CN217983389U - 一种led晶片结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及LED晶片技术领域，且公开了一种LED晶片结构，包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底呈正方形，蓝宝石衬底的底部固定安装有低温缓冲区，低温缓冲区呈正方形，低温缓冲区的底部固定安装有N型半导体层，N型半导体层呈正方形，N型半导体层的底部固定安装有发光区，发光区呈正方形，发光区的底部固定安装有P型半导体层，P型半导体层呈正方形，P型半导体层的底部左侧设置有N电极结构，通过设置了树脂发光结构，高透光高聚光的光敏树脂层、三氟树脂层和亚克力吸塑面板层使芯片的出光效率提高，且使芯片的出光效果和色彩更有层次感，观赏起来更有魅力，不会引发审美疲劳，间接提高了该装置的使用寿命，节约了资源。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED晶片技术领域，尤其涉及一种LED晶片结构。
背景技术
近几年来，随着发光二极管(LED)的发光效率不断进步提升，使发光二极管的应用领域愈趋广泛，已应用在如液晶显示器的光源、交通号志灯，以及一般照明装置等领域。发光二极管的发光原理是将电能转换成光，也就是对磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)等的化合物半导体施加电压，透过电子、电洞的结合而将过剩的能量以光的形态释放出来，进而达到发光的效果。发光二极管的发光原理并不是加热发光或放电发光，而是属于冷性发光，因此发光二极管的发光寿命高达约十万小时以上。再者，发光二极管具有体积小、省电、低污染、适合量产等的优点，所以发光二极管所能应用的领域十分广泛。因背光模块或薄型显示大量需求，在液晶显示器领域随着背光提供及薄型显示的需求日益扩大，为了提升竞争实力，各厂家都在极力寻求能使导线架的封装结构变薄，从而使二极管的厚度变小的一种封装方法。
但是现有的芯片结构发光层结构单一，无法满足对光线的多种折射和色彩效果，容易引发审美疲劳，会逐渐被市场淘汰，造成大量的资源浪费。
为此，我们提出一种LED晶片结构。
实用新型内容
本实用新型主要是解决上述现有技术所存在的技术问题，提供一种LED晶片结构。
为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案，一种LED晶片结构，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底呈正方形，蓝宝石衬底的底部固定安装有低温缓冲区，低温缓冲区呈正方形，低温缓冲区的底部固定安装有N型半导体层，N型半导体层呈正方形，N型半导体层的底部固定安装有发光区，发光区呈正方形，发光区的底部固定安装有P型半导体层，P型半导体层呈正方形，P型半导体层的底部左侧设置有N电极结构，P型半导体层的底部右侧设置有P电极结构，发光区的左侧设置有树脂发光结构，树脂发光结构包括有环氧树脂层，环氧树脂层呈矩形，且环氧树脂层的顶部与N型半导体层的底部左侧固定连接，环氧树脂层的底部固定安装有光敏树脂层，光敏树脂层呈矩形，光敏树脂层的底部固定安装有三氟树脂层，三氟树脂层呈矩形，且三氟树脂层的底部与P型半导体层的顶部左侧固定连接，发光区的右侧设置有亚克力发光结构。
进一步，所述亚克力发光结构包括有亚克力吸塑面板层，亚克力吸塑面板层呈矩形，且亚克力吸塑面板层的顶部与N型半导体层的底部右侧固定连接，亚克力吸塑面板层的左侧壁面与环氧树脂层的右侧壁面固定连接。
进一步，所述亚克力吸塑面板层的底部固定安装有亚克力面板层，亚克力面板层呈矩形，且亚克力面板层的左侧壁面与光敏树脂层的右侧壁面固定连接。
进一步，所述亚克力面板层的底部固定安装有全彩外露亚克力层，全彩外露亚克力层呈矩形，且全彩外露亚克力层的底部与P型半导体层的顶部右侧固定连接，全彩外露亚克力层的左侧壁面与三氟树脂层的右侧壁面固定连接。
进一步，所述N电极结构包括有N极金属层，N极金属层呈圆柱形，且N极金属层的顶部与P型半导体层的底部左侧固定连接。
进一步，所述P电极结构包括有P型接触层，且P型接触层的顶部与P型半导体层的底部右侧固定连接，P型接触层的底部固定安装有透明导电层。
进一步，所述透明导电层的底部固定安装有P极金属层，P极金属层呈圆柱形。
有益效果
本实用新型提供了一种LED晶片结构。具备以下有益效果：
(1)、该一种LED晶片结构，通过设置了树脂发光结构，高透光高聚光的光敏树脂层、三氟树脂层和亚克力吸塑面板层使芯片的出光效率提高，且使芯片的出光效果和色彩更有层次感，观赏起来更有魅力，不会引发审美疲劳，间接提高了该装置的使用寿命，节约了资源。
(2)、该一种LED晶片结构，通过设置了亚克力发光结构，亚克力吸塑面板层、亚克力面板层和全彩外露亚克力层能够提高该装置的色彩饱和度和鲜艳度，使整体颜色更加多彩，进一步提高了整体的观赏性。
(3)、该一种LED晶片结构，通过将N电极结构和P电极结构都设置在了芯片底面，避免了电极对出射光的遮挡，芯片的出光效率得到进一步提高，同时两个电极之间的距离较远，可减小电极金属迁移导致的短路风险。
附图说明
本说明书所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义。
图1为本实用新型的正面整体结构剖视图；
图2为本实用新型的底部结构示意图；
图3为本实用新型的发光区结构剖视图。
图例说明：10、蓝宝石衬底；11、低温缓冲区；12、N型半导体层；13、发光区；14、P型半导体层；15、N极金属层；16、P型接触层；17、透明导电层；18、P极金属层；19、环氧树脂层；20、光敏树脂层；21、三氟树脂层；22、亚克力吸塑面板层；23、亚克力面板层；24、全彩外露亚克力层。
具体实施方式
实施例1
一种LED晶片结构，如图1－图2所示，包括蓝宝石衬底10，蓝宝石衬底10呈正方形，蓝宝石衬底10的底部固定安装有低温缓冲区11，低温缓冲区11呈正方形，低温缓冲区11的底部固定安装有N型半导体层12,N型半导体层12呈正方形，N型半导体层12的底部固定安装有发光区13，发光区13呈正方形，发光区13的底部固定安装有P型半导体层14,P型半导体层14呈正方形，P型半导体层14的底部左侧设置有N电极结构，P型半导体层14的底部右侧设置有P电极结构，发光区13的左侧设置有树脂发光结构，P电极结构包括有P型接触层16，且P型接触层16的顶部与P型半导体层14的底部右侧固定连接，P型接触层16的底部固定安装有透明导电层17，透明导电层17的底部固定安装有P极金属层18,P极金属层18呈圆柱形，通过设置了树脂发光结构，高透光高聚光的光敏树脂层20、三氟树脂层21和亚克力吸塑面板层22使芯片的出光效率提高，且使芯片的出光效果和色彩更有层次感，观赏起来更有魅力，不会引发审美疲劳，间接提高了该装置的使用寿命，节约了资源。
实施例2
在实施例1的基础上，如图2所示，N电极结构包括有N极金属层15,N极金属层15呈圆柱形，且N极金属层15的顶部与P型半导体层14的底部左侧固定连接，通过设置了亚克力发光结构，亚克力吸塑面板层22、亚克力面板层23和全彩外露亚克力层24能够提高该装置的色彩饱和度和鲜艳度，使整体颜色更加多彩，进一步提高了整体的观赏性。
实施例3
在实施例1和实施例2的基础上，如图3所示，树脂发光结构包括有环氧树脂层19，环氧树脂层19呈矩形，且环氧树脂层19的顶部与N型半导体层12的底部左侧固定连接，环氧树脂层19的底部固定安装有光敏树脂层20，光敏树脂层20呈矩形，光敏树脂层20的底部固定安装有三氟树脂层21，三氟树脂层21呈矩形，且三氟树脂层21的底部与P型半导体层14的顶部左侧固定连接，发光区13的右侧设置有亚克力发光结构，亚克力发光结构包括有亚克力吸塑面板层22，亚克力吸塑面板层22呈矩形，且亚克力吸塑面板层22的顶部与N型半导体层12的底部右侧固定连接，亚克力吸塑面板层22的左侧壁面与环氧树脂层19的右侧壁面固定连接，亚克力吸塑面板层22的底部固定安装有亚克力面板层23，亚克力面板层23呈矩形，且亚克力面板层23的左侧壁面与光敏树脂层20的右侧壁面固定连接，亚克力面板层23的底部固定安装有全彩外露亚克力层24，全彩外露亚克力层24呈矩形，且全彩外露亚克力层24的底部与P型半导体层14的顶部右侧固定连接，全彩外露亚克力层24的左侧壁面与三氟树脂层21的右侧壁面固定连接，通过将N电极结构和P电极结构都设置在了芯片底面，避免了电极对出射光的遮挡，芯片的出光效率得到进一步提高，同时两个电极之间的距离较远，可减小电极金属迁移导致的短路风险。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。
Claims (7)
1.一种LED晶片结构，包括蓝宝石衬底(10)，其特征在于：所述蓝宝石衬底(10)呈正方形，蓝宝石衬底(10)的底部固定安装有低温缓冲区(11)，低温缓冲区(11)呈正方形，低温缓冲区(11)的底部固定安装有N型半导体层(12),N型半导体层(12)呈正方形，N型半导体层(12)的底部固定安装有发光区(13)，发光区(13)呈正方形，发光区(13)的底部固定安装有P型半导体层(14),P型半导体层(14)呈正方形，P型半导体层(14)的底部左侧设置有N电极结构，P型半导体层(14)的底部右侧设置有P电极结构，发光区(13)的左侧设置有树脂发光结构，树脂发光结构包括有环氧树脂层(19)，环氧树脂层(19)呈矩形，且环氧树脂层(19)的顶部与N型半导体层(12)的底部左侧固定连接，环氧树脂层(19)的底部固定安装有光敏树脂层(20)，光敏树脂层(20)呈矩形，光敏树脂层(20)的底部固定安装有三氟树脂层(21)，三氟树脂层(21)呈矩形，且三氟树脂层(21)的底部与P型半导体层(14)的顶部左侧固定连接，发光区(13)的右侧设置有亚克力发光结构。
2.根据权利要求1所述的一种LED晶片结构，其特征在于：所述亚克力发光结构包括有亚克力吸塑面板层(22)，亚克力吸塑面板层(22)呈矩形，且亚克力吸塑面板层(22)的顶部与N型半导体层(12)的底部右侧固定连接，亚克力吸塑面板层(22)的左侧壁面与环氧树脂层(19)的右侧壁面固定连接。
3.根据权利要求2所述的一种LED晶片结构，其特征在于：所述亚克力吸塑面板层(22)的底部固定安装有亚克力面板层(23)，亚克力面板层(23)呈矩形，且亚克力面板层(23)的左侧壁面与光敏树脂层(20)的右侧壁面固定连接。
4.根据权利要求3所述的一种LED晶片结构，其特征在于：所述亚克力面板层(23)的底部固定安装有全彩外露亚克力层(24)，全彩外露亚克力层(24)呈矩形，且全彩外露亚克力层(24)的底部与P型半导体层(14)的顶部右侧固定连接，全彩外露亚克力层(24)的左侧壁面与三氟树脂层(21)的右侧壁面固定连接。
5.根据权利要求1所述的一种LED晶片结构，其特征在于：所述N电极结构包括有N极金属层(15),N极金属层(15)呈圆柱形，且N极金属层(15)的顶部与P型半导体层(14)的底部左侧固定连接。
6.根据权利要求1所述的一种LED晶片结构，其特征在于：所述P电极结构包括有P型接触层(16)，且P型接触层(16)的顶部与P型半导体层(14)的底部右侧固定连接，P型接触层(16)的底部固定安装有透明导电层(17)。
7.根据权利要求6所述的一种LED晶片结构，其特征在于：所述透明导电层(17)的底部固定安装有P极金属层(18),P极金属层(18)呈圆柱形。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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| CN217983389U true CN217983389U (zh) | 2022-12-06 |
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
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2022
- 2022-07-18 CN CN202221842786.8U patent/CN217983389U/zh active Active
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