TW202104870A - 拾取性的評估方法、切晶-黏晶一體型膜、切晶-黏晶一體型膜的評估方法和選別方法以及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

拾取性的評估方法、切晶-黏晶一體型膜、切晶-黏晶一體型膜的評估方法和選別方法以及半導體裝置的製造方法 Download PDF

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木村尚弘
大久保恵介
尾崎義信
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日商日立化成股份有限公司
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Abstract

本揭示的拾取性的評估方法包括：準備作為評估對象的切晶-黏晶一體型膜的步驟，所述切晶-黏晶一體型膜依序包括基材層、黏著劑層及接著劑層；於剝離角度30°的條件下測定黏著劑層對於接著劑層的黏著力的第一測定步驟；對切晶-黏晶一體型膜的接著劑層黏貼厚度10 μm～100 μm的晶圓的步驟；將晶圓及接著劑層單片化為面積為9 mm2 以下的帶有接著劑片的晶片的步驟；以及將帶有接著劑片的晶片的中央部自基材層側壓入，測定帶有接著劑片的晶片的邊緣自黏著劑層剝離時的邊緣剝離強度的第二測定步驟。

Description

拾取性的評估方法、切晶-黏晶一體型膜、切晶-黏晶一體型膜的評估方法和選別方法以及半導體裝置的製造方法
本揭示是有關於一種拾取性的評估方法、切晶-黏晶一體型膜、切晶-黏晶一體型膜的評估方法和選別方法以及半導體裝置的製造方法。
半導體裝置是經過以下的步驟而製造。首先，於將切晶用黏著膜貼附於晶圓的狀態下實施切晶步驟。其後，實施擴張（expand）步驟、拾取（pickup）步驟、安裝（mounting）步驟及黏晶（die bonding）步驟等。
於半導體裝置的製造製程中，使用被稱為切晶-黏晶一體型膜的膜（參照專利文獻1、專利文獻2）。該膜具有依序積層有基材層、黏著劑層及接著劑層的結構，例如以如下方式使用。首先，於對晶圓貼附接著劑層側的面且同時利用切晶環（dicing ring）將晶圓固定的狀態下，對晶圓進行切晶。藉此，將晶圓單片化為多個晶片（chip）。繼而，藉由對黏著劑層照射紫外線而減弱黏著劑層相對於接著劑層的黏著力後，將晶片連同接著劑層單片化而成的接著劑片，自黏著劑層一併拾取。其後，經過經由接著劑片而將晶片安裝於基板等的步驟來製造半導體裝置。以下，視情況而將晶片與接著劑片的積層體稱為「帶有接著劑片的晶片」。
將如上所述般藉由紫外線的照射而黏著力變弱的黏著劑層（切晶膜）稱為紫外線（ultraviolet，UV）硬化型。與此相對，將於半導體裝置的製造製程中不照射紫外線而黏著力保持固定的黏著劑層稱為感壓型。具備感壓型的黏著劑層的切晶-黏晶一體型膜具有如下優點：無需由用戶（主要為半導體裝置製造商）來實施照射紫外線的步驟，而且不需要用於該步驟的設備。專利文獻3揭示一種切晶-黏晶膜，其就黏著劑層含有藉由紫外線而硬化的成分的方面而言可謂UV硬化型，另一方面，就僅對黏著劑層的規定部分預先照射紫外線，用戶無需於半導體裝置的製造製程中照射紫外線的方面而言亦可謂感壓型。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2012-069586號公報 [專利文獻2]日本專利特開2014-135469號公報 [專利文獻3]日本專利第4443962號公報
[發明所欲解決之課題] 切晶-黏晶一體型膜的黏著劑層要求於切晶步驟中對於接著劑層及切晶環的黏著力高。若黏著劑層的黏著力不充分，則產生：伴隨切晶刀片的高速旋轉而於接著劑層與黏著劑層之間產生剝離，帶有接著劑片的晶片飛散的現象（以下將其稱為「DAF飛散」；DAF為晶片黏附膜（die attach film））；或者切晶環因切削水的水流而自黏著劑層剝離的現象（以下將該現象稱為「環剝落」）。另一方面，於拾取步驟中，就優異的拾取性的觀點而言，黏著劑層對於接著劑層的黏著力要求在某種程度上低。若黏著劑層的黏著力過強，則帶有接著劑片的晶片不會自黏著劑層剝離而產生拾取不良，或者產生晶片破裂，成品率降低。
但本發明者等人發現，於藉由切晶來將晶圓單片化為小晶片（例如俯視下面積為9 mm2 以下）的情況下，於之後的拾取步驟中，顯示出就先前的見解而言特異的拾取行為。即，若較大尺寸（例如縱8 mm×橫6 mm）的晶片為拾取對象，則即便使黏著劑層的黏著力下降至可達成優異的拾取性的程度，於拾取對象為小晶片的情況下亦會產生拾取性不充分的現象。本發明者等人對其主要原因進行了深入研究，結果，獲得以下見解，即，於小晶片的情況下，晶片的邊緣自黏著劑層的剝離（以下稱為「邊緣剝離」）是拾取性的支配因素。
根據本發明者等人的研究，推測於較大尺寸的晶片的情況下，相較於晶片的邊緣，晶片表面與黏著劑層的界面的剝離（以下稱為「界面剝離」）是拾取性的支配因素。即，於藉由利用上推夾具的銷自下方對晶片的中心部進行上推而拾取大晶片（例如俯視下面積超過20 mm2 ）的情況下，伴隨銷的上升，雖然黏著劑層與接著劑片的界面剝離自晶片的邊緣向中央部分進展，但若黏著劑層對於接著劑層的黏著力過大，則界面剝離無法追上銷的上升，從而晶片產生破裂或容易產生拾取失誤。即，本發明者等人發現，大晶片的拾取性主要受黏著劑層與接著劑片的界面剝離支配，黏著劑層的黏著力應設定為盡可能小的值（例如小於1.2 N/25 mm）。
與此相對，本發明者等人發現，小晶片的拾取性主要受帶有接著劑片的晶片的邊緣剝離強度支配，若因由銷所致的上推而邊緣的剝離一旦產生，則其後黏著劑層與接著劑片的界面剝離順利地進展。因此，即便黏著劑層的黏著力較強，於小晶片的情況下亦可達成優異的拾取性。另外，藉由黏著劑層的黏著力較強，可充分地抑制切晶步驟中的DAF飛散。
本發明者等人進一步進行研究，結果，獲得以下見解，即，若黏著劑層對於接著劑片的黏著力超過3.0 N/25 mm，則即便為小晶片，界面剝離亦不易發展，存在拾取失誤增加的傾向。基於該見解，本發明者等人查明，藉由將邊緣剝離強度抑制為1.2 N以下，並且將黏著劑層的黏著力設為3.0 N/25 mm以下，可獲得更優異的拾取性。
本揭示提供一種考量了小晶片（面積為9 mm2 以下）的邊緣剝離及界面剝離的影響的切晶-黏晶一體型膜的評估方法和選別方法。另外，本揭示提供一種考量了小晶片的邊緣剝離及界面剝離的影響的拾取性的評估方法、以及小晶片的拾取性優異的切晶-黏晶一體型膜及使用其的半導體裝置的製造方法。 [解決課題之手段]
本揭示的一方面是有關於一種切晶-黏晶一體型膜的評估方法。該評估方法用於評估應用於半導體裝置製造製程中的切晶-黏晶一體型膜的拾取性，所述半導體裝置製造製程包括將晶圓單片化為面積為9 mm2 以下的多個晶片的步驟。該評估方法包括以下的（A）步驟～（E）步驟，當（B）步驟中所測定的剝離強度（黏著劑層的黏著力）為3.0 N/25 mm以下且（E）步驟中所測定的邊緣剝離強度為1.2 N以下時，判定為切晶-黏晶一體型膜具有良好的拾取性。 （A）準備作為評估對象的切晶-黏晶一體型膜的步驟，所述切晶-黏晶一體型膜包括基材層、黏著劑層及接著劑層，所述黏著劑層具有與基材層相向的第一面及其相反側的第二面，所述接著劑層以覆蓋黏著劑層的第二面的中央部的方式設置； （B）第一測定步驟，於溫度23℃下、剝離角度30°及剝離速度60 mm/分鐘的條件下，測定黏著劑層自接著劑層的剝離強度； （C）對切晶-黏晶一體型膜的接著劑層黏貼厚度50 μm的矽晶圓，同時對黏著劑層的第二面黏貼切晶環的步驟； （D）將矽晶圓及接著劑層單片化為多個帶有接著劑片的晶片，獲得邊的長度為2 mm的正方形的帶有接著劑片的晶片的步驟； （E）第二測定步驟，於溫度23℃下將帶有接著劑片的晶片的中央部以60 mm/分鐘的速度自基材層側壓入，測定帶有接著劑片的晶片的邊緣自黏著劑層剝離時的邊緣剝離強度。
根據本發明者等人的研究，藉由於所述條件（矽晶圓的厚度及帶有接著劑片的晶片的尺寸等）下測定邊緣剝離強度，可獲得再現性足夠高的測定結果。另外，藉由於剝離角度30°的條件下測定黏著劑層自接著劑層的剝離強度，可判斷界面剝離性的好壞。因此，即便實際上不利用半導體裝置的製造中使用的黏晶裝置進行拾取，亦可有效率地評估切晶-黏晶一體型膜的拾取性。該評估方法例如在當半導體裝置的製造製程有某些變更時，可有效率地選擇適於新的製造製程的切晶-黏晶一體型膜的方面有用。
本揭示的一方面可為對使用切晶-黏晶一體型膜的半導體裝置製造製程中的拾取性進行評估者。該評估方法包括以下步驟。 （i）準備作為評估對象的切晶-黏晶一體型膜的步驟，所述切晶-黏晶一體型膜包括基材層、黏著劑層及接著劑層，所述黏著劑層具有與基材層相向的第一面及其相反側的第二面，所述接著劑層以覆蓋黏著劑層的第二面的中央部的方式設置； （ii）第一測定步驟，於剝離角度30°的條件下，測定黏著劑層自接著劑層的剝離強度； （iii）對切晶-黏晶一體型膜的接著劑層黏貼厚度10 μm～100 μm的晶圓，同時對黏著劑層的第二面黏貼切晶環的步驟； （iv）將晶圓及接著劑層單片化為面積為9 mm2 以下的帶有接著劑片的晶片的步驟； （v）第二測定步驟，將帶有接著劑片的晶片的中央部自基材層側壓入，並測定帶有接著劑片的晶片的邊緣自黏著劑層剝離時的邊緣剝離強度。
本揭示的一方面是有關於一種切晶-黏晶一體型膜。該切晶-黏晶一體型膜包括：基材層；黏著劑層，具有與基材層相向的第一面及其相反側的第二面；以及接著劑層，以覆蓋黏著劑層的第二面的中央部的方式設置，且於溫度23℃下、剝離角度30°及剝離速度60 mm/分鐘的條件下進行測定，黏著劑層自接著劑層的剝離強度為3.0 N/25 mm以下且經過以下步驟而測定的邊緣剝離強度為1.2 N以下。 ＜邊緣剝離強度的測定＞ ･對接著劑層黏貼厚度50 μm的矽晶圓，同時對黏著劑層的第二面黏貼切晶環的步驟； ･將矽晶圓及接著劑層單片化為多個帶有接著劑片的晶片，獲得邊的長度為2 mm的正方形的帶有接著劑片的晶片的步驟； ･於溫度23℃下將帶有接著劑片的晶片的中央部以60 mm/分鐘的速度自基材層側壓入，測定帶有接著劑片的晶片的邊緣自黏著劑層剝離時的邊緣剝離強度的步驟。
所述切晶-黏晶一體型膜藉由帶有接著劑片的晶片（尺寸：2 mm×2 mm）的邊緣剝離強度為1.2 N以下且黏著劑層自接著劑層的剝離強度為3.0 N/25 mm以下，可於包括將晶圓單片化為面積為9 mm2 以下的多個晶片的步驟的半導體裝置製造製程中達成優異的拾取性。
於藉由刀片切晶而將接著劑層與晶圓一起單片化的情況下，於接著劑層的邊緣容易產生毛刺，有帶有接著劑片的晶片的邊緣剝離強度提高的傾向。所述切晶-黏晶一體型膜較佳為即便於藉由刀片切晶而獲得多個帶有接著劑片的晶片的情況下，亦分別滿足帶有接著劑片的晶片的邊緣剝離強度及界面剝離強度的條件。為了使切晶-黏晶一體型膜滿足該些條件，例如只要適當採用以下技術手段即可。 ･藉由使接著劑層為較高黏度（高彈性）或薄膜化（例如60 μm以下），來提高刀片切晶時的接著劑層的切削性。 ･藉由變更黏著劑層的成分（例如交聯劑或光聚合起始劑）的量，來使黏著劑層為較高彈性，或調整黏著力。 ･減小基材層的斷裂伸長率。 ･使黏著劑層厚膜化（例如30 μm以上），以免於刀片切晶時切入至基材層。
本揭示的一方面是有關於一種半導體裝置的製造方法。該製造方法包括：準備所述切晶-黏晶一體型膜的步驟；對切晶-黏晶一體型膜的接著劑層黏貼晶圓，同時對黏著劑層的第二面黏貼切晶環的步驟；將晶圓及接著劑層單片化為面積為9 mm2 以下的多個帶有接著劑片的晶片的步驟；自黏著劑層拾取帶有接著劑片的晶片的步驟；以及將帶有接著劑片的晶片安裝於基板或者其他晶片上的步驟。根據該半導體裝置的製造方法，可達成帶有接著劑片的晶片的優異的拾取性，可以足夠高的良率製造半導體裝置。
本揭示的一方面是有關於一種切晶-黏晶一體型膜的選別方法。根據以下選別方法，可有效率地選別能夠以高良率製造半導體裝置的切晶-黏晶一體型膜。切晶-黏晶一體型膜的選別方法的第一態樣包括：準備兩種以上的切晶-黏晶一體型膜的步驟，所述兩種以上的切晶-黏晶一體型膜分別包括基材層、黏著劑層及接著劑層，所述黏著劑層具有與基材層相向的第一面及其相反側的第二面，所述接著劑層以覆蓋黏著劑層的第二面的中央部的方式設置；以及比較兩種以上的切晶-黏晶一體型膜的黏著劑層自接著劑層的剝離強度及邊緣剝離強度的步驟。
切晶-黏晶一體型膜的選別方法的第二態樣包括：準備多個切晶-黏晶一體型膜的步驟，所述多個切晶-黏晶一體型膜分別包括基材層、黏著劑層及接著劑層，所述黏著劑層具有與基材層相向的第一面及其相反側的第二面，所述接著劑層以覆蓋黏著劑層的第二面的中央部的方式設置，且於溫度23℃下、剝離角度30°及剝離速度60 mm/分鐘的條件下進行測定，黏著劑層自接著劑層的剝離強度為3.0 N/25 mm以下；以及對於多個切晶-黏晶一體型膜，檢查經過以下步驟而測定的邊緣剝離強度是否為1.2 N以下的步驟。 ＜邊緣剝離強度的測定＞ ･對接著劑層黏貼厚度50 μm的矽晶圓，同時對黏著劑層的第二面黏貼切晶環的步驟； ･將矽晶圓及接著劑層單片化為多個帶有接著劑片的晶片，獲得邊的長度為2 mm的正方形的帶有接著劑片的晶片的步驟； ･於溫度23℃下將帶有接著劑片的晶片的中央部以60 mm/分鐘的速度自基材層側壓入，測定帶有接著劑片的晶片的邊緣自黏著劑層剝離時的邊緣剝離強度的步驟。 [發明的效果]
根據本揭示，提供一種考量了小晶片（面積為9 mm2 以下）的邊緣剝離及界面剝離的影響的切晶-黏晶一體型膜的評估方法和選別方法。另外，根據本揭示，提供一種考量了小晶片的邊緣剝離及界面剝離的影響的拾取性的評估方法、以及小晶片的拾取性優異的切晶-黏晶一體型膜及使用其的半導體裝置的製造方法。
以下，參照圖式對本揭示的實施形態進行詳細說明。但本發明並不限定於以下實施形態。再者，於本說明書中，「(甲基)丙烯酸」是指丙烯酸或甲基丙烯酸，「(甲基)丙烯酸酯」是指丙烯酸酯或與其對應的甲基丙烯酸酯。所謂「A或B」，只要包含A與B中的任一者即可，亦可兩者均包含。
於本說明書中，「層」的用語當以平面圖的形式觀察時，除了包含整面地形成的形狀的結構之外，亦包含局部地形成的形狀的結構。另外，於本說明書中，「步驟」的用語不僅是指獨立的步驟，即便於無法與其他步驟明確區分的情況下，只要可達成該步驟的預期作用，則亦包括在本用語中。另外，使用「～」所表示的數值範圍表示包含「～」的前後所記載的數值分別作為最小值及最大值的範圍。
於本說明書中，於組成物中存在多種與各成分相對應的物質的情況下，只要並無特別說明，則組成物中的各成分的含量是指組成物中存在的該多種物質的合計量。另外，只要並無特別說明，則例示材料可單獨使用，亦可將兩種以上組合使用。另外，於本說明書中階段性地記載的數值範圍中，某階段的數值範圍的上限值或下限值亦可替換為其他階段的數值範圍的上限值或下限值。另外，於本說明書中記載的數值範圍中，該數值範圍的上限值或下限值亦可替換為實施例中所示的值。
＜切晶-黏晶一體型膜＞ 圖1的（a）是表示本實施形態的切晶-黏晶一體型膜的平面圖，圖1的（b）是沿著圖1的（a）的B-B線的示意剖面圖。切晶-黏晶一體型膜10（以下視情況而簡稱為「膜10」）是可應用於半導體裝置的製造製程中者，所述半導體裝置的製造製程包括將晶圓W單片化為面積為9 mm2 以下的多個晶片的切晶步驟及其後的拾取步驟（參照圖8的（c）及圖8的（d））。
膜10依序包括：基材層1、具有與基材層1相向的第一面F1及其相反側的第二面F2的黏著劑層3、及以覆蓋黏著劑層3的第二面F2的中央部的方式設置的接著劑層5。於本實施形態中，例示出正方形的基材層1，但基材層1亦可為圓形且尺寸與黏著劑層3相同。另外，於本實施形態中，例示出於基材層1之上，形成有一個黏著劑層3及接著劑層5的積層體的態樣，亦可為基材層1具有規定的長度（例如100 m以上），且以沿其長邊方向排列的方式，將黏著劑層3及接著劑層5的積層體以規定的間隔配置的態樣。
膜10的邊緣剝離強度為1.2 N以下。經過以下步驟來測定邊緣剝離強度。膜10的邊緣剝離強度的上限值可為1.1 N或0.9 N，下限值例如為0.1 N，亦可為0.15 N或0.2 N。 ＜邊緣剝離強度的測定＞ ･對接著劑層5黏貼厚度50 μm的矽晶圓Ws，同時對黏著劑層3的第二面F2黏貼切晶環DR的步驟（參照圖2的（a））； ･將矽晶圓Ws及接著劑層5單片化為多個帶有接著劑片的晶片Ta（以下視情況而簡稱為「晶片Ta」）的步驟（參照圖2的（b））； ･於溫度23℃下將晶片Ta的中央部以60 mm/分鐘的速度自基材層1側壓入（參照圖2的（c）），測定晶片Ta的邊緣自黏著劑層3剝離時的邊緣剝離強度的步驟。
藉由膜10的邊緣剝離強度為所述範圍，膜10可評估為適於將晶圓單片化為面積為9 mm2 以下的多個小晶片的切晶步驟及其後的拾取步驟。
如圖2的（b）所示，晶片Ta包括晶片Ts及接著劑片5p。將矽晶圓Ws及接著劑層5單片化為多個晶片Ta的步驟例如只要藉由以下條件的刀片切晶來實施即可。 ＜切晶條件＞ ･切晶機：DFD6361（迪思科（DISCO）股份有限公司製造） ･刀片：ZH05-SD4000-N1-70-BB（迪思科（DISCO）股份有限公司製造） ･刀片轉速：40000 rpm ･切晶速度：30 mm/秒 ･刀片高度：90 μm ･自黏著劑層3的表面算起的切入深度：20 μm ･晶片Ta的俯視時的形狀：2 mm×2 mm的正方形
作為刀片的種類，為了確保晶片的加工品質，且為了抑制自基材層1等產生的切削屑（毛刺），若為迪思科（DISCO）股份有限公司製造的刀片，則較佳為使用#4000～#4800的粒徑細的刀片。
使用厚度50 μm的矽晶圓Ws的理由如下。例如，於矽晶圓的厚度為30 μm以下的情況下，藉由刀片切晶進行單片化時，容易產生晶片缺陷及晶片破裂等問題。除此之外，於邊緣剝離強度的測定時有晶片破裂之虞。另一方面，例如，於矽晶圓的厚度為80 μm以上的情況下，於藉由刀片切晶進行單片化時，有時必須應用階梯式切割，因此刀片的選定及條件設定變得不容易。除此之外，若晶片厚，則於邊緣剝離強度的測定時晶片不易彎曲，因此邊緣的剝離性變得良好，亦有可能不易出現膜間的差異。另外，由於近年來半導體晶圓的薄化不斷發展，因此在配合市場動向的意義上亦使用厚度50 μm的矽晶圓。
將帶有接著劑片的晶片Ta的尺寸設為2 mm×2 mm的理由如下。例如，於將帶有接著劑的晶片Ta的尺寸設為1 mm×1 mm的情況下，晶片的中央部（對晶片施加按壓力的部位）與邊緣之間的距離過近，因此邊緣的剝離性變得良好，有可能不易出現膜間的差異。除此之外，由於晶片過小，因此難以在晶片的中央部進行標記，於無標記的目視下，有可能因位置偏離而產生測定誤差。另一方面，例如，於將帶有接著劑片的晶片Ta的尺寸設為3 mm×3 mm的情況下，於測定晶片邊緣部的剝離強度時，晶片的中央部與邊緣之間的距離過遠，因此由壓入引起的按壓力變得不易傳遞，難以準確地測定邊緣剝離強度。除此之外，為使邊緣剝離而需要大的壓入量，伴隨於此，有晶片大幅彎曲而於測定中發生晶片破裂之虞。
於測定邊緣剝離強度的步驟中，如圖2的（c）所示，利用壓入夾具P將晶片Ta的中央部自基材層1側壓入。例如，只要使用以下裝置等，在以下條件下測定邊緣剝離強度即可。 ＜測定條件＞ ･測定裝置：小型台式試驗機EZ-SX（島津製作所股份有限公司製造） ･荷重元：50 N ･壓入夾具：ZTS系列附屬附件（形狀：圓錐型、依夢達（IMADA）股份有限公司製造） ･壓入速度：60 mm/分鐘 ･溫度：23℃ ･濕度：45±10%
圖3是表示由壓入引起的位移（mm）與壓入力（N）之間的關係的一例的曲線圖。當晶片的邊緣剝離時，如圖3所示，壓入力暫時下降，曲線圖產生變化點。將該變化點處的壓入力的值作為邊緣剝離強度。
於測定邊緣剝離強度時，較佳為利用油性筆等於基材層1的與晶片Ta的中央部相對應的位置預先進行標記。藉由預先進行標記，能夠精度良好地進行測定，同時使對位變得容易，測定效率提高。
將壓入速度設為60 mm/分鐘的理由如下。即，壓入速度在與實際的拾取條件相匹配的意義上較佳為60 mm/分鐘～1200 mm/分鐘（1 mm/秒～20 mm/秒）。例如，若壓入速度過快，則於邊緣剝離後至停止壓入為止的期間，對試樣施加所需以上的按壓力，有可能剝離至測定對象的晶片周邊的晶片，或者基材層破裂，從而對此後的測定產生不良影響。因此，選擇在所述範圍內速度盡可能低的壓入速度。
較佳為對多個晶片Ta測定邊緣剝離強度並將多個測定值的平均值設為膜10的邊緣剝離強度。例如，只要對5個以上（更佳為10個～20個）的晶片Ta進行測定來算出其平均值即可。於在測定第一晶片Ta的邊緣剝離強度之後測定第二晶片Ta的邊緣剝離強度的情況下，較佳為第二晶片Ta與第一晶片Ta充分分開，以免對第一晶片Ta的壓入影響到第二晶片Ta。例如，較佳為在第一晶片Ta與第二晶片Ta之間存在兩個以上的晶片Ta。圖4是示意性表示在與作為測定對象的晶片的中央部相對應的位置附加標記M的狀態的平面圖。於該圖中，在作為測定對象的兩個晶片Ta之間隔開三個晶片的間隔。
於矽晶圓Ws為12吋晶圓的情況下，較佳為測定圖5所示的測定區域A內的多個晶片Ta。即，如圖5所示，當將切晶環DR的缺口N的位置設為紙面的上方時，較佳為自矽晶圓Ws的下側的端部隔開50 mm的距離，在80 mm×20 mm內的區域進行測定。於矽晶圓Ws的端部及中央部，基材層1的張力及壓入時的基材層1的伸長存在差異，因此根據位置的不同，測定值有可能出現偏差。與所述測定區域同樣的設定亦可應用於8吋晶圓的情況。再者，測定區域A不限定於圖5所示的位置，例如，只要自晶圓Ws的端部隔開規定的距離，則亦可為圖5中的上側、左側或右側。
再者，除了藉由邊緣剝離強度的測定來評估拾取性之外，亦可藉由對相同的試樣，使用黏晶機裝置實際進行拾取來評估拾取性。於該情況下，較佳為先進行邊緣剝離強度的測定。使用黏晶機裝置的拾取通常在擴張基材膜的狀態下進行。於解除擴張的狀態之後，存在由擴張引起的基材層1的鬆弛無法恢復的情況，有難以精度良好地測定邊緣剝離強度之虞。
第一區域3a對於接著劑層5的黏著力為3.0 N/25 mm以下。該黏著力的上限值可為2.75 N/25 mm或2.5 N/25 mm。該黏著力是於溫度23℃下、剝離角度30°及剝離速度60 mm/分鐘的條件下所測定的30°剝離強度。圖6是示意性表示於將測定試樣（寬度25 mm×長度100 mm）的接著劑層5固定於支撐板80的狀態下，測定黏著劑層3的30°剝離強度的樣子的剖面圖。藉由將第一區域3a對於接著劑層5的黏著力（30°剝離強度）設為所述範圍，可達成優異的拾取性，能夠以足夠高的良率製造半導體裝置。就抑制切晶時的DAF飛散的觀點而言，該黏著力較佳為1.2 N/25 mm以上。
接下來，對構成切晶-黏晶一體型膜的各層進行說明。
（基材層） 作為基材層1，可使用已知的聚合物片或膜，若為於低溫條件下亦能夠實施擴張步驟者，則並無特別限制。具體而言，作為構成基材層1的聚合物，可列舉：結晶性聚丙烯、非晶性聚丙烯、高密度聚乙烯、中密度聚乙烯、低密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、低密度直鏈聚乙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯（無規、交替）共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚胺基甲酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯基硫醚、芳族聚醯胺（aramid）（紙）、玻璃、玻璃布、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素系樹脂、矽酮樹脂、或於該些中混合有塑化劑的混合物、或者藉由電子束照射而實施交聯的硬化物。
基材層1較佳為具有以選自聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯-聚丙烯無規共聚物、聚乙烯-聚丙烯嵌段共聚物中的至少一種樹脂為主成分的表面，且該表面與黏著劑層3相接。該些樹脂就楊氏係數、應力緩和性及熔點等特性、以及價格方面、使用後的廢棄材料循環等觀點而言亦為良好的基材。基材層1可為單層，視需要亦可具有積層包含不同材質的層而成的多層結構。為了控制與黏著劑層3的密接性，亦可對基材層1的表面實施消光處理、電暈處理等表面粗糙化處理。基材層1的厚度例如為10 μm～200 μm，亦可為20 μm～180 μm或30 μm～150 μm。
（黏著劑層） 黏著劑層3具有：第一區域3a，至少包含與接著劑層5的矽晶圓Ws的貼附位置對應的區域Rw；以及第二區域3b，以包圍第一區域3a的方式定位。圖1中的虛線表示第一區域3a與第二區域3b的邊界。第一區域3a及第二區域3b於活性能量線的照射前包含相同的組成物。第一區域3a為藉由照射紫外線等活性能量線而呈與第二區域3b相比黏著力下降的狀態的區域。第二區域3b為用來貼附切晶環DR的區域（參照圖2的（a））。第二區域3b為未照射活性能量線的區域，且具有對切晶環DR的高黏著力。
黏著劑層3的厚度只要根據擴張步驟的條件（溫度及張力等）而適當設定即可，例如為1 μm～200 μm，亦可為5 μm～50 μm或15 μm～45 μm。若黏著劑層3的厚度小於1 μm，則黏著性容易變得不充分，若超過200 μm，則於擴張時切口寬度窄（於銷上推時緩和應力），拾取容易不充分。
第一區域3a是對於接著劑層5具有所述範圍（3.0 N/25 mm以下）的黏著力者，且藉由活性能量線的照射而形成。本發明者等人發現，藉由活性能量線的照射來使黏著劑層3的黏著力下降會對帶有接著劑片的晶片的邊緣剝離強度產生影響。即，若第一區域3a的黏著力為藉由活性能量線的照射而過度下降者，則第一區域3a相對於接著劑層5的30°剝離強度變低，另一方面，於拾取對象為小晶片的情況下，存在帶有接著劑片的晶片的邊緣不易剝離的傾向，從而晶片過度變形而容易產生破裂或拾取失誤。第一區域3a對於接著劑層5的黏著力較佳為不使照射活性能量線前的黏著力過度下降者，藉此，即便為面積為9 mm2 以下的帶有接著劑片的晶片，其邊緣亦容易自黏著劑層3（第一區域3a）剝離。於本實施形態中，例如可藉由使黏著劑層3中的交聯劑的量較少、或減少活性能量線的照射量等，來調整黏著劑層3的第一區域3a的黏著力。
第二區域3b對於不鏽鋼基板的黏著力較佳為0.2 N/25 mm以上。該黏著力是於溫度23℃下、剝離角度90°及剝離速度50 mm/分鐘的條件下所測定的90°剝離強度。藉由該黏著力為0.2 N/25 mm以上，可充分地抑制切晶時的環剝落。該黏著力的下限值可為0.3 N/25 mm或0.4 N/25 mm，上限值例如為2.0 N/25 mm，亦可為1.0 N/25 mm。
活性能量線照射前的黏著劑層例如包含含有(甲基)丙烯酸系樹脂、光聚合起始劑及交聯劑的黏著劑組成物。不被照射活性能量線的第二區域3b包含與活性能量線照射前的黏著劑層相同的組成。以下，對黏著劑組成物的含有成分進行詳細說明。
[(甲基)丙烯酸系樹脂] 黏著劑組成物較佳為包含具有鏈可聚合的官能基的(甲基)丙烯酸系樹脂，且官能基為選自丙烯醯基及甲基丙烯醯基中的至少一種。活性能量線照射前的黏著劑層中的所述官能基的含量例如為0.1 mmol/g～1.2 mmol/g，亦可為0.3 mmol/g～1.0 mmol/g或0.5 mmol/g～0.8 mmol/g。藉由所述官能基的含量為0.1 mmol/g以上，容易藉由活性能量線的照射而形成黏著力適度下降的區域（第一區域3a），另一方面，藉由為1.2 mmol/g以下，容易達成優異的拾取性。
(甲基)丙烯酸系樹脂可藉由利用已知的方法進行合成而獲得。作為合成方法，例如可列舉：溶液聚合法、懸浮聚合法、乳化聚合法、塊狀聚合法、析出聚合法、氣相聚合法、電漿聚合法、超臨界聚合法。另外，作為聚合反應的種類，除自由基聚合、陽離子聚合、陰離子聚合、活性自由基聚合、活性陽離子聚合、活性陰離子聚合、配位聚合、永生聚合（immortal polymerization）等之外，亦可列舉原子轉移自由基聚合（atom transfer radical polymerization，ATRP）及可逆加成斷裂鏈轉移（reversible addition fragmentation chain transfer，RAFT）聚合等方法。該些中，使用溶液聚合法且藉由自由基聚合來進行合成，除經濟性良好、反應率高、聚合控制容易等之外，亦具有以下優點：可直接使用藉由聚合而獲得的樹脂溶液來進行調配等。
此處，以使用溶液聚合法且藉由自由基聚合而獲得(甲基)丙烯酸系樹脂的方法為例，對(甲基)丙烯酸系樹脂的合成法進行詳細說明。
作為合成(甲基)丙烯酸系樹脂時所使用的單體，若為一分子中具有一個(甲基)丙烯醯基者，則並無特別限制。作為其具體例，可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸丁氧基乙酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛基庚酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸月桂基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸硬脂基酯、(甲基)丙烯酸山萮基酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、丁二酸單(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)酯等脂肪族(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸環戊酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、四氫鄰苯二甲酸單(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)酯、六氫鄰苯二甲酸單(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)酯等脂環式(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸苄基酯、(甲基)丙烯酸苯基酯、(甲基)丙烯酸鄰聯苯基酯、(甲基)丙烯酸1-萘基酯、(甲基)丙烯酸2-萘基酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸對枯基苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸鄰苯基苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸1-萘氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-萘氧基乙酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-(鄰苯基苯氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-(1-萘氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-(2-萘氧基)丙酯等芳香族(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸2-四氫糠酯、N-(甲基)丙烯醯氧基乙基六氫鄰苯二甲醯亞胺、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基-N-咔唑等雜環式(甲基)丙烯酸酯、該些化合物的己內酯改質體；ω-羧基-聚己內酯單(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸α-乙基縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸α-丙基縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸α-丁基縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸2-甲基縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸2-乙基縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸2-丙基縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸3,4-環氧基丁酯、(甲基)丙烯酸3,4-環氧基庚酯、(甲基)丙烯酸α-乙基-6,7-環氧基庚酯、(甲基)丙烯酸3,4-環氧基環己基甲酯、鄰乙烯基苄基縮水甘油醚、間乙烯基苄基縮水甘油醚、對乙烯基苄基縮水甘油醚等具有乙烯性不飽和基與環氧基的化合物；(甲基)丙烯酸(2-乙基-2-氧雜環丁基)甲酯、(甲基)丙烯酸(2-甲基-2-氧雜環丁基)甲酯、(甲基)丙烯酸2-(2-乙基-2-氧雜環丁基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(2-甲基-2-氧雜環丁基)乙酯、(甲基)丙烯酸3-(2-乙基-2-氧雜環丁基)丙酯、(甲基)丙烯酸3-(2-甲基-2-氧雜環丁基)丙酯等具有乙烯性不飽和基與氧雜環丁基的化合物；2-(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯等具有乙烯性不飽和基與異氰酸酯基的化合物；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-氯-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯等具有乙烯性不飽和基與羥基的化合物，可將該些適當組合來獲得目標(甲基)丙烯酸系樹脂。
就與後述的官能基導入化合物或交聯劑的反應方面而言，(甲基)丙烯酸系樹脂較佳為具有選自羥基、縮水甘油基及胺基等中的至少一種官能基。作為用於合成具有羥基的(甲基)丙烯酸系樹脂的單體，可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-氯-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯等具有乙烯性不飽和基與羥基的化合物，該些可單獨使用一種，或者併用兩種以上。
作為用於合成具有縮水甘油基的(甲基)丙烯酸系樹脂的單體，可列舉：(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸α-乙基縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸α-丙基縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸α-丁基縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸2-甲基縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸2-乙基縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸2-丙基縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸3,4-環氧基丁酯、(甲基)丙烯酸3,4-環氧基庚酯、(甲基)丙烯酸α-乙基-6,7-環氧基庚酯、(甲基)丙烯酸3,4-環氧基環己基甲酯、鄰乙烯基苄基縮水甘油醚、間乙烯基苄基縮水甘油醚、對乙烯基苄基縮水甘油醚等具有乙烯性不飽和基與環氧基的化合物，該些可單獨使用一種，或者併用兩種以上。
由該些單體所合成的(甲基)丙烯酸系樹脂較佳為包含鏈可聚合的官能基。鏈可聚合的官能基例如為選自丙烯醯基及甲基丙烯醯基中的至少一種。鏈可聚合的官能基例如可藉由使以下化合物（官能基導入化合物）與如上所述般合成的(甲基)丙烯酸系樹脂反應，而導入至該(甲基)丙烯酸系樹脂中。作為官能基導入化合物的具體例，可列舉：2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間-異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯、甲基丙烯醯基異氰酸酯、烯丙基異氰酸酯、1,1-(雙丙烯醯氧基甲基)乙基異氰酸酯；藉由二異氰酸酯化合物或者聚異氰酸酯化合物與(甲基)丙烯酸羥基乙酯或(甲基)丙烯酸4-羥基丁基乙酯的反應而獲得的丙烯醯基單異氰酸酯化合物；藉由二異氰酸酯化合物或者聚異氰酸酯化合物與多元醇化合物及(甲基)丙烯酸羥基乙酯的反應而獲得的丙烯醯基單異氰酸酯化合物等。該些中，特佳為2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯。該些化合物可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
(甲基)丙烯酸系樹脂的重量平均分子量（Mw）例如為10萬～200萬以上，較佳為15萬～100萬，更佳為20萬～80萬。若(甲基)丙烯酸系樹脂的重量平均分子量（Mw）為此種範圍，則可形成黏著性優異且低分子量成分少、能夠防止被黏物的污染的黏著劑層3。
(甲基)丙烯酸系樹脂的羥價較佳為10 mgKOH/g～150 mgKOH/g，更佳為20 mgKOH/g～100 mgKOH/g。藉由(甲基)丙烯酸系樹脂的羥價為所述範圍，能夠藉由與交聯劑的反應來調整初期黏著力，且可起到降低鏈可聚合的官能基反應後的剝離力的效果。
[光聚合起始劑] 作為光聚合起始劑，若為藉由照射活性能量線（選自紫外線、電子束及可見光線中的至少一種）而產生鏈可聚合的活性種者，則並無特別限制，例如可列舉光自由基聚合起始劑。此處所謂鏈可聚合的活性種，是指藉由與鏈可聚合的官能基反應而開始聚合反應者。
作為光自由基聚合起始劑，可列舉：2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等安息香縮酮；1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮等α-羥基酮；2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁烷-1-酮、1,2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基丙烷-1-酮等α-胺基酮；1-[4-(苯硫基)苯基]-1,2-辛二酮-2-(苯甲醯基)肟等肟酯；雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦、雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基戊基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等氧化膦；2-(鄰氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚體、2-(鄰氯苯基)-4,5-二(甲氧基苯基)咪唑二聚體、2-(鄰氟苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚體、2-(鄰甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚體、2-(對甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚體等2,4,5-三芳基咪唑二聚體；二苯甲酮、N,N'-四甲基-4,4'-二胺基二苯甲酮、N,N'-四乙基-4,4'-二胺基二苯甲酮、4-甲氧基-4'-二甲基胺基二苯甲酮等二苯甲酮化合物；2-乙基蒽醌、菲醌、2-第三丁基蒽醌、八甲基蒽醌、1,2-苯並蒽醌、2,3-苯並蒽醌、2-苯基蒽醌、2,3-二苯基蒽醌、1-氯蒽醌、2-甲基蒽醌、1,4-萘醌、9,10-菲醌、2-甲基-1,4-萘醌、2,3-二甲基蒽醌等醌化合物；安息香甲醚、安息香乙醚、安息香苯醚等安息香醚；安息香、甲基安息香、乙基安息香等安息香化合物；苯偶醯二甲基縮酮等苯偶醯化合物；9-苯基吖啶、1,7-雙(9,9'-吖啶基庚烷)等吖啶化合物；N-苯基甘胺酸、香豆素。
相對於(甲基)丙烯酸系樹脂的含量100質量份，黏著劑組成物中的光聚合起始劑的含量例如為0.1質量份～30質量份，較佳為0.3質量份～10質量份，更佳為0.5質量份～5質量份。若光聚合起始劑的含量小於0.1質量份，則黏著劑層於活性能量線照射後發生硬化不足，容易導致拾取不良。若光聚合起始劑的含量超過30質量份，則容易產生對接著劑層的污染（光聚合起始劑向接著劑層的轉印）。
[交聯劑] 交聯劑例如是出於控制黏著劑層的彈性係數及/或黏著性的目的而使用。交聯劑只要為於一分子中具有兩個以上的能夠與所述(甲基)丙烯酸系樹脂所具有的選自羥基、縮水甘油基及胺基等中的至少一種官能基反應的官能基的化合物即可。作為藉由交聯劑與(甲基)丙烯酸系樹脂的反應而形成的鍵，可列舉酯鍵、醚鍵、醯胺鍵、醯亞胺鍵、胺基甲酸酯鍵、脲鍵等。
於本實施形態中，作為交聯劑，較佳為採用一分子中具有兩個以上的異氰酸酯基的化合物。若使用此種化合物，則容易與所述(甲基)丙烯酸系樹脂所具有的羥基、縮水甘油基及胺基等反應，可形成牢固的交聯結構。
作為一分子中具有兩個以上的異氰酸酯基的化合物，可列舉：2,4-甲伸苯基二異氰酸酯、2,6-甲伸苯基二異氰酸酯、1,3-伸二甲苯基二異氰酸酯、1,4-伸二甲苯基二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、二苯基甲烷-2,4'-二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4'-二異氰酸酯、離胺酸異氰酸酯等異氰酸酯化合物。
作為交聯劑，亦可採用所述異氰酸酯化合物、與一分子中具有兩個以上的OH基的多元醇的反應產物（含異氰酸酯基的寡聚物）。作為一分子中具有兩個以上的OH基的多元醇的例子，可列舉：乙二醇、丙二醇、丁二醇、1,6-己二醇、1,8-辛二醇、1,9-壬二醇、1,10-癸二醇、1,11-十一烷二醇、1,12-十二烷二醇、甘油、季戊四醇、二季戊四醇、1,4-環己二醇、1,3-環己二醇。
該些中，作為交聯劑，更理想為一分子中具有兩個以上的異氰酸酯基的多官能異氰酸酯、與一分子中具有三個以上的OH基的多元醇的反應產物（異氰酸酯基的寡聚物）。藉由將此種含異氰酸酯基的寡聚物用作交聯劑，黏著劑層3形成緻密的交聯結構，藉此，於拾取步驟中可充分地抑制黏著劑附著於接著劑層5。
黏著劑組成物中的交聯劑的含量只要根據對黏著劑層所要求的凝聚力及斷裂伸長率、以及與接著劑層5的密接性等而適當設定即可。具體而言，相對於(甲基)丙烯酸系樹脂的含量100質量份，交聯劑的含量例如為2質量份～30質量份，亦可為4質量份～15質量份或7質量份～10質量份。藉由將交聯劑的含量設為所述範圍，而能夠均衡性良好地兼具於切晶步驟中對黏著劑層所要求的特性、及於黏晶步驟中對黏著劑層3所要求的特性，並且亦可達成優異的拾取性。
若相對於(甲基)丙烯酸系樹脂的含量100質量份而交聯劑的含量小於2質量份，則交聯結構的形成容易不充分，由此，於拾取步驟中，與接著劑層5的界面密接力不會充分下降而容易於拾取時產生不良。另一方面，若相對於(甲基)丙烯酸系樹脂的含量100質量份而交聯劑的含量超過30質量份，則黏著劑層3容易變得過硬，由此，於擴張步驟中，半導體晶片容易剝離。
交聯劑相對於黏著劑組成物的總質量的含量例如為0.1質量%～20質量%，亦可為2質量%～17質量%或3質量%～15質量%。藉由交聯劑的含量為0.1質量%以上，容易藉由活性能量線的照射而形成黏著力適度下降的區域（第一區域3a），另一方面，藉由為15質量%以下，容易達成優異的拾取性。
作為黏著劑層3的形成方法，可採用已知的方法。例如，可藉由雙層擠壓法來形成基材層1與黏著劑層3的積層體，亦可製備黏著劑層3的形成用清漆，將其塗敷於基材層1的表面，或者於經脫模處理的膜上形成黏著劑層3，將其轉印至基材層1。
黏著劑層3的形成用清漆較佳為使用有機溶劑來進行製備，所述有機溶劑能夠溶解(甲基)丙烯酸系樹脂、光聚合起始劑及交聯劑且藉由加熱而揮發。作為有機溶劑的具體例，可列舉：甲苯、二甲苯、1,3,5-三甲苯、枯烯、對枯烯等芳香族烴；四氫呋喃、1,4-二噁烷等環狀醚；甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、乙二醇、丙二醇等醇；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮等酮；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、γ-丁內酯等酯；碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等碳酸酯；乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚等多元醇烷基醚；乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單丁醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯等多元醇烷基醚乙酸酯；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺。
該些中，就溶解性及沸點的觀點而言，例如較佳為甲苯、甲醇、乙醇、異丙醇、丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、二乙二醇二甲醚、乙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、N,N-二甲基乙醯胺、乙醯丙酮。該些有機溶劑可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。清漆的固體成分濃度通常較佳為10質量%～60質量%。
（接著劑層） 接著劑層5中可應用已知的構成黏晶膜的接著劑組成物。具體而言，構成接著劑層5的接著劑組成物較佳為含有含環氧基的丙烯酸共聚物、環氧樹脂及環氧樹脂硬化劑。根據包含該些成分的接著劑層5，具有如下特徵而較佳：晶片/基板間、晶片/晶片間的接著性優異，而且亦能夠賦予電極埋入性及導線埋入性等，且於黏晶步驟中可以低溫來接著、以短時間獲得優異的硬化，於利用密封劑模塑後具有優異的可靠性等。
接著劑層5的厚度例如為1 μm～300 μm，較佳為5 μm～150 μm，亦可為10 μm～100 μm或15 μm～35 μm。若接著劑層5的厚度小於1 μm，則接著性容易變得不充分，另一方面，若超過300 μm，則切晶性及拾取性容易變得不充分。
作為環氧樹脂，例如可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、脂肪族鏈狀環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯酚的二縮水甘油醚化物、萘二酚的二縮水甘油醚化物、酚類的二縮水甘油醚化物、醇類的二縮水甘油醚化物、及該些的烷基取代體、鹵化物、氫化物等二官能環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂。另外，亦可應用多官能環氧樹脂及含雜環的環氧樹脂等通常已知的其他環氧樹脂。該些可單獨使用或將兩種以上組合使用。再者，亦可以無損特性的範圍作為雜質而包含環氧樹脂以外的成分。
作為環氧樹脂硬化劑，例如可列舉如可使酚化合物與作為二價連結基的伸二甲苯基化合物於無觸媒或酸觸媒的存在下進行反應而獲得的酚樹脂般者。作為用於酚樹脂的製造中的酚化合物，可例示：苯酚、鄰甲酚、間甲酚、對甲酚、鄰乙基苯酚、對乙基苯酚、鄰正丙基苯酚、間正丙基苯酚、對正丙基苯酚、鄰異丙基苯酚、間異丙基苯酚、對異丙基苯酚、鄰正丁基苯酚、間正丁基苯酚、對正丁基苯酚、鄰異丁基苯酚、間異丁基苯酚、對異丁基苯酚、辛基苯酚、壬基苯酚、2,4-二甲酚、2,6-二甲酚、3,5-二甲酚、2,4,6-三甲基苯酚、間苯二酚（resorcin）、鄰苯二酚、對苯二酚、4-甲氧基苯酚、鄰苯基苯酚、間苯基苯酚、對苯基苯酚、對環己基苯酚、鄰烯丙基苯酚、對烯丙基苯酚、鄰苄基苯酚、對苄基苯酚、鄰氯苯酚、對氯苯酚、鄰溴苯酚、對溴苯酚、鄰碘苯酚、對碘苯酚、鄰氟苯酚、間氟苯酚、對氟苯酚等。該些酚化合物可單獨使用，亦可混合使用兩種以上。作為用於酚樹脂的製造中的作為二價連結基的伸二甲苯基化合物，可使用以下所示的伸二甲苯基二鹵化物、伸二甲苯基二甘醇及其衍生物。即，可列舉：α,α'-二氯-對二甲苯、α,α'-二氯-間二甲苯、α,α'-二氯-鄰二甲苯、α,α'-二溴-對二甲苯、α,α'-二溴-間二甲苯、α,α'-二溴-鄰二甲苯、α,α'-二碘-對二甲苯、α,α'-二碘-間二甲苯、α,α'-二碘-鄰二甲苯、α,α'-二羥基-對二甲苯、α,α'-二羥基-間二甲苯、α,α'-二羥基-鄰二甲苯、α,α'-二甲氧基-對二甲苯、α,α'-二甲氧基-間二甲苯、α,α'-二甲氧基-鄰二甲苯、α,α'-二乙氧基-對二甲苯、α,α'-二乙氧基-間二甲苯、α,α'-二乙氧基-鄰二甲苯、α,α'-二-正丙氧基-對二甲苯、α,α'-正丙氧基-間二甲苯、α,α'-二-正丙氧基-鄰二甲苯、α,α'-二-異丙氧基-對二甲苯、α,α'-二-異丙氧基-間二甲苯、α,α'-二-異丙氧基-鄰二甲苯、α,α'-二-正丁氧基-對二甲苯、α,α'-二-正丁氧基-間二甲苯、α,α'-二-正丁氧基-鄰二甲苯、α,α'-二異丁氧基-對二甲苯、α,α'-二異丁氧基-間二甲苯、α,α'-二異丁氧基-鄰二甲苯、α,α'-二-第三丁氧基-對二甲苯、α,α'-二-第三丁氧基-間二甲苯、α,α'-二-第三丁氧基-鄰二甲苯。該些可單獨使用或將兩種以上組合使用。
使所述酚化合物與伸二甲苯基化合物反應時，可使用鹽酸、硫酸、磷酸、多磷酸等礦酸類；二甲基硫酸、二乙基硫酸、對甲苯磺酸、甲磺酸、乙磺酸等有機羧酸類；三氟甲磺酸等超強酸類；烷烴磺酸型離子交換樹脂般的強酸性離子交換樹脂類；全氟烷烴磺酸型離子交換樹脂般的超強酸性離子交換樹脂類（商品名：納菲，Nafion，杜邦（DuPont）公司製造，「納菲（Nafion）」為註冊商標）；天然及合成沸石類；活性白土（酸性白土）類等酸性觸媒，於50℃～250℃下反應至實質上作為原料的伸二甲苯基化合物消失，且反應組成成為固定為止而獲得。反應時間亦取決於原料及反應溫度，大概為1小時～15小時左右，實際上，只要藉由凝膠滲透層析法（gel permeation chromatography，GPC）等一面追蹤反應組成一面決定即可。
含環氧基的丙烯酸共聚物較佳為以相對於所得的共聚物而為0.5質量%～6質量%的量，使用作為原料的丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯而獲得的共聚物。藉由該量為0.5質量%以上而容易獲得高接著力，另一方面，藉由為6質量%以下而可抑制凝膠化。其剩餘部分可使用丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯等具有碳數1～8的烷基的丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯、及苯乙烯、丙烯腈等的混合物。該些中，特佳為(甲基)丙烯酸乙酯及/或(甲基)丙烯酸丁酯。混合比率較佳為考慮共聚物的Tg而進行調整。若Tg小於-10℃，則有B階段狀態下的接著劑層5的黏性變大的傾向，且有操作性惡化的傾向。再者，含環氧基的丙烯酸共聚物的玻璃轉移溫度（Tg）的上限值例如為30℃。聚合方法並無特別限制，例如可列舉珠狀聚合（pearl polymerization）、溶液聚合。作為市售的含環氧基的丙烯酸共聚物，例如可列舉：HTR-860P-3（商品名，長瀨化成（Nagase ChemteX）股份有限公司製造）。
含環氧基的丙烯酸共聚物的重量平均分子量為10萬以上，若為該範圍，則接著性及耐熱性高，較佳為30萬～300萬，更佳為50萬～200萬。若重量平均分子量為300萬以下，則可抑制半導體晶片與對其加以支撐的基板之間的填充性下降。重量平均分子量是利用凝膠滲透層析法（GPC）且使用基於標準聚苯乙烯的校準曲線而得的聚苯乙烯換算值。
接著劑層5視需要亦可更含有三級胺、咪唑類、四級銨鹽類等硬化促進劑。作為硬化促進劑的具體例，可列舉：2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸酯。該些可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
接著劑層5視需要亦可更含有無機填料。作為無機填料的具體例，可列舉：氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、結晶質二氧化矽、非晶質二氧化矽。該些可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
再者，接著劑層5亦可為不含熱硬化性樹脂的態樣。例如，於接著劑層5包含含反應性基的(甲基)丙烯酸共聚物的情況下，接著劑層5只要是包含含反應性基的(甲基)丙烯酸共聚物、硬化促進劑及填料者即可。
＜切晶-黏晶一體型膜的製造方法＞ 膜10的製造方法依序包括：於基材層1的表面上製作積層體的步驟，所述積層體包含黏著劑層及接著劑層5，所述黏著劑層含有藉由照射活性能量線而黏著力下降的黏著劑組成物，所述接著劑層5形成於黏著劑層的表面上；以及對積層體所包含的黏著劑層的將形成第一區域3a的區域照射活性能量線的步驟。對將形成第一區域3a的區域照射的活性能量線的量例如為10 mJ/cm2 ～1000 mJ/cm2 ，亦可為100 mJ/cm2 ～700 mJ/cm2 或200 mJ/cm2 ～500 mJ/cm2 。
所述製造方法是先製作黏著劑層與接著劑層5的積層體，其後，對黏著劑層的特定的區域照射活性能量線的方法。如下所述，亦可對與接著劑層5貼合之前的黏著劑層照射活性能量線而形成第一區域3a。即，膜10的製造方法亦可依序包括：於基材層1的表面上形成黏著劑層的步驟，所述黏著劑層含有藉由照射活性能量線而黏著力下降的組成物；對黏著劑層的將形成第一區域3a的區域照射活性能量線的步驟；以及於照射活性能量線後的黏著劑層3的表面上積層接著劑層5的步驟。
＜半導體裝置及其製造方法＞ 圖7是示意性表示本實施形態的半導體裝置的剖面圖。該圖所示的半導體裝置100包括：基板70；積層於基板70的表面上的四個晶片T1、T2、T3、T4；將基板70的表面上的電極（未圖示）與四個晶片T1、T2、T3、T4電性連接的導線W1、導線W2、導線W3、導線W4；以及將該些覆蓋的密封層50。
基板70例如為有機基板，亦可為引線框架等金屬基板。基板70就抑制半導體裝置100的翹曲的觀點而言，基板70的厚度例如為70 μm～140 μm，亦可為80 μm～100 μm。
四個晶片T1、T2、T3、T4是經由接著劑片5p的硬化物5c而積層。俯視時晶片T1、晶片T2、晶片T3、晶片T4的形狀例如為正方形或長方形。晶片T1、晶片T2、晶片T3、晶片T4的面積為9 mm2 以下，亦可為0.1 mm2 ～4 mm2 或0.1 mm2 ～2 mm2 。晶片T1、晶片T2、晶片T3、晶片T4的一邊的長度例如為3 mm以下，亦可為0.1 mm～2.0 mm或0.1 mm～1.0 mm。晶片T1、晶片T2、晶片T3、晶片T4的厚度例如為10 μm～170 μm，亦可為25 μm～100 μm。再者，四個晶片T1、T2、T3、T4的一邊的長度可相同，亦可彼此不同，關於厚度亦同樣如此。
半導體裝置100的製造方法包括：準備所述膜10的步驟；對膜10的接著劑層5黏貼晶圓W，同時對黏著劑層3的第二面F2黏貼切晶環DR的步驟；將晶圓W單片化為面積為9 mm2 以下的多個晶片T1、T2、T3、T4的步驟（切晶步驟）；自黏著劑層3的第一區域3a拾取帶有接著劑片的晶片Tb（晶片與接著劑片5p的積層體，參照圖8的（d））的步驟；以及經由接著劑片5p而將晶片T1安裝於基板70上的步驟。
參照圖8來對帶有接著劑片的晶片Tb的製作方法的一例進行說明。首先，準備所述膜10。如圖8的（a）及圖8的（b）所示，以接著層5與晶圓W的其中一個面相接的方式貼附膜10。另外，對黏著劑層3的第二面F2貼附切晶環DR。
對晶圓W、接著劑層5及黏著劑層3進行切晶。藉此，如圖8的（c）所示，將晶圓W單片化而形成晶片T1、晶片T2、晶片T3、晶片T4。接著劑層5亦單片化而形成接著劑片5p。作為切晶方法，可列舉使用切晶刀片或雷射的方法。再者，亦可於晶圓W的切晶之前藉由對晶圓W進行磨削而薄膜化。
於切晶後，不對黏著劑層3照射活性能量線，而是如圖8的（d）所示，一邊藉由於常溫或冷卻條件下將基材層1擴張而使晶片彼此分開，一邊藉由利用銷42上推而使接著劑片5p自黏著劑層3剝離，同時利用抽吸夾頭44抽吸並拾取帶有接著劑片的晶片Tb。
參照圖9～圖11來對半導體裝置100的製造方法進行具體說明。首先，如圖9所示，經由接著劑片5p而將第一層的晶片T1壓接於基板70的規定位置。其次，藉由加熱而使接著劑片5p硬化。藉此，接著劑片5p硬化而成為硬化物5c。就減少孔隙的觀點而言，接著劑片5p的硬化處理亦可於加壓環境下實施。
以與晶片T1對基板70的安裝相同的方式，於晶片T1的表面上安裝第二層的晶片T2。進而，藉由安裝第三層的晶片T3及第四層的晶片T4而製作圖10所示的結構體60。於利用導線W1、導線W2、導線W3、導線W4將晶片T1、晶片T2、晶片T3、晶片T4與基板70電性連接後（參照圖11），藉由密封層50來將半導體元件及導線覆蓋，藉此完成圖7所示的半導體裝置100。
以上，對本揭示的實施形態進行了詳細說明，但本發明並不限定於所述實施形態。例如，膜10亦可更包括覆蓋接著劑層5的覆蓋膜（未圖示）。於所述實施形態中，例示出藉由活性能量射線的照射，黏著劑層3的第一區域3a的黏著力與第二區域3b相比下降的態樣，但黏著劑層3亦可為紫外線硬化型或感壓型。
切晶-黏晶一體型膜的選別中亦可利用黏著劑層自接著劑層的剝離強度及邊緣剝離強度。第一態樣的切晶-黏晶一體型膜的選別方法包括：準備兩種以上的切晶-黏晶一體型膜的步驟；以及比較兩種以上的切晶-黏晶一體型膜的黏著劑層自接著劑層的剝離強度及邊緣剝離強度的步驟。
第二態樣的切晶-黏晶一體型膜的選別方法包括：準備於溫度23℃下、剝離角度30°及剝離速度60 mm/分鐘的條件下進行測定，黏著劑層自接著劑層的剝離強度為3.0 N/25 mm以下的多個切晶-黏晶一體型膜的步驟；以及對於多個切晶-黏晶一體型膜，檢查邊緣剝離強度是否為1.2 N以下的步驟。該選別方法中例如黏著劑層自接著劑層的剝離強度為3.0 N/25 mm以下，其對於在購入已完成檢查的多個切晶-黏晶一體型膜的情況下，有效率地自該些切晶-黏晶一體型膜選擇能夠以高良率製造半導體裝置的切晶-黏晶一體型膜而言有用。再者，此處所謂的多個切晶-黏晶一體型膜可為相同種類亦可為不同種類。 [實施例]
以下，基於實施例來對本揭示進行更具體的說明，但本發明並不限定於該些實施例。再者，只要無特別記載，則化學品全部使用試劑。
[丙烯酸樹脂的合成（製造例1）] 於裝備有三一馬達（three-one motor）、攪拌翼、氮氣導入管的容量2000 ml的燒瓶中裝入以下成分。 ･乙酸乙酯（溶劑）：635 g ･丙烯酸2-乙基己酯：395 g ･丙烯酸2-羥基乙酯：100 g ･甲基丙烯酸：5 g ･偶氮雙異丁腈：0.08 g
將內容物充分地攪拌至均勻後，以流量500 ml/分鐘實施60分鐘起泡（bubbling），對體系中的溶氧進行脫氣。歷時1小時升溫至78℃，升溫後聚合6小時。其次，將反應溶液移至裝備有三一馬達、攪拌翼、氮氣導入管的容量2000 ml的加壓釜中，於120℃、0.28 MPa下加溫4.5小時後，冷卻至室溫（25℃，以下相同）。
其次，加入490 g的乙酸乙酯，進行攪拌、稀釋。於其中添加0.10 g的作為胺基甲酸酯化觸媒的二月桂酸二辛基錫後，加入48.6 g的2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯（昭和電工股份有限公司製造，卡倫茨（Karenz）MOI（商品名）），於70℃下反應6小時後，冷卻至室溫。繼而，加入乙酸乙酯，以丙烯酸樹脂溶液中的不揮發成分含量成為35質量%的方式進行調整，獲得包含（A）丙烯酸樹脂（製造例1）的溶液，所述（A）丙烯酸樹脂具有鏈可聚合的官能基。
將以所述方式獲得的包含（A）丙烯酸樹脂的溶液於60℃下真空乾燥一晚。對藉此而得的固體成分，利用全自動元素分析裝置（元素（Elemental）公司製造，商品名：瓦瑞奧（vario）EL）進行元素分析，並根據氮含量算出所導入的2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯的含量，結果為0.50 mmol/g。
另外，使用以下裝置求出（A）丙烯酸樹脂的聚苯乙烯換算重量平均分子量。即，使用東曹股份有限公司製造的SD-8022/DP-8020/RI-8020，管柱使用日立化成股份有限公司製造的凝膠組件（Gel pack）GL-A150-S/GL-A160-S，溶離液使用四氫呋喃來進行GPC測定。結果，聚苯乙烯換算重量平均分子量為80萬。依據日本工業標準（Japanese Industrial Standards，JIS）K0070中記載的方法而測定的羥價及酸價為56.1 mgKOH/g及6.5 mgKOH/g。將該些的結果匯總示於表1中。
[丙烯酸樹脂的合成（製造例2～製造例4）] 設為製造例2～製造例4所示的原料單體組成來代替表1的製造例1所示的原料單體組成，除此以外，以與製造例1相同的方式分別獲得製造例2～製造例4的（A）丙烯酸樹脂的溶液。將關於製造例2～製造例4的（A）丙烯酸樹脂的測定結果示於表1中。
＜實施例1＞ [切晶膜（黏著劑層）的製作] 藉由將以下成分混合而製備黏著劑層形成用清漆（參照表2）。乙酸乙酯（溶劑）的量是以清漆的總固體成分含量成為25質量%的方式進行調整。 ･（A）丙烯酸樹脂溶液（製造例1）：100 g（固體成分） ･（B）光聚合起始劑（2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]-苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮、汽巴精化（Ciba Specialty Chemicals）股份有限公司製造，豔佳固（Irgacure）127，「Irgacure」為註冊商標）：1.0 g ･（C）交聯劑（多官能異氰酸酯，日本聚胺基甲酸酯工業股份有限公司製造，克羅耐德（Coronate）L，固體成分：75%）：8.0 g（固體成分） ･乙酸乙酯（溶劑）
準備對其中一個面實施了脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯膜（寬度450 mm、長度500 mm、厚度38 μm）。於已實施脫模處理的面，使用敷料器來塗佈黏著劑層形成用清漆後，於80℃下乾燥5分鐘。藉此，獲得包含聚對苯二甲酸乙二酯膜及其上所形成的厚度30 μm的黏著劑層的積層體（切晶膜）。
準備對其中一個面實施了電暈處理的聚烯烴膜（寬度450 mm、長度500 mm、厚度80 μm）。將已實施電暈處理的面、與所述積層體的黏著劑層於室溫下貼合。繼而，藉由利用橡膠輥進行按壓而將黏著劑層轉印至聚烯烴膜（覆蓋膜）。其後，於室溫下放置3日，藉此獲得帶有覆蓋膜的切晶膜。
[黏晶膜（接著劑層A）的製作] 首先，於以下組成物中加入環己酮（溶劑）並進行攪拌混合後，進而使用珠磨機混煉90分鐘。 ･環氧樹脂（YDCN-700-10（商品名），新日鐵住金化學股份有限公司製造的甲酚酚醛清漆型環氧樹脂，環氧當量210，分子量1200，軟化點80℃）：14質量份 ･酚樹脂（米萊斯（Milex）XLC-LL（商品名），三井化學股份有限公司製造，酚樹脂，羥基當量175，吸水率1.8%，350℃下的加熱重量減少率4%）：23質量份 ･矽烷偶合劑（NUC A-189（商品名），NUC股份有限公司製造，γ-巰基丙基三甲氧基矽烷）：0.2質量份 ･矽烷偶合劑（NUC A-1160（商品名），日本尤尼卡（Nippon Unicar）股份有限公司製造，γ-脲基丙基三乙氧基矽烷）：0.1質量份 ･填料（SC2050-HLG（商品名），雅都瑪（Admatechs）股份有限公司製造，二氧化矽，平均粒徑0.500 μm）：32質量份
於以所述方式獲得的組成物中加入以下成分後，經過攪拌混合及真空脫氣的步驟而獲得接著劑層形成用清漆。 ･含環氧基的丙烯酸共聚物（HTR-860P-3（商品名），長瀨化成股份有限公司製造，重量平均分子量80萬）：16質量份 ･硬化促進劑（固唑（Curezol）2PZ-CN（商品名），四國化成工業股份有限公司製造，1-氰基乙基-2-苯基咪唑，「Curezol」為註冊商標）：0.01質量份
準備對其中一個面實施了脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯膜（厚度35 μm）。於已實施脫模處理的面，使用敷料器來塗佈接著劑層形成用清漆後，於140℃下加熱乾燥5分鐘。藉此，獲得包含聚對苯二甲酸乙二酯膜（載體膜）及其上所形成的厚度25 μm的接著劑層（B階段狀態）的積層體（黏晶膜）。
[切晶-黏晶一體型膜的製作] 將包含接著劑層及載體膜的黏晶膜，連帶載體膜而切割為直徑335 mm的圓形。於室溫下對其貼附剝離了聚對苯二甲酸乙二酯膜的切晶膜後，於室溫下放置1日。其後，將切晶膜切割為直徑370 mm的圓形。對於以該方式獲得的切晶-黏晶一體型膜的接著劑層中的與晶圓的貼附位置對應的區域（黏著劑層的第一區域），以如下方式照射紫外線。即，使用脈衝氙燈（pulsed xenon lamp），以70 W、300 mJ/cm2 的照射量部分地照射紫外線。再者，使用遮光幕，對自膜的中心起內徑為318 mm的部分照射紫外線。以該方式獲得用於供至後述的各種評估試驗中的多個切晶-黏晶一體型膜。
＜實施例2＞ 製作切晶膜時，使用1-羥基-環己基-苯基-酮（汽巴精化股份有限公司製造，豔佳固（Irgacure）184，「Irgacure」為註冊商標）來代替「豔佳固（Irgacure127）」，以及將紫外線的照射量設為200 mJ/cm2 來代替設為300 mJ/cm2 ，除此以外，以與實施例1相同的方式獲得多個切晶-黏晶一體型膜。 ＜實施例3＞ 將紫外線的照射量設為250 mJ/cm2 來代替設為200 mJ/cm2 ，除此以外，以與實施例2相同的方式獲得多個切晶-黏晶一體型膜。
＜實施例4＞ 將紫外線的照射量設為300 mJ/cm2 來代替設為200 mJ/cm2 ，除此以外，以與實施例2相同的方式獲得多個切晶-黏晶一體型膜。
＜實施例5＞ 作為黏晶膜，使用具有以如下方式形成的接著劑層B者來代替具有接著劑層A者，除此以外，以與實施例4相同的方式獲得多個切晶-黏晶一體型膜。 [黏晶膜（接著劑層B）的製作] 首先，於以下成分中加入環己酮（溶劑）並進行攪拌混合後，進而使用珠磨機混煉90分鐘。 ･填料（SC2050-HLG（商品名），雅都瑪股份有限公司製造，二氧化矽，平均粒徑0.500 μm）：50質量份 於以所述方式獲得的組成物中加入以下成分後，經過攪拌混合及真空脫氣的步驟而獲得接著劑層形成用清漆。 ･含環氧基的丙烯酸共聚物（HTR-860P-3（商品名），長瀨化成股份有限公司製造，重量平均分子量80萬）：100質量份 ･硬化促進劑（固唑（Curezol）2PZ-CN（商品名），四國化成工業股份有限公司製造，1-氰基乙基-2-苯基咪唑，「Curezol」為註冊商標）：0.1質量份
＜比較例1＞ 製作切晶膜時，使用製造例2的丙烯酸樹脂來代替使用製造例1的丙烯酸樹脂，以及將交聯劑的量設為6.0質量份來代替設為8.0質量份，除此以外，以與實施例1相同的方式獲得多個切晶-黏晶一體型膜。
＜比較例2＞ 製作切晶膜時，將交聯劑的量設為6.0質量份來代替設為8.0質量份，除此以外，以與實施例1相同的方式獲得多個切晶-黏晶一體型膜。
＜比較例3＞ 製作切晶膜時，使用製造例3的丙烯酸樹脂來代替使用製造例2的丙烯酸樹脂，除此以外，以與比較例1相同的方式獲得多個切晶-黏晶一體型膜。
＜比較例4＞ 製作切晶膜時，使用製造例4的丙烯酸樹脂來代替使用製造例2的丙烯酸樹脂，以及未照射紫外線，除此以外，以與比較例1相同的方式獲得多個切晶-黏晶一體型膜。
[評估試驗] （1）黏著劑層對於接著劑層的黏著力（30°剝離強度）的測定 藉由測定30°剝離強度而對黏著劑層對於接著劑層的黏著力進行評估。即，自切晶-黏晶一體型膜切出寬度25 mm及長度100 mm的測定試樣。測定試樣設為黏著劑層與接著劑層的積層體。使用拉伸試驗機來測定黏著劑層相對於接著劑層的剝離強度。測定條件設為剝離角度30°、拉伸速度60 mm/分鐘。再者，試樣的保存及剝離強度的測定是於溫度23℃、相對濕度40%的環境下進行。對於實施例1～實施例5及比較例1～比較例3，將黏著劑層的紫外線照射區域的黏著力作為評估對象，對於比較例4，將黏著劑層的黏著力作為評估對象。
（2）晶片的邊緣剝離強度測定 於以下條件下將切晶-黏晶一體型膜貼附至矽晶圓（直徑：12吋，厚度：50 μm）及切晶環。貼附矽晶圓及切晶環後的切晶-黏晶一體型膜的MD方向（機器方向（machine direction））的伸長率為1.0%～1.3%左右。 ＜貼附條件＞ ･貼附裝置：DFM2800（迪思科（DISCO）股份有限公司製造） ･貼附溫度：70℃ ･貼附速度：10 mm/s ･貼附張力等級：等級6
繼而，藉由刀片切晶而將帶有切晶-黏晶一體型膜的矽晶圓單片化為多個帶有接著劑片的晶片（尺寸2 mm×2 mm）。 ＜切晶條件＞ ･切晶機：DFD6361（迪思科（DISCO）股份有限公司製造） ･刀片：ZH05-SD4000-N1-70-BB（迪思科（DISCO）股份有限公司製造） ･刀片轉速：40000 rpm ･切晶速度：30 mm/秒 ･刀片高度：90 μm ･自黏著劑層的表面算起的切入深度：20 μm ･切晶時的水量 刀片冷卻器：1.5 L/分鐘 淋浴：1.0 L/分鐘 噴霧：1.0 L/分鐘
切晶後一天後，於以下測定條件下，自基材層側壓入帶有接著劑片的晶片，測定帶有接著劑片的晶片的邊緣剝離強度（參照圖2的（c））。再者，測定前，於與晶片的中央部相對應的基材層的表面，利用油性筆進行標記。晶片的中央部利用尺子來進行測量及確定。測定以N=10進行。對一個晶片進行測定後，隔開三個晶片的間隔進行以下測定（參照圖4）。 ＜測定條件＞ ･測定裝置：小型台式試驗機EZ-SX（島津製作所股份有限公司製造） ･荷重元：50 N ･壓入夾具：ZTS系列附屬附件（形狀：圓錐型、依夢達（IMADA）股份有限公司製造） ･壓入速度：60 mm/分鐘 ･溫度：23℃ ･濕度：45±10%
（3）切晶性的評估 藉由以下評估基準來評估切晶性。將結果示於表2、表3中。 ＜晶片飛散＞ 將切晶後完全未發生晶片飛散者評估為「A」，將雖然未達到晶片飛散的程度，但在接著劑層與黏著劑層之間即便為少量亦看到切削水浸入者評估為「B」，將即便為一次亦發生晶片飛散者評估為「C」。 ＜裂紋＞ 利用顯微鏡來確認切晶後的晶片的切削剖面，評估是否產生晶片的缺陷。觀察10個晶片的切削剖面，將完全未看到缺陷的試樣評估為「A」，將即便略微亦看到缺陷的試樣評估為「B」。
（4）拾取性的評估 於所述邊緣剝離強度的測定後，於以下條件下拾取100個帶有接著劑片的晶片。 ＜拾取條件＞ ･黏晶裝置：DB800-HSD（日立高科技股份有限公司製造） ･上推銷：推針（EJECTOR NEEDLE）SEN2-83-05（直徑：0.7 mm、前端形狀：半徑350 μm的半圓、麥克機械（Micromechanics）公司製造） ･上推高度：150 μm ･上推速度：1 mm/秒 再者，於晶片的中央部配置一根上推銷。將拾取的成功率為100%者評估為「A」，將80%以上且小於100%者評估為「B」，將60%以上且小於80%者評估為「C」，將小於60%者評估為「D」。將結果示於表2、表3中。
[表1]
丙烯酸樹脂 製造例1 製造例2 製造例3 製造例4
原料單體 （質量份） 丙烯酸2-乙基己酯 79 79 79 92.5
丙烯酸2-羥基乙酯 20 20 20 -
甲基丙烯酸2-羥基乙酯 - - - 7
甲基丙烯酸 1 1 1 0.5
（計） （100） （100） （100） （100）
2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯 9.7 16.2 4.9 -
重量平均分子量 80×104 80×104 80×104 60×104
羥價（mgKOH/g） 56.1 32.8 75.5 33.9
酸價（mgKOH/g） 6.5 6.5 6.4 3.3
鏈可聚合的官能基量（mmol/g） 0.5 0.9 0.3 0
[表2]
  實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5
黏著劑層 的組成 （質量份） 丙烯酸樹脂 製造例1 100 100 100 100 100
製造例2 - - - - -
製造例3 - - - - -
製造例4 - - - - -
光聚合起始劑 Irgacure127 1.0 - - - -
Irgacure184 - 1.0 1.0 1.0 1.0
交聯劑 8.0 8.0 8.0 8.0 8.0
接著劑層 A A A A B
紫外線的照射量（mJ/cm2 ） 300 200 250 300 300
黏著劑層相對於接著劑層的 30°剝離強度（N/25 mm） 2.3 2.6 2.2 1.8 1.7
帶有接著劑片的晶片的邊緣剝離強度（N） 1.1 0.90 0.90 0.92 0.92
切晶性 晶片飛散 A A A A A
裂紋 A A A A A
拾取性 A A A A A
[表3]
  比較例1 比較例2 比較例3 比較例4
黏著劑層 的組成 （質量份） 丙烯酸樹脂 製造例1 - 100 - -
製造例2 100 - - -
製造例3 - - 100 -
製造例4 - - - 100
光聚合起始劑 Irgacure127 1.0 1.0 1.0 -
Irgacure184 - - - -
交聯劑 6.0 6.0 6.0 6.0
接著劑層 A A A A
紫外線的照射量（mJ/cm2 ） 300 300 300 -
黏著劑層相對於接著劑層的 30°剝離強度（N/25 mm） 0.95 2.6 3.7 3.2
帶有接著劑片的晶片的邊緣剝離強度（N） 1.6 1.3 0.65 0.38
切晶性 晶片飛散 B A A A
裂紋 B A A A
拾取性 D C C B
如表2及表3所示，相較於比較例1～比較例4，實施例1～實施例5的拾取性更良好。具體而言，儘管相較於實施例1～實施例4，比較例1的30°剝離強度為大幅度低的值，但由於邊緣剝離強度高達1.6 N，因此拾取性顯著惡化。另外，認為比較例2中，雖然30°剝離強度為2.6 N/25 mm而為3.0 N/25 mm以下，但由於邊緣剝離強度較高，為1.3 N，因此拾取性惡化。另一方面，認為比較例3及比較例4中，儘管邊緣剝離強度低於實施例1～實施例4的值，但30°剝離強度為3.0 N/25 mm以上，因此拾取性惡化。另外，由實施例1～實施例5的結果得知，若將邊緣剝離強度控制在1.2 N以下，則在30°剝離強度為3.0 N/25 mm以下的廣範圍內獲得良好的拾取性。
關於切晶性，比較例1中30°剝離強度過低，因此在接著劑層與黏著劑層之間可見切削水浸入的痕跡，進而在晶片側面產生裂紋。認為裂紋是由於在切晶中因切削水浸入而使晶片移動，與刀片接觸而產生。
由以上結果可知，於使用小晶片的半導體裝置製造製程中，藉由將邊緣剝離強度設為1.2 N以下且將30°剝離強度設為3.0 N/25 mm以下，可以足夠高的水準達成切晶性及拾取性兩者。 [產業上之可利用性]
根據本揭示，提供一種考量了小晶片（面積為9 mm2 以下）的邊緣剝離及界面剝離的影響的切晶-黏晶一體型膜的評估方法和選別方法。另外，根據本揭示，提供一種考量了小晶片的邊緣剝離及界面剝離的影響的拾取性的評估方法、以及小晶片的拾取性優異的切晶-黏晶一體型膜及使用其的半導體裝置的製造方法。
1:基材層 3:黏著劑層 3a:第一區域 3b:第二區域 5:接著劑層 5c:硬化物 5p:接著劑片 10:切晶-黏晶一體型膜 42:銷 44:抽吸夾頭 50:密封層 60:結構體 70:基板 80:支撐板 100:半導體裝置 A:測定區域 B-B:剖線 DR:切晶環 F1:第一面 F2:第二面 M:標記 N:缺口 P:壓入夾具 Rw:區域 T1、T2、T3、T4、Ts:晶片 Ta、Tb:帶有接著劑片的晶片 W:晶圓 Ws:矽晶圓 W1、W2、W3、W4:導線
圖1的（a）是表示切晶-黏晶一體型膜的一實施形態的平面圖，圖1的（b）是沿著圖1的（a）所示的B-B線的示意剖面圖。 圖2是示意性表示測定邊緣剝離強度的步驟的剖面圖。 圖3是表示由壓入所引起的位移（mm）與壓入力（N）之間的關係的一例的曲線圖。 圖4是示意性表示在與作為測定對象的晶片的中央部相對應的位置附加標記的狀態的平面圖。 圖5是示意性表示邊緣剝離強度的測定區域的一例的平面圖。 圖6是示意性表示測定黏著劑層相對於接著劑層的30°剝離強度的樣子的剖面圖。 圖7是半導體裝置的一實施形態的示意剖面圖。 圖8是示意性表示製造帶有接著劑片的晶片的過程的剖面圖。 圖9是示意性表示製造圖7所示的半導體裝置的過程的剖面圖。 圖10是示意性表示製造圖7所示的半導體裝置的過程的剖面圖。 圖11是示意性表示製造圖7所示的半導體裝置的過程的剖面圖。
1:基材層
3:黏著劑層
3a:第一區域
3b:第二區域
5:接著劑層
5p:接著劑片
DR:切晶環
F1:第一面
F2:第二面
P:壓入夾具
Ta:帶有接著劑片的晶片
Ts:晶片
Ws:矽晶圓

Claims (8)

  1. 一種切晶-黏晶一體型膜的評估方法，包括： （A）準備作為評估對象的切晶-黏晶一體型膜的步驟，所述切晶-黏晶一體型膜包括基材層、黏著劑層及接著劑層，所述黏著劑層具有與所述基材層相向的第一面及其相反側的第二面，所述接著劑層以覆蓋所述黏著劑層的所述第二面的中央部的方式設置； （B）第一測定步驟，於溫度23℃下、剝離角度30°及剝離速度60 mm/分鐘的條件下，測定所述黏著劑層自所述接著劑層的剝離強度； （C）對所述切晶-黏晶一體型膜的所述接著劑層黏貼厚度50 μm的矽晶圓，同時對所述黏著劑層的所述第二面黏貼切晶環的步驟； （D）將所述矽晶圓及所述接著劑層單片化為多個帶有接著劑片的晶片，獲得邊的長度為2 mm的正方形的所述帶有接著劑片的晶片的步驟；以及 （E）第二測定步驟，於溫度23℃下將所述帶有接著劑片的晶片的中央部以60 mm/分鐘的速度自所述基材層側壓入，測定所述帶有接著劑片的晶片的邊緣自所述黏著劑層剝離時的邊緣剝離強度，且 當所述第一測定步驟中所測定的所述剝離強度為3.0 N/25 mm以下且所述第二測定步驟中所測定的所述邊緣剝離強度為1.2 N以下時，判定為所述切晶-黏晶一體型膜具有良好的拾取性。
  2. 一種拾取性的評估方法，包括： （i）準備作為評估對象的切晶-黏晶一體型膜的步驟，所述切晶-黏晶一體型膜包括基材層、黏著劑層及接著劑層，所述黏著劑層具有與所述基材層相向的第一面及其相反側的第二面，所述接著劑層以覆蓋所述黏著劑層的所述第二面的中央部的方式設置； （ii）第一測定步驟，於剝離角度30°的條件下，測定所述黏著劑層自所述接著劑層的剝離強度； （iii）對所述切晶-黏晶一體型膜的所述接著劑層黏貼厚度10 μm～100 μm的晶圓，同時對所述黏著劑層的所述第二面黏貼切晶環的步驟； （iv）將所述晶圓及所述接著劑層單片化為面積為9 mm2 以下的帶有接著劑片的晶片的步驟；以及 （v）第二測定步驟，將所述帶有接著劑片的晶片的中央部自所述基材層側壓入，並測定所述帶有接著劑片的晶片的邊緣自所述黏著劑層剝離時的邊緣剝離強度。
  3. 一種切晶-黏晶一體型膜，包括： 基材層； 黏著劑層，具有與所述基材層相向的第一面及其相反側的第二面；以及 接著劑層，以覆蓋所述黏著劑層的所述第二面的中央部的方式設置，且 於溫度23℃下、剝離角度30°及剝離速度60 mm/分鐘的條件下進行測定，所述黏著劑層自所述接著劑層的剝離強度為3.0 N/25 mm以下且經過以下步驟而測定的邊緣剝離強度為1.2 N以下， ＜邊緣剝離強度的測定＞ 對所述接著劑層黏貼厚度50 μm的矽晶圓，同時對所述黏著劑層的所述第二面黏貼切晶環的步驟； 將所述矽晶圓及所述接著劑層單片化為多個帶有接著劑片的晶片，獲得邊的長度為2 mm的正方形的所述帶有接著劑片的晶片的步驟； 於溫度23℃下將所述帶有接著劑片的晶片的中央部以60 mm/分鐘的速度自所述基材層側壓入，測定所述帶有接著劑片的晶片的邊緣自所述黏著劑層剝離時的邊緣剝離強度的步驟。
  4. 如請求項3所述的切晶-黏晶一體型膜，其應用於半導體裝置製造製程中，所述半導體裝置製造製程包括將晶圓及接著劑層單片化為面積為9 mm2 以下的多個帶有接著劑片的晶片的步驟。
  5. 如請求項4所述的切晶-黏晶一體型膜，其中於所述單片化的步驟中，藉由刀片切晶而獲得所述多個帶有接著劑片的晶片。
  6. 一種半導體裝置的製造方法，包括： 準備如請求項3至請求項5中任一項所述的切晶-黏晶一體型膜的步驟； 對所述切晶-黏晶一體型膜的所述接著劑層黏貼晶圓，同時對所述黏著劑層的所述第二面黏貼切晶環的步驟； 將所述晶圓及所述接著劑層單片化為面積為9 mm2 以下的多個帶有接著劑片的晶片的步驟； 自所述黏著劑層拾取所述帶有接著劑片的晶片的步驟；以及 將所述帶有接著劑片的晶片安裝於基板或者其他晶片上的步驟。
  7. 一種切晶-黏晶一體型膜的選別方法，包括： 準備兩種以上的切晶-黏晶一體型膜的步驟，所述兩種以上的切晶-黏晶一體型膜分別包括基材層、黏著劑層及接著劑層，所述黏著劑層具有與所述基材層相向的第一面及其相反側的第二面，所述接著劑層以覆蓋所述黏著劑層的所述第二面的中央部的方式設置；以及 比較所述兩種以上的切晶-黏晶一體型膜的所述黏著劑層自所述接著劑層的剝離強度及邊緣剝離強度的步驟。
  8. 一種切晶-黏晶一體型膜的選別方法，包括： 準備多個切晶-黏晶一體型膜的步驟，所述多個切晶-黏晶一體型膜分別包括基材層、黏著劑層及接著劑層，所述黏著劑層具有與所述基材層相向的第一面及其相反側的第二面，所述接著劑層以覆蓋所述黏著劑層的所述第二面的中央部的方式設置，且於溫度23℃下、剝離角度30°及剝離速度60 mm/分鐘的條件下進行測定，所述黏著劑層自所述接著劑層的剝離強度為3.0 N/25 mm以下；以及 對於所述多個切晶-黏晶一體型膜，檢查經過以下步驟而測定的邊緣剝離強度是否為1.2 N以下的步驟， ＜邊緣剝離強度的測定＞ 對所述接著劑層黏貼厚度50 μm的矽晶圓，同時對所述黏著劑層的所述第二面黏貼切晶環的步驟； 將所述矽晶圓及所述接著劑層單片化為多個帶有接著劑片的晶片，獲得邊的長度為2 mm的正方形的所述帶有接著劑片的晶片的步驟； 於溫度23℃下將所述帶有接著劑片的晶片的中央部以60 mm/分鐘的速度自所述基材層側壓入，測定所述帶有接著劑片的晶片的邊緣自所述黏著劑層剝離時的邊緣剝離強度的步驟。
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