TW202103355A - 顯示面板製作方法、顯示面板製作系統及有源矩陣基板 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims abstract description 56
- 238000005339 levitation Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
本發明提供一種顯示面板製作方法,包括:步驟S1,提供複數發光二極管,每個所述發光二極管包括具有磁性的電極;步驟S2,提供一具有與所述電極的磁性相同的磁懸浮裝置,將所述複數發光二極管放置於所述磁懸浮裝置的磁場內,以使所述複數發光二極管處於懸浮狀態;步驟S3,提供一轉移基板,使所述複數發光二極管位於所述轉移基板與所述磁懸浮裝置之間,並為所述轉移基板配置與所述電極的磁性相反的磁性以吸附所述複數發光二極管至所述轉移基板。本發明還提供一種顯示面板製作系統及有源矩陣基板。
Description
本發明涉及顯示裝置技術領域,尤其涉及一種顯示面板製作方法、顯示面板製作系統及有源矩陣基板。
隨著面板顯示技術的發展,解析度及對比要求越來越高,微型發光二極管(Micro Light-Emitting Diode, Micro-LED)顯示屏作為新一代顯示技術出現,Micro-LED是將LED的尺寸從幾百微米縮小至幾十微米甚至幾微,故Micro-LED顯示屏比習知的OLED技術輝度更高、發光效率更好、功耗更低。但是由於Micro-LED尺寸較小,於製作顯示屏時,將其轉移至顯示屏的基板上的操作複雜度較高。
本發明一方面提供一種顯示面板製作方法,包括:
步驟S1,提供複數發光二極管,每個所述發光二極管包括具有磁性的電極;
步驟S2,提供一具有與所述電極的磁性相同的磁懸浮裝置,將所述複數發光二極管放置於所述磁懸浮裝置的磁場內,以使所述複數發光二極管處於懸浮狀態;
步驟S3,提供一轉移基板,使所述複數發光二極管位於所述轉移基板與所述磁懸浮裝置之間,並為所述轉移基板配置與所述電極的磁性相反的磁性以吸附所述複數發光二極管至所述轉移基板。
本發明另一方面提供一種顯示面板製作系統,包括:
至少一個容納腔,用於容納複數發光二極管,每個所述發光二極管包括具有磁性的電極;
磁懸浮裝置,具有與所述電極的磁性相同的磁性,使容納於所述容納腔的所述複數發光二極管位於所述磁懸浮裝置的磁場內而處於懸浮狀態;及
轉移基板,可相對於所述至少一個容納腔移動地設置,並於經過任意一個容納腔時,所述轉移基板產生與所述複數發光二極管的電極磁性相反的磁性以吸附所述複數發光二極管。
本發明另一方面提供一種顯示裝置的有源矩陣基板,所述有源矩陣基板上定義有複數陣列式排布的畫素,每一個所述畫素包括複數子畫素;
各個所述子畫素設置有畫素電極,各個所述畫素電極用於被施加一預設電壓時產生磁性。
本發明實施例提供的顯示面板製作方法,將各個發光二極管的電極配置磁性,並借助一與各個發光二極管的電極磁性相同的磁懸浮裝置使得各個發光二極管處於懸浮狀態,藉由為轉移基板配置與發光二極管電極相反的磁性吸附各個發光二極管至轉移基板,可實現於較短時間內實現巨量發光二極管的移轉,適用於Micro-LED顯示屏的製作,有利於提升顯示面板的製作效率。
請參閱圖1,本實施例提供的顯示面板製作系統10,用於製作顯示面板,尤其適用於製作微型發光二極管(Micro Light-Emitting Diode, Micro-LED)顯示面板。本文所述的微型發光二極管是指尺寸為100微米以下的發光二極管。
顯示面板製作系統10包括磁懸浮裝置11、轉移基板12及至少一個容納腔,本實施例中包括第一容納腔131、第二容納腔132及第三容納腔133三個容納腔。上述第一容納腔131、第二容納腔132及第三容納腔133分別用於容納發射不同種顏色光的發光二極管。磁懸浮裝置11與轉移基板12相對設置,第一容納腔131、第二容納腔132及第三容納腔133設置於磁懸浮裝置11與轉移基板12之間。
第一容納腔131、第二容納腔132及第三容納腔133為一端連接磁懸浮裝置11,另一端具有開口134的腔體。開口134靠近磁懸浮裝置11設置,開口134與磁懸浮裝置11之間的空間用於容納發光二極管,本實施例中,上述發光二極管尤其指微型發光二極管。於另一實施例中,第一容納腔131、第二容納腔132及第三容納腔133也可不與磁懸浮裝置11連接。
第一容納腔131、第二容納腔132及第三容納腔133分別用於容納發射不同種顏色光的微型發光二極管。本實施例中,第一容納腔131用於容納發射第一顏色光(本實施例中為紅色光)的微型發光二極管14R,第二容納腔132用於容納發射第二顏色光(本實施例中為綠色光)的微型發光二極管14G,第三容納腔133用於容納發射第三顏色光(本實施例中為藍色光)的微型發光二極管14B。微型發光二極管14R、14G、14B皆包括一電極141,電極141具有磁性。
磁懸浮裝置11為具有與電極141磁性相同的裝置,其可以為一本身具有磁性的材料做成的機台,也可以為一藉由通電產生磁性的裝置,可以理解的,當為一藉由通電產生磁性的裝置時,斷電則會失去磁性。第一容納腔131、第二容納腔132及第三容納腔133皆位於磁懸浮裝置11產生的磁場內,故根據同磁性相斥的原理,由於磁懸浮裝置11具有與電極141磁性相同的磁性,各個微型發光二極管14R、14G、14B皆受到磁懸浮裝置11的排斥力而分別於第一容納腔131、第二容納腔132及第三容納腔133保持懸浮狀態。本文所述的懸浮狀態是指各個微型發光二極管14R、14G、14B不被承載於任何載體的狀態,懸浮狀態的各個微型發光二極管14R、14G、14B因為受到磁懸浮裝置11的排斥力而被托起、分別漂浮於第一容納腔131、第二容納腔132及第三容納腔133中。各個微型發光二極管14R、14G、14B處於懸浮狀態時,其電極141朝向磁懸浮裝置11。
轉移基板12可移動地設置。本實施例中,轉移基板12為顯示裝置的有源矩陣基板。於製作顯示面板時,轉移基板12藉由移動依次經過第一容納腔131、第二容納腔132及第三容納腔133的開口134。轉移基板12配置有與電極141相同的磁性,根據磁性的異性相吸原理,各個微型發光二極管14R、14G、14B皆受到轉移基板12的吸附力而使得轉移基板12可吸附住各個微型發光二極管14R、14G、14B。藉由上述顯示面板製作系統10,可以實現較短時間內巨量轉移微型發光二極管,有利於提高顯示面板製作效率。
請參閱圖2,轉移基板12上定義有複數陣列式排布的畫素121,本實施例中,每一個畫素包括三個子畫素,分別為子畫素R、G、B,各個子畫素R、G、B陣列式排布。於其他實施例中,一個畫素121中可包其他數量的子畫素,例如一個畫素121中包括四個子畫素。各個子畫素R、G、B皆對應有畫素電極(圖未示),為轉移基板12配置磁性,具體為,為各個畫素電極配置磁性。本實施例中,各個畫素電極配置磁性具體為,為各個畫素電極施加一預設電壓,使之產生磁性。
請同時參閱圖1及圖2,各個微型發光二極管14R、14G、14B被吸附至轉移基板12上時,與子畫素一一對應,也即,每一個子畫素僅對應一顆微型發光二極管。其中,子畫素R對應設置發射紅色光的微型發光二極管14R,子畫素G對應設置發射綠色光的微型發光二極管14G,子畫素B對應設置發射藍色光的微型發光二極管14B。
應當理解,圖2中所示的子畫素R、G、B的排列方式僅作示例,於其他實施例中可為其他的排列方式,本發明不對此作限定。
請參閱圖3,本實施例還提供一種利用上述顯示面板製作系統10製作顯示面板的方法,該方法包括:
步驟S1,提供複數發光二極管,每個所述發光二極管包括具有磁性的電極;
步驟S2,提供一具有與所述電極的磁性相同的磁懸浮裝置,將所述複數發光二極管放置於所述磁懸浮裝置的磁場內,以使所述複數發光二極管處於懸浮狀態;
步驟S3,提供一轉移基板,使所述複數發光二極管位於所述轉移基板與所述磁懸浮裝置之間,並為所述轉移基板配置與所述電極的磁性相反的磁性以吸附所述複數發光二極管至所述轉移基板。
請一併參閱圖1及圖3,步驟S1中,提供複數微型發光二極管14R、14G及14B,將複數微型發光二極管14R、14G及14B分別容置於第一容納腔131、第二容納腔132及第三容納腔133。各個微型發光二極管14R、14G及14B皆包括一具有磁性的電極141。本實施例中,發射每種顏色光的微型發光二極管數量相等;也即微型發光二極管14R、微型發光二極管14G與微型發光二極管14B的數量相等;也即第一容納腔131、第二容納腔132及第三容納腔133中容納的微型發光二極管的數量相等。
步驟S2中,根據各個微型發光二極管14R、14G及14B的電極141的磁性,將磁懸浮裝置11設置為與電極141磁性相同,以使得各個微型發光二極管14R、14G及14B受到排斥力而處於懸浮狀態。
步驟S3中,提供一轉移基板12,該轉移基板12為顯示裝置的有源矩陣基板,並移動轉移基板12,使其依次經過第一容納腔131、第二容納腔132及第三容納腔133。轉移基板12移動至第一容納腔131時,僅為轉移基板12上各個子畫素R配置與電極141相反的磁性,以吸附第一容納腔131中各個微型發光二極管14R至各個子畫素R。經過第一容納腔131後的轉移基板12的結構如圖4所示。
接著移動轉移基板12至第二容納腔132所所在位置,此時保持子畫素R配置與電極141相反的磁性,吸附住微型發光二極管14R並進一步為各個子畫素G配置與電極141相反的磁性,以吸附第二容納腔132中各個微型發光二極管14G至各個子畫素G。經過第二容納腔132後的轉移基板12的結構如圖5所示。
接著移動轉移基板12至第三容納腔133所在位置,此時保持子畫素R及子畫素G配置與電極141相反的磁性,吸附住微型發光二極管14R及微型發光二極管14G,並進一步為各個子畫素B配置與電極141相反的磁性,以吸附第三容納腔133中各個微型發光二極管14B至各個子畫素B。經過第三容納腔133後的轉移基板12的結構如圖6所示。
本實施例提供的顯示面板製作方法,於步驟S3之後,還可對轉移基板12進行檢測,判斷是否每一個子畫素都對應有一顆微型發光二極管,若發現轉移基板12上存在未設置微型發光二極管的子畫素,則需要手動添加。且本實施例中,為保證一個子畫素僅吸附一顆微型發光二極管,可控制施加於各個子畫素所對應的畫素電極上的電壓大小,以控制子畫素對微型發光二極管的吸附力,使得一個子畫素上的吸附力僅足夠吸附一顆微型發光二極管。
本實施例提供的顯示面板製作方法,還包括,將各個微型發光二極管14R、14G及14B固接於轉移基板12並停止為轉移基板12配置磁性。也即,將各個微型發光二極管14R、14G及14B轉移至轉移基板12後,轉移基板12持續吸附住各個微型發光二極管14R、14G及14B。此時藉由一定技術手段將各個微型發光二極管14R、14G及14B固接於轉移基板12上,本實施例中,採用焊錫的方式將各個微型發光二極管14R、14G及14B固接於轉移基板12上。完成各個微型發光二極管14R、14G及14B的固接步驟後,不再需要吸附力將各個微型發光二極管14R、14G及14B吸附於轉移基板,此時可停止為轉移基板12配置磁性。
本實施例中,若於固接各個微型發光二極管14R、14G及14B過程中,還是發現存在一個子畫素吸附有多顆微型發光二極管的情況,則僅選擇一顆固接於該子畫素,於停止為轉移基板12配置磁性後,其餘未固定的微型發光二極管可因為不受吸附力而自行脫落。
本實施例提供的顯示面板製作方法,將各個微型發光二極管(包括微型發光二極管14R、14G、14B)的電極141配置磁性,並借助一與各個微型發光二極管的電極磁性相同的磁懸浮裝置11使得各個微型發光二極管處於懸浮狀態,藉由為轉移基板12配置與微型發光二極管電極相反的磁性吸附各個微型發光二極管至轉移基板12,可實現於較短時間內實現巨量微型發光二極管的移轉,有利於提升顯示面板的製作效率。
本技術領域之普通技術人員應當認識到,以上之實施方式僅是用來說明本發明,而並非用作為對本發明之限定,只要於本發明之實質精神範圍之內,對以上實施例所作之適當改變及變化均落於本發明要求保護之範圍之內。
10:顯示面板製作系統
11:磁懸浮裝置
12:轉移基板
121:畫素
R、G、B:子畫素
131:第一容納腔
132:第二容納腔
133:第三容納腔
134:開口
14R、14G、14B:發光二極管
141:電極
S1、S2、S3:步驟
圖1為本發明實施例提供的顯示面板製作系統的結構示意圖。
圖2為圖1中轉移基板的平面結構示意圖。
圖3為本發明實施例提供的顯示面板製作方法的流程示意圖。
圖4為圖3步驟S3時轉移基板的一種狀態示意圖。
圖5為圖3步驟S3時轉移基板的另一種狀態示意圖。
圖6為圖3步驟S3時轉移基板的又一種狀態示意圖。
10:顯示面板製作系統
11:磁懸浮裝置
12:轉移基板
131:第一容納腔
132:第二容納腔
133:第三容納腔
134:開口
14R、14G、14B:發光二極管
141:電極
Claims (11)
- 一種顯示面板製作方法,其改良在於,包括: 步驟S1,提供複數發光二極管,每個所述發光二極管包括具有磁性的電極; 步驟S2,提供一具有與所述電極的磁性相同的磁懸浮裝置,將所述複數發光二極管放置於所述磁懸浮裝置的磁場內,以使所述複數發光二極管處於懸浮狀態; 步驟S3,提供一轉移基板,使所述複數發光二極管位於所述轉移基板與所述磁懸浮裝置之間,並為所述轉移基板配置與所述電極的磁性相反的磁性以吸附所述複數發光二極管至所述轉移基板。
- 如請求項1所述的顯示面板製作方法,其中,至少部分所述複數發光二極管用於發射第一顏色光,且至少部分所述發光二極管用於發射第二顏色光; 發射所述第一顏色光及發射所述第二顏色光的發光二極管依次被吸附至所述轉移基板上。
- 如請求項2所述的顯示面板製作方法,其中,用於發射所述第一顏色光的發光二極管與用於發射所述第二顏色光的發光二極管數量相等。
- 如請求項2所述的顯示面板製作方法,其中,所述提供複數發光二極管的步驟包括將發射所述第一顏色光的發光二極管容置於第一容納腔,將發射所述第二顏色光的發光二極管容置於第二容納腔; 所述為所述轉移基板配置與所述複數發光二極管的電極磁性相反的磁性以吸附所述複數發光二極管至所述轉移基板的步驟包括: 為所述轉移基板配置與所述複數發光二極管的電極磁性相反的磁性,移動所述轉移基板依次經過所述第一容納腔、所述第二容納腔以依次吸附所述發射第一顏色光的發光二極管、所述發射第二顏色光的發光二極管至所述轉移基板。
- 如請求項4所述的顯示面板製作方法,其中,所述轉移基板上定義有複數陣列排布的子畫素,所述複數發光二極管被吸附至所述轉移基板上時,所述複數子畫素與所述複數發光二極管一一對應。
- 如請求項5所述的顯示面板製作方法,其中,移動所述轉移基板經過所述第一容納腔時,僅為所述轉移基板上對應發射所述第一顏色光的發光二極管的子畫素配置與所述複數發光二極管的電極磁性相反的磁性;移動所述轉移基板經過所述第二容納腔時,為所述轉移基板上對應發射所述第一顏色光的發光二極管的子畫素及對應發射所述第二顏色光的發光二極管的子畫素皆配置與所述複數發光二極管的電極磁性相反的磁性。
- 如請求項5所述的顯示面板製作方法,其中,各個所述子畫素對應一畫素電極;所述為所述轉移基板配置與所述複數發光二極管的電極磁性相反的磁性步驟具體為: 為所述轉移基板上各個所述子畫素所對應的畫素電極配置與所述複數發光二極管的電極磁性相反的磁性。
- 如請求項7所述的顯示面板製作方法,其中,所述為所述轉移基板上各個所述子畫素所對應的畫素電極配置與所述複數發光二極管的電極磁性相反的磁性步驟具體為: 為所述轉移基板上各個所述子畫素所對應的畫素電極施加預設電壓以使得所述畫素電極產生與所述複數發光二極管的電極磁性相反的磁性。
- 如請求項1所述的顯示面板製作方法,其中,步驟S3之後還包括: 將各個所述發光二極管固接於所述轉移基板並停止為所述轉移基板配置磁性。
- 一種顯示面板製作系統,其改良在於,包括: 至少一個容納腔,用於容納複數發光二極管,每個所述發光二極管包括具有磁性的電極; 磁懸浮裝置,具有與所述電極的磁性相同的磁性,使容納於所述容納腔的所述複數發光二極管位於所述磁懸浮裝置的磁場內而處於懸浮狀態;及 轉移基板,可相對於所述至少一個容納腔移動地設置,並於經過任意一個容納腔時,所述轉移基板產生與所述複數發光二極管的電極磁性相反的磁性以吸附所述複數發光二極管。
- 一種顯示裝置的有源矩陣基板,其改良在於,所述有源矩陣基板上定義有複數陣列式排布的畫素,每一個所述畫素包括複數子畫素; 各個所述子畫素設置有畫素電極,各個所述畫素電極用於被施加一預設電壓時產生磁性。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910604708.0A CN110323309B (zh) | 2019-07-05 | 2019-07-05 | 显示面板制作方法及显示面板制作系统 |
CN201910604708.0 | 2019-07-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202103355A true TW202103355A (zh) | 2021-01-16 |
TWI735910B TWI735910B (zh) | 2021-08-11 |
Family
ID=68122803
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW108124396A TWI735910B (zh) | 2019-07-05 | 2019-07-10 | 顯示面板製作方法、顯示面板製作系統及有源矩陣基板 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110323309B (zh) |
TW (1) | TWI735910B (zh) |
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Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102416621B1 (ko) * | 2015-08-31 | 2022-07-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 트랜스퍼 |
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CN208352323U (zh) * | 2018-06-29 | 2019-01-08 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种发光二极管芯片转移装置 |
CN109003966B (zh) * | 2018-07-23 | 2020-10-23 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
CN109065692A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-12-21 | 厦门多彩光电子科技有限公司 | 一种led的封装方法 |
CN109273565B (zh) * | 2018-10-15 | 2021-02-02 | 华映科技(集团)股份有限公司 | 一种微发光二极管芯片的转移方法 |
CN109524512B (zh) * | 2018-11-15 | 2020-07-03 | 华中科技大学 | 基于可控微反射镜阵列的微型发光二极管巨量转移方法 |
-
2019
- 2019-07-05 CN CN201910604708.0A patent/CN110323309B/zh active Active
- 2019-07-10 TW TW108124396A patent/TWI735910B/zh active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI829172B (zh) * | 2022-03-30 | 2024-01-11 | 大陸商深超光電(深圳)有限公司 | 巨量轉移系統及巨量轉移方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI735910B (zh) | 2021-08-11 |
CN110323309A (zh) | 2019-10-11 |
CN110323309B (zh) | 2020-11-13 |
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