的2θ獲取光譜。
用於表徵前驅玻璃及/或玻璃陶瓷之表面的所量測元素曲線係藉由此項技術者已知的分析技術測定，該等技術諸如電子顯微探針(EMP)；X射線光致發光光譜術(XPS)；二次離子質譜法(SIMS)等。
透明的IX材料之表面層中的壓縮應力(σs )、平均表面壓縮(CSavg)及層深度(DOL)可方便地使用習知光學技術及儀器來量測，該等儀器諸如可購自日本東京的Luceo有限公司及/或Orihara Industrial有限公司的市售表面應力計FSM-30型、FSM-60型、FSM-6000LE型、FSM-7000H型……等。前驅玻璃及/或玻璃陶瓷之撓曲強度可藉由此項技術者已知的方法表徵，該等方法諸如描述於ASTM C1499 (及其子代方法，全部以引用方式併入本文中)「進階陶瓷單調等邊撓曲強度測定法(Determination of Monotonic Equibiaxial Flexural Strength Advanced Ceramics)」, ASTM International, Conshohocken, PA, US中的彼等方法。
前驅玻璃及/或玻璃陶瓷之維氏硬度可藉由此項技術者已知的方法表徵，該等方法諸如描述於ASTM C1327 (及其子代方法，全部以引用方式併入本文中)「進階陶瓷維氏壓痕硬度之標準試驗方法(Standard Test Methods for Vickers Indentation Hardness of Advanced Ceramics)」, ASTM International, Conshohocken, PA, US中的彼等方法。
前驅玻璃及/或玻璃陶瓷之維氏壓痕開裂閾值量測可藉由此項技術者已知的方法表徵，該等方法諸如藉由以0.2 mm/min之速率對待測試材料之表面施加且隨後移除如ASTM C1327中所述的維氏壓頭之壓痕負載。將最大壓痕負載保持10秒。壓痕開裂閾值係定義為10個凹痕中50%展現自凹痕壓印轉角發散的任何數量的徑向/中位裂紋所處之壓痕負載。使最大負載增大直至滿足給定玻璃組成的閾值。所有壓痕量測皆在室溫下以50%相對濕度執行。實例
以下實例說明本揭示內容之優勢及特徵，且不意欲以任何方式將本揭示內容限制於該等實例。
鑒於個別成分之總和共計或極接近100，所以出於所有實際目的，所報導值可視為表示莫耳%。實際前驅玻璃批料成分可包含任何材料(氧化物或其他化合物)，當該等材料與其他批料組分熔融在一起時，將以適當比例轉化成所要氧化物。
表 1
組成 ═ ► 1 2
氧化物 [ 莫耳 %]
SiO2 69.1 69.39
Al2 O3 12.59 12.66
TiO2 3.6 3.5
Li2 O 7.5 7.29
ZnO 1.81 1.7
B2 O3 1.84 1.85
MgO 2.86 2.96
Na2 O 0.41 0.43
SnO2 0.2 0.18
K2 O 0.05 0.038
[Li2 O+Na2 O+MgO+ZnO+K2 O] [Al2 O3 +B2 O3 ]
Figure 02_image007
=0.88
Figure 02_image009
=0.86
[TiO2 +SnO2 ] [SiO2 +B2 O3 ]
Figure 02_image011
 =0.054
Figure 02_image013
 =0.052
實例 A 、 B 、 C 、 D 、 E ：
具有組成1之玻璃可於工業爐中熔融以形成熔融玻璃，該熔融玻璃係藉由滾軋成形為具有約15 mm之厚度的棒料。藉由機械加工15 mm厚棒料來製備具有約2 mm之厚度的薄樣品。使用提供於以下表4中的陶瓷化循環1之加熱排程於靜態爐中使樣品陶瓷化；然而，如以下表2中所示，使用不同冷卻速率冷卻樣品。以約5℃/分鐘之速率於靜態爐中將比較實例A冷卻至室溫。將實例B至E最初於爐中以爐速率(亦即5℃/分鐘)冷卻，在達到任一800-950℃範圍之特定溫度(亦即分別800℃、850℃、900℃、950℃之溫度)之後，藉由快速電扇驟冷至室溫來冷卻實例B至E。快速電扇驟冷之估算冷卻速率在約300℃/min至約500℃/min範圍內。
表 2
實例 冷卻
A (比較) 爐速率(5℃/min)
B 以爐速率(5℃/min)冷卻至800℃，接著自800℃驟冷至室溫
C 以爐速率(5℃/min)冷卻至850℃，接著自850℃驟冷至室溫
D 以爐速率(5℃/min)冷卻至900℃，接著自900℃驟冷至室溫
E 以爐速率(5℃/min)冷卻至950℃，接著自950℃驟冷至室溫
隨後在390℃下於硝酸鈉之浴中使陶瓷化且冷卻的樣品離子交換3.5小時。使實例A至E中之每一者經受維氏壓痕開裂閾值試驗，以如本文所述測定維氏壓痕裂紋形成閾值。結果提供於第1圖中。如第1圖中所示，經驟冷的樣品(亦即實例B至E)展現大於20 kgf之維氏壓痕裂紋形成閾值，而於爐中冷卻的樣品(亦即實例A)展現9 kgf之維氏壓痕裂紋形成閾值。
將比較實例A之樣品用維氏壓頭使用10 kgf力壓印。將實例E之樣品用維氏壓頭使用10 kgf力壓印，且將實例E之樣品用維氏壓頭使用20 kgf力壓印。第2A至2C圖展示各樣品中壓痕之影像。如第2A至2C圖中所示，以較快速率冷卻的實例E比比較實例A (其以較慢速率冷卻)耐受更大壓痕負載且在開裂之前展現更大緻密化。
第1圖及第2A至2C圖表明，較快的冷卻速率提供的玻璃陶瓷相比以較慢速率冷卻的玻璃陶瓷展現更大的抗破裂性，如藉由壓痕斷裂閾值試驗所量測。
實例F 至H ：將表1中所列的示範性前驅玻璃(組成1及2)於工業爐中熔融。實例F包括如本文所述藉由在單對輥之間滾軋而自熔融前驅玻璃形成的棒料(具有550 mmx65 mmx15 mm之尺寸)。實例G包括藉由在中空模具中持續澆鑄而自熔融前驅玻璃形成的厚玻璃片(具有1200 mmx600 mmx13 mm之尺寸)。實例H包括藉由在兩對連續輥之間滾軋而自熔融前驅玻璃形成的薄滾軋玻璃片(具有500 mmx62 mmx1.24 mm之尺寸)。如表3中所概述，實例F (比較)及實例H中每一者之三個樣品由組成1製成；實例G (比較)之三個樣品中每一者由組成2製成。亦如表3中所示，使樣品於持續滾軋爐床中經受表4中所示的陶瓷化循環中之一者。此後，在390℃下於硝酸鈉之浴中使樣品離子交換3.5小時。
表 3
  前驅玻璃片之組成(參考表1) 前驅玻璃厚度 陶瓷化循環(參考表4)
實例F (比較) 組成1 15 mm (玻璃棒) 1
實例G (比較) 組成2 13 mm (厚玻璃片) 2
實例H 組成1 1.24 mm (薄滾軋玻璃片) 3
表 4
陶瓷化循環 陶瓷化循環 1 陶瓷化循環 2 陶瓷化循環 3
達到780℃的加熱時間 140 min 93 min 71 min
在780℃下的時間 105 min 97 min 38 min
在最大溫度下的加熱時間 40min 44 min 35 min
最大溫度 975℃ 969℃ 980℃
在最大溫度下的時間 230 min 110 min 116 min
冷卻至50℃的時間 108 min 72 min 54 min
冷卻速率 8℃/min 13 ℃/min 17℃/min
分析實例F至H之所得玻璃陶瓷之各種性質，該等性質展示於表5中。如表5中所示，性質類似或實質上相同，而實例所展現的維氏壓痕裂紋形成閾值除外。實例F至H之所有三個樣品經受維氏壓痕開裂閾值，且實例F及H之平均閾值展示於表5中。實例H之玻璃陶瓷展現相較於實例F而言大得多的維氏壓痕裂紋形成閾值。因而，在陶瓷化循環3結束時的較快冷卻速率與薄玻璃物件前驅體之組合有助於提供具有改良機械性質且確切言之改良抗破裂性的玻璃陶瓷，如藉由玻璃陶瓷之維氏壓痕裂紋形成閾值所指示。
表 5
  比較實例F 實例H
熱膨脹係數(0-300℃) 9.0x10-7 /℃ 9.7x10-7 /℃
密度 2.53 g/cc 2.54 g/cc
楊氏模數 86.8 GPa 86.8 GPa
剪切模數 35 GPa 35 GPa
帕松比 0.25 0.25
維氏硬度(平均值) 748 kgf/mm2 754 kgf/mm2
K1C 斷裂韌性(平均值) 0.93 MPa-m1/2 0.89 MPa-m1/2
維氏壓痕裂紋形成閾值 7-10 kgf 15-20 kgf
離子交換後的DOL 92.2 µm 94.2 µm
亦藉由X射線里特沃爾德分析來分析實例F至H，以評估各實例之微晶大小、相百分比、剩餘玻璃及晶格約束，如表6中所示。使用X射線里特沃爾德技術，藉由假定所有晶體具有球形而無各向異性來測定微晶大小。因此，掃描電子顯微鏡(SEM)亦用以評估微晶大小。
表 6
實例 微晶大小 (nm) 剩餘玻璃 ( 重量 %) 結晶相 ( 重量 %) 晶格約束 (Å)
β- 鋰輝石 金紅石 鋅 尖晶石 β- 鋰輝石 金紅石 鋅 尖晶石 β- 鋰輝石 金紅石 鋅 尖晶石
a c a c a
F 168±3 49±1 34±1 11 74,3 5.7 9.2 7.4911 9.0645 4.6022 2.9780 8.0926
G 164±3 43±1 29±1 10 75.8 5.7 8.4 7.4930 9.0681 4.6027 2.9781 8.0924
H 176±3 44±1 41±1 11 74.4 6 8.6 7.4917 9.0659 4.6027 2.9797 8.0930
表6展示就所量測的微晶大小、剩餘玻璃、結晶相或晶格約束而言並無差異。此由SEM評估證實。第3A至3C圖為在5,000X (第3A圖)、10,000X (第3B圖)及20,000X (第3C圖)之放大率下取得的比較實例F之SEM反向散射電子影像(BEI)顯微照片，該等顯微照片例示比較實例F之晶相集合體。第4A至4C圖為在5,000X (第4A圖)、10,000X (第4B圖)及20,000X (第4C圖)之放大率下取得的比較實例G之SEM BEI顯微照片，該等顯微照片例示比較實例G之晶相集合體。第5A至5C圖為在5,000X (第5A圖)、10,000X (第5B圖)及20,000X (第5C圖)之放大率下取得的實例之SEM BEI顯微照片，該等顯微照片例示實例H之晶相集合體。第3A、4A及5A圖之比較、第3B、4B及5B圖之比較及第3C、4C及5C圖之比較展示就結構、粒度或結晶相而言，在實例F、G與H之間微結構並無差異。
亦量測CIELAB色空間坐標(例如CIE L*；CIE a*；以及CIE b*；或CIE L*、a*及b*；或L*、a*及b*)以表徵實例F至H之色彩。如第6及7圖中所示，實例F至H具有類似或在一些狀況下相同的CIELAB色空間坐標。比較實例F具有約-0.25之CIE a*坐標。比較實例G及比較3各具有約-0.3之CIE a*坐標。比較實例F具有約-0.2之CIE b*坐標，比較實例G具有約-0.1之CIE b*坐標，且實例H具有約-0.05之CIE b*坐標。
實例I 至L ：使用表1中所提供的組成中之一者，藉由以與實例F至H相同的方式形成熔融前驅玻璃來製備實例I至L之玻璃陶瓷樣品。熔融前驅玻璃隨後形成為玻璃前驅體，該玻璃前驅體隨後經受表4中所提供的陶瓷化循環中之一者。表7概述實例I至L中之每一者。
表 7
  組成(表1中所提供) 前驅玻璃厚度(mm) 陶瓷化循環(表4中所提供)
比較實例I 組成1 15 mm (玻璃棒) 1
比較實例J 組成2 13 mm (厚玻璃片) 1
比較實例K 組成2 15 mm 2
實例L 組成1 1.24 mm 3
將實例I至L之玻璃陶瓷中之每一者的五個樣品於離子交換製程中藉由將各玻璃陶瓷浸入具有約390℃之溫度的NaNO3 浴中3.5小時來化學強化。隨後使用Instron公司供應的模式5500R數位控制器使各樣品經受壓痕斷裂閾值試驗，以如本文所述測定實例I至L中之每一者的平均維氏壓痕裂紋形成閾值。第8圖例示實例I至L中之每一者的維氏壓痕裂紋形成閾值結果。如第8圖中所示，藉由使具有1 mm之厚度的薄滾軋玻璃片經受包含快速冷卻速率(17℃/分鐘)的陶瓷化循環所形成的實例L展現大於比較實例I及J所展現的維氏壓痕裂紋形成閾值超過兩倍的維氏壓痕裂紋形成閾值。藉由使15 mm厚玻璃片經受包含13℃/分鐘之冷卻速率的陶瓷化循環所形成的比較實例K展現大於比較實例I及J所展現的維氏壓痕裂紋形成閾值的維氏壓痕裂紋形成閾值；然而，比較實例K所展現的維氏壓痕裂紋形成閾值仍顯著小於實例L所展現的維氏壓痕裂紋形成閾值。此等結果表明，包含較高冷卻速率的陶瓷化循環提供抗破裂性(例如，比較實例J及K使用具有相同組成及厚度的玻璃片，但展現不同維氏壓痕裂紋形成閾值)。
實例M 至O ：使用表1中所提供的組成中之一者，藉由以與實例F至H相同的方式形成熔融前驅玻璃來製備實例M至O之玻璃陶瓷樣品。在比較實例M中，熔融前驅玻璃以與實例F相同的方式形成為棒料。對於實例N，棒料係以類似於對實例M (及實例F)所形成的彼等棒料的方式成形，但在陶瓷化之前進行機械加工以得到1 mm之厚度。在實例O中，熔融前驅玻璃以與實例H相同的方式滾軋成1 mm薄玻璃片。隨後使比較實例M及實例N至O之玻璃前驅體經受陶瓷化循環3，如表4中所提供。表8概述實例M至O中之每一者。
表 8
  組成(參考表1) 前驅玻璃厚度(mm) 陶瓷化循環(參考表4)
比較實例M 組成1 15 mm (玻璃棒料) 3
實例N 組成1 1 mm (藉由機械加工1 cm厚的棒料形成的玻璃片) 3
實例O 組成1 1.24 mm (薄滾軋玻璃片) 3
因此，在比較實例M與實例N及O之間，唯一差異為玻璃前驅體之幾何形狀及玻璃前驅體如何形成。將實例M至O之玻璃陶瓷中之每一者拋光至0.8 mm，且隨後於離子交換製程中藉由將各玻璃陶瓷浸入具有約390℃之溫度的NaNO3浴中3.5小時來化學強化。隨後使用Instron公司供應的型號Tukon 2500數位控制器使各玻璃陶瓷經受壓痕斷裂閾值試驗，以如本文所述測定維氏壓痕裂紋形成閾值。第9圖例示實例M至O中之每一者的維氏壓痕裂紋形成閾值結果。如第9圖中所示，自薄玻璃片形成的實例N及O展現顯著高於比較實例M的維氏壓痕裂紋形成閾值。藉由使1 mm厚玻璃片(由不同於滾軋的製程成形)經受相同縮短的陶瓷化循環所形成的實例N展現改良的維氏壓痕裂紋形成閾值。
如實例F至N所示，展現改良抗破裂性的玻璃陶瓷可藉由控制至少玻璃前驅體之幾何形狀及藉以處理玻璃前驅體的陶瓷化循環(尤其是陶瓷化循環結束時之冷卻速率)來提供。確切言之，使用薄或薄滾軋前驅玻璃片替代厚片材或棒料展現改良抗破裂性(參見例如實例M至O)。此外，使用較快冷卻循環及在一些實施例中使用較短陶瓷化循環，及在一些實施例中使用較短冷卻循環及/或較快冷卻速率，亦顯著增大玻璃陶瓷之抗破裂性(參見例如實例I至L)。較短陶瓷化循環(包括較短冷卻循環及/或較快冷卻速率)不改變玻璃陶瓷之結晶相集合體，且玻璃陶瓷之色彩屬性不受影響(參見例如實例F至H)。
實例P 至R ：由組成1 (參考表1)製備實例P至R，使其於工業爐中熔融以形成熔融玻璃。將熔融玻璃形成為具有相同尺寸的形狀。使用以上表4中所提供的陶瓷化循環1之加熱排程於靜態爐中使樣品陶瓷化；但使用不同冷卻速率冷卻樣品。以約5℃/分鐘之速率於靜態爐中將實例P冷卻至室溫。實例Q至R最初於爐中以爐速率(亦即5℃/分鐘)冷卻至950℃，且隨後藉由快速電扇驟冷來冷卻至室溫。快速電扇驟冷之估算冷卻速率在約300℃/min至約500℃/min範圍內。
在不受理論束縛的情況下，已認識到：快冷卻製程引起本文所揭示的玻璃或玻璃陶瓷之非晶相的較高虛擬溫度。此較高虛擬溫度玻璃相大體上具有更開放的結構，從而在壓印期間於高負載下展現緻密化機制，且產生較大維氏壓痕裂紋形成閾值。不受理論束縛，此緻密化機制似乎引起較高較大的維氏壓痕裂紋形成閾值。虛擬溫度係用以表徵玻璃形成熔體(glass-forming melt)之結構。物質於非平衡狀態中之虛擬溫度係定義為相同物質於平衡(液體)狀態中之實際溫度，該平衡物質之結構類似於非平衡物質之結構。
可對本文所述的材料、方法及物件進行各種修改及變化。本文所述的材料、方法及物件之其他態樣將藉由對本說明書及本文所揭示的材料、方法及物件之實踐的考量而明白。本說明書及實例意欲視為示範性的。
無
第1圖以圖形展示比較實例A及實例B至E之維氏壓痕裂紋形成閾值；
第2A至2C圖展示比較實例A及實例E的由維氏壓頭於10-kgf負載及20-kgf負載下形成的壓痕之影像；
第3A至3C圖展示比較實例F之掃描電子顯微鏡(SEM)反向散射電子影像(BEI)顯微照片；
第4A至4C圖展示比較實例G之SEM BEI顯微照片；
第5A至5C圖展示實例H之SEM BEI顯微照片；
第6圖例示比較實例F及G以及實例H之CIELAB a*及b*色坐標，該等色坐標係使用F02施照體、納入鏡面反射率來量測；
第7圖例示比較實例F及G以及實例H之CIELAB L*色坐標，該等色坐標係使用F02施照體、納入鏡面反射率來量測；
第8圖以圖形展示比較實例I至K及實例L之維氏壓痕裂紋形成閾值；以及
第9圖以圖形展示已知玻璃陶瓷及根據一或多個實施例的玻璃陶瓷之維氏壓痕裂紋形成閾值。
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Claims (20)

  1. 一種玻璃陶瓷物件，其包含： 以莫耳%計的一組成，包含： 在62至75範圍內的SiO2 ； 在10.5至17範圍內的Al2 O3 ； 在5至13範圍內的Li2 O； 在0至4範圍內的ZnO； 在0至8範圍內的MgO； 在0至4範圍內的B2 O3 ； 在0至5範圍內的Na2 O； 在0至4範圍內的K2 O； 在0至2範圍內的ZrO2 ； 在0至7範圍內的P2 O5 ； 在0至0.3範圍內的Fe2 O3 ； 在0至2範圍內的MnOx； 在0.7至1.5範圍內的一比率 [Li2 O+Na2 O+K2 O+MgO+ZnO ] [Al2 O3 +B2 O3 ]                    ； 一結晶相，其中該結晶相包含β-鋰輝石；以及 至少12 kgf之一維氏裂紋形成閾值。
  2. 如請求項1所述之玻璃陶瓷物件，進一步包含SnO2 。
  3. 如請求項1所述之玻璃陶瓷物件，進一步包含至少300 MPa的一壓縮應力。
  4. 如請求項3所述之玻璃陶瓷物件，進一步包含一壓縮應力層，該壓縮應力層具有該玻璃陶瓷物件之一總厚度至少1%的一深度。
  5. 如請求項1所述之玻璃陶瓷物件，進一步包含一壓縮應力層，該壓縮應力層具有該玻璃陶瓷物件之一總厚度至少1%的一深度。
  6. 如請求項1所述之玻璃陶瓷物件，其中該結晶相包含該玻璃陶瓷物件之至少20 重量%。
  7. 如請求項6所述之玻璃陶瓷物件，其中該結晶相包含該玻璃陶瓷物件之至少70 重量%。
  8. 如請求項1所述之玻璃陶瓷物件，進一步包含15 kgf或更大的一維氏裂紋形成閾值。
  9. 如請求項8所述之玻璃陶瓷物件，進一步包含20 kgf或更大的一維氏裂紋形成閾值。
  10. 如請求項1所述之玻璃陶瓷物件，其中該β-鋰輝石結晶相包含一主結晶相。
  11. 如請求項1所述之玻璃陶瓷物件，進一步包含一含Ti結晶相、一尖晶石結構及堇青石中的至少一者。
  12. 如請求項1所述之玻璃陶瓷物件，其中該結晶相藉由陶瓷化具有5 mm或更少之一厚度的一前驅玻璃物件產生，以及其中陶瓷化步驟包括陶瓷化期間在10 ºC/分鐘至25ºC/分鐘範圍內的一平均冷卻速率下冷卻。
  13. 如請求項12所述之玻璃陶瓷物件，其中該玻璃陶瓷在該平均冷卻速率下冷卻少於1.5小時的一持續時間。
  14. 如請求項1所述之玻璃陶瓷物件，其中該結晶相藉由陶瓷化一前驅玻璃物件產生，以及其中陶瓷化步驟包括在300 ºC/分鐘至500ºC/分鐘範圍內的一平均冷卻速率下冷卻少於2分鐘的一持續時間。
  15. 如請求項1所述之玻璃陶瓷物件，其中該玻璃物件包含2 mm或更小的厚度。
  16. 一種製造一玻璃陶瓷物件之方法，該方法包含以下步驟： 藉由以下步驟陶瓷化具有小於5 mm之一厚度的一前驅玻璃物件： a)以1℃/分鐘至10℃/分鐘範圍內的一速率加熱該前驅玻璃物件至在700℃至810℃範圍內的一成核溫度(Tn)， b)維持該前驅玻璃物件於該Tn，以產生一成核可結晶玻璃物件， c)以1℃/分鐘至10℃/分鐘範圍內的一速率加熱該成核前驅玻璃物件至850℃至1250℃範圍內的一結晶溫度(Tc)， d)維持該成核前驅玻璃物件於該Tc，以產生具有一結晶相的一玻璃陶瓷物件，以及 e)以10℃/分鐘至25℃/分鐘範圍內的一平均速率冷卻該玻璃陶瓷物件至室溫； 其中該玻璃陶瓷物件包含以莫耳%計的一組成，包含： 在62至75範圍內的SiO2 ； 在10.5至17範圍內的Al2 O3 ； 在5至13範圍內的Li2 O； 在0至4範圍內的ZnO； 在0至8範圍內的MgO； 在0至4範圍內的B2 O3 ； 在0至5範圍內的Na2 O； 在0至4範圍內的K2 O； 在0至2範圍內的ZrO2 ； 在0至7範圍內的P2 O5 ； 在0至0.3範圍內的Fe2 O3 ； 在0至2範圍內的MnOx ； 在0.7至1.5範圍內的一比率 [Li2 O+Na2 O+K2 O+MgO+ZnO ] [Al2 O3 +B2 O3 ]            ； 該結晶相包含β-鋰輝石；以及 該玻璃陶瓷物件展現至少12 kgf之一維氏裂紋形成閾值。
  17. 如請求項16所述之方法，進一步包含以下步驟：使該玻璃陶瓷物件離子交換以產生一壓縮應力層，該壓縮應力層包含至少300 MPa之一壓縮應力及該玻璃陶瓷物件之總厚度至少1%的一壓縮應力層深度。
  18. 如請求項16所述之方法，其中該玻璃陶瓷物件展現至少15 kgf之一維氏裂紋形成閾值。
  19. 如請求項16所述之方法，其中該前驅玻璃物件包含2 mm或更小之一厚度。
  20. 如請求項16所述之方法，其中陶瓷化該前驅玻璃物件的步驟包含少於4小時的一總持續時間。
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