CN112750923A - 微元件的制程平台及其转移方法、接收基板的修复方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示面板技术领域，公开了一种微元件的制程平台及其转移方法、接收基板的修复方法。该制程平台包括承载台以及多个电磁吸附单元和/或多个电磁加热单元。承载台设置有一承载面，承载面用于放置接收基板，接收基板上定义有阵列排布的多个微元件安装区，多个电磁吸附单元和/或多个电磁加热单元沿承载面阵列排布，以使得当接收基板放置于承载面上时，能够分别与微元件安装区对应设置，电磁吸附单元用于通过所产生的吸附磁场将带有磁体的微元件吸附于对应的微元件安装区，电磁加热单元用于通过所产生的加热磁场熔融将微元件固定于基板上的焊料。其中，制程平台是可以重复利用的，具备良好的复用性，有利于降低成本。

Description

微元件的制程平台及其转移方法、接收基板的修复方法
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域，特别是涉及一种微元件的制程平台及其转移方法、接收基板的修复方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种光电半导体元件，其具有低功耗、尺寸小亮度高、易与集成电路匹配、可靠性高等优点，作为光源被广泛应用。并且，随着LED技术的成熟，直接利用LED作为自发光显示点像素的LED显示器或Micro LED(微型发光二极管)显示器的技术也逐渐被广泛应用。
其中，Micro LED显示屏综合了TFT-LCD和LED显示屏的技术特点，其显示原理是将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化，之后将Micro LED从最初的生长衬底上剥离而后转移到接收基板上。但目前Micro LED批量转移工艺所应用的提高转移效率的方案存在复用性差、成本较高的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明主要解决的技术问题是提供一种微元件的制程平台及其转移方法、接收基板的修复方法，其中制程平台是可以重复利用的，具备良好的复用性，有利于降低成本。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种微元件的制程平台。该制程平台包括承载台以及多个电磁吸附单元和/或多个电磁加热单元。承载台设置有一承载面，承载面用于放置接收基板，接收基板上定义有阵列排布的多个微元件安装区，多个电磁吸附单元和/或多个电磁加热单元沿承载面阵列排布，以使得当接收基板放置于承载面上时，能够分别与微元件安装区对应设置，电磁吸附单元用于通过所产生的吸附磁场将带有磁体的微元件吸附于对应的微元件安装区，电磁加热单元用于通过所产生的加热磁场熔融将微元件固定于基板上的焊料。
在本发明的一实施例中，不同微元件安装区对应的电磁吸附单元的控制相互独立，并且不同微元件安装区对应的电磁加热单元的控制相互独立，使得制程平台可以选择性地控制电磁吸附单元以及电磁加热单元工作。
在本发明的一实施例中，各微元件安装区对应的电磁吸附单元能够被独立寻址，其中被寻址到的电磁吸附单元产生吸附磁场，未被寻址到的电磁吸附单元不产生吸附磁场；各微元件安装区对应的电磁加热单元能够被独立寻址，其中被寻址到的电磁加热单元产生吸附磁场，未被寻址到的电磁加热单元不产生加热磁场，进一步使得制程平台可以选择性地控制电磁吸附单元以及电磁加热单元工作。
在本发明的一实施例中，制程平台同时包括多个电磁吸附单元和多个电磁加热单元，电磁吸附单元和电磁加热单元成组设置，以使得当接收基板放置于承载面上时，每个微元件安装区对应至少一个电磁吸附单元和至少一个电磁加热单元，使得制程平台同时具备电磁吸附和电磁加热的功能。
在本发明的一实施例中，产生吸附磁场的电磁吸附单元具有N极和S极，电磁吸附单元的N极和S极沿承载面设置，以使得电磁吸附单元和微元件准确对位。
为解决上述技术问题，本发明采用的又一个技术方案是：提供一种微元件的转移方法。该转移方法包括：将接收基板放置于制程平台的承载台上，其中接收基板上定义有阵列排布的多个微元件安装区，制程平台还包括多个电磁吸附单元，电磁吸附单元用于通过所产生的吸附磁场将带有磁体的微元件吸附于对应的微元件安装区，接收基板上的多个微元件安装区分别与制程平台的多个电磁吸附单元对应设置；将微元件转移至接收基板上方；控制用于接收微元件的微元件安装区对应的电磁吸附单元产生吸附磁场，而其余的电磁吸附单元不产生吸附磁场，进而将微元件吸附于对应的微元件安装区。
在本发明的一实施例中，微元件的磁体预先磁化形成有N极和S极；将微元件吸附于对应的微元件安装区的步骤包括：用于接收微元件的微元件安装区对应的电磁吸附单元产生吸附磁场，以形成N极和S极，进而将微元件吸附于对应的微元件安装区，其中电磁吸附单元的N极对应吸附磁体的S极，电磁吸附单元的S极对应吸附磁体的N极，以使得电磁吸附单元和微元件准确对位。
在本发明的一实施例中，制程平台还包括多个电磁加热单元，接收基板上的多个微元件安装区还分别与制程平台的多个电磁加热单元对应设置；控制用于接收微元件的微元件安装区对应的电磁吸附单元产生吸附磁场的步骤之后包括：控制安装有微元件的微元件安装区对应的电磁加热单元产生加热磁场，而其余的电磁加热单元不产生加热磁场，进而通过熔融的焊料将微元件固定于接收基板上，其中焊料设置于微元件上或设置于微元件安装区内，意味着制程平台同时具备电磁吸附和电磁加热的功能。
为解决上述技术问题，本发明采用的又一个技术方案是：提供一种接收基板的修复方法。该修复方法包括：提供接收基板；其中，接收基板上设置有阵列排布的多个微元件，各微元件分别通过焊料固定于接收基板上；将接收基板放置于承载台上；其中，承载台上设有以阵列形式排布的多个电磁加热单元，电磁加热单元用于通过所产生的加热磁场熔融焊料，电磁加热单元与接收基板上的微元件对应设置；控制处于异常状态的微元件对应的电磁加热单元产生加热磁场，其余的电磁加热单元不产生加热磁场，以利用加热磁场熔融与处于异常状态的微元件连接的焊料；将处于异常状态的微元件更换为正常状态的微元件。
在本发明的一实施例中，承载台上还设有以阵列形式排布的多个电磁吸附单元，电磁吸附单元与接收基板上的微元件对应设置，微元件带有磁体；将处于异常状态的微元件更换为正常状态的微元件的步骤包括：控制正常状态的微元件的待放置位置对应的电磁吸附单元产生吸附磁场，其余电磁吸附单元不产生吸附磁场，进而利用吸附磁场将正常状态的微元件吸附于对应的待放置位置，意味着制程平台同时具备电磁吸附和电磁加热的功能。
本发明的有益效果是：区别于现有技术，本发明提供一种微元件的制程平台及其转移方法、接收基板的修复方法。电磁吸附单元和电磁加热单元设计于制程平台，而制程平台作为接收基板的载体，其在微元件的转移过程，或是焊接过程，或是坏点修复过程中是重复利用的，一块接收基板完成制程工艺后需更换下一块接收基板，即接收基板不是重复利用的。而传统Micro LED批量转移工艺所应用的提高转移效率的方案均是以接收基板为设计基础，将相应元件设计于接收基板上，导致传统高转移效率的方案所需要的元件复用性较差、成本较高，而本发明中电磁吸附单元和电磁加热单元设计于制程平台，制程平台是重复利用的，具备良好的复用性，有利于降低成本。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。此外，这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。
图1是本发明微元件的制程平台第一实施例的结构示意图；
图2是本发明微元件的制程平台第二实施例的结构示意图；
图3是本发明微元件的制程平台第三实施例的结构示意图；
图4是本发明微元件的转移方法一实施例的流程示意图；
图5是本发明微元件的转移方法另一实施例的流程示意图；
图6是本发明接收基板的修复方法一实施例的流程示意图；
图7是本发明接收基板的修复方法另一实施例的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
为解决现有技术中Micro LED批量转移工艺所应用的提高转移效率的方案存在复用性差、成本较高的技术问题，本发明的一实施例提供一种微元件的制程平台。该制程平台包括承载台以及多个电磁吸附单元和/或多个电磁加热单元。承载台设置有一承载面，承载面用于放置接收基板，接收基板上定义有阵列排布的多个微元件安装区，多个电磁吸附单元和/或多个电磁加热单元沿承载面阵列排布，以使得当接收基板放置于承载面上时，能够分别与微元件安装区对应设置，电磁吸附单元用于通过所产生的吸附磁场将带有磁体的微元件吸附于对应的微元件安装区，电磁加热单元用于通过所产生的加热磁场熔融将微元件固定于基板上的焊料。以下进行详细阐述。
请参阅图1，图1是本发明微元件的制程平台第一实施例的结构示意图。
在一实施例中，制程平台应用于微元件1相关的制程工艺，可以是应用于MicroLED显示面板的制备工艺。其中，微元件1可以包括Micro LED等，微元件1相关的制程工艺可以包括微元件1的转移工艺、微元件1的焊接工艺以及微元件1的坏点修复工艺等。
具体地，制程平台包括承载台2以及多个电磁吸附单元3和/或多个电磁加热单元4。承载台2设置有一承载面21，承载面21用于放置接收基板5，接收基板5上定义有阵列排布的多个微元件安装区51，各微元件安装区51用于接收并安装微元件1。多个电磁吸附单元3和/或多个电磁加热单元4沿承载面21阵列排布，以使得当接收基板5放置于承载面21上时，能够分别与微元件安装区51对应设置。
电磁吸附单元3通过其所产生的吸附磁场将带有磁体11的微元件1吸附于对应的微元件安装区51，进而实现微元件1的转移与安装。电磁吸附单元3利用磁场能够使得微元件1精确地吸附安装于对应的微元件安装区51，并且上述磁力吸附的方式使得微元件1转移至接收基板5的过程具有较高的转移效率。因此，本实施例的电磁吸附单元3能够提高微元件1的转移效率。
其中，微元件1的磁体11可以被电磁吸附单元3产生的吸附磁场磁化，进而被电磁吸附单元3吸引；或是微元件1的磁体11已预先磁化，并且微元件1的磁体11的磁性被设计为使得微元件1的磁体11能够被电磁吸附单元3吸引，能够提高微元件1和电磁吸附单元3之间的吸附效率，进而提高微元件1的转移效率。微元件1的磁体11可以选用铁、钴、镍、铁氧体等磁性材料。
进一步地，对于微元件1的磁体11预先磁化的情况，可以在微元件1的磁体11上预先磁化形成N极和S极。产生吸附磁场的电磁吸附单元3具有N极和S极，电磁吸附单元3的N极和S极沿承载面21设置。在微元件1和电磁吸附单元3对位后，电磁吸附单元3的N极对应吸附微元件1的磁体11的S极，而电磁吸附单元3的S极对应吸附微元件1的磁体11的N极，进而使得微元件1的磁体11的磁性被设计为使得微元件1的磁体11能够被电磁吸附单元3吸引，如图2所示，利用磁极异性相吸的特性使得微元件1与电磁吸附单元3准确对位，进而使微元件1精确地安装于对应的微元件安装区51。
微元件1转移至接收基板5后，通常通过焊料将微元件1焊接固定于接收基板5上。本实施例的电磁加热单元4通过其所产生的加热磁场熔融将微元件1固定于基板上的焊料，以实现微元件1和接收基板5的焊接固定，或是实现后续坏点修复制程中更换微元件1。其中，焊料可以设置于微元件1上，或是设置于微元件安装区51。
通过上述方式，制程平台作为接收基板5的载体，其在微元件1的转移过程，或是焊接过程，或是坏点修复过程中是重复利用的，一块接收基板5完成制程工艺后需更换下一块接收基板5，即接收基板5不是重复利用的。而传统Micro LED批量转移工艺所应用的提高转移效率的方案均是以接收基板5为设计基础，将相应元件设计于接收基板5上，而一块接收基板5完成工艺后就更换下一块接收基板5，已完成工艺的接收基板5上的上述相应元件无法应用于其它接收基板5，导致传统工艺所使用的元件复用性较差、成本较高，而本实施例的电磁吸附单元3和电磁加热单元4设计于制程平台，制程平台是重复利用的，具备良好的复用性，有利于降低成本。
在本实施例中，承载台2上的多个电磁吸附单元3对应接收基板5上的微元件安装区51设计。具体地，可以是一个电磁吸附单元3对应一个微元件安装区51；或是两个及以上电磁吸附单元3对应一个微元件安装区51，即该两个及以上的电磁吸附单元3用于对应吸附一个微元件安装区51需要安装的微元件1。
同理，承载台2上的多个电磁加热单元4对应接收基板5上的微元件安装区51设计。具体地，可以是一个电磁加热单元4对应一个微元件安装区51；或是两个及以上电磁加热单元4对应一个微元件安装区51，即该两个及以上的电磁加热单元4用于对应加热熔融一个微元件安装区51的焊料。
进一步地，不同微元件安装区51对应的电磁吸附单元3的控制相互独立，即不同微元件安装区51对应的电磁吸附单元3的控制不会相互干扰，可以部分微元件安装区51对应的电磁吸附单元3工作产生吸附磁场，而其它微元件安装区51对应的电磁吸附单元3不工作。也就是说，本实施例的制程平台可以选择性地控制电磁吸附单元3工作，进而控制用于接收微元件1的微元件安装区51对应的电磁吸附单元3产生吸附磁场，而其余的电磁吸附单元3不产生吸附磁场，避免接收基板5接收微元件1时全部的电磁吸附单元3均工作产生吸附磁场，能够降低制程平台的功耗。
其中，当各微元件安装区51对应有两个及以上的电磁吸附单元3时，同一微元件安装区51所对应的电磁吸附单元3中不同电磁吸附单元3的控制可以是相互独立的。如此一来，对于每个微元件安装区51而言，不同数量的电磁吸附单元3工作产生吸附磁场使得每个微元件安装区51能够提供不同大小的电磁吸附力。当然，同一微元件安装区51所对应的电磁吸附单元3中不同电磁吸附单元3的控制也可以不是相互独立的，而是一并控制同一微元件安装区51所对应的所有电磁吸附单元3产生吸附磁场或不产生吸附磁场。
同理，不同微元件安装区51所对应的电磁加热单元4的控制也是相互独立的，即可以部分微元件安装区51对应的电磁加热单元4工作产生加热磁场，而其它微元件安装区51对应的电磁加热单元4不工作。本实施例的制程平台可以选择性地控制电磁加热单元4工作，进而控制相应微元件安装区51对应的电磁加热单元4产生加热磁场，而其余的电磁加热单元4不产生加热磁场。通过上述方式，在微元件1转移至接收基板5后，即可控制未完成微元件1焊接的微元件安装区51对应的电磁加热单元4产生加热磁场，而其余的电磁加热单元4不产生加热磁场，实现微元件1转移至接收基板5后即刻进行焊接，而无需待接收基板5完成全部微元件1转移后再进行统一焊接，能够缩短制程耗时；并且在接收基板5的坏点修复制程中，可以仅控制处于异常状态的微元件1对应的电磁加热单元4产生加热磁场，其余的电磁加热单元4不产生加热磁场，不仅能够降低制程平台的功耗，还能避免正常状态的微元件1处的焊料被反复加热而引发可靠性问题。
其中，当各微元件安装区51对应有两个及以上的电磁加热单元4时，同一微元件安装区51所对应的电磁加热单元4中不同电磁加热单元4的控制可以是相互独立的。当然，同一微元件安装区51所对应的电磁加热单元4中不同电磁加热单元4的控制也可以不是相互独立的，而是一并控制同一微元件安装区51所对应的所有电磁加热单元4产生加热磁场或不产生加热磁场。
进一步地，各微元件安装区51对应的电磁吸附单元3能够被独立寻址，即能够分别确定各微元件安装区51对应的电磁吸附单元3的位置，进而选择性地控制电磁吸附单元3工作。具体地，被寻址到的电磁吸附单元3产生吸附磁场，未被寻址到的电磁吸附单元3不产生吸附磁场，以降低制程平台的功耗。
同理，各微元件安装区51对应的电磁加热单元4能够被独立寻址，即能够分别确定各微元件安装区51对应的电磁加热单元4的位置，进而选择性地控制电磁加热单元4工作。具体地，被寻址到的电磁加热单元4产生加热磁场，未被寻址到的电磁加热单元4不产生加热磁场，以降低制程平台的功耗。
结合上文所述，制程平台可以仅包括电磁吸附单元3，用于微元件1的转移工艺。制程平台也可以仅包括电磁加热单元4，用于微元件1的焊接以及坏点修复工艺。
当然，制程平台也可以同时包括多个电磁吸附单元3和多个电磁加热单元4，电磁吸附单元3和电磁加热单元4成组设置，以使得当接收基板5放置于承载面21上时，每个微元件安装区51对应至少一个电磁吸附单元3和至少一个电磁加热单元4，且同一组内的电磁吸附单元3和电磁加热单元4的控制是相互独立的。通过上述方式，制程平台同时具备电磁吸附和电磁加热的功能。具体地，在微元件1的转移工艺中，电磁吸附单元3工作以吸附微元件1，而在微元件1的焊接以及坏点修复工艺中，电磁加热单元4工作以加热熔融焊料，如图3所示。
综上所述，本发明所提供的制程平台作为接收基板的载体，其在微元件的转移过程，或是焊接过程，或是坏点修复过程中是重复利用的，具备良好的复用性，有利于降低成本。
请参阅图4，图4是本发明微元件的转移方法一实施例的流程示意图。需要说明的是，本实施例所阐述的微元件的转移方法是基于上述实施例所阐述的微元件的制程平台，并且本实施例所阐述的微元件的转移方法并不限于以下步骤。
S101：将接收基板放置于制程平台的承载台上；
在本实施例中，将接收基板放置于制程平台的承载台后，接收基板上的多个微元件安装区分别与制程平台的多个电磁吸附单元对应设置，电磁吸附单元用于吸引微元件至对应的微元件安装区。
S102：将微元件转移至接收基板上方；
在本实施例中，将微元件转移至接收基板上方，例如可以使用转移头等装置拾取微元件，并将微元件传送到接收基板上方，以便后续微元件在接收基板上着陆并实现安装。
S103：控制用于接收微元件的微元件安装区对应的电磁吸附单元产生吸附磁场，而其余的电磁吸附单元不产生吸附磁场。
在本实施例中，在微元件转移至接收基板上方后，控制用于接收微元件的微元件安装区对应的电磁吸附单元产生吸附磁场，以通过磁力吸引微元件，进而将带有磁体的微元件引导吸附至对应的微元件安装区。在此过程中，其余的电磁吸附单元不产生吸附磁场，能够降低制程平台的功耗，并且避免不用于接收微元件的微元件安装区对应的电磁吸附单元产生吸附磁场而影响用于接收微元件的微元件安装区对应的电磁吸附单元吸引微元件。
可选地，微元件的磁体预先磁化形成有N极和S极。用于接收微元件的微元件安装区对应的电磁吸附单元产生吸附磁场，以形成N极和S极，进而将微元件吸附于对应的微元件安装区。其中，电磁吸附单元的N极对应吸附磁体的S极，电磁吸附单元的S极对应吸附磁体的N极，利用磁极异性相吸的特性使得微元件与电磁吸附单元准确对位，进而使微元件精确地安装于微元件安装区，以避免微元件部分吸附于微元件安装区，而其它部分位于微元件安装区之外的情况。
请参阅图5，图5是本发明微元件的转移方法另一实施例的流程示意图。需要说明的是，本实施例所阐述的微元件的转移方法是基于上述实施例所阐述的微元件的制程平台，并且本实施例所阐述的微元件的转移方法并不限于以下步骤。
S201：将接收基板放置于制程平台的承载台上；
在本实施例中，将接收基板放置于制程平台的承载台后，接收基板上的多个微元件安装区分别与制程平台的多个电磁吸附单元对应设置，电磁吸附单元用于吸引微元件至对应的微元件安装区。
S202：将微元件转移至接收基板上方，并且将微元件与对应的微元件安装区进行对位；
在本实施例中，将微元件转移至接收基板上方，并且将微元件与对应的微元件安装区进行对位，使得微元件和接收基板上对应的微元件安装区进行快速粗略对位，以便后续微元件着陆至对应的微元件安装区，能够提高微元件的转移效率，并且降低了微元件在接收基板上错位的可能。
S203：控制用于接收微元件的微元件安装区对应的电磁吸附单元产生吸附磁场，而其余的电磁吸附单元不产生吸附磁场；
在本实施例中，在微元件转移至接收基板上方后，控制用于接收微元件的微元件安装区对应的电磁吸附单元产生吸附磁场，以通过磁力吸引微元件，进而将带有磁体的微元件引导吸附至对应的微元件安装区。在此过程中，其余的电磁吸附单元不产生吸附磁场，能够降低制程平台的功耗，并且避免不用于接收微元件的微元件安装区对应的电磁吸附单元产生吸附磁场而影响用于接收微元件的微元件安装区对应的电磁吸附单元吸引微元件。
S204：控制安装有微元件的微元件安装区对应的电磁加热单元产生加热磁场，而其余的电磁加热单元不产生加热磁场。
在本实施例中，当微元件转移至接收基板后，制程平台即可控制安装有微元件的微元件安装区对应的电磁加热单元产生加热磁场，以将微元件焊接固定于接收基板上，而无需待接收基板完成全部微元件转移后再进行统一焊接，能够缩短制程耗时。并且，其余的电磁加热单元不产生加热磁场，不仅能够降低制程平台的功耗，还能够避免已完成焊接的微元件处的焊料被反复加热而引发可靠性问题。
需要说明的是，本发明所提供的微元件的转移方法是分批次完成接收基板上所有微元件的转移。具体地，可以重复执行上述步骤S202至步骤S204，进而将微元件分批次地转移到接收基板上。并且，可以分批次转移不同发光色的微元件。
请参阅图6，图6是本发明接收基板的修复方法一实施例的流程示意图。需要说明的是，本实施例所阐述的接收基板的修复方法是基于上述实施例所阐述的微元件的制程平台，并且本实施例所阐述的接收基板的修复方法并不限于以下步骤。
S301：提供接收基板；
在本实施例中，接收基板上设置有阵列排布的多个微元件，各微元件分别通过焊料固定于接收基板上。并且接收基板上的微元件已预先经过测试，处于异常状态的微元件(即坏点)的位置已知。其中，焊料可以采用铁磁性种子层等形式制备，在此不做限定。
S302：将接收基板放置于承载台上；
在本实施例中，承载台上设有以阵列形式排布的多个电磁加热单元，在将接收基板放置于承载台后，电磁加热单元与接收基板上的微元件对应设置。
S303：控制处于异常状态的微元件对应的电磁加热单元产生加热磁场，其余的电磁加热单元不产生加热磁场；
在本实施例中，可以根据经预先测试得知的处于异常状态的微元件的位置，控制处于异常状态的微元件对应的电磁加热单元产生加热磁场，以利用加热磁场熔融与处于异常状态的微元件连接的焊料，以便进行更换。并且，其余的电磁加热单元不产生加热磁场，意味着可以仅控制处于异常状态的微元件对应的电磁加热单元产生加热磁场，其余的电磁加热单元不产生加热磁场，不仅能够降低制程平台的功耗，还能避免正常状态的微元件处的焊料被反复加热而引发可靠性问题。
S304：将处于异常状态的微元件更换为正常状态的微元件。
在本实施例中，将处于异常状态的微元件更换为正常状态的微元件的过程可以通过转移头等装置拾取微元件实现。
请参阅图7，图7是本发明接收基板的修复方法另一实施例的流程示意图。需要说明的是，本实施例所阐述的接收基板的修复方法是基于上述实施例所阐述的微元件的制程平台，并且本实施例所阐述的接收基板的修复方法并不限于以下步骤。
S401：提供接收基板；
在本实施例中，接收基板上设置有阵列排布的多个微元件，各微元件分别通过焊料固定于接收基板上。并且接收基板上的微元件已预先经过测试，处于异常状态的微元件的位置已知。
S402：将接收基板放置于承载台上；
在本实施例中，承载台上设有以阵列形式排布的多个电磁加热单元，在将接收基板放置于承载台后，电磁加热单元与接收基板上的微元件对应设置。
S403：控制处于异常状态的微元件对应的电磁加热单元产生加热磁场，其余的电磁加热单元不产生加热磁场；
在本实施例中，可以根据经预先测试得知的处于异常状态的微元件的位置，控制处于异常状态的微元件对应的电磁加热单元产生加热磁场，以利用加热磁场熔融与处于异常状态的微元件连接的焊料，以便进行更换。而其余的电磁加热单元不产生加热磁场。
S404：利用转移头将处于异常状态的微元件移除；
在本实施例中，处于异常状态的微元件所对应的焊料熔融后，就允许转移头拾取处于异常状态的微元件，并将处于异常状态的微元件从接收基板上移除。
S405：利用转移头将正常状态的微元件转移至对应的待放置位置；
在本实施例中，接收基板上处于异常状态的微元件被移除后，需要补上对应正常状态的微元件。具体地，利用转移头拾取正常状态的微元件，并将正常状态的微元件转移至对应的待放置位置，其中正常状态的微元件对应的待放置位置即为上述步骤中微元件被移除而空出的微元件安装区。
进一步地，在处于异常状态的微元件更换为正常状态的微元件的过程中，制程平台可以控制正常状态的微元件的待放置位置对应的电磁吸附单元产生吸附磁场，其余电磁吸附单元不产生吸附磁场，进而利用吸附磁场将正常状态的微元件吸附于对应的待放置位置。
并且，在处于异常状态的微元件更换为正常状态的微元件的过程中，电磁加热单元持续产生加热磁场，以使得正常状态的微元件的待放置位置的焊料保持熔融状态，进而避免焊料冷却后再熔融焊料而导致制程耗时过长的问题。
S406：控制电磁加热单元停止产生加热磁场。
在本实施例中，完成异常状态的微元件更换为正常状态的微元件的工作后，制程平台即可控制电磁加热单元停止产生加热磁场，使得熔融的焊料冷却固化，进而将新更换的微元件焊接固定于接收基板上。
此外，在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“层叠”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种微元件的制程平台，其特征在于，所述制程平台包括：
承载台以及多个电磁吸附单元和/或多个电磁加热单元，其中所述承载台设置有一承载面，所述承载面用于放置接收基板，所述接收基板上定义有阵列排布的多个微元件安装区，所述多个电磁吸附单元和/或多个电磁加热单元沿所述承载面阵列排布，以使得当所述接收基板放置于所述承载面上时，能够分别与所述微元件安装区对应设置，所述电磁吸附单元用于通过所产生的吸附磁场将带有磁体的微元件吸附于对应的所述微元件安装区，所述电磁加热单元用于通过所产生的加热磁场熔融将所述微元件固定于所述接收基板的焊料。
2.根据权利要求1所述的制程平台，其特征在于，不同所述微元件安装区对应的所述电磁吸附单元的控制相互独立，并且不同所述微元件安装区对应的所述电磁加热单元的控制相互独立。
3.根据权利要求2所述的制程平台，其特征在于，
各所述微元件安装区对应的所述电磁吸附单元能够被独立寻址，其中被寻址到的所述电磁吸附单元产生所述吸附磁场，未被寻址到的所述电磁吸附单元不产生所述吸附磁场；
各所述微元件安装区对应的所述电磁加热单元能够被独立寻址，其中被寻址到的所述电磁加热单元产生所述吸附磁场，未被寻址到的所述电磁加热单元不产生所述加热磁场。
4.根据权利要求1至3任一项所述的制程平台，其特征在于，所述制程平台同时包括所述多个电磁吸附单元和所述多个电磁加热单元，所述电磁吸附单元和所述电磁加热单元成组设置，以使得当所述接收基板放置于所述承载面上时，每个所述微元件安装区对应至少一个所述电磁吸附单元和至少一个所述电磁加热单元。
5.根据权利要求1至3任一项所述的制程平台，其特征在于，产生吸附磁场的所述电磁吸附单元具有N极和S极，所述电磁吸附单元的N极和S极沿所述承载面设置。
6.一种微元件的转移方法，其特征在于，所述转移方法包括：
将接收基板放置于制程平台的承载台上，其中所述接收基板上定义有阵列排布的多个微元件安装区，所述制程平台还包括多个电磁吸附单元，所述电磁吸附单元用于通过所产生的吸附磁场将带有磁体的微元件吸附于对应的所述微元件安装区，所述接收基板上的多个微元件安装区分别与所述制程平台的多个电磁吸附单元对应设置；
将所述微元件转移至所述接收基板上方；
控制用于接收所述微元件的所述微元件安装区对应的所述电磁吸附单元产生吸附磁场，而其余的所述电磁吸附单元不产生吸附磁场，进而将所述微元件吸附于对应的所述微元件安装区。
7.根据权利要求6所述的转移方法，其特征在于，所述微元件的所述磁体预先磁化形成有N极和S极；
所述将所述微元件吸附于对应的所述微元件安装区的步骤包括：
用于接收所述微元件的所述微元件安装区对应的所述电磁吸附单元产生吸附磁场，以形成N极和S极，进而将所述微元件吸附于对应的所述微元件安装区，其中所述电磁吸附单元的N极对应吸附所述磁体的S极，所述电磁吸附单元的S极对应吸附所述磁体的N极。
8.根据权利要求6所述的转移方法，其特征在于，
所述制程平台还包括多个电磁加热单元，所述接收基板上的多个微元件安装区还分别与所述制程平台的多个电磁加热单元对应设置；
所述控制用于接收所述微元件的所述微元件安装区对应的所述电磁吸附单元产生吸附磁场的步骤之后包括：
控制安装有所述微元件的所述微元件安装区对应的所述电磁加热单元产生加热磁场，而其余的所述电磁加热单元不产生加热磁场，进而通过熔融的焊料将所述微元件固定于所述接收基板上，其中所述焊料设置于所述微元件上或设置于所述微元件安装区内。
9.一种接收基板的修复方法，其特征在于，所述修复方法包括：
提供所述接收基板；其中，所述接收基板上设置有阵列排布的多个微元件，各所述微元件分别通过焊料固定于所述接收基板上；
将所述接收基板放置于承载台上；其中，所述承载台上设有以阵列形式排布的多个电磁加热单元，所述电磁加热单元用于通过所产生的加热磁场熔融所述焊料，所述电磁加热单元与所述接收基板上的所述微元件对应设置；
控制处于异常状态的所述微元件对应的所述电磁加热单元产生加热磁场，其余的所述电磁加热单元不产生加热磁场，以利用所述加热磁场熔融与所述处于异常状态的微元件连接的所述焊料；
将所述处于异常状态的微元件更换为正常状态的微元件。
10.根据权利要求9所述的修复方法，其特征在于，
所述承载台上还设有以阵列形式排布的多个电磁吸附单元，所述电磁吸附单元与所述接收基板上的所述微元件对应设置，所述微元件带有磁体；
所述将所述处于异常状态的微元件更换为正常状态的微元件的步骤包括：
控制所述正常状态的微元件的待放置位置对应的所述电磁吸附单元产生吸附磁场，其余所述电磁吸附单元不产生吸附磁场，进而利用所述吸附磁场将所述正常状态的微元件吸附于对应的待放置位置。
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