CN208352323U - 一种发光二极管芯片转移装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种发光二极管芯片转移装置，包括转移基板、溶液槽、芯片转移设备载台、LED芯片；其中：转移基板在预计安装LED芯片的位置上设置P型电极固定块、N型电极固定块，所述P型电极固定块、N型电极固定块可为凹槽或凸块结构，芯片转移设备载台上设有S极电磁铁、N极电磁铁，每个所述S极电磁铁、N极电磁铁连接有独立线路进行单独控制。本实用新型的优点在于：将转移基板和LED芯片放入同一溶液中，LED芯片在磁力作用下会自动吸附在转移基板的指定位置上，可以实现LED芯片的转移，简单方便迅速，而且可将转移后芯片立即做测试，存在缺陷的芯片可透过底部电磁铁磁极变化将问题芯片移除，提高了LED芯片的生产效率，及芯片转移良率。

Description

一种发光二极管芯片转移装置

技术领域

本实用新型涉及发光二极管生产技术领域，尤其涉及一种发光二极管芯片转移装置。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，以下简称：LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管，具有体积小、亮度高和能耗小等特点，透过不同材料组合及生产方式，可发出不同颜色的光，被广泛地应用在显示屏、背光源和照明领域。随着微型LED在高解析度显示器上应用的发展, 微型LED技术日益受到瞩目，相对于传统LED,微型LED在芯片制作完后将芯片转移到不同转移基板上时,因为要转移的数量较多，传统LED转移技术并不适用在微型LED上。

目前微型LED通过磁力特性转移的方法，是分别在驱动电路板上和LED芯片上制作N极与S极的磁极(CN 107425101 A)，利用异磁性相吸的原理将LED芯片安装在驱动电路板上，实现LED芯片的转移。然而，因为在驱动电路板上和LED芯片上制作N极与S极的磁极为永磁性，转移时N极与S极磁极互相吸引, 转移后一旦发现芯片有异常,取下异常的芯片将十分困难，存在不足。

实用新型内容

（一）解决的技术问题

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种发光二极管芯片转移装置，解决了现有技术中一旦发现芯片有异常,取下异常的芯片十分困难的问题。

（二）技术方案

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种发光二极管芯片转移装置，包括转移基板、溶液槽、芯片转移设备载台、LED芯片；其中：转移基板在预计安装LED芯片的位置上设置P型电极固定块、N型电极固定块，所述P型电极固定块、N型电极固定块可为凹槽或凸块结构，芯片转移设备载台上设有S极电磁铁、N极电磁铁，每个所述S极电磁铁、N极电磁铁连接有独立线路进行单独控制，所述P型电极固定块、N型电极固定块分别与所述S极电磁铁、N极电磁铁相对位置重叠，溶液槽置于所述芯片转移设备载台上，所述转移基板置于溶液槽内，带磁性电极的LED芯片置入溶液槽内。

一种发光二极管芯片转移装置，所述LED管芯片从衬底向上依序至少包括N型层、发光层、P型层、P型电极、N型电极，其中：所述P型电极、N型电极均为磁性材料，所述P型电极、N型电极磁场方向与所述LED芯片的层叠方向垂直,且两个磁极的极性相反。

一种发光二极管芯片转移装置，其中：所述转移基板上带有驱动电路，可通电流对LED芯片进行测试。

一种发光二极管芯片转移装置，其中：所述溶液槽内的液体为不可导电的去离子水或丙酮。

（三）有益效果

与现有技术相比，本实用新型提供了一种发光二极管芯片转移装置，具备以下有益效果：将转移基板和LED芯片放入同一溶液中， LED芯片在磁力作用下会自动吸附在转移基板的指定位置上，可以实现LED芯片的转移，简单方便迅速，而且可将转移后芯片立即做测试，存在缺陷的芯片可透过底部电磁铁磁极变化将问题芯片移除，提高了LED芯片的生产效率，及芯片转移良率。

附图说明

图1 为本实用新型的整体结构示意图。

图2 为本实用新型中LED芯片的结构示意图。

图3 为本实用新型中转移基板的结构示意图。

图4 为本实用新型中芯片转移设备载台的结构示意图。

图5 为本实用新型中LED芯片异常时转移装置的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例1、如图1-4所示，一种发光二极管芯片转移装置，包括转移基板6、溶液槽12、芯片转移设备载台9、LED芯片13；其中：转移基板6在预计安装LED芯片13的位置上设置P型电极固定块7、N型电极固定块8，所述P型电极固定块7、N型电极固定块8可为凹槽或凸块结构，芯片转移设备载台9上设有S极电磁铁10、N极电磁铁11，每个所述S极电磁铁10、N极电磁铁11连接有独立线路进行单独控制，所述P型电极固定块7、N型电极固定块8分别与所述S极电磁铁10、N极电磁铁11相对位置重叠，溶液槽12置于所述芯片转移设备载台9上，所述转移基板6置于溶液槽12内，带磁性电极的LED芯片13置入溶液槽12内。

实施例2、如图2所示，一种发光二极管芯片转移装置，所述LED管芯片13从衬底向上依序至少包括N型层1、发光层2、P型层3、P型电极4、N型电极5，其中：所述P型电极4、N型电极5均为磁性材料，所述P型电极4、N型电极5磁场方向与所述LED芯片13的层叠方向垂直,且两个磁极的极性相反。其余同实施例1。

实施例3、一种发光二极管芯片转移装置，其中：所述转移基板6上带有驱动电路，可通电流对LED芯片13进行测试。其余同实施例1。

实施例4、一种发光二极管芯片转移装置，其中：所述溶液槽12内的液体为不可导电的去离子水或丙酮。其余同实施例1。

工作原理：

转移基板6在预计安装LED芯片13的位置上设置P型电极固定块7、N型电极固定块8，在芯片转移设备载台9上设置S极电磁铁10、N极电磁铁11，将转移基板6放入溶液槽12中，固定于芯片转移设备载台9上，所述P型电极固定块7、N型电极固定块8分别与所述S极电磁铁10、N极电磁铁11相对位置重叠，将若干LED芯片13放入溶液中，P型电极4在磁力作用下吸附在P型电极固定块7上，同时N型电极5在磁力作用下固定在N型电极固定块8上，实现LED芯片13固定安装在转移基板6上；

若干LED芯片13固定后，转移基板6上的测试电路通入电流对LED芯片13进行检测，若有异常的芯片，会将该LED芯片13下电磁铁的磁极反转，使芯片脱离转移基板6，如图5所示；在实际应用中,每种单一颜色LED芯片13完成安装到转移基板6上，可将LED芯片13上的电路通入电流使其发光，确认各别LED芯片13是否异常，此时可将异常的LED芯片13下对应的一组电磁铁的磁极反转，对异常LED芯片13产生排斥力使其脱离转移基板6，可以实现芯片的转移，简单方便迅速，而且可将转移后芯片立即做测试，存在缺陷的芯片可透过底部电磁铁磁极变化将换问题芯片移除，提高了LED芯片的生产效率，及芯片转移良率。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (4)

1.一种发光二极管芯片转移装置，包括转移基板（6）、溶液槽(12)、芯片转移设备载台（9）、LED芯片（13）；其特征在于：转移基板（6）在预计安装LED芯片（13）的位置上设置P型电极固定块（7）、N型电极固定块（8），所述P型电极固定块（7）、N型电极固定块（8）可为凹槽或凸块结构，芯片转移设备载台（9）上设有S极电磁铁（10）、N极电磁铁（11），每个所述S极电磁铁（10）、N极电磁铁（11）连接有独立线路进行单独控制，所述P型电极固定块（7）、N型电极固定块（8）分别与所述S极电磁铁（10）、N极电磁铁（11）相对位置重叠，溶液槽（12）置于所述芯片转移设备载台（9）上，所述转移基板（6）置于溶液槽（12）内，带磁性电极的LED芯片（13）置入溶液槽（12）内。

2.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片转移装置，所述LED芯片（13）从衬底向上依序至少包括N型层（1）、发光层（2）、P型层（3）、P型电极（4）、N型电极（5），其特征在于：所述P型电极（4）、N型电极（5）均为磁性材料，所述P型电极（4）、N型电极（5）磁场方向与所述LED芯片（13）的层叠方向垂直,且两个磁极的极性相反。

3.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片转移装置，其特征在于：所述转移基板(6)上带有驱动电路，可通电流对LED芯片（13）进行测试。

4.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片转移装置，其特征在于：所述溶液槽（12）内的液体为不可导电的去离子水或丙酮。