CN113314654B - 发光基板及其制备方法、显示设备 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例提供了一种发光基板及其制备方法、显示设备。在本申请实施例提供的发光基板中，由于位于第一基板的微型发光单元的第一电极的一侧设置有第一金属柱，位于第一基板的微型发光单元的公共电极的一侧设置有第二金属柱，相应的，第二基板的一侧设置有阵列排布的凹槽结构和第二电极。当第一基板转移至第二基板的预设位置后，第二基板的凹槽结构能够引导第一基板的第一金属柱和第二金属柱进入对应的凹槽结构，并与第二电极电连接，从而能够使得第一基板和第二基板具有一定的自对接能力，能够提高第一基板与第二基板的对接键合精度。

Description

发光基板及其制备方法、显示设备
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种发光基板及其制备方法、显示设备。
背景技术
包含微型发光单元的显示面板是新一代显示技术。微型发光单元包括微型发光二极管(μLED)，微型发光二极管包括Mini LED(Light-Emitting Diode，发光二极管)和MicroLED。
微型发光单元的显示面板的制备过程中，在微型发光单元制备完成后，需要将微型发光单元转移至驱动基板上，将微型发光单元的PAD(电极)与驱动基板的PAD键合连接。
但是，由于微型发光单元的尺寸较小和目前转移键合设备的限制，转移过程中，微型发光单元与驱动基板的预设安装位置之间容易出现偏差，导致微型发光单元的PAD与驱动基板的PAD的键合精度降低，进而导致微型发光单元的显示面板的生产良品率降低。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点，提出一种发光基板及其制备方法、显示设备，用以解决现有技术中微型发光单元与驱动基板的预设安装位置容易出现偏差，导致微型发光单元的PAD与驱动基板的PAD的键合精度降低的技术问题。
第一个方面，本申请实施例提供了一种发光基板，包括：
多个第一基板，第一基板包括衬底和位于衬底一侧的像素岛，像素岛包括微型发光单元的阵列和公共电极；微型发光单元的第一电极远离衬底，第一电极远离衬底的一侧设置有第一金属柱，公共电极远离衬底的一侧设置有第二金属柱；
第二基板，第二基板的一侧设置有阵列排布的凹槽结构和第二电极，凹槽结构暴露至少部分第二电极；一个第一金属柱位于一个凹槽结构内，并与出露于该凹槽结构的第二电极电连接；一个第二金属柱位于一个凹槽结构内，并与出露于该凹槽结构的第二电极电连接。
第二个方面，本申请实施例提供了一种显示设备，包括：上述第一个方面所提供的发光基板。
第三个方面，本申请实施例提供了一种上述第一个方面所提供的发光基板的制备方法，其特征在于，包括：
在第一基板中像素岛的微型发光单元的第一电极远离衬底的一侧制备第一金属柱，在第一基板中像素岛的公共电极远离衬底的一侧制备第二金属柱；
在第二基板的一侧制备阵列排布的凹槽结构，使得凹槽结构暴露至少部分第二电极；
将第一基板微型发光单元与第二基板相对准并对接，使得一个第一金属柱位于一个凹槽结构内，并与出露于该凹槽结构的第二电极电连接；一个第二金属柱位于一个凹槽结构内，并与出露于该凹槽结构的第二电极电连接。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：
在本申请实施例提供的发光基板中，由于位于第一基板的微型发光单元的第一电极的一侧设置有第一金属柱，位于第一基板的微型发光单元的公共电极的一侧设置有第二金属柱，相应的，第二基板的一侧设置有阵列排布的凹槽结构和第二电极。当第一基板转移至第二基板的预设位置后，第二基板的凹槽结构能够引导第一基板的第一金属柱和第二金属柱进入对应的凹槽结构，并与第二电极电连接，从而能够使得第一基板和第二基板具有一定的自对接能力，能够提高第一基板与第二基板的对接键合精度。
而且，当第一金属柱和第二金属柱进入凹槽结构后，凹槽结构会限制第一金属柱和第二金属柱沿平行于第二基板方向上的位移，能够提高第一基板和第二基板的连接稳定性，能够进一步提高第一基板与第二基板的对接键合精度。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本申请实施例提供的第一种发光基板的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的第二种发光基板的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的第三种发光基板的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的第四种发光基板的结构示意图；
图5为本申请实施例提供的第五种发光基板的结构示意图；
图6为本申请实施例提供的第六种发光基板的结构示意图；
图7为本申请实施例提供的一种发光基板的制备方法中的流程示意图；
图8为本申请实施例提供的发光基板中第一基板的仰视图；
图9a为本申请实施例提供的发光基板中第一基板的第一中间结构的结构示意图；
图9b为本申请实施例提供的发光基板第一基板的第二中间结构的结构示意图；
图9c为本申请实施例提供的发光基板第一基板的第三中间结构的结构示意图；
图9d为本申请实施例提供的发光基板第一基板的结构示意图；
图10为本申请实施例提供的发光基板中一种第二基板的结构示意图；
图11为本申请实施例提供的发光基板中另一种第二基板的结构示意图。
附图标记说明：
10-第一基板；
11-衬底；
12-像素岛；121-微型发光单元；1211-第一电极；122-公共电极；123-第一金属柱；124-第二金属柱；125-第一半导体层；126-有源层；127-第二半导体结构；
13-缓冲层；
14-遮光层；
15-钝化层；
20-第二基板；
21-凹槽结构；211-黑矩阵结构；212-透光结构；
22-第二电极；
23-导电粘结层；
301-光刻胶结构。
具体实施方式
下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”到另一元件时，它可以直接连接到其他元件，或者也可以存在中间元件。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
首先对本申请涉及的几个名词进行介绍和解释：
像素岛，包括多个阵列排布的多个子像素，同一像素岛内的子像素的发光材料相同，相邻两个像素岛之间设置有非像素区域。
本申请的发明人进行研究发现，在微型发光单元发光基板的制备过程中，需要将包含像素岛的基板翻转倒装至驱动背板上，使得像素岛中微型发光单元的p电极的焊盘和n电极的焊盘，与驱动背板上的阳极的焊盘电连接。但是，像素岛往往包括多个的p电极或多个n电极，且相邻两个p电极(或n电极)之间的距离通常为微米级，即相邻两个p电极(或n电极)的焊盘之间的距离为微米级，在转移过程中由于外部压力或高温引起的转移取件头，如弹性印章的膨胀和变形，会导致像素岛位置在转印后发生较大位移，这使得基板与驱动背板的预设安装位置容易出现偏差，导致像素岛的p电极的焊盘和n电极的焊盘与驱动背板上的阳极的焊盘的对接键合精度降低，进而导致发光基板的生产良品率降低。
本申请提供的发光基板及其制备方法、显示设备，旨在解决现有技术的如上技术问题。
下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
本申请实施例提供了一种发光基板，该发光基板的结构示意图如图1所示，包括：
多个第一基板10，第一基板10包括衬底11和位于衬底11一侧的像素岛12，像素岛12包括微型发光单元121的阵列和公共电极122；微型发光单元121的第一电极1211远离衬底11，第一电极远1211远离衬底11的一侧设置有第一金属柱123，公共电极122远离衬底11的一侧设置有第二金属柱124；
可选的，公共电极122可以是n电极，此时第一电极1211可以是p电极。或者，公共电极122可以是p电极，此时第一电极1211可以是n电极。本申请实施例对此不做限制。
第二基板20，第二基板20的一侧设置有阵列排布的凹槽结构21和第二电极22，凹槽结构21暴露至少部分第二电极22；一个第一金属柱123位于一个凹槽结构21内，并与出露于该凹槽结构21的第二电极22电连接；一个第二金属柱124位于一个凹槽结构21内，并与出露于该凹槽结构21的第二电极22电连接。
在本申请实施例提供的发光基板中，由于位于第一基板10的微型发光单元121的第一电极1211的一侧设置有第一金属柱123，位于第一基板10的微型发光单元121的公共电极122远离衬底11的一侧设置有第二金属柱124，相应的，第二基板20的一侧设置有阵列排布的凹槽结构21和第二电极22。当第一基板10转移至第二基板20的预设位置后，第二基板20的凹槽结构21能够引导第一基板10的第一金属柱123和第二金属柱124进入对应的凹槽结构21，并与第二电极22电连接，从而能够使得第一基板10和第二基板20具有一定的自对接能力，能够提高第一基板10与第二基板20的对接键合精度。
而且，当第一金属柱123和第二金属柱124进入凹槽结构21后，凹槽结构21会限制第一金属柱123和第二金属柱124沿平行于第二基板20方向上的位移，能够提高第一基板10和第二基板20的连接稳定性，能够进一步提高第一基板10与第二基板20的对接键合精度。
本申请实施例中，多个第一基板10位于第二基板20的一侧，每个第一基板10均包括衬底11和位于衬底11一侧的像素岛12，像素岛12包括公共电极122和阵列排布的微型发光单元121，所有微型发光单元121均与公共电极122电连接；微型发光单元121的第一电极远1211远离衬底11的一侧设置有第一金属柱123，公共电极122远离衬底11的一侧设置有第二金属柱124。第二基板20的一侧设置有阵列排布的凹槽结构21，且每个凹槽结构21的底壁内均设置有至少部分第二电极22，可选地，凹槽结构21的数量等于第一金属柱123的数量和第二金属柱124的数量之和，以保障每个第一基板10均可以与第二基板20具有一定的自对接能力，从而提高第一基板10与第二基板20的对接键合精度。
本申请实施例中，第二基板20为驱动基板，包括用于驱动微型发光单元121工作的驱动电路、控制元件等。
应该说明的是，本申请实施例中，衬底11的制造材料包括蓝宝石材料、SiC(碳化硅)、Si(硅)，GaAs(砷化镓)，AlN(氮化铝)，ZnO(氧化锌)；蓝宝石材料的主要成分是Al2O3(氧化铝)。可选地，本申请实施例中，衬底11为蓝宝石衬底11，由于蓝宝石具有良好的透光率，因此，衬底11不会影响各个微型发光单元121发出光线的出射，因此，本申请实施例所提供的发光基板中保留有蓝宝石衬底11。可选地，如图1所示，衬底11与微型发光单元121之间设置有缓冲层13，因此，本领域技术人员可以根据实际需求将衬底11与缓冲层13相剥离，从而能够减轻发光基板的厚度和重量，有利于发光基板的轻薄化发展。
本技术领域技术人员理解的是，本申请实施例提供的发光基板，既可以直接制作形成显示面板，还可以用于显示面板的背光模组。
本申请实施例提供了一种发光基板，凹槽结构21包括黑矩阵结构，第二电极22至少部分出露于黑矩阵结构的开口区域。
本申请实施例中，如图1所示，黑矩阵结构的开口区域设置有第二电极22，由于第二电极22采用不透光材料制成，从而通过黑矩阵结构和第二电极22，可以阻挡微型发光单元121发出的光线从第二基板20的方向出射，能够使得微型发光单元121发出的光线从第一基板10出射。图1中用箭头线表示微型发光单元121发出的光线的光路路径。
而且，本申请实施例中，凹槽结构21为黑矩阵结构，在起到用于容纳第一金属柱123和第二金属柱124的同时，能够起到遮光作用，从而可以避免单独设置用于遮光的结构，从而简化了发光基板的结构，能够提高发光基板的生产效率。本技术领域技术人员了解的是，黑矩阵结构的制作材料为显示面板生产过程中常用的材料，相应的黑矩阵结构的制作设备也是显示面板生产过程中常用的生产设备之一，因此，凹槽结构21为黑矩阵结构，能够使用现有生产设备制备黑矩阵结构，从而可以降低发光基板的生产成本。
在本申请的一个实施例中，衬底11远离像素岛12的一侧设置有遮光层14；凹槽结构21包括黑矩阵结构211和透光结构212，黑矩阵结构211的开口区域与微型发光单元121的发光区域相对应，且在垂直于第二基板20出光面的方向上，黑矩阵结构211的正投影与透光结构212的正投影部分重叠。
本申请实施例中，如图2所示，衬底11远离像素岛12的一侧设置有遮光层14，遮光层14用于遮挡微型发光单元121发出的光线，防止型发光单元121发出的光线从衬底11的方向出射。可选地，本申请实施例中，遮光层14可采用黑矩阵材料制成，从而能够降低发光基板的生产成本。
本申请实施例中，如图2所示，凹槽结构21包括黑矩阵结构211和透光结构212，黑矩阵结构211的开口区域与微型发光单元121的发光区域相对应，从而使得微型发光单元121发出的光线能够从黑矩阵结构211的开口区域射出，由于透光结构212能够透光，因此，从黑矩阵结构211的开口区域射出的光线，通过透光结构212后，从第二基板20的方向出射。如图2所示，黑矩阵结构211的投影与透光结构212的投影部分重叠，从而能够在保障微型发光单元121发出的光线能够从第二基板20的方向出射的同时，黑矩阵结构211能够起到隔离相邻微型发光单元121之间光线出现串扰的问题，保障发光基板的显示效果。
本申请实施例中，第二基板20为透明材料制成，可选地，可选用高透光率的玻璃制成。透光结构212可采用透光率较高的透明树脂材料制成，从而能够保障微型发光单元121发出的光线的出射效率，提高发光基板的显示亮度，降低发光基板的能耗。
本领域技术人员理解的是，如图2所示的发光基板中，微型发光单元121的发光区域为微型发光单元121的第一电极1211除去被第一金属柱123所遮挡的部分。
在本申请的一个实施例中，第一金属柱123和第二电极22之间设置有导电粘结层23，第二金属柱124和第二电极22之间设置有导电粘结层23。本申请实施例中，如图1和图2所示，第一金属柱123和第二电极22之间以及第二金属柱124和第二电极22之间，均设置有导电粘结层23。导电粘结层23用于粘结固定第一金属柱123和第二电极22以及粘结固定第二金属柱124和第二电极22的同时，还起到导电作用，使得第一金属柱123和第二电极22之间能够形成导电通路，第二金属柱124和第二电极22之间能够形成导电通路。如图1和图2所示，由于位于第二基板20一侧的相邻两个第二电极22之间通过黑矩阵结构211或透光结构212隔离，使得相邻两个第二电极22之间不会形成导电通路，从而能够避免出现短路的情况。
可选地，由于第一金属柱123、第二金属柱124和第二电极22均为导电金属材料制成，因此，可以采用共晶焊工艺将第一金属柱123和第二电极22固定连接，采用共晶焊工艺将第二金属柱124和第二电极22固定连接，这样可以免去设置导电粘结层23，从而可以简化发光基板的结构，能够提高发光基板的生产效率。
在本申请的一个实施例中，导电粘结层23的制作材料包括锡膏、导电胶中的至少一种。
本申请实施例中，当发光基板中设置有导电粘结层23时，导电粘结层23可采用锡膏制成，在第二基板20上通过丝网印刷技术涂覆锡膏，使得第二电极22的一侧涂覆有锡膏，在第一基板10与第二基板20相对准并对接，通过回流焊工艺使得第一金属柱123和第二电极22固定连接，第二金属柱124和第二电极22固定连接。
可选地，本申请实施例中，导电粘结层23还可采用包括ACF(AnisotropicConductive Film，异方性导电胶膜)在内的导电胶制成。在第二基板20涂覆ACF胶，使得第二电极22的一侧涂覆有ACF胶，在第一基板10与第二基板20相对准并对接，通过热压工艺使得第一金属柱123和第二电极22固定连接，第二金属柱124和第二电极22固定连接。
在本申请的一个实施例中，像素岛12还包括位于第一半导体层125和有源层126，第一半导体层125位于衬底11靠近第一电极1211的一侧，有源层126位于第一半导体层125远离衬底11的一侧；微型发光单元121的第二半导体结构127位于有源层126远离第一半导体层125的一侧，第一电极1211位于第二半导体结构127远离有源层126的一侧。
本申请实施例中，如图1和图2所示，第一基板10中，像素岛12还包括第一半导体层125和有源层126，所有的微型发光单元121共用同一层第一半导体层125和同一层有源层126，从而能够减少发光基板的制作工艺，能够提高发光基板的生产效率。
第一半导体层125位于衬底11靠近第一电极1211的一侧，有源层126位于第一半导体层125远离衬底11的一侧，微型发光单元121的第二半导体结构127位于有源层126远离第一半导体层125的一侧，第一电极1211位于第二半导体结构127远离有源层126的一侧，使得第一基板10中的各个微型发光单元121均能够在驱动电压的控制下，产生电流，从而实现微型发光单元121的发光。
可选地，本申请实施例中，第一半导体层125的制作材料为n型GaN(氮化镓)，有源层126为MQW(Multiple Quantum Well，多量子阱)材料，的第二半导体结构127的制作材料为p型GaN。
在本申请的一个实施例中，在垂直于发光基板的截面方向上，第一金属柱123和第二金属柱124的形状包括矩形、梯形、半圆形和半椭圆形中的一种或组合，凹槽结构21的形状包括矩形、梯形中的一种或组合。
可选地，如图1、图2和图4所示的发光基板，发光基板中的第一金属柱123和第二金属柱124在垂直于发光基板的截面方向上的形状均为矩形；如图3所示的发光基板，发光基板中的第一金属柱123和第二金属柱124在垂直于发光基板的截面方向上的形状均为梯形；如图5和图6所示的发光基板，发光基板中的第一金属柱123和第二金属柱124在垂直于发光基板的截面方向上的形状均为矩形和半圆形的组合，具体的，第一金属柱123远离第二基板10的部分的形状为矩形，第一金属柱123靠近第二基板10的部分的形状为半圆形，半圆形的直径与矩形的宽度相等，同理可以了解第二金属柱124的形状。
如图1、图2和图5所示的发光基板，凹槽结构21的形状为梯形；如图3所示的发光基板，凹槽结构21在垂直于发光基板的截面方向上的形状为矩形，如图6所示的发光基板，凹槽结构21在垂直于发光基板的截面方向上的形状为侧边为弧线的梯形，具体的，凹槽结构21在图中左右方向上的两个侧边为弧线型，弧线型朝向凹槽结构21围合形成的凹槽空间内凸起，凹槽结构21的底部为直线型，从而组合形成侧边为弧线的梯形。
本领域技术人员可以根据实际需求，具体设定第一金属柱123和第二金属柱124的形状，以及凹槽结构21的形状。
在本申请的一个实施例中，在垂直于第一基板10的方向上，多个微型发光单元121的第一电极1211，均位于公共电极122围合形成的半封闭空间内。
本申请实施例中，如图8所示，为本申请实施例提供的发光基板中第一基板的仰视图，在垂直于第一基板10的方向上，多个微型发光单元121的第一电极1211，均位于公共电极122围合形成的半封闭空间内。
基于同一发明构思，本申请实施例提供一种显示设备，包括：上述各个实施例所提供的发光基板。
基于同一发明构思，本申请实施例提供一种发光基板的制备方法，该方法的流程示意图如图7所示，该方法包括：
S701、在第一基板中像素岛的微型发光单元的第一电极远离衬底的一侧制备第一金属柱，在第一基板中像素岛的公共电极远离衬底的一侧制备第二金属柱，之后执行S703。
可选地，通过电镀工艺在第一基板10中像素岛12的微型发光单元121的第一电极1211远离衬底11的一侧制备第一金属柱123，在第一基板10中像素岛12的公共电极122远离衬底11的一侧制备第二金属柱124。
S702、在第二基板的一侧制备阵列排布的凹槽结构，使得凹槽结构暴露至少部分第二电极。
可选地，通过回流焊工艺和曝光工艺在第二基板20的一侧制备阵列排布的凹槽结构21，使得凹槽结构21暴露至少部分第二电极22。
S703、将第一基板与第二基板相对准并对接，使得一个第一金属柱位于一个凹槽结构内，并与出露于该凹槽结构的第二电极电连接；一个第二金属柱位于一个凹槽结构内，并与出露于该凹槽结构的第二电极电连接。
可选地，将第一基板10与第二基板20相对准并对接，并施加一定的压力，使得一个第一金属柱123位于一个凹槽结构21内，并与出露于该凹槽结构21的第二电极22电连接；一个第二金属柱124位于一个凹槽结构21内，并与出露于该凹槽结构21的第二电极22电连接。
本申请实施例中，当第一基板10转移至第二基板20的预设位置后，第二基板20的凹槽结构21能够引导第一基板10的第一金属柱123和第二金属柱124进入对应的凹槽结构21，并与第二电极22电连接，从而能够使得第一基板10和第二基板20具有一定的自对接能力，能够提高第一基板10与第二基板20的对接键合精度。而且，当第一金属柱123和第二金属柱124进入凹槽结构21后，凹槽结构21会限制第一金属柱123和第二金属柱124沿平行于第二基板20方向上的位移，能够提高第一基板10和第二基板20的连接稳定性，能够进一步提高第一基板10与第二基板20的对接键合精度。
在本申请的一个实施例中，上述S701步骤，具体包括：
在第一电极1211远离衬底11的一侧、公共电极122远离衬底11的一侧和衬底11的一侧涂覆光刻胶层。
可选地，在如图9a所示的发光基板第一基板10的第一中间结构上涂覆光刻胶层。图9a中，第一基板10的第一中间结构还包括钝化层15。
图案化光刻胶层，使得第一电极1211的至少部分和公共电极122的至少部分出露。
可选地，图案化光刻胶层，得到如图9b所示的发光基板第一基板10的第二中间结构，光刻胶层形成多个光刻胶结构301，使得第一电极1211的至少部分和公共电极122的至少部分出露。
在第一电极1211的出露部分的一侧制备的第一金属柱123，在公共电极122的出露部分的一侧制备的第二金属柱124。
可选地，在图9b所示的发光基板第一基板10的第二中间结构上，以第一电极1211的出露部分为种子层，通过电镀工艺在第一电极1211的出露部分的一侧制备得到第一金属柱123，通过电镀工艺在公共电极122的出露部分的一侧制备得到第二金属柱124，得到如图9c所示的发光基板第一基板10的第三中间结构。可选地，本申请实施例中，第一金属柱123和第二金属柱124的制备材料包括铜。
剥离图案化后的光刻胶层，使得第一金属柱123和第二金属柱124出露。
可选地，剥离图9c所示的发光基板第一基板10的第三中间结构上的光刻胶结构301，使得第一金属柱123和第二金属柱124出露，得到图9d所示的发光基板的第一基板10。
在本申请的一个实施例中，上述S702步骤，具体包括：
在第二基板20的一侧制备阵列排布的第二电极22；
在第二电极22和第二基板20的一侧制备黑矩阵结构，使得第二基板的一侧形成阵列排布的凹槽结构21，且使得第二电极22至少部分出露于黑矩阵的开口区域。
本领域技术人员理解的是，通过控制曝光工艺的参数，可以控制黑矩阵结构的形状，从而得到如图10或图11所示的凹槽结构21，本领域技术人员可以根据实际需求，可以在第二基板20的一侧制备得到不同结构的凹槽结构21。
在本申请的一个实施例中，上述S702步骤，具体包括：
在第二基板20的一侧制备阵列排布的第二电极22；
在第二电极22和第二基板10的一侧制备透光结构212；
在透光结构212的一侧制备黑矩阵结构211，使得黑矩阵结构211的开口区域与微型发光单元121发光区域相对应，且在垂直于第二基板20的方向上，黑矩阵结构211的投影与透光结构212的投影部分重叠；
以及，在第一基板10中像素岛12的微型发光单元121的第一电极1211远离衬底11的一侧制备第一金属柱123，在第一基板中10像素岛12的公共电极122远离衬底11的一侧制备第二金属柱124之后，还包括：
在衬底11远离第一金属柱123和第二金属柱124的一侧制备遮光层。14，从而得到如图2所示的发光基板。
在本申请的一个实施例中，上述S703步骤，具体包括：
在第二电极22远离第二基板20的一侧涂覆导电粘结材料；
将第一基板10与第二基板20相对准并对接，通过键合工艺处理对接后的第一基板10与第二基板20，使得导电粘结材料形成导电粘结层23；导电粘结层23电连接第一金属柱123和第二电极22，导电粘结层23电连接第二金属柱124和第二电极22。
具体的，每个第一基板10包括一个像素岛12，三个像素岛12的发光颜色分别为红绿蓝，即一个像素岛12包括多个红色微型发光单元121、绿色微型发光单元121或蓝色微型发光单元121中的一种。通过将第一基板10翻转与第二基板20相对准并对接，通过键合工艺处理对接后的第一基板10与第二基板20，使得导电粘结材料形成导电粘结层23；导电粘结层23电连接第一金属柱123和第二电极22，导电粘结层23电连接第二金属柱124和第二电极22。
应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：
在本申请实施例提供的发光基板中，由于位于第一基板10的微型发光单元121的第一电极1211的一侧设置有第一金属柱123，位于第一基板10的微型发光单元121的公共电极122远离衬底11的一侧设置有第二金属柱124，相应的，第二基板20的一侧设置有阵列排布的凹槽结构21和第二电极22。当第一基板10转移至第二基板20的预设位置后，第二基板20的凹槽结构21能够引导第一基板10的第一金属柱123和第二金属柱124进入对应的凹槽结构21，并与第二电极22电连接，从而能够使得第一基板10和第二基板20具有一定的自对接能力，能够提高第一基板10与第二基板20的对接键合精度。
而且，当第一金属柱123和第二金属柱124进入凹槽结构21后，凹槽结构21会限制第一金属柱123和第二金属柱124沿平行于第二基板20方向上的位移，能够提高第一基板10和第二基板20的连接稳定性，能够进一步提高第一基板10与第二基板20的对接键合精度。
本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (8)

1.一种发光基板，其特征在于，包括：
多个第一基板，所述第一基板包括衬底和位于所述衬底一侧的像素岛，所述像素岛包括微型发光单元的阵列和公共电极；所述微型发光单元的第一电极远离所述衬底，所述第一电极远离所述衬底的一侧设置有第一金属柱，所述公共电极远离所述衬底的一侧设置有第二金属柱；所述像素岛还包括钝化层，设置于所述微型发光单元远离所述衬底一侧，所述第一金属柱和所述第二金属柱均穿设于所述钝化层；所述像素岛包括相平行的两个微型发光单元行，所述公共电极包括与所述微型发光单元行平行的子部，两个所述微型发光单元行在所述子部的正投影中，一所述微型发光单元行的一个所述微型发光单元的正投影，覆盖至少部分另一所述微型发光单元行的一个所述微型发光单元，同一所述像素岛的相邻的两行所述微型发光单元中，一行的所述微型发光单元与另一行的所述微型发光单元错位排布；
第二基板，所述第二基板的一侧设置有阵列排布的凹槽结构和第二电极，所述凹槽结构暴露至少部分所述第二电极；一个所述第一金属柱位于一个所述凹槽结构内，并与出露于该凹槽结构的所述第二电极电连接；一个所述第二金属柱位于一个所述凹槽结构内，并与出露于该凹槽结构的所述第二电极电连接；
所述凹槽结构包括黑矩阵结构，所述第二电极至少部分出露于所述黑矩阵结构的开口区域；或，所述衬底远离所述像素岛的一侧设置有遮光层，所述凹槽结构包括黑矩阵结构和透光结构，所述黑矩阵结构的开口区域与所述微型发光单元的发光区域相对应，且在垂直于所述第二基板出光面的方向上，所述黑矩阵结构的正投影与所述透光结构的正投影部分重叠。
2.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述第一金属柱和所述第二电极之间设置有导电粘结层，所述第二金属柱和所述第二电极之间设置有所述导电粘结层。
3.根据权利要求2所述的发光基板，其特征在于，所述导电粘结层的制作材料包括锡膏、导电胶中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述像素岛还包括第一半导体层和有源层，所述第一半导体层位于所述衬底靠近所述第一电极的一侧，所述有源层位于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧；
所述微型发光单元的第二半导体结构位于所述有源层远离所述第一半导体层的一侧，所述第一电极位于所述第二半导体结构远离所述有源层的一侧。
5.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，在垂直于第一基板的方向上，多个所述微型发光单元的所述第一电极，均位于所述公共电极围合形成的半封闭空间内。
6.一种显示设备，其特征在于，包括：权利要求1-5中任一项所述的发光基板。
7.一种权利要求1-5中任一项所述的发光基板的制备方法，其特征在于，包括：
在第一基板中像素岛的微型发光单元的第一电极远离衬底的一侧制备第一金属柱，在第一基板中所述像素岛的公共电极远离所述衬底的一侧制备第二金属柱；
在所述第二基板的一侧制备阵列排布的所述第二电极，在所述第二电极和所述第二基板的一侧制备黑矩阵结构，使得所述第二基板的一侧形成阵列排布的所述凹槽结构，且使得所述黑矩阵的开口区域暴露至少部分所述第二电极；或，在所述第二基板的一侧制备阵列排布的所述第二电极，在所述第二电极和所述第二基板的一侧制备透光结构，在所述透光结构的一侧制备黑矩阵结构，使得所述黑矩阵结构的开口区域与所述微型发光单元发光区域相对应，且在垂直于所述第二基板的方向上，所述黑矩阵结构的投影与所述透光结构的投影部分重叠，以及，所述在第一基板中像素岛的微型发光单元的第一电极远离衬底的一侧制备第一金属柱，在第一基板中所述像素岛的公共电极远离所述衬底的一侧制备第二金属柱之后，还包括：在所述衬底远离所述第一金属柱和所述第二金属柱的一侧制备遮光层；
将所述微型发光单元第一基板与第二基板相对准并对接，使得一个所述第一金属柱位于一个所述凹槽结构内，并与出露于该凹槽结构的所述第二电极电连接；一个所述第二金属柱位于一个所述凹槽结构内，并与出露于该凹槽结构的所述第二电极电连接。
8.根据权利要求7所述的发光基板的制备方法，其特征在于，所述在第一基板中像素岛的微型发光单元的第一电极远离衬底的一侧制备第一金属柱，在第一基板中所述像素岛的公共电极远离所述衬底的一侧制备第二金属柱，包括：
在所述第一电极远离所述衬底的一侧、所述公共电极远离所述衬底的一侧和所述衬底的一侧涂覆光刻胶层；
图案化所述光刻胶层，使得所述第一电极的至少部分和所述公共电极的至少部分出露；
在所述第一电极的出露部分的一侧制备的所述第一金属柱，在所述公共电极的出露部分的一侧制备的所述第二金属柱；
剥离图案化后的光刻胶层，使得所述第一金属柱和所述第二金属柱出露。
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