TW202105582A - 基板容納裝置及其製造方法 - Google Patents

基板容納裝置及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202105582A
TW202105582A TW108127001A TW108127001A TW202105582A TW 202105582 A TW202105582 A TW 202105582A TW 108127001 A TW108127001 A TW 108127001A TW 108127001 A TW108127001 A TW 108127001A TW 202105582 A TW202105582 A TW 202105582A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
upward
substrate
downward
annular
base
Prior art date
Application number
TW108127001A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI705522B (zh
Inventor
莊家和
薛新民
邱銘乾
Original Assignee
家登精密工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 家登精密工業股份有限公司 filed Critical 家登精密工業股份有限公司
Priority to TW108127001A priority Critical patent/TWI705522B/zh
Priority to CN201910885011.5A priority patent/CN112309926A/zh
Priority to US16/704,086 priority patent/US11061339B2/en
Priority to KR1020200009322A priority patent/KR102312063B1/ko
Priority to JP2020011310A priority patent/JP2021022719A/ja
Application granted granted Critical
Publication of TWI705522B publication Critical patent/TWI705522B/zh
Publication of TW202105582A publication Critical patent/TW202105582A/zh
Priority to US17/343,025 priority patent/US11314176B2/en
Priority to JP2023086229A priority patent/JP2023118700A/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/66—Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/70741—Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70975—Assembly, maintenance, transport or storage of apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67376—Closed carriers characterised by sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67383—Closed carriers characterised by substrate supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67386—Closed carriers characterised by the construction of the closed carrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67359—Closed carriers specially adapted for containing masks, reticles or pellicles

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Library & Information Science (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

本發明提供一種基板容納裝置及其製造方法，該裝置用以容納一基板，包含：一基座，具有一周緣與一設置有複數接觸元件之朝上頂部水平面，該等接觸元件用以嚙合該基板，以保持該基板位於該朝上頂部水平面的上方，該朝上頂部水平面延伸出一環形朝上支撐面，且該環形朝上支撐面圍繞該等接觸元件且緊鄰該基座的該周緣；以及一上蓋，具有一環形朝下支撐面，且該環形朝下支撐面與該環形朝上支撐面以寬面接觸方式相配合，以在該基座與該上蓋之間界定一用於容納該基板之內腔，其中該環形朝下支撐面與該環形朝上支撐面相接觸時，該環形朝下、環形朝上支撐面與該基座之該朝上頂部水平面不在同一水平面上。

Description

基板容納裝置及其製造方法
本發明係關於一種用於儲存、運輸及處理如光罩及晶圓等基板之標準化機械介面（Standardized Mechanical Interface，SMIF）容器，特別是，本發明是一種具有微粒控制並保持潔淨之基板容納裝置及其製造方法。
在半導體製程中，微影技術(Lithography)係重要的製程處理之一，而於微影製程中用於如圖形化的光罩基板須保持潔淨，任何在製程中附著於光罩基板表面上的微粒，可能會損壞光罩的基板表面導致曝光的影像品質劣化，而影響最終產品的良莠，故光罩基板無論是在製造、加工、裝運、運輸、儲存的過程中，皆需要避免受到汙染，以及避免因碰撞或摩擦等產生微粒影響光罩基板的潔淨度。
考量到微粒對半導體製作之嚴重影響，光罩基板須存放於高度潔淨的光罩盒中進行運輸與儲存，但於微影製程中，光罩盒會因為環境、受衝擊與震動等因素，導致微粒會經由光罩盒的縫隙進入光罩盒中，尤其是光罩盒之蓋體與基座間的接觸面。考量到製程中光罩盒之操作，當光罩盒傳輸至機台，進行提取光罩而打開光罩盒之前，為了使工作環境達到無塵狀態，會有進氣與排氣等操作過程，此時微粒會因為光罩盒內外之壓力變化，而經由蓋體與基座之接觸面進入光罩盒中。
因此，製造習知光罩盒時，製程會切削加工蓋體與基座接觸之表面，使其表面粗糙度達到平整，但一般加工技術之瓶頸，加工表面粗糙度無法完全密封，使少數的微粒還是會藉由空氣的流動從縫隙移動至光罩盒內部，而為了增加蓋體與基座間的接觸面的密封程度，在加工製程須要進一步以拋光作業來提高表面平整度，而造成加工成本的增加。
請參考第一圖，顯示習知光罩盒之分解立體圖。習知光罩盒包含一上蓋10與一基座30，當上蓋10與基座30蓋合時，上蓋10與基座30之間形成一內腔，該內腔用以容納一光罩20。該光罩20具有一頂面21、一底面22，其中該底面22為一經圖案化表面。該光罩20收納於光罩盒時，該底面22係向下朝向該基座30。該基座30具有一朝上頂部水平面31，在該朝上頂部水平面31上分佈設置有複數接觸元件321、322，其中該接觸元件322呈柱狀，該等接觸元件322用以界定一光罩放置區域，該接觸元件321呈圓形頂面且位於該光罩放置區域內，該等接觸元件321用以支撐於該光罩20的底面22。該朝上頂部水平面31往四周邊緣水平延伸一具有一寬度之朝上支撐面33，該朝上支撐面33呈環形且圍繞於該等接觸元件321、322的外圍，用於支撐該上蓋10的蓋合。
請同時參考第二圖與第三圖，第二圖顯示第一圖所示習知光罩盒之剖面視圖，其中光罩以收納於蓋合的光罩盒內，第三圖顯示第二圖所示剖面視圖之右側局部放大圖。該上蓋10具有一頂面11與一底面12，其中該底面12的四周邊緣對應該基座30的環形朝上支撐面33，往下延伸一凸緣13以圍繞該底面12，該凸緣具有一朝下支撐面132，且該朝下支撐面132與該環形朝上支撐面33在該朝上頂部水平面31的同一水平面上彼此接觸。朝上支撐面33與該朝上頂部水平面31在加工的研磨或拋光作業下有一致的表面粗糙度，而為增加該朝下支撐面132與該環形朝上支撐面33間接觸面的密封程度，支撐面132、33也一致的表面粗糙度。
由於支撐面132、33的接觸面位於該朝上頂部水平面31的同一水平面上，使得微粒從接觸面的外側間隙進入到光罩盒內部空間隨著氣場流動以水平方向有最短路徑，俾使支撐面132、33的接觸結構不利於阻止微粒的前進。一般而言，須要藉由額外加工製程的研磨或拋光作業來增加接觸面的密封程度，該等接觸面具有達到0.50微吋平均粗糙度(RA)之表面粗糙度才可接受，而較佳範圍是0.2至0.4微吋平均粗糙度。這使得光罩盒的加工製程增加額外的時間，並且產量不易達到符合密封程度的良率。
故隨著微影製程技術越來越成熟，如極紫外光(EUV)之微影製程，對於防止微粒進入光罩盒的需求也越來越高。因此，本發明提供一種新穎的防微粒及汙染且易於製造之基板容納裝置及其製造方法，將有助於產業的利用性。
為解決習知光罩盒在上蓋與基座間接觸面結構不利於阻止微粒的前進，本發明的目的在於提供一種具有阻止微粒前進的接觸面結構之基板容納裝置及其製造方法。
達到本發明目的之一種基板容納裝置，用以容納例如光罩之一基板，該基板具有一頂面、一底面、四側面及四周角，包含：一基座，具有一周緣與一設置有複數接觸元件之朝上頂部水平面，該等接觸元件用以嚙合該基板，以保持該基板位於該朝上頂部水平面的上方，該朝上頂部水平面延伸出一環形朝上支撐面，且該環形朝上支撐面圍繞該等接觸元件且緊鄰該基座的該周緣；以及，一上蓋，具有一環形朝下支撐面，且該環形朝下支撐面與該環形朝上支撐面以寬面接觸方式相配合，以在該基座與該上蓋之間界定一用於容納該基板之內腔，其中該環形朝下支撐面與該環形朝上支撐面相接觸時，該環形朝下、環形朝上支撐面與該基座之該朝上頂部水平面不在同一水平面上。
達到本發明目的之一種基板容納裝置，用以容納一基板，包含：一基座，具有一頂面與一周緣，且該基座設置有複數接觸元件，該等接觸元件用以嚙合該基板，以保持該基板位於該頂面的上方，該頂面延伸出一朝上支撐面，且該朝上支撐面圍繞該等接觸元件且緊鄰該基座的該周緣，其中該朝上支撐面不平行於該頂面；以及，一上蓋，具有一底面與一圍繞該底面之凸緣，該凸緣具有一朝下支撐面，且該朝下支撐面與該朝上支撐面以面接觸方式相嚙合，以在該基座之該頂面與該上蓋之該底面之間容納該基板，其中該凸緣的該朝下支撐面與該底面之間形成不同高度。
達到本發明目的之一種基板容納裝置，用以容納一基板，該基板具有一頂面、一底面、四側面及四周角，包含：一基座，具有一周緣與一設置有複數接觸元件之頂面，該等接觸元件用以嚙合該基板，以保持該基板位於該頂面的上方，該頂面延伸出一朝上支撐面，且該朝上支撐面圍繞該等接觸元件且緊鄰該基座的該周緣，其中該朝上支撐面的至少一部份不是位於該頂面的同一水平面上；以及，一上蓋，具有一朝下支撐面，且該朝下支撐面與該朝上支撐面相嚙合，以在該基座與該上蓋之間界定一用於容納該基板之內腔。
達到本發明目的之一種基板容納裝置，包含：一基座，具有一頂面、一環形朝上支撐面與一介於該頂面與該環形朝上支撐面之間的槽道，且該基座設置有複數接觸元件，該等接觸元件用以嚙合該基板，以保持該基板位於該頂面的上方，其中該環形朝上支撐面的至少一部份與該頂面不在同一水平面上，且該槽道靠近該頂面之側壁的高度大於該槽道靠近該環形朝上支撐面之側壁的高度；以及，一上蓋，具有一底面與一圍繞該底面之凸緣，該凸緣具有一環形朝下支撐面，且該環形朝下支撐面與該環形朝上支撐面相配合，以在該基座之該頂面與該上蓋之該底面之間容納一基板，其中該凸緣的該環形朝下支撐面的一部份延伸到該基座的該槽道。
達到本發明目的之一種基板容納裝置，一基座，具有一頂面、一環形朝上支撐面與一介於該頂面與該環形朝上支撐面之間的槽道，且該基座設置有複數接觸元件，該等接觸元件用以保持該基板位於該頂面的上方，其中該朝上支撐面的至少一部份與該頂面不在同一水平面上；以及，一上蓋，具有一底面與一圍繞該底面之凸緣，該凸緣具有一朝下支撐面與一自該底面向下延伸至該朝下支撐面的內側面，且該朝下支撐面與該環形朝上支撐面相嚙合，以容納一基板介在該基座之該頂面與該上蓋之該底面之間，其中該凸緣之該內側面的高度大於該頂面與該底面之間的高度。
達到本發明目的之一種基板容納裝置，包含：一基座，具有一頂面、一朝上支撐面與一介於該頂面與該朝上支撐面之間的槽道，且該基座設置有複數接觸元件，該等接觸元件用以保持該基板位於該頂面的上方，其中該朝上支撐面的至少一部份與該頂面不在同一水平面上；以及，一上蓋，具有一底面與一朝下支撐面，且該朝下支撐面與該朝上支撐面以寬面接觸方式相配合，以容納一基板介在該基座與該上蓋之間，其中該朝下支撐面至該底面具有不同的高度。
達到本發明目的之一種一基板容納裝置的製造方法，包含：加工一基座，使該基座具有一頂面，且該頂面延伸出一環形朝上支撐面，其中該環形朝上支撐面的至少一部份不是位於該頂面的同一水平面上；設置複數接觸元件於該基座上，且該等接觸元件被該環形朝上支撐面所圍繞，該等接觸元件用以接觸一基板而保持該基板位於該頂面的上方；以及，加工一上蓋，使該上蓋具有一環形凸緣，其中該環形凸緣具有一環形朝下支撐面，且該環形凸緣的該環形朝下支撐面用以寬面接觸方式嚙合該基座的該環形朝上支撐面。
達到本發明目的之一種一基板容納裝置的製造方法，包含：加工一基座，使該基座具有一頂面、一朝上支撐面與一介於該頂面與該朝上支撐面之間的槽道，且該朝上支撐面的至少一部份不是位於該頂面的同一水平面上；設置複數接觸元件於該基座上，且該等接觸元件被該朝上支撐面所圍繞，該等接觸元件用以接觸一基板而保持該基板位於該頂面的上方；以及，加工一上蓋，使該上蓋具有一朝下支撐面，且該朝下支撐面用以面接觸方式嚙合該基座的該朝上支撐面。
根據本發明所實施的基板容納裝置及其製造方法，當上蓋與基座時，在上蓋與基座間接觸面結構使進入內腔的氣場流動方向不是在基座頂面的水平面上，且該等接觸面之表面粗糙度無須達到0.2至0.4微吋平均粗糙度，而仍能有效地阻止微粒的前進以達到防微粒及汙染且易於製造之基板容納裝置及其製造方法。
在本發明的第一種實施例中，基板容納裝置用以容納例如光罩之一基板20，該基板20具有一頂面21、一底面22、四側面及四周角。本發明基板容納裝置包含：一基座30與一上蓋10。本發明基板容納裝置的基座30與上蓋10與第一圖所示習知光罩盒之差異僅在於上蓋10與基座30間接觸面結構，其中習知光罩盒之接觸面結構是一平坦的水平面結構且位於該朝上頂部水平面31的同一水平面上，該等接觸面132、33與該朝上頂部水平面31有一致的表面粗糙度。本發明基板容納裝置之接觸面結構與該基座30之該朝上頂部水平面31不在同一水平面上。
在本發明第一種實施例中，基板容納裝置的基座30具有一周緣與一朝上頂部水平面31，其中該朝上頂部水平面31設置有分佈的複數接觸元件321、322用以支撐並限制基板20的四周角，以保持該基板20位於該朝上頂部水平面31的上方。該朝上頂部水平面31在該等接觸元件321、322的外圍向周緣延伸出且緊鄰該周緣的一環形朝上支撐面33。基板容納裝置的上蓋10具有一頂面11、一底面12與一圍繞該底面12且自該底面12往下延伸之凸緣13，其中該凸緣13具有一環形朝下支撐面132與一自該底面12向下延伸至該環形朝下支撐面132的內側面131。在該朝下支撐面132與該朝上支撐面33以寬面接觸方式嚙合時，由該基座30之該朝上頂部水平面31與該上蓋10之該底面12及凸緣13之內側面131界定一內腔用於容納一如光罩之基板20。
請參考第四A圖至第四D圖，顯示本發明第一種實施例之基板容納裝置，其接觸面結構的各種實施態樣的剖面視圖，其中接觸面結構係由該上蓋10之該朝下支撐面132與該基座30之該朝上支撐面33相接觸嚙合形成。請參考第四A圖與第四B圖所示，該朝上支撐面33自該朝上頂部水平面31所處之一水平面以一傾斜角往下延伸(如第四A圖)或往上延伸(如第四B圖)至該基座30的周緣，使該朝下支撐面132、該朝上支撐面33與該基座30之該朝上頂部水平面31不在同一水平面上。與該朝上支撐面33相接觸嚙合之該朝下支撐面132則對應自該凸緣13之內側面131下緣自該水平面以一傾斜角往下延伸(如第四A圖)或往上延伸(如第四B圖)，使該凸緣13自該底面12往下延伸不同的高度或厚度。因此，該朝下支撐面132與該朝上支撐面33之接觸面結構自該基座30的周緣到該朝上頂部水平面31的距離較第三圖所示的距離更長，將有助於阻止微粒自接觸面結構的外側(該基座30的周緣)前進到容納基板20之內腔。
請參考第四C圖所示，該朝上支撐面33自該朝上頂部水平面31所處之一水平面以連續的曲面起伏延伸至該基座30的周緣，使該朝下支撐面132、該朝上支撐面33的至少一部份與該基座30之該朝上頂部水平面31不在同一水平面上或不是彼此平行。與該朝上支撐面33相接觸嚙合之該朝下支撐面132則自該凸緣13之內側面131下緣自該水平面以連續對應的曲面向外側延伸(如第四C圖)，使該凸緣13自該底面12因應凹凸曲面往下延伸不同的高度或厚度。因此，該朝下支撐面132與該朝上支撐面33之接觸面結構自該基座30的周緣到該朝上頂部水平面31的距離較第三圖、第四A圖與第四B圖所示的距離更長，將更有助於阻止微粒自接觸面結構的外側(該基座30的周緣)前進到容納基板20之內腔。
請參考第四D圖所示，該朝上支撐面33自該朝上頂部水平面31所處之一水平面以連續的尖齒面起伏延伸至該基座30的周緣，使該朝下支撐面132、該朝上支撐面33的至少一部份與該基座30之該朝上頂部水平面31不在同一水平面上或不是彼此平行。與該朝上支撐面33相接觸嚙合之該朝下支撐面132則自該凸緣13之內側面131下緣自該水平面以連續對應的尖齒面向外側延伸，使該凸緣13自該底面12因應尖齒面往下延伸不同的高度或厚度。因此，該朝下支撐面132與該朝上支撐面33之接觸面結構自該基座30的周緣到該朝上頂部水平面31的距離較第三圖、第四A圖與第四B圖所示的距離更長，將更有助於阻止微粒自接觸面結構的外側(該基座30的周緣)前進到容納基板20之內腔。
請參考第五圖，顯示本發明第二種實施例之基板容納裝置之分解立體圖。在本發明的第二種實施例中，基板容納裝置用以容納例如光罩之一基板20，該基板20具有一頂面21、一底面22、四側面及四周角。本發明基板容納裝置包含：一基座40與一上蓋10。該基座40具有一頂面41、一環形朝上支撐面43與一介於該頂面40與該環形朝上支撐面43之間的環形槽道44，其中該頂面41與該環形朝上支撐面43之間形成一高度落差，且該環形槽道44具有一靠近該頂面41之側壁442、一靠近該環形朝上支撐面43之側壁441與一介於兩側壁441、442之間且具有一寬度的底部，其中該側壁442的高度大於該側壁441的高度，如第六A圖所示。該環形朝上支撐面43形成一寬面且介於該環形槽道44與該基座40的周緣之間。
在本發明的第二種實施例中，該基座40設置有分佈的複數接觸元件421、422用以嚙合該基板20，以保持該基板20位於該頂面41的上方。該等接觸元件422形成支柱狀以限制基板20的四周角，每一接觸元件421介於兩個接觸元件422之間且具有圓頂面，用以支撐基板20靠近四周角的底面22。兩個接觸元件422與一個接觸元件421可一體成型為單一組件，並使用四個單一組件安裝於該環形槽道44內且對應基板20的四周角的位置，如第五圖所示。在本發明的不同實施例中，第五圖所示接觸元件421、422亦可如第一圖所示接觸元件321、322設置於該基座40的頂面41對應基板20的四周角的位置處。
在本發明的第二種實施例中，該上蓋10具有一頂面11、一底面12與一圍繞該底面12且自該底面12往下延伸之凸緣13，其中該凸緣13具有一環形朝下支撐面132與一自該底面12向下延伸至該環形朝下支撐面132的內側面131。在該朝下支撐面132與該朝上支撐面43以寬面接觸方式嚙合時，由該基座40的頂面41與該上蓋10之底面12及凸緣13之內側面131界定一內腔用於容納一如光罩之基板20。
請參考第六A圖至第六F圖，顯示本發明第二種實施例之基板容納裝置，其接觸面結構的各種實施態樣的剖面視圖，其中接觸面結構係由該上蓋10之該朝下支撐面132與該基座40之該朝上支撐面43相接觸嚙合形成。請參考第四A圖所示，該朝上支撐面43自該環形槽道44之側壁441的上緣以平行該頂面41所處之一水平面往外側延伸至該基座40的周緣，使該朝上支撐面43與該基座40之該頂面41不在同一水平面的高度上。與該朝上支撐面43相接觸嚙合的該朝下支撐面132則對應自該凸緣13之內側面131下緣以平行該頂面41所處之一水平面往外側延伸。特別是，該凸緣13的朝下支撐面132的內側緣凸伸到該槽道44內，較佳地，朝下支撐面132的內側緣的凸伸量是該槽道44的至少一半的寬度。因此，該朝下支撐面132與該朝上支撐面43之接觸面結構自該基座40的周緣到該頂面41的距離較第三圖所示的距離更長，且該凸緣13之內側面131下緣低於該頂面41的高度，將有助於阻止微粒自接觸面結構的外側(該基座40的周緣)前進到容納基板20之內腔。
請參考第六B圖與第六C圖所示，該朝上支撐面43自該環形槽道44之側壁441的上緣以水平的往下傾斜角延伸(如第六B圖)或水平的往上傾斜角延伸(如第六C圖)至該基座40的周緣，使該朝上支撐面43與該基座40之該頂面41不在同一水平面上。與該朝上支撐面43相接觸嚙合之該朝下支撐面132則對應自該凸緣13之內側面131下緣以水平的往下傾斜角延伸(如第六B圖)或水平的往上傾斜角延伸(如第六C圖)，使該凸緣13自該底面12往下延伸不同的高度或厚度。特別是，該凸緣13的朝下支撐面132的內側緣凸伸到該槽道44內，較佳地，朝下支撐面132的內側緣的凸伸量是該槽道44的至少一半的寬度。因此，該朝下支撐面132與該朝上支撐面43之接觸面結構自該基座40的周緣到該頂面41的距離較第三圖所示的距離更長，且該凸緣13之內側面131下緣低於該頂面41的高度，將有助於阻止微粒自接觸面結構的外側(該基座40的周緣)前進到容納基板20之內腔。
請參考第六D圖所示，該朝上支撐面43自該環形槽道44之側壁441的上緣以連續的曲面起伏延伸至該基座40的周緣，使該朝上支撐面43與該基座40之該頂面41不在同一水平面上或不是彼此平行。與該朝上支撐面34相接觸嚙合之該朝下支撐面132則自該凸緣13之內側面131下緣以連續對應的曲面向外側延伸，使該凸緣13自該底面12因應凹凸曲面往下延伸不同的高度或厚度。特別是，該凸緣13的朝下支撐面132的內側緣凸伸到該槽道44內，較佳地，朝下支撐面132的內側緣的凸伸量是該槽道44的至少一半的寬度。因此，該朝下支撐面132與該朝上支撐面43之接觸面結構自該基座40的周緣到該頂面41的距離較第三圖、第六A圖與第六C圖所示的距離更長，且該凸緣13之內側面131下緣低於該頂面41的高度，將更有助於阻止微粒自接觸面結構的外側(該基座40的周緣)前進到容納基板20之內腔。
請參考第六E圖所示，該朝上支撐面43自該環形槽道44之側壁441的上緣以連續的尖齒面起伏延伸至該基座40的周緣，使該朝上支撐面43與該基座40之該頂面41不在同一水平面上或不是彼此平行。與該朝上支撐面34相接觸嚙合之該朝下支撐面132則自該凸緣13之內側面131下緣以連續對應的尖齒面向外側延伸，使該凸緣13自該底面12因應尖齒面往下延伸不同的高度或厚度。特別是，該凸緣13的朝下支撐面132的內側緣凸伸到該槽道44內，較佳地，朝下支撐面132的內側緣的凸伸量是該槽道44的至少一半的寬度。因此，該朝下支撐面132與該朝上支撐面43之接觸面結構自該基座40的周緣到該頂面41的距離較第三圖、第六A圖與第六C圖所示的距離更長，且該凸緣13之內側面131下緣低於該頂面41的高度，將更有助於阻止微粒自接觸面結構的外側(該基座40的周緣)前進到容納基板20之內腔。
請參考第六F圖所示，該朝上支撐面43自該環形槽道44之側壁441的上緣以連續的方齒面往外側延伸至該基座40的周緣，使該朝上支撐面43與該基座40之該頂面41不在同一水平面的高度上。與該朝上支撐面43相接觸嚙合的該朝下支撐面132則自該凸緣13之內側面131下緣以連續對應的方齒面往外側延伸。特別是，該凸緣13的朝下支撐面132的內側緣凸伸到該槽道44內，較佳地，朝下支撐面132的內側緣的凸伸量是該槽道44的至少一半的寬度。因此，該朝下支撐面132與該朝上支撐面43之接觸面結構自該基座40的周緣到該頂面41的距離較第三圖、第六A圖與第六E圖所示的距離更長，且該凸緣13之內側面131下緣低於該頂面41的高度，將有助於阻止微粒自接觸面結構的外側(該基座40的周緣)前進到容納基板20之內腔。
在本發明的第二種實施例中，基板容納裝置之接觸面結構較習知光罩盒更能有助於阻止微粒前進到容納基板20之內腔。因此，該基板容納裝置之上蓋10與基座40間接觸面的表面粗糙度無須到0.2至0.4微吋平均粗糙度，使得本發明光罩盒的製程無須增加額外的加工時間。本發明基板容納裝置之該朝下支撐面132與該朝上支撐面43的表面粗糙度即使介於1.57微吋至9.33微吋之間平均粗糙度，不同於該頂面41的表面粗糙度，仍能阻止微粒自接觸面結構的外側(該基座40的周緣)前進到容納基板20之內腔。
請參考第七圖，顯示本發明第二種實施例之基板容納裝置之氣場流動示意圖，其接觸面結構的實施態樣如第六A圖所示的剖面視圖。當本發明基板容納裝置外部壓力大於內部壓力時，該朝下支撐面132與該朝上支撐面43之間所產生的氣場流動，如第七圖所示計算流體力學(CFD)的模擬結果。由於該基座40的朝上支撐面43與頂面41之間形成槽道44，且靠近該頂面41之該側壁442的高度大於靠近該環形朝上支撐面43之該側壁441的高度，使得該凸緣13之內側面131下緣低於該頂面41的高度，又朝下支撐面132的內側緣的凸伸量是該槽道44的至少一半的寬度。因此，壓差形成的氣流在通過該朝上支撐面43與該朝下支撐面132間接觸面結構進入槽道44會形成擾流，但是擾流的氣流不易到達槽道44的底部，使得從接觸面結構所進入的微粒會掉落且停留在槽道44的底部，而有效地阻止微粒進入容納基板20之內腔。
10:上蓋 11:頂面 12:底面 13:凸緣 131:內側面 132:朝下支撐面(接觸面) 20:光罩、基板 21:頂面 22:底面 30:基座 31:朝上頂部水平面 321:接觸元件 322:接觸元件 33:朝上支撐面(接觸面) 40:基座 41:頂面 421:接觸元件 422:接觸元件 43:朝上支撐面(接觸面) 44:槽道 441:側壁 442:側壁
第一圖為習知光罩盒之分解立體圖。
第二圖為第一圖所示習知光罩盒之剖面視圖，其中光罩以收納於蓋合的光罩盒內。
第三圖為第二圖所示剖面視圖之右側的放大圖。
第四A圖至第四D圖為本發明第一種實施例之基板容納裝置，其接觸面結構的各種實施態樣的剖面視圖。
第五圖為本發明第二種實施例之基板容納裝置之分解立體圖。
第六A圖至第六F圖為本發明第二種實施例之基板容納裝置，其接觸面結構的各種實施態樣的剖面視圖。
第七圖為本發明第二種實施例之基板容納裝置之氣場流動示意圖。
10:上蓋
11:頂面
20:光罩、基板
21:頂面
40:基座
41:頂面
421:接觸元件
422:接觸元件
43:朝上支撐面(接觸面)
44:槽道

Claims (29)

  1. 一種基板容納裝置，用以容納一基板，該基板具有一頂面、一底面、四側面及四周角，包含： 一基座，具有一周緣與一設置有複數接觸元件之朝上頂部水平面，該等接觸元件用以嚙合該基板，以保持該基板位於該朝上頂部水平面的上方，該朝上頂部水平面延伸出一環形朝上支撐面，且該環形朝上支撐面圍繞該等接觸元件且緊鄰該基座的該周緣；以及 一上蓋，具有一環形朝下支撐面，且該環形朝下支撐面與該環形朝上支撐面以寬面接觸方式相配合，以在該基座與該上蓋之間界定一用於容納該基板之內腔，其中該環形朝下支撐面與該環形朝上支撐面相接觸時，該環形朝下、環形朝上支撐面與該基座之該朝上頂部水平面不在同一水平面上。
  2. 如請求項1所載之基板容納裝置，其中該環形朝上支撐面為一平坦的平面或一曲面，且該環形朝上、環形朝下支撐面具有表面粗糙度，該環形朝上支撐面的表面粗糙度高於該朝上頂部水平面之表面粗糙度。
  3. 如請求項2所載之基板容納裝置，其中該環形朝下、環形朝上支撐面相配合，且由該環形朝下、環形朝上支撐面的表面粗糙度使兩支撐面的間距平均落於0.005mm至0.03mm。
  4. 一種基板容納裝置，用以容納一基板，包含： 一基座，具有一頂面與一周緣，且該基座設置有複數接觸元件，該等接觸元件用以嚙合該基板，以保持該基板位於該頂面的上方，該頂面延伸出一朝上支撐面，且該朝上支撐面圍繞該等接觸元件且緊鄰該基座的該周緣，其中該朝上支撐面不平行於該頂面；以及 一上蓋，具有一底面與一圍繞該底面之凸緣，該凸緣具有一朝下支撐面，且該朝下支撐面與該朝上支撐面以面接觸方式相嚙合，以在該基座之該頂面與該上蓋之該底面之間容納該基板，其中該凸緣的該朝下支撐面與該底面之間形成不同高度。
  5. 一種基板容納裝置，用以容納一基板，該基板具有一頂面、一底面、四側面及四周角，包含： 一基座，具有一周緣與一設置有複數接觸元件之頂面，該等接觸元件用以嚙合該基板，以保持該基板位於該頂面的上方，該頂面延伸出一朝上支撐面，且該朝上支撐面圍繞該等接觸元件且緊鄰該基座的該周緣，其中該朝上支撐面的至少一部份不是位於該頂面的同一水平面上；以及 一上蓋，具有一朝下支撐面，且該朝下支撐面與該朝上支撐面相嚙合，以在該基座與該上蓋之間界定一用於容納該基板之內腔。
  6. 如請求項4或5所載之基板容納裝置，其中該朝上、朝下支撐面具有表面粗糙度，該朝上支撐面為一平坦的平面或一曲面，且該朝上支撐面表面粗糙度高於該頂面之表面粗糙度。
  7. 如請求項6所載之基板容納裝置，其中該朝下、朝上支撐面相配合，且由該朝下、朝上支撐面的表面粗糙度使兩支撐面的間距平均落於0.005mm至0.03mm。
  8. 一種基板容納裝置，包含： 一基座，具有一頂面、一環形朝上支撐面與一介於該頂面與該環形朝上支撐面之間的槽道，且該基座設置有複數接觸元件，該等接觸元件用以嚙合該基板，以保持該基板位於該頂面的上方，其中該環形朝上支撐面的至少一部份與該頂面不在同一水平面上，且該槽道靠近該頂面之側壁的高度大於該槽道靠近該環形朝上支撐面之側壁的高度；以及 一上蓋，具有一底面與一圍繞該底面之凸緣，該凸緣具有一環形朝下支撐面，且該環形朝下支撐面與該環形朝上支撐面相配合，以在該基座之該頂面與該上蓋之該底面之間容納一基板，其中該凸緣的該環形朝下支撐面的一部份延伸到該基座的該槽道。
  9. 如請求項8所載之基板容納裝置，其中該環形朝下、環形朝上支撐面為相嚙合之一平坦的平面或一曲面，且該環形朝下、環形朝上支撐面具有一表面粗糙度，該環形朝上支撐面表面粗糙度高於該頂面之表面粗糙度。
  10. 如請求項9所載之基板容納裝置，其中該環形朝下、環形朝上支撐面相嚙合，且由該環形朝下、環形朝上支撐面的表面粗糙度使兩支撐面的間距平均落於0.005mm至0.03mm。
  11. 如請求項8所載之基板容納裝置，其中該環形朝下支撐面凸伸該槽道靠近該環形朝上支撐面之側壁。
  12. 如請求項11所載之基板容納裝置，其中該環形朝下支撐面凸伸該側壁之凸伸量至少大於該槽道之寬度的一半。
  13. 如請求項8所載之基板容納裝置，其中該等接觸元件設置於該槽道內，且每一接觸元件的頂面高度大於該槽道靠近該頂面之側壁的高度。
  14. 如請求項8所載之基板容納裝置，其中該環形朝上支撐面平行於該頂面。
  15. 一種基板容納裝置，包含： 一基座，具有一頂面、一環形朝上支撐面與一介於該頂面與該環形朝上支撐面之間的槽道，且該基座設置有複數接觸元件，該等接觸元件用以保持該基板位於該頂面的上方，其中該朝上支撐面的至少一部份與該頂面不在同一水平面上；以及 一上蓋，具有一底面與一圍繞該底面之凸緣，該凸緣具有一朝下支撐面與一自該底面向下延伸至該朝下支撐面的內側面，且該朝下支撐面與該環形朝上支撐面相嚙合，以容納一基板介在該基座之該頂面與該上蓋之該底面之間，其中該凸緣之該內側面的高度大於該頂面與該底面之間的高度。
  16. 一種基板容納裝置，包含： 一基座，具有一頂面、一朝上支撐面與一介於該頂面與該朝上支撐面之間的槽道，且該基座設置有複數接觸元件，該等接觸元件用以保持該基板位於該頂面的上方，其中該朝上支撐面的至少一部份與該頂面不在同一水平面上；以及 一上蓋，具有一底面與一朝下支撐面，且該朝下支撐面與該朝上支撐面以寬面接觸方式相配合，以容納一基板介在該基座與該上蓋之間，其中該朝下支撐面至該底面具有不同的高度。
  17. 如請求項15或16所載之基板容納裝置，其中該朝上、朝下支撐面具有表面粗糙度，該朝上支撐面為一平坦的平面或一曲面，，該朝上表面粗糙度高於該頂面之表面粗糙度。
  18. 如請求項17所載之基板容納裝置，其中該朝下、朝上支撐面相嚙合，且由該朝下、朝上支撐面的表面粗糙度使兩支撐面的間距平均落於0.005mm至0.03mm。
  19. 如請求項16所載之基板容納裝置，其中該朝下支撐面凸伸該槽道靠近該環形朝上支撐面之側壁。
  20. 如請求項19所載之基板容納裝置，其中該朝下支撐面凸伸該側壁之凸伸量至少大於該槽道之寬度的一半。
  21. 如請求項15或16所載之基板容納裝置，其中該等接觸元件設置於該槽道內，且每一接觸元件的頂面高度大於該槽道靠近該頂面之側壁的高度。
  22. 如請求項15或16所載之基板容納裝置，其中該朝上支撐面平行於該頂面。
  23. 一種一基板容納裝置的製造方法，包含： 加工一基座，使該基座具有一頂面，且該頂面延伸出一環形朝上支撐面，其中該環形朝上支撐面的至少一部份不是位於該頂面的同一水平面上； 設置複數接觸元件於該基座上，且該等接觸元件被該環形朝上支撐面所圍繞，該等接觸元件用以接觸一基板而保持該基板位於該頂面的上方；以及 加工一上蓋，使該上蓋具有一環形凸緣，其中該環形凸緣具有一環形朝下支撐面，且該環形凸緣的該環形朝下支撐面用以寬面接觸方式嚙合該基座的該環形朝上支撐面。
  24. 一種一基板容納裝置的製造方法，包含： 加工一基座，使該基座具有一頂面、一朝上支撐面與一介於該頂面與該朝上支撐面之間的槽道，且該朝上支撐面的至少一部份不是位於該頂面的同一水平面上； 設置複數接觸元件於該基座上，且該等接觸元件被該朝上支撐面所圍繞，該等接觸元件用以接觸一基板而保持該基板位於該頂面的上方；以及 加工一上蓋，使該上蓋具有一朝下支撐面，且該朝下支撐面用以面接觸方式嚙合該基座的該朝上支撐面。
  25. 如請求項23或24所載之製造方法，其中該等接觸元件設置於該頂面，且分別位於或鄰近該頂面的對角線。
  26. 如請求項24所載之製造方法，其中該等接觸元件設置於該槽道內，且分別位於或鄰近該基座的對角線。
  27. 如請求項23或24所載之製造方法，進一步包含： 分別加工該頂面與該朝上支撐面，使該朝上支撐面之表面粗糙度高於該頂面之表面粗糙度。
  28. 如請求項23或24所載之製造方法，進一步包含： 加工該朝上支撐面為一平坦的平面或一曲面，且該朝上支撐面的表面粗糙度介於0.5微吋至10微吋之間。
  29. 如請求項23或24所載之製造方法，進一步包含： 加工該朝上支撐面與該朝下支撐面，使該朝下、朝上支撐面為相嚙合之一平坦的平面或一曲面。
TW108127001A 2019-07-30 2019-07-30 基板容納裝置及其製造方法 TWI705522B (zh)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW108127001A TWI705522B (zh) 2019-07-30 2019-07-30 基板容納裝置及其製造方法
CN201910885011.5A CN112309926A (zh) 2019-07-30 2019-09-19 基板容纳装置及其制造方法
US16/704,086 US11061339B2 (en) 2019-07-30 2019-12-05 Apparatus for containing a substrate and method of manufacturing the apparatus
KR1020200009322A KR102312063B1 (ko) 2019-07-30 2020-01-23 기판을 보유하기 위한 기기 및 상기 기기를 제조하는 방법
JP2020011310A JP2021022719A (ja) 2019-07-30 2020-01-28 基板を収容するための装置およびこの装置を製造する方法
US17/343,025 US11314176B2 (en) 2019-07-30 2021-06-09 Apparatus for containing a substrate and method of manufacturing the apparatus
JP2023086229A JP2023118700A (ja) 2019-07-30 2023-05-25 基板を収容するための装置およびこの装置を製造する方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW108127001A TWI705522B (zh) 2019-07-30 2019-07-30 基板容納裝置及其製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI705522B TWI705522B (zh) 2020-09-21
TW202105582A true TW202105582A (zh) 2021-02-01

Family

ID=74091554

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108127001A TWI705522B (zh) 2019-07-30 2019-07-30 基板容納裝置及其製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11061339B2 (zh)
JP (2) JP2021022719A (zh)
KR (1) KR102312063B1 (zh)
CN (1) CN112309926A (zh)
TW (1) TWI705522B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWD209117S (zh) * 2019-08-02 2021-01-01 家登精密工業股份有限公司 光罩傳送盒之上蓋
TWD209927S (zh) * 2019-08-02 2021-02-21 家登精密工業股份有限公司 光罩傳送盒之上蓋
TW202414078A (zh) * 2022-08-17 2024-04-01 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 具有減少邊緣構建之電鍍之光罩容器

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3200776B2 (ja) * 1992-08-06 2001-08-20 大日本印刷株式会社 基板保持用ケース
US6906783B2 (en) * 2002-02-22 2005-06-14 Asml Holding N.V. System for using a two part cover for protecting a reticle
JP2006173273A (ja) * 2004-12-14 2006-06-29 Miraial Kk レチクル搬送容器
US7607543B2 (en) * 2005-02-27 2009-10-27 Entegris, Inc. Reticle pod with isolation system
JP4694299B2 (ja) * 2005-08-05 2011-06-08 信越ポリマー株式会社 ペリクル用収納容器
TWI391304B (zh) * 2005-09-27 2013-04-01 Entegris Inc 光罩盒
TWI485796B (zh) * 2008-11-21 2015-05-21 Gudeng Prec Industral Co Ltd 容置薄板之容器
JP5823040B2 (ja) * 2011-07-22 2015-11-25 エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
TW201331103A (zh) * 2012-01-31 2013-08-01 Gudeng Prec Ind Co Ltd 逆止閥
JP5684752B2 (ja) * 2012-03-29 2015-03-18 信越化学工業株式会社 ペリクル収納容器
JP6275067B2 (ja) * 2015-02-24 2018-02-07 信越化学工業株式会社 ペリクル収納容器
WO2017139490A1 (en) * 2016-02-09 2017-08-17 Entegris, Inc. Substrate shipper
WO2018044678A1 (en) * 2016-08-27 2018-03-08 Entegris, Inc. Reticle pod having side containment of reticle
US10670976B2 (en) * 2017-01-25 2020-06-02 Gudeng Precision Industrial Co., Ltd EUV reticle pod
KR102134639B1 (ko) * 2017-08-14 2020-07-17 구뎅 프리시젼 인더스트리얼 코포레이션 리미티드 기밀성 측정 방법과 시스템 및 이로 측정되는 용기
US11237477B2 (en) * 2017-09-29 2022-02-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Reticle container
TWI690771B (zh) * 2018-01-11 2020-04-11 家登精密工業股份有限公司 光罩壓抵單元及應用其之極紫外光光罩容器

Also Published As

Publication number Publication date
US11314176B2 (en) 2022-04-26
CN112309926A (zh) 2021-02-02
US20210033989A1 (en) 2021-02-04
US20210294221A1 (en) 2021-09-23
JP2023118700A (ja) 2023-08-25
TWI705522B (zh) 2020-09-21
JP2021022719A (ja) 2021-02-18
KR102312063B1 (ko) 2021-10-14
KR20210015604A (ko) 2021-02-10
US11061339B2 (en) 2021-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI666510B (zh) 極紫外光光罩容器
TWI705522B (zh) 基板容納裝置及其製造方法
JP7041722B2 (ja) 非封止型レチクル貯蔵器具
US10522379B2 (en) Substrate transfer apparatus
TWI802907B (zh) 具有防碰撞間隙結構的光罩盒
TWI526377B (zh) 晶圓傳送盒
US11249392B2 (en) EUV reticle pod
TWI687760B (zh) 具有擾流結構的光罩盒
US8573264B2 (en) Reticle pod having function of gas exchange
TWI812968B (zh) 工件容器系統
US20220382143A1 (en) Particle prevention method in reticle pod
TW201532909A (zh) 隔離式搬運盒之密合結構
JP2014053425A (ja) マスク用ポッドおよび半導体装置の製造方法
TWI773536B (zh) 基板容器系統
US20230176472A1 (en) Lithographic method by using a photomask contained in a transparent pod
TW202141173A (zh) 用來裝載工件的容器
JP2024092964A (ja) 基板収納ケースおよび基板収納体
JP2009179351A (ja) マスクブランク収納ケース及びマスクブランクの収納方法、並びにマスクブランク収納体
TW201945259A (zh) 半導體積體電路零件用托盤及其製造方法
JP2018163955A (ja) 基板収納装置