TW202107109A - 噴射元件、微型發光二極體檢修設備及檢修方法 - Google Patents

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Abstract

一種採用噴射元件的微型發光二極體檢修設備被提出。微型發光二極體檢修設備包括承載台、光學檢測模組以及噴射元件。光學檢測模組對應承載台設置以擷取影像資訊，並由影像資訊獲得位置座標。噴射元件適於依據位置座標而移動至承載台相對應的目標位置。噴射元件包括導管與噴嘴。導管包括相連接第一段部與第二段部。第一段部的延伸方向不同於第二段部的延伸方向，且第二段部的延伸軸線通過目標位置。噴嘴連接導管的第二段部的一端。流經導管的流體在通過噴嘴後流向目標位置。一種採用微型發光二極體檢修設備的檢修方法亦被提出。

Description

噴射元件、微型發光二極體檢修設備及檢修方法
本發明是有關於一種微型發光二極體檢修技術，且特別是有關於一種噴射元件、微型發光二極體檢修設備及檢修方法。
近年來，在有機發光二極體（Organic light-emitting diode，OLED）顯示面板的製造成本偏高及其使用壽命無法與現行的主流顯示器相抗衡的情況下，微型發光二極體顯示器（Micro LED Display）逐漸吸引各科技大廠的投資目光。除了低耗能及材料使用壽命長的優勢外，微型發光二極體顯示器還具有優異的光學表現，例如高色彩飽和度、應答速度快及高對比。
另一方面，為了取得較低的生產成本與較大的產品設計裕度，微型發光二極體顯示器的製造技術係採用晶粒轉移的方式，亦即巨量轉移（Mass transfer）技術，將製作好的微型發光二極體晶粒直接轉移到驅動電路背板上。具體而言，晶粒製造商需先將客戶所需的微型發光二極體晶粒製作（或放置）在暫存基板上，客戶再依據不同的應用需求將存放在暫存基板上的微型發光二極體晶粒轉移至不同產品的驅動電路板上。
然而，在晶粒生產、轉移的過程中，勢必會產生一定數量的異常晶粒與接合良率的損失。因此，如何提高終端產品的良率，已成為相關廠商的重要課題。
本發明提供一種噴射元件，其瑕疵的移除成功率高。
本發明提供一種微型發光二極體檢修設備，其修復良率高。
本發明提供一種微型發光二極體檢修方法，其維修成功率高。
本發明的微型發光二極體檢修設備，包括承載台、光學檢測模組以及噴射元件。光學檢測模組對應承載台設置以擷取待測物的影像資訊，並由影像資訊獲得位置座標。噴射元件適於依據位置座標而移動至承載台相對應的目標位置。噴射元件包括導管與噴嘴。導管包括相連接第一段部與第二段部。第一段部的延伸方向不同於第二段部的延伸方向，且第二段部的延伸軸線通過目標位置。噴嘴連接導管的第二段部的一端。流經導管的流體在通過噴嘴後流噴向目標位置。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光二極體檢修設備更包括吸集罩，適於依據位置座標而移動至目標位置，並產生吸入氣流。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光二極體檢修設備的光學檢測模組包括影像擷取元件與影像處理單元。影像擷取元件用以擷取影像資訊。影像處理單元耦接至影像擷取元件，並用以對影像資訊進行分析，以獲得位置座標。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光二極體檢修設備更包括至少一移動機構，且影像擷取元件與噴射元件設置於移動機構上。移動機構適於帶動影像擷取元件與噴射元件相對於承載台移動。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光二極體檢修設備的影像擷取元件包括透鏡模組以及影像感測器。影像感測器耦接至影像處理單元。透鏡模組位於承載台與影像感測器之間。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光二極體檢修設備的光學檢測模組包括厚度偵測器，用以量測承載台的目標位置的高度資訊。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光二極體檢修設備的噴嘴與導管為一體成型。
本發明的微型發光二極體檢修方法，包括提供微型發光二極體檢修設備、將待測物放置在微型發光二極體檢修設備的承載台上、以光學檢測模組對待測物上的多個微型發光二極體進行光學檢測，以確認這些微型發光二極體是否存在至少一瑕疵、確認至少一瑕疵後，以光學檢測模組取得至少一瑕疵的位置座標以及進行至少一瑕疵的移除步驟。微型發光二極體檢修設備包括承載台、光學檢測模組以及噴射元件。光學檢測模組對應承載台設置以擷取影像資訊，並由影像資訊獲得位置座標。噴射元件包括導管以及連接導管的一端的噴嘴。導管包括相連接的第一段部與第二段部，且第一段部的延伸方向不同於第二段部的延伸方向。待測物具有多個微型發光二極體。噴射元件依據位置座標移動至承載台對應至少一瑕疵的目標位置，且第二段部的延伸軸線通過目標位置，致使流經導管的流體在通過噴嘴後流噴向瑕疵，以將瑕疵自待測物上移除。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光二極體檢修方法的進行至少一瑕疵的移除步驟更包括利用吸集罩收集自待測物上移除的瑕疵。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光二極體檢修方法更包括在完成至少一瑕疵的移除步驟後，對待測物進行另一光學檢測。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光二極體檢修方法的第二段部的延伸軸線與瑕疵的頂面的法線方向之間具有夾角，且夾角介於10度至90度之間。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光二極體檢修方法的第二段部的延伸軸線垂直於瑕疵的頂面且不通過瑕疵的對稱軸線。
本發明的噴射元件，適於移除微型元件。噴射元件包括導管與噴嘴。導管包括相連接第一段部與第二段部。第一段部的延伸方向不同於第二段部的延伸方向。噴嘴連接導管的一端。流經導管的流體在通過噴嘴後噴出。
在本發明的一實施例中，上述的噴射元件的噴嘴的孔徑小於50μm。
在本發明的一實施例中，上述的噴射元件的噴嘴與導管為一體成型。
基於上述，在本發明的一實施例的微型發光二極體檢修設備及檢修方法中，利用光學檢測模組進行待測物的光學檢測，以取得瑕疵的位置座標，有助於確保噴射元件與瑕疵間的定位關係，進而提升瑕疵移除的準確率。另一方面，透過導管的第二段部的延伸軸線通過瑕疵，可使通過噴嘴的流體能有效率地流向瑕疵，以將瑕疵自待測物上移除。如此，有助於提升待測物的修復良率，進而改善後製程的整體良率。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於所附圖式中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
圖1是本發明的一實施例的微型發光二極體檢修設備的方塊圖。圖2是本發明的一實施例的微型發光二極體檢修方法的流程圖。圖3A至圖3D是本發明的一實施例的微型發光二極體檢修流程的示意圖。圖4A及圖4B是本發明的一實施例的噴射元件於兩種操作狀態下的示意圖。特別說明的是，為了清楚呈現與說明起見，圖3A至圖3D省略了圖1的影像處理單元220與儲存單元230之繪示，圖3A及圖3B省略了圖3C的吸集罩70之繪示，圖3B至圖3D省略了圖3A的透鏡模組211與影像感測器212之繪示，圖4A及圖4B省略了圖3C的承載台50、載架101、影像擷取元件210與控制單元250之繪示。
請參照圖1及圖3A，微型發光二極體檢修設備10包括承載台50與光學檢測模組60。承載台50用以承接待測物300。光學檢測模組60設置在承載台50上，且待測物300適於放置在光學檢測模組60與承載台50之間。在本實施例中，待測物300例如是微型元件結構，微型元件結構包括載板310與多個微型元件320，且這些微型元件320係設置在載板310上。舉例而言，微型元件320可以是微型發光二極體（micro light-emitting diode，Micro LED）。應理解的是，本發明的實施例不限於此，某些實施例亦可應用到其他微型元件，該等微型元件依此一方式設計成控制執行預定電子功能（例如二極體、電晶體、積體電路）或光子功能（LED、雷射）。
承接上述，光學檢測模組60用以擷取待測物300的影像資訊，並從中取得瑕疵320D的位置座標。在本實施例中，瑕疵320D可以是微型元件結構的多個微型元件320的其中一者。更具體地說，瑕疵320D可以是微型元件結構上無法被致能（enabled）或外觀有缺陷的一微型元件320，但本發明不以此為限。在其他實施例中，瑕疵320D也可以是微型元件結構上的外來異物，例如塵埃或毛屑。需說明的是，本實施例的瑕疵320D數量係以一個為例進行示範性地說明，並不表示本發明以圖式揭示內容為限制。根據其他實施例，瑕疵320D的數量也可以是多個。
在本實施例中，光學檢測模組60包括影像擷取元件210與影像處理單元220。影像擷取元件210用以擷取待測物300的影像資訊。舉例而言，影像擷取元件210可包含透鏡模組211以及影像感測器212，且透鏡模組211位於承載台50與影像感測器212之間。影像感測器212例如包括電荷耦合元件（Charge Coupled Device，CCD）或互補式金氧半導體（Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS）元件。影像處理單元220耦接至影像擷取元件210的影像感測器212，並用以對影像資訊進行分析，以獲得瑕疵320D的位置座標。在本實施例中，光學檢測模組60還可包括儲存單元230，用以存放影像擷取元件210所拍攝的影像資訊或影像處理單元220針對上述影像資訊所做的分析結果（例如瑕疵320D的位置座標）。
為了將瑕疵320D自待測物300上移除，微型發光二極體檢修設備10還設有噴射元件100，且待測物300係設置在噴射元件100與承載台50之間。具體來說，微型發光二極體檢修設備10係透過噴射元件100噴射出一流體FD，且此流體FD流向瑕疵320D，以將瑕疵320D自待測物300上移除（如圖3C及圖3D所示）。在本實施例中，為了能透過影像擷取元件210即時確認瑕疵320D的移除狀況，噴射元件100與影像擷取元件210可比鄰而設且同步移動，但本發明不以此為限。在其他實施例中，噴射元件100與影像擷取元件210也可分開設置且各自獨立移動。
進一步而言，噴射元件100包括導管110與噴嘴120。為了避免比鄰而設的噴設元件100與影像擷取元件210產生結構上的干涉，導管110包括相連接的第一段部110a與第二段部110b，且第一段部110a的延伸方向不同於第二段部110b的延伸方向。亦即，第一段部110a的延伸方向相交於第二段部110b的延伸方向。在本實施例中，導管110的第二段部110b的延伸軸線AX可垂直於微型元件320（或瑕疵320D）的頂面320s，但本發明不以此為限。
噴嘴120連接於導管110的第二段部110b的一端。更具體地說，噴嘴120係設置在第二段部110b遠離第一段部110a的一端上。在本實施例中，噴嘴120與導管110的材質可相同；也就是說，噴嘴120與導管110可為一體成型，但本發明不以此為限。在其他實施例中，導管110的一端也可套接一噴頭，且噴頭遠離套接處的一端可設有噴嘴。舉例來說，此處噴頭例如是可用於移液器（pipette）的塑膠尖管（tips）。
另一方面，噴射元件100還可選擇性地包括元件基座130，且導管110的第一段部110a連接於元件基座130。舉例來說，元件基座130可滑接於載架101，並帶動導管110朝第一段部110a的延伸方向移動。基於此，當影像擷取元件210作動時，元件基座130可帶動導管110朝載架101移動，使導管110移出影像擷取元件210的視野範圍外（如圖3B所示）；相反地，當噴射元件100作動時，元件基座130可帶動導管110朝承載台50移動，使導管110進入影像擷取元件210的視野範圍並靠近欲移除的瑕疵320D（如圖3C所示）。
微型發光二極體檢修設備10還可包括移動機構240與控制單元250。在本實施例中，噴射元件100與影像擷取元件210係設置在同一移動機構240上，且移動機構240適於依據瑕疵320D的位置座標帶動噴射元件100（或影像擷取元件210）移動至瑕疵320D處（或者是承載台50上對應於瑕疵320D的目標位置）。然而，本發明不限於此，根據其他實施例，噴射元件100與影像擷取元件210也可分別設置於不同的移動機構240，以增加光學檢修設備的操作彈性。
在本實施例中，控制單元250例如是微控制器（microcontroller unit，MCU）。舉例而言，控制單元250係用以接收來自人機介面的設定指令，並依據預設定的製程參數或製程中即時回饋的參數值，驅使光學檢測模組60、噴射元件100與移動機構240以設定的流程進行作動。亦即，控制單元250可將影像擷取元件210、影像處理單元220、儲存單元230以及移動機構240的功能進行整合。以下將針對適用於微型發光二極體檢修設備10的光學檢修方法進行示例性地說明。
請參照圖2及圖3A，首先，提供微型發光二極體檢修設備10（步驟S401），並將待測物300（例如微型元件結構）放置在微型發光二極體檢修設備10的承載台50上（步驟S402）。舉例來說，可利用機械手臂取放或傳送帶流片的方式，將待測物300放置到承載台50上。在待測物300穩固地放置在承載台50上後，以光學檢測模組60對待測物300進行光學檢測，以確認待測物300是否存在至少一瑕疵320D（步驟S403）。倘若無任何瑕疵320D被檢測出，則待測物300可續流至後製程或直接出貨給客戶端；相反地，若確認有瑕疵320D被檢測到，則可進一步以光學檢測模組60取得其對應的位置座標（步驟S404），如圖2及圖3B所示。應可以理解的是，若被檢測到的瑕疵320D數量為多個，則可取得這些瑕疵320D的位置座標。
請參照圖2、圖3C及圖3D，接著，依據所取得的位置座標，令噴射元件100移動至承載台50對應瑕疵320D的目標位置。此時，導管110的第二段部110b的延伸軸線AX通過欲移除的瑕疵320D。據此，可確保通過噴嘴120的流體FD能有效率地流向瑕疵320D，有助於提升噴射元件100的瑕疵移除率，進而增加待測物300的修復良率。在噴射元件100定位於瑕疵320D後，驅使噴射元件100自噴嘴120射出一流體FD，且此流體FD朝瑕疵320D噴射，以將瑕疵320D自待測物300上移除（步驟S405）。在本實施例中，流體FD例如是壓縮空氣，但本發明不以此為限。根據其他實施例，流體FD也可以是具揮發性的高壓液體。
舉例來說，第二段部110b的延伸軸線AX可通過瑕疵320D的一側邊部，使瑕疵320D在遭受流體FD的沖擊下產生一轉動力矩，而以翻轉的方式離開載板310。也就是說，第二段部110b的延伸軸線AX不通過瑕疵320D的對稱軸線SA，其中瑕疵320D依對稱軸線SA呈現鏡像對稱。然而，本發明不限於此，根據其他實施例，第二段部110b的延伸軸線AX與瑕疵320D之間的定位關係也可根據待測物300的實際狀況（例如微型元件的構型與配置方式）而調整。在本實施例中，微型發光二極體檢修設備10還可包括吸集罩70。吸集罩70適於依據位置座標而移動至瑕疵320D處，且用以吸集被流體FD自待測物300上移除的瑕疵320D。具體而言，吸集罩70作動時，可產生吸入氣流，而自待測物300上移除的瑕疵320D可透過吸入氣流的帶動而進入連接吸集罩70的排出管路（如圖3D所示）。
特別說明的是，在本實施例中，雖然微型發光二極體檢修設備10是採用如圖2所示的檢修方法（即先檢測後維修的方式）。然而，微型發光二極體檢修設備10的影像擷取元件210與噴射元件100係設置在同一個移動機構240上。因此，當瑕疵320D被檢測到時，可立即使用噴射元件100將瑕疵320D自待測物300上移除。也就是說，微型發光二極體檢修設備10也可採用檢測與維修同步的方式進行操作。據此，可提升瑕疵移除的準確率（或修復良率），進而改善後製程的整體良率。在完成瑕疵320D的移除步驟後，可對待測物300進行另一次的光學檢測（步驟S403），以確認待測物300上是否還存有瑕疵320D。倘若仍有瑕疵320D未清除乾淨，則可重複上述的步驟S405與步驟S404以達到瑕疵零檢出或讓待測物300的瑕疵數量低於一容許量，致使待測物300可續流至後製程或直接出貨給客戶端。
請參照圖4A，噴射元件100的噴嘴120所占區域在方向D1上具有寬度W1（即噴嘴120的孔徑），瑕疵320D（或微型元件320）在方向D1上具有寬度W2。在本實施例中，寬度W1與寬度W2的比值可介於0.1至0.5之間。另一方面，在垂直於方向D1上，微型元件320具有一高度H，噴嘴120與瑕疵320D之間具有間距S。在本實施例中，間距S與高度H的比值大於0.2且小於等於2。若噴嘴120距離瑕疵320D太遠（例如間距S與高度H的比值大於2），氣流容易影響鄰近良好的微型元件320。若噴嘴120距離瑕疵320D太近（例如間距S與高度H的比值小於等於0.2），也不易將瑕疵320D移除。舉例而言，噴嘴120的孔徑（或寬度W1）可小於50μm。然而，本發明不限於此，根據其他實施例，噴射元件100的噴嘴120尺寸與配置方式也可根據微型元件320的尺寸與分布密度而調整。
從另一觀點來說，流體（例如流體FD1）的流速也可根據微型元件（例如微型元件320）的尺寸進行調整。舉例而言，當噴射元件100用於移除待測物300的瑕疵320D時，所產生的流體FD1大致上具有一流速ν1 （如圖4A所示）。另一方面，當噴設元件100用於移除待測物300A的瑕疵320AD（即微型元件320A）時，所產生的流體FD2大致上具有一流速ν2 （如圖4B所示）。由於瑕疵320AD的尺寸大於瑕疵320D的尺寸，因此流體FD2的流速ν2 可大於流體FD1的流速ν1 ，以提升瑕疵320AD移除的成功率。
圖5是本發明的另一實施例的噴射元件的操作示意圖。請參照圖5，本實施例的噴射元件100A與圖4A的噴設元件100的差異在於：導管與噴嘴的尺寸不同。在本實施例中，噴設元件100A的噴嘴120A所占區域在方向D1上具有寬度W3，且寬度W3大於圖4A的噴設元件100的噴嘴120所占區域在方向D1上的寬度W1。既使噴設元件100A所產生的流體FD3具有與圖4A的流體FD1大致上相同的流速ν1 ，且待測物300A的瑕疵320AD（或微型元件320A）尺寸大於圖4A的待測物300的瑕疵320D（或微型元件320）尺寸，噴設元件100A透過噴嘴120A尺寸的加大，使流體FD3與瑕疵320AD的接觸面積增加，致使瑕疵320AD產生足夠的轉動力矩而自待測物300A上移除。另一方面，在本實施例中，導管110A的管徑實質上可等於噴嘴120A的寬度W3，但本發明不以此為限。在其他實施例中，導管的管徑也可小於噴嘴的寬度。
圖6是本發明的又一實施例的噴射元件的操作示意圖。請參照圖6，本實施例的噴射元件100B與圖4A的噴射元件100的差異在於：本實施例的導管110C的第二段部110b的延伸軸線AX傾斜於微型元件320（或瑕疵320D）的頂面320s。亦即，第二段部110b的延伸軸線AX不垂直也不平行於微型元件320的頂面320s。舉例來說，第二段部110b的延伸軸線AX與微型元件320的頂面320s的法線方向之間具有夾角θ，且夾角θ可小於90度且大於等於10度，更佳地，夾角可小於80度且大於45度。據此，可提升噴射元件100B對瑕疵320D的移除成功率，並能確保鄰設的微型元件320在瑕疵320D移除的過程中不受影響，以增加瑕疵320D移除的準確率，進而提升待測物300的檢修良率。
圖7是本發明的另一實施例的微型發光二極體檢修設備的方塊圖。請參照圖7，本實施例的微型發光二極體檢修設備11與圖1的微型發光二極體檢修設備10的差異在於：光學檢測模組的組成不同。在本實施例中，光學檢測模組60A還可包括厚度偵測器260。此處的厚度偵測器260例如是白光干涉儀（white light interferometer），可用以量測待測物於承載台的目標位置上的高度資訊（例如厚度），甚至是待測物於一目標區域內的高度分布資訊（例如膜厚分布或表面粗糙度）。
綜上所述，在本發明的一實施例的微型發光二極體檢修設備及檢修方法中，利用光學檢測模組進行待測物的光學檢測，以取得瑕疵的位置座標，有助於確保噴射元件與瑕疵間的定位關係，進而提升瑕疵移除的準確率。另一方面，透過導管的第二段部的延伸軸線通過瑕疵，可使通過噴嘴的流體能有效率地流向瑕疵，以將瑕疵自待測物上移除。如此，有助於提升待測物的修復良率，進而改善後製程的整體良率。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10、11:微型發光二極體檢修設備 50:承載台 60、60A:光學檢測模組 70:吸集罩 100、100A、100B:噴射元件 101:載架 110、110A、110C:導管 110a:第一段部 110b:第二段部 120、120A:噴嘴 130:元件基座 210:影像擷取元件 211:透鏡模組 212:影像感測器 220:影像處理單元 230:儲存單元 240:移動機構 250:控制單元 260:厚度偵測器 300、300A:待測物 310:載板 320、320A:微型元件 320D、320AD:瑕疵 320s:頂面 AX:延伸軸線 D1:方向 FD、FD1、FD2、FD3:流體 H:高度 S:間距 S401、S402、S403、S404、S405:步驟 SA:對稱軸線 W1、W2、W3:寬度 ν1 、ν2 :流速
圖1是本發明的一實施例的微型發光二極體檢修設備的方塊圖。 圖2是本發明的一實施例的微型發光二極體檢修方法的流程圖。 圖3A至圖3D是本發明的一實施例的微型發光二極體檢修流程的示意圖。 圖4A及圖4B是本發明的一實施例的噴射元件於兩種操作狀態下的示意圖。 圖5是本發明的另一實施例的噴射元件的操作示意圖。 圖6是本發明的又一實施例的噴射元件的操作示意圖。 圖7是本發明的另一實施例的微型發光二極體檢修設備的方塊圖。
10:微型發光二極體檢修設備
50:承載台
60:光學檢測模組
70:吸集罩
100:噴射元件
101:載架
110:導管
110a:第一段部
110b:第二段部
120:噴嘴
130:元件基座
210:影像擷取元件
240:移動機構
250:控制單元
300:待測物
310:載板
320:微型元件
320D:瑕疵
320s:頂面
AX:延伸軸線
FD:流體
SA:對稱軸線

Claims (15)

  1. 一種微型發光二極體檢修設備，包括： 一承載台； 一光學檢測模組，對應該承載台設置以擷取一影像資訊，並由該影像資訊獲得一位置座標；以及 一噴射元件，適於依據該位置座標而移動至該承載台相對應的一目標位置，該噴射元件包括： 一導管，包括相連接的一第一段部與一第二段部，其中該第一段部的延伸方向不同於該第二段部的延伸方向，且該第二段部的一延伸軸線通過該目標位置；以及 一噴嘴，連接該導管的該第二段部的一端，其中流經該導管的一流體在通過該噴嘴後流噴向該目標位置。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體檢修設備，更包括： 一吸集罩，適於依據該位置座標而移動至該目標位置，並產生一吸入氣流。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體檢修設備，其中該光學檢測模組包括： 一影像擷取元件，用以擷取該影像資訊；以及 一影像處理單元，耦接至該影像擷取元件，並用以對該影像資訊進行分析，以獲得該位置座標。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的微型發光二極體檢修設備，更包括至少一移動機構，且該影像擷取元件與該噴射元件設置於該移動機構上，該移動機構適於帶動該影像擷取元件與該噴射元件相對於該承載台移動。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的微型發光二極體檢修設備，其中該影像擷取元件包括： 一透鏡模組；以及 一影像感測器，耦接至該影像處理單元，其中該透鏡模組位於該承載台與該影像感測器之間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體檢修設備，其中該光學檢測模組包括一厚度偵測器，用以量測該承載台的該目標位置的一高度資訊。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體檢修設備，其中該噴嘴與該導管為一體成型。
  8. 一種微型發光二極體檢修方法，包括： 提供一微型發光二極體檢修設備，該微型發光二極體檢修設備包括一承載台、一光學檢測模組以及一噴射元件，其中該光學檢測模組對應該承載台設置以擷取一影像資訊，並由該影像資訊獲得一位置座標，該噴射元件包括一導管以及連接該導管的一端的一噴嘴，該導管包括相連接的一第一段部與一第二段部，且該第一段部的延伸方向不同於該第二段部的延伸方向； 將一待測物放置在該微型發光二極體檢修設備的該承載台上，該待測物具有多個微型發光二極體； 以該光學檢測模組對該待測物上的該些微型發光二極體進行一光學檢測，以確認該些微型發光二極體是否存在至少一瑕疵； 確認該至少一瑕疵後，以該光學檢測模組取得該至少一瑕疵的該位置座標；以及 進行該至少一瑕疵的移除步驟，其中該噴射元件依據該位置座標移動至該承載台對應該至少一瑕疵的一目標位置，且該第二段部的一延伸軸線通過該目標位置，致使流經該導管的一流體在通過該噴嘴後流噴向該瑕疵，以將該瑕疵自該待測物上移除。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的微型發光二極體檢修方法，其中進行該至少一瑕疵的移除步驟更包括利用一吸集罩收集自該待測物上移除的該瑕疵。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的微型發光二極體檢修方法，更包括： 在完成該至少一瑕疵的移除步驟後，對該待測物進行另一光學檢測。
  11. 如申請專利範圍第8項所述的微型發光二極體檢修方法，其中該第二段部的該延伸軸線與該瑕疵的一頂面的法線方向之間具有一夾角，且該夾角介於10度至90度之間。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的微型發光二極體檢修方法，其中該第二段部的該延伸軸線垂直於該瑕疵的該頂面且不通過該瑕疵的一對稱軸線。
  13. 一種噴射元件，適於移除一微型元件，該噴射元件包括： 一導管，包括相連接的一第一段部與一第二段部，其中該第一段部的延伸方向不同於該第二段部的延伸方向；以及 一噴嘴，連接該導管的一端，其中流經該導管的一流體在通過該噴嘴後噴出。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的噴射元件，其中該噴嘴的孔徑小於50μm。
  15. 如申請專利範圍第13項所述的噴射元件，其中該噴嘴與該導管為一體成型。
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