TW202100780A - 濺射裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題是在於使薄膜的面內的特性分佈形成均一之濺射裝置的開閉作業容易。其解決手段是在以標靶側真空槽(11a)及基板側真空槽(11b)所構成的真空槽(11)之中，使電極板(28a)、(28b)的重量支撐於標靶側真空槽(11a)，將電極板(28a)、(28b)配置於標靶(13)的短邊上而縮短標靶(13)與接地電位之間的距離，在基板(16)上使電漿形成均一。由於基板側真空槽(11b)的內部被輕量化，因此在使基板側真空槽(11b)移動而開閉真空槽(11)時，開閉作業變容易。

Description

濺射裝置
本發明是有關濺射技術，特別是有關使金屬薄膜的面內的特性分佈形成均一的濺射技術。
根據濺射方法的薄膜形成是廣泛被使用的技術，近年來為了在大型基板形成薄膜，而被要求在大面積基板形成特性分佈均一的薄膜之技術。
圖9(平面圖與E-E線、F-F線截斷剖面圖)的電漿裝置102是在陰極電極112的表面配置有標靶(target)113，在背面設有外周磁石125及內側磁石126會被配置於軛(yoke)127的複數的磁石裝置1151 ~1154 ，一旦標靶113被濺射，則在與標靶113對面而被配置於基板配置部114上的基板116的表面形成薄膜。
在基板116的外周上是配置有陽極電極117，被形成於標靶113表面的電漿會形成均一。
然而，隨著基板116更大型化，標靶113或磁石裝置1151 ~1154 跟著大型化時，在接近基板116的短邊的領域及其間的中央的部分是所被形成的薄膜的特性的差會變大。
若短邊部分的薄膜的電阻值與中央部分的薄膜的電阻值為大不同，則被形成於基板表面的發光層的發光分佈會不同，成為不均一的明亮度的畫面。
在下述專利文獻是記載大型基板對應的磁控濺射裝置，其配置與可移動的磁控電漿連動的接地電位電極來謀求膜質或膜厚的均一化。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開平07-331433號公報
(發明所欲解決的課題)
本發明是為了解決上述以往技術的不合適而創作者，其目的是在於使被形成於大型基板表面的薄膜的特性分佈形成均一，特別是在於縮小接近細長的磁控磁石的端部的基板的緣附近的領域的薄膜特性與基板的中央附近的領域的薄膜特性的差。
又，本發明的目的是在於減輕基板側真空槽的重量，使能以容易的作業進行真空槽的開閉。 (用以解決課題的手段)
為了解決上述課題，本發明的濺射裝置，係具有： 真空槽； 標靶，其係被配置於前述真空槽的內部； 陰極電極，其係被配置於前述標靶的背面側，被連接至濺射電源； 複數的磁石裝置，其係被配置於前述陰極電極的背面側； 基板配置部，其係配置基板；及 環形形狀的陽極電極，其係被連接至接地電位，覆蓋前述基板的外周上， 在各前述磁石裝置係設有細長的環形形狀的外周磁石及被配置於其內側的內側磁石， 在前述標靶的表面係被形成於前述外周磁石與其內側的前述內側磁石之間的磁束洩漏，前述標靶濺射而在前述基板表面形成薄膜， 其特徵為： 前述外周磁石與其內側的前述內側磁石係被分離，前述外周磁石與其內側的前述內側磁石之間的領域的電漿領域係被設為細長的環形形狀， 前述電漿領域的兩端與前述基板的表面所位置的平面之間，係配置有被連接至接地電位的電極板， 前述電極板的表面與前述標靶的表面之間的TB距離比前述陽極電極的表面與前述標靶的表面之間的TA距離更短， 在前述標靶的沿著前述電漿領域的兩端而位置的二邊上，係配置有前述電極板。 在本發明的濺射裝置中，前述真空槽，係設為可分離成：在內部配置有前述標靶的標靶側真空槽、及在內部配置有前述陽極電極的基板側真空槽， 在前述標靶側真空槽與前述基板側真空槽緊貼而連接的狀態中，前述標靶與前述陽極電極係被配置成鉛直，前述電極板的重量係藉由述標靶側真空槽所支撐。 在使前述標靶側真空槽與前述基板側真空槽離時，前述標靶側真空槽為靜止的狀態，前述基板側真空槽設為移動。 在本發明的濺射裝置中，前述TB距離，係比前述標靶的表面與被配置於前述基板配置部的前述基板的表面之間的TS距離的10%大，比90%小。 在本發明的濺射裝置中，前述標靶為平板狀的金屬鉬板，前述薄膜為金屬鉬薄膜。 [發明的效果]
基板表面之中，接近細長的磁控磁石的端部的地方與基板的中央的地方的薄膜特性的差變小，其結果，有關形成於長方形基板的薄膜的特性，短邊附近的領域的特性與被夾於該領域的中央附近的領域的特性會形成均一。
由於電極板與支撐構件被支撐於標靶側真空槽，基板側真空槽的內部被輕量化，因此在使基板側真空槽移動而開閉真空槽時，開閉作業變容易。
圖1的符號2是本發明的濺射裝置，具有真空槽11。圖2是比後述的陽極電極17的外周更內側的部分的平面圖，及其A-A線截斷剖面圖與B-B線截斷剖面圖。
在真空槽11的內部是配置有長方形形狀的標靶13，在該標靶13的背面側是配置有陰極電極12。
陰極電極12的表面是被接觸於標靶13的背面。
在陰極電極12的背面側是配置有磁石盒51，在磁石盒51的內部是配置有複數個(在此是4個)的磁石裝置151 ~154 。磁石裝置151 ~154 是被稱為磁控磁石。
被配置於陰極電極12的背面側的磁石裝置151 ~154 是基本上同形狀，同大小，在圖3顯示1個的磁石裝置151 ~154 的平面圖及其C-C線截斷剖面圖與D-D線截斷剖面圖。
磁石裝置151 ~154 是具有：環形形狀的外周磁石25，及被配置於外周磁石25之中的直線形形狀的內側磁石26，外周磁石25與內側磁石26是分別被設為細長，各磁石裝置151 ~154 是被設為細長，各具有長度方向。
在此，各磁石裝置151 ~154 的外周磁石25與標靶13的背面之間的距離是被設為相等，且各磁石裝置151 ~154 的內側磁石26與標靶13的背面之間的距離也被設為相等，但本發明不限於此，為了使膜厚的分佈或膜質的分佈形成均一，亦可磁石裝置151 ~154 與標靶13的背面之間的距離為相異，或磁石裝置151 ~154 與標靶13的背面之間為非平行配置。
又，在此，各磁石裝置151 ~154 的外周磁石25與標靶13的背面之間的距離及內側磁石26與標靶13的背面之間的距離也被設為相等，但在各磁石裝置151 ~154 之中，亦可含有內側磁石26與標靶13的背面之間的距離為相異的磁石裝置151 ~154 ，或外周磁石25與標靶13的背面之間的距離為相異的磁石裝置151 ~154 。
外周磁石25的二個的磁極之中，一方的磁極會朝向陰極電極12而配置，另一方的磁極會朝向與陰極電極12相反側，與軛27的表面接觸而配置，且內側磁石26的二個的磁極之中，一方的磁極會朝向陰極電極12而配置，另一方的磁極會朝向與陰極電極12相反側，與軛27的表面接觸而配置。
朝向外周磁石25的陰極電極12的磁極，及朝向內側磁石26的陰極電極12的磁極是一方為N極，另一方為S極，在朝向陰極電極12的磁極間所形成的磁束是被洩漏至標靶13的表面，被彎曲成拱形形狀，而使標靶13表面的電子密度增加。
在真空槽11內之與標靶13的表面對面的位置是配置台54，在台54上是配置有基板配置部14。
基板配置部14是長方形形狀，在基板配置部14上是配置有成膜對象的長方形的基板16。
基板16是比標靶13更小，以下，若以投影至基板配置部14上的基板16的表面所位置的平面時的位置關係來決定內側與外側，則基板16的外周是比標靶13的外周更配置於內側。
標靶13與基板16是被配置為標靶13的長邊與基板16的長邊是平行，標靶13的表面與基板16的表面也被配置為平行。
磁石裝置151 ~154 的長度方向的長度是與標靶13的長度方的長度大致同長度，基板16的長邊是比標靶13的長度方向的長度更短，且基板16的長邊是比磁石裝置151 ~154 的長度方向的長度更短。
各磁石裝置151 ~154 是在軛27的背面側接觸於移動板52的狀態下被配置於移動板52上。
各磁石裝置151 ~154 是長度方向彼此平行，與標靶13及基板16的長邊平行，在短邊所延伸的方向排成一列。
在真空槽11的外部是配置有移動裝置53，一旦移動裝置53動作，則移動板52是在標靶13的背面側沿著標靶13的表面而移動，各磁石裝置151 ~154 是與移動板52一起移動。
洩漏至標靶13的表面的磁束是與磁石裝置151 ~154 的移動共同移動。
在移動時，各磁石裝置151 ~154 是在外周磁石25與標靶13的背面之間的距離無變化，維持一定距離。並且，在內側磁石26與標靶13的背面之間的距離無變化，維持一定距離。
因此，各磁石裝置151 ~154 是與移動板52的移動共同一起移動於與標靶13的背面平行的平面內。圖4(a)是表示各磁石裝置151 ~154 位於各磁石裝置151 ~154 的各者所移動的範圍的中央的狀態，同圖(b)是表示位於圖面右端的狀態，同圖(c)是表示位於圖面左端的狀態，重複移動於同圖(b)的狀態與同圖(c)的狀態之間。
其次，在基板16與標靶13之間是配置有被連接至接地電位的陽極電極17。
陽極電極17是四角環形形狀，在中央形成有開口19。陽極電極17的外周與內周是長方形形狀，陽極電極17的外周是位於比被配置於基板配置部14的基板16的外周更外側。
在此例中，陽極電極17的內周是位於比基板16的外周更內側，陽極電極17的四角環形形狀的二個的長邊部分是被配置於基板16的長邊上，二個的短邊部分是被配置於基板16的短邊上，基板配置部14上的基板16的外周是藉由陽極電極17所覆蓋，在開口19的底面是比基板16的外周更內側的部分會露出。
在真空槽11是連接有真空排氣裝置21及氣體導入裝置23，真空槽11是藉由真空排氣裝置21來真空排氣，在真空槽11的內部是形成真空環境。
在真空槽11的外部是設有被電性連接至陰極電極12的濺射電源22，從氣體導入裝置23導入濺射氣體至形成真空環境的真空槽11的內部，內部在預定壓力安定時，從濺射電源22施加濺射電壓至陰極電極12。
標靶13是金屬被板狀地成形的平板狀標靶，邊使磁石裝置151 ~154 移動，邊在標靶13的表面附近形成濺射氣體的電漿。
電漿中的濺射氣體的正離子被加速，濺射氣體的粒子會射入至標靶13，標靶13被濺射，構成標靶13的物質的粒子會作為濺射粒子從標靶13的表面放出朝向基板16飛行，到達基板16的表面而使薄膜成長。
一旦在基板16的表面形成預定膜厚的薄膜，則基板配置部14與基板16被搬出至真空槽11的外部，配置有未成膜的基板16的基板配置部14會被搬入至真空槽11的內部。
如此藉由本發明在基板16的表面形成薄膜，但在大型的基板16表面形成的金屬薄膜的電阻值是依基板16的位置而異。
電阻值的分佈是具有與電漿的強度分佈密接的關聯，若說明本濺射裝置2的電漿，則首先在位於各磁石裝置151 ~154 的外周磁石25與內側磁石26之間的標靶13的表面形成大的強度的電漿的點具有磁控濺射的特徵。
各磁石裝置151 ~154 的外周磁石25是為了擴大被濺射的標靶的面積，而被設為細長的環形形狀，由於內側磁石26是直線形形狀，因此外周磁石25與內側磁石26之間的間隙是形成細長的環形形狀。因為電漿是形成與間隙同形狀，所以被形成的強度大的電漿也按每個磁石裝置151 ~154 形成環形形狀。
細長的環形形狀的電漿是端部比直線部分更電漿強度大為人所知。特別是若各磁石裝置151 ~154 的端部被配置成一直線，複數的細長的環形形狀的電漿在端部被配置成一直線的狀態下彼此平行排列，則環形形狀的電漿的端部被排列的部分的電漿強度會比環形形狀的電漿的長邊的部分的電漿強度更大。
被排列的端部的電漿是在基板16的短邊的附近使薄膜成長，電漿的長邊部分是在基板16的長邊的附近使薄膜成長時，在基板16表面的中央及短邊部分以及長邊部分，薄膜的特性會相異。
與各磁石裝置151 ~154 的端部被排列的領域平行地分別配置陽極電極17的短邊，在陽極電極17的二個的短邊部分上的比基板16的緣更外側是分別配置有電極板28a、28b。
濺射前的未使用的標靶13是與陰極電極12、電極板28a、28b、及陽極電極17互相平行。
二個的電極板28a、28b是互相平行，比標靶13的短邊更長，分別具有與標靶13的短邊33a、33b、陽極電極17的短邊、及陰極電極12的短邊平行的二條的緣31a、31b、32a、32b。
與標靶13的短邊33a、33b平行的各電極板28a、28b的二條的緣31a、31b、32a、32b之中，一方的緣31a、31b是位於比標靶13的短邊更外側，另一方的緣32a、32b是位於比短邊更接近標靶13的中心的地方。
因此，標靶13的短邊33a、33b附近是藉由電極板28a、28b從短邊33a、33b到內側僅一定距離覆蓋。
陰極電極12是經由絕緣板24來固定於真空槽11的壁面，陰極電極12與真空槽11是藉由絕緣板24來絕緣。在真空槽11的壁面是設有環形形狀的防著環36，標靶13是被配置於防著環36的內側。標靶13的外周面是與防著環36的內周面隔開預定距離而配置。
防著環36之中，在側面與標靶13的短邊33a、33b所位置的側面對面的部分的表面上安裝有支撐體29a、29b，電極板28a、28b是被安裝於支撐體29a、29b。
電極板28a、28b、防著環36及支撐體29a、29b是具有導電性，電極板28a、28b是經由支撐體29a、29b來電性連接至防著環36。
真空槽11是被連接至接地電位，防著環36是接觸於真空槽11，被連接至接地電位，因此電極板28a、28b是被連接至接地電位。陽極電極17也被連接至接地電位。
若將各磁石裝置151 ~154 的外周磁石25與位於其內側的內側磁石26之間的領域分別設為磁石裝置151 ~154 的電漿領域10，則各磁石裝置151 ~154 的外周磁石25的兩端是被彎曲成半圓形，隨之，電漿領域10的兩端也被彎曲成半圓形，其結果，外周磁石25與電漿領域10是分別形成跑道形形狀。
各磁石裝置151 ~154 的電漿領域10的長度方向的長度是相等，各電漿領域10是與陽極電極17所位置的平面之間的距離相等，各電漿領域10的兩端的彎曲的部分之中的一方的端部的彎曲的部分是排列成橫一列，相反側的端部的彎曲的部分也排列成橫一列。
各電漿領域10的兩端的彎曲的部分之中，一方的端部，在排列成橫一列的彎曲的部分與基板16的表面所位置的平面之間是配置有一片的電極板28a，相反側的端部，在排列成橫一列的彎曲的部分與基板16的表面所位置的平面之間是配置有其他的一片的電極板28b。
標靶13的表面是在陽極電極17的長邊部分上與陽極電極17的長邊部分相向，在陽極電極17的短邊部分上與電極板28a、28b的表面相向。
若將標靶13表面與基板16表面之間的距離設為TS距離，將標靶13表面與陽極電極17的長邊部分的表面之間的距離設為TA距離，將標靶13的表面與電極板28a、28b的表面之間的距離設為TB距離，則其次的三式成立。 TA＜TS，TB＜TS，TB＜TA
在基板16的長邊的正旁邊位置，最接近標靶13的接地電位的構件是陽極電極17之與標靶13對面的表面，在基板16的長邊的正旁邊位置，標靶13與最接近標靶13的接地電位的構件的表面之間是僅分離TA距離。
在基板16的短邊的正旁邊位置，最接近標靶13的接地電位的構件是電極板28a、28b之與標靶13對面的表面，在基板16的短邊的正旁邊位置，標靶13與最接近標靶13的接地電位的構件的表面之間是僅分離TB距離。
因此，標靶13與最接近標靶13的接地電位的構件的表面之間的距離是基板16的短邊的正旁邊位置比長邊的正旁邊位置更短。
特別是藉由電極板28a、28b，在比基板16的緣更外側，標靶13與接地電位之間的距離變短，電極板28a、28b會吸引比基板16的緣更內側的電漿，因此在比基板16的緣更外側，電極板28a、28b所位置的基板16的短邊的外側的電漿強度變強，其結果，接近基板16的短邊的基板16上的電漿強度變小。總而言之，無電極板28a、28b時，接近基板16上的電漿領域10的長度方向的兩端的部分的電漿是比基板16上的其他的部分的電漿更強度變大，但藉由設置電極板28a、28b，接近基板16上的電漿領域10的長度方向的兩端的部分的電漿強度變小，其結果，基板16上的電漿強度會被均一化，被形成的薄膜的特性分佈會被均一化。
TB距離是若不比標靶13的表面與被配置於基板配置部14的基板16的表面之間的TS距離的10%大，則反而特性分佈惡化，若不比90%小，則效果變弱的情形被確認。
在電漿領域10的兩端之彎曲的部分上設有電極板28a、28b，若與標靶13表面對面，則與接地電位的構件之間的距離是電極板28a、28b與標靶13之間最短。如上述般，電極板28a、28b上的電漿強度會增大。
電極板28a、28b是被配置於比基板16更外側，基板16的外側的電漿強度增大的結果，基板16上之中，在電極板28a、28b接近的基板16的緣附近是電漿強度會減少，因此基板16上的電漿強度會被均一化，基板16的表面內的電阻值分佈會形成均一。
其次，若說明本發明的真空槽11，則本發明的真空槽11是以標靶側真空槽11a及基板側真空槽11b所構成。
在本發明中，陰極電極12、標靶13、防著環36及陽極電極17是形成鉛直，陰極電極12是經由鉛直的絕緣板24來安裝於標靶側真空槽11a的形成鉛直的壁面。防著環36是被安裝於同壁面。
標靶13是被設在陰極電極12之與接觸於絕緣板24的面相反側的面，而位於防著環36的內周。
電極板28a、28b也經由支撐體29a、29b與防著環36來被安裝於固定有陰極電極12、標靶13及防著環36的壁面。因此，電極板28a、28b的重量是藉由標靶側真空槽11a來支撐。
濺射時，標靶側真空槽11a與基板側真空槽11b是被氣密地連接，在基板側真空槽11b的內部是設有形成鉛直的陽極電極17，基板配置部14及被配置於基板配置部14的基板16會在形成鉛直的狀態下從真空槽11的外部搬入至內部，被配置於陽極電極17與基板側真空槽11b的形成鉛直的壁面之間。
維修時，真空槽11的內部為常壓，如圖6的概略立體圖般，標靶側真空槽11a與基板側真空槽11b會被分離。
圖6的符號55是台座，標靶側真空槽11a是被設在台座55，對於地面固定。相對於此，基板側真空槽11b是未被設在台座55，氣密地被安裝於標靶側真空槽11a。在圖6中，支撐體29a、29b是被省略。
此圖6是標靶側真空槽11a不使移動，使基板側真空槽11b移動來使標靶側真空槽11a與基板側真空槽11b分離的狀態，支撐體29a、29b與電極板28a、28b是重量會經由標靶側真空槽11a來被台座55支撐。
圖8是從真空槽11的壁面除去本發明的電極板28a、28b與支撐體29a、29b，藉由支撐體39a、39b來將電極板18a、18b設於陽極電極17上時的濺射裝置132。
在本發明的濺射裝置2及此圖8的濺射裝置132的基板面內的複數的同地方測定溫度。將測定結果顯示於圖7的圖表。溫度分佈是可謂大致相同。
並且，在本發明的濺射裝置2形成鉬薄膜時的薄膜電阻值Rs是0.0760Ω/£±18.7%，膜厚分佈是3915ű14.6%。
在圖8的濺射裝置132是與0.0804Ω/£±18.2%同程度，膜厚分佈是3805ű14.1%，同等的特性。 將膜厚分佈顯示下表。
Figure 02_image001
Figure 02_image003
但，圖8的濺射裝置132的情況，電極板18a、18b與支撐體39a、39b是經由陽極電極17來被支撐於基板側真空槽，因此從標靶側真空槽分離的基板側真空槽的內部的重量變大，標靶側真空槽與基板側真空槽之間的分離形成困難的作業。
另外，二個的支撐體29a、29b是分別為一片的板，但如圖5所示的濺射裝置3般，亦可分別以3個的支撐體29c、29d來支撐一片的電極板28a、28b。
又，電漿領域10是只要為無端狀、環形形狀即可，外周磁石25的兩端為方形的情況或為橢圓形的情況也含在本發明。
又，不將各磁石裝置151 ~154 的端部配置於同一直線上的情況，或不將各磁石裝置151 ~154 的端部與陰極電極12的距離形成一定的情況也含在本發明。
另外，上述電極板28a、28b是位於陽極電極17的邊上，平行的二邊之中的一邊會比基板16的邊更外側，其他的一邊會位於比標靶13的邊更內側。
二個的電極板28a、28b是分別具有平行的二邊的形狀，電極板28a、28b是例如為長方形形狀。
電漿領域10的兩端之中，電漿領域10的一方的端部之排成一列的彎曲的部分與基板16的表面所位置的平面之間配置有一片的電極板28a，電漿領域10的相反側的端部之配成一列的彎曲的部分與基板16的表面所位置的平面之間配置有其他的一片的電極板28b。
又，電極板28a、28b的二邊之中，離標靶13的中心遠的邊是亦可伸出至電漿領域10的彎曲的部分的外側，離標靶13的中心近的邊是亦可伸出至電漿領域10的彎曲的部分的內側。又，亦可從雙方伸出。
另外，上述標靶13為金屬鉬，本發明是不限於金屬鉬，本發明的濺射裝置2是對於由金屬鈦、鉬合金、鋁、鋁合金、金屬鎢、純銅、銅合金、鉭等的金屬所成的標靶13可取得本發明的效果。
2:濺射裝置 10:電漿領域 11:真空槽 11a:標靶側真空槽 11b:基板側真空槽 13:標靶 14:基板配置部 151~154:磁石裝置 16:基板 17:陽極電極 28a,28b:電極板 22:濺射電源
[圖1]是本發明的濺射裝置。 [圖2]是用以說明本發明的濺射裝置的內部構造的平面圖及其A-A線截斷剖面圖與B-B線截斷剖面圖。 [圖3]是用以說明被用在本發明的磁石裝置的平面圖及C-C線截斷剖面圖與D-D線截斷剖面圖。 [圖4](a)~(c)是用以說明該磁石裝置的動作的剖面圖。 [圖5]是用以說明本發明的其他的例子的圖。 [圖6]是本發明的濺射裝置的概略立體圖。 [圖7]是用以比較基板的溫度分佈的條線圖表。 [圖8]是電極板被安裝於陽極電極的濺射裝置。 [圖9]是用以說明以往技術的濺射裝置的圖。
2:濺射裝置
11:真空槽
11a:標靶側真空槽
11b:基板側真空槽
12:陰極電極
13:標靶
14:基板配置部
151~154:磁石裝置
16:基板
17:陽極電極
19:開口
21:真空排氣裝置
22:濺射電源
23:氣體導入裝置
24:絕緣板
28a:電極板
29a:支撐體
36:防著環
51:磁石盒
52:移動板
53:移動裝置
54:配置台

Claims (4)

  1. 一種濺射裝置，係具有： 真空槽； 標靶，其係被配置於前述真空槽的內部； 陰極電極，其係被配置於前述標靶的背面側，被連接至濺射電源； 複數的磁石裝置，其係被配置於前述陰極電極的背面側； 基板配置部，其係配置基板；及 環形形狀的陽極電極，其係被連接至接地電位，覆蓋前述基板的外周上， 在各前述磁石裝置係設有細長的環形形狀的外周磁石及被配置於其內側的內側磁石， 在前述標靶的表面係被形成於前述外周磁石與其內側的前述內側磁石之間的磁束洩漏，前述標靶濺射而在前述基板表面形成薄膜， 其特徵為： 前述外周磁石與其內側的前述內側磁石係被分離，前述外周磁石與其內側的前述內側磁石之間的領域的電漿領域係被設為細長的環形形狀， 前述電漿領域的兩端與前述基板的表面所位置的平面之間，係配置有被連接至接地電位的電極板， 前述電極板的表面與前述標靶的表面之間的TB距離比前述陽極電極的表面與前述標靶的表面之間的TA距離更短， 在前述標靶的沿著前述電漿領域的兩端而位置的二邊上，係配置有前述電極板。
  2. 如請求項1之濺射裝置，其中，前述真空槽，係設為可分離成：在內部配置有前述標靶的標靶側真空槽、及在內部配置有前述陽極電極的基板側真空槽， 在前述標靶側真空槽與前述基板側真空槽緊貼而連接的狀態中，前述標靶與前述陽極電極係被配置成鉛直，前述電極板的重量係藉由前述標靶側真空槽所支撐。 在使前述標靶側真空槽與前述基板側真空槽離時，前述標靶側真空槽為靜止的狀態，前述基板側真空槽設為移動。
  3. 如請求項1或2之濺射裝置，其中，前述TB距離，係比前述標靶的表面與被配置於前述基板配置部的前述基板的表面之間的TS距離的10%大，比90%小。
  4. 如請求項1~3中的任一項所記載之濺射裝置，其中，前述標靶為平板狀的金屬鉬板，前述薄膜為金屬鉬薄膜。
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