TW202113052A - 表面處理組成物、表面處理組成物之製造方法、表面處理方法及半導體基板之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明課題為提供一種手段，可將存在於含有氧化矽或多晶矽且研磨過後的研磨對象物的表面的有機物殘渣充分除去。
解決手段為一種表面處理組成物，其含有具有下述[化1]之式(1)所表示的結構單元的聚合物及水，並且其係為了處理研磨過後的研磨對象物的表面所使用之表面處理組成物，
上述式(1)中，R1
為碳數1～5之烴基，R2
為氫原子或碳數1～3之烴基。
Description
本發明關於一種表面處理組成物、表面處理組成物的製造方法、表面處理方法及半導體基板之製造方法。
近年來，隨著半導體基板表面的多層配線化，在製造半導體裝置(device)時，利用了將半導體基板研磨並使其平坦化，所謂的化學機械研磨(Chemlcal Mechanical Polishing；CMP)技術。CMP是使用含有二氧化矽或氧化鋁、氧化鈰等的研磨粒、抗蝕劑、界面活性劑等的研磨用組成物(泥漿)，使半導體基板等的研磨對象物(被研磨物)的表面平坦化的方法。研磨對象物(被研磨物)是由矽、多晶矽、矽氧化膜(氧化矽)、氮化矽或金屬等所形成的配線、插頭等。
CMP步驟後的半導體基板表面會殘留大量雜質(defect)。雜質包含來自CMP所使用的研磨用組成物的研磨粒、金屬、抗蝕劑、界面活性劑等的有機物、將作為研磨對象物的含矽材料、金屬配線或插頭等研磨所產生的含矽材料或金屬，甚至由各種研磨墊等所產生的墊屑等的有機物等。
半導體基板表面若被這些雜質污染，則會對半導體的電特性造成不良影響，半導體裝置的信賴性可能會下降。所以希望在CMP步驟後導入洗淨步驟，由半導體基板表面除去這些雜質。
這樣的洗淨步驟所使用的洗淨液(洗淨用組成物)，已知有例如專利文獻1所揭示的物品。專利文獻1揭示了一種化學機械研磨用泥漿組成物，其中含有水、研磨粒及含聚乙烯基醇結構單元之一種以上的水溶性聚合物。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2012-74678號公報
[發明所欲解決的課題]
研磨過後的研磨對象物的洗淨時，希望進一步減少雜質。
此處，本發明人等針對研磨過後的研磨對象物的種類與雜質的種類的關係進行檢討。結果發現，在含有氮化矽、氧化矽或多晶矽且研磨過後的研磨對象物(例如研磨過後的半導體基板)表面容易殘留有機物殘渣，這樣的有機物殘渣可能會成為半導體裝置破壞的原因。
本發明鑑於上述課題而完成，目的為提供一種手段，可將存在於含有氧化矽或多晶矽且研磨過後的研磨對象物表面的有機物殘渣充分除去。
[用以解決課題的手段]
本發明人等鑑於上述課題不斷鑽研檢討。結果發現，藉由使用含有具有下述[化1]之式(1)所表示的結構單元的聚合物及水之表面處理組成物，可將存在於含有氧化矽或多晶矽的研磨過後的研磨對象物表面的有機物殘渣充分除去，而完成了本發明。
依據本發明可提供一種手段，可將存在於含有氧化矽或多晶矽的研磨過後的研磨對象物表面的有機物殘渣充分除去。
以下對本發明作說明。此外，本發明不侷限於以下的實施形態。
另外，在本說明書中，化合物的具體名稱中所表記的「(甲基)丙烯酸」代表「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」，「(甲基)丙烯酸酯」代表「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」。
[有機物殘渣]
在本說明書中，有機物殘渣，代表附著於研磨過後的研磨對象物表面的異物之中，由有機低分子化合物或高分子化合物等的有機物或有機鹽等所形成的成分。
附著於洗淨對象物的有機物殘渣，可列舉例如由後述研磨步驟或可任意設置的沖洗研磨步驟中使用的研磨墊所產生的墊屑，或者來自研磨步驟中所使用的研磨用組成物或沖洗研磨用步驟中所使用的沖洗研磨用組成物中所含有的添加劑的成分等。
有機物殘渣與其他異物的顏色及形狀大幅不同，因此異物是否為有機物殘渣的判斷，可藉由SEM觀察以目視來進行，亦可因應必要利用能量分散型X光分析裝置(EDX)進行元素分析來判斷。
[研磨過後的研磨對象物]
在本說明書中，研磨過後的研磨對象物，意指在研磨步驟中經過研磨之後的研磨對象物。研磨步驟並未受到特別限制，以CMP步驟為佳。
本發明其中一個形態所關連的表面處理組成物，以為了減少殘留於含有氮化矽(以下亦簡稱為「SiN」)、氧化矽、或多晶矽(以下亦簡稱為「Poly-Si」)之研磨過後的研磨對象物(以下亦簡稱為「洗淨對象物」)表面的有機物殘渣而使用為佳。含有氧化矽之研磨過後的研磨對象物，可列舉例如使用正矽酸四乙酯作為前驅物所產生的TEOS型氧化矽面(以下亦簡稱為「TEOS」)、HDP膜、USG膜、PSG膜、BPSG膜、RTO膜等。
研磨過後的研磨對象物以研磨過後的半導體基板為佳，CMP後的半導體基板為較佳。其理由是因為有機物殘渣尤其可能會成為半導體裝置破壞的原因，因此在研磨過後的研磨對象物為研磨過後的半導體基板的情況，半導體基板的洗淨步驟必須能夠儘可能將有機物殘渣除去。
含有氮化矽、氧化矽或多晶矽且研磨過後的研磨對象物並未受到特別限制，可列舉分別由氮化矽、氧化矽及多晶矽單獨形成之研磨過後的研磨對象物；或除了氮化矽、氧化矽或多晶矽之外，還加上這些以外的材料露出表面的狀態之研磨過後的研磨對象物等。此處，前者可列舉例如導體基板的氮化矽基板、氧化矽基板或多晶矽基板。另外，關於後者，氮化矽、氧化矽或多晶矽以外的材料並未受到特別限制，可列舉例如鎢等。該研磨過後的研磨對象物的具體例子，可列舉具有在鎢上形成氮化矽膜、氧化矽膜或多晶矽膜的構造之研磨過後的半導體基板；或具有鎢部分、氮化矽膜、氧化矽膜及多晶矽膜全部露出的構造之研磨過後的半導體基板等。
此處，從發揮本發明的效果的觀點看來，本發明其中一個形態所關連的研磨過後的研磨對象物以含有多晶矽為佳。
[表面處理組成物]
本發明其中一個形態為一種表面處理組成物，其係含有具有下述[化2]之式(1)所表示的結構單元的聚合物及水，為了處理研磨過後的研磨對象物的表面而使用。
本發明其中一個形態所關連的表面處理組成物，以在表面處理步驟中使用作為用來選擇性地除去有機物殘渣之有機物殘渣減少劑為特佳。
本發明人等如以下所述般推測藉由本發明來解決上述課題的機制。表面處理組成物中，表面處理組成物所含有的各成分與研磨過後的研磨對象物的表面及異物發生交互作用，化學交互作用的結果，會具有將研磨過後的研磨對象物表面的異物除去或使除去變得容易的機能。
具有式(1)所表示的結構單元的聚合物物理吸附於疏水性晶圓表面，可使表面變化為親水性。附著於晶圓上的有機物殘渣會在處理中暫時浮出，然後上述聚合物會吸附於晶圓。結果，由上述聚合物所形成的層會作為防止有機物殘渣再附著的層來發揮機能，甚至可將有機物殘渣簡單地由晶圓上除去。
此外，上述機制是根據推測，其正誤並不會對本發明的技術的範圍造成影響。
以下針對該表面處理組成物所含有的各成分作說明。
[具有式(1)所表示的結構單元的聚合物]
上述式(1)中的R1
所表示的碳數1～5之烴基，可列舉甲基、乙基、丙基等的烷基；乙烯基、丙烯基等的烯基；乙炔基、丙炔基等的炔基；環戊基等的環烷基等。這些之中，以烷基及炔基為佳，碳數1～3之烴基亦為適合。R1
以甲基、乙基及乙烯基(vinyl)為較佳，甲基及乙基為更佳。
上述式(1)中的R1
所表示的碳數1～3之烴基，可列舉R1
所表示的碳數1～5之烴基所例示的基團之中碳數為1～3的烴基。R2
以氫原子及甲基為佳。
產生上述結構單元的不飽和單體，可列舉N-乙烯基乙醯胺、N-乙烯基戊酮醯胺、N-乙烯基丁基醯胺等，以N-乙烯基乙醯胺及N-乙烯基丙醯胺為佳。上述不飽和單體可單獨使用一種或將兩種以上混合使用。
上述聚合物的重量平均分子量(Mw)，通常為30,000以上1000,000以下，以50,000以上900,000以下為佳，50,000以上100,000以下為較佳。藉由將上述聚合物的重量平均分子量(Mw)定在上述範圍，可更有效地減少研磨過後的研磨對象物表面的有機物殘渣。
具有式(1)所表示的結構單元的聚合物的含量(兩種以上的情況為其合計量)的下限並未受到特別限制，相對於表面處理組成物的總量，以0.02質量%以上為佳。若含量在0.02質量%以上，則可更有效地減少研磨過後的研磨對象物表面的有機物殘渣。
從同樣的觀點看來，具有式(1)所表示的結構單元的聚合物的含量的下限值，相對於表面處理組成物的總量，以0.03質量%以上為較佳，0.05質量%以上為更佳。另一方面，具有式(1)所表示的結構單元的聚合物的含量的上限值，相對於表面處理組成物的總量，以1質量%以下為佳。若含量在1質量%以下，則表面處理後的具有式(1)所表示的結構單元的聚合物本身變得容易除去。從同樣的觀點看來，具有式(1)所表示的結構單元的聚合物的含量的上限值，相對於表面處理組成物的總量，以0.7質量%以下為較佳，0.5質量以下為更佳。
上述聚合物中的上述結構單元的含量，以30mol%以上100mol%以下為佳，50mol%以上100mol%以下為較佳，70mol%以上100mol%以下為更佳。藉由將上述構成單位的含量定在上述範圍，可更有效地減少研磨過後的研磨對象物表面的有機物殘渣。
[具有來自甘油的結構單元的水溶性高分子]
本發明其中一個形態所關連的表面處理組成物可含有具有來自甘油的結構單元的水溶性高分子。
具有來自甘油的結構單元的水溶性高分子的合適例子，可列舉選自由聚甘油(參考下述式(2))、聚甘油的烷基(C10-14)酯、聚甘油烷基(C10-14)醚、環氧乙烷變性聚甘油、磺酸變性聚甘油(參考例如下述式(3)、(4))及膦酸變性聚甘油(參考例如下述式(5)、(6))所構成的群中的至少一種。
上述式(2)～(6)中的m及n各自獨立，表示重複單元數，上述式(3)～(6)中的M各自獨立，表示氫原子、Na、K或NH4 +
。
此外，上述式(3)～(6)中的多個M彼此可相同或相異。例如上述式(3)中的n個M全部可為Na，或為氫原子、Na、K及NH4 +
中的兩種以上的組合。另外，例如上述式(4)中的m個M全部可為Na，或為氫原子、Na、K及NH4 +
中的兩種以上的組合。
上述具有來自甘油的結構單元的水溶性高分子可單獨或組合兩種以上來使用。
具有來自甘油的結構單元的水溶性高分子的含量(濃度)(兩種以上的情況為其合計量)並未受到特別限制，相對於表面處理組成物的總量以0.02質量%以上為佳。若具有來自甘油的結構單元的水溶性高分子的含量在0.02質量%以上，則本發明的效果提升。
從同樣的觀點看來，具有來自甘油的結構單元的水溶性高分子的含量(濃度)，相對於表面處理組成物的總量，以0.03質量%以上為較佳，0.05質量%以上為更佳。另外，具有來自甘油的結構單元的水溶性高分子的含量(濃度)，相對於表面處理組成物的總量，以1質量%以下為佳。若具有來自甘油的結構單元的水溶性高分子的含量(濃度)在1質量%以下，則表面處理後的具有來自甘油的結構單元的水溶性高分子本身變得容易除去。從同樣的觀點看來，具有來自甘油的結構單元的水溶性高分子的含量(濃度)，相對於表面處理組成物的總量，0.7質量%以下為較佳，0.5質量%以下為更佳。
具有來自甘油的結構單元的水溶性高分子的重量平均分子量(Mw)，以1,000以上為佳。若重量平均分子量在1,000以上，則異物的除去效果更加提升。其理由被推測是因為具有來自甘油的結構單元的水溶性高分子覆蓋洗淨對象物或異物時的被覆性變得更良好，由洗淨對象物表面除去異物的作用或抑制異物再附著於洗淨對象物表面的作用會更加提升。從同樣的觀點看來，重量平均分子量以3,000以上為較佳，8,000以上為更佳。另外，具有來自甘油的結構單元的水溶性高分子的重量平均分子量的上限值並未受到特別限制，以1,000,000以下為佳，100,000以下為較佳，50,000以下為更佳。重量平均分子量，可藉由凝膠滲透層析(GPC)，使用GPC裝置(島津製作所股份有限公司製 型式：Prominence+ELSD偵測器(ELSD-LTII))等，並以聚乙二醇換算來求得，具體而言可藉由實施例所記載的方法作測定。
具有來自甘油的結構單元的水溶性高分子可使用市售品或使用合成品。在合成的情況，製造方法並不受特別限制，可使用周知的聚合法。
[酸]
本發明其中一個形態所關連的表面處理組成物可含有酸。此外，在本說明書中，下述離子性分散劑視為與此處敘述的作為添加劑的酸是不同者。酸主要是為了調整表面處理組成物的pH而添加。酸主要是為了調整表面處理組成物的pH而添加。
另外，在研磨過後的研磨對象物含有氮化矽、氧化矽、或多晶矽的情況，酸被推測是扮演使該研磨過後的研磨對象物的表面或異物的表面帶正電荷的角色。所以，在對具有可使表面處理組成物帶正電荷的性質的異物或洗淨對象物使用的情況，藉由添加酸，可更促進靜電排斥效果，由表面處理組成物所產生的異物除去效果會更加提升。
酸可使用無機酸或有機酸的任一者。無機酸並未受到特別限制，可列舉例如硫酸、硝酸、硼酸、碳酸、次磷酸、亞磷酸及磷酸等。有機酸並未受到特別限制，可列舉蟻酸、醋酸、丙酸、酪酸、纈草酸、2-甲基酪酸、正己酸、3,3-二甲基酪酸、2-乙基酪酸、4-甲基戊酸、正庚酸、2-甲基己酸、正辛酸、2-乙基己酸、安息香酸、羥乙酸、水楊酸、甘油酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、馬來酸、鄰苯二甲酸、蘋果酸、酒石酸、檸檬酸及乳酸等的羧酸，以及甲磺酸、乙磺酸及羥乙磺酸等。
這些之中，從使研磨過後的研磨對象物的表面及異物的表面帶正電荷的效果變得更良好，提高異物除去性的觀點看來，以馬來酸或硝酸為較佳。
此外，酸可單獨或組合兩種以上來使用。
酸的含量，相對於表面處理組成物的總量，以0.01質量%以上為佳。若酸的含量在0.01質量%以上，則異物的除去效果會更為提升。其理由被推測是因為使研磨過後的研磨對象物的表面及異物的表面帶正電荷的效果變得更良好。從同樣的觀點看來，酸的含量，相對於表面處理組成物的總量，以0.02質量%以上為佳，0.03質量%以上為更佳。另外，酸的含量，相對於表面處理組成物的總量，以5質量%以下為佳。若酸的含量在5質量%以下，則從降低成本的觀點看來為適合。從同樣的觀點看來，酸的含量，相對於表面處理組成物的總量，以3質量%以下為較佳，1質量%以下為更佳。
[分散媒]
本發明其中一個形態所關連的表面處理組成物必須含有水作為分散媒(溶劑)。分散媒具有使各成分分散或溶解的機能。分散媒以僅有水為較佳。另外，為了使各成分分散或溶解，分散媒可為水與有機溶劑的混合溶劑，此情況下，所使用的有機溶劑，可列舉與水互溶的有機溶劑之丙酮、乙腈、乙醇、甲醇、異丙醇、甘油、乙二醇、丙二醇等，另外，還可不將這些有機溶劑與水混合地使用，在使各成分分散或溶解之後與水混合。這些有機溶劑可單獨或組合兩種以上來使用。
從污染洗淨對象物或阻礙其他成分的作用的觀點看來，水以儘可能不含雜質的水為佳。例如以過渡金屬離子的合計含量為100ppb以下的水為佳。此處，水的純度可藉由例如使用離子交換樹脂來除去雜質離子、利用過濾器來除去異物、蒸餾等的操作來提高。具體而言，水以使用例如去離子水(離子交換水)、純水、超純水、蒸餾水等為佳。
[pH]
本發明其中一個形態所關連的表面處理組成物的pH也可超過5，但宜為5以下。若pH在5以下，則在對於具有可使表面處理組成物帶正電荷的性質的異物或洗淨對象物使用的情況，可使洗淨對象物的表面或異物的表面更確實地帶正電荷，藉由靜電的排斥可得到更高的異物除去效果。若pH超過5，則在特定條件下(例如後述實施例10所揭示般，研磨過後的氮化矽基板)不易得到異物除去效果。該pH以4以下為較佳，3以下為更佳，未達3(例如2.5)又更佳。另外，表面處理組成物的pH以1以上為佳。若pH在1以上，則更能夠降低成本。
此外，表面處理組成物的pH值可藉由pH計(堀場製作所股份有限公司製 製品名：LAQUA(註冊商標))作確認。
在調整pH值時，本發明其中一個形態所關連的表面處理組成物以外的成分可能會成為產生異物的原因，因此希望儘可能不添加。所以，表面處理組成物，以只使用上述具有來自甘油的結構單元的水溶性高分子、酸、水及因應必要添加的離子性分散劑來調製為佳。然而，在只藉由這些難以得到所希望的pH的情況，可使用在不阻礙本發明效果的範圍內可任意添加的鹼等的其他添加劑來調整。
[離子性分散劑]
本發明其中一個形態所關連的表面處理組成物以進一步含有離子性分散劑為佳。離子性分散劑有助於利用表面處理組成物來除去異物。所以，含有離子性分散劑的表面處理組成物，在研磨過後的研磨對象物的表面處理(洗淨等)時，可將殘留於研磨過後的研磨對象物表面的異物(含有有機物殘渣等的雜質)充分除去。
離子性分散劑的例子，可列舉具有磺酸(鹽)基的高分子化合物；具有磷酸(鹽)基的高分子化合物；具有膦酸(鹽)基的高分子化合物；具有羧酸(鹽)基的高分子化合物；聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)、聚乙烯基咪唑(PVI)、聚乙烯基咔唑、聚乙烯基己內醯胺、聚乙烯基哌啶、聚丙烯醯基嗎啉(PACMO)等的含有氮原子的水溶性高分子；聚乙烯醇(PVA)；羥乙基纖維素(HEC)等。
這些之中，以具有磺酸(鹽)基的高分子化合物為佳。以下針對具有磺酸(鹽)基的高分子化合物作說明。
＜具有磺酸(鹽)基的高分子化合物＞
本發明其中一個形態所關連的表面處理組成物，以上述離子性分散劑為具有磺酸(鹽)基的高分子化合物為佳。具有磺酸(鹽)基的高分子化合物(在本說明書中亦簡稱為「含有磺酸基的高分子」)，更容易有助於利用表面處理組成物來除去異物。所以，含有上述含有磺酸基的高分子的表面處理組成物，具有在研磨過後的研磨對象物的表面處理(洗淨等)時更容易將殘留於研磨過後的研磨對象物表面的異物(含有有機物殘渣等的雜質)除去的效果。
該含有磺酸基的高分子可藉由磺酸(鹽)基以外的部分(亦即，含有磺酸基的高分子的聚合物鏈部分)與異物(尤其是疏水性成分)的親和性形成微胞。所以認為，藉由該微胞在表面處理組成物中溶解或分散，也會有效地除去疏水性成分之異物。
另外，在酸性條件下，研磨過後的研磨對象物的表面為陽離子性的情況，磺酸基會因為陰離子化而變得容易吸附於該研磨過後的研磨對象物的表面。結果認為，研磨過後的研磨對象物表面會成為被覆上述含有磺酸基的高分子的狀態。另一方面，含有磺酸基的高分子的磺酸基容易吸附在殘留的異物(尤其是容易帶陽離子性的物體)，因此異物的表面會帶陰離子性。所以，表面呈陰離子性的異物與吸附於研磨過後的研磨對象物表面之含有磺酸基的高分子上的陰離子化磺酸基會發生靜電排斥。另外，在異物為陰離子性的情況，異物本身與存在於研磨過後的研磨對象物上的陰離子化磺酸基會發生靜電排斥。所以認為利用這種靜電排斥可將異物有效地除去。
此外，在研磨過後的研磨對象物不易帶電荷的情況，推測是藉由與上述不同的機制來除去異物。首先認為，對於疏水性的研磨過後的研磨對象物，異物(尤其是疏水性成分)藉由疏水性交互作用，會呈容易附著的狀態。此處，含有磺酸基的高分子的聚合物鏈部分(疏水性構造部位)會因為其疏水性而朝向研磨過後的研磨對象物的表面側，另一方面，親水性構造部位的陰離子化磺酸基等會朝向與研磨過後的研磨對象物的表面相反的一側。推測藉此研磨過後的研磨對象物的表面會成為被陰離子化的磺酸基覆蓋的狀態而成為親水性。結果認為，異物(尤其是疏水性成分)與上述研磨過後的研磨對象物之間不易發生疏水性交互作用，可抑制異物附著。
而且，吸附於研磨過後的研磨對象物表面之具有上述式(1)所表示的結構單元的聚合物、具有來自甘油的結構單元的水溶性高分子及含有磺酸基的高分子，可進一步藉由進行水洗等輕易除去。
此外，在本說明書中，「磺酸(鹽)基」代表磺酸基(-SO3
H))或其鹽之基(-SO3
M2
；此處，M2
為有機或無機的陽離子)。
含有磺酸基的高分子只要具有多個磺酸(鹽)基，則並不受特別限制，可使用周知的化合物。含有磺酸基的高分子的例子，可列舉使作為基底的高分子化合物磺化所得到的高分子化合物、或使具有磺酸(鹽)基的單體(共)聚合所得到的高分子化合物等。
較具體而言，可列舉含有磺酸(鹽)基的聚乙烯醇(磺酸變性聚乙烯醇)、聚苯乙烯磺酸、聚苯乙烯磺酸鈉等的含有磺酸(鹽)基的聚苯乙烯、含有磺酸(鹽)基的聚醋酸乙烯酯(磺酸變性聚醋酸乙烯酯)、含有磺酸(鹽)基的聚酯、含有(甲基)丙烯酸-磺酸(鹽)基的單體的共聚物等的含有(甲基)丙烯醯基的單體-含有磺酸(鹽)基的單體的共聚物等。此外，在本說明書中，化合物具體名稱中所表記的「(甲基)丙烯酸」代表「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」，「(甲基)丙烯酸酯」代表「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」。上述含有磺酸基的高分子可單獨或組合兩種以上來使用。這些高分子所具有的磺酸基的至少一部分可為鹽的形態。鹽的例子可列舉鈉鹽、鉀鹽等的鹼金屬鹽、鈣鹽、鎂鹽等的第2族元素的鹽、胺鹽、銨鹽等。尤其在研磨過後的研磨對象物為CMP步驟後的半導體基板的情況，從極力除去基板表面的金屬的觀點看來，以銨鹽為佳。
另外，在含有磺酸基的高分子為含有磺酸基的聚乙烯醇的情況，從溶解性的觀點看來，皂化度以80%以上為佳，85%以上為佳(上限100%)。
在本發明中，含有磺酸基的高分子的重量平均分子量，以1,000以上為佳。若重量平均分子量在1,000以上，則異物的除去效果更加提高。其理由被推測是因為覆蓋研磨過後的研磨對象物或異物時的被覆性變得較良好，洗淨對象物的表面異物的除去作用或抑制有機物殘渣的再附著於研磨過後的研磨對象物表面的作用更加提升。從同樣的觀點看來，重量平均分子量以2,000以上為較佳，8,000以上為更佳。
另外，含有磺酸基的高分子的重量平均分子量，以100,000以下為佳。若重量平均分子量在100,000以下，則異物的除去效果更加提高。其理由被推測是因為洗淨步驟後的含有磺酸基的高分子的除去性變得較良好。從同樣的觀點看來，重量平均分子量以50,000以下為較佳，40,000以下為更佳。
該重量平均分子量可藉由凝膠滲透層析(GPC)作測定，具體而言，可藉由實施例所記載的方法作測定。
含有磺酸基的高分子可使用市售品，可使用例如日本合成化學工業股份有限公司製的GOHSENX(註冊商標)L-3226、GOHSENX(註冊商標)CKS-50、東亞合成股份有限公司製的Aron(註冊商標)A-6012、A-6016A、A-6020、東曹有機化學股份有限公司製的Poly NaSS(註冊商標)PS-1等。
含有磺酸基的高分子的含量(濃度)，相對於表面處理組成物的總量，以0.001質量%以上為佳。若含有磺酸基的高分子的含量在0.001質量%以上，則異物的除去效果更加提升。其理由被推測是因為含有磺酸基的高分子被覆研磨過後的研磨對象物及異物時，會以更大的面積來被覆。藉此，尤其異物容易形成微胞，因此利用該微胞的溶解･分散會提升異物的除去效果。另外還推測是因為藉由磺酸(鹽)基的數目增加，可更強地表現出靜電吸附或排斥效果。從同樣的觀點看來，含有磺酸基的高分子的含量(濃度)，相對於表面處理組成物的總量，以0.003質量%以上為較佳，0.005質量%以上為更佳。另外，含有磺酸基的高分子的含量(濃度)，相對於表面處理組成物的總量，以0.5質量%以下為佳。若含有磺酸基的高分子的含量(濃度)在0.5質量%以下，則異物的除去效果進一步提高。其理由被推測是因為洗淨步驟後的含有磺酸基的高分子本身的除去性變得良好。從同樣的觀點看來，含有磺酸基的高分子的含量，相對於表面處理組成物的總量，0.2質量%以下為較佳，0.1質量%以下為更佳，0.05質量%以下為特佳。
此外，在本說明書中，「高分子化合物」是指重量平均分子量在1,000以上的化合物。
[其他添加劑]
本發明其中一個形態所關連的表面處理組成物，在不阻礙本發明效果的範圍內，可因應必要以任意比例含有其他添加劑。但是，本發明其中一個形態所關連的表面處理組成物的必須成分以外的成分可能會成為產生異物的原因，因此希望儘可能不添加。所以，必須成分以外的成分，其添加量以儘可能少為佳，以不含為較佳。其他添加劑，可列舉例如研磨粒、鹼、防腐劑、溶存氣體、還原劑、氧化劑及烷醇胺類等。尤其，為了達成異物除去效果的進一步提升，表面處理組成物以實質上不含研磨粒為佳。此處，「實質上不含研磨粒」是指研磨粒相對於表面處理組成物全體的含量在0.01質量%以下的情況。
此外，上述異物(有機物殘渣)的數量，是採用在依照實施例所記載的方法進行表面處理之後，藉由實施例所記載的方法所測得之值。
[表面處理組成物的製造方法]
上述表面處理組成物的製造方法並不受特別限制。例如可藉由將具有上述式(1)所表示的結構單元的聚合物與水混合來製造。亦即，根據本發明的其他形態，還可提供上述表面處理組成物的製造方法，其中包含了將具有上述式(1)所表示的結構單元的聚合物與水混合。具有上述式(1)所表示的結構單元的聚合物的種類、添加量等如前述。此外，在本發明其中一個形態所關連的表面處理組成物的製造方法中，亦可因應必要進一步混合上述離子性分散劑、上述具有來自甘油的結構單元的水溶性高分子(甘油系水溶性高分子)、其他添加劑、水以外的分散媒等。其種類、添加量等如前述。
上述各成分的添加順序、添加方法並不受特別限制。可將上述各材料，一起或分開、階段或連續地添加。另外，混合方法也不受特別限制，可使用周知的方法。理想的情況，上述表面處理組成物的製造方法，包含：依序添加具有來自甘油的結構單元的水溶性高分子、酸、水、及因應必要添加的離子性分散劑，並在水中攪拌。而且，上述表面處理組成物的製造方法，還可進一步包含測定表面處理組成物的pH並加以調整以使pH成為5以下。
[表面處理方法]
本發明的另一個形態是包含使用上述表面處理組成物將研磨過後的研磨對象物進行表面處理之表面處理方法。在本說明書中，表面處理方法是指減少研磨過後的研磨對象物表面的異物的方法，並且是進行廣義的洗淨的方法。
根據本發明其中一個形態所關連的表面處理方法，可將殘留於研磨過後的研磨對象物表面的異物充分除去。亦即，根據本發明的另一個形態，可提供一種減少研磨過後的研磨對象物表面的異物的方法，其中使用了上述表面處理組成物將研磨過後的研磨對象物進行表面處理。
本發明其中一個形態所關連的表面處理方法，是藉由使本發明所關連的表面處理組成物直接接觸研磨過後的研磨對象物的方法來進行。
表面處理方法主要可列舉(I)利用沖洗研磨處理的方法、(II)利用洗淨處理的方法。亦即，本發明其中一個形態所關連的表面處理以藉由沖洗研磨或洗淨來進行為佳。沖洗研磨處理及洗淨處理，是為了將研磨過後的研磨對象物表面上的異物(顆粒、金屬污染、有機物殘渣、研磨墊屑等)除去以得到乾淨的表面而實施。以下針對上述(I)及(II)作說明。
(1)沖洗研磨處理
本發明所關連的表面處理組成物適合在沖洗研磨處理中使用。沖洗研磨處理，是在對研磨對象物實施最終研磨(完工研磨)之後，為了除去研磨對象物表面上的異物而在安裝有研磨墊的研磨定盤(platen)上進行。此時，藉由使本發明所關連的表面處理組成物直接接觸研磨過後的研磨對象物來進行沖洗研磨處理。結果，研磨過後的研磨對象物表面的異物，會因為研磨墊所產生的摩擦力(物理作用)及表面處理組成物所產生的化學作用而除去。異物之中，尤其顆粒或有機物殘渣，容易藉由物理作用而除去。所以，在沖洗研磨處理時，藉由在研磨定盤(platen)上利用研磨墊的摩擦，可將顆粒或有機物殘渣有效地除去。
具體而言，沖洗研磨處理，可藉由將經過研磨步驟之研磨過後的研磨對象物的表面設置於研磨裝置的研磨定盤(platen)，使研磨墊與研磨過後的半導體基板接觸，對其接觸部分供給表面處理組成物(沖洗研磨用組成物)，同時使研磨過後的研磨對象物與研磨墊相對滑動來進行。
沖洗研磨處理可使用單面研磨裝置、雙面研磨裝置的任一者來進行。另外，上述研磨裝置中，除了研磨用組成物的吐出噴嘴之外，以加上具備沖洗研磨用組成物的吐出噴嘴為佳。研磨裝置的沖洗研磨處理時的運作條件並不受特別限制，只要是業界人士即可適當地設定。
(II)洗淨處理
本發明所關連的表面處理組成物適合在洗淨處理中使用。洗淨處理，是在對研磨對象物進行最終研磨(完工研磨)之後或進行上述沖洗研磨處理之後，為了除去研磨對象物的表面上的異物而進行。此外，洗淨處理與上述沖洗研磨處理可依照進行這些處理的場所來分類，洗淨處理是將研磨過後的研磨對象物由研磨定盤(platen)上拆下之後進行的表面處理。在洗淨處理中，亦可使本發明所關連的表面處理組成物直接接觸研磨過後的研磨對象物來將該對象物的表面上的異物除去。
進行洗淨處理的方法的一例，可列舉(i)在將研磨過後的研磨對象物保持住的狀態，使清潔刷與研磨過後的研磨對象物的單面或雙面接觸，對該接觸部分供給表面處理組成物，同時將洗淨對象物的表面以清潔刷摩擦的方法；(ii)將研磨過後的研磨對象物浸漬於表面處理組成物中，進行超音波處理或攪拌的方法(浸漬式)等。在這些方法中，研磨對象物表面的異物會因為清潔刷產生的摩擦力或超音波處理或攪拌所產生的機械力及表面處理組成物所產生的化學作用而被除去。
在上述(i)的方法中，表面處理組成物(洗淨用組成物)與研磨過後的研磨對象物的接觸方法並未受到特別限定，可列舉由噴嘴將表面處理組成物淋在研磨過後的研磨對象物上，同時使研磨過後的研磨對象物高速旋轉的旋轉式；將表面處理組成物噴灑至研磨過後的研磨對象物而洗淨的噴霧式等。
從能夠以短時間更有效率除去污染的觀點看來，洗淨處理以採用旋轉式或噴霧式為佳，以旋轉式為更佳。
用來進行這種洗淨處理的裝置，已知有將被收納於匣盒的多枚研磨過後的研磨對象物同時進行表面處理的批次式洗淨裝置；將一枚研磨過後的研磨對象物安裝在夾具以進行表面處理的單片式洗淨裝置等。從縮短洗淨時間等的觀點看來，以使用單片式洗淨裝置的方法為佳。
此外，用來進行洗淨處理的裝置，可列舉具備從研磨定盤(platen)將研磨過後的研磨對象物拆下之後，以清潔刷將該對象物摩擦的洗淨用設備的研磨裝置。藉由使用這種研磨裝置，可更有效地進行研磨過後的研磨對象物的洗淨處理。
這樣的研磨裝置可使用具有將研磨過後的研磨對象物保持住的夾具、可變更轉速的馬達、清潔刷等的一般研磨裝置。研磨裝置可使用單面研磨裝置或雙面研磨裝置的任一者。此外，在CMP步驟之後進行沖洗研磨步驟的情況，使用與在沖洗研磨步驟中所使用的研磨裝置同樣的裝置來進行該洗淨處理較有效率，而為適合。
清潔刷並未受到特別限制，宜使用樹脂製的刷子。樹脂製刷子的材質並未受到特別限制，以使用例如PVA(聚乙烯醇)為佳。而且，清潔刷以使用PVA製泡棉為特佳。
洗淨條件也特別沒有限制，可因應洗淨對象物的種類，以及作為除去對象的有機物殘渣的種類及量來適當地設定。例如清潔刷的轉速以10rpm以上200rpm以下為佳，洗淨對象物的轉速以10rpm以上100rpm以下為佳，對洗淨對象物施加的壓力(研磨壓力)以0.5psi以上10psi以下為佳。對清潔刷供給表面處理組成物的方法也並不受特別限制，可採用例如以幫浦等連續供給的方法(放流)。其供給量並無限制，以清潔刷及洗淨對象物的表面常時被表面處理組成物覆蓋為佳，以10mL/分鐘以上5000mL/分鐘以下為佳。洗淨時間也不受特別限制，就使用本發明其中一個形態所關連的表面處理組成物的步驟來說，以5秒鐘以上180秒鐘以下為佳。只要在這樣的範圍，可更有效地除去異物。
洗淨時的表面處理組成物的溫度並未受到特別限制，通常在室溫(25℃)即可，在不損及性能的範圍亦可加熱至40℃以上70℃以下左右。
在上述方法(ii)之中，利用浸漬的洗淨方法的條件並未受到特別限制，可使用周知的手段。
可在依照上述方法(i)、(ii)進行洗淨處理前、後或其兩者利用水來進行洗淨。
另外，洗淨後的研磨過後的研磨對象物(洗淨對象物)，以藉由離心乾燥機等將附著於表面的水滴甩落而使其乾燥為佳。另外還可藉由鼓風乾燥來使洗淨對象物的表面乾燥。
[半導體基板的製造方法]
本發明其中一個形態所關連的表面處理方法，適合使用在研磨過後的研磨對象物為研磨過後的半導體基板時。亦即，根據本發明的另一個形態，還可提供一種半導體基板之製造方法，其中研磨過後的研磨對象物為研磨過後的半導體基板，並且包含使用上述表面處理組成物將該研磨過後的半導體基板表面處理。
關於該製造方法所適用的半導體基板的細節，如藉由上述表面處理組成物來實施表面處理之研磨過後的研磨對象物的說明。
另外，半導體基板的製造方法只要包含使用本發明其中一個形態所關連的表面處理組成物來對研磨過後的半導體基板的表面實行表面處理的步驟(表面處理步驟)，則並不受特別限制。該製造方法，可列舉例如包含用來形成研磨過後的半導體基板的研磨步驟及洗淨步驟的方法。另一個例子，可列舉除了包含研磨步驟及洗淨步驟之外，在研磨步驟及洗淨步驟之間還包含沖洗研磨步驟的方法。以下針對這各步驟作說明。
＜研磨步驟＞
半導體基板的製造方法中可含有的研磨步驟，是將半導體基板研磨，而形成研磨過後的半導體基板的步驟。
研磨步驟只要是研磨半導體基板的步驟，則並未受到特別限制，以化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing；CMP)步驟為佳。另外，研磨步驟可為由單一步驟形成的研磨步驟，或由多個步驟形成的研磨步驟。由多個步驟形成的研磨步驟，可列舉例如在預備研磨步驟(粗研磨步驟)之後進行完工研磨步驟的步驟、或在初級研磨步驟之後進行一次或兩次以上的二級研磨步驟，然後進行完工研磨步驟的步驟等。使用本發明所關連的表面處理組成物的表面處理步驟以在上述完工研磨步驟後進行為佳。
研磨用組成物，可因應半導體基板的特性適當地使用周知的研磨用組成物。研磨用組成物並未受到特別限制，適合使用例如含有研磨粒、酸鹽、分散媒及酸的組成物等。該研磨用組成物的具體例子，可列舉含有氧化鈰、聚丙烯酸、水及馬來酸的研磨用組成物等。
研磨裝置可使用安裝有保持研磨對象物的夾具與可變更轉速的馬達等，且具有可貼附研磨墊(研磨布)的研磨定盤的一般研磨裝置。研磨裝置可使用單面研磨裝置或雙面研磨裝置的任一者。
研磨墊可使用一般的不織布、聚胺甲酸乙酯及多孔質氟樹脂等，沒有特別限制。在研磨墊上以實施能夠讓研磨液滯留的溝加工為佳。
研磨條件也沒有特別限制，例如研磨定盤的轉速、研磨頭(載體)轉速，以10rpm以上100rpm以下為佳，施加在研磨對象物的壓力(研磨壓力)，以0.5psi以上10psi以下為佳。對研磨墊供給研磨用組成物的方法也不受特別限制，可採用例如以幫浦等連續供給的方法(放流)。其供給量並無限制，以常時以研磨用組成物覆蓋研磨墊表面為佳，10mL/分鐘以上5000mL/分鐘以下為佳。研磨時間也並未受到特別限制，就使用研磨用組成物的步驟來說，以5秒鐘以上180秒鐘以下為佳。
＜表面處理步驟＞
表面處理步驟是指使用本發明所關連的表面處理組成物來減少研磨過後的研磨對象物表面的異物的步驟。在半導體基板的製造方法中，可在沖洗研磨步驟之後進行作為表面處理步驟的洗淨步驟，或可僅進行沖洗研磨步驟或僅進行洗淨步驟。
(沖洗研磨步驟)
在半導體基板的製造方法中，沖洗研磨步驟可設置在研磨步驟及洗淨步驟之間。沖洗研磨步驟，是藉由本發明其中一個形態所關連的表面處理方法(沖洗研磨處理方法)來減少研磨過後的研磨對象物(研磨過後的半導體基板)表面的異物的步驟。
關於研磨裝置及研磨墊等的裝置，以及研磨條件，除了供給本發明所關連的表面處理組成物來代替供給研磨用組成物之外，可適用與上述研磨步驟同樣的裝置及條件。
沖洗研磨步驟所使用的沖洗研磨方法的細節如上述沖洗研磨處理所關連的說明所記載般。
(洗淨步驟)
在半導體基板之製造方法中，洗淨步驟可設置於研磨步驟之後，或可設置於沖洗研磨步驟之後。洗淨步驟是藉由本發明其中一個形態所關連的表面處理方法(洗淨方法)來減少研磨過後的研磨對象物(研磨過後的半導體基板)表面的異物的步驟。
洗淨步驟所使用的洗淨方法的細節如上述洗淨方法所關連的說明所記載般。
[實施例]
使用以下的實施例及比較例進一步詳細說明本發明。但是，本發明的技術範圍不受以下的實施例侷限。此外，只要沒有特別記載，「%」及「份」分別意指「質量%」及「質量份」。另外，在下述實施例中，只要沒有特別記載，操作是在室溫(25℃)/相對濕度40～50%RH的條件下進行。
此外，各高分子化合物的重量平均分子量是使用藉由凝膠滲透層析(GPC)所測得的重量平均分子量(聚乙二醇換算)之值，較具體而言，藉由下述裝置及條件來測定。
GPC裝置：島津製作所股份有限公司製
型號：Prominence＋ELSD偵測器(ELSD-LTII)
管柱：VP-ODS(島津製作所股份有限公司製)
移動相
A：MeOH
B：醋酸1%水溶液
流量：1mL/分鐘
偵測器：ELSD temp.40℃、Gain 8、N2GAS 350kPa
烘箱溫度：40℃
注入量：40μL
＜表面處理組成物的調製＞
[實施例1：表面處理組成物(A-1)的調製]
將組成物全體定為100質量份，並將聚-N-乙烯基乙醯胺(重量平均分子量(Mw)：300,000；式(1)所表示的結構單元為100mol%)0.1質量份、作為離子性分散劑的聚苯乙烯磺酸-丙烯酸共聚物(重量平均分子量(Mw)：10,000)0.01質量份分別與水(去離子水)混合，以使pH成為2.5的量添加作為pH調整劑的硝酸，調製出表面處理組成物(A-1)。
關於表面處理組成物(A-1)(液溫125℃)的pH，是藉由pH計(堀場製作所股份有限公司製，製品名：LAQUA(註冊商標))作測定。
[實施例2～22及比較例1～7：表面處理組成物(A-2)～(A-22)及(a-1)～(a～7)的調製]
除了使用表1所示的種類、分子量及含量的各成分，將各表面處理組成物的pH調整成表1所示的pH之外(中性、鹼性時是使用氨水)，與實施例1同樣地操作，調製出各表面處理組成物。表1中，「-」表示並未使用該成分。表1中，「乙烯基系聚合物」是指使乙烯基系單體單獨聚合或共聚合所得到的聚合物。
表1中，PSS-PA表示「聚苯乙烯磺酸-丙烯酸共聚物」。
＜評估＞
＜研磨過後的研磨對象物(表面處理對象物)的準備＞
藉由下述化學機械研磨(CMP)步驟研磨，準備了研磨過後的氮化矽基板、研磨過後的TEOS基板及研磨過後的多晶矽基板，或因應必要進一步藉由下述沖洗步驟處理之研磨過後的氮化矽基板、研磨過後的TEOS基板及研磨過後的多晶矽基板作為表面處理對象物。
[CMP步驟]
對於作為半導體基板的氮化矽基板、TEOS基板及多晶矽基板，使用研磨用組成物M(組成：氧化鈰，一次粒徑60nm，二次粒徑100nm)1質量%、濃度30質量%的馬來酸水溶液0.18質量%、聚丙烯酸(分子量：6,000)0.25質量%、溶劑：水)，分別以下述條件進行研磨。此處，氮化矽基板、TEOS基板及多晶矽基板是使用300mm晶圓。
(研磨裝置及研磨條件)
研磨裝置：荏原製作所公司製的FREX 300E
研磨墊：Fujibo股份有限公司製的軟墊H800
研磨壓力：2.0psi(1psi＝6894.76Pa，以下同樣)
研磨定盤轉速：90rpm
研磨頭轉速：90rpm
研磨用組成物的供給：放流
研磨用組成物供給量：200mL/分鐘
研磨時間：60秒鐘
[沖洗研磨處理步驟]
關於藉由上述CMP步驟研磨後之研磨過後的氮化矽基板、研磨過後的TEOS基板及研磨過後的多晶矽基板，將研磨過後的各基板由研磨定盤(platen)上拆下。接下來，在相同研磨裝置內，將該研磨過後的各基板安裝在另一個研磨定盤(platen)上，依照下述條件，使用上述調製的各表面處理組成物，對於各基板表面進行沖洗研磨處理。
(研磨裝置及研磨條件)
研磨裝置：荏原製作所公司製的FREX 300E
研磨墊：Fujibo股份有限公司製的軟墊H800
研磨壓力：1.0psi(1psi＝6894.76Pa，以下同樣)
研磨定盤轉速：60rpm
研磨頭轉速：60rpm
研磨用組成物的供給：放流
研磨用組成物供給量：300mL/分鐘
研磨時間：60秒鐘
(水洗步驟)
對於上述所得到的沖洗研磨處理過後的各基板，在沖洗研磨後，使用PVA刷子並澆上去離子水(DIW)於洗淨部洗淨60秒鐘。然後以離心乾燥機乾燥30秒鐘。
＜評估＞
對於上述所得到的水洗步驟後的各基板測定下述項目，進行評估。將評估結果揭示於表2。
[總雜質數的測定]
測定上述所得到的水洗步驟後的表面處理後的氮化矽基板(0.038μm以上)、TEOS基板(0.037μm以上)及多晶矽基板(0.057μm以上)的雜質數。雜質數的測定是使用KLA TENCOR公司製晶圓缺陷檢查裝置SP-5。測定是對於表面處理後的各基板表面由外周端部算起寬3mm的部分(將外周端部定為0mm時，寬0mm至寬3mm的部分)除外的其餘部分進行測定。
[有機物殘渣數的評估]
對於進行上述表面處理後的研磨過後的研磨對象物，使用日立製作所股份有限公司製Review SEM RS6000，藉由SEM觀察測定有機物殘渣的數目。首先，藉由SEM觀察，取樣100個存在於研磨過後的研磨對象物的一面由外周端部算起寬3mm的部分除外的其餘部分的雜質。接下來，從所取樣的100個雜質之中，藉由SEM觀察以目視來判別有機物殘渣，確認其個數，並且計算出雜質中的有機物殘渣的比例(%)。然後計算出在上述總雜質數的評估中使用KLA TENCOR公司製SP-5所測得的氮化矽基板(0.038μm以上)、TEOS基板(0.037μm以上)及多晶矽基板(0.057μm以上)的總雜質數(個)與由上述SEM觀察結果計算出的雜質中的有機物殘渣的比例(%)之積，定為有機物殘渣數(個)。
此外，雜質中的有機物殘渣的比例(%)，氮化矽(SiN)基板是定為10%，TEOS基板定為10%，多晶矽基板定為90%。另外，有機殘渣數減少的判斷基準，TEOS基板是將1500個以下，多晶矽基板是將5000個以下定為良好。
對於各表面處理組成物，在使用研磨過後的氮化矽基板作為表面處理對象物的情況、使用研磨過後的TEOS基板的情況及使用研磨過後的多晶矽基板的情況下的有機物殘渣進行評估，將結果揭示於下述表2。
由上述表1、表2明顯可知、實施例的表面處理組成物，與比較例的表面處理組成物相比，較能夠減少研磨過後的研磨對象物表面的有機物殘渣。
具體而言可知，含有聚-N-乙烯基乙醯胺的實施例1～22的表面處理組成物，與比較例1～7的表面處理組成物相比，較能夠減少研磨過後的TEOS基板表面的有機物殘渣。
另外可知，聚-N-乙烯基乙醯胺的重量平均分子量(Mw)為50,000以上900,000以下的實施例1～22的表面處理組成物，與比較例1～7相比，較能夠減少研磨過後的TEOS基板表面的有機殘渣與研磨過後的多晶矽基板表面的有機殘渣兩者。
另外還可知，含有甘油系水溶性高分子及離子性高分子的至少一者且pH為3.0以下的實施例1～11的表面處理組成物，與比較例1～7相比，較能夠減少研磨過後的TEOS基板表面的有機殘渣與研磨過後的氮化矽基板表面的有機殘渣兩者。
Claims (13)
- 一種表面處理組成物，其含有具有下述式(1)所表示的結構單元的聚合物及水，並且 其係為了處理研磨過後的研磨對象物的表面所使用的表面處理組成物，上述式(1)中，R1 為碳數1～5之烴基，R2 為氫原子或碳數1～3之烴基。
- 如請求項1的表面處理組成物，其中pH為5以下。
- 如請求項1或2之表面處理組成物，其中pH為3以下。
- 如請求項1～3中任一項之表面處理組成物，其中進一步含有具有來自甘油的結構單元的水溶性高分子。
- 如請求項1～4中任一項之表面處理組成物，其中進一步含有離子性分散劑。
- 如請求項5的表面處理組成物，其中前述離子性分散劑為具有磺酸(鹽)基的高分子化合物。
- 如請求項1～6中任一項之表面處理組成物，其中實質上不含研磨粒。
- 如請求項1～7中任一項之表面處理組成物，其中前述研磨過後的研磨對象物含有多晶矽。
- 如請求項1～8中任一項之表面處理組成物，其中前述聚合物的重量平均分子量為50,000以上900,000以下。
- 一種表面處理組成物的製造方法，其係包含將具有下述式(1)所表示的結構單元的聚合物與水混合的步驟之表面處理組成物的製造方法，並且上述式(1)中，R1 為碳數1～5之烴基，R2 為氫原子或碳數1～3之烴基。
- 一種表面處理方法，其係使用如請求項1～9中任一項之表面處理組成物將研磨過後的研磨對象物進行表面處理，以減少在前述研磨過後的研磨對象物的表面的有機物殘渣。
- 如請求項11之表面處理方法，其中前述表面處理包含沖洗研磨或洗淨。
- 一種半導體基板之製造方法，其係包含藉由如請求項11或12之表面處理方法來減少在研磨過後的研磨對象物的表面的有機物殘渣之表面處理步驟， 前述研磨過後的研磨對象物為研磨過後的半導體基板。
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