TW202102932A - 相位移空白遮罩及相位移遮罩 - Google Patents

相位移空白遮罩及相位移遮罩 Download PDF

Info

Publication number
TW202102932A
TW202102932A TW109110144A TW109110144A TW202102932A TW 202102932 A TW202102932 A TW 202102932A TW 109110144 A TW109110144 A TW 109110144A TW 109110144 A TW109110144 A TW 109110144A TW 202102932 A TW202102932 A TW 202102932A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
phase shift
film
layer
less
atomic
Prior art date
Application number
TW109110144A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI797436B (zh
Inventor
髙坂卓郎
Original Assignee
日商信越化學工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商信越化學工業股份有限公司 filed Critical 日商信越化學工業股份有限公司
Publication of TW202102932A publication Critical patent/TW202102932A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI797436B publication Critical patent/TWI797436B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

本發明之解決手段為一種相位移空白遮罩，其係在透明基板上具有以包含矽與氮但不含過渡金屬的材料所形成之相位移膜，曝光光線為KrF準分子雷射光，相位移膜係以包含1層以上的組成在厚度方向中連續地變化，且對於曝光光線的折射率n及消光係數k為在厚度方向中連續地變化之組成傾斜層的方式而構成，組成傾斜層中的折射率之最大值n(H)與最小值n(L)之差為0.40以下，且組成傾斜層中的消光係數之最大值k(H)與最小值k(L)之差為1.5以下。 效果為依照本發明，可提供具備相位移膜之相位移空白遮罩及相位移遮罩，該相位移膜係確保作為以KrF準分子雷射為曝光光線的相位移膜所必要的相位差與透過率，在光罩圖型之加工或曝光中有利之薄的相位移膜，光學特性的面內均勻性高。

Description

相位移空白遮罩及相位移遮罩
本發明關於半導體積體電路等之製造等中所用的相位移空白遮罩及相位移遮罩。
於半導體技術所用的微影技術中，作為解析度提升技術之一，使用相位移法。相位移法係於光罩基板之對於曝光光線為透明的基板上，形成：對於穿透未形成相位移膜的部分之曝光光線，即通過與相位移膜的厚度相同長度的空氣之曝光光線，穿透相位移膜的光之相位的差大約180°的相位移膜圖型，利用光的干涉而提高對比之方法。作為應用其的光罩之一，有半色調相位移遮罩。半色調相位移遮罩係在石英等之對於曝光光線為透明的基板之上，形成有半色調相位移膜的遮罩圖型者，該相位移膜係將與穿透未形成相位移膜的部分之光的相位差設為大約180°，具有實質上不幫助曝光的程度之透過率。作為半色調相位移遮罩之相位移膜，主要使用包含鉬及矽之膜，作為如此之膜，有由矽化鉬氧化物、矽化鉬氧化氮化物所成之半色調相位移膜等(日本特開平7-140635號公報(專利文獻1))。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平7-140635號公報 [專利文獻2]日本特開2007-33469號公報 [專利文獻3]日本特開2007-233179號公報 [專利文獻4]日本特開2007-241065號公報
[發明所欲解決的課題]
作為曝光光線為KrF準分子雷射(波長248nm)之相位移膜，一般使用以含有鉬與矽之材料所形成之相位差為180°、透過率為6%左右者，此時相位移膜的厚度為100nm左右。近年來，於曝光光線使用ArF準分子雷射(波長193nm)之相位移膜中，以膜的薄膜化或提高耐洗淨性及耐光性為目的，多使用氮化矽的相位移膜。即使於以KrF準分子雷射為曝光光線的情況中，也沒有達到以ArF準分子雷射為曝光光線之情況的地步，但要求耐洗淨性或耐光性高，不易發生霧濁之相位移膜。
以氮化矽形成曝光光線為KrF準分子雷射的相位移膜時，若以單一組成(厚度方向中均勻的組成)之單層形成具有相位差為170～190°、透過率4～8%的折射率n、消光係數k之氮化矽的相位移膜，則於藉由反應性濺鍍的成膜中，成為成膜狀態不安定的區域(所謂過渡模式區域)，有膜之光學特性的面內均勻性變差之問題。
另一方面，為了得到膜之光學特性的面內均勻性高之膜，於反應性濺鍍的成膜中，在成膜狀態安定的區域(所謂金屬模式或反應模式)，亦被認為是以單一組成(厚度方向中均勻的組成)的多層來構成氮化矽的相位移膜，但由於在此區域可形成的氮化矽之折射率n係比在過渡模式之區域可形成的氮化矽之折射率n低，必須將膜增厚。於微影中，為了形成更微細的圖型，相位移膜係不僅薄者為有利，而且可減少三次元效果，但以如此的多層所構成之厚膜係不利。又，於成膜狀態為安定的區域所形成的層為多層時，由於在每層的組成大幅地變化，故於膜之加工中，有因蝕刻速率之差所造成的圖型之剖面形狀變差的掛慮。
本發明係為了解決上述課題而完成者，目的在於提供相位移空白遮罩及相位移遮罩，其具有即使於曝光光線為波長248nm的KrF準分子雷射之情況中，也作為能對應於圖型的微細化之相位移膜，確保必要的相位差及透過率，而且在圖型形成或三次元效果的減低等中有利，膜厚薄，面內均勻性高之相位移膜。 [解決課題的手段]
本發明者為了解決上述課題而重複專心致力的檢討，結果發現於波長248nm的KrF準分子雷射曝光用之相位移空白遮罩中，藉由將相位移膜設為包含矽與氮但不含過渡金屬之組成，以包含組成在厚度方向中連續地變化，且對於曝光光線的光學常數為在厚度方向中連續地變化之組成傾斜層的方式而構成，可在不使厚度增大下，形成相位差(相位移量)為170～190°且透過率為4～8%之相位移膜，成為具有膜之光學特性的面內均勻性高之相位移膜之相位移空白遮罩及相位移遮罩，終於完全本發明。
因此，本發明提供以下之相位移空白遮罩及相位移遮罩。 1.一種相位移空白遮罩，其係在透明基板上具有以包含矽與氮但不含過渡金屬的材料所形成之相位移膜的空白光罩，其特徵為： 曝光光線為KrF準分子雷射光， 上述相位移膜係以包含1層以上的組成在厚度方向中連續地變化，且對於曝光光線的折射率n及消光係數k為在厚度方向中連續地變化之組成傾斜層的方式而構成，上述組成傾斜層中的折射率之最大值n(H)與最小值n(L)之差為0.40以下，且上述組成傾斜層中的消光係數之最大值k(H)與最小值k(L)之差為1.5以下。 2.上述相位移空白遮罩，其中於上述組成傾斜層中，上述n(L)為2.3以上，上述k(H)為2以下，且折射率n為2.55以上，而且消光係數k為1.0以下之範圍的厚度為5nm以上30nm以下。 3.上述相位移空白遮罩，其中上述組成傾斜層包含氮相對於矽與氮之合計的含有率N/(Si+N)在厚度方向中於0.2～0.57之範圍內連續地變化之區域。 4.上述相位移空白遮罩，其中上述組成傾斜層中的矽含有率(原子%)之最大值與最小值之差為30以下。 5.上述相位移空白遮罩，其中 上述相位移膜之對於曝光光線的相位差為170～190°，透過率為4～8%， 相對於上述相位移膜之面內的相位差之平均值，相位差之最大值與最小值之差的比例為3%以下，相對於上述相位移膜之面內的透過率之平均值，透過率之最大值與最小值之差的比例為5%以下，且 上述相位移膜之膜厚為90nm以下。 6.上述相位移空白遮罩，其中上述包含矽與氮但不含過渡金屬的材料係包含矽與氮的材料。 7.上述相位移空白遮罩，其中在上述相位移膜上，進一步包含以包含鉻的材料所構成之單層或複數層所成的第2層。 8.一種相位移遮罩，其使用上述相位移空白遮罩而形成者。 [發明的效果]
依照本發明，可提供具備相位移膜之相位移空白遮罩及相位移遮罩，該相位移膜係確保作為以KrF準分子雷射為曝光光線的相位移膜所必要之相位差與透過率，於光罩圖型加工或曝光中有利之薄的相位移膜，光學特性之面內均勻性高。
[實施發明的形態]
以下，更詳細地說明本發明。 本發明之相位移空白遮罩係具有在石英基板等透明基板上所形成的相位移膜。又，本發明之相位移遮罩係具有在石英基板等透明基板上所形成的相位移膜之遮罩圖型(光罩圖型)。
於本發明中，透明基板例如宜為SEMI規格中所規定之6吋見方、厚度25毫吋之被稱為6025基板的透明基板，使用SI單位系統時，通常記載為152mm見方、厚度6.35mm的透明基板。
圖1(A)係顯示本發明之相位移空白遮罩的一例之剖面圖，此相位移空白遮罩100具備透明基板10與形成在透明基板10上的相位移膜1。又，圖1(B)係顯示本發明之相位移遮罩的一例之剖面圖，此相位移遮罩101具備透明基板10與形成在透明基板10上的相位移膜圖型11。相位移遮罩係可藉由使用相位移空白遮罩，形成其相位移膜之圖型而得。
本發明之相位移膜係於指定的膜厚中，對於KrF準分子雷射(波長248nm)的曝光光線，可賦予指定的相位差(相位移量)與指定的透過率之膜。於本發明中，相位移膜係以包含矽與氮但不含過渡金屬的材料所形成。為了提高膜的洗淨耐性，使相位移膜含有氧者係有效果的，因此包含矽與氮但不含過渡金屬的材料，係除了矽及氮以外，亦可包含氧，但因含有氧而膜的折射率n降低，故有膜厚變厚之傾向。因此，包含矽與氮但不含過渡金屬的材料較佳為由矽與氮所成之材料(將不可避免的雜質除外，實質上由此等2種元素所構成的材料)。
相位移膜係為了滿足作為相位移膜所必要的相位差及透過率，較佳為以單層構成，但以全體滿足作為相位移膜所必要的相位差及透過率之方式，亦可以複數層構成。於單層及複數層之任一情況中，皆相位移膜係以包含1層以上的組成在厚度方向中連續地變化，且對於曝光光線的折射率n及消光係數k為在厚度方向中連續地變化之組成傾斜層的方式而構成。以複數層構成相位移膜時，可以複數的組成傾斜層所構成，也可組合組成傾斜層與單一組成層(組成在厚度方向中無變化的層)而構成，但全部的組成傾斜層之合計的厚度較佳為相位移膜全體的厚度之30%以上，特佳為50%以上，尤其100%。
組成傾斜層中的折射率之最大值n(H)與最小值n(L)之差較佳為0.40以下，特佳為0.25以下，且較佳為0.1以上，特佳為0.15以上。組成傾斜層中的消光係數之最大值k(H)與最小值k(L)之差較佳為1.5以下，特佳為1.2以下，且較佳為0.3以上，特佳為0.6以上。又，組成傾斜層中的折射率之最小值n(L)較佳為2.3以上，特佳為2.4以上，組成傾斜層中的消光係數之最大值k(H)較佳為2以下，特佳為1.5以下。特別地，於組成傾斜層中，折射率n為2.55以上且消光係數k為1.0以下之範圍的厚度較佳為5nm以上30nm以下。
本發明之相位移膜的組成傾斜層，當以單層構成相位移膜時，於單層全體中，以複數的組成傾斜層構成相位移膜時，於各個組成傾斜層中，矽之含有率係組成的傾斜範圍較佳為40原子%以上，特佳為45原子%以上，且較佳為70原子%以下，特佳為60原子%以下之範圍內，另外氮之含有率係組成之傾斜範圍較佳為30原子%以上，特佳為40原子%以上，且較佳為60原子%以下，特佳為55原子%以下之範圍內。
特別地，組成傾斜層較佳包含氮相對於矽與氮之合計的含有率N/(Si+N)在厚度方向中於0.2以上、尤其0.3以上，且0.57以下，尤其0.55以下之範圍內連續地變化之區域。又，組成傾斜層中的矽含有率(原子%)之最大值與最小值之差較佳為30以下，特佳為15以下。再者，組成傾斜層包含氧時，氧之含有率較佳為30原子%以下，特佳為10原子%以下，極佳為5原子%以下。
本發明之相位移膜之對於曝光光線的相位差，只要在相位移膜存在的部分(相位移部)與相位移膜不存在的部分之邊界部，藉由通過各自的曝光光線之相位差而曝光光線進行干涉，可使對比增大之相位差即可，相位差可為170°以上190°以下。另一方面，本發明之相位移膜之對於曝光光線的透過率可為4%以上8%以下。於本發明之相位移膜之情況，可將對於KrF準分子雷射(波長248nm)的相位差及透過率設為上述範圍內。
本發明之相位移膜係藉由以包含1層以上的組成在厚度方向中連續地變化，且對於曝光光線的折射率n及消光係數k為在厚度方向中連續地變化之組成傾斜層的方式而構成，而相對於相位移膜之面內(6025基板之情況例如為基板面的中央部135mm見方之範圍內)中的相位差之平均值，可使相位差之最大值與最小值之差的比例(相位差的面內範圍)成為3%以下，尤其1%以下，另外相對於相位移膜之面內的透過率之平均值，可使透過率之最大值與最小值之差的比例(透過率的面內範圍)成為5%以下，尤其3%以下。
本發明之相位移膜的全體厚度，由於愈薄愈容易形成微細的圖型，故設為90nm以下，較佳設為85nm以下。另一方面，相位移膜之膜厚的下限係對於曝光光線，在得到必要的光學特性之範圍內設定，並沒有特別的限制，但一般為50nm以上。
本發明之相位移膜係可採用眾所周知的成膜手法來成膜，但較佳為藉由容易得到均質性優異之膜的濺鍍法來成膜，亦可使用DC濺鍍、RF濺鍍之任一方法。靶與濺鍍氣體係按照層構成或組成而適宜選擇。作為靶，只要使用矽靶、氮化矽靶、包含矽與氮化矽之兩者的靶等即可，此等靶亦可包含氧。氮與氧之含有率係可藉由在濺鍍氣體中，使用含氮的氣體、含氧的氣體、含氮及氧的氣體等作為反應性氣體，適宜調整導入量進行反應性濺鍍而調整。作為反應性氣體，具體而言，可使用氮氣(N2 氣體)、氧氣(O2 氣體)、氮氧化物氣體(N2 O氣體、NO氣體、NO2 氣體)等。再者，於濺鍍氣體中，亦可使用氦氣、氖氣、氬氣等作為稀有氣體。
將相位移膜設為複數層時，為了抑制相位移膜的膜質變化，作為其表面側(與透明基板疏離之側)的最表面部之層，可設置表面氧化層。此表面氧化層之氧含有率可為20原子%以上，更可為50原子%以上。作為形成表面氧化層之方法，具體而言，除了藉由大氣氧化(自然氧化)的氧化之外，作為強制地氧化處理之方法，可舉出藉由臭氧氣體或臭氧水來處理濺鍍所形成的膜之方法，或在氧氣環境等之氧存在環境中，藉由烘箱加熱、燈退火、雷射加熱等，加熱至300℃以上之方法等。此表面氧化層的厚度較佳為10nm以下，特佳為5nm以下，極佳為3nm以下，通常以1nm以上得到作為氧化層的效果。表面氧化層雖然亦可於濺鍍步驟中增加氧量而形成，但為了成為缺陷更少的層，較佳為藉由前述的大氣氧化或氧化處理而形成。
於本發明之相位移空白遮罩的相位移膜之上，可設置由單層或複數層所成的第2層。第2層通常係鄰接於相位移膜而設置。作為此第2層，具體而言，可舉出遮光膜、遮光膜與抗反射膜之組合、相位移膜之圖型形成中作為硬遮罩之功能的加工輔助膜等。又，設置後述的第3層時，亦可利用此第2層，在第3層的圖型形成中作為具有蝕刻阻擋之功能的加工輔助膜(蝕刻阻擋膜)。作為第2層之材料，含鉻的材料係合適。
作為如此的相位移空白遮罩，具體而言，可舉出圖2(A)所示者。圖2(A)係顯示本發明之相位移空白遮罩的一例之剖面圖，此相位移空白遮罩100具備透明基板10、形成在透明基板10上的相位移膜1、與形成在相位移膜1上的第2層2。
於本發明之相位移空白遮罩中，可於相位移膜之上，設置蝕刻遮罩膜作為第2層，該蝕刻遮罩膜係具有作為用於在遮光膜或相位移膜上形成圖型之硬遮罩的功能。又，作為第2層，亦可組合遮光膜與抗反射膜而設置。藉由設置包含遮光膜的第2層，可在相位移遮罩中設置將曝光光線完全遮光的區域。此遮光膜及抗反射膜亦可利用作為蝕刻中的加工輔助膜。關於遮光膜及抗反射膜之膜構成及材料，有許多的報告(例如日本特開2007-33469號公報(專利文獻2)、日本特開2007-233179號公報(專利文獻3)等)，但作為較佳的遮光膜與抗反射膜之組合的膜構成，例如可舉出設置含鉻的材料之遮光膜，更設置減低來自遮光膜的反射之含鉻的材料之抗反射膜等。遮光膜及抗反射膜皆可以單層構成，也可以複數層構成。作為遮光膜或抗反射膜之含鉻的材料，可舉出鉻單質、鉻氧化物(CrO)、鉻氮化物(CrN)、鉻碳化物(CrC)、鉻氧氮化物(CrON)、鉻氧碳化物(CrOC)、鉻氮碳化物(CrNC)、鉻氧氮碳化物(CrONC)等之鉻化合物等。再者，此處，表示含鉻的材料之化學式係顯示構成元素者，不是意指構成元素之組成比(於以下之含鉻的材料中同樣)。
第2層為遮光膜或是遮光膜與抗反射膜之組合時，遮光膜的鉻化合物中之鉻的含有率較佳為40原子%以上，特佳為60原子%以上，且較佳為未達100原子%，特佳為99原子%以下，極佳為90原子%以下。氧的含有率較佳為60原子%以下，特佳為40原子%以下，且較佳為1原子%以上。氮的含有率較佳為50原子%以下，特佳為40原子%以下，且較佳為1原子%以上。碳的含有率較佳為20原子%以下，特佳為10原子%以下，於需要調整蝕刻速度時，更佳為1原子%以上。此時，鉻、氧、氮及碳之合計的含有率較佳為95原子%以上，特佳為99原子%以上，極佳為100原子%。
又，第2層為遮光膜與抗反射膜之組合時，抗反射膜較佳為鉻化合物，鉻化合物中之鉻的含有率較佳為30原子%以上，特佳為35原子%以上，且較佳為70原子%以下，特佳為50原子%以下。氧的含有率較佳為60原子%以下，且較佳為1原子%以上，特佳為20原子%以上。氮的含有率較佳為50原子%以下，特佳為30原子%以下，且較佳為1原子%以上，特佳為3原子%以上。碳的含有率較佳為20原子%以下，特佳為5原子%以下，於需要調整蝕刻速度時，更佳為1原子%以上。此時，鉻、氧、氮及碳之合計的含有率較佳為95原子%以上，特佳為99原子%以上，極佳為100原子%。
第2層為遮光膜或是遮光膜與抗反射膜之組合時，第2層之膜厚通常為20～100nm，較佳為40～70nm。又，對於波長200nm以下的曝光光線，相位移膜與第2層之合計的光學濃度較佳為2.0以上，特佳為2.5以上，極佳為3.0以上。
於本發明之相位移空白遮罩的第2層之上，可設置由單層或複數層所成的第3層。第3層通常係鄰接於第2層而設置。作為此第3層，具體而言，可舉出在第2層之圖型形成中作為硬遮罩之功能的加工輔助膜、遮光膜、遮光膜與抗反射膜之組合等。作為第3層之材料，含矽的材料係合適，特佳為不含鉻者。
作為如此的相位移空白遮罩，具體而言，可舉出圖2(B)所示者。圖2(B)係顯示本發明之相位移空白遮罩的一例之剖面圖，此相位移空白遮罩100具有透明基板10、形成在透明基板10上的相位移膜1、形成在相位移膜1上的第2層2、與形成在第2層2上的第3層3。
第2層為遮光膜或是遮光膜與抗反射膜之組合時，作為第3層，可設置在第2層之圖型形成中作為硬遮罩之功能的加工輔助膜(蝕刻遮罩膜)。又，於設置後述的第4層時，亦可利用此第3層作為在第4層之圖型形成中當作蝕刻阻擋之功能的加工輔助膜(蝕刻阻擋膜)。此加工輔助膜係與第2層不同蝕刻特性的材料，例如對於含鉻的材料之蝕刻所適用的氯系乾蝕刻具有耐性之材料，具體而言，較佳設為以SF6 或CF4 等之氟系氣體能蝕刻之含矽的材料。作為含矽的材料，具體而言，可舉出矽單質、含有矽與氮及氧的一者或兩者之材料、含有矽與過渡金屬的材料、含有矽與氮及氧的一者或兩者與過渡金屬的材料等之矽化合物等，作為過渡金屬，可舉出鉬、鉭、鋯等。
第3層為加工輔助膜時，加工輔助膜較佳為矽化合物，矽化合物中之矽的含有率較佳為20原子%以上，特佳為33原子%以上，且較佳為95原子%以下，特佳為80原子%以下。氮的含有率較佳為50原子%以下，特佳為30原子%以下，且較佳為1原子%以上。氧的含有率較佳為70原子%以下，特佳為66原子%以下，於需要調整蝕刻速度時，更佳為1原子%以上，尤佳為20原子%以上。可含有過渡金屬，也可不含，含有過渡金屬時，其含有率較佳為35原子%以下，特佳為20原子%以下。此時，矽、氧、氮及過渡金屬之合計的含有率較佳為95原子%以上，特佳為99原子%以上，極佳為100原子%。
第2層為遮光膜或是遮光膜與抗反射膜組合，第3層為加工輔助膜時，第2層之膜厚通常為20～100nm，較佳為40～70nm，第3層之膜厚通常為1～30nm，較佳為2～15nm。又，對於波長200nm以下的曝光光線，相位移膜與第2層之合計的光學濃度較佳設為2.0以上，特佳設為2.5以上，極佳設為3.0以上。
又，第2層為加工輔助膜時，可設置遮光膜作為第3層。又，作為第3層，亦可組合遮光膜與抗反射膜而設置。此時，第2層係在相位移膜之圖型形成中作為硬遮罩之功能的加工輔助膜(蝕刻遮罩膜)，亦可利用作為第3層之圖型形成中作為蝕刻阻擋的功能之加工輔助膜(蝕刻阻擋膜)。作為加工輔助膜之例，可舉出如日本特開2007-241065號公報(專利文獻4)所示之以含鉻的材料所構成之膜。加工輔助膜係可以單層構成，也可以複數層構成。作為加工輔助膜之含鉻的材料，可舉出鉻單質、鉻氧化物(CrO)、鉻氮化物(CrN)、鉻碳化物(CrC)、鉻氧氮化物(CrON)、鉻氧碳化物(CrOC)、鉻氮碳化物(CrNC)、鉻氧氮碳化物(CrONC)等之鉻化合物等。
第2層為加工輔助膜時，第2層的鉻化合物中之鉻的含有率較佳為40原子%以上，特佳為50原子%以上，且較佳為100原子%以下，特佳為99原子%以下，極佳為90原子%以下。氧的含有率較佳為60原子%以下，特佳為55原子%以下，於需要調整蝕刻速度時，更佳為1原子%以上。氮的含有率較佳為50原子%以下，特佳為40原子%以下，且較佳為1原子%以上。碳的含有率較佳為20原子%以下，特佳為10原子%以下，於需要調整蝕刻速度時，更佳為1原子%以上。此時，鉻、氧、氮及碳之合計的含有率較佳為95原子%以上，特佳為99原子%以上，極佳為100原子%。
另一方面，第3層的遮光膜及抗反射膜係與第2層不同蝕刻特性的材料，例如對於含鉻的材料之蝕刻所適用的氯系乾蝕刻具有耐性之材料，具體而言，較佳設為以SF6 或CF4 等之氟系氣體能蝕刻之含矽的材料。作為含矽的材料，具體而言，可舉出矽單質、含有矽與氮及氧的一者或兩者之材料、含有矽與過渡金屬的材料、含有矽與氮及氧的一者或兩者與過渡金屬的材料等之矽化合物等，作為過渡金屬，可舉出鉬、鉭、鋯等。
第3層為遮光膜或是遮光膜與抗反射膜之組合時，遮光膜及抗反射膜較佳為矽化合物，矽化合物中之矽的含有率較佳為10原子%以上，特佳為30原子%以上，且較佳為未達100原子%，特佳為95原子%以下。氮的含有率較佳為50原子%以下，特佳為40原子%以下，極佳為20原子%以下，於需要調整蝕刻速度時，更佳為1原子%以上。氧的含有率較佳為60原子%以下，特佳為30原子%以下，於需要調整蝕刻速度時，更佳為1原子%以上。過渡金屬的含有率較佳為35原子%以下，特佳為20原子%以下，且較佳為1原子%以上。此時，矽、氧、氮及過渡金屬之合計的含有率較佳為95原子%以上，特佳為99原子%以上，極佳為100原子%。
第2層為加工輔助膜，第3層為遮光膜或是遮光膜與抗反射膜之組合時，第2層之膜厚通常為1～20nm，較佳為2～10nm，第3層之膜厚通常為20～100nm，較佳為30～70nm。又，對於波長200nm以下的曝光光線，相位移膜與第2層與第3層之合計的光學濃度較佳為2.0以上，特佳為2.5以上，極佳為3.0以上。
於本發明之相位移空白遮罩的第3層之上，可設置由單層或複數層所成之第4層。第4層通常係鄰接於第3層而設置。作為此第4層，具體而言，可舉出在第3層之圖型形成中作為硬遮罩之功能的加工輔助膜等。作為第4層之材料，含鉻的材料係合適。
作為如此的相位移空白遮罩，具體而言，可舉出圖2(C)所示者。圖2(C)係顯示本發明之相位移空白遮罩的一例之剖面圖，此相位移空白遮罩100具有透明基板10、形成在透明基板10上的相位移膜1、形成在相位移膜1上的第2層2、形成在第2層2上的第3層3、與形成在第3層3上的第4層4。
第3層為遮光膜或是遮光膜與抗反射膜之組合時，作為第4層，可設置在第3層之圖型形成中作為硬遮罩之功能的加工輔助膜(蝕刻遮罩膜)。此加工輔助膜係與第3層不同蝕刻特性的材料，例如對於含矽的材料之蝕刻所適用的氟系乾蝕刻具有耐性之材料，具體而言，較佳為能以含氧的氯系氣體蝕刻之含鉻的材料。作為含鉻的材料，具體而言，可舉出鉻單質、鉻氧化物(CrO)、鉻氮化物(CrN)、鉻碳化物(CrC)、鉻氧氮化物(CrON)、鉻氧碳化物(CrOC)、鉻氮碳化物(CrNC)、鉻氧氮碳化物(CrONC)等之鉻化合物等。
第4層為加工輔助膜時，第4層中之鉻的含有率較佳為40原子%以上，特佳為50原子%以上，且較佳為100原子%以下，特佳為99原子%以下，極佳為90原子%以下。氧的含有率較佳為60原子%以下，特佳為40原子%以下，於需要調整蝕刻速度時，更佳為1原子%以上。氮的含有率較佳為50原子%以下，特佳為40原子%以下於需要調整蝕刻速度時，更佳為1原子%以上。碳的含有率較佳為20原子%以下，特佳為10原子%以下，於需要調整蝕刻速度時，更佳為1原子%以上。此時，鉻、氧、氮及碳之合計的含有率較佳為95原子%以上，特佳為99原子%以上，極佳為100原子%。
第2層為加工輔助膜，第3層為遮光膜或是遮光膜與抗反射膜之組合，第4層為加工輔助膜時，第2層之膜厚通常為1～20nm，較佳為2～10nm，第3層之膜厚通常為20～100nm，較佳為30～70nm，第4層之膜厚通常為1～30nm，較佳為2～20nm。又，對於波長200nm以下的曝光光線，相位移膜與第2層與第3層之合計的光學濃度較佳為2.0以上，特佳為2.5以上，極佳為3.0以上。
第2層及第4層之以含鉻的材料所構成之膜，係可藉由使用鉻靶、於鉻中添加有由氧、氮及碳所選出的任1種或2種以上之靶等，且使用於Ar、He、Ne等之稀有氣體中，按照成膜的膜之組成，適宜添加由含氧的氣體、含氮的氣體、含碳的氣體等所選出的反應性氣體之濺鍍氣體的反應性濺鍍，進行成膜。
另一方面，第3層之以含矽的材料所構成之膜，係可藉由使用矽靶、氮化矽靶、含有矽與氮化矽之兩者的靶、過渡金屬靶、矽與過渡金屬之複合靶等，且使用於Ar、He、Ne等之稀有氣體中，按照成膜的膜之組成，適宜添加由含氧的氣體、含氮的氣體、含碳的氣體等所選出的反應性氣體之濺鍍氣體的反應性濺鍍，進行成膜。
本發明之相位移遮罩係可從相位移空白遮罩，藉由常用方法製造。例如，於相位移膜之上形成有含鉻的材料之膜作為第2層之相位移空白遮罩中，例如可用下述之步驟來製造相位移遮罩。
首先，於相位移空白遮罩之第2層上，將電子線阻劑膜予以成膜，進行藉由電子線的圖型描繪後，藉由指定的顯像操作而得到阻劑圖型。其次，將所得之阻劑圖型當作蝕刻遮罩，藉由含有氧的氯系乾蝕刻，將阻劑圖型轉印至第2層，得到第2層的圖型。接著，將所得之第2層的圖型當作蝕刻遮罩，藉由氟系乾蝕刻，將第2層的圖型轉印至相位移膜，得到相位移膜圖型。此處，於必須殘留第2層的一部分之情況，將保護該部分的阻劑圖型形成在第2層之上後，藉由含有氧的氯系乾蝕刻，去除未被阻劑圖型所保護的部分之第2層。然後，藉由常見方法去除阻劑圖型，可得到相位移遮罩。
又，於相位移膜之上，作為第2層，形成含鉻的材料之遮光膜或是遮光膜與抗反射膜之組合，於第2層之上，作為第3層，形成有含矽的材料之加工輔助膜之相位移空白遮罩中，例如可用下述之步驟來製造相位移遮罩。
首先，於相位移空白遮罩的第3層之上，將電子線阻劑膜予以成膜，進行藉由電子線的圖型描繪後，藉由指定的顯像操作而得到阻劑圖型。其次，將所得之阻劑圖型當作蝕刻遮罩，藉由氟系乾蝕刻，將阻劑圖型轉印至第3層，得到第3層的圖型。接著，將所得之第3層的圖型當作蝕刻遮罩，藉由含有氧的氯系乾蝕刻，將第3層的圖型轉印至第2層，得到第2層的圖型。接著，於去除阻劑圖型後，將所得之第2層的圖型當作蝕刻遮罩，藉由氟系乾蝕刻，將第2層的圖型轉印至相位移膜，得到相位移膜圖型，同時去除第3層的圖型。接著，將保護殘留第2層的部分之阻劑圖型形成在第2層之上後，藉由含有氧的氯系乾蝕刻，去除未被阻劑圖型所保護的部分之第2層。然後，藉由常見方法去除阻劑圖型，可得到相位移遮罩。
另一方面，於相位移膜之上，作為第2層，形成含鉻的材料之加工輔助膜，於第2層之上，作為第3層，形成有含矽的材料之遮光膜或是遮光膜與抗反射膜之組合的相位移空白遮罩中，例如可用下述之步驟來製造相位移遮罩。
首先，於相位移空白遮罩的第3層之上，將電子線阻劑膜予以成膜，進行藉由電子線的圖型描繪後，藉由指定的顯像操作而得到阻劑圖型。其次，將所得之阻劑圖型當作蝕刻遮罩，藉由氟系乾蝕刻，將阻劑圖型轉印至第3層，得到第3層的圖型。接著，將所得之第3層的圖型當作蝕刻遮罩，藉由含有氧的氯系乾蝕刻，將第3層的圖型轉印至第2層，得到去除相位移膜的部分之第2層被去除的第2層之圖型。接著，去除阻劑圖型，將保護殘留第3層的部分之阻劑圖型形成在第3層之上後，將所得之第2層的圖型當作蝕刻遮罩，藉由氟系乾蝕刻，將第2層的圖型轉印至相位移膜，得到相位移膜圖型，同時去除未被阻劑圖型所保護的部分之第3層。接著，藉由常見方法去除阻劑圖型。然後，藉由含有氧的氯系乾蝕刻，去除已去除第3層的部分之第2層，可得到相位移遮罩。
再者，於相位移膜之上，作為第2層，形成含鉻的材料之加工輔助膜，於第2層之上，作為第3層，形成含矽的材料之遮光膜或是遮光膜與抗反射膜之組合，再者，於第3層之上，作為第4層，形成有含鉻的材料之加工輔助膜的相位移空白遮罩中，例如可用下述之步驟來製造相位移遮罩。
首先，於相位移空白遮罩的第4層之上，將電子線阻劑膜予以成膜，進行藉由電子線的圖型描繪後，藉由指定的顯像操作而得到阻劑圖型。其次，將所得之阻劑圖型當作蝕刻遮罩，藉由含有氧的氯系乾蝕刻，將阻劑圖型轉印至第4層，得到第4層的圖型。接著，將所得之第4層的圖型當作蝕刻遮罩，藉由氟系乾蝕刻，將第4層的圖型轉印至第3層，得到第3層的圖型。接著，去除阻劑圖型，將保護殘留第3層的部分之阻劑圖型形成在第4層之上後，將所得之第3層的圖型當作蝕刻遮罩，藉由含有氧的氯系乾蝕刻，將第3層的圖型轉印至第2層，得到第2層的圖型，同時去除未被阻劑圖型所保護的部分之第4層。接著，將第2層的圖型當作蝕刻遮罩，藉由氟系乾蝕刻，將第2層的圖型轉印至相位移膜，得到相位移膜圖型，同時去除未被阻劑圖型所保護的部分之第3層。接著，藉由常見方法去除阻劑圖型。然後，藉由含有氧的氯系乾蝕刻，去除已去除第3層的部分之第2層與已去除阻劑圖型的部分之第4層，可得到相位移遮罩。 [實施例]
以下，顯示實施例及比較例，具體地說明本發明，惟本發明不受下述之實施例所限制。
[實施例1] 於濺鍍裝置之腔室內，設置152mm見方、厚度6.35mm之6025石英基板，使用矽靶作為濺鍍靶，使用氬氣、氮氣作為濺鍍氣體，將放電電力設為1.9kW，將氬氣流量設為28sccm，使氮氣流量從20到44sccm為止連續地變化，而將單層的相位移膜予以成膜，其係由組成在厚度方向中連續地變化之SiN所構成，光學特性在厚度方向中連續地變化之組成傾斜層所構成。
該組成傾斜層之對於KrF準分子雷射(波長248nm)，折射率n之最大值n(H)為2.61，最小值n(L)為2.33，折射率n之差為0.28，消光係數k之最大值k(H)為1.4，最小值k(L)為0.05，消光係數k之差為1.35，折射率n為2.55以上，且消光係數k為1.0以下之範圍的厚度係約15nm。
以XPS(X線光電子分光分析法，以下相同)測定該膜之組成，結果矽係從石英基板側起在厚度方向中，從58.5原子%到46.8原子%連續地變化(矽含有率(原子%)之差為11.7)。又，該膜之N/(Si+N)係在厚度方向中從0.41到0.52連續地變化。另外，該膜的厚度為87nm，對於KrF準分子雷射(波長248nm)，相位差為177.5°，透過率為5.9%，相位差之面內範圍為0.4%，透過率之面內範圍為1.9%而良好。
[實施例2] 於濺鍍裝置之腔室內，設置152mm見方、厚度6.35mm之6025石英基板，使用矽靶作為濺鍍靶，使用氬氣、氮氣作為濺鍍氣體，將放電電力設為1.9kW，將氬氣流量設為28sccm，使氮氣流量從19到43sccm為止連續地變化，而將單層的相位移膜予以成膜，其係由組成在厚度方向中連續地變化之SiN所構成，光學特性在厚度方向中連續地變化之組成傾斜層所構成。
該組成傾斜層之對於KrF準分子雷射(波長248nm)，折射率n之最大值n(H)為2.61，最小值n(L)為2.33，折射率n之差為0.28，消光係數k之最大值k(H)為1.5，最小值k(L)為0.05，消光係數k之差為1.45，折射率n為2.55以上，且消光係數k為1.0以下之範圍的厚度係約15nm。
以XPS測定該膜之組成，結果矽係從石英基板側起在厚度方向中，從59.1原子%到46.5原子%連續地變化(矽含有率(原子%)之差為12.6)。又，該膜之N/(Si+N)係在厚度方向中從0.40到0.53連續地變化。另外，該膜的厚度為85nm，對於KrF準分子雷射(波長248nm)，相位差為176.1°，透過率為5.8%，相位差之面內範圍為0.9%，透過率之面內範圍為1.7而良好。
[實施例3] 於濺鍍裝置之腔室內，設置152mm見方、厚度6.35mm之6025石英基板，使用矽靶作為濺鍍靶，使用氬氣、氧氣、氮氣作為濺鍍氣體，將放電電力設為1.9kW，將氬氣流量設為28sccm，氧氣流量為1.0sccm，使氮氣流量從19到43sccm為止連續地變化，而將單層的相位移膜予以成膜，其係由組成在厚度方向中連續地變化之SiON所構成，光學特性在厚度方向中連續地變化之組成傾斜層所構成。
該組成傾斜層之對於KrF準分子雷射(波長248nm)，折射率n之最大值n(H)為2.59，最小值n(L)為2.30，折射率n之差為0.29，消光係數k之最大值k(H)為1.4，最小值k(L)為0.05，消光係數k之差為1.35，折射率n為2.55以上，且消光係數k為1.0以下之範圍的厚度係約14nm。
以XPS測定該膜之組成，結果矽係從石英基板側起在厚度方向中，從56.7原子%到45.4原子%連續地變化(矽含有率(原子%)之差為11.3) 。又，該膜之N/(Si+N)係在厚度方向中從0.42到0.52連續地變化。另外，該膜之氧含量係在膜厚方向中大致一定且約2原子%。還有，該膜的厚度為88nm，對於KrF準分子雷射(波長248nm)，相位差為177.5°，透過率為6.0%，相位差之面內範圍為0.4%，透過率之面內範圍為0.8%而良好。
[比較例1] 於濺鍍裝置之腔室內，設置152mm見方、厚度6.35mm之6025石英基板，使用矽靶作為濺鍍靶，使用氬氣、氮氣作為濺鍍氣體，將放電電力設為1.9kW，將氬氣流量設為28sccm，將氮氣流量設為19sccm，而將由2層所成的相位移膜予以成膜，該2層係由組成在厚度方向中一定的SiN所構成，光學特性在厚度方向中無變化的下層(厚度27nm)，與僅氬氣流量為35sccm，組成在厚度方向為一定的SiN所構成，光學特性在厚度方向中無變化的上層(厚度64nm)。
此等層之對於KrF準分子雷射(波長248nm)，下層的折射率n為2.45，上層的折射率n為2.38，折射率n之差為0.07，下層的消光係數k為1.5，上層的消光係數k為0.07，消光係數k之差為1.43，折射率n為2.55以上，且消光係數k為1.0以下之範圍係不存在。
以XPS測定該膜之組成，結果下層的矽為59.2原子%，上層的矽為46.5原子%，矽含有率(原子%)之差為12.7。又，下層的N/(Si+N)為0.40，上層的N/(Si+N)為0.53。又，此膜之對於KrF準分子雷射(波長248nm)，相位差為177.0°，透過率為6.2%，相位差之面內範圍為0.9%，透過率之面內範圍為3.6%，但厚度為91nm之厚。
[比較例2] 於濺鍍裝置之腔室內，設置152mm見方、厚度6.35mm之6025石英基板，使用矽靶作為濺鍍靶，使用氬氣、氮氣作為濺鍍氣體，將放電電力設為1.9kW，將氬氣流量設為28sccm，將氮氣流量設為27sccm，而將單層的相位移膜予以成膜，其係由組成在厚度方向中一定的SiN所構成，光學特性在厚度方向中無變化。
該層之對於KrF準分子雷射(波長248nm)，折射率n為2.60，消光係數k為0.70，全體係折射率n為2.55以上，且消光係數k在1.0以下之範圍。
以XPS測定該膜之組成，結果矽為50.4原子%。又，此膜之N/(Si+N)為0.49。另外，此膜的厚度為79nm，對於KrF準分子雷射(波長248nm)，相位差為177.2°，透過率為4.5%，但相位差之面內範圍為0.5%，透過率之面內範圍為11.1%，透過率之面內範圍差。
[比較例3] 於濺鍍裝置之腔室內，設置152mm見方、厚度6.35mm之6025石英基板，使用鉬矽(MoSi)靶與矽靶作為濺鍍靶，使用氬氣、氮氣、氧氣作為濺鍍氣體，將MoSi靶的放電電力設為1.2kW，將矽靶的放電電力設為8kW，將氬氣流量設為5sccm，將氮氣流量設為65sccm，將氧氣流量設為2.5sccm，而將單層的相位移膜予以成膜，其係由組成在厚度方向中一定MoSiON所構成，光學特性在厚度方向中無變化。
該層之對於KrF準分子雷射(波長248nm)，折射率n為2.25，消光係數k為0.52，折射率n為2.55以上，且消光係數k為1.0以下之範圍係不存在。
以XPS測定該膜之組成，結果鉬為14原子%，矽為35原子%，氮為45原子%，氧為6%。又，此膜之對於KrF準分子雷射(波長248nm)，相位差為175.1°，透過率為6.2%，相位差之面內範圍為0.3%，透過率之面內範圍為1.7%，但厚度為99nm之厚。
1:相位移膜 2:第2層 3:第3層 4:第4層 10:透明基板 11:相位移膜圖型 100:相位移空白遮罩 101:相位移遮罩
[圖1]係顯示本發明之相位移空白遮罩及相位移遮罩的一例之剖面圖。 [圖2]係顯示本發明之相位移空白遮罩的另一例之剖面圖。
1:相位移膜
11:相位移膜圖型
10:透明基板
100:相位移空白遮罩
101:相位移遮罩

Claims (8)

  1. 一種相位移空白遮罩，其係在透明基板上具有以包含矽與氮但不含過渡金屬的材料所形成之相位移膜的空白光罩，其特徵為： 曝光光線為KrF準分子雷射光， 上述相位移膜係以包含1層以上的組成在厚度方向中連續地變化，且對於曝光光線的折射率n及消光係數k為在厚度方向中連續地變化之組成傾斜層的方式而構成，上述組成傾斜層中的折射率之最大值n(H)與最小值n(L)之差為0.40以下，且上述組成傾斜層中的消光係數之最大值k(H)與最小值k(L)之差為1.5以下。
  2. 如請求項1之相位移空白遮罩，其中於上述組成傾斜層中，上述n(L)為2.3以上，上述k(H)為2以下，且折射率n為2.55以上，而且消光係數k為1.0以下之範圍的厚度為5nm以上30nm以下。
  3. 如請求項1或2之相位移空白遮罩，其中上述組成傾斜層包含氮相對於矽與氮之合計的含有率N/(Si+N)在厚度方向中於0.2～0.57之範圍內連續地變化之區域。
  4. 如請求項1或2之相位移空白遮罩，其中上述組成傾斜層中的矽含有率(原子%)之最大值與最小值之差為30以下。
  5. 如請求項1或2之相位移空白遮罩，其中上述相位移膜之對於曝光光線的相位差為170～190°，透過率為4～8%， 相對於上述相位移膜之面內的相位差之平均值，相位差之最大值與最小值之差的比例為3%以下，相對於上述相位移膜之面內的透過率之平均值，透過率之最大值與最小值之差的比例為5%以下，且 上述相位移膜之膜厚為90nm以下。
  6. 如請求項1或2之相位移空白遮罩，其中上述包含矽與氮但不含過渡金屬的材料係包含矽與氮的材料。
  7. 如請求項1或2之相位移空白遮罩，其中在上述相位移膜上，進一步包含以包含鉻的材料所構成之單層或複數層所成的第2層。
  8. 一種相位移遮罩，其特徵為使用如請求項1～7中任一項之相位移空白遮罩而形成者。
TW109110144A 2019-03-29 2020-03-26 相位移空白遮罩及相位移遮罩 TWI797436B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-067065 2019-03-29
JP2019067065 2019-03-29
JP2019-111026 2019-06-14
JP2019111026 2019-06-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202102932A true TW202102932A (zh) 2021-01-16
TWI797436B TWI797436B (zh) 2023-04-01

Family

ID=69845266

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109110144A TWI797436B (zh) 2019-03-29 2020-03-26 相位移空白遮罩及相位移遮罩

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11307490B2 (zh)
EP (1) EP3719575A1 (zh)
JP (1) JP7255512B2 (zh)
KR (1) KR102447767B1 (zh)
CN (1) CN111752087A (zh)
SG (1) SG10202002368YA (zh)
TW (1) TWI797436B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112666789B (zh) * 2020-12-02 2024-05-24 湖南普照信息材料有限公司 一种衰减型高均匀的相移光掩膜坯料及其制备方法
CN113488378A (zh) * 2021-07-21 2021-10-08 湖南普照信息材料有限公司 一种光掩模坯料及其制备方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60114811A (ja) * 1983-11-28 1985-06-21 Hitachi Ltd 光導波路およびその製造方法
JP3345447B2 (ja) * 1991-11-13 2002-11-18 株式会社東芝 露光用マスクの製造方法
US5547787A (en) 1992-04-22 1996-08-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Exposure mask, exposure mask substrate, method for fabricating the same, and method for forming pattern based on exposure mask
JP2002040625A (ja) 1992-07-17 2002-02-06 Toshiba Corp 露光用マスク、レジストパターン形成方法及び露光マスク用基板の製造方法
JP3064769B2 (ja) 1992-11-21 2000-07-12 アルバック成膜株式会社 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法
KR0168134B1 (ko) * 1993-05-25 1999-01-15 사토 후미오 반사형 위상쉬프트 마스크와, 투과형 위상쉬프트 마스크 및, 패턴형성방법
US5415953A (en) * 1994-02-14 1995-05-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photomask blanks comprising transmissive embedded phase shifter
US5985493A (en) * 1998-04-08 1999-11-16 Lucent Technologies Inc. Membrane mask for projection lithography
JP4933753B2 (ja) 2005-07-21 2012-05-16 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクならびにこれらの製造方法
JP4551344B2 (ja) 2006-03-02 2010-09-29 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクおよびフォトマスク
JP4509050B2 (ja) 2006-03-10 2010-07-21 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
DE102008054139B4 (de) * 2008-10-31 2010-11-11 Schott Ag Glas- oder Glaskeramik-Substrat mit Kratzschutzbeschichtung, dessen Verwendung und Verfahren zu dessen Herstellung
JP6264238B2 (ja) * 2013-11-06 2018-01-24 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、ハーフトーン位相シフト型フォトマスク及びパターン露光方法
JP2016035559A (ja) * 2014-08-04 2016-03-17 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びその製造方法
JP6087401B2 (ja) * 2015-08-14 2017-03-01 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
JP6500791B2 (ja) 2016-01-22 2019-04-17 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びその製造方法
JP6733464B2 (ja) * 2016-09-28 2020-07-29 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスク
JP6432636B2 (ja) 2017-04-03 2018-12-05 凸版印刷株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスク及びフォトマスクの製造方法
CN111133379B (zh) 2017-09-21 2024-03-22 Hoya株式会社 掩模坯料、转印用掩模以及半导体器件的制造方法
JP6919475B2 (ja) 2017-09-29 2021-08-18 富士通株式会社 検知プログラム、装置、及び方法
JP7063607B2 (ja) 2017-12-22 2022-05-09 株式会社三共 遊技機
JP7264083B2 (ja) * 2019-03-29 2023-04-25 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランクス、その製造方法及び位相シフトマスク

Also Published As

Publication number Publication date
KR102447767B1 (ko) 2022-09-26
JP7255512B2 (ja) 2023-04-11
SG10202002368YA (en) 2020-10-29
US11307490B2 (en) 2022-04-19
US20200310241A1 (en) 2020-10-01
TWI797436B (zh) 2023-04-01
JP2020204760A (ja) 2020-12-24
EP3719575A1 (en) 2020-10-07
CN111752087A (zh) 2020-10-09
KR20200115241A (ko) 2020-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6729508B2 (ja) フォトマスクブランク及びフォトマスク
CN106997145B (zh) 半色调相移光掩模坯和制造方法
CN107765508B (zh) 用于制备半色调相移掩模坯的方法、半色调相移掩模坯、半色调相移掩模和薄膜形成设备
TW201802269A (zh) 光罩空白基板及光罩之製造方法
TWI788304B (zh) 半色調相移型空白光罩、其製造方法及半色調相移型光罩
TWI801665B (zh) 相位移型空白光罩及相位移型光罩
TWI797436B (zh) 相位移空白遮罩及相位移遮罩
TW201839497A (zh) 空白光罩及其製造方法
JP2023073408A (ja) 位相シフトマスクブランクス、その製造方法及び位相シフトマスク
JP7192731B2 (ja) ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、その製造方法、及びハーフトーン位相シフト型フォトマスク
TWI834914B (zh) 半色調相移型空白光罩、其製造方法及半色調相移型光罩
TW202217432A (zh) 相位移空白光罩、相位移光罩之製造方法及相位移光罩
TW202234143A (zh) 相位移空白光罩、相位移光罩之製造方法及相位移光罩