TW202112183A - 用於雷射引發電漿光源之液滴產生 - Google Patents

用於雷射引發電漿光源之液滴產生 Download PDF

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Abstract

本發明係關於一種裝置，該裝置具有：一噴嘴，其用於施配一液體目標材料；一或多個中間室，每一中間室經定位以接收目標材料且形成有一出口孔隙以輸出目標材料以供在一雷射引發電漿(LPP)室中進行下游輻照。在某些所揭示實施例中，包含控制系統以用於控制一裝置之中間室中之一者、某些或所有中間室中之氣體溫度、氣體壓力及氣體組成物中之一或多者。在一項實施例中，揭示具有一可調整長度之一中間室。

Description

用於雷射引發電漿光源之液滴產生
本發明一般而言係關於用於產生處於極紫外線(EUV)範圍內之光(亦即，具有處於10 nm至124 nm之範圍內之一波長且包含具有13.5 nm之一波長之光的光)之基於電漿之光源。本文中所闡述之某些實施例係尤其適合於在計量及/或遮罩檢驗活動(例如，光化遮罩檢驗且包含空白或經圖案化遮罩檢驗)中使用之高亮度光源。更一般而言，本文中所闡述之基於電漿之光源亦可用作(直接地或在適當修改之情況下)用於使晶片圖案化之所謂的高體積製造(HVM)光源。
基於電漿之光源(諸如雷射引發電漿(LPP)源)通常用於產生用於諸如缺陷檢驗、光微影或計量之應用之極紫外線(EUV)光。概括而言，在此等電漿光源中，由電漿發射具有所要波長之光，該電漿係由具有一適當線發射或頻帶發射元素(諸如氙、錫、鋰或其他元素)形成之一目標材料形成。舉例而言，在一LPP源中，由一激發源(諸如一雷射射束)輻照一目標材料以產生電漿。 針對此等源，通常經由一反射性光學器件(諸如一收集器光學器件(例如，一近法向入射或掠入射鏡))來收集自電漿發出之光。收集器光學器件沿著一光路徑將經收集光引導(且在某些情形中，聚焦)至一中間位置，其中光接著由一下游工具(諸如一微影工具(亦即，步進器/掃描器)、一計量工具或一遮罩/薄膜檢驗工具)使用。 在某些應用中，呈一噴射流或液滴(亦即，液體液滴或冷凍丸粒)之形式之氙在用作一目標材料時可提供特定優點。舉例而言，由一1 μm驅動雷射輻照之一氙目標材料可用於產生一相對亮EUV光源，該光源尤其適合於在一計量工具或一遮罩/薄膜檢驗工具中使用。 氙及其他低溫氣體在特殊壓力及溫度條件下形成液體液滴及固體丸粒。在一個配置中，氙可經加壓且經冷卻使得其液化。然後，液體氙自一噴嘴發射為一噴射流且隨後液滴由衰減之噴射流形成。液滴(例如，液體液滴或冷凍丸粒液滴)然後行進至一真空環境中之一位點，其中液滴由一雷射射束輻照以產生一EUV發射電漿。當噴射流/液滴行進時，氙蒸發從而形成氙氣，氙氣可強烈地吸收EUV光，從而導致EUV傳輸中之顯著損失。舉例而言，其中目標材料經輻照之LPP室中之環境一般經保持至小於約40 mTorr之一總壓力及小於約5 mTorr之一氙分壓以便允許EUV光在不被吸收之情況下傳播。就更定量的方式而言，13.5 nm EUV光在室溫下穿過1 Torr×cm (壓力×距離)之氙氣之光傳輸率僅係約44％。 液滴定位穩定性係在設計一LPP系統時通常考慮之另一因素。具體而言，為達成良好轉換效率，期望液滴準確地到達輻照位置以確保目標材料液滴與經聚焦雷射射束之間的一良好耦合。就此而言，目標材料自噴嘴至輻照位點所經歷之環境可影響定位穩定性。影響定位穩定性之因素可包含路徑長度、沿著路徑之條件(諸如溫度及壓力) (其可影響蒸發速率)及沿著路徑之任何氣體流。 因此，期望形成改正先前技術之缺點的用於一雷射引發電漿光源之一液滴產生器。
在一第一態樣中，揭示一種裝置，其具有：一噴嘴，其用於施配一液體目標材料；一中間室，其經定位以接收目標材料，該中間室形成有一出口孔隙以輸出目標材料以供在一LPP室中進行下游輻照；及一系統，其用於藉由將一經量測氣體流引入至該中間室中而控制該中間室中之氣體組成物。 針對此態樣，該裝置可係一單中間室裝置或一多中間室裝置(亦即，具有兩個或兩個以上中間室)。 在此態樣之一項實施例中，一中間室具有自一第一端延伸至一第二端之一通道，其中該出口孔隙處於該第二端。 在一特定實施例中，一中間室具有自一第一端延伸至一第二端之一通道，其中該出口孔隙處於該第二端，且自該第一端至該第二端之一通道長度處於20 μm至500 μm之範圍內。在一項特定實施例中，一中間室具有自該通道之該第一端處延伸之一內部表面，該內部表面具有選自由以下各項組成之形狀群組之一形狀：截頭圓錐形、凹形、凸形、平坦及逐步漸縮。在某些實施方案中，該通道可具有一特定輪廓，舉例而言，至少針對通道之某一區段係一拉瓦爾(Lavelle)噴嘴輪廓。 在一項實施例中，一中間室之該出口孔隙可具有處於100 μm至1000 μm之範圍內之一直徑。 在一特定實施例中，一中間室具有自一第一端延伸至一第二端之一通道，其中該出口孔隙處於該第二端，該通道界定一軸且該中間室具有一凹形內部表面，該凹形內部表面自該通道之該第一端處延伸至定位於距該出口孔隙達2 mm至10 mm之範圍內的一軸向距離處之一邊緣。 在一項實施例中，一中間室具有自一第一端延伸至一第二端之一通道，其中該出口孔隙處於該第二端，該通道界定一軸且該中間室具有一凹形內部表面，該凹形內部表面自該通道之該第一端處延伸以在該內部表面與該軸之間建立大於60度之一角度。 在此態樣之一項實施方案中，該液體目標材料係氙(或包含氙)，且用於藉由將一經量測氣體流引入至該中間室中而控制該中間室中之氣體組成物之該系統將除氙之外的一氣體引入至該中間室中。舉例而言，可藉由用於控制氣體組成物之該系統引入具有高於該目標材料氣體(例如，氙氣)之一EUV傳輸率之一氣體(諸如氫、氦、HBr、氬、氮或其之組合)。 針對此態樣，該裝置亦可包含用於控制一或多個中間室中之氣體溫度之一系統，該系統具有一或多個溫度控制元件。舉例而言，一溫度控制元件可係安置於一中間室內之一(或若干)鰭片；定位於一中間室外側之一(或若干)鰭片；一帕耳帖(Peltier)冷卻元件；形成有一內部流體通路之一板，該內部流體通路用於使一熱轉移流體通過該板；或一絕緣板。 在一項實施例中，該裝置可包含一電動膜片以建立一中間室之該出口孔隙。 在此態樣之一個配置中，一第二中間室經定位以自一第一中間室出口孔隙接收目標材料且形成有一出口孔隙以輸出目標材料以供在該LPP室中進行下游輻照，且該裝置包含用於藉由將一經量測氣體流引入至該第一中間室中而控制該第一中間室中之氣體組成物之一系統及用於藉由將一經量測氣體流引入至該第二中間室中而控制該第二中間室中之氣體組成物之系統。在此配置下，一實施例可包含一氙液體目標材料，且用於控制該第一中間室中之氣體組成物之該系統可將氙分壓控制成一氙分壓pXe1 ，且用於控制該第二中間室中之氣體組成物之該系統可將氙分壓控制成一氙分壓pXe2 ，其中pXe1 ＞ pXe2 。 在另一態樣中，揭示一種裝置，該裝置包含：一噴嘴，其用於施配一液體目標材料；一第一中間室，其經定位以接收目標材料，該第一中間室形成有一出口孔隙以輸出目標材料以供在一雷射引發電漿(LPP)室中進行下游輻照；及一第二中間室，其經定位以接收目標材料，該第二中間室形成有一出口孔隙以輸出目標材料以供在該LPP室中進行下游輻照。 在此態樣之一項實施例中，該裝置包含經定位以接收目標材料之一第三中間室，該第三中間室形成有一出口孔隙以輸出目標材料以供在該LPP室中進行下游輻照。在一特定實施例中，該第二中間室自該第一中間室出口孔隙接收目標材料，該第三中間室自該第二中間室出口孔隙接收目標材料，且該第一中間室出口孔隙具有一直徑d1 ，該第二中間室出口孔隙具有一直徑d2 ，且該第三中間室出口孔隙具有一直徑d3 ，其中d1 ＞ d2 ＞ d3 ，以建立一空氣動力透鏡。 在此態樣之一項特定實施例中，該第二中間室自該第一中間室出口孔隙接收目標材料，且該裝置進一步包括用於將該第一中間室中之氣體壓力控制於一壓力p1 下之一系統，及用於將該第二中間室中之氣體壓力控制於一壓力p2 下之一系統，其中p1 ＞ p2 。舉例而言，用於控制該第一中間室中之氣體壓力之該系統可包含用於將一經量測氣體流引入至該第一中間室中之一子系統及用於自該第一中間室泵送一經量測氣體流之一子系統。 在此態樣之一實施例中，該第二中間室自該第一中間室出口孔隙接收目標材料，且該裝置包含用於將該第一中間室中之氣體溫度控制於一溫度t1 下之一系統，及用於將該第二中間室中之氣體溫度控制於一溫度t2 下之一系統，其中t1 ＞ t2 。 在此態樣之一實施例中，用於控制一中間室中之氣體溫度之該系統包括選自由以下各項組成之溫度控制元件群組之一溫度控制元件：安置於一中間室內之一鰭片；定位於一中間室外側之一鰭片；一帕耳帖冷卻元件；形成有一內部流體通路之一板，該內部流體通路用於使一熱轉移流體通過該板；及一絕緣板。 在另一態樣中，揭示一種裝置，其包含：一噴嘴，其用於施配一液體目標材料以供在一雷射引發電漿(LPP)室中由一驅動雷射進行輻照；及一總成，其建立一中間室，該中間室經定位以在一室輸入位置處接收目標材料，該中間室形成有一出口孔隙以輸出目標材料以供在一雷射引發電漿室中進行下游輻照，該中間室在該輸入位置與該出口孔隙之間界定一長度L，且其中該總成具有用於在該中間室維持於一經加壓狀態中時調整該室之該長度L之一子系統。 針對此態樣，該裝置可係一單中間室裝置或一多中間室裝置(亦即，具有兩個或兩個以上中間室)。 在該態樣之一項實施例中，該總成包含：一第一組件，其具有具內直徑D1 之一圓柱形壁；及一第二組件，其具有具外直徑D2 之一圓柱形壁，其中D1 ＞ D2 ；及一密封件，其定位於該第一組件圓柱形壁與該第二組件圓柱形壁之間。在一特定實施方案中，該第一圓柱形壁界定一軸且該總成進一步包含一馬達，該馬達經配置以使該等第一及第二組件中之一者軸向移動以使該長度L變化。 在該態樣之另一實施例中，該總成包含具有一第一端及一第二端之一波紋管，及經配置以使該第一端相對於該第二端移動以使該長度L變化之一馬達。 在某些實施例中，如本文中所闡述之一裝置可併入至一檢驗系統(諸如一空白或經圖案化遮罩檢驗系統)中。在一實施例中，舉例而言，一檢驗系統可包含：一光源，其將輻射遞送至一中間位置；一光學系統，其經組態以用該輻射照射一樣本；及一偵測器，其經組態以沿著一成像路徑而接收由該樣本反射、散射或輻射之照射。該檢驗系統亦可包含與該偵測器連通之一運算系統，該運算系統經組態以基於與該所偵測照射相關聯之一信號來定位或量測該樣本之至少一個缺陷。 在某些實施例中，如本文中所闡述之一裝置可併入至一微影系統中。舉例而言，該光源可用於一微影系統中以用一經圖案化輻射射束來使一經光阻劑塗佈晶圓曝光。在一實施例中，舉例而言，一微影系統可包含：一光源，其將輻射遞送至一中間位置；一光學系統，其接收輻射且建立一經圖案化輻射射束；及一光學系統，其用於將該經圖案化射束遞送至一經光阻劑塗佈晶圓。 應理解，前述大體說明及以下詳細說明兩者僅係例示性及解釋性且不必限制所請求之本發明。併入本說明書中並構成本說明書之一部分之附圖圖解說明本發明之實施例，並與該大體說明一起用於闡釋本發明之原理。
相關申請案之交叉參考 本申請案涉及且主張來自以下所列舉申請案(「相關申請案」)之最早可用有效申請日期之權益(例如，主張除臨時專利申請案之外的最早可用優先權日期或依據35 USC § 119(e)主張臨時專利申請案、相關申請案之任一及所有母案、前代母案、前二代母案等之權益)。相關申請案 ： 出於USPTO額外法定要求之目的，本申請案構成申請案序列號為62/253,631 在2015 年 11 月 10 日 提出申請、指定Brian Ahr 、 Alexander Bykanov 、 Rudy Garcia 、 Layton Hale 及Oleg Khodykin 為發明人之標題為DROPLET GENERATION FOR A LASER PRODUCED PLASMA LIGHT SOURCE 之美國臨時專利申請案之一正式(非臨時)專利申請案，該專利申請案以其全文引用方式併入本文中。 現在將更詳細地參考在附圖中圖解說明之所揭示之標的物。在一開始，應瞭解不同圖式視圖上之相似圖式編號識別本發明之相同或功能上類似之結構元件。應理解，所請求之本發明並不限於所揭示態樣。此外，應理解，本發明並不限於所闡述之特定方法、材料及修改且因此當然可發生變化。亦應理解，本文中所使用之術語係僅出於闡述特定態樣之目的且並不意欲限制本發明之範疇。 圖1展示用於產生EUV光之一光源(總體上標示為100)及一液滴產生器102之一實施例。舉例而言，光源100可經組態以產生帶內EUV光(例如，具有2％頻寬的具有13.5 nm之一波長之光)。如所展示，光源100包含一激發源104 (諸如一驅動雷射)，該激發源經組態以在一輻照位點108處輻照一目標材料106以在一雷射引發電漿室110中產生一EUV光發射電漿。在某些情形中，目標材料106可藉由一第一脈衝(預脈衝)後續接著一第二脈衝(主脈衝)輻照以產生電漿。作為一實例，對於針對光化遮罩檢驗活動組態之一光源100而言，由具有一固態增益介質(諸如輸出處於大約1 μm之光之Nd:YAG)之一脈衝驅動雷射及包含氙之一目標材料106組成之一激發源104可在產生用於光化遮罩檢驗之一相對高亮度EUV光源時呈現特定優點。具有諸如Er:YAG、Yb:YAG、Ti:藍寶石或Nd:釩酸鹽之一固態增益介質之其他驅動雷射亦可係適合的。若包含準分子雷射之氣體放電雷射提供處於所要波長之充足輸出，則亦可使用該等雷射。一EUV遮罩檢驗系統可僅需要處於約10W之範圍內之EUV光，但需要在一小區域中具有高亮度。在此情形中，為產生用於一遮罩檢驗系統之具有充足功率及亮度之EUV光，處於幾千瓦之範圍內之總雷射輸出可係適合的，該輸出經聚焦至通常直徑小於約100 μm之一小目標點上。另一方面，針對諸如光微影之高體積製造(HVM)活動，由一驅動雷射(其具有擁有多個放大級之一高功率氣體放電CO2 雷射系統且輸出處於大約10.6 μm之光)及包含錫之一目標材料106組成之一激發源104可呈現特定優點，該等優點包含以良好轉換效率產生具有相對高功率之帶內EUV光。 繼續參考圖1，對於光源100而言，激發源104可經組態以用透過一雷射輸入窗112遞送之一經聚焦照射射束或一列光脈衝在一輻照位點108處輻照目標材料106。如進一步所展示，自輻照位點108發射之某些光行進至一收集器光學器件114 (例如，近法向入射鏡)，在收集器光學器件114處光(藉由極射線116a及116b所界定)經反射至一中間位置118。收集器光學器件114可係具有兩個焦點的一長球面之一區段，該區段具有塗佈有針對帶內EUV反射最佳化之一多層鏡(例如，Mo/Si或NbC/Si)之一高品質經拋光表面。在某些實施例中，收集器光學器件114之反射性表面具有處於大約100 cm2 及10,000 cm2 之範圍內之一表面積且可經安置為距輻照位點108大約0.1米至2米。熟習此項技術者將瞭解，前述範圍係例示性的且可替代或除長球面鏡之外使用各種光學器件以用於收集光且將光引導至一中間位置118以供隨後遞送至利用EUV照射之一裝置(諸如一檢驗系統或一光微影系統)。 對於光源100而言，LPP室110係一低壓容器，其中充當EUV光源之電漿經形成且所得EUV光經收集並經聚焦。EUV光被氣體強烈吸收，因此，減小LPP室110內之壓力減小光源內之EUV光之衰減。通常，LPP室110內之一環境經維持於小於40 mTorr (例如，針對氬緩衝氣體)或針對H2 或氦緩衝氣體更高之一總壓力，以及小於5 mTorr之一氙分壓以允許EUV光在不實質上被吸收之情況下傳播。可在真空室內使用諸如氫、氦、氬或其他惰性氣體之一緩衝氣體。 液滴產生器102經配置而以使得一液滴將在來自激發源104之一經聚焦光脈衝到達輻照位點的同時與輻照位點108相交之一方式將目標材料106之液滴遞送至LPP室110中。如本文中所使用，就「液滴」而言，其通常意指將藉由自一雷射發射之輻射而作用且藉此轉換成電漿之一小量材料。一「液滴」可以氣體、液體或固體相位存在。就「丸粒」而言，其通常意指呈一固體相位之一液滴，諸如藉由在移動至一真空室中之後旋即冷凍。作為一實例，目標材料106可包括液體或固體氙液滴，但目標材料106可包括適合於轉換成電漿之其他材料，諸如其他氣體錫或鋰。可藉由控制系統120控制對液滴產生器102進行之液滴方向及時序調整。在某些情形中，可將一電荷放置於液滴上且可施加一或多個電場或磁場以使液滴偏轉/穩定化(未展示)。 如在圖1中進一步所展示，中間位置118處之EUV射束可經投射至內部聚焦模組122中，該內部聚焦模組可充當一動態氣鎖以保持LPP室110內之低壓環境，且保護使用所得EUV光之系統免受藉由電漿形成程序產生之任何碎屑之影響。 光源100亦可包含與控制系統120連通之一氣體供應系統124，該氣體供應系統可將目標材料及其他氣體(參見下文)提供至液滴產生器102且可控制保護性緩衝氣體至LPP室110中(例如，經由端口126)之射入且可供應緩衝氣體以保護內部聚焦模組122之動態氣鎖功能。與控制系統120連通之一真空系統128 (例如，具有一或多個泵)可經提供以建立並維持LPP室110之低壓環境(例如，經由端口130)且在某些情形中提供用於液滴產生器102之泵送(參見下文之論述)。在某些情形中，由真空系統128回收之目標材料及/或緩衝氣體可經再循環。 繼續參考圖1，可見，光源100可包含一目標材料感測器132以量測液滴位置及/或時序。此資料然後可用於調整液滴方向及/或調整液滴產生器102及/或激發源104之時序以使液滴產生器102與激發源104同步。此外，一診斷工具134可經提供用於使EUV電漿成像且一EUV功率計136可經提供以量測EUV光功率輸出。一氣體監測感測器138可經提供以量測LPP室110內之氣體之溫度及壓力。所有前述感測器皆可與控制系統120連通，此可控制即時資料獲取及分析、資料記錄及對各種EUV光源子系統(包含激發源104及液滴產生器102)之即時控制。 圖2展示供在圖1中所展示之光源100中所使用之一液滴產生器102之一實例。如所展示，液滴產生器102可包含具有一噴嘴142之一噴射流產生器140，該噴嘴將一液體目標材料施配為一噴射流144，該噴射流隨後在一中間室148內分解成液滴146。下文參考圖4而提供關於噴射流產生器140之更多細節。亦在圖2中所展示，中間室148可形成有一出口孔隙150以輸出目標材料以供在一LPP室110中進行下游輻照。圖2亦展示一環境控制系統152可經提供用於控制中間室148中之氣體組成物、氣體溫度及氣體壓力中之一或多者。管線154、156圖解說明噴射流產生器140及環境控制系統152可與控制系統120 (參見圖1)連通。 圖3展示供在圖1中所展示之光源100中所使用之一液滴產生器102a之一實例，該液滴產生器具有沿著目標材料路徑連續定位之多個中間室148a、148b。如所展示，液滴產生器102a可包含具有一噴嘴142之一噴射流產生器140，該噴嘴將一液體目標材料施配為一噴射流144，該噴射流隨後在一中間室148a、148b內分解成液滴146。亦在圖3中所展示，每一中間室148a、148b可形成有一各別出口孔隙150a、150b以輸出目標材料以供在一LPP室110中進行下游輻照。圖3亦展示環境控制系統152a、152b可經提供用於控制每一各別中間室148a、148b中之氣體組成物、氣體溫度及氣體壓力中之一或多者。管線154、156a及156b圖解說明噴射流產生器140及環境控制系統152a、152b可與控制系統120 (參見圖1)連通。儘管圖3之液滴產生器102a經展示具有兩個中間室148a、148b，但應瞭解本文中所闡述之液滴產生器可包含兩個以上(例如，三個、四個、五個或更多)中間室及少至一個中間室(如圖2中所展示)。 具有多個中間室148a、148b之一液滴產生器102a之使用在某些情形中可係有利的。舉例而言，在某些配置中，一單室設計中之條件可不能同時針對噴射流、液滴形成及至LPP室110中之發射而最佳化。舉例而言，液滴形成可需要高於在LPP室110之前的最後一中間室中所允許之一壓力；一較高壓力將產生高流量或需要一較小孔隙來限制彼流量。較高流量可導致LPP室110中之增加之目標材料(氙)壓力從而減小光傳輸，且亦可由於氙之高成本而係昂貴的。就對準而言，僅使用一較小出口孔隙可並非始終可行的。在某些情形中，使用多個中間室可改良真空中之液滴之穩定性。藉由減小自中間室至中間室且至EUV室中之總體氣體流(Xe加其他氣體)，液滴可在其進入下一(些)室時係較少微擾的。室之數目可經選擇，使得壓力降在室之間產生減少(且在某些情形中消除)液滴微擾之氣體流。 圖4展示供在圖1中所展示之光源100中所使用之一液滴產生器102b之另一實例。如所展示，液滴產生器102b可包含具有一噴嘴142之一噴射流產生器140，該噴嘴將一液體目標材料施配為一噴射流144，該噴射流隨後在一中間室148c內分解成液滴146。如所展示，噴射流產生器140包含一目標材料源158，該目標材料源透過形成為一伸長管(例如，毛細管)之一噴嘴142而饋送液體目標材料之一恆定供應。一壓電致動器160經定位以環繞管且調變目標材料穿過噴嘴尖端162之流動速度。此調變可控制地影響噴射流144分解成液滴146。可使用相關技術中已知之任何調變波形來驅動壓電致動器160。舉例而言，可使用經設計以產生合併液滴之一驅動波形。 亦在圖4中所展示，中間室148c可形成有一出口孔隙150c以輸出目標材料以供在一LPP室中進行下游輻照。如所展示，一截頭圓錐形殼164可定位於中間室148c之遠端(亦即，下游)處。對截頭圓錐形殼164之一更完整闡述提供於由Bykanov等人在2014年2月13日提出申請之標題為「EUV Light Source Using Cryogenic Droplet Targets in Mask Inspection」之美國專利申請案第14/180,107號中，該美國專利申請案之完整內容特此以引用方式併入本文中。然而，一截頭圓錐形殼可並非始終係用以終止每一中間室之最佳形狀，此乃因可期望使自一個中間室至另一室之氣體流係層狀的且足夠低以在後續室中維持恰當壓力。 圖5至圖7展示一中間室148d之一遠端(亦即，下游)部分，該遠端部分具有自一第一端166延伸至一第二端168之一通道164，其中中間室148d之出口孔隙150d處於通道164之第二端168。如所展示，中間室148d具有自通道164之第一端166處延伸之一凹形內部表面170。針對所展示之配置，中間室148d通常具有自第一端166至第二端168的處於約20 μm至500 μm之範圍內之一通道長度L，處於100 μm至1000 μm之範圍內之一出口孔隙直徑D。此外，針對所展示之配置，凹形內部表面170通常自通道164之第一端166處延伸至定位於距出口孔隙150d一軸向距離d (其處於約2 mm至10 mm之範圍內)處之一邊緣172，且在內部表面170與通道軸174之間包括大於約60度之一角度α。 如在圖5中所展示，建立出口孔隙150d及內表面170之組件可係一板或板總成(有時稱為一所謂的「分液器(skimmer)」)，其與中間室148d之一壁密封地嚙合(例如，藉由一O形環)。板之定位可係可調整的(亦即，手動或藉由一或多個致動器)以調整通道164之傾斜度(例如，相對於一液滴軸)或在正交於液滴軸之一平面中移動通道(例如，出於對準目的)。關於此調整之更多細節可存在於由Bykanov等人在2014年2月13日提出申請之標題為「EUV Light Source Using Cryogenic Droplet Targets in Mask Inspection」之美國專利申請案第14/180,107號中，該美國專利申請案之完整內容先前在上文以引用方式併入。 圖5圖解說明在一凹形輪廓下具有最小厚度之一經簡化分液器設計。具體而言，用於液滴傳播之通道164經最小化，使得通道164內之任何擾動被減少或被消除。上文所提供之尺寸經選擇以使至後續室中之流之量及出口孔隙150d周圍之壓力梯度最佳化。中間室可以一分液器特徵終止，該分液器特徵允許噴射流或液滴自中等壓力傳遞至低壓(用於EUV產生所需要)同時限制氣體流並使氣體流塑形、使每一室之環境與後續室分離且維持液滴之穩定性。 圖8至圖11分別展示中間室148e (圖8)、148f (圖9)、148g、148h (圖10)、148i、148j、148k (圖11)之遠端(亦即，下游)部分，其圖解說明具有不同內部表面形狀之數項實施例。更具體而言，在圖8中所展示之中間室148e具有一凸形內部表面170e，該凸形內部表面自由一恆定厚度薄片176形成之通道164e延伸。在圖9中所展示之中間室148f具有自通道164f延伸之一平滑、逐步漸縮內部表面170f。此形狀(有時稱為一所謂的「水閘設計」)可減少自中間室148f傳遞至一後續室(諸如LPP室110)中之氣體中之紊流。此設計意欲在氣體進入並離開通道164f時形成周圍氣體之一層狀流。在某些情形中，通道164f內之壓力梯度可藉由使長度、直徑以及進口及出口壓力變化而調諧以誘發對液滴之一自定中心效應。在圖10中所展示之中間室148g及148h具有自各別通道164g及164h (其由漸縮薄片176g及176h形成)延伸之凸形內部表面170g及170h。在圖11中所展示之中間室148i、148j及148k (亦參見圖12至圖14)具有自各別通道164i、164j及164k延伸之平坦、平面內部表面170i、170j及170k。圖8至圖11展示具有圓柱形通道之中間室。可使用具有其他形狀之通道。關於各種通道形狀及其對通過通道之液滴及氣體之更多細節可存在於由Bykanov等人在2014年2月13日提出申請之標題為「EUV Light Source Using Cryogenic Droplet Targets in Mask Inspection」之美國專利申請案第14/180,107號中，其完整內容先前在上文以引用方式併入。此外，可採用相對於其所終止之中間室而延伸進、延伸出或此兩種情況之分液器模組。 圖11、圖12A、圖12B及圖12C圖解說明使用多個中間室148i、148j、148k來建立一空氣動力透鏡以朝向一輻照位點108 (參見圖1)引導液滴。具體而言，一系列出口孔隙150i、150j、150k可經構造以便形成一空氣動力透鏡，該空氣動力透鏡將液滴主動地聚焦於每一室內。為建立一空氣動力透鏡，如所展示，中間室之出口孔隙沿噴嘴142之下游之一方向減小。更具體而言，出口孔隙150i具有一直徑d1 ，出口孔隙150j具有一直徑d2 ，且出口孔隙150k具有一直徑d3 ，其中d1 ＞ d2 ＞ d3 。圖11展示一窗173可提供於每一對出口孔隙之間以用於對準及診斷目的，藉此一相機(未展示)可在明場照射中或作為一X射線照片(shadowgram)觀察液滴。 應瞭解，一液滴產生器可使用不同類型之分液器(亦即，一個可係凸形，另一可係凹形)。此外，通道尺寸及/或內部表面尺寸可自一個中間室至下一中間室而變化。 圖13及圖14圖解說明具有一出口孔隙1501 之一中間室1481 ，該出口孔隙形成有具有一膜片總成175及馬達177之一電動膜片總成，該馬達可(舉例而言)與控制系統120 (參見圖1)連通。在此配置下，出口孔隙1501 之有效直徑可以可調整方式控制。此配置可用於建立一空氣動力透鏡(參見圖11)之出口孔隙且在某些情形中可用於主動地維持液滴穩定性。在此配置下，除經調整以提供最佳壓力條件及沿著液滴路徑之流量之外，出口孔隙直徑亦可出於對準目的而擴大。 返回參考圖2，可見，具有一單個中間室148之液滴產生器102可包含一環境控制系統152以用於控制中間室148中之氣體組成物、氣體溫度及氣體壓力中之一或多者。另外，圖3展示具有多個中間室148a、148b之液滴產生器102a可包含環境控制系統152a、152b以用於控制每一各別中間室148a、148b中之氣體組成物、氣體溫度及氣體壓力中之一或多者。 圖15圖解說明用於控制一中間室148m之氣體溫度之一環境控制系統，該環境控制系統具有與中間室148m接觸定位之一板178。如所展示，板178可形成有用於使一熱轉移流體通過板178之一內部流體通路180，該內部流體通路具有一進口182及出口184。板178可與中間室148m之一壁186接觸地放置，該壁可(舉例而言)由諸如金屬之一導熱材料製成。一熱交換流體可通過板178以(舉例而言)在控制系統120 (參見圖1)之控制下加熱或冷卻中間室148m內之氣體。另一選擇係，溫度控制板可形成中間室之一部分(亦即，用於傳遞一熱交換流體之一通路可形成於建立中間室之壁或結構中之一者中)。 目標材料周圍之氣體之溫度之控制結合壓力控制(參見下文)可用於控制目標材料之蒸發之速率。可藉由控制周圍室材料、經插入熱元件之溫度或藉由控制經射入氣體之溫度而調整該溫度。圖15展示在一液滴室之端板內之熱管理通道，該液滴室可經保持於相同或不同溫度下。一程序流體(舉例而言，一冷卻劑)可經泵送通過該等通道以達成所要溫度。一熱耦合或類似裝置可用於監測板及其他組件之實際溫度。帕耳帖元件可經添加至冷卻通道或替換冷卻通道來管理溫度。帕耳帖元件可用於視需要施加或移除熱，尤其在其中通道可係不可能之區域中。液滴周圍之氣體之溫度可經設定以使目標材料之蒸發速率最小化或藉由在約160K與300K之間的範圍內變化而視需要使氣體加速。毗鄰室可藉由控制該等室之間的氣體流之量並且在系統中具有絕緣障壁而保持於不同溫度下。 返回參考圖4，可見，用於控制一中間室148c之氣體溫度之一環境控制系統可包含定位於中間室148c外側之一或多個鰭片188。舉例而言，鰭片188可與中間室148c (諸如一壁186c或中間室148c之某一其他部分，其可(舉例而言)由諸如金屬之一導熱材料製成)接觸定位。另一選擇係，一或多個鰭片可定位於一中間室內以控制氣體溫度。此等鰭片可經由經泵送流體、帕耳帖元件或其他類似裝置加熱或冷卻。 圖16圖解說明用於控制中間室148n及148p之氣體溫度之環境控制系統，該等環境控制系統具有與中間室148n接觸定位之一板178n。板178n可形成有一內部流體通路，該內部流體通路具有用於使一熱轉移流體通過板178n之一進口182n及出口184n。此外，一板178p與中間室148p接觸定位。板178p可形成有一內部流體通路，該內部流體通路具有用於使一熱轉移流體通過板178p之一進口182p及出口184p。圖16進一步展示板178n及中間室148n可藉由一絕緣板190而與板178p及中間室148p熱隔離，從而允許對中間室148n、148p中之每一者中之氣體溫度之獨立控制。 圖17圖解說明用於控制中間室148q及148r之氣體溫度之環境控制系統，該等環境控制系統具有可附接至中間室148q之壁之一溫度控制蛤殼192q及可附接至中間室148r之壁之一溫度控制蛤殼192r。圖17進一步展示溫度控制蛤殼192q及中間室148q可藉由一絕緣板194 (例如，由一熱絕緣材料製成)而與溫度控制蛤殼192r及中間室148r熱隔離，該絕緣板亦形成中間室148q之內部表面170q及出口孔隙150q，從而允許對中間室148q、148r中之每一者中之氣體溫度之獨立控制。圖17亦圖解說明一帕耳帖冷卻元件196可附接至中間室148r (或定位於中間室148r內)以控制氣體溫度。 圖18至圖20圖解說明用於控制一中間室148t內之氣體壓力及/或氣體組成物之一環境控制系統。如所展示，環境控制系統包含用於將一經量測氣體流引入至中間室148t中之一氣體供應系統124及用於自中間室148t移除一經量測氣體流之一真空系統128。如上文參考圖1所指示，氣體供應系統124及真空系統128兩者與控制系統120連通。圖19圖解說明來自氣體供應系統124之經量測氣體流可透過經對稱定位端口198a至198d (亦即，端口198a至198d可圍繞液滴軸200相等地間隔開)而引入。類似地，圖20圖解說明由真空系統128移除之經量測氣體流可透過經對稱定位端口202a至202d (亦即，端口202a至202d可圍繞液滴軸200相等地間隔開)而移除。 如在圖18中所展示，至中間室148t之氣體輸入包含來自氣體供應系統124之流(藉由箭頭204表示)及透過出口孔隙150s而來自中間室148s之流(藉由箭頭206a、206b表示)。 來自中間室148t之氣體輸出包含至真空系統128之流(藉由箭頭208表示)及透過出口孔隙150t而至中間室148u之流(藉由箭頭210a、210b表示)。 在一項實施方案中，可量測來自氣體供應系統124之流率及流組成物以及至真空系統128之流率且可計算穿過出口孔隙150s及出口孔隙150t之流量。然後可使用此等資料來調整氣體供應系統124流率及真空系統128流率以控制中間室148t內之氣體壓力及/或氣體組成物。 每一中間室148s、148t可具有其自身壓力、溫度及氣體組成物控制。此等參數可經最佳化以藉由控制(特定而言)目標材料之蒸發速率及每一室之間的氣體流而改良每一中間室內之系統之穩定性。噴射流區域中之壓力可經保持於約75托與750托之間。至後續室中之壓力降可係大約兩倍或更少以使氣體膨脹係次音速的且使氣體流係層狀的，其中系統可對一大壓力梯度敏感(諸如至LPP室中之最後進入)。在沿著目標路徑的較不敏感之位置處，壓力降可係較高的。藉由控制每一室內之氣體之射入及泵送速率而調整每一室內之壓力。舉例而言，氣體可在一室之近端處對稱地射入且隨後伴隨液體或固體之任何蒸發而在每一室之遠端處對稱地泵送。不同氣體(諸如氙、氬、氦或氫)亦可以變化之濃度射入至每一室中。因此每一氣體之流量(通常介於5 sccm與1000 sccm之間)控制室內之其濃度。所有氣體之總流量亦可以均質或異質組成而介於5 sccm與1000 sccm之間。一多室液滴遞送系統可允許對沿著噴射流及液滴路徑之各種關鍵位置處之溫度、壓力及氣體組成物之恰當最佳化。可經由氣體之圓柱對稱泵送或引入(包含穿過每一室中之任何近端或遠端出口孔隙之流量)而控制每一區段內之壓力。亦可個別地控制每一區段之溫度。另外，每一區段可具有一不同氣體組成物，從而以類似於控制壓力之方式來控制濃度。控制此等條件可允許使以下其他性質最佳化：噴射流形成及穩定性、液滴形成及初始穩定性以及至LPP室中之液滴穩定性之主動或被動維持。 緊接噴射流產生器之下游之中間室中之壓力及溫度可經保持於目標材料之三相點處或三相點附近。作為一實例，氙之三相點係大約161.4度K及612托。然而，在某些情形中，可藉由將緊接噴射流產生器之下游之中間室中之氣體溫度及氣體壓力維持於並不在目標材料之三相點處或三相點附近之一壓力/溫度而獲得較高液滴穩定性。緊接噴射流產生器之下游之中間室之長度可經選擇，使得其恰好係足夠長以用於液滴形成，該長度通常小於約1 cm。 另外，如上文所指示，每一分液器之幾何形狀之最佳化可在噴射流及液滴自一個室傳遞至下一室時使噴射流及液滴之擾動最小化。該等分液器可經預對準或具有一致動器以使其對準至液滴流。在某些情形中，僅透過分液器之出口孔隙移除氣體可降低液滴穩定性，且亦增加對在LPP室中泵送之需求或需要可自EUV光源獲得之光之量之一減少。 圖21展示用於建立一中間室148v且在中間室148v維持於一經加壓狀態中時調整中間室148v之一長度L之一總成。如所展示，中間室148v在一室輸入位置212處接收目標材料且具有用以輸出目標材料之一出口孔隙150v且在輸入位置212與出口孔隙150v之間界定一長度L。所展示之總成可用於一單中間室裝置(參見圖2)或一多中間室裝置(亦即，具有兩個或兩個以上中間室(參見圖3))中。圖21進一步展示總成包含具有係內直徑D1 之一圓柱形壁之一第一組件214及具有係外直徑D2 之一圓柱形壁之一第二組件216，其中D1 ＞ D2 。如所展示，圓柱形壁可圍繞一軸218同心地配置且一密封件220可定位於第一組件214之圓柱形壁與第二組件216之圓柱形壁之間。亦可見，總成包含一馬達222 (例如步進馬達、線性致動器或其他驅動系統)，該馬達旋轉一螺桿224以使組件214、216中之一者沿著軸218相對於另一者移動以使長度L變化。可如所展示提供一或多個軸向支撐件226以確保板在軸向平移期間保持平行。 兩個同心圓柱體中之每一者可在一端上具有一固定密封件(亦即，分別係一個圓柱體具有至上部板之一近端密封件，另一圓柱體具有至下部板之一遠端密封件)。此密封可係一黏合、硬銲或焊接。另一選擇係，圓柱體可經由黏合、硬銲或焊接而附接至含有一密封件(諸如一O形環)之一密封板。O形環可係一彈性體、經致能特夫綸(Teflon)或一金屬密封件且可坐靠於一凹槽內。此密封件允許含於兩個圓柱體內之體積維持於高於外室之一壓力下。另外，形成有一出口孔隙或其他特徵之一板可在一圓柱體之一端處硬銲。該等圓柱體可由一透明材料(包含但不限於藍寶石)製成。另外，若圓柱體本身並非透明的，則可沿著圓柱體之長度放置若干窗以允許對準及診斷。 圖22展示用於建立一中間室148w且在中間室148w維持於一經加壓狀態中時調整中間室148w之一長度L之另一總成。如所展示，中間室148w在一室輸入位置228處接收目標材料且具有用以輸出目標材料之一出口孔隙150w且在輸入位置228與出口孔隙150w之間界定一長度L。所展示之總成可用於一單中間室裝置(參見圖2)或一多中間室裝置(亦即，具有兩個或兩個以上中間室(參見圖3))中。圖22進一步展示總成包含沿著一軸232對準之一波紋管230，該波紋管可軸向擴張並收縮以使長度L變化。亦可見，總成包含一馬達234，該馬達旋轉一螺桿236以擴張/收縮波紋管230且使長度L變化。可如所展示提供一或多個軸向支撐件238。 在圖21及圖22中所展示之總成可(舉例而言)用於使長度L變化，使得一噴射流在一中間室內分解成液滴。如上文所指示，可在於中間室中維持一環境(亦即，壓力、溫度及/或組成物)時進行此調整。舉例而言，此能力可在噴嘴替換或某一其他改變之後(此可影響噴射流分解成液滴之位置)係有用的。舉例而言，當壓電換能器頻率改變時，噴射流衰減長度可改變，此可在以下情況下係必需的：若液滴頻率需要經調整以匹配驅動雷射頻率或若電漿輻射頻率需要經調諧以匹配某一外部程序。本文中所闡述之可調整長度中間室可(舉例而言)允許對室長度進行調諧以獲得匹配噴射流之特定衰減長度、液滴組合長度或沿著液滴遞送系統之其他臨界長度之一最佳長度。 波紋管230可終止於一透明區段(舉例而言，硬銲玻璃或藍寶石)中或具有透明窗以用於對準及診斷目的。此電動化可用於空氣動力透鏡總成(參見圖11及對應闡述)中並且調整各種孔隙之間的距離以使彼透鏡系統最佳化。此外，中間室長度之調整可使得一系統能夠在根據不同參數(壓力、溫度、氣體組成物等)進行調整或根據外部改變(諸如驅動雷射頻率或所要LPP頻率)進行調整時係靈活的。 EUV照射可用於諸如檢驗、光微影或計量之半導體程序應用。舉例而言，如在圖23中所展示，一檢驗系統240可包含一照射源242，該照射源併入有具有本文中所闡述之液滴產生器中之一者的一光源(諸如上文所闡述之一光源100)。檢驗系統240可進一步包含經組態以支撐至少一個樣本244 (諸如一半導體晶圓或一空白或經圖案化遮罩)之一載台246。照射源242可經組態以經由一照射路徑照射樣本244，且可沿著一成像路徑而將自樣本244反射、散射或輻射之照射引導至至少一個偵測器250 (例如，相機或光感測器陣列)。通信地耦合至偵測器250之一運算系統252可經組態以處理與所偵測照射信號相關聯之信號以根據嵌入於來自一非暫時性載體媒體254之程式指令256 (其可由運算系統252之一處理器執行)中之一檢驗演算法來定位及/或量測樣本244之一或多個缺陷之各種屬性。 進一步舉例而言，圖24大體上圖解說明包含一照射源302之一光微影系統300，該照射源併入有具有本文中所闡述之液滴產生器中之一者的一光源(諸如上文所闡述之一光源100)。光微影系統可包含經組態以支撐至少一個基板304 (諸如一半導體晶圓)以用於微影處理之一載台306。照射源302可經組態以用由照射源302輸出之照射在基板304上或在安置於基板304上之一層上執行光微影。舉例而言，輸出照射可經引導至一倍縮光罩308且自倍縮光罩308引導至基板304以根據一經照射倍縮光罩圖案使基板304之表面或基板304上之一層圖案化。圖23及圖24中所圖解說明之例示性實施例大體上繪示上文所闡述之光源之應用；然而，熟習此項技術者將瞭解該等源可在不背離本發明之範疇之情況下適用於多種內容脈絡中。 熟習此項技術者將進一步瞭解，存在本文中所闡述之程序及/或系統及/或其他技術可受其影響之各種載具(例如，硬體、軟體及/或韌體)，且較佳載具將隨其中部署該等程序及/或系統及/或其他技術之內容脈絡而變化。在某些實施例中，由以下各項中之一或多者執行各種步驟、功能及/或操作：電子電路、邏輯閘、多工器、可程式化邏輯裝置、ASIC、類比或數位控制件/切換器、微控制器或運算系統。一運算系統可包含(但不限於)一個人運算系統、主機運算系統、工作站、影像電腦、並行處理器或此項技術中已知之任何其他裝置。一般而言，術語「運算系統」廣泛地定義為囊括具有執行來自一載體媒體之指令之一或多個處理器之任何裝置。實施諸如本文中所闡述之彼等方法之方法之程式指令可經由載體媒體傳輸或儲存於載體媒體上。一載體媒體可包含一傳輸媒體，諸如一導線、纜線或無線傳輸鏈路。該載體媒體亦可包含諸如一唯讀記憶體、一隨機存取記憶體、一磁碟或光碟或者一磁帶之一儲存媒體。 本文中所闡述之所有方法可包含將方法實施例中之一或多個步驟之結果儲存於一儲存媒體中。該等結果可包含本文中所闡述之結果中之任一者且可以此項技術中已知之任何方式儲存。儲存媒體可包含本文中所闡述之任何儲存媒體或此項技術中已知之任何其他適合儲存媒體。在已儲存結果之後，該等結果可在該儲存媒體中存取且由本文中所闡述之方法或系統實施例中之任一者使用，經格式化以用於向一使用者顯示，由另一軟體模組、方法或系統等使用。此外，可「永久性地」、「半永久性地」、「暫時性地」或在某一時間段內儲存結果。舉例而言，儲存媒體可係隨機存取記憶體(RAM)，且結果可不必無限期地存留於該儲存媒體中。 儘管已圖解說明本發明之特定實施例，但應明瞭熟習此項技術者可在不背離前述揭示內容之範疇及精神之情況下做出本發明之各種修改及實施例。因此，本發明之範疇應僅受附加於本發明之申請專利範圍限制。
12A-12A:細節箭頭 12B-12B:細節箭頭 12C-12C:細節箭頭 14-14:線 19-19:線 20-20:線 100:光源 102:液滴產生器 102a:液滴產生器 104:激發源 106:目標材料 108:輻照位點 110:雷射引發電漿室 112:雷射輸入窗 114:收集器光學器件 116a:極射線 116b:極射線 118:中間位置 120:控制系統 122:內部聚焦模組 124:氣體供應系統 126:端口 128:真空系統 130:端口 132:目標材料感測器 134:診斷工具 136:極紫外線功率計 138:氣體監測感測器 140:噴射流產生器 142:噴嘴 144:噴射流 146:液滴 148:中間室 1481 :中間室 148a:中間室 148b:中間室 148c:中間室 148d:中間室 148e:中間室 148f:中間室 148g:中間室 148h:中間室 148i:中間室 148j:中間室 148k:中間室 148m:中間室 148n:中間室 148p:中間室 148q:中間室 148r:中間室 148t:中間室 148u:中間室 148v:中間室 148w:中間室 150:出口孔隙 1501 :出口孔隙 150a:出口孔隙 150b:出口孔隙 150c:出口孔隙 150d:出口孔隙 150q:出口孔隙 150s:出口孔隙 150t:出口孔隙 150v:出口孔隙 150w:出口孔隙 152:環境控制系統 152a:環境控制系統 152b:環境控制系統 154:管線 156:管線 156a:管線 156b:管線 158:目標材料源 160:壓電致動器 162:噴嘴尖端 164:截頭圓錐形殼/通道 164e:通道 164f:通道 164g:通道 164h:通道 164i:通道 164j:通道 164k:通道 166:第一端 168:第二端 170:凹形內部表面/內部表面/內表面 170e:凸形內部表面 170f:平滑、逐步漸縮內部表面 170g:凸形內部表面 170h:凸形內部表面 170i:平坦、平面內部表面 170j:平坦、平面內部表面 170k:平坦、平面內部表面 170q:內部表面 172:邊緣 173:窗 174:通道軸 175:膜片總成 176:恆定厚度薄片 176g:漸縮薄片 176h:漸縮薄片 177:馬達 178:板 178n:板 178p:板 180:內部流體通路 182n:進口 184:出口 184n:出口 184p:出口 186:壁 186c:壁 188:鰭片 190:絕緣板 192q:溫度控制蛤殼 192r:溫度控制蛤殼 194:絕緣板 196:帕耳帖冷卻元件 198a:經對稱定位端口/端口 198b:經對稱定位端口/端口 198c:經對稱定位端口/端口 198d:經對稱定位端口/端口 200:液滴軸 202a:經對稱定位端口/端口 202b:經對稱定位端口/端口 202c:經對稱定位端口/端口 202d:經對稱定位端口/端口 204:箭頭 206a:箭頭 206b:箭頭 208:箭頭 210a:箭頭 210b:箭頭 214:第一組件/組件 216:第二組件/組件 220:密封件 222:馬達 224:螺桿 226:軸向支撐件 230:波紋管 232:軸 234:馬達 236:螺桿 238:軸向支撐件 240:檢驗系統 242:照射源 244:樣本 246:載台 250:偵測器 252:運算系統 254:非暫時性載體媒體 256:程式指令 300:光微影系統 302:照射源 304:基板 306:載台 308:倍縮光罩 D:出口孔隙直徑 D1 :內直徑 D2 :外直徑 d:軸向距離 d1 :直徑 d2 :直徑 d3 :直徑 L:長度/通道長度
所屬領域的技術人員可藉由參考附圖更好地理解本發明之眾多優點，在附圖中： 圖1係圖解說明根據本發明之一或多項實施例之一LPP光源之一經簡化示意圖； 圖2係圖解說明根據本發明之一或多項實施例之具有一單個中間室之一液滴產生器之一經簡化示意圖； 圖3係圖解說明根據本發明之一或多項實施例之具有多個中間室之一液滴產生器之一經簡化示意圖； 圖4係圖解說明根據本發明之一或多項實施例之一噴射流產生器之內部細節之一液滴產生器之一透視剖面圖； 圖5係根據本發明之一或多項實施例之一中間室之遠端(下游)部分之一透視剖面圖，該遠端(下游)部分具有擁有處於遠端之一出口孔隙之一通道及自該通道之近端延伸之一凹形內表面； 圖6係根據本發明之一或多項實施例之在圖5中所展示之中間室部分之一剖面圖，該圖展示凹形內表面之長度及傾斜角； 圖7係根據本發明之一或多項實施例之封圍於圖6中之細節箭頭7-7內之中間室之一部分之一詳細剖面圖，該圖展示通道直徑及長度； 圖8係根據本發明之一或多項實施例之一中間室之遠端(下游)部分之一透視剖面圖，該遠端(下游)部分具有擁有處於遠端之一出口孔隙之一通道及一凸形內表面，該凸形內表面自該通道之近端延伸且由一恆定厚度薄片形成； 圖9係根據本發明之一或多項實施例之一中間室之一透視剖面圖，該中間室具有擁有處於遠端之一出口孔隙之一通道及自該通道之近端延伸之一逐步漸縮內表面； 圖10係圖解說明根據本發明之一或多項實施例之一中間室之一透視剖面圖，該中間室具有擁有處於遠端之一出口孔隙之一通道及一凸形內表面，該凸形內表面自該通道之近端延伸且由具有一漸縮厚度之一薄片形成； 圖11係根據本發明之一或多項實施例之具有多個中間室之一液滴產生器之一透視剖面圖，該等中間室建立一空氣動力透鏡； 圖12A係根據本發明之一或多項實施例之封圍於圖11中之細節箭頭12A-12A內之中間室之一部分之一詳細剖面圖，該圖展示在圖11中所展示之中間室中之每一者之通道直徑； 圖12B係根據本發明之一或多項實施例之封圍於圖11中之細節箭頭12B-12B內之中間室之一部分之一詳細剖面圖，該圖展示在圖11中所展示之中間室中之每一者之通道直徑； 圖12C係根據本發明之一或多項實施例之封圍於圖11中之細節箭頭12C-12C內之中間室之一部分之一詳細剖面圖，該圖展示在圖11中所展示之中間室中之每一者之通道直徑； 圖13係根據本發明之一或多項實施例之一液滴產生器之一部分之一經簡化剖面圖，該液滴產生器具有藉助一電動膜片總成形成之一中間室之一出口孔隙； 圖14係根據本發明之一或多項實施例之如沿著圖13中之線14-14所見之一剖面圖，該圖展示電動膜片總成； 圖15係根據本發明之一或多項實施例之具有用於控制氣體溫度之一環境控制系統之一中間室之一透視圖，該環境控制系統由具有用於傳遞一熱轉移流體之一通路之一板所組成； 圖16係展示根據本發明之一或多項實施例之兩個中間室之一剖面圖，每一中間室皆具有用於控制氣體溫度之一環境控制系統，該環境控制系統由具有用於傳遞一熱轉移流體之一通路之一板及將該兩個中間室分離之一絕緣體板所組成； 圖17係展示根據本發明之一或多項實施例之兩個中間室之一剖面圖，每一中間室皆具有用於控制氣體溫度之一環境控制系統，該環境控制系統由一溫度控制蛤殼及一絕緣體板所組成，該絕緣體板建立第一中間室之出口孔隙且將該兩個中間室彼此熱隔離； 圖18係根據本發明之一或多項實施例之複數個中間室之一剖面圖，該圖展示用於控制中間室中之一者之氣體壓力及/或氣體組成物之一環境控制系統； 圖19係根據本發明之一或多項實施例之如沿著圖18中之線19-19所見之一剖面圖，該圖展示用於將氣體引入至一中間室中之端口之一對稱配置； 圖20係根據本發明之一或多項實施例之如沿著圖18中之線20-20所見之一剖面圖，該圖展示用於自一中間室移除氣體之端口之一對稱配置； 圖21係根據本發明之一或多項實施例之具有一可調整長度之一中間室之一第一實施例之一剖面圖； 圖22係根據本發明之一或多項實施例之具有一可調整長度之一中間室之另一實施例之一剖面圖； 圖23係圖解說明根據本發明之一或多項實施例之併入有一光源之一檢驗系統之一經簡化示意圖；及 圖24係圖解說明根據本發明之一或多項實施例之併入有一光源之一微影系統之一經簡化示意圖。
100:光源
102:液滴產生器
104:激發源
106:目標材料
108:輻照位點
110:雷射引發電漿室
112:雷射輸入窗
114:收集器光學器件
116a:極射線
116b:極射線
118:中間位置
120:控制系統
122:內部聚焦模組
124:氣體供應系統
126:端口
128:真空系統
130:端口
132:目標材料感測器
134:診斷工具
136:極紫外線功率計
138:氣體監測感測器

Claims (14)

  1. 一種裝置，其包括： 一噴嘴，其用於施配一液體目標材料； 一第一中間室，其經定位以接收目標材料，該第一中間室形成有一出口孔隙以輸出目標材料以在供一雷射引發電漿(LPP)中進行下游輻照；及 一第二中間室，其經定位以接收目標材料，該第二中間室形成有一出口孔隙以輸出目標材料以供在該LPP室中進行下游輻照，其中該第二中間室與該第一中間室流體耦合(fluidically coupled)。
  2. 如請求項1之裝置，其進一步包括經定位以接收目標材料之一第三中間室，該第三中間室形成有一出口孔隙以輸出目標材料以供在該LPP室中進行下游輻照。
  3. 如請求項2之裝置，其中該第二中間室自該第一中間室出口孔隙接收目標材料，該第三中間室自該第二中間室出口孔隙接收目標材料，且其中該第一中間室出口孔隙具有一直徑d1 ，該第二中間室出口孔隙具有一直徑d2 ，且該第三中間室出口孔隙具有一直徑d3 ，其中d1 ＞ d2 ＞ d3 ，以建立一空氣動力透鏡。
  4. 如請求項1之裝置，其中該第一中間室當在操作中時含有具有一壓力p1 之氣態目標材料，且該第二中間室當在操作中時含有具有一壓力p2 之氣態目標材料，其中p1 高於p2 。
  5. 如請求項4之裝置，其中一或多個泵經組態以將一經量測氣體流提供至該第一中間室中及自該第一中間室提供一經量測氣體流。
  6. 如請求項1之裝置，其中該第一中間室當在操作中時含有具有一第一溫度t1 之氣態目標材料，且該第二中間室當在操作中時含有具有一第二溫度t2 之氣態目標材料，其中t1 高於t2 。
  7. 如請求項6之裝置，其中該第一溫度係經由以下至少一者進行控制：安置於該第一中間室內之一鰭片；定位於該第一中間室外側之一鰭片；一帕耳帖冷卻元件；形成有一內部流體通路之一板，該內部流體通路用於使一熱轉移流體通過該板；及一絕緣板。
  8. 如請求項1之裝置，其進一步包括一電動膜片以建立該第一中間室出口孔隙。
  9. 一種裝置，其包括： 一噴嘴，其用於施配一液體目標材料以供在一雷射引發電漿(LPP)室中由一驅動雷射進行輻照；及 一總成，其建立一中間室，該中間室經定位以在一室輸入位置處接收目標材料，該中間室形成有一出口孔隙以輸出目標材料以供在一雷射引發電漿室中進行下游輻照，該中間室在該輸入位置與該出口孔隙之間界定一長度L，且其中該總成具有用於在該室維持於一經加壓狀態中時調整該中間室之該長度L之一子系統。
  10. 如請求項9之裝置，其中該中間室係一第一中間室且該裝置進一步包含一第二中間室，該第二中間室形成有一出口孔隙以輸出目標材料以供在該LPP室中進行下游輻照。
  11. 如請求項9之裝置，其中該第二中間室經定位以自該第一中間室出口孔隙接收目標材料。
  12. 如請求項9之裝置，其中該總成包括：一第一組件，其具有具內直徑D1 之一圓柱形壁；及一第二組件，其具有具外直徑D2 之一圓柱形壁，其中D1 ＞ D2 ；及一密封件，其定位於該第一組件圓柱形壁與該第二組件圓柱形壁之間。
  13. 如請求項9之裝置，其中第一圓柱形壁界定一軸且該總成進一步包括一馬達，該馬達經配置以使第一及第二組件中之一者軸向移動以使該長度L變化。
  14. 如請求項9之裝置，其中該總成包括具有一第一端及一第二端之一波紋管，及經配置以使該第一端相對於該第二端移動以使該長度L變化之一馬達。
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