TW202114493A - 用於非接觸式基板翹曲校正之方法及設備 - Google Patents

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Abstract

於此提供了用於減少基板的翹曲的方法和設備的實施例。在一些實施例中，一種用於減少基板的翹曲的方法包括以下步驟：將具有環氧樹脂層的基板加熱至環氧樹脂層的至少玻璃化轉變溫度，同時允許基板膨脹；隨後利用從頂部方向藉由向基板施加高壓氣體並從底部方向藉由向基板施加真空壓力而朝基板施加的夾持力來約束基板；及在約束基板的同時快速冷卻基板。

Description

用於非接觸式基板翹曲校正之方法及設備
本揭露書的實施例大體係關於基板處理裝備。
翹曲的基板防止基板被完全卡在處理站基座上。此類翹曲導致基板處理的延遲或停止。例如，基板可包含在中介層並用環氧模化合物封裝的多個晶粒，或者基板可包含多個曝露的晶粒。由於不均質的加熱和冷卻，該等基板在熱處理後可能會彎曲和翹曲，從而導致當前處理配備中的不均勻膨脹/收縮率。
常規的熱處理利用定向熱傳導，其導致各向異性的膨脹和收縮率。當在熱塑性狀態附近操作時，不均勻的冷卻以及隨後的收縮率會導致基板翹曲。經常觀察到此種翹曲和彎曲效應，且此種翹曲和彎曲效應意味著基板的處理接近基板的熱塑性狀態，導致基板翹曲超過可接受的水平。能夠減少在基板中發現的翹曲將允許使用原本無法使用的基板，從而顯著提高產量。然而，減少具有曝露晶粒的基板的翹曲的實體接觸會損壞曝露晶粒。
因此，發明人提供了用於減少在基板中發現的翹曲的改進方法和設備。
於此提供了用於減少基板的翹曲的方法和設備的實施例。在一些實施例中，一種用於減少基板的翹曲的方法包括以下步驟：將具有環氧樹脂層的基板加熱至環氧樹脂層的至少玻璃化轉變溫度，同時允許基板膨脹；隨後利用從頂部方向藉由向基板施加高壓氣體並從底部方向藉由向基板施加真空壓力而朝基板施加的夾持力來約束基板；及在約束基板的同時快速冷卻基板。
在一些實施例中，一種非暫態電腦可讀取媒體，其上儲存有指令，指令在被執行時使得執行減少基板翹曲的方法，方法包括以下步驟：將具有環氧樹脂層的基板加熱至環氧樹脂層的至少玻璃化轉變溫度，同時允許基板膨脹；維持基板的至少玻璃化轉變溫度，直到基板受到約束為止；利用從頂部方向藉由向基板施加高壓氣體並從底部方向經由一個或多個真空通道朝基板施加真空壓力來約束基板；及使用位於基板之上方的第一液體對流散熱器和位於基板之下方的第二液體對流散熱器來快速冷卻基板。
在一些實施例中，一種用於減少具有環氧樹脂層的基板的翹曲的設備包括：第一站，包含保持基板的可轉移基座及相對於基板設置的加熱氣體供應器，以將加熱氣體提供給基板的表面，其中第一站配置成將基板加熱至環氧樹脂層的至少玻璃化轉變溫度；第二站，包含第一冷卻模組、真空吸盤、冷卻通道及第二冷卻模組，第一冷卻模組具有包括基板支撐表面的基板支撐件，真空吸盤操作地耦合至基板支撐表面，冷卻通道設置在基板支撐表面下方，第二冷卻模組相對於第一冷卻模組設置並具有氣體供應器和冷卻通道，其中第二站是可密封和可加壓的，以產生封閉容積，封閉容積具有設置在第一冷卻模組與第二冷卻模組之間的基板支撐表面，並以高壓從氣體供應器提供氣體至封閉容積；且其中第一站和第二站配置成利用可轉移基座在第一站與第二站之間轉移基板，同時維持基板的至少玻璃化轉變溫度。
下面描述本揭露書的其他和進一步的實施例。
於此提供了用於減少基板的翹曲的方法和設備的實施例。方法和設備減少了基板的翹曲，以允許隨後的半導體處理。當基板的翹曲大於2mm時，通常認為該基板不可用。甚至背面研磨處理亦要求翹曲小於2mm以便利用。在半導體產線後端（BEOL）封裝中，2.5D是在相同封裝內側包括多個晶粒的方法。2.5D方式用於效能和低功率至關重要的應用。在2.5D晶圓中，晶片之間的通訊是使用矽或有機中介層建立的，通常是帶有穿矽通孔（TSV）的晶片或層進行通訊。2.5D架構已與堆疊記憶體模組（諸如高帶寬記憶體（HBM））配對，以進一步提高效能。2.5D晶圓的高翹曲是一個緊迫的工業問題，因為翹曲會阻止2.5D晶圓流向下游處理。晶圓處理挑戰和良率降低是高2.5D晶圓翹曲的最常見有害影響。可應用本原理的方法和設備以有利地校正完全被環氧樹脂模具化合物（具有曝露的晶粒）封裝的2.5D晶圓的翹曲，或者用於校正任何多層基板的翹曲。方法和設備僅使用兩種熱處置就可減少翹曲，從而節省了時間及對精密電路可能的損壞，尤其是彼等對熱預算敏感的電路和更容易因熱變化而損壞的較小結構。
第1圖是根據一些實施例的減少如第2A圖所示的基板212或如第2B圖所示的基板250的翹曲的方法100。第2A圖是根據本原理的一些實施例的可被處理的基板200的橫截面圖。第2B圖是根據本原理的一些實施例的可被處理的基板250的橫截面圖。在一些實施例中，基板212可包括中介層202。在一些實施例中，如第2A圖所示，基板200包括環氧樹脂模具封裝層204。環氧樹脂模具封裝層204可包括環氧樹脂模具210、嵌入在環氧樹脂模具中的晶粒206及在填充層208下方的環氧樹脂模具。在填充層208下方的環氧樹脂模具亦可包括焊料凸塊214。在一些實施例中，如第2B圖所示，環氧樹脂模具封裝層204不包括環氧樹脂模具210，使得設置在填充層208下方的環氧樹脂模具上的晶粒206被曝露。
在102處，將基板212或基板250加熱到是環氧樹脂模具封裝層204中使用的環氧樹脂材料的至少玻璃化轉變溫度的溫度，同時允許基板212或基板250自由膨脹。環氧樹脂材料可變化，並且隨後玻璃化轉變溫度亦將變化。另外，一些環氧樹脂材料在環氧樹脂材料中利用填料，此亦可能影響加熱到玻璃化轉變溫度。在一些實施例中，環氧樹脂材料的玻璃化轉變溫度可為從大約攝氏100度到大約攝氏200度。在一些實施例中，環氧樹脂材料的玻璃化轉變溫度可為從大約攝氏140度到大約攝氏180度。
在104處，將基板212、250維持在至少玻璃化轉變溫度，直到基板212、250受到約束為止。在一些實施例中，在將基板212、250從加熱站轉移到冷卻站期間，基板212、250的溫度維持在環氧樹脂材料的至少玻璃化轉變溫度。在一些實施例中，可藉由使用具有傳導加熱的可轉移基座（下面詳細描述）來維持溫度，以在加熱站與冷卻站之間轉移基板212、250。在一些實施例中，在基板被放置在冷卻站內的同時，並直到基板具有施加到基板的夾持力為止，亦可藉由使用分散在基板周圍的加熱的氣體來維持溫度（以下詳細描述）。
在106處，基板212、250受到從頂部方向藉由施加高壓氣體並從底部方向藉由施加真空壓力而朝基板212、250施加的夾持力的約束。在一些實施例中，高夾持力可為從大約5000N（牛頓）到大約10,000N（牛頓）。在一些實施例中，高夾持力可為大約5000N（牛頓）。在108處，基板212、250被快速冷卻以鎖定在基板212、250的受約束的形狀中。在一些實施例中，可使用至少一個液體對流散熱器來快速地淬火冷卻基板212、250，同時基板212、250受到約束以保持環氧樹脂的拉長和低應力狀態。快速淬火冷卻可以大約1300W/m2 ℃的速率到大約3100W/m2 ℃的速率發生。
基板212，250的約束，向基板212，250施加真空壓力和高壓氣體及基板212，250的快速冷卻大約同時完成。在一些實施例中，同時的基板212、250的約束、基板212、250的冷卻及向基板212、250施加真空壓力和高壓氣體發生了大約120秒至大約600秒。
第3圖是根據一些實施例的在加熱和冷卻期間施加到基板上的可能減小的力的示意圖。在圖式300A中，基板被加熱。中介層302在加熱期間膨脹，但是熱膨脹係數（CTE）小於環氧樹脂模具封裝層304的CTE的一半。在圖式300B中，基板被冷卻，從而引起熱收縮。因為CTE的差異，環氧樹脂模具封裝層304的收縮要大於中介層302。因為CTE的差異，在環氧樹脂模具封裝層304和中介層302的結合處會產生拉伸應力306。CTE的差異亦會導致在環氧樹脂模具封裝層304的上部處形成壓縮應力308。在圖式300C中，基板被固化，從而導致環氧樹脂模具封裝層304中環氧樹脂材料的熱膨脹和收縮差異以及聚合。固化建立了E.M.C.（彈性模數、CTE α1和CTE α2）的機械性質。在圖式300D中，當基板在固化之後被冷卻時，熱收縮在每個層上以不同的力發生。在固化後冷卻期間，環氧樹脂模具封裝層304中的固化的環氧樹脂收縮受到中介層302中的矽的限制。環氧樹脂材料的較高彈性模量在矽上施加較高的應力。高拉伸應力310形成在環氧樹脂模具封裝層304和中介層302之間的接合界面處。高壓縮應力312形成在環氧樹脂模具封裝層304的上部，此導致兩層在固化後冷卻之後的翹曲。
第4圖是根據一些實施例的用於減小基板402的翹曲的設備400的示意性側視圖。在一些實施例中，基板402可為基板215或基板250。設備400包括第一站404、第二站406和系統控制器408。系統控制器408使用第一站404和第二站406的直接控制，或替代地，藉由控制與第一站404和第二站406相關聯的電腦（或控制器）來控制設備400的操作。在操作中，系統控制器408能夠進行資料收集並從相應的站及系統進行反饋，以最佳化設備400的效能。系統控制器408通常包括中央處理器（CPU）410、記憶體412和支持電路414。CPU 410可為可在工業環境中使用的任何形式的通用電腦處理器。支持電路414常規上耦合至CPU 410，並且可包含快取、時脈電路、輸入/輸出子系統、功率供應器及類似者。軟體例程（諸如於此描述的方法）可儲存在記憶體412或其他電腦可讀取媒體中，並且當由CPU 410執行時，將CPU 410轉換為專用電腦（系統控制器408）。軟體例程亦可由遠離設備400定位的第二控制器（未圖示）儲存及/或執行。
根據本原理的實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合來實施。實施例亦可被實施為使用一個或多個電腦可讀取媒體儲存的指令，其可由一個或多個處理器讀取和執行。電腦可讀取媒體可包括用於以機器（如，計算平台或在一個或多個計算平台上運行的「虛擬機器」）可讀的形式儲存或傳輸資訊的任何機制。例如，電腦可讀取媒體可包括任何合適形式的揮發性或非揮發性記憶體。在一些實施例中，電腦可讀取媒體可包括非暫態電腦可讀取媒體。
在一些實施例中，第一站404可包括熱感測器組件416，熱感測器組件416包括至少一個熱感測器418，至少一個熱感測器418配置成讀取420基板402的底表面。在一些實施例中，至少一個熱感測器418可為紅外熱感測器及類似者。至少一個熱感測器418可與系統控制器408通訊，以提供關於基板402的加熱的反饋。基板402由可轉移基座422支撐。在一些實施例中，可轉移基座422包括加熱器424，加熱器424接合到可轉移基座422的下表面。在一些實施例中，加熱器424是傳導加熱器。可轉移基座422可與系統控制器408通訊，以確定可轉移基座422的位置或狀態或類似者。類似地，加熱器424可與系統控制器408通訊，使得可配置加熱器424以維持基板402中環氧樹脂材料的至少玻璃化轉變溫度。在一些實施例中，可轉移基座422可具有穿過可轉移基座422的狹槽或孔，以允許至少一個熱感測器418直接讀取基板402的及/或允許可轉移基座422將基板402放置在第二站406中的升降銷426上（參見下面的第7圖）。
第一站404亦可在可轉移基座422之上方具有氣體分配組件428。氣體分配組件428提供加熱的氣體430，以將基板402加熱到基板402中的環氧樹脂材料的至少玻璃化轉變溫度。加熱的氣體可由氣體分配組件428中的至少一個紅外燈432加熱。在一些實施例中，氣體分配組件428以大約攝氏200度至大約攝氏300度的溫度提供氣體。在一些實施例中，氣體分配組件428以大約攝氏240度的溫度提供氣體。在一些實施例中，氣體分配組件428以大約1巴至大約2.5巴的壓力提供氣體。在一些實施例中，氣體分配組件428以大約1巴至大約2巴的壓力提供氣體。在一些實施例中，氣體可為氮氣、氮氣/空氣及/或其他惰性氣體。氣體分配組件428（包括至少一個紅外燈）可與系統控制器408連通以配置第一站404，以將基板402加熱到基板402中的環氧樹脂材料的至少玻璃化轉變溫度。第一站404使用可轉移基座422的加熱器424和氣體分配組件428將基板402加熱到環氧樹脂材料的至少玻璃化轉變溫度。當基板402到達環氧樹脂材料的至少玻璃化轉變溫度時，因為可轉移基座422與基板402一起移動到第二站406中（如箭頭434所示），可轉移基座的加熱器424維持環氧樹脂材料的至少玻璃化轉變溫度。
第二站406包括第一冷卻模組436、與第一冷卻模組436相對設置的第二冷卻模組438及氣體分配組件440。第一冷卻模組436和第二冷卻模組438的至少一個在轉移位置與處理位置之間是可移動的，在轉移位置中，第一冷卻模組436與第二冷卻模組438間隔開，在處理位置中，第一冷卻模組436與第二冷卻模組438界面連接，以在其間界定封閉容積（如，第6C圖的封閉容積610）。封閉容積是可密封且可加壓的。在一些實施例中，第一冷卻模組436和第二冷卻模組438的至少一個包括密封件468，密封件468設置在第一冷卻模組436與第二冷卻模組438之間的界面處，以密封封閉容積。在一些實施例中，密封件468配置成承受大於約10,000N（牛頓）的力。在一些實施例中，密封件468具有約30％的最大壓縮。
在一些實施例中，第一冷卻模組436可被固定到致動器444，致動器444配置成在向上和向下方向446上移動第一冷卻模組436。在一些實施例中，當基板402在第一冷卻模組436上時，第二冷卻模組438可被保持在固定位置，同時第一冷卻模組436藉由致動器444而向上移動，以在其間界定封閉容積。在一些實施例中，第一冷卻模組436可向上移動，而第二冷卻模組438可向下移動，以在其間界定封閉容積。
第一冷卻模組436包括具有基板支撐表面448的基板支撐件425。在一些實施例中，第二冷卻模組438亦可包括具有複數個升降銷426的升降銷組件494，升降銷426配置成將基板402升高和降低454靠近和離開基板支撐表面448。在此類實施例中，基板支撐件425包括開口，以允許複數個升降銷426穿過基板支撐件425。在一些實施例中，真空吸盤可操作地耦接到基板支撐表面448。真空吸盤包括與泵450流體耦接的真空通道490。在一些實施例中，真空通道490從基板支撐件425的底表面上的單個入口延伸到基板支撐表面448上的複數個出口496。在一些實施例中，真空通道490包括垂直部分和水平部分，水平部分從垂直部分徑向向外延伸。
第二冷卻模組438包括主體462和從主體462朝向第一冷卻模組436延伸的側壁452。在一些實施例中，主體462包括延伸穿過主體462的氣體通道472，以向設置在側壁452與主體462之間的處理區域480提供氣體供應。氣體通道472流體地耦合到氣體源474，以經由處理區域480將高壓氣體供應到基板402。閥478可設置在氣體源474與氣體通道472之間，以控制供應到處理區域480的氣體的流率和壓力的至少一個。在一些實施例中，閥478是閘閥或類似者。
氣體分配組件440配置成提供熱氣體到第二站406中，以促進維持基板402中的環氧樹脂材料的至少玻璃化轉變溫度，直到基板402被第一冷卻模組436和第二冷卻模組438約束為止。在一些實施例中，氣體分配組件428以大約攝氏200度至大約攝氏300度的溫度提供氣體。在一些實施例中，氣體分配組件440以大約攝氏240度的溫度提供氣體。在一些實施例中，氣體分配組件440以大約1巴至大約2.5巴的壓力提供氣體。在一些實施例中，氣體分配組件440以大約1巴至大約2巴的壓力提供氣體。在一些實施例中，氣體可為氮氣、氮氣/空氣及/或其他惰性氣體。
在一些實施例中，氣體分配組件440是如第7圖所示的環形氣體分配組件702，其圖示了環形氣體分配組件702的底視圖。氣體分配組件440或環形氣體分配組件702包括至少一個氣體開口704，並且被配置成在基板402周圍投射加熱的氣體，以維持基板402的溫度。在第7圖中，環形氣體分配組件702在第一冷卻模組436的外周邊706附近提供了一圈加熱的氣體。在一些實施例中，如第4圖所示，氣體分配組件440可包圍第一冷卻模組436的上部442。
在一些實施例中，第一冷卻模組436包括冷卻通道492，冷卻通道492配置成經由流過其中的冷卻劑來快速冷卻基板402的底表面。冷卻通道492設置在基板支撐表面448的下方。在一些實施例中，主體由鋁材料形成。在一些實施例中，主體462包括真空硬焊的冷卻通道470。真空硬焊允許在不使用銅襯墊的情況下形成冷卻通道470，有利地增加了熱導率。
在一些實施例中，主體462包括冷卻通道470、冷卻通道470配置成經由流過其中的冷卻劑來快速冷卻基板402的頂表面。在一些實施例中，主體由鋁材料形成。在一些實施例中，主體462包括真空硬焊的冷卻通道470。真空硬焊允許在不使用銅襯墊的情況下形成冷卻通道470，有利地增加了熱導率。在一些實施例中，流過冷卻通道470和冷卻通道492的冷卻劑是水。
第一冷卻模組436和第二冷卻模組438的冷卻速率可由系統控制器408一致地或獨立地控制。可藉由系統控制器408來控制供應到處理區域480的高壓氣體的壓力和流率。冷卻速率及/或高壓氣體的壓力和流率的獨立控制有利地提供了翹曲控制處理的精細微調。
在翹曲控制處理期間，當可轉移基座422將基板402放置在升降銷426上時，升降銷426處於升起位置，並且熱氣體456從氣體分配系統440射出。當基板402從第一站404移動到第二站406時，可轉移基座422繼續用加熱器424加熱基板402。可轉移基座422將基板402放置在升降銷426上，並退回到第一站404，如第6A圖的圖式600A所示。接著降低升降銷426，直到基板402擱置在第二冷卻模組438的基板支撐表面448上，同時熱氣體456繼續在基板402周圍投射，以維持基板402的溫度，如在第6B圖的圖式600B中所示。
接著，藉由致動器444將基板402升高到在第一冷卻模組436與第二冷卻模組438之間的位置。在處理位置中，側壁452被配置成與基板支撐件425界面連接並形成密封，使得在側壁452、主體462與基板支撐件425之間界定了封閉容積610。如此，基板支撐表面448設置在第一冷卻模組436與第二冷卻模組438之間。在處理位置中，熱氣體456停止並且冷卻處理開始，如第6C圖的圖式600C所示。第一冷卻模組436配置成藉由向基板402的下側提供真空壓力來將基板真空吸引到基板支撐件425。
第二冷卻模組438配置成在冷卻處理期間向基板402施加高壓氣體。由第二冷卻模組438提供的高壓氣體有利地向著基板402提供向下的夾持力，而沒有實體接觸基板402。在一些實施例中，高壓氣體在基板支撐表面448處的壓力為約1.5巴至約2.6巴。如上所討論的，第一冷卻模組436和第二冷卻模組438亦配置成提供來自基板402的快速熱傳遞，以便冷卻基板402。在冷卻處理之後，第二冷卻模組438被降低且升降銷426將基板402從基板支撐件425的基板支撐表面448上升起，如第6D圖的圖式600D所示。接著從第二站406移除基板402以用於後續處理。
第5圖是根據一些實施例的用於減少基板的翹曲的設備500的頂視圖。基板未圖示以允許圖示可轉移基座516的進一步細節。設備500包括加熱站504、傳送管道508、冷卻站506和可轉移基座516。可轉移基座516具有多個狹槽522允許下部翹曲控制組件530的升降銷526的間隙。狹槽522允許升降銷526從可轉移基座516升高和提升基板，並允許可轉移基座516退回528，同時基板維持在升降銷526的頂部上。狹槽522亦用作開口，用於藉由定位在熱感測器組件536上的熱感測器532來直接讀取基板的底表面的溫度。在一些實施例中，可在熱感測器組件536上定位另外的任選熱感測器534，以讀取未被其他熱感測器532覆蓋的基板的底表面的溫度。可將任選的開口518結合到可轉移基座516中，以允許由任選熱感測器534直接讀取溫度。
在一些實施例中，可轉移基座516具有與由致動器510驅動的桿512相互作用的突起514。在一些實施例中，突起514可包括防止可轉移基座516加熱棒和致動器510的絕緣部分538。致動器510與系統控制器（如，第4圖的408）通訊，以控制可轉移基座516在加熱站504與冷卻站506之間的運動520。傳送管道508提供了在加熱站504與冷卻站506之間的絕緣緩衝器。
儘管前述內容涉及本揭露書的實施例，但是在不背離本揭露書的基本範疇的情況下，可設計本揭露書的其他和進一步的實施例。
100:方法 102: 104: 106: 108: 200:基板 202:中介層 204:環氧樹脂模具封裝層 206:晶粒 208:填充層 210:環氧樹脂模具 212:基板 214:焊料凸塊 250:基板 300A:圖式 300B:圖式 300C:圖式 300D:圖式 302:中介層 304:環氧樹脂模具封裝層 306:拉伸應力 308:壓縮應力 310:拉伸應力 312:壓縮應力 400:設備 402:基板 404:第一站 406:第二站 408:系統控制器 410:中央處理器（CPU） 412:記憶體 414:支持電路 416:熱感測器組件 418:熱感測器 420:讀取 422:可轉移基座 424:加熱器 425:基板支撐件 426:升降銷 428:氣體分配組件 430:氣體 432:紅外燈 434:箭頭 436:第一冷卻模組 438:第二冷卻模組 440:氣體分配組件/氣體分配系統 442:上部 444:致動器 446:向上和向下方向 448:基板支撐表面 450:泵 452:側壁 454:升高和降低 456:熱氣體 462:主體 468:密封件 470:冷卻通道 472:氣體通道 480:處理區域 490:真空通道 492:冷卻通道 494:升降銷組件 496:出口 500:設備 504:加熱站 506:冷卻站 508:傳送管道 510:致動器 512:桿 514:突起 516:可轉移基座 518:開口 520:運動 522:狹槽 524: 526:升降銷 528:退回 530:下部翹曲控制組件 532:熱感測器 534:熱感測器 536:熱感測器組件 600A:圖式 600B:圖式 600C:圖式 600D:圖式 610:封閉容積 700: 702:環形氣體分配組件 704:氣體開口 706:外周邊
藉由參考在附隨的圖式中描繪的本揭露書的說明性實施例，可了解在上面簡要地概述並且在下面更詳細地討論的本揭露書的實施例。然而，附隨的圖式僅圖示了本揭露書的典型實施例，且因此不應視為對範疇的限制，因為本揭露書可允許其他等效實施例。
第1圖是根據本原理的一些實施例的減少基板中的翹曲的方法的流程圖。
第2A圖是根據本原理的一些實施例可被處理的基板的橫截面圖。
第2B圖是根據本原理的一些實施例可被處理的基板的橫截面圖。
第3圖是根據本原理的一些實施例可避免的在加熱和冷卻期間施加到基板上的力的圖式。
第4圖是根據本原理的一些實施例的用於減小基板的翹曲的設備的示意性側視圖。
第5圖是根據本原理的一些實施例的用於減小基板的翹曲的設備的頂視圖。
第6A圖至第6D圖圖示了根據本原理的一些實施例的減小基板的翹曲的方法。
第7圖是根據本原理的一些實施例的環形氣體輸送組件的底視圖。
為促進理解，在可能的情況下使用了相同的元件符號來表示圖式中共有的相同元件。圖式未按比例繪製，並且為清楚起見可簡化。一個實施例的元件和特徵可有益地併入其他實施例中，而無需進一步敘述。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:方法
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Claims (20)

  1. 一種用於減少一基板的翹曲的方法，包含以下步驟： 將具有一環氧樹脂層的該基板加熱至該環氧樹脂層的至少一玻璃化轉變溫度，同時允許該基板膨脹； 隨後利用從一頂部方向藉由向該基板施加一高壓氣體並從一底部方向藉由向該基板施加一真空壓力而朝該基板施加的一夾持力來該約束基板；及 在約束該基板的同時快速冷卻該基板。
  2. 如請求項1所述之方法，進一步包含以下步驟： 維持該基板的該至少該玻璃化轉變溫度，直到該基板受到約束。
  3. 如請求項1所述之方法，其中施加真空壓力包含以下步驟：經由分佈在設置在該基板之下方的一基板支撐件上的一個或多個真空通道抽吸真空。
  4. 如請求項1所述之方法，進一步包含以下步驟： 在用一夾持力約束該基板之前，將該基板從一第一站轉移到一第二站。
  5. 如請求項1至4中任一項所述之方法，進一步包含以下步驟： 用大約5,000N到大約10,000N的一夾持力約束該基板。
  6. 如請求項1至4中任一項所述之方法，進一步包含以下步驟： 使用至少一個液體對流散熱器以大約1300W/m2 ℃至大約3100W/m2 ℃的一速率將該基板快速地焠火冷卻，以維持該環氧樹脂層的一拉長和低應力狀態。
  7. 如請求項1至4中任一項所述之方法，其中該高壓氣體在一基板支撐表面處的一壓力為約1.5巴至約2.6巴。
  8. 如請求項1至4中任一項所述之方法，進一步包含以下步驟： 同時約束該基板、冷卻該基板、向該基板施加該真空壓力並施加該高壓氣體大約60秒至大約600秒。
  9. 一種非暫態電腦可讀取媒體，其上儲存有多個指令，該等指令在被執行時使得執行減少一基板翹曲的一方法，該方法包含以下步驟： 將具有一環氧樹脂層的該基板加熱至該環氧樹脂層的至少一玻璃化轉變溫度，同時允許該基板膨脹； 隨後利用從一頂部方向藉由向該基板施加一高壓氣體並從一底部方向藉由向該基板施加一真空壓力而朝該基板施加的一夾持力來該約束基板；及 在約束該基板的同時快速冷卻該基板。
  10. 如請求項9所述之非暫態電腦可讀取媒體，進一步包含以下步驟： 將該基板加熱到大約攝氏100度到大約攝氏200度的一玻璃化轉變溫度。
  11. 如請求項9所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中約束該基板包含以下步驟：提供向該基板施加的大約5000N至大約10000N的一夾持力。
  12. 如請求項9至11中任一項所述之非暫態電腦可讀取媒體，進一步包含以下步驟： 同時約束該基板、冷卻該基板、向基板該施加該真空壓力並向該基板施加該高壓氣體大約60秒至大約600秒。
  13. 一種用於減少具有一環氧樹脂層的一基板的翹曲的設備，包含： 一第一站，包含保持該基板的一可轉移基座及相對於該基板設置的一加熱氣體供應器，以將一加熱氣體提供給該基板的一表面，其中該第一站配置成將該基板加熱至該環氧樹脂層的至少一玻璃化轉變溫度； 一第二站，包含一第一冷卻模組、一真空吸盤、一冷卻通道及一第二冷卻模組，該第一冷卻模組具有包括一基板支撐表面的一基板支撐件，該真空吸盤操作地耦合至該基板支撐表面，該冷卻通道設置在該基板支撐表面下方，該第二冷卻模組相對於該第一冷卻模組設置並具有一氣體供應器和多個冷卻通道，其中該第二站是可密封和可加壓的，以產生一封閉容積，該封閉容積具有設置在該第一冷卻模組與該第二冷卻模組之間的該基板支撐表面，並以一高壓從該氣體供應器提供氣體至該封閉容積；且 其中該第一站和該第二站配置成利用該可轉移基座在該第一站與該第二站之間轉移該基板，同時維持該基板的該至少該玻璃化轉變溫度。
  14. 如請求項13所述之設備，其中該第二站具有一升降銷組件，該升降銷組件用於將基板升高和降低靠近和遠離該基板支撐件的一基板支撐表面。
  15. 如請求項13所述之設備，該第一站進一步包含： 一氣體分配組件，位於該第一站的一頂部；及 一加熱器，位於該可轉移基座下方， 其中該第一站配置成用由該氣體分配組件從該基板之上方供應的一加熱氣體加熱基板，以及用該加熱器從該基板之下方加熱該基板。
  16. 如請求項13所述之設備，該第一站進一步包含： 一個或多個紅外熱感測器，位於該第一站的一底部處，並配置成偵測該基板的一底表面的一溫度，其中該可轉移基座具有允許該一個或多個紅外熱感測器從該基板的該底表面直接讀取的多個開口。
  17. 如請求項13所述之設備，該第二站進一步包含： 一環形氣體分配組件，位於該第二站的一頂部處並且在該第二冷卻模組的外部，其中該環形氣體分配組件配置成用加熱氣體圍繞該基板，以維持該基板的該至少該玻璃化轉變溫度。
  18. 如請求項13所述之設備，進一步包含一密封件，該密封件設置在該第一冷卻模組與該第二冷卻模組之間的一界面處，以密封該封閉容積。
  19. 如請求項13至18中任一項所述之設備，其中該第一冷卻模組是在一轉移位置與一處理位置之間可移動的，在該轉移位置中，該第一冷卻模組與該第二冷卻模組間隔開，在該處理位置中，該第二冷卻模組與該第一冷卻模組界面連接並形成一密封以形成該封閉容積。
  20. 如請求項19所述之設備，其中該第二冷卻模組包括一主體和從該主體向該第一冷卻模組延伸的多個側壁，其中該等側壁配置成與該基板支撐件界面連接並形成一密封，使得該封閉容積界定在該等側壁、該主體與該基板支撐件之間。
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