JP6612448B2 - ターゲット装置、スパッタリング装置 - Google Patents
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Description
本発明は、前記高透磁率板は、前記外側磁石と前記内側磁石とに非接触にされたターゲット装置である。
本発明は、真空槽と、前記真空槽の内部に配置されたターゲット装置と、を有するスパッタリング装置であって、前記ターゲット装置は、バッキングプレートと、前記バッキングプレートの片面に配置され、スパッタリングされるスパッタ面が露出されたスパッタリングターゲットと、前記バッキングプレートの前記スパッタリングターゲットが配置された側とは反対の側に配置された磁石装置とを有し、前記磁石装置は、上端が、スパッタリングされる前の前記スパッタリングターゲットの前記スパッタ面と平行な磁石平面に位置し、リング形形状にされた外側磁石と、上端が、前記磁石平面に位置し、前記外側磁石の内側に、前記外側磁石とは非接触に配置された内側磁石と、前記バッキングプレートの透磁率よりも大きい透磁率を有するリング形形状の高透磁率板と、を有し、前記高透磁率板は、前記内側磁石を取り囲み、前記外側磁石によって取り囲まれる位置に配置され、前記高透磁率板の外側側面と内側側面とは前記磁石平面と交叉し、又は、前記外側側面の上端と前記内側側面の上端若しくは前記外側側面の下端と前記内側側面の下端とが前記磁石平面と一致するように配置され、磁場の垂直成分がゼロである点を結んで得られ、前記高透磁率板の表面に対して垂直方向に伸びる第一の線分と、磁場の垂直成分がゼロである点を結んで得られ、前記外側磁石の上端の内周から前記内側磁石の上端の外縁に伸びるか、もしくは、前記高透磁率板の表面の一方の端部から他方の端部に伸びる第二の線分とが交差する特異点における水平方向の磁場強度が140G以上230G以下の値になるようにされて前記スパッタ面上に磁力線が形成され、前記高透磁率板は、透磁率が0.9×10 -3 H/m以上の金属材料で構成されたスパッタリング装置である。
本発明は、前記高透磁率板は、前記外側磁石と前記内側磁石とに非接触にされたスパッタリング装置である。
このターゲット装置14の平面図を、図2に示し、そのA-A線截断断面図を図3に示す。ターゲット装置14は、板状のバッキングプレート21を有しており、バッキングプレート21の片面には、スパッタリングターゲット22が配置されている。
この磁石装置23は、スパッタリングターゲット22のスパッタ面24とは反対側である裏面側に位置している。
樹脂29上には、内側磁石26を取り囲むリング形形状の高透磁率板27が配置されており、後述するように、スパッタ面24と平行に伸びる磁力線が多い。
なお、高透磁率板27の厚さは数mm程度であり、ステンレス、鉄、パーマロイを平板状に加工した板や、他の透磁材料の板を用いることができる。
バッキングプレート21を構成する銅の透磁率μ(H/m)は1.26×10-6であり、本発明の高透磁率板27を構成する材料は、マルテンサイトステンレス鋼(焼き鈍し:9.42×10-4、1,19×10-3)、フェライトステンレス(焼き鈍し:1.26×10-3、2.26×10-3)、パーマロイ(1.2×10-2)、鉄(99.8%純鉄:6.3×10-3)ケイ素鋼(5.0×10-3)、鉄コバルト合金(2.3×10-2)等の透磁率μが0.9×10-3以上の金属材料を使用することができる。
14……ターゲット装置
21……バッキングプレート
22……スパッタリングターゲット
23……磁石装置
24……スパッタ面
25……外側磁石
26……内側磁石
27……高透磁率板
30……磁力線
31……磁石平面
Claims (4)
- バッキングプレートと、
前記バッキングプレートの片面に配置され、スパッタリングされるスパッタ面が露出されたスパッタリングターゲットと、
前記バッキングプレートの前記スパッタリングターゲットが配置された側とは反対の側に配置された磁石装置とを有するターゲット装置であって、
前記磁石装置は、
上端が、スパッタリングされる前の前記スパッタリングターゲットの前記スパッタ面と平行な磁石平面に位置し、リング形形状にされた外側磁石と、
上端が、前記磁石平面に位置し、前記外側磁石の内側に、前記外側磁石とは非接触に配置された内側磁石と、
前記バッキングプレートの透磁率よりも大きい透磁率を有するリング形形状の高透磁率板と、を有し、
前記高透磁率板は、前記内側磁石を取り囲み、前記外側磁石によって取り囲まれる位置に配置され、
前記高透磁率板の表面は、前記磁石平面と一致するか、又は、前記磁石平面よりも前記スパッタリングターゲットの近くに位置し、前記高透磁率板の裏面は前記磁石平面と一致するか、又は前記磁石平面よりも前記スパッタリングターゲットから遠くに位置するように配置され、磁場の垂直成分がゼロである点を結んで得られ、前記高透磁率板の表面に対して垂直方向に伸びる第一の線分と、磁場の垂直成分がゼロである点を結んで得られ、前記外側磁石の上端の内周から前記内側磁石の上端の外縁に伸びるか、もしくは、前記高透磁率板の表面の一方の端部から他方の端部に伸びる第二の線分とが交差する特異点における水平方向の磁場強度が140G以上230G以下の値になるようにされて前記スパッタ面上に磁力線が形成され、前記高透磁率板は、透磁率が0.9×10 -3 H/m以上の金属材料で構成されたターゲット装置。 - 前記高透磁率板は、前記外側磁石と前記内側磁石とに非接触にされた請求項1記載のターゲット装置。
- 真空槽と、
前記真空槽の内部に配置されたターゲット装置と、
を有するスパッタリング装置であって、
前記ターゲット装置は、
バッキングプレートと、
前記バッキングプレートの片面に配置され、スパッタリングされるスパッタ面が露出されたスパッタリングターゲットと、
前記バッキングプレートの前記スパッタリングターゲットが配置された側とは反対の側に配置された磁石装置とを有し、
前記磁石装置は、
上端が、スパッタリングされる前の前記スパッタリングターゲットの前記スパッタ面と平行な磁石平面に位置し、リング形形状にされた外側磁石と、
上端が、前記磁石平面に位置し、前記外側磁石の内側に、前記外側磁石とは非接触に配置された内側磁石と、
前記バッキングプレートの透磁率よりも大きい透磁率を有するリング形形状の高透磁率板と、を有し、
前記高透磁率板は、前記内側磁石を取り囲み、前記外側磁石によって取り囲まれる位置に配置され、
前記高透磁率板の外側側面と内側側面とは前記磁石平面と交叉し、又は、前記外側側面の上端と前記内側側面の上端若しくは前記外側側面の下端と前記内側側面の下端とが前記磁石平面と一致するように配置され、磁場の垂直成分がゼロである点を結んで得られ、前記高透磁率板の表面に対して垂直方向に伸びる第一の線分と、磁場の垂直成分がゼロである点を結んで得られ、前記外側磁石の上端の内周から前記内側磁石の上端の外縁に伸びるか、もしくは、前記高透磁率板の表面の一方の端部から他方の端部に伸びる第二の線分とが交差する特異点における水平方向の磁場強度が140G以上230G以下の値になるようにされて前記スパッタ面上に磁力線が形成され、前記高透磁率板は、透磁率が0.9×10 -3 H/m以上の金属材料で構成されたスパッタリング装置。 - 前記高透磁率板は、前記外側磁石と前記内側磁石とに非接触にされた請求項3記載のスパッタリング装置。
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