TW202108653A - 樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

本發明的課題為提供一種可得到密著性優異、抑制翹曲、模具成形後之流痕的發生，及後硬化後之樹脂表面的不均的發生之硬化物的樹脂組成物；使用該樹脂組成物之電路基板，及半導體晶片封裝。 本發明的解決手段為一種樹脂組成物，其係包含(A-1)環氧當量為較400g/eq.更大，且為1500g/eq.以下之環氧樹脂、(B)無機填充劑，及(C)硬化劑的樹脂組成物，其特徵為將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(A-1)成分的含量為0.2質量%以上且未滿3質量%，將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(B)成分的含量為70質量%以上。

Description

樹脂組成物

本發明係關於樹脂組成物。進而，本發明係關於使用樹脂組成物之電路基板、半導體晶片封裝。

近年來，所謂智慧型手機、平板電腦型設備之高機能電子設備的需要已增大，伴隨此，此等小型之電子設備所使用之絕緣材料亦正尋求進一步之高機能化。作為這般的絕緣材料，已知有例如硬化樹脂組成物所形成者(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本特開2017-82052號公報

[發明欲解決之課題]

近年來，已尋求更小型之半導體晶片封裝，正尋求半導體晶片封裝所使用之絕緣層或密封層薄化。由於薄化絕緣層或密封層時，有變容易發生翹曲的傾向，故期望可抑制翹曲之絕緣層或密封層。

認為為了抑制翹曲，於樹脂組成物添加液狀成分或緩和應力之成分。

惟，此情況下，有與導體層等之密著性劣化的情況，又，有容易發生模具成形後之流痕的發生，及後硬化後之樹脂表面的不均的情況。

本發明係鑑於前述之課題而創案者，以提供一種可得到密著性優異、抑制翹曲、模具成形後之流痕的發生，及後硬化後之樹脂表面的不均的發生之硬化物的樹脂組成物；使用該樹脂組成物之電路基板，及半導體晶片封裝作為目的。 [用以解決課題之手段]

本發明者為了解決前述之課題進行努力研究的結果，發現藉由將具有指定之環氧當量的環氧樹脂含有在指定量樹脂組成物，可得到密著性優異、抑制翹曲、模具成形後之流痕的發生，及後硬化後之樹脂表面的不均的發生之硬化物，而終至完成本發明。

亦即，本發明係包含下述之內容。 [1] 一種樹脂組成物，其係包含(A-1)環氧當量為較400g/eq.更大，且為1500g/eq.以下之環氧樹脂、 (B)無機填充劑及 (C)硬化劑之樹脂組成物，其特徵為 將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(A-1)成分的含量為0.2質量%以上且未滿3質量%， 將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(B)成分的含量為70質量%以上。 [2] 如[1]所記載之樹脂組成物，其中，(A-1)成分係包含選自由茀骨架、丁二烯骨架、異戊二烯骨架、伸烷氧基骨架、矽氧烷骨架，及雙酚骨架所成之群組中之1種以上之骨架。 [3] 如[1]或[2]所記載之樹脂組成物，其係進一步包含(A-2)環氧當量為400g/eq.以下之環氧樹脂，或環氧當量為較1500g/eq.更大之環氧樹脂。 [4] 如[1]~[3]中任一項所記載之樹脂組成物，其中，(C)成分係包含酸酐系硬化劑。 [5] 如[1]~[4]中任一項所記載之樹脂組成物，其中，樹脂組成物為液狀。 [6] 如[1]~[5]中任一項所記載之樹脂組成物，其係密封用或絕緣用之樹脂組成物。 [7] 一種電路基板，其係包含藉由如[1]~[6]中任一項所記載之樹脂組成物的硬化物所形成之絕緣層。 [8] 一種半導體晶片封裝，其係包含如[7]所記載之電路基板、與前述電路基板所搭載之半導體晶片。 [9] 一種半導體晶片封裝，其係包含半導體晶片、與密封前述半導體晶片之如[1]~[6]中任一項所記載之樹脂組成物的硬化物。 [發明效果]

根據本發明，可提供一種可得到密著性優異、抑制翹曲、模具成形後之流痕的發生，及後硬化後之樹脂表面的不均的發生之硬化物的樹脂組成物；使用該樹脂組成物之電路基板，及半導體晶片封裝。

以下，表示實施形態及例示物，針對本發明進行詳細說明。惟，本發明並非被限定於以下所列舉之實施形態及例示物者，在未脫離本發明之申請專利範圍及其均等的範圍的範圍，可任意變更來實施。

[樹脂組成物] 本發明之樹脂組成物，其係包含(A-1)環氧當量為較400g/eq.更大，且為1500g/eq.以下之環氧樹脂、(B)無機填充劑及(C)硬化劑之樹脂組成物，其特徵為將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(A-1)成分的含量為0.2質量%以上且未滿3質量%，將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(B)成分的含量為70質量%以上。藉由組合(A-1)成分、(B)成分及(C)成分包含，且將(A-1)成分及(B)成分的含量定為指定的範圍內，可得到本發明之所期望的效果，即得到樹脂組成物係密著性優異、抑制翹曲、模具成形後之流痕的發生，及後硬化後之樹脂表面的不均的發生之硬化物。

此樹脂組成物的硬化物活化其優異之特性，可優選作為電路基板及半導體晶片封裝之絕緣層或密封層使用，尤其是可優選作為密封層使用。

又，樹脂組成物係組合在(A-1)成分、(B)成分及(C)成分，並可進一步包含任意成分。作為任意成分，例如可列舉(A-2)環氧當量為400g/eq.以下之環氧樹脂，或環氧當量為較1500g/eq.更大之環氧樹脂、(D)硬化促進劑等。於本說明書，有集中(A-1)成分及(A-2)成分稱為「(A)環氧樹脂」的情況。以下，針對樹脂組成物中所包含之各成分進行說明。

＜(A-1)環氧當量為較400g/eq.更大，且為1500g/eq.以下之環氧樹脂＞ 樹脂組成物作為(A-1)成分，係含有(A-1)環氧當量為較400g/eq.更大，且為1500g/eq.以下之環氧樹脂。由於(A-1)成分為環氧當量為較400g/eq.更大，且為1500g/eq.以下，故得到交聯密度有特定之適當範圍的硬化物。因此，含有(A-1)成分之樹脂組成物的硬化物提昇韌性，其結果，認為提昇密著性。又，藉由將(A-1)成分含有在樹脂組成物，抑制硬化樹脂組成物時之硬化收縮的發生。其結果，認為抑制翹曲量。

(A-1)成分之環氧當量係較400g/eq.更大，較佳為410g/eq.以上，更佳為420g/eq.以上，為1500g/eq.以下，較佳為1000g/eq.以下，更佳為800g/eq.以下、500g/ eq.以下。藉由將(A-1)成分之環氧當量定為該範圍內，可得到本發明之所期望的效果。環氧當量可依照JIS K7236測定，係包含1當量之環氧基之樹脂的質量。

將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(A-1)成分的含量為0.2質量%以上，較佳為0.3質量%以上，更佳為0.5質量%以上，未滿3質量%，較佳為2.5質量%以下，更佳為2質量%以下、1.5質量%以下。藉由將(A-1)成分的含量定為該範圍內，降低樹脂組成物之玻璃轉移溫度，變成可更加抑制翹曲量。尚，在本發明，樹脂組成物中之各成分的含量除非另有規定，係將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時之值。

作為(A-1)成分，從得到本發明所期望之效果的觀點來看，較佳為於1分子中具有1個以上之環氧基，更佳為於1分子中具有2個以上之環氧基，再更佳為於1分子中具有3個以上之環氧基。

(A-1)成分中，有於溫度20℃為液狀之(A-1)成分、與於溫度20℃為固體狀之(A-1)成分。作為(A-1)成分，從得到本發明所期望之效果的觀點來看，較佳為液狀。(A-1)成分可1種類單獨使用，亦可組合2種類以上使用。

作為(A-1)成分，較佳為包含例如選自由茀骨架、丁二烯骨架、異戊二烯骨架、伸烷氧基骨架、矽氧烷骨架及雙酚骨架所成之群組中之1種以上之骨架。

伸烷氧基骨架係指具有鍵結伸烷基與氧原子之伸烷氧基的構造，作為伸烷基，較佳為碳原子數1~10之伸烷基，更佳為碳原子數1~6之伸烷基，再更佳為碳原子數3~6之伸烷基。

作為雙酚骨架，可列舉雙酚A型、雙酚F型、雙酚AD型、雙酚S型、4,4’-(9-亞茀基(fluorenylidene))雙酚型等。

此等當中，作為(A-1)成分，更佳為包含選自由茀骨架、丁二烯骨架、伸烷氧基骨架、矽氧烷骨架及雙酚骨架所成之群組中之1種以上之骨架。

作為(A-1)成分之市售品，例如可列舉大阪燃氣化學公司製之「EG-280」、「EG-250」、Nagase ChemteX公司製之「R-45EPT」、「R-15EPT」、「DLC-204」、「EX-145」、「EX-171」、「EX-991L」、「EX-992L」、「FCA-635」、阪本藥品工業公司製之「SR-PTMG」、信越化學工業公司製之「KF-105」、DIC公司製之「EXA-4816」、「EXA-4850」、ADEKA公司製之「EP-4003S」、日本化藥公司製之「LCE-2615」、三菱化學公司製之「YX-7400」、「YX-7105」、「YX-7110」等。此等可1種類單獨使用，亦可組合2種類以上使用。

(A-1)成分之重量平均分子量(Mw)，從顯著得到本發明所期望之效果的觀點來看，較佳為100以上，更佳為250以上，再更佳為400以上，較佳為5000以下，更佳為3000以下，再更佳為1500以下。(A-1)成分之重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析(GPC)法所測定之聚苯乙烯換算的重量平均分子量。

＜(A-2)環氧當量為400g/eq.以下之環氧樹脂，或環氧當量為較1500g/eq.更大之環氧樹脂＞ 樹脂組成物作為(A-2)，可含有環氧當量為400g/eq.以下之環氧樹脂，或環氧當量為較1500g/eq.更大之環氧樹脂。藉由將(A-2)成分含有在樹脂組成物，可顯著得到本發明之效果。

作為(A-2)成分，例如可列舉聯二甲酚型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、參酚型環氧樹脂、萘酚酚醛清漆型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、tert-丁基-鄰苯二酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、環氧丙基胺型環氧樹脂、環氧丙基酯型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、線狀脂肪族環氧樹脂、具有丁二烯構造之環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、雜環式環氧樹脂、含有螺環之環氧樹脂、環己烷型環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂、三羥甲基型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂等。(A-2)成分可1種類單獨使用，亦可組合2種類以上使用。

樹脂組成物作為(A-2)成分，較佳為包含於1分子中具有2個以上之環氧基的環氧樹脂。從顯著得到本發明所期望之效果的觀點來看，相對於(A-2)成分之不揮發成分100質量%，於1分子中具有2個以上之環氧基的(A-2)成分之比例，較佳為50質量%以上，更佳為60質量%以上，特佳為70質量%以上。

(A-2)成分中，有於溫度20℃為液狀之(A-2)成分、與於溫度20℃為固體狀之(A-2)成分。樹脂組成物作為(A-2)成分，可使用液狀之(A-2)成分，亦可使用固體狀之(A-2)成分，亦可組合液狀之(A-2)成分與固體狀之(A-2)成分使用。其中，從降低樹脂組成物的黏度的觀點來看，作為(A-2)成分，較佳為使用液狀之(A-2)成分。

作為液狀之(A-2)成分，較佳為於1分子中具有2個以上之環氧基的液狀之(A-2)成分。

作為液狀之(A-2)成分，較佳為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、萘型環氧樹脂；環氧丙基酯型環氧樹脂、環氧丙基胺型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、具有酯骨架之脂環式環氧樹脂等之脂環式環氧樹脂、環己烷型環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、環氧丙基胺型環氧樹脂，及具有丁二烯構造之環氧樹脂，更佳為環氧丙基胺型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂。

作為液狀之(A-2)成分之具體例，可列舉DIC公司製之「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」(萘型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「828US」、「jER828EL」、「825」、「EPIKOTE 828EL」(雙酚A型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「jER807」、「1750」(雙酚F型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「jER152」(酚酚醛清漆型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「630」、「630LSD」(環氧丙基胺型環氧樹脂)；新日鐵住金化學公司製之「ZX1059」(雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂的混合品)；Nagase ChemteX公司製之「EX-721」(環氧丙基酯型環氧樹脂)；Daicel公司製之「Celoxide 2021P」(具有酯骨架之脂環式環氧樹脂)；Daicel公司製之「PB-3600」(具有丁二烯構造之環氧樹脂)；新日鐵住金化學公司製之「ZX1658」、「ZX1658GS」(液狀1,4-環氧丙基環己烷型環氧樹脂)、ADEKA公司製之「EP3950L」(環氧丙基胺型環氧樹脂)等。此等可1種類單獨使用，亦可組合2種類以上使用。

作為固體狀的(A-2)成分，較佳為於1分子中具有3個以上之環氧基的固體狀的(A-2)成分，更佳為於1分子中具有3個以上之環氧基的芳香族系之固體狀的(A-2)成分。

作為固體狀之(A-2)成分，較佳為聯二甲酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘型4官能環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、參酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂，更佳為聯苯型環氧樹脂。

作為固體狀的(A-2)成分之具體例，可列舉DIC公司製之「HP4032H」(萘型環氧樹脂)；DIC公司製之「HP-4700」、「HP-4710」(萘型4官能環氧樹脂)；DIC公司製之「N-690」(甲酚酚醛清漆型環氧樹脂)；DIC公司製之「N-695」(甲酚酚醛清漆型環氧樹脂)；DIC公司製之「HP-7200」、「HP-7200HH」、「HP-7200H」(二環戊二烯型環氧樹脂)；DIC公司製之「EXA-7311」、「EXA-7311-G3」、「EXA-7311-G4」、「EXA-7311-G4S」、「HP6000」(伸萘基醚型環氧樹脂)；日本化藥公司製之「EPPN-502H」(參酚型環氧樹脂)；日本化藥公司製之「NC7000L」(萘酚酚醛清漆型環氧樹脂)；日本化藥公司製之「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(聯苯型環氧樹脂)；新日鐵住金化學公司製之「ESN475V」(萘酚型環氧樹脂)；新日鐵住金化學公司製之「ESN485」(萘酚酚醛清漆型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「YX4000H」、「YX4000」、「YL6121」(聯苯型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「YX4000HK」(聯二甲酚型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「YX8800」(蒽型環氧樹脂)；大阪燃氣化學公司製之「PG-100」、「CG-500」；三菱化學公司製之「YL7760」(雙酚AF型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「YL7800」(茀型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「jER1010」(固體狀雙酚A型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「jER1031S」(四苯基乙烷型環氧樹脂)等。此等可1種類單獨使用，亦可組合2種類以上使用。

作為(A-2)成分，組合液狀之(A-2)成分與固體狀之(A-2)成分使用時，該等之量比(液狀之(A-2)成分：固體狀之(A-2)成分)以質量比，較佳為1：0.01~1：20，更佳為1：0.05~1：10，特佳為1：0.1~1：1。藉由將液狀之(A-2)成分與固體狀之(A-2)成分的量比定為該範圍，可顯著得到本發明所期望的效果。

(A-2)成分為環氧當量為400g/eq.以下之環氧樹脂時，其環氧當量較佳為400g/eq.以下，更佳為300g/eq.以下，再更佳為200g/eq.以下，較佳為50g/eq.以上，更佳為80g/eq.以上，再更佳為90g/eq.以上。藉由成為此範圍，使得樹脂組成物的硬化物的交聯密度變充分，可帶來表面粗糙度小之絕緣層。

(A-2)成分為環氧當量為較1500g/eq.更大之環氧樹脂時，其環氧當量較佳為較1500g/eq.更大，更佳為1600g/eq.以上，再更佳為1700g/eq.以上，較佳為5000g/ eq.以下，更佳為3000g/eq.以下，再更佳為2000g/eq.以下。藉由成為此範圍，使得樹脂組成物的硬化物的交聯密度變充分，可帶來表面粗糙度小之絕緣層。

(A-2)成分之重量平均分子量(Mw)，從顯著得到本發明所期望之效果的觀點來看，較佳為100~5000，更佳為250~3000，再更佳為400~1500。

(A-2)成分的含量從得到顯示良好之機械強度、絕緣信賴性之絕緣層的觀點來看，將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，較佳為1質量%以上，更佳為3質量%以上，再更佳為5質量%以上。環氧樹脂的含量的上限，從顯著得到本發明所期望之效果的觀點來看，較佳為20質量%以下，更佳為15質量%以下，特佳為10質量%以下。

將(A-1)成分之樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時的含量定為A1，將(A-2)成分之樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時的含量定為A2時，作為A1/A2，從顯著得到本發明之效果的觀點來看，較佳為0.01以上，更佳為0.03以上，再更佳為0.05以上，較佳為1以下，更佳為0.8以下，再更佳為0.5以下。

＜(B)無機填充材料＞ 樹脂組成物作為(B)成分，係含有無機填充材料。藉由使用(B)無機填充材料，可提昇樹脂組成物的硬化物的絕緣性能。

(B)無機填充材料的含量從得到絕緣性能優異之絕緣層的觀點來看，將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，為70質量%以上，較佳為75質量%以上，更佳為80質量%以上，再更佳為85質量%以上，較佳為95質量%以下，更佳為90質量%以下，再更佳為88質量%以下。

作為(B)無機填充材料之材料，係使用無機化合物。作為無機填充材料的材料之例，可列舉二氧化矽、氧化鋁、玻璃、堇青石、矽氧化物、硫酸鋇、碳酸鋇、滑石、黏土、雲母粉、氧化鋅、水滑石、勃姆石、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、氮化鋁、氮化錳、硼酸鋁、碳酸鍶、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、氧化鈦、氧化鋯、鈦酸鋇、鈦酸鋯酸鋇、鋯酸鋇、鋯酸鈣、磷酸鋯及磷酸鎢酸鋯等。此等當中，特別適合二氧化矽。作為二氧化矽，例如可列舉無定形二氧化矽、熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、合成二氧化矽、中空二氧化矽等。又，作為二氧化矽，較佳為球狀二氧化矽。(B)無機填充材料可1種類單獨使用，亦可組合2種類以上使用。

作為(B)無機填充材料之市售品，例如可列舉新日鐵住金材料公司製之「SP60-05」、「SP507-05」；Admatechs公司製之「YC100C」、「YA050C」、「YA050C-MJE」、「YA010C」；電氣化學公司製之「UFP-30」；德山公司製之「SYLFIL NSS-3N」、「SYLFIL NSS-4N」、「SYLFIL NSS-5N」；Admatechs公司製之「SC2500SQ」、「SO-C4」、「SO-C2」、「SO-C1」；等。

(B)無機填充材料之平均粒徑，從顯著得到本發明所期望之效果的觀點來看，較佳為0.01μm以上，更佳為0.05μm以上，特佳為0.1μm以上，較佳為5μm以下，更佳為2μm以下，再更佳為1μm以下。

(B)無機填充材料之平均粒徑可根據米氏(Mie)散射理論，藉由雷射繞射･散射法測定。具體而言，可藉由由雷射繞射散射式粒徑分布測定裝置，將無機填充材料之粒徑分布以體積基準作成，並將其中位徑作為平均粒徑來測定。測定樣品可使用將無機填充材料100mg、甲基乙基酮10g於小瓶秤取，以超音波使其分散10分鐘者。將測定樣品使用雷射繞射式粒徑分布測定裝置，並將使用光源波長定為藍色及紅色，以流動池方式測定(B)無機填充材料之體積基準的粒徑分布，可從所得之粒徑分布作為中位徑算出平均粒徑。作為雷射繞射式粒徑分布測定裝置，例如可列舉堀場製作所公司製「LA-960」等。

(B)無機填充材料之比表面積從顯著得到本發明所期望之效果的觀點來看，較佳為1m² /g以上，更佳為2m² /g以上，特佳為3m² /g以上。上限雖並無特別限制，但較佳為60m² /g以下、50m² /g以下或40m² /g以下。比表面積係藉由依據BET法，使用比表面積測定裝置(Mountech公司製Macsorb HM-1210)，使氮氣體吸附在試料表面，並使用BET多點法算出比表面積而獲得。

(B)無機填充材料從提高耐濕性及分散性的觀點來看，較佳為以表面處理劑處理。作為表面處理劑，例如可列舉含有氟之矽烷偶合劑、胺基矽烷系偶合劑、環氧矽烷系偶合劑、巰基矽烷系偶合劑、矽烷系偶合劑、烷氧基矽烷、有機矽氮烷化合物、鈦酸酯系偶合劑等。又，表面處理劑可1種類單獨使用，亦可任意組合2種類以上使用。

作為表面處理劑之市售品，例如可列舉信越化學工業公司製「KBM403」(3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM803」(3-巰基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBE903」(3-胺基丙基三乙氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM573」(N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「SZ-31」(六甲基二矽氮烷)、信越化學工業公司製「KBM103」(苯基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM-4803」(長鏈環氧型矽烷偶合劑)、信越化學工業公司製「KBM-7103」(3,3,3-三氟丙基三甲氧基矽烷)等。

藉由表面處理劑之表面處理的程度，從無機填充材料之分散性提昇的觀點來看，較佳為收留在指定的範圍。具體而言，無機填充材料100質量份較佳為以0.2質量份~5質量份的表面處理劑進行表面處理，更佳為以0.2質量份~3質量份進行表面處理，再更佳為以0.3質量份~2質量份進行表面處理。

藉由表面處理劑之表面處理的程度可藉由無機填充材料每一單位表面積的碳量評估。無機填充材料每一單位表面積的碳量，從無機填充材料之分散性提昇的觀點來看，較佳為0.02mg/m² 以上，更佳為0.1mg/m² 以上，再更佳為0.2mg/m² 以上。另一方面，從抑制於樹脂清漆的熔融黏度及於樹脂組成物層之熔融黏度的上昇的觀點來看，較佳為1mg/m² 以下，更佳為0.8mg/m² 以下，再更佳為0.5mg/m² 以下。

無機填充材料每一單位表面積的碳量，可將表面處理後之無機填充材料藉由溶劑(例如甲基乙基酮(MEK))洗淨處理後進行測定。具體而言，作為溶劑，將充分量之MEK加在以表面處理劑表面處理之無機填充材料，並以25℃超音波洗淨5分鐘。去除上清液，並乾燥固體成分後，可使用碳分析計測定無機填充材料每一單位表面積的碳量。作為碳分析計，可使用堀場製作所公司製「EMIA-320V」等。

將(A-1)成分之樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時的含量定為A1，將(B)成分之樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時的含量定為B1，作為A1/B1，從顯著得到本發明之效果的觀點來看，較佳為0.001以上，更佳為0.005以上，再更佳為0.01以上，較佳為0.5以下，更佳為0.3以下，再更佳為0.1以下。

＜(C)硬化劑＞ 樹脂組成物作為(C)成分，係含有硬化劑。(C)硬化劑通常具有與(A)成分進行反應，而使樹脂組成物硬化之機能。(C)硬化劑可1種類單獨使用，亦可以任意之比率組合2種類以上使用。

作為(C)硬化劑，可使用可與(A)環氧樹脂反應而使樹脂組成物硬化的化合物，例如可列舉酸酐系硬化劑、胺系硬化劑、酚系硬化劑、活性酯系硬化劑、氰酸酯系硬化劑、苯并惡嗪系硬化劑、碳二醯亞胺系硬化劑等。其中，從顯著得到本發明之效果的觀點來看，較佳為酸酐系硬化劑。

作為酸酐系硬化劑，可列舉於1分子內中具有1個以上之酸酐基的硬化劑。作為酸酐系硬化劑之具體例，可列舉鄰苯二甲酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、甲基四氫鄰苯二甲酸酐、4-甲基六氫鄰苯二甲酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐、甲基納迪酸酐、氫化甲基納迪酸酐、三烷基四氫鄰苯二甲酸酐、十二烯基琥珀酸酐、5-(2,5-二氧代四氫-3-呋喃基)-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸酐、偏苯三酸酐、均苯四酸酐、二苯甲酮四羧酸二酐、聯苯四羧酸二酐、萘四羧酸二酐、氧基二鄰苯二甲酸二酐、3,3’-4,4’-二苯基碸四羧酸二酐、1,3,3a,4,5,9b-六氫-5-(四氫-2,5-二氧代-3-呋喃基)-萘并[1,2-C]呋喃-1,3-二酮、乙二醇雙(脫水偏苯三酸酯(Anhydrotrimellitate))、共聚合苯乙烯與馬來酸之苯乙烯･馬來酸樹脂等之聚合物型之酸酐等。酸酐系硬化劑可使用市售品，例如可列舉新日本理化公司製之「MH-700」等。

作為胺系硬化劑，可列舉於1分子內中具有1個以上之胺基的硬化劑，例如可列舉脂肪族胺類、聚醚胺類、脂環式胺類、芳香族胺類等，其中，從發揮本發明所期望之效果的觀點來看，較佳為芳香族胺類。胺系硬化劑較佳為第1級胺或第2級胺，更佳為第1級胺。作為胺系硬化劑之具體例，可列舉4,4’-亞甲基雙(2,6-二甲基苯胺)、二苯基二胺基碸、4,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基碸、3,3’-二胺基二苯基碸、m-苯二胺、m-苯二甲胺(Xylylenediamine)、二乙基甲苯二胺、4,4’-二胺基二苯基醚、3,3’-二甲基-4,4’-二胺基聯苯、2,2’-二甲基-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二羥基聯苯胺、2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)丙烷、3,3-二甲基-5,5-二乙基-4,4-二苯基甲烷二胺、2,2-雙(4-胺基苯基)丙烷、2,2-雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)丙烷、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、4,4’-雙(4-胺基苯氧基)聯苯、雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)碸、雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)碸、等。胺系硬化劑可使用市售品，例如可列舉日本化藥公司製之「KAYABOND C-200S」、「KAYABOND C-100」、「KAYAHARD A-A」、「KAYAHARD A-B」、「KAYAHARD A-S」、三菱化學公司製之「EpiCure W」等。

作為酚系硬化劑，可列舉於1分子中具有1個以上與芳香環(苯環、萘環等)鍵結之羥基，較佳為具有2個以上之硬化劑。其中，較佳為具有與苯環鍵結之羥基的化合物。又，從耐熱性及耐水性的觀點來看，較佳為具有酚醛清漆構造之酚系硬化劑。進而，從密著性的觀點來看，較佳為含氮酚系硬化劑，更佳為含有三嗪骨架之酚系硬化劑。尤其是從高度滿足耐熱性、耐水性及密著性的觀點來看，較佳為含有三嗪骨架之酚酚醛清漆硬化劑。

作為酚系硬化劑及萘酚系硬化劑之具體例，可列舉明和化成公司製之「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」、「MEH-8000H」；日本化藥公司製之「NHN」、「CBN」、「GPH」；新日鐵住金化學公司製之「SN-170」、「SN-180」、「SN-190」、「SN-475」、「SN-485」、「SN-495」、「SN-495V」、「SN-375」、「SN-395」；DIC公司製之「TD-2090」、「TD-2090-60M」、「LA-7052」、「LA-7054」、「LA-1356」、「LA-3018」、「LA-3018-50P」、「EXB-9500」、「HPC-9500」、「KA-1160」、「KA-1163」、「KA-1165」；群榮化學公司製之「GDP-6115L」、「GDP-6115H」、「ELPC75」等。

作為活性酯系硬化劑，可列舉於1分子中具有1個以上之活性酯基的硬化劑。其中，作為活性酯系硬化劑，較佳為酚酯類、硫酚酯類、N-羥基胺酯類、雜環羥基化合物的酯類等之於1分子中具有2個以上反應活性高之酯基的化合物。該活性酯系硬化劑較佳為藉由羧酸化合物及/或硫羧酸化合物與羥基化合物及/或硫醇化合物的縮合反應所獲得者。尤其是從耐熱性提昇的觀點來看，較佳為由羧酸化合物與羥基化合物所得之活性酯系硬化劑，更佳為由羧酸化合物與酚化合物及/或萘酚化合物所得之活性酯系硬化劑。

作為羧酸化合物，例如可列舉苯甲酸、乙酸、琥珀酸、馬來酸、衣康酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、均苯四酸等。

作為酚化合物或萘酚化合物，例如可列舉對苯二酚、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、酚酞、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、酚、o-甲酚、m-甲酚、p-甲酚、鄰苯二酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、苯三酚(Phloroglucin)、苯三醇、二環戊二烯型二酚化合物、酚酚醛清漆等。於此，所謂「二環戊二烯型二酚化合物」，係指於二環戊二烯1分子縮合酚2分子所得之二酚化合物。

作為活性酯系硬化劑之較佳的具體例，可列舉包含二環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物、包含萘構造之活性酯化合物、包含酚酚醛清漆之乙醯化物的活性酯化合物、包含酚酚醛清漆之苯甲醯化物的活性酯化合物。其中，更佳為包含萘構造之活性酯化合物、包含二環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物。所謂「二環戊二烯型二酚構造」，係表示包含伸苯基-二環伸戊基-伸苯基而成之2價的構造。

作為活性酯系硬化劑之市售品，係作為包含二環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物，可列舉「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC-8000」、「HPC-8000H」、「HPC-8000-65T」、「HPC-8000H-65TM」、「EXB-8000L」、「EXB-8000L-65TM」(DIC公司製)；作為包含萘構造之活性酯化合物，可列舉「EXB-8100L-65T」、「EXB-8150L-65T」、「EXB9416-70BK」、「HPC-8150-60T」、「HPC-8150-62T」、「EXB-8150-65T」(DIC公司製)；作為包含酚酚醛清漆之乙醯化物的活性酯化合物，可列舉「DC808」(三菱化學公司製)；作為包含酚酚醛清漆之苯甲醯化物的活性酯化合物，可列舉「YLH1026」(三菱化學公司製)；作為酚酚醛清漆之乙醯化物的活性酯系硬化劑，可列舉「DC808」(三菱化學公司製)；作為酚酚醛清漆之苯甲醯化物的活性酯系硬化劑，可列舉「YLH1026」(三菱化學公司製)、「YLH1030」(三菱化學公司製)、「YLH1048」(三菱化學公司製)；等。

作為氰酸酯系硬化劑，例如可列舉雙酚A二氰酸酯、聚酚氰酸酯、寡(3-亞甲基-1,5-伸苯基氰酸酯)、4,4’-亞甲基雙(2,6-二甲基苯基氰酸酯)、4,4’-亞乙基二苯基二氰酸酯、六氟雙酚A二氰酸酯、2,2-雙(4-氰酸酯)苯基丙烷、1,1-雙(4-氰酸酯苯基甲烷)、雙(4-氰酸酯-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸酯苯基-1-(甲基亞乙基))苯、雙(4-氰酸酯苯基)硫醚及雙(4-氰酸酯苯基)醚、等之2官能氰酸酯樹脂；衍生自酚酚醛清漆及甲酚酚醛清漆等之多官能氰酸酯樹脂；此等氰酸酯樹脂一部分經三嗪化之預聚物；等。作為氰酸酯系硬化劑之具體例，可列舉Lonza Japan公司製之「PT30」及「PT60」(皆為酚酚醛清漆型多官能氰酸酯樹脂)；「ULL-950S」(多官能氰酸酯樹脂)；「BA230」、「BA230S75」(雙酚A二氰酸酯的一部分或全部經三嗪化而成為三聚物之預聚物)；等。

作為苯并惡嗪系硬化劑之具體例，可列舉昭和高分子公司製之「HFB2006M」、四國化成工業公司製之「P-d」、「F-a」。

作為碳二醯亞胺系硬化劑之具體例，可列舉日清紡化學公司製之「V-03」、「V-05」、「V-07」；Rhein Chemie公司製之Stabaxol(註冊商標)P等。

(C)硬化劑的含量從顯著得到本發明之效果的觀點來看，將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，較佳為0.1質量%以上，更佳為0.2質量%以上，再更佳為0.3質量%以上，較佳為10質量%以下，更佳為8質量%以下，再更佳為7質量%以下。

將(A)成分之環氧基數定為1時，(C)硬化劑之活性基數較佳為0.1以上，更佳為0.2以上，再更佳為0.3以上，較佳為2以下，更佳為1.8以下，再更佳為1.6以下，特佳為1.4以下。於此，所謂「(A)成分之環氧基數」，係指將全部存在於樹脂組成物中之(A)成分之不揮發成分的質量除以環氧當量之值進行合計的值。又，所謂「(C)硬化劑之活性基數」，係指將全部存在於樹脂組成物中之(C)硬化劑的不揮發成分的質量除以活性基當量之值進行合計的值。藉由將(A)成分之環氧基數定為1時之(C)硬化劑的活性基數定為前述範圍，可顯著得到本發明所期望的效果。

將(A-1)成分之環氧基數定為1時，(C)硬化劑之活性基數較佳為0.1以上，更佳為0.2以上，再更佳為0.3以上，較佳為2以下，更佳為1.8以下，再更佳為1.6以下，特佳為1.4以下。於此，所謂「(A-1)成分之環氧基數」，係指將全部存在於樹脂組成物中之(A-1)成分之不揮發成分的質量除以環氧當量之值進行合計的值。藉由將(A-1)成分之環氧基數定為1時之(C)硬化劑的活性基數定為前述範圍，可顯著得到本發明所期望的效果。

將(A-2)成分之環氧基數定為1時，(C)硬化劑之活性基數較佳為0.1以上，更佳為0.2以上，再更佳為0.3以上，較佳為2以下，更佳為1.8以下，再更佳為1.6以下，特佳為1.4以下。於此，所謂「(A-2)成分之環氧基數」，係指將全部存在於樹脂組成物中之(A-2)成分之不揮發成分的質量除以環氧當量之值進行合計的值。藉由將(A-2)成分之環氧基數定為1時之(C)硬化劑的活性基數定為前述範圍，可顯著得到本發明所期望的效果。

＜(D)硬化促進劑＞ 樹脂組成物作為任意成分，可含有(D)硬化促進劑。作為硬化促進劑，例如可列舉磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、胍系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑等，較佳為胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑，更佳為胺系硬化促進劑。硬化促進劑可1種類單獨使用，亦可組合2種類以上使用。

作為磷系硬化促進劑，例如可列舉三苯基膦、鏻硼酸鹽化合物、四苯基鏻四苯基硼酸鹽、n-丁基鏻四苯基硼酸鹽、四丁基鏻癸酸鹽、(4-甲基苯基)三苯基鏻硫氰酸酯、四苯基鏻硫氰酸酯、丁基三苯基鏻硫氰酸酯等，較佳為三苯基膦、四丁基鏻癸酸鹽。

作為胺系硬化促進劑，例如可列舉三乙基胺、三丁基胺等之三烷基胺、4-二甲基胺基吡啶、苄基二甲基胺、2,4,6,-參(二甲基胺基甲基)酚、1,8-二氮雜聯環(5,4,0)-十一碳烯(Undecene)等，較佳為4-二甲基胺基吡啶、1,8-二氮雜聯環(5,4,0)-十一碳烯。

作為咪唑系硬化促進劑，例如可列舉2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基偏苯三酸咪唑鎓、1-氰基乙基-2-苯基偏苯三酸咪唑鎓、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪異氰脲酸加成物、2-苯基咪唑異氰脲酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2,3-二氫-1H-吡咯[1,2-a]苯并咪唑、1-十二烷基-2-甲基-3-苄基咪唑鎓氯化物、2-甲基咪唑啉、2-苯基咪唑啉等之咪唑化合物及咪唑化合物與環氧樹脂之加成體，較佳為2-乙基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑。

作為咪唑系硬化促進劑，可使用市售品，例如可列舉三菱化學公司製之「P200-H50」等。

作為胍系硬化促進劑，例如可列舉雙氰胺、1-甲基胍、1-乙基胍、1-環己基胍、1-苯基胍、1-(o-甲苯基)胍、二甲基胍、二苯基胍、三甲基胍、四甲基胍、五甲基胍、1,5,7-三氮雜聯環[4.4.0]癸-5-烯、7-甲基-1,5,7-三氮雜聯環[4.4.0]癸-5-烯、1-甲基雙胍、1-乙基雙胍、1-n-丁基雙胍、1-n-十八烷基雙胍、1,1-二甲基雙胍、1,1-二乙基雙胍、1-環己基雙胍、1-烯丙基雙胍、1-苯基雙胍、1-(o-甲苯基)雙胍等，較佳為雙氰胺、1,5,7-三氮雜聯環[4.4.0]癸-5-烯。

作為金屬系硬化促進劑，例如可列舉鈷、銅、鋅、鐵、鎳、錳、錫等之金屬的有機金屬錯合物或有機金屬鹽。作為有機金屬錯合物之具體例，可列舉乙醯乙酸鈷(II)、乙醯乙酸鈷(III)等之有機鈷錯合物、乙醯乙酸銅(II)等之有機銅錯合物、乙醯乙酸鋅(II)等之有機鋅錯合物、乙醯乙酸鐵(III)等之有機鐵錯合物、乙醯乙酸鎳(II)等之有機鎳錯合物、乙醯乙酸錳(II)等之有機錳錯合物等。作為有機金屬鹽，例如可列舉辛酸鋅、辛酸錫、環烷酸鋅、環烷酸鈷、硬脂酸錫、硬脂酸鋅等。

(D)硬化促進劑的含量，將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，較佳為0.01質量%以上，更佳為0.03質量%以上，特佳為0.05質量%以上，較佳為1質量%以下，更佳為0.5質量%以下，特佳為0.1質量%以下。

＜(E)其他添加劑＞ 樹脂組成物除了上述之成分以外，作為任意成分，可進一步包含其他添加劑。作為這般的添加劑，例如可列舉熱塑性樹脂；阻燃劑；有機填充材；有機銅化合物、有機鋅化合物及有機鈷化合物等之有機金屬化合物；增黏劑；消泡劑；整平劑；密著性賦予劑；著色劑；顏料等之樹脂添加劑。此等之添加劑可1種類單獨使用，亦可以任意之比率組合2種類以上使用。個別的含量若為本發明領域具有通常知識者則可適當設定。

上述之樹脂組成物如有必要雖可包含溶劑，但較佳為實質上未包含溶劑之無溶劑的樹脂組成物。如此即使未包含溶劑，前述之樹脂組成物使用壓縮成型法進行成型的情況下，可進行流動化，可實現優異之壓縮成型性。因此，此樹脂組成物可作為無溶劑用樹脂組成物使用。所謂「實質上未包含溶劑」，係指例如溶劑的含量相對於無溶劑樹脂組成物全體為1質量%以下。

樹脂組成物之調製方法並非特別限定者，例如可列舉將摻合成分視必要而添加溶媒等，使用回轉攪拌機等進行混合･分散之方法等。

＜樹脂組成物之特性＞ 根據上述之樹脂組成物，可得到可抑制翹曲的硬化物之層。據此，藉由使用此樹脂組成物，可得到電路基板及可抑制半導體晶片封裝之翹曲的密封層及絕緣層。例如，使用上述之樹脂組成物，藉由實施例所記載之方法，於12英寸矽晶圓上，形成以180℃加熱90分鐘之樹脂組成物的硬化物層，製作試料基板。此情況下，可將以於25℃之實施例所記載之方法所測定之翹曲量通常定為未滿5mm，較佳為未滿4mm。下限雖並未特別限定，但可成為0.01mm以上等。

又，上述之樹脂組成物可得到密著性優異之硬化物。據此，藉由使用此樹脂組成物，可得到電路基板及半導體晶片封裝之密著性優異之密封層及絕緣層。密著力較佳為超過500kgf/cm² 。密著力的測定可依照後述之實施例所記載之方法測定。

使用上述之樹脂組成物的硬化物，顯示抑制模具後之流痕的發生的特性。據此，藉由使用此樹脂組成物，可得到抑制流痕的發生之密封層及絕緣層。具體而言，於12英寸矽晶圓上，將樹脂組成物使用壓縮模具裝置(模具溫度：130℃、壓力：6MPa、硬化時間：10分鐘)進行壓縮成型，形成厚度300μm之樹脂組成物層，且形成試料(此時之樹脂組成物層的面積為14.6cm×14.6×3.14= 45.844cm² )，並觀察試料之樹脂組成物層的外觀。此時，樹脂組成物層表面全體當中，流痕所佔有之面積為未滿20%。模具後之流痕的發生的評估可依照後述之實施例所記載之方法測定。

又，使用上述之樹脂組成物的硬化物，顯示抑制後硬化後之樹脂表面不均的發生之特性。據此，藉由使用此樹脂組成物，可得到抑制後硬化後之樹脂表面不均的發生之密封層及絕緣層。具體而言，於12英寸矽晶圓上，將樹脂組成物使用壓縮模具裝置(模具溫度：130℃、壓力：6MPa、硬化時間：10分鐘)進行壓縮成型，於12英寸矽晶圓上形成厚度300μm之樹脂組成物層(此時之樹脂組成物層的面積為14.6cm×14.6×3.14=45.844cm² )。然後，觀察以180℃加熱90分鐘熱硬化樹脂組成物層之硬化物層的外觀。此時，通常硬化物層表面為均一且無顏色不均。

樹脂組成物雖可為液狀，亦可為固體狀，但較佳為於其成型時為液狀。例如，在常溫(例如20℃)為液狀之樹脂組成物，不進行特別之溫度調整，可於常溫進行藉由壓縮成型法之成型，可加熱至適當的溫度進行藉由壓縮成型法之成型。又，可將在常溫為液狀之樹脂組成物填充在匣體內，並從匣體吐出該樹脂組成物，然後進行藉由壓縮成型法之成型。

又，由於在常溫為固體狀之樹脂組成物，通常藉由將其溫度調整至更高的溫度(例如130℃)，而成為液狀，藉由加熱等之適當的溫度調整，使用藉由壓縮成型法之成形為可能。前述之樹脂組成物通常即使不包含溶劑，亦可在適當的溫度成為液狀，例如可作為液狀密封材料使用。於此，所謂液狀，係指在以下之測定方法所測定之黏度為未滿1500Pa･s者。 在RE80型黏度計(東機產業公司製)，以量筒量取測定對象之樹脂組成物0.2~0.3ml。測定時，將黏度計之測定室在外部循環型恆溫槽溫度管理在25.0℃。將轉子之回轉數設定為1rpm，計測120秒後之黏度。

樹脂組成物由於具有上述之特性，故可適合作為用以密封有機EL裝置或半導體等之電子設備的樹脂組成物使用，尤其是可適合作為用以密封半導體之樹脂組成物(半導體密封用之樹脂組成物)，較佳為用以密封半導體晶片之樹脂組成物(半導體晶片密封用之樹脂組成物)使用。又，樹脂組成物於密封用途以外，可作為絕緣層用之樹脂組成物使用。例如，前述之樹脂組成物，可適合作為用以形成半導體晶片封裝之絕緣層的樹脂組成物(半導體晶片封裝之絕緣層用之樹脂組成物)，及用以形成電路基板(包含印刷配線板)之絕緣層的樹脂組成物(電路基板的絕緣層用之樹脂組成物)使用。

作為半導體晶片封裝，例如可列舉FC-CSP、MIS-BGA封裝、ETS-BGA封裝、Fan-out型WLP (Wafer Level Package)、Fan-in型WLP、Fan-out型PLP (Panel Level Package)、Fan-in型PLP。

又，前述之樹脂組成物可作為底部填充材料使用，例如可將半導體晶片作為連接在基板後所使用之MUF(Molding Under Filling)的材料使用。

進而，前述之樹脂組成物可使用在樹脂薄片、預浸料等之薄片狀層合材料、阻焊、晶片鍵合材料、補孔樹脂、零件嵌入樹脂等、樹脂組成物所使用之廣泛的用途。

[樹脂薄片] 本發明之樹脂薄片係具有支持體、與設置在該支持體上之樹脂組成物層。樹脂組成物層係包含本發明之樹脂組成物之層，通常以樹脂組成物形成。

樹脂組成物層的厚度從薄型化的觀點來看，較佳為600μm以下，更佳為550μm以下，再更佳為500μm以下、400μm以下、350μm以下、300μm以下或200μm以下。樹脂組成物層的厚度的下限並未特別限定，例如可為1μm以上、5μm以上、10μm以上等。

作為支持體，例如可列舉包含塑膠材料而成之薄膜、金屬箔、脫模紙，較佳為包含塑膠材料而成之薄膜、金屬箔。

作為支持體，使用包含塑膠材料而成之薄膜時，作為塑膠材料，例如可列舉聚對苯二甲酸乙二酯(以下有時簡稱為「PET」)、聚萘二甲酸乙二酯(以下有時簡稱為「PEN」)等之聚酯；聚碳酸酯(以下有時簡稱為「PC」)；聚甲基甲基丙烯酸酯(以下有時簡稱為「PMMA」)等之丙烯酸聚合物；環狀聚烯烴；三乙醯纖維素(以下有時簡稱為「TAC」)；聚醚硫化物(以下有時簡稱為「PES」)；聚醚酮；聚醯亞胺；等。其中，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯，特佳為便宜的聚對苯二甲酸乙二酯。

使用金屬箔作為支持體時，作為金屬箔，例如可列舉銅箔、鋁箔等，較佳為銅箔。作為銅箔，可此外包含銅之單金屬而成之箔，亦可使用包含銅與其他金屬(例如錫、鉻、銀、鎂、鎳、鋯、矽、鈦等)的合金而成之箔。

支持體可於與樹脂組成物層接合的面實施消光處理、電暈處理、防靜電處理等之處理。

又，作為支持體，可使用於與樹脂組成物層接合的面具有脫模層之附脫模層之支持體。作為使用在附脫模層之支持體的脫模層之脫模劑，例如可列舉選自由醇酸樹脂、聚烯烴樹脂、胺基甲酸酯樹脂及聚矽氧樹脂所成之群組中之1種以上之脫模劑。作為脫模劑之市售品，例如可列舉為醇酸樹脂系脫模劑之琳得科公司製之「SK-1」、「AL-5」、「AL-7」等。又，作為附脫模層之支持體，例如可列舉東麗公司製之「Lumirror T60」；帝人公司製之「Purex」；Unitika公司製之「Unipiel」；等。

支持體的厚度較佳為5μm~75μm的範圍，更佳為10μm~60μm的範圍。尚，使用附脫模層之支持體時，較佳為附脫模層之支持體全體的厚度為上述範圍。

樹脂薄片，例如可將樹脂組成物使用模塗機等之塗佈裝置，塗佈在支持體上來製造。又，如有必要，可將樹脂組成物溶解在有機溶劑，調製樹脂清漆，並塗佈此樹脂清漆，來製造樹脂薄片。藉由使用溶劑，調整黏度，可提昇塗佈性。使用樹脂清漆時，通常於塗佈後乾燥樹脂清漆，而形成樹脂組成物層。

作為有機溶劑，例如可列舉丙酮、甲基乙基酮及環己酮等之酮溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、溶纖劑乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯及卡必醇乙酸酯等之乙酸酯溶劑；溶纖劑及丁基卡必醇等之卡必醇溶劑；甲苯及二甲苯等之芳香族烴溶劑；二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺(DMAc)及N-甲基吡咯烷酮等之醯胺系溶劑；等。有機溶劑可1種單獨使用，亦可以任意之比率組合2種以上使用。

乾燥可藉由加熱、熱風吹附等之公知的方法實施。乾燥條件係以樹脂組成物層中之有機溶劑的含量通常成為10質量%以下，較佳為成為5質量%以下的方式進行乾燥。雖因樹脂清漆中之有機溶劑的沸點而異，但例如使用包含30質量%~60質量%之有機溶劑的樹脂清漆時，可藉由於50℃~150℃進行3分鐘~10分鐘乾燥，形成樹脂組成物層。

樹脂薄片如有必要，可包含支持體及樹脂組成物層以外之任意之層。例如，在樹脂薄片，可於未與樹脂組成物層之支持體接合的面(亦即，與支持體相反側的面)，設置依照支持體之保護薄膜。保護薄膜的厚度例如為1μm~40μm。藉由保護薄膜，可防止對樹脂組成物層的表面之髒污等之附著或傷痕。樹脂薄片為具有保護薄膜時，藉由剝離保護薄膜，使得樹脂薄片變可使用。又，樹脂薄片可捲繞成輥狀保存。

[電路基板] 於本發明使用之電路基板，可藉由例如包含下述之步驟(1)及步驟(2)之製造方法製造。上述之樹脂組成物的硬化物，如後述，除了可作為電路基板上之半導體晶片等之密封層使用之外，亦可將電路基板所包含之絕緣層藉由樹脂組成物的硬化物形成。惟，絕緣層可藉由上述之樹脂組成物的硬化物以外之材料形成。 (1)於基材上形成樹脂組成物層之步驟。 (2)熱硬化樹脂組成物層，形成絕緣層之步驟。

於步驟(1)，準備基材。作為基材，例如可列舉玻璃環氧基板、金屬基板(不銹鋼或冷軋鋼板(SPCC)等)、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚伸苯基醚基板等之基板。又，基材作為該基材的一部分，可於表面具有銅箔等之金屬層。例如，可使用於雙方的表面具有可剝離之第一金屬層及第二金屬層的基材。使用這般的基材時，通常作為可用作電路配線之配線層的導體層，係形成在與第二金屬層之第一金屬層相反側的面。作為具有這般的金屬層之基材，例如可列舉三井金屬礦業公司製之帶載體銅箔極薄銅箔「Micro Thin」。

又，於基材之一側或雙方的表面可形成導體層。於以下之說明，有將包含基材、與形成在此基材表面之導體層的元件適當稱為「附配線層之基材」的情況。作為包含在導體層之導體材料，例如可列舉包含選自由金、白金、鈀、銀、銅、鋁、鈷、鉻、鋅、鎳、鈦、鎢、鐵、錫及銦所成之群組中之1種以上之金屬的材料。作為導體材料，可使用單金屬，亦可使用合金。作為合金，例如可列舉選自上述之群組中之2種以上之金屬的合金(例如鎳･鉻合金、銅･鎳合金及銅･鈦合金)。其中，從導體層形成之通用性、成本、圖型化之容易性的觀點來看，較佳為作為單金屬之鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或是銅；及作為合金之鎳･鉻合金、銅･鎳合金、銅･鈦合金之合金。其中，更佳為鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或是銅之單金屬；及鎳･鉻合金；特佳為銅之單金屬。

導體層例如為了用作配線層，可進行圖型加工。此時，導體層之線(電路寬)/空間(電路間之寬)比雖並未特別限制，但較佳為20/20μm以下(亦即間距為40μm以下)，更佳為10/10μm以下，再更佳為5/5μm以下，又再更佳為1/1μm以下，特佳為0.5/0.5μm以上。間距不需要通過導體層全體都相同。導體層之最小間距例如可為40μm以下、36μm以下或30μm以下。

導體層的厚度雖因電路基板的設計而異，但較佳為3μm~35μm，更佳為5μm~30μm，再更佳為10μm~ 20μm，特佳為15μm~20μm。

導體層例如可藉由以下之方法形成，該方法係包含於基材上層合乾膜(感光性阻劑薄膜)之步驟、使用光罩，對於乾膜，以指定的條件進行曝光及顯影，形成圖型，而得到圖型乾膜之步驟、將經顯影之圖型乾膜作為鍍敷遮罩，藉由電解鍍敷法等之鍍敷法，形成導體層之步驟，及剝離圖型乾膜之步驟。作為乾膜，可使用包含光阻組成物而成之感光性的乾膜，例如可使用以酚醛清漆樹脂、丙烯酸樹脂等之樹脂形成之乾膜。基材與乾膜之層合條件可與後述之基材與樹脂薄片之層合的條件相同。乾膜之剝離例如可使用氫氧化鈉溶液等之鹼性的剝離液來實施。

準備基材後，於基材上形成樹脂組成物層。於基材的表面形成導體層時，樹脂組成物層的形成較佳為以導體層嵌入樹脂組成物層的方式來進行。

樹脂組成物層的形成例如係藉由層合樹脂薄片與基材來進行。此層合例如可藉由從支持體側，將樹脂薄片加熱壓著在基材，藉由於基材貼合樹脂組成物層來進行。作為將樹脂薄片加熱壓著在基材之元件(以下，有稱為「加熱壓著元件」的情況)，例如可列舉經加熱之金屬板(SUS鏡板等)或金屬輥(SUS輥等)等。尚，較佳為並非將加熱壓著元件直接沖壓在樹脂薄片，而是於基材的表面凹凸以樹脂薄片充分跟隨的方式，透過耐熱橡膠等之彈性材進行沖壓。

基材與樹脂薄片的層合，例如可藉由真空層壓法實施。在真空層壓法，加熱壓著溫度較佳為60℃~160℃，更佳為80℃~140℃的範圍。加熱壓著壓力較佳為0.098MPa~1.77MPa，更佳為0.29MPa~1.47MPa的範圍。加熱壓著時間較佳為20秒~400秒，更佳為30秒~300秒的範圍。層合較佳為以壓力13hPa以下之減壓條件下實施。

於層合之後，常壓下(大氣壓下)藉由例如將加熱壓著元件從支持體側進行沖壓，可進行經層合之樹脂薄片的平滑化處理。平滑化處理的沖壓條件可定為與上述層合的加熱壓著條件相同的條件。尚，層合與平滑化處理可使用真空層壓機連續進行。

樹脂組成物層可由本發明之樹脂薄片或樹脂組成物形成。由樹脂組成物形成樹脂組成物層時，樹脂組成物層的形成例如可藉由壓縮成型法進行。又，可藉由於匣體(Cartridge)內填充樹脂組成物，從匣體吐出該樹脂組成物，而形成樹脂組成物層。成型條件可採用與在形成後述之半導體晶片封裝的密封層之步驟的樹脂組成物層之形成方法相同的條件。

於基材上形成樹脂組成物層後，熱硬化樹脂組成物層，形成絕緣層。樹脂組成物層的熱硬化條件雖因樹脂組成物的種類而異，但硬化溫度通常為120℃~240℃的範圍(較佳為150℃~220℃的範圍，更佳為170℃~200℃的範圍)、硬化時間為5分鐘~120分鐘的範圍(較佳為10分鐘~100分鐘，更佳為15分鐘~90分鐘)。

於熱硬化樹脂組成物層之前，可對樹脂組成物層，實施以較硬化溫度更低的溫度進行加熱之預備加熱處理。例如，於熱硬化樹脂組成物層之前，可通常以50℃以上且未滿120℃(較佳為60℃以上110℃以下，更佳為70℃以上100℃以下)的溫度，將樹脂組成物層預備加熱通常5分鐘以上(較佳為5分鐘~150分鐘，更佳為15分鐘~120分鐘)。

如以上般進行，可製造具有絕緣層之電路基板。又，電路基板之製造方法可進一步包含任意之步驟。 例如，使用樹脂薄片，製造電路基板時，電路基板之製造方法可包含剝離樹脂薄片的支持體之步驟。支持體可於樹脂組成物層的熱硬化之前剝離，亦可於樹脂組成物層的熱硬化之後剝離。

電路基板之製造方法，例如可包含於形成絕緣層之後，研磨其絕緣層的表面之步驟。研磨方法並未特別限定。例如，可使用平面研削盤，研磨絕緣層的表面。

電路基板之製造方法可包含例如層間連接導體層之步驟，即所謂鑽孔在絕緣層之步驟。藉此，可於絕緣層形成通孔、貫通孔等之孔。作為通孔之形成方法，例如可列舉雷射照射、蝕刻、機械鑽孔等。通孔之尺寸或形狀可因應電路基板的設計適當決定。尚，層間連接導體層之步驟可藉由絕緣層之研磨或研削，進行層間連接。

通孔之形成後，較佳為進行去除通孔內之膠渣之步驟。此步驟有被稱為除膠渣步驟的情況。例如，將對絕緣層上之導體層的形成藉由鍍敷步驟進行的情況下，可對通孔進行濕式之除膠渣處理。又，將對絕緣層上之導體層的形成藉由濺鍍步驟進行的情況下，可進行電漿處理步驟等之乾式除膠渣步驟。進而，可藉由除膠渣步驟，於絕緣層實施粗糙化處理。

又，於絕緣層上形成導體層之前，可對絕緣層進行粗糙化處理。根據此粗糙化處理，通常係粗糙化包含通孔內之絕緣層的表面。作為粗糙化處理，可進行乾式及濕式之任一種粗糙化處理。作為乾式的粗糙化處理之例，可列舉電漿處理等。又，作為濕式的粗糙化處理之例，可列舉依藉由膨潤液之膨潤處理、藉由氧化劑之粗糙化處理，及藉由中和液之中和處理順序進行之方法。

形成通孔後，於絕緣層上形成導體層。藉由於形成通孔的位置形成導體層，導通新形成之導體層與基材表面之導體層，進行層間連接。導體層之形成方法，例如可列舉鍍敷法、濺鍍法、蒸鍍法等，其中較佳為鍍敷法。於合適之實施形態，係藉由半加成法、全添加法等之適當的方法，鍍敷在絕緣層的表面，形成具有所期望之配線圖型的導體層。又，在樹脂薄片之支持體為金屬箔時，藉由減去法，可形成具有所期望之配線圖型的導體層。形成之導體層的材料可為單金屬，亦可為合金。又，此導體層可具有單層構造，亦可具有包含2層以上之不同種類的材料之層的複層構造。

於此，詳細說明於絕緣層上形成導體層之實施形態之例。於絕緣層的表面藉由無電解鍍敷形成鍍敷種晶層。接著，於經形成之鍍敷種晶層上，對應所期望之配線圖型，形成使鍍敷種晶層的一部分露出之遮罩圖型。於經露出之鍍敷種晶層上，藉由電解鍍敷形成電解鍍敷層後，並去除遮罩圖型。然後，將不要之鍍敷種晶層藉由蝕刻等之處理去除，可形成具有所期望之配線圖型的導體層。尚，形成導體層時，遮罩圖型的形成所使用之乾膜係與上述乾膜相同。

電路基板之製造方法可包含去除基材之步驟。藉由去除基材，而得到具有絕緣層、與嵌入此絕緣層之導體層的電路基板。去除此基材之步驟，例如為使用具有可剝離之金屬層的基材的情況下可使用。

[半導體晶片封裝] 有關本發明之第一實施形態之半導體晶片封裝，係包含上述之電路基板、與此電路基板所搭載之半導體晶片。此半導體晶片封裝可藉由於電路基板接合半導體晶片來製造。

電路基板與半導體晶片的接合條件，可採用可導體連接半導體晶片之端子電極與電路基板之電路配線的任意條件。例如，可採用在半導體晶片之倒裝晶片實裝所使用的條件。又，例如於半導體晶片與電路基板之間可透過絕緣性之接著劑接合。

作為接合方法之例，可列舉將半導體晶片壓著在電路基板之方法。作為壓著條件，壓著溫度通常為120℃~240℃的範圍(較佳為130℃~200℃的範圍，更佳為140℃~180℃的範圍)、壓著時間通常為1秒~60秒的範圍(較佳為5秒~30秒)。

又，作為接合方法之其他例，可列舉將半導體晶片回流在電路基板進行接合之方法。回流條件可定為120℃~300℃的範圍。

將半導體晶片接合在電路基板後，可將半導體晶片以模具底部填充材料填充。作為此模具底部填充材料，可使用上述之樹脂組成物，又，亦可使用上述之樹脂薄片。

有關本發明之第二實施形態之半導體晶片封裝，係包含半導體晶片、與此密封半導體晶片之前述樹脂組成物的硬化物。這般的半導體晶片封裝中，通常樹脂組成物的硬化物係用作密封層。作為有關第二實施形態之半導體晶片封裝，例如可列舉Fan-out型WLP。

如這般的Fan-out型WLP之半導體晶片封裝之製造方法，係包含： (A)於基材層合暫時固定薄膜之步驟、 (B)將半導體晶片暫時固定在暫時固定薄膜上之步驟、 (C)將本發明之樹脂薄片的樹脂組成物層層合在半導體晶片上，或將本發明之樹脂組成物塗佈在半導體晶片上，使其熱硬化而形成密封層之步驟、 (D)將基材及暫時固定薄膜從半導體晶片剝離之步驟、 (E)於剝離半導體晶片之基材及暫時固定薄膜的面，形成再配線形成層(絕緣層)之步驟、 (F)於再配線形成層(絕緣層)上，形成導體層(再配線層)之步驟，及 (G)於導體層上形成阻焊層之步驟。又，半導體晶片封裝之製造方法可包含(H)將複數個半導體晶片封裝切割成個別之半導體晶片封裝，進行單片化之步驟。

這般的半導體晶片封裝之製造方法的細節可參酌國際公開第2016/035577號之段落0066~0081之記載，此內容納入本說明書。

有關本發明之第三實施形態之半導體晶片封裝，例如在第二實施形態之半導體晶片封裝，將再配線形成層或阻焊層以本發明之樹脂組成物的硬化物形成之半導體晶片封裝。

[半導體裝置] 作為實裝上述之半導體晶片封裝的半導體裝置，例如可列舉供於電氣製品(例如，電腦、手機、智慧型手機、平板電腦型設備、穿戴式裝置、數位相機、醫療機器及電視等)及車輛(例如摩托車、汽車、電車、船舶及航空機等)等之各種半導體裝置。 [實施例]

以下，針對本發明，顯示實施例具體進行說明，惟，本發明並非被限定於下述實施例者。在以下說明，表示量之「份」及「%」，除非另有說明，分別意指「質量份」及「質量%」。又，以下所說明之操作除非另有說明，係於常溫常壓的環境進行。

(二氧化矽A的調製) 藉由將平均粒徑7μm、比表面積3.4m² /g之球狀二氧化矽以KBM―573(信越化學工業公司製)進行表面處理，而得到球狀之二氧化矽A。

＜實施例1＞ 將液狀環氧樹脂(新日鐵住金化學公司製「ZX1059」、雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂之1：1混合品(質量比)、環氧當量：169g/eq.)5份、環氧丙基胺型環氧樹脂(三菱化學公司製「630」、環氧當量95g/eq.)7份、含有茀骨架之環氧樹脂(大阪燃氣化學公司製「EG-280」、環氧當量460g/eq.)2份、酸酐系硬化劑(新日本理化公司製「MH-700」、4-甲基六氫鄰苯二甲酸酐/六氫鄰苯二甲酸酐=70/30)8份、二氧化矽A 140份、硬化促進劑(四國化成工業公司製「1B2PZ」)0.1份，使用攪拌機進行均一分散，而得到樹脂組成物1。

＜實施例2＞ 除了在實施例1，將含有茀骨架之環氧樹脂(大阪燃氣化學公司製「EG-280」、環氧當量460g/eq.)2份，取代為含有液狀伸烷氧基骨架及丁二烯骨架之環氧樹脂(Nagase ChemteX公司製「EX-991L」、環氧當量450g/eq.)2份。以上之事項以外，其他與實施例1同樣進行，而得到樹脂組成物2。

＜實施例3＞ 除了在實施例1，將含有茀骨架之環氧樹脂(大阪燃氣化學公司製「EG-280」、環氧當量460g/eq.)2份，取代為含有液狀伸烷氧基骨架之環氧樹脂(阪本藥品工業公司製「SR-PTMG」、環氧當量420g/eq.)2份。以上之事項以外，其他與實施例1同樣進行，而得到樹脂組成物3。

＜實施例4＞ 除了在實施例1，將含有茀骨架之環氧樹脂(大阪燃氣化學公司製「EG-280」、環氧當量460g/eq.)2份，取代為含有液狀矽氧烷骨架之環氧樹脂(信越化學工業公司製「KF-105」、環氧當量490g/eq.)2份。以上之事項以外，其他與實施例1同樣進行，而得到樹脂組成物4。

＜實施例5＞ 除了在實施例1，將含有茀骨架之環氧樹脂(大阪燃氣化學公司製「EG-280」、環氧當量460g/eq.)2份，取代為含有雙酚A型骨架之液狀環氧樹脂(DIC公司製「EXA-4816」、環氧當量403g/eq.)2份。以上之事項以外，其他與實施例1同樣進行，而得到樹脂組成物5。

＜實施例6＞ 除了在實施例1，將含有茀骨架之環氧樹脂(大阪燃氣化學公司製「EG-280」、環氧當量460g/eq.)的量，從2份取代為1份。以上之事項以外，其他與實施例1同樣進行，而得到樹脂組成物6。

＜比較例1＞ 除了在實施例1，將含有茀骨架之環氧樹脂(大阪燃氣化學公司製「EG-280」、環氧當量460g/eq.)2份，取代為液狀環氧樹脂(阪本藥品工業公司製「SR-14BJ」、環氧當量102g/eq.)2份。以上之事項以外，其他與實施例1同樣進行，而得到樹脂組成物7。

＜比較例2＞ 除了在實施例1，將含有茀骨架之環氧樹脂(大阪燃氣化學公司製「EG-280」、環氧當量460g/eq.)2份，取代為液狀環氧樹脂(阪本藥品工業公司製「SR-16BJ」、環氧當量120g/eq.)2份。以上之事項以外，其他與實施例1同樣進行，而得到樹脂組成物8。

＜比較例3＞ 除了在實施例1，將含有茀骨架之環氧樹脂(大阪燃氣化學公司製「EG-280」、環氧當量460g/eq.)2份，取代為液狀環氧樹脂(信越化學工業公司製「X-22-163B」、環氧當量1800g/eq.)2份。以上之事項以外，其他與實施例1同樣進行，而得到樹脂組成物9。

＜比較例4＞ 除了在實施例4，將液狀環氧樹脂(信越化學工業公司製「KF-105」、環氧當量490g/eq.)的量，從2份取代為5份。以上之事項以外，其他與實施例4同樣進行，而得到樹脂組成物10。

＜比較例5＞ 除了在實施例2，將二氧化矽A的量，從140份取代為55份。以上之事項以外，其他與實施例2同樣進行，而得到樹脂組成物11。

＜翹曲之評估＞ 於12英寸矽晶圓上，將於實施例及比較例製造之各樹脂組成物使用壓縮模具裝置(模具溫度：130℃、壓力：6MPa、硬化時間：10分鐘)，進行壓縮成型，形成厚度300μm之樹脂組成物層。然後，以180℃加熱90分鐘，熱硬化樹脂組成物層。藉此，得到包含矽晶圓與樹脂組成物的硬化物層之試料基板。使用陰影疊紋(Shadow moire)測定裝置(Akorometrix公司製「ThermoireAXP」)，將前述之試料基板測定於25℃之翹曲量。測定係依照電子情報技術產業協會規格之JEITA EDX-7311-24進行。具體而言，將藉由測定區域之基板面的全數據之最小二乘法算出之虛擬平面作為基準面，從其基準面將垂直方向之最小值與最大值之差作為翹曲量求出，並用以下之基準評估。 ○：翹曲量為未滿4mm △：翹曲量為4mm以上且未滿5mm ×：翹曲量為5mm以上

＜密著力之評估＞ 於12英寸矽晶圓上，將於實施例及比較例調製之樹脂組成物使用壓縮模具裝置(模具溫度：130℃、壓力：6MPa、硬化時間：10分鐘)，進行壓縮成型，形成厚度300μm之樹脂組成物層。然後，以180℃加熱90分鐘，熱硬化樹脂組成物層。藉此，得到包含矽晶圓與樹脂組成物的硬化物層之試料基板。接著，以130℃85%RH96小時的條件，實施高溫高濕環境試驗(HAST)。將HAST實施後之硬化物層使用#180之砂紙，研磨至硬化物層厚度成為50μm為止。將研磨後之樣品切成寬1cm平方之試驗片，相對於硬化物層，垂直站立附ϕ2.7mm之接著劑的stud pin，以150℃加熱60分鐘，製作接著stud pin與硬化物層之試驗片。 將所得之附stud pin之試驗片使用QUAD GROUP公司製垂直拉伸型試驗機「ROMULUS」，以試驗速度0.1Kg/ sec進行垂直拉伸試驗的測定。針對5個試驗片進行測定，算出平均值，並用以下之基準評估。 ○：密著強度超過500kgf/cm² 。 ×：未滿500kgf/cm² 。

＜模具後之流痕的評估＞ 於12英寸矽晶圓上，將於實施例及比較例調製之樹脂組成物使用壓縮模具裝置(模具溫度：130℃、壓力：6MPa、硬化時間：10分鐘)，進行壓縮成型，形成厚度300μm之樹脂組成物層(此時之樹脂組成物層的面積為14.6cm×14.6×3.14=45.844cm² )，觀察樹脂組成物層的外觀。樹脂組成物層表面全體當中，將流痕所佔有之面積未滿20%者定為「〇」，超過20%者定為「×」。

＜後硬化後之樹脂表面不均的評估＞ 於12英寸矽晶圓上，將於實施例及比較例調製之樹脂組成物使用壓縮模具裝置(模具溫度：130℃、壓力：6MPa、硬化時間：10分鐘)，進行壓縮成型，形成厚度300μm之樹脂組成物層(此時之樹脂組成物層的面積為14.6cm×14.6×3.14=45.844cm² )。然後，以180℃加熱90分鐘，熱硬化樹脂組成物層，並觀察硬化物層的外觀。將硬化物層表面均一且無顏色不均者定為「〇」，將硬化物層表面藉由樹脂之分離等而產生顏色不均且並不均一者定為「×」。

表中，(A-1)成分的含量及(B)成分的含量係表示將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時的含量。

在實施例1~6，即使未含有(D)成分的情況，雖於程度有差，確認皆回歸到與上述實施例相同的結果。

Claims (9)

1. 一種樹脂組成物，其係包含(A-1)環氧當量為較400g/eq.更大，且為1500g/eq.以下之環氧樹脂、 (B)無機填充劑及 (C)硬化劑之樹脂組成物，其特徵為 將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(A-1)成分的含量為0.2質量%以上且未滿3質量%， 將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(B)成分的含量為70質量%以上。
2. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(A-1)成分係包含選自由茀骨架、丁二烯骨架、異戊二烯骨架、伸烷氧基骨架、矽氧烷骨架及雙酚骨架所成之群組中之1種以上之骨架。
3. 如請求項1之樹脂組成物，其係進一步包含(A-2)環氧當量為400g/eq.以下之環氧樹脂，或環氧當量為較1500g/eq.更大之環氧樹脂。
4. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(C)成分係包含酸酐系硬化劑。
5. 如請求項1之樹脂組成物，其中，樹脂組成物為液狀。
6. 如請求項1之樹脂組成物，其係密封用或絕緣用之樹脂組成物。
7. 一種電路基板，其係包含藉由如請求項1~6中任一項所記載之樹脂組成物的硬化物所形成之絕緣層。
8. 一種半導體晶片封裝，其係包含如請求項7所記載之電路基板、與前述電路基板所搭載之半導體晶片。
9. 一種半導體晶片封裝，其係包含半導體晶片、與密封前述半導體晶片之如請求項1~6中任一項所記載之樹脂組成物的硬化物。